JP2002323706A - 横電界方式のアクティブマトリクス型液晶表示装置及びその製造方法 - Google Patents

横電界方式のアクティブマトリクス型液晶表示装置及びその製造方法

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Koichi Matsumoto
公一 松本
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貴久 半貫
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Abstract

(57)【要約】 【課題】縦クロストークの発生を防止することができ、
かつ、開口率を向上させることができる横電界方式の液
晶表示装置を提供する。 【解決手段】共通電極２６と画素電極２７とを同層上に
形成し、共通電極２６及び画素電極２７の双方を透明材
料から形成する。共通電極２６はデータ線２４を完全に
覆うように形成する。ブラックマトリクス層１７は共通
電極２６よりも小さい幅を有するように形成する。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は液晶表示装置、特
に、横電界方式のアクティブマトリクス型液晶表示装置
及びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】液晶表示装置としては、配向した液晶分
子の分子軸の方向（「ディレクタ」と呼ばれる）を基板
に対して直交する面内において回転させ、表示を行う形
式のものと、基板に対して平行な面内において回転さ
せ、表示を行う形式のものがある。
【０００３】前者の代表例がＴＮ（Ｔｗｉｓｔｅｄ Ｎ
ｅｍａｔｉｃ：ねじれネマティック）モードの液晶表示
装置であり、後者はＩＰＳ（Ｉｎ−Ｐｌａｎｅ Ｓｗｉ
ｔｃｈｉｎｇ）モード（横電界方式）の液晶表示装置と
呼ばれる。
【０００４】ＩＰＳモードの液晶表示装置は、基本的に
は、視点を動かしても液晶分子の短軸方向のみを見てい
ることになるため、液晶分子の「立ち方」の視野角に対
する依存性がなく、ＴＮモードの液晶表示装置よりも広
い視野角を達成することができる。
【０００５】このため、近年では、ＴＮモードの液晶表
示装置よりもＩＰＳモードの液晶表示装置の方が多用さ
れる傾向にある。
【０００６】ＩＰＳモードの液晶表示装置としては、例
えば、特開平０７―０３６０５８等で開示されたものが
ある。また、ＩＰＳモードの液晶表示装置を高開口率化
する技術として、例えば、特開平１１―１１９２３７号
公報（以下、「従来例１」と呼ぶ。）、特開平１０―１
８６４０７号公報（以下、「従来例２」と呼ぶ。）、特
開平９-２３６８２０号公報（以下、「従来例３」と呼
ぶ。）、または、特開平６-２０２１２７号公報（以
下、「従来例４」と呼ぶ。）に記載されたものがある。
【０００７】従来例１に記載されたＩＰＳモードの液晶
表示装置は、薄膜トランジスタアレイ基板において、駆
動電極（本願の画素電極に相当）と対向電極（本願の共
通電極に相当）とが信号線が形成されている層とは異な
る層であって、液晶層に近い層に形成されていることを
特徴としている。その結果、開口部の端部に信号線と隣
接して設けられた対向電極と信号線との間の電位差によ
り発生する電界の影響を軽減でき、開口部の側端部の対
向電極を信号線に近づけることができ、開口部の面積を
大きくできる効果を有する。
【０００８】また、駆動電極、対向電極の材料としてＩ
ＴＯ等の透明材料を用いる実施例も挙げられている。し
かし、この実施例では、対向電極は信号線を覆う構成に
はなっていない。
【０００９】一方、従来例１の実施例５には、駆動電極
及び対向電極を信号線よりも上層に形成し、さらに信号
線を覆うように対向電極を形成することにより、信号線
からの漏れ電界の影響を受けにくくすると共に、信号線
と対抗電極との間のスリットからの漏れ光が生じないよ
うな構成のＩＰＳ液晶が記載されている。しかし、この
実施例には、駆動電極、対向電極に透明電極を使う発想
はない。なぜなら、信号線を覆うように対向電極を形成
するのは漏れ光の遮光を目的とするためである。
【００１０】従来例２に記載されたＩＰＳモードの液晶
表示装置においては、共通電極を形成した共通電極層と
データ線を形成したデータ線層との間に絶縁層が形成さ
れており、また、共通電極層はデータ線層よりも液晶層
に近い位置に配置されている。さらに、共通電極の特定
の領域はデータ線の特定の領域と相互に重なり合ってい
る。これにより、共通電極がデータ線を完全に覆い、漏
れ電界が生じないＩＰＳ液晶、及び共通電極がデータ線
を部分的に覆うことにより、データ線と共通電極との間
の寄生容量を減らすことができるＩＰＳ液晶が示されて
いる。しかし、従来例２には共通電極を透明にするとい
う発想はない。
【００１１】従来例３に記載されたＩＰＳモードの液晶
表示装置においては、対向電極が、画素電極に画素信号
を与えるためのソースバスライン（本願のデータ線に相
当）と平行な細いストリップ状電極から構成されてい
る。対向電極とソースバスラインとは透明絶縁層を介し
て積み重ねられ、光の透過方向に関して対向電極とソー
スバスラインとは同一位置に配置されている。従来例３
には、対向電極及び画素電極を透明材料で形成すれば画
素部分の開口率を上げることができるが、透明材料は
抵抗値が高いため電位差が生じ、表示駆動が妨げられ
る、透明電極は高価であると記載されている。
【００１２】従来例４に記載されたＩＰＳモードの液晶
表示装置は、アクティブ素子からなる駆動手段を備えて
おり、映像信号をアクティブ素子に伝達する信号配線の
液晶層に面する領域の大部分が絶縁物を介して導電体で
覆われていることを特徴とするものである。しかし、従
来例４のいずれの実施例にも、透明電極で信号線をシー
ルドする発想はない。
【００１３】さらに、特開平１０―３０７２９５号公報
（以下、「従来例５」と呼ぶ。）に記載されたＩＰＳモ
ード液晶表示装置は、色付きを補償する複数のサブ領域
を有することを特徴としている。その一例として、電圧
印加時には、第１のサブ領域と第２のサブ領域で異なる
方向の電界を発生させ、これにより第１のサブ領域と第
２のサブ領域とで液晶の回転方向を相異なる向きに生じ
させ、斜めから見たときの両方のサブ領域の光学特性を
互いに補償することで、色づきを抑える方法が提案され
ている。
【００１４】
【発明が解決しようとする課題】これらの従来例におい
て記載されているＩＰＳモードの液晶表示装置は、何れ
も開口率を高め、画像の明るさを向上させることを目的
とするものである。
【００１５】データ線と対向電極または共通電極との間
には電位差が存在するため、この電位差に起因して、電
界が発生する。この電界が、画素電極と共通電極との間
の表示領域に影響を及ぼす領域まで到達すると、液晶の
配向状態を乱す原因となる。例えば、黒の背景に、白の
ウインドウを表示させたような画面においては、白を表
示させた画素を駆動するデータ線に対応する黒表示画素
において、グレー表示をしてしまう縦クロストークと呼
ばれる表示上の問題を生じることとなる。
【００１６】この問題を避けるためには、データ線の電
界をシールドするために、データ線の両脇の共通電極を
幅広くとり、この共通電極で電界を終端させるか、デー
タ線を共通電極などの表示上影響のない電位を有する電
極で覆う必要がある。
【００１７】開口率を向上させるためには、後者のよう
にデータ線を覆うように共通電極を設けることが望まし
い。
【００１８】しかしながら、従来例で提案された方法で
は、シールドが完全ではなかったり、また共通電極を遮
光体で形成しているため、光利用効率が落ちるといった
問題点が存在した。
【００１９】上記の従来例における液晶表示装置は、い
ずれも開口率の向上を目的としたものであるが、さらな
る開口率の向上が求められていた。
【００２０】本発明はこのような問題点に鑑みてなされ
たものであり、縦クロストークの発生を防止することが
でき、かつ、開口率を向上させることができる横電界方
式の液晶表示装置を提供することを目的とする。
【００２１】この目的を上記従来例に対応してさらに具
体化すると、本願の第１の目的は、開口率を低下させる
ことなく縦方向のクロストークを防止したＩＰＳ液晶を
提供することである。
【００２２】本願発明は上記第１の目的達成のために、
透明な共通電極でデータ線を覆い、データ線の漏れ電界
をシールドすることを特徴とするが、この方法には従来
例３が指摘するように、透明材料は抵抗値が高いため電
位差が生じ、表示駆動が妨げられるという課題がある。
従って、本願の第２の目的は透明電極で形成される共通
電極によってデータ線を覆い、かつ前記共通電極の抵抗
値を低減することである。
【００２３】本願発明は上記第２の目的達成のために、
データ線を覆う前記透明電極は画素毎にコンタクトホー
ルを介して共通電極配線で接続することを特徴としてい
る。
【００２４】上記基本的課題が達成された上で、本来の
開口率の向上が課題となる。従って、本願の第３の目的
は、従来、軽減された漏れ電界によって発生する縦方向
のクロストークが表示に表れないようするために採用さ
れていたブラックマトリクス等の遮光膜を削減した構成
を提供することにある。
【００２５】本願発明は上記第３の目的達成のために、
データ線に対向する位置に配されたブラックマトリクス
層の幅は、データ線を覆うように形成された共通電極の
幅よりも小さい幅を有するように形成され、データ線を
覆う共通電極と、これに隣接する画素電極との間には、
平面図上、遮光膜が存在しないものであることを特徴と
する。
【００２６】さらに、従来例３が指摘するように、透明
電極は高価であるという課題もある。従って、本願の第
４の目的は透明電極を安価に形成できる構成を提供する
ことにある。本願発明は上記第４の目的達成のために、
透明電極をＩＴＯで形成し、かつ前記ＩＴＯの透明電極
を端子部のＩＴＯと同時に形成することにより、製造工
程を増やすことなく製造することを特徴としている。
【００２７】また、従来例２が指摘するように、共通電
極がデータ線を完全に覆うことにより、データ線と共通
電極との間の寄生容量が増えるという課題もある。従っ
て、本願の第５の目的は、データ線と共通電極との間の
寄生容量を増やすことなく共通電極でデータ線をほぼ完
全に覆うことにある。
【００２８】本願発明は上記第５の目的達成のために、
データ線とは層間絶縁膜を介してデータ線より液晶層に
近い層にＩＴＯによる共通電極を配置し、かつ前記層間
絶縁膜の材料には誘電率が低い有機樹脂を使うことを特
徴とする。
【００２９】さらに、上記の従来例には記載されていな
いが、後述するように、データ線をシールドする共通電
極に通常の金属を用いると、共通電極にＩＴＯを用いる
場合と比較して信頼性が低下する。従って、本願の第６
の目的は、より信頼性の高い透明材料でデータ線をシー
ルドすることにある。
【００３０】
【問題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、請求項１に係る発明は、能動素子基板と、対向基板
と、前記能動素子基板と前記対向基板との間に挟まれた
状態で保持されている液晶層、とからなる液晶表示装置
であって、 前記能動素子基板は、ゲート電極、ドレイ
ン電極、ソース電極を有する薄膜トランジスタと、表示
すべき画素に対応した画素電極と、基準電位が与えられ
る共通電極と、データ線と、走査線と、共通電極配線と
を備え、 前記ゲート電極は前記走査線に、前記ドレイ
ン電極は前記データ線に、前記ソース電極は前記画素電
極に、前記共通電極は前記共通電極配線に、それぞれ電
気的に接続されており、前記画素電極と前記共通電極の
間に印加される、前記能動素子基板の表面に略平行な電
界により、前記液晶層の分子軸を前記能動素子基板に平
行な面内において回転させることにより表示を行う横電
界方式のアクティブマトリクス型液晶表示装置におい
て、前記共通電極は透明電極から成り、前記データ線よ
り前記液晶層に近い層上に成されており、前記走査線近
傍を除いて、前記データ線は、絶縁膜を挟んで、前記共
通電極によって完全に覆われており、前記データ線が前
記共通電極によって完全に覆われた領域においては、前
記対向基板上、もしくは前記能動素子基板の前記データ
線より前記液晶層側に、前記データ線に対向するように
ブラックマトリクス層、又は複数の色層を重ねた遮光層
を配し、前記ブラックマトリクス層又は前記遮光層の幅
は、前記データ線を覆うように形成された前記共通電極
の幅よりも小さい幅を有するように形成されていること
