KR102096800B1 - 유기발광표시장치의 제조방법 - Google Patents
유기발광표시장치의 제조방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR102096800B1 KR102096800B1 KR1020130144212A KR20130144212A KR102096800B1 KR 102096800 B1 KR102096800 B1 KR 102096800B1 KR 1020130144212 A KR1020130144212 A KR 1020130144212A KR 20130144212 A KR20130144212 A KR 20130144212A KR 102096800 B1 KR102096800 B1 KR 102096800B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- light emitting
- organic light
- pad
- display device
- moisture
- Prior art date
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 29
- 239000010408 film Substances 0.000 claims abstract description 82
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 67
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 35
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract description 22
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 claims description 30
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 28
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 16
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims description 15
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims description 10
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical group [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 claims description 9
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 238000009413 insulation Methods 0.000 claims description 8
- 229910017109 AlON Inorganic materials 0.000 claims description 7
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 229910052593 corundum Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 229910001845 yogo sapphire Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 6
- 229910016027 MoTi Inorganic materials 0.000 claims 3
- 229910004205 SiNX Inorganic materials 0.000 claims 2
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 claims 2
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 claims 2
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims 2
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 claims 2
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 claims 2
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 claims 2
- 230000008569 process Effects 0.000 abstract description 24
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 3
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 90
- -1 SiNx Inorganic materials 0.000 description 12
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 12
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 8
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 8
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 8
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 8
- 239000004743 Polypropylene Substances 0.000 description 7
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 7
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 7
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 7
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 6
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 5
- 238000000623 plasma-assisted chemical vapour deposition Methods 0.000 description 5
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 4
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 4
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 4
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 4
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 3
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 3
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 3
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 3
- 239000000178 monomer Substances 0.000 description 3
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 3
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 3
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 3
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 3
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 3
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910000881 Cu alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- UEXCJVNBTNXOEH-UHFFFAOYSA-N Ethynylbenzene Chemical group C#CC1=CC=CC=C1 UEXCJVNBTNXOEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N benzocyclobutene Chemical compound C1=CC=C2CCC2=C1 UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000005281 excited state Effects 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 2
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 description 2
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 2
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 2
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 2
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 2
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 2
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 2
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M Acrylate Chemical compound [O-]C(=O)C=C NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 1
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GTDPSWPPOUPBNX-UHFFFAOYSA-N ac1mqpva Chemical compound CC12C(=O)OC(=O)C1(C)C1(C)C2(C)C(=O)OC1=O GTDPSWPPOUPBNX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 150000001336 alkenes Chemical class 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 1
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 210000003298 dental enamel Anatomy 0.000 description 1
- 150000004985 diamines Chemical class 0.000 description 1
- KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N disiloxane Chemical class [SiH3]O[SiH3] KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 230000005283 ground state Effects 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- JRZJOMJEPLMPRA-UHFFFAOYSA-N olefin Natural products CCCCCCCC=C JRZJOMJEPLMPRA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 1
- 229920000052 poly(p-xylylene) Polymers 0.000 description 1
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 1
- 229920001155 polypropylene Polymers 0.000 description 1
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/131—Interconnections, e.g. wiring lines or terminals
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K50/841—Self-supporting sealing arrangements
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K50/844—Encapsulations
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/805—Electrodes
- H10K50/82—Cathodes
- H10K50/828—Transparent cathodes, e.g. comprising thin metal layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K50/842—Containers
- H10K50/8426—Peripheral sealing arrangements, e.g. adhesives, sealants
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/805—Electrodes
- H10K59/8052—Cathodes
- H10K59/80524—Transparent cathodes, e.g. comprising thin metal layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/87—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K59/873—Encapsulations
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
본 발명에 따른 유기발광표시장치의 제조방법은 표시부 및 비표시부를 구비하는 제1 기판을 제공하는 단계, 제1 기판 상의 표시부에 박막 트랜지스터와 유기발광다이오드를 형성하고, 상기 비표시부에 위치하며 상기 박막트랜지스터와 전기적으로 연결되는 패드 컨택부 및 상기 패드 컨택부 사이에 배치된 패드 절연부를 포함하는 패드부를 형성하는 단계, 상기 제1 기판의 전면에 투습 방지 절연막을 형성하는 단계, 상기 표시부에 대응하여 인캡기판을 상기 투습 방지 절연막 상부에 부착하는 단계, 및 레이저를 이용하여, 패드 컨택부에 형성된 투습 방지 절연막을 제거하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하여, 레이저를 이용하여 기판 상에 형성된 투습 방지 절연막을 선택적으로 제거할 수 있어 별도의 마스크 공정 없이 투습 방지 절연막을 형성할 수 있는 효과가 있다.
Description
본 발명은 유기발광표시장치의 제조방법에 관한 것으로서, 보다 구체적으로는 공정의 효율성이 향상된 유기발광표시장치의 제조방법에 관한 것이다.
최근, 정보화 사회로 시대가 발전함에 따라 박형화, 경량화, 저 소비전력화 등의 우수한 특성을 가지는 평판 표시 장치의 중요성이 증대되고 있다. 평판 표시 장치 중 박막 트랜지스터를 포함하는 액정표시장치 및 유기 발광표시장치는 해상도, 컬러 표시, 화질 등에서 우수하여 텔레비전, 노트북, 테블릿 컴퓨터, 또는 데스크 탑 컴퓨터의 표시 장치로 널리 상용화되고 있다. 특히, 유기발광표시장치는 고속의 응답속도를 가지며, 소비 전력이 낮고, 자체 발광이므로 시야각에 문제가 없어 차세대 평판표시장치로 주목 받고 있다.
특히, 제조공정이 단순하기 때문에 생산원가를 기존의 액정표시장치 보다 많이 절감할 수 있다는 장점이 있다.
유기발광표시장치는 자체 발광을 위해 유기발광다이오드(OLED)를 가진다. 유기발광다이오드(OLED)는 애노드 전극과 캐소드 전극 사이에 형성된 유기 화합물층을 구비한다. 유기 화합물층은 정공주입층(Hole Injection layer), 정공수송층(Hole Transport layer), 발광층(Emission layer), 전자수송층(Electron transport layer) 및 전자주입층(Electron Injection layer)을 포함한다. 애노드 전극과 캐소드 전극에 구동전압이 인가되면 정공수송층(HTL)을 통과한 정공과 전자수송층(ETL)을 통과한 전자가 발광층(EML)에서 결합되어 여기자를 형성하고, 이 여기자가 여기 상태로부터 기저 상태로 떨어지면서 가시광을 발생하게 된다.
이러한 유기발광다이오드(OLED)는 공기 중의 수분과 산소에 매우 취약한 특성을 갖는다. 따라서, 유기발광표시장치의 제조 과정에서는 유기발광다이오드(OLED)에 수분 및 산소가 침투하지 못하도록 기판 상에 투습 방지 절연막을 형성하는 공정이 요구된다.
