CN107634086A - 一种柔性阵列基板及制备方法、显示装置 - Google Patents

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Abstract

本发明实施例提供一种柔性阵列基板及制备方法、显示装置,涉及显示技术领域,能够降低弯折区中信号线因弯折而发生断裂的几率。该柔性阵列基板,包括显示区和走线区,所述走线区包括与所述显示区相邻的弯折区;所述弯折区中包括设置于衬底基板上的信号线以及保护层,所述保护层位于所述信号线背离所述衬底基板的一侧;其中,所述保护层在所述衬底基板上的正投影与所述信号线在所述衬底基板上的正投影具有重叠区域,且所述保护层的杨氏模量大于或等于所述信号线的杨氏模量。

Description

一种柔性阵列基板及制备方法、显示装置
技术领域
本发明涉及显示技术领域,尤其涉及一种柔性阵列基板及制备方法、显示装置。
背景技术
柔性显示装置因轻薄轻便、可弯曲等特性,近年来越来越多的应用于可穿戴设备、电子纸等领域。
如图1所示,柔性显示装置包括走线区01和显示区02,并且在走线区01中与显示区02相邻的位置设置弯折区(Bending Area)10,通过将弯折区10弯折从而实现柔性显示装置的窄边框设计;如图2(图1沿箭头B方向的剖面示意图)所示,弯折区10设置有信号线100,因此在弯折(见图1中箭头A的方向)的过程中,容易造成弯折区10中的信号线100断裂,从而导致柔性显示装置的显示不良。
发明内容
本发明的实施例提供一种柔性阵列基板及制备方法、显示装置,能够降低弯折区中信号线因弯折而发生断裂的几率。
为达到上述目的,本发明的实施例采用如下技术方案:
本发明实施例一方面提供一种柔性阵列基板,包括显示区和走线区,其特征在于,所述走线区包括与所述显示区相邻的弯折区;所述弯折区中包括设置于衬底基板上的信号线以及保护层,所述保护层位于所述信号线背离所述衬底基板的一侧;其中,所述保护层在所述衬底基板上的正投影与所述信号线在所述衬底基板上的正投影具有重叠区域,且所述保护层的杨氏模量大于或等于所述信号线的杨氏模量。
进一步优选的,所述保护层包括与所述信号线延伸方向一致的保护线。
进一步优选的,所述保护线沿宽度方向上的边界在所述衬底基板上的正投影落入所述信号线在所述衬底基板上的正投影中。
进一步优选的,所述信号线包括位于不同层的第一信号线和第二信号线,且所述第一信号线位于所述第二信号线靠近所述衬底基板的一侧。
进一步优选的,一个所述保护线沿宽度方向上的两个边界在所述衬底基板上的正投影落入一个所述第一信号线在所述衬底基板上的正投影中,和/或,一个所述保护线沿宽度方向上的两个边界在所述衬底基板上的正投影分别落入相邻的两个所述第一信号线在所述衬底基板上的正投影中,和/或,相邻的两个所述保护线沿宽度方向上的两个外边界在所述衬底基板上的正投影落一个所述第一信号线在所述衬底基板上的正投影中;和/或,一个所述保护线沿宽度方向上的两个边界在所述衬底基板上的正投影落入一个所述第二信号线在所述衬底基板上的正投影中,和/或,一个所述保护线沿宽度方向上的两个边界在所述衬底基板上的正投影分别落入相邻的两个所述第二信号线在所述衬底基板上的正投影中,和/或,相邻的两个所述保护线沿宽度方向上的两个外边界在所述衬底基板上的正投影落一个所述第二信号线在所述衬底基板上的正投影中。
进一步优选的,所述保护层与所述信号线之间设置有绝缘层。
进一步优选的,所述信号线包括镂空图案;和/或,所述保护层包括镂空图案。
进一步优选的,所述保护层主要由导电材料构成。
进一步优选的,所述保护线与所述信号线电连接。
本发明实施例另一方面还提供一种柔性阵列基板的制备方法,所述阵列基板包括显示区和走线区,所述制备方法包括:在衬底基板的走线区中、与显示区相邻的弯折区形成信号线;在形成信号线的衬底基板上形成保护层,其中,所述保护层在所述衬底基板上的正投影与所述信号线在所述衬底基板上的正投影具有重叠区域,且所述保护层的杨氏模量大于或等于所述信号线的杨氏模量。
进一步优选的,所述在衬底基板的走线区中、与显示区相邻的弯折区形成信号线包括:在衬底基板的走线区中、与显示区相邻的弯折区依次形成包括镂空图案的第一信号线、绝缘层以及包括镂空图案的第二信号线。
进一步优选的,所述在形成信号线的衬底基板上形成保护层包括:在形成信号线的衬底基板上形成包括镂空图案、且与所述信号线延伸方向一致的保护线。
本发明实施例再一方面还提供一种显示装置,包括前述的柔性阵列基板。
本发明实施例提供一种柔性阵列基板及制备方法、显示装置,该柔性阵列基板,包括显示区和走线区,走线区包括与显示区相邻的弯折区;弯折区中包括设置于衬底基板上的信号线以及保护层,保护层位于信号线背离衬底基板的一侧;其中,保护层在衬底基板上的正投影与信号线在衬底基板上的正投影具有重叠区域,且保护层的杨氏模量大于或等于信号线的杨氏模量。
由于在信号线背离衬底基板的一层设置有杨氏模量大于或等于信号线的保护层,且保护层在衬底基板上的正投影与信号线在衬底基板上的正投影具有重叠区域,因此,可以通过设置保护层和信号线在衬底基板上的正投影重叠区域的位置以及小大等,从而保证在弯折区沿衬底基板背离信号线和保护层的方向进行弯折时,一方面,通过保护层能够起到调节应力中心层的作用,以提高信号线层不同位置的应力均匀性,进而降低信号线层因局部应力集中导致的信号线层发生断裂的几率;另一方面,保护层位于信号线背离衬底基板的一侧,在弯折的过程中,保护层需要承受较大的应力,从而能够达到分散信号线上应力的目的,并且在保护层因应力较大发生断裂的情况下,能够产生应力释放,从而进一步的降低信号线因局部应力集中导致的信号线层发生断裂的几率。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案,下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为现有技术中提供的一种柔性显示装置的结构示意图;
