CN111312773B - 一种显示面板及其制备方法、显示装置 - Google Patents
一种显示面板及其制备方法、显示装置 Download PDFInfo
- Publication number
- CN111312773B CN111312773B CN202010116339.3A CN202010116339A CN111312773B CN 111312773 B CN111312773 B CN 111312773B CN 202010116339 A CN202010116339 A CN 202010116339A CN 111312773 B CN111312773 B CN 111312773B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- buffer layer
- display area
- display
- doping element
- layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title abstract description 10
- 238000005452 bending Methods 0.000 claims abstract description 38
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 37
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims abstract description 14
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 12
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 22
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 10
- 238000009413 insulation Methods 0.000 claims description 9
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 239000013077 target material Substances 0.000 claims description 8
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000011701 zinc Substances 0.000 claims description 6
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 4
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 238000005289 physical deposition Methods 0.000 claims description 3
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 165
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 6
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 5
- 230000002209 hydrophobic effect Effects 0.000 description 4
- 238000001000 micrograph Methods 0.000 description 4
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 4
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 3
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 3
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 3
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 2
- 208000037656 Respiratory Sounds Diseases 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 2
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 2
- 230000002159 abnormal effect Effects 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N silicon monoxide Chemical compound [Si-]#[O+] LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JBQYATWDVHIOAR-UHFFFAOYSA-N tellanylidenegermanium Chemical compound [Te]=[Ge] JBQYATWDVHIOAR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/1201—Manufacture or treatment
