JP7098425B2 - 表示装置 - Google Patents

Description

本発明の実施形態は、表示装置に関する。

携帯電話やＰＤＡ（ｐｅｒｓｏｎａｌ ｄｉｇｉｔａｌ ａｓｓｉｓｔａｎｔ）等に用いられる表示パネルでは、性能面や、デザイン性等の観点から、表示パネルの一部が折り曲げられる場合がある。配線が配置された領域が折り曲げられた場合、配線への応力が大きくなる。この結果、配線への接触等による衝撃や温度変化などによって配線が断線する場合があり、表示装置の信頼性が低下するおそれがある。

特開２０１６－６８９２６号公報 特開２０１７－９８０２０号公報

本実施形態の目的は、信頼性の高い表示装置を提供することにある。

一実施形態によれば、
表示領域を有する第１領域と、実装領域を有する第２領域と、前記第１領域と前記第２領域との間に位置する第３領域と、を有する基板と、前記第１領域及び前記第２領域において前記基板の上に設けられた第１無機絶縁層と、前記第１無機絶縁層の上に形成され、前記第１領域、前記第２領域、及び前記第３領域に亘って延出した配線と、前記配線の上に設けられた第２無機絶縁層と、を備え、前記第２無機絶縁層は、少なくとも前記第１無機絶縁層と重畳する領域に延在している、表示装置が提供される。

図１は、本実施形態に係る表示装置１を概略的に示す斜視図である。 図２は、図１に示す折り曲げ領域ＢＡが折り曲げられた状態を示す図である。 図３は、図１に示す表示領域ＤＡを示す断面図である。 図４は、図１に示すＩＶ－ＩＶ’線に沿った断面図である。 図５は、図１に示すＶ－Ｖ’線に沿った断面図である。 図６は、図５に示す第３領域Ａ３の近傍を拡大して示す断面図である。 図７は、絶縁層１１及び無機層１７１が設けられた領域を示す平面図である。 図８は、表示パネル２の他の例を示す断面図である。 図９は、図８に示す表示パネル２の平面図である。 図１０は、表示パネル２の他の例を示す断面図である。 図１１は、図１０に示す表示パネル２の平面図である。

以下、本実施形態について、図面を参照しながら説明する。なお、開示はあくまで一例に過ぎず、当業者において、発明の主旨を保っての適宜変更について容易に想到し得るものについては、当然に本発明の範囲に含有されるものである。また、図面は、説明をより明確にするため、実際の態様に比べて、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。また、本明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同一又は類似した機能を発揮する構成要素には同一の参照符号を付し、重複する詳細な説明を適宜省略することがある。

図１は、本実施形態に係る表示装置１を概略的に示す平面図である。本実施形態において、表示装置１は、一例として、有機エレクトロルミネッセンス（ＥＬ）素子を有する有機ＥＬ表示装置である。しかしながら、表示装置１は、液晶層を有する液晶表示装置、あるいは電気泳動型素子等を有する電子ペーパー型表示装置等、他の表示装置であってもよい。

図に示す第１方向Ｘ、第２方向Ｙ、及び第３方向Ｚは、互いに直交している。なお、第１方向Ｘ、第２方向Ｙ、及び第３方向Ｚは、９０度以外の角度で交差していてもよい。本明細書において、第３方向Ｚを示す矢印の先端に向かう方向を「上」と定義し、矢印の先端から逆に向かう方向を「下」と定義する。「第１部材の上の第２部材」及び「第１部材の下の第２部材」とした場合、第２部材は、第１部材に接していてもよく、第１部材から離れて位置していてもよい。後者の場合、第１部材と第２部材との間に、第３の部材が介在していてもよい。また、第３方向Ｚを示す矢印の先端側に表示装置１を観察する観察位置があるものとし、この観察位置から、第１方向Ｘ及び第２方向Ｙで規定されるＸ－Ｙ平面に向かって見ることを平面視という。

表示装置１は、表示パネル２、配線基板３などを備えている。表示パネル２は、第２方向Ｙに沿った長さが第１方向Ｘに沿った長さよりも大きい形状を有している。図示した例では、表示パネル２は、第１方向Ｘに沿った辺ＥＸ１及びＥＸ２と、第２方向Ｙに沿った辺ＥＹを有している。辺ＥＸ１及びＥＸ２は、辺ＥＹよりも短い。また、辺ＥＸ１は、辺ＥＸ２よりも短い。

表示パネル２は、画像を表示する表示領域ＤＡと、表示領域ＤＡの外側に位置する非表示領域ＮＤＡを有している。表示領域ＤＡは、一例では、第２方向Ｙに沿った一対の長辺と第１方向Ｘに沿った一対の短辺を有する略長方形状である。表示領域ＤＡは、マトリクス状に配置された複数の画素ＰＸを備えている。後述するように、画素ＰＸは、有機ＥＬ素子と、有機ＥＬ素子を駆動するためのスイッチング素子などを含んでいる。

また、表示パネル２は、辺ＥＸ１の近傍において、端子ＴＥを含む実装領域ＭＴを有している。端子ＴＥと画素ＰＸとは、一対一で、配線ＷＬによって電気的に接続されている。外部装置から供給される電源電位や信号電位は、端子ＴＥ及び配線ＷＬを介して、各画素ＰＸに供給される。

表示パネル２は、可撓性を有している。一例では、表示パネル２は、図において斜線を付して示すように、非表示領域ＮＤＡにおいて折り曲げ領域ＢＡを有している。折り曲げ領域ＢＡは、表示装置１が筐体等に収容される際に折り曲げられる領域に相当する。折り曲げ領域ＢＡは、表示領域ＤＡと実装領域ＭＴとの間に位置している。配線ＷＬは、折り曲げ領域ＢＡを通って、画素ＰＸと端子ＴＥとを電気的に接続している。

