CN105244365B - 显示装置、制造方法及显示设备 - Google Patents
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Abstract
本发明提供了一种显示装置、制造方法及显示设备，显示装置包括：基板，包括显示区域；驱动电路，形成于显示区域的周围；钝化层，覆盖驱动电路，钝化层包括暴露驱动电路的接触孔；第一导电层，覆盖钝化层，通过接触孔接触驱动电路；以及显示元件，形成于显示区域，显示元件具有自显示区域向驱动电路延展的第一电极层，第一电极层通过第一导电层与驱动电路电连接。本发明的显示装置、制造方法及显示设备缩短了封装区域与显示区域之间的距离，以便减小边框的宽度，实现窄边框结构。
Description
技术领域
本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种显示装置、制造方法及显示设备。
背景技术
如图1所示，图1为现有技术的一种显示装置的俯视图，现有的显示装置10’主要包括形成于基板1’之上的布设像素的显示区域2’、驱动电路3’和封装区域4’。封装区域4’围绕显示区域2’，驱动电路3’位于封装区域4’与显示区域2’之间。
如图2所示，图2为图1中沿E-E方向的剖面示意图。图2中的A部分表示显示区域2’、驱动电路3’与封装区域4’之间的剖面示意图；B部分表示显示区域2’的剖面示意图。基板1’包括显示区域2’。驱动电路3’形成于显示区域2’的周围。钝化层5’覆盖驱动电路3’，钝化层5’包括暴露驱动电路3’的接触孔。显示元件形成于显示区域2’，显示元件至少包括阴极6’、驱动元件层7’、像素定义层8’、有机发光层9’。阴极6’自显示区域2’向驱动电路3’延展，阴极6’通过接触孔与驱动电路3’电连接。该显示装置10’为有源矩阵有机发光显示装置(Active-matrix organic light emitting diode，AMOLED)面板，驱动元件层7’中进一步包含薄膜晶体管驱动元件、阳极等元件。
显示装置10’，其中阴极6’的边界超出显示区域2’很多，在超出的这一部分(位于驱动电路3’之上，通常超出的距离h要大于驱动电路3’的宽度H的70％，甚至是80％)，实现阴极6’与下层电路(驱动电路3’)的导通和连接。其中，阴极6’的厚度可以为150埃。
因此这一区域的成膜质量直接影响着窄边框的效果。如图4所示，图4为现有技术的显示装置蒸镀状态的示意图。将显示装置10’设置在掩膜12’上，放置在蒸发源13’的上方，蒸发源13’通过蒸镀工艺制作阴极(图中未示出)。由于蒸镀工艺的边界极难控制，所以薄膜边界的位移量会比较大。那么，如果边界偏移到封装区域4’，则会影响封装的效果；如果边界便移到显示区域2’，则显示装置10’会因为导通不良而产生显示异常。所以，一般地，封装区域4’与显示区域2’之间的距离会留的足够的大，特别当驱动电路3’可以缩到很小的时候，这一距离仍然会要求足够的大。这种情况对于面板的窄边框来说，是及其不利的。
发明内容
针对现有技术中的缺陷，本发明的目的在于提供显示装置、制造方法及显示设备，缩短了封装区域与显示区域之间的距离，以便减小边框的宽度，实现窄边框结构。
根据本发明的一个方面，提供一种显示装置，包括：
基板，包括显示区域；
驱动电路，形成于所述显示区域的周围；
钝化层，覆盖所述驱动电路，所述钝化层包括暴露所述驱动电路的接触孔；
第一导电层，覆盖所述钝化层，通过所述接触孔接触所述驱动电路；以及
显示元件，形成于所述显示区域，所述显示元件具有自所述显示区域向所述驱动电路延展的第一电极层，所述第一电极层通过所述第一导电层与所述驱动电路电连接。
