CN107248521B - Amoled背板结构 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种AMOLED背板结构，在有效显示区(AA)下方设置被部分有效显示区(AA)完全遮盖的GOA驱动电路(B)，且在GOA驱动电路(B)的所在区域，所述有效显示区(AA)内像素电路的第二薄膜晶体管(T2)层叠在GOA驱动电路(B)的第一薄膜晶体管(T1)上，无需像现有技术那样将GOA驱动电路布局于有效显示区之外的面板的左右两侧，从而能够显著减小AMOLED显示面板左右边框的宽度，有助于实现AMOLED显示面板的无边框化目标。

Description

AMOLED背板结构
技术领域
本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种AMOLED背板结构。
背景技术
在显示技术领域，液晶显示面板(Liquid Crystal Display，LCD)与有机发光二极管显示面板(Organic Light Emitting Diode，OLED)等平板显示装置已经逐步取代阴极射线管(Cathode Ray Tube，CRT)显示器。
其中，OLED显示面板具有自发光、驱动电压低、发光效率高、响应时间短、清晰度与对比度高、近180°视角、使用温度范围宽、可实现柔性显示与大面积全色显示等诸多优点，而被广泛地应用于智能手机、平板电脑、全彩电视等。
OLED显示面板按照驱动方式可以分为无源矩阵(Passive Matrix，PM)型和有源矩阵(Active Matrix，AM)型两大类，即直接寻址和薄膜晶体管(Thin Film Transistor，TFT)矩阵寻址两类。
不论是LCD显示面板还是OLED显示面板均需要在相应的背板上设置栅极驱动电路来进行显示驱动。如图1所示，传统的显示面板是将集成了栅极驱动电路的栅极驱动芯片100邦定(Bonding)在有效显示区AA之外的面板的左右两侧，加大了面板左右边框的宽度。
随着显示技术的发展，出现了代替传统栅极驱动芯片的GOA(Gate Drive OnArray)电路，将栅极驱动电路制作在薄膜晶体管阵列背板上，以实现逐行的扫描驱动。结合图2与图3，现有的显示面板仍然将GOA电路300布局于有效显示区AA之外的面板的左右两侧，GOA电路300中的薄膜晶体管T100与有效显示区AA内的薄膜晶体管T200设计在同一水平面，虽然可以有效减少面板左右边框的宽度，但是还存在1mm至3mm的边框，无法做到进一步减窄面板边框，不符合显示面板超窄边框甚至无边框化的发展趋势。
发明内容
本发明的目的在于提供一种AMOLED背板结构，能够显著减小
AMOLED显示面板左右边框的宽度，有助于实现AMOLED显示面板的无边框化目标。
为实现上述目的，本发明提供一种AMOLED背板结构，包括有效显示区，及设于所述有效显示区下方被部分有效显示区完全遮盖的GOA驱动电路；
所述GOA驱动电路包括第一薄膜晶体管；所述有效显示区内设有像素电路，所述像素电路包括第二薄膜晶体管；在GOA驱动电路的所在区域，所述第二薄膜晶体管层叠在第一薄膜晶体管上。
所述GOA驱动电路被有效显示区的左、右两侧完全遮盖；在有效显示区的左、右两侧，所述第二薄膜晶体管层叠在第一薄膜晶体管上。
所述第一薄膜晶体管包括第一半导体沟道层、覆盖所述第一半导体沟道层的第一栅极绝缘层、于所述第一半导体沟道层上方设于第一栅极绝缘层上的第一栅极、覆盖所述第一栅极与第一栅极绝缘层的第一层间绝缘层、设于所述第一层间绝缘层上的第一源极与第一漏极、及覆盖所述第一源极、第一漏极、与第一层间绝缘层的第一钝化保护层；所述第一源极、第一漏极分别经由贯穿所述第一层间绝缘层与第一栅极绝缘层的第一过孔、第二过孔连接第一半导体沟道层的两侧；
所述第二薄膜晶体管包括设于所述第一钝化保护层上的第二半导体沟道层、覆盖所述第二半导体沟道层的第二栅极绝缘层、于所述第二半导体沟道层上方设于第二栅极绝缘层上的第二栅极、覆盖所述第二栅极与第二栅极绝缘层的第二层间绝缘层、设于所述第二层间绝缘层上的第二源极与第二漏极、及覆盖所述第二源极、第二漏极、与第二层间绝缘层的第二钝化保护层；所述第二源极、第二漏极分别经由贯穿所述第二层间绝缘层与第二栅极绝缘层的第三过孔、第四过孔连接第二半导体沟道层的两侧。
