KR20220083911A - 표시 장치 - Google Patents
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Abstract
일 실시예에 따른 표시 장치는 제1 표시 영역, 제2 표시 영역 및 비표시 영역을 포함하는 기판, 상기 제1 표시 영역 상에 위치하는 제1 화소 회로부 및 제2 화소 회로부, 상기 제1 화소 회로부와 전기적으로 연결되며, 상기 제1 표시 영역과 중첩하는 제1-1 발광 소자, 그리고 상기 제2 화소 회로부와 전기적으로 연결되며, 상기 제2 표시 영역과 중첩하는 제2 발광 소자를 포함하고, 상기 제1 표시 영역 및 상기 제2 표시 영역은 상기 비표시 영역을 사이에 두고 이격된다.
Description
본 개시는 표시 장치에 관한 것이다.
표시 장치는 데이터를 시각적으로 표시하는 장치이다. 이러한 표시 장치는 표시 영역과 비표시 영역으로 구획된 기판을 포함한다. 표시 영역에는 스캔선과 데이터선이 상호 절연되어 배치되고, 복수의 화소들이 포함된다. 또한, 표시 영역에는 화소들 각각에 대응하여 트랜지스터 및 트랜지스터와 전기적으로 연결되는 제1 전극이 배치된다. 표시 영역에는 화소들에 공통으로 구비되는 제2 전극이 배치될 수 있다. 비표시 영역에는 표시 영역에 전기적 신호를 전달하는 다양한 배선들, 스캔 구동부, 데이터 구동부, 제어부 등이 구비될 수 있다.
이러한 표시 장치는 그 용도가 다양해지고 있다. 이에 따라, 표시 장치의 주변 영역에 대한 설계가 다양해지고 있다.
실시예들은 표시 영역이 확장된 표시 장치를 제공하기 위한 것이다.
일 실시예에 따른 표시 장치는 제1 표시 영역, 제2 표시 영역 및 비표시 영역을 포함하는 기판, 상기 제1 표시 영역 상에 위치하는 제1 화소 회로부 및 제2 화소 회로부, 상기 제1 화소 회로부와 전기적으로 연결되며, 상기 제1 표시 영역과 중첩하는 제1-1 발광 소자, 그리고 상기 제2 화소 회로부와 전기적으로 연결되며, 상기 제2 표시 영역과 중첩하는 제2 발광 소자를 포함하고, 상기 제1 표시 영역 및 상기 제2 표시 영역은 상기 비표시 영역을 사이에 두고 이격된다.
상기 제1 표시 영역 및 상기 제2 표시 영역 사이의 상기 비표시 영역은 벤딩 영역일 수 있다.
상기 제1 표시 영역은 제1-1 표시 영역 및 제1-2 표시 영역을 포함하고, 상기 제1 화소 회로부 및 상기 제1-1 발광 소자는 상기 제1-1 표시 영역에 위치할 수 있다.
상기 표시 장치는 상기 제1-2 표시 영역에 위치하는 제1-2 발광 소자를 더 포함하고, 상기 제1-2 표시 영역의 적어도 일부는 스캔 구동부와 중첩할 수 있다.
상기 제1-1 발광 소자는 상기 제1 화소 회로부와 연결되고, 상기 제1-2 발광 소자는 상기 제2 화소 회로부와 연결될 수 있다.
상기 제2 발광 소자는, 제1 전극, 상기 제1 전극 상에 위치하는 발광층, 그리고 상기 발광층 상에 위치하는 제2 전극을 포함하고, 상기 제1 전극은 상기 제2 화소 회로부와 연결되며, 상기 제1 전극은 상기 벤딩 영역에서 구부러질 수 있다.
상기 표시 장치는, 상기 제1 발광 소자 위에 위치하는 제1 봉지층, 그리고 상기 제2 발광 소자 위에 위치하는 제2 봉지층을 포함하고, 상기 제1 봉지층 및 상기 제2 봉지층은 서로 이격될 수 있다.
상기 표시 장치는 제1 방향을 따라 연장되는 스캔선을 더 포함하고, 상기 제1 표시 영역 및 상기 제2 표시 영역은 상기 제1 방향을 따라 이격될 수 있다.
상기 표시 장치는 제2 방향을 따라 연장되는 데이터선을 더 포함하고, 상기 제1 표시 영역 및 상기 제2 표시 영역은 상기 제2 방향을 따라 이격될 수 있다.
상기 표시 장치는 비표시 영역에 위치하는 데이터 구동부를 더 포함하고, 상기 제2 방향을 따라 상기 제1 표시 영역, 상기 제2 표시 영역 그리고 상기 데이터 구동부가 위치할 수 있다.
상기 표시 장치는 비표시 영역에 위치하는 데이터 구동부를 더 포함하고, 상기 제2 방향을 따라 상기 제2 표시 영역, 상기 제1 표시 영역 그리고 상기 데이터 구동부가 위치할 수 있다.
상기 제1 표시 영역은 표시 장치의 전면에 위치하고, 상기 제2 표시 영역은 상기 표시 장치의 배면에 위치할 수 있다.
일 실시예에 따른 표시 장치는 제1 표시 영역, 제2 표시 영역 및 상기 제1 표시 영역과 상기 제2 표시 영역 사이의 벤딩 영역을 포함하는 기판, 상기 제1 표시 영역 상에 위치하는 제1 화소 회로부 및 제2 화소 회로부, 상기 제1 화소 회로부와 전기적으로 연결되며, 상기 제1 표시 영역과 중첩하는 제1-1 발광 소자, 그리고 상기 제2 화소 회로부와 전기적으로 연결되며, 상기 제2 표시 영역과 중첩하는 제2 발광 소자를 포함하고, 상기 제1 표시 영역은 표시 장치의 전면에 위치하고, 상기 제2 표시 영역은 상기 표시 장치의 배면에 위치한다.
상기 제1 표시 영역은 제1-1 표시 영역 및 제1-2 표시 영역을 포함하고, 상기 제1-1 발광 소자는 상기 제1-1 표시 영역에 위치하며, 상기 표시 장치는 상기 제1-2 표시 영역에 위치하는 제1-2 발광 소자를 더 포함할 수 있다.
상기 표시 장치는 상기 제1-2 표시 영역의 적어도 일부와 중첩하는 스캔 구동부를 더 포함할 수 있다.
상기 제1-2 발광 소자는 상기 제2 화소 회로부와 중첩할 수 있다.
상기 제2 발광 소자는, 제1 전극, 상기 제1 전극과 중첩하는 발광층, 그리고 상기 발광층과 중첩하는 제2 전극을 포함하고, 상기 제1 전극은 상기 제2 화소 회로부와 전기적으로 연결되며, 상기 벤딩 영역을 가로지를 수 있다.
상기 표시 장치는, 상기 제1 발광 소자와 중첩하는 제1 봉지층, 그리고 상기 제2 발광 소자와 중첩하는 제2 봉지층을 포함하고, 상기 제1 봉지층 및 상기 제2 봉지층은 서로 이격될 수 있다.
상기 표시 장치는 제1 방향을 따라 연장되는 스캔선을 더 포함하고, 상기 제1 표시 영역 및 상기 제2 표시 영역은 상기 제1 방향을 따라 이격될 수 있다.
상기 표시 장치는 제2 방향을 따라 연장되는 데이터선을 더 포함하고, 상기 제1 표시 영역 및 상기 제2 표시 영역은 상기 제2 방향을 따라 이격될 수 있다.
실시예들에 따르면 표시 영역이 확장된 표시 장치를 제공할 수 있다.
도 1a는 일 실시예에 따른 표시 장치의 개략적인 평면도이다.
도 1b는 일 실시예에 따른 표시 장치의 사시도이다.
도 2a는 일 실시예에 따른 표시 패널의 평면도이다.
도 2b는 도 2a의 A-A'을 따라 자른 단면도이다.
도 2c는 일 실시예에 따른 화소 회로부의 개략적인 회로도이다.
도 3은 일 실시예에 따른 제1 표시 영역의 단면도이다.
도 4는 일 실시예에 따른 제1 표시 영역, 벤딩 영역 및 제2 표시 영역 일부의 단면도이다.
