CN205375439U - 一种内嵌式自容触控屏及显示装置 - Google Patents
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Abstract
本实用新型提供一种内嵌式自容触控屏和一种显示装置，该显示装置包括该内嵌式自容触控屏。该内嵌式自容触控屏包括阵列基板、设置于所述阵列基板上的多条栅线、多条数据线、多个像素电极、公共电极以及多条触控线。多条栅线和多条数据线交叉限定多个呈阵列分布的像素单元；公共电极被分割成多个独立的自电容电极；各自电容电极对应多个像素单元。多条触控线包括，触控信号线和虚拟触控信号线；触控信号线方向与数据线方向相同，虚拟触控信号线方向与栅线方向相同；触控信号线和虚拟触控信号线均与对应的自电容电极电性连接。本实用新型提供的内嵌式自容触控屏和显示装置在保证开口率的前提下可以更好地改善显示漏光现象。
Description
技术领域
本实用新型涉及液晶显示领域，尤其涉及一种内嵌式自容触控屏以及包括该内嵌式自容触控屏的显示装置。
背景技术
随着显示技术的快速发展，触控屏已经普及到人们的日常生活中。其中，内嵌式触控屏将触控屏的触控电极内嵌在液晶显示屏内部，可以减薄模组整体的厚度、降低制作成本，受到消费者和面板厂商的青睐。内嵌式触控屏利用互电容原理或自电容原理检测手指触控的位置。其中，内嵌式自容触控屏将人体电容作用于全部自电容电极，人体触摸屏幕所引起的触控电容变化量会大于利用互电容原理制作出的触控屏，因此自电容触控屏能有效提高触控的信噪比，从而提高触控感应的准确性。
请参考图1和图2，图1是现有技术中一种内嵌式自容触控显示装置的阵列基板的俯视图，图2是图1中1A区的局部放大图。内嵌式自容触控屏中，为了将自电容电极1260与触控侦测芯片(未示出)连接，会设置与自电容电极1260对应连接的触控信号线1272，从而将触控信号传递给触控侦测芯片。且为了减小各自电容电极1260之间的电阻差及电容差以保证触控精度，会设置与自电容电极1260对应连接的虚拟触控信号线1271。为了保证开口率，触控信号线1272和虚拟触控信号线1271在阵列基板上的正投影位于像素单元134之间间隙内，一般地，触控信号线1272和虚拟触控信号线1271与数据线123方向相同且与数据线123绝缘叠层设置。
由于触控信号线1272和虚拟触控信号线1271与数据线123之间设置有绝缘层，触控信号线1272、虚拟触控信号线1271的位置处相对于绝缘层有较大的段差，尤其当绝缘层采用SiNx或者SiO2或者SiNx与SiO2的复合材料制作时，绝缘层厚度变小，段差也就变大。段差大会导致该处配向摩擦强度低，又由于触控信号线1272和虚拟触控信号线1271与数据线123绝缘叠层设置，而数据线123对应的黑矩阵宽度小，因此会产生漏光风险。
实用新型内容
有鉴于此，本实用新型提供一种内嵌式自容触控屏及一种显示装置，以解决现有技术中的漏光问题。
该内嵌式自容触控屏包括阵列基板、设置于阵列基板上的多条栅线、多条数据线、多个像素电极、公共电极以及多条触控线；多条栅线和多条数据线交叉限定多个呈阵列分布的像素单元；公共电极被分割成多个独立的自电容电极；各自电容电极对应多个像素单元。
多条触控线包括，触控信号线和虚拟触控信号线；触控信号线方向与数据线方向相同，虚拟触控信号线方向与栅线方向相同；触控信号线和虚拟触控信号线均与对应的自电容电极电性连接。
该显示装置包括该内嵌式自容触控屏。
本实用新型提供的一种内嵌式自容触控屏，将虚拟触控信号线的走向设置为与栅线方向相同，同时虚拟触控信号线在阵列基板的正投影位于像素单元之间间隙内。由于栅线对应的黑矩阵的宽度大于数据线对应的黑矩阵的宽度，因此虚拟触控信号线段差大造成的漏光可以被栅线对应的黑矩阵遮挡，改善漏光现象。包括该内嵌式自容触控屏的显示装置的漏光风险同样可以减小。
附图说明
图1是现有技术中一种内嵌式自容触控显示装置的阵列基板的俯视图；
图2是图1中1A区的局部放大图；
图3是实施例一提供的内嵌式自容触控显示装置的阵列基板的俯视图；
图4是图3中2A区的局部放大图；
图5是图4中沿Aa线的显示装置局部截面图；
图6是图4中沿Bb线的显示装置局部截面图；