图2为图1沿位置B处的剖面结构示意图;
图3为本发明实施例提供的一种柔性阵列基板的结构示意图;
图4为本发明实施例提供的另一种柔性阵列基板的结构示意图;
图5为本发明实施例提供的再一种柔性阵列基板的结构示意图;
图6为本发明实施例提供的又一种柔性阵列基板的结构示意图;
图7为本发明实施例提供的又一种柔性阵列基板的结构示意图;
图8为本发明实施例提供的又一种柔性阵列基板的结构示意图;
图9为本发明实施例提供的一种耐弯折的镂空图案的结构示意图;
图10为本发明实施例提供的一种柔性阵列基板的制备方法的流程示意图。
附图标记:
01-走线区;02-显示区;10-弯折区;100-信号线;101-第一信号线层;102-第二信号线;20-保护层;200-保护线;30-衬底基板;40-绝缘层;P-镂空图案。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图,对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本发明保护的范围。
本发明实施例提供一种柔性阵列基板,参考图1,包括走线区01和显示区02(即Active Area,简称AA区),该走线区01包括与显示区02相邻的弯折区10。
如图3所示,弯折区10中包括设置于衬底基板30上的信号线100以及保护层20,保护层20位于信号线100背离衬底基板30的一侧;其中,保护层20在衬底基板30上的正投影与信号线100在衬底基板30上的正投影具有重叠区域S,且保护层20的杨氏模量大于或等于信号线100的杨氏模量。
此处需要说明的是,第一,对于柔性阵列基板而言,上述衬底基板30一般采用柔性可弯折材料形成,例如,如图3所示的,衬底基板30一般可以采用上下两个PI(聚酰亚胺)层和中间的无机薄膜层复合而成,当然并不限制于此,以下实施例均是以该设置方式为例,对本发明做进一步的说明。
第二、本发明中,对于保护层20的具体图案形状不作限定;例如,保护层20可以为面状结构;又例如,保护层20包括与信号线100延伸方向一致的保护线200(参考图3),也即保护线200为线状结构。当然,考虑到面状的保护层20因局部的不平整、不均匀等容易发生断裂,而导致对于信号线200的保护作用明显降低,因此本发明优选的,保护层20采用与信号线100延伸方向一致的保护线200的设置方式,以下实施例均是以保护层20采用保护线200为例对本发明做进一步的说明。
另外,保护层20可以是一层,也可以是多层,本发明对此不作具体限定,在实际的制作中,可以根据实际的需要选择设置。
第三,本发明中,信号线100可以是如图3所示的一层信号线,也可以是多个不同层的信号线100,例如,如图4所示的两个不同层的第一信号线101和第二信号线102,且第一信号线101位于第二信号线102靠近衬底基板30的一侧。当然,本领域的技术人员应当理解到,为了保证位于不同层的第一信号线101和第二信号线102能够不发生电连接以进行正常的信号传输,在相邻的信号线层之间需要设置绝缘层;例如,如图4所示,第一信号线101的所在层和第二信号线102所在层之间设置有绝缘层40。
另外,考虑到QHD(Quarter High Definition)级别产品,由于具有较多的信号,因此,优选的,可采用多层信号线的排布方式(例如,如图4所示的包括第一信号线101和第二信号线102的两层排布方式);即本发明中的多层信号线结构能够对高品质和画面的显示产品中信号线的排布提供了更为优化的设置方式。
第四、上述保护层20与信号线100在衬底基板30上的正投影的重叠区域S是指(参考图3):一条保护线200可以与一条信号线100在衬底基板30上的正投影具有重叠区域(参考图3中的C1和C2区域);一条保护线200也可以同时与两条信号线100在衬底基板30上的正投影的重叠区域(参考图3中的C3区域)。其中,一条保护线200与一条信号线100在衬底基板30上的正投影的重叠区域的情况下,在沿线宽方向D-D’上,保护线200与信号线100在衬底基板30上的正投影边界,可以完全重合(参考图3中的C2区域),也可以部分重合(参考图3中的C1区域),本发明对此不作限定,实际中可以灵活选择设置,当然还可以是其他的重叠设置方式,此处不再一一赘述。
另外,对于信号线100为多层的情况下,例如,图4所示的信号线100包括位于两个不同层的第一信号线101和第二信号线102的设置情况下,对于保护层20与信号线100在衬底基板30上的正投影的重叠区域的设置情况,与上述理由相同,只要保证保护线200与第一信号线101和/或第二信号线102在衬底基板30上的正投影的重叠区域即可,具体的重叠方式,可以根据实际的需要选择设置,此处不再一一赘述。
更进一步的,由于保护层20与信号线100在衬底基板30上的正投影的未发生重叠的部分对于提高信号线层的应力均匀性的作用较小,因此,在实际的制作中,为了能够有效的利于保护层20来调整应力中心层以实现提高信号线层的应力均匀性的目的,本发明优选的,保护线200沿宽度方向D-D’上的两个边界在衬底基板30上的正投影均落入信号线100在衬底基板30上的正投影中,具体的,以下以图4所示的信号线100包括位于两个不同层的第一信号线101和第二信号线102为例,对保护线200和信号线100的设置情况进行说明。
例如,保护线200沿宽度方向D-D’上的两个边界在衬底基板上的正投影落入可以均落入一条信号线衬底基板上的正投影中(参考图4中的C1区域);又例如,保护线200沿宽度方向D-D’上的两个边界在衬底基板上的正投影可以分别落入两条信号线在衬底基板上的正投影中,具体的,两个边界在衬底基板上的正投影可以分别落入同一层的两个信号线在衬底基板上的正投影中(参考图4中的C3区域);两个边界在衬底基板上的正投影也可以分别落入位于不同层的两个信号线在衬底基板上的正投影中(参考图4中的C3区域),本发明对此均不作限定。
