JP2023036194A - 表示装置 - Google Patents

Abstract

【課題】 外光の反射を抑制することが可能な表示装置を提供する。
【解決手段】 実施形態の一態様によれば、表示装置は、画素を含む表示領域と、前記表示領域の周辺の周辺領域と、前記画素に配置された画素電極と、前記画素電極に接続されたスイッチング素子と、前記スイッチング素子に走査信号を供給する走査線と、前記スイッチング素子に映像信号を供給する信号線と、前記信号線および前記走査線の少なくとも一方と重なる金属層と、前記金属層を覆う反射防止層と、前記反射防止層を覆う共通電極と、前記周辺領域に配置され、共通電圧が供給される給電線と、を備えている。前記共通電極および前記金属層は、前記周辺領域において前記給電線と接続されている。
【選択図】 図８

Description

本発明の実施形態は、表示装置に関する。

液晶表示装置などの表示装置において、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）などの透明導電材料で形成された共通電極と同電位の金属層が画素の境界に設けられることがある。金属層は外光を反射し得るため、何らかの対策が必要である。

特開２０１９－３５８８４号公報

本開示の一態様における目的は、外光の反射を抑制することが可能な表示装置を提供することである。

実施形態の一態様によれば、表示装置は、画素を含む表示領域と、前記表示領域の周辺の周辺領域と、前記画素に配置された画素電極と、前記画素電極に接続されたスイッチング素子と、前記スイッチング素子に走査信号を供給する走査線と、前記スイッチング素子に映像信号を供給する信号線と、前記信号線および前記走査線の少なくとも一方と重なる金属層と、前記金属層を覆う反射防止層と、前記反射防止層を覆う共通電極と、前記周辺領域に配置され、共通電圧が供給される給電線と、を備えている。前記共通電極および前記金属層は、前記周辺領域において前記給電線と接続されている。

実施形態の他の態様によれば、表示装置は、画素を含む表示領域と、前記画素に配置された画素電極と、前記画素電極に接続されたスイッチング素子と、前記スイッチング素子に走査信号を供給する走査線と、前記スイッチング素子に映像信号を供給する信号線と、前記信号線および前記走査線の少なくとも一方と重なる金属層と、前記金属層を覆う反射防止層と、前記反射防止層を覆う共通電極と、前記表示領域に配置され、前記金属層および前記共通電極に接触する中継導電層と、を備えている。

実施形態のさらに他の態様によれば、表示装置は、画素を含む表示領域と、前記画素に配置された画素電極と、前記画素電極に接続されたスイッチング素子と、前記スイッチング素子に走査信号を供給する走査線と、前記スイッチング素子に映像信号を供給する信号線と、前記信号線および前記走査線の少なくとも一方と重なる金属層と、前記金属層を覆う反射防止層と、前記反射防止層を覆う共通電極と、を備えている。前記金属層は、前記反射防止層により覆われていない露出領域を有し、前記共通電極は、前記露出領域と接触している。

図１は、第１実施形態に係る表示装置の概略的な分解斜視図である。 図２は、第１実施形態に係る表示パネルの概略的な平面図である。 図３は、第１実施形態に係る副画素のレイアウトの一例を示す概略的な平面図である。 図４は、第１実施形態に係る表示パネルの概略的な断面図である。 図５は、第１実施形態に係る金属層および反射防止層の概略的な断面図である。 図６は、第１実施形態に係る第１基板の表示領域に配置される要素の一部を示す概略的な平面図である。 図７は、第１実施形態に係る第１基板の周辺領域の一部を示す概略的な平面図である。 図８は、図７におけるVIII－VIII線に沿う第１基板の概略的な断面図である。 図９は、第２実施形態に係る第１基板の概略的な断面図である。 図１０は、第３実施形態に係る第１基板の概略的な断面図である。 図１１は、第４実施形態に係る第１基板に配置される要素の一部を示す概略的な平面図である。 図１２は、図１１におけるXII－XII線に沿う第１基板の概略的な断面図である。 図１３は、第５実施形態に係る第１基板の概略的な断面図である。 図１４は、第６実施形態に係る金属層、走査線および信号線の概略的な平面図である。 図１５は、図１４におけるXV－XV線に沿う表示パネルの概略的な断面図である。 図１６は、第７実施形態に係る表示パネルの概略的な断面図である。 図１７は、第８実施形態に係る第１基板の概略的な断面図である。 図１８は、第９実施形態に係る第１基板の概略的な断面図である。

いくつかの実施形態につき、図面を参照しながら説明する。
なお、開示はあくまで一例に過ぎず、当業者において、発明の主旨を保っての適宜変更について容易に想到し得るものについては、当然に本発明の範囲に含有される。また、図面は、説明をより明確にするため、実際の態様に比べて模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。各図において、連続して配置される同一または類似の要素については符号を省略することがある。また、本明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同一または類似した機能を発揮する構成要素には同一の参照符号を付し、重複する詳細な説明を省略することがある。

各実施形態においては一例として、液晶表示素子を有した液晶表示装置を開示する。ただし、各実施形態は、例えば有機エレクトロルミネッセンス表示素子、マイクロＬＥＤ、またはミニＬＥＤなどの他種の表示素子を備える表示装置に対する、各実施形態にて開示される個々の技術的思想の適用を妨げるものではない。また、各実施形態にて開示される技術的思想は、静電容量式センサや光学式センサなどのセンサ素子を有するアレイ基板や電子機器にも応用し得る。

［第１実施形態］
図１は、第１実施形態に係る液晶表示装置１（以下、表示装置１と呼ぶ）の概略的な分解斜視図である。図示したようにＸ方向、Ｙ方向およびＺ方向を定義する。これらＸ，Ｙ，Ｚ方向は、本実施形態においては互いに直交する方向であるが、垂直以外の角度で交わってもよい。Ｚ方向と平行に表示装置１やその構成要素を見ることを平面視と呼ぶ。また、Ｚ方向の矢印が示す方向を上方、その反対方向を下方と呼ぶことがある。

表示装置１は、表示パネル２と、バックライト３とを備えている。図１の例において、バックライト３は、表示パネル２に対向する導光体ＬＧと、導光体ＬＧの側面に対向する複数の発光素子ＬＳとを備えたサイドエッジ型である。ただし、バックライト３の構成は図１の例に限られず、画像表示に必要な光を供給する構成であればよい。