を特徴とする横電界方式のアクティブマトリクス型液晶
表示装置を提供する。
【００３１】上記構成によって、本願発明の第１乃至３
の目的、すなわち、（１）開口率を低下させることなく
縦方向のクロストークを防止したＩＰＳ液晶を提供する
こと、（２）共通電極と接続された透明電極でデータ線
を覆い、かつ共通電極の抵抗値を低減すること、（３）
従来、軽減された漏れ電界によって発生する縦方向のク
ロストークが表示に表れないようするために採用されて
いたブラックマトリクス等の遮光膜を削減した構成を提
供すること、を達成することができる。
【００３２】上記（１）、（３）を達成することができ
る理由を説明する。
【００３３】図７４は、前述した従来例に係る液晶表示
装置１０Ａの部分的な断面図である（説明を簡略化する
ため、必要な部分のみを示してある）。
【００３４】液晶表示装置１０Ａは、能動素子基板１１
Ａと、対向基板１２Ａと、能動素子基板１１Ａと対向基
板１２Ａとの間に挟まれた状態で保持されている液晶層
１３Ａと、からなる。
【００３５】対向基板１２Ａは、不必要な光を遮る遮光
膜としてのブラックマトリクス層１７Ａと、ブラックマ
トリクス層１７Ａと部分的に重なり合っている色層１８
Ａと、ブラックマトリクス層１７Ａ及び色層１８Ａの上
に形成されたオーバーコート層１９Ａ及び配向膜２０Ａ
と、を備えている。
【００３６】能動素子基板１１Ａは、ガラス基板（図示
せず）上に形成された共通電極２６Ａと、共通電極２６
Ａを覆う層間絶縁膜２５Ａ上に形成されているデータ線
２４Ａ及び画素電極２７Ａと、データ線２４Ａ及び画素
電極２７Ａを覆って、層間絶縁膜２５Ａ上に形成されて
いるパッシベーション膜３７Ａと、パッシベーション膜
３７Ａ上に形成されている配向膜３１Ａとを備えてい
る。
【００３７】図７４に示した液晶表示装置１０Ａにおい
ては、データ線２４Ａからの漏れ電界を吸収するため、
データ線２４Ａの横に配置されている共通電極２６Ａは
十分に幅を広くする必要があった。共通電極２６Ａはゲ
ート線と同一材料の不透明材料からなるものであるた
め、結局、開口部として機能し得る領域は共通電極２６
Ａの右側エッジよりも内側にならざるを得なかった。
【００３８】さらに、データ線２４Ａと共通電極２６Ａ
との間の隙間から漏れる光Ｓを遮光するためには、ブラ
ックマトリクス層１７Ａをデータ線２４Ａよりも大きく
張り出して形成することが必要であった。
【００３９】例えば、液晶表示装置１０Ａにおいては、
能動素子基板１１Ａとカラーフィルター基板１２Ａとの
重ねずれを考慮し、ブラックマトリクス層１７Ａはデー
タ線２４Ａと共通電極２６Ａとの間の隙間から８μｍ以
上張り出して形成されていた。
【００４０】このように、従来の液晶表示装置１０Ａに
おいては、開口部として機能する領域の範囲が限定され
ていることと、ブラックマトリクス層１７Ａを張り出し
て形成する必要があったことから、開口率を上げること
は極めて困難であった。
【００４１】図７５は、本発明に係る液晶表示装置１０
の部分的な断面図である（図７４と同様に、説明を簡略
化するため、必要な部分のみを示してある）。
【００４２】液晶表示装置１０は、能動素子基板１１
と、対向基板１２と、能動素子基板１１と対向基板１２
との間に挟まれた状態で保持されている液晶層１３とか
らなる。
【００４３】対向基板１２は、ブラックマトリクス層１
７と、ブラックマトリクス層１７と部分的に重なり合っ
ている色層１８と、ブラックマトリクス層１７及び色層
１８の上に形成されたオーバーコート層１９及び配向膜
２０とを備えている。
【００４４】能動素子基板１１は、第１の層間絶縁膜２
３と、第１の層間絶縁膜２３上に形成されたデータ線２
４と、データ線２４を覆って、第１の層間絶縁膜２３上
に形成された第２の層間絶縁膜２５と、第２の層間絶縁
膜２５上に形成された共通電極２６及び画素電極２７
と、共通電極２６及び画素電極２７を覆って、第２の層
間絶縁膜２５上に形成された配向膜３１とを備えてい
る。
【００４５】共通電極２６はデータ線２４を完全に覆う
ように形成されており、かつ、ブラックマトリクス層１
７は共通電極２６よりも小さい幅を有するように形成さ
れている。また、共通電極２６及び画素電極２７は何れ
も透明材料であるＩＴＯからつくられている。
【００４６】本発明に係る液晶表示装置１０によれば、
データ線２４からの漏れ電界はデータ線２４上に配置さ
れている共通電極２６により完全にシールドされる。こ
のため、図７５に示すように、開口部として機能し得る
領域としては、共通電極２６の右側エッジから内側に広
がる領域を使用することができ、図７４に示した従来の
液晶表示装置１０Ａにおける開口部よりも、広い開口部
を確保することができる。
【００４７】すなわち、本発明に係る液晶表示装置１０
は、従来の液晶表示装置１０Ａと比較して、より大きな
開口率を達成することが可能である。
【００４８】さらに、本発明に係る液晶表示装置１０に
おいては、ブラックマトリクス層１７は隣接する画素か
らの光漏れのみを防止すればよいことになるため、能動
素子基板１１と対向基板１２との重ねずれを考慮して
も、ブラックマトリクス層１７はデータ線２４よりも幅
を広く形成する必要はない。
【００４９】例えば、ブラックマトリクス層１７は、デ
ータ線２４と重なり合う範囲内において、６μｍの幅を
有していれば十分な遮光機能を発揮することが可能であ
る。
【００５０】図７６は、データ線２４を覆うようにして
共通電極２６を形成した場合におけるデータ線２４から
の漏れ電界のシールドの状況をシミュレーションした場
合の結果を示すグラフである。
【００５１】このシミュレーションは、単位画素を全て
黒とし、画素電極２７及び共通電極２６に印加する電圧
は０Ｖ、ドレイン電圧を５Ｖとした場合に、単位画素内
の電位分布及び光透過率を計算したものである。
【００５２】図７６に示すように、光透過率Ｚは常にゼ
ロである。すなわち、データ線２４からの漏れ電界は共
通電極２６により完全にシールドされていることがわか
る。
【００５３】また、複数の色層を重ねた遮光層を配する
ことによりブラックマトリクス層を形成する必要がなく
なり、全体としては、液晶表示装置の製造効率を向上さ
せることができる。
【００５４】請求項２に係る発明は、前記共通電極は、
各々の画素ごとに、コンタクトホールを介して、前記共
通電極配線に接続されていることを特徴とする請求項１
に記載の横電界方式のアクティブマトリクス型液晶表示
装置を提供する。
【００５５】共通電極を各々の画素ごとでコンタクトホ
ールを介して共通電極配線に接続することによって、共
通電極の抵抗値を低減することができる。これによっ
て、透明材料は抵抗値が高いという課題を解決する。
【００５６】請求項３に係る発明は、能動素子基板と、
対向基板と、前記能動素子基板と前記対向基板との間に
挟まれた状態で保持されている液晶層、とからなる液晶
表示装置であって、前記能動素子基板は、ゲート電極、
ドレイン電極、ソース電極を有する薄膜トランジスタ
と、表示すべき画素に対応した画素電極と、基準電位が
与えられる共通電極と、データ線と、走査線と、共通電
極配線とを備え、前記ゲート電極は前記走査線に、前記
ドレイン電極は前記データ線に、前記ソース電極は前記
画素電極に、前記共通電極は前記共通電極配線に、それ
ぞれ電気的に接続されており、前記画素電極と前記共通
電極とは、互いに略等間隔でジグザグ状に配置され、前
記画素電極と前記共通電極の間において、前記能動素子
基板の表面に略平行な２方向の電界が印加され、第１の
方向の電界が印加され、前記液晶層の分子軸が前記能動
素子基板の表面に平行な面内において、第１の回転方向
に回転される第１のサブ画素領域と、第２の方向の電界
が印加され、前記液晶層の分子軸が前記能動素子基板の
表面に平行な面内において、前記第１の回転方向とは異
なる第２の回転方向に回転される第２のサブ画素領域を
有する横電界方式のアクティブマトリクス型液晶表示装
置において、前記共通電極は透明電極から成り、前記デ
ータ線より前記液晶層に近い層上に形成されており、前
記走査線近傍を除いて、前記データ線は、絶縁膜を挟ん
で、前記共通電極によって完全に覆われており、前記デ
ータ線が前記共通電極によって完全に覆われた領域にお
いては、前記対向基板上、もしくは前記能動素子基板の
前記データ線より前記液晶層側に、前記データ線に対向
するようにブラックマトリクス層、又は複数の色層を重
ねた遮光層を配し、前記ブラックマトリクス層又は前記
遮光層の幅は、前記データ線を覆うように形成された前
記共通電極の幅よりも小さい幅を有するように形成され
ており、前記データ線は前記画素電極に沿って、ジグザ
グ状に屈曲しているものであることを特徴とする横電界
方式のアクティブマトリクス型液晶表示装置を提供す
る。
【００５７】上記構成は、請求項１に係る発明をいわゆ
るマルチドメインの横電界方式液晶表示装置に適用した
ものであり。このような構成を採用することにより、マ
ルチドメインの横電界方式液晶表示装置においても上記
第１乃至３の目的を達成することができる。
【００５８】請求項４に係る発明は、前記共通電極は、
各々の画素ごとで、コンタクトホールを介して、前記共
通電極配線に接続されていることを特徴とする請求項３
に記載の横電界方式のアクティブマトリクス型液晶表示
装置を提供する。
【００５９】共通電極を各々の画素ごとでコンタクトホ
ールを介して共通電極配線に接続することによって、共
通電極の抵抗値を低減することができる。これによっ
て、透明材料は抵抗値が高いという課題を解決する。
【００６０】請求項５に係る発明は、前記データ線、前
記共通電極及び前記画素電極の１画素あたりの屈曲回数
は１であることを特徴とする請求項３又は請求項４に記
載の横方向電界方式のアクティブマトリクス型液晶表示
装置を提供する。
【００６１】屈曲回数を１にすることにより、開口率を
最も大きくすることができる。
【００６２】請求項６に係る発明は、前記データ線、前
記共通電極及び前記画素電極の１画素あたりの屈曲回数
は３以上の奇数であることを特徴とする請求項３又は請
求項４に記載の横方向電界方式のアクティブマトリクス
型液晶表示装置を提供する。
【００６３】屈曲回数を奇数に限ることによって、液晶
を時計回りにツイストする領域と反時計回りにツイスト
する領域の数及び面積を等しく設定し、視野角の対称性
を増すことができる。
【００６４】請求項７に係る発明は、前記データ線、前
記共通電極および前記画素電極の１画素あたりの屈曲回
数Ｎは次式（１）を満たすものであることを特徴とする
請求項３又は請求項４に記載の横電界方式のアクティブ
マトリクス型液晶表示装置を提供する。
【００６５】３０≦ Ｌ／（Ｎ＋１) ≦４０ （１）
（Ｌは開口長、単位はμｍ） 屈曲回数が少ないほど開口率は大きくなるが、屈曲回数
が小さいほど屈曲のパターンが見えてしまう。また、ブ
ラックマトリクスは屈曲に追従させることが望ましい
が、屈曲回数が少ないほどブラックマトリクスのパター
ニングは困難になる。一方、屈曲回数が多いほど、屈曲
のパターンが直線に見え、ブラックマトリクスも直線形
状でかつ細く作成できる。しかし、屈曲回数が多いほど
開口率が小さくなる。これらを勘案した屈曲回数の最適
値が上記式である。
【００６６】請求項８に係る発明は、前記データ線に対
向する位置に配された前記ブラックマトリクス層は直線
形状であることを特徴とする請求項１乃至請求項７のい
ずれか一項に記載の横電界方式のアクティブマトリクス
型液晶表示装置を提供する。
【００６７】ブラックマトリクスは直線形状に形成する
のが最も容易である。
【００６８】請求項９に係る発明は、前記データ線に対
向する位置に配された前記ブラックマトリクス層はジグ
ザグに屈曲して形成されていることを特徴とする請求項
３乃至請求項７のいずれか一項に記載の横電界方式のア
クティブマトリクス型液晶表示装置を提供する。
【００６９】請求項１０に係る発明は、前記データ線に
対向する位置に配された前記ブラックマトリクス層は前
記データ線の形状に合わせて屈曲して形成されているこ
とを特徴とする請求項９に記載の横電界方式のアクティ
ブマトリクス型液晶表示装置を提供する。
【００７０】ブラックマトリクス層をデータ線の形状に
合わせてジグザグ状に屈曲して形成することにより、液
晶表示装置の開口率を上げることができる。
【００７１】請求項１１に係る発明は、前記データ線の
延伸する方向に垂直な面で切った断面において、前記デ
ータ線に対向する位置に配された前記ブラックマトリク
ス層の一方の端と、前記データ線のこれと反対方向の端
との間の基板面に沿った距離が４μｍ以上であることを
特徴とする請求項８乃至請求項１０の何れか一項に記載