配線基板３は、実装領域ＭＴに実装されている。配線基板３は、端子ＴＥを介して、表示パネル２と電気的に接続されている。配線基板３は、例えばフレキシブルプリント回路基板である。図示した例では、配線基板３は、画素ＰＸを駆動するためのＩＣチップ４を搭載している。なお、ＩＣチップ４は、表示パネル２に実装されていてもよい。図示した例では、配線基板３の第１方向Ｘに沿った辺の長さは、辺ＥＸ１と同等であるが、異なっていてもよい。

本実施形態において、表示パネル２は、第１領域Ａ１、第２領域Ａ２、及び第３領域Ａ３を有している。第１領域Ａ１は、表示領域ＤＡを含んでおり、辺ＥＸ２と折り曲げ領域ＢＡとの間の領域に相当する。第２領域Ａ２は、実装領域ＭＴを含んでおり、折り曲げ領域ＢＡと辺ＥＸ１との間の領域に相当する。第３領域Ａ３は、第１領域Ａ１と第２領域Ａ２領域との間の領域である。図示した例では、第３領域Ａ３は、折り曲げ領域ＢＡに相当する。

図２は、図１に示す折り曲げ領域ＢＡが折り曲げられた状態を示す図である。図２は、Ｙ－Ｚ平面に平行な面を示している。ここでは、説明に必要な構成のみを示している。表示装置１は、表示パネル２、配線基板３に加え、支持基板ＰＰ（ＰＰ１、ＰＰ２）、支持部材５０、接着剤５１などを備えている。

支持基板ＰＰは、第３領域Ａ３（すなわち折り曲げ領域ＢＡ）を除き、表示パネル２の表示面とは反対側の面に設けられている。第１領域Ａ１は、表示パネル２に支持基板ＰＰ１が貼り付けられた領域に相当する。第２領域Ａ２は、表示パネル２に支持基板ＰＰ２が貼り付けられた領域に相当する。第３領域Ａ３は、支持基板ＰＰが設けられていない領域、すなわち支持基板ＰＰ１と支持基板ＰＰ２との間の領域に相当する。

支持基板ＰＰは、例えば表示領域ＤＡ及び実装領域ＭＴにおいて、表示パネル２の湾曲を抑制する支持層として機能する。また、支持基板ＰＰは、表示パネル２への水分等の侵入を抑制する防湿性と、ガスの侵入を抑制するガス遮断性をと有し、バリア層としても機能する。支持基板ＰＰは、一例では、ポリエチレンテレフタラートを用いて形成されたフィルムである。なお、支持基板ＰＰと表示パネル２との間に他の薄膜が介在していてもよい。

表示パネル２は、支持部材５０を挟み込むように折り曲げられ、接着剤５１によって支持部材５０と貼り付けられている。図示した例では、支持基板ＰＰ１及びＰＰ２と接着剤５１とが接している。第３領域Ａ３が折り曲げられた状態において、配線基板３は、表示パネル２の下方に位置し、表示パネル２及び支持部材５０とほぼ平行に対向している。なお、支持部材５０は、省略されてもよい。

折り曲げ領域ＢＡは、第１方向Ｘに沿った折り曲げ軸ＡＸを中心として折り曲げられている。第３領域Ａ３は、曲面状であり、一例では、円周に沿って湾曲している。折り曲げ領域ＢＡが形成する曲面の母線ＧＮは、折り曲げ軸ＡＸと平行である。すなわち、折り曲げ領域ＢＡの母線ＧＮは、第１方向Ｘと平行である。ここで、折り曲げ領域ＢＡの曲面に沿って第１領域Ａ１側から第２領域Ａ２側へ向かう方向を周方向Ｃと定義する。また、折り曲げ領域ＢＡの曲率半径Ｒ１は、例えば折り曲げ軸ＡＸから表示パネル２の内面までの距離として定義される。一例では、曲率半径Ｒ１は、０．３ｍｍである。

図３は、図１に示す表示領域ＤＡを示す断面図である。表示パネル２は、絶縁基板１０、絶縁層１１乃至１５、リブ１６、スイッチング素子ＳＷ（ＳＷ１、ＳＷ２、ＳＷ３）、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ（ＯＬＥＤ１、ＯＬＥＤ２、ＯＬＥＤ３）、封止膜１７、粘着層１８、光学素子ＯＤ１及びＯＤ２などを備えている。図示した例では、支持基板ＰＰ１は、絶縁基板１０の下に貼り付けられている。

絶縁基板１０は、例えばポリイミド等の有機絶縁材料によって形成されている。絶縁層１１は、絶縁基板１０の上に形成されている。絶縁層１１は、絶縁基板１０から有機ＥＬ素子ＯＬＥＤへの水分等の侵入を抑制するためのバリア層を含んでいてもよい。なお、絶縁層１１は、省略されてもよい。また、絶縁基板１０は、有機絶縁材料によって挟まれた無機絶縁材料を含む積層構造であってもよい。

スイッチング素子ＳＷは、絶縁層１１の上に形成されている。スイッチング素子ＳＷは、例えば薄膜トランジスタ（ＴＦＴ；thin-film-transistor）により構成されている。図示した例では、スイッチング素子ＳＷはトップゲート型であるが、ボトムゲート型であってもよい。以下では、スイッチング素子ＳＷ１を例として、その構成を説明する。