도 1은 종래 기술에 따른 유기발광표시장치의 투습 방지 절연막을 형성하는 제조방법을 개략적으로 도시한 도면이다.
도 1을 참조하면, 종래 기술에 따른 유기발광표시장치는 박막 트랜지스터(TFT) 및 유기발광다이오드(OLED)가 형성된 기판(10) 상에 스퍼터링(sputtering)과 같은 PVD(Physical Vapor Deposition) 공정 또는, PECVD(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition) 공정으로 무기물을 증착하여 투습 방지 절연막(14)을 형성한다.
투습 방지 절연막(14)은 유기발광다이오드(OLED)를 포함한 표시부(AA)를 충분히 덮도록 형성된다. 다만, 투습 방지 절연막(14)은 드라이버 IC(Integrated Circuit)나 FPC(Flexible Printed Circuit)가 접촉될 패드부(PA)가 형성되는 비표시부(NA)에는 형성되지 말아야 한다.
이를 위해, 투습 방지 절연막(14)의 형성 시에는, 비표시부(NA)에 투습 방지 절연막(14)이 증착되는 것을 막기 위한 마스크(15)가 반드시 필요하다.
이와 같은 종래 기술에 따른 유기발광표시장치의 투습 방지 절연막(14)을 형성하는 제조방법은 다음과 같은 문제점이 있다.
첫째, 마스크 섀도우(mask shadow) 발생에 따른 투습 방지 절연막(14)의 균일성이 저하되는 문제점이 있다.
둘째, 마스크(15)의 들뜸 또는 마스크(15)의 미스 얼라인에 따른 침투 성막 불량이 발생한다는 문제점이 있다.
셋째, 마스크(15)의 사용에 따라 고가의 미세 얼라인 시스템(fine align system), 마스크(15) 및 운용장비 개발과 제작에 따른 많은 비용이 소요된다는 문제점이 있다.
넷째, 마스크(15) 사용에 따라 PECVD 챔버 체적 증가 및 부대 장비에 따른 많은 비용이 소요된다는 문제점이 있다.
본 발명은 전술한 종래의 문제점을 해결하기 위해 고안된 것으로서, 본 발명은 마스크를 이용하지 않고 유기발광다이오드(OLED) 상에 투습 방지 절연막을 형성할 수 있어 마스크 공정으로 인한 공정비용 절감 및 공정의 효율성을 향상시킬 수 있는 유기발광표시장치의 제조방법을 제공하는데 그 목적이 있다.
본 발명은 상기 목적을 달성하기 위해서, 표시부 및 비표시부를 구비하는 제1 기판을 제공하는 단계, 제1 기판 상의 표시부에 박막 트랜지스터와 유기발광다이오드를 형성하고, 상기 비표시부에 위치하며 상기 박막트랜지스터와 전기적으로 연결되는 패드 컨택부 및 상기 패드 컨택부 사이에 배치된 패드 절연부를 포함하는 패드부를 형성하는 단계, 상기 제1 기판의 전면에 투습 방지 절연막을 형성하는 단계, 상기 표시부에 대응하여 인캡기판을 상기 투습 방지 절연막 상부에 부착하는 단계, 및 레이저를 이용하여, 패드 컨택부에 형성된 투습 방지 절연막을 제거하는 단계를 포함하는 유기발광표시장치의 제조방법을 제공한다.
본 발명의 다른 특징에 의하면, 상기 패드 컨택부는, 상기 제1 기판 상에 형성된 패드전극, 상기 배선층 상에 형성된 보호막, 상기 보호막 상에 형성된 투명전극층, 및 상기 투명전극층 상에 형성된 투습 방지 절연막을 포함할 수 있다.
본 발명의 다른 특징에 의하면, 상기 투명전극층은 ITO(Indium-tin oxide) 물질로 이루어진다.
본 발명의 다른 특징에 의하면, 상기 투명전극층은 몰리티타늄(MoTi)물질, 및 상기 몰리티타늄(MoTi)물질 상에 형성된 ITO(Indium-tin oxide)물질로 이루어진다.
본 발명의 다른 특징에 의하면, 상기 투습 방지 절연막은 SiON, SiNx, SiO2, Al2O3, AlON 등 투명 무기절연막으로서, 이 중 선택된 하나 혹은 다층으로 이루어진다.
본 발명의 다른 특징에 의하면, 상기 레이저는 deep UV 파장의 엑시머 레이저(excimer laser)를 이용하는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 다른 특징에 의하면, 상기 deep UV 파장은 100nm 내지 300nm의 파장대인 것을 특징으로 한다.
본 발명의 다른 특징에 의하면, 패드 절연막은 SiON, SiNx, SiO2, Al2O3, AlON 등 투명 무기절연막으로서, 이 중 선택된 하나 혹은 다층으로 이루어진다.
본 발명의 다른 특징에 의하면, 상기 투습 방지 절연막은 상기 투습 방지 절연막은 하부에 ITO, MoTi와 같은 Metal이 존재하지 않으면 상기 레이저에 의해 제거되지 않는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 다른 특징에 의하면, 상기 투명전극층은 상기 레이저에 의해 제거되지 않는 것을 특징으로 한다.
위에서 언급된 본 발명의 기술적 과제 외에도, 본 발명의 다른 특징 및 이점들이 이하에서 기술되거나, 그러한 기술 및 설명으로부터 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
이상과 같은 본 발명에 따르면 다음과 같은 효과가 있다.
본 발명은 레이저를 이용하여 기판 상에 형성된 투습 방지 절연막을 선택적으로 제거할 수 있어 별도의 마스크 공정 없이 투습 방지 절연막을 형성할 수 있는 효과가 있다.
이를 통해, 본 발명은 마스크의 들뜸 또는 마스크의 미스 얼라인에 따른 침투 성막 불량이 발생한다는 문제점을 개선할 수 있다.
또한, 마스크의 사용에 따라 고가의 미세 얼라인 시스템(fine align system), 마스크 및 운용장비 개발과 제작에 따른 많은 비용이 소요된다는 문제점을 개선할 수 있다.
또한, 마스크 사용에 따라 PECVD 챔버 체적 증가 및 부대 장비에 따른 많은 비용이 소요된다는 문제점을 개선할 수 있다.
또한, 레이저를 이용하여 패드부에 형성된 투습 방지 절연막을 제거함에 따라, 마스크 새도우가 발생하지 않아 투습 방지 절연막의 균일성을 향상시킬 수 있다.
이 밖에도, 본 발명의 실시 예들을 통해 본 발명의 또 다른 특징 및 이점들이 새롭게 파악될 수도 있을 것이다.
