KR100641641B1 - 액정 표시 장치 및 그의 제조 방법 - Google Patents

액정 표시 장치 및 그의 제조 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR100641641B1
KR100641641B1 KR1020050058870A KR20050058870A KR100641641B1 KR 100641641 B1 KR100641641 B1 KR 100641641B1 KR 1020050058870 A KR1020050058870 A KR 1020050058870A KR 20050058870 A KR20050058870 A KR 20050058870A KR 100641641 B1 KR100641641 B1 KR 100641641B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
line
gate
electrode
forming
thin film
Prior art date
Application number
KR1020050058870A
Other languages
English (en)
Inventor
조흥렬
장윤경
Original Assignee
엘지.필립스 엘시디 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 엘지.필립스 엘시디 주식회사 filed Critical 엘지.필립스 엘시디 주식회사
Priority to KR1020050058870A priority Critical patent/KR100641641B1/ko
Priority to US11/474,955 priority patent/US7961284B2/en
Application granted granted Critical
Publication of KR100641641B1 publication Critical patent/KR100641641B1/ko

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1343—Electrodes
    • G02F1/134309—Electrodes characterised by their geometrical arrangement
    • G02F1/134363—Electrodes characterised by their geometrical arrangement for applying an electric field parallel to the substrate, i.e. in-plane switching [IPS]
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1343—Electrodes
    • G02F1/13439—Electrodes characterised by their electrical, optical, physical properties; materials therefor; method of making
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362—Active matrix addressed cells
    • G02F1/136227—Through-hole connection of the pixel electrode to the active element through an insulation layer

Abstract

본 발명은 포토리소그래피 공정을 줄이기 위한 액정 표시 장치 및 그의 제조 방법에 관한 것으로, 투명 절연 기판, 투명 절연 기판 상에 제 1 방향 및 제 2 방향으로 형성되어 서로 직교하는 게이트 라인 및 데이터 라인, 게이트 라인을 포함하여 투명 절연 기판의 전면을 덮는 게이트 절연막, 박막 트랜지스터, 박막 트랜지스터를 포함하여 투명 절연 기판의 전면을 덮는 보호막을 포함하며, 게이트 라인은 제 1 방향에 직선 형상으로 형성되고, 박막 트랜지스터의 게이트 전극은 게이트 라인에 일체화된 액정 표시 장치 및 그의 제조 방법을 제공한다.
액정 표시 장치, 레지스트 프린팅, 직선 패턴