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/87—Passivation; Containers; Encapsulations
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
- H10K2102/301—Details of OLEDs
- H10K2102/311—Flexible OLED
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K77/00—Constructional details of devices covered by this subclass and not covered by groups H10K10/80, H10K30/80, H10K50/80 or H10K59/80
- H10K77/10—Substrates, e.g. flexible substrates
- H10K77/111—Flexible substrates
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/549—Organic PV cells
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Abstract
本申请公开了一种显示面板及其制备方法、显示装置,用以避免弯折区第一缓冲层出现断裂。本申请实施例提供的一种显示面板,所述显示面板具有显示区和所述显示区之外的非显示区,所述非显示区包括:靠近所述显示区的第一非显示区,位于所述第一非显示区远离所述显示区一侧的第二非显示区,以及所述第一非显示区和所述第二非显示区之间的弯折区,所述弯折区包括:衬底,位于所述衬底之上的第一缓冲层;所述第一缓冲层的材料包括:第一掺杂元素以及第一绝缘化合物;所述第一掺杂元素用于提高所述第一缓冲层的延展性。
Description
技术领域
本申请涉及显示技术领域,尤其涉及一种显示面板及其制备方法、显示装置。
背景技术
目前,有机发光二极管(Organic Light-Emitting Diode,OLED)显示产品具有屏幕亮度大、色域广、耗电量低、可视角度大等优势而得到大力发展。但是,现有技术弯折区容易出现无机膜断裂导致金属引线层断裂,导致显示产品出现亮线显示不良,影响产品良率。
发明内容
本申请实施例提供了一种显示面板及其制备方法、显示装置,用以避免弯折区第一缓冲层出现断裂。
本申请实施例提供的一种显示面板,所述显示面板具有显示区和所述显示区之外的非显示区,所述非显示区包括:靠近所述显示区的第一非显示区,位于所述第一非显示区远离所述显示区一侧的第二非显示区,以及所述第一非显示区和所述第二非显示区之间的弯折区,所述弯折区包括:衬底,位于所述衬底之上的第一缓冲层;所述第一缓冲层的材料包括:第一掺杂元素以及第一绝缘化合物;所述第一掺杂元素用于提高所述第一缓冲层的延展性。
本申请实施例提供的显示面板,第一缓冲层的材料包括第一掺杂元素,从而可以提高第一缓冲层的延展性,避免第一缓冲层在弯折工艺中出现断裂,提高产品良率。
可选的,所述第一掺杂元素包括下列之一或其组合:钼元素、锌元素、锡元素、镍元素。
可选的,所述第一掺杂元素在所述第一缓冲层中的原子比为5%~6%。
可选的,所述第一缓冲层的材料还包括第二掺杂元素;
所述第二掺杂元素的热导系数大于第二预设值,且所述第二掺杂元素的疏水接触角大于第三预设值。
本申请实施例提供的显示面板,由于第一缓冲层包括第二掺杂元素,从而可以提高第一缓冲层的绝热性和隔水性,因此第一缓冲层在显示面板制备过程中可以充当激光剥离阻挡层,更好的阻挡热量以及水汽,进一步避免腐蚀引线层,从而可以进一步避免显示面板出现显示不良,提高产品良率。
可选的,所述第二掺杂元素包括下列之一或其组合:锗元素、镍元素、锌元素。
可选的,所述第二掺杂元素在所述第一缓冲层中的原子比为5%~6%。
可选的,所述弯折区还包括位于所述第一缓冲层上的引线层;所述第一缓冲层和所述引线层延伸到所述第一非显示区和所述第二非显示区,在第一非显示区和所述第二非显示区,所述第一缓冲层和所述引线层之间还包括绝缘层;所述第一缓冲层在所述第一非显示区和所述第二非显示区的厚度大于所述第一缓冲层在所述弯折区的厚度。
本申请实施例提供的显示面板,由于第一缓冲层中掺杂第一掺杂元素,可以提高第一缓冲层的延展性,避免第一缓冲层在弯折工艺中出现断裂,从而可以避免弯折区引线层出现裂纹,从而可以避免显示面板出现亮线显示不良,可以提高产品良率。
本申请实施例提供的一种显示面板的制备方法,所述方法包括:
提供衬底;其中,所述显示面板包括弯折区;
在衬底上形成第一缓冲层;所述第一缓冲层包括:第一掺杂元素,以及第一绝缘化合物,所述第一掺杂元素用于提高所述第一缓冲层的延展性;
在所述第一缓冲层之上形成各绝缘层;
去除弯折区所述绝缘层以及部分所述第一缓冲层;
形成引线层,所述引线层在所述弯折区与所述第一缓冲层接触。
本申请实施例提供的显示面板制备方法,第一缓冲层中掺杂第一掺杂元素,从而可以提高第一缓冲层的延展性,进而可以避免弯折区引线层出现裂纹,从而可以避免显示面板出现亮线显示不良,可以提高产品良率。