图7是实施例二提供的内嵌式自容触控显示装置的阵列基板的俯视图；
图8是图7中3A区的局部放大图；
图9是图8中沿Cc线的显示装置局部截面图；
图10是图8中沿Dd线的显示装置局部截面图；
图11是实施例三提供的内嵌式自容触控显示装置阵列基板的俯视图；
图12是图11中4A区的局部放大图；
图13是实施例四提供的另一种内嵌式自容触控显示装置阵列基板的俯视图；
图14是图13中5A区的局部放大图。
具体实施方式
为使本实用新型的上述目的、特征和优点能够更为明显易懂，下面将结合附图和实施例对本实用新型做进一步说明。
需要说明的是，在以下描述中阐述了具体细节以便于充分理解本实用新型。但是本实用新型能够以多种不同于在此描述的其它方式来实施，本领域技术人员可以在不违背本实用新型内涵的情况下做类似推广。特别地，以下具体实施方式均以低温多晶硅液晶显示装置的结构为例加以说明，但是本实用新型同样可以应用在单晶硅液晶显示装置中。因此本实用新型不受下面公开的具体实施方式的限制。
实施例一
请参考图3、图4、图5和图6，图3是实施例一提供的一种内嵌式自容触控显示装置的阵列基板的俯视图，图4是图3中2A区的局部放大图，图5是图4中沿Aa线的显示装置局部截面图，图6是图4中沿Bb线的显示装置局部截面图。
具体地，请参考图5和图6，内嵌式自容触控屏包括阵列基板221、设置于阵列基板221上的多条栅线222、多条数据线223、公共电极226以及多条触控线227。该内嵌式自容触控屏还包括平坦化层214，平坦化层214覆盖栅线222和数据线223，触控线227位于平坦化层214之上。该显示装置包括该内嵌式自容触控屏，还包括彩膜基板231以及设置于彩膜基板231上的黑矩阵233。
平坦化层214的材料为SiNx或SiO2或SiNx与SiO2的复合材料或有机绝缘材料，采用SiNx或SiO2或SiNx与SiO2的复合材料时，平坦化层214的膜厚较薄，因此触控线227处的段差大。需要说明的是，栅线222用于传输扫描信号，数据线223用于传输数据信号。
请参考图3和图4，多条栅线222和多条数据线223交叉限定多个呈阵列分布的像素单元234，各像素单元234之间包括沿栅线222方向的第一间隙2341和沿数据线223方向的第二间隙2342。公共电极226被分割成多个独立的自电容电极2260；各自电容电极2260对应多个像素单元234。
优选地，各自电容电极2260对应像素单元234的个数为三的倍数。在本实施例一中，各自电容电极2260对应六个像素单元234，本实用新型对各自电容电极2260对应的像素单元234的具体个数不做限定。
请继续参考图3和图4，触控线227包括，触控信号线2272和虚拟触控信号线2271。触控信号线2272与数据线223方向相同，虚拟触控信号线2271与栅线222方向相同；触控信号线2272和虚拟触控信号线2271在阵列基板221的正投影均位于像素单元234之间间隙区域内；各触控信号线2272与各虚拟触控信号线2271不相交。每条触控信号线2272将对应的电容电极2260电连接至触控侦测芯片(未示出)；每条虚拟触控信号线2271和只与对应的电容电极2260电连接，但是不连接至触控侦测芯片。
具体地，栅线222和虚拟触控信号线2271在阵列基板221的正投影均位于第一间隙2341内；数据线223和触控信号线2272在阵列基板221的正投影均位于第二间隙2342内。栅线222和虚拟触控信号线2271在彩膜基板231的正投影位于沿栅线222方向设置的黑矩阵233所在区域内；数据线223和触控信号线2272在彩膜基板231的正投影位于沿数据线223方向设置的黑矩阵233所在区域内。
触控信号线2272和虚拟触控信号线2271的宽度小于或等于黑矩阵233的宽度。
具体地，请继续参考图5和图6，触控信号线2272的宽度小于或等于沿数据线223方向设置的黑矩阵233的宽度；虚拟触控信号线2271的宽度小于或等于沿栅线222方向设置的黑矩阵233的宽度。
更具体地，位于同一个第二间隙2342区域内的所有触控信号线2272的总宽度小于或等于沿数据线223方向设置的黑矩阵233的宽度；位于同一个第一间隙2341区域内的所有虚拟触控信号线2271的总宽度小于或等于沿栅线222方向设置的黑矩阵233的宽度。
