CN109085942B - 一种阵列基板及其制作方法、触控显示装置 - Google Patents

一种阵列基板及其制作方法、触控显示装置 Download PDF

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Abstract

本发明实施例提供一种阵列基板及其制作方法、触控显示装置，涉及显示技术领域，能够解决触控显示装置可视性较低的问题。本发明实施例提供一种阵列基板包括设置于衬底基板上的公共电极层和多条触控引线，公共电极层包括多个相互绝缘且呈矩阵形式排列的自电容电极，每一条触控引线与一个自电容电极电连接；阵列基板还包括多条悬浮导线，自电容电极通过至少两个第一过孔与至少一条悬浮导线电连接，且该悬浮导线在衬底基板上的正投影位于自电容电极在衬底基板上的正投影的范围之内。上述阵列基板用于制备触控显示装置。

Description

一种阵列基板及其制作方法、触控显示装置
技术领域
本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种阵列基板及其制作方法、触控显示装置。
背景技术
触控显示装置是一种常用的人机交互方式。目前，大多数触控装置的触控面板与显示面板是独立设置的，即触控面板设置于显示面板的显示侧。在此情况下，显示面板的上表面和触控面板的下表面上会反射外来光线，从而导致在室外等光线明亮的环境下显示面板的可视性降低。
发明内容
本发明的实施例提供一种阵列基板及其制作方法、触控显示装置，能够解决触控显示装置可视性较低的问题。
为达到上述目的，本发明的实施例采用如下技术方案：
本发明实施例的一方面，提供一种阵列基板，包括设置于衬底基板上的公共电极层和多条触控引线，所述公共电极层包括多个相互绝缘且呈矩阵形式排列的自电容电极，每一条触控引线与一个自电容电极电连接；所述阵列基板还包括多条悬浮导线，所述自电容电极通过至少两个第一过孔与至少一条所述悬浮导线电连接，且该悬浮导线在所述衬底基板上的正投影位于所述自电容电极在所述衬底基板上的正投影的范围之内。
优选的，还包括多个亚像素以及多条栅线；与第N行亚像素相连接的栅线和与第N-1行亚像素相连接的栅线，位于所述第N行亚像素和所述第N-1行亚像素之间；一所述悬浮导线设置于所述第N行亚像素与所述第N+1行亚像素之间；或者，与第N行亚像素相连接的栅线和与第N+1行亚像素相连接的栅线，位于所述第N行亚像素和所述第N+1行亚像素之间；一所述悬浮导线设置于所述第N行亚像素与所述第N-1行亚像素之间；其中，N≥2，N为偶数。
优选的，还包括多个亚像素以及多条数据线；与第M列亚像素相连接的数据线和与第M-1列亚像素相连接的数据线，位于所述第M列亚像素和所述第M-1列亚像素之间；一所述触控引线设置于所述第M列亚像素与所述第M+1列亚像素之间；或者，与第M列亚像素相连接的数据线和与第M+1列亚像素相连接的数据线，位于所述第M列亚像素和所述第M+1列亚像素之间；一所述触控引线设置于所述第M列亚像素与所述第M-1列亚像素之间；其中，M≥2，M为偶数。
进一步优选的，每依次相邻的三行亚像素中的其中两行亚像素之间设置有一所述悬浮导线。
进一步优选的，每依次相邻的三列亚像素中的其中两列亚像素之间设置有一所述触控引线。
进一步优选的，所述悬浮导线与所述栅线平行，且同层同材料。
进一步优选的，所述悬浮导线的长度和与该悬浮导线电连接的自电容电极的长度相同；其中，所述自电容电极的长度为该自电容电极沿该悬浮导线延伸方向的尺寸。
进一步优选的，所述触控引线与所述数据线平行，且同层同材料。
优选的，每个所述自电容电极在所述衬底基板上的正投影范围内的所有所述悬浮导线均匀分布，且均与该自电容电极电连接。
优选的，相互电连接的所述自电容电极和所述触控引线的重叠区域至少设置有两个用于电连接的第二过孔；其中，所述第一过孔和所述第二过孔在所述自电容电极在所述阵列基板上的正投影范围内分布均匀。
本发明实施例的另一方面，提供一种触控显示装置包括如上所述的任意一种阵列基板。