当然,对于保护线的两个边界在衬底基板上的正投影分别落入不同的信号线中的情况下(参考图4中的C2和C3区域),尽管该保护线中具有部分区域(对应不同信号线之间的部分对应)与信号线的正投影在衬底基板上没有交叠区域,但是该设置方式信号线的宽度较宽,制作精度要求相对较低,因此对于需要密集排布保护线的位置优选的可以采用该设置方式。
综上所述,由于在信号线背离衬底基板的一层设置有杨氏模量大于或等于信号线的保护层,且保护层在衬底基板上的正投影与信号线在衬底基板上的正投影具有重叠区域,因此,可以通过设置保护层和信号线在衬底基板上的正投影重叠区域的位置以及小大等,从而保证在弯折区沿衬底基板背离信号线和保护层的方向进行弯折时,一方面,通过保护层能够起到调节应力中心层的作用,以提高信号线层不同位置的应力均匀性,进而降低信号线层因局部应力集中导致的信号线层发生断裂的几率;另一方面,保护层位于信号线背离衬底基板的一侧,在弯折的过程中,保护层需要承受较大的应力,从而能够达到分散信号线上应力的目的,并且在保护层因应力较大发生断裂的情况下,能够产生应力释放,从而进一步的降低信号线因局部应力集中导致的信号线层发生断裂的几率。
在此基础上,对于本发明中的保护线200而言,可以主要由导电材料构成,也可以由非导电材料,本发明对此不作限定,只要保证该保护线200满足前述设置条件(与信号线在衬底基板30上的正投影具有重叠区域,且杨氏模量大于或等于信号线的杨氏模量)即可。
当然考虑到实际的制作工艺,例如阵列基板中的非导电层(绝缘层)一般多采用树脂或者无机材料等制成,其杨氏模量一般较小,而导电层(电极、信号线)一般多采用金属、透明导电材料等制成,其杨氏模量一般较大,因此,为了避免额外增加形成保护线的制作工艺,本发明优选的,保护线200可以主要由导电材料构成,这样一来,可以在制作显示区中某一导电图案层时,通过一次构图工艺同时形成保护线,从而达到简化制作工艺,降低制作成本的目的。
具体的,保护线可以与显示区的透明电极通过一次构图工艺进行制作,也即该保护线可以由透明导电材料(例如,氧化铟锡,ITO)构成;保护线还可以与显示区的反射电极(对于OLED显示装置而言)通过一次构图工艺进行制作,也即该保护线可以由金属材料构成;当然,保护线还可以与显示区的其他导电膜层(例如栅极层)通过一次构图工艺进行制作,此处不再一一赘述,在实际的制作中可以根据阵列基板的类型以及实际需要选择设置。
在此基础上,对于保护线200而言,可以如图4所示,保护线200与信号线100之间设置有绝缘层40;也可以如图5所示,保护线200与信号线100(例如,信号线100中的第二信号线102)可以直接接触;本发明对此不作限定,可以根据实际的需求选择设置。
其中,对于信号线100包括第一信号线101和第二信号线102的情况下,如图4所示,保护线200需要与第一信号线101和第二信号线102之间均设置有绝缘层40,并且第一信号线101和第二信号线102之间也设置有绝缘层40,使得保护线200与第一信号线101之间会设置有两个绝缘层40。
需要说明的是,在保护线200采用导电材料的情况下,对于图5所示的保护线200与信号线100直接接触的设置方式而言,保护线不仅能够通过调整应力中心层来提高信号线层不同位置的应力均匀性的同时,还能够降低信号线上的电阻,从而降低因信号线的电阻引起的信号衰减的问题。对于图4所示的保护线200与信号线100之间设置绝缘层40的情况下,同样为了保证保护线不仅能够通过调整应力中心层来提高信号线层不同位置的应力均匀性的同时,还能够降低信号线上的电阻,保护线200可以通过绝缘层40上的过孔与信号线连接;当然,对于图6所示的信号线100包括第一信号线101和第二信号线102的情况下,保护线200通过一层绝缘层40上过孔与第二信号线102电连接,和/或,通过两层绝缘层40上过孔与第一信号线101电连接,其中图6仅是示意的举例说明,实际中可以根据保护线200和信号线100的设置情况下,根据需要选择保护线200和信号线100的连接情况下,本发明对此不作限定。
当然,本领域的技术人员应当理解到,对于上述保护线200和信号线100电连接情况,为了保证每一信号线能够正常的传输信号,需要保证一条保护线200只能与一条信号线100连接,以避免信号线100之间因保护线200发生短路的问题。
以下以信号线100包括位于两个不同层的第一信号线101和第二信号线102为例,对于保护线200与信号线100的实际设置方式做进一步的说明。
为了有效的利用保护线200来调整应力中心层以实现提高第一信号线层101的应力均匀性,保护线200与第一信号线层101的设置情况可以如下:
例如,参考图7中的C2、C4区域,一个保护线200沿宽度方向D-D’上的两个边界在衬底基板30上的正投影可以落入一个第一信号线101在衬底基板30上的正投影中。
又例如,参考图7中的C1、C3区域,一个保护线200沿宽度方向D-D’上的两个边界在衬底基板30上的正投影可以分别落入相邻的两个第一信号线101在衬底基板30上的正投影中。
再例如,参考图7中的C5区域,相邻的两个保护线200沿宽度方向D-D’上的两个外边界在衬底基板30上的正投影可以落入一个第一信号线101在衬底基板30上的正投影中。其中,相邻的两个保护线200沿宽度方向D-D’上的两个外边界是指,两个保护线200中沿宽度方向D-D’上远离相邻侧的两个边界。
需要说明的是,第一,图7仅是以保护线200边界与第一信号线101在衬底基板30上的正投影中的边界重合为例进行说明,但并不限制于此,具体设置可以参考本实施前述的相关内容;第二,图7是以一条保护线200对应两条第一信号线101或者两条保护线200对应一条第一信号线101为例进行说明的,实际中可以设置一条保护线200对应两条以上的第一信号线101,或者两条以上的保护线200对应一条第一信号线101,对发明对此均不作限定;第三,图7仅是为了对多种情况进行示意,而将多种设置方式在一个柔性阵列基板的附图中进行示出,实际中在制作柔性阵列基板时,可以选择图7中的C1、C2、C3、C4、C5区域中的一种或者多种方式,本发明对此不作限定。
