CN110634887A - 阵列基板及其制作方法以及显示面板 - Google Patents
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Abstract
本发明提供一种阵列基板及其制作方法以及显示面板。该阵列基板包括：衬底基板、设于衬底基板上的第一栅极绝缘层、设于第一栅极绝缘层上的第一金属层、覆盖第一栅极绝缘层和第一金属层的第二栅极绝缘层以及设于第二栅极绝缘层上的第二金属层；衬底基板包括显示区以及包围显示区的边框区；第一金属层包括位于边框区中的第一阻挡层；第二金属层包括位于边框区中的第二阻挡层，当阵列基板边缘产生裂纹时，使裂纹延伸至第一阻挡层及第二阻挡层中的任何一层即停止，从而可以大幅度提升阵列基板防裂纹的能力，提高阵列基板的可靠性，保证面板正常显示。
Description
技术领域
本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种阵列基板及其制作方法以及显示面板。
背景技术
薄膜晶体管(Thin Film Transistor，TFT)是目前液晶显示装置(Liquid CrystalDisplay，LCD)和有源矩阵驱动式有机电致发光显示装置(Active Matrix Organic Light-Emitting Diode，AMOLED)中的主要驱动元件，直接关系平板显示装置的显示性能。
现有市场上的液晶显示器大部分为背光型液晶显示器，其包括液晶显示面板及背光模组(backlight module)。液晶显示面板的工作原理是在薄膜晶体管阵列基板(ThinFilm Transistor Array Substrate，TFT Array Substrate)与彩色滤光片(ColorFilter，CF)基板之间灌入液晶分子，并在两片基板上分别施加像素电压和公共电压，通过像素电压和公共电压之间形成的电场控制液晶分子的旋转方向，以将背光模组的光线透射出来产生画面。
OLED器件通常包括：基板、设于基板上的阳极、设于阳极上的空穴注入层、设于空穴注入层上的空穴传输层、设于空穴传输层上的发光层、设于发光层上的电子传输层、设于电子传输层上的电子注入层、及设于电子注入层上的阴极。OLED器件的发光原理为半导体材料和有机发光材料在电场驱动下，通过载流子注入和复合导致发光。
现有技术中，为了防止面板的边框区产生裂纹(crack)，会在面板的边框区进行防裂纹设计。面板的边框区包括多层绝缘层结构，通常包括栅极绝缘层、层间绝缘层及平坦层，栅极绝缘层和层间绝缘层的材料通常为无机材料，弯折性交差，平坦层的材料通常为有机材料，弯折性较好，因此现有技术中的防裂纹设计为在栅极绝缘层和层间绝缘层中开设多个过孔，将平坦层填充在过孔中，提高边框区的弯折性能，并且当裂纹产生时使裂纹延伸至过孔的平坦层中而停止，防止裂纹进一步向显示区延伸，然而严重的裂纹仍然可以穿过过孔中的平坦层延伸至显示区，从而影响显示区的正常显示。
发明内容
本发明的目的在于提供一种阵列基板，防裂纹的能力强，可靠性高。
本发明的目的还在于提供一种阵列基板的制作方法，可以大幅度提升阵列基板防裂纹的能力，提高阵列基板的可靠性。
本发明的目的还在于提供一种显示面板，防裂纹的能力强，可靠性高。
为实现上述目的，本发明提供了一种阵列基板，包括：衬底基板、设于所述衬底基板上的第一栅极绝缘层、设于所述第一栅极绝缘层上的第一金属层、覆盖所述第一栅极绝缘层和第一金属层的第二栅极绝缘层以及设于所述第二栅极绝缘层上的第二金属层；
所述衬底基板包括显示区以及包围所述显示区的边框区；
所述第一金属层包括位于边框区中的第一阻挡层；
所述第二金属层包括位于边框区中的第二阻挡层。
所述阵列基板还包括：覆盖所述第二栅极绝缘层和第二金属层的层间绝缘层以及设于所述层间绝缘层上的第三金属层；所述第三金属层包括位于边框区中的第三阻挡层。
所述第一阻挡层、第二阻挡层及第三阻挡层在竖直方向上重叠设置。
所述第一栅极绝缘层的材料为氧化硅；所述第二栅极绝缘层的材料为氮化硅。
所述第一阻挡层和第二阻挡层的材料均为钼；所述第三阻挡层包括依次层叠的钛、铝及钛。