优选的，在所述阵列基板包括数据线的情况下，所述触控显示装置还包括驱动元件；所述驱动元件划分有多个显示驱动区和触控驱动区；所述数据线延伸于所述显示驱动区，所述触控引线延伸于所述触控驱动区；其中，所述显示驱动区和所述触控驱动区在所述驱动元件内分布均匀。
本发明实施例的又一方面，提供一种用于制作如上所述的任意一种阵列基板的方法，其特征在于，包括：在衬底基板上，通过构图工艺形成多条悬浮导线；在所述衬底基板上，形成第一绝缘层；在所述衬底基板上，通过构图工艺形成多条触控引线，所述触控引线与所述悬浮导线分别位于所述第一绝缘层相对的两个面；在形成有所述悬浮导线和所述触控引线的衬底基板上，形成第二绝缘层，并通过构图工艺，在所述第二绝缘层对应一条所述悬浮导线的位置形成至少两个第一过孔，在对应触控引线的位置形成第二过孔；在形成有所述第二绝缘层的衬底基板上，通过构图工艺形成多个相互绝缘且呈矩阵形式排列的自电容电极；其中，所述自电容电极通过至少两个所述第一过孔与至少一条所述悬浮导线电连接，且该悬浮导线在所述衬底基板上的正投影位于所述自电容电极在所述衬底基板上的正投影的范围之内；每一条触控引线通过所述第二过孔与一个自电容电极电连接。
优选的，所述阵列基板包括多个亚像素；阵列基板的制作方法还包括：在所述衬底基板上，通过构图工艺在第N行亚像素与第N-1行亚像素之间，形成分别与所述第N行亚像素和所述第N-1行亚像素相连接的栅线；形成所述悬浮导线的方法包括：在所述第N行亚像素与第N+1行亚像素之间，形成一所述悬浮导线；或者，阵列基板的制作方法还包括：在所述衬底基板上，通过构图工艺在第N行亚像素与第N+1行亚像素之间，形成分别与所述第N行亚像素和所述第N+1行亚像素相连接的栅线；形成所述悬浮导线的方法包括：在所述第N行亚像素与第N-1行亚像素之间，形成一所述悬浮导线；其中，N≥2，N为偶数。
优选的，所述阵列基板包括多个亚像素；阵列基板的制作方法还包括：在所述衬底基板上，通过构图工艺在第M列亚像素与第M-1列亚像素之间，形成分别与所述第M列亚像素和所述第M-1列亚像素相连接的数据线；形成所述触控引线的方法包括：在所述第M列亚像素与第M+1列亚像素之间，形成一所述触控引线；或者，阵列基板的制作方法还包括：在所述衬底基板上，通过构图工艺在第M列亚像素与第M+1列亚像素之间，形成分别与所述第M列亚像素和所述第M+1列亚像素相连接的数据线；形成所述触控引线的方法包括：在所述第M列亚像素与第M-1列亚像素之间，形成一所述触控引线；其中，M≥2，M为偶数。
由上述可知，一方面，由于每个自电容电极均连接有一条触控引线，因此在显示阶段，可以通过每一条触控引线向其各自连接的自电容电极输出公共电压(。而在触控阶段，可以通过每一条触控引线向其各自连接的自电容电极提供触控初始信号，并在用户执行触控操作后，采集该自电容电极的反馈信号。从而可以通过在显示阶段和触控阶段对用于构成公共电极层的各个自电容电极进行复用，以实现显示和触控功能。这样一来，采用上述阵列基板构成的触控显示装置为完全内嵌式显示装置。因此，无需在显示面板的显示侧单独安装触控面板，从而可以避免现有技术中由于显示面板的上表面和触控面板的下表面反射外来光线，而导致在室外等光线明亮的环境下使得显示面板的可视性降低的问题。此外，采用本发明实施例提供的阵列基板构成的触控显示装置还具有透过率高，且厚度薄的有益效果。另一方面，本发明实施例提供的阵列基板还包括与自电容电极连接的悬浮导线，该悬浮导线具有导电性，且通过至少两个第一过孔与一自电容电极相连接。因此在显示阶段，当触控引线将公共电压输入至自电容电极后，该自电容电极可以通过一个第一过孔将上述公共电压输出至悬浮导线，然后再在该悬浮导线的导通作用下，将上述公共电压通过另一第一过孔传输至该自电容电极的另一部分。这样一来，通过上述悬浮导线以及至少两个第一过孔，可以将触控引线输入的公共电压分布至自电容电极的其他部分，从而可以提高自电容电极的充电均匀性，降低自电容电极自身方阻对充电均匀性的影响。进而可以减小由于自电容电极的充电不均匀导致一些闪烁或显示条纹等不良产生的几率。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本发明实施例提供的一种阵列基板的结构示意图；
图2为本发明实施例提供的另一种阵列基板的结构示意图；