请继续参考图3，触控信号线2272和虚拟触控信号线2271均与对应的自电容电极2260电性连接。各自电容电极2260与至少一条触控信号线2272电性连接，一条触控信号线2272只与一个自电容电极2260电性连接。各自电容电极2260与多条虚拟触控信号线2271电性连接，一条虚拟触控信号线2271只与一个自电容电极2260电性连接。
需要说明的是，在本实施例一中，各自电容电极2260与一条触控信号线2272电性连接，一条触控信号线2272只与一个自电容电极2260电性连接。各自电容电极2260与九条虚拟触控信号线2271电性连接，一条虚拟触控信号线2271只与一个自电容电极2260电性连接。本实用新型不对各自电容电极2260所连接的触控信号线2272和虚拟触控信号线2271的具体条数做限定。
请继续参考图5和图6，触控信号线2272与自电容电极2260之间设置绝缘层215，触控信号线2272通过过孔2273与自电容电极2260电性连接。虚拟触控信号线2271与自电容电极2260之间设置绝缘层215，虚拟触控信号线2271通过过孔2274与自电容电极2260电性连接。
具体地，触控信号线2272与虚拟触控信号线2271同层设置且均与自电容电极2260之间设置绝缘层215，触控信号线2272通过位于绝缘层215上的过孔2273与自电容电极2260电性连接，虚拟触控信号线2271通过位于绝缘层215上的过孔2274与自电容电极2260电性连接。
需要说明的是，请参考图3和图4，虚拟触控信号线2271在触控信号线2272处断开，避免发生短路。
本实用新型提供的一种内嵌式自容触控显示装置，虚拟触控信号线2271在阵列基板221的正投影位于像素单元234之间的第一间隙2341内，且走向与栅线222方向相同。由于栅线222对应的黑矩阵233的宽度大于数据线223对应的黑矩阵233的宽度，因此虚拟触控信号线2271段差大造成的漏光可以被栅线222对应的黑矩阵233遮挡，改善漏光现象。本实施例一仅将现有技术中虚拟触控信号线2271的走向和位置做了改变，通过简单的工艺改进即可减小漏光风险，得到显示效果优异的显示装置。
实施例二
请参考图7、图8、图9和图10，图7是实施例二提供的内嵌式自容触控显示装置的阵列基板的俯视图，图8是图7中3A区的局部放大图，图9是图8中沿Cc线的显示装置局部截面图，图10是图8中沿Dd线的显示装置局部截面图；本实施例二中提供的一种内嵌式自容触控屏和一种显示装置与实施例一中提供的一种内嵌式自容触控屏和一种显示装置所包含的结构相似，在此不再赘述，着重介绍两者区别之处。
请继续参考图5，多条栅线222和多条数据线223交叉限定多个呈阵列分布的像素单元234，各像素单元234之间包括沿栅线222方向的第一间隙2341和沿数据线223方向的第二间隙2342。公共电极226被分割成多个独立的自电容电极2260，各自电容电极2260对应多个像素单元234。
优选地，各自电容电极2260对应像素单元234的个数为三的倍数。在本实施例一中，各自电容电极2260对应六个像素单元234，本实用新型对各自电容电极2260对应的具体像素单元234的具体个数不做限定。
请参考图9和图10，触控线227与公共电极226之间未设置绝缘层。因此，触控信号线2272和虚拟触控信号线2271与自电容电极2260直接电性连接。
请参考图7和图8，自电容电极2260上设有多个第一狭缝2261，第一狭缝2261的方向与数据线223的方向相同，触控信号线2272设置在所述第一狭缝2261内。自电容电极上设有多个第二狭缝2262，第二狭缝2262的方向与栅线222的方向相同，虚拟触控信号线2271设置在所述第二狭缝2262内，并与自电容电极2260电性连接。
具体地，请继续参考图7和图8，各自电容电极2260之间存在第一狭缝2261，第一狭缝2261在阵列基板221上的正投影位于与数据线223延伸方向相同的第二间隙2342内，第一狭缝2261在彩膜基板231上的正投影位于沿数据线223方向设置的黑矩阵233所在区域内。触控信号线2272与数据线223方向相同，触控信号线2272设置在第一狭缝2261内直接与对应的自电容电极2260电性连接，且与其他自电容电极2260不发生电性连接。各自电容电极2260与一条触控信号线2272电性连接，一条触控信号线2272只与一个自电容电极2260电性连接。