所述第一金属层还包括位于显示区中的第一栅极；所述第二金属层还包括位于显示区中的第二栅极；所述第三金属层还包括位于显示区中并间隔设置的源极和漏极。
本发明还提供一种阵列基板的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：
步骤S1、提供一衬底基板，所述衬底基板包括显示区以及包围所述显示区的边框区；在所述衬底基板上形成第一栅极绝缘层，在所述第一栅极绝缘层上形成第一金属层；所述第一金属层包括位于边框区中的第一阻挡层；
步骤S2、在所述第一栅极绝缘层和第一金属层上形成第二栅极绝缘层，在所述第二栅极绝缘层上形成第二金属层；所述第二金属层包括位于边框区中的第二阻挡层。
所述阵列基板的制作方法还包括步骤S3、在所述第二栅极绝缘层和第二金属层上形成层间绝缘层，在所述层间绝缘层上形成第三金属层；所述第三金属层包括位于边框区中的第三阻挡层。
所述第一金属层还包括位于显示区中的第一栅极；所述第二金属层还包括位于显示区中的第二栅极；所述第三金属层还包括位于显示区中并间隔设置的源极和漏极。
本发明还提供一种显示面板，包括如上所述的阵列基板。
本发明的有益效果：本发明的阵列基板包括：衬底基板、设于所述衬底基板上的第一栅极绝缘层、设于所述第一栅极绝缘层上的第一金属层、覆盖所述第一栅极绝缘层和第一金属层的第二栅极绝缘层以及设于所述第二栅极绝缘层上的第二金属层；所述衬底基板包括显示区以及包围所述显示区的边框区；所述第一金属层包括位于边框区中的第一阻挡层；所述第二金属层包括位于边框区中的第二阻挡层，当阵列基板边缘产生裂纹时，使裂纹延伸至第一阻挡层及第二阻挡层中的任何一层即停止，从而可以大幅度提升阵列基板防裂纹的能力，提高阵列基板的可靠性，保证面板正常显示。本发明的阵列基板的制作方法，可以大幅度提升阵列基板防裂纹的能力，提高阵列基板的可靠性，保证面板正常显示。本发明的显示面板，防裂纹的能力强，可靠性高。
附图说明
为了能更进一步了解本发明的特征以及技术内容，请参阅以下有关本发明的详细说明与附图，然而附图仅提供参考与说明用，并非用来对本发明加以限制。
附图中，
图1为本发明的阵列基板的俯视图；
图2为本发明的阵列基板的截面图；
图3为本发明的阵列基板的制作方法的流程图。
具体实施方式
为更进一步阐述本发明所采取的技术手段及其效果，以下结合本发明的优选实施例及其附图进行详细描述。
请参阅图1-2，本发明提供一种阵列基板，包括：衬底基板10、设于所述衬底基板10上的第一栅极绝缘层20、设于所述第一栅极绝缘层20上的第一金属层30、覆盖所述第一栅极绝缘层20和第一金属层30的第二栅极绝缘层40以及设于所述第二栅极绝缘层40上的第二金属层50；
所述衬底基板10包括显示区11以及包围所述显示区11的边框区12；
所述第一金属层30包括位于边框区12中的第一阻挡层31；
所述第二金属层50包括位于边框区12中的第二阻挡层51。
需要说明的是，本发明的阵列基板设置了二层金属层，该二层金属层在边框区12中分别设置第一阻挡层31及第二阻挡层511，当阵列基板边缘产生裂纹(crack)时，使裂纹延伸至第一阻挡层31及第二阻挡层51中的任何一层即停止，即使是很严重的裂纹，二层阻挡层也一样可以阻挡住裂纹向显示区11延伸，从而可以大幅度提升阵列基板防裂纹的能力，提高阵列基板的可靠性，保证面板正常显示。
具体的，所述阵列基板还包括：覆盖所述第二栅极绝缘层40和第二金属层50的层间绝缘层60以及设于所述层间绝缘层60上的第三金属层70；所述第三金属层70包括位于边框区12中的第三阻挡层71，通过三层阻挡层阻挡裂纹，进一步提升阵列基板防裂纹的能力。
具体的，所述第一阻挡层31、第二阻挡层51及第三阻挡层71在竖直方向上重叠设置。
具体的，所述第一阻挡层31、第二阻挡层51及第三阻挡层71可以均包围显示区11。
具体的，所述层间绝缘层60包括依次层叠的第一绝缘层61和第二绝缘层62。
进一步的，所述第一绝缘层61的材料为氧化硅，所述第二绝缘层62的材料为氮化硅。
具体的，所述第一栅极绝缘层20的材料为氧化硅；所述第二栅极绝缘层40的材料为氮化硅。
具体的，所述第一阻挡层31和第二阻挡层51的材料均为钼(Mo)；所述第三阻挡层71包括依次层叠的钛、铝及钛(Ti/Al/Ti)