根据本发明的另一个方面，还提供一种显示设备，包括一显示装置，所述显示装置包括：
基板，包括显示区域；
驱动电路，形成于所述显示区域的周围；
钝化层，覆盖所述驱动电路，所述钝化层包括暴露所述驱动电路的接触孔；
第一导电层，覆盖所述钝化层，通过所述接触孔接触所述驱动电路；以及
显示元件，形成于所述显示区域，所述显示元件具有自所述显示区域向所述驱动电路延展的第一电极层，所述第一电极层通过所述第一导电层与所述驱动电路电连接。
根据本发明的另一个方面，还提供一种显示装置的制造方法，包括：
提供一基板，包括显示区域；
在所述基板上形成驱动电路和第二电极层，所述第二电极层位于所述显示区域内，所述驱动电路位于所述显示区域周围；
在所述驱动电路上形成钝化层，并且在所述第二电极层上形成像素定义层，所述像素定义层包含多个开口；
在所述钝化层上形成第一导电层，覆盖所述钝化层，并且通过过孔工艺接触所述驱动电路；
形成有机发光层，所述有机发光层位于像素定义层的多个开口中；以及
形成自所述显示区域向所述驱动电路延展的第一电极层，所述第一电极层通过所述第一导电层与所述驱动电路电连接。
根据本发明的另一个方面，还提供另一种显示装置的制造方法，包括：
提供一基板，包括显示区域；
在所述基板上形成驱动电路和第二电极层，所述第二电极层位于所述显示区域内，所述驱动电路位于所述显示区域周围；
在所述驱动电路上形成钝化层，并且在所述第二电极层上形成像素定义层和有机发光层，所述像素定义层包含多个开口，所述有机发光层位于所述像素定义层的所述多个开口中；
形成自所述显示区域向所述驱动电路延展的第一电极层；以及
在所述钝化层上形成第一导电层，覆盖所述钝化层和第一电极层，所述第一导电层通过过孔工艺接触所述驱动电路，所述第一电极层通过所述第一导电层与所述驱动电路电连接。
本发明的显示装置、制造方法及显示设备缩短了封装区域与显示区域之间的距离，以便减小边框的宽度，实现窄边框结构。
附图说明
通过阅读参照以下附图对非限制性实施例所作的详细描述，本发明的其它特征、目的和优点将会变得更明显：
图1为现有技术的显示装置的俯视图；
图2为图1中沿E-E方向的剖面示意图；
图3为现有技术的显示装置蒸镀状态的示意图；
图4为本发明实施例提供的显示装置的俯视图；
图5为图4中沿F-F方向的本发明第一实施例的显示装置的剖面示意图；
图6为本发明第一实施例的显示装置的制造方法的流程图；
图7为图4中沿F-F方向的本发明第二实施例的显示装置的剖面示意图；
图8为本发明第二实施例的显示装置的制造方法的流程图；
图9为图4中沿F-F方向的本发明第三实施例的显示装置的剖面示意图；以及
图10为本发明第三实施例的显示装置的制造方法的流程图。
附图标记
1’ 基板
2’ 显示区域
3’ 驱动电路
4’ 封装区域
5’ 钝化层
6’ 阴极
7’ 驱动元件层
8’ 像素定义层
9’ 有机发光层
10’ 显示装置
12’ 掩膜
13’ 蒸发源
1 基板
2 显示区域
3 驱动电路
4 封装区域
5 钝化层
6 第一电极层
7 驱动元件层
8 像素定义层
9 有机发光层
10 显示装置
11 第一导电层
14 第二导电层
H 驱动电路的宽度
h 阴极的边沿延展进入驱动电路的区域的距离
具体实施方式
现在将参考附图更全面地描述示例实施方式。然而，示例实施方式能够以多种形式实施，且不应被理解为限于在此阐述的实施方式；相反，提供这些实施方式使得本发明将全面和完整，并将示例实施方式的构思全面地传达给本领域的技术人员。在图中相同的附图标记表示相同或类似的结构，因而将省略对它们的重复描述。