도 1은 종래 기술에 따른 유기발광표시장치의 투습 방지 절연막을 형성하는 제조방법을 개략적으로 도시한 도면.
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 유기발광표시장치의 개략적인 단면도.
도 3은 본 발명의 실시예에 따른 패드부(PA)를 포함하는 유기발광표시장치의 대략적인 평면도.
도 4는 본 발명의 실시예에 따른 패드부를 나타내는 개략적인 단면도.
도 5a는 SiON, SiNx, MoTi, ITO물질이 레이저 파장(nm)에 따른 흡수율을 나타내는 도면.
도 5b는 MoTi/ITO/SiON 또는 MoTi/ITO/SiNx가 차례로 적층된 곳에 레이저(300) 조사 시 레이저(300) 파장(nm)에 따른 흡수율을 나타내는 도면.
도 6a 내지 도 6e은 본 발명의 일 실시예에 따른 유기발광표시장치의 개략적인 제조 공정도.
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 유기발광표시장치의 개략적인 단면도.
도 3은 본 발명의 실시예에 따른 패드부(PA)를 포함하는 유기발광표시장치의 대략적인 평면도.
도 4는 본 발명의 실시예에 따른 패드부를 나타내는 개략적인 단면도.
도 5a는 SiON, SiNx, MoTi, ITO물질이 레이저 파장(nm)에 따른 흡수율을 나타내는 도면.
도 5b는 MoTi/ITO/SiON 또는 MoTi/ITO/SiNx가 차례로 적층된 곳에 레이저(300) 조사 시 레이저(300) 파장(nm)에 따른 흡수율을 나타내는 도면.
도 6a 내지 도 6e은 본 발명의 일 실시예에 따른 유기발광표시장치의 개략적인 제조 공정도.
본 명세서에서 각 도면의 구성요소들에 참조번호를 부가함에 있어서 동일한 구성 요소들에 한해서는 비록 다른 도면상에 표시되더라도 가능한 한 동일한 번호를 가지도록 하고 있음에 유의하여야 한다.
한편, 본 명세서에서 서술되는 용어의 의미는 다음과 같이 이해되어야 할 것이다.
단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 정의하지 않는 한 복수의 표현을 포함하는 것으로 이해되어야 하고, "제1", "제 2" 등의 용어는 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하기 위한 것으로, 이들 용어들에 의해 권리범위가 한정되어서는 아니 된다.
"포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 하나 또는 그 이상의 다른 특징이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.
"적어도 하나"의 용어는 하나 이상의 관련 항목으로부터 제시 가능한 모든 조합을 포함하는 것으로 이해되어야 한다. 예를 들어, "제1 항목, 제 2 항목 및 제 3 항목 중에서 적어도 하나"의 의미는 제1 항목, 제 2 항목 또는 제 3 항목 각각 뿐만 아니라 제1 항목, 제 2 항목 및 제 3 항목 중에서 2개 이상으로부터 제시될 수 있는 모든 항목의 조합을 의미한다.
"상에"라는 용어는 어떤 구성이 다른 구성의 바로 상면에 형성되는 경우뿐만 아니라 이들 구성들 사이에 제3의 구성이 개재되는 경우까지 포함하는 것을 의미한다.
이하, 첨부되는 도면을 참고하여 상기 문제점을 해결하기 위해 고안된 본 발명의 바람직한 실시예들에 대해 상세히 설명한다.
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 유기발광표시장치의 개략적인 단면도이다.
도 2에서 알 수 있듯이, 본 발명의 실시예에 따른 유기발광표시장치는 박막 트랜지스터(TFT)와 유기발광다이오드(E)가 형성된 제1 기판(100)과, 인캡슐레이션을 위한 인캡기판(200)으로 구성된다.
상기 제1 기판(100)은 화상을 표시하는 표시부(AA)와 표시부(AA)의 가장자리를 두르는 비표시부(NA)로 구분된다
그리고, 상기 표시부(AA)의 기판(100) 상에는 박막 트랜지스터(TFT)가 형성되는데, 상기 박막 트랜지스터(TFT)는 액티브층(101), 게이트 절연막(102), 게이트 전극(103), 층간 절연막(104), 소스 전극(105a) 및 드레인 전극(105b)으로 구성된다.
상기 액티브층(101)은 실리콘으로 이루어지며 그 중앙부에는 채널을 이루는 액티브영역(101a), 액티브영역(101a) 양 측면으로 고농도의 불순물이 도핑된 소스 및 드레인영역(101b, 101c)으로 구성된다.
이러한 액티브층(101) 상부에는 게이트 절연막(102)이 형성되어 있다.
상기 게이트 절연막(102) 상부로는 액티브층(101)의 액티브영역(101a)에 대응하여 게이트 전극(103)과 도면에 나타내지 않았지만 일방향으로 연장하는 게이트 배선이 형성되어 있다.
또한, 게이트 전극(103)과 게이트 배선(미도시) 상부 전면에 층간 절연막(104)이 형성되어 있으며, 이때 층간 절연막(104)과 그 하부의 게이트 절연막(102)은 액티브영역(101a) 양측면에 위치한 소스 및 드레인영역(101b, 101c)을 각각 노출시키는 컨택홀을 구비하고 있다.
다음으로, 상기 컨택홀을 포함하는 층간 절연막(104) 상부로는 서로 이격하며 상기 컨택홀을 통해 노출된 소스 및 드레인영역(101b, 101c)과 각각 접촉하는 소스 및 드레인 전극(105a, 105b)가 형성되어 있다.
그리고, 상기 소스 및 드레인 전극(105a, 105b)과 두 전극(105a, 105b) 사이로 노출된 층간 절연막(104) 상부로 소스 전극(105a)을 노출시키는 소스 컨택홀을 갖는 보호막(110)이 형성되어 있다.
한편, 도시하지는 않았지만, 게이트 배선과 교차하여 표시부(AA)를 정의하는 데이터 배선이 형성되어 있다.
그리고, 상기 제1 기판(100)의 외곽의 비표시부(NA)에는, 외부전원(미도시)으로부터 박막 트랜지스터(TFT) 및 유기발광다이오드(E)에 신호전압을 인가하는 위한 패드전극(PAD)이 형성된 패드부(PA)가 구비된다.
또한, 상기 박막 트랜지스터(TFT)의 소스 전극(105a)과 연결되며, 보호막(110) 상부의 실질적으로 화상을 표시하는 영역에는 양극(anode)을 이루는 제1 전극(131)이 형성되어 있다.
상기 제1 전극(131) 상부에 유기발광층(135)이 형성되어 있다.
또한, 이러한 제1 전극(131) 사이에는 뱅크층(120)이 형성되어 있어, 상기 유기발광층(135)을 구분할 수 있다.