の横電界方式のアクティブマトリクス型液晶表示装置を
提供する。
【００７２】これによって、ブラックマトリクス層の端
から斜めに入射する漏れ光がデータ線に直接入射するこ
とを防ぐことができる。
【００７３】請求項１２に係る発明は、前記ブラックマ
トリクス層は前記対向基板に設けられ、前記データ線に
対向する位置に配された前記ブラックマトリクス層は、
平面図上、前記データ線と何れの場所においても４μｍ
以上は重なり合っていることを特徴とする請求項８乃至
請求項１０の何れか一項に記載の横電界方式のアクティ
ブマトリクス型液晶表示装置を提供する。
【００７４】これによっても、ブラックマトリクス層の
端から斜めに入射する漏れ光がデータ線に直接入射する
ことを防ぐことができる。
【００７５】請求項１３に係る発明は、前記対向基板又
は前記能動素子基板はさらに色層を備え、前記色層は直
線形状であることを特徴とする請求項1乃至請求項１２
の何れか一項に記載の横電界方式のアクティブマトリク
ス型液晶表示装置を提供する。
【００７６】色層は直線形状に形成するのが最も容易で
ある。
【００７７】請求項１４に係る発明は、前記対向基板又
は前記能動素子基板はさらに色層を備え、前記色層はジ
グザグ形状に屈曲して形成されていることを特徴とする
請求項３乃至請求項１２の何れか一項に記載の横電界方
式のアクティブマトリクス型液晶表示装置を提供する。
【００７８】直線形状よりは形成がやや困難になるもの
の、ジグザグ形状に色層を形成することで、能動素子基
板上のデータ線の形状との整合性が向上し、これに伴っ
て、光利用効率を向上できる。
【００７９】請求項１５に係る発明は、前記対向基板又
は前記能動素子基板はさらに色層を備え、前記色層は前
記データ線の形状に合わせて屈曲して形成されているこ
とを特徴とする請求項１４に記載の横電界方式のアクテ
ィブマトリクス型液晶表示装置を提供する。
【００８０】色層をデータ線の形状に合わせて屈曲して
形成することにより、無駄のない設計が可能となり、開
口率も向上させることができる。
【００８１】請求項１６に係る発明は、液晶分子の回転
方向が同じとなるサブ画素領域において、液晶が逆方向
に回転することを防止する逆回転防止構造をさらに備え
ており、この逆回転防止構造は、液晶の初期配向方向と
前記サブ画素領域内で発生する電界の向きとの関係が、
サブ画素領域内のすべての領域において、液晶の初期配
向方向から同一方向への鋭角の回転により電界の向きと
重なるように、前記画素電極および前記共通電極の少な
くとも何れか一方と等電位を与えられる補助電極を備え
ることを特徴とする請求項１乃至請求項１５の何れか一
項に記載の横電界方式のアクティブマトリクス型液晶表
示装置を提供する。
【００８２】単位画素のコラムの中で、液晶分子を時計
回りにツイストするサブ画素領域と反時計回りにツイス
トするサブ画素領域の間に、サブ画素領域の境界を安定
化させる画素補助電極、共通補助電極を設けることによ
り、配向状態がより安定化し、表示のクリア感を増すこ
とができる。
【００８３】請求項１７に係る発明は、前記ゲート電
極、または前記ドレイン電極と同層で形成した孤立フロ
ーティング電極が、前記共通電極または前記画素電極の
ジグザグの屈曲部において、前記絶縁膜を介して前記共
通電極または前記画素電極と重なり合っており、前記第
１のサブ画素領域と前記第２のサブ画素領域の境界に沿
って、前記屈曲の出っ張りの方向に延在された構造を有
することを特徴とする請求項３乃至請求項１６の何れか
一項に記載の横電界方式のアクティブマトリクス型液晶
表示装置を提供する。
【００８４】請求項１６に記載した補助電極を形成しに
くい領域においては、フローティング安定化電極を設け
ることによりドメイン間の制御を安定化し、表示面を押
したときにドメインの移動により跡が残るという不具合
がなくなり、表示を安定化することができる。
【００８５】請求項１８に係る発明は、前記データ線を
覆うように形成された前記共通電極の下方に層間絶縁膜
が形成されており、この層間絶縁膜の上の膜が、前記共
通電極のうち前記データ線を覆うように形成された部分
の下方にのみ形成されていることを特徴とする請求項１
乃至請求項１７の何れか一項に記載の横電界方式のアク
ティブマトリクス型液晶表示装置を提供する。
【００８６】これにより、共通電極とデータ線との間の
層間絶縁膜を必要以上に大きな領域において形成する必
要がなくなり、共通電極とデータ線との間の寄生容量を
増やすことなく、共通電極でデータ線をほぼ完全に覆う
ことができる。
【００８７】請求項１９に係る発明は、前記データ線の
ジグザグ構造が、前記データ線の延伸方向から左右に各
々傾斜した直線部を有することを特徴とする請求項３乃
至請求項１８の何れか一項に記載の横電界方式のアクテ
ィブマトリクス型液晶表示装置を提供する。
【００８８】請求項２０に係る発明は、前記ブラックマ
トリクス層は前記対向基板に設けられ、前記データ線に
対向する位置に直線状に配置されたブラックマトリクス
層の幅が、次式で与えられる最小幅Ｄｍｉｎよりいずれ
の場所においても大きいことを特徴とする請求項１９に
記載の横電界方式のアクティブマトリクス型液晶表示装
置を提供する。
【００８９】Ｄｍｉｎ＝Ｄ＋ＬＳ・tanθ−(Ｄ−８)×
２ （単位はμｍ） Ｄ ： データ線の幅 ＬＳ ： 左右に傾斜した直線部をデータ線延伸方向に
射影した時の長さ θ ： データ線延伸方向と傾斜した直線部とのなす角
度 上記式により、ブラックマトリクス層の最小幅を理論的
に規定することができる。
【００９０】請求項２１に係る発明は、前記データ線の
ジグザグ構造が、前記データ線の延伸方向と平行な直線
部と、前記データ線の延伸方向から左右に各々傾斜した
直線部とを有することを特徴とする請求項３乃至請求項
１８の何れか一項に記載の横電界方式のアクティブマト
リクス型液晶表示装置を提供する。
【００９１】このように、データ線がデータ線の延伸方
向と平行な直線部を有することにより、対向基板側に直
線上のブラックマトリクス層を形成した場合に問題とな
る斜め方向からの光漏れを抑制するのに必要なブラック
マトリクスの幅を小さくすることができる。
【００９２】請求項２２に係る発明は、前記ブラックマ
トリクス層は前記対向基板に設けられ、前記データ線に
対向する位置に直線状に配置されたブラックマトリクス
層の幅が、次式で与えられる最小幅Ｄｍｉｎよりいずれ
の場所においても大きいことを特徴とする請求項２１に
記載の横電界方式のアクティブマトリクス型液晶表示装
置を提供する。
【００９３】Ｄｍｉｎ＝Ｄ＋ＬＳ・tanθ−(Ｄ−８)×
２ （単位はμｍ） Ｄ ： データ線の幅 ＬＳ：左右に傾斜した直線部をデータ線延伸方向に射影
した時の長さ θ ： データ線延伸方向と傾斜した直線部とのなす角
度 上記式により、ブラックマトリクス層の最小幅を理論的
に規定することができる。
【００９４】請求項２３に係る発明は、請求項１９にお
いて、前記データ線の屈曲の凹部に張り出しを設けたこ
とを特徴とする横電界方式のアクティブマトリクス型液
晶表示装置を提供する。
【００９５】この方法によっても、請求項２１により得
られる効果と同様な効果を得ることができる。
【００９６】請求項２４に係る発明は、請求項１９にお
いて、前記データ線の屈曲の凹部において、前記データ
線と重なるように、不透明金属で形成したフローティン
グの遮光膜が存在することを特徴とする横電界方式のア
クティブマトリクス型液晶表示装置を提供する。
【００９７】請求項２５に係る発明は、前記ジグザグ状
に形成されたデータ線を覆うようにジグザグ状に形成さ
れた共通電極の屈曲の凸部において、凸状の出っ張りを
設けたことを特徴とする請求項３乃至請求項２４の何れ
か一項に記載の横電界方式のアクティブマトリクス型液
晶表示装置を提供する。
【００９８】これにより、データ線を覆う共通電極とこ
れに隣接する画素電極との間の電界により液晶を２方向
に回転させた場合の、両者の境界部のドメインを安定化
させることができる。
【００９９】請求項２６に係る発明は、能動素子基板
と、対向基板と、前記能動素子基板と前記対向基板との
間に挟まれた状態で保持されている液晶層、とからなる
液晶表示装置であって、前記能動素子基板は、ゲート電
極、ドレイン電極、ソース電極を有する薄膜トランジス
タと、表示すべき画素に対応した画素電極と、基準電位
が与えられる共通電極と、データ線と、走査線と、共通
電極配線とを備え、前記ゲート電極は前記走査線に、前
記ドレイン電極は前記データ線に、前記ソース電極は前
記画素電極に、前記共通電極は前記共通電極配線に、そ
れぞれ電気的に接続されており、前記画素電極と前記共
通電極とは、互いに略等間隔でジグザグ状に配置され、
前記画素電極と前記共通電極の間において、前記能動素
子基板の表面に略平行な２方向の電界が印加され、第１
の方向の電界が印加され、前記液晶層の分子軸が前記能
動素子基板の表面に平行な面内において、第１の回転方
向に回転される第１のサブ画素領域と、第２の方向の電
界が印加され、前記液晶層の分子軸が前記能動素子基板
の表面に平行な面内において、前記第１の回転方向とは
異なる第２の回転方向に回転される第２のサブ画素領域
を有する横電界方式のアクティブマトリクス型液晶表示
装置において、前記能動素子基板における開口部は前記
データ線の延びる方向と直交する方向に延びており、前
記共通電極は透明電極から成り、前記データ線より前記
液晶層に近い層上に形成されており、前記走査線近傍を
除いて、前記データ線は、絶縁膜を挟んで、前記共通電
極によって完全に覆われており、前記共通電極は、各々
の画素ごとで、コンタクトホールを介して、前記共通電
極配線に接続されており、前記データ線が前記共通電極
によって完全に覆われた領域においては、前記対向基板
上、もしくは前記能動素子基板の前記データ線より前記
液晶層側に、前記データ線に対向するようにブラックマ
トリクス層、又は複数の色層を重ねた遮光層を配し、前
記ブラックマトリクス層又は前記遮光層の幅は、前記デ
ータ線を覆うように形成された前記共通電極の幅よりも
小さい幅を有するように形成されており、前記データ線
は直線形状であり、前記ゲート電極を形成するゲート線
はジグザグ状に屈曲しているものであることを特徴とす
る横電界方式のアクティブマトリクス型液晶表示装置を
提供する。
【０１００】能動素子基板における開口部がデータ線が
延びている方向に延びているような形式の液晶表示装置
では、データ線が延びる方向から液晶を注入する態様に
適する。一方、請求項２６に係る発明のように、能動素
子基板における開口部がデータ線の延びる方向と直交す
る方向に延びているような形式の液晶表示装置では、デ
ータ線が延びる方向と直交する方向から液晶を注入する
態様に適している。従って、液晶表示装置の開口部が延
びる方向によって、液晶の注入方向を選択することがで
きる。
【０１０１】請求項２７に係る発明は、前記共通電極
は、前記データ線の両側においてそれぞれ１．５μｍ以
上の張り出し幅を有していることを特徴とする請求項１
乃至請求項２６の何れか一項に記載の横電界方式のアク
ティブマトリクス型液晶表示装置を提供する。
【０１０２】データ線の側縁部からの共通電極の張り出
し幅を１．５μｍ以上に設定することにより、データ線
の脇を通る光の最大許容透過光量を白を表示したときの
一画素の透過光量の１／１００以下に抑えることができ
る。
【０１０３】請求項２８に係る発明は、前記データ線に
対向する位置に配された前記ブラックマトリクス層は前
記データ線よりも小さい幅を有しており、その全領域に
おいて前記データ線と重なり合っていることを特徴とす
る請求項１乃至請求項２７の何れか一項に記載の横電界
方式のアクティブマトリクス型液晶表示装置を提供す
る。
【０１０４】図７５に示したように、ブラックマトリク
ス層１７がデータ線２４より小さい幅を有することによ
り、データ線２４を覆う透明な共通電極２６のはみだし
部分からの透過光を全て利用することができ、パネル透
過率をさらに向上させることができる。
【０１０５】請求項２９に係る発明は、前記ブラックマ
トリクス層は前記対向基板に設けられ、前記データ線に
対向する位置に配された前記ブラックマトリクス層は６
μｍ以上の幅を有していることを特徴とする請求項１乃
至請求項２７の何れか一項に記載の横電界方式のアクテ
ィブマトリクス型液晶表示装置を提供する。６μｍ未満
の場合、データ線２４からの反射が大きくなるため、明
るい使用環境では見えにくくなるため、ブラックマトリ
クス層は６μｍ以上の幅を有していることが望ましい。
【０１０６】請求項３０に係る発明は、前記ブラックマ
トリクス層は、前記走査線及びその近傍、前記走査線と