需要说明的是，在本实施例二中，与自电容电极2260电性连接的触控信号线2272至少为一条，本实用新型对与自电容电极2260连接的触控信号线2272的具体数目不做限定。
更具体地，请继续参考图7和图8，自电容电极2260上设置第二狭缝2262，第二狭缝2262在阵列基板221上的正投影位于第一间隙2341内，第二狭缝2262在彩膜基板231上的正投影位于沿栅线222方向设置的黑矩阵233所在区域内。虚拟触控信号线2271与栅线222方向相同，虚拟触控信号线2271设置在第二狭缝2262内直接与所在的自电容电极2260电性连接，且与其他自电容电极2260不发生电性连接。各自电容电极2260与九条虚拟触控信号线2271电性连接，一条虚拟触控信号线2271只与一个自电容电极2260电性连接。虚拟触控信号线2271的电阻率小于自电容电极2260的电阻率，以减小自电容电极2260的电阻差和电容差。
需要说明的是，在本实施例二中，各自电容电极2260上设置有九条第二狭缝2262，每条第二狭缝2262内均设置有与自电容电极2260电性连接的一条虚拟触控信号线2271。本实用新型对各自电容电极2260上设置的第二狭缝2262的数目不做限定，对每条第二狭缝2262内的虚拟触控信号线2271的数目不做限定。
需要说明的是，各触控信号线2272与各虚拟触控信号线2271不相交，具体地，虚拟触控信号线2271在触控信号线2272处断开，避免发生短路。
进一步地，第一狭缝2261的宽度小于或等于沿数据线223方向设置的黑矩阵233的宽度，第二狭缝2262的宽度小于或等于沿栅线222方向设置的黑矩阵233的宽度。位于同一个第一狭缝2261内的所有触控信号线2272的总宽度小于或等于沿数据线223方向设置的黑矩阵233的宽度，位于同一个第二狭缝2262内的所有虚拟触控信号线2271的总宽度小于或等于沿栅线222方向设置的黑矩阵233的宽度。
本实用新型提供的一种内嵌式自容触控显示装置，虚拟触控信号线2271在阵列基板221的正投影位于像素单元234之间的第一间隙2341内，且走向与栅线222方向相同。由于栅线222对应的黑矩阵233的宽度大于数据线223对应的黑矩阵233的宽度，因此虚拟触控信号线2271段差大造成的漏光可以被栅线222对应的黑矩阵233遮挡，改善漏光现象。本实施例二将触控信号线2272和虚拟触控信号线2271同层设置，且与自电容电极2260之间未设置绝缘层，因此，可以得到厚度更薄且漏光风险小的内嵌式自容触控显示装置。
实施例三
请参考图11和图12，图11是实施例三提供的一种内嵌式自容触控显示装置的阵列基板的俯视图，图12是图11中4A区的局部放大图。图11和图12为触控信号线2272与自电容电极2260之间未设置绝缘层且虚拟触控信号线2271与自电容电极2260之间设置绝缘层的内嵌式自容触控显示装置的阵列基板的俯视图。本实施例三中提供的一种内嵌式自容触控屏和一种显示装置与实施例一和实施例二中提供的一种内嵌式自容触控屏和一种显示装置的结构相似，在此不再赘述，着重介绍本实施例三与实施例一和实施例二的区别之处。
由于触控信号线2272与自电容电极2260之间未设置绝缘层，因此，触控信号线2272与自电容电极2260不通过过孔连接。
具体地，请参考图11和图12，各自电容电极2260之间存在第一狭缝2261，第一狭缝2261在阵列基板221上的正投影位于与数据线223延伸方向相同的第二间隙2342内，第一狭缝2261在彩膜基板231上的正投影位于沿数据线223方向设置的黑矩阵233所在区域内。触控信号线2272与数据线223方向相同，触控信号线2272设置在第一狭缝2261内直接与对应的自电容电极2260电性连接，且与其他自电容电极2260不发生电性连接。各自电容电极2260与一条触控信号线2272电性连接，一条触控信号线2272只与一个自电容电极2260电性连接。
需要说明的是，在本实施例三中，与自电容电极2260电性连接的触控信号线2272至少为一条，本实用新型对与自电容电极2260连接的触控信号线2272的具体数目不做限定。