Description

액정 표시 장치 및 그의 제조 방법{Liquid crystal display and method for manufacturing of the same}
도 1은 종래의 레지스트 프린팅 공정을 설명하기 위한 도면이다.
도 2 및 도 3은 종래 액정 표시 장치의 일부 인쇄 패턴을 나타낸 도면이다.
도 4는 종래 레지스트 프린팅의 문제점을 설명하기 위한 도면이다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 액정 표시 장치를 나타낸 평면도이다.
도 6은 도 5의 Ι-Ι＇, Ⅱ-Ⅱ＇면을 나타낸 단면도이다.
도 7은 본 발명의 다른 실시예에 따른 액정 표시 장치의 일부 인쇄 패턴을 나타낸 도면이다.
도 8은 본 발명의 일 실시예에 따른 액정 표시 장치의 제조 방법을 나타낸 흐름도이다.
(도면의 주요부분에 대한 부호의 설명)
200: 투명 절연 기판 210: 게이트 라인
211: 게이트 전극 220: 데이터 라인
221: 반도체층 222: 소스 전극
223: 드레인 전극 224: 제 2 전극 라인
230: 외곽 공통 라인 231: 분기 공통 라인
240: 제 1 전극 라인 250: 화소 라인
260: 제 1 콘택홀 261: 제 2 콘택홀
270: 게이트 절연막 280: 보호막
TFT: 박막 트랜지스터
본 발명은 액정 표시 장치 및 그의 제조 방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 포토리소그래피 공정을 줄이기 위한 액정 표시 장치 및 그의 제조 방법에 관한 것이다.
액정 표시 장치는 컬러 필터 기판으로 사용되는 상부의 투명 절연 기판과 어레이 기판으로 사용되는 하부의 투명 절연 기판 사이에 이방성 유전율을 갖는 액정 물질을 주입해 놓고, 액정 물질에 형성되는 전계의 세기를 조정하여 액정 물질의 분자 배열을 변경시키고, 이를 통하여 투명 절연 기판에 투과되는 빛의 양을 조절함으로써 원하는 화상을 표현하는 표시 장치이다. 액정 표시 장치로는 박막 트랜지스터(Thin Film Transistor; TFT)를 스위칭 소자로 이용하는 박막 트랜지스터 액정 표시 장치(TFT LCD)가 주로 사용되고 있다.
이와 같은 액정 표시 장치에서, 투명 절연 기판 상에 박막 트랜지스터나 컬러 필터, 블랙 매트릭스 등의 인쇄 패턴을 제작하기 위해서는 세정, 증착, 베이킹, 포토, 현상, 식각, 박리 등의 여러 공정을 수반하는 마스크 공정이 주로 사용된다.
그런데, 마스크 공정은 포토 레지스트의 사용량이 많아 제조 비용의 소모가 많고, 긴 공정 시간이 소요되는 등의 문제점이 있어 보다 간단한 공정으로 이루어지는 레지스트 프린팅 방법이 도입되고 있다.
도 1은 종래의 레지스트 프린팅 방법을 설명하기 위한 도면이다.
레지스트 프린팅 방법은 도 1에 도시된 것처럼, 전이 패턴(P1)이 형성되어 있는 인쇄판(cliche)(11)에서 직접 피인쇄물인 투명 절연 기판(100) 상에 인쇄 패턴(P2)을 전사하지 않고, 표면이 실리콘 고무 등으로 이루어져 매개물의 역할을 하는 인쇄 롤(10)에 일단 인쇄 패턴(P2)을 전이시킨 다음, 투명 절연 기판(100)을 피전사체로 하여 다시 인쇄 패턴(P2)을 전사시키는 것이다.
도 2 및 도 3은 종래 액정 표시 장치의 일부 인쇄 패턴을 나타낸 도면이다.
도 2는 액정 표시 장치를 구성하는 여러 개의 화소(Pixel) 중 하나의 화소에서, 게이트 라인(110)과 게이트 라인(110)에 접속되도록 형성된 게이트 전극(111), 각 화소가 형성된 영역을 따라 배치되는 공통 라인(120)의 일례를 도시한 것이다. 그리고, 도 3은 데이터 라인(130)과, 데이터 라인(130)에 접속된 소스 전극(131), 소스 전극(131)과 이격되어 있는 드레인 전극(132)을 도시하고 있다.