可选的,所述第一缓冲层还包括第二掺杂元素,在衬底上形成第一缓冲层,具体包括:
提供包括第一掺杂元素、第二掺杂元素以及第一绝缘化合物的靶材;其中,所述第二掺杂元素的热导系数大于第二预设值,且所述第二掺杂元素的疏水接触角大于第三预设值;
采用物理沉积工艺将所述靶材沉积到所述衬底上,形成所述第一缓冲层。
本申请实施例提供的一种显示装置,包括本申请实施例提供的显示面板。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案,下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简要介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例,对于本领域的普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本申请实施例提供的一种显示面板的示意图;
图2为本申请实施例提供的眼图1中AA’的截面图;
图3为本申请实施例提供的弯折区出现断裂的电镜图;
图4、图5为本申请实施例提供的弯折区出现断裂的聚焦离子束技术电镜图;
图6为本申请实施例提供的一种显示面板的制备方法的示意图;
图7为本申请实施例提供的另一种显示面板的制备方法的流程示意图。
具体实施方式
本申请实施例提供了一种显示面板,如图1、图2所示,图2为沿图1中AA’的截面图,所述显示面板具有显示区11和所述显示区11之外的非显示区12,所述非显示区12包括:靠近所述显示区的第一非显示区13,位于所述第一非显示13区远离所述显示区11一侧的第二非显示区14,以及所述第一非显示区13和所述第二非显示区14之间的弯折区1;所述弯折区1包括:衬底2,位于所述衬底2之上的第一缓冲层3;所述第一缓冲层3的材料包括:第一掺杂元素以及第一绝缘化合物;所述第一掺杂元素用于提高所述第一缓冲层的延展性。
需要说明的是,现有技术柔性OLED显示产品的弯折区设置有无机膜,且弯折区金属引线层位于无机膜上,但位于无机膜上的金属引线层容易出现裂纹,弯折区的电镜图如图3所示,聚焦离子束技术(Focused Ion beam,FIB)的电镜图如图4、图5、所示,弯折区的无机膜出现大面积断裂,无机层断裂处金属引线层出现裂纹,而出现断裂的位置无机膜残留厚度及金属引线层的厚度均无异常,因此改善无机膜延展性显得极为重要。
本申请实施例提供的显示面板,第一缓冲层的材料包括第一掺杂元素,从而可以提高第一缓冲层的延展性,避免第一缓冲层在弯折工艺中出现断裂,提高产品良率。
需要说明的是,图2中仅示出显示面板的非显示区沿图1中AA’的截面的结构。本申请实施例提供的显示面板例如可以是OLED显示面板,显示面板的显示区包括OLED器件及像素驱动电路。
可选的,如图2所示,所述弯折区1还包括位于所述第一缓冲层3上的引线层4;所述第一缓冲层3和所述引线层4延伸到所述第一非显示区13和所述第二非显示区14,在所述第一非显示区13和所述第二非显示区14,所述第一缓冲层3和所述引线层4之间还包括绝缘层5;所述第一缓冲层3在所述第一非显示区13和所述第二非显示区14的厚度大于所述第一缓冲层3在所述弯折区1的厚度。
本申请实施例提供的显示面板,由于第一缓冲层中掺杂第一掺杂元素,可以提高第一缓冲层的延展性,避免第一缓冲层3在弯折工艺中出现断裂,从而可以避免弯折区引线层4出现裂纹,从而可以避免显示面板出现亮线显示不良,可以提高产品良率。
可选地,如图2所示,所述绝缘层5例如可以包括:第二缓冲层6,第一栅绝缘层7,第二栅绝缘层8,层间绝缘层9。如图2所示,所述显示面板还包括位于引线层4之上的平坦化层10。平坦化层之上还可以包括像素定义层以及隔垫物层。
可选地,本申请实施例提供的显示面板,第一绝缘化合物的材料包括氧化硅(SiOx)。
可选地,本申请实施例提供的显示面板,所述衬底为柔性衬底。
具体实施时,衬底的材料例如可以是聚酰亚胺(PI)。
第一掺杂元素例如可以选择金属键较多的元素。
可选的,所述第一掺杂元素包括下列之一或其组合:钼元素(Mo)、锌元素(Zn)、锡元素(Sn)、镍元素(Ni)。
可选的,所述第一掺杂元素在所述第一缓冲层中的原子比为5%~6%。
可选的,所述第一缓冲层的材料还包括第二掺杂元素;
所述第二掺杂元素用于提高所述第一缓冲层的绝热性和隔水性。
需要说明的是,对于柔性显示面板,在制作过程中需要将柔性衬底设置在刚性基板上,依次进行后续膜层的制作,之后需要采用激光剥离工艺将刚性基板剥离,而激光剥离工艺产生的热量过高可能会导致柔性材料的水汽通过第一缓冲层腐蚀引线层,引起显示不良。
本申请实施例提供的显示面板,由于第一缓冲层包括第二掺杂元素,从而可以提高第一缓冲层的绝热性和隔水性,因此第一缓冲层在显示面板制备过程中可以充当激光剥离阻挡层,更好的阻挡热量以及水汽,进一步避免腐蚀引线层,从而可以进一步避免显示面板出现显示不良,提高产品良率。
第二掺杂元素例如可以选择热导系数较大以及疏水接触角较大的元素。
可选的,所述第二掺杂元素包括下列之一或其组合:锗元素(Ge)、镍元素(Ni)、锌元素(Zn)。
可选的,所述第二掺杂元素在所述第一缓冲层中的原子比为5%~6%。