具体的，所述第一金属层30还包括位于显示区11中的第一栅极32。
具体的，所述第二金属层50还包括位于显示区11中的第二栅极52。
具体的，所述第三金属层70还包括位于显示区11中并间隔设置的源极72和漏极73。
具体的，所述阵列基板还包括位于衬底基板10和第一栅极绝缘层20之间并位于显示区11中的有源层80；所述源极72和漏极73分别通过贯穿第一栅极绝缘层20、第二栅极绝缘层40和层间绝缘层60的过孔连接有源层80的两端。
具体的，所述阵列基板还包括设于所述衬底基板10与第一栅极绝缘层20之间的缓冲层101。此时，所述有源层80可以位于缓冲层101和第一栅极绝缘层20之间。由于阵列基板为顶栅极结构设置，为了防止有源层80被光线影响性能，还可以在衬底基板10和缓冲层101之间并位于有源层80的下方设置一层遮光层(未图示)。
请参阅图3，基于上述阵列基板，本发明还提供一种阵列基板的制作方法，包括如下步骤：
步骤S1、提供一衬底基板10，所述衬底基板10包括显示区11以及包围所述显示区11的边框区12；在所述衬底基板10上形成第一栅极绝缘层20，在所述第一栅极绝缘层20上形成第一金属层30；所述第一金属层30包括位于边框区12中的第一阻挡层31；
步骤S2、在所述第一栅极绝缘层20和第一金属层30上形成第二栅极绝缘层40，在所述第二栅极绝缘层40上形成第二金属层50；所述第二金属层50包括位于边框区12中的第二阻挡层51。
需要说明的是，本发明的阵列基板设置了二层金属层，该二层金属层在边框区12中分别设置第一阻挡层31及第二阻挡层51，当阵列基板边缘产生裂纹(crack)时，使裂纹延伸至第一阻挡层31及第二阻挡层51中的任何一层即停止，即使是很严重的裂纹，二层阻挡层也一样可以阻挡住裂纹向显示区11延伸，从而可以大幅度提升阵列基板防裂纹的能力，提高阵列基板的可靠性，保证面板正常显示。
具体的，所述阵列基板的制作方法还包括步骤S3、在所述第二栅极绝缘层40和第二金属层50上形成层间绝缘层60，在所述层间绝缘层60上形成第三金属层70；所述第三金属层70包括位于边框区12中的第三阻挡层71，通过三层阻挡层阻挡裂纹，进一步提升阵列基板防裂纹的能力。
具体的，所述第一阻挡层31、第二阻挡层51及第三阻挡层71在竖直方向上重叠设置。
具体的，所述第一阻挡层31、第二阻挡层51及第三阻挡层71可以均包围显示区11。
具体的，所述层间绝缘层60包括依次层叠的第一绝缘层61和第二绝缘层62。
进一步的，所述第一绝缘层61的材料为氧化硅，所述第二绝缘层62的材料为氮化硅。
具体的，所述第一栅极绝缘层20的材料为氧化硅；所述第二栅极绝缘层40的材料为氮化硅。
具体的，所述第一阻挡层31和第二阻挡层51的材料均为钼(Mo)；所述第三阻挡层71包括依次层叠的钛、铝及钛(Ti/Al/Ti)
具体的，所述第一金属层30还包括位于显示区11中的第一栅极32。
具体的，所述第二金属层50还包括位于显示区11中的第二栅极52。
具体的，所述第三金属层70还包括位于显示区11中并间隔设置的源极72和漏极73。
具体的，所述步骤S1中，还可以在衬底基板10和第一栅极绝缘层20之间形成位于显示区11中的有源层80；所述源极72和漏极73分别通过贯穿第一栅极绝缘层20、第二栅极绝缘层40和层间绝缘层60的过孔连接有源层80的两端。
具体的，所述步骤S1中，还在所述衬底基板10与第一栅极绝缘层20之间形成一层缓冲层101。此时，所述有源层80可以位于缓冲层101和第一栅极绝缘层20之间。由于阵列基板为顶栅极结构设置，为了防止有源层80被光线影响性能，还可以在衬底基板10和缓冲层101之间并位于有源层80的下方设置一层遮光层(未图示)。
基于上述阵列基板，本发明还提供一种显示面板，包括如上所述的阵列基板。
综上所述，本发明的阵列基板包括：衬底基板、设于所述衬底基板上的第一栅极绝缘层、设于所述第一栅极绝缘层上的第一金属层、覆盖所述第一栅极绝缘层和第一金属层的第二栅极绝缘层以及设于所述第二栅极绝缘层上的第二金属层；所述衬底基板包括显示区以及包围所述显示区的边框区；所述第一金属层包括位于边框区中的第一阻挡层；所述第二金属层包括位于边框区中的第二阻挡层，当阵列基板边缘产生裂纹时，使裂纹延伸至第一阻挡层及第二阻挡层中的任何一层即停止，从而可以大幅度提升阵列基板防裂纹的能力，提高阵列基板的可靠性，保证面板正常显示。本发明的阵列基板的制作方法，可以大幅度提升阵列基板防裂纹的能力，提高阵列基板的可靠性，保证面板正常显示。本发明的显示面板，防裂纹的能力强，可靠性高。