同理,对于保护线200与第二信号线层102的设置情况,可以参考图7以及上述保护线200与第一信号线层101的设置情况,一个保护线200沿宽度方向D-D’上的两个边界在衬底基板30上的正投影落入一个第二信号线102在衬底基板30上的正投影中,和/或,一个保护线200沿宽度方向D-D’上的两个边界在衬底基板30上的正投影分别落入相邻的两个第二信号线102在衬底基板30上的正投影中,和/或,相邻的两个保护线200沿宽度方向D-D’上的两个外边界在衬底基板30上的正投影落一个第二信号线102在衬底基板30上的正投影中。
另外,在实际的布线中,同样可以通过调节第一信号线层101与第二信号线102的相对设置来调整应力中心层,以实现提高两个信号线层的应力均匀性,具体的,第一信号线101与第二信号线层102的设置情况可以如下:
具体的,例如,可以参考图8中的C1区域,设置第一信号线101与第二信号线102在衬底基板30上的正投影不具有重叠区域;又例如,可以参考图8中的C2和C3区域,设置第一信号线101与第二信号线102在衬底基板30上的正投影具有重叠区域;其中,在两者具有重叠区域的情况下,一条第二信号线102可以与多条第一信号线101在衬底基板30上的正投影具有重叠区域(参考图8中的C2区域),一条第二信号线102也可以与一条第一信号线101在衬底基板30上的正投影具有重叠区域(参考图8中的C3区域),本发明中对此不作具体限定,可以根据实际的需要选择设置第一信号线101与第二信号线层102的相对位置,当然,为了尽量的减小第一信号线101与第二信号线层102因交叠导致信号干扰的问题,实际的制作中可以减少第一信号线层101与第二信号线102的正投影在衬底基板30上重叠区域。
在此基础上,本发明中为了使得弯折区沿衬底基板背离信号线和保护层方向进行弯折时,提高信号线的耐弯折性,从而进一步的降低信号线层发生断裂的几率,优选的,如图9所示,可以在信号线100上设置镂空图案;同理,对于保护线200而言,同样可以设置镂空图案P。示意的,图9中(a)、(b)、(c)、(d)、(e)、(f)、(g)分别示出7中不同的镂空图案P,但本发明并不限制于此,还可以设置其他类型的具有耐弯折的镂空图案,当然,对于走线的外轮廓形状也需要与不同的镂空图案相适应,具体可以参考图9,此处不再一一赘述。
具体的,以信号线为例,在实际的制作加工可以根据信号线的具体需要,选择设置镂空图案的形状。具体的,对于拉应力集中位置可以选择设置具有抗拉作用的镂空图案,例如,图9中(a)、(b)、(c)、(d)示出的镂空图案;对于压应力集中的位置可以选择设置具有抗压作用的镂空图案,例如,图9中的(e)、(f)、(g);对于即受到拉应力和压应力的位置可以选择交替设置具抗压作用的镂空图案和具有抗压作用的镂空图案,例如可以将图9中(a)、(b)、(c)中的一个或者多个镂空图案与(e)、(f)、(g)中的一个或者多个镂空图案依次交替设置;当然,图9中(a)、(b)、(c)、(d)在一定程度上也具有抗压作用,因此,对于即受到拉应力和压应力的位置也可以采用图9中(a)、(b)、(c)、(d)中的一个或者多个镂空图案,本发明对此不作限定。
此外,本领域的技术人员应当理解到,本发明中的柔性阵列基板至少应用于OLED(有机发光二极管,Organic Light Emitting Diode)显示屏中,对于部分具有柔性衬底的LCD(液晶显示装置,Liquid Crystal Display)显示屏同样适用。
本发明实施例还提供一种显示装置,包括前述的柔性阵列基板,具有与前述实施例提供的柔性阵列基板相同的结构和有益效果。由于前述实施例已经对柔性阵列基板的结构和有益效果进行了详细的描述,此处不再赘述。
需要说明的是,在本发明实施例中,显示装置具体至少可以包括有机发光二极管显示面板,例如,该显示面板可以应用至数码相框、手机或平板电脑等任何具有显示功能的产品或者部件中。
本发明实施例还提供一种柔性阵列基板的制备方法,该阵列基板包括显示区和走线区,如图10所示,该制备方法包括:
步骤S101、参考图1、图3和图4,在衬底基板30的走线区01中、与显示区02相邻的弯折区10形成信号线100。
需要说明的是,上述衬底基板30并不绝对是指单一的衬底基板,该衬底基板上根据实际的柔性阵列基板的类型可能还具有其他膜层(图中未示出),例如,该衬底基板包括位于显示区02中的有源层层图案层、栅极(Gate)图案层、栅极绝缘层(GI)图案层,以及层间介电层(ILD)等。
步骤S102、在形成信号线100的衬底基板30上形成保护层20,其中,保护层20在衬底基板30上的正投影与信号线100在衬底基板30上的正投影具有重叠区域,且保护层20的杨氏模量大于或等于信号线100的杨氏模量。
当然,在保护层20导电材料的情况下,在形成保护层20之前,在信号线100上需要形成一绝缘层40;在形成保护层20之后也需要形成一绝缘层,当然在该绝缘层之后,一般还需要形成一封装的树脂层。
由于在信号线背离衬底基板的一层形成有杨氏模量大于或等于信号线的保护层,且保护层在衬底基板上的正投影与信号线在衬底基板上的正投影具有重叠区域,因此,可以根据需要设置保护层和信号线在衬底基板上的正投影重叠区域的位置以及小大等,从而保证在弯折区沿衬底基板背离信号线和保护层的方向进行弯折时,一方面,通过保护层能够起到调节应力中心层的作用,以提高信号线层不同位置的应力均匀性,进而降低信号线层因局部应力集中导致的信号线层发生断裂的几率;另一方面,保护层位于信号线背离衬底基板的一侧,在弯折的过程中,保护层需要承受较大的应力,从而能够达到分散信号线上应力的目的,并且在保护层因应力较大发生断裂的情况下,能够产生应力释放,从而进一步的降低信号线因局部应力集中导致的信号线层发生断裂的几率。
优选的,参考图4和图9,上述步骤S101可以包括:在衬底基板30的走线区中、与显示区02相邻的弯折区10依次形成包括镂空图案P的第一信号线101、绝缘层40以及包括镂空图案P的第二信号线102。
