CN105405865A - Amoled显示屏及像素排列方法 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及一种AMOLED显示屏及像素排列方法，在基板上设有包括若干像素的OLED像素阵列、包括若干薄膜晶体管的薄膜晶体管阵列及GIP电路。GIP电路分布于薄膜晶体管阵列的外侧。OLED像素阵列在完全覆盖薄膜晶体管阵列的基础上还覆盖于GIP电路上，且像素与薄膜晶体管保持一一对应连接。因此，OLED像素阵列能够遮挡位于下方的GIP电路，扩大了AMOLED显示屏的显示区域，从而减小了上述遮挡圈占用的空间。同时分辨率越高，像素的数量就越多，遮挡效果越好，该AMOLED显示屏及像素排列方法在高分辨率情况下能够实现窄边框设计。

Description

AMOLED显示屏及像素排列方法
技术领域
本发明涉及AMOLED显示技术领域，特别是涉及一种AMOLED显示屏及像素排列方法。
背景技术
AMOLED(Active-matrixorganiclightemittingdiode，有源矩阵有机发光二极体)，是主动发光器件。相比现在的薄膜晶体管液晶显示器(TFT-LCD)这一主流平板显示技术，AMOLED具有高对比度、广视角、低功耗、厚度更薄等优点，所以被认为是下一代显示技术。
为了使得AMOLED显示屏美观，窄边框设计目前已经成为显示屏领域的趋势。最常用的是GIP(GateDriveICInPanel，门面板)技术，即直接将栅极驱动电路集成于包括OLED像素阵列的基板中，该栅极驱动电路称为GIP电路。而在AMOLED显示屏中，通常会在OLED像素阵列外侧设置周边区域，以便在该周边区域布置GIP电路。同时在该周边区域还设置遮挡圈，以对GIP电路进行遮挡，从而使得AMOLED显示屏整体更加美观。然而，遮挡圈的存在往往会使AMOLED显示屏的显示区域看起来较小。而且随着分辨率的不断提高，GIP电路所占面积越来越大，从而使得窄边框设计的难度越来越高。
发明内容
基于此，针对上述在高分辨率情况下难于实现窄边框设计的问题，本发明提供一种AMOLED显示屏及像素排列方法，能够在高分辨率情况下实现窄边框设计。
一种AMOLED显示屏，其特征在于，在基板上设有包括若干像素的OLED像素阵列、包括若干薄膜晶体管的薄膜晶体管阵列及GIP电路，所述GIP电路分布于所述薄膜晶体管阵列的外侧，所述OLED像素阵列在完全覆盖所述薄膜晶体管阵列的基础上还覆盖于所述GIP电路上，且所述像素与所述薄膜晶体管保持一一对应连接。
在其中一个实施例中，所有所述像素均匀分布。
在其中一个实施例中，所述GIP电路平行于所述薄膜晶体管阵列的列方向时，所述OLED像素阵列中覆盖于所述GIP电路上的所有所述像素处于同一列；所述GIP电路平行于所述薄膜晶体管阵列的行方向时，所述OLED像素阵列中覆盖于所述GIP电路上的所有所述像素处于同一行。
在其中一个实施例中，所述OLED像素阵列位于第一层；所述薄膜晶体管阵列及GIP电路位于第二层。
在其中一个实施例中，在所述第一层与第二层之间还设有绝缘层，且所述绝缘层设有使所述薄膜晶体管与对应像素电极连接的连接通路。
在其中一个实施例中，所述连接通路包括过孔和导线，且所述导线通过所述过孔使所述薄膜晶体管与对应像素电极连接。
在其中一个实施例中，所述AMOLED显示屏采用薄膜封装。
一种AMOLED显示屏像素排列方法，用于形成上述的AMOLED显示屏中的OLED像素阵列，且该所述AMOLED显示屏像素排列方法在完全覆盖所述薄膜晶体管阵列的区域和覆盖所述GIP电路的区域中均匀排列所述像素。
在其中一个实施例中，AMOLED显示屏像素排列方法还包括：判断所述GIP电路平行于所述薄膜晶体管阵列的列方向时，将位于同列的所述像素设于所述GIP电路的上方，且将其他所述像素依次均匀分布排列。
在其中一个实施例中，AMOLED显示屏像素排列方法还包括：判断所述GIP电路平行于所述薄膜晶体管阵列的行方向时，将位于同行的所述像素设于所述GIP电路的上方，且将其他所述像素依次均匀分布排列。