이때, 상기 유기발광층(135)는 발광물질로 이루어진 단일층으로 구성될 수도 있으며, 발광 효율을 높이기 위해 정공주입층(Hole Injection layer), 정공수송층(Hole Transport layer), 발광층(Emission layer), 전자수송층(Electron transport layer) 및 전자주입층(Electron Injection layer)의 다중층으로 구성될 수도 있다.
이러한 유기발광층(135)는 적(R), 녹(G), 청(B)의 색을 표현하게 되는데, 일반적인 방법으로는 각 화소영역마다 적(R), 녹(G), 청(B)색을 발광하는 별도의 유기물질을 패턴하여 사용한다.
그리고, 상기 유기발광층(135)의 상부로는 음극(cathode)을 이루는 제2 전극(137)이 형성되어 있다.
이러한 유기발광표시장치는 선택된 색 신호에 따른 제1 전극(131)과 제2 전극(137)으로 소정의 전압이 인가되면, 제1 전극(131)으로부터 주입된 정공과 제2 전극(137)으로부터 제공된 전자가 유기발광층(135)으로 수송되어 엑시톤(exciton)을 이루고, 이러한 엑시톤이 여기상태에서 기저상태로 천이 될 때 빛이 발생되어 가시광선의 형태로 방출된다.
이때, 발광된 빛이 투명한 제1 전극(131)을 통과하여 외부로 나가게 되므로, 유기발광표시장치는 임의의 화상을 구현하게 된다.
그리고, 이러한 박막 트랜지스터(TFT)와 유기발광다이오드(E) 상부에는 얇은 박막필름 형태의 투습 방지 절연막(140)이 형성되며, 상기 투습 방지 절연막(140) 상부에는 인캡기판(200)을 구비하여, 상기 제1 기판(100)과 인캡기판(200)은 접착특성을 갖는 접착층(150)을 통해 서로 이격되어 합착된다.
이를 통해, 유기발광표시장치는 인캡슐레이션(encapsulation)이 된다.
이때, 상기 제1 기판(100)의 비표시부(NA)에 형성된 패드부(PA)는 노출됨으로써, 상기 패드부(PA)의 패드전극(PAD)이 필름 형태의 FPC(미도시)와 전기적으로 접속되어, 외부로부터 FPC(미도시)를 통해 신호가 입력되도록 한다.
한편, 투습 방지 절연막(140)은 외부 습기가 유기발광다이오드(E) 내부로 침투되는 것을 방지하여 상기 제1 기판(100) 상에 형성된 박막 트랜지스터(TFT)와 유기발광다이오드(E)를 보호하는 막으로, 유기발광다이오드(E)를 에워싸며 제1 기판(100) 상에 형성된다.
여기서, 상기 투습 방지 절연막(140)은 SiON, SiNx, SiO2, Al2O3, AlON 등 투명 무기절연막으로서, 이 중 선택된 하나 혹은 다층으로 이루어질 수 있다.
이러한 투습 방지 절연막(140)은 0.1 ~ 10㎛의 두께를 갖도록 형성하는 것이 바람직하다.
그리고, 상기 접착층(150)은 모노머(monomer) 또는 고분자 박막과 같은 유기물질로 이루어진다.
이때, 모노머로는 아크릴레이트 모노머(acrylate monomer), 페닐아세틸렌(phenylacetylene), 디아민(diamine) 및 디안하이드라이드(dianhydride), 실롯한(siloxane), 실란(silane), 파릴렌(parylene) 등이 사용 될 수 있으며, 또한, 고분자 박막으로는 올레핀계 고분자(polyethylene, polypropylene), 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET), 플루오르수지(fluororesin), 폴리실록산(polysiloxane) 등이 사용될 수 있다.
이러한 접착층(150)은 0.1 ~ 100㎛의 두께를 갖도록 형성하는 것이 바람직하다.
한편, 제1 기판(100) 및 인캡기판(200)은 유리, 플라스틱 재질, 스테인리스 스틸(stainless steel) 등을 재료로 하여 형성할 수 있다.
이를 통해, 본 발명의 실시예에 따른 유기발광표시장치는 투습 방지 절연막(140)을 형성함에 있어서, 별도의 증착마스크(미도시)를 필요로 하지 않는다.
즉, 도시하지는 않았지만 본 발명의 실시예에 따른 유기발광표시장치는 상기 제1 기판(100)의 비표시부(NA)에 형성된 패드부(PA)를 노출시키면서 상기 투습 방지 절연막(140)을 형성함에 있어서, 별도의 증착마스크를 이용하는 것이 아니라 레이저를 이용하게 된다.
도 3은 본 발명의 실시예에 따른 패드부(PA)를 포함하는 유기발광표시장치의 대략적인 평면도이고, 도 4는 본 발명의 실시예에 따른 패드부를 나타내는 개략적인 단면도로서, 이는 도 3의 A-B라인의 단면에 해당한다.
도 3을 참조하면, 본 발명의 실시예에 따른 유기발광표시장치는 박막 트랜지스터(TFT)와 유기발광다이오드(E)가 포함된 표시부(AA) 및 패드부(PA)를 포함하는 비표시부(NA)로 구분될 수 있다.
상기 패드부(PA)는 다시 패드전극(PAD)이 포함된 패드 컨택부(PC) 및 상기 패드 컨택부(PC) 사이에 배치된 패드 절연부(PP)로 구분될 수 있다.
상기 패드부(PA)를 보다 구체적으로 살펴보면, 도 4에서 알 수 있듯이, 상기 패드 컨택부(PC)는 패드전극(PAD), 보호막(110), 및 투명전극층(TRD)을 포함하여 이루어지고, 상기 패드 절연부(PP)는 투습 방지 절연막(140)을 포함하여 이루어진다.
상기 패드전극(PAD)는 기판(100) 상에 차례로 적층된 게이트 패드(103P)와 게이트 절연막(140) 상에 형성되면서 상기 게이트 패드(103P)와 연결되는 소스/드레인 물질(105P)을 포함하여 이루어진다.
상기 패드전극(PAD) 상에는 상기 패드전극(PAD)이 일부를 노출시키는 컨택홀을 구비하는 보호막(110)이 형성되어 있다.
상기 투명전극층(TRD)는 상기 보호막(110) 상에 형성되면서 상기 보호막(110)에 구비된 컨택홀을 통해서 상기 패드전극(PAD)과 연결되어 있다.
여기서, 상기 투명전극층(TRD)는 ITO(Indium-tin oxide)물질(137P)로 이루어지거나, 몰리티타늄(MoTi)물질(136P) 및 상기 몰리티타늄(MoTi)물질(136P) 상에 형성된 ITO(Indium-tin oxide)물질(137P)로 이루어진 것을 특징으로 한다.