所述第一半导体沟道层的材料为多晶硅，所述第二半导体沟道层的材料为金属氧化物。
所述AMOLED背板结构还包括衬底基板、及覆盖所述衬底基板的缓冲层，所述第一半导体沟道层设在所述缓冲层上。
所述第一栅极绝缘层、第一层间绝缘层、及第一钝化保护层的材料均为氧化硅、氮化硅、或二者的层叠。
所述第一栅极、第一源极、与第一漏极的材料均为钼、钛、铝、铜中的一种或几种的层叠组合。
所述第二栅极绝缘层、第二层间绝缘层、及第二钝化保护层的材料均为氧化硅、氮化硅、或二者的层叠。
所述第二栅极、第二源极、与第二漏极的材料均为钼、钛、铝、铜中的一种或几种的层叠组合。
所述衬底基板为玻璃基板，所述缓冲层的材料为氧化硅、氮化硅、或二者的层叠。
本发明的有益效果：本发明提供的一种AMOLED背板结构，在有效显示区下方设置被部分有效显示区完全遮盖的GOA驱动电路，且在GOA驱动电路的所在区域，所述有效显示区内像素电路的第二薄膜晶体管层叠在GOA驱动电路的第一薄膜晶体管上，无需像现有技术那样将GOA驱动电路布局于有效显示区之外的面板的左右两侧，从而能够显著减小AMOLED显示面板左右边框的宽度，有助于实现AMOLED显示面板的无边框化目标。
附图说明
为了能更进一步了解本发明的特征以及技术内容，请参阅以下有关本发明的详细说明与附图，然而附图仅提供参考与说明用，并非用来对本发明加以限制。
附图中，
图1为传统显示面板将栅极驱动芯片邦定在有效显示区之外的面板的左右两侧的示意图；
图2为现有的显示面板将GOA电路布局于有效显示区之外的面板的左右两侧的示意图；
图3为对应于图2中C-C处的剖面结构示意图；
图4为本发明的AMOLED背板结构的主视示意图；
图5为对应于图4中D-D处的剖面结构示意图。
具体实施方式
为更进一步阐述本发明所采取的技术手段及其效果，以下结合本发明的优选实施例及其附图进行详细描述。
请同时参阅图4与图5，本发明提供一种AMOLED背板结构，包括有效显示区AA，及设于所述有效显示区AA下方被部分有效显示区AA完全遮盖的GOA驱动电路B，优选地，所述GOA驱动电路B被有效显示区AA的左、右两侧完全遮盖。
所述GOA驱动电路B与现有的GOA驱动电路的构造无异，包括若干个第一薄膜晶体管T1，及若干条起连接及信号传输作用的金属导线(未图示)。所述有效显示区AA内设有像素电路(未图示)，所述像素电路与现有的AMOLED像素驱动电路的构造无异，包括若干个第二薄膜晶体管T2及若干条起连接及信号传输作用的金属导线(未图示)。在GOA驱动电路B的所在区域，即在有效显示区AA的左、右两侧，所述第二薄膜晶体管T2层叠在第一薄膜晶体管T1上。
由于AMOLED能够自发光，本发明中将GOA驱动电路B设置于有效显示区AA下方且被部分有效显示区AA完全遮盖，并不会影响到有效显示区AA的正常发光显示，有效显示区AA也不会损失显示画质；反而因为GOA驱动电路B被部分有效显示区AA完全遮盖，且在GOA驱动电路B的所在区域，所述有效显示区AA内像素电路的第二薄膜晶体管T2层叠在GOA驱动电路B的第一薄膜晶体管T1上，无需像现有技术那样将GOA驱动电路布局于有效显示区之外的面板的左右两侧，从而能够显著减小AMOLED显示面板左右边框的宽度，有助于实现AMOLED显示面板的无边框化目标。
具体地，所述第一薄膜晶体管T1包括第一半导体沟道层11、覆盖所述第一半导体沟道层11的第一栅极绝缘层12、于所述第一半导体沟道层11上方设于第一栅极绝缘层12上的第一栅极13、覆盖所述第一栅极13与第一栅极绝缘层12的第一层间绝缘层14、设于所述第一层间绝缘层14上的第一源极151与第一漏极152、及覆盖所述第一源极151、第一漏极152、与第一层间绝缘层14的第一钝化保护层16；所述第一源极151、第一漏极152分别经由贯穿所述第一层间绝缘层14与第一栅极绝缘层12的第一过孔V11、第二过孔V12连接第一半导体沟道层11的两侧。
所述第二薄膜晶体管T2包括设于所述第一钝化保护层16上的第二半导体沟道层21、覆盖所述第二半导体沟道层21的第二栅极绝缘层22、于所述第二半导体沟道层21上方设于第二栅极绝缘层22上的第二栅极23、覆盖所述第二栅极23与第二栅极绝缘层22的第二层间绝缘层24、设于所述第二层间绝缘层24上的第二源极251与第二漏极252、及覆盖所述第二源极251、第二漏极252、与第二层间绝缘层24的第二钝化保护层26；所述第二源极251、第二漏极252分别经由贯穿所述第二层间绝缘层24与第二栅极绝缘层22的第三过孔V21、第四过孔V22连接第二半导体沟道层21的两侧。