上述AMOLED显示屏及像素排列方法具有的有益效果为：在该AMOLED显示屏及像素排列方法中，GIP电路分布于薄膜晶体管阵列的外侧，OLED像素阵列在完全覆盖薄膜晶体管阵列的基础上还覆盖于GIP电路上，且像素与薄膜晶体管保持一一对应连接。因此，OLED像素阵列能够遮挡位于下方的GIP电路，扩大了AMOLED显示屏的显示区域，从而减小了上述遮挡圈占用的空间。同时分辨率越高，像素的数量就越多，遮挡效果越好，该AMOLED显示屏及像素排列方法在高分辨率情况下能够实现窄边框设计。
附图说明
图1为一实施例的AMOLED显示屏中薄膜晶体管阵列及GIP电路的排列结构示意图。
图2为图1所示实施例的AMOLED显示屏中OLED像素阵列的排列结构示意图。
图3为图1所示实施例的AMOLED显示屏的整体外观结构示意图。
具体实施方式
为了更清楚的解释本发明提供的AMOLED显示屏及像素排列方法，以下结合实施例作具体的说明。
在一实施例中，AMOLED显示屏在基板上设有OLED像素阵列130、薄膜晶体管阵列120及GIP电路110，如图1、图2所示。OLED像素阵列130包括若干按行、列依次重复排列的像素，薄膜晶体管阵列120包括若干按行、列依次重复排列的薄膜晶体管，GIP电路110分布于薄膜晶体管阵列130的外侧。一般情况下，薄膜晶体管阵列130外侧离AMOLED显示屏的四周边缘较近，因此GIP电路110分布于AMOLED显示屏的边缘。具体来说，GIP电路110可以平行于OLED像素阵列130的行方向，也可以平行于OLED像素阵列130的列方向。
本实施例中AMOLED显示屏像素的排列方式如图3所示，OLED像素阵列130在完全覆盖薄膜晶体管阵列120的基础上还覆盖于GIP电路110上。也就是说，在本实施例中扩大了OLED像素阵列130在AMOLED显示屏中的整体分布面积(例如在不影响视觉效果的情况下通过调整各像素之间的分布距离来扩大OLED像素阵列130的分布面积)进而使得OLED像素阵列130能够遮挡位于下方的GIP电路110，扩大了AMOLED显示屏的显示区域，从而能够减小了用于遮挡GIP电路110的遮挡圈占用的空间。同时像素分辨率越高，像素的数量越多，那么遮挡效果就越好。
另外，虽然OLED像素阵列130的整体分布面积较大，但像素与薄膜晶体管依然保持一一对应连接的关系，从而保证AMOLED显示屏能够正常工作。
需要说明的是，上述OLED像素阵列130覆盖于GIP电路110上，可以是OLED像素阵列130只覆盖于GIP电路110的一部分电路；也可以是OLED像素阵列130完全覆盖GIP电路110。若窄边框设计要求较低时，前者(即OLED像素阵列130只覆盖于GIP电路110的一部分)虽然仍然会在AMOLED显示屏上布置少量遮挡圈来遮挡GIP电路110中没有被遮盖的电路，但完全能够满足上述较低的窄边框设计要求。而若窄边框设计要求较高甚至需要无边框时，采用后者(即OLED像素阵列130完全覆盖GIP电路110)即能够满足要求。
同时，在OLED像素阵列130中，所有像素均匀分布，以保证AMOLED显示屏的色彩均匀，具有较好的显示效果。
具体的，GIP电路110平行于薄膜晶体管阵列120的列方向时，OLED像素阵列130中覆盖于GIP电路110上的所有像素处于同一列。那么相当于在传统薄膜晶体管阵列120与OLED像素阵列130一一垂直对应的AMOLED显示屏中，本实施例将最接近GIP电路110的整列像素均沿行方向平移相同的距离，并平移至能够覆盖于GIP电路110的位置处。同时为了保证整个OLED像素阵列130中的所有像素分布均匀，其余各列的像素也应当沿行方向移动一定距离，需注意的是，在其余各像素的调整过程中，需保证同列的像素移动相同的距离。图1即为上述情况。
需要说明的是，上述最接近GIP电路110的整列像素可以完全将GIP电路110覆盖，同时若GIP电路110空间较大时，若要完全覆盖GIP电路110，则可以将两列或更多列的像素移动至能够覆盖GIP电路110的位置；另外，若不需要完全覆盖GIP电路110时，则可将上述最接近GIP电路110的整列像素同时沿行方向向GIP电路110的上方区域平移较小的距离即可。
