CN106887447B - 柔性显示装置 - Google Patents

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Abstract

柔性显示装置。公开了一种通过减小边框来使美观外形得到改进的柔性显示装置。该柔性显示装置包括:基板,该基板包括显示区域和非显示区域,所述非显示区域包括弯曲区域;链接线,该链接线在所述基板上位于所述非显示区域中;以及弯曲连接线,该弯曲连接线在所述基板上位于所述弯曲区域中并与所述链接线连接,并且所述弯曲连接线位于所述柔性显示装置的第一缓冲层和第二缓冲层之间。

Description

柔性显示装置
技术领域
本公开涉及柔性显示装置。
背景技术
近来,随着信息时代的进步,用于处理并显示大量信息的显示装置已经得到快速发展。响应于这种趋势,各种显示装置已经被介绍并且备受瞩目。这些显示装置的详细示例包括液晶显示(LCD)装置、等离子体显示板(PDP)装置、场发射显示(FED)装置、电致发光显示(ELD)装置以及有机发光显示(OLED)装置。
在这些显示装置当中,基于有机发光二极管的有机发光显示装置的优点在于:设置在显示面板中的有机发光二极管具有高亮度和低工作电压特性。另外,由于有机发光显示装置是具有良好对比率的自发光装置,因此其优点在于:有机发光显示装置实现超薄显示器。另外,有机发光显示装置具有几微秒的响应时间以容易地显示移动图像,在视角方面没有限制,并且即使在低温度下也是稳定的。
近来,已经做出了为了实现平板显示装置作为柔性显示装置以实现诸如便于携带、类型多样和避免损坏这样的各种目的的努力。例如,液晶显示装置和有机发光显示装置被布置在诸如塑料这样的柔性基板上,据此能够制造柔性液晶显示装置和柔性有机发光显示装置。
然而,为了具备柔性显示装置的弯曲特性,已经要求开发显示装置的除了柔性基板以外的内部元件的弯曲特性。
另外,根据柔性特性对显示装置的应用,已经引入了边框弯曲技术,该边框弯曲技术通过使与不显示图像的边框部分对应的区域弯曲来使边框宽度最小化。
图1是例示了基于边框弯曲的常规柔性显示装置的平面视图,图2是例示了图1中的区域A的放大视图,图3是沿着图1中所示的线I-I’截取的截面视图,图4是例示了图3中的弯曲区域弯曲的截面视图。
参照图1至图4,基于边框弯曲的常规柔性显示装置包括显示区域1、非显示区域2、弯曲区域3、面内栅极(GIP)区域4和驱动部5。
显示区域1是显示图像的区域,非显示区域2是不显示图像的区域。非显示区域2的一部分包括弯曲类型的弯曲区域3。GIP区域4是选通驱动电路被布置在形成有薄膜晶体管(TFT)基板的显示面板的内部的区域。
显示区域1和非显示区域2包括基板25、聚酰亚胺层24、多阻挡层23、无机层22、栅绝缘层12、介电中间层21以及钝化层20。
在这种情况下,薄膜晶体管T、平整层30、阳极40和辅助电极50形成在显示区域1上。薄膜晶体管T包括有源层11、栅绝缘膜12、栅极13、介电中间层14、源极15以及漏极16。
岸60形成在阳极40和辅助电极50上以限定像素区域,有机发光层70形成在由岸60限定的像素区域中,并且阴极80形成在有机发光层70上。
在上述的常规柔性显示装置中,如图4中所示,弯曲区域4被弯曲以使与非显示区域2的一部分对应的边框最小化。此时,在从薄膜晶体管T连接的源极15中可能出现裂缝。因此,常规柔性显示装置使用具有与图2中的图案相同的形状的线来减少这种裂缝。
然而,在这种情况下,源极15不被设置在中性平面上,凭此不能完全避免源极15中出现的裂缝。
另外,在这种情况下,出现以下问题:由于如图2中所示的线之间的距离P以及这些线的宽度L,因此无法将图2中的线应用于高分辨率显示装置。这是因为,由于通过在高分辨率显示装置中相对地增加的线的距离P和宽度L而预留的区域,因此在线的设计方面存在局限性。
发明内容
因此,本公开涉及一种柔性显示装置,该柔性显示装置基本上避免了由于现有技术的局限性和缺点而导致的一个或更多个问题。
本公开的一个优点在于提供了一种能够防止在弯曲区域的线中出现裂缝的柔性显示装置。
本公开的另一优点在于提供了一种通过使用直线而具有高分辨率的柔性显示装置。
本公开的另外的优点在于提供了一种通过使非显示区域的边框最小化而使其美观外形得到改进的柔性显示装置。
本发明另外的优点、目的和特征将在下面的描述中部分地进行阐述,并且对于阅读下面内容的本领域普通技术人员部分地将变得显而易见,或者可以通过本发明的实践来得到了解。可以通过书面的说明书及其权利要以及附图中具体指出的结构来实现和获得本发明的目的和其它优点。
为了实现这些目的及其它优点并且根据本发明的目的,如本文中所具体实现并广义描述的,在一种实施方式中,一种柔性显示装置包括:基板,该基板包括显示图像的显示区域和不显示图像的非显示区域,所述非显示区域包括所述柔性显示装置能够进行弯曲的弯曲区域;链接线(link line),该链接线在所述基板上位于所述非显示区域中;第一缓冲层,该第一缓冲层在所述基板上位于所述弯曲区域中;弯曲连接线,该弯曲连接线在所述基板上位于所述弯曲区域中的所述第一缓冲层上,所述弯曲连接线在所述弯曲区域中与所述链接线连接;以及第二缓冲层,该第二缓冲层在所述基板的所述弯曲区域中位于所述弯曲连接线上。
在另一实施方式中,一种柔性显示装置包括:基板,该基板包括显示图像的显示区域和不显示图像的非显示区域,所述非显示区域包括所述柔性显示装置能够进行弯曲的弯曲区域;薄膜晶体管(TFT),该TFT位于所述显示区域中,所述TFT包括位于所述柔性显示装置的第一层中的电极;弯曲连接线,该弯曲连接线位于所述非显示区域的所述弯曲区域中,所述弯曲连接线位于所述柔性显示装置的第二层中,所述柔性显示装置的所述第二层位于包括所述TFT的所述电极的所述第一层下方;链接线,该链接线位于所述非显示区域中,所述链接线经由至少一个接触孔使所述TFT的在所述第一层中的所述电极和位于所述第二层中的所述弯曲连接线电连接在一起;以及第一缓冲层和第二缓冲层,所述弯曲连接线在所述弯曲区域中位于所述第一缓冲层和所述第二缓冲层之间。
应该理解的是,对本发明的以上一般描述和以下详细描述都是示例性和解释性的,并且旨在对所要求保护的本发明提供进一步的解释。
附图说明
附图被包括以提供对本发明的进一步理解,被并入到本申请中并构成本申请的一部分,附图例示了本发明的实施方式,并且与本说明书一起用于解释本发明的原理。在附图中:
图1是例示常规柔性显示装置的正面视图;
图2是例示图1中的区域A的放大视图;
图3是沿着图1中所示的线I-I’截取的截面视图;
图4是例示常规柔性显示装置弯曲的截面视图;
图5是例示根据本公开的柔性显示装置的正面视图;
图6是根据本公开的一个实施方式的沿着图5中所示的线II-II’截取的截面视图;
图7是根据本公开的另一实施方式的沿着图5中所示的线II-II’截取的截面视图;
图8是例示根据本公开的柔性显示装置的中性平面的视图;
图9A、图9B和图9C是例示根据本公开的用于确定柔性显示装置的厚度的实验的视图;以及
图10是例示根据本公开的柔性显示装置弯曲的截面视图。
具体实施方式
通过参照附图描述的如下实施方式,将阐明本公开的优点和特征及其实现方法。然而,本公开可以按照不同的形式来实施,并且不应当被理解为局限于本文中阐述的实施方式。相反,提供这些实施方式以使得本公开将彻底并完整,并且将本发明的范围充分地传达给本领域的技术人员。另外,本公开仅由权利要求的范围来限定。