所述AMOLED背板结构还包括衬底基板1、及覆盖所述衬底基板1的缓冲层2，所述第一半导体沟道层11设在所述缓冲层2上。
进一步地，所述衬底基板优选玻璃基板，所述缓冲层2的材料为氧化硅(SiOx)、氮化硅(SiNx)、或二者的层叠。
所述第一半导体沟道层11的材料为多晶硅(Poly-Si)，优选为低温多晶硅(LTPS)，所述第二半导体沟道层21的材料优选铟镓锌氧化物(Indium Gallium Zinc Oxide，IGZO)等金属氧化物。
所述第一栅极绝缘层12、第一层间绝缘层14、及第一钝化保护层16的材料均为SiOx、SiNx、或二者的层叠。
所述第一栅极13、第一源极151、与第一漏极152的材料均为钼(Mo)、钛(Ti)、铝(Al)、铜(Cu)中的一种或几种的层叠组合。
所述第二栅极绝缘层22、第二层间绝缘层24、及第二钝化保护层26的材料均为SiOx、SiNx或二者的层叠。
所述第二栅极23、第二源极251、与第二漏极252的材料均为Mo、Ti、Al、Cu中的一种或几种的层叠组合。
本发明的AMOLED背板结构搭配顶发射型的OLED即可实现最佳的超窄边框设计。此外，本发明的AMOLED背板结构也可为量子点发光二级管(Quantum Dots Light EmittingDiode，QLED)面板，甚至反射式的LCD或电子纸(E-Paper)提供借鉴。
综上所述，本发明的AMOLED背板结构，在有效显示区下方设置被部分有效显示区完全遮盖的GOA驱动电路，且在GOA驱动电路的所在区域，所述有效显示区内像素电路的第二薄膜晶体管层叠在GOA驱动电路的第一薄膜晶体管上，无需像现有技术那样将GOA驱动电路布局于有效显示区之外的面板的左右两侧，从而能够显著减小AMOLED显示面板左右边框的宽度，有助于实现AMOLED显示面板的无边框化目标。
以上所述，对于本领域的普通技术人员来说，可以根据本发明的技术方案和技术构思作出其他各种相应的改变和变形，而所有这些改变和变形都应属于本发明的权利要求的保护范围。

Claims (9)

1.一种AMOLED背板结构，其特征在于，包括有效显示区(AA)，及设于所述有效显示区(AA)下方被部分有效显示区(AA)完全遮盖的GOA驱动电路(B)；
所述GOA驱动电路(B)包括第一薄膜晶体管(T1)；所述有效显示区(AA)内设有像素电路，所述像素电路包括第二薄膜晶体管(T2)；在GOA驱动电路(B)的所在区域，所述第二薄膜晶体管(T2)层叠在第一薄膜晶体管(T1)上；
所述第一薄膜晶体管(T1)包括第一半导体沟道层(11)、覆盖所述第一半导体沟道层(11)的第一栅极绝缘层(12)、于所述第一半导体沟道层(11)上方设于第一栅极绝缘层(12)上的第一栅极(13)、覆盖所述第一栅极(13)与第一栅极绝缘层(12)的第一层间绝缘层(14)、设于所述第一层间绝缘层(14)上的第一源极(151)与第一漏极(152)、及覆盖所述第一源极(151)、第一漏极(152)、与第一层间绝缘层(14)的第一钝化保护层(16)；所述第一源极(151)、第一漏极(152)分别经由贯穿所述第一层间绝缘层(14)与第一栅极绝缘层(12)的第一过孔(V11)、第二过孔(V12)连接第一半导体沟道层(11)的两侧；
所述第二薄膜晶体管(T2)包括设于所述第一钝化保护层(16)上的第二半导体沟道层(21)、覆盖所述第二半导体沟道层(21)的第二栅极绝缘层(22)、于所述第二半导体沟道层(21)上方设于第二栅极绝缘层(22)上的第二栅极(23)、覆盖所述第二栅极(23)与第二栅极绝缘层(22)的第二层间绝缘层(24)、设于所述第二层间绝缘层(24)上的第二源极(251)与第二漏极(252)、及覆盖所述第二源极(251)、第二漏极(252)、与第二层间绝缘层(24)的第二钝化保护层(26)；所述第二源极(251)、第二漏极(252)分别经由贯穿所述第二层间绝缘层(24)与第二栅极绝缘层(22)的第三过孔(V21)、第四过孔(V22)连接第二半导体沟道层(21)的两侧。
