CN109143639A - 内嵌式触控显示装置 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种内嵌式触控显示装置，包括第一基板、第二基板、第一金属层、第一绝缘层、共同电极层、第二金属层、第二绝缘层以及多个像素电极。第二基板与第一基板相对设置。第一金属层设置在第一基板上，第一金属层包括多条扫描线以及多个子共同电极桥接部。第一绝缘层设置在第一金属层上。共同电极层设置在第一绝缘层上，共同电极层包括多个触控电极，触控电极包括多个子共同电极，且子共同电极通过子共同电极桥接部彼此电连接。第二金属层设置在第一绝缘层上，第二金属层包括多条数据线以及多条触控电极信号线，且触控电极信号线电连接触控电极。第二绝缘层设置在第二金属层与共同电极层上。像素电极设置在第二绝缘层上。

Description

内嵌式触控显示装置

技术领域

本发明涉及一种内嵌式触控显示装置，特别是涉及一种可减少膜层以降低成本与缩短生产时间的内嵌式触控显示装置。

背景技术

在各式电子产品中，显示屏幕已广泛的搭配使用触控组件而形成触控显示装置，藉此让使用户可直接与电子产品沟通而取代键盘与鼠标等传统输入设备，以缩减电子产品的体积并提升人机在沟通上的便利性，而现今产业目前致力于开发一种将触控组件设置在显示板中的内嵌式(in-cell)触控显示装置，以达到触控显示装置的最小化。

在现今的内嵌式触控显示装置中大多会设置有至少三层的金属层，其中第一层金属层作为电连接薄膜晶体管栅极的走线，第二层金属层作为电连接薄膜晶体管源极的走线，第三层金属层作为电连接触控电极的走线，并且，为了使三层的金属层、触控电极与像素电极彼此区隔而不直接电连接，会在此些膜层之间设置至少三层的绝缘层，然而，在此架构下，内嵌式触控显示装置中堆叠有较多的膜层，并且其制造工艺也因此而繁复，故造成材料成本较高与生产时间较长，进而影响生产成本以及产能。

发明内容

本发明提供一种内嵌式触控显示装置，其透过将用以电连接薄膜晶体管与触控电极的金属线设置于两层金属层中，并利用两层绝缘层分别区隔两层金属层以及触控电极与像素电极，以达到减少膜层与简化工艺的目的。

为解决上述技术问题，本发明提供了一种内嵌式触控显示装置，其具有显示区以及设置在显示区外至少一侧的非显示区，内嵌式触控显示装置包括第一基板、第二基板、第一金属层、第一绝缘层、共同电极层、第二金属层、第二绝缘层以及多个像素电极。第二基板与第一基板相对设置，其中第一基板与第二基板之间夹设液晶层。第一金属层设置在第一基板上，第一金属层包括多条扫描线以及多个子共同电极桥接部，且扫描线的其中一条电连接位于显示区中的至少一个薄膜晶体管的栅极，其中扫描线在显示区内沿着第一方向延伸。第一绝缘层设置在第一金属层上。共同电极层设置在第一绝缘层上，共同电极层包括多个触控电极，位于显示区中，每一个触控电极包括多个子共同电极，且子共同电极通过至少一个沿着第一方向延伸的子共同电极桥接部彼此电连接。第二金属层设置在第一绝缘层上，第二金属层包括多条数据线以及多条触控电极信号线，数据线的其中一条电连接至少一个薄膜晶体管的源极，且触控电极信号线的其中一条电连接触控电极的其中一个，其中数据线以及触控电极信号线在显示区内沿着第二方向延伸，且第二方向不平行于第一方向。第二绝缘层设置在第二金属层与共同电极层上，并位于共同电极层与第二基板之间。像素电极设置在第二绝缘层上并位于显示区中，且每一个像素电极电连接其中一个薄膜晶体管的漏极。

