CN110349976B - 阵列基板及其制备方法、显示面板和显示装置 - Google Patents

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Abstract

一种阵列基板及其制备方法、显示面板和显示装置。该阵列基板包括：衬底基板、栅线和数据线、开关元件、公共电极层以及遮光导电层。栅线和数据线位于衬底基板上，相互交叉且相互绝缘以界定至少一个像素区域；开关元件位于像素区域内，与栅线和数据线连接；公共电极层位于开关元件远离衬底基板的一侧；遮光导电层位于开关元件远离衬底基板的一侧，与公共电极层电连接。栅线、数据线和开关元件在衬底基板上的正投影的至少一部分落入遮光导电层在衬底基板上的正投影内。该阵列基板可以提升像素开口率，简化制作工艺，并降低公共电极的信号延迟。

Description

阵列基板及其制备方法、显示面板和显示装置
技术领域
本公开的实施例涉及一种阵列基板及其制备方法、显示面板和显示装置。
背景技术
随着显示技术的发展，触摸屏已经得到了广泛的应用。触摸屏通过利用触觉反馈系统取代机械式的按钮面板，从而提供了简单、方便的人机交互方式。根据不同的工作原理，触摸屏可以分为电容式、电阻式、红外式和表面声波式等类型。其中，电容式触摸屏应用最为广泛。电容式触摸屏分为利用互电容原理和利用自电容原理的触摸屏。
利用互电容原理的触摸屏通常是在基板表面制作横向电极与纵向电极，在横向电极和纵向电极交叉的地方会形成电容器。当手指触摸到屏幕时，影响了触摸位置附近两个电极之间的耦合，从而改变了这两个电极之间的电容大小，根据电容的变化情况，可以计算出触摸位置的坐标。
利用自电容原理的触摸屏的结构通常包括多个同层设置且相互绝缘的自电容电极，每个自电容电极通过导线连接到触控侦测芯片。当人体未触摸屏幕时，各自电容电极提供的电容为一固定值；当人体触摸屏幕时，触摸位置对应的自电容电极的电容为固定值叠加人体电容，触控侦测芯片通过检测各自电容电极的电容值的变化情况可以得出触摸位置的坐标。
发明内容
本公开至少一个实施例提供一种阵列基板及其制备方法、显示面板和显示装置。本公开至少一个实施例提供的阵列基板通过设置遮光导电层，可以提升像素开口率，简化制作工艺，并降低公共电极的信号延迟。
本公开至少一个实施例提供一种阵列基板，包括：衬底基板；栅线和数据线，位于所述衬底基板上，相互交叉且相互绝缘以界定至少一个像素区域；开关元件，位于所述像素区域内，与所述栅线和所述数据线电连接；公共电极层，位于所述开关元件远离所述衬底基板的一侧；以及遮光导电层，位于所述开关元件远离所述衬底基板的一侧，与所述公共电极层电连接，其中，所述栅线、所述数据线和所述开关元件在所述衬底基板上的正投影的至少一部分落入所述遮光导电层在所述衬底基板上的正投影内。
在一些示例中，所述栅线、所述数据线和所述开关元件在所述衬底基板上的正投影都落入所述遮光导电层在所述衬底基板上的正投影内。
在一些示例中，所述阵列基板还包括：绝缘层，夹置于所述遮光导电层和所述公共电极层之间，其中，所述绝缘层包括至少一个过孔，所述遮光导电层和所述公共电极层通过所述至少一个过孔电连接。
在一些示例中，所述至少一个过孔位于所述遮光导电层与所述开关元件、栅线或数据线在垂直于所述衬底基板方向上相重叠的区域中。
在一些示例中，所述开关元件为薄膜晶体管且包括沟道区，所述过孔在所述衬底基板上的正投影与所述沟道区在所述衬底基板上的正投影彼此重叠。
在一些示例中，所述遮光导电层位于所述公共电极层靠近所述衬底基板的一侧，或者位于所述公共电极层远离所述衬底基板的一侧。
在一些示例中，所述遮光导电层位于所述公共电极层远离所述衬底基板的一侧，所述开关元件为薄膜晶体管且包括沟道区，在所述像素区域中，所述公共电极层上设置有开口，且与所述沟道区在垂直于所述衬底基板的方向上相重叠。
在一些示例中，所述阵列基板还包括：像素电极，位于所述像素区域内，其中，所述开关元件为薄膜晶体管，包括源极和漏极，所述像素电极与所述源极或漏极电连接，所述公共电极层包括位于所述像素区域内的公共电极，且所述公共电极与所述像素电极在垂直于所述衬底基板方向上相重叠。
在一些示例中，所述遮光导电层的材料包括金属材料或有机导电材料。
在一些示例中，所述有机导电材料包括掺杂了石墨的树脂材料。
在一些示例中，所述公共电极层包括相互绝缘的多个公共电极单元，所述遮光导电层包括相互绝缘的多条触控走线，所述多个公共电极单元与所述多条触控走线一一对应电连接。
