CN110660838B - 一种oled显示面板以及显示装置 - Google Patents

Abstract

本发明涉及显示技术领域，公开了一种OLED显示面板以及显示装置，像素界定层形成于阵列衬底朝向封装衬底的一侧，触控电极形成于封装衬底朝向阵列衬底的一侧，触控电极垂直投影位于像素界定层垂直投影范围内，隔垫层形成于阵列衬底与封装衬底之间，隔垫层包括多个隔垫物，绝缘层形成于触控电极与隔垫层之间，绝缘层划分为垂直投影与隔垫物垂直投影重叠的第一区域，以及垂直投影与触控电极垂直投影重叠的第二区域，绝缘层在第一区域的厚度大于第二区域的厚度。上述显示面板在保持现有阵列衬底与封装衬底对盒厚度地前提下，改变了触控电极与阴极之间的介质，以减小触控电极与阴极层之间的寄生电容。

Description

一种OLED显示面板以及显示装置

技术领域

本发明涉及显示技术领域，特别涉及一种OLED显示面板以及显示装置。

背景技术

目前显示面板多采用将触摸功能嵌入到显示面板中的incell结构，但是，incell结构内触层的触控电极距离阴极较近，因此，触控电极负载较重，虽然目前在小尺寸手表上这种负载芯片尚能驱动，但是随着屏幕尺寸的增大，负载过大会导致信号变化率变小。

因此，急需设计一种减小触控层电极和阴极之间寄生电容的显示面板。

发明内容

本发明提供了一种OLED显示面板以及显示装置，用以解决现有技术中触控层电极与阴极之间寄生电容较大的问题。

本实施例提供了一种OLED显示面板，包括：

相对设置的阵列衬底和封装衬底；

形成于所述阵列衬底朝向所述封装衬底一侧的像素界定层；

形成于所述像素界定层朝向所述封装衬底一侧的阴极；

形成于所述封装衬底朝向所述阵列衬底一侧的触控电极，所述触控电极在所述衬底阵列基板的垂直投影位于所述像素界定层在所述阵列衬底的垂直投影范围内；

形成于所述阵列衬底与所述封装衬底之间的隔垫层，所述隔垫层包括多个隔垫物；

形成于所述触控电极与所述隔垫层之间的绝缘层，所述绝缘层具有：

在所述封装衬底上垂直投影与所述隔垫物在所述封装衬底上垂直投影重叠的第一区域，在所述封装衬底上垂直投影与所述触控电极在所述封装衬底上垂直投影重叠的第二区域，且所述绝缘层在所述第一区域内的厚度大于在所述第二区域内的厚度。

本发明提供了一种显示装置，包括发明实施例提供的上述OLED显示面板。

本发明有益效果如下：

本发明实施例提供一种OLED显示面板，像素界定层形成于阵列衬底朝向封装衬底的一侧，阴极形成于像素界定层朝向封装衬底的一侧，触控电极形成于封装衬底朝向阵列衬底的一侧，且触控电极在阵列衬底的垂直投影位于像素界定层在阵列衬底的垂直投影范围内，隔垫层形成于阵列衬底与封装衬底之间，且隔垫层包括多个隔垫物，绝缘层形成于触控电极与隔垫层之间，且绝缘层划分为在封装衬底上垂直投影与隔垫物在封装衬底上垂直投影重叠的第一区域，以及在封装衬底上垂直投影与触控电极在封装衬底上垂直投影重叠的第二区域。由于触控电极与阴极之间的寄生电容较大，因而设计绝缘层在第一区域的厚度大于第二区域的厚度，即减小第二区域绝缘层的厚度。本发明提供的OLED显示面板在保持现有阵列衬底与封装衬底对盒厚度地前提下，改变了触控电极与阴极之间的介质，以减小触控电极与阴极层之间的寄生电容，进而减小触控电极的负载。