本发明的内嵌式触控显示装置由于其子共同电极通过位于第一金属层的子共同电极桥接部而彼此电连接，且数据线与触控电极信号线都属于第二金属层，因此，相较于传统的内嵌式触控显示装置，可减少金属层的膜层数。另外，由于子共同电极桥接部设置在两相邻的子共同电极之间，且相交于数据线，因此子共同电极桥接部与数据线可被同一遮蔽结构所遮蔽，故可不必额外增加遮蔽层的遮蔽结构以遮蔽子共同电极桥接部，进而提升开口率。另一方面，随着金属层的膜层数减少，所需的绝缘层的膜层数也对应减少，故可减少所需的总膜层数而减少材料成本以及黄光蚀刻等图案化工艺的次数，进而节省内嵌式触控显示装置的制造成本。由于第二金属层与共同电极层都设置在第一绝缘层上，并且都直接与第一绝缘层接触，而没有设置绝缘物质在共同电极层与第二金属层之间，因此，在此设计之下，可再减少本实施例的内嵌式触控显示装置的图案化工艺的次数，故可节省内嵌式触控显示装置的制造成本。

附图说明

图1所示为本发明第一实施例的内嵌式触控显示装置的俯视示意图。

图2至图3所示为本发明第一实施例的内嵌式触控显示装置的显示区的部分俯视示意图。

图4所示为沿着图2剖视线A-A’的剖视示意图。

图5所示为沿着图2剖视线B-B’的剖视示意图。

图6所示为沿着图2剖视线C-C’的剖视示意图。

图7所示为本发明一实施例的非显示区的部分俯视示意图。

图8至图9所示为本发明第二实施例的内嵌式触控显示装置的俯视示意图。

其中，附图标记说明如下：

BM 遮蔽层

BM1 第一遮蔽结构

BM2 第二遮蔽结构

BP1 第一导电连接垫

BP2 第二导电连接垫

BPR1 第一导电连接垫行

BPR2 第二导电连接垫行

CEL 共同电极层

CN 半导体通道

CP 连接部

D 漏极

D1 第一方向

D2 第二方向

DA 显示区

DL 数据线

G 栅极

H1、H2 接触孔

IC 电路芯片

IL1 第一绝缘层

IL2 第二绝缘层

LC 液晶层

M1 第一金属层

M2 第二金属层

NDA 非显示区

P 像素

PE 像素电极

S 源极

PN1、PN2 内嵌式触控显示装置

SB1 第一基板

SB2 第二基板

SCB 子共同电极桥接部

SCE 子共同电极

SF 表面

SL 扫描线

SP 子像素

ST 狭缝

TFT 薄膜晶体管

TL 触控电极信号线

TL’ 触控电极信号线延伸部

TE 触控电极

TE’ 触控电极延伸部

具体实施方式

为使本领域技术人员能更进一步了解本发明，以下特列举本发明的优选实施例，并配合附图详细说明本发明的构成内容及所欲达成的功效。须注意的是，附图均为简化的示意图，因此，仅显示与本发明有关的组件与组合关系，以对本发明的基本架构或实施方法提供更清楚的描述，而实际的组件与布局可能更为复杂。另外，为了方便说明，本发明的各附图中所示的组件并非以实际实施的数目、形状、尺寸做等比例绘制，其详细的比例可依照设计的需求进行调整。

请参考图1至图6，图1所示为本发明第一实施例的内嵌式触控显示装置的俯视示意图，图2至图3所示为本发明第一实施例的内嵌式触控显示装置的显示区的部分俯视示意图，图4所示为沿着图2剖视线A-A’的剖视示意图，图5所示为沿着图2剖视线B-B’的剖视示意图，图6所示为沿着图2剖视线C-C’的剖视示意图。本发明内嵌式触控显示装置PN1以内嵌式液晶触控显示装置为例，且像素P可由三个子像素SP所组成，但不以此为限，像素P亦可由一个、两个或三个以上的子像素SP所组成。如图1至图6所示，本发明第一实施例的内嵌式触控显示装置PN1包括第一基板SB1、第二基板SB2、第一金属层M1、第一绝缘层IL1、共同电极层CEL、第二金属层M2、第二绝缘层IL2、多个像素电极PE、多个薄膜晶体管TFT以及液晶层LC，并且内嵌式触控显示装置PN1具有显示区DA以及设置在显示区DA外至少一侧的非显示区NDA，其中，图1省略了部分的子像素SP以及与其所对应的结构，图2仅绘示第一基板SB1上的第一金属层M1、共同电极层CEL、第二金属层M2、像素电极PE以及薄膜晶体管TFT，并且，为了使附图更加简化而浅显易懂，图3仅绘示第一金属层M1中的子共同电极桥接部SCB、共同电极层CEL以及第二金属层M2。本发明内嵌式触控显示装置PN1的第一基板SB1与第二基板SB2相对设置，其中第一基板SB1与第二基板SB2可分别为硬质基板例如玻璃基板、塑料基板、石英基板或蓝宝石基板，也可为例如包含聚亚酰胺材料(polyimide，PI)或聚对苯二甲酸乙二酯材料(polyethylene terephthalate，PET)的可挠式基板，但不以此为限。另外，第一基板SB1与第二基板SB2之间夹设液晶层LC，以作为显示介质。此外，第一基板SB1可具有面对第二基板SB2的表面SF。