이와 같이, 종래 액정 표시 장치의 인쇄 패턴은 대부분 단순한 직선 형상이 아닌 부분적으로 경사각을 갖는 복잡한 형상으로 구성되는 것이 일반적이어서, 레지스트 프린팅 공정으로는 형성할 수 없고, 많은 비용과 긴 시간이 소요되는 포토리소그래피 공정으로 형성할 수 밖에 없는 한계가 있었다.
이러한 한계를 극복하기 위하여, 직선 형상의 인쇄 패턴을 도입하여 포토리 소그래피 공정을 줄이고, 이를 가능하면 레지스트 공정으로 대체하고자 하는 움직임이 있으나, 레지스트 프린팅으로 직선 형상의 인쇄 패턴을 형성하는 경우 일부 인쇄 패턴이 쉬프트(Shift) 되는 등의 문제점이 발생하게 된다.
도 4는 이러한 레지스트 프린팅의 문제점을 설명하기 위한 도면으로서, 본래 형성시키고자 하는 마스크 패턴(P3)과 실제의 인쇄 패턴(P2)을 예시한 것이다.
레지스트 프린팅 방법에 의하여 마스크 패턴(P3)을 형성하고자 하면, 도 4에 도시된 것처럼, 인쇄 롤(10)이 이동되는 인쇄 방향으로 실제의 인쇄 패턴(P2)이 늘어나는 현상이 발생하게 된다.
도 4를 참조하면, 마스크 패턴(P3)이 인쇄 방향인 가로 방향으로 놓여 있는 직선 형상인 경우에는 직선이 늘어난 형태로 실제의 인쇄 패턴(P2)이 형성되고, 마스크 패턴(P3)이 세로 방향으로 놓여 있는 직선 형상인 경우에는 본래 형성하고자 하는 위치보다 인쇄 방향으로 쉬프트 되어 실제의 인쇄 패턴(P2)이 형성된다.
인쇄 롤(10)을 이용한 레지스트 프린팅 수행 시에는, 일정한 압력을 주면서 인쇄를 수행하게 되는데, 이때, 인쇄 패턴(P2)이 늘어나거나 밀리거나 하면서 형성되기 때문에 이러한 현상이 발생하게 된다. 이러한 현상으로 인하여, 인쇄 방향과 수직한 방향(도 4의 가로 방향)으로는 인쇄 패턴(P2)의 쉬프트가 발생하지 않는 반면에, 인쇄 방향(도 4의 세로 방향)으로는 원하는 위치에 인쇄 패턴(P2)을 형성하기가 어려웠다.
즉, 인쇄 방향이 가로 방향인 경우라면, 마스크 패턴(P3)이 가로 방향의 직선 형상인 경우에는 길이가 늘어나는 현상이 발생하고, 세로 방향의 직선 형상인 경우에는 위치가 쉬프트 되는 현상이 발생하게 된다.
그런데, 액정 표시 장치의 특성에 보다 크게 영향을 주는 것은 위치가 쉬프트 되는 현상으로서, 길이가 늘어나게 되면 늘어난 수치를 감안하여 여분(margin)을 확보하면 되지만, 위치가 불규칙하게 쉬프트 하게 되면 설계의 개구율이 직접적으로 감소되고, 얼라인(Align)을 정확하게 수행할 수 없게 되는 문제점이 발생하였던 것이다.
따라서, 본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 일부 인쇄 패턴을 직선 형상으로 하여 마스크 공정을 가능한 범위 내에서 레지스트 프린팅 공정으로 대체하고, 레지스트 프린팅 공정에서 인쇄 방향으로 인쇄 패턴이 쉬프트 되는 현상을 방지할 수 있는 액정 표시 장치를 제공하고자 하는 것이다.
본 발명이 이루고자 하는 다른 기술적 과제는 상기된 액정 표시 장치를 효율적으로 제조할 수 있는 액정 표시 장치의 제조 방법을 제공하고자 하는 것이다.
본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제들은 이상에서 언급한 기술적 과제들로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 기술적 과제들은 아래의 기재로부터 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