所描述的特征、结构或特性可以以任何合适的方式结合在一个或更多实施方式中。在下面的描述中，提供许多具体细节从而给出对本发明的实施方式的充分理解。然而，本领域技术人员应意识到，没有特定细节中的一个或更多，或者采用其它的方法、组元、材料等，也可以实践本发明的技术方案。在某些情况下，不详细示出或描述公知结构、材料或者操作以避免模糊本发明。
第一实施例
如图4和5所示，图4为本发明实施例提供的一种显示装置的俯视图，图5为图4中沿F-F方向的剖面示意图。图5中的A部分表示显示区域2、驱动电路3与封装区域4之间的剖面示意图；B部分表示显示区域2的剖面示意图。结合参考图4和图5，本发明实施例一提供的一种显示装置10为AMOLED显示装置，本实施例中以底栅结构的TFT背板为例(即栅极在下，半导体层在上)，包括：基板1，形成于基板1上的显示区域2、驱动电路3、封装区域4、钝化层5、第一导电层11以及显示元件。
结合参考图4和图5，驱动电路3形成于显示区域2的周围。驱动电路3可以是栅极驱动电路、发光控制驱动电路、数据驱动电路的一种，但不以此为限。封装区域4环绕显示区域2，第一电极层6的边沿位于显示区域2与封装区域4之间。本实施例中，第一电极层6可以是阴极，然而在本实施例中仅是以阴极为例进行说明，则对应的第二电极层可以是阳极，但不以此为限。在本发明的其他实施例中，可以是倒置结构的发光显示装置，则第一电极层6是阳极，第二电极层是阴极。钝化层5覆盖驱动电路3，钝化层5包括暴露驱动电路3的接触孔。第一导电层11覆盖钝化层5，通过接触孔接触驱动电路3，与驱动电路3实现电连接。第一导电层11具有朝向显示区域2延展的内沿部分和背离显示区域2延展的外沿部分。本实施例中，第一导电层11是氧化铟锡(Indium Tin Oxide，ITO)，然而在本实施例中仅是以氧化铟锡为例进行说明，在本发明的其他实施例中，还可以是其他材料，只要能够实现导电功能，即可作为第一导电层，例如可以是金属导电层，但不以此为限。
显示元件形成于显示区域2，显示元件包括第一电极层6(阴极)、有机发光层9、像素定义层8以及驱动元件层7。其中驱动元件层7包括TFT元件、第二电极层等器件。并且第二电极层位于驱动元件层7的最靠近有机发光层9的一侧。第一电极层6、有机发光层9和第二电极层构成发光器件，当第一电极层6和第二电极层被施加驱动电压时，驱动有机发光层9发光。像素定义层8包含多个开口，有机发光层9位于像素定义层8的多个开口中。像素定义层8与钝化层5同层且同质，在制备过程中在同一层制备得到，不用添加额外的工序，但不以此为限。第一电极层6形成于有机发光层9和像素定义层8之上。第一电极层6自显示区域2向驱动电路3延展。第一电极层6通过第一导电层11与驱动电路3电连接。第一电极层6覆盖第一导电层11的内沿部分。第一电极层6仅需要对第一导电层11进行连接，第一导电层11作为中介，起到类似桥梁的作用，改变了第一电极层6的连接距离，可以将钝化层5最外围的接触孔的连接位置大大拉近。
由于在有机发光显示装置制备过程中，第一电极层和有机发光层需要通过蒸镀制备，而其他器件层则可以通过刻蚀金属层或非金属层制备。通常蒸镀过程的工艺偏差大，而刻蚀过程则较为精细，偏差在2微米以内。第一导电层11形成在钝化层5之上，可以通过刻蚀工艺制备，不会出现很大的误差，突破了现有技术中，需要预留较宽的第一电极接触区域的限制。避免需要第一电极层6直接连接钝化层5最外围的接触孔，可以减小驱动电路3区域的宽度，促进边框窄化。
本实施例中，第一导电层11的内沿部分和外沿部分以及第一电极层6的边沿可以均位于驱动电路3的区域之内，但不以此为限。第一电极层6的边沿延展进入驱动电路3的区域的距离h为驱动电路3的宽度H的30％至40％，远远小于现有技术中的超出的距离。并且，第一导电层11的内沿部分可以位于驱动电路3与显示区域2之间，但不以此为限。第一电极层6的边沿也可以位于驱动电路3与显示区域2之间，但不以此为限。