図１の例において、表示パネル２および導光体ＬＧは、いずれもＸ方向に沿う短辺と、Ｙ方向に沿う長辺とを有する長方形状に形成されている。表示パネル２および導光体ＬＧは、長方形状に限られず、他の形状であってもよい。

表示パネル２は、透過型の液晶パネルであり、第１基板ＳＵＢ１（アレイ基板）と、第１基板ＳＵＢ１に対向する第２基板ＳＵＢ２（対向基板）と、これら基板ＳＵＢ１，ＳＵＢ２の間に封入された液晶層ＬＣとを備えている。表示パネル２は、例えば矩形状の表示領域ＤＡを有している。

さらに、表示装置１は、光学シート群４と、第１偏光板５と、第２偏光板６とを備えている。光学シート群４は、導光体ＬＧと表示パネル２の間に配置されている。例えば、光学シート群４は、導光体ＬＧから出射する光を拡散する拡散シートＤＦと、多数のプリズムが形成された第１プリズムシートＰＲ１および第２プリズムシートＰＲ２とを含む。

第１偏光板５は、光学シート群４と第１基板ＳＵＢ１の間に配置されている。第２偏光板６は、第２基板ＳＵＢ２の上方に配置されている。第１偏光板５の偏光軸と第２偏光板６の偏光軸は、互いに直交するクロスニコルの関係にある。

表示装置１は、例えば、車載機器、スマートフォン、タブレット端末、携帯電話端末、パーソナルコンピュータ、テレビ受像装置、ゲーム機器、さらにはＶＲ（Virtual Reality）のための映像を表示するヘッドマウントディスプレイ等の種々の装置に用いることができる。

図２は、表示パネル２の概略的な平面図である。表示パネル２は、表示領域ＤＡと、その周囲の周辺領域ＳＡとを有している。図２の例においては、第１基板ＳＵＢ１の図中下辺が第２基板ＳＵＢ２よりもＹ方向に突出している。これにより、第１基板ＳＵＢ１には、第２基板ＳＵＢ２と重ならない実装領域ＭＡが形成されている。実装領域ＭＡは、周辺領域ＳＡの一部である。

表示領域ＤＡには、複数の画素ＰＸがマトリクス状に配置されている。画素ＰＸは、複数の副画素を含む。本実施形態では一例として、画素ＰＸが赤色の副画素ＳＰＲ、緑色の副画素ＳＰＧ、青色の副画素ＳＰＢを含む。ただし、画素ＰＸは、白色などの他の色の副画素を含んでもよい。

表示パネル２は、複数の走査線Ｇと、複数の信号線Ｓ（映像線）と、第１走査ドライバＧＤ１と、第２走査ドライバＧＤ２と、セレクタ回路ＳＴとを備えている。複数の走査線Ｇは、Ｘ方向に延びるとともにＹ方向に並んでいる。複数の信号線Ｓは、Ｙ方向に延びるとともにＸ方向に並んでいる。各走査線Ｇは、第１走査ドライバＧＤ１および第２走査ドライバＧＤ２の少なくとも一方に接続されている。各信号線Ｓは、セレクタ回路ＳＴに接続されている。

図２の例においては、コントローラＣＴが実装領域ＭＡに実装されている。また、実装領域ＭＡには端子部Ｔが設けられ、この端子部Ｔにフレキシブル回路基板Ｆが接続されている。なお、コントローラＣＴは、フレキシブル回路基板Ｆに実装されてもよい。コントローラＣＴは、ＩＣや各種の回路素子によって構成することができる。

フレキシブル回路基板Ｆは、表示装置１が実装される電子機器の基板等から送られる各種の信号をコントローラＣＴに入力する。コントローラＣＴは、入力された信号に基づき、セレクタ回路ＳＴに映像信号を供給するとともに、第１走査ドライバＧＤ１、第２走査ドライバＧＤ２およびセレクタ回路ＳＴを制御する。走査ドライバＧＤ１，ＧＤ２は、各走査線Ｇに走査信号を順次供給する。セレクタ回路ＳＴは、入力された映像信号を信号線Ｓに順次供給する。

画素ＰＸは、画素電極ＰＥと、スイッチング素子ＳＷ（薄膜トランジスタ）と、共通電圧が供給される共通電極ＣＥとを含む。スイッチング素子ＳＷは、画素電極ＰＥ、走査線Ｇおよび信号線Ｓに接続され、走査線Ｇに走査信号が供給されると信号線Ｓの映像信号を画素電極ＰＥに供給する。共通電極ＣＥは、複数の副画素にわたって形成されている。画素電極ＰＥに映像信号が供給されると、画素電極ＰＥと共通電極ＣＥの間に電位差が形成され、これにより生じる電界が液晶層ＬＣに作用する。

本実施形態においては、走査線Ｇ、信号線Ｓ、第１走査ドライバＧＤ１、第２走査ドライバＧＤ２、セレクタ回路ＳＴ、スイッチング素子ＳＷ、画素電極ＰＥおよび共通電極ＣＥがいずれも第１基板ＳＵＢ１に形成されている。

図３は、副画素ＳＰＲ，ＳＰＧ，ＳＰＢのレイアウトの一例を示す概略的な平面図である。副画素ＳＰＲには赤色のカラーフィルタＣＦＲが配置され、副画素ＳＰＧには緑色のカラーフィルタＣＦＧが配置され、副画素ＳＰＢには青色のカラーフィルタＣＦＢが配置されている。本実施形態において、表示装置１は、カラーフィルタＣＦＲ，ＣＦＧ，ＣＦＢがいずれも第１基板ＳＵＢ１に配置されたＣＯＡ（Color Filter on Array）方式の構造を有している。

図３の例においては、副画素ＳＰＲ，ＳＰＧ，ＳＰＢがＸ方向にこの順で並んでいる。また、副画素ＳＰＲ，ＳＰＢ，ＳＰＧがＹ方向にこの順で並んでいる。これにより、Ｘ方向およびＹ方向と交差する斜め方向に副画素ＳＰＲが並ぶ。同様に、副画素ＳＰＧが当該斜め方向に並ぶとともに、副画素ＳＰＢが当該斜め方向に並ぶ。カラーフィルタＣＦＲ，ＣＦＧ，ＣＦＢは、副画素ＳＰＲ，ＳＰＧ，ＳＰＢに対してドット状（島状）に配置されている。