スイッチング素子ＳＷ１は、半導体層ＳＣ、ゲート電極ＧＥ、ソース電極ＳＥ、及び、ドレイン電極ＤＥを備えている。

半導体層ＳＣは、絶縁層１１の上に形成され、絶縁層１２により覆われている。ゲート電極ＧＥは、絶縁層１２の上に形成され、絶縁層１３により覆われている。ソース電極ＳＥ及びドレイン電極ＤＥは、それぞれ絶縁層１３の上に形成されている。ソース電極ＳＥ及びドレイン電極ＤＥは、絶縁層１３及び絶縁層１２を半導体層ＳＣまで貫通するコンタクトホールにおいて、半導体層ＳＣにそれぞれ接触している。

ゲート電極ＧＥは、アルミニウム、チタン、銀、モリブデン、タングステン、銅、クロムなどの金属材料や、これらの金属材料を組み合わせた合金などによって形成され、単層構造であってもよいし、多層構造であってもよい。ソース電極ＳＥ及びドレイン電極ＤＥを形成する材料は、上記の金属材料が適用可能である。

各スイッチング素子ＳＷは、絶縁層１４により覆われている。絶縁層１４は、絶縁層１５により覆われている。絶縁層１１乃至１３、及び絶縁層１５は、酸化シリコン、窒化シリコン、酸窒化シリコン等の無機絶縁材料により形成されている。絶縁層１４は、例えばポリイミド等の有機絶縁材料により形成されている。

有機ＥＬ素子ＯＬＥＤは、絶縁層１５の上に形成されている。図示した例では、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤは、絶縁基板１０とは反対側に光を出射する所謂トップエミッションタイプであるが、この例に限らず、絶縁基板１０の側に光を出射する所謂ボトムエミッションタイプであってもよい。一例では、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１は、赤色に発光する有機発光層ＯＲＧ１を備え、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ２は、青色に発光する有機発光層ＯＲＧ２を備え、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ３は、緑色に発光する有機発光層ＯＲＧ３を備えている。以下では、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１を例として、その構成を説明する。

有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１は、画素電極ＰＥ１、共通電極ＣＥ、及び有機発光層ＯＲＧ１により構成されている。画素電極ＰＥ１は、絶縁層１５の上に設けられている。画素電極ＰＥ１は、絶縁層１５及び１４に設けられたコンタクトホールにおいて、スイッチング素子ＳＷ１のドレイン電極ＤＥと接触している。これにより、画素電極ＰＥ１とスイッチング素子ＳＷ１とは、互いに電気的に接続される。有機発光層ＯＲＧ１は、画素電極ＰＥ１の上に形成されている。有機発光層ＯＲＧ１は、発光効率を向上するために、電子注入層、正孔注入層、電子輸送層、正孔輸送層等をさらに含んでいてもよい。共通電極ＣＥは、有機発光層ＯＲＧ１の上に形成されている。共通電極ＣＥと画素電極ＰＥとは、例えばインジウム・ティン・オキサイド（ＩＴＯ）やインジウム・ジンク・オキサイド（ＩＺＯ）等の透明な導電材料によって形成されている。

以上のように構成された有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１は、画素電極ＰＥ１と共通電極ＣＥとの間に印加される電圧（あるいは電流）に応じた輝度で発光する。なお、図示は省略するが、トップエミッションタイプの場合には、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１は、絶縁層１５と画素電極ＰＥ１との間に反射層を含んでいることが望ましい。反射層は、例えばアルミニウム、銀等の反射率の高い金属材料により形成される。なお、反射層の反射面、すなわち有機発光層ＯＲＧ１側の面は、平坦であってもよいし、光散乱性を付与するために凹凸が形成されていてもよい。

各有機ＥＬ素子ＯＬＥＤは、有機絶縁材料からなるリブ１６により、画素ＰＸごとに区画されている。リブ１６は、各画素電極ＰＥの両端部を覆うとともに、絶縁層１５とも接している。リブ１６は、例えばポリイミドによって形成されている。有機発光層ＯＲＧ１、ＯＲＧ２、及びＯＲＧ３は、リブ１６が設けられていない領域において、画素電極ＰＥ１、ＰＥ２、及びＰＥ３とそれぞれ接している。共通電極ＣＥは、表示領域ＤＡの全体に亘って形成されている。すなわち、共通電極ＣＥは、有機発光層ＯＲＧ１、ＯＲＧ２、及びＯＲＧ３と接するとともに、リブ１６を覆っている。

なお、表示パネル２は、複数の画素ＰＸに亘って共通の有機発光層を有していてもよい。このような構成においては、表示パネル２は、各有機ＥＬ素子ＯＬＥＤと対向する位置にカラーフィルタを備える。カラーフィルタは、例えば赤色、緑色、青色等に着色された樹脂材料によって形成される。

封止膜１７は、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤを覆っている。封止膜１７は、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤへの水分や酸素の侵入を抑制し、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤの劣化を抑制する。封止膜１７は、無機層１７１、有機層１７２、及び無機層１７３を備えている。無機層１７１は、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤの上に形成されている。図示した例では、無機層１７１は、共通電極ＣＥと接している。無機層１７３は、無機層１７１の上方に位置している。有機層１７２は、無機層１７１と無機層１７３の間に位置し、無機層１７１及び無機層１７３の双方と接している。

封止膜１７のうち、無機層１７１及び無機層１７３は、主に、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ側への水分の侵入を遮断する機能を有している。無機層１７１及び無機層１７３は、透明であり、例えば酸化シリコン、窒化シリコン、又は酸窒化シリコン等の無機絶縁材料によって形成されている。無機層１７１と無機層１７３とは、同一の材料で形成されてもよく、異なる材料で形成されてもよい。有機層１７２は、透明な有機絶縁材料によって形成されている。なお、ここでの透明とは、透過光が表示に影響のない範囲で着色されることを許容するものである。