도 5a는 일 실시예에 따른 표시 장치의 평면도이고, 도 5b는 일 실시예에 따른 표시 장치의 사시도이다.
도 6a는 일 실시예에 따른 표시 패널의 평면도이고, 도 6b는 도 6a의 C-C'를 따라 자른 단면도이다.
도 7a는 일 실시예에 따른 표시 장치의 평면도이고, 도 7b는 일 실시예에 따른 표시 장치의 사시도이다.
도 8a는 일 실시예에 따른 표시 패널의 평면도이고, 도 8b는 도 8a의 D-D'을 따라 자른 단면도이다.
도 1b는 일 실시예에 따른 표시 장치의 사시도이다.
도 2a는 일 실시예에 따른 표시 패널의 평면도이다.
도 2b는 도 2a의 A-A'을 따라 자른 단면도이다.
도 2c는 일 실시예에 따른 화소 회로부의 개략적인 회로도이다.
도 3은 일 실시예에 따른 제1 표시 영역의 단면도이다.
도 4는 일 실시예에 따른 제1 표시 영역, 벤딩 영역 및 제2 표시 영역 일부의 단면도이다.
도 5a는 일 실시예에 따른 표시 장치의 평면도이고, 도 5b는 일 실시예에 따른 표시 장치의 사시도이다.
도 6a는 일 실시예에 따른 표시 패널의 평면도이고, 도 6b는 도 6a의 C-C'를 따라 자른 단면도이다.
도 7a는 일 실시예에 따른 표시 장치의 평면도이고, 도 7b는 일 실시예에 따른 표시 장치의 사시도이다.
도 8a는 일 실시예에 따른 표시 패널의 평면도이고, 도 8b는 도 8a의 D-D'을 따라 자른 단면도이다.
이하, 첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명의 여러 실시예들에 대하여 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시예들에 한정되지 않는다.
본 발명을 명확하게 설명하기 위해서 설명과 관계없는 부분은 생략하였으며, 명세서 전체를 통하여 동일 또는 유사한 구성요소에 대해서는 동일한 참조 부호를 붙이도록 한다.
또한, 도면에서 나타난 각 구성의 크기 및 두께는 설명의 편의를 위해 임의로 나타내었으므로, 본 발명이 반드시 도시된 바에 한정되지 않는다. 도면에서 여러 층 및 영역을 명확하게 표현하기 위하여 두께를 확대하여 나타내었다. 그리고 도면에서, 설명의 편의를 위해, 일부 층 및 영역의 두께를 과장되게 나타내었다.
또한, 층, 막, 영역, 판 등의 부분이 다른 부분 "위에" 또는 "상에" 있다고 할 때, 이는 다른 부분 "바로 위에" 있는 경우뿐 아니라 그 중간에 또 다른 부분이 있는 경우도 포함한다. 반대로 어떤 부분이 다른 부분 "바로 위에" 있다고 할 때에는 중간에 다른 부분이 없는 것을 뜻한다. 또한, 기준이 되는 부분 "위에" 또는 "상에" 있다고 하는 것은 기준이 되는 부분의 위 또는 아래에 위치하는 것이고, 반드시 중력 반대 방향 쪽으로 "위에" 또는 "상에" 위치하는 것을 의미하는 것은 아니다.
또한, 명세서 전체에서, 어떤 부분이 어떤 구성요소를 "포함" 한다고 할 때, 이는 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성요소를 더 포함할 수 있는 것을 의미한다.
또한, 명세서 전체에서, "평면상"이라 할 때, 이는 대상 부분을 위에서 보았을 때를 의미하며, "단면상"이라 할 때, 이는 대상 부분을 수직으로 자른 단면을 옆에서 보았을 때를 의미한다.
도 1a는 일 실시예에 따른 표시 장치의 개략적인 평면도이고, 도 1b는 일 실시예에 따른 표시 장치의 사시도이다.
도 1a 내지 도 1b를 참조하면 일 실시예에 따른 표시 장치(1000)는 복수의 발광 소자(ED1, ED2)가 배치되며 이미지가 표시되는 표시 영역(DA), 그리고 표시 영역(DA)에 인접한 비표시 영역(PA)을 포함한다.
표시 영역(DA)은 일 예로 사각 형상일 수 있다. 표시 영역(DA)의 각 모서리(DA-C)는 라운드 형태를 가질 수 있다. 비표시 영역(PA)은 표시 영역(DA)을 둘러싸는 형상을 가질 수 있다. 다만 이에 제한되지 않고 표시 영역(DA) 및 비표시 영역(PA)의 형상은 상대적으로 디자인될 수 있다.
표시 영역(DA)은 제1 표시 영역(DA1), 그리고 제1 표시 영역(DA1)에 인접하며 비표시 영역(PA)을 사이에 두고 이격된 제2 표시 영역(DA2)을 포함할 수 있다. 제2 표시 영역(DA2)은 제1 표시 영역(DA1)의 우측에 위치하는 실시예를 도시하였으나, 이에 제한되지 않고 제1 표시 영역(DA1)의 좌측에 위치하거나, 좌우측 양측에 모두 위치할 수 있다. 제2 표시 영역(DA2)의 면적은 제1 표시 영역(DA1)의 면적보다 작을 수 있으나 이에 제한되지 않는다.
제1 표시 영역(DA1)에는 제1 발광 소자(ED1)가 위치하고, 제2 표시 영역(DA2)에는 제2 발광 소자(ED2)가 위치할 수 있다. 본 명세서는 제1 발광 소자(ED1) 및 제2 발광 소자(ED2)를 사각 형태로 도시하였으나 하나의 발광 소자를 표현하기 위한 것으로 실제 평면 형태는 이에 제한되지 않는 다각 형태일 수 있다.
비표시 영역(PA)은 이미지가 표시되지 않는 영역이다. 비표시 영역(PA)은 표시 장치(1000)에서 표시 영역(DA) 이외의 영역이다. 특히 제1 표시 영역(DA1)과 제2 표시 영역(DA2) 사이에 위치하는 비표시 영역(PA)은 기판이 벤딩되는 벤딩 영역(BA)일 수 있다.
표시 장치(1000)에서 이미지가 표시되는 일 면은 제1 방향(DR1)과 제2 방향(DR2)이 정의하는 면과 평행한다. 이미지가 표시되는 일 면의 법선 방향, 즉 표시 장치(1000)의 두께 방향은 제3 방향(DR3)이 지시한다. 각 부재들의 전면 (또는 상면)과 배면(또는 하면)은 제3 방향(DR3)에 의해 구분된다. 그러나 제1 내지 제3 방향(DR1, DR2, DR3)이 지시하는 방향은 상대적인 개념으로 다른 방향으로 변환될 수 있다.
표시 장치(1000)는 도 1b에 도시된 바와 같이 제2 방향(DR2)에 평행한 벤딩축을 기준으로 아웃-폴딩될 수 있다. 일 실시예에 따른 표시 장치(1000)가 제2 방향(DR2)에 평행한 벤딩축을 기준으로 아웃-폴딩됨에 따라 제1 표시 영역(DA1) 및 제2 표시 영역(DA2)이 모두 외부로 노출될 수 있다. 제1 표시 영역(DA1)은 표시 장치(1000)의 전면에 위치하고, 제2 표시 영역(DA2)은 표시 장치(1000)의 배면에 위치할 수 있다. 일 실시예에 따른 표시 장치(1000)는 전면 및 배면 모두에서 이미지를 표시할 수 있다.
도 2a는 일 실시예에 따른 표시 패널의 평면도이고, 도 2b는 도 2a의 A-A'을 따라 자른 단면도이다.
도 2a 및 도 2b를 참조하면, 표시 패널(DP)은 도 1에서 설명한 표시 장치(1000)의 표시 영역(DA) 및 비표시 영역(PA)에 대응하는 표시 영역(DA) 및 비표시 영역(PA)을 포함한다. 비표시 영역(PA)은 표시 영역(DA)의 테두리를 따라 정의될 수 있다.