另外，若GIP电路110平行于薄膜晶体管阵列120的行方向时，OLED像素阵列130中覆盖于GIP电路110上的所有像素处于同一行。那么相当于在传统薄膜晶体管阵列120与OLED像素阵列130一一垂直对应的AMOLED显示屏中，本实施例将最接近GIP电路110的整行像素均沿列方向平移相同的距离，并平移至能够覆盖于GIP电路110的位置处。同时为了保证整个OLED像素阵列130中的所有像素分布均匀，其余各列的像素也应当移动一定距离，需注意的是，在其余各像素的调整过程中，需保证同行的像素移动相同的距离。
需要说明的是，上述最接近GIP电路110的整行像素可以完全将GIP电路110覆盖，同时若GIP电路110空间较大时，若要完全覆盖GIP电路110，则可以将两行或更多行的像素移动至能够覆盖GIP电路110的位置；另外，若不需要完全覆盖GIP电路110时，则可将上述最接近GIP电路110的整行像素同时沿列方向向GIP电路110的上方区域平移较小的距离即可。
可以理解的是，GIP电路110的分布不限于上述情况，例如若GIP电路110既包括平行于薄膜晶体管阵列120列方向的电路，又包括平行于薄膜晶体管阵列120行方向的电路，则同样按上述所述情况排列各像素。但应注意的是，若在传统薄膜晶体管阵列120与OLED像素阵列130一一垂直对应的基础上移动像素时，同行的所有像素在行方向上移动的距离必须相同，且同列的像素在列方向上移动的距离也必须相同。总之，最终要使得OLED像素阵列130中所有的像素均匀分布。
根据上述内容可以看出，本实施例提供的AMOLED显示屏中的OLED像素阵列130，与传统方式相比，相当于将像素向AMOLED显示屏的两侧或四周平移一定距离，从而将GIP电路110遮挡，进而实现窄边框设计。
具体的，OLED像素阵列130位于第一层，薄膜晶体管阵列120及GIP电路110位于第二层，这种排布方式，便于实现OLED像素阵列130在完全覆盖薄膜晶体管阵列120的基础上还覆盖于GIP电路110上。其中，OLED像素阵列130依次为阴极层、有机材料层、阳极层，且阳极层与薄膜晶体管阵列120电性连接，而薄膜晶体管阵列120与GIP电路110电性连接。
可以理解的是，OLED像素阵列130、薄膜晶体管阵列120及GIP电路110的层次排列关系不限于上述一种情况，只要能够实现OLED像素阵列130在完全覆盖薄膜晶体管阵列120的基础上还覆盖于GIP电路110上即可。
具体的，当OLED像素阵列130需要移动较大的距离以实现窄边框或者无边框显示时，对应OLED像素和薄膜晶体管之间可能会出现没有足够的空间通过导线连接的问题。这种情况下可以在AMOLED显示屏的上述第一层与第二层之间设有绝缘层，然后在该绝缘层上通过打孔来连接对应的OLED像素和薄膜晶体管。该绝缘层设有使得薄膜晶体管与对应像素电极连接的连接通路。其中，在OLED像素阵列130与薄膜晶体管阵列120及GIP电路110之间设置绝缘层，能够避免电路信号干扰像素的显示效果，从而提高AMOLED显示屏的显示性能。
可以理解的是，若在上述OLED像素阵列130移动距离不大的情况下，且已有空间上足够布置连接对应的OLED像素和薄膜晶体管的时候，则无需设置绝缘层。
具体的，如图3所示，上述绝缘层中的连接通路包括过孔140和导线150，且导线150通过过孔140使得薄膜晶体管与对应像素电极连接，从而使得在OLED像素阵列130分布面积较大的情况下，薄膜晶体管阵列120仍然能够对整个OLED像素阵列130正常驱动，包括覆盖于GIP电路110上方的像素。同时，由于导线150与薄膜晶体管的阳极连接，且阳极层位于阴极层和有机材料层的下方，因此导线150的增加并不会影响显示效果。
可以理解的是，薄膜晶体管阵列120与OLED像素阵列130的连接通路不限于上述一种情况，只要能够使得任一像素均能与对应的薄膜晶体管电性连接且不影响显示效果即可。
具体的，在本实施例中AMOLED显示屏采用薄膜封装。在这种情况下，若OLED像素阵列130完全覆盖GIP电路110之上，则能够实现无边框设计，进而使得该AMOLED显示屏达到最大的显示面积。