光学素子ＯＤ１及びＯＤ２は、封止膜１７の上に設けられている。光学素子ＯＤ１は、一例では、位相差板等の光学部材である。光学素子ＯＤ２は、一例では、偏光板等の光学部材である。図示した例では、光学素子ＯＤ１は、光学素子ＯＤ２よりも封止膜１７に近接し、粘着層１８によって封止膜１７に接着されている。

図４は、図１に示すＩＶ－ＩＶ’線に沿った断面図である。図４は、第１方向Ｘ及び第３方向Ｚによって規定されるＸ－Ｚ平面と平行な面を示している。第３領域Ａ３において、表示パネル２は、絶縁基板１０、及び配線ＷＬに加え、有機層ＯＬ１、ＯＬ２及びＯＬ３、及び樹脂層ＲＳＮを備えている。

有機層ＯＬ１は、絶縁基板１０の上に位置している。配線ＷＬは、有機層ＯＬ１の上に位置し、有機層ＯＬ２によって覆われている。図示した例では、第１方向Ｘにおいて、有機層ＯＬ１の両端部は、有機層ＯＬ２によって覆われている。すなわち、有機層ＯＬ２は、配線ＷＬ及び有機層ＯＬ１と接するとともに、有機層ＯＬ１を挟んだ両側で絶縁基板１０とも接している。有機層ＯＬ３は、有機層ＯＬ２の上に設けられている。樹脂層ＲＳＮは、有機層ＯＬ３の上に設けられている。図示した例では、樹脂層ＲＳＮは、有機層ＯＬ１、ＯＬ２及びＯＬ３を挟んだ両側で、絶縁基板１０と接している。

有機層ＯＬ１、ＯＬ２、及びＯＬ３は、例えばポリイミド等の有機絶縁材料によって形成されている。密着性を向上するために、有機層ＯＬ１と有機層ＯＬ２とは、同一材料で形成されることが望ましい。また、ポリイミドによって形成される場合、有機層ＯＬ１、ＯＬ２、及びＯＬ３のうち、少なくとも有機層ＯＬ１及びＯＬ２は、フッ素を含んでいることが望ましい。有機層ＯＬ３は、フッ素を含んでいてもよく、含んでいなくてもよい。有機層ＯＬ１及びＯＬ２がフッ素を含む場合、これらの透湿性及び吸湿性が低下するため、有機層ＯＬ１と有機層ＯＬ２との間に配置された配線ＷＬの腐食を抑制することができる。樹脂層ＲＳＮは、一例では、アクリル系の樹脂であり、紫外線の照射によって硬化される。このような樹脂層ＲＳＮは、配線ＷＬを保護する保護層として機能する。

有機層ＯＬ１、ＯＬ２、及びＯＬ３のヤング率は、いずれも樹脂層ＲＳＮのヤング率より大きい。上記の構成において、折り曲げ領域ＢＡが折り曲げられた際の中立面ＮＰは、図において破線で示すように、絶縁基板１０と有機層ＯＬ１との境界近傍に位置している。ここで、中立面ＮＰとは、折り曲げ領域ＢＡが折り曲げられた際の引っ張り応力と圧縮応力とがつり合う面である。

図５は、図１に示すＶ－Ｖ’線に沿った断面図である。図５は、Ｙ－Ｚ平面と平行な面を示している。第１領域Ａ１、第３領域Ａ３、及び第２領域Ａ２は、この順で第２方向Ｙに沿って並んでいる。第１領域Ａ１に設けられる支持基板ＰＰ１は、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤと重なる支持基板ＰＰである。第２領域Ａ２に設けられる支持基板ＰＰ２は、端子ＴＥと重なる支持基板ＰＰである。なお、第３領域Ａ３が折り曲げられている場合は、第２方向Ｙは、図２に示す周方向Ｃに相当する。

表示パネル２は、絶縁基板１０、絶縁層１１乃至１５、リブ１６、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ、封止膜１７、粘着層１８、光学素子ＯＤ１及びＯＤ２、配線ＷＬ、有機層ＯＬ１、ＯＬ２、及びＯＬ３、及び端子ＴＥに加え、配線ＧＬ及び導電層ＣＬを備えている。

絶縁基板１０は、第１領域Ａ１、第２領域Ａ２、及び第３領域Ａ３に亘って設けられている。絶縁層１１乃至１３は、第１領域Ａ１及び第２領域Ａ２に設けられているが、第３領域Ａ３には設けられていない。図示した例では、絶縁層１１乃至１３は、第３領域Ａ３よりも若干広い領域において除去されている。換言すると、絶縁層１１乃至１３は、第１領域Ａ１の第３領域Ａ３側の端部、及び第２領域Ａ２の第３領域Ａ３側の端部には設けられていない。第１領域Ａ１において、絶縁層１１は、絶縁層１２及び１３よりも第２領域Ａ２側に延出している。また、第２領域Ａ２において、絶縁層１１は、絶縁層１２及び１３よりも第１領域Ａ１側に延出している。

配線ＧＬは、第１領域Ａ１において、絶縁層１２の上に位置し、絶縁層１３によって覆われている。配線ＧＬは、図３に示すスイッチング素子ＳＷのゲート電極ＧＥと電気的に接続されている。このような配線ＧＬは、例えば、図３に示すスイッチング素子ＳＷのゲート電極ＧＥと同一材料及び同一工程で形成することができる。

配線ＷＬは、第１領域Ａ１の第３領域Ａ３側の端部から第２領域Ａ２まで延出している。配線ＷＬは、第１領域Ａ１及び第２領域Ａ２において、絶縁層１３の上に形成され、第３領域Ａ３において有機層ＯＬ１の上に形成されている。第１領域Ａ１において、配線ＷＬは、絶縁層１３に形成されたコンタクトホールにおいて、配線ＧＬと接している。これにより、配線ＷＬと配線ＧＬとは、電気的に接続される。配線ＷＬは、例えば、図３に示すスイッチング素子ＳＷのソース電極ＳＥ及びドレイン電極ＤＥと同一材料及び同一工程で形成することができる。