표시 영역(DA)은 복수의 신호선과 전기적으로 연결된 발광 소자(ED1, ED2)를 포함한다. 각 발광 소자(ED1, ED2)는 예컨대, 적색, 녹색, 청색 또는 백색의 빛을 방출할 수 있다. 표시 영역(DA)은 발광 소자(ED1, ED2)들에서 방출되는 빛을 통해 소정의 이미지를 제공한다. 발광 소자(ED1, ED2)에 의해 표시 영역(DA)이 정의된다. 본 명세서에서 비표시 영역(PA)은 이미지를 제공하지 않는 영역을 나타내며, 발광 소자가 배치되지 않는 영역을 나타낸다.
일 실시예에 따른 표시 영역(DA)은 제1 표시 영역(DA1) 및 제2 표시 영역(DA2)을 포함한다. 제1 표시 영역(DA1)은 제1 발광 소자(ED1)에 의해 광이 방출되는 영역이고, 제2 표시 영역(DA2)은 제2 발광 소자(ED2)에 의해 광이 방출되는 영역이다. 비표시 영역(PA)은 제1 표시 영역(DA1) 및 제2 표시 영역(DA2)의 외측 영역에 해당한다.
일 실시예에 따른 표시 장치는 기판(SUB) 상에 배치되는 제1 화소 회로부(PC1) 및 제2 화소 회로부(PC2)를 포함한다. 도 2b를 참조하면 제1 화소 회로부(PC1)는 실질적으로 복수의 제1 화소 회로부(PC1)가 행렬 형태로 배열된 영역을 나타낸 것이며, 제2 화소 회로부(PC2)는 실질적으로 복수의 제2 화소 회로부(PC2)가 행렬 형태로 배열된 영역을 나타낸 것이다. 복수의 제1 화소 회로부(PC1)가 차지하는 면적은 복수의 제2 화소 회로부(PC2)가 차지하는 면적 보다 클 수 있다. 각각의 화소 회로부(PC1, PC2)는 하나의 발광 소자(ED1, ED2)와 연결될 수 있다. 복수의 화소 회로부의 배열 형태는 특별히 한정된 것은 아니며, 다양한 형태로 배열될 수 있다. 예를 들면 복수의 화소 회로부는 서로 직교하지 않고 경사진 방향으로 교차할 수도 있다.
하나의 제1 화소 회로부(PC1)와 제2 화소 회로부(PC2)의 면적은 상이할 수 있다. 예를 들어 제1 화소 회로부(PC1)와 제2 화소 회로부(PC2)의 길이가 동일하면, 제1 화소 회로부(PC1)와 제2 화소 회로부(PC2)의 폭이 상이할 수 있다. 또는 제1 화소 회로부(PC1)와 제2 화소 회로부(PC2)의 폭이 동일하면, 제1 화소 회로부(PC1)와 제2 화소 회로부(PC2)의 길이가 상이할 수 있다.
구동 회로부는 제2 화소 회로부(PC2)에 인접하게 위치하는 구동부 및 신호 배선들을 포함할 수 있다. 일 예로 구동 회로부는 스캔 구동부(20), 데이터 구동부(50), 구동 전압 공급 라인(60), 공통 전압 공급 라인(70) 및 이들과 연결되는 신호 전달 배선 등을 포함할 수 있다.
스캔 구동부(20)는 스캔선(SL)을 통해 발광 소자(ED1, ED2)에 전기적으로 연결되는 화소 회로부(PC1, PC2)에 스캔 신호를 생성하여 전달한다. 일 실시예에 따라 스캔 구동부(20)는 제1 표시 영역(DA1)의 좌측 및 우측에 배치될 수 있다. 본 명세서는 스캔 구동부(20)가 기판(SUB)의 양측에 배치된 구조를 도시하나, 다른 실시예로 스캔 구동부는 기판(SUB)의 일측에만 배치될 수도 있다.
패드부(40)는 표시 패널(DP)의 일 단부에 배치되며, 복수의 단자(41, 42, 44, 45)를 포함한다. 패드부(40)는 절연층에 의해 덮이지 않고 노출되어 인쇄 회로 기판(PCB)과 전기적으로 연결될 수 있다. 패드부(40)는 인쇄 회로 기판(PCB)의 패드부(PCB_P)와 전기적으로 연결될 수 있다. 인쇄 회로 기판(PCB)은 IC 구동칩(80)의 신호 또는 전원을 패드부(40)로 전달 할 수 있다.
제어부는 외부에서 전달되는 복수의 영상 신호를 복수의 영상 데이터 신호로 변경하고, 변경된 신호를 단자(41)를 통해 데이터 구동부(50)에 전달한다. 또한, 제어부는 수직동기신호, 수평동기신호, 및 클럭신호를 전달받아 스캔 구동부(20) 및 데이터 구동부(50)의 구동을 제어하기 위한 제어 신호를 생성하여 단자(44, 41)를 통해 각각에 전달할 수 있다. 제어부는 단자(42)를 통해 구동 전압 공급 라인(60)에 구동 전압(ELVDD)을 전달한다. 또한 제어부는 단자(45)를 통해 공통 전압 공급 라인(70) 각각에 공통 전압(ELVSS)을 전달한다.
데이터 구동부(50)는 비표시 영역(PA) 상에 배치되며, 데이터선(DL)을 통해 각 발광 소자(ED1, ED2)와 연결된 화소 회로부(PC1, PC2)에 데이터 신호를 생성하여 전달한다. 데이터 구동부(50)는 표시 패널(DP)의 일측에 배치될 수 있으며, 예컨대 패드부(40)와 표시 영역(DA) 사이에 배치될 수 있다.
구동 전압 공급 라인(60)은 비표시 영역(PA) 상에 배치된다. 예컨대, 구동 전압 공급 라인(60)은 데이터 구동부(50) 및 표시 영역(DA) 사이에 배치될 수 있다. 구동 전압 공급 라인(60)은 구동 전압(ELVDD)을 각 발광 소자(ED1, ED2)와 연결된 화소 회로부(PC1, PC2)에 제공한다. 구동 전압 공급 라인(60)은 제1 방향(DR1)으로 배치되며, 제2 방향(DR2)으로 배치된 복수의 구동 전압선(PL)과 연결될 수 있다.
공통 전압 공급 라인(70)은 비표시 영역(PA) 상에 배치된다. 공통 전압 공급 라인(70)은 기판(SUB)을 둘러싸는 형태를 가질 수 있다. 공통 전압 공급 라인(70)은 발광 소자(ED1, ED2)의 일 전극(예컨대, 제2 전극)에 공통 전압(ELVSS)을 전달한다. 본 명세서는 도시하지 않았으나 비표시 영역(PA)에 위치하는 댐을 더 포함할 수 있다.
제1 화소 회로부(PC1) 및 제2 화소 회로부(PC2), 그리고 구동 회로부의 적어도 일부 위에는 제1 발광 소자(ED1)가 위치할 수 있다. 제1 발광 소자(ED1)는 제1-1 발광 소자(ED1-1) 및 제1-2 발광 소자(ED1-2)를 포함할 수 있다.
제1 화소 회로부(PC1)는 제1 화소 회로부(PC1) 상측에 배치되는 제1-1 발광 소자(ED1-1)와 전기적으로 연결된다. 제1-1 표시 영역(DA1-1)에는 제1 화소 회로부(PC1) 및 제1-1 발광 소자(ED1-1)가 위치할 수 있다. 제1-1 발광 소자(ED1-1)에 의해 광이 방출되는 영역이 제1-1 표시 영역(DA1-1)이다.
제2 화소 회로부(PC2)는 제1-2 발광 소자(ED1-2)와 전기적으로 연결된다. 제1-2 발광 소자(ED1-2)에 의해 광이 방출되는 영역이 제1-2 표시 영역(DA1-2)이다.
제1-2 표시 영역(DA1-2)에는 제2 화소 회로부(PC2) 상에 위치하는 제1-2 발광 소자(ED1-2)의 일부가 위치할 수 있다. 또한 제2 화소 회로부(PC2)와 전기적으로 연결되며 스캔 구동부(20) 상에 위치하는 제1-2 발광 소자(ED1-2)가 위치할 수 있다.