需要说明的是，第一狭缝2261的宽度小于或等于沿数据线223方向设置的黑矩阵233的宽度，更具体地，位于同一个第一狭缝2261内的所有触控信号线2272的总宽度小于或等于沿数据线223方向设置的黑矩阵233的宽度。
由于虚拟触控信号线2271与自电容电极2260之间设置绝缘层，因此，虚拟触控信号线2271与自电容电极2260通过过孔2274连接。
具体地，请继续参考图11和图12，虚拟触控信号线2271在阵列基板221的正投影均位于像素单元234之间沿栅线222方向设置的第一间隙2341内，在彩膜基板231上的正投影位于沿栅线222方向设置的黑矩阵233所在区域内，且与栅线222方向相同。位于同一个第一间隙2341区域内的所有虚拟触控信号线2271的总宽度小于或等于沿栅线222方向设置的黑矩阵233的宽度。各自电容电极2260与九条虚拟触控信号线2271电性连接，一条虚拟触控信号线2271只与一个自电容电极2260电性连接。
需要说明的是，在本实施例三中，各自电容电极2260与九条虚拟触控信号线2271电性连接，一条虚拟触控信号线2271只与一个自电容电极2260电性连接。本实用新型对各自电容电极2260所连接的虚拟触控信号线2271的具体条数不做限定。
本实用新型提供的一种内嵌式自容触控显示装置，虚拟触控信号线2271在阵列基板221的正投影位于像素单元234之间的第一间隙2341内，且走向与栅线222方向相同。由于栅线222对应的黑矩阵233的宽度大于数据线223对应的黑矩阵233的宽度，因此虚拟触控信号线2271段差大造成的漏光可以被栅线222对应的黑矩阵233遮挡，改善漏光现象。本实施例三可以根据实际需求得到漏光风险小的内嵌式自容触控显示装置。
实施例四
请参考图13和图14，图13是实施例四提供的一种内嵌式自容触控显示装置的阵列基板的俯视图，图14是图13中5A区的局部放大图。图13和图14为触控信号线2272与自电容电极2260之间设置绝缘层且虚拟触控信号线2271与自电容电极2260之间未设置绝缘层的内嵌式自容触控屏的俯视图。本实施例四中提供的一种内嵌式自容触控屏与实施例一、实施例二和实施例三中提供的一种内嵌式自容触控屏的结构相似，在此不再赘述，着重介绍本实施例四与实施例一、实施例二和实施例三的区别之处。
由于触控信号线2272与自电容电极2260之间设置绝缘层，因此，触控信号线2272与自电容电极2260通过过孔2273连接。
具体地，请继续参考图13和图14，触控信号线2272在阵列基板221上的正投影位于像素单元之间沿数据线223方向延伸的第二间隙2342内，在彩膜基板231上的正投影位于沿数据线223方向设置的黑矩阵233所在区域内，且与数据线223方向相同。位于同一个第二间隙2342区域内的所有触控信号线2272的总宽度小于或等于沿数据线223方向设置的黑矩阵233的宽度。各自电容电极2260与一条触控信号线2272电性连接，一条触控信号线2272只与一个自电容电极2260电性连接。
需要说明的是，在本实施例四中，各自电容电极2260与一条触控信号线2272电性连接，一条触控信号线2272只与一个自电容电极2260电性连接。本实用新型对各自电容电极2260所连接的触控信号线2272的具体条数不做限定。
由于虚拟触控信号线2271与自电容电极2260之间未设置绝缘层，因此，虚拟触控信号线2271与自电容电极2260直接电性连接。
更具体地，请继续参考图13和图14，自电容电极2260上设置第二狭缝2262，第二狭缝2262在阵列基板221上的正投影位于第一间隙2341内，第二狭缝2262在彩膜基板231上的正投影位于沿栅线222方向设置的黑矩阵233所在区域内。虚拟触控信号线2271与栅线222方向相同，虚拟触控信号线2271设置在第二狭缝2262内直接与所在的自电容电极2260电性连接，且与其他自电容电极2260不发生电性连接。各自电容电极2260与九虚拟触控信号线2271电性连接，一条虚拟触控信号线2271只与一个自电容电极2260电性连接。虚拟触控信号线2271的电阻率小于自电容电极2260的电阻率，以减小自电容电极2260的电阻差和电容差。