有機層ＯＬ１は、少なくとも第３領域Ａ３に設けられている。図示した例では、有機層ＯＬ１の第２方向Ｙにおける両端部は、第１領域Ａ１及び第２領域Ａ２に位置している。有機層ＯＬ１は、第３領域Ａ３において、絶縁基板１０の上に形成されている。また、有機層ＯＬ１は、第１領域Ａ１及び第２領域Ａ２において、絶縁基板１０の上に形成されるとともに、絶縁層１１乃至１３の一部を覆っている。このように、第１領域Ａ１及び第２領域Ａ２において有機層ＯＬ１が絶縁層１１乃至１３の一部を覆うことにより、絶縁層１１乃至１３の端部近傍に形成される段差が緩和される。したがって、第１領域Ａ１及び第２領域Ａ２において、絶縁層１３の上、及び有機層ＯＬ１の上に形成される配線ＷＬの断線を抑制することができる。

有機層ＯＬ２は、第１領域Ａ１、第２領域Ａ２、及び第３領域Ａ３に亘って設けられ、配線ＷＬを覆っている。図示した例では、有機層ＯＬ２は、第１領域Ａ１及び第２領域Ａ２において配線ＷＬを覆うとともに、絶縁層１３とも接している。有機層ＯＬ２は、例えば絶縁層１４と同一材料及び同一工程で形成することができる。有機層ＯＬ２は、第２領域Ａ２において、配線ＷＬを露出するコンタクトホールを有している。導電層ＣＬは、このコンタクトホール内に設けられ、配線ＷＬと接している。導電層ＣＬは、例えば画素電極ＰＥと同一材料及び同一工程で形成することができる。

有機層ＯＬ３は、有機層ＯＬ２と重畳する領域に設けられている。すなわち、有機層ＯＬ３は、第１領域Ａ１、第２領域Ａ２、及び第３領域Ａ３に亘って設けられている。有機層ＯＬ３は、例えばリブ１６と同一材料及び同一工程で形成することができる。有機層ＯＬ３は、第２領域Ａ２において、導電層ＣＬを露出するコンタクトホールを有している。端子ＴＥは、このコンタクトホール内に設けられ、導電層ＣＬと接している。これにより、端子ＴＥと配線ＷＬとは、導電層ＣＬを介して電気的に接続される。端子ＴＥは、例えば共通電極ＣＥと同時に形成することができる。図示した例では、端子ＴＥは、異方性導電膜ＡＣＦを介して、配線基板３と電気的に接続されている。

絶縁層１４は、第１領域Ａ１内に設けられ、配線ＷＬよりも第２領域Ａ２から離間する側に位置している。絶縁層１４は、一例では、絶縁層１３を露出する溝１４Ｔを有している。溝１４Ｔが設けられることにより、第２領域Ａ２側から第１領域Ａ１側への絶縁層１４を介した水分の浸入が抑制され、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤの劣化が抑制される。また、第３領域Ａ３を折り曲げた際に、後述する無機層１７１及び１７３などにクラックが生じた場合であっても、溝１４Ｔやこれに起因した凹凸が形成されていることで、クラックの表示領域ＤＡ側への伝搬を抑制することができる。このような溝１４Ｔは、平面視で表示領域ＤＡを囲む環状に形成されていることが望ましい。

絶縁層１５は、第１領域Ａ１内に設けられ、絶縁層１４の全体を覆っている。すなわち、絶縁層１５は、溝１４Ｔにおいて、絶縁層１３と接するとともに、絶縁層１４よりも第２領域Ａ２側に延出し、絶縁層１３と接している。有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ及びリブ１６は、溝１４Ｔよりも内側の領域、すなわち溝１４Ｔよりも第２領域Ａ２から離間した側（もしくは表示領域ＤＡ側）に位置している。

封止膜１７は、第１領域Ａ１内に設けられ、その一部が絶縁層１４よりも第２領域Ａ２側に延出している。より具体的には、封止膜１７のうち無機層１７１は、絶縁層１４よりも第２領域Ａ２側に延出し、有機層ＯＬ２及びＯＬ３と接している。図示した例では、無機層１７１は、有機層ＯＬ２及びＯＬ３の側面を覆うとともに、有機層ＯＬ３の上まで延在している。封止膜１７のうち有機層１７２は、絶縁層１４と重畳する領域内に設けられている。封止膜１７のうち無機層１７３は、有機層１７２よりも第２領域Ａ２側に延出し、無機層１７１と接している。

本実施形態において、無機層１７１及び１７３は、少なくとも、配線ＷＬより下方に位置する無機層、すなわち絶縁層１１乃至１３と重畳する領域に延在している。一例では、無機層１７１及び１７３の双方は、絶縁層１１乃至１３よりも第２領域Ａ２側に延在している。

図示した例では、絶縁層１１乃至１３と無機層１７１及び１７３とは、光学素子ＯＤ１及びＯＤ２と重なるとともに、光学素子ＯＤ１及びＯＤ２よりも第２領域Ａ２側に延出している。また、配線ＷＬ、及び有機層ＯＬ２及びＯＬ３は、光学素子ＯＤ１及びＯＤ２よりも第２領域Ａ２側の領域に配置されている。図示した例では、配線ＷＬは、光学素子ＯＤ１及びＯＤ２と重畳していないが、有機層ＯＬ２及びＯＬ３の有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ側の端部は、光学素子ＯＤ１及びＯＤ２と重畳している。光学素子ＯＤ１及びＯＤ２よりも第２領域Ａ２側の領域において、配線ＷＬと有機層ＯＬ２及びＯＬ３とは、絶縁層１１乃至１３と、無機層１７１及び１７３とによって挟まれている。