可以理解的是，AMOLED显示屏的封装情况不限于上述一种情况，例如若不要求无边框设计时，则可采用其他的封装形式例如frit封装技术。
另外，与上述提供的AMOLED显示屏对应，本实施例还提供了AMOLED显示屏像素排列方法，用于形成上述的AMOLED显示屏中的OLED像素阵列130，该AMOLED显示屏像素排列方法在完全覆盖薄膜晶体管阵列120的区域和覆盖GIP电路110的区域中均匀排列各像素。也就是说，AMOLED显示屏像素排列方法扩大了OLED像素阵列130在AMOLED显示屏中的整体分布面积(例如在不影响视觉效果的情况下通过调整各像素之间的分布距离来扩大OLED像素阵列130的分布面积)进而使得OLED像素阵列130能够遮挡位于下方的GIP电路110，扩大了AMOLED显示屏的显示区域，从而能够减小了用于遮挡GIP电路110的遮挡圈占用的空间。同时像素分辨率越高，像素的数量越多，那么遮挡效果就越好。
需要说明的是，上述AMOLED显示屏像素排列方法形成的OLED像素阵列130覆盖于GIP电路110上，可以是OLED像素阵列130只覆盖于GIP电路110的一部分电路；也可以是OLED像素阵列130完全覆盖GIP电路110。若窄边框设计要求较低时，前者(即OLED像素阵列130只覆盖于GIP电路110的一部分)虽然仍然会在AMOLED显示屏上布置少量遮挡圈来遮挡GIP电路110中没有被遮盖的电路，但完全能够满足上述较低的窄边框设计要求。而若窄边框设计要求较高甚至需要无边框时，采用后者(即OLED像素阵列130完全覆盖GIP电路110)即能够满足要求。
另外，该AMOLED显示屏像素排列方法还包括：判断GIP电路110平行于薄膜晶体管阵列120的列方向时，将位于同列的像素设于GIP电路110的上方，且将其他像素依次均匀分布排列。
那么相当于在传统薄膜晶体管阵列120与OLED像素阵列130一一垂直对应的AMOLED显示屏中，该AMOLED显示屏像素排列方法将最接近GIP电路110的整列像素均沿行方向平移相同的距离，并平移至能够覆盖于GIP电路110的位置处。同时为了保证整个OLED像素阵列130中的所有像素分布均匀，其余各列的像素也应当沿行方向移动一定距离，需注意的是，在其余各像素的调整过程中，需保证同列的像素移动相同的距离。
需要说明的是，上述最接近GIP电路110的整列像素可以完全将GIP电路110覆盖，同时若GIP电路110空间较大时，若要完全覆盖GIP电路110，则可以将两列或更多列的像素移动至能够覆盖GIP电路110的位置；另外，若不需要完全覆盖GIP电路110时，则可将上述最接近GIP电路110的整列像素同时沿行方向向GIP电路110的上方区域平移较小的距离即可。
在该AMOLED显示屏像素排列方法中，还包括判断GIP电路110平行于薄膜晶体管阵列120的行方向时，将位于同行的像素设于GIP电路110的上方，且将其他像素依次均匀分布排列。
那么相当于在传统薄膜晶体管阵列120与OLED像素阵列130一一垂直对应的AMOLED显示屏中，该AMOLED显示屏像素排列方法将最接近GIP电路110的整行像素均沿列方向平移相同的距离，并平移至能够覆盖于GIP电路110的位置处。同时为了保证整个OLED像素阵列130中的所有像素分布均匀，其余各列的像素也应当移动一定距离，需注意的是，在其余各像素的调整过程中，需保证同行的像素移动相同的距离。
需要说明的是，上述最接近GIP电路110的整行像素可以完全将GIP电路110覆盖，同时若GIP电路110空间较大时，若要完全覆盖GIP电路110，则可以将两行或更多行的像素移动至能够覆盖GIP电路110的位置；另外，若不需要完全覆盖GIP电路110时，则可将上述最接近GIP电路110的整行像素同时沿列方向向GIP电路110的上方区域平移较小的距离即可。