なお、副画素ＳＰＲ，ＳＰＧ，ＳＰＢおよびカラーフィルタＣＦＲ，ＣＦＧ，ＣＦＢのレイアウトは、ここで例示したものに限られない。例えば、副画素ＳＰＲがＹ方向に並び、副画素ＳＰＧがＹ方向に並び、副画素ＳＰＢがＹ方向に並び、これら副画素ＳＰＲの列、副画素ＳＰＧの列、副画素ＳＰＢの列がＸ方向に順に並んでもよい。

図４は、表示パネル２の概略的な断面図である。第１基板ＳＵＢ１は、上述の信号線Ｓ、スイッチング素子ＳＷ、画素電極ＰＥ、共通電極ＣＥおよびカラーフィルタＣＦＲ，ＣＦＧ，ＣＦＢを備えている。図４の断面には表れていないが、第１基板ＳＵＢ１は、上述の走査線Ｇも備えている。

さらに、第１基板ＳＵＢ１は、第１絶縁基材１０と、第１絶縁層１１と、第２絶縁層１２と、第３絶縁層１３と、第４絶縁層１４と、有機絶縁層１５と、第１配向膜１６と、金属層ＭＬと、反射防止層ＡＲとを備えている。

第１絶縁基材１０は、例えばガラスで形成されているが、ポリイミドなどの樹脂材料で形成されてもよい。絶縁層１１～１４は、窒化シリコンや酸化シリコンなどの無機材料で形成されている。有機絶縁層１５は、アクリル樹脂などの有機材料で形成されている。画素電極ＰＥおよび共通電極ＣＥは、ＩＴＯなどの透明導電材料で形成されている。走査線Ｇ、信号線Ｓおよび金属層ＭＬは、金属材料で形成されている。走査線Ｇ、信号線Ｓおよび金属層ＭＬは、単一の金属材料で形成された単層構造を有してもよいし、異なる種類の金属材料が積層された多層構造を有してもよい。

第１絶縁層１１は、第１絶縁基材１０の上面（第２基板ＳＵＢ２側の面）を覆っている。第１絶縁層１１の上には、スイッチング素子ＳＷが備えるポリシリコンなどの半導体層ＳＣが配置されている。第２絶縁層１２は、半導体層ＳＣおよび第１絶縁層１１を覆っている。

図４の断面には表れていないが、第２絶縁層１２の上には走査線Ｇが配置されている。走査線Ｇと半導体層ＳＣは、少なくとも１回交差している。第３絶縁層１３は、走査線Ｇおよび第２絶縁層１２を覆っている。第３絶縁層１３の上には、信号線Ｓが配置されている。信号線Ｓは、第２絶縁層１２および第３絶縁層１３を貫通するコンタクトホールを通じて半導体層ＳＣに接触している。

信号線Ｓおよび第３絶縁層１３の上には、カラーフィルタＣＦＲ，ＣＦＧ，ＣＦＢが配置されている。有機絶縁層１５は、カラーフィルタＣＦＲ，ＣＦＧ，ＣＦＢを覆っている。カラーフィルタＣＦＲ，ＣＦＧ，ＣＦＢおよび有機絶縁層１５は、他の絶縁層１１～１４よりも厚く形成されている。有機絶縁層１５は、スイッチング素子ＳＷやカラーフィルタＣＦＲ，ＣＦＧ，ＣＦＢによって生じる凹凸を平坦化する。

有機絶縁層１５の上には、画素電極ＰＥが配置されている。画素電極ＰＥは、有機絶縁層１５を貫通するコンタクトホール（図６に示すコンタクトホールＣＨ１）を通じて半導体層ＳＣに接触している。画素電極ＰＥと半導体層ＳＣの間に他の導電層が介在してもよい。各副画素の画素電極ＰＥは、カラーフィルタＣＦＲ，ＣＦＧ，ＣＦＢと対向している。

第４絶縁層１４は、画素電極ＰＥおよび有機絶縁層１５を覆っている。第４絶縁層１４の上には、金属層ＭＬおよび共通電極ＣＥが配置されている。共通電極ＣＥは、カラーフィルタＣＦＲ，ＣＦＧ，ＣＦＢとＺ方向に重なるスリットＳＬを有しており、画素電極ＰＥと対向している。

金属層ＭＬの上面は、反射防止層ＡＲにより覆われている。金属層ＭＬおよび反射防止層ＡＲは、共通電極ＣＥにより覆われている。共通電極ＣＥは、第１配向膜１６により覆われている。

第２基板ＳＵＢ２は、第１絶縁基材１０と同様の材料で形成された第２絶縁基材２０と、第２絶縁基材２０の下面（第１基板ＳＵＢ１側の面）を覆う第２配向膜２１とを備えている。第１基板ＳＵＢ１と第２基板ＳＵＢ２は、周辺領域ＳＡにおいて環状のシール材により貼り合わされている。第１基板ＳＵＢ１と第２基板ＳＵＢ２の間には、液晶層ＬＣが封入されている。

画素電極ＰＥに対して映像信号が供給されると、画素電極ＰＥと共通電極ＣＥの間に電界が形成される。この電界がスリットＳＬを通じて液晶層ＬＣに作用することにより、液晶層ＬＣに含まれる液晶分子の配向が制御される。

図５は、金属層ＭＬおよび反射防止層ＡＲの概略的な断面図である。図示した例において、金属層ＭＬは、第１層Ｌ１、第２層Ｌ２および第３層Ｌ３を含む積層構造を有している。第１層Ｌ１は、例えばアルミニウムにより第２層Ｌ２および第３層Ｌ３よりも厚く形成されている。第２層Ｌ２および第３層Ｌ３は、例えばモリブデンにより形成されている。

反射防止層ＡＲは、第３層Ｌ３を覆っている。反射防止層ＡＲは、外光などの光ＬＴの反射を抑制する。反射防止層ＡＲは、例えば金属酸化物や黒色樹脂などで形成され、金属層ＭＬの上面（第３層Ｌ３の表面）よりも低い反射率を有している。他の例として、反射防止層ＡＲは、屈折率の異なる複数の層を備え、これらの層で反射される光の干渉により反射光を低減するものであってもよい。

図６は、表示領域ＤＡにおいて第１基板ＳＵＢ１に配置される要素の一部を示す概略的な平面図である。この図においては、１つの副画素に着目しており、Ｘ方向に延びる２本の走査線Ｇと、Ｙ方向に延びる信号線Ｓとが示されている。