图3为图1或图2中触控引线和悬浮导线的一种布线方式示意图；
图4为图1或图2中触控引线和悬浮导线的另一种布线方式示意图；
图5为图1或图2中悬浮导线的设置方式示意图；
图6为图5中驱动元件的具体结构示意图；
图7为本发明实施例提供的一种阵列基板的制作方法流程图；
图8为采用如图7所示的制作方法制得的阵列基板的部分结构截面图。
附图标记：
01-衬底基板；10-亚像素；101-自电容电极；20-触控引线；21-悬浮导线；30-第一过孔；31-第二过孔；40-驱动元件；401-显示驱动区；402-触控驱动区；50-第一绝缘层；51-第二绝缘层。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
本发明实施例提供一种阵列基板，包括设置于衬底基板01上的公共电极层和如图1所示的多条触控引线20。
其中，该公共电极层包括多个相互绝缘且呈矩阵形式排列的自电容电极101，每一条触控引线20与一个自电容电极101电连接。构成上述公共电极层的材料包括透明导电材料，例如氧化铟锡(Indium Tin Oxide，ITO)、氧化铟锌(Indium Zinc Oxide，IZO)、铟镓锌氧化物(Indium Gallium Zinc Oxide，IGZO)等。此外，该阵列基板还包括由上述透明导电材料构成的像素电极。在阵列基板中，上述两个透明电极中，像素电极为条状且位于阵列基板的下方，即靠近阵列基板的衬底基板设置。而上述公共电极层位于阵列基板的上方，即远离阵列基板的衬底基板设置。
需要说明的是，上述触控引线20的布线方式如图1所示，可以从上至下，自连接位置开始制作触控引线20并延伸至设置驱动芯片的周边区域。例如与第二行的自电容电极101相连接的触控引线20，从第二行自电容电极101在衬底基板01上的正投影所在的区域内开始布线并向下延伸。或者，上述触控引线20的布线方式还可以如图2所示，每一条触控引线20从上直下均贯穿该触控引线20所在的每一列自电容电极101。这样一来，多条触控引线20分布均匀，从而可以避免由于触控引线20分布不均导致出现显示差异的现象。
基于此，相互电连接的自电容电极101和触控引线20的重叠区域至少设置有两个用于将上述自电容电极101和触控引线20电连接的第二过孔31。在此情况下，为了提高自电容电极101的充电均匀性，优选的，多个第二过孔31在该自电容电极101在衬底基板01上的正投影范围内可以均匀分布。
在此基础上，上述阵列基板还包括多条悬浮导线21。其中，自电容电极101通过至少两个第一过孔30与至少一条悬浮导线21电连接，且该悬浮导线21在衬底基板01上的正投影位于该自电容电极101在衬底基板01上的正投影的范围之内。
需要说明的是，本申请对悬浮导线21的延伸方向不做限定，例如，如图1或图2所示，悬浮导线21可以倾斜设置，或者如图5所示悬浮导线21还可以水平设置。
此外，本文中，“上”、“下”、“左”和“右”等方位术语是相对于附图中的阵列基板的任意置放的方位来定义的，应当理解到，这些方向性术语是相对的概念，它们用于相对于的描述和澄清，其可以根据阵列基板所放置的方位的变化而相应地发生变化。
由上述可知，一方面，由于每个自电容电极101均连接有一条触控引线20，因此在显示阶段，可以通过每一条触控引线20向其各自连接的自电容电极101输出公共电压(Vcom)。而在触控阶段，可以通过每一条触控引线20向其各自连接的自电容电极101提供触控初始信号，并在用户执行触控操作后，采集该自电容电极101的反馈信号。从而可以通过在显示阶段和触控阶段对用于构成公共电极层的各个自电容电极101进行复用，以实现显示和触控功能。这样一来，采用上述阵列基板构成的触控显示装置为完全内嵌式(Full In-cell)显示装置。因此，无需在显示面板的显示侧单独安装触控面板，从而可以避免现有技术中由于显示面板的上表面和触控面板的下表面反射外来光线，而导致在室外等光线明亮的环境下使得显示面板的可视性降低的问题。此外，采用本发明实施例提供的阵列基板构成的触控显示装置还具有透过率高，且厚度薄的有益效果。