为了描述本发明的实施方式而在附图中公开的形状、尺寸、比率、角度和数字仅仅是示例,并因此本发明不限于所例示的细节。相同的附图标记在整个说明书中表示相同的元件。在下面的描述中,当确定相关已知功能或配置的详细描述会不必要地使本发明的要点模糊不清时,将省略所述详细描述。在使用本说明书中描述的“包括”、“具有”和“包含”的情况下,除非使用“仅~”,否则还可添加其它部件。除非相反地指出,单数形式的术语可以包括复数形式。
在对元件进行解释时,虽然没有明确的说明,但是元件也被解释为包括误差范围。
在本公开的实施方式的描述中,当一个结构(例如,电极、线、接线、层或者触点)被描述为形成在另一结构的上部/下部或者在另一结构上面/下面时,该描述应当被理解为包括这些结构彼此接触的情况、以及在其中设置有第三结构的情况。
当描述时间关系时,例如当时间顺序被描述为“在~之后”、“继~之后”、“靠近~”和“在~之前”时,除非使用“正好”或“恰好”,否则还可以包括不连续的情况。
将要理解的是,尽管术语第一、第二等可以在本文中被用来描述各个元件,但是这些元件不应当受到这些术语的限制。这些术语仅被用来将一个元件与另一元件区分开。例如,在不背离本发明的范围的情况下,第一元件可以被称为第二元件,并且类似地,第二元件可以被称为第一元件。
本公开的各种实施方式的特征可以部分地或全部地彼此进行结合或组合,并且可以与彼此进行各种互相操作并在技术上如本领域技术人员能够充分理解的那样进行驱动。本公开的实施方式可以彼此独立地执行,或者可以在相互依赖的关系中一起执行。
在下文中,将参照附图详细地描述本公开的优选实施方式。
图5是例示根据本发明的柔性显示装置的正面视图,图6是沿着图5中所示的线II-II’截取的截面视图。
参照图5、图6和图7,根据本公开的柔性显示装置包括显示区域1、非显示区域2、驱动膜5和GIP区域4。非显示区域2包括弯曲区域3。首先,将描述显示区域1,接下来将描述非显示区域2和弯曲区域3。
显示区域1包括位于基板210上的第一缓冲层220、无机层230、第二缓冲层240、多缓冲层250、薄膜晶体管T、钝化层270、平整层180、阳极185、辅助电极190、岸层(banklayer)200、有机发光层203和阴极207。
基板210可以是塑料膜。例如,基板210可以是非限制性地包括下面的项在内的片材或膜:诸如TAC(三醋酸纤维素)或DAC(二醋酸纤维素)这样的纤维素树脂,诸如降冰片烯衍生物这样的COP(环烯烃聚合物),COC(环烯烃共聚物),诸如PMMA(聚甲基丙烯酸甲酯)这样的丙烯酸树脂,诸如PC(聚碳酸酯)、PE(聚乙烯)或PP(聚丙烯)、PVA(聚乙烯醇)这样的聚烯烃,诸如PES(聚醚砜)、PEEK(聚醚醚酮)、PEI(聚醚酰亚胺)、PEN(聚萘二甲酸乙二醇酯)和PET(聚对苯二甲酸乙二醇酯)、PI(聚酰亚胺)、PSF(聚砜)这样的聚酯纤维,或者氟树脂。
第一缓冲层220被布置在基板210上,并且可以非限制性地由PI(聚酰亚胺)制成。在本公开中,由于第一缓冲层220是用于构成中性平面的元件,第一缓冲层220将在弯曲区域3中更详细地进行描述。
无机层230可以由包含氧化物和氮化物的材料制成,并且可以由诸如硅氮化物(SiNx)、硅氧化物(SiOx)、钛氧化物(TiOx)、铝氧化物(AlOx)、铟镓氧化物(IGO)、铟锌氧化物(IZO)和铟镓锌氧化物(IGZO)这样的无机材料制成。无机层230可以用来防止水渗透到其中。无机层230可以直接位于第一缓冲层220上,使得第一缓冲层220直接位于无机层230下面。
第二缓冲层240被布置在基板210上方,并且可以非限制性地由PI(聚酰亚胺)制成。在本公开中,由于第二缓冲层240是用于构成中性平面的元件,第二缓冲层240将在弯曲区域3中更详细地进行描述。
多缓冲层250可以由包含诸如硅Si、铝Al、钡Ba、钼Mo、铜Cu、钛Ti和锌Zn这样的金属材料的氧化物和氮化物在内的无机材料制成。多缓冲层250用来防止基板210中包含的材料在薄膜晶体管T的制造过程的高温处理期间扩散到薄膜晶体管T中。另外,多缓冲层250可以用来防止外部的水或湿气渗透到透明的柔性显示装置中。因此,除了透明柔性显示装置的诸如第二缓冲层240的其它特征以外,多缓冲层250还具有更高的耐水性。
薄膜晶体管T包括有源层110、栅绝缘膜120、栅极130、介电中间层140、源极150以及漏极160。
有源层110形成在基板210上,以与栅极130交叠。有源层110可以由基于硅的半导体材料或基于氧化物的半导体材料制成。如图7中所示,遮光层284和有源缓冲层290可以附加地形成在基板210和有源层110之间。在这种情况下,通过基板210的下表面入射的外部光可以被遮光层284遮挡,据此可以防止有源层110受到外部光的损害。
栅绝缘膜120形成在有源层110上。栅绝缘膜120用来使有源层110与栅极130隔离。栅绝缘膜120可以由无机绝缘材料制成,例如可以非限制性地由硅氧化物(SiOX)膜、硅氮化物(SiNX)膜或者多层SiOX和SiNX形成。栅绝缘膜120可以延伸到非显示区域2。
栅极130形成在栅绝缘膜120上。栅极130形成为通过插入在该栅极130与有源层110之间的栅绝缘膜120来与该有源层110交叠。栅极130可以是但不限于由Mo、Al、Cr、Au、Ti、Ni、Nd和Cu中的任何一个或者它们的合金组成的单层或多层。
介电中间层140形成在栅极130上。介电中间层140可以由与栅绝缘膜120的无机绝缘材料相同的无机绝缘材料制成,例如可以非限制性地由硅氧化物(SiOX)膜、硅氮化物(SiNX)膜或者多层SiOX和SiNX形成。
源极150和漏极160彼此面对地形成在介电中间层140上。上述的栅绝缘膜120和上述的介电中间层140设置有第一接触孔CH1和第二接触孔CH2,其中,第一接触孔CH1使有源层110的一端区域露出,第二接触孔CH2使有源层110的另一端区域露出。源极150穿过第二接触孔CH2与有源层110的另一端区域连接,漏极160穿过第一接触孔CH1与有源层110的一端区域连接。另外,源极150可以延伸到非显示区域2,然后与第一链接线151连接。
上述薄膜晶体管T可以被修改为本领域技术人员所知的各种结构,而不限制于如所示的上述结构。例如,虽然薄膜晶体管T形成在附图中的栅极130形成在有源层110上方的顶栅结构中,但是薄膜晶体管T也可以形成在栅极130形成在有源层110下方的底栅结构中。
钝化层270形成在薄膜晶体管T上,更具体地形成在源极150和漏极160上。钝化层270用来保护薄膜晶体管T,并且可以非限制性地由例如SiOX或SiNX的无机绝缘材料制成。
平整层180形成在钝化层270上。平整层180用来使基板210的设置有薄膜晶体管T的上部平整。平整层180可以非限制性地由诸如丙烯酸树脂、环氧树脂、酚醛树脂、聚酰胺树脂和聚酰胺树脂这样的有机绝缘材料制成。
阳极185形成在平整层180上。上述的钝化层270和上述的平整层180设置有使源极150露出的第三接触孔CH3,并且源极150和阳极185经由第三接触孔CH3彼此连接。
辅助电极190形成在与阳极185相同的层上。辅助电极190用来减小稍后将描述的阴极207的电阻。
岸层200形成在平整层180的一个表面处,并且形成在阳极185的两个边缘和辅助电极190的两个边缘上面。平整层180包括第三接触孔CH3,第三接触孔CH3使源极150从钝化层270和平整层180露出。岸层200可以防止水渗透到透明的柔性显示装置中。岸层200可以非限制性地由诸如聚酰亚胺树脂、丙烯酸树脂和BCB这样的有机绝缘材料制成。