如图2、图4、图5所示，第一金属层M1与薄膜晶体管TFT设置在第一基板SB1上，且薄膜晶体管TFT位于显示区DA中并分别对应子像素SP，亦即第一金属层M1与薄膜晶体管TFT设置在第一基板SB1的表面SF上。其中，薄膜晶体管TFT具有源极S、栅极G、漏极D与半导体通道CN(如图4)，而第一金属层M1包括多条扫描线SL以及多个子共同电极桥接部SCB，且扫描线SL的其中一条电连接至少一个薄膜晶体管TFT的栅极G，以对薄膜晶体管TFT的栅极G提供用以控制薄膜晶体管TFT的开关信号，进而控制显示画面更新。在本实施例中，扫描线SL在显示区DA内沿着一第一方向D1延伸，也就是说，扫描线SL会电连接沿着第一方向D1而排列成例如行(row)的薄膜晶体管TFT的栅极G，但不以此为限。在本实施例中，薄膜晶体管TFT的栅极G可由第一金属层M1所构成，但不以此为限，在其他实施例中栅极G也可由其他金属层或其他导电材料层所构成。此外，子共同电极桥接部SCB可沿着第一方向D1延伸，但都不以此为限。须说明的是，由于第一金属层M1由金属所形成，因此具有较低的阻值，故可减少信号在传输时的衰减，其中，金属层可以是单层的金属层或是多层的金属层堆叠而成，并且在本说明书中提到的金属层可为铝、铜、钛、钨等单一金属层或者是钼/铝/钼、钛/铝钛、钛/铜/钛、钛/铜…等复合金属层，本发明不以此为限。另外，在本实施例中，第一金属层M1透过图案化工艺例如黄光蚀刻而形成扫描线SL以及子共同电极桥接部SCB等结构。此外，第一绝缘层IL1设置在第一金属层M1上，使得第一金属层M1以及后续所形成的导电结构彼此绝缘。在本实施例中，第一绝缘层IL1举例可为氧化硅、氮化硅或氮氧化硅，并可作为薄膜晶体管TFT的栅极绝缘层。