在一些示例中，所述阵列基板还包括：绝缘层，夹置于所述遮光导电层和所述公共电极层之间，其中，所述绝缘层包括多个过孔，每个所述公共电极单元与对应的所述触控走线通过至少一个所述过孔电连接。
在一些示例中，每个所述公共电极单元在垂直于所述衬底基板的方向上与至少两个像素区域重叠。
在一些示例中，所述遮光导电层还包括相互绝缘的多个遮光单元，所述多个公共电极单元与所述多个遮光单元一一对应电连接。
本公开至少一个实施例提供一种显示面板，包括上述的阵列基板。
本公开至少一个实施例提供一种显示装置，包括上述的显示面板。
本公开至少一个实施例提供一种阵列基板的制备方法，包括：提供衬底基板；在所述衬底基板上形成栅线和数据线，所述栅线和所述数据线相互交叉且相互绝缘以界定至少一个像素区域；在所述衬底基板上形成开关元件，其中，所述开关元件位于所述像素区域内，与所述栅线和所述数据线电连接；在所述开关元件远离所述衬底基板的一侧形成公共电极层；以及在所述开关元件远离所述衬底基板的一侧形成遮光导电层，其中，所述遮光导电层与所述公共电极层电连接，所述栅线、所述数据线和所述开关元件在所述衬底基板上的正投影的至少一部分落入所述遮光导电层在所述衬底基板上的正投影内。
附图说明
为了更清楚地说明本公开实施例的技术方案，下面将对实施例的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅涉及本公开的一些实施例，而非对本公开的限制。
图1为一种触控显示基板的结构示意图；
图2A为根据本公开至少一个实施例的一种阵列基板的结构示意图；
图2B为图2A所示的阵列基板的沿A-A’线的剖视结构示意图；
图3A为根据本公开至少一个实施例的又一种阵列基板的结构示意图；
图3B为图3A所示的阵列基板的沿B-B’线的剖视结构示意图；
图4为根据本公开至少一个实施例的阵列基板的触控走线示意图；
图5A为根据本公开至少一个实施例的阵列基板的一种遮光导电层图案的局部放大示意图；
图5B为根据本公开至少一个实施例的阵列基板的另一种遮光导电层图案的局部放大示意图；
图6为根据本公开至少一个实施例的显示面板的结构示意图；
图7为根据本公开至少一个实施例的显示装置的触控走线示意图；
图8为根据本公开至少一个实施例的阵列基板的制备方法流程图。
具体实施方式
为使本公开实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本公开实施例的附图，对本公开实施例的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例是本公开的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于所描述的本公开的实施例，本领域普通技术人员在无需创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本公开保护的范围。
除非另外定义，本公开使用的技术术语或者科学术语应当为本公开所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本公开中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性，而只是用来区分不同的组成部分。同样，“一个”、“一”或者“该”等类似词语也不表示数量限制，而是表示存在至少一个。“包括”或者“包含”等类似的词语意指出现该词前面的元件或者物件涵盖出现在该词后面列举的元件或者物件及其等同，而不排除其他元件或者物件。“连接”或者“相连”等类似的词语并非限定于物理的或者机械的连接，而是可以包括电性的连接，不管是直接的还是间接的。“上”、“下”、“左”、“右”等仅用于表示相对位置关系，当被描述对象的绝对位置改变后，则该相对位置关系也可能相应地改变。
图1为一种触控显示基板的结构示意图，该触控显示基板例如是用于触控液晶显示装置的阵列基板。如图1所示，该触控显示基板包括衬底基板11、栅线12、数据线13、开关元件15、像素电极16、公共电极17以及触控走线14。栅线12和数据线13设置在衬底基板11上，相互交叉且相互绝缘，界定出像素区域。开关元件15位于像素区域内，与栅线12和数据线13电连接，以分别接收来自栅线12的扫描信号和接收来自数据线13的数据信号。像素电极16位于像素区域内，与开关元件15电连接，当开关元件15在接收的扫描信号的控制下开启时，可以使用接收的数据信号对像素电极16进行充放电。