虽然未示出,有机发光层203可以形成在空穴注入层、空穴传输层、有机发光层、电子传输层和电子注入层依次进行沉积的结构中。在这种情况下,可以省略空穴注入层、空穴传输层、电子传输层和电子注入层中的一个或两个或更多个。有机发光层可以形成为针对每个像素发出相同颜色的光(例如,白色光),或者可以形成为针对每个像素发出不同颜色的光(例如,红色光、绿色光和蓝色光)。
阴极207形成在有机发光层203上。由于阴极207形成在发出光的表面上,因此阴极207是由透明的导电材料制成的。由于阴极207由透明导电材料制成,因此阴极207具有高的电阻。因此,为了减小阴极207的电阻,阴极207与辅助电极190连接。阴极207可以通过诸如溅射这样的沉积处理来形成,沉积处理不具有沉积材料的良好的线性度。
虽然未示出,包封层可以附加地形成在阴极207上,以防止发生水渗透。本领域中已知的各种材料都可以用作包封层。另外,虽然未示出,但是可以在阴极207上附加地形成针对每个像素的滤色器。在这种情况下,有机发光层203可以发出白色光。
接下来,在GIP区域4中,相应的层被形成为与显示区域1对应,并且多个驱动装置和电力线形成在栅绝缘膜120上。另外,GIP区域4中的无机层230可以设置有遮光层282,该遮光层282通过与稍后将要描述的弯曲连接线280的处理相同的处理来形成在与弯曲连接线280相同的层上。然而,不限制于该示例,遮光层282可以形成在显示区域1、非显示区域2和GIP区域4中的任何一个区域中。
接下来,驱动膜5被布置为与非显示区域2平行,并且将用于显示图像的电信号传送到显示区域。驱动膜5与稍后将要描述的第二链接线153连接。也就是说,电路板(未示出)可以形成在驱动膜5的与外部系统(未示出)连接的一端,据此显示区域1与外部系统电连接。
接下来,将更详细地描述根据本公开的柔性显示装置的非显示区域2和弯曲区域3。将省略显示区域1的重复描述。
根据本公开的柔性显示装置的非显示区域2和弯曲区域3还包括第四接触孔CH4、第五接触孔CH5、弯曲连接线280、第一链接线151和第二链接线153。另外,非显示区域2中的无机层230可以设置有遮光层,该遮光层通过与弯曲连接线280的处理相同的处理来形成在与弯曲连接线280相同的层上。
显示区域的源极150延伸到第一链接线151,据此第一链接线151穿过第四接触孔CH4与弯曲区域的弯曲连接线280的一端(例如,第一端)电连接。弯曲连接线280的另一端(例如,第二端)穿过第五接触孔CH5与第二链接线153连接,该第二链接线153与焊盘部连接。另外,第一链接线151和第二链接线153可以被布置为在柔性显示装置如图10中所示地在弯曲区域中弯曲的同时彼此平行。
无机层230可以包括第一无机层和第二无机层。弯曲连接线280可以在弯曲区域处形成在第一无机层上。然后,第二无机层可以形成在第一无机层和弯曲连接线280上。因此,弯曲连接线280被布置为由无机层230包围。
另外,无机层230设置在第一缓冲层220和第二缓冲层240之间,使得第一缓冲层220直接在无机层230下面并且第二缓冲层240直接在无机层230上。
第一缓冲层220和第二缓冲层240可以通过在它们之间插入无机层230以相同的厚度由相同的材料(诸如聚酰亚胺)形成。然而,第一缓冲层220和第二缓冲层240可以由诸如TAC(三醋酸纤维素)或DAC(二醋酸纤维素)这样的纤维素树脂、诸如降冰片烯衍生物这样的COP(环烯烃聚合物)、COC(环烯烃共聚物)、诸如PMMA(聚甲基丙烯酸甲酯)这样的丙烯酸树脂、诸如PC(聚碳酸酯)、PE(聚乙烯)或PP(聚丙烯)、PVA(聚乙烯醇)这样的聚烯烃、PES(聚醚砜)、PEEK(聚醚醚酮)、PEI(聚醚酰亚胺)、PEN(聚萘二甲酸乙二醇酯)和PET(聚对苯二甲酸乙二醇酯)等制成,而不限制于聚酰亚胺。
如上所述,与常规的柔性显示装置不同,与第一链接线151和第二链接线153连接的弯曲连接线280被布置在第一缓冲层220和第二缓冲层240之间,由此能够获得具有线性线结构的高分辨率柔性显示装置。
由于弯曲连接线280布置在第一缓冲层220和第二缓冲层240之间,因此在弯曲连接线280上形成有中性平面。中性平面是指当向其施加弯曲力矩时,在保持其原始长度不增大或减小的情况下仅弯曲的平面。也就是说,中性平面是指通过使在弯曲期间施加给弯曲连接线的拉伸应力和压缩应力抵消来使最小力施加到弯曲表面的平面。
另外,当向对象施加弯曲力矩时出现的中性平面NP形成在该对象的中部。因此,可能的话,如果通过在其之间插入线而布置的上部和下部具有彼此相同的厚度和相同的特性,则形成要由在向柔性显示装置施加弯曲力矩时出现的中性平面NP进行保护的线。
在下文中,将参照图8来描述在根据本公开的柔性显示装置的第一缓冲层220和第二缓冲层240以及弯曲连接线280中形成的中性平面。
图8是例示在根据本公开的柔性显示装置的弯曲区域中形成的中性平面的视图。中性平面NP形成在图8中所示的弯曲连接线280的中心处。此时,箭头方向上的力从垂直方向上所示的虚线被传送到与对角线方向上的虚线相切的直线。在这种情况下,基于中性平面NP的上部箭头代表拉伸应力,而基于中性平面NP的下部箭头代表压缩应力。如果反复地或者以断裂强度或更强的强度来施加该拉伸应力和压缩应力,则柔性显示装置中形成的线可能受到损害或缩短。
在这方面,在根据本公开的柔性显示装置中,为了使边框最小化并且防止弯曲区域3中设置的弯曲连接线280受到损害,在弯曲区域3上的每一层的厚度可以被确定为使得中性平面可以设置在弯曲连接线280上。
图9A和图9B例示了用于确定根据本公开的柔性显示装置的基板和缓冲层的厚度的实验。图9C例示了根据本发明的柔性显示装置的每一层的厚度是基于上述实验来设置的。
图9A和图9B中的曲线图中的轴线X是指出现中性平面的距离,轴线Y分别代表应力和应变。通过图9A和图9B中所示的这种仿真的分析方法基于关于杨氏模量(E)、泊松比(v)、厚度(d)、应变(ε)和层总厚度(h)的中性平面理论。
参照图9A和图9B,当包括基板的厚度在内的要到达弯曲连接线280的总厚度为60.1μm或60.2μm时,中性平面可以形成在弯曲连接线280上。也就是说,如果线被布置在包括基板的厚度在内的要到达弯曲连接线280的总厚度为60.1μm或60.2μm的点处,则为了保护该点,最小应变作用在该点上。因此,使用该点作为目标点来布置弯曲连接线280。
参照图9C,当基板210的厚度被设计为50μm,第一缓冲层220的厚度被设计为10μm,无机层230的厚度被设计为0.1μm,第二缓冲层240的厚度被设计为10μm并且多缓冲层250的厚度被设计为1.2μm,并且弯曲连接线280布置在无机层230上时,中性平面可以形成在弯曲连接线280上。也就是说,当根据本公开的柔性显示装置的每一层的厚度如图9C中所示时,中性平面形成在弯曲连接线280上,由此弯曲连接线280即使在弯曲的情况下也既不会受到损害,又不会缩短。然而,上述厚度仅仅是示例性的,并且中性平面的位置可以取决于基板的厚度或特性以及第一缓冲层220和第二缓冲层240的厚度或特性而改变。因此,可以使用可以由本领域普通技术人员容易地设计的厚度值来设计期望的中性平面。例如,第一缓冲层220和第二缓冲层240可以被设计为具有彼此相同的厚度和相同的特性。
另外,如图8中所示通过蚀刻在弯曲区域3中形成岛图案(island pattern)。与无机单层结构相比,该岛图案结构可以减小应力的集中水平,由此可以降低裂缝的发生率。虽然示出了一个岛图案结构,但是岛图案结构不限于所示的结构。例如,可以通过蚀刻来形成多个岛图案。
图10是例示根据本公开的柔性显示装置的弯曲区域弯曲的截面视图。