在具体实施时,可以选择第一掺杂元素为Mo,且第二掺杂元素为Ge。掺杂少量Mo可通过结晶粒界扩散,增强第一缓冲层的断裂强度与延展性,避免第一缓冲层在弯折工艺中发生断裂;Ge的热导系数在0.11~0.044瓦/(米·度)(W/(m·K)),Ge的疏水接触角为117°~140°,第一缓冲层掺杂Ge可提高绝热性与隔水性,在激光剥离工艺中可充当激光剥离阻挡层,避免腐蚀引线层。
本申请实施例提供的一种显示面板的制备方法,如图6所示,所述方法包括:
S101、提供衬底;其中,所述显示面板包括显示区和所述显示区之外的非显示区,所述非显示区包括:靠近所述显示区的第一非显示区,位于所述第一非显示区远离所述显示区一侧的第二非显示区,以及所述第一非显示区和所述第二非显示区之间的弯折区;
S102、在衬底上形成第一缓冲层;所述第一缓冲层包括:第一掺杂元素,以及第一绝缘化合物,所述第一掺杂元素用于提高所述第一缓冲层的延展性;
S103、在所述第一缓冲层之上形成各绝缘层;
S104、去除弯折区所述绝缘层以及部分所述第一缓冲层;
S105、形成引线层,所述引线层在所述弯折区与所述第一缓冲层接触。
本申请实施例提供的显示面板制备方法,第一缓冲层中掺杂第一掺杂元素,从而可以提高第一缓冲层的延展性,进而可以避免弯折区引线层出现裂纹,从而可以避免显示面板出现亮线显示不良,可以提高产品良率。
可选地,提供衬底具体包括:
在刚性基板上形成柔性衬底;
在衬底上形成第一缓冲层具体包括:在所述柔性衬底背离所述刚性基板一侧形成所述第一缓冲层;
形成引线层之后,所述方法还包括:采用激光剥离工艺剥离所述刚性基板。
可选地,在所述第一缓冲层之上形成各绝缘层,具体包括:在所述第一缓冲层之上依次形成第二缓冲层、第一栅绝缘层、第二栅绝缘层以及层间绝缘层。
可选地,形成引线层之后,采用激光剥离工艺剥离所述刚性基板之前,所述方法还包括:在所述引线层之上依次形成平坦化层、像素定义层以及隔垫物层。
可选的,所述第一缓冲层还包括第二掺杂元素,在衬底上形成第一缓冲层,具体包括:
提供包括第一掺杂元素、第二掺杂元素以及第一绝缘化合物的靶材;其中,所述第二掺杂元素用于提高所述第一缓冲层的绝热性和隔水性;
采用物理沉积工艺将所述靶材沉积到所述衬底上,形成所述第一缓冲层。
本申请实施例提供的显示面板的制备方法,由于第一缓冲层还包括第二掺杂元素,从而可以提高第一缓冲层的绝热性和隔水性,因此第一缓冲层在显示面板制备过程中可以充当激光剥离阻挡层,更好的阻挡热量以及水汽,进一步避免腐蚀引线层,从而可以进一步避免显示面板出现显示不良,提高产品良率。
具体实施时,可以采用物理溅射工艺将靶材沉积到衬底上。
在具体实施时,可以提供掺杂有第一掺杂元素和第二掺杂元素的第一绝缘化合物的靶材。当然,也可以分别提供第一掺杂元素靶材、第二掺杂元素靶材以及第一绝缘化合物靶材,可以利用溅射设备来精确调控个靶材的比例并采用溅射工艺将靶材沉积到衬底上形成第一缓冲层。
接下来以第一掺杂元素为Mo,第二掺杂元素为Ge为例,对本申请实施例提供的显示面板制备方法进行举例说明。如图7所示,显示面板的制备方法包括如下步骤:
S201、将包括第一掺杂元素、第二掺杂元素以及第一绝缘化合物的靶材沉积到柔性衬底2上形成第一缓冲层3;
S202、在第一缓冲层3上依次形成第二缓冲层6、第一栅绝缘层7、第二栅绝缘层8以及层间绝缘层9;
S203、去除弯折区的第二缓冲层6、第一栅绝缘层7、第二栅绝缘层8、层间绝缘层9,以及部分第一缓冲层3;
第一缓冲层3在第一非显示区和第二非显示区的厚度大于第一缓冲层3在弯折区的厚度;
S204、形成引线层4;
S205、在引线层4之上形成平坦化层10;
本申请实施例提供的一种显示装置,包括本申请实施例提供的显示面板。
本申请实施例提供的显示装置,例如可以是手机、电脑、电视等装置。
综上所述,本申请实施例提供的显示面板及其制备方法、显示装置,由于第一缓冲层的材料包括第一掺杂元素,从而可以提高第一缓冲层的延展性,避免第一缓冲层在弯折工艺中出现断裂,提高产品良率。
显然,本领域的技术人员可以对本申请进行各种改动和变型而不脱离本申请的精神和范围。这样,倘若本申请的这些修改和变型属于本申请权利要求及其等同技术的范围之内,则本申请也意图包含这些改动和变型在内。
Claims (9)
1.一种显示面板,其特征在于,所述显示面板具有显示区和所述显示区之外的非显示区,所述非显示区包括:靠近所述显示区的第一非显示区,位于所述第一非显示区远离所述显示区一侧的第二非显示区,以及所述第一非显示区和所述第二非显示区之间的弯折区,所述弯折区包括:衬底,位于所述衬底之上的第一缓冲层;所述第一缓冲层的材料包括:第一掺杂元素以及第一绝缘化合物;所述第一掺杂元素用于提高所述第一缓冲层的延展性;所述第一掺杂元素在所述第一缓冲层中的原子比为5%~6%。
2.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述第一掺杂元素包括下列之一或其组合:钼元素、锌元素、锡元素、镍元素。
3.根据权利要求1或2所述的显示面板,其特征在于,所述第一缓冲层的材料还包括第二掺杂元素;
所述第二掺杂元素用于提高所述第一缓冲层的绝热性和隔水性。
4.根据权利要求3所述的显示面板,其特征在于,所述第二掺杂元素包括下列之一或其组合:锗元素、镍元素、锌元素。
5.根据权利要求4所述的显示面板,其特征在于,所述第二掺杂元素在所述第一缓冲层中的原子比为5%~6%。