前記画素電極の間及びその近傍を覆うことを特徴とする
請求項１乃至請求項４の何れか一項に記載の横電界方式
のアクティブマトリクス型液晶表示装置を提供する。
【０１０７】これらの領域をブラックマトリクス層によ
って遮光することができる。
【０１０８】請求項３１に係る発明は、前記画素電極
は、透明材料からなるものであることを特徴とする請求
項１乃至請求項３０の何れか一項に記載の横電界方式の
アクティブマトリクス型液晶表示装置を提供する。
【０１０９】画素電極を透明電極で形成することによ
り、さらに開口率に向上を図ることができる。
【０１１０】請求項３２に係る発明は、前記共通電極と
前記画素電極とは同層上に形成されていることを特徴と
する請求項１乃至請求項３１の何れか一項に記載の横電
界方式のアクティブマトリクス型液晶表示装置を提供す
る。
【０１１１】これによって共通電極と画素電極を同一プ
ロセスで形成することができ、生産性が向上する、ある
いは少なくともプロセスの増加を招くことなく、本発明
を採用することができる。
【０１１２】請求項３３に係る発明は、前記共通電極の
直下の層に形成された層間絶縁膜と、前記層間絶縁膜の
下方に形成された一層または複数層からなり、薄膜トラ
ンジスタのソース電極と接続され、前記画素電極と等電
位となる画素補助電極と、をさらに備え、前記画素補助
電極は不透明金属からなるものであることを特徴とする
請求項１乃至請求項３２の何れか一項に記載の横電界方
式のアクティブマトリクス型液晶表示装置を提供する。
【０１１３】このように不透明金属からなる画素補助電
極を形成することにより、透過率は多少低下するが、画
素電極を相互に接続することにより、画素の平面図上の
上下両側に蓄積容量を形成することができるため、蓄積
容量を大きくとることができ、表示を安定化することが
できる。
【０１１４】請求項３４に係る発明は、少なくとも前記
画素補助電極の一部が、前記共通電極と同層で櫛歯状に
形成された前記画素電極の下方に形成されていることを
特徴とする請求項３３に記載の横電界方式のアクティブ
マトリクス型液晶表示装置を提供する。
【０１１５】透明な画素電極の直上は、液晶に縦方向の
電界が印加されるため、液晶が立ち上がり、櫛歯電極間
に比べて光の透過率が低下する。従って、不透明な画素
補助電極を、透過率がやや低い画素電極の直下に配する
ことにより、光利用効率をそれほど低下させることな
く、画素の両側の画素補助電極を接続することができ
る。
【０１１６】請求項３５に係る発明は、前記共通電極の
直下の層に形成された層間絶縁膜と、前記層間絶縁膜の
下方に形成された一層または複数層からなり、前記共通
電極配線に接続され、前記共通電極と等電位となる共通
補助電極と、をさらに備え、前記共通補助電極は不透明
金属からなるものであることを特徴とする請求項１乃至
請求項３４の何れか一項に記載の横電界方式のアクティ
ブマトリクス型液晶表示装置を提供する。
【０１１７】画素補助電極と同様に、このように共通電
極を相互に接続することにより、画素の上下両側に蓄積
容量を形成することができるため、蓄積容量を大きくと
ることができ、表示を安定化することができる。
【０１１８】請求項３６に係る発明は、前記共通補助電
極は、櫛歯状に形成された前記共通電極の下方に形成さ
れていることを特徴とする請求項３５に記載の横電界方
式のアクティブマトリクス型液晶表示装置を提供する。
【０１１９】不透明な共通補助電極を、透過率がやや低
い共通電極の直下に配することにより、光利用効率をそ
れほど低下させることなく、画素の両側の共通補助電極
を接続することができる。ただし、共通電極の直下に画
素補助電極を配してしまうと、共通電極と画素補助電極
との間に電界が生じ、所望の横電界が液晶に印加されな
くなる。従って、画素補助電極は画素電極直下に、共通
補助電極は共通電極直下に配することが望ましい。
【０１２０】請求項３７に係る発明は、前記液晶表示装
置の走査線端子、データ線端子および共通電極配線端子
は、透明電極からなる前記共通電極と同一の材料で、被
覆もしくは形成されていることを特徴とする請求項１乃
至請求項３６の何れか一項に記載の横電界方式のアクテ
ィブマトリクス型液晶表示装置を提供する。
【０１２１】このように形成することにより、共通電極
は本液晶表示装置の端子部と同時に形成することが可能
となり、ひいては、共通電極の形成のために工程数が増
加することを防止することができる。
【０１２２】請求項３８に係る発明は、液晶分子の回転
方向が同じとなるサブ画素領域において、液晶が逆方向
に回転することを防止する逆回転防止構造をさらに備え
ており、この逆回転防止構造においては、液晶の初期配
向方向と前記サブ画素領域内で発生する電界の向きとの
関係が、サブ画素領域内のすべての領域において、液晶
の初期配向方向から同一方向への鋭角の回転により電界
の向きと重なるように、前記画素補助電極および前記共
通電極配線のエッジの一部が斜め形状となるように設定
されていることを特徴とする請求項１乃至請求項３７の
何れか一項に記載の横電界方式のアクティブマトリクス
型液晶表示装置を提供する。
【０１２３】液晶分子の分子軸の逆回転を防止すること
により、本液晶表示装置の画質及び信頼性を向上させる
ことができる。
【０１２４】請求項３９に係る発明は、前記共通電極お
よび前記画素電極がジグザグ構造をとることによって１
画素内で液晶が２方向に回転するサブ画素領域を有する
構造において、前記画素補助電極の一部が、前記画素電
極のジグザグの屈曲部において、異なる方向に液晶が回
転する２つのサブ画素領域間の境界に沿って、屈曲の出
っ張りの方向に延伸された構造を有することにより、前
記２つのサブ画素領域間の液晶の回転を安定させる構造
を有することを特徴とする請求項３乃至請求項３２の何
れか一項に記載の横電界方式のアクティブマトリクス型
液晶表示装置を提供する。
【０１２５】請求項４０に係る発明は、前記共通電極お
よび前記画素電極がジグザグ構造をとることによって１
画素内で液晶が２方向に回転するサブ画素領域を有する
構造において、前記共通補助電極の一部が、前記共通電
極のジグザグの屈曲部において、異なる方向に液晶が回
転する２つのサブ画素領域間の境界に沿って、屈曲の出
っ張りの方向に延伸された構造を有することにより、前
記２つのサブ画素領域間の液晶の回転を安定させる構造
を有することを特徴とする請求項３乃至請求項３３の何
れか一項に記載の横電界方式のアクティブマトリクス型
液晶表示装置を提供する。請求項３９及び３４に係る発
明により、異なる方向に液晶が回転する隣接するサブ画
素領域間の液晶の回転を安定化させることができる。
【０１２６】請求項４１に係る発明は、前記共通電極を
覆うパッシベーション膜をさらに備えることを特徴とす
る請求項１乃至請求項４０の何れか一項に記載の横電界
方式のアクティブマトリクス型液晶表示装置を提供す
る。
【０１２７】請求項４２に係る発明は、前記画素電極を
覆うパッシベーション膜をさらに備えることを特徴とす
る請求項４１に記載の横電界方式のアクティブマトリク
ス型液晶表示装置を提供する。
【０１２８】共通電極及び画素電極を覆うようにパッシ
ベーション膜を形成することにより、共通電極及び画素
電極のエッジにおける強電界が緩和され、液晶分子の配
向異常ひいては表示異常の発生を防止することができ
る。
【０１２９】請求項４３に係る発明は、前記能動素子基
板は、前記画素電極を前記前記ソース電極に接続するコ
ンタクトホール、若しくは前記共通電極を前記共通電極
配線に接続するコンタクトホールを具備し、前記コンタ
クトホールは、正方形もしくは長方形の形状を有してお
り、正方形もしくは長方形の一辺の長さは６μｍ以上で
あることを特徴とする請求項１乃至請求項４２の何れか
一項に記載の横電界方式のアクティブマトリクス型液晶
表示装置を提供する。
【０１３０】一辺の長さを６μｍ以上に設定することに
より、良好な接続のコンタクトホールを形成することが
できる。
【０１３１】請求項４４に係る発明は、前記能動素子基
板は、前記画素電極を前記前記ソース電極に接続するコ
ンタクトホール、若しくは前記共通電極を前記共通電極
配線に接続するコンタクトホールを具備し、前記コンタ
クトホールの内壁を覆う金属膜をさらに有することを特
徴とする請求項１乃至請求項４３の何れか一項に記載の
横電界方式のアクティブマトリクス型液晶表示装置を提
供する。
【０１３２】コンタクトホールの内壁を金属膜で覆うこ
とにより、透明金属で形成する共通電極と共通電極配線
との間の抵抗を低減し、表示の均一性を上げることがで
きる。
【０１３３】請求項４５に係る発明は、前記画素電極は
データ線を形成している第２の金属層により形成されて
いることを特徴とする請求項１乃至請求項４４の何れか
一項に記載の横電界方式のアクティブマトリクス型液晶
表示装置を提供する。
【０１３４】画素電極を共通電極と異なる層で形成する
ため、画素電極と共通電極とがショートすることがなく
なり、生産性が向上する。
【０１３５】請求項４６に係る発明は、表示を行う領域
においては、前記画素電極は前記ドレイン電極を形成し
ている第２の金属層により形成され、前記共通電極のう
ちデータ線を覆うように形成された透明金属からなる部
分以外の領域は、前記ゲート電極を形成している第１の
金属層により形成されていることを特徴とする請求項１
乃至請求項４４の何れか一項に記載の横電界方式のアク
ティブマトリクス型液晶表示装置を提供する。
【０１３６】共通電極は画素電極と異なる層で形成され
るため、画素電極とショートすることがなくなり、生産
性が向上する。また、第１の金属層からなるフローティ
ング安定化電極は共通電極と同じ層で形成されるので、
フローティング安定化電極は共通電極と接続することに
よって固定安定化電極になり、表示をさらに安定化する
ことができる。
【０１３７】請求項４７に係る発明は、前記データ線と
これを覆うようにして形成された透明金属からなる前記
共通電極との間には層間絶縁膜が形成されており、前記
層間絶縁膜は、前記データ線を覆うように形成された透
明金属からなる前記共通電極の下方のみに形成されてい
ることを特徴とする請求項４６に記載の横電界方式のア
クティブマトリクス型液晶表示装置を提供する。
【０１３８】これにより、共通電極とデータ線との間の
層間絶縁膜を必要以上に大きな領域において形成する必
要がなくなり、共通電極とデータ線との間の寄生容量を
増やすことなく、共通電極でデータ線をほぼ完全に覆う
ことができる。
【０１３９】請求項４８に係る発明は、前記データ線と
これを覆うようにして形成された透明金属からなる前記
共通電極との間には層間絶縁膜が形成されており、前記
層間絶縁膜は無機膜からなるものであることを特徴とす
る請求項１乃至請求項４７の何れか一項に記載の横電界
方式のアクティブマトリクス型液晶表示装置を提供す
る。
【０１４０】無機膜を採用することにより、層間絶縁膜
の透明度が高くすることができる。また、薄膜トランジ
スタ（ＴＦＴ）の信頼性が向上する。
【０１４１】請求項４９に係る発明は、前記データ線と
これを覆うようにして形成された透明金属からなる前記
共通電極との間には層間絶縁膜が形成されており、前記
層間絶縁膜は有機膜からなるものであることを特徴とす
る請求項１乃至請求項４７の何れか一項に記載の横電界
方式のアクティブマトリクス型液晶表示装置を提供す
る。
【０１４２】有機膜の誘電率は無機膜の誘電率よりも低
いため、層間絶縁膜を無機膜で構成する場合と比較し
て、層間絶縁膜全体の誘電率を下げることができる。ま
た、有機膜は無機膜に比べ、層間絶縁膜を形成するプロ
セスが容易である。
【０１４３】請求項５０に係る発明は、前記データ線と
これを覆うようにして形成された透明金属からなる前記
共通電極との間には層間絶縁膜が形成されており、前記
層間絶縁膜は、無機膜からなる第１の膜と、前記第１の
膜を覆う有機膜からなる第２の膜とからなるものである
ことを特徴とする請求項１乃至請求項４７の何れか一項
に記載の横電界方式のアクティブマトリクス型液晶表示
装置を提供する。
【０１４４】層間絶縁膜を無機膜単体で構成する場合と
比較して、このような積層膜構造とすることにより、層
間絶縁膜全体の誘電率を下げることができる。また、Ｔ
ＦＴの半導体層に接する第１の膜として無機膜を用い、
この上に有機膜からなる第２の膜を積層することによ
り、無機膜と半導体層との間に安定な界面が形成され、
ＴＦＴの信頼性が向上する。
【０１４５】請求項５１に係る発明は、前記層間絶縁膜
として用いられる無機膜は、窒化シリコン膜、無機ポリ
シラザン膜、酸化シリコン膜、もしくはこれらから構成