另一方面，本发明实施例提供的阵列基板还包括与自电容电极101连接的悬浮导线21，该悬浮导线21具有导电性，且通过至少两个第一过孔30与一自电容电极101相连接。因此在显示阶段，当触控引线20将公共电压输入(Vcom)至自电容电极101后，该自电容电极101可以通过一个第一过孔30将上述公共电压(Vcom)输出至悬浮导线20，然后再在该悬浮导线20的导通作用下，将上述公共电压(Vcom)通过另一第一过孔30传输至该自电容电极的另一部分。这样一来，通过上述悬浮导线21以及至少两个第一过孔30，可以将触控引线20输入的公共电压(Vcom)分布至自电容电极101的其他部分，从而可以提高自电容电极101的充电均匀性，降低自电容电极101自身方阻对充电均匀性的影响。进而可以减小由于自电容电极101的充电不均匀导致一些闪烁或显示条纹等不良产生的几率。
在此基础上，为了进一步提高自电容电极101的充电均匀性，优选的，多个上述第一过孔30在自电容电极101在衬底基板01上的正投影范围内分布均匀。
此外，优选的，每个上述自电容电极101在衬底基板01上的正投影范围内的所有悬浮导线21均匀分布，且上述多条悬浮导线21均与该自电容电极101电连接。
以下根据阵列基板上栅线Gate的布线情况，对上述悬浮导线21在阵列基板上的设置方式进行举例说明。
具体的，当阵列基板如图3所示包括多个亚像素10以及多条栅线时，例如，栅线Gate的布线方式为：
如图3所示，与第N行亚像素10相连接的栅线Gate和与第N-1行亚像素10相连接的栅线Gate，位于第N行亚像素10和第N-1行亚像素10之间。
需要说明的是，N≥2，N为偶数。
此外，对于图3所示的结构，第一行亚像素10的上方未设置栅线Gate。
在此情况下，悬浮导线21的布线方式为：一悬浮导线21设置于第N行亚像素10与第N+1行亚像素10之间。
或者，又例如栅线Gate的布线方式为：
如图4所示，与第N行亚像素10相连接的栅线Gate和与第N+1行亚像素10相连接的栅线Gate，位于第N行亚像素10和第N+1行亚像素10之间。
需要说明的是，对于图4所示的结构，第一行亚像素10的上方设置有栅线Gate。
在此情况下，悬浮导线21的布线方式为：一悬浮导线21设置于第N行亚像素10与第N-1行亚像素10之间。
基于此，对于图3和图4所示的结构，为了不增加掩膜曝光(MASK)成本，优选的，上述悬浮导线21与栅线Gate同层同材料。这样一来，通过一次构图工艺，即可以在制作栅线Gate的同时完成悬浮导线21的制备，从而使得制作本发明实施例提供的阵列基板的方法可以与量产工艺高度兼容。此外，还可以使得在阵列基板中增加悬浮导线21的设置，并不会对阵列基板的产能造成影响。
此外，由于栅线Gate采用金属材料构成，因此当悬浮导线21与栅线Gate同层同材料时，该悬浮导线21也由金属材料构成，这样一来悬浮导线21的电阻较小，从而将触控引线20将向自电容电极101输入公共电压(Vcom)输入，通过多个第一过孔30传输至该自电容电极的不同位置时，能够减小公共电压信号的衰减，提高信号的传输效率，减低功耗。
需要说明的是，在本发明实施例中，构图工艺，可指包括光刻工艺，或，包括光刻工艺以及刻蚀步骤，同时还可以包括打印、喷墨等其他用于形成预定图形的工艺；光刻工艺，是指包括成膜、曝光、显影等工艺过程的利用光刻胶、掩模板、曝光机等形成图形的工艺。可根据本发明中所形成的结构选择相应的构图工艺。
其中，本发明实施例中的一次构图工艺，是以通过一次掩膜曝光工艺形成不同的曝光区域，然后对不同的曝光区域进行多次刻蚀、灰化等去除工艺最终得到预期图案为例进行的说明。
进一步的，为了方便布线，优选的上述悬浮导线21与栅线Gate平行。
综上所述，通过对栅线Gate的布线方式进行设置，以在阵列基板的显示区域中空出部分区域用于设置悬浮导线21。这样一来，可以使得相邻的栅线Gate和悬浮导线21之间间隔由一个亚像素10，从而减小栅线Gate和悬浮导线21之间发生串扰的几率。