如图6所示，图6为图5所示的显示装置的制造方法的流程图。结合参考图5和图6，本实施例提供的制造显示装置的制造方法，包括以下步骤：
首先，提供一基板1，包括显示区域2。
其次，在基板1上形成驱动电路3和驱动元件层7，其中驱动元件层包括TFT器件和第二电极层，第二电极层位于显示区域2内，驱动电路3位于显示区域2周围。驱动电路3和驱动原件层7通过成膜、刻蚀工艺制备，具体的制备工艺与现有技术相同，在此不再赘述。其中，驱动元件层7包括TFT器件和第二电极层，其中第二电极层位于驱动元件层7的最上层，即第二电极层为驱动元件层7中最远离基板1的膜层。并且，在本实施例中，第二电极层由氧化铟锡制成。
其次，在驱动电路3上形成钝化层5，并且在第二电极层上形成像素定义层8，像素定义层8包含多个开口。钝化层5和像素定义层8同层且同质。本实施例中，钝化层5和像素定义层8为有机材料，可直接通过曝光显影制备，具有较高的精度控制。
其次，在钝化层5上形成第一导电层11，覆盖钝化层5，并且通过过孔工艺接触驱动电路3。第一导电层通11过导电层成膜、光刻胶涂布、曝光、显影、刻蚀、剥离光刻胶得到。第一导电层11的制备过程与现有技术中阵列工艺中导电层的刻蚀制备工艺相同，在此不再赘述。由于第一导电层通过刻蚀工艺制备，具有较高的精度控制，通常误差在2微米以内。本实施例中，第一导电层11由氧化铟锡形成。
其次，形成有机发光层9，有机发光层位于像素定义层8的多个开口中。有机发光层9通过蒸镀制备，通常，在OLED显示装置中，包含多种颜色，例如红色、绿色和蓝色。则当显示装置中包含不同的颜色时，需要通过多次蒸镀工艺将不同颜色的有机发光层9形成到相应的像素定义层9的开口中。
其次，形成自显示区域2向驱动电路3延展的第一电极层6(阴极)，第一电极层6通过第一导电层11与驱动电路3电连接。第一电极层6通过蒸镀制备，在显示区中，第一电极层6为整面结构，覆盖整个显示区，并从显示区域2延伸至驱动电路3区域。
最后，进行封装，封装区域4环绕显示区域2和驱动电路3，第一电极层6的边沿位于显示区域2与封装区域4之间。
其中，第一电极层6的边沿延展进入驱动电路3的区域的距离h为驱动电路3的宽度H的30％至40％，远远小于现有技术中的超出的距离。
本实施例中是以顶发光的有机发光显示装置为例的结构，但不以此为限。在其他一些实施例中，还可以是倒置结构的有机发光显示装置，则阴极和阳极的位置互换，即第一电极层和第二电极层的位置可以互换，此处不再赘述。
本发明通过在钝化层5的接触孔上采用面板工艺(Array工艺，包括成膜、曝光、刻蚀、剥离等步骤)先增加一层透明的氧化铟锡，氧化铟锡的宽度刚好能覆盖住接触孔即可。氧化铟锡增加了第一电极层的驱动电路的接触区域和接触效果，克服工艺精度差的问题(面板工艺的边界控制远好于蒸镀工艺，面板工艺中边界的位移量很小)。其它地方在面板工艺中刻蚀掉。由于面板工艺的精度非常高，所以不需要留很宽的距离来考虑第一电极层6覆盖的问题，无需在封装区域4与显示区域2之间留很大的距离，同时第一电极层6的边界也可以适当的缩小。
第二实施例
第二实施例与第一实施例的不同之处在于，第二实施例中在形成第一导电层的同时，在显示区域的像素定义层上形成第二导电层(ITO层)，在OLED发光层的工艺之后，第一电极层覆盖在此第二导电层氧化铟锡层之上，有利于减小第一电极层的电阻，从而进一步降低功耗。
参考图4和7所示，图4为本发明实施例提供的显示装置的俯视图。图7为图4中沿F-F方向的本发明第二实施例的显示装置的剖面示意图。图7中的A部分表示显示区域2、驱动电路3与封装区域4之间的剖面示意图；B部分表示显示区域2的剖面示意图。