される積層膜であることを特徴とする請求項４８または
請求項５０に記載の横電界方式のアクティブマトリクス
型液晶表示装置を提供する。
【０１４６】これらの無機膜は特にＴＦＴ信頼性が高
い。
【０１４７】請求項５２に係る発明は、前記層間絶縁膜
として用いられる有機膜は、感光性アクリル樹脂、感光
性ポリイミド、ベンゾシクロブテン（ＢＣＢ）膜、有機
ポリシラザン膜またはシロキサン膜の何れかであること
を特徴とする請求項４９または請求項５０に記載の横電
界方式のアクティブマトリクス型液晶表示装置を提供す
る。
【０１４８】これらの有機膜は特に形成プロセスが容易
である。
【０１４９】請求項５３に係る発明は、前記第１の膜は
窒化シリコン膜であり、第２の膜は感光性アクリル樹脂
もしくは感光性ポリイミド樹脂膜の何れかであることを
特徴とする請求項５０に記載の横電界方式のアクティブ
マトリクス型液晶表示装置を提供する。
【０１５０】このような積層膜構造とすることにより、
特に層間絶縁膜全体の誘電率低減、ＴＦＴの信頼性向上
において優れている。
【０１５１】請求項５４に係る発明は、前記データ線を
覆うようにして形成された透明金属からなる前記共通電
極は、前記走査線と、前記走査線と前記共通電極との間
の領域も覆うように形成されていることを特徴とする請
求項１乃至請求項５３の何れか一項に記載の横電界方式
のアクティブマトリクス型液晶表示装置を提供する。
【０１５２】共通電極をこのように形成することによ
り、走査線からの漏れ電界を遮断することができるの
で、画素電極と共通電極との間の電界により制御できる
有効な表示領域が拡大し、開口率を向上させることでが
できる。
【０１５３】請求項５５に係る発明は、前記データ線を
覆うようにして形成された透明金属からなる前記共通電
極は、前記薄膜トランジスタのチャネル領域を覆うよう
に形成されていることを特徴とする請求項１乃至請求項
５４の何れか一項に記載の横電界方式のアクティブマト
リクス型液晶表示装置を提供する。共通電極をこのよう
に形成することにより、薄膜トランジスタに外部から侵
入する電界を遮断することができるので、薄膜トランジ
スタ特性の安定性が向上し、表示の信頼性が向上する。
【０１５４】請求項５６に係る発明は、前記ゲート電極
を形成する第１の金属層からなる共通電極配線と、前記
ドレイン電極を形成する第２の金属層からなる画素補助
電極との間に、蓄積容量が形成されていることを特徴と
する請求項１乃至請求項５５の何れか一項に記載の横電
界方式のアクティブマトリクス型液晶表示装置を提供す
る。
【０１５５】このように第２の金属層からなる画素補助
電極と第１の金属層からなる共通電極配線とを形成する
ことにより、画素の上下両側に蓄積容量を形成すること
ができるため、蓄積容量を大きくとることができ、表示
を安定化することができる。
【０１５６】請求項５７に係る発明は、前記共通電極配
線は、各単位画素の平面図上において、前記走査線に沿
って前記走査線の片側又は両側に形成されていることを
特徴とする請求項１乃至請求項５６の何れか一項に記載
の横電界方式のアクティブマトリクス型液晶表示装置を
提供する。
【０１５７】共通電極配線をこのように形成することに
より、共通電極は透明材料からなるため、共通電極が占
める領域の分だけ透明領域が増えることになり、本液晶
表示装置の開口率の向上を図ることができる。さらに、
共通電極配線を走査線の両側に形成することにより、走
査線の片側にのみ配線層を形成する場合と比較して、蓄
積容量を大きくすることができ、表示を安定化すること
ができる。
【０１５８】請求項５８に係る発明は、前記データ線の
うち、これに対向する前記ブラックマトリクス層もしく
は複数の色層を重ねた前記遮光層のいずれにも覆われて
おらず、かつ、前記共通電極が前記データ線を覆ってい
ない領域においては、前記データ線の下方には前記共通
電極に接続された遮光層が形成されていることを特徴と
する請求項１乃至請求項５７の何れか一項に記載の横電
界方式のアクティブマトリクス型液晶表示装置を提供す
る。
【０１５９】これにより光の漏れを防止し、表示の乱れ
を防ぐことができる。
【０１６０】請求項５９に係る発明は、前記ゲート電極
は第１の金属層から形成され、前記ドレイン電極は第２
の金属層から形成されており、前記第１及び第２の金属
層は、いずれもクロム、アルミニウム、チタン、モリブ
デン、タングステンのいずれか一からなる単層膜、また
は、いずれか二以上からなる積層膜であることを特徴と
する請求項１乃至請求項５８の何れか一項に記載の横電
界方式のアクティブマトリクス型液晶表示装置を提供す
る。
【０１６１】このような金属膜を採用することにより、
金属膜の低抵抗化、高信頼性化を図ることができる。
【０１６２】請求項６０に係る発明は、前記画素電極と
第２の金属層から形成される前記ソース電極もしくは前
記画素補助電極とは、各単位画素において、平面図上、
上側及び下側の何れか一方において、第１のコンタクト
ホールを介して接続され、前記共通電極と第１の金属層
から形成される前記共通電極配線とが、各単位画素にお
いて、平面図上、上側及び下側の他方において、第２の
コンタクトホールを介して接続されていることを特徴と
する請求項１乃至請求項５９の何れか一項に記載の横電
界方式のアクティブマトリクス型液晶表示装置を提供す
る。
【０１６３】このように共通電極を各単位画素ごとにコ
ンタクトホールを介して共通電極配線に接続することに
より、共通電極の低抵抗化を図ることができる。
【０１６４】請求項６１に係る発明は、前記透明電極は
ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ−Ｔｉｎ−Ｏｘｉｄｅ）であるこ
とを特徴とする請求項１乃至請求項６０の何れか一項に
記載の横電界方式のアクティブマトリクス型液晶表示装
置を提供する。
【０１６５】ＩＴＯは、電気化学反応に対しては極めて
安定している物質である。このため、ＩＴＯからなる共
通電極及び画素電極は配向膜に直接的に接した形で用い
ることができ、共通電極及び画素電極をＩＴＯ以外の金
属から構成する場合と比較して、本液晶表示装置の信頼
性を向上させることができる。
【０１６６】請求項６２に係る発明は、能動素子基板
と、対向基板と、前記能動素子基板と前記対向基板との
間に挟まれた状態で保持されている液晶層、とからなる
液晶表示装置であって、前記能動素子基板は、ゲート電
極、ドレイン電極、ソース電極を有する薄膜トランジス
タと、表示すべき画素に対応した画素電極と、基準電位
が与えられる共通電極と、データ線と、走査線と、共通
電極配線とを備え、前記ゲート電極は前記走査線に、前
記ドレイン電極は前記データ線に、前記ソース電極は前
記画素電極に、前記共通電極は前記共通電極配線に、そ
れぞれ電気的に接続されており、前記画素電極と前記共
通電極とは、互いに略等間隔でジグザグ状に配置され、
前記画素電極と前記共通電極の間には前記能動素子基板
の表面に略平行な２方向の電界が印加され、第１の方向
の電界が印加され、前記液晶層の分子軸が前記能動素子
基板の表面に平行な面内において、第１の回転方向に回
転される第１のサブ画素領域と、第２の方向の電界が印
加され、前記液晶層の分子軸が前記能動素子基板の表面
に平行な面内において、前記第１の回転方向とは異なる
第２の回転方向に回転される第２のサブ画素領域を有す
る横電界方式のアクティブマトリクス型液晶表示装置に
おいて、前記ゲート電極、または前記ドレイン電極と同
層で形成した孤立フローティング電極が、前記共通電極
または前記画素電極のジグザグの屈曲部において、前記
絶縁膜を介して前記共通電極または前記画素電極と重な
り合っており、前記第１のサブ画素領域と前記第２のサ
ブ画素領域の境界に沿って、前記屈曲の出っ張りの方向
に延在された構造を有することを特徴とする横電界方式
のアクティブマトリクス型液晶表示装置を提供する。
【０１６７】請求項１６に記載したような補助電極を形
成しにくい領域においては、フローティング電極を設け
ることにより液晶層の配向状態をより安定化することが
できる。
【０１６８】請求項６３に係る発明は、前記ドレイン電
極を形成する第２の金属層からなる画素電極と、前記ゲ
ート電極を形成する第１の金属層からなる共通電極配線
との間に、蓄積容量が形成されていることを特徴とする
請求項４５に記載の横電界方式のアクティブマトリクス
型液晶表示装置を提供する。液晶層の蓄積容量を大きく
とることができ、表示を安定化することができる。
【０１６９】請求項６４に係る発明は、前記共通電極お
よび前記画素電極がジグザグ構造をとることによって１
画素内で２方向に回転するサブ画素領域を有する構造に
おいて、前記共通電極の一部が、前記共通電極のジグザ
グの屈曲部において、異なる方向に液晶が回転する２つ
のサブ画素領域間の境界に沿って、屈曲の出っ張りの方
向に延伸された構造を有することにより、サブ画素領域
間の回転を安定させる構造を有し、又は／及び、前記画
素電極の一部が、前記画素電極のジグザグの屈曲部にお
いて、異なる方向に液晶が回転する２つのサブ画素領域
間の境界に沿って、屈曲の出っ張りの方向に延伸された
構造を有することにより、サブ画素領域間の回転を安定
させる構造を有することを特徴とする請求項４５又は請
求項６３に記載の横電界方式のアクティブマトリクス型
液晶表示装置を提供する。
【０１７０】異なる方向に液晶が回転する２つのサブ画
素間の境界に沿って固定安定化電極を形成することによ
って、表示を安定化することができる。
【０１７１】請求項６５に係る発明は、前記データ線と
前記共通電極との間に層間絶縁膜が形成され、前記層間
絶縁膜は無機膜から成る第１の膜と、前記第１の膜を覆
う有機膜から成る第２の膜を有し、前記第１の膜の膜厚
は０．２５μｍ以上であることを特徴とする請求項１乃
至請求項６４のいずれか一項に記載の横電界方式のアク
ティブマトリクス型液晶表示装置を提供する。
【０１７２】無機膜からなる第１の膜の膜厚を０．２５
μｍ以上とすることにより、第２の膜としての有機膜に
ピンホールが発生し、これがデータ線とこれを覆う透明
電極で形成された共通電極との間で発生した場合でも、
第１の膜としての無機膜単独での耐圧が十分高いため、
パネル作成時もしくは表示中におけるデータ線とこれを
覆う共通電極との間の層間膜の絶縁破壊に起因する短絡
を防ぐことができ、これに伴なうデータ線の線欠陥を防
止の確率を飛躍的に高めることができる。
【０１７３】請求項６６に係る発明は、前記能動素子基
板に色層を備えたことを特徴とする請求項１乃至請求項
６５のいずれか一項に記載の横電界方式のアクティブマ
トリクス型液晶表示装置を提供する。
【０１７４】請求項６７に係る発明は、前記能動素子基
板にブラックマトリクス層を備えたことを特徴とする請
求項１乃至請求項６６のいずれか一項に記載の横電界方
式のアクティブマトリクス型液晶表示装置を提供する。
【０１７５】このように、色層もしくはブラックマトリ
クスもしくは色層およびブラックマトリクス両方を能動
素子基板側に配することにより、これらの構成要素と、
能動素子基板側に元々存在するデータ線等との重ね合わ
せ精度が向上するため、ブラックマトリクス等の線幅を
さらに細めることができ、開口率をさらに向上させるこ
とができる。
【０１７６】請求項６８に係る発明は、前記データ線と
前記共通電極との間に層間絶縁膜が形成され、前記層間
絶縁膜は少なくとも有機膜を含むものであり、前記色層
もしくは前記ブラックマトリクス層は、前記有機膜に覆
われていることを特徴とする請求項６７に記載の横電界
方式のアクティブマトリクス型液晶表示装置を提供す
る。
【０１７７】このようにすることにより、能動素子基板
側に配置した前記色層もしくは前記ブラックマトリクス
から液晶中への不純物の溶出を、前記層間膜を構成する
前記有機膜でブロックすることができる。これにより液
晶表示装置の信頼性を高めることができる。
【０１７８】請求項６９に係る発明は、前記データ線と
前記共通電極との間に層間絶縁膜が形成され、前記層間
絶縁膜は、無機膜から成る第１の膜と、前記第１の膜を
覆う有機膜から成る第２の膜からなるものであり、前記
色層もしくは前記ブラックマトリクス層は、前記第１の
膜と前記第２の膜との間に形成されていることを特徴と
する請求項６７に記載の横電界方式のアクティブマトリ
クス型液晶表示装置を提供する。
【０１７９】このようにすることにより、能動素子基板
側の前記色層もしくは前記ブラックマトリクスから液晶
中への不純物の溶出を、前記層間膜を構成する前記有機
膜でブロックすることができると同時に、色層中の電荷
やイオンの移動に伴って生じる能動素子への影響を抑止
することができる。これにより液晶表示装置の信頼性を