如图2至图6所示，共同电极层CEL设置在第一绝缘层IL1上，而共同电极层CEL包括多个触控电极TE，且触控电极TE位于显示区DA中，其中由于触控电极TE是由内嵌式触控显示装置PN1的共同电极(common electrode)所形成，因此，每一个触控电极TE包括多个子共同电极SCE，且同一个触控电极TE的子共同电极SCE通过至少一个沿着第一方向D1延伸的子共同电极桥接部SCB彼此电连接(如图2、图3、图5)。需注意的是，每个子共同电极SCE可分别与至少一个子像素SP对应，在本实施例中，子共同电极SCE分别与一第二方向D2上的三个相邻子像素SP对应，且由沿着第一方向D1排列的六个子共同电极SCE组成一个触控电极TE，其中第二方向D2不平行于第一方向，也就是说，一个触控电极TE与3x 6个子像素SP对应，但其对应方式不以此为限，在其他实施例中，子共同电极SCE可与更多或更少的子像素SP对应，例如子共同电极SCE与40个子像素SP对应，而触控电极TE可具有更多的子共同电极SCE，例如可具有120个子共同电极SCE，藉此使得触控电极TE与40x 120个子像素SP对应。另一方面，关于子共同电极SCE与子共同电极桥接部SCB的连接部分，在本实施例中，同一个触控电极TE的两相邻子共同电极SCE之间的子共同电极桥接部SCB数量等于各子共同电极SCE所对应的子像素SP的数量，用以降低阻值。举例而言，在图2与图3中，子共同电极SCE与三个子像素SP对应，且两相邻且彼此电连接的子共同电极SCE透过三个子共同电极桥接部SCB桥接，但不以此为限，在变化实施例中，同一个触控电极TE的两相邻子共同电极SCE之间的子共同电极桥接部SCB数量可小于各子共同电极SCE所对应的子像素SP的数量，例如可以仅透过单个子共同电极桥接部SCB桥接两相邻子共同电极SCE。另外，在图5中，为了使子共同电极SCE可以彼此电连接，第一绝缘层IL1可具有多个接触孔H1，使得两相邻的子共同电极SCE可藉由与其对应的两接触孔H1与子共同电极桥接部SCB电连接，进而使得两相邻的子共同电极SCE通过两相邻的接触孔H1与子共同电极桥接部SCB而彼此电连接，其中每个接触孔H1可与其中一个子像素SP对应。本实施例的触控电极TE以自容式触控为例，用以感应使用者的手指或触控笔等物品，藉此产生触控信号，而将触控信号传送并运算后，可使内嵌式触控显示装置PN1做出对应的反应及动作。在本实施例中，由于触控电极TE是由图案化共同电极层CEL所形成，因此，触控电极TE可在不同的时序中分别执行触控感测或是提供共同电压(common voltage)的功能，举例而言，当在第一时序(又称显示周期)时，触控电极TE做为共同电极以提供共同电压，并配合显示组件(例如像素电极PE)控制显示画面的显示灰阶，以作为显示用途，而在第二时序(又称触控周期)时，触控电极TE作为触控用途，用以感应使用者的触摸动作与位置，其中显示周期与触控周期不重叠，但不以此为限。除此之外，本实施例的共同电极层CEL可包括透明导电材料例如氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)，氧化鍗锡(antimony tin oxide,ATO)、氧化氟锡(fluorine tin oxide,FTO)或其他导电且透明的材料，例如奈米金属丝(奈米银丝、奈米铜丝)等材料，本发明并不在此限。

再者，如图1至图6所示，第二金属层M2设置在第一绝缘层IL1上，第二金属层M2包括多条数据线DL(图1中以细线表示)以及多条触控电极信号线TL(图1中以粗线表示)。数据线DL的其中一条电连接至少一个薄膜晶体管TFT的源极S，以对薄膜晶体管TFT的源极S提供画面灰阶信号，而触控电极信号线TL的其中一条电连接触控电极TE的其中一个，以提供共同电压或是传输触控信号。而在本实施例与图2、图3中，数据线DL以及触控电极信号线TL在显示区DA内沿着第二方向D2延伸，也就是说，数据线DL与触控电极信号线TL的延伸方向不同于扫描线SL与子共同电极桥接部SCB的延伸方向，在本实施例中，第二方向D2与第一方向D1夹有一角度，亦即数据线DL与触控电极信号线TL会交错于扫描线SL与子共同电极桥接部SCB，但不电连接于扫描线SL与子共同电极桥接部SCB，且同一数据线DL会电连接沿着第二方向D2而排列成例如列(column)的薄膜晶体管TFT的源极S。需注意的是，在某些实施例中，薄膜晶体管TFT的源极S与漏极D可由第二金属层M2所构成，在另一些实施例中，源极S与漏极D可由共同电极层CEL或其他导电层所构成。此外，数据线DL与触控电极信号线TL的数量比为N：1，其中N不小于1，在本实施例中，数据线DL与触控电极信号线TL的数量比为3：1，亦即，在单一个像素P中，对应了有三条数据线DL与一条触控电极信号线TL(如图2所示)，但不以此为限，N值亦可为1、3/2或是其他适合的数值，此数值可依据内嵌式触控显示装置PN1的设计而对应调整。另外，在本实施例中，第二金属层M2可透过图案化工艺例如黄光蚀刻而形成数据线DL以及触控电极信号线TL等结构。