在此基础上，为了使得每个自电容电极101在衬底基板01上的正投影范围内的多条悬浮导线21能够将触控引线20输入至自电容电极101上的公共电压(Vcom)均匀的分布至自电容电极101的其余部分，从而使得自电容电极101在显示阶段充电均匀。优选的，每依次相邻的三行亚像素10中的其中两行亚像素10之间设置有一条悬浮导线21。这样一来，可以使得悬浮导线21的布线具有规律性，且均匀分布于阵列基板上。此外，通过上述设置还可以有效避免由于布线不均匀导致出现显示差异。
此外，为了进一步提高自电容电极101的充电均匀性，该悬浮导线21的长度L1和与该悬浮导线21电连接的自电容电极101的长度L2相同。其中，该自电容电极101的长度为该自电容电极101沿该悬浮导线21延伸方向的尺寸。
这样一来，自电容电极101的边缘位置也可以通过设置上述用于将悬浮导线21和自电容电极101电连接的第一过孔30，从而可以在自电容电极101的边缘位置增加第一过孔30的数量，使得自电容电极101的边缘位置也能够接收到由触控引线20输入的公共电压(Vcom)，进而可以进一步提高自电容电极101的充电均匀性。
需要说明是，本发明实施例中，每个自电容电极101可以为正方向，且每一个自电容电极101可以覆盖多个呈矩阵形式排列的亚像素10。例如一个自电容电极101覆盖40×40个亚像素10，或者一个自电容电极101覆盖30×30个亚像素10，本发明对此不做限定。
以下根据阵列基板上数据线Data的布线情况，对上述触控引线20在阵列基板上的设置方式进行举例说明。
具体的，在阵列基板如图4所示包括多个亚像素10以及多条数据线Data的情况下，例如，数据线Data的布线方式为：
如图4所示，与第M列亚像素10相连接的数据线Data和与第M-1列亚像素10相连接的数据线Data，位于第M列亚像素10和第M-1列亚像素10之间。
需要说明的是，M≥2，M为偶数。M与N可以相同，也可以不同。且本申请对M和N的大小关系不做限定。
此外，图4所示的结构中，该阵列基板的第一列(最左端一列)亚像素的左边未设置数据选Data。
在此情况下，触控引线20的布线方式为：一触控引线20设置于第M列亚像素10与第M+1列亚像素10之间。
或者，又例如数据线Data的布线方式为：
如图3所示，与第M列亚像素10相连接的数据线Data和与第M+1列亚像素10相连接的数据线Data，位于第M列亚像素10和第M+1列亚像素之间。
需要说明的是，图3所示的结构中，该阵列基板的第一列(最左端一列)亚像素的左边设置有数据选Data。
在此情况下，触控引线20的布线方式为：一触控引线20设置于第M列亚像素10与第M-1列亚像素10之间。
基于此，对于图3和图4所示的结构，为了不增加掩膜曝光(MASK)成本，触控引线20与数据线Data同层同材料。这样一来，通过一次构图工艺，即可以在制作数据线Data的同时完成触控引线20的制备，从而使得制作本发明实施例提供的阵列基板的方法可以与量产工艺高度兼容。
进一步的，为了方便布线，优选的触控引线20与数据线Data平行。
综上所述，通过对数据线Data的布线方式进行设置，以在阵列基板的显示区域中空出部分区域用于设置触控引线20。这样一来，可以使得相邻的数据线Data和触控引线20之间间隔由一个亚像素10，从而减小数据线Data和触控引线20之间发生串扰的几率。
在此基础上，为了减小显示差异，优选的每依次相邻的三列亚像素10中的其中两列亚像素10之间设置有触控引线20，从而使得触控引线20的布线具有规律性，且均匀分布于阵列基板上。
本发明实施例提供一种触控显示装置，包括如上所述的任意一种阵列基板。该触控显示装置具有与前述实施例提供的阵列基板相同的结构和有益效果，此处不再赘述。
需要说明的是，在本发明实施例中，上述触控显示装置具体可以包括可以为显示器、电视、数码相框、手机或平板电脑等任何具有显示功能的产品或者部件。
在此基础上，在上述阵列基板包括数据线Data的情况下，该触控显示装置还包括如图5所示的驱动元件40。
具体的，该驱动元件40如图6所示划分有多个显示驱动区401和触控驱动区402。其中，数据线Data延伸于显示驱动区401，从而使得驱动元件40能够向延伸至显示驱动区401的数据线提供数据电压(Vdata)。此外，而触控引线20延伸于触控驱动区402，从而使得驱动元件40能够向延伸至触控驱动区402的触控引线20提供触控初始信号。并且在用户执行触控操作后，通过触控引线20将与该触控引线20相连接的自电容电极101的反馈信号输出至该驱动元件40的触控驱动区402。