附图说明

图1为本发明实施例提供的OLED显示面板的结构示意图；

图2为本发明实施例提供的OLED显示面板的又一结构示意图；

图3为本发明实施例提供的OLED显示面板的又一结构示意图；

图4为本发明实施例提供的OLED显示面板的又一结构示意图；

图5为本发明实施例提供的OLED显示面板的又一结构示意图；

图6为本发明实施例提供的OLED显示面板的又一结构示意图；

图7为本发明实施例提供的OLED显示面板的又一结构示意图；

图8为本发明实施例提供的OLED显示面板的又一结构示意图；

图9为本发明实施例提供的OLED显示面板的又一结构示意图；

图10为本发明实施例提供的OLED显示面板的又一结构示意图。

具体实施方式

针对现有技术中触控层电极与阴极之间寄生电容较大的问题，本发明实施例提供了一种OLED显示面板以及显示装置。为了使本发明的目的，技术方案和优点更加清楚，下面结合附图，对本发明实施例提供的OLED显示面板以及显示装置的具体实施方式进行详细地说明。应当理解，下面所描述的优选实施例仅用于说明和解释本发明，并不用于限定本发明。并且在不冲突的情况下，本申请中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。

附图中各部件的形状和大小不反应真实比例，目的只是示意说明本发明内容。

本发明实施例提供了一种OLED显示面板，如图1所示包括：

相对设置的阵列衬底1和封装衬底2；

其中，阵列基板包括阵列衬底1、形成于阵列衬底1朝向封装衬底2一侧的像素界定层3以及形成于像素界定层3朝向封装衬底2一侧的阴极7；

封装基板包括封装衬底2和形成于封装衬底2朝向阵列衬底1一侧的触控电极4，触控电极4在阵列衬底1的垂直投影位于像素界定层3在阵列衬底1的垂直投影范围内；

形成于阵列衬底1与封装衬底2之间的隔垫层，隔垫层包括多个隔垫物5；

形成于触控电极4与隔垫层之间的绝缘层6，绝缘层6具有：

在封装衬底2上垂直投影与隔垫物5在封装衬底2上垂直投影重叠的第一区域a，在封装衬底2上垂直投影与触控电极4在封装衬底2上垂直投影重叠的第二区域b，且绝缘层6在第一区域a内的厚度大于在第二区域b内的厚度。

具体地，在本发明实施例提供的上述OLED显示面板中，像素界定层3形成于阵列衬底1朝向封装衬底2的一侧，值得注意的是，像素界定层3的开口区域设置有像素，例如，红色子像素R，绿色子像素G，蓝色子像素B，具体如图1中所示，当然开口区域的子像素颜色并不限于此；阴极7形成于像素界定层3朝向封装衬底2的一侧；触控电极4形成于封装衬底2朝向阵列衬底1的一侧，且触控电极4在阵列衬底的垂直投影位于像素界定层3在阵列衬底1的垂直投影范围内，隔垫层形成于阵列衬底1与封装衬底2之间，且隔垫层包括多个隔垫物5，绝缘层形成于触控电极4与隔垫层之间，且绝缘层划分为在封装衬底2上垂直投影与隔垫物5在封装衬底2上垂直投影重叠的第一区域a，以及在封装衬底2上垂直投影与触控电极4在封装衬底2上垂直投影重叠的第二区域b。

值得注意的是，由于触控电极4与阴极7之间的寄生电容较大，因而本发明提供的OLED显示面板设计绝缘层在第一区域a的厚度大于绝缘层在第二区域b的厚度，即相对减小绝缘层在第二区域b内的厚度。

由上述分析可知，本发明提供的OLED显示面板在保持现有阵列衬底1与封装衬底2对盒厚度地前提下，改变了触控电极4与阴极7之间的介质，以减小触控电极4与阴极7层之间的寄生电容，进而减小触控电极4的负载。

可选地，本发明提供的OLED显示面板中绝缘层还包括在封装衬底2上垂直投影与触控电极4和隔垫物5之间区域在封装衬底2上垂直投影重叠的第三区域c，而绝缘层6在第一区域a、第二区域b和第三区域c内的厚度关系，以及，绝缘层的层数结构存在多种可能，具体如下：

实施方式一：

请参考图1，本实施方式提供的OLED显示面板中绝缘层6为单层结构，且绝缘层6在第一区域a内的厚度等于绝缘层6在第三区域c内的厚度，绝缘层6在第二区域b内的厚度大于0。

具体如图1所示，本实施方式提供的OLED显示面板中绝缘层6在第二区域b内覆盖触控电极4，但绝缘层6在第二区域b的厚度小于绝缘层6在其他区域的厚度。

需要说明的是，本实施例中的技术方案覆盖触控电极4的这部分介质较薄，即增大了触控电极4与阴极7之间的真空区域面积，降低了触控电极4与阴极7之间的介质的介电常数，可减小触控电极4与阴极7之间的寄生电容。