金属層ＭＬは、Ｘ方向に延びる複数の第１部分ＭＬｘと、Ｙ方向に延びる複数の第２部分ＭＬｙとを有した格子状である。第１部分ＭＬｘは、走査線Ｇと重なっている。第２部分ＭＬｙは、信号線Ｓと重なっている。

このように、本実施形態においては、Ｘ方向に隣り合う副画素の境界、および、Ｙ方向に隣り合う副画素の境界の双方に金属層ＭＬが配置されている。反射防止層ＡＲは、第１部分ＭＬｘおよび第２部分ＭＬｙを含む金属層ＭＬの全体に対して配置されている。

図６の例においては、第１部分ＭＬｘの幅が走査線Ｇの幅よりも小さい。ただし、第１部分ＭＬｘの幅が走査線Ｇの幅以上であってもよい。この場合において、走査線Ｇの全体が第１部分ＭＬｘと重なってもよい。

また、図６の例においては、第２部分ＭＬｙの幅が信号線Ｓの幅よりも大きく、信号線Ｓの全体が第２部分ＭＬｙと重なっている。ただし、第２部分ＭＬｙの幅が信号線Ｓの幅以下であってもよい。

隣り合う２つの第１部分ＭＬｘと、隣り合う２つの第２部分ＭＬｙとで囲われた開口ＡＰＸが各副画素に対して形成される。画素電極ＰＥは、開口ＡＰＸの大部分と重なっている。

第１部分ＭＬｘと重なる位置に、画素電極ＰＥと半導体層ＳＣ（図４参照）を接続するためのコンタクトホールＣＨ１が形成されている。コンタクトホールＣＨ１は、上述の有機絶縁層１５を貫通する。

図６の例においては、開口ＡＰＸと重なる領域に１本のスリットＳＬが設けられている。スリットＳＬは、例えばＸ方向およびＹ方向に対して傾斜した複数の部分を含む。なお、開口ＡＰＸに対して複数のスリットＳＬが設けられてもよい。

図７は、周辺領域ＳＡにおける第１基板ＳＵＢ１の一部を示す概略的な平面図である。図８は、図７におけるVIII－VIII線に沿う第１基板ＳＵＢ１の概略的な断面図である。図７および図８に示すように、第１基板ＳＵＢ１は、周辺領域ＳＡにおいて給電線ＰＬおよび中継導電層ＲＣ１（第１中継導電層）を備えている。給電線ＰＬおよび中継導電層ＲＣ１は、共通電極ＣＥおよび金属層ＭＬの下方に位置している。

例えば、給電線ＰＬは、実装領域ＭＡを除く第１基板ＳＵＢ１の３辺に沿って表示領域ＤＡを囲うように形成されている。給電線ＰＬには、共通電圧が供給されている。中継導電層ＲＣ１は、給電線ＰＬと重なっている。中継導電層ＲＣ１は、例えば給電線ＰＬと同じく、実装領域ＭＡを除く第１基板ＳＵＢ１の３辺に沿って表示領域ＤＡを囲うように形成されている。

図７の例においては、第１走査ドライバＧＤ１が給電線ＰＬと表示領域ＤＡの間に配置されている。図７には表れていないが、上述の第２走査ドライバＧＤ２も給電線ＰＬと表示領域ＤＡの間に配置されている。

共通電極ＣＥは、表示領域ＤＡだけでなく、周辺領域ＳＡにも形成されている。共通電極ＣＥは、第１走査ドライバＧＤ１の全体と重なるとともに、給電線ＰＬおよび中継導電層ＲＣ１の一部とも重なっている。

金属層ＭＬは、周辺領域ＳＡにおいて第３部分ＭＬｓを有している。第３部分ＭＬｓは、第１走査ドライバＧＤ１の全体と重なるとともに、給電線ＰＬおよび中継導電層ＲＣ１の一部とも重なっている。

すなわち、共通電極ＣＥの端部Ｅ１（第１端部）および第３部分ＭＬｓの端部Ｅ２（第２端部）は、いずれも周辺領域ＳＡに位置している。さらに、図７の例においては、端部Ｅ１と表示領域ＤＡの間に端部Ｅ２が位置している。

端部Ｅ１および端部Ｅ２は、いずれも給電線ＰＬおよび中継導電層ＲＣ１と重なっている。端部Ｅ１は、端部Ｅ２と給電線ＰＬの端部Ｅ３との間に位置している。なお、端部Ｅ１，Ｅ２，Ｅ３は、それぞれ共通電極ＣＥ、金属層ＭＬおよび給電線ＰＬの外縁に相当する。中継導電層ＲＣ１の端部は、端部Ｅ３と略一致している。図７に示す端部Ｅ１，Ｅ２，Ｅ３の関係は、実装領域ＭＡを除く第１基板ＳＵＢ１の他の辺の近傍にも同様に適用できる。

図８に示すように、給電線ＰＬは、第３絶縁層１３の上に配置されている。周辺領域ＳＡにおいて、有機絶縁層１５の厚さは給電線ＰＬに向けて漸次減少している。例えば、給電線ＰＬは、信号線Ｓと同じ金属材料により、信号線Ｓと同じプロセスで形成することができる。

中継導電層ＲＣ１は、給電線ＰＬの上面を覆っている。例えば、中継導電層ＲＣ１は、画素電極ＰＥと同じ透明導電材料により、画素電極ＰＥと同じプロセスで形成することができる。第４絶縁層１４は、周辺領域ＳＡにも形成されているが、中継導電層ＲＣ１の上面を覆っていない。

第３部分ＭＬｓは、第４絶縁層１４の上に配置され、その一部が中継導電層ＲＣ１の上に位置している。第３部分ＭＬｓの上面は、全体的に反射防止層ＡＲによって覆われている。共通電極ＣＥは、周辺領域ＳＡにおいて第３部分ＭＬｓ上の反射防止層ＡＲを覆っている。さらに、共通電極ＣＥは、第３部分ＭＬｓの端部Ｅ２と給電線ＰＬの端部Ｅ３の間で中継導電層ＲＣ１の上に位置している。