在此基础上，结合上述阵列基板中触控引线20与数据线Data的布线情况下，上述显示驱动区401和触控驱动区402在驱动元件40内分布均匀。这样一来，采用上述Full In-cell结构的阵列基板以及与该阵列基板相连接的驱动元件40构成的触控显示装置可以实现TDDI(Touch and Display Driver Integration，触摸显示驱动集成)设计。
基于此，该触控显示装置在工作过程中包括显示阶段和触控阶段。其中，显示阶段包括多个图像帧。触控阶段可以在一图像帧的Blank(消隐时间)阶段内插入。或者，在一图像帧除了Blank阶段以外的任意一个阶段插入上述触控阶段。本发明对此不作限定。
本发明实施例提供一种用于制作如上述所述的任意一种阵列基板的制作方法，如图7所示，该方法包括：
S101、如图8所示，在衬底基板01上，通过构图工艺形成多条悬浮导线21。
S102、在该衬底基板01上，形成第一绝缘层50。
需要说明的是，当上述多条悬浮导线21与阵列基板中的栅线Gate同层同材料时，上述第一绝缘层50可以为栅极绝缘层(GI)。
S103、在衬底基板上，通过构图工艺形成多条触控引线20，该触控引线20与悬浮导线21分别位于第一绝缘层50相对两个面。
需要说明的是，该上述第一绝缘层50相对两个面分别为该第一绝缘层50靠近衬底基板01一侧的表面，该表面与悬浮导线21相接触，以及该第一绝缘层50背离衬底基板01一侧的表面，该表面与触控引线20相接触。
S104、在形成有悬浮导线21和触控引线20的衬底基板01上，形成第二绝缘层51，并通过构图工艺，在第二绝缘层51对应一条悬浮导线21的位置形成至少两个第一过孔30，在对应触控引线20的位置形成第二过孔31。
需要说明的是，当上述多条触控引线20与阵列基板中的数据线Data同层同材料时，上述第二绝缘层51可以为钝化层(PVX)。
S105、在形成有第二绝缘层51的衬底基板01上，通过构图工艺形成多个相互绝缘且呈矩阵形式排列的自电容电极101。
其中，上述自电容电极101通过至少两个第一过孔30与至少一条悬浮导线21电连接，且该悬浮导线21在衬底基板01上的正投影位于自电容电极101在衬底基板01上的正投影的范围之内。每一条触控引线20通过第二过孔31与一个自电容电极101电连接。
本发明实施例提供的阵列基板的制作方法与前述实施例提供的阵列基板具有相同的有益效果，此处不再赘述。
以下根据阵列基板上栅线Gate的布线方式，对上述悬浮导线21在阵列基板上的布线方式进行举例说明。
具体的，当阵列基板如图3所示包括多个亚像素10时，例如，栅线Gate的布线方式为：
在上述衬底基板01上，通过构图工艺如图3所示，在第N行亚像素10与第N-1行亚像素10之间，形成分别与第N行亚像素10和第N-1行亚像素10相连接的栅线Gate。
需要说明的是，N≥2，N为偶数。
此外，对于图3所示的结构，第一行亚像素10的上方未设置栅线Gate。
在此情况下，悬浮导线21的布线方式包括：在第N行亚像素10与第N+1行亚像素10之间，形成一悬浮导线21。
或者，又例如栅线Gate的布线方式为：
在衬底基板01上，通过构图工艺如图4所示，在第N行亚像素10与第N+1行亚像素10之间，形成分别与第N行亚像素10和第N+1行亚像素10相连接的栅线Gate。
需要说明的是，对于图4所示的结构，第一行亚像素10的上方设置有栅线Gate。
在此情况下，悬浮导线21的布线方式为：在第N行亚像素10与第N-1行亚像素10之间，形成一悬浮导线21。
综上所述，通过对栅线Gate的布线方式进行设置，以在阵列基板的显示区域中空出部分区域用于设置悬浮导线21。这样一来，可以使得相邻的栅线Gate和悬浮导线21之间间隔由一个亚像素10，从而减小栅线Gate和悬浮导线21之间发生串扰的几率。
以下根据阵列基板上数据线Data的布线方式情况，对上述触控引线20在阵列基板上的布线方式进行举例说明。
具体的，在阵列基板如图4所示包括多个亚像素10的情况下，例如，数据线Data的布线方式为：