樹脂層ＲＳＮは、第１領域Ａ１、第２領域Ａ２、及び第３領域Ａ３に亘って設けられている。第１領域Ａ１において、樹脂層ＲＳＮは、有機層ＯＬ３と無機層１７１及び１７３とを覆うとともに、粘着層１８、及び光学素子ＯＤ１及びＯＤ２とも接している。第２領域Ａ２において、樹脂層ＲＳＮは、有機層ＯＬ３及び配線基板３を覆っている。第３領域Ａ３において、樹脂層ＲＳＮは、有機層ＯＬ３を覆っている。

なお、有機層ＯＬ１、ＯＬ２、及びＯＬ３と樹脂層ＲＳＮのうち、少なくとも有機層ＯＬ１と樹脂層ＲＳＮとに、架橋剤が添加されていてもよい。一般に、表示パネルは、配線等の各種導電層や、各種絶縁層を含む多層構造となっている。このため、表示パネルが曲率を有するように変形される折り曲げ領域では、層と層の間の密着性が弱い場合に、折り曲げによる層と層との剥離や、剥離に伴う亀裂が発生する場合がある。特に、折り曲げの開始点（本実施形態においては、第１領域Ａ１と第３領域Ａ３との境界近傍）には折り曲げによる応力が加わりやすいため、層の剥離が生じやすい。このような剥離部分は、表示パネルへの水分の浸入経路となり得る。

一方、本実施形態において、有機層ＯＬ１に架橋剤が含まれる場合、有機層ＯＬ１と絶縁基板１０との密着性が向上する。また、樹脂層ＲＳＮに架橋剤が含まれる場合、樹脂層ＲＳＮと有機層ＯＬ３との密着性が向上する。この結果、第３領域Ａ３が折り曲げられた場合であっても、有機層ＯＬ１と絶縁基板１０との剥離、及び樹脂層ＲＳＮと有機層ＯＬ３との剥離を抑制することができる。また、樹脂層ＲＳＮに架橋剤が含まれる場合、第１領域Ａ１においては、樹脂層ＲＳＮと、光学素子ＯＤ１及びＯＤ２、粘着層１８、及び無機層１７１及び１７３との間の密着性も向上する。したがって、第１領域Ａ１における折り曲げ開始点の近傍において、樹脂層ＲＳＮの剥離を抑制することができる。この結果、表示装置１の信頼性の低下を抑制することができる。

図６は、図５に示す第３領域Ａ３の近傍を拡大して示す断面図である。支持基板ＰＰ１は、第２領域Ａ２側の端部ＥＰ１を有している。支持基板ＰＰ２は、第１領域Ａ１側の端部ＥＰ２を有している。第３領域Ａ３は、端部ＥＰ１と端部ＥＰ２との間の領域に相当する。

図示した例では、無機層１７１の端部ＥＩ２、及び無機層１７３の端部ＥＩ３の双方は、絶縁層１１の端部ＥＩ１、及び絶縁層１２及び１３の端部ＥＩ４の双方よりも第２領域Ａ２に近接している。換言すると、端部ＥＩ１及びＥＩ４は、いずれも無機層１７１及び１７３と重畳している。ここで、端部ＥＩ１、ＥＩ２、ＥＩ３及びＥＩ４は、第２領域Ａ２側の端部である。端部ＥＩ１、ＥＩ２、ＥＩ３及びＥＩ４は、第１領域Ａ１に位置している。すなわち、端部ＥＩ１、ＥＩ２、ＥＩ３、及びＥＩ４は、端部ＥＰ１よりも第２領域Ａ２から離間している。

図示した例では、第２方向Ｙにおいて、端部ＥＩ２の位置と端部ＥＩ３の位置とは、揃っている。なお、第２方向Ｙにおいて、端部ＥＩ２の位置と端部ＥＩ３の位置とは、端部ＥＩ１の位置と揃っていてもよい。また、図示した例では、端部ＥＩ１は、端部ＥＩ４よりも第２領域Ａ２に近接している。図示した例では、絶縁層１２の端部と絶縁層１３の端部とは揃っているが、揃っていなくてもよい。この場合、絶縁層１２の端部は、絶縁層１３の端部よりも第２領域Ａ２に近接する。

なお、絶縁層１１乃至１３は、酸化シリコンで形成されることが望ましい。酸化シリコンは、窒化シリコンよりも引っ張り応力が大きいため、第３領域Ａ３が折り曲げられた際のクラックの発生を抑制することができる。

図７は、絶縁層１１及び無機層１７１が設けられた領域を示す平面図である。図において右下がりの斜線を付して示すように、絶縁層１１は、第１領域Ａ１のほぼ全体に設けられている。また、図において右上がりの斜線を付して示すように、無機層１７１は、少なくとも絶縁層１１と重畳する領域に設けられ、本実施形態では、絶縁層１１よりも第２領域Ａ２側に延出している。すなわち、端部ＥＩ２は、端部ＥＩ１よりも第２領域Ａ２に近接している。端部ＥＩ１及びＥＩ２は、一例では、第１方向Ｘに沿って延出している。

図示した例では、支持基板ＰＰは、第３領域Ａ３を除き、絶縁基板１０とほぼ重畳している。すなわち、支持基板ＰＰ１の形状は、第１領域Ａ１の形状とほぼ等しく、支持基板ＰＰ２の形状は、第２領域Ａ２の形状とほぼ等しい。支持基板ＰＰ１の端部ＥＰ１と支持基板ＰＰ２の端部ＥＰ２は、一例では、第１方向Ｘに沿って延出している。端部ＥＩ１及びＥＩ２は、光学素子ＯＤ２の端部ＥＯＤと支持基板ＰＰ１の端部ＥＰ１との間に位置している。