如将要从图10中知道的,压缩应力和拉伸应力被抵消的中性平面形成在弯曲区域3中的弯曲连接线280上,由此弯曲连接线280既不会受到损害又不会缩短。另外,根据本公开的柔性显示装置的弯曲连接线280可以被用于通过形成直线结构而使线之间的间距减小的高分辨率柔性显示装置。另外,由于柔性显示装置的与非显示区域2对应的边框可以由于弯曲区域3的弯曲而变薄,因此可以获得美观外形得到改进的柔性显示装置。
如上所述,根据本公开,能够获得以下优点。
首先,能够获得能够防止在弯曲区域的线中出现裂缝的柔性显示装置。
其次,能够通过使用直线来获得高分辨率的柔性显示装置。
最后,能够通过使非显示区域的边框最小化来获得美观外形得到改进的柔性显示装置。
对于本领域技术人员将显而易见的是,能够在不背离本发明的精神或范围的情况下对本发明做出各种修改和改变。因此,本发明旨在本发明的涵盖落入所附的权利要求及其等同物的范围内的修改和变型。
相关申请的交叉引用
本申请要求于2015年12月15日提交的韩国专利申请No.10-2015-0178916的权益,该韩国专利申请通过引用方式完整地被并入到本文中。

Claims (20)

1.一种柔性显示装置,该柔性显示装置包括:
基板,该基板包括显示图像的显示区域和不显示图像的非显示区域,所述非显示区域包括所述柔性显示装置能够进行弯曲的弯曲区域;
链接线,该链接线在所述基板上位于所述非显示区域中;
第一缓冲层,该第一缓冲层在所述基板上位于所述弯曲区域中;
弯曲连接线,该弯曲连接线在所述基板上位于所述弯曲区域中的所述第一缓冲层上,所述弯曲连接线在所述弯曲区域中与所述链接线连接;
第二缓冲层,该第二缓冲层在所述基板的所述弯曲区域中位于所述弯曲连接线上;以及
薄膜晶体管TFT,该TFT位于所述显示区域中,所述TFT包括位于所述第二缓冲层上方的电极,
其中,所述链接线经由至少一个接触孔使所述TFT的所述电极和所述弯曲连接线电连接在一起。
2.根据权利要求1所述的柔性显示装置,该柔性显示装置还包括:
无机层,该无机层包围所述弯曲连接线,所述无机层在所述基板上的所述弯曲区域中位于所述第一缓冲层和所述第二缓冲层之间。
3.根据权利要求2所述的柔性显示装置,其中,所述第一缓冲层直接位于所述无机层下面,并且所述第二缓冲层直接位于所述无机层上。
4.根据权利要求3所述的柔性显示装置,其中,所述第一缓冲层和所述第二缓冲层由相同的材料制成,并且所述第一缓冲层和所述第二缓冲层具有相同的厚度。
5.根据权利要求4所述的柔性显示装置,该柔性显示装置还包括:
多缓冲层,该多缓冲层位于所述第二缓冲层上,所述多缓冲层具有比所述第二缓冲层高的耐水性。
6.根据权利要求1所述的柔性显示装置,该柔性显示装置还包括:
遮光层,该遮光层位于面内栅极GIP区域、所述显示区域和除了所述GIP区域之外的所述非显示区域中的至少一个中,所述遮光层防止光进入位于所述显示区域中的薄膜晶体管的有源层,
其中,所述弯曲连接线在所述GIP区域中位于与所述遮光层相同的层中,并且所述弯曲连接线在所述GIP区域和所述显示区域中由与所述遮光层相同的材料制成。
7.根据权利要求1所述的柔性显示装置,其中,所述链接线包括:
第一链接线,该第一链接线与所述显示区域中的所述薄膜晶体管的所述电极以及所述弯曲区域中的所述弯曲连接线的第一端连接;以及
第二链接线,该第二链接线与所述非显示区域中的焊盘以及所述弯曲区域中的所述弯曲连接线的第二端连接。
8.根据权利要求1所述的柔性显示装置,该柔性显示装置还包括所述弯曲区域中的所述至少一个接触孔。
9.根据权利要求8所述的柔性显示装置,其中,所述弯曲连接线经由所述至少一个接触孔在所述弯曲区域中与所述链接线连接。
10.根据权利要求7所述的柔性显示装置,该柔性显示装置还包括:
第一接触孔,该第一接触孔位于所述弯曲区域中;以及
第二接触孔,该第二接触孔位于所述弯曲区域中;
其中,所述第一链接线经由所述第一接触孔与所述弯曲连接线的所述第一端连接,并且其中,所述第二链接线经由所述第二接触孔与所述弯曲连接线的所述第二端连接。
11.根据权利要求7所述的柔性显示装置,其中,所述第一链接线和所述第二链接线被布置为在所述柔性显示装置在所述弯曲区域中弯曲的同时彼此平行。
12.根据权利要求7所述的柔性显示装置,该柔性显示装置还包括:
驱动膜,该驱动膜与所述第二链接线连接,其中,所述驱动膜被布置为与所述基板平行。
13.根据权利要求1所述的柔性显示装置,其中,所述第一缓冲层和所述第二缓冲层由聚酰亚胺制成。
14.根据权利要求5所述的柔性显示装置,该柔性显示装置还包括:
有源层和钝化层,该有源层位于所述多缓冲层上,该钝化层位于所述有源层上。
15.一种柔性显示装置,该柔性显示装置包括:
基板,该基板包括显示图像的显示区域和不显示图像的非显示区域,所述非显示区域包括所述柔性显示装置能够进行弯曲的弯曲区域;
薄膜晶体管TFT,该TFT位于所述显示区域中,所述TFT包括位于所述柔性显示装置的第一层中的电极;
弯曲连接线,该弯曲连接线位于所述非显示区域的所述弯曲区域中,所述弯曲连接线位于所述柔性显示装置的第二层中,所述柔性显示装置的所述第二层位于包括所述TFT的所述电极的所述第一层下方;
链接线,该链接线位于所述非显示区域中,所述链接线经由至少一个接触孔使所述TFT的在所述第一层中的所述电极和位于所述第二层中的所述弯曲连接线电连接在一起;以及
第一缓冲层和第二缓冲层,所述弯曲连接线在所述弯曲区域中位于所述第一缓冲层和所述第二缓冲层之间。
16.根据权利要求15所述的柔性显示装置,该柔性显示装置还包括:
无机层,该无机层位于所述基板上方,所述无机层位于所述第一缓冲层和所述第二缓冲层之间。
17.根据权利要求16所述的柔性显示装置,其中,所述第一缓冲层直接在所述无机层下面,并且所述第二缓冲层直接在所述无机层上。
18.根据权利要求15所述的柔性显示装置,其中,所述第一缓冲层和所述第二缓冲层由相同的材料制成,并且所述第一缓冲层和所述第二缓冲层具有相同的厚度。
19.根据权利要求15所述的柔性显示装置,其中,所述链接线包括:
第一链接线,该第一链接线包括第一端和第二端,所述第一链接线的第一端与所述TFT的所述电极连接,并且所述第一链接线的第二端经由第一接触孔与所述弯曲连接线的第一端连接;以及
第二链接线,该第二链接线包括第一端和第二端,所述第二链接线的第一端与所述非显示区域中的焊盘连接,并且所述第二链接线的第二端经由第二接触孔与所述弯曲连接线的第二端连接。
20.根据权利要求15所述的柔性显示装置,该柔性显示装置还包括:
遮光层,该遮光层位于面内栅极GIP区域、所述显示区域和除了所述GIP区域之外的所述非显示区域中的至少一个中,所述遮光层防止光进入位于所述TFT的有源层,
其中,所述弯曲连接线在所述GIP区域中位于与所述遮光层相同的层中,并且所述弯曲连接线在所述GIP区域和所述显示区域中由与所述遮光层相同的材料制成。
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Families Citing this family (116)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9515099B2 (en) * 2014-07-31 2016-12-06 Lg Display Co., Ltd. Flexible display device with wire having reinforced portion and manufacturing method for the same