상기 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명의 일 실시예에 따른 액정 표시 장치는 투명 절연 기판과, 상기 투명 절연 기판 상에 제 1 방향 및 제 2 방향으로 형성되어 서로 직교하는 게이트 라인 및 데이터 라인과, 상기 게이트 라인을 포함하여 상기 투명 절연 기판의 전면을 덮는 게이트 절연막과, 상기 투명 절연 기판 상에 형성된 게이트 전극, 상기 게이트 절연막을 사이에 두고 상기 게이트 전극의 상부에 형성된 반도체층, 상기 반도체층의 양측으로 이격되도록 형성된 소스 전극 및 드레인 전극을 구비하는 박막 트랜지스터와, 상기 박막 트랜지스터를 포함하여 상기 투명 절연 기판의 전면을 덮는 보호막을 포함하며, 상기 게이트 라인은 상기 제 1 방향에 직선 형상으로 형성되고, 상기 게이트 전극은 상기 게이트 라인에 일체화된 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명의 일 실시예에 따른 액정 표시 장치의 제조 방법은 투명 절연 기판 상에 서로 직교하는 게이트 라인 및 데이터 라인을 제 1 방향 및 제 2 방향으로 형성하는 단계와, 상기 게이트 라인을 포함하여 상기 투명 절연 기판의 전면을 덮는 게이트 절연막을 형성하는 단계와, 상기 게이트 절연막 상의 상기 게이트 라인과 대응하는 영역에 반도체층을 형성하고, 상기 반도체층의 양측으로 이격되는 소스 전극 및 드레인 전극을 형성하여 박막 트랜지스터를 구성하는 단계와, 상기 박막 트랜지스터를 포함하여 상기 투명 절연 기판의 전면을 덮는 보호막을 형성하는 단계를 포함하며, 상기 게이트 라인은 상기 제 1 방향의 직선 형상으로 형성되고, 상기 게이트 라인에는 게이트 전극이 일체화된 것을 특징으로 한다.
기타 실시예들의 구체적인 사항들은 상세한 설명 및 도면들에 포함되어 있다. 본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다.
이하, 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 액정 표시 패널의 검사 장치에 대하여 첨부된 도면들을 참조하여 상세히 설명한다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 액정 표시 장치를 나타낸 평면도이고, 도 6은 도 5의 Ι-Ι＇, Ⅱ-Ⅱ＇면을 나타낸 단면도이다.
도 5 및 도 6을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 액정 표시 장치는 투명 절연 기판(200), 게이트 라인(210) 및 데이터 라인(220), 게이트 절연막(270), 박막 트랜지스터(TFT), 보호막(280) 등이 구성된 어레이 기판을 구비한다.
게이트 라인(210) 및 데이터 라인(220)은 투명 절연 기판(200) 상에 제 1 방향 및 제 2 방향으로 형성되어 서로 직교한다.
게이트 절연막(270)은 게이트 라인(210)을 포함하여 투명 절연 기판(200)의 전면을 덮도록 형성된다.
박막 트랜지스터(TFT)는 투명 절연 기판(200) 상의 게이트 전극(211), 게이트 절연막(270)을 사이에 두고 게이트 전극(211)의 상부에 형성된 반도체층(221), 반도체층(221)의 양측으로 이격되도록 형성된 소스 전극(222) 및 드레인 전극(223) 등으로 구성된다.
보호막(280)은 박막 트랜지스터(TFT)를 포함하여 투명 절연 기판(200)의 전면을 덮도록 형성된다.
여기에서, 게이트 라인(210)은 제 1 방향(도 5의 경우, 가로 방향)에 직선 형상으로 형성되고, 게이트 전극(211)은 게이트 라인(210)에 일체화된다.
또한, 본 발명의 일 실시예에 따른 액정 표시 장치는 제 1 전극 라인(240)과, 보호막(280)을 사이에 두고 제 1 전극 라인(240)과 마주보는 제 2 전극 라인(224)으로 구성되는 스토리지 커패시터(Storage capacitor), 외곽 공통 라인(230), 분기 공통 라인(231), 화소 라인(250), 제 1 콘택홀(260), 제 2 콘택홀(261) 등을 더 포함할 수 있다.
제 1 전극 라인(240)은 투명 절연 기판(200) 상의 제 1 방향(도 5의 가로 방향)에 게이트 라인(210)으로부터 평행하게 이격된다.