本发明实施例二的一种显示装置10为AMOLED显示装置，本实施例中以底栅结构的TFT背板为例(即栅极在下、半导体层在上)，包括：基板1，形成于基板1上的显示区域2、驱动电路3、封装区域4、钝化层5、第一导电层11以及显示元件。
驱动电路3形成于显示区域2的周围。驱动电路3可以是栅极驱动电路3、发光控制驱动电路3、数据驱动电路3的一种，但不以此为限。封装区域4环绕显示区域2，本实施例中，第一电极层6的边沿位于显示区域2与封装区域4之间。与前述实施例相似，本实施例中，第一电极层6可以是阴极，然而在本实施例中仅是以阴极为例进行说明，则对应的第二电极层可以是阳极，但不以此为限。在本发明的其他实施例中，可以是倒置结构的发光显示装置，则第一电极层6是阳极，第二电极层是阴极。钝化层5覆盖驱动电路3，钝化层5包括暴露驱动电路3的接触孔。第一导电层11覆盖钝化层5，通过接触孔接触驱动电路3。第一导电层11具有朝向显示区域2延展的内沿部分和背离显示区域2延展的外沿部分。本实施例中，第一导电层11是氧化铟锡，然而在本实施例中仅是以氧化铟锡为例进行说明，在本发明的其他实施例中，还可以是其他材料，只要能够实现导电功能，即可作为第一导电层，例如可以是金属导电层，但不以此为限。
显示元件形成于显示区域2，显示元件包括第一电极层6(阴极)、有机发光层9、第二导电层14、像素定义层8以及驱动元件层7。其中驱动元件层7包括TFT元件、第二电极层等器件。并且第二电极层位于驱动元件层7的最靠近有机发光层9的一侧。第一电极层6、有机发光层9和第二电极层构成发光器件，当第一电极层6和第二电极层被施加驱动电压时，驱动有机发光层9发光。。像素定义层8包含多个开口，有机发光层9位于像素定义层8的多个开口中。像素定义层8与钝化层5同层且同质，在制备过程中在同一层制备得到，不用添加额外的工序，但不以此为限。第一电极层6形成于有机发光层9和像素定义层8之上。第一电极层6自显示区域2向驱动电路3延展。第一电极层6通过第一导电层11与驱动电路3电连接。第一电极层6覆盖第一导电层11的内沿部分。第二导电层14形成于像素定义层8与第一电极层6之间。第二导电层14与第一导电层11同层且同质，有利于减少制程工序，但不以此为限。由于增加了第二导电层14，在显示区，等同于增加了第一电极层6的厚度，使得第一电极层6的厚度相比现有技术的第一电极层更厚，例如可以为500埃，但不以此为限。与现有技术中阴极6’的厚度为150埃对比可知，阴极厚度增加的情况下的功耗要比阴极厚度薄的要省21％左右。
如图8所示，图8为本发明第二实施例的显示装置的制造方法的流程图。本实施例提供的制造方法与图6提供的制造方法中，相同的步骤将进行简要描述，其详细步骤请参考图6提供的制造方法的相关描述，在此，仅就其不同部分进行详细描述。结合参考图7和图8，制造第二实施例中的显示装置的制造方法，包括以下步骤：
首先，提供一基板1，包括显示区域2。
其次，在基板1上形成驱动电路3和驱动元件层7，其中驱动元件层包括TFT器件和第二电极层，第二电极层位于显示区域2内，驱动电路3位于显示区域2周围。
其次，在驱动电路3上形成钝化层5，并且在第二电极层上形成像素定义层8，像素定义层8包含多个开口。
其次，在钝化层5上形成第一导电层11，覆盖钝化层5，并且通过过孔工艺接触驱动电路3；在显示区域的像素定义层上形成一第二导电层14，第二导电层与第一导电层同层且同质。第二导电层包含多个开口，并且第二导电层14的开口与像素定义层8的开口轮廓相同。第二导电层14与第一导电层11同层制备，在刻蚀过程中保留显示区域2中像素定义层8上的导电材料。
其次，形成有机发光层9，有机发光层9位于像素定义层8即第二导电层14的多个开口中。