2.如权利要求1所述的AMOLED背板结构，其特征在于，所述GOA驱动电路(B)被有效显示区(AA)的左、右两侧完全遮盖；在有效显示区(AA)的左、右两侧，所述第二薄膜晶体管(T2)层叠在第一薄膜晶体管(T1)上。
3.如权利要求1所述的AMOLED背板结构，其特征在于，所述第一半导体沟道层(11)的材料为多晶硅，所述第二半导体沟道层(21)的材料为金属氧化物。
4.如权利要求1所述的AMOLED背板结构，其特征在于，还包括衬底基板(1)、及覆盖所述衬底基板(1)的缓冲层(2)，所述第一半导体沟道层(11)设在所述缓冲层(2)上。
5.如权利要求1所述的AMOLED背板结构，其特征在于，所述第一栅极绝缘层(12)、第一层间绝缘层(14)、及第一钝化保护层(16)的材料均为氧化硅、氮化硅、或二者的层叠。
6.如权利要求1所述的AMOLED背板结构，其特征在于，所述第一栅极(13)、第一源极(151)、与第一漏极(152)的材料均为钼、钛、铝、铜中的一种或几种的层叠组合。
7.如权利要求1所述的AMOLED背板结构，其特征在于，所述第二栅极绝缘层(22)、第二层间绝缘层(24)、及第二钝化保护层(26)的材料均为氧化硅、氮化硅、或二者的层叠。
8.如权利要求1所述的AMOLED背板结构，其特征在于，所述第二栅极(23)、第二源极(251)、与第二漏极(252)的材料均为钼、钛、铝、铜中的一种或几种的层叠组合。
9.如权利要求4所述的AMOLED背板结构，其特征在于，所述衬底基板(1)为玻璃基板，所述缓冲层(2)的材料为氧化硅、氮化硅、或二者的层叠。
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Families Citing this family (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107623023A (zh) * 2017-10-17 2018-01-23 京东方科技集团股份有限公司 一种oled显示面板及其制备方法、oled显示装置
CN108831892B (zh) * 2018-06-14 2020-01-14 京东方科技集团股份有限公司 显示背板及其制造方法、显示面板和显示装置
CN109065592B (zh) * 2018-08-10 2022-04-15 京东方科技集团股份有限公司 Oled异形屏、显示装置
CN109283733A (zh) * 2018-11-09 2019-01-29 昆山龙腾光电有限公司 一种反射式显示面板、显示面板的制作方法及显示装置
CN109671721A (zh) * 2018-12-10 2019-04-23 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 显示装置及其制造方法
KR102612390B1 (ko) * 2018-12-19 2023-12-12 엘지디스플레이 주식회사 표시 패널 및 표시 장치
CN109828395A (zh) * 2019-04-24 2019-05-31 南京中电熊猫平板显示科技有限公司 一种阵列基板及其制造方法
WO2021063587A1 (en) * 2019-09-30 2021-04-08 Airbus Operations Gmbh Process for producing flexible oled screens and flexible oled screens
CN111123574B (zh) * 2020-01-16 2022-05-03 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 一种显示面板、显示装置及电子设备
CN113497096A (zh) * 2020-04-08 2021-10-12 深圳市柔宇科技有限公司 显示面板及其制备方法、显示装置
CN111490064B (zh) * 2020-04-11 2023-07-11 北京元芯碳基集成电路研究院 一种显示面板及其制作方法
CN111508438A (zh) * 2020-04-15 2020-08-07 福建华佳彩有限公司 一种oled面板结构