すなわち、共通電極ＣＥは、端部Ｅ１，Ｅ２の間の第１領域Ａ１において中継導電層ＲＣ１の上面に接触している。これにより、共通電極ＣＥと給電線ＰＬが中継導電層ＲＣ１を介して接続され、給電線ＰＬの共通電圧が中継導電層ＲＣ１を介して共通電極ＣＥに供給される。

また、第３部分ＭＬｓは、第１領域Ａ１と表示領域ＤＡの間に位置する第２領域Ａ２において中継導電層ＲＣ１の上面に接触している。これにより、金属層ＭＬと給電線ＰＬが中継導電層ＲＣ１を介して接続され、給電線ＰＬの共通電圧が中継導電層ＲＣ１を介して金属層ＭＬに供給される。

以上の本実施形態においては、走査線Ｇや信号線Ｓと重なる金属層ＭＬが第１基板ＳＵＢ１に配置され、さらに金属層ＭＬの上面が反射防止層ＡＲにより覆われている。これにより、走査線Ｇ、信号線Ｓおよび金属層ＭＬによる外光の反射が抑制されるので、表示領域ＤＡに表示される画像の視認性に優れた表示装置１を得ることができる。

また、周辺領域ＳＡにおいても、第１走査ドライバＧＤ１などの金属材料を含む要素が金属層ＭＬ（第３部分ＭＬｓ）および反射防止層ＡＲと重なっている。これにより、周辺領域ＳＡにおける外光の反射も抑制できる。

仮に、本実施形態のようにアレイ基板である第１基板ＳＵＢ１にカラーフィルタが形成されている場合において、第２基板ＳＵＢ２に反射防止層ＡＲ相当の遮光層（ブラックマトリクス）を設けると、金属層ＭＬやカラーフィルタと当該遮光層との合わせずれが生じる可能性がある。本実施形態の構成であれば、このような合わせずれを抑制できる。

本実施形態においては、反射防止層ＡＲにより覆われた金属層ＭＬが、さらに共通電極ＣＥで覆われている。この構成では、表示領域ＤＡにおいて共通電極ＣＥと金属層ＭＬの十分な導通が確保できない可能性がある。また、周辺領域ＳＡにおいても共通電極ＣＥの下方に反射防止層ＡＲで覆われた金属層ＭＬが形成されている場合には、給電線ＰＬの共通電圧を共通電極ＣＥに供給することが困難である。

この点に関し、本実施形態においては金属層ＭＬの端部Ｅ２が共通電極ＣＥの端部Ｅ１と表示領域ＤＡの間に位置し、これにより金属層ＭＬおよび共通電極ＣＥの双方が中継導電層ＲＣ１を介して給電線ＰＬに接続されている。このような構成であれば、給電線ＰＬの共通電圧を共通電極ＣＥおよび金属層ＭＬの双方に供給することができる。

［第２実施形態］
第２実施形態について説明する。特に言及しない表示装置１の構成は第１実施形態と同様である。

図９は、第２実施形態に係る第１基板ＳＵＢ１の概略的な断面図である。図９の例は、給電線ＰＬの幅が中継導電層ＲＣ１の幅よりも小さい点で図８の例と相違する。

このように給電線ＰＬの幅が小さい場合であっても、中継導電層ＲＣ１を設けることにより、第１領域Ａ１および第２領域Ａ２を広く確保できる。これにより、給電線ＰＬから共通電極ＣＥおよび金属層ＭＬに対して共通電圧を良好に供給することが可能となる。

［第３実施形態］
第３実施形態について説明する。特に言及しない表示装置１の構成は第１実施形態と同様である。

図１０は、第３実施形態に係る第１基板ＳＵＢ１の概略的な断面図である。図１０の例は、周辺領域ＳＡに中継導電層ＲＣ１が配置されていない点で図８の例と相違する。共通電極ＣＥは、第１領域Ａ１において給電線ＰＬの上面と接触している。金属層ＭＬの第３部分ＭＬｓは、第２領域Ａ２において給電線ＰＬの上面と接触している。

このように中継導電層ＲＣ１が配置されていない場合であっても、給電線ＰＬから共通電極ＣＥおよび金属層ＭＬに対して共通電圧を供給することが可能である。

［第４実施形態］
第４実施形態について説明する。本実施形態においては、共通電極ＣＥと金属層ＭＬを表示領域ＤＡにおいて導通させるための構造を開示する。特に言及しない表示装置１の構成は第１実施形態と同様である。

図１１は、第４実施形態に係る第１基板ＳＵＢ１に配置される要素の一部を示す概略的な平面図である。図１２は、図１１におけるXII－XII線に沿う第１基板ＳＵＢ１の概略的な断面図である。図１１および図１２の例は、中継導電層ＲＣ２（第２中継導電層）がさらに配置されている点で図６の例と相違する。

中継導電層ＲＣ２は、例えば走査線Ｇと信号線Ｓが交差する部分の近傍に配置されている。図１１の例において、中継導電層ＲＣ２は台形状であり、金属層ＭＬの第２部分ＭＬｙと重なっている。

図１２に示すように、中継導電層ＲＣ２は、有機絶縁層１５の上（画素電極ＰＥと同層）に配置され、画素電極ＰＥと離間している。中継導電層ＲＣ２は、ＩＴＯ等の透明導電材料で形成することができる。一例では、中継導電層ＲＣ２と画素電極ＰＥが同じプロセスで形成される。

第４絶縁層１４は、中継導電層ＲＣ２と重なる位置に開口ＡＰを有している。この開口ＡＰを通じて、金属層ＭＬ（第２部分ＭＬｙ）および共通電極ＣＥが中継導電層ＲＣ２に接触している。このような構成においては、共通電極ＣＥと金属層ＭＬが中継導電層ＲＣ２を介して良好に導通する。

なお、上述の図６において、画素電極ＰＥは、Ｘ方向に沿う一対の短辺とＹ方向に沿う一対の長辺とを有する矩形状である。一方、図１１の例において、画素電極ＰＥは、Ｘ方向およびＹ方向に対して傾いた傾斜辺ＩＳ１を角部に有している。さらに、中継導電層ＲＣ２は、傾斜辺ＩＳ１に面した傾斜辺ＩＳ２を有している。傾斜辺ＩＳ２は、傾斜辺ＩＳ１と離間し、かつ傾斜辺ＩＳ１と平行である。