公共电极17位于像素电极16之上(参见图1中的虚线框)，与像素电极16绝缘，为板状电极，其上开设有狭缝18，以部分露出下面的像素电极16。除了狭缝18所在的区域外，公共电极17在垂直于衬底基板11的方向上覆盖整个像素区域、栅线12、数据线13以及开关元件15，即图1中除了狭缝18所在的区域以外均覆盖有公共电极17。触控走线14与公共电极17电连接。公共电极17除了在显示操作过程中与像素电极16协作之外，还可以在触控操作过程中复用作触控电极。当公共电极17用于显示操作时，触控走线14用于传递公共电压信号；当公共电极17复用作触控电极时，触控走线14复用于传递触控电极的电信号。触控走线14的存在增加了像素区域的遮挡区面积，降低了像素开口率。对于高分辨率的液晶显示产品，像素开口率降低意味着需要增加背光源功率，从而进一步产生功耗大、散热差等问题，不利于触控显示面板的应用推广。
本公开至少一个实施例提供一种阵列基板及基制备方法、显示面板和显示装置。与例如图1的触控显示基板相比，本公开至少一个实施例提供的阵列基板通过设置与公共电极电连接的遮光导电层，可以提升像素开口率，简化制作工艺，并降低公共电极的信号延迟。
下面结合附图对本公开的多个实施例进行详细说明。需要说明的是，不同的附图中相同的附图标记用于指代已描述的具有相同或相似结构的元件。
图2A为根据本公开至少一个实施例的一种阵列基板的结构示意图，图2B为图2A所示的阵列基板沿A-A’线的剖视结构示意图。
如图2A和图2B所示，本公开至少一个实施例提供一种阵列基板100，该阵列基板100可适用于触控液晶显示面板。该阵列基板100包括：第一衬底基板101、栅线102和数据线103、开关元件105、公共电极层107以及遮光导电层108。栅线102和数据线103位于第一衬底基板101上，相互交叉且相互绝缘以界定至少一个像素区域P；开关元件105位于像素区域P内，例如，位于栅线102和数据线103彼此交叉位置处，与栅线102和数据线103连接，以分别接收来自栅线102的扫描信号和接收来自数据线103的数据信号；公共电极层107位于开关元件105远离第一衬底基板101的一侧，在垂直于衬底基板101的方向上至少部分覆盖像素区域P，并且还可以至少部分覆盖栅线102、数据线103以及开关元件105；遮光导电层108位于开关元件105远离第一衬底基板101的一侧，在垂直于衬底基板101的方向上与公共电极层107至少部分重叠，且与公共电极层107电连接。如图所示，栅线102、数据线103和开关元件105在第一衬底基板101上的正投影的至少一部分落入遮光导电层108在第一衬底基板101上的正投影内。
在一些示例中，第一衬底基板101是透明绝缘基板。例如，第一衬底基板101可以是玻璃基板或石英基板，或其他适合的材料制作的基板。
在一些示例中，虽然图2A示出两条栅线102和两条数据线103作为示例，但是栅线102和数据线103均可以为多条，这些栅线102和数据线103彼此交叉且彼此绝缘，并界定呈阵列排列的多个像素区域P，图中示出了一个完整的像素区域P作为示例，其他的像素区域P可以与之相同。用于栅线102和数据线103的材料例如可以是铜、铜合金、铝、铝合金以及其他导电材料。
遮光导电层108具有不透光性和导电性。在一些示例中，用于遮光导电层108的材料可以是不透光的金属材料，例如金属镉等；或者，用于遮光导电层108的材料也可以是黑色有机导电材料，例如掺杂了石墨等导电颗粒的有机材料。在一些示例中，遮光导电层108远离衬底基板101一侧的表面还可以进行粗糙化处理以降低对于外界入射的环境光的反射率，从而进一步改善显示效果。
与图1所示的触控显示基板相比，在本公开至少一个实施例提供的阵列基板中，遮光导电层设置在阵列基板上，并覆盖至少部分栅线、数据线和开关元件，能够起到黑矩阵的作用，减小了阵列基板与对置基板因对盒精度造成的偏差，提升像素开口率。
在一些示例中，遮光导电层108沿栅线102和/或数据线103的延伸方向设置。例如，遮光导电层108包括沿栅线102的延伸方向设置的第一部分，例如该第一部分为条状部分，栅线102在第一衬底基板101上的正投影落入遮光导电层108在第一衬底基板101上的正投影内。又例如，遮光导电层108包括沿数据线103的延伸方向设置的第二部分，例如该第二部分也为条状部分，数据线103在第一衬底基板101上的正投影落入遮光导电层108在第一衬底基板101上的正投影内。又例如，遮光导电层108同时包括沿栅线102的延伸方向设置的第一部分和数据线103的延伸方向设置的第二部分，例如该第一部分和该第二部分也均为条状部分，栅线102和数据线103在第一衬底基板101上的正投影都落入遮光导电层108在第一衬底基板101上的正投影内。进一步地，遮光导电层108包括在垂直于第一衬底基板101的方向上与开关元件105重叠的第三部分，例如该第三部分为方块状部分，开关元件105在第一衬底基板101上的正投影也落入遮光导电层108在第一衬底基板101上的正投影内。由此，在至少一个示例中，栅线102、数据线103和开关元件105在第一衬底基板101上的正投影全部落入遮光导电层108在第一衬底基板101上的正投影内。这样，遮光导电层对栅线、数据线以及开关元件能起到更好的遮挡效果，由此具有改善显示效果的作用。