CN111627962A (zh) * 2020-05-19 2020-09-04 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板、显示装置以及显示面板的制作方法
CN112068372A (zh) * 2020-09-10 2020-12-11 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 阵列基板及显示面板
US11900875B2 (en) 2021-04-30 2024-02-13 Chengdu Boe Optoelectronics Technology Co., Ltd. Display substrate and preparation method thereof, and display device

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102496601A (zh) * 2011-12-15 2012-06-13 华映视讯（吴江）有限公司 像素结构及其制造方法
CN102903732A (zh) * 2012-10-12 2013-01-30 深圳市华星光电技术有限公司 有机发光二极管器件及相应的显示装置
CN105093600A (zh) * 2015-08-17 2015-11-25 京东方科技集团股份有限公司 一种显示面板及显示装置
CN105405865A (zh) * 2015-12-31 2016-03-16 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司 Amoled显示屏及像素排列方法

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102011874B1 (ko) * 2013-03-05 2019-08-19 삼성전자주식회사 박막 트랜지스터를 포함하는 표시 장치
TW201611298A (zh) * 2014-09-12 2016-03-16 中華映管股份有限公司 雙薄膜電晶體及其製造方法
CN104900653B (zh) * 2015-04-14 2017-12-29 深圳市华星光电技术有限公司 Tft布局结构
CN106558593B (zh) * 2015-09-18 2019-12-17 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 阵列基板、显示面板、显示装置及阵列基板的制备方法
CN105244365B (zh) * 2015-11-18 2018-09-25 上海天马有机发光显示技术有限公司 显示装置、制造方法及显示设备
CN205355054U (zh) * 2016-02-02 2016-06-29 昆山国显光电有限公司 显示器薄膜晶体管结构及显示器
CN106653766A (zh) * 2016-11-21 2017-05-10 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司 显示器背板的制作方法及具有该显示器背板的显示器

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102496601A (zh) * 2011-12-15 2012-06-13 华映视讯（吴江）有限公司 像素结构及其制造方法
CN102903732A (zh) * 2012-10-12 2013-01-30 深圳市华星光电技术有限公司 有机发光二极管器件及相应的显示装置
CN105093600A (zh) * 2015-08-17 2015-11-25 京东方科技集团股份有限公司 一种显示面板及显示装置
CN105405865A (zh) * 2015-12-31 2016-03-16 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司 Amoled显示屏及像素排列方法

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