其次，形成自显示区域2向驱动电路3延展的第一电极层6，第一电极层6通过第一导电层11与驱动电路3电连接。
最后，进行封装，封装区域4环绕显示区域2和驱动电路3，第一电极层6的边沿位于显示区域2与封装区域4之间。
其中，第一电极层6的边沿延展进入驱动电路3的区域的距离h为驱动电路3的宽度H的30％至40％，远远小于现有技术中的超出的距离。
本发明不但可以通过在钝化层5的接触孔上采用面板工艺(Array工艺，包括成膜、曝光、刻蚀、剥离等步骤)先增加一层透明的氧化铟锡，氧化铟锡的宽度刚好能覆盖住接触孔即可。氧化铟锡增加了阴极的驱动电路的接触区域和接触效果，克服工艺精度差的问题。其它地方在面板工艺中刻蚀掉。由于面板工艺的精度非常高，所以不需要留很宽的距离来考虑第一电极层6覆盖的问题，无需在封装区域4与显示区域2之间留很大的距离，同时第一电极层6的边界也可以适当的缩小。而且还可以通过在显示区域2形成与第一导电层11同层且同质的第二导电层14来进一步减小第一电极层6的电阻，从而降低显示装置的功耗。
第三实施例
第三实施例与第一实施例的不同之处在于，第一实施例中的阴极覆盖第一导电层之上，而第三实施例中的第一导电层覆盖阴极之上。
参考图4和9所示，图4为本发明实施例的显示装置的俯视图。图9为图4中沿F-F方向的本发明第三实施例的显示装置的剖面示意图。图9中的A部分表示显示区域2、驱动电路3与封装区域4之间的剖面示意图；B部分表示显示区域2的剖面示意图。第一导电层11具有朝向显示区域2延展的内沿部分和背离显示区域2延展的外沿部分，第一导电层11的内沿部分覆盖第一电极层6的边沿。第一导电层11的内沿部分和及第一电极层6的边沿均位于驱动电路3与显示区域2之间，但不以此为限。其他技术特征均与第一实施例相同，此处不再赘述。
并且，和本发明图7提供的实施例相似的，本实施例的显示区也可以包含第二导电层，并且本实施例的第二导电层由于位于第一电极层之上，第一电极层在显示区域为整面覆盖结构，本实施例提供的第二导电层也为整面覆盖结构，在显示区域整面覆盖在第一电极层之上，以此降低第一电极层的电阻，降低显示功耗。
本实施例中，第一导电层可以通过刻蚀工艺制备。由于在有机发光显示装置制备过程中，第一电极层和有机发光层需要通过蒸镀制备，而其他器件层则可以通过刻蚀金属层或非金属层制备。通常蒸镀过程的工艺偏差大，而刻蚀过程则较为精细，偏差在2微米以内。第一导电层通过刻蚀工艺制备，不会出现很大的误差，突破了现有技术中，需要预留较宽的第一电极接触区域的限制。避免需要第一电极层6直接连接钝化层5最外围的接触孔，可以减小驱动电路3区域的宽度，促进边框窄化。并且，在本发明的其他实施例中，在显示区还可以包括覆盖在第一电极层之上的第二导电层，第二导电层和第一导电层同层且同质，第二导电层的设置可以相当于将第一电极层加厚，以此降低第一电极层的电阻，减小显示装置的功耗。
如图10所示，图10为本发明第三实施例的显示装置的制造方法的流程图。本实施例提供的制造方法与图6提供的制造方法中，相同的步骤将进行简要描述，其详细步骤请参考图6提供的制造方法的相关描述，在此，仅就其不同部分进行详细描述。
结合参考图9和图10，制造第三实施例中的显示装置的制造方法，包括以下步骤：
首先，提供一基板1，包括显示区域2。
其次，在基板1上形成驱动电路3和驱动元件层7，其中驱动元件层包括TFT器件和第二电极层，第二电极层位于显示区域2内，驱动电路3位于显示区域2周围。
其次，在驱动电路3上形成钝化层5，并且在第二电极层上形成像素定义层8和有机发光层9，像素定义层8包含多个开口，有机发光层9位于像素定义层8的多个开口中。
其次，形成自显示区域2向驱动电路3延展的第一电极层6。以及