このような構成であれば、例えば中継導電層ＲＣ２が傾斜辺ＩＳ２を有さない矩形状である場合に比べ、中継導電層ＲＣ２の面積を大きく確保しつつも、中継導電層ＲＣ２とスリットＳＬの距離を大きく保つことができる。これにより、中継導電層ＲＣ２に起因した表示不良を抑制できる。

なお、中継導電層ＲＣ２は、表示領域ＤＡに含まれる全ての副画素に対して１つずつ配置されてもよいし、複数の副画素に対して１つの割合で配置されてもよい。また、１つの副画素に対して複数の中継導電層ＲＣ２が配置されてもよい。

本実施形態の構成であれば、表示領域ＤＡにおいて共通電極ＣＥと金属層ＭＬが良好に導通する。これにより、透明導電材料で形成された共通電極ＣＥの抵抗を下げることが可能となる。また、中継導電層ＲＣ２を画素電極ＰＥと同じプロセスで形成する場合には、中継導電層ＲＣ２を形成するためのプロセスを追加する必要がない。

［第５実施形態］
第５実施形態について説明する。特に言及しない表示装置１の構成は第４実施形態と同様である。

図１３は、本実施形態に係る第１基板ＳＵＢ１の概略的な断面図である。図１３の例においては、中継導電層ＲＣ２が第４絶縁層１４の上に配置され、中継導電層ＲＣ２の上に金属層ＭＬ（第２部分ＭＬｙ）が配置されている。中継導電層ＲＣ２は、金属層ＭＬにより覆われていない領域を有し、この領域に共通電極ＣＥが接触している。中継導電層ＲＣ２は、第４実施形態と同じく透明導電材料で形成することができる。

本実施形態の構成であっても、表示領域ＤＡにおいて共通電極ＣＥと金属層ＭＬが中継導電層ＲＣ２を介して良好に導通する。さらに、画素電極ＰＥと中継導電層ＲＣ２が異なる層に位置しているため、両者の短絡を抑制できる。そのため、例えば図１３に示すように、画素電極ＰＥの一部が中継導電層ＲＣ２と対向する構成を採用することも可能となる。

［第６実施形態］
第６実施形態について説明する。本実施形態においては、共通電極ＣＥと金属層ＭＬを表示領域ＤＡにおいて導通させるための他の構造を開示する。特に言及しない表示装置１の構成には上述の各実施形態と同様の構成を適用できる。

図１４は、本実施形態に係る金属層ＭＬ、走査線Ｇおよび信号線Ｓの概略的な平面図である。本実施形態においては、反射防止層ＡＲが複数のコンタクトホールＣＨ２を有している。

図１４の例において、各コンタクトホールＣＨ２は、走査線Ｇと信号線Ｓが交差する位置（金属層ＭＬの第１部分ＭＬｘと第２部分ＭＬｙが接続される位置）に形成されている。Ｘ方向に隣り合う２つのコンタクトホールＣＨ２は３つの副画素分の距離だけ離れている。Ｙ方向に隣り合う２つのコンタクトホールＣＨ２も３つの副画素分の距離だけ離れている。ただし、コンタクトホールＣＨ２の配置態様はこの例に限られない。

図１５は、図１４におけるXV－XV線に沿う表示パネル２の概略的な断面図である。コンタクトホールＣＨ２により、金属層ＭＬの上面には、反射防止層ＡＲで覆われていない露出領域ＥＡが形成される。共通電極ＣＥは、露出領域ＥＡに接触している。すなわち、共通電極ＣＥは、コンタクトホールＣＨ２を通じて金属層ＭＬと導通している。

さらに、本実施形態においては、露出領域ＥＡと対向する柱状のスペーサＰＳが配置されている。スペーサＰＳは、例えば黒色樹脂などの遮光性の材料で形成され、第１基板ＳＵＢ１と第２基板ＳＵＢ２の間に位置している。スペーサＰＳは、図１４に示すように各コンタクトホールＣＨ２に対して設けられている。

一例として、スペーサＰＳは、第１基板ＳＵＢ１に形成され、先端が第２基板ＳＵＢ２と接触している。他の例として、スペーサＰＳは、第２基板ＳＵＢ２に形成され、先端が第１基板ＳＵＢ１に接触するものであってもよい。

以上のような構成であれば、コンタクトホールＣＨ２を通じて共通電極ＣＥと金属層ＭＬが良好に導通する。さらに、遮光性のスペーサＰＳがコンタクトホールＣＨ２の上方に位置するため、コンタクトホールＣＨ２から露出した金属層ＭＬの表面による外光の反射が抑制される。

［第７実施形態］
第７実施形態について説明する。特に言及しない表示装置１の構成は第６実施形態と同様である。

図１６は、本実施形態に係る表示パネル２の概略的な断面図である。図１６の例においては、スペーサＰＳに代えて、露出領域ＥＡと対向する遮光層ＬＳが第２基板ＳＵＢ２に配置されている。遮光層ＬＳは、例えば黒色樹脂などの遮光性の材料で形成され、第２絶縁基材２０と第２配向膜２１の間に位置している。

遮光層ＬＳの平面形状は、例えば図１４に示したスペーサＰＳの平面形状と同様である。すなわち、遮光層ＬＳは、金属層ＭＬの上方に全体的に配置されるのではなく、コンタクトホールＣＨ２と重なる位置に島状に配置されている。

本実施形態の構成であっても、コンタクトホールＣＨ２を通じて共通電極ＣＥと金属層ＭＬが良好に導通するとともに、露出領域ＥＡによる外光の反射を抑制できる。

［第８実施形態］
第８実施形態について説明する。特に言及しない表示装置１の構成には上述の各実施形態と同様の構成を適用できる。

図１７は、本実施形態に係る第１基板ＳＵＢ１の概略的な断面図である。図１７の例においては、金属層ＭＬが共通電極ＣＥの上に配置されている。金属層ＭＬは反射防止層ＡＲにより覆われ、さらに反射防止層ＡＲは第１配向膜１６により覆われている。

このような構成であれば、金属層ＭＬを覆う反射防止層ＡＲに阻害されることなく共通電極ＣＥと金属層ＭＬを導通させることが可能である。

［第９実施形態］
第９実施形態について説明する。特に言及しない表示装置１の構成には上述の各実施形態と同様の構成を適用できる。

図１８は、本実施形態に係る第１基板ＳＵＢ１の概略的な断面図である。図１８の例においては、共通電極ＣＥが有機絶縁層１５の上に配置され、第４絶縁層１４により覆われている。さらに、画素電極ＰＥが第４絶縁層１４の上に配置され、第１配向膜１６により覆われている。