在一些示例中，遮光导电层108可以位于公共电极层107靠近第一衬底基板101的一侧，如图2B所示。遮光导电层108也可以位于公共电极层107远离第一衬底基板101的一侧，如图3B所示。下文将对这些示例做进一步描述。
在一些示例中，阵列基板100还包括第一绝缘层1091。如图2B所示，第一绝缘层1091位于遮光导电层108和公共电极层107之间，以使遮光导电层108和公共电极层107在被第一绝缘层1091隔开的位置相互绝缘。另外，如图2A和图2B所示，在第一绝缘层1091与遮光导电层108和公共电极层107均重叠的至少一处位置，开设有至少一个过孔110，以使遮光导电层108和公共电极层107通过该至少一个过孔110电连接。
第一绝缘层1091是透明绝缘层，在一些示例中，其材料可以是无机材料，例如氧化硅(SiOx)、氮化硅(SiNx)或其他合适的材料；其材料也可以是有机材料，例如聚酰亚胺、聚丙烯酸树脂或其他合适的材料。
在一些示例中，过孔110可以位于遮光导电层108与开关元件105、栅线102或数据线103在垂直于第一衬底基板101方向上相重叠的区域中，也可以位于遮光导电层108与开关元件105、栅线102或数据线103在垂直于第一衬底基板101方向上相重叠的区域外。
在一些示例中，如图2B所示，开关元件105包括沟道区Q，过孔110开设于开关元件105的沟道区Q的上方，即过孔110在第一衬底基板101上的正投影与开关元件105的沟道区Q在第一衬底基板101上的正投影彼此至少部分重叠。由于开关元件105的有源层(包括沟道区Q)相对于栅线102的宽度或数据线103具有更大的宽度，这样一来，过孔可以形成得比较大，从而可以降低工艺要求，改善公共电极层与遮光导电层之间的电连接，并且过孔开设在开关元件的沟道区上方可以减小遮光导电层沿栅线和数据线延伸方向的宽度，从而减小遮光面积，进一步提升像素开口率。
图3A为根据本公开至少一个实施例的又一种阵列基板的结构示意图，图3B为图3A所示的阵列基板的沿B-B’线的剖视结构示意图。图3A所示的阵列基板与图2A所示的阵列基板结构大致相同，它们的不同在于过孔的位置以及公共电极层和遮光导电层的上下关系。因此，相同的名称和附图标记用于具有相同或相似结构的元件。
如图3B所示，在本公开至少一个实施例提供的阵列基板100中，遮光导电层108位于公共电极层107远离第一衬底基板101的一侧；过孔110开设于遮光导电层108沿栅线102延伸设置的第一部分，即过孔110位于栅线102的上方，过孔110在第一衬底基板101上的正投影与栅线102在第一衬底基板101上的正投影可以彼此部分地重叠。另外，需要说明的是，过孔110也可以开设于遮光导电层108沿数据线103延伸设置的第二部分，即过孔110位于数据线103的上方，过孔110在第一衬底基板101上的正投影与数据线103在第一衬底基板101上的正投影可以彼此部分地重叠。
并且，在该示例中，在像素区域P中，公共电极层107上设置有开口1073。开口1073位于开关元件105的沟道区Q上方，即开口1073与开关元件105的沟道区Q在垂直于第一衬底基板101的方向上彼此至少部分重叠。
由于当遮光导电层位于公共电极层远离第一衬底基板的一侧时，公共电极层距离开关元件较近，公共电极层会对开关元件形成电信号干扰。此时在开关元件的沟道区上方的公共电极层的对应位置处设置开口，有利于减小公共电极层对沟道区的电信号干扰，从而可以有助于提升采用阵列基板100的显示面板的显示效果。