值得注意的是，可以采用半调色工艺实现绝缘层6在第二区域b内的厚度比在其他区域内的厚度薄的效果。

实施方式二：

请参考图2，本实施方式提供的OLED显示面板中绝缘层6为单层结构，且绝缘层6在第一区域a内的厚度等于绝缘层6在第三区域c内的厚度，而绝缘层6在第二区域b内的厚度为0。

具体如图2所示，本实施方式提供的OLED显示面板中绝缘层6在第二区域b内并未覆盖触控电极4，即绝缘层6在与触控电极4对应的位置挖空，将触控电极4与阴极7之间变成真空状态，以便减小触控电极4与阴极7之间的寄生电容。

实施方式三：

请参考图3，本实施方式提供的OLED显示面板中绝缘层6在第一区域a内的厚度等于绝缘层6在第三区域c内的厚度，绝缘层6包括形成于封装衬底2朝向阵列衬底1一侧的第一绝缘层61和形成于第一绝缘层61朝向阵列衬底1一侧的第二绝缘层62，且第一绝缘层61、第二绝缘层62在第二区域b内的厚度均等于0。

具体如图3所示，本实施方式提供的OLED显示面板中第一绝缘层61以及第二绝缘层62在第二区域b内均未覆盖触控电极4，即绝缘层6在与触控电极4对应的位置挖空，将触控电极4与阴极7之间变成真空状态，增大了触控电极4与阴极7之间的真空区域面积，降低了触控电极4与阴极7之间的介质的介电常数，可减小触控电极4与阴极7之间的寄生电容。

实施方式四：

请参考图4，本实施方式提供的OLED显示面板中绝缘层6在第一区域a内的厚度等于绝缘层6在第三区域c内的厚度，绝缘层6包括形成于封装衬底2朝向阵列衬底1一侧的第一绝缘层61和形成于第一绝缘层61朝向阵列衬底1一侧的第二绝缘层62，第一绝缘层61在第二区域b内的厚度大于0，且第二绝缘层62在第二区域b内的厚度等于0。

具体如图4所示，本实施方式提供的OLED显示面板中第一绝缘层61在第二区域b内覆盖触控电极4，第二绝缘层62在第二区域b内挖空，本实施例中覆盖触控电极4的介质较薄，增大了触控电极4与阴极7之间的真空区域面积，降低了触控电极4与阴极7之间的介质的介电常数，可减小触控电极4与阴极7之间的寄生电容。

值得注意的是，可以采用半调色工艺实现第一绝缘层61在第二区域b内的厚度比在其他区域内的厚度薄的效果。

实施方式五：

如图5所示，本实施方式提供的OLED显示面板中绝缘层6为单层结构，且绝缘层6在第一区域a内的厚度大于在绝缘层6在第三区域c内的厚度，绝缘层6在第三区域c内的厚度与绝缘层6在第二区域b内的厚度均为0。

具体如图5所示，本实施方式提供的OLED显示面板中绝缘层6在第二区域b挖空，即触控电极4与阴极7之间变成真空状态，增大了触控电极4与阴极7之间的真空区域面积，降低了触控电极4与阴极7之间的介质的介电常数，可减小触控电极4与阴极7之间的寄生电容。

此外，绝缘层6在第三区域c内也挖空，即仅保留绝缘层在第一区域a内的部分，由于隔垫物5的高度受制备工艺限制，这样相当于增大在保持对盒厚度的前提下，增大了隔垫物5的高度，可进一步减小触控电极4与阴极7之间的寄生电容。

实施方式六：

请参考图6，本实施方式提供的OLED显示面板中绝缘层6为双层结构，绝缘层6在第一区域a内的厚度大于绝缘层6在第三区域c内的厚度，且绝缘层6在第三区域c内的厚度以及绝缘层6在第二区域b内的厚度均为0。

具体的，绝缘层6包括形成于封装衬底2朝向阵列衬底1一侧的第一绝缘层61和形成于第一绝缘层61朝向阵列衬底1一侧的第二绝缘层62，且第一绝缘层61与第二绝缘层62在第二区域b均挖空，即触控电极4与阴极7之间变成真空状态，增大触控电极4与阴极7之间的真空区域面积，降低触控电极4与阴极7之间介质的介电常数，从而减小触控电极4与阴极7之间的寄生电容。