KR102611499B1 (ko) * 2015-12-15 2023-12-06 엘지디스플레이 주식회사 플렉서블 표시장치
KR102627284B1 (ko) * 2016-05-12 2024-01-22 엘지디스플레이 주식회사 캐소드 전극과 보조 캐소드 전극의 접속구조 형성 방법과 그를 이용한 유기발광 다이오드 표시장치
KR102589214B1 (ko) * 2016-06-03 2023-10-13 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
KR102604018B1 (ko) * 2016-07-07 2023-11-22 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
KR102535363B1 (ko) * 2016-07-11 2023-05-24 삼성디스플레이 주식회사 표시 패널 및 이를 포함하는 표시 장치
KR102651930B1 (ko) * 2016-07-29 2024-03-27 엘지디스플레이 주식회사 유기발광 표시장치 및 그 제조방법
KR20180032731A (ko) * 2016-09-22 2018-04-02 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 그 제조 방법
KR102659422B1 (ko) * 2016-10-17 2024-04-22 삼성디스플레이 주식회사 유기발광 표시장치 및 그 제조 방법
KR20180100013A (ko) * 2017-02-28 2018-09-06 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 표시 장치의 제조 방법
KR102373441B1 (ko) * 2017-03-31 2022-03-14 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 장치
JP2018180413A (ja) * 2017-04-19 2018-11-15 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置、および表示装置の製造方法
CN107293553B (zh) * 2017-06-19 2020-11-24 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板及其制备方法、显示面板和显示装置
KR102370450B1 (ko) * 2017-07-07 2022-03-04 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
KR102432386B1 (ko) * 2017-07-12 2022-08-12 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
JP2019020463A (ja) * 2017-07-12 2019-02-07 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置、および表示装置の製造方法
WO2019026237A1 (ja) * 2017-08-03 2019-02-07 シャープ株式会社 表示装置
US20190372034A1 (en) * 2017-08-04 2019-12-05 Sharp Kabushiki Kaisha Display device
KR102393377B1 (ko) 2017-08-07 2022-05-03 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 장치
US10644096B2 (en) 2017-08-22 2020-05-05 Sharp Kabushiki Kaisha Display device
CN107565049B (zh) * 2017-08-25 2019-11-01 京东方科技集团股份有限公司 Amoled显示面板及其制备方法
CN107331694B (zh) * 2017-09-04 2020-03-17 京东方科技集团股份有限公司 一种oled显示面板及其制备方法、oled显示装置
JP2019050136A (ja) * 2017-09-11 2019-03-28 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置、および表示装置の製造方法
US20190363152A1 (en) * 2017-09-12 2019-11-28 Sharp Kabushiki Kaisha Display device
KR102449218B1 (ko) * 2017-09-19 2022-09-30 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 장치
WO2019058501A1 (ja) * 2017-09-22 2019-03-28 シャープ株式会社 表示デバイス、及び、表示デバイスの製造方法
CN107845643B (zh) * 2017-09-25 2020-09-08 上海天马微电子有限公司 一种显示面板及显示装置
KR102481385B1 (ko) * 2017-09-27 2022-12-27 삼성디스플레이 주식회사 폴딩 가능한 디스플레이 장치 및 그 제조방법
WO2019064429A1 (ja) * 2017-09-28 2019-04-04 シャープ株式会社 表示装置
US10971566B2 (en) * 2017-09-28 2021-04-06 Sharp Kabushiki Kaisha Display device including frame wiring in bending section
KR102417112B1 (ko) * 2017-09-28 2022-07-06 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 장치
US10754387B2 (en) 2017-09-29 2020-08-25 Sharp Kabushiki Kaisha Flexible display device
US11239453B2 (en) * 2017-10-12 2022-02-01 Sharp Kabushiki Kaisha Non-flexible substrate having base layer including inorganic film between resin layers, flexible display device and method for producing same
JP7064846B2 (ja) * 2017-10-23 2022-05-11 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置及び表示装置の製造方法
CN107958920B (zh) * 2017-11-23 2020-10-09 合肥鑫晟光电科技有限公司 柔性显示面板、柔性显示装置及其制备方法