발광 소자(ED1)의 일면과 기판(SUB) 사이에 위치하는 화소 회로부(PC1, PC2), 스캔 구동부(20), 공통 전압 공급 라인(70)과 관련하여, 화소 회로부(PC1, PC2) 이외에 스캔 구동부(20)와 중첩하는 영역임에도 스캔 구동부(20) 상에 위치하는 발광 소자(ED1-2)를 포함함으로써 확장된 면적의 제1-2 표시 영역(DA1-2)을 제공할 수 있다.
또한 일 실시예에 따른 표시 장치는 제1-2 표시 영역(DA1-2) 외측으로 위치하는 비표시 영역(PA)과 인접하게 위치하는 제2 표시 영역(DA2)을 더 포함할 수 있다. 제2 표시 영역(DA2)에는 제2 화소 회로부(PC2)와 전기적으로 연결되는 제2 발광 소자(ED2)가 위치할 수 있다. 제2 발광 소자(ED2)에 의해 광이 방출되는 영역이 제2 표시 영역(DA2)이다. 제2 표시 영역(DA2)에는 제2 발광 소자(ED2)와 전기적으로 연결되는 화소 회로부가 위치하지 않는다. 제2 발광 소자(ED2)와 연결되는 제2 화소 회로부(PC2)는 제1 표시 영역(DA1)에 위치할 수 있다. 제2 발광 소자(ED2)는 제1 전극이 연장된 형태를 가질 수 있으며, 이를 통해 제1 표시 영역(DA1)에 위치하는 제2 화소 회로부(PC2)와 연결될 수 있다. 구체적인 구조는 후술하기로 한다.
본 명세서는 제2 발광 소자(ED2)가 기판(SUB) 상에 위치하는 실시예를 도시하였으나 이는 개략적인 도면이며 제2 발광 소자(ED2)와 기판(SUB) 사이에는 절연층이 위치할 수 있다.
도 2c를 참조하면 하나의 화소(P)는 일 화소 회로부(PC1, PC2) 및 이와 전기적으로 연결되는 일 발광 소자(ED1, ED2)를 포함할 수 있다. 제1 화소 회로부(PC1) 및 제2 화소 회로부(PC2) 각각은 구동 박막 트랜지스터(Td), 스위칭 박막 트랜지스터(Ts) 및 스토리지 커패시터(Cst)를 포함한다.
스위칭 박막 트랜지스터(Ts)는 스캔선(SL) 및 데이터선(DL)에 연결되고, 스캔선(SL)을 통해 입력되는 스캔 신호에 따라 데이터선(DL)을 통해 입력된 데이터 신호를 구동 박막 트랜지스터(Td)로 전달한다.
스토리지 커패시터(Cst)는 스위칭 박막 트랜지스터(Ts) 및 구동 전압선(PL)에 연결되며, 스위칭 박막 트랜지스터(Ts)로부터 전달받은 전압과 구동 전압선(PL)에 공급되는 구동 전압(ELVDD)의 차이에 해당하는 전압을 저장한다.
구동 박막 트랜지스터(Td)는 구동 전압선(PL)과 스토리지 커패시터(Cst)에 연결되며, 스토리지 커패시터(Cst)에 저장된 전압 값에 대응하여 구동 전압선(PL)으로부터 발광 소자(ED)에 흐르는 구동 전류를 제어할 수 있다. 발광 소자(ED1, ED2)는 구동 전류에 의해 소정의 휘도를 갖는 빛을 방출할 수 있다.
전술한 도면에 도 3 및 도 4를 참조하여 구체적인 적층 구조에 대해 살펴본다. 도 3은 일 실시예에 따른 제1 표시 영역의 단면도이고, 도 4는 일 실시예에 따른 제1 표시 영역, 벤딩 영역 및 제2 표시 영역 일부의 단면도이다. 전술한 구성요소와 동일한 구성에 대한 설명은 생략하기로 한다.
도 3을 참조하면, 제1-1 표시 영역(DA1-1)에 위치하는 제1 화소 회로부(PC1) 및 제1-1 발광 소자(ED1-1)부터 살펴본다.
제1 화소 회로부(PC1)는 기판(SUB) 상에 위치하는 반도체층(ACT1)을 포함한다.
기판(SUB)은 SiO2를 주성분으로 하는 유리, 금속 또는 유기물과 같은 재질을 포함할 수 있다. 일 실시예에 따르면, 기판(SUB)은 플렉서블한 재질을 포함할 수 있다. 예컨대, 기판(SUB)은 폴리이미드(polyimide)와 같은 플렉서블한 플라스틱 재질을 포함할 수 있으나 이에 한정되지 않는다. 또 다른 실시예로써, 플라스틱 재질은, 폴리에테르술폰(PES, polyethersulphone), 폴리아크릴레이트(PAR, polyacrylate), 폴리에테르 이미드(PEI, polyether imide), 폴리에틸렌 나프탈레이트(PEN, polyethyelenen napthalate), 폴리에틸렌 테레프탈레이드(PET, polyethyeleneterepthalate), 폴리페닐렌 설파이드(polyphenylene sulfide: PPS), 폴리아릴레이트(polyallylate), 폴리이미드(polyimide), 폴리카보네이트(PC), 셀룰로오스 트리 아세테이트(TAC), 셀룰로오스아세테이트 프로피오네이트(cellulose acetate propionate: CAP), 환형 올레핀 고분자(Cyclic olefin polymer), 환형 올레핀 공중합체(Cyclic olefin copolymer)등일 수 있다.
반도체층(ACT1)은 다결정 규소 및 산화물 반도체 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 반도체층(ACT1)은 채널 영역(C1), 소스 영역(S1) 및 드레인 영역(D1)을 포함한다. 소스 영역(S1) 및 드레인 영역(D1)은 각각 채널 영역(C1)의 양 옆에 배치되어 있다. 채널 영역(C1)은 불순물이 거의 도핑되지 않은 반도체를 포함하고, 소스 영역(S1) 및 드레인 영역(D1)은 도전성 불순물이 도핑되어 있는 불순물 반도체를 포함할 수 있다. 반도체층(ACT1)은 산화물 반도체로 이루어질 수도 있으며, 이 경우에는 고온 등의 외부 환경에 취약한 산화물 반도체 물질을 보호하기 위해 별도의 보호층(미도시)이 추가될 수 있다.
반도체층(ACT1) 위에는 게이트 절연층(IL1)이 위치한다. 게이트 절연층(IL1)은 실리콘질화물(SiNx) 및 실리콘산화물(SiO2) 중 적어도 하나를 포함한 단층 또는 다층일 수 있다. 본 명세서는 게이트 절연층(IL1)이 기판(SUB) 전면에 걸쳐 형성된 실시예를 도시하였으나, 이에 제한되지 않고 게이트 절연층(IL1)이 채널 영역(C1)에서만 중첩하는 형태로 제공될 수 있다.
채널 영역(C1)과 중첩하는 게이트 절연층(IL1) 상에 게이트 전극(GE)이 위치한다, 게이트 전극(GE)은 구리(Cu), 구리 합금, 알루미늄(Al), 알루미늄 합금, 몰리브덴(Mo), 및 몰리브덴 합금 중 어느 하나를 포함하는 금속막이 적층된 단층 또는 다층막일 수 있다.
게이트 전극(GE) 및 게이트 절연층(IL1) 위에는 층간 절연층(IL2)이 위치한다. 층간 절연층(IL2)은 실리콘산화물(SiOx), 실리콘질화물(SiNx), 실리콘질산화물(SiOxNy)을 포함하는 무기 물질을 포함하거나 유기 물질을 포함할 수 있다. 층간 절연층(IL2)은 단일층 또는 다층 구조일 수 있다.
층간 절연층(IL2) 위에 소스 전극(SE)과 드레인 전극(DE)이 위치한다. 소스 전극(SE)과 드레인 전극(DE)은 층간 절연층(IL2)에 형성된 접촉 구멍을 통해 반도체층(ACT1)의 소스 영역(S1) 및 드레인 영역(D1)과 각각 연결된다.