金属層ＭＬは、有機絶縁層１５の上に配置され、反射防止層ＡＲにより覆われている。反射防止層ＡＲは、共通電極ＣＥにより覆われている。

このように、画素電極ＰＥが共通電極ＣＥよりも上方に位置する場合であっても、上述の各実施形態に係る構成を適用することが可能である。

なお、各実施形態においては、金属層ＭＬが走査線Ｇと重なる第１部分ＭＬｘおよび信号線Ｓと重なる第２部分ＭＬｙを有する場合を例示した。他の例として、金属層ＭＬは、第１部分ＭＬｘおよび第２部分ＭＬｙの一方のみを有してもよい。

また、各実施形態においては、第１基板ＳＵＢ１にカラーフィルタＣＦＲ，ＣＦＧ，ＣＦＢが配置される場合を例示した。他の例として、カラーフィルタＣＦＲ，ＣＦＧ，ＣＦＢは、第２基板ＳＵＢ２に配置されてもよい。

以上、本発明の実施形態として説明した表示装置を基にして、当業者が適宜設計変更して実施し得る全ての表示装置も、本発明の要旨を包含する限り、本発明の範囲に属する。

本発明の思想の範疇において、当業者であれば、各種の変形例に想到し得るものであり、それら変形例についても本発明の範囲に属するものと解される。例えば、上述の実施形態に対して、当業者が適宜、構成要素の追加、削除、もしくは設計変更を行ったもの、または、工程の追加、省略もしくは条件変更を行ったものも、本発明の要旨を備えている限り、本発明の範囲に含まれる。

また、上述の実施形態において述べた態様によりもたらされる他の作用効果について、本明細書の記載から明らかなもの、または当業者において適宜想到し得るものについては、当然に本発明によりもたらされるものと解される。

以下に、上述の各実施形態から得られる表示装置の一例を付記する。
［１］
画素を含む表示領域と、
前記表示領域の周辺の周辺領域と、
前記画素に配置された画素電極と、
前記画素電極に接続されたスイッチング素子と、
前記スイッチング素子に走査信号を供給する走査線と、
前記スイッチング素子に映像信号を供給する信号線と、
前記信号線および前記走査線の少なくとも一方と重なる金属層と、
前記金属層を覆う反射防止層と、
前記反射防止層を覆う共通電極と、
前記周辺領域に配置され、共通電圧が供給される給電線と、
を備え、
前記共通電極および前記金属層は、前記周辺領域において前記給電線と接続されている、
表示装置。
［２］
前記共通電極は、前記周辺領域に位置する第１端部を有し、
前記金属層は、前記周辺領域に位置する第２端部を有し、
前記第２端部は、前記第１端部と前記表示領域の間に位置している、
上記［１］に記載の表示装置。
［３］
前記周辺領域に配置され、前記給電線と接触する第１中継導電層をさらに備え、
前記給電線および前記第１中継導電層は、前記金属層および前記共通電極の下方に位置し、
前記金属層および前記共通電極は、前記第１中継導電層の上面に接触している、
上記［１］または［２］に記載の表示装置。
［４］
前記周辺領域は、
前記共通電極が前記第１中継導電層と接触する第１領域と、
前記金属層が前記第１中継導電層と接触する第２領域と、
を有し、
前記第２領域は、前記第１領域と前記表示領域の間に位置している、
上記［３］に記載の表示装置。
［５］
前記表示領域に配置され、前記金属層および前記共通電極に接触する第２中継導電層をさらに備える、
上記［１］乃至［４］のうちいずれか１つに記載の表示装置。
［６］
前記画素電極と前記共通電極の間に位置する絶縁層をさらに備え、
前記第２中継導電層は、前記画素電極と同層に配置され、
前記絶縁層は、前記第２中継導電層と重なる開口を有し、
前記共通電極および前記金属層は、前記開口を通じて前記第２中継導電層に接触している、
上記［５］に記載の表示装置。
［７］
前記画素電極と前記共通電極の間に位置する絶縁層をさらに備え、
前記共通電極および前記第２中継導電層は、前記絶縁層の上に配置され、
前記金属層は、前記第２中継導電層の上に配置されている、
上記［５］に記載の表示装置。
［８］
前記金属層は、前記反射防止層により覆われていない露出領域を有し、
前記共通電極は、前記露出領域と接触している、
上記［１］乃至［７］のうちいずれか１項に記載の表示装置。
［９］
前記露出領域は、前記走査線と前記信号線が交差する位置に設けられている、
上記［８］に記載の表示装置。
［１０］
前記画素電極、前記スイッチング素子、前記走査線、前記信号線、前記金属層、前記反射防止層、前記共通電極および前記給電線を含む第１基板と、
前記第１基板に対向する第２基板と、
前記第１基板と前記第２基板の間に位置し、前記露出領域と対向する遮光性のスペーサと、
を備える、
上記［８］または［９］に記載の表示装置。
［１１］
前記画素電極、前記スイッチング素子、前記走査線、前記信号線、前記金属層、前記反射防止層、前記共通電極および前記給電線を含む第１基板と、
前記第１基板に対向する第２基板と、
前記第２基板に設けられ、前記露出領域と対向する遮光層と、
を備える、
上記［８］または［９］に記載の表示装置。
［１２］
前記第１基板は、前記画素電極と対向するカラーフィルタをさらに備える、
上記［１０］または［１１］に記載の表示装置。
［１３］
画素を含む表示領域と、
前記画素に配置された画素電極と、
前記画素電極に接続されたスイッチング素子と、
前記スイッチング素子に走査信号を供給する走査線と、
前記スイッチング素子に映像信号を供給する信号線と、
前記信号線および前記走査線の少なくとも一方と重なる金属層と、
前記金属層を覆う反射防止層と、
前記反射防止層を覆う共通電極と、
前記表示領域に配置され、前記金属層および前記共通電極に接触する中継導電層と、
を備える表示装置。
［１４］
前記画素電極と前記共通電極の間に位置する絶縁層をさらに備え、
前記中継導電層は、前記画素電極と同層に配置され、
前記絶縁層は、前記中継導電層と重なる開口を有し、
前記共通電極および前記金属層は、前記開口を通じて前記中継導電層に接触している、
上記［１３］に記載の表示装置。
［１５］
前記画素電極と前記共通電極の間に位置する絶縁層をさらに備え、
前記共通電極および前記中継導電層は、前記絶縁層の上に配置され、
前記金属層は、前記中継導電層の上に配置されている、
上記［１３］に記載の表示装置。
［１６］
画素を含む表示領域と、
前記画素に配置された画素電極と、
前記画素電極に接続されたスイッチング素子と、
前記スイッチング素子に走査信号を供給する走査線と、
前記スイッチング素子に映像信号を供給する信号線と、
前記信号線および前記走査線の少なくとも一方と重なる金属層と、
前記金属層を覆う反射防止層と、
前記反射防止層を覆う共通電極と、
を備え、
前記金属層は、前記反射防止層により覆われていない露出領域を有し、
前記共通電極は、前記露出領域と接触している、
表示装置。
［１７］
前記露出領域は、前記走査線と前記信号線が交差する位置に設けられている、
上記［１６］に記載の表示装置。
［１８］
前記画素電極、前記スイッチング素子、前記走査線、前記信号線、前記金属層、前記反射防止層、前記共通電極および前記給電線を含む第１基板と、
前記第１基板に対向する第２基板と、
前記第１基板と前記第２基板の間に位置し、前記露出領域と対向する遮光性のスペーサと、
を備える、
上記［１６］または［１７］に記載の表示装置。
［１９］
前記画素電極、前記スイッチング素子、前記走査線、前記信号線、前記金属層、前記反射防止層、前記共通電極および前記給電線を含む第１基板と、
前記第１基板に対向する第２基板と、
前記第２基板に設けられ、前記露出領域と対向する遮光層と、
を備える、
上記［１６］または［１７］に記載の表示装置。
［２０］
前記第１基板は、前記画素電極と対向するカラーフィルタをさらに備える、
上記［１８］または［１９］に記載の表示装置。