具体的,对于镂空图案P的形成可以按照镂空图案P形状、信号线的宽度(CD)值等设计掩膜板,通过一次构图工艺在形成包括镂空图案的信号线100(第一信号线101或第二信号线102)。
优选的,上述步骤S102中在形成信号线的衬底基板上形成保护层可以包括:在形成信号线100的衬底基板30上形成包括镂空图案P、且与信号线100延伸方向一致的保护线200。
同样,可以需要(镂空图案P形状、保护线的宽度(CD)值等)设计掩膜板,通过一次构图工艺在形成保护线200的同时形成包括镂空图案、且与信号线100延伸方向一致的保护线200,具体理由可以参考前述内容此处不再赘述。
另外,对于柔性阵列基板的制备方法中的其他设置情况,可以参考前述柔性阵列基板的具体结构,选择适当的工艺制作即可,此处不再一一赘述。
需要说明的是,本发明中的构图工艺,可指包括光刻工艺,或,包括光刻工艺以及刻蚀步骤(刻蚀步骤可以是干法刻蚀Dry Etch,也可以是湿法刻蚀Wet Etch),同时还可以包括打印、喷墨等其他用于形成预定图形的工艺;光刻工艺,是指包括成膜、曝光、显影等工艺过程的利用光刻胶、掩模板、曝光机等形成图形的工艺。可根据本发明中所形成的结构选择相应的构图工艺。
以上所述,仅为本发明的具体实施方式,但本发明的保护范围并不局限于此,任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内,可轻易想到变化或替换,都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此,本发明的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。

Claims (13)

1.一种柔性阵列基板,包括显示区和走线区,其特征在于,所述走线区包括与所述显示区相邻的弯折区;
所述弯折区中包括设置于衬底基板上的信号线以及保护层,所述保护层位于所述信号线背离所述衬底基板的一侧;
其中,所述保护层在所述衬底基板上的正投影与所述信号线在所述衬底基板上的正投影具有重叠区域,且所述保护层的杨氏模量大于或等于所述信号线的杨氏模量。
2.根据权利要求1所述的柔性阵列基板,其特征在于,所述保护层包括与所述信号线延伸方向一致的保护线。
3.根据权利要求2所述的柔性阵列基板,其特征在于,
所述保护线沿宽度方向上的边界在所述衬底基板上的正投影落入所述信号线在所述衬底基板上的正投影中。
4.根据权利要求2所述的柔性阵列基板,其特征在于,所述信号线包括位于不同层的第一信号线和第二信号线,且所述第一信号线位于所述第二信号线靠近所述衬底基板的一侧。
5.根据权利要求4所述的柔性阵列基板,其特征在于,
一个所述保护线沿宽度方向上的两个边界在所述衬底基板上的正投影落入一个所述第一信号线在所述衬底基板上的正投影中,和/或,一个所述保护线沿宽度方向上的两个边界在所述衬底基板上的正投影分别落入相邻的两个所述第一信号线在所述衬底基板上的正投影中,和/或,相邻的两个所述保护线沿宽度方向上的两个外边界在所述衬底基板上的正投影落一个所述第一信号线在所述衬底基板上的正投影中;
和/或,一个所述保护线沿宽度方向上的两个边界在所述衬底基板上的正投影落入一个所述第二信号线在所述衬底基板上的正投影中,和/或,一个所述保护线沿宽度方向上的两个边界在所述衬底基板上的正投影分别落入相邻的两个所述第二信号线在所述衬底基板上的正投影中,和/或,相邻的两个所述保护线沿宽度方向上的两个外边界在所述衬底基板上的正投影落一个所述第二信号线在所述衬底基板上的正投影中。
6.根据权利要求1所述的柔性阵列基板,其特征在于,所述保护层与所述信号线之间设置有绝缘层。
7.根据权利要求1所述的柔性阵列基板,其特征在于,所述信号线包括镂空图案;和/或,所述保护层包括镂空图案。
8.根据权利要求2所述的柔性阵列基板,其特征在于,所述保护层主要由导电材料构成。
9.根据权利要求8所述的柔性阵列基板,其特征在于,所述保护线与所述信号线电连接。
10.一种柔性阵列基板的制备方法,所述阵列基板包括显示区和走线区,其特征在于,所述制备方法包括:
在衬底基板的走线区中、与显示区相邻的弯折区形成信号线;
在形成信号线的衬底基板上形成保护层,其中,所述保护层在所述衬底基板上的正投影与所述信号线在所述衬底基板上的正投影具有重叠区域,且所述保护层的杨氏模量大于或等于所述信号线的杨氏模量。
11.根据权利要求10所述的制备方法,其特征在于,所述在衬底基板的走线区中、与显示区相邻的弯折区形成信号线包括:
在衬底基板的走线区中、与显示区相邻的弯折区依次形成包括镂空图案的第一信号线、绝缘层以及包括镂空图案的第二信号线。
12.根据权利要求10所述的制备方法,其特征在于,所述在形成信号线的衬底基板上形成保护层包括:
在形成信号线的衬底基板上形成包括镂空图案、且与所述信号线延伸方向一致的保护线。
13.一种显示装置,其特征在于,包括权利要求1-9任一项所述的柔性阵列基板。
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Cited By (29)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108198827A (zh) * 2018-01-29 2018-06-22 上海天马微电子有限公司 一种柔性显示面板及显示装置
CN108389869A (zh) * 2018-03-01 2018-08-10 上海天马微电子有限公司 柔性显示面板
CN108766245A (zh) * 2018-07-18 2018-11-06 昆山国显光电有限公司 柔性显示屏和显示装置
CN108766988A (zh) * 2018-05-31 2018-11-06 武汉天马微电子有限公司 显示面板及显示装置
CN108899341A (zh) * 2018-06-29 2018-11-27 武汉天马微电子有限公司 一种显示面板及显示装置