此外，第一绝缘层61和第二绝缘层62在第三区域c内也均挖空，即仅保留绝缘层在第一区域a内的部分，由于隔垫物5的高度受制备工艺限制，这样相当于增大在保持对盒厚度的前提下，增大了隔垫物5的高度，可进一步减小触控电极4与阴极7之间的寄生电容。

实施方式七：

请参考图7，本实施方式提供的OLED显示面板中绝缘层6为单层结构，且绝缘层6在第一区域a内的厚度大于绝缘层6在第三区域c内的厚度，绝缘层6在第三区域c内的厚度小于绝缘层6在第二区域b内的厚度，且绝缘层6在第三区域c内的厚度为0。

如图7所示，具体的，绝缘层6在第三区域内的厚度最大，且绝缘层6在第三区域c内部分挖空、在第二区域内覆盖触控电极4，即本实施例中覆盖触控电极4的介质较薄，增大了触控电极4与阴极7之间的真空区域面积，降低了触控电极4与阴极7之间的介质的介电常数，以减小触控电极4与阴极7之间的寄生电容。

实施方式八：

请参考图8，本实施方式提供的OLED显示面板中绝缘层6在第一区域a内的厚度大于绝缘层6在第三区域c内的厚度，绝缘层6在第三区域c内的厚度小于绝缘层6在第二区域b内的厚度，绝缘层6包括形成于封装衬底2朝向阵列衬底1一侧的第一绝缘层61和形成于第一绝缘层61朝向阵列衬底1一侧的第二绝缘层62，且第一绝缘层61和第二绝缘层62在第三区域c内的厚度为0，第二绝缘层62在第二区域b内的厚度为0。

如图8所示，具体的，本实施方式提供的OLED显示面板中绝缘层6在第一区域a内的厚度最大，第一绝缘层61和第二绝缘层62在第三区域c内部分挖空，且第一绝缘层61覆盖触控电极4，即覆盖触控电极4的介质较薄，增大了触控电极4与阴极7之间的真空区域面积，降低了触控电极4与阴极7之间的介质的介电常数，以减小触控电极4与阴极7之间的寄生电容。

实施方式九：

请参考图9，本实施方式提供的OLED显示面板中绝缘层6在第一区域a内的厚度大于在第三区域c内的厚度，绝缘层6包括形成于封装衬底2朝向阵列衬底1一侧的第一绝缘层61和形成于第一绝缘层61朝向阵列衬底1一侧的第二绝缘层62，其中：

第一绝缘层61和第二绝缘层62在第二区域b内的厚度为0，第二绝缘层62在第三区域c内的厚度为0。

如图9所示，具体的，本实施方式提供的OLED显示面板中绝缘层6在第一区域a内的厚度最大，第一绝缘层61和第二绝缘层62在第二区域b内部分挖空，且第一绝缘层61在第三区域c内覆盖封装衬底2，即触控电极4与阴极7之间变成真空状态，增大了触控电极4与阴极7之间的真空区域面积，降低了触控电极4与阴极7之间介质的介电常数，可减小触控电极4与阴极7之间的寄生电容。

实施方式十：

请参考图10，本实施方式提供的OLED显示面板中绝缘层6在第一区域a内的厚度大于绝缘层6在第三区域c内的厚度，绝缘层6包括形成于封装衬底2朝向阵列衬底1一侧的第一绝缘层61和形成于第一绝缘层61朝向阵列衬底1一侧的第二绝缘层62，第二绝缘层62在第二区域b内以及第三区域c内的厚度为0。

如图10所示，具体的，本实施方式提供的OLED显示面板中绝缘层6在第一区域a内的厚度最大，第二绝缘层62在第二区域b以及在第三区域c内的部分挖空，且第一绝缘层61覆盖触控电极4以及封装衬底2，即覆盖触控电极4的介质较薄，增大了触控电极4与阴极7之间的真空区域面积，降低了触控电极4与阴极7之间的介质的介电常数，以减小触控电极4与阴极7之间的寄生电容。

现有技术中的显示面板内阴极与触控电极之间的寄生电容为73.53pF，而同样大小的显示面板采用实施方式十中的技术方案后阴极与触控电极之间的寄生电容为绝缘层66.02pF。