值得一提的是，在本实施例中，第二金属层M2与共同电极层CEL都设置在第一绝缘层IL1上，并且都直接与第一绝缘层IL1接触，因此，为了避免第二金属层M2中的数据线DL或触控电极信号线TL直接接触共同电极层CEL中的子共同电极SCE而互相导通，故在设置子共同电极SCE时，子共同电极SCE的设置位置必须与数据线DL或触控电极信号线TL相隔，也就是说相邻的子共同电极SCE会被数据线DL或触控电极信号线TL所分隔，并藉由第一金属层M1的子共同电极桥接部SCB而将相邻的子共同电极SCE彼此电连接(如图2、图3)，所以，在内嵌式触控显示装置PN1的显示区DA中，子共同电极SCE设置在相邻的数据线DL之间，而不与其重叠。此外，由于两相邻的触控电极信号线TL之间可具有至少一条由子共同电极SCE沿着第二方向D2所排列而成的列，因此，在第一方向D1上两相邻的触控电极信号线TL之间可设置有至少一个子共同电极SCE，举例而言，在图2与图3中，由于至少部分的两相邻的触控电极信号线TL之间可具有三条由子共同电极SCE沿着第二方向D2所排列而成的列，因此在第一方向D1上两相邻的触控电极信号线TL之间可设置有三个子共同电极SCE，但不以此为限，须说明的是，两相邻的触控电极信号线TL实质上并非直接紧邻设置，而是指此两条触控电极信号线TL之间并无设置其他触控电极信号线TL。除此之外，在本实施例中，触控电极信号线TL可与数据线DL的其中一条相邻，且触控电极信号线TL以及与其相邻的数据线DL设置在两相邻的子共同电极SCE之间，也就是说，两相邻的触控电极信号线TL与数据线DL之间不具有子共同电极SCE，但不以此为限。

另一方面，由于触控电极信号线TL会电连接其中一个触控电极TE，因此在设置触控电极信号线TL与触控电极TE时，可直接将触控电极信号线TL邻接于与其电连接的触控电极TE，而形成连接部CP，藉此电连接触控电极信号线TL与触控电极TE，具体而言，在本实施例的图6中，连接部CP由触控电极TE的触控电极延伸部TE’以及触控电极信号线TL的触控电极信号线延伸部TL’所组成，因此，每一个触控电极TE通过触控电极延伸部TE’与触控电极信号线延伸部TL’电连接对应的触控电极信号线TL，且触控电极延伸部TE’与触控电极信号线延伸部TL’彼此邻接并直接接触导通，但不以此为限，例如在变化实施例中，连接部CP可由触控电极TE的触控电极延伸部TE’所构成而不具有图6所示的触控电极信号线延伸部TL’，且触控电极延伸部TE’与触控电极信号线TL彼此邻接，在另一变化实施例中，连接部CP可由触控电极信号线延伸部TL’所构成而不具有图6所示的触控电极延伸部TE’，且触控电极TE与触控电极信号线延伸部TL’彼此邻接。另外，连接部CP可设置在触控电极TE中的至少一个子共同电极SCE与对应的触控电极信号线TL之间，而在本实施例的图2与图3中，由于一个触控电极TE会对应三个沿第二方向D2排列的子像素SP(也就是说此三个子像素SP位于同一列)，因此本实施例设计在触控电极信号线TL与对应的触控电极TE之间设置三个连接部CP，对应于与这个触控电极信号线TL相邻的三个同一列的子像素SP，亦即触控电极信号线TL与触控电极TE通过三个连接部CP而电连接，以降低阻值，但不以此为限，亦可仅设置单个连接部CP而电连接触控电极信号线TL与触控电极TE。须说明的是，在本实施例中，由于触控电极信号线TL与其中一条数据线DL相邻，数据线DL电连接薄膜晶体管TFT的源极S，且触控电极信号线TL电连接子共同电极SCE，因此，数据线DL由相反于触控电极信号线TL的一侧电连接薄膜晶体管TFT的源极S，触控电极信号线TL由相反于数据线DL的一侧电连接子共同电极SCE，举例而言，在图2中，数据线DL由右侧电连接薄膜晶体管TFT的源极S，而触控电极信号线TL由左侧电连接子共同电极SCE，但不以此为限。