以上のように、本実施形態によれば、第１領域Ａ１において、無機層１７１及び１７３は、少なくとも、絶縁層１１乃至１３が設けられた領域に延在している。一般に、無機層の弾性率は、有機層の弾性率よりも高い。したがって、第１領域Ａ１において、無機層からなる絶縁層１１乃至１３と無機層１７１及び１７３とを積層することにより、第１領域Ａ１の剛性を高めることができる。一方、第３領域Ａ３には、絶縁層１１乃至１３、及び無機層１７１及び１７３は、設けられてない。このため、第３領域Ａ３の剛性は、第１領域Ａ１の剛性よりも低い。

第３領域Ａ３と第１領域Ａ１の剛性の比が小さい場合、第３領域Ａ３を折り曲げた際に、本来折り曲げられない領域である第１領域Ａ１が湾曲するおそれがある。この場合、第１領域Ａ１においても配線ＷＬが断線するおそれがある。しかしながら、本実施形態によれば、第１領域Ａ１において、無機層１７１及び１７３を絶縁層１１乃至１３と重畳する領域に設けることで、折り曲げ領域ＢＡである第３領域Ａ３の曲げ剛性に対して、第１領域Ａ１の曲げ剛性を高めることができる。この結果、第３領域Ａ３が折り曲げられた際の第１領域Ａ１の湾曲を抑制することができ、第１領域Ａ１における配線ＷＬの断線を抑制することができる。

さらに、本実施形態によれば、配線ＷＬの上に２層の有機層ＯＬ２及びＯＬ３が積層され、無機層１７１及び１７３は、有機層ＯＬ３の上に設けられている。すなわち、配線ＷＬよりも上側（折り曲げた際の外周側）に、弾性率の大きい無機層１７１及び１７３が配置されている。この結果、第３領域Ａ３を折り曲げた際の中立面ＮＰの位置を配線ＷＬに近づけることができる。したがって、第３領域Ａ３を折り曲げた際の配線ＷＬ近傍の応力を緩和することができ、配線ＷＬの破断を抑制することができる。

以上のことから、本実施形態によれば、信頼性を向上することができる表示装置１が提供される。以下では、図８乃至図１１を参照して、表示パネル２の他の例について説明する。

図８は、表示パネル２の他の例を示す断面図である。図９は、図８に示す表示パネル２の平面図である。図８及び図９に示す例は、図６及び図７に示す例と比較して、無機層１７１が無機層１７３よりも第２領域Ａ２側に延出している点で相違している。図示した例では、無機層１７１は、第１領域Ａ１の全体に亘って設けられている。すなわち、第２方向Ｙにおいて、端部ＥＩ２の位置と端部ＥＰ１の位置とは、揃っている。

以下では、図８において、配線ＷＬの下方に位置する絶縁層１１、１２、及び１３を絶縁層ＩＬ１とみなし、配線ＷＬの上方に位置する無機層１７１及び１７３を絶縁層ＩＬ２とみなす。

図８に示す例では、無機層１７１が無機層１７３よりも第２領域Ａ２側に延出しているため、絶縁層ＩＬ２は、第３領域Ａ３の近傍において薄い。換言すると、絶縁層ＩＬ２の第３領域Ａ３側の厚さＴ１は、第３領域Ａ３から離間する側（すなわち有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ側）の厚さＴ２よりも小さい。ここで、厚さＴ１は、無機層１７１の厚さに相当し、厚さＴ２は、無機層１７１及び１７３の合計の厚さに相当する。厚さＴ１は、一例では、２００ｎｍ以下である。図示した例では、無機層１７３の厚さは、厚さＴ１と等しいが、異なっていてもよい。

同様に、絶縁層１１が絶縁層１２及び１３よりも第２領域Ａ２側に延出しているため、絶縁層ＩＬ１は、第３領域Ａ３の近傍において薄い。換言すると、絶縁層ＩＬ１の第３領域Ａ３側の厚さＴ３は、第３領域Ａ３から離間する側の厚さＴ４より小さい。ここで、厚さＴ３は、絶縁層１１の厚さに相当し、厚さＴ４は、絶縁層１１、１２、及び１３の合計の厚さに相当する。厚さＴ３は、一例では、２００ｎｍ以下である。図示した例では、絶縁層１２の厚さ及び絶縁層１３の厚さの各々は、厚さＴ３と等しいが、異なっていてもよい。

本例によれば、配線ＷＬの上方に位置する絶縁層ＩＬ２と、配線ＷＬの下方に位置する絶縁層ＩＬ１の双方が、折り曲げ領域ＢＡである第３領域Ａ３の近傍において薄く、第３領域Ａ３から離間する側で厚くなっている。一般に、無機層の厚さが大きいほど、無機層を折り曲げた際の歪み量が大きくなり、無機層にクラックが生じやすくなる。本実施形態によれば、表示パネル２の折り曲げ開始位置（つまり第１領域Ａ１と第３領域Ａ３との境界）の近傍において、絶縁層ＩＬ１の厚さとＩＬ２の厚さとを薄くすることで、第３領域Ａ３が折り曲げられた際の絶縁層ＩＬ１及びＩＬ２におけるクラックの発生を抑制することができる。

また、本例によれば、無機層１７１が第１領域Ａ１の全体に設けられているため、第１領域Ａ１の剛性をさらに高めることができる。この結果、第３領域Ａ３が折り曲げられた際の第１領域Ａ１の湾曲を抑制することができ、第１領域Ａ１における配線ＷＬの断線を抑制することができる。したがって、本例によれば、信頼性を向上することができる表示装置１が提供される。