需要说明的是，在本实施例四中，各自电容电极2260上设置有九条第二狭缝2262，每条第二狭缝2262内均设置有与自电容电极2260电性连接的一条虚拟触控信号线2271。本实用新型对各自电容电极2260上设置的第二狭缝2262的数目不做限定，对每条第二狭缝2262内的虚拟触控信号线2271的数目不做限定。
需要说明的是，第二狭缝2262的宽度小于或等于沿栅线222方向设置的黑矩阵233的宽度，位于同一个第二狭缝2262内的所有虚拟触控信号线2271的总宽度小于或等于沿栅线222方向设置的黑矩阵233的宽度。
本实用新型提供的一种内嵌式自容触控显示装置，虚拟触控信号线2271在阵列基板221的正投影位于像素单元234之间的第一间隙2341内，且走向与栅线222方向相同。由于栅线222对应的黑矩阵233的宽度大于数据线223对应的黑矩阵233的宽度，因此虚拟触控信号线2271段差大造成的漏光可以被栅线222对应的黑矩阵233遮挡，改善漏光现象。本实施例四可以根据实际需求得到漏光风险小的内嵌式自容触控显示装置。
以上内容是结合具体的优选实施方式对本实用新型所作的进一步详细说明，不能认定本实用新型的具体实施只局限于这些说明。对于本实用新型所属技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本实用新型构思的前提下，还可以做出若干简单推演或替换，都应当视为属于本实用新型的保护范围。
Claims (12)
1.一种内嵌式自容触控屏，其特征在于，包括阵列基板、设置于所述阵列基板上的多条栅线、多条数据线、多个像素电极、公共电极以及多条触控线；所述多条栅线和所述多条数据线交叉限定多个呈阵列分布的像素单元；所述公共电极被分割成多个独立的自电容电极；各所述自电容电极对应多个所述像素单元；
所述多条触控线包括，触控信号线和虚拟触控信号线；所述触控信号线方向与所述数据线方向相同，所述虚拟触控信号线方向与所述栅线方向相同；所述触控信号线和所述虚拟触控信号线均与对应的所述自电容电极电性连接。
2.根据权利要求1所述的内嵌式自容触控屏，其特征在于，各所述触控信号线与各所述虚拟触控信号线不相交。
3.根据权利要求1所述的内嵌式自容触控屏，其特征在于，所述触控信号线和所述虚拟触控信号线在所述阵列基板的正投影均位于所述像素单元之间间隙区域内。
4.根据权利要求1所述的内嵌式自容触控屏，其特征在于，各所述自电容电极与至少一条所述触控信号线电性连接；各所述自电容电极与多条所述虚拟触控信号线电性连接；
一条所述触控信号线只与一个所述自电容电极电性连接；一条所述虚拟触控信号线只与一个所述自电容电极电性连接。
5.根据权利要求1所述的内嵌式自容触控屏，其特征在于，所述触控信号线与所述自电容电极之间设置绝缘层，所述触控信号线通过过孔与所述自电容电极电性连接。
6.根据权利要求1所述的内嵌式自容触控屏，其特征在于，所述虚拟触控信号线与所述自电容电极之间设置绝缘层，所述虚拟触控信号线通过过孔与所述自电容电极电性连接。
7.根据权利要求1所述的内嵌式自容触控屏，其特征在于，所述自电容电极上设有多个第一狭缝，所述第一狭缝的方向与所述数据线的方向相同；所述触控信号线设置在所述第一狭缝内。
8.根据权利要求1所述的内嵌式自容触控屏，其特征在于
所述自电容电极上设有多个第二狭缝，所述第二狭缝的方向与所述栅线的方向相同；所述虚拟触控信号线设置在所述第二狭缝内，并与所述自电容电极电性连接；
所述虚拟触控信号线电阻率小于所述自电容电极电阻率。
9.根据权利要求1-8任一项所述的内嵌式自容触控屏，其特征在于，还包括平坦化层；所述平坦化层覆盖所述栅线和所述数据线，所述触控信号线和所述虚拟触控信号线位于所述平坦化层之上。
10.根据权利要求9所述的内嵌式自容触控屏，其特征在于，制成所述平坦化层的材料为SiNx或SiO2。
11.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求1-10任一项所述的内嵌式自容触控屏。
12.根据权利要求11所述的显示装置，其特征在于，还包括彩膜基板，所述彩膜基板上设置有黑矩阵；所述触控信号线和所述虚拟触控信号线的宽度小于或等于所述黑矩阵的宽度。
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