如图4至图6所示，第二绝缘层IL2设置在第二金属层M2与共同电极层CEL上，并位于共同电极层CEL与第二基板SB2之间，覆盖了漏极D与源极S。再者，像素电极PE设置在第二绝缘层IL2上并位于显示区DA中，且每一个像素电极PE电连接其中一个薄膜晶体管TFT的漏极D，并分别对应一个子像素SP，以透过由薄膜晶体管TFT所传输的画面灰阶信号而用来控制液晶层LC的液晶旋转，进而控制显示画面的显示灰阶。在本实施例中，像素电极PE与其电连接的薄膜晶体管TFT可对应同一个子像素SP。另外，在本实施例中，像素电极PE可具有至少一个狭缝ST，因此，像素电极PE与可作为共同电极用途的触控电极TE可藉由狭缝ST的设置而提供对于液晶旋转更佳的电场与液晶配向，但不以此为限。除此之外，第二金属层M2、共同电极层CEL以及薄膜晶体管TFT的源极S藉由第二绝缘层IL2与像素电极PE电性绝缘，而像素电极PE可透过位于第二绝缘层IL2的接触孔H2以电连接薄膜晶体管TFT的漏极D。

另外，本实施例的内嵌式触控显示装置PN1还可包括遮蔽层BM，设置在第一基板SB1与第二基板SB2之间，用以遮蔽例如数据线DL、触控电极信号线TL等金属线以及薄膜晶体管TFT，并可用以区隔各个子像素SP，进而改善色彩的跨越干扰或漏光问题。上述的遮蔽是指遮蔽层BM在法线向量上至少部分重叠数据线DL以及触控电极信号线TL，其中法线向量可定义为与第一基板SB1的表面SF垂直的方向。值得一提的是，在本实施例中，遮蔽层BM可包括第一遮蔽结构BM1以及第二遮蔽结构BM2，其中第一遮蔽结构BM1用以遮蔽两相邻的触控电极信号线TL与数据线DL，并同时遮蔽对应的子共同电极桥接部SCB的部分或全部，第二遮蔽结构BM2用以遮蔽数据线DL，并同时遮蔽对应的子共同电极桥接部SCB的部分或全部，因此，第一遮蔽结构BM1的宽度大于第二遮蔽结构BM2的宽度。

由于本实施例的内嵌式触控显示装置PN1的子共同电极SCE通过位于第一金属层M1的子共同电极桥接部SCB而彼此电连接，且数据线DL与触控电极信号线TL都属于第二金属层M2中，因此，相较于传统的内嵌式触控显示装置PN1，可减少金属层的膜层数。另外，由于子共同电极桥接部SCB设置在两相邻的子共同电极SCE之间，且相交于数据线DL，因此子共同电极桥接部SCB与数据线DL可被同一遮蔽结构(例如第一遮蔽结构BM1或第二遮蔽结构BM2)所遮蔽，故可不必额外增加遮蔽层BM的遮蔽结构以遮蔽子共同电极桥接部SCB，进而提升开口率。另一方面，由于金属层的膜层数减少，所需的绝缘层的膜层数也对应减少，故可减少所需的膜层数而减少材料成本以及黄光蚀刻等图案化工艺的次数，进而节省内嵌式触控显示装置PN1的制造成本。除此之外，由于第二金属层M2与共同电极层CEL都设置在第一绝缘层IL1上，并且都直接与第一绝缘层IL1接触，而没有设置绝缘物质在共同电极层CEL与第二金属层M2之间，因此，在此设计之下，可将本实施例的内嵌式触控显示装置PN1的黄光蚀刻等图案化工艺的次数减少至六次，相较于一般传统的显示装置，本实施例的内嵌式触控显示装置PN1的图案化工艺的次数可少于一般传统的显示装置的图案化工艺的次数，故可节省内嵌式触控显示装置PN1的制造成本。