제 2 전극 라인(224)은 데이터 라인(220)으로부터 분기되어 게이트 절연막(270) 상의 제 1 전극 라인(240)과 대응하는 영역에 형성된다. 제 2 전극 라인(224)은 제 2 콘택홀(261) 형성 후에 제 2 콘택홀(261)을 통하여 금속 물질을 주입하는 방식으로 형성하는 것으로, 편의상 도 5에서는 생략되어 있다.
제 2 콘택홀(261)은 보호막(280) 상의 제 2 전극 라인(224)에 대응하는 영역을 관통하여 형성된다.
외곽 공통 라인(230)은 보호막(280) 상에 제 1 방향 및 제 2 방향(도 5의 가로 및 세로 방향)으로 형성되어 서로 수직으로 교차된다. 제 1 방향 및 제 2 방향의 교차 부위는 박막 트랜지스터(TFT)를 덮는 영역에 위치하도록 형성한다.
분기 공통 라인(231)은 외곽 공통 라인(230)으로부터 분기된다. 그리고, 제 2 방향(도 5의 세로 방향)으로 배치되어 제 2 콘택홀(261)을 통하여 제 2 전극 라인(224)에 접촉된다.
화소 라인(250)은 제 1 콘택홀(260)을 통하여 박막 트랜지스터(TFT)에 접촉되며, 분기 공통 라인(231)과 엇갈려 제 2 방향으로 형성된다.
여기에서, 외곽 공통 라인(230)이 최상부 층에 형성되는 경우에는, 데이터 라인(220)과의 기생 커패시턴스를 고려하여 보호막(280)을 유기 절연 물질로 형성하는 것이 바람직하다.
도 7은 본 발명의 다른 실시예에 따른 액정 표시 장치의 일부 인쇄 패턴을 나타낸 도면으로서, 데이터 라인(220), 소스 전극(222) 및 드레인 전극(223)이 제 1 방향이나 제 2 방향의 직선 형상, 또는 두 가지 직선 형상의 조합으로 이루어지는 경우를 도시하고 있다.
이와 같이, 인쇄 방향에 대하여 일정한 각을 가지는 인쇄 패턴의 형성을 최소화하고, 데이터 라인(220), 소스 전극(222) 및 드레인 전극(223)을 인쇄 방향에 대하여 평행한 직선 형상의 인쇄 패턴으로 형성함으로써, 포토리소그래피 공정을 레지스트 프린팅 공정으로 최대한 대체하면서도, 인쇄 패턴이 쉬프트 되는 현상을 최소화하는 것이다. 또한, 인쇄 패턴을 제 1 방향의 직선 형상과 제 1 방향과 수직한 제 2 방향의 직선 형상이 조합된 형태로 하여, 레지스트 프린팅 공정을 제 1 방향을 인쇄 방향으로 하여 한 번 수행하고, 제 2 방향을 인쇄 방향으로 한 번 더 수행하는 방식도 적용될 수 있을 것이다.
도 8은 본 발명의 일 실시예에 따른 액정 표시 장치의 제조 방법을 나타낸 흐름도이다.
먼저, S100 단계에서, 투명 절연 기판(200) 상에 서로 직교하는 게이트 라인 (210) 및 데이터 라인(220)을 제 1 방향 및 제 2 방향으로 형성하다.
다음으로, S110 단계에서, 게이트 라인(210)을 포함하여 투명 절연 기판(200)의 전면을 덮는 게이트 절연막(270)을 형성한다.
다음으로, S120 단계에서, 게이트 절연막(270) 상의 게이트 라인(210)과 대응하는 영역에 반도체층(221)을 형성하고, 반도체층(221)의 양측으로 이격되는 소스 전극(222) 및 드레인 전극(223)을 형성하여 박막 트랜지스터(TFT)를 구성한다.
다음으로, S130 단계에서, 박막 트랜지스터(TFT)를 포함하여 투명 절연 기판(200)의 전면을 덮는 보호막을 형성한다.
게이트 라인(210)은 제 1 방향의 직선 형상으로 형성되고, 제 1 방향으로 형성된 게이트 라인(210)에는 게이트 전극(211)이 일체화된다. 여기에서, 게이트 라인(210)은 레지스트 프린팅 공정을 통하여 형성하며, 제 1 방향은 레지스트 프린팅 공정 시 인쇄 롤이 이동되는 인쇄 방향과 일치하는 것이 바람직하다.