그리고, 상기 패드 절연부(PP)에 포함된 투습 방지 절연막(140)은 SiON, SiNx, SiO2, Al2O3, AlON 등 투명 무기절연막으로서, 이 중 선택된 하나 혹은 다층으로 이루어질 수 있다.
특히, 상기 패드 컨택부(PC)는 상기 투명전극층(TRD) 상에 투습 방지 절연막(140)이 형성되지 않는다.
상기 패드부(PA)에 레이저(300)를 이용하여 패드 컨택부(PC)에 형성된 투습 방지 절연막(140)만을 선택적으로 제거할 수 있게 된다.
보다 구체적인 설명은 도 5a 및 도 5b를 참조하여 설명하기로 한다.
도 5a 및 도 5b는 선택적 식각을 위한 최적의 레이저 파장대를 설명하기 위한 도면으로, 도 5a는 SiON, SiNx, MoTi, ITO물질이 레이저 파장(nm)에 따른 흡수율을 나타내는 도면이고, 도 5b는 MoTi/ITO/SiON 또는 MoTi/ITO/SiNx가 차례로 적층된 곳에 레이저(300) 조사 시 레이저(300) 파장(nm)에 따른 흡수율을 나타내는 도면이다.
도 5a 및 도 5b에서 알 수 있듯이, 248nm 또는 266nm에서는 SiON 또는 SiNx의 레이저 흡수율이 20% 이상인데 반하여, 355nm 또는 532nm에서는 SiON 또는 SiNx의 레이저 흡수율 현격히 낮아짐을 알 수 있다.
또한, MoTi/ITO의 레이저 흡수율도 SiON 또는 SiNx의 레이저 흡수율에 비해서 높음을 알 수 있다.
즉, MoTi/ITO/SiON 또는 MoTi/ITO/SiNx가 차례로 적층된 패드 컨택부(PC)에 248nm 또는 266nm 파장의 레이저(300)를 조사하면 MoTi/ITO/SiON 또는 MoTi/ITO/SiNx 모두 레이저를 흡수하게 되고, 상대적으로 열에 약한 SiNx, SiON만이 식각되고, 열에 강한 MoTi/ITO로 이루어진 투명전극층(TRD)는 잔존하게 된다.
반면에, SiON, SiNx, SiO2 중 선택된 하나로 이루어진 패드 절연부(PP)는 MoTi/ITO와 같은 금속층이 포함되지 않아서 레이저(300)를 모두 통과하게 됨으로써, 패드 절연부(PP)에 형성된 투습 방지 절연막(140)은 식각되지 않는다.
이에 따라, 레이저(300)을 이용하여 패드 컨택부(PC)에 형성된 투습 방지 절연막(140)만을 선택적으로 제거할 수 있게 된다.
이때, 상기 레이저(300)는 deep UV 파장의 엑시머 레이저(excimer laser)를 이용할 수 있고, 상기 deep UV 파장은 100nm 내지 300nm의 파장대가 바람직하다. 특히, 248nm 파장의 엑시머 레이저를 이용하는 것이 최적일 수 있다.
즉, 본 발명의 실시예에 따른 유기발광표시장치는 레이저(300)을 이용하여 기판(100) 상에 형성된 투습 방지 절연막(140)을 선택적으로 제거할 수 있어, 별도의 증착 마스크 공정 없이 투습 방지 절연막(140)을 형성할 수 있다.
이를 통해, 마스크의 들뜸 또는 마스크의 미스 얼라인에 따른 침투 성막 불량이 발생한다는 문제점을 개선할 수 있다.
또한, 마스크의 사용에 따라 고가의 미세 얼라인 시스템(fine align system), 마스크 및 운용장비 개발과 제작에 따른 많은 비용이 소요된다는 문제점을 개선할 수 있다.
또한, 마스크 사용에 따라 PECVD 챔버 체적 증가 및 부대 장비에 따른 많은 비용이 소요된다는 문제점을 개선할 수 있다.
또한, 레이저(300)를 이용하여 패드부(PA)에 형성된 투습 방지 절연막(140)을 선택적으로 제거함에 따라, 마스크 새도우가 발생하지 않아 투습 방지 절연막(140)의 균일성을 향상시킬 수 있다.
이하, 아래 도 6a 내지 도 6e를 참조하여, 본 발명의 실시예에 따른 유기발광표시장치의 제조방법에 대해 좀더 자세히 설명하기로 한다.
도 6a 내지 도 6e은 본 발명의 일 실시예에 따른 유기발광표시장치의 개략적인 제조 공정도로서, 이는 전술한 도 2에 따른 유기발광표시장치의 제조 공정도에 관한 것이다. 따라서, 동일한 구성에 대해서는 동일한 도면부호를 부여하였고, 동일한 구성에 대한 반복 설명은 생략하기로 한다.
우선, 도 6a에서 알 수 있듯이, 표시부(AA) 및 비표시부(NA)를 구비하는 제1 기판(100) 상에 박막 트랜지스터(TFT)와 패드부(PA) 형성한다. 다음, 상기 박막 트랜지스터(TFT) 상에 유기발광다이오드(E)를 형성한다.
이때, 유기발광표시장치를 생산하는데 있어서 생산성을 높이고자 하나의 큰 기판(100a)을 이용하고, 상기 기판(100a)을 추후 절단하여 하나의 셀 단위의 상기 제1 기판(100, DA)을 완성할 수 있다.
먼저, 상기 기판(100a) 상의 표시부(AA)에 비정질 실리콘을 증착하여 비정질 실리콘층(미도시)을 형성하고, 이에 대해 레이저 빔을 조사하거나 또는 열처리를 실시하여 비정질 실리콘층을 폴리실리콘층(미도시)으로 결정화시킨다.
이후, 마스크 공정을 실시하여 폴리실리콘층(미도시)을 패터닝하여 순수 폴리실리콘 상태의 액티브층(도 2의 101)을 형성한다. 이때 비정질 실리콘층(미도시)을 형성하기 전에 무기절연물질 예를 들어 산화실리콘(SiO2) 또는 질화실리콘(SiNx)을 상기 제1 기판(100)의 전면에 증착함으로써 퍼버층(미도시)을 형성할 수도 있다.
다음으로, 순수 폴리실리콘의 액티브층(101) 위로 산화실리콘(SiO2)을 증착하여 게이트 절연막(도 2의 102)을 형성한다.
다음으로, 게이트 절연막(도 2의 102) 위로 저저항 금속물질 예를 들어 알루미늄(Al), 알루미늄 합금(AlNd), 구리(Cu), 구리합금 중 하나를 증착하여 제 1 금속층(미도시)을 형성하고, 이를 마스크 공정을 진행하여 액티브층(도 2의 101)의 중앙부에 대응하여 게이트 전극(도 2의 103)을 형성한다.
이때, 상기 기판(100a)의 비표시부(NA)에 게이트 전극 물질을 이용하여 게이트 패드(도 4의 103P)를 형성한다.