CN108987415A (zh) * 2018-06-26 2018-12-11 武汉华星光电技术有限公司 一种阵列基板及其制作方法、触控面板
CN109240013A (zh) * 2018-11-27 2019-01-18 上海中航光电子有限公司 显示面板和显示装置
CN109360832A (zh) * 2018-11-30 2019-02-19 云谷(固安)科技有限公司 一种柔性显示面板及柔性显示装置
WO2019041908A1 (zh) * 2017-08-31 2019-03-07 京东方科技集团股份有限公司 走线结构、显示基板及显示装置
CN109461764A (zh) * 2018-11-01 2019-03-12 昆山国显光电有限公司 一种柔性显示面板及显示装置
CN109638022A (zh) * 2018-12-17 2019-04-16 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板及其制造方法
CN109712536A (zh) * 2019-02-28 2019-05-03 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 一种显示面板及显示装置
CN110571239A (zh) * 2019-08-06 2019-12-13 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 柔性显示面板
CN110634887A (zh) * 2019-08-30 2019-12-31 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 阵列基板及其制作方法以及显示面板
CN111063257A (zh) * 2019-12-04 2020-04-24 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 柔性显示面板及其制作方法
WO2020113848A1 (zh) * 2018-12-05 2020-06-11 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 一种弯折区走线结构及其显示装置
WO2020118823A1 (zh) * 2018-12-12 2020-06-18 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板及具有该显示面板的显示装置
CN111326669A (zh) * 2018-12-13 2020-06-23 乐金显示有限公司 柔性衬底以及柔性有机发光二极管器件
WO2020124823A1 (zh) * 2018-12-17 2020-06-25 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板及显示模组
CN111403467A (zh) * 2020-03-31 2020-07-10 武汉天马微电子有限公司 显示基板、显示面板和显示装置
WO2021022658A1 (zh) * 2019-08-08 2021-02-11 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 柔性阵列基板及显示装置
WO2021159576A1 (zh) * 2020-02-12 2021-08-19 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 阵列基板及其制备方法
CN113380700A (zh) * 2021-05-20 2021-09-10 绵阳惠科光电科技有限公司 一种柔性屏的制备方法和柔性屏
WO2021226920A1 (zh) * 2020-05-14 2021-11-18 京东方科技集团股份有限公司 显示面板及其制造方法
CN114141141A (zh) * 2021-11-08 2022-03-04 荣耀终端有限公司 一种显示面板及电子设备
CN114188356A (zh) * 2021-07-13 2022-03-15 友达光电股份有限公司 显示装置
US11289681B2 (en) 2018-08-29 2022-03-29 Kunshan Go-Visionox Opto-Electronics Co., Ltd Display panel having a wire exchange area
WO2023015579A1 (zh) * 2021-08-09 2023-02-16 Tcl华星光电技术有限公司 阵列基板及其制作方法
CN114188356B (zh) * 2021-07-13 2024-05-31 友达光电股份有限公司 显示装置

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11215877B2 (en) * 2018-09-30 2022-01-04 Chongqing Hkc Optoelectronics Technology Co., Ltd. Display apparatus and display device
CN109358772B (zh) * 2018-12-12 2021-03-16 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 触摸屏及显示装置
CN113486801B (zh) * 2020-08-17 2023-05-23 友达光电股份有限公司 感测装置

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105474290A (zh) * 2013-03-07 2016-04-06 株式会社半导体能源研究所 显示装置