또한, 소스 전극(222)이나 드레인 전극(223) 역시 제 1 방향이나 제 2 방향의 직선 형상으로 형성할 수 있다. 여기에서, 소스 전극(222)이나 드레인 전극(223)은 제 1 방향이나 제 2 방향의 직선 형상으로 형성된 경우, 레지스트 프린팅 공정을 통하여 형성하며, 제 1 방향은 레지스트 프린팅 공정 시 인쇄 롤이 이동되는 인쇄 방향과 일치하는 것이 바람직하다.
본 발명의 일 실시예에 따른 액정 표시 장치의 제조 방법은 S200 단계 내지 S250 단계를 포함할 수 있다.
게이트 라인(210) 및 데이터 라인(220)을 형성하는 S100 단계 이후, S200 단 계에서는, 투명 절연 기판(200) 상의 제 1 방향에 게이트 라인(210)으로부터 평행하게 이격된 제 1 전극 라인(240)을 형성한다.
박막 트랜지스터(TFT)를 구성하는 S120 단계 이후, S210 단계에서는, 데이터 라인(220)으로부터 분기되어 게이트 절연막(270) 상의 제 1 전극 라인(240)과 대응하는 영역에 제 2 전극 라인(224)을 형성한다.
보호막(280)을 형성하는 S130 단계 이후, S220 단계에서는, 보호막(280) 상의 제 2 전극 라인(224)에 대응하는 영역을 관통하도록 제 2 콘택홀(261)을 형성한다.
다음으로, S230 단계에서, 보호막(280) 상에 제 1 방향 및 제 2 방향으로 배치되어 서로 수직으로 교차되며, 교차 부위가 박막 트랜지스터를 덮는 영역에 위치하도록 외곽 공통 라인(230)을 형성한다.
다음으로, S240 단계에서, 외곽 공통 라인(230)으로부터 분기되며, 제 2 방향으로 배치되어 제 2 콘택홀(261)을 통하여 제 2 전극 라인(224)에 접촉되는 분기 공통 라인(231)을 형성한다.
다음으로, S250 단계에서, 제 1 콘택홀(260)을 통하여 박막 트랜지스터(TFT)에 접촉되며, 분기 공통 라인(231)과 엇갈려 제 2 방향으로 배치된 화소 라인(250)을 형성한다.
이러한 단계가 추가되어 최 상부층에 외곽 공통 라인(230)이 형성되는 경우, 보호막(280)은 유전율이 낮은 유기 절연 물질로 형성하는 것이 바람직하다.
이와 같이, 포토리소그래피 공정 대신에 레지스트 프린팅을 이용하여 인쇄 패턴을 형성하는 데 있어서, 레지스트 프린팅 공정의 특성상 인쇄 패턴의 쉬프트가 심한 인쇄 방향으로 위치한 인쇄 패턴들을 인쇄 방향의 수직 방향으로 형성한다.
또한, 액정 표시 장치의 인쇄 패턴들을 직선 형상으로 재구성함으로써, 쉬프트 현상에 의하여 실제의 인쇄 패턴 위치가 어느 정도 변동되더라도, 개구율이나 얼라인(Align) 등과 관련된 특성치를 확보할 수 있고, 쉬프트 현상으로 발생되는 개구율 저감이나 얼라인(Align) 불량으로 인한 빛샘 등을 해결할 수 있다.
이상 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 설명하였지만, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명이 그 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다.
따라서, 이상에서 기술한 실시예들은 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이므로, 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 하며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다.
상기한 바와 같이 이루어진 본 발명의 일 실시예에 따른 액정 표시 장치는 일부 인쇄 패턴을 직선 형상으로 하여 마스크 공정을 가능한 범위 내에서 레지스트 프린팅 공정으로 대체하고, 레지스트 프린팅 공정에서 인쇄 방향으로 인쇄 패턴이 쉬프트 되는 현상을 방지할 수 있다.
또한, 본 발명의 일 실시예에 따른 액정 표시 장치의 제조 방법은 이와 같은 액정 표시 장치를 효율적으로 제조할 수 있다.