さらに高めることができる。
【０１８０】請求項７０に係る発明は、請求項１乃至請
求項６９の何れか一項に記載した液晶表示装置を搭載し
た電子機器を提供する。
【０１８１】本発明の液晶表示装置を用いた液晶パネル
を用いることにより、表示部における開口率が改善さ
れ、表示部の輝度を向上させることができる。
【０１８２】請求項７１に係る発明は、能動素子基板
と、対向基板と、前記能動素子基板と前記対向基板との
間に挟まれた状態で保持されている液晶層、とからなる
液晶表示装置であって、前記能動素子基板は、ゲート電
極、ドレイン電極、ソース電極を有する薄膜トランジス
タと、表示すべき画素に対応した画素電極と、基準電位
が与えられる共通電極と、データ線と、走査線と、共通
電極配線と、データ線端子と、走査線端子と、共通電極
配線端子とを備え、前記ゲート電極は前記走査線に、前
記ドレイン電極は前記データ線に、前記ソース電極は前
記画素電極に、前記共通電極は前記共通電極配線に、そ
れぞれ電気的に接続されており、前記画素電極と前記共
通電極の間に印加される、前記能動素子基板の表面に略
平行な電界により、前記液晶層の分子軸を前記能動素子
基板に平行な面内において回転させることにより表示を
行う横電界方式のアクティブマトリクス型液晶表示装置
の製造方法において、前記薄膜トランジスタ、前記デー
タ線、前記走査線及び前記共通電極配線形成後、全面に
層間絶縁膜を形成する第１の工程と、前記層間絶縁膜を
エッチングし、それぞれ前記データ線、前記走査線及び
前記共通電極配線に到達するコンタクトホールを形成す
る第２の工程と、全面に透明金属を形成し、前記各コン
タクトホールの内壁を前記透明金属で覆い、前記データ
線端子、前記走査線端子及び前記共通電極配線端子を形
成する第３の工程と、前記透明金属をエッチングし、前
記データ線を覆うように前記共通電極を形成する第４の
工程とを有することを特徴とする横電界方式のアクティ
ブマトリクス型液晶表示装置の製造方法を提供する。
【０１８３】請求項７２に係る発明は、能動素子基板
と、対向基板と、前記能動素子基板と前記対向基板との
間に挟まれた状態で保持されている液晶層、とからなる
液晶表示装置であって、前記能動素子基板は、ゲート電
極、ドレイン電極、ソース電極を有する薄膜トランジス
タと、表示すべき画素に対応した画素電極と、基準電位
が与えられる共通電極と、データ線と、走査線と、共通
電極配線とを備え、前記ゲート電極は前記走査線に、前
記ドレイン電極は前記データ線に、前記ソース電極は前
記画素電極に、前記共通電極は前記共通電極配線に、そ
れぞれ電気的に接続されており、前記画素電極と前記共
通電極とは、互いに略等間隔でジグザグ状に配置され、
前記画素電極と前記共通電極との間には前記能動素子基
板の表面に略平行な２方向の電界が印加され、第１の方
向の電界が印加され、前記液晶層の分子軸が前記能動素
子基板の表面に平行な面内において、第１の回転方向に
回転される第１のサブ画素領域と、第２の方向の電界が
印加され、前記液晶層の分子軸が前記能動素子基板の表
面に平行な面内において、前記第１の回転方向とは異な
る第２の回転方向に回転される第２のサブ画素領域を有
する横電界方式のアクティブマトリクス型液晶表示装置
の製造方法において、前記薄膜トランジスタ、前記デー
タ線、前記走査線及び前記共通電極配線形成後、全面に
層間絶縁膜を形成する第１の工程と、前記層間絶縁膜を
エッチングし、それぞれ前記データ線、前記走査線及び
前記共通電極配線に到達するコンタクトホールを形成す
る第２の工程と、全面に透明金属を形成し、前記各コン
タクトホールの内壁を前記透明金属で覆い、前記データ
線端子、前記走査線端子及び前記共通電極配線端子を形
成する第３の工程と、前記透明金属をエッチングし、前
記データ線を覆うように前記共通電極を形成する第４の
工程とを有することを特徴とする横電界方式のアクティ
ブマトリクス型液晶表示装置の製造方法を提供する。
【０１８４】請求項７３に係る発明は、前記第４の工程
において、さらに前記透明金属をエッチングし、前記画
素電極を形成することを特徴とする請求項７１又は７２
に記載の横電界方式のアクティブマトリクス型液晶表示
装置の製造方法を提供する。
【０１８５】請求項７４に係る発明は、前記第２の工程
において、さらに前記薄膜トランジスタの前記ソース電
極に到達する第２のコンタクトホールを形成し、前記第
３の工程において、さらに前記第２のコンタクトホール
の内壁を前記透明金属で被覆することを特徴とする請求
項７１乃至７３の何れか一項に記載の横電界方式のアク
ティブマトリクス型液晶表示装置の製造方法を提供す
る。
【０１８６】請求項７５に係る発明は、前記第２の工程
において、さらに前記共通電極配線に到達する第３のコ
ンタクトホールを形成し、前記第３の工程において、さ
らに前記第３のコンタクトホールの内壁を前記透明金属
で覆い、前記第４の工程において、さらに前記透明金属
をエッチングし、前記共通電極が前記第３のコンタクト
ホールに接続されるように形成することを特徴とする請
求項７１乃至請求項７４の何れか一項に記載の横電界方
式のアクティブマトリクス型液晶表示装置の製造方法を
提供する。
【０１８７】
【発明の実施の形態】（本発明の第１の実施形態）図
１、図２、図３に本発明の第１の実施形態に係る横電界
方式のアクティブマトリクス型液晶表示装置を示す。図
１は、本実施形態に係る液晶表示装置１０の平面図、図
２は図１のＡ−Ａ’線における断面図、図３は図１の単
位画素部分の回路図である。
【０１８８】図２に示すように、液晶表示装置１０は、
能動素子基板１１と、対向基板１２と、能動素子基板１
１と対向基板１２との間に挟まれた状態で保持されてい
る液晶層１３とからなる。
【０１８９】対向基板１２は、透明絶縁性基板１６上に
遮光膜としてブラックマトリクス層１７と、これと部分
的に重なりあっている色層１８と、ブラックマトリクス
層１７と色層１８の上に形成された透明なオーバーコー
ト層１９から形成されている。また、液晶表示パネル表
面からの接触等による帯電が、液晶層１３へ電気的な影
響を与えることを防止するために、透明絶縁性基板１６
の裏面には、透明な導電層１５が形成されている。色層
１８は、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）及び青（Ｂ）の染料または
顔料を含む樹脂膜からなっている。
【０１９０】能動素子基板１１は、透明絶縁性基板２２
上に、走査線２８（図１参照）およびゲート電極３０ｃ
（図３参照）を形成する第１の金属層と、その上に形成
された第１の層間絶縁膜２３と、第１の層間絶縁膜２３
上に形成された島状非晶質シリコン膜と、データ線２４
および薄膜トランジスタ３０のソース電極３０ｂ、ドレ
イン電極３０ａを形成する第２の金属層と、この上に形
成された第２の層間絶縁膜のうちの第１の膜２５ａと、
第２の層間絶縁膜のうちの第２の膜２５ｂと、その上に
透明電極により形成された共通電極２６及び画素電極２
７とを有する。
【０１９１】また、第１の層間絶縁膜２３の上には、デ
ータ線２４とともに、後に説明する画素補助電極３５が
形成されている。（図１７参照）データ線２４及び画素
補助電極３５は第２の金属層で形成されている。
【０１９２】なお、本明細書では、能動素子基板１１及
び対向基板１２において、液晶層１３により近い層を上
の層、液晶層１３からより遠い層を下の層と呼ぶ。
【０１９３】能動素子基板１１と対向基板１２とは、そ
れぞれの上に配向膜３１、配向膜２０を配し、図１に示
すように画素電極２７および共通電極２６の延伸方向か
ら、１０乃至３０度程度の角度を傾けた所定の方向に、
液晶層１３がホモジニアス配向するように、ラビング処
理がなされた後に、相互に向かい合うように貼り合わさ
れている。この角度を液晶分子の初期配向方位と言う。
【０１９４】能動素子基板１１と対向基板１２との間に
は、液晶層１３の厚みを保持するためのスペーサー（図
示せず）が配置されており、また、液晶層１３の周囲に
は、液晶分子を外部に漏らさないためのシール（図示せ
ず）が形成されている。
【０１９５】図１に示すように、能動素子基板１１に
は、データ信号が供給されるデータ線２４と、基準電位
が供給される共通電極配線２６ａ、２６ｂ及び共通電極
２６と、表示すべき画素に対応する画素電極の他に、走
査用信号が供給される走査線２８と、薄膜トランジスタ
（Ｔｈｉｎ Ｆｉｌｍ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ：ＴＦ
Ｔ）３０と、を備えている。
【０１９６】薄膜トランジスタ３０は、ゲート電極３０
ｃ（図１７参照）と、ドレイン電極３０ａと、ソース電
極３０ｂとを備えており、走査線２８とデータ線２４と
の交点の近傍に各画素に対応して設けられている。ゲー
ト電極３０ｃは走査線２８に、ドレイン電極３０ａはデ
ータ線２４に、ソース電極３０ｂは画素電極２７にそれ
ぞれ電気的に接続されている。
【０１９７】共通電極２６及び画素電極２７は何れも櫛
歯形状をなしており、各電極の櫛歯は何れもデータ線２
４と平行に延びている。さらに、共通電極２６、画素電
極２７の櫛歯は相互に噛み合うように、かつ、共通電極
２６、画素電極２７の櫛歯が相互に隔置されるように、
配置されている。
【０１９８】また、図１に示すように、透明電極で形成
された共通電極２６は、共通電極用コンタクトホール３
９ａを介して、共通電極配線２６ｂに接続される。
【０１９９】図１６は図１の平面図において、共通電極
２６及び画素電極２７を形成する透明電極の層とそれ以
外の層を分けて示した平面図である。図１６から、デー
タ線２４を覆う共通電極２６とこれに隣接する画素電極
２７の間には、平面図上遮光膜は存在しないことが分か
る。
【０２００】また、図１７、図１８は本実施形態に係る
液晶表示装置１０のＴＦＴ素子部分、単位画素部分、単
位画素部分の共通電極用コンタクトホール部を一つの図
にまとめて示したものである。それぞれの部分は、図１
と基本的に同じ図である図２９のＡ−Ａ’線、Ｂ−Ｂ’
線、Ｃ−Ｃ’線における断面図として示されている。
【０２０１】図１７は第２の層間絶縁膜２５が第１の膜
２５ａと第２の膜２５ｂの積層構造の場合であり、図１
８は第２の層間絶縁膜２５が第１の膜２５ａのみの単層
構造の場合である。これらの効果については後述する
が、今後の説明は基本的には図１７に従って行う。第２
の層間絶縁膜が単層構造の場合は、第２の層間絶縁膜の
第１の膜は第２の層間絶縁膜の下の層、第２の層間絶縁
膜の第２の膜は第２の層間絶縁膜の上の層と置き換えて
考えることができる。
【０２０２】共通電極配線２６ｂ及び２６ａは、図１７
及び図１に示すように、第１の金属層で形成され、走査
線に平行な方向に延伸し、周辺部で共通電極電位に接続
されている。
【０２０３】また、透明電極で形成された画素電極２７
は、図１に示すように、画素電極用コンタクトホール３
９ｂを介して、第２の金属層で形成され、薄膜トランジ
スタ（ＴＦＴと呼ぶ）３０のソース電極３０ｂと一体で
形成された画素補助電極３５に接続されている。
【０２０４】横電界方式の本液晶表示装置１０において
は、走査線２８を介して供給される走査用信号により選
択され、かつ、データ線２４を介して供給されるデータ
信号が書き込まれた画素において、共通電極２６と画素
電極２７との間で、透明絶縁性基板１６、２２に平行な
電界を生じさせ、この電界に従って液晶分子の配向方向
を透明絶縁性基板１６、２２と平行な平面内において回
転させ、所定の表示が行われる。図１において、共通電
極２６と画素電極２７に囲まれた縦長の領域をコラムと
いう。本液晶表示装置１０においては、共通電極２６及
び画素電極２７は何れも透明材料であるＩＴＯでつくら
れている。
【０２０５】本液晶表示装置１０においては、図１６及
び図１７に示すように、第２の層間絶縁膜２５の下方
に、第１の層間絶縁膜２３の上に第２の金属層で形成し
たＴＦＴ３０のソース電極３０ｂと一体で形成された画
素補助電極３５を設けることができる。
【０２０６】画素補助電極３５は、図１６に示すよう
に、第１の金属層で形成された共通電極配線２６ｂの上
に、これとオーバーラップして蓄積容量を形成する第１
部分３５ａと、同様に第１の金属層で形成された共通電
極配線２６ａ上に、これとオーバーラップして蓄積容量
を形成する第２部分３５ｂと、データ線２４と平行に延
伸し、透明金属で形成された第２の層間絶縁膜２５上の
画素電極２７の下方に位置し、上記第１部分３５ａ及び
第２部分３５ｂとを接続する第３部分３５ｃとからな
り、全体として、「Ｉ」の形状をなしている。
【０２０７】画素補助電極の第１乃至第３部分３５ａ、