JP2019095646A (ja) * 2017-11-24 2019-06-20 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置、および表示装置の作製方法
JP6917873B2 (ja) * 2017-11-24 2021-08-11 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置
US10269830B1 (en) * 2017-11-27 2019-04-23 Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co., Ltd. Flexible array substrate and manufacturing method thereof
KR102018754B1 (ko) 2017-11-29 2019-09-05 엘지디스플레이 주식회사 플렉서블 표시 장치
KR102416038B1 (ko) 2017-11-30 2022-07-04 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 장치 및 그 제조 방법
CN109860203B (zh) * 2017-11-30 2020-11-17 昆山国显光电有限公司 阵列基板及其制造方法及显示屏
KR102465788B1 (ko) 2017-11-30 2022-11-09 엘지디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
JP7086582B2 (ja) * 2017-12-11 2022-06-20 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置
KR102452529B1 (ko) * 2017-12-12 2022-10-11 삼성디스플레이 주식회사 플렉서블 기판 및 이를 포함하는 표시 장치
JP7077001B2 (ja) * 2017-12-15 2022-05-30 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置
KR102559510B1 (ko) * 2017-12-15 2023-07-24 엘지디스플레이 주식회사 표시 장치
KR102126552B1 (ko) * 2017-12-19 2020-06-24 엘지디스플레이 주식회사 표시 장치
KR102185116B1 (ko) * 2017-12-19 2020-12-01 엘지디스플레이 주식회사 표시 장치
KR102126553B1 (ko) * 2017-12-19 2020-06-24 엘지디스플레이 주식회사 표시 장치
KR102104981B1 (ko) 2017-12-19 2020-05-29 엘지디스플레이 주식회사 표시 장치
CN111201485A (zh) * 2017-12-22 2020-05-26 深圳市柔宇科技有限公司 柔性屏模组和电子装置
KR102506258B1 (ko) * 2017-12-29 2023-03-03 엘지디스플레이 주식회사 디스플레이 장치
JP2019124792A (ja) 2018-01-15 2019-07-25 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置
WO2019150438A1 (ja) * 2018-01-30 2019-08-08 シャープ株式会社 表示デバイス
US10566555B2 (en) * 2018-01-30 2020-02-18 Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co., Ltd. Organic light emitting diode (OLED) display panel and the manufacturing method thereof
TWI795523B (zh) 2018-02-05 2023-03-11 日商Jsr股份有限公司 配線構件
CN108267900B (zh) * 2018-02-08 2021-03-02 京东方科技集团股份有限公司 光阀结构及其制造方法、操作方法、阵列基板、电子装置
WO2019163030A1 (ja) * 2018-02-21 2019-08-29 シャープ株式会社 表示装置及びその製造方法
US20210005701A1 (en) * 2018-03-02 2021-01-07 Sharp Kabushiki Kaisha Display device
KR102652448B1 (ko) * 2018-03-13 2024-03-29 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 장치
KR102491107B1 (ko) * 2018-03-16 2023-01-20 삼성전자주식회사 필름 패키지, 칩 온 필름 패키지 및 패키지 모듈
WO2019186712A1 (ja) * 2018-03-27 2019-10-03 シャープ株式会社 表示装置
CN111919512B (zh) * 2018-03-30 2023-08-15 夏普株式会社 显示装置
CN208077535U (zh) * 2018-04-28 2018-11-09 京东方科技集团股份有限公司 一种柔性显示面板及柔性显示装置
US20210233438A1 (en) * 2018-05-08 2021-07-29 Huawei Technologies Co., Ltd. Flexible display panel and mobile terminal
KR102601293B1 (ko) * 2018-05-08 2023-11-13 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치, 표시 장치의 검사 장치 및 표시 장치의 검사 방법
WO2019215863A1 (ja) * 2018-05-10 2019-11-14 シャープ株式会社 表示装置
JP7098425B2 (ja) * 2018-06-06 2022-07-11 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置
JP7062528B2 (ja) * 2018-06-14 2022-05-06 株式会社ジャパンディスプレイ 半導体装置
US11985876B2 (en) * 2018-07-20 2024-05-14 Sharp Kabushiki Kaisha Display device
US10770667B2 (en) * 2018-08-21 2020-09-08 Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co., Ltd. Flexible display device and manufacturing method thereof
KR20200034876A (ko) 2018-09-21 2020-04-01 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