在一些示例中，如图2A到图3B所示，阵列基板100还包括像素电极106，像素电极106位于像素区域P内。开关元件105为薄膜晶体管，包括源极1051、漏极1052、半导体层1053以及栅极1054。半导体层1053位于栅极1054的正上方，并且分别与源极1051和漏极1052连接。栅极1054与源极1051、漏极1052和半导体层1053绝缘。像素电极106可以与薄膜晶体管的源极或漏极中的一个电连接，数据线与源极或漏极中的另一个电连接。在如图2B和图3B所示的示例中，像素电极106与漏极1052电连接，数据线103与源极1051电连接，栅线102与栅极1054电连接。开关元件105被配置为根据栅线102提供的扫描信号导通或断开数据线103与像素电极106之间的连接，从而允许或断开数据信号对于像素电极106的充电。公共电极层107包括位于像素区域P内的公共电极1071，且公共电极1071与像素电极106在垂直于第一衬底基板101的方向上相重叠。
在一些示例中，如图2A到图3B所示，公共电极1071上设置有多个狭缝1074，狭缝1074沿垂直于第一衬底基板101方向的正投影与像素电极106沿垂直于第一衬底基板101方向的正投影重叠。狭缝1074用于使像素电极106与公共电极1071之间的电场能够作用到液晶层上，从而驱动液晶分子转动，实现显示功能。需要说明的是，狭缝的具体结构可以根据具体情况进行设计，本公开的实施例对此不做限定。
在一些示例中，数据线103可以与源极1051和漏极1052同层设置，栅线102可以与栅极1054同层设置。例如，如图2B和图3B所示的示例中，数据线103与源极1051一体形成，栅线102与栅极1054一体形成。
在一些示例中，如图2B和图3B所示，阵列基板100上还设置有第二绝缘层1092。第二绝缘层1092位于开关元件105之上，以及公共电极层107和遮光导电层108之下，并覆盖开关元件105和像素电极106。因此像素电极106与公共电极层107相互绝缘。
第二绝缘层1092是透明绝缘层，在一些示例中，其材料可以是无机材料，例如氧化硅(SiOx)、氮化硅(SiNx)或其他合适的材料；其材料也可以是有机材料，例如聚酰亚胺、聚丙烯酸树脂或其他合适的材料。
在一些示例中，如图2B和图3B所示，阵列基板100上还设置有第三绝缘层1093。第三绝缘层1093位于栅极1054与半导体层1053之间，用于使栅极1054与半导体层1053绝缘，也即通常所说的栅绝缘层。
第三绝缘层1093是透明绝缘层，在一些示例中，其材料可以是无机材料，例如氧化硅(SiOx)、氮化硅(SiNx)或其他合适的材料；其材料也可以是有机材料，例如聚酰亚胺、聚丙烯酸树脂或其他合适的材料。
需要说明的是，图2A-图3B仅以薄膜晶体管为底栅型薄膜晶体管为例进行说明，但其还可以为其他类型的薄膜晶体管，例如顶栅型薄膜晶体管、双栅型薄膜晶体管等。在顶栅型薄膜晶体管中，栅极和第三绝缘层可以位于源极和漏极之上。
在一些示例中，公共电极1071和像素电极106采用透明导电材料制作。例如可以采用氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化铟镓锌等透明金属氧化物制作。
在图2A到图3B的实施例提供的阵列基板100中，该公共电极层107也可以复用为触控电极，而遮光导电层108的部分也可以复用为触控走线，因此包括阵列基板100的显示面板不但可以具备显示功能，还可以具备触控功能，下面对其触控功能做进一步描述。
图4为根据本公开至少一个实施例的阵列基板的触控走线示意图。如图4所示，公共电极层107包括相互绝缘的多个公共电极单元1072，即，公共电极层107被划分为相互绝缘的多个公共电极单元1072。遮光导电层108包括相互绝缘的多条触控走线1081，即，遮光导电层108的一部分形成为多条触控走线1081，而触控走线1081例如由与栅线或数据线重叠的条状部分形成且与遮光导电层108的其他部分绝缘。例如，对于图4所示的情形，虽然触控走线1081可以穿过其他公共电极单元1072(即与公共电极单元1072相重叠)，但是触控走线1081与相重叠的公共电极单元1072对应的遮光导电层108绝缘，其绝缘的实现方法例如可以为，在该触控走线1081两侧的其他遮光导电层部分可以通过公共电极单元1072彼此电连接。多个公共电极单元1072与多条触控走线1081一一对应电连接。多个公共电极单元1072可以复用为触控电极，相应地多条触控走线1081可以用作触控电极的触控信号线；另外，多条触控走线1081还可以用作公共电极线，用于向公共电极单元1072提供公共电压信号。如此，阵列基板100可以实现触控与显示功能集成。阵列基板100实现触控的原理为自电容原理，即公共电极单元1072每个作为自电容触控电极。
在一些示例中，过孔110的数量为多个，每个公共电极单元1072与对应的触控走线1081通过过孔110电连接。如图4所示，每个公共电极单元1072与对应的触控走线1081可以通过至少一个过孔110电连接。