上述实施例中，触控电极4可以为单层自容式触控电极，也可以为双层互容式触控电极，位于封装基板内，本发明对此并不做特别限制。

需要说明的是，上述各实施方式中的绝缘层6的制备材料可以为有机材料或者无机材料，在此不进行限定。

基于同一发明构思，本发明实施例还提供了一种显示装置。该显示装置可以为：手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。对于该显示装置的其它必不可少的组成部分均为本领域的普通技术人员应该理解具有的，在此不做赘述，也不应作为对本发明的限制。

本发明实施例提供的一种OLED显示面板以及显示装置，像素界定层3形成于阵列衬底1朝向封装衬底2的一侧，触控电极4形成于封装衬底2朝向阵列衬底1的一侧，且触控电极4在阵列衬底的垂直投影位于像素界定层3在阵列衬底1的垂直投影范围内，阴极7形成于像素界定层3朝向封装衬底2的一侧，隔垫层形成于阵列衬底1与封装衬底2之间，且隔垫层包括多个隔垫物5，绝缘层6形成于触控电极4与隔垫层之间，且绝缘层6划分为在封装衬底2上垂直投影与隔垫物5在封装衬底2上垂直投影重叠的第一区域a，以及在封装衬底2上垂直投影与触控电极4在封装衬底2上垂直投影重叠的第二区域b。由于触控电极4与阴极7之间的寄生电容较大，因而设计绝缘层6在第一区域a的厚度大于第二区域b的厚度，即减小第二区域b绝缘层6的厚度，在保持现有阵列衬底1与封装衬底2对盒后厚度地前提下，改变触控电极4与阴极7之间的介质，以减小触控电极4与阴极7层之间的寄生电容，进而减小触控电极4的负载。

显然，本领域的技术人员可以对本发明实施例进行各种改动和变型而不脱离本发明的精神和范围。这样，倘若本发明的这些修改和变型属于本发明权利要求及其等同技术的范围之内，则本发明也意图包含这些改动和变型在内。

Claims (8)

1.一种OLED显示面板，其特征在于，包括：

相对设置的阵列衬底和封装衬底；

形成于所述阵列衬底朝向所述封装衬底一侧的像素界定层；

形成于所述像素界定层朝向所述封装衬底一侧的阴极；

形成于所述封装衬底朝向所述阵列衬底一侧的触控电极，所述触控电极在阵列衬底的垂直投影位于所述像素界定层在所述阵列衬底的垂直投影范围内；

形成于所述阵列衬底与所述封装衬底之间的隔垫层，所述隔垫层包括多个隔垫物；

形成于所述触控电极与所述隔垫层之间的绝缘层，所述绝缘层具有：

在所述封装衬底上垂直投影与所述隔垫物在所述封装衬底上垂直投影重叠的第一区域，在所述封装衬底上垂直投影与所述触控电极在所述封装衬底上垂直投影重叠的第二区域，且所述绝缘层在所述第一区域内的厚度大于在所述第二区域内的厚度；

所述绝缘层还包括在所述封装衬底上垂直投影与所述触控电极和所述隔垫物之间区域在所述封装衬底上垂直投影重叠的第三区域，且所述绝缘层在所述第一区域内的厚度等于在所述第三区域内的厚度。

2.根据权利要求1所述的OLED显示面板，其特征在于，所述绝缘层为单层结构。

3.根据权利要求2所述的OLED显示面板，其特征在于，所述绝缘层在所述第二区域内的厚度为0。

4.根据权利要求2所述的OLED显示面板，其特征在于，所述绝缘层在所述第二区域内的厚度大于0。

5.根据权利要求1所述的OLED显示面板，其特征在于，所述绝缘层为双层结构，所述绝缘层包括形成于所述封装衬底朝向所述阵列衬底一侧的第一绝缘层和形成于所述第一绝缘层朝向所述阵列衬底一侧的第二绝缘层。

6.根据权利要求5所述的OLED显示面板，其特征在于，所述第一绝缘层在所述第二区域内的厚度等于0，且所述第二绝缘层在所述第二区域内的厚度等于0。

7.根据权利要求5所述的OLED显示面板，其特征在于，所述第一绝缘层在所述第二区域内的厚度大于0，且所述第二绝缘层在所述第二区域内的厚度等于0。

8.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求1-7任一项所述的OLED显示面板。

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