KR102617925B1 (ko) 2018-09-27 2023-12-26 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
CN109545796A (zh) * 2018-09-30 2019-03-29 武汉华星光电技术有限公司 一种曲面阵列基板及其制备方法
KR102633093B1 (ko) * 2018-10-01 2024-02-05 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 이의 제조 방법
US10833135B2 (en) * 2018-10-16 2020-11-10 Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co., Ltd. Flexible organic light emitting diode display device and method of fabricating same
CN109360845A (zh) * 2018-10-24 2019-02-19 京东方科技集团股份有限公司 显示基板及其制备方法、显示器件及其制备方法、显示装置
CN109192078B (zh) 2018-11-12 2021-01-26 京东方科技集团股份有限公司 一种柔性面板及其制备方法和显示装置
CN208938550U (zh) * 2018-11-26 2019-06-04 北京京东方技术开发有限公司 显示面板及显示装置
KR20200064207A (ko) * 2018-11-28 2020-06-08 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 이의 제조 방법
CN109671718B (zh) * 2018-12-04 2021-02-23 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 柔性显示面板及其制作方法
CN109659345B (zh) * 2018-12-19 2021-02-26 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 柔性oled面板
KR102657036B1 (ko) * 2018-12-21 2024-04-11 엘지디스플레이 주식회사 표시 장치
KR102664312B1 (ko) * 2018-12-24 2024-05-09 엘지디스플레이 주식회사 플렉서블 디스플레이 장치
KR20200085962A (ko) * 2019-01-07 2020-07-16 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 이의 제조 방법
CN109887956B (zh) * 2019-01-25 2021-04-27 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 有机发光二极管柔性阵列基板
KR20200094874A (ko) * 2019-01-30 2020-08-10 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
CN109962177B (zh) * 2019-03-28 2020-08-11 京东方科技集团股份有限公司 一种oled基板及其制备方法、oled显示装置
CN110197845B (zh) 2019-06-20 2021-06-25 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板及其制备方法
CN110571247B (zh) * 2019-08-15 2021-09-03 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板和显示装置
US11094770B2 (en) 2019-08-20 2021-08-17 Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co., Ltd. Array substrate and display panel
CN110610961B (zh) * 2019-08-20 2021-02-26 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 阵列基板和显示面板
KR102617295B1 (ko) * 2019-08-20 2023-12-21 엘지디스플레이 주식회사 에지 벤딩 구조를 갖는 표시 장치
CN110634402A (zh) * 2019-08-28 2019-12-31 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板及其折弯方法及显示装置
CN110729328B (zh) * 2019-09-17 2022-03-08 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 有机发光二极管显示面板及有机发光二极管显示装置
CN110556411B (zh) * 2019-09-25 2021-11-30 云谷(固安)科技有限公司 一种可卷绕的显示面板及其制备方法
CN110854131A (zh) * 2019-10-25 2020-02-28 深圳市华星光电技术有限公司 一种阵列基板及其制备方法
CN110911455B (zh) * 2019-10-28 2024-04-05 合肥维信诺科技有限公司 显示面板和显示装置
CN110943108B (zh) * 2019-11-06 2021-01-15 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 一种折叠显示面板及其制作方法、显示装置
US11468832B2 (en) 2019-11-08 2022-10-11 Beijing Boe Technology Development Co., Ltd. Array substrate and method for manufacturing same, display panel, and display device
CN110911581B (zh) * 2019-11-14 2021-05-07 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 一种显示面板及其制作方法及电子设备
CN112817471A (zh) * 2019-11-18 2021-05-18 北京小米移动软件有限公司 柔性屏、终端设备及柔性屏的制造方法
CN113287209B (zh) * 2019-12-20 2023-04-18 京东方科技集团股份有限公司 柔性显示面板及其制造方法和柔性显示装置
KR20210086230A (ko) * 2019-12-31 2021-07-08 엘지디스플레이 주식회사 표시 패널
CN111312773B (zh) * 2020-02-25 2023-04-14 京东方科技集团股份有限公司 一种显示面板及其制备方法、显示装置
KR20210150649A (ko) * 2020-06-03 2021-12-13 삼성디스플레이 주식회사 표시장치