以上所述，对于本领域的普通技术人员来说，可以根据本发明的技术方案和技术构思作出其他各种相应的改变和变形，而所有这些改变和变形都应属于本发明权利要求的保护范围。
Claims (10)
1.一种阵列基板，其特征在于，包括：衬底基板(10)、设于所述衬底基板(10)上的第一栅极绝缘层(20)、设于所述第一栅极绝缘层(20)上的第一金属层(30)、覆盖所述第一栅极绝缘层(20)和第一金属层(30)的第二栅极绝缘层(40)以及设于所述第二栅极绝缘层(40)上的第二金属层(50)；
所述衬底基板(10)包括显示区(11)以及包围所述显示区(11)的边框区(12)；
所述第一金属层(30)包括位于边框区(12)中的第一阻挡层(31)；
所述第二金属层(50)包括位于边框区(12)中的第二阻挡层(51)。
2.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，还包括：覆盖所述第二栅极绝缘层(40)和第二金属层(50)的层间绝缘层(60)以及设于所述层间绝缘层(60)上的第三金属层(70)；
所述第三金属层(70)包括位于边框区(12)中的第三阻挡层(71)。
3.如权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述第一阻挡层(31)、第二阻挡层(51)及第三阻挡层(71)在竖直方向上重叠设置。
4.如权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述第一金属层(30)还包括位于显示区(11)中的第一栅极(32)；所述第二金属层(50)还包括位于显示区(11)中的第二栅极(52)；所述第三金属层(70)还包括位于显示区(11)中并间隔设置的源极(72)和漏极(73)。
5.如权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述第一阻挡层(31)和第二阻挡层(51)的材料均为钼；所述第三阻挡层(71)包括依次层叠的钛、铝及钛。
6.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第一栅极绝缘层(20)的材料为氧化硅；所述第二栅极绝缘层(40)的材料为氮化硅。
7.一种阵列基板的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：
步骤S1、提供一衬底基板(10)，所述衬底基板(10)包括显示区(11)以及包围所述显示区(11)的边框区(12)；在所述衬底基板(10)上形成第一栅极绝缘层(20)，在所述第一栅极绝缘层(20)上形成第一金属层(30)；所述第一金属层(30)包括位于边框区(12)中的第一阻挡层(31)；
步骤S2、在所述第一栅极绝缘层(20)和第一金属层(30)上形成第二栅极绝缘层(40)，在所述第二栅极绝缘层(40)上形成第二金属层(50)；所述第二金属层(50)包括位于边框区(12)中的第二阻挡层(51)。
8.如权利要求7所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，还包括步骤S3、在所述第二栅极绝缘层(40)和第二金属层(50)上形成层间绝缘层(60)，在所述层间绝缘层(60)上形成第三金属层(70)；所述第三金属层(70)包括位于边框区(12)中的第三阻挡层(71)。
9.如权利要求8所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，所述第一金属层(30)还包括位于显示区(11)中的第一栅极(32)；所述第二金属层(50)还包括位于显示区(11)中的第二栅极(52)；所述第三金属层(70)还包括位于显示区(11)中并间隔设置的源极(72)和漏极(73)。