Claims (10)

  1. 투명 절연 기판;
    상기 투명 절연 기판 상에 제 1 방향 및 제 2 방향으로 형성되어 서로 직교하는 게이트 라인 및 데이터 라인;
    상기 게이트 라인을 포함하여 상기 투명 절연 기판의 전면을 덮는 게이트 절연막;
    상기 투명 절연 기판 상에 형성된 게이트 전극, 상기 게이트 절연막을 사이에 두고 상기 게이트 전극의 상부에 형성된 반도체층, 상기 반도체층의 양측으로 이격되도록 형성된 소스 전극 및 드레인 전극을 구비하는 박막 트랜지스터; 및
    상기 박막 트랜지스터를 포함하여 상기 투명 절연 기판의 전면을 덮는 보호막을 포함하며,
    상기 게이트 라인은 상기 제 1 방향에 직선 형상으로 형성되고, 상기 게이트 전극은 상기 게이트 라인에 일체화된 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 소스 전극이나 드레인 전극은,
    상기 제 1 방향이나 상기 제 2 방향의 직선 형상으로 형성된 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 투명 절연 기판 상의 상기 제 1 방향에 상기 게이트 라인으로부터 평행하게 이격되도록 형성된 제 1 전극 라인;
    상기 데이터 라인으로부터 분기되어 상기 게이트 절연막 상의 상기 제 1 전극 라인과 대응하는 영역에 형성된 제 2 전극 라인;
    상기 보호막 상의 상기 제 2 전극 라인에 대응하는 영역을 관통하도록 형성된 제 2 콘택홀;
    상기 보호막 상에 상기 제 1 방향 및 제 2 방향으로 형성되어 서로 수직으로 교차되며, 교차 부위가 상기 박막 트랜지스터를 덮는 영역에 위치하도록 형성되는 외곽 공통 라인;
    상기 외곽 공통 라인으로부터 분기되며, 상기 제 2 방향으로 형성되어 상기 제 2 콘택홀을 통하여 상기 제 2 전극 라인에 접촉되는 분기 공통 라인; 및
    제 1 콘택홀을 통하여 상기 박막 트랜지스터에 접촉되며, 상기 분기 공통 라인과 엇갈려 상기 제 2 방향으로 형성된 화소 라인을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 보호막은,
    유기 절연 물질로 이루어진 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치.
  5. 투명 절연 기판 상에 서로 직교하는 게이트 라인 및 데이터 라인을 제 1 방향 및 제 2 방향으로 형성하는 단계;
    상기 게이트 라인을 포함하여 상기 투명 절연 기판의 전면을 덮는 게이트 절연막을 형성하는 단계;
    상기 게이트 절연막 상의 상기 게이트 라인과 대응하는 영역에 반도체층을 형성하고, 상기 반도체층의 양측으로 이격되는 소스 전극 및 드레인 전극을 형성하여 박막 트랜지스터를 구성하는 단계; 및
    상기 박막 트랜지스터를 포함하여 상기 투명 절연 기판의 전면을 덮는 보호막을 형성하는 단계를 포함하며,
    상기 게이트 라인은 상기 제 1 방향의 직선 형상으로 형성되고, 상기 게이트 라인에는 게이트 전극이 일체화된 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치의 제조 방법.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 게이트 라인은,
    레지스트 프린팅 공정을 통하여 형성하며, 상기 제 1 방향은 상기 레지스트 프린팅 공정 시 인쇄 롤이 이동되는 인쇄 방향과 일치하는 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치의 제조 방법.
  7. 제5항에 있어서,
    상기 소스 전극이나 드레인 전극은,
    상기 제 1 방향이나 상기 제 2 방향의 직선 형상으로 형성된 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치의 제조 방법.
  8. 제7항에 있어서,
    상기 소스 전극이나 드레인 전극은,
    상기 제 1 방향이나 상기 제 2 방향의 직선 형상으로 형성된 경우, 레지스트 프린팅 공정을 통하여 형성하며, 상기 제 1 방향은 상기 레지스트 프린팅 공정 시 인쇄 롤이 이동되는 인쇄 방향과 일치하는 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치의 제조 방법.
  9. 제5항에 있어서,
    상기 게이트 라인 및 데이터 라인을 형성한 후, 상기 투명 절연 기판 상의 상기 제 1 방향에 상기 게이트 라인으로부터 평행하게 이격된 제 1 전극 라인을 형성하는 단계;
    상기 박막 트랜지스터를 구성한 후, 상기 데이터 라인으로부터 분기되어 상기 게이트 절연막 상의 상기 제 1 전극 라인과 대응하는 영역에 제 2 전극 라인을 형성하는 단계;
    상기 보호막을 형성한 후, 상기 보호막 상의 상기 제 2 전극 라인에 대응하는 영역을 관통하도록 제 2 콘택홀을 형성하는 단계;
    상기 보호막 상에 제 1 방향 및 제 2 방향으로 배치되어 서로 수직으로 교차되며, 교차 부위가 상기 박막 트랜지스터를 덮는 영역에 위치하도록 외곽 공통 라인을 형성하는 단계;
    상기 외곽 공통 라인으로부터 분기되며, 상기 제 2 방향으로 배치되어 상기 제 2 콘택홀을 통하여 상기 제 2 전극 라인에 접촉되는 분기 공통 라인을 형성하는 단계; 및
    제 1 콘택홀을 통하여 상기 박막 트랜지스터에 접촉되며, 상기 분기 공통 라인과 엇갈려 상기 제 2 방향으로 배치된 화소 라인을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치의 제조 방법.
  10. 제9항에 있어서,
    상기 보호막은,
    유기 절연 물질로 형성하는 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치의 제조 방법.
KR1020050058870A 2005-06-30 2005-06-30 액정 표시 장치 및 그의 제조 방법 KR100641641B1 (ko)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020050058870A KR100641641B1 (ko) 2005-06-30 2005-06-30 액정 표시 장치 및 그의 제조 방법
US11/474,955 US7961284B2 (en) 2005-06-30 2006-06-27 Liquid crystal display and method for manufacturing the same