在衬底基板01上，通过构图工艺如图4所示，在第M列亚像素10与第M-1列亚像素10之间，形成分别与第M列亚像素10和第M-1列亚像素10相连接的数据线Data。
需要说明的是，M≥2，M为偶数。M与N可以相同，也可以不同。且本申请对M和N的大小关系不做限定。
此外，图4所示的结构中，该阵列基板的第一列(最左端一列)亚像素的左边未设置数据选Data。
在此情况下，触控引线20的布线方式为：在第M列亚像素10与第M+1列亚像素10之间，形成一触控引线20。
或者，又例如数据线Data的布线方式为：
在衬底基板01上，通过构图工艺如图3所示，在第M列亚像素10与第M+1列亚像素10之间，形成分别与第M列亚像素10和第M+1列亚像素10相连接的数据线Data。
需要说明的是，图3所示的结构中，该阵列基板的第一列(最左端一列)亚像素的左边设置有数据选Data。
在此情况下，触控引线20的布线方式为：在第M列亚像素10与第M-1列亚像素10之间，形成一触控引线20。
综上所述，通过对数据线Data的布线方式进行设置，以在阵列基板的显示区域中空出部分区域用于设置触控引线20。这样一来，可以使得相邻的数据线Data和触控引线20之间间隔由一个亚像素10，从而减小数据线Data和触控引线20之间发生串扰的几率。
以上所述，仅为本发明的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，可轻易想到变化或替换，都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此，本发明的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。

Claims (14)

1.一种阵列基板，其特征在于，包括设置于衬底基板上的公共电极层和多条触控引线，所述公共电极层包括多个相互绝缘且呈矩阵形式排列的自电容电极，每一条触控引线与一个自电容电极电连接；
所述阵列基板还包括多条悬浮导线，所述自电容电极通过至少两个第一过孔与至少一条所述悬浮导线电连接，且该悬浮导线在所述衬底基板上的正投影位于所述自电容电极在所述衬底基板上的正投影的范围之内；
所述悬浮导线相对于触控引线的延伸方向倾斜设置，或者垂直设置；
所述阵列基板还包括多条栅线，所述悬浮导线与所述栅线平行，且同层同材料。
2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，还包括多个亚像素；
与第N行亚像素相连接的栅线和与第N-1行亚像素相连接的栅线，位于所述第N行亚像素和所述第N-1行亚像素之间；一所述悬浮导线设置于所述第N行亚像素与第N+1行亚像素之间；
或者，与第N行亚像素相连接的栅线和与第N+1行亚像素相连接的栅线，位于所述第N行亚像素和所述第N+1行亚像素之间；一所述悬浮导线设置于所述第N行亚像素与第N-1行亚像素之间；
其中，N≥2，N为偶数。
3.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，还包括多个亚像素以及多条数据线；
与第M列亚像素相连接的数据线和与第M-1列亚像素相连接的数据线，位于所述第M列亚像素和所述第M-1列亚像素之间；一所述触控引线设置于所述第M列亚像素与第M+1列亚像素之间；
或者，与第M列亚像素相连接的数据线和与第M+1列亚像素相连接的数据线，位于所述第M列亚像素和所述第M+1列亚像素之间；一所述触控引线设置于所述第M列亚像素与第M-1列亚像素之间；
其中，M≥2，M为偶数。
4.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，每依次相邻的三行亚像素中的其中两行亚像素之间设置有一所述悬浮导线。
5.根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，每依次相邻的三列亚像素中的其中两列亚像素之间设置有一所述触控引线。
6.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述悬浮导线的长度和与该悬浮导线电连接的自电容电极的长度相同；