３５ｂ、３５ｃは第１の層間絶縁膜２３の上に、不透明
な第２の金属層によって形成される。図１７から分かる
ように、薄膜トランジスタ３０のドレイン電極３０ａと
ソース電極３０ｂも第２の金属層から形成され、ソース
電極３０ｂと画素補助電極３５は接続されている。
【０２０８】このように不透明金属からなる画素補助電
極３５を形成することにより、透過率は多少低下する
が、画素補助電極３５を相互に接続することにより、画
素の平面図上の上下両側に蓄積容量を形成することがで
きるため、蓄積容量を大きくとることができ、表示を安
定化することができる。なお、画素補助電極３５の形状
は図１６に示したものに限定されるものではなく、画素
電極２７の下方に位置している限り、いかなる形状をと
ることもできる。
【０２０９】図１６には示していないが、画素補助電極
３５と同様に、図１７の第１の層間絶縁膜２３上に第２
の金属層で共通補助電極を形成し、第１の金属層で形成
された共通電極配線２６ａ、２６ｂ及び共通電極２６と
接続することもできる。
【０２１０】図１７から分かるように、ＴＦＴ３０のゲ
ート電極３０ｃは第１の金属層から形成されている。こ
のように共通電極２６を相互に接続することにより、画
素の平面図上の上下両側に蓄積容量を形成することがで
きるため、蓄積容量を大きくとることができ、表示を安
定化することができる。
【０２１１】図１及び図２に示すように、共通電極２６
はデータ線２４より上側の層上に形成されており、か
つ、データ線２４が走査線２８と交差する領域及びその
近傍の領域を除いて、共通電極２６はデータ線２４を完
全に覆うように形成されている。
【０２１２】すなわち、図９に示すように、データ線２
４の幅をＬ（Ｄ）、共通電極２６の幅をＬ（ＣＯＭ）と
すると、 Ｌ（ＣＯＭ）＞Ｌ（Ｄ） であり、かつ、データ線２４の幅Ｌ（Ｄ）は共通電極２
６の幅Ｌ（ＣＯＭ）に包含される。図１において、デー
タ線２４が走査線２８と交差する領域及びその近傍の領
域は段差が大きいので、ショート防止のためにこの領域
では、共通電極２６はデータ線２４を覆っていない。
【０２１３】前述のように、データ線２４上のブラック
マトリクス層１７の幅は共通電極２６の幅よりも小さく
設定され、上方から見た場合の平面図上、データ線を覆
う共通電極２６とこれに隣接する位置にある画素電極２
７との間には、いかなる遮光膜も存在していない。ま
た、ブラックマトリクス層１７はデータ線２４よりも小
さい幅を有しており、その全領域においてデータ線２４
と重なり合っている。
【０２１４】すなわち、図１０に示すように、データ線
２４の幅をＬ（Ｄ）、ブラックマトリクス層１７の幅を
Ｌ（ＢＭ）とすると、 Ｌ（Ｄ）＞Ｌ（ＢＭ） であり、かつ、平面図上、ブラックマトリクス層１７の
幅Ｌ（ＢＭ）はデータ線２４の幅Ｌ（Ｄ）に包含され
る。
【０２１５】ブラックマトリクス層１７がデータ線２４
より小さい幅を有することにより、データ線２４を覆う
透明な共通電極２６のはみだし部分からの透過光を全て
利用することができ、パネル透過率をさらに向上させる
ことができる。
【０２１６】本実施形態におけるブラックマトリクス層
１７は６μｍの幅を有している。なお、ブラックマトリ
クス層１７の幅は６μｍに限定されるものではなく、６
μｍ以上の任意の幅を有することが望ましい。６μｍ未
満の場合、データ線２４からの反射が大きくなるため、
明るい使用環境では見えにくくなる。
【０２１７】なお、共通電極２６は本液晶表示装置１０
の端子を被覆する材料と同一材料から形成することがで
きる。すなわち、図１７に示す共通電極用コンタクトホ
ール３９ａのように端子を共通電極２６のＩＴＯと同じ
層で形成することができる。走査線端子、データ線端子
も同様に共通電極２６のＩＴＯと同じ層で形成すること
ができる。
【０２１８】これにより、共通電極２６は本液晶表示装
置１０の端子部と同じ工程で、かつ同じ材料で形成する
ことが可能となり、ひいては、共通電極２６の形成のた
めに工程数が増加することを防止することができる。
【０２１９】また、本液晶表示装置１０においては、平
面図において、共通電極２６がデータ線２４を完全に覆
っていない場合、データ線２４の電界を共通電極２６が
シールドできない。このため、この部分とこれに隣接す
る画素電極２７との間に電界が発生し、この部分で液晶
は誤動作する。すなわち、共通電極２６と画素電極２７
との間の電位差で決まらない動きを行い、縦クロストー
クの原因となる。
【０２２０】対向基板１２にブラックマトリクス層１７
があって、その幅が充分広い場合は、誤動作領域を観察
者に対して遮光すればよいが、対向基板１２のブラック
マトリクス層１７がデータ線２４を覆っていない場合
は、データ線２４の下方に共通電極２６に接続された遮
光層を設け、バックライトからの光を遮光することによ
って、誤動作領域を観察者に対して遮光することができ
る。この遮光層が共通電極２６に接続されていないと、
電位的に不安定となり、画素電極２７との間にＤＣ電界
を発生させてしまうか、もしくはクロストークなどの誤
動作の原因と成り得る。
【０２２１】具体的には、走査線２８を形成する第１の
金属層で共通電極２６ａに接続された遮光層を形成す
る。共通電極配線２６ａ、２６ｂはスルーホール３９ａ
によって共通電極２６と接続されているので、共通電極
配線２６ａ、２６ｂを遮光層にすることもできる。遮光
層としては、例えばクロム、チタン、モリブデン、タン
グステン、アルミなどの単層や、これらの金属の積層構
造を用いることができる。積層構造を用いることによ
り、さらに低抵抗化を図ることができる。
【０２２２】図１の平面図において、データ線２４が走
査線２８と交差する箇所、及びその近傍では、共通電極
２６はデータ線２４を覆っていない。従って、走査線２
８と交差する箇所のデータ線２４の電界を共通電極２６
はシールドできない。このため、この部分とこれに隣接
する画素電極２７との間に電界が発生し、この部分で液
晶は誤動作する。さらに、走査線２８の電界によっても
液晶は誤動作する。
【０２２３】しかし、共通電極配線２６ａ、２６ｂは走
査線２８と同じ第１の金属層のため、共通電極配線２６
ａ、２６ｂでこれらの誤動作領域を遮光することはでき
ない。
【０２２４】そこで、これらの誤動作領域はブラックマ
トリクス層１７によって遮光することが望ましい。
【０２２５】図４はこの例であり、太線で囲まれた領域
によって示されたブラックマトリクス層１７によって、
走査線２８及びその近傍、走査線２８と画素電極２７と
の間及びその近傍を覆うことによって、これらの領域を
遮光している。
【０２２６】本液晶表示装置１０における共通電極２６
は透明材料であるＩＴＯから形成される。これにより、
本液晶表示装置１０における透明領域が増大するので、
本液晶表示装置１０における開口率を高めることができ
る。
【０２２７】ＩＴＯ膜のシート抵抗は１００Ω／□程度
と大きいが、画素ごとで、共通電極配線２６ａまたは２
６ｂに接続し、ＩＴＯ層で形成した共通電極２６を、Ｉ
ＴＯ層でも横方向に接続することで、共通電極の配線全
体の抵抗を下げ、かつ冗長性を持たせる効果がある。
【０２２８】図２から分かるように、共通電極２６とデ
ータ線２４との間には、第２の層間絶縁膜２５が設けら
れている。この第２の層間絶縁膜２５の膜厚（ｄ）と誘
電率（ε）の比ｄ／εを十分大きくとることにより、デ
ータ線２４と共通電極２６との間の寄生容量を低減させ
ることができる。
【０２２９】さらに、縦クロストークの発生が抑制され
ることに伴い、データ線２４からの漏れ電界に起因して
発生する表示不良を防止するためのブラックマトリクス
層１７の形成は不要となる。従って、ブラックマトリク
ス層１７はコントラストの改善のためにのみ形成すれば
よいこととなり、ブラックマトリクス層１７の幅を短縮
することが可能である。ブラックマトリクス層１７の幅
を小さくすることに伴い、本液晶表示装置１０における
開口率を大きくすることができる。
【０２３０】また、本液晶表示装置１０においては、共
通電極２６と画素電極２７とは何れも第２の層間絶縁膜
２５上に形成されている。このように、共通電極２６と
画素電極２７とを同層上に形成することにより、共通電
極２６と画素電極２７とを同一工程において、かつ、同
一材料で形成することができるようになり、ひいては、
製造効率を向上させることができる。
【０２３１】上述のように、本液晶表示装置１０におい
ては、データ線２４をシールドしている共通電極２６は
ＩＴＯから構成されている。ＩＴＯを用いることによ
り、共通電極２６を他の金属から構成する場合と比較し
て、本液晶表示装置１０の信頼性を向上させることがで
きる。以下、その理由について説明する。
【０２３２】図６に示すように、第２の層間絶縁膜２５
上に、ＩＴＯ以外の金属からなる共通電極２６及び画素
電極２７が形成されており、共通電極２６及び画素電極
２７を覆って第２の層間絶縁膜２５上に厚さ５００乃至
１０００オングストロームの配向膜３１が形成されてい
るものとする。
【０２３３】仮に、配向膜３１にピンホール３２がある
と、このピンホール３２を介して、液晶層１３を構成す
る液晶材と共通電極２６及び画素電極２７を構成する金
属とが電気化学反応を起こし、共通電極２６及び画素電
極２７を構成する金属がイオン３３となって液晶層１３
中に溶出することがある。このような金属イオン３３の
液晶層１３中への溶出は液晶表示装置の表示ムラの原因
となる。
【０２３４】特に、液晶層１３が極性の強い液晶材から
なるものである場合には、金属イオン３３の液晶層１３
中への溶出が一層激しくなる。横電界方式の液晶表示装
置においては、大きな誘電率異方性Δεを有する材料を
用いる必要があるため、金属イオン３３の溶出は特に多
い。
【０２３５】このため、配向膜３１に接触して設けられ
る共通電極２６及び画素電極２７は液晶材との電気化学
反応に対して安定な物質、すなわち、液晶材との反応性
が低い物質であることが望まれる。
【０２３６】ＩＴＯは、ＴＮ（）やＳＴＮ（Ｓｕｐｅｒ
Ｔｗｉｓｔｅｄ Ｎｅｍａｔｉｃ）型の液晶表示装置
において透明電極として用いられていることからも明ら
かであるように、上記のような電気化学反応に対しては
極めて安定している物質である。このため、ＩＴＯから
なる共通電極２６及び画素電極２７は配向膜３１に直接
的に接した形で用いることができ、共通電極２６及び画
素電極２７をＩＴＯ以外の金属から構成する場合と比較
して、本液晶表示装置１０の信頼性を向上させることが
できる。
【０２３７】以下、本実施形態に係る液晶表示装置１０
についてさらに詳述し、または、本実施形態の変形例に
ついて説明する。
【０２３８】本液晶表示装置１０においては、ほとんど
の領域で共通電極２６はデータ線２４を完全に覆うよう
に形成されているが、共通電極２６はデータ線２４の両
側においてそれぞれ１．５μｍ以上の張り出し幅を有し
ていることが好ましい。
【０２３９】本発明の発明者は、データ線２４の側縁部
からの共通電極２６の張り出し幅Ｌｅ[μｍ]と、第２の
層間絶縁膜２５の膜厚ｄと、データ線２４の横を透過す
る透過光量との関係を求める実験を行った。
【０２４０】図７に、実験対象とした液晶表示装置の断
面を示す。本実験における条件は以下の通りである。
【０２４１】液晶の誘電率異方性Δε＝８ 液晶の屈折率Δｎ＝０．０６７ 液晶層１３の厚み＝４．５μｍ 共通電極２６の光透過率＝１００％（透明） データ線２４の光透過率＝０％（不透明） 共通電極２６と画素電極２７との間の距離＝１０μｍ 第２の層間絶縁膜２５の誘電率ε＝３ 第２の層間絶縁膜２５の膜厚ｄ＝０．５、１．０、２．
０μｍの３通り 以上の条件により、黒の背景に白のウインドウを表示さ
せる画面の黒表示を行ったときの、周囲の白表示に起因
するデータ線からの漏れ電界の影響による透過光量を図
８に示す。図８の透過光量は図７に示した一画素相当幅
の透過率を積分した値である。黒表示の透過率は本来
０．０であるが、データ線からの漏れ電界によりある値
を有している。図８に示すように、透過光量は、共通電
極２６のデータ線２４の側縁部からの張り出し幅Ｌｅ
[μｍ]が大きくなるに伴い、低下する。この傾向は第２
の層間絶縁膜２５の厚さｄにはほとんど依存していな
い。
【０２４２】一方、白表示のときの透過光量は、白の透
過率を一画素相当幅だけ積分して１２となる。データ線
２４の脇を通る光の最大許容透過光量は、白を表示した
ときの一画素の透過光量の１／１００以下にする必要が
ある。よって、図８において、透過光量を０．１２以下
にする必要がある。図８において、透過光量＝０．１２
のときの共通電極２６の張り出し幅は約１．５μｍであ