6.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述弯折区还包括位于所述第一缓冲层上的引线层;所述第一缓冲层和所述引线层延伸到所述第一非显示区和所述第二非显示区,在所述第一非显示区和所述第二非显示区,所述第一缓冲层和所述引线层之间还包括绝缘层;所述第一缓冲层在所述第一非显示区和所述第二非显示区的厚度大于所述第一缓冲层在所述弯折区的厚度。
7.一种显示面板的制备方法,其特征在于,所述方法包括:
提供衬底;其中,所述显示面板包括显示区和所述显示区之外的非显示区,所述非显示区包括:靠近所述显示区的第一非显示区,位于所述第一非显示区远离所述显示区一侧的第二非显示区,以及所述第一非显示区和所述第二非显示区之间的弯折区;
在衬底上形成第一缓冲层;所述第一缓冲层包括:第一掺杂元素,以及第一绝缘化合物,所述第一掺杂元素用于提高所述第一缓冲层的延展性;所述第一掺杂元素在所述第一缓冲层中的原子比为5%~6%;
在所述第一缓冲层之上形成各绝缘层;
去除弯折区所述绝缘层以及部分所述第一缓冲层;
形成引线层,所述引线层在所述弯折区与所述第一缓冲层接触。
8.根据权利要求7所述的方法,其特征在于,所述第一缓冲层还包括第二掺杂元素,在衬底上形成第一缓冲层,具体包括:
提供包括第一掺杂元素、第二掺杂元素以及第一绝缘化合物的靶材;其中,所述第二掺杂元素用于提高所述第一缓冲层的绝热性和隔水性;
采用物理沉积工艺将所述靶材沉积到所述衬底上,形成所述第一缓冲层。
9.一种显示装置,其特征在于,包括权利要求1~6任一项所述的显示面板。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202010116339.3A CN111312773B (zh) | 2020-02-25 | 2020-02-25 | 一种显示面板及其制备方法、显示装置 |
US17/181,533 US11626571B2 (en) | 2020-02-25 | 2021-02-22 | Display panel, preparation method thereof and display device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202010116339.3A CN111312773B (zh) | 2020-02-25 | 2020-02-25 | 一种显示面板及其制备方法、显示装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN111312773A CN111312773A (zh) | 2020-06-19 |
CN111312773B true CN111312773B (zh) | 2023-04-14 |
Family
ID=71161911
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN202010116339.3A Active CN111312773B (zh) | 2020-02-25 | 2020-02-25 | 一种显示面板及其制备方法、显示装置 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US11626571B2 (zh) |
CN (1) | CN111312773B (zh) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN113947994B (zh) * | 2020-07-15 | 2023-01-10 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示面板和显示装置 |
CN112599693B (zh) * | 2020-12-07 | 2022-09-06 | 合肥维信诺科技有限公司 | 一种显示面板及显示装置 |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR102611499B1 (ko) * | 2015-12-15 | 2023-12-06 | 엘지디스플레이 주식회사 | 플렉서블 표시장치 |
KR20190014230A (ko) * | 2017-07-28 | 2019-02-12 | 아이프라임 리미티드 | 플렉서블 oled 패널 |
CN109427249A (zh) * | 2017-08-31 | 2019-03-05 | 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司 | 柔性显示面板及其制作方法 |
CN109256400B (zh) * | 2018-11-16 | 2021-01-26 | 京东方科技集团股份有限公司 | 柔性显示基板及其制造方法、显示装置 |
CN109686865A (zh) * | 2019-01-29 | 2019-04-26 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 有机发光二极管显示器的薄膜封装结构及方法 |
US20200243785A1 (en) * | 2019-01-29 | 2020-07-30 | Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co., Ltd. | Thin film package structure and thin film package method of organic light emitting diode display |