１…表示装置、２…表示パネル、ＳＵＢ１…第１基板、ＳＵＢ２…第２基板、ＬＣ…液晶層、ＰＥ…画素電極、ＣＥ…共通電極、ＣＦＲ，ＣＦＧ，ＣＦＢ…カラーフィルタ、ＭＬ…金属層、ＡＲ…反射防止層、ＰＬ…給電線、ＲＣ１，ＲＣ２…中継導電層、ＰＳ…スペーサ、ＬＳ…遮光層。

Claims (10)

1. 画素を含む表示領域と、
   前記表示領域の周辺の周辺領域と、
   前記画素に配置された画素電極と、
   前記画素電極に接続されたスイッチング素子と、
   前記スイッチング素子に走査信号を供給する走査線と、
   前記スイッチング素子に映像信号を供給する信号線と、
   前記信号線および前記走査線の少なくとも一方と重なる金属層と、
   前記金属層を覆う反射防止層と、
   前記反射防止層を覆う共通電極と、
   前記周辺領域に配置され、共通電圧が供給される給電線と、
   を備え、
   前記共通電極および前記金属層は、前記周辺領域において前記給電線と接続されている、
   表示装置。
2. 前記共通電極は、前記周辺領域に位置する第１端部を有し、
   前記金属層は、前記周辺領域に位置する第２端部を有し、
   前記第２端部は、前記第１端部と前記表示領域の間に位置している、
   請求項１に記載の表示装置。
3. 前記周辺領域に配置され、前記給電線と接触する第１中継導電層をさらに備え、
   前記給電線および前記第１中継導電層は、前記金属層および前記共通電極の下方に位置し、
   前記金属層および前記共通電極は、前記第１中継導電層の上面に接触している、
   請求項１または２に記載の表示装置。
4. 前記周辺領域は、
   前記共通電極が前記第１中継導電層と接触する第１領域と、
   前記金属層が前記第１中継導電層と接触する第２領域と、
   を有し、
   前記第２領域は、前記第１領域と前記表示領域の間に位置している、
   請求項３に記載の表示装置。
5. 画素を含む表示領域と、
   前記画素に配置された画素電極と、
   前記画素電極に接続されたスイッチング素子と、
   前記スイッチング素子に走査信号を供給する走査線と、
   前記スイッチング素子に映像信号を供給する信号線と、
   前記信号線および前記走査線の少なくとも一方と重なる金属層と、
   前記金属層を覆う反射防止層と、
   前記反射防止層を覆う共通電極と、
   前記表示領域に配置され、前記金属層および前記共通電極に接触する中継導電層と、
   を備える表示装置。
6. 前記画素電極と前記共通電極の間に位置する絶縁層をさらに備え、
   前記中継導電層は、前記画素電極と同層に配置され、
   前記絶縁層は、前記中継導電層と重なる開口を有し、
   前記共通電極および前記金属層は、前記開口を通じて前記中継導電層に接触している、
   請求項５に記載の表示装置。
7. 前記画素電極と前記共通電極の間に位置する絶縁層をさらに備え、
   前記共通電極および前記中継導電層は、前記絶縁層の上に配置され、
   前記金属層は、前記中継導電層の上に配置されている、
   請求項５に記載の表示装置。
8. 画素を含む表示領域と、
   前記画素に配置された画素電極と、
   前記画素電極に接続されたスイッチング素子と、
   前記スイッチング素子に走査信号を供給する走査線と、
   前記スイッチング素子に映像信号を供給する信号線と、
   前記信号線および前記走査線の少なくとも一方と重なる金属層と、
   前記金属層を覆う反射防止層と、
   前記反射防止層を覆う共通電極と、
   を備え、
   前記金属層は、前記反射防止層により覆われていない露出領域を有し、
   前記共通電極は、前記露出領域と接触している、
   表示装置。
9. 前記画素電極、前記スイッチング素子、前記走査線、前記信号線、前記金属層、前記反射防止層、前記共通電極および前記給電線を含む第１基板と、
   前記第１基板に対向する第２基板と、
   前記第１基板と前記第２基板の間に位置し、前記露出領域と対向する遮光性のスペーサと、
   を備える、
   請求項８に記載の表示装置。
10. 前記画素電極、前記スイッチング素子、前記走査線、前記信号線、前記金属層、前記反射防止層、前記共通電極および前記給電線を含む第１基板と、
    前記第１基板に対向する第２基板と、
    前記第２基板に設けられ、前記露出領域と対向する遮光層と、
    を備える、
    請求項８に記載の表示装置。

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