请参考图7并同时参考图1，图7所示为本发明一实施例的非显示区的部分俯视示意图，其中数据线DL以细线表示，触控电极信号线TL以粗线表示。如图1与图7所示，本实施例的内嵌式触控显示装置PN1的非显示区NDA可具有电路芯片IC其具有多个第一导电连接垫BP1与多个第二导电连接垫BP2，其中每个第一导电连接垫BP1电连接触控电极信号线TL的其中一条，每个第二导电连接垫BP2电连接数据线DL的其中一条，且数据线DL与触控电极信号线TL在非显示区NDA中不互相交叠，例如彼此平行，但不以此为限。而电路芯片IC设置有第一导电连接垫BP1及第二导电连接垫BP2上，本实施例的电路芯片IC则同时电连接第一导电连接垫BP1与第二导电连接垫BP2，也就是说第一导电连接垫BP1与第二导电连接垫BP2的设置位置于电路芯片IC。在本实施例中，由于数据线DL与触控电极信号线TL的数量比为3：1，因此，第一导电连接垫BP1的数量与第二导电连接垫BP2的数量亦为3：1。而关于第一导电连接垫BP1与第二导电连接垫BP2排列方式，第一导电连接垫BP1可沿着第一方向D1排列成第一导电连接垫行BPR1，第二导电连接垫BP2可沿着第一方向D1排列成至少一第二导电连接垫行BPR2，第一导电连接垫行BPR1与第二导电连接垫行BPR2在第二方向D2不相交，在本实施例中，第一导电连接垫行BPR1可位于第二导电连接垫行BPR2与显示区DA之间，但不以此为限，在变化实施例中，第二导电连接垫BP2可位于第一导电连接垫行BPR1与显示区DA之间。另外，在本实施例的图7中，第一导电连接垫BP1与第二导电连接垫BP2在第二方向D2可完全不相交重叠而彼此错开，但不以此为限，在其他实施例中，第一导电连接垫BP1与第二导电连接垫BP2在第二方向D2上可不完全重叠或是完全重叠。由于数据线DL与触控电极信号线TL在非显示区NDA中不互相交叠且相互平行，并搭配第一导电连接垫BP1与第二导电连接垫BP2的对应设置方式，因此，藉此可改善负载增加以及信号干扰的问题，以达到较佳的信号传输效果。

本发明的内嵌式触控显示装置并不以上述实施例为限。下文将继续揭示本发明的其它实施例或变化形，然为了简化说明并突显各实施例或变化形之间的差异，下文中使用相同标号标注相同组件，并不再对重复部分作赘述。

请参考图8至图9，图8至图9所示为本发明第二实施例的内嵌式触控显示装置的俯视示意图，其中，本实施例的子共同电极SCE分别与第二方向D2上的三个子像素SP对应，且由沿着第一方向D1排列的三个子共同电极SCE组成一个触控电极TE，也就是说，触控电极TE与3x 3个子像素SP对应。相较于第一实施例，本实施例的内嵌式触控显示装置PN2的数据线DL与触控电极信号线TL的数量比为3/2：1，也就是3：2，亦即，在单一个像素P中，对应有三条数据线DL与两条触控电极信号线TL，而在第一方向D1上的两相邻触控电极信号线TL之间设置有一个或两个子共同电极SCE。在本实施例的图8至图9中，在第一方向D1上两条触控电极信号线TL分别设置在像素P中的一个子像素SP的两侧，但不以此为限。另外，相较于第一实施例，由于本实施的数据线DL与触控电极信号线TL的数量比比值较低，因此，触控电极信号线TL数量增加，与其电连接的触控电极TE也对应增加，故触控电极TE具有较高的密度，并可藉由此种设置而提高触控感测的分辨率。

综上所述，本发明的内嵌式触控显示装置由于其子共同电极通过位于第一金属层的子共同电极桥接部而彼此电连接，且数据线与触控电极信号线都属于第二金属层，因此，相较于传统的内嵌式触控显示装置，可减少金属层的膜层数。另外，由于子共同电极桥接部设置在两相邻的子共同电极之间，且相交于数据线，因此子共同电极桥接部与数据线可被同一遮蔽结构所遮蔽，故可不必额外增加遮蔽层的遮蔽结构以遮蔽子共同电极桥接部，进而提升开口率。另一方面，随着金属层的膜层数减少，所需的绝缘层的膜层数也对应减少，故可减少所需的总膜层数而减少材料成本以及黄光蚀刻等图案化工艺的次数，进而节省内嵌式触控显示装置的制造成本。由于第二金属层与共同电极层都设置在第一绝缘层上，并且都直接与第一绝缘层接触，而没有设置绝缘物质在共同电极层与第二金属层之间，因此，在此设计之下，可再减少本实施例的内嵌式触控显示装置的图案化工艺的次数，故可节省内嵌式触控显示装置的制造成本。