KR20200077477A (ko) * 2020-06-18 2020-06-30 엘지디스플레이 주식회사 표시 장치
CN111799280A (zh) * 2020-07-20 2020-10-20 京东方科技集团股份有限公司 显示基板及其制备方法、显示装置
US20230290918A1 (en) 2020-08-06 2023-09-14 Lg Electronics Inc. Display device
KR20220031839A (ko) * 2020-09-04 2022-03-14 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
CN213240763U (zh) * 2020-09-25 2021-05-18 合肥京东方光电科技有限公司 一种阵列基板、显示面板及显示装置
CN112366225A (zh) * 2020-11-25 2021-02-12 厦门天马微电子有限公司 一种显示面板及显示装置
KR20220083911A (ko) 2020-12-11 2022-06-21 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
CN113471240A (zh) * 2021-06-30 2021-10-01 上海天马微电子有限公司 发光模组及其制备方法、显示装置
WO2023282455A1 (ko) * 2021-07-05 2023-01-12 삼성전자주식회사 연결 어셈블리 및 이를 포함하는 전자 장치
KR20230090610A (ko) * 2021-12-15 2023-06-22 엘지디스플레이 주식회사 표시 장치

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104103669A (zh) * 2013-04-11 2014-10-15 乐金显示有限公司 柔性显示面板
CN104183600A (zh) * 2013-05-28 2014-12-03 乐金显示有限公司 柔性显示装置及其制造方法
CN104241544A (zh) * 2013-06-17 2014-12-24 三星显示有限公司 阵列衬底
CN105074802A (zh) * 2013-02-15 2015-11-18 乐金显示有限公司 具有柔性显示器的电子装置
CN105144270A (zh) * 2013-02-01 2015-12-09 乐金显示有限公司 柔性显示基板、柔性有机发光显示装置及其制造方法
CN105144418A (zh) * 2013-02-01 2015-12-09 乐金显示有限公司 柔性显示基板、柔性有机发光显示装置及其制造方法

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW478014B (en) 1999-08-31 2002-03-01 Semiconductor Energy Lab Semiconductor device and method of manufacturing thereof
TW546857B (en) 2001-07-03 2003-08-11 Semiconductor Energy Lab Light-emitting device, method of manufacturing a light-emitting device, and electronic equipment
US7368307B2 (en) 2005-06-07 2008-05-06 Eastman Kodak Company Method of manufacturing an OLED device with a curved light emitting surface
US7816856B2 (en) 2009-02-25 2010-10-19 Global Oled Technology Llc Flexible oled display with chiplets
KR101935552B1 (ko) * 2012-06-27 2019-04-08 삼성디스플레이 주식회사 가요성 표시 패널 및 상기 가요성 표시 패널을 포함하는 표시 장치
US9419065B2 (en) 2012-08-07 2016-08-16 Apple Inc. Flexible displays
US9740035B2 (en) * 2013-02-15 2017-08-22 Lg Display Co., Ltd. Flexible organic light emitting display device and method for manufacturing the same
US9209207B2 (en) 2013-04-09 2015-12-08 Apple Inc. Flexible display with bent edge regions
KR102047729B1 (ko) * 2013-04-30 2019-11-22 엘지디스플레이 주식회사 유기전계발광표시장치 및 그 제조방법
KR101473312B1 (ko) * 2013-05-31 2014-12-16 삼성디스플레이 주식회사 플렉시블 터치스크린패널과 그것을 구비한 플렉시블 디스플레이 장치
US9450038B2 (en) * 2014-07-31 2016-09-20 Lg Display Co., Ltd. Flexible display
KR102405257B1 (ko) * 2015-01-28 2022-06-03 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
KR102417143B1 (ko) * 2015-04-29 2022-07-05 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
KR102611499B1 (ko) * 2015-12-15 2023-12-06 엘지디스플레이 주식회사 플렉서블 표시장치

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105144270A (zh) * 2013-02-01 2015-12-09 乐金显示有限公司 柔性显示基板、柔性有机发光显示装置及其制造方法
CN105144418A (zh) * 2013-02-01 2015-12-09 乐金显示有限公司 柔性显示基板、柔性有机发光显示装置及其制造方法
CN105074802A (zh) * 2013-02-15 2015-11-18 乐金显示有限公司 具有柔性显示器的电子装置
CN104103669A (zh) * 2013-04-11 2014-10-15 乐金显示有限公司 柔性显示面板
CN104183600A (zh) * 2013-05-28 2014-12-03 乐金显示有限公司 柔性显示装置及其制造方法
CN104241544A (zh) * 2013-06-17 2014-12-24 三星显示有限公司 阵列衬底

Also Published As

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