다음, 게이트 전극(도 2의 103)을 블로킹 마스크로 이용하여 상기 제1 기판(100)의 전면에 불순물 즉, 3가 원소 또는 5가 원소를 도핑함으로써 액티브층(도 2의 101) 중 게이트 전극(도 2의 103) 외측에 위치한 부분에 불순물이 도핑된 소스 및 드레인영역(도 2의 101a, 101c)을 이루도록 하고, 도핑이 방지된 게이트 전극(도 2의 103)에 대응하는 부분은 순수 폴리실리콘의 액티브영역(101a)을 이루도록 한다.
다음, 상기 기판(101a) 전면에 질화실리콘(SiNx) 또는 산화실리콘(SiO2)과 같은 무기절연물질을 증착하여 전면에 층간 절연막(104)을 형성하고, 마스크 공정을 진행하여 상기 소스 및 드레인영역(도 2의 101a, 101c) 및 상기 게이트 패드(도 4의 103P)를 노출시키는 컨택홀을 형성한다.
다음, 상기 층간 절연막(104) 위로 금속물질 예를 들어 알루미늄(Al), 알루미늄 합금(AlNd), 구리(Cu), 구리합금, 크롬(Cr) 및 몰리브덴(Mo) 중 하나를 증착하여 제2 금속층(미도시)을 형성하고, 마스크 공정을 진행하여 패터닝함으로써 컨택홀을 통해 소스 및 드레인영역(도 2의 101a, 101c)과 접촉하는 소스 및 드레인 전극(도 3의 105a, 105b)을 형성한다.
이때, 상기 기판(100a)의 비표시부(NA)에 상기 금속물질을 이용하여 상기 층간 절연막(104) 상에 형성되면서 컨택홀을 통해 상기 게이트 패드(도 4의 103P)와 연결되는 소스/드레인 물질(도 3의 105P)을 형성한다.
다음, 상기 소스 및 드레인 전극(도 3의 105a, 105b)이 형성된 제1 기판(100) 상에 포토아크릴(photo acryl) 또는 벤조사이클로부텐(BCB) 등의 유기절연물질을 도포하고 마스크 공정을 통해 소스 전극(도 3의 105a)을 노출하는 컨택홀을 구비하도록 패터닝함으로써, 보호막(도 2의 110)을 형성한다.
이때, 상기 기판(100a)의 비표시부(NA)에 소스/드레인 물질(도 3의 105P)을 노출시키는 컨택홀을 구비하는 보호막(도 4의 110)을 동시에 형성한다.
다음으로, 상기 보호막(도 4의 110)의 상부로 상기 보호막(도 4의 110)에 구비된 컨택홀을 통해 소스 전극(도 3의 105a)과 접촉하며 유기발광다이오드(E)를 구성하는 일 구성요소로써 양극(anode)을 이루는 제1 전극(도 2의 131)을 형성한다.
다음으로, 제1 전극(도 2의 131)의 상부에 감광성 유기절연 재질 예를 들어 블랙 수지, 그래파이트 파우더(graphite powder), 그라비아 잉크, 블랙 스프레이, 블랙 에나멜 중 하나를 도포하고 이를 패터닝함으로써 제1 전극(도 2의 211) 상부로 뱅크(도 2의 120)를 형성한다.
다음으로, 뱅크(도 2의 120) 상부에 유기발광물질을 도포 또는 증착하여 유기발광층(도 2의 135)을 형성한다.
이때, 도면에 나타나지 않았지만, 유기발광층(도 2의 135)은 발광물질로 이루어진 단일층으로 구성될 수도 있으며, 발광 효율을 높이기 위해 정공주입층(Hole Injection layer), 정공수송층(Hole Transport layer), 발광층(Emission layer), 전자수송층(Electron transport layer) 및 전자주입층(Electron Injection layer)의 다중층으로 구성될 수도 있다.
다음으로, 상기 유기발광층(도 2의 135) 상부에 투명한 도전성 물질인 ITO(Indium-tin oxide)을 증착하여 음극(cathode)을 이루는 제2 전극(도 2의 137)을 형성함으로써, 유기발광다이오드(E)를 완성하게 된다.
또한, 상기 기판(100a)의 비표시부(NA)에 투명전극층(도 4의 TRD)을 형성한다.
상기 투명 전극층(도 4의 TRD)는 상기 보호막(도 4의 110) 상에 ITO(Indium-tin oxide)물질(137P)을 증착하거나, 몰리티타늄(MoTi)물질(136P) 및 상기 몰리티타늄(MoTi)물질(136P) 상에 ITO(Indium-tin oxide)물질(137P)을 증착하고 마스크 공정을 통해 패턴 형성할 수 있다.
다음으로, 도 6b에서 알 수 있듯이, 유기발광디이오드(E)와 패드부(PA)를 포함하는 기판(100a)의 전면에 투습 방지 절연막(140)을 형성한다.
상기 투습 방지 절연막(140)은 SiON, SiNx, SiO2, Al2O3, AlON 등 투명 무기절연막으로서, 이 중 선택된 하나 혹은 다층으로 이루어질 수 있다.
이러한 투습 방지 절연막(140)은 화학기상증착법(CVD)에 의한 기상증착 등에 의해 형성할 수 있는데, 이러한 투습 방지 절연막(140) 형성시 설비의 배치는 독립설비로 운영할 수도 있으나, 전공정 완료 후에 대기 노출 없이 인라인 방식으로 투습 방지 절연막(140) 형성 공정을 진행할 수도 있다.
즉, 유기발광다이오드(E)의 제2 전극(도 2의 137) 증착 후 진공배기 없이 상기 투습 방지 절연막(140)을 증착하면, 상기 투습 방지 절연막(140)이 대기와 접촉하는 것을 차단시킬 수 있으므로, 제조공정에서의 인라인 방식이 유기발광표시장치를 외부 산소나 습기로부터 보호하는 방안이 될 수 있다.
다음으로, 도 6c에서 알 수 있듯이, 일면에 접착층(150)이 구비된 인캡기판(200)을 표시부(AA)에 대응하여 기판(100a)의 투습 방지 절연막(140)과 서로 마주하도록 위치시키고 얼라인을 실시한 후, 인캡기판(200)을 접착층(150)을 통해 상기 투습 방지 절연막(140) 상에 부착한다.
이를 통해, 기판(100a)과 인캡기판(200)은 가합착된다.
이때, 도면에 도시하지는 않았지만, 인캡기판(200)을 기판(100a)의 투습 방지 절연막(140) 상부에 부착하기 전에, 인캡기판(200)과 접착층(150)을 부착하는 공정 및 접착층(150)의 보호필름(미도시)을 제거하는 공정 등 일렬의 공정이 더욱 진행될 수 있다.