소스 전극(SE) 및 드레인 전극(DE)은 알루미늄(Al), 백금(Pt), 팔라듐(Pd), 은(Ag), 마그네슘(Mg), 금(Au), 니켈(Ni), 네오디뮴(Nd), 이리듐(Ir), 크롬(Cr), 니켈(Ni), 칼슘(Ca), 몰리브덴(Mo), 탄탈륨(Ta), 티타늄(Ti), 텅스텐(W), 및/또는 구리(Cu) 등을 포함할 수 있으며, 이를 포함하는 단일층 또는 다층 구조일 수 있다. 예를 들어, 소스 전극(SE) 및 드레인 전극(DE)은 몰리브덴, 크롬, 탄탈륨 및 티타늄 등 내화성 금속(refractory metal) 또는 이들의 합금을 포함하는 하부막, 비저항이 낮은 알루미늄 계열 금속, 은 계열 금속, 구리 계열 금속을 포함하는 중간막, 몰리브덴, 크롬, 탄탈륨 및 티타늄 등 내화성 금속을 포함하는 상부막의 삼중막 구조일 수 있다.
소스 전극(SE) 및 드레인 전극(DE) 위에 제1 절연층(IL3)이 위치한다. 제1 절연층(IL3)은 기판(SUB) 전면과 중첩하도록 위치할 수 있다. 제1 절연층(IL3)은 실리콘질화물(SiNx) 또는 실리콘산화물(SiO2) 등과 같은 무기 물질을 포함하거나 유기 물질을 포함할 수 있다.
제1 절연층(IL3) 상에 연결 전극(CE)이 위치한다. 연결 전극(CE)은 제1 절연층(IL3)이 가지는 접촉 구멍을 통해 드레인 전극(DE)과 연결될 수 있다. 본 명세서는 연결 전극(CE)에 의해 드레인 전극(DE)과 제1 전극(E1)이 전기적으로 연결되는 구성을 도시하였으나, 이에 제한되지 않고 드레인 전극(DE)과 제1 전극(E1)이 직접 연결될 수도 있음은 물론이다.
연결 전극(CE) 상에 제2 절연층(IL4)이 위치한다. 제2 절연층(IL4)은 Polymethylmethacrylate(PMMA)나 Polystyrene(PS)과 같은 일반 범용 고분자, 페놀계 그룹을 갖는 고분자 유도체, 아크릴계 고분자, 이미드계 고분자, 폴리이미드, 아크릴계 폴리머, 실록산계 폴리머 등의 유기물, 또는 유기물과 무기물의 적층막 또는 무기막 등으로 만들어질 수 있다.
제2 절연층(IL4) 상에 제1 전극(E1)이 위치한다. 제1 전극(E1)은 제2 절연층(IL4)의 접촉 구멍을 통해 연결 전극(CE)과 연결되어, 전기적으로 드레인 전극(DE)과 연결된다.
게이트 전극(GE), 반도체층(ACT1), 소스 전극(SE) 및 드레인 전극(DE)으로 이루어진 트랜지스터는 제1 전극(E1)에 연결되어 발광 소자(ED1)에 전류를 공급한다.
제2 절연층(IL4)과 제1 전극(E1)의 위에는 격벽(IL5)이 위치한다. 격벽(IL5)은 제1 전극(E1)의 적어도 일부와 중첩하고 발광 영역을 정의하는 개구부를 가진다. 개구부는 제1 전극(E1)과 거의 유사한 평면 형태를 가질 수 있다. 개구부는 평면상 마름모 또는 마름모와 유사한 팔각 형상을 가질 수 있으나, 이에 제한되지 않고 사각형, 다각형 등 어떠한 모양도 가질 수 있다.
격벽(IL5)은 Polymethylmethacrylate(PMMA)나 Polystyrene(PS)과 같은 일반 범용 고분자, 페놀계 그룹을 갖는 고분자 유도체, 아크릴계 고분자, 이미드계 고분자, 폴리이미드, 아크릴계 폴리머, 실록산계 폴리머 등의 유기물 또는 실리카 계열의 무기물을 포함할 수 있다.
개구부와 중첩하는 제1 전극(E1) 위에는 발광층(EL)이 위치한다. 발광층(EL)은 저분자 유기물 또는 PEDOT(Poly 3,4-ethylenedioxythiophene) 등의 고분자 유기물로 이루어질 수 있다. 또한, 발광층(EL)은 정공 주입층(hole injection layer, HIL), 정공 수송층(hole transporting layer, HTL), 전자 수송층(electron transporting layer, ETL), 및 전자 주입층(electron injection layer, EIL) 중 하나 이상을 더 포함하는 다중막일 수 있다.
발광층(EL)은 대부분 개구부 내에 위치할 수 있고, 격벽(IL5)의 측면 또는 위에도 위치할 수 있다.
발광층(EL) 위에는 제2 전극(E2)이 위치한다. 제2 전극(E2)은 칼슘(Ca), 바륨(Ba), 마그네슘(Mg), 알루미늄(Al), 은(Ag), 백금(Pt), 팔라듐(Pd), 금(Au), 니켈(Ni), 네오디뮴(Nd), 이리듐(Ir), 크롬(Cr), 리튬(Li), 칼슘(Ca) 등을 포함하는 반사성 금속 또는 인듐 주석 산화물(ITO), 인듐 아연 산화물(IZO) 같은 투명 도전성 산화물(TCO)을 포함할 수 있다.
제1 전극(E1), 발광층(EL)과 제2 전극(E2)은 제1-1 발광 소자(ED1-1)를 구성할 수 있다. 여기서, 제1 전극(E1)은 정공 주입 전극인 애노드이며, 제2 전극(E2)은 전자 주입 전극인 캐소드 일 수 있다. 그러나 실시예는 반드시 이에 한정되는 것은 아니며, 발광 표시 장치의 구동 방법에 따라 제1 전극(E1)이 캐소드가 되고, 제2 전극(E2)이 애노드가 될 수도 있다.
제1 전극(E1) 및 제2 전극(E2)으로부터 각각 정공과 전자가 유기 발광층(EL) 내부로 주입되고, 주입된 정공과 전자가 결합한 엑시톤(exciton)이 여기 상태로부터 기저 상태로 떨어질 때 발광이 이루어진다.
제2 전극(E2) 위에 제1 봉지층(ENC1)이 위치한다. 제1 봉지층(ENC1)은 제1 발광 소자(ED1)의 상부면 뿐만 아니라 측면까지 덮어 밀봉할 수 있다. 발광 소자는 수분과 산소에 매우 취약하므로, 제1 봉지층(ENC1)이 제1 발광 소자(ED1)를 밀봉하여 외부의 수분 및 산소의 유입을 차단한다.
제1 봉지층(ENC1)은 복수의 층을 포함할 수 있고, 그 중 무기층과 유기층을 모두 포함하는 복합막으로 형성될 수 있으며, 일 예로 제1 무기층(EIL1), 유기층(EOL), 제2 무기층(EIL2)이 순차적으로 형성된 3중층으로 형성될 수 있다.
제1 무기층(EIL1)은 제2 전극(E2)을 커버할 수 있다. 제1 무기층(EIL1)은 외부 수분이나 산소가 발광 소자(ED)에 침투하는 것을 방지할 수 있다. 예를 들어, 제1 무기층(EIL1)은 실리콘 질화물, 실리콘 산화물, 또는 이들이 조합된 화합물을 포함할 수 있다. 제1 무기층(EIL1)은 증착 공정을 통해 형성될 수 있다.
유기층(EOL)은 제1 무기층(EIL1) 상에 배치되어 제1 무기층(EIL1)에 접촉할 수 있다. 제1 무기층(EIL1) 상면에 형성된 굴곡이나 제1 무기층(EIL1) 상에 존재하는 파티클(particle) 등은 유기층(EOL)에 의해 커버되어, 제1 무기층(EIL1)의 상면의 표면 상태가 유기층(EOL)상에 형성되는 구성들에 미치는 영향을 차단할 수 있다. 또한, 유기층(EOL)은 접촉하는 층들 사이의 응력을 완화시킬 수 있다. 유기층(EOL)은 유기물을 포함할 수 있고, 스핀 코팅, 슬릿 코팅, 잉크젯 공정과 같은 용액 공정을 통해 형성될 수 있다.