下面结合图5A和图5B，示例性地介绍两种实现多条触控走线1081相互绝缘并与多个公共电极单元1072一一对应电连接的方法。需要说明的是，实现多条触控走线1081相互绝缘并与多个公共电极单元1072一一对应电连接的方法可以有多种，并不局限于此。
图5A为根据本公开至少一个实施例的阵列基板的一种遮光导电层图案的局部放大示意图，示出了一种实现多条触控走线1081相互绝缘的方法。如图5A所示，每个格子代表一个像素区域P。遮光导电层108还包括相互绝缘的多个遮光单元1082，多个公共电极单元1072与多个遮光单元1082一一对应电连接。每个遮光单元1082对应多个像素区域P，该多个显示区域P位于遮光单元1082的范围内，每个遮光单元1082与一条触控走线1081连接。每条触控走线1081由一条沿栅线102或数据线103方向延伸的遮光导电层108引出，触控走线1081与其他的触控电极绝缘。遮光导电层的图案可以通过构图工艺实现。
在一些示例中，每个公共电极单元1072在垂直于第一衬底基板101的方向上与至少两个像素区域P重叠，即由该至少两个像素区域P共用；又例如，与M行*N列的像素区域P重叠，即由该M行*N列的像素区域P共用，M和N均为大于等于2的整数。
在一些示例中，每个遮光单元1082在第一衬底基板上的正投影与对应的公共电极单元1072在第一衬底基板101上的正投影重合，位于对应的公共电极单元1072在第一衬底基板101上的正投影内。
需要说明的是，公共电极单元1072大于至少一个像素区域P，每个公共电极单元1072通常可以覆盖多个像素区域P。因此，每个公共电极单元1072与对应的遮光单元1082可以通过一个过孔110电连接，只要该过孔110位于公共电极单元1072与遮光单元1082重叠的区域即可。或者，每个公共电极单元1072与对应的遮光单元1082也可以通过多个过孔110电连接，多个过孔110均位于公共电极单元1072与遮光单元1082重叠的区域。多个过孔更有利于实现二者之间的电连接，并通过多个连接点之间的并联，降低信号传输电阻。
图5B为根据本公开至少一个实施例的阵列基板的另一种遮光导电层图案的局部放大示意图，示出了另一种实现多条触控走线1081相互绝缘的方法。如图5B所示，每条触控走线1081可以由两条沿栅线102或数据线103方向延伸的遮光导电层构成。需要说明的是，两条沿栅线102或数据线103方向延伸的遮光导电层在接入触控侦测芯片时，需要连接到芯片的同一个引脚。在这种情况下，可以减小触控走线1081的电阻，从而减小信号延迟。当然，每条触控走线1081也可以由多条沿栅线102或数据线103方向延伸的遮光导电层构成。
对于本公开至少一个实施例提供的触控与显示功能集成的阵列基板，由于遮光导电层可以复用作触控电极的触控走线，因此阵列基板上不再需要单独设置触控走线，从而进一步提升像素开口率，同时简化了制作工艺。另外，遮光导电层可以选用金属材料，而公共电极引线为透明金属氧化物薄膜。金属材料电阻率低于透明金属氧化物的电阻率，因此当遮光导电层作为触控走线时，还可以降低公共电极的信号延迟。
本公开至少一个实施例提供一种显示面板，包括本公开上述任一实施例的阵列基板。
图6为根据本公开至少一个实施例的显示面板的结构示意图。如图6所示，该显示面板还包括与阵列基板100相对的对置基板200以及位于阵列基板100和对置基板200之间的液晶层300。对置基板200包括第二衬底基板201和彩色滤光层202，彩色滤光层202设置于第二衬底基板201上，例如位于第二衬底基板201朝向阵列基板100的一侧。
在一些示例中，对置基板200还可以包括黑矩阵203，设置于第二衬底基板201上，例如位于第二衬底基板201朝向阵列基板100的一侧。另外，由于阵列基板100上设置有遮光导电层108，可以遮挡栅线、数据线以及开关元件，起到和黑矩阵203相同的作用，因此对置基板200上也可以不设置黑矩阵。
本公开至少一个实施例提供的显示面板，具有和上述阵列基板相同的有益效果，此处不再赘述。
本公开至少一个实施例提供一种显示装置，包括上述实施例的显示面板。该显示装置例如可以实现为液晶面板、电子纸、有机发光二极管(OLED)面板、手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。