以上所述仅为本发明的优选实施例而已，并不用于限制本发明，对于本领域的技术人员来说，本发明可以有各种更改和变化。凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (10)

1.一种内嵌式触控显示装置，具有一显示区以及设置在所述显示区外至少一侧的一非显示区，其特征在于，所述内嵌式触控显示装置包括：

一第一基板；

一第二基板，与所述第一基板相对设置，其中，所述第一基板与所述第二基板之间夹设一液晶层；

一第一金属层，设置在所述第一基板上，所述第一金属层包括多条扫描线以及多个子共同电极桥接部，且所述扫描线的其中一条电连接位于所述显示区中的至少一个薄膜晶体管的栅极，其中所述扫描线在所述显示区内沿着一第一方向延伸；

一第一绝缘层，设置在所述第一金属层上；

一共同电极层，设置在所述第一绝缘层上，所述共同电极层包括多个触控电极，每一个所述触控电极包括多个子共同电极，且所述子共同电极通过至少一个沿着所述第一方向延伸的所述子共同电极桥接部彼此电连接；

一第二金属层，设置在所述第一绝缘层上，所述第二金属层包括多条数据线以及多条触控电极信号线，所述数据线的其中一条电连接至少一个所述薄膜晶体管的源极，且所述触控电极信号线的其中一条电连接所述触控电极的其中一个，其中所述数据线以及所述触控电极信号线在所述显示区内沿着一第二方向延伸，且所述第二方向不平行于所述第一方向；

一第二绝缘层，设置在所述第二金属层与所述共同电极层上，并位于所述共同电极层与所述第二基板之间；以及

多个像素电极，设置在所述第二绝缘层上并位于所述显示区中，且每一个所述像素电极电连接其中一个所述薄膜晶体管的漏极。

2.如权利要求1所述的内嵌式触控显示装置，其特征在于，两相邻的所述触控电极信号线之间在所述第一方向上设置有至少一个所述子共同电极。

3.如权利要求1所述的内嵌式触控显示装置，其特征在于，所述数据线与所述触控电极信号线的数量比为N：1，其中N不小于1。

4.如权利要求1所述的内嵌式触控显示装置，其特征在于，所述子共同电极设置在相邻的所述数据线之间。

5.如权利要求1所述的内嵌式触控显示装置，其特征在于，所述触控电极信号线与所述数据线的其中一条相邻，所述触控电极信号线以及与其相邻的所述数据线设置在两相邻的所述子共同电极之间。

6.如权利要求1所述的内嵌式触控显示装置，其特征在于，每一个所述触控电极通过一触控电极延伸部或一触控电极信号线延伸部电连接所述触控电极信号线的其中一条。

7.如权利要求1所述的内嵌式触控显示装置，其特征在于，所述第一绝缘层具有多个接触孔，两相邻的所述子共同电极通过两相邻的所述接触孔与所述子共同电极桥接部而彼此电连接。

8.如权利要求1所述的内嵌式触控显示装置，其特征在于，还包括一遮蔽层，设置在所述第一基板与所述第二基板之间，且所述遮蔽层在所述第一基板的法线向量上重叠所述数据线以及所述触控电极信号线。

9.如权利要求1所述的内嵌式触控显示装置，其特征在于，所述非显示区具有多个第一导电连接垫与多个第二导电连接垫，每个所述第一导电连接垫电连接所述触控电极信号线的其中一条，每个所述第二导电连接垫分别电连接所述数据线的其中一条，且所述数据线与所述触控电极信号线在所述非显示区中不互相交叠。

10.如权利要求1所述的内嵌式触控显示装置，其特征在于，所述非显示区具有多个第一导电连接垫与多个第二导电连接垫，所述第一导电连接垫沿着所述第一方向排列成一第一导电连接垫行，所述第二导电连接垫沿着所述第一方向排列成至少一第二导电连接垫行，所述第一导电连接垫行与所述第二导电连接垫行在所述第二方向上不相交，且所述第一导电连接垫行位于所述第二导电连接垫行与所述显示区之间。