제2 무기층(EIL2)은 유기층(EOL) 상에 배치되어 유기층(EOL)을 커버한다. 제2 무기층(EIL2)은 제1 무기층(EIL1)상에 배치되는 것보다 상대적으로 평탄한 면에 안정적으로 형성될 수 있다. 제2 무기층(EIL2)은 유기층(EOL)으로부터 방출되는 수분 등을 봉지하여 외부로 유입되는 것을 방지한다. 제2 무기층(EIL2)은 실리콘 질화물, 실리콘 산화물, 또는 이들이 조합된 화합물을 포함할 수 있다. 제2 무기층(EIL2)은 증착 공정을 통해 형성될 수 있다.
본 명세서는 도시하지 않았으나 제2 전극(E2)과 제1 봉지층(ENC1) 사이에 위치하는 캡핑층(capping layer)을 더 포함할 수 있다. 캡핑층은 유기물질을 포함할 수 있다. 캡핑층은 후속의 공정 예컨대 스퍼터링 공정으로부터 제2 전극(E2)을 보호하고, 발광 소자(ED)의 출광 효율을 향상시킨다. 캡핑층은 제1 무기층(EIL1)보다 큰 굴절률을 가질 수 있다.
도 3에서 기판(SUB)과 제1-1 발광 소자(ED1-1) 사이에 위치하는 구성요소들이 도 2b에서 설명한 제1 화소 회로부(PC1)에 해당한다. 제1 화소 회로부(PC1)는 제1 화소 회로부(PC1) 상에 위치하는 제1-1 발광 소자(ED1-1)와 연결될 수 있다.
다음, 제1 화소 회로부(PC1) 외측으로 제2 화소 회로부(PC2)가 위치할 수 있다. 제2 화소 회로부(PC2)의 적층 구조는 제1 화소 회로부(PC1)의 적층 구조와 실질적으로 동일할 수 있으므로 구체적인 설명을 생략하기로 한다.
제2 화소 회로부(PC2)에 포함되는 제1 전극(E1)은 기판(SUB)의 가장자리를 향해 연장될 수 있다. 제1-2 발광 소자(ED1-2)에 포함되는 제1 전극(E1)은 제1 방향(DR1)을 따라 외측으로 배치되면서 제1-2 발광 소자(ED1-2)와 연결되는 제2 화소 회로부(PC2)에 비해 기판(SUB)의 가장자리를 향해 위치할 수 있다. 즉, 제1-2 발광 소자(ED1-2)는, 각각의 제1-2 발광 소자(ED1-2)와 연결되는 화소 회로부(PC2)보다 제1 방향(DR1)을 따라 외측에 위치할 수 있다. 일 실시예에 따른 제1-2 발광 소자(ED1-2)는 제2 화소 회로부(PC2)와 중첩하도록 위치하거나, 스캔 구동부(20)와 중첩하도록 위치할 수 있다.
발광 소자가 위치하는 층을 기준으로, 제1-1 발광 소자(ED1-1)가 위치하는 영역이 제1-1 표시 영역(DA1-1)이다. 또한 발광 소자가 위치하는 층을 기준으로, 제1-2 발광 소자(ED1-2)가 위치하는 영역이 제1-2 표시 영역(DA1-2)이다. 이때 제1-2 표시 영역(DA1-2)은 광을 방출하면서, 발광 소자(ED1-2) 하부에는 스캔 구동부(20)와 같은 화소 회로부가 위치할 수 있다. 표시 영역(DA)이 제1-1 표시 영역(DA1-1)뿐만 아니라 제1-2 표시 영역(DA1-2)을 포함함에 따라 보다 확장된 표시 영역을 제공할 수 있다.
다음 도 4를 참조하면, 제1-2 표시 영역(DA1-2) 외측으로 벤딩 영역(BA)에 해당하는 비표시 영역(PA), 그리고 제2 표시 영역(DA2)이 위치할 수 있다.
제2 표시 영역(DA2)에는 제1 표시 영역(DA1)으로부터 연장된 게이트 절연층(IL1) 및 층간 절연층(IL2)이 위치할 수 있다.
층간 절연층(IL2) 상에는 제1-2 표시 영역(DA1-2)에 위치하는 제2 화소 회로부(PC2)와 연결되며, 제1-2 표시 영역(DA1-2)으로부터 벤딩 영역(BA)을 가로질러 제2 표시 영역(DA2)까지 연장되는 제1 전극(E1)이 위치할 수 있다.
본 명세서는 제2 표시 영역(DA2)에서 제1 절연층(IL3) 및 제2 절연층(IL4)이 제거된 구조를 도시하였으나 이에 제한되지 않고 독립적으로 제2 표시 영역(DA2)까지 연장되도록 형성될 수 있다.
제2 표시 영역(DA2)에 위치하는 제1 전극(E1) 상에는 발광 영역을 정의하는 격벽(IL5)이 위치할 수 있다. 격벽(IL5)은 제1 전극(E1)의 일부와 중첩하고 발광 영역을 정의하는 개구부를 가질 수 있다.
격벽(IL5)이 가지는 개구부 내에는 발광층(EL)이 위치할 수 있다. 발광층(EL)은 대부분 개구부 내에 위치할 수 있고, 격벽(IL5)의 측면 또는 위에도 위치할 수 있다.
격벽(IL5) 및 발광층(EL) 상에는 제1 표시 영역(DA1)으로부터 연장된 제2 전극(E2)이 위치할 수 있다. 제2 표시 영역(DA2)에 위치하는 제1 전극(E1), 발광층(EL) 및 제2 전극(E2)은 제2 발광 소자(ED2)를 형성할 수 있다.
일 실시예에 따르면 제2 발광 소자(ED2)가 위치하는 영역과, 제2 발광 소자(ED2)와 전기적으로 연결되는 화소 회로부가 위치하는 영역이 분리될 수 있다. 제2 발광 소자(ED2)가 위치하는 영역을 자유롭게 설계할 수 있다. 또한 제2 표시 영역(DA2)을 제공하기 위해 별도의 트랜지스터를 형성하거나, 별도의 구동칩 등이 필요하지 않을 수 있다.
제2 발광 소자(ED2) 상에는 제2 봉지층(ENC2)이 위치한다. 제2 봉지층(ENC2)은 제1 무기층(EIL1), 유기층(EOL), 제2 무기층(EIL2)이 적층된 구조를 가질 수 있다. 제1 봉지층(ENC1) 및 제2 봉지층(ENC2)은 동일한 적층 구조를 가질 수 있으나, 벤딩 영역(BA)에서 서로 이격된 형태를 가질 수 있다. 본 명세서는 제1 봉지층(ENC1)과 제2 봉지층(ENC2)이 완전히 이격된 형태를 도시하였으나, 이에 제한되지 않고 제1 무기층(EIL1) 및 제2 무기층(EIL2)은 서로 이격되고 유기층(EOL)은 연결되는 실시예도 가능할 수 있다. 벤딩 영역(BA)에 배치되는 무기층을 제거함으로써 기판(SUB)의 벤딩이 보다 용이할 수 있다.
일 실시예에 따르면 제2 표시 영역(DA2)은 벤딩 영역(BA)의 벤딩을 통해 제1 표시 영역(DA1)의 배면에 위치할 수 있다. 제1 표시 영역(DA1)과 제2 표시 영역(DA2) 사이의 벤딩 영역(BA)은 무기층(EIL1, EIL2)이 제거된 영역이다. 벤딩에 의한 크랙이 발생할 수 있는 무기층(EIL1, EIL2)은 제거된 상태에서 벤딩될 수 있다. 표시 장치의 벤딩이 용이하며, 제1 표시 영역(DA1)에 위치하는 화소 회로부를 통해 제1 표시 영역(DA1)의 배면에 위치하는 제2 표시 영역(DA2)을 제공할 수 있으므로, 배면 표시 장치의 구현이 용이할 수 있다.
또한 제1-2 표시 영역(DA1-2)과 중첩하는 스캔 구동부(20) 등은 복수의 신호선(SL1, SL2, SL3)과 연결 배선(CL1, CL2, CL3)이 연결된 형태를 가질 수 있으며 이에 제한되는 것은 아니다.