图7为根据本公开至少一个实施例的显示装置的触控走线示意图。该显示装置还包括触控侦测芯片400，位于显示区域的外围区域；该触控侦测芯片400例如通过绑定区以及柔性引线电路板连接到阵列基板之上，阵列基板的每条触控走线1081都电连接到触控侦测芯片400。该触控侦测芯片400例如为集成电路(IC)芯片。
本公开至少一个实施例提供的显示装置，具有和上述阵列基板以及显示面板相同的有益效果，此处不再赘述。
这些实施例提供的显示装置集成了触控和显示功能，下面对该显示装置的示例性扫描方法进行详细介绍。
一帧画面的时间分为显示阶段和触控阶段。在显示阶段，对显示装置的每条栅线依次施加栅扫描信号，对数据线施加灰阶信号(数字信号)，通过触控走线向公共电极施加公共电压信号，由此每个像素单元(像素区域P)的公共电极与像素电极之间形成电场，驱动液晶分子旋转，实现显示功能；在触控阶段，触控侦测芯片通过与触控电极电连接的触控走线，分时向各触控电极施加驱动信号，并接收各触控电极的反馈信号，根据反馈信号判断触控位置，实现触控功能。
本公开至少一个实施例还提供一种上述阵列基板的制作方法。图8为根据本公开至少一个实施例的阵列基板的制作方法流程图，如图8所示，该制作方法包括如下步骤：
S11、提供衬底基板；
S12、在衬底基板上形成栅线和数据线，栅线和数据线相互交叉且相互绝缘以界定至少一个像素区域；
S13、在衬底基板上形成开关元件，其中，开关元件位于像素区域内，与栅线和数据线电连接；
S14、在开关元件远离衬底基板的一侧形成公共电极层；以及
S15、在开关元件远离衬底基板的一侧形成遮光导电层，其中，遮光导电层与公共电极层电连接，栅线、数据线和开关元件在衬底基板上的正投影的至少一部分落入遮光导电层在衬底基板上的正投影内。
需要说明的是，上述制作方法并不一定按照上述步骤顺序进行，有些情况下可以调换上述步骤的前后顺序。例如，当公共电极层位于遮光导电层远离开关元件的一侧时，步骤S15应先于步骤S14进行。
下面以图3A和图3B所示的阵列基板100为例，进一步描述上述实施例提供的阵列基板的制作方法。
对于图3A和图3B所示的阵列基板100，上述步骤S12包括如下的步骤S121至S123：
S121、在第一衬底基板101上形成栅线102和栅极1054；
S122、在栅线102和栅极1054上形成第三绝缘层1093，覆盖栅线102和栅极1054；
S123、在第三绝缘层1093上形成数据线103，数据线103和栅线102相互交叉，以界定至少一个像素区域P。
例如，栅线102和栅极1054可以一体形成。
对于图3A和图3B所示的阵列基板100，上述步骤S13包括如下的步骤S131至S132：
S131、在第三绝缘层1093上形成半导体层1053并且形成源极1051、漏极1052，源极1051与数据线103电连接，半导体层1053位于栅极1054上方，从而形成开关元件105；
S132、在第三绝缘层1093上形成像素电极106，与漏极1052电连接。
例如，源极1051、漏极1052与数据线103可以由同一导电薄膜(例如金属薄膜)通过同一构图工艺得到。像素电极106直接搭接(即未借助过孔)在漏极1052上，从而与漏极1052电连接。
在至少一个示例中，在形成开关元件105之后，在开关元件105上形成一个层间绝缘层，在该层间绝缘层形成过孔以暴露漏极，像素电极形成在该层间绝缘层上且通过该过孔与漏极电连接。
对于图3A和图3B所示的阵列基板100，在S13和S14之间，还包括以下步骤S13a：
S13a、在开关元件105和像素电极106上形成第二绝缘层1092，覆盖开关元件105和像素电极106。
对于图3A和图3B所示的阵列基板100，上述步骤S14包括如下的步骤S141及S142：
S141、在第二绝缘层1092上形成公共电极层107；
S142、在公共电极层107对应开关元件105正上方的位置形成开口1053，在公共电极层107与像素电极106重叠的位置形成狭缝1074。
对于图3A和图3B所示的阵列基板100，在S14和S15之间，还包括如下的步骤S14a及S14b：
S14a、在公共电极层107上形成第一绝缘层1091，覆盖公共电极层107；
S14b、在第一绝缘层1091上形成过孔110，露出公共电极层107。
对于图3A和图3B所示的阵列基板100，上述步骤S15包括：
S151、在第一绝缘层1091上形成遮光导电层108，与公共电极层107通过过孔110电连接，栅线102、数据线103和开关元件105在第一衬底基板101上的正投影的至少一部分落入遮光导电层108在第一衬底基板101上的正投影内。