可以理解的是，GIP电路110的分布不限于上述情况，例如若GIP电路110既包括平行于薄膜晶体管阵列120列方向的电路，又包括平行于薄膜晶体管阵列120行方向的电路，则同样按上述所述情况排列各像素。但应注意的是，若在传统薄膜晶体管阵列120与OLED像素阵列130一一垂直对应的基础上移动像素时，同行的所有像素在行方向上移动的距离必须相同，且同列的像素在列方向上移动的距离也必须相同。总之，最终要使得OLED像素阵列130中所有的像素均匀分布。
根据上述内容可以看出，本实施例提供的AMOLED显示屏像素排列方法，与传统方式相比，相当于将像素向AMOLED显示屏的两侧或四周平移一定距离，从而将GIP电路110遮挡，进而实现窄边框设计。
综上所述，在本实施例提供的AMOLED显示屏及像素排列方法中，GIP电路110分布于薄膜晶体管阵列120的外侧，且OLED像素阵列130在完全覆盖薄膜晶体管阵列120的基础上还覆盖于GIP电路110上，且像素与薄膜晶体管保持一一对应连接。因此，OLED像素阵列130能够遮挡位于下方的GIP电路110，扩大了AMOLED显示屏的显示区域，从而减小了上述遮挡圈占用的空间。同时分辨率越高，像素的数量越多，遮挡效果就越好，因此该AMOLED显示屏及像素排列方法在高分辨率情况下能够实现窄边框设计。
以上所述实施例的各技术特征可以进行任意的组合，为使描述简洁，未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述，然而，只要这些技术特征的组合不存在矛盾，都应当认为是本说明书记载的范围。
以上实施例仅表达了本发明的几种实施方式，其描述较为具体，但并不能因此而理解为对发明专利范围的限制。应指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本发明的保护范围。因此，本发明专利的保护范围应以所附权利要求为准。

Claims (10)

1.一种AMOLED显示屏，其特征在于，在基板上设有包括若干像素的OLED像素阵列、包括若干薄膜晶体管的薄膜晶体管阵列及GIP电路，所述GIP电路分布于所述薄膜晶体管阵列的外侧，其特征在于，所述OLED像素阵列在完全覆盖所述薄膜晶体管阵列的基础上还覆盖于所述GIP电路上，且所述像素与所述薄膜晶体管保持一一对应连接。
2.根据权利要求1所述的AMOLED显示屏，其特征在于，所有所述像素均匀分布。
3.根据权利要求1所述的AMOLED显示屏，其特征在于，所述GIP电路平行于所述薄膜晶体管阵列的列方向时，所述OLED像素阵列中覆盖于所述GIP电路上的所有所述像素处于同一列；所述GIP电路平行于所述薄膜晶体管阵列的行方向时，所述OLED像素阵列中覆盖于所述GIP电路上的所有所述像素处于同一行。
4.根据权利要求1所述的AMOLED显示屏，其特征在于，所述OLED像素阵列位于第一层；所述薄膜晶体管阵列及GIP电路位于第二层。
5.根据权利要求4所述的AMOLED显示屏，其特征在于，在所述第一层与第二层之间还设有绝缘层，且所述绝缘层设有使所述薄膜晶体管与对应像素电极连接的连接通路。
6.根据权利要求5所述的AMOLED显示屏，其特征在于，所述连接通路包括过孔和导线，且所述导线通过所述过孔使所述薄膜晶体管与对应像素电极连接。
7.根据权利要求1所述的AMOLED显示屏，其特征在于，所述AMOLED显示屏采用薄膜封装。
8.一种AMOLED显示屏像素排列方法，其特征在于，用于形成权利要求1所述的AMOLED显示屏中的OLED像素阵列，且该所述AMOLED显示屏像素排列方法在完全覆盖所述薄膜晶体管阵列的区域和覆盖所述GIP电路的区域中均匀排列所述像素。
9.根据权利要求8所述的AMOLED显示屏像素排列方法，其特征在于，还包括：判断所述GIP电路平行于所述薄膜晶体管阵列的列方向时，将位于同列的所述像素设于所述GIP电路的上方，且将其他所述像素依次均匀分布排列。
10.根据权利要求8所述的AMOLED显示屏像素排列方法，其特征在于，还包括：判断所述GIP电路平行于所述薄膜晶体管阵列的行方向时，将位于同行的所述像素设于所述GIP电路的上方，且将其他所述像素依次均匀分布排列。
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