図１０は、表示パネル２の他の例を示す断面図である。図１１は、図１０に示す表示パネル２の平面図である。図１０及び図１１に示す例は、図８及び図９に示す例と比較して、無機層１７１が第３領域Ａ３まで延出している点で相違している。すなわち、端部ＥＩ２は、第３領域Ａ３に位置している。本例において、第３領域Ａ３に延出した無機層１７１の長さＬ１は、第３領域Ａ３が折り曲げられた際の歪み量が４％以下となるように設定される。

図示した例では、無機層１７３は、第１領域Ａ１の全体に設けられている。つまり、第２方向Ｙにおいて、端部ＥＩ３の位置と端部ＥＰ１の位置とは、揃っている。なお、端部ＥＩ３は、第３領域Ａ３を第２領域Ａ２側に超えなければよく、第２方向Ｙにおいて端部ＥＩ１と端部ＥＰ１との間に位置していてもよい。

本例においても、図８及び図９に示す例と同様の効果を得ることができる。また、無機層１７１と無機層１７３の双方が第１領域Ａ１の全体に設けられているため、第１領域Ａ１の剛性をさらに高めることができる。さらに、本例によれば、第３領域Ａ３に無機層１７１が設けられているため、第３領域Ａ３における中立面ＮＰの位置を配線ＷＬに近づけることができる。したがって、第３領域Ａ３を折り曲げた際の配線ＷＬの断線を抑制することができる。

以上の実施形態では、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤを有する有機ＥＬ表示装置を例に説明したが、本実施形態は、液晶層を有する液晶表示装置にも適用可能である。表示装置が液晶表示装置である場合、例えば、画素電極と共通電極との間に設けられる無機絶縁層を折り曲げ領域ＢＡ側に延出させることで、上記の効果と同様の効果を得ることができる。また、本実施形態は、センサー等の機能性素子を備える一方で表示素子を備えていないフレキシブル基板にも適用可能である。

上記の実施形態において、絶縁層１１は、第１無機絶縁層に相当し、無機層１７１は、第２無機絶縁層に相当し、無機層１７３は、第３無機絶縁層に相当し、絶縁層１２は、第４無機絶縁層に相当する。端部ＥＩ１は、第１端部に相当し、端部ＥＩ２は、第２端部に相当する。支持基板ＰＰ１の端部ＥＰ１は、第３端部に相当する。有機層ＯＬ１は、第１有機絶縁層に相当し、有機層ＯＬ２は、第２有機絶縁層に相当し、有機層ＯＬ３は、第３有機絶縁層に相当する。

以上、本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これらの新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これらの実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。

１…表示装置、２…表示パネル、３…配線基板、１１，１２，１３…絶縁層、１７１，１７３…無機層、Ａ１…第１領域、Ａ２…第２領域、Ａ３…第３領域、ＥＩ１，ＥＩ２，ＥＩ３，ＥＩ４…端部、ＤＡ…表示領域、ＢＡ…折り曲げ領域、ＭＴ…実装領域、ＰＰ，ＰＰ１，ＰＰ２…支持基板、ＯＬＥＤ…有機ＥＬ素子、ＷＬ…配線、ＴＥ…端子、ＯＤ１，ＯＤ２…光学素子。

Claims (6)

1. 支持基板と、
   前記支持基板上に設けられ、表示領域を有する第１領域と、実装領域を有する第２領域と、前記第１領域と前記第２領域との間に位置する折り曲げ可能な第３領域と、を有する基板と、
   前記第１領域及び前記第２領域において前記基板の上に設けられた第１無機絶縁層と、
   前記第１無機絶縁層の上に形成され、前記第１領域、前記第２領域、及び前記第３領域に亘って延出した配線と、
   前記配線の上に設けられた第２無機絶縁層と、
   を備え、
   前記支持基板は、前記第１領域と前記第２領域に対応する位置に設けられており、
   前記第２無機絶縁層は、少なくとも前記第１無機絶縁層と重畳する領域に延在し、
   前記第１無機絶縁層は、前記第２領域側の第１端部を有し、
   前記第２無機絶縁層は、前記第２領域側の第２端部を有し、
   前記第１領域に設けられた前記支持基板は、前記第２領域側の第３端部を有し、
   前記第２端部の位置は、前記第１端部の位置より前記第２領域に近接し、前記第３端部の位置と揃っている、表示装置。
2. 前記第２無機絶縁層の上に位置する第３無機絶縁層をさらに備え、
   前記第２無機絶縁層は、前記第３無機絶縁層よりも前記第２領域側に延出している、請求項１に記載の表示装置。
3. 前記第３無機絶縁層は、前記第１無機絶縁層よりも前記第２領域側に延出している、請求項２に記載の表示装置。
4. 前記第１無機絶縁層と前記配線との間に位置する第４無機絶縁層をさらに備え、
   前記第１無機絶縁層は、前記第４無機絶縁層より前記第２領域側に延出している、請求項１乃至３のいずれか１項に記載の表示装置。
5. 前記基板と前記配線との間に設けられた第１有機絶縁層と、
   前記配線と前記第２無機絶縁層との間に設けられた第２有機絶縁層と、
   前記第２有機絶縁層と前記第２無機絶縁層との間に設けられた第３有機絶縁層と、
   をさらに備える、請求項１乃至４のいずれか１項に記載の表示装置。
6. 前記表示領域に設けられた偏光板をさらに備え、
   前記第１無機絶縁層及び前記第２無機絶縁層は、前記偏光板よりも前記第２領域側に延出している、請求項１乃至５のいずれか１項に記載の表示装置。

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