需要说明的是，在上述制造方法中，各层的图案可通过现有技术的曝光显影蚀刻等工艺实现，本公开对此不做具体限定。
有以下几点需要说明：
(1)本公开实施例附图只涉及到与本公开实施例涉及到的结构，其他结构可参考通常设计。
(2)在不冲突的情况下，本公开的实施例及实施例中的特征可以相互组合以得到新的实施例。
以上，仅为本公开的具体实施方式，但本公开的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本公开揭露的技术范围内，可轻易想到变化或替换，都应涵盖在本公开的保护范围之内。因此，本公开的保护范围应以权利要求的保护范围为准。

Claims (14)

1.一种阵列基板，包括：
衬底基板；
栅线和数据线，位于所述衬底基板上，相互交叉且相互绝缘以界定至少一个像素区域；
开关元件，位于所述像素区域内，与所述栅线和所述数据线电连接；
公共电极层，位于所述开关元件远离所述衬底基板的一侧；以及
遮光导电层，位于所述开关元件远离所述衬底基板的一侧，与所述公共电极层电连接，
其中，所述栅线、所述数据线和所述开关元件在所述衬底基板上的正投影的至少一部分落入所述遮光导电层在所述衬底基板上的正投影内，
所述遮光导电层位于所述公共电极层远离所述衬底基板的一侧，
所述开关元件为薄膜晶体管且包括沟道区，在所述像素区域中，所述公共电极层上设置有开口，所述开口与所述开关元件的所述沟道区在垂直于所述衬底基板的方向上彼此至少部分重叠。
2.根据权利要求1所述的阵列基板，
其中，所述栅线、所述数据线和所述开关元件在所述衬底基板上的正投影都落入所述遮光导电层在所述衬底基板上的正投影内。
3.根据权利要求1或2所述的阵列基板，还包括：
绝缘层，夹置于所述遮光导电层和所述公共电极层之间，
其中，所述绝缘层包括至少一个过孔，所述遮光导电层和所述公共电极层通过所述至少一个过孔电连接。
4.根据权利要求3所述的阵列基板，其中，所述至少一个过孔位于所述遮光导电层与所述开关元件、栅线或数据线在垂直于所述衬底基板方向上相重叠的区域中。
5.根据权利要求4所述的阵列基板，其中，所述开关元件为薄膜晶体管且包括沟道区，所述过孔在所述衬底基板上的正投影与所述沟道区在所述衬底基板上的正投影彼此重叠。
6.根据权利要求1或2所述的阵列基板，还包括：
像素电极，位于所述像素区域内，
其中，所述开关元件为薄膜晶体管，包括源极和漏极，所述像素电极与所述源极或漏极电连接，所述公共电极层包括位于所述像素区域内的公共电极，且所述公共电极与所述像素电极在垂直于所述衬底基板方向上相重叠。
7.根据权利要求1或2所述的阵列基板，其中，所述遮光导电层的材料包括金属材料或有机导电材料。
8.根据权利要求1或2所述的阵列基板，其中，所述公共电极层包括相互绝缘的多个公共电极单元，所述遮光导电层包括相互绝缘的多条触控走线，所述多个公共电极单元与所述多条触控走线一一对应电连接。
9.根据权利要求8所述的阵列基板，还包括：
绝缘层，夹置于所述遮光导电层和所述公共电极层之间，
其中，所述绝缘层包括多个过孔，每个所述公共电极单元与对应的所述触控走线通过至少一个所述过孔电连接。
10.根据权利要求8所述的阵列基板，其中，每个所述公共电极单元在垂直于所述衬底基板的方向上与至少两个像素区域重叠。
11.根据权利要求8所述的阵列基板，其中，所述遮光导电层还包括相互绝缘的多个遮光单元，所述多个公共电极单元与所述多个遮光单元一一对应电连接。
12.一种显示面板，包括根据权利要求1-11任一项所述的阵列基板。
13.一种显示装置，包括根据权利要求12所述的显示面板。
14.一种阵列基板的制备方法，包括：
提供衬底基板；
在所述衬底基板上形成栅线和数据线，所述栅线和所述数据线相互交叉且相互绝缘以界定至少一个像素区域；
在所述衬底基板上形成开关元件，其中，所述开关元件位于所述像素区域内，与所述栅线和所述数据线电连接；
在所述开关元件远离所述衬底基板的一侧形成公共电极层；以及
在所述开关元件远离所述衬底基板的一侧形成遮光导电层，其中，所述遮光导电层与所述公共电极层电连接，所述栅线、所述数据线和所述开关元件在所述衬底基板上的正投影的至少一部分落入所述遮光导电层在所述衬底基板上的正投影内，
所述遮光导电层位于所述公共电极层远离所述衬底基板的一侧，
所述开关元件为薄膜晶体管且包括沟道区，在所述像素区域中，所述公共电极层上设置有开口，所述开口与所述开关元件的所述沟道区在垂直于所述衬底基板的方向上彼此至少部分重叠。
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