여기서, 상기 인캡기판(200)은 유리, 스테인리스 스틸(stainless steel) 등으로 이루어질 수 있다.
다음으로, 도 6d에서 알 수 있듯이, 상기 기판(100a)의 패드부(PA)에 레이저(300)을 주사하여 상기 패드부(PA)에 포함된 패드 컨택부(PC)에 형성된 투습 방지 절연막(140)을 제거한다.
이때, 상기 레이저(300)는 deep UV 파장의 엑시머 레이저(excimer laser)를 이용할 수 있고, 상기 deep UV 파장은 100nm 내지 300nm의 파장대가 바람직하다. 특히, 248nm 파장의 엑시머 레이저를 이용하는 것이 최적일 수 있다.
즉, 본 발명의 실시예에 따른 유기발광표시장치는 레이저(300)을 이용하여 기판(100a) 상에 형성된 투습 방지 절연막(140)을 선택적으로 제거할 수 있어, 별도의 증착 마스크 공정 없이 투습 방지 절연막(140)을 형성할 수 있다.
다음으로, 도 6e에서 알 수 있듯이, 하나의 큰 기판(100a)을 각 단위 어레이패턴(DA) 별로 커팅(cutting)시켜, 셀 단위의 제1 기판(100)을 형성한 후, 접착층(150)과 투습 방지 절연막(140)을 완전히 밀착되도록 가압함으로써, 상기 제1 기판(100)과 인캡기판(200)이 완전히 합착되어 패널 상태를 이루도록 한다.
이를 통해, 박막트랜지스터(TFT)와 유기발광다이오드(E)를 구비한 제1 기판(100)이 투습 방지 절여막(140)과 인캡기판(200)을 통해 인캡슐레이션된 유기발광표시장치를 완성하게 된다.
전술한 바와 같이, 본 발명의 유기발광표시장치는 투습 방지 절연막(140)을 형성함에 있어서, 별도의 마스크 공정 없이 제1 기판(100) 상에 형성된 패드부(PA)에 레이저를 조사함으로써, 상기 패드부(PA) 상에 형성된 투습 방지 절연막(140)을 선택적으로 제거할 수 있다.
이로 인하여, 마스크 사용에 따라 발생할 수 있는 공정 및 제조 비용상의 문제점을 개선할 수 있다.
이상에서 설명한 본 발명이 전술한 실시예 및 첨부된 도면에 한정되지 않으며, 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 여러 가지로 치환, 변형 및 변경이 가능하다는 것은, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 있어 명백할 것이다.
100: 제1 기판 PAD: 패드전극
103p: 게이트 패드 105p: 소스/드레인 물질
104: 게이트 절연막 110: 보호막
TRD: 투명전극층 136p: 몰리티타늄(MoTi)물질
137p: ITO물질 140: 투습 방지 절연막
PA: 패드부 PC: 패드 컨택부
PP: 패트 절연부 300: 레이저
103p: 게이트 패드 105p: 소스/드레인 물질
104: 게이트 절연막 110: 보호막
TRD: 투명전극층 136p: 몰리티타늄(MoTi)물질
137p: ITO물질 140: 투습 방지 절연막
PA: 패드부 PC: 패드 컨택부
PP: 패트 절연부 300: 레이저
Claims (10)
- 표시부 및 비표시부를 구비하는 제1 기판을 제공하는 단계;
제1 기판 상의 표시부에 박막 트랜지스터와 유기발광다이오드를 형성하고, 상기 비표시부에 위치하며 상기 박막트랜지스터와 전기적으로 연결되는 패드 컨택부 및 상기 패드 컨택부 사이에 배치된 패드 절연부를 포함하는 패드부를 형성하는 단계;
상기 제1 기판의 전면에 투습 방지 절연막을 형성하는 단계;
상기 표시부에 대응하여 인캡기판을 상기 투습 방지 절연막 상부에 부착하는 단계; 및
레이저를 이용하여, 상기 패드 컨택부의 투명전극층 상에 형성된 투습 방지 절연막을 제거하는 단계를 포함하는 유기발광표시장치의 제조방법. - 제 1 항에 있어서,
상기 패드 컨택부는,
상기 제1 기판 상에 형성된 패드전극;
상기 패드전극 상에 형성된 보호막; 및
상기 보호막 상에 형성된 상기 투명전극층을 포함하며,
상기 투명전극층은 상기 보호막에 구비된 컨택홀을 통해서 상기 패드전극과 연결된, 유기발광표시장치의 제조방법. - 제 1 항에 있어서,
상기 투명전극층은 ITO(Indium-tin oxide) 물질로 이루어진, 유기발광표시장치의 제조방법. - 제 1 항에 있어서,
상기 투명전극층은 몰리티타늄(MoTi)물질; 및
상기 몰리티타늄(MoTi)물질 상에 형성된 ITO(Indium-tin oxide)물질로 이루어진, 유기발광표시장치의 제조방법. - 제 1 항에 있어서,
상기 투습 방지 절연막은 SiON, SiNx, SiO2, Al2O3, AlON 등 투명 무기절연막으로서, 이 중 선택된 하나 혹은 다층으로 이루어지는 유기발광표시장치의 제조방법. - 제 1 항에 있어서,
상기 레이저는 deep UV 파장의 엑시머 레이저(excimer laser)를 이용하는, 유기발광표시장치의 제조방법. - 제 6 항에 있어서,
상기 deep UV 파장은 100nm 내지 300nm의 파장대인, 유기발광표시장치의 제조방법. - 제 1 항에 있어서,
상기 패드 절연부는 SiON, SiNx, SiO2, Al2O3, AlON 등 투명 무기절연막으로서, 이 중 선택된 하나 혹은 다층으로 이루어지는 유기발광표시장치의 제조방법. - 제 1 항에 있어서,
상기 투습 방지 절연막은 하부에 ITO, MoTi와 같은 Metal을 포함하지 않으면 상기 레이저에 의해 제거되지 않는, 유기발광표시장치의 제조방법. - 제 1 항에 있어서,
상기 투명전극층은 상기 레이저에 의해 제거되지 않는, 유기발광표시장치의 제조방법.