CN106684115A (zh) * 2017-01-18 2017-05-17 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司 一种金属导线及柔性显示面板
CN106816459A (zh) * 2017-02-28 2017-06-09 上海天马微电子有限公司 一种柔性显示基板和柔性显示装置
CN106952937A (zh) * 2017-04-28 2017-07-14 京东方科技集团股份有限公司 走线结构、显示基板及显示装置
CN106971671A (zh) * 2017-04-28 2017-07-21 京东方科技集团股份有限公司 走线结构、显示基板及显示装置

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI484873B (zh) * 2009-04-07 2015-05-11 Au Optronics Corp 軟性電路板
US10582612B2 (en) * 2014-06-30 2020-03-03 Lg Display Co., Ltd. Flexible display device with reduced bend stress wires and manufacturing method for the same
CN104280912B (zh) * 2014-10-13 2017-06-09 合肥鑫晟光电科技有限公司 短路单元和阵列基板
KR20160044414A (ko) * 2014-10-15 2016-04-25 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 터치 패널 및 전자 기기

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105474290A (zh) * 2013-03-07 2016-04-06 株式会社半导体能源研究所 显示装置
CN106684115A (zh) * 2017-01-18 2017-05-17 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司 一种金属导线及柔性显示面板
CN106816459A (zh) * 2017-02-28 2017-06-09 上海天马微电子有限公司 一种柔性显示基板和柔性显示装置
CN106952937A (zh) * 2017-04-28 2017-07-14 京东方科技集团股份有限公司 走线结构、显示基板及显示装置
CN106971671A (zh) * 2017-04-28 2017-07-21 京东方科技集团股份有限公司 走线结构、显示基板及显示装置

Cited By (42)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11244968B2 (en) 2012-02-28 2022-02-08 Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co., Ltd. Display panel and display device
WO2019041908A1 (zh) * 2017-08-31 2019-03-07 京东方科技集团股份有限公司 走线结构、显示基板及显示装置
US11375614B2 (en) 2017-08-31 2022-06-28 Chengdu Boe Optoelectronics Technology Co., Ltd. Wiring structure, display substrate and display device
US11696395B2 (en) 2017-08-31 2023-07-04 Chengdu Boe Optoelectronics Technology Co., Ltd. Wiring structure, display subtrate and display device
CN108198827B (zh) * 2018-01-29 2021-02-23 上海天马微电子有限公司 一种柔性显示面板及显示装置
CN108198827A (zh) * 2018-01-29 2018-06-22 上海天马微电子有限公司 一种柔性显示面板及显示装置
CN108389869A (zh) * 2018-03-01 2018-08-10 上海天马微电子有限公司 柔性显示面板
CN108389869B (zh) * 2018-03-01 2020-09-22 上海天马微电子有限公司 柔性显示面板
CN108766988A (zh) * 2018-05-31 2018-11-06 武汉天马微电子有限公司 显示面板及显示装置
CN108766988B (zh) * 2018-05-31 2021-01-29 武汉天马微电子有限公司 显示面板及显示装置
CN108987415A (zh) * 2018-06-26 2018-12-11 武汉华星光电技术有限公司 一种阵列基板及其制作方法、触控面板
CN108899341A (zh) * 2018-06-29 2018-11-27 武汉天马微电子有限公司 一种显示面板及显示装置
CN108766245B (zh) * 2018-07-18 2023-10-20 昆山国显光电有限公司 柔性显示屏和显示装置
CN108766245A (zh) * 2018-07-18 2018-11-06 昆山国显光电有限公司 柔性显示屏和显示装置
US11289681B2 (en) 2018-08-29 2022-03-29 Kunshan Go-Visionox Opto-Electronics Co., Ltd Display panel having a wire exchange area