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020050058870A KR100641641B1 (ko) 2005-06-30 2005-06-30 액정 표시 장치 및 그의 제조 방법

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR100641641B1 true KR100641641B1 (ko) 2006-11-02

Family

ID=37649861

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020050058870A KR100641641B1 (ko) 2005-06-30 2005-06-30 액정 표시 장치 및 그의 제조 방법

Country Status (2)

Country Link
US (1) US7961284B2 (ko)
KR (1) KR100641641B1 (ko)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7746444B2 (en) * 2006-06-26 2010-06-29 Lg Display Co., Ltd. Array substrate, liquid crystal display device having the same, and manufacturing method thereof
JP2023036194A (ja) * 2021-09-02 2023-03-14 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3291249B2 (ja) * 1998-07-16 2002-06-10 アルプス電気株式会社 アクティブマトリクス型液晶表示装置およびそれに用いる基板
KR100504532B1 (ko) * 1999-12-28 2005-08-03 엘지.필립스 엘시디 주식회사 멀티도메인 액정표시소자
US6636289B2 (en) * 2000-04-19 2003-10-21 Lg.Philips Lcd Co., Ltd. In-plane switching LCD panel with multiple domains and rubbing directions symetric about a line
JP2002323706A (ja) * 2001-02-23 2002-11-08 Nec Corp 横電界方式のアクティブマトリクス型液晶表示装置及びその製造方法
GB0112561D0 (en) * 2001-05-23 2001-07-18 Koninl Philips Electronics Nv Active plate
JP3891846B2 (ja) * 2002-01-15 2007-03-14 株式会社日立製作所 液晶表示装置
KR100617040B1 (ko) * 2004-03-16 2006-08-30 엘지.필립스 엘시디 주식회사 횡전계방식 액정표시소자 및 그 제조방법
KR20070070726A (ko) * 2005-12-29 2007-07-04 엘지.필립스 엘시디 주식회사 횡전계 방식 액정표시장치용 어레이 기판과 그 제조방법

Also Published As

Publication number Publication date
US7961284B2 (en) 2011-06-14
US20070070280A1 (en) 2007-03-29

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US8456595B2 (en) Display device and method for manufacturing the same
US9046727B2 (en) Thin film transistor array panel and manufacturing method of the same
US10935837B2 (en) Wire grid pattern, display device including the same, and method for fabricating the same
US20080007687A1 (en) Liquid crystal display device and a manufacturing method thereof
KR100968339B1 (ko) 액정 표시 장치 및 그 제조 방법
US8730418B2 (en) Array substrate and method for manufacturing the same
KR101383703B1 (ko) 박막 트랜지스터 표시판 및 그의 제조 방법
US8223283B2 (en) Display substrate, method of manufacturing the display substrate and display apparatus having the display substrate
US6759348B1 (en) Pattern and its forming method of liquid crystal display device
US20160336360A1 (en) Array substrate and manufacturing method thereof
US6567135B1 (en) Liquid crystal display device and method for fabricating the same
KR100669377B1 (ko) 액정 표시 장치 및 그 제조 방법
KR20060027137A (ko) 저분자 유기 반도체물질을 이용한 액정표시장치용 어레이기판 및 그의 제조 방법
CN104698691A (zh) 液晶显示器及其制造方法
KR101792797B1 (ko) 박막 트랜지스터 기판 및 그 제조 방법
US8441012B2 (en) Array substrate, method for manufacturing array substrate, and display device
US20070222908A1 (en) Thin film transistor substrate, display panel having the same and method of manufacturing the same
KR100641641B1 (ko) 액정 표시 장치 및 그의 제조 방법
KR20060097924A (ko) 액정표시패널 및 그 제조방법
KR20080003086A (ko) 액정표시장치의 컬러필터기판 및 그 제조방법
US8435722B2 (en) Method for fabricating liquid crystal display device
KR20090073313A (ko) 배향막 형성용 전사판
KR101211312B1 (ko) 표시패널의 제조방법
CN108363252A (zh) 液晶显示装置及tft阵列基板的制造方法
KR100992121B1 (ko) 박막 트랜지스터 표시판 및 이를 포함하는 액정 표시 장치

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20120928

Year of fee payment: 7

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20130930

Year of fee payment: 8

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20140918

Year of fee payment: 9

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20150930

Year of fee payment: 10

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20180917

Year of fee payment: 13