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020130144212A KR102096800B1 (ko) | 2013-11-26 | 2013-11-26 | 유기발광표시장치의 제조방법 |
| US14/554,283 US9343519B2 (en) | 2013-11-26 | 2014-11-26 | Method of manufacturing organic light emitting display device |
| CN201410696585.5A CN104681746B (zh) | 2013-11-26 | 2014-11-26 | 制造有机发光显示装置的方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020130144212A KR102096800B1 (ko) | 2013-11-26 | 2013-11-26 | 유기발광표시장치의 제조방법 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20150061123A KR20150061123A (ko) | 2015-06-04 |
| KR102096800B1 true KR102096800B1 (ko) | 2020-04-06 |
Family
ID=53182998
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020130144212A KR102096800B1 (ko) | 2013-11-26 | 2013-11-26 | 유기발광표시장치의 제조방법 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US9343519B2 (ko) |
| KR (1) | KR102096800B1 (ko) |
| CN (1) | CN104681746B (ko) |
Families Citing this family (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR102411327B1 (ko) * | 2015-01-02 | 2022-06-21 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
| KR102390449B1 (ko) * | 2015-08-19 | 2022-04-26 | 삼성디스플레이 주식회사 | 디스플레이 장치 및 그 제조방법 |
| CN105244365B (zh) * | 2015-11-18 | 2018-09-25 | 上海天马有机发光显示技术有限公司 | 显示装置、制造方法及显示设备 |
| KR102511413B1 (ko) * | 2015-12-15 | 2023-03-16 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
| JP2017152231A (ja) * | 2016-02-25 | 2017-08-31 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 表示装置、表示装置の製造方法 |
| WO2017217703A1 (en) | 2016-06-13 | 2017-12-21 | Seoul Semiconductor Co., Ltd | Display apparatus and manufacturing method thereof |
| CN105957976A (zh) * | 2016-06-15 | 2016-09-21 | 信利（惠州）智能显示有限公司 | 一种柔性oled器件及其制造方法 |
| KR102550693B1 (ko) * | 2016-08-04 | 2023-07-04 | 삼성디스플레이 주식회사 | 플렉시블 디스플레이 장치 및 제조 방법 |
| KR102503745B1 (ko) * | 2017-12-14 | 2023-02-23 | 엘지디스플레이 주식회사 | 전계발광 표시장치 |
| KR20210026931A (ko) * | 2019-09-02 | 2021-03-10 | 엘지디스플레이 주식회사 | 투명 표시장치 |
| KR20210111935A (ko) | 2020-03-03 | 2021-09-14 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
Family Cites Families (17)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7943287B2 (en) * | 2006-07-28 | 2011-05-17 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing display device |
| TWI325638B (en) * | 2007-01-22 | 2010-06-01 | Au Optronics Corp | Method for manufacturing pixel structure |
| KR101570471B1 (ko) * | 2008-09-18 | 2015-11-23 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기발광 표시장치 및 이의 제조 방법 |
| US8329523B2 (en) * | 2009-05-15 | 2012-12-11 | Lg Display Co., Ltd. | Array substrate for dislay device and method of fabricating the same |
| KR20110113042A (ko) * | 2010-04-08 | 2011-10-14 | 엘지디스플레이 주식회사 | 어레이 기판 및 이의 제조방법 |
| KR101811702B1 (ko) * | 2010-10-27 | 2017-12-26 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 디스플레이 장치 및 이의 제조 방법 |
| KR101764272B1 (ko) * | 2010-12-02 | 2017-08-16 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 그 제조방법 |
| KR20120126950A (ko) * | 2011-05-13 | 2012-11-21 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기발광표시장치 및 이의 제조방법 |
| KR101815256B1 (ko) * | 2011-06-28 | 2018-01-08 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기발광표시장치 및 그 제조방법 |
| KR101775503B1 (ko) * | 2011-08-12 | 2017-09-06 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기발광소자 제조방법 |
| KR101837625B1 (ko) * | 2011-11-10 | 2018-03-13 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 |
| KR101920762B1 (ko) * | 2011-12-27 | 2018-11-23 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치의 제조 방법 |
| KR101888447B1 (ko) * | 2012-05-22 | 2018-08-16 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기 전계 발광 표시 패널의 제조 방법 |
| KR101954982B1 (ko) * | 2012-07-10 | 2019-03-08 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 및 표시 장치 제조 방법 |
| KR20140020565A (ko) * | 2012-08-09 | 2014-02-19 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치의 제조방법 |
| KR102000209B1 (ko) * | 2012-11-16 | 2019-07-16 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시장치 및 표시장치의 제조방법 |
| KR102032748B1 (ko) * | 2013-06-28 | 2019-10-16 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기전계 발광소자의 제조 방법 및 그 방법에 의해 제조된 유기전계 발광소자 |
-
2013
- 2013-11-26 KR KR1020130144212A patent/KR102096800B1/ko active IP Right Grant
-
2014
- 2014-11-26 CN CN201410696585.5A patent/CN104681746B/zh active Active
- 2014-11-26 US US14/554,283 patent/US9343519B2/en active Active
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US9343519B2 (en) | 2016-05-17 |
| CN104681746A (zh) | 2015-06-03 |
| US20150147831A1 (en) | 2015-05-28 |
| CN104681746B (zh) | 2017-09-05 |
| KR20150061123A (ko) | 2015-06-04 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR102096800B1 (ko) | 유기발광표시장치의 제조방법 | |
| JP7418862B2 (ja) | タッチ検出機能付き表示装置及びその製造方法 | |
| KR102032748B1 (ko) | 유기전계 발광소자의 제조 방법 및 그 방법에 의해 제조된 유기전계 발광소자 | |
| KR101978783B1 (ko) | 플렉서블 유기전계발광소자 및 그 제조방법 | |
| KR102158771B1 (ko) | 유기 발광 표시 장치 | |
| US8829495B2 (en) | Organic light-emitting display device and method of manufacturing the same | |
| KR101429933B1 (ko) | 유기전계발광표시장치 및 그 제조방법 | |
| JP2020523767A (ja) | Ｏｌｅｄ表示パネル及びその製造方法 | |
| KR101908514B1 (ko) | 유기 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법 | |
| KR101084273B1 (ko) | 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 | |
| KR102331597B1 (ko) | 유기 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법 | |
| KR101294853B1 (ko) | 유기전계발광표시장치 | |
| KR102365175B1 (ko) | 표시장치 및 그 제조방법 | |
| KR101576834B1 (ko) | 유기전계발광소자 및 이의 제조방법 | |
| KR102377531B1 (ko) | 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 | |
| CN102456704B (zh) | 有机发光显示装置 | |
| KR20140080231A (ko) | 플렉서블 유기발광 표시장치 및 이의 제조방법 | |
| KR102167046B1 (ko) | 표시 장치 | |
| KR20160039080A (ko) | 유기 발광 표시 장치 | |
| KR20150059243A (ko) | 유기 발광 표시장치 및 그의 제조방법 | |
| JP4315902B2 (ja) | 有機電界発光装置 | |
| KR20150028055A (ko) | 유기발광 다이오드 표시장치 및 그 제조 방법 | |
| KR20150072117A (ko) | 유기발광다이오드 표시장치 및 이의 제조방법 | |
| KR102122598B1 (ko) | 유기전계발광소자 및 그의 제조방법 | |
| KR101775503B1 (ko) | 유기발광소자 제조방법 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| GRNT | Written decision to grant |