10.一种显示面板，其特征在于，包括权利要求1-6任一项所述的阵列基板。
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|---|---|---|---|---|
| WO2022116055A1 (zh) * | 2020-12-02 | 2022-06-09 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示面板和显示装置 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20160336541A1 (en) * | 2015-05-12 | 2016-11-17 | Samsung Display Co., Ltd. | Organic light-emitting display device |
| US20180026226A1 (en) * | 2016-07-19 | 2018-01-25 | Samsung Display Co., Ltd. | Display apparatus having a larger display region and moisture impermeability |
| CN107634086A (zh) * | 2017-09-15 | 2018-01-26 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种柔性阵列基板及制备方法、显示装置 |
| CN107919293A (zh) * | 2016-10-10 | 2018-04-17 | 三星显示有限公司 | 显示设备和有机材料检测方法 |
-
2019
- 2019-08-30 CN CN201910817399.5A patent/CN110634887A/zh active Pending
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20160336541A1 (en) * | 2015-05-12 | 2016-11-17 | Samsung Display Co., Ltd. | Organic light-emitting display device |
| US20180026226A1 (en) * | 2016-07-19 | 2018-01-25 | Samsung Display Co., Ltd. | Display apparatus having a larger display region and moisture impermeability |
| CN107919293A (zh) * | 2016-10-10 | 2018-04-17 | 三星显示有限公司 | 显示设备和有机材料检测方法 |
| CN107634086A (zh) * | 2017-09-15 | 2018-01-26 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种柔性阵列基板及制备方法、显示装置 |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2022116055A1 (zh) * | 2020-12-02 | 2022-06-09 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示面板和显示装置 |
| CN114846617A (zh) * | 2020-12-02 | 2022-08-02 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示面板和显示装置 |
| CN114846617B (zh) * | 2020-12-02 | 2023-11-03 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示面板和显示装置 |
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