其次，在钝化层5上形成第一导电层11，覆盖钝化层5和第一电极层6，第一导电层11通过过孔工艺接触驱动电路3，第一电极层6通过第一导电层11与驱动电路3电连接。本实施例中，第一导电层11也与本发明其他实施例中相同，也采用阵列工艺中的刻蚀工艺制备，可以提到工艺精度，保证了第一电极层6和驱动电路3的连接精度。最后，进行封装，封装区域4环绕显示区域2和驱动电路3，第一电极层6的边沿位于显示区域2与封装区域4之间。
第三实施例中交换了第一导电层与阴极的制成顺序，使得第一导电层可以覆盖阴极之上，使得第一电极层6的边沿延展可以不进入驱动电路3的区域，更有利于减小封装区域4与显示区域2之间。
第四实施例
本发明第四实施例提供了一种显示设备，该显示设备包括但不限于上述任一实施例的显示装置。具体地，该显示设备包括一显示装置，其中，该显示装置包括：基板，包括显示区域；驱动电路，形成于显示区域的周围；钝化层，覆盖驱动电路，该钝化层包括暴露所述驱动电路的接触孔；第一导电层，覆盖钝化层，通过接触孔接触驱动电路；以及显示元件，形成于显示区域，显示元件具有自显示区域向驱动电路延展的第一电极层，第一电极层通过第一导电层与驱动电路电连接。
综上可知，本发明的显示装置、制造方法及显示设备缩短了封装区域与显示区域之间的距离，以便减小边框的宽度，实现窄边框结构。
以上对本发明的具体实施例进行了描述。需要理解的是，本发明并不局限于上述特定实施方式，本领域技术人员可以在权利要求的范围内做出各种变形或修改，这并不影响本发明的实质内容。
Claims (14)
1.一种显示装置，其特征在于，包括：
基板，包括显示区域；
驱动电路，形成于所述显示区域的周围；
钝化层，覆盖所述驱动电路，所述钝化层包括暴露所述驱动电路的接触孔；
第一导电层，覆盖所述钝化层，通过所述接触孔接触所述驱动电路；以及
显示元件，形成于所述显示区域，所述显示元件具有自所述显示区域向所述驱动电路延展的第一电极层，所述第一电极层通过所述第一导电层与所述驱动电路电连接；
所述显示元件还包括：第二电极层、有机发光层、像素定义层以及第二导电层；
所述像素定义层包含多个开口，所述有机发光层位于所述像素定义层的所述多个开口中；所述第二电极层位于所述基板和所述有机发光层之间；
所述第一电极层形成于所述有机发光层和像素定义层之上；
所述第二导电层形成于所述像素定义层与所述第一电极层之间，所述第二导电层与所述第一导电层同层且同质；
所述第一导电层以及所述第一电极层的边沿均位于所述驱动电路的区域之内，或者，
所述第一导电层的内沿部分和及所述第一电极层的边沿均位于所述驱动电路与所述显示区域之间；
所述第二导电层不与所述第一导电层直接接触。
2.如权利要求1所述的显示装置，其特征在于：所述基板还包括环绕所述显示区域的封装区域，所述第一电极层的边沿位于所述显示区域与所述封装区域之间。
3.如权利要求1或2所述的显示装置，其特征在于：所述第一导电层具有朝向所述显示区域延展的内沿部分和背离所述显示区域延展的外沿部分，所述第一电极层覆盖所述第一导电层的内沿部分。
4.如权利要求3所述的显示装置，其特征在于：所述第一电极层的边沿延展进入所述驱动电路的区域的距离为所述驱动电路的宽度的30％至40％。
5.如权利要求1所述的显示装置，其特征在于：所述第一导电层的材料为氧化铟锡或者金属。
6.如权利要求1所述的显示装置，其特征在于：所述像素定义层与所述钝化层同层且同质。
7.如权利要求1所述的显示装置，其特征在于：所述第二导电层包含多个开口，所述开口暴露所述像素定义层中的所述有机发光层。
8.如权利要求1或2所述的显示装置，其特征在于：所述第一导电层具有朝向所述显示区域延展的内沿部分和背离所述显示区域延展的外沿部分，所述第一导电层的内沿部分覆盖所述第一电极层的边沿。