CN109461764A (zh) * 2018-11-01 2019-03-12 昆山国显光电有限公司 一种柔性显示面板及显示装置
CN109461764B (zh) * 2018-11-01 2021-07-06 昆山国显光电有限公司 一种柔性显示面板及显示装置
CN109240013B (zh) * 2018-11-27 2022-03-11 上海中航光电子有限公司 显示面板和显示装置
CN109240013A (zh) * 2018-11-27 2019-01-18 上海中航光电子有限公司 显示面板和显示装置
CN109360832A (zh) * 2018-11-30 2019-02-19 云谷(固安)科技有限公司 一种柔性显示面板及柔性显示装置
WO2020113848A1 (zh) * 2018-12-05 2020-06-11 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 一种弯折区走线结构及其显示装置
WO2020118823A1 (zh) * 2018-12-12 2020-06-18 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板及具有该显示面板的显示装置
CN111326669A (zh) * 2018-12-13 2020-06-23 乐金显示有限公司 柔性衬底以及柔性有机发光二极管器件
CN111326669B (zh) * 2018-12-13 2023-05-12 乐金显示有限公司 柔性衬底以及柔性有机发光二极管器件
CN109638022A (zh) * 2018-12-17 2019-04-16 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板及其制造方法
WO2020124823A1 (zh) * 2018-12-17 2020-06-25 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板及显示模组
WO2020124730A1 (zh) * 2018-12-17 2020-06-25 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板及其制造方法
WO2020172958A1 (zh) * 2019-02-28 2020-09-03 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 一种显示面板及显示装置
CN109712536A (zh) * 2019-02-28 2019-05-03 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 一种显示面板及显示装置
CN110571239A (zh) * 2019-08-06 2019-12-13 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 柔性显示面板
WO2021022658A1 (zh) * 2019-08-08 2021-02-11 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 柔性阵列基板及显示装置
CN110634887A (zh) * 2019-08-30 2019-12-31 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 阵列基板及其制作方法以及显示面板
CN111063257A (zh) * 2019-12-04 2020-04-24 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 柔性显示面板及其制作方法
WO2021159576A1 (zh) * 2020-02-12 2021-08-19 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 阵列基板及其制备方法
CN111403467A (zh) * 2020-03-31 2020-07-10 武汉天马微电子有限公司 显示基板、显示面板和显示装置
WO2021226920A1 (zh) * 2020-05-14 2021-11-18 京东方科技集团股份有限公司 显示面板及其制造方法
CN113380700A (zh) * 2021-05-20 2021-09-10 绵阳惠科光电科技有限公司 一种柔性屏的制备方法和柔性屏
CN114188356A (zh) * 2021-07-13 2022-03-15 友达光电股份有限公司 显示装置
CN114188356B (zh) * 2021-07-13 2024-05-31 友达光电股份有限公司 显示装置
WO2023015579A1 (zh) * 2021-08-09 2023-02-16 Tcl华星光电技术有限公司 阵列基板及其制作方法
US11984456B2 (en) 2021-08-09 2024-05-14 Tcl China Star Optoelectronics Technology Co., Ltd. Array base plate and manufacturing method therefor
CN114141141A (zh) * 2021-11-08 2022-03-04 荣耀终端有限公司 一种显示面板及电子设备

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US20190088685A1 (en) 2019-03-21
CN107634086B (zh) 2020-03-03
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