CN110164939B (zh) * | 2019-05-30 | 2021-02-02 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 柔性有机发光二极管显示面板及其制造方法 |
-
2020
- 2020-02-25 CN CN202010116339.3A patent/CN111312773B/zh active Active
-
2021
- 2021-02-22 US US17/181,533 patent/US11626571B2/en active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20210265589A1 (en) | 2021-08-26 |
US11626571B2 (en) | 2023-04-11 |
CN111312773A (zh) | 2020-06-19 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN109256400B (zh) | 柔性显示基板及其制造方法、显示装置 | |
US9627461B2 (en) | Array substrate, its manufacturing method and display device | |
KR101814315B1 (ko) | 박막 트랜지스터 및 그 제조 방법, 어레이 기판, 및 디스플레이 디바이스 | |
JP5119418B2 (ja) | フレキシブル基板、その製造方法及びそれを用いた薄膜トランジスタ | |
US9859349B2 (en) | Organic electroluminescent display substrate and manufacturing method thereof, and display device | |
WO2016176886A1 (zh) | 柔性oled及其制作方法 | |
CN104637438A (zh) | 柔性显示器及其制造方法 | |
CN111312773B (zh) | 一种显示面板及其制备方法、显示装置 | |
US20200380894A1 (en) | Flexible display panels, manufacturing methods thereof and flexible display apparatuses | |
CN107968097B (zh) | 一种显示设备、显示基板及其制作方法 | |
CN103258743A (zh) | 薄膜晶体管、薄膜晶体管阵列基板及其制造方法 | |
KR20080002659A (ko) | 투명성 도전막, 반도체 디바이스 및 액티브 매트릭스형표시장치 | |
KR20130063535A (ko) | Al 합금막, Al 합금막을 갖는 배선 구조 및 Al 합금막의 제조에 사용되는 스퍼터링 타깃 | |
CN102593144A (zh) | 制造底部发射型有机发光显示装置的方法 | |
CN109638078A (zh) | Tft的制备方法、tft、oled背板和显示装置 | |
US20170149015A1 (en) | Manufacturing Method of Anode of Flexible OLED Display Panel and Manufacturing Method of Display Panel | |
CN104766802B (zh) | 液晶显示面板、阵列基板及其薄膜晶体管的制造方法 | |
CN111029479A (zh) | 显示面板、显示装置以及显示面板的制造方法 | |
CN105785639A (zh) | 低反射金属结构、显示面板及其制作方法 | |
US20140183520A1 (en) | Oxide thin film transistor structure and method thereof | |
US11233071B2 (en) | Electrode structure and array substrate | |
CN103700670A (zh) | 阵列基板及其制作方法、显示装置 | |
US20160013060A1 (en) | Thin film transistor and manufacturing method thereof, array substrate and manufacturing method thereof, and display device | |
US9685463B2 (en) | Array substrate, its manufacturing method, display panel and display device | |
US20130240995A1 (en) | Thin-film transistor array substrate and manufacturing method thereof |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
GR01 | Patent grant | ||
GR01 | Patent grant |