9.如权利要求1所述的显示装置，其特征在于：所述第一电极层的厚度为500埃。
10.如权利要求1所述的显示装置，其特征在于：所述驱动电路是栅极驱动电路、发光控制驱动电路、数据驱动电路的一种。
11.一种显示设备，包括如权利要求1至10中任意一项所述的显示装置。
12.一种显示装置的制造方法，其特征在于，包括：
提供一基板，包括显示区域；
在所述基板上形成驱动电路和第二电极层，所述第二电极层位于所述显示区域内，所述驱动电路位于所述显示区域周围；
在所述驱动电路上形成钝化层，并且在所述第二电极层上形成像素定义层，所述像素定义层包含多个开口；
在所述钝化层上形成第一导电层和第二导电层，所述第一导电层覆盖所述钝化层，并且通过过孔工艺接触所述驱动电路，所述第二导电层形成于所述像素定义层之上；
形成有机发光层，所述有机发光层位于像素定义层的多个开口中；以及
形成自所述显示区域向所述驱动电路延展的第一电极层，所述第一电极层通过所述第一导电层与所述驱动电路电连接，且所述第一电极层覆盖所述第二导电层，所述第一导电层以及所述第一电极层的边沿均位于所述驱动电路的区域之内，或者所述第一导电层的内沿部分和及所述第一电极层的边沿均位于所述驱动电路与所述显示区域之间，所述第二导电层不与所述第一导电层直接接触。
13.如权利要求12所述的显示装置的制造方法，其特征在于：所述形成自所述显示区域向所述驱动电路延展的第一电极层之后还包括；
进行封装，封装区域环绕所述显示区域和驱动电路，所述第一电极层的边沿位于所述显示区域与所述封装区域之间。
14.一种显示装置的制造方法，其特征在于，包括：
提供一基板，包括显示区域；
在所述基板上形成驱动电路和第二电极层，所述第二电极层位于所述显示区域内，所述驱动电路位于所述显示区域周围；
在所述驱动电路上形成钝化层，并且在所述第二电极层上形成像素定义层和有机发光层，所述像素定义层包含多个开口，所述有机发光层位于所述像素定义层的所述多个开口中；
形成自所述显示区域向所述驱动电路延展的第一电极层；以及
在所述钝化层上形成第一导电层和第二导电层，覆盖所述钝化层和第一电极层，所述第一导电层通过过孔工艺接触所述驱动电路，所述第一电极层通过所述第一导电层与所述驱动电路电连接，且所述第二导电层覆盖所述第一电极层，所述第一导电层以及所述第一电极层的边沿均位于所述驱动电路的区域之内，或者所述第一导电层的内沿部分和及所述第一电极层的边沿均位于所述驱动电路与所述显示区域之间，所述第二导电层不与所述第一导电层直接接触。
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Legal Events
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|---|---|---|---|
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| PB01 | Publication | ||
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| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
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| GR01 | Patent grant | ||
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| TR01 | Transfer of patent right |