이하에서는 도 5a 내지 도 6b를 참조하여 일 실시예에 따른 표시 장치를 살펴본다. 일 실시예에 따르면 도 5a는 일 실시예에 따른 표시 장치의 평면도이고, 도 5b는 일 실시예에 따른 표시 장치의 사시도이고, 도 6a는 일 실시예에 따른 표시 패널의 평면도이고, 도 6b는 도 6a의 C-C'를 따라 자른 단면도이다. 전술한 구성요소와 동일한 구성요소에 대한 설명은 생략할 수 있다. 각 영역의 단면 구조는 전술한 바와 거의 유사하므로 생략하기로 한다.
도 5a를 참고하면, 일 실시예에 따른 표시 장치(1000)는 제1 표시 영역(DA1) 및 제2 표시 영역(DA2)을 포함할 수 있다. 표시 장치(1000)가 펼쳐진 상태에서 제1 표시 영역(DA1)과 제2 표시 영역(DA2)은 제2 방향(DR2)을 따라 배열될 수 있다.
표시 장치(1000)는 도 5b에 도시된 바와 같이 제1 방향(DR1)에 평행한 벤딩축을 기준으로 아웃-폴딩된 형태일 수 있다. 표시 장치(1000)는 제1 표시 영역(DA1) 및 제2 표시 영역(DA2) 모두 외측으로 노출될 수 있다. 제1 표시 영역(DA1)의 배면에 제2 표시 영역(DA2)이 위치할 수 있다. 표시 장치(1000)는 전면 및 배면 모두에서 이미지를 표시할 수 있다.
도 6a를 참조하면, 일 실시예에 따른 표시 패널(DP)은 제2 방향(DR2)을 따라 배치된 제1 표시 영역(DA1) 및 제2 표시 영역(DA2)을 포함할 수 있다. 제1 표시 영역(DA1)과 제2 표시 영역(DA2) 사이에 벤딩 영역(BA)이 위치할 수 있다. 제2 방향(DR2)을 따라 제1 표시 영역(DA1), 제2 표시 영역(DA2), 구동 전압 공급 라인(60) 및 데이터 구동부(50)가 위치할 수 있다.
도 6b를 참조하면, 제1 표시 영역(DA1)은 제1-1 발광 소자(ED1-1)가 위치하는 제1-1 표시 영역(DA1-1), 그리고 제1-2 발광 소자(ED1-2)가 위치하는 제1-2 표시 영역(DA1-2)을 포함할 수 있다. 제1-1 발광 소자(ED1-1)는 제1 화소 회로부(PC1)와 연결될 수 있다. 제1-2 발광 소자(ED1-2)는 제2 화소 회로부(PC2)와 연결될 수 있다.
제2 표시 영역(DA2)은 제2 화소 회로부(PC2)와 연결되는 제2 발광 소자(ED2)가 위치할 수 있다. 제2 표시 영역(DA2)은 화소 회로부의 배치 없이 발광 소자만이 위치하는 영역이므로, 위치 제한이 크지 않을 수 있다. 제2 발광 소자(ED2)는 제2 화소 회로부(PC2)와 연결되며 벤딩 영역(BA)을 가로지는 제1 전극, 발광층 및 제2 전극을 포함할 수 있다.
벤딩 영역(BA) 및 제2 표시 영역(DA2)에서 기판(SUB) 상에는 데이터 구동부(50)와 데이터선(DL)을 연결하는 데이터 전압 전달 배선(CLa) 및 구동 전압 공급 라인(60)과 구동 전압선(PL)을 연결하는 구동 전압 전달 배선(CLa)이 위치할 수 있다. 제2 발광 소자(ED2)는 데이터 전압 전달 배선 및 구동 전압 전달 배선(CLa)과 중첩할 수 있다. 이때 데이터 전압 전달 배선 및 구동 전압 전달 배선(CLa)은 제1 전극(E1) 아래에 적층된 배선들일 수 있다. 따라서 제2 표시 영역(DA2)에서는 데이터 전압 전달 배선 및 구동 전압 전달 배선(CLa) 상에 제2 발광 소자(ED2)가 위치할 수 있다.
도 6a 및 도 6b의 실시예에 따른 표시 장치는 가장 큰 면적을 차지하는 비표시 영역(PA)이 제2 표시 영역(DA2) 외측에 위치하게 된다. 벤딩 영역(BA)을 기준으로 제2 표시 영역(DA2) 및 비표시 영역(PA)은 제1 표시 영역(DA1)의 배면에 위치하게 된다. 일 실시예에 따르면 제1 표시 영역(DA1)이 위치하는 전면에서 비표시 영역의 면적을 최소화하면서 후면에서도 표시 영역을 제공하는 것이 가능할 수 있다.
이하에서는 도 7a 내지 도 8b를 참조하여 일 실시예에 따른 표시 장치에 대해 살펴본다. 도 7a는 일 실시예에 따른 표시 장치의 평면도이고, 도 7b는 일 실시예에 따른 표시 장치의 사시도이고, 도 8a는 일 실시예에 따른 표시 패널의 평면도이고, 도 8b는 도 8a의 D-D'을 따라 자른 단면도이다. 전술한 구성요소와 동일한 구성요소에 대한 설명은 생략할 수 있다. 각 영역의 단면 구조는 전술한 바와 거의 유사하므로 생략하기로 한다.
도 7a를 참고하면, 일 실시예에 따른 표시 장치(1000)는 제1 표시 영역(DA1) 및 제2 표시 영역(DA2)을 포함할 수 있다. 표시 장치(1000)가 펼쳐진 상태에서 제1 표시 영역(DA1)과 제2 표시 영역(DA2)은 제2 방향(DR2)을 따라 배열될 수 있다. 제2 표시 영역(DA2)은 제1 표시 영역(DA1)의 상측에 위치할 수 있다.
표시 장치(1000)는 도 7b에 도시된 바와 같이 제1 방향(DR1)에 평행한 벤딩축을 기준으로 아웃-폴딩된 형태일 수 있다. 표시 장치(1000)는 제1 표시 영역(DA1) 및 제2 표시 영역(DA2) 모두 외측으로 노출될 수 있다. 제1 표시 영역(DA1)의 배면에 제2 표시 영역(DA2)이 위치할 수 있다. 특히 제1 표시 영역(DA1)의 상측 배면에 제2 표시 영역(DA2)이 위치할 수 있다. 표시 장치(1000)는 전면 및 배면 모두에서 이미지를 표시할 수 있다.
도 8a를 참조하면, 일 실시예에 따른 표시 패널(DP)은 제2 방향(DR2)을 따라 배치된 제2 표시 영역(DA2), 제1 표시 영역(DA1), 데이터 구동부(50)를 포함할 수 있다. 제1 표시 영역(DA1)과 제2 표시 영역(DA2) 사이에 벤딩 영역(BA)이 위치할 수 있다. 제1 표시 영역(DA1)의 하측에 위치하는 데이터 구동부(50) 및 인쇄 회로 기판(PCB) 등은 기판(SUB)의 배면에 위치하도록 벤딩될 수 있다. 제2 표시 영역(DA2)이 제1 표시 영역(DA1)의 상측에 위치함에 따라 제1 표시 영역(DA1)의 하측 영역의 면적이 과도하게 증가하는 것을 방지할 수 있다.
도 8b를 참조하면, 제1 표시 영역(DA1)은 제1-1 발광 소자(ED1-1)가 위치하는 제1-1 표시 영역(DA1-1), 그리고 제1-2 발광 소자(ED1-2)가 위치하는 제1-2 표시 영역(DA1-2)을 포함할 수 있다. 제1-1 발광 소자(ED1-1)는 제1 화소 회로부(PC1)와 연결될 수 있다. 제1-2 발광 소자(ED1-2)는 제2 화소 회로부(PC2)와 연결될 수 있다.
제2 표시 영역(DA2)은 제2 화소 회로부(PC2)와 연결되는 제2 발광 소자(ED2)가 위치할 수 있다. 제2 표시 영역(DA2)은 화소 회로부의 배치 없이 발광 소자만이 위치하는 영역이므로, 위치 제한이 크지 않을 수 있다. 제2 발광 소자(ED2)는 제2 화소 회로부(PC2)와 연결되며 벤딩 영역(BA)을 가로지는 제1 전극, 발광층 및 제2 전극을 포함할 수 있다.