其中，所述自电容电极的长度为该自电容电极沿该悬浮导线延伸方向的尺寸。
7.根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述触控引线与所述数据线平行，且同层同材料。
8.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，每个所述自电容电极在所述衬底基板上的正投影范围内的所有悬浮导线均匀分布，且均与该自电容电极电连接。
9.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，相互电连接的所述自电容电极和所述触控引线的重叠区域至少设置有两个用于电连接的第二过孔；
其中，所述第一过孔和所述第二过孔在所述自电容电极在所述阵列基板上的正投影范围内分布均匀。
10.一种触控显示装置，其特征在于，包括如权利要求1-9任一项所述的阵列基板。
11.根据权利要求10所述的触控显示装置，其特征在于，在所述阵列基板包括数据线的情况下，所述触控显示装置还包括驱动元件；
所述驱动元件划分有多个显示驱动区和触控驱动区；所述数据线延伸于所述显示驱动区，所述触控引线延伸于所述触控驱动区；
其中，所述显示驱动区和所述触控驱动区在所述驱动元件内分布均匀。
12.一种阵列基板的制作方法，其特征在于，包括：
在衬底基板上，通过构图工艺形成多条悬浮导线和多条栅线，所述悬浮导线与所述栅线平行，且同层同材料；
在所述衬底基板上，形成第一绝缘层；
在所述衬底基板上，通过构图工艺形成多条触控引线，所述触控引线与所述悬浮导线分别位于所述第一绝缘层相对的两个面；
在形成有所述悬浮导线和所述触控引线的衬底基板上，形成第二绝缘层，并通过构图工艺，在所述第二绝缘层对应一条所述悬浮导线的位置形成至少两个第一过孔，在对应触控引线的位置形成第二过孔；
在形成有所述第二绝缘层的衬底基板上，通过构图工艺形成多个相互绝缘且呈矩阵形式排列的自电容电极；
其中，所述自电容电极通过至少两个所述第一过孔与至少一条所述悬浮导线电连接，且该悬浮导线在所述衬底基板上的正投影位于所述自电容电极在所述衬底基板上的正投影的范围之内；每一条触控引线通过所述第二过孔与一个自电容电极电连接；
所述悬浮导线相对于触控引线的延伸方向倾斜设置，或者垂直设置。
13.根据权利要求12所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，所述阵列基板包括多个亚像素；
阵列基板的制作方法还包括：在所述衬底基板上，通过构图工艺在第N行亚像素与第N-1行亚像素之间，形成分别与所述第N行亚像素和所述第N-1行亚像素相连接的栅线；
形成所述悬浮导线的方法包括：在所述第N行亚像素与第N+1行亚像素之间，形成一所述悬浮导线；
或者，
阵列基板的制作方法还包括：在所述衬底基板上，通过构图工艺在第N行亚像素与第N+1行亚像素之间，形成分别与所述第N行亚像素和所述第N+1行亚像素相连接的栅线；
形成所述悬浮导线的方法包括：在所述第N行亚像素与第N-1行亚像素之间，形成一所述悬浮导线；
其中，N≥2，N为偶数。
14.根据权利要求12所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，所述阵列基板包括多个亚像素；
阵列基板的制作方法还包括：在所述衬底基板上，通过构图工艺在第M列亚像素与第M-1列亚像素之间，形成分别与所述第M列亚像素和所述第M-1列亚像素相连接的数据线；
形成所述触控引线的方法包括：在所述第M列亚像素与第M+1列亚像素之间，形成一所述触控引线；
或者，
阵列基板的制作方法还包括：在所述衬底基板上，通过构图工艺在第M列亚像素与第M+1列亚像素之间，形成分别与所述第M列亚像素和所述第M+1列亚像素相连接的数据线；
形成所述触控引线的方法包括：在所述第M列亚像素与第M-1列亚像素之间，形成一所述触控引线；
其中，M≥2，M为偶数。
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