일 실시예에 따르면 표시 장치는 제1 표시 영역 이외의 제2 표시 영역을 포함할 수 있다. 제2 표시 영역은 제1 표시 영역에 위치하는 화소 회로부와 연결됨에 따라 발광 소자만이 위치하는 영역일 수 있다. 제2 표시 영역은 기판은 벤딩함에 따라 제1 표시 영역의 배면에 위치할 수 있다. 표시 장치는 전면 및 후면에서 이미지를 표시할 수 있다. 전면 및 후면에서 이미지를 표시하는 경우에도, 후면에서 이미지를 표시하기 위한 트랜지스터가 제1 표시 영역에 위치하므로 표시 장치의 두께가 증가하는 것을 방지하고, 추가적인 IC 칩 배치가 필요 없을 수 있다. 또한 벤딩 영역에 위치하는 봉지층을 제거함으로써 기판의 벤딩이 보다 용이할 수 있다.
이상에서 본 발명의 실시예에 대하여 상세하게 설명하였지만 본 발명의 권리범위는 이에 한정되는 것은 아니고 다음의 청구범위에서 정의하고 있는 본 발명의 기본 개념을 이용한 당업자의 여러 변형 및 개량 형태 또한 본 발명의 권리범위에 속하는 것이다.
DA1: 제1 표시 영역
DA2: 제2 표시 영역
PA: 비표시 영역 SUB: 기판
PC1: 제1 화소 회로부 PC2: 제2 화소 회로부
ED1-1: 제1-1 발광 소자 ED2: 제2 발광 소자
BA: 벤딩 영역 20: 스캔 구동부
E1: 제1 전극 EL: 발광층
E2: 제2 전극 ENC1: 제1 봉지층
ENC2: 제2 봉지층 50: 데이터 구동부
PA: 비표시 영역 SUB: 기판
PC1: 제1 화소 회로부 PC2: 제2 화소 회로부
ED1-1: 제1-1 발광 소자 ED2: 제2 발광 소자
BA: 벤딩 영역 20: 스캔 구동부
E1: 제1 전극 EL: 발광층
E2: 제2 전극 ENC1: 제1 봉지층
ENC2: 제2 봉지층 50: 데이터 구동부
Claims (20)
- 제1 표시 영역, 제2 표시 영역 및 비표시 영역을 포함하는 기판,
상기 제1 표시 영역 상에 위치하는 제1 화소 회로부 및 제2 화소 회로부,
상기 제1 화소 회로부와 전기적으로 연결되며, 상기 제1 표시 영역과 중첩하는 제1-1 발광 소자, 그리고
상기 제2 화소 회로부와 전기적으로 연결되며, 상기 제2 표시 영역과 중첩하는 제2 발광 소자를 포함하고,
상기 제1 표시 영역 및 상기 제2 표시 영역은 상기 비표시 영역을 사이에 두고 이격되는 표시 장치. - 제1항에서,
상기 제1 표시 영역 및 상기 제2 표시 영역 사이의 상기 비표시 영역은 벤딩 영역인 표시 장치. - 제1항에서,
상기 제1 표시 영역은 제1-1 표시 영역 및 제1-2 표시 영역을 포함하고
상기 제1 화소 회로부 및 상기 제1-1 발광 소자는 상기 제1-1 표시 영역에 위치하는 표시 장치. - 제3항에서,
상기 표시 장치는 상기 제1-2 표시 영역에 위치하는 제1-2 발광 소자를 더 포함하고,
상기 제1-2 표시 영역의 적어도 일부는 스캔 구동부와 중첩하는 표시 장치. - 제4항에서,
상기 제1-1 발광 소자는 상기 제1 화소 회로부와 연결되고,
상기 제1-2 발광 소자는 상기 제2 화소 회로부와 연결되는 표시 장치. - 제2항에서,
상기 제2 발광 소자는,
제1 전극,
상기 제1 전극 상에 위치하는 발광층, 그리고
상기 발광층 상에 위치하는 제2 전극을 포함하고,
상기 제1 전극은 상기 제2 화소 회로부와 연결되며,
상기 제1 전극은 상기 벤딩 영역에서 구부러지는 표시 장치. - 제6항에서,
상기 표시 장치는,
상기 제1 발광 소자 위에 위치하는 제1 봉지층, 그리고
상기 제2 발광 소자 위에 위치하는 제2 봉지층을 포함하고,
상기 제1 봉지층 및 상기 제2 봉지층은 서로 이격된 표시 장치. - 제1항에서,
상기 표시 장치는 제1 방향을 따라 연장되는 스캔선을 더 포함하고,
상기 제1 표시 영역 및 상기 제2 표시 영역은 상기 제1 방향을 따라 이격된 표시 장치. - 제1항에서,
상기 표시 장치는 제2 방향을 따라 연장되는 데이터선을 더 포함하고,
상기 제1 표시 영역 및 상기 제2 표시 영역은 상기 제2 방향을 따라 이격된 표시 장치. - 제9항에서,
상기 표시 장치는 비표시 영역에 위치하는 데이터 구동부를 더 포함하고,
상기 제2 방향을 따라 상기 제1 표시 영역, 상기 제2 표시 영역 그리고 상기 데이터 구동부가 위치하는 표시 장치. - 제9항에서,
상기 표시 장치는 비표시 영역에 위치하는 데이터 구동부를 더 포함하고,
상기 제2 방향을 따라 상기 제2 표시 영역, 상기 제1 표시 영역 그리고 상기 데이터 구동부가 위치하는 표시 장치. - 제1항에서,
상기 제1 표시 영역은 표시 장치의 전면에 위치하고, 상기 제2 표시 영역은 상기 표시 장치의 배면에 위치하는 표시 장치. - 제1 표시 영역, 제2 표시 영역 및 상기 제1 표시 영역과 상기 제2 표시 영역 사이의 벤딩 영역을 포함하는 기판,
상기 제1 표시 영역 상에 위치하는 제1 화소 회로부 및 제2 화소 회로부,
상기 제1 화소 회로부와 전기적으로 연결되며, 상기 제1 표시 영역과 중첩하는 제1-1 발광 소자, 그리고
상기 제2 화소 회로부와 전기적으로 연결되며, 상기 제2 표시 영역과 중첩하는 제2 발광 소자를 포함하고,
상기 제1 표시 영역은 표시 장치의 전면에 위치하고, 상기 제2 표시 영역은 상기 표시 장치의 배면에 위치하는 표시 장치. - 제13항에서,
상기 제1 표시 영역은 제1-1 표시 영역 및 제1-2 표시 영역을 포함하고,
상기 제1-1 발광 소자는 상기 제1-1 표시 영역에 위치하며,
상기 표시 장치는 상기 제1-2 표시 영역에 위치하는 제1-2 발광 소자를 더 포함하는 표시 장치. - 제14항에서,
상기 표시 장치는 상기 제1-2 표시 영역의 적어도 일부와 중첩하는 스캔 구동부를 더 포함하는 표시 장치. - 제14항에서,
상기 제1-2 발광 소자는 상기 제2 화소 회로부와 중첩하는 표시 장치. - 제13항에서,
상기 제2 발광 소자는,
제1 전극,
상기 제1 전극과 중첩하는 발광층, 그리고
상기 발광층과 중첩하는 제2 전극을 포함하고,
상기 제1 전극은 상기 제2 화소 회로부와 전기적으로 연결되며, 상기 벤딩 영역을 가로지르는 표시 장치. - 제13항에서,
상기 표시 장치는,
상기 제1 발광 소자와 중첩하는 제1 봉지층, 그리고
상기 제2 발광 소자와 중첩하는 제2 봉지층을 포함하고,
상기 제1 봉지층 및 상기 제2 봉지층은 서로 이격된 표시 장치. - 제13항에서,
상기 표시 장치는 제1 방향을 따라 연장되는 스캔선을 더 포함하고,
상기 제1 표시 영역 및 상기 제2 표시 영역은 상기 제1 방향을 따라 이격된 표시 장치. - 제13항에서,
상기 표시 장치는 제2 방향을 따라 연장되는 데이터선을 더 포함하고,
상기 제1 표시 영역 및 상기 제2 표시 영역은 상기 제2 방향을 따라 이격된 표시 장치.
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