る。従って、データ線２４の側縁部からの共通電極２６
の張り出し幅Ｌｅ[μｍ]を１．５μｍに設定することに
より、データ線２４の脇を通る光の最大許容透過光量を
低く抑えることができる。
【０２４３】本実施形態においては、色層１８とは別個
にブラックマトリクス層１７を設けているが、図１１に
示すように、複数の色層１８を重ね合わせることによ
り、ブラックマトリクス層１７と同様の機能を有する層
を形成することができる。
【０２４４】図１１に示す例においては、赤色層１８ａ
と緑色層１８ｂと青色層１８ｃとが部分的に重なり合っ
て形成されており、これら３つの色層１８ａ、１８ｂ、
１８ｃが重なり合った領域はブラックマトリクス層１７
と同様に機能する。
【０２４５】このように、３つの色層１８ａ、１８ｂ、
１８ｃを三層重ね合わせることにより、ブラックマトリ
クス層１７を形成する必要がなくなる。赤、緑及び青の
各色層１８ａ、１８ｂ、１８ｃの重ね合わせは各色層の
パターンを変更することにより行うことができる。各色
層１８ａ、１８ｂ、１８ｃのパターン変更に要する労力
はブラックマトリクス層１７の形成に要する労力よりも
小さいので、全体としては、液晶表示装置１０の製造効
率を向上させることができる。
【０２４６】前述の例では、色層を３層重ね合わせるこ
とにより、ブラックマトリクス層を代用する方法につい
て述べたが、色層の重ね合わせは、任意の２つの色層の
重ね合わせによっても代用することが可能である。
【０２４７】本液晶表示装置においては、図１９に示す
ように、ラビングによって規定された液晶配向方向（ラ
ビング方向）と、画素電極２７（及びこれと等電位の画
素補助電極３５）と共通電極２６（及びこれと等電位の
共通電極配線２６ａ、２６ｂ）の間に印加される電界の
向きとの関係が、図１９の画素電極２７と共通電極２６
に囲まれた表示領域全体のすべての領域において、液晶
配向方向から時計回りに鋭角だけ回転させることで電界
の方向に重なるような関係となるように、各コラムのデ
ータ線方向の上下の両端を形成する画素補助電極３５及
び共通電極配線２６ａ、２６ｂの形状を、図１９のよう
に斜めのエッジをもつように形成することができる。
【０２４８】仮に、液晶配向方向から電界方向への鋭角
回転の向きが反時計回りとなる領域が存在すると、この
領域は、画素電極２７と共通電極２６との間の電界印加
により、目的とする液晶回転方向と逆方向の回転をする
ドメインを画素端に発生させてしまう。逆回転している
ドメインがあり、正常回転しているドメインと逆回転し
ているドメインとの境界に生じるディスクリネーション
が長時間固定して発生すると、これに伴って表示状態が
変化し、初期と同じ状態が得られなくなることがあり、
信頼性が低下する。
【０２４９】図１９の画素補助電極３５のように、画素
補助電極３５及び共通電極配線の形状を斜めのエッジを
もつように形成することにより、このような逆回転を防
止することができる。図１９の画素補助電極３５及び共
通電極配線２６ａ、２６ｂに斜めのエッジを持たせるこ
とにより液晶のツイスト方向を一方向に固定する構造を
逆回転防止構造３６と称する。
【０２５０】逆回転防止構造３６の層配置を図２０によ
って説明する。図２０（Ａ）の細かい斜線で示される層
は第１の金属層で、走査線２８、共通電極配線２６ａ、
２６ｂが第１の金属層に属する。荒い斜線で示される層
は第２の金属層で、データ線２４、画素補助電極３５が
第２の金属層に属する。
【０２５１】図２０（Ｂ）はＩＴＯで形成される層を示
し、共通電極２６、画素電極２７がこれに属する。図２
０（Ａ）に示す層及び図２０（Ｂ）に示す層を層間絶縁
膜を介して重ねることにより、図１９に示す逆回転防止
構造３６を形成することができる。
【０２５２】液晶分子の分子軸の逆回転を防止すること
により、本液晶表示装置１０の画質及び信頼性を向上さ
せることができる。例えば、本液晶表示装置１０を携帯
型パーソナルコンピュータその他の電子機器に適用した
場合、逆回転防止構造３６により、画質の劣化を防止す
ることができる。
【０２５３】逆回転防止構造３６の一例としては、特許
第２９７３９３４号（特開平１０−２６７６７号）に記
載されたものがある。
【０２５４】図２１に示すように、本液晶表示装置１０
においては、共通電極２６及び画素電極２７を覆って第
２の層間絶縁膜２５上に形成されるパッシベーション膜
３７をさらに設けることができる。配向膜３１はパッシ
ベーション膜３７上に形成される。
【０２５５】図２２に示すように、強電界が共通電極２
６及び画素電極２７に長時間印加されると、共通電極２
６、画素電極２７の対向するエッジにおいて、液晶分子
の配向異常が発生し、これに起因して、表示異常が発生
することがある。
【０２５６】これに対して、図２１に示すようなパッシ
ベーション膜３７を形成することにより、共通電極２
６、画素電極２７のエッジにおける強電界が緩和され、
液晶分子の配向異常ひいては表示異常の発生を防止する
ことができる。
【０２５７】本実施形態におけるコンタクトホール３９
（図２３参照）は正方形の形状を有しており、正方形の
一辺の長さは６μｍである。ただし、一辺の長さは６μ
ｍに限定されるものではなく、６μｍ以上であればよ
い。
【０２５８】また、正方形に限定されず、長方形であっ
てもよい。この場合、短辺の長さが６μｍ以上あればよ
い。
【０２５９】本発明者の実験では、コンタクトホールの
一辺又は短辺が６μｍ未満では接続がうまくできなかっ
た。
【０２６０】また、コンタクトホール３９の内壁を金属
膜で覆うことができる。図２３に示すように、コンタク
トホール３９はテーパ形状のホールとして形成されてお
り、共通電極配線２６ａまたは２６ｂに到達している。
コンタクトホール３９の最上位置におけるサイズが６×
６μmである。コンタクトホール３９（図２３）、３９
ａ、３９ｂ（図１７）の内壁は、金属膜２９で覆われて
おり、これを覆って共通電極２６に接続されるＩＴＯ４
６が配される（図１７参照）。
【０２６１】コンタクトホール３９の内壁を金属膜２９
で覆うことにより、透明金属で形成する共通電極２６と
共通電極配線２６ａまたは２６ｂとの間の抵抗を低減
し、表示の均一性を上げることができる。
【０２６２】本液晶表示装置１０における第２の層間絶
縁膜２５は、例えば、１乃至２μｍの膜厚を有する。ま
た、図１８に示すように、第２の層間絶縁膜２５は無機
膜または有機膜の何れかからなる単層膜として構成する
ことができる（図１８では第２の層間絶縁膜は第１の膜
のみから形成されている）。
【０２６３】あるいは、図１７に示すように、第２の層
間絶縁膜２５は、無機膜からなる第１の膜と、第１の膜
を覆って形成され、有機膜からなる第２の膜とからなる
積層膜構造とすることもできる。
【０２６４】有機膜の誘電率は無機膜の誘電率よりも低
いため、層間絶縁膜を無機膜単体で構成する場合と比較
して、このような積層膜構造とすることにより、層間絶
縁膜全体の誘電率を下げることができる。
【０２６５】また、層間絶縁膜として、有機膜単体で構
成すると、ＴＦＴの半導体層とこれを覆う有機膜との界
面状態が不安定となり、高温で駆動させた場合に、ＴＦ
Ｔのリーク電流が増大して、表示ムラを引き起こす可能
性がある。ＴＦＴの半導体層に接する第１の膜として、
窒化シリコン膜のような無機膜を用い、この上に有機膜
を積層することにより、無機膜と半導体層との間に安定
な界面が形成され、上述のような不具合を抑止すること
ができる。
【０２６６】無機膜及び有機膜の使用例を表１に示す。
【０２６７】
【表１】
【０２６８】表１に示すように、第２の層間絶縁膜２５
を無機膜単層とする場合には、無機膜としては、窒化シ
リコン（ＳｉＮｘ）膜、無機ポリシラザン膜、窒化シリ
コン膜と酸化シリコン膜との積層膜及び窒化シリコン膜
と無機ポリシラザン膜との積層膜の何れかを選択するこ
とができる。
【０２６９】また、第２の層間絶縁膜２５を有機膜単層
とする場合には、有機膜としては、ベンゾシクロブテン
（ＢＣＢ）膜、有機ポリシラザン膜またはシロキサン膜
の何れかを選択することができる。
【０２７０】さらに、第２の層間絶縁膜２５を第１の膜
と第２との膜からなる積層膜構造とする場合には、第１
の膜を窒化シリコン膜、第２の膜を感光性アクリル樹脂
膜または感光性ポリイミド樹脂膜の何れかとすることが
できる。
【０２７１】なお、表１においては、第２の層間絶縁膜
２５を積層膜構造とする場合における無機膜の膜厚は
０．１５μｍとしてあるが、無機膜の膜厚は必ずしもこ
れには限定されない。無機膜厚の好ましい範囲は約０．
１乃至約１．０μｍである。
【０２７２】さらに、この無機膜厚を０．２５μｍ以上
とすることにより、第２の膜としての有機膜にピンホー
ルが発生し、このピンホールがデータ線２４とこれを覆
う透明電極とで形成された共通電極２６との間に生じた
場合でも、第１の膜としての無機膜単独での耐圧が十分
に高いため、パネル作成時もしくは表示中におけるデー
タ線２４とこれを覆う共通電極２６との間の層間膜の絶
縁破壊に起因する短絡を防ぐことができ、これに伴なう
データ線の線欠陥を飛躍的に低減することができた。
【０２７３】さらに、表１に示した各膜の膜厚の値はあ
くまでも例示であり、表１に示した値に限定されるもの
ではない。
【０２７４】本実施形態に係る液晶表示装置１０におい
ては、第２の層間絶縁膜２５上に形成する共通電極２６
は、図５に示すように走査線２８及び走査線２８と共通
電極配線２６ａ、２６ｂとの間の領域も覆うように形成
することができる。共通電極２６をこのように形成する
ことにより、走査線２８からの漏れ電界を遮断すること
ができるので、画素電極２７と共通電極２６との間の電
界により制御できる有効な表示領域が拡大し、開口率を
向上させることでができる。
【０２７５】同様に、共通電極２６は、ＴＦＴ３０のチ
ャネル領域を覆うように形成することができる。共通電
極２６をこのように形成することにより、ＴＦＴ３０に
外部から侵入する電界を遮断することができるので、Ｔ
ＦＴ特性の安定性が向上し、表示の信頼性が向上する。
【０２７６】図２５に示すように、共通電極配線２６ａ
は、各単位画素の平面図において、下側に形成すること
ができる。すなわち、平面図において、共通電極配線２
６ａは走査線２８の上側に隣接して配置することができ
る。
【０２７７】共通電極２６は透明材料からなるため、共
通電極２６が占める領域の分だけ透明領域が増えること
になり、本液晶表示装置１０の開口率の向上を図ること
ができる。
【０２７８】また、図２６に示すように、共通電極配線
２６ａを各単位素子の平面図において下側に、共通電極
配線２６ｂを上側に形成することもできる。共通電極配
線２６ａ、２６ｂを各単位素子のそれぞれ下側、上側に
形成することにより、上下何れか一方にのみ共通電極配
線を形成する場合と比較して、蓄積容量を大きくするこ
とができる。
【０２７９】本液晶表示装置１０のように、ＴＦＴ３０
を各単位画素の平面図の下側に配置した場合において
は、図２７に示すように、例えば、画素電極２７とドレ
イン電極３０ａを形成しているドレイン層とは各単位素
子の平面図上の下側においてコンタクトホール３９ｂを
介して接続させ、共通電極２６と共通電極配線２６ｂと
は、各単位素子の平面図上の上側において、コンタクト
ホール３９ａを介して接続させることができる。
【０２８０】あるいは、本液晶表示装置１０とは逆に、
薄膜トランジスタ３０を各単位画素の平面図上の上側に
配置した場合においては、図２８に示すように、例え
ば、画素電極２７とドレイン電極３０ａを形成している
ドレイン層とは各単位素子の平面図上の上側においてコ
ンタクトホール３９ｂを介して接続させ、共通電極２６
と共通電極配線２６ａとは、各単位素子の平面図上の下
側において、コンタクトホール３９ａを介して接続させ
ることができる。
【０２８１】このように共通電極２６を、各単位画素ご
とにコンタクトホール３９ａ又は３９ｂを介して共通電
極配線２６ａまたは２６ｂに接続することにより、共通
電極２６の配線全体の低抵抗化を図ることができる。
【０２８２】次いで、本実施形態に係る液晶表示装置１
０の製造方法として３つの例を以下に挙げる。第１の例
は、第２の層間絶縁膜２５を無機膜と有機膜との積層構
造として形成した場合の液晶表示装置１０の製造方法で
あり（図３０から図３２）、第２の例は、第２の層間絶
縁膜２５を有機膜として形成した場合の液晶表示装置１
０の製造方法であり（図３３から図３５）、第３の例
は、第２の層間絶縁膜２５を無機膜として形成した場合
の液晶表示装置１０の製造方法である（図３６から図３
８）。
【０２８３】図３０乃至図３８においては、ＴＦＴ素子
部分、単位画素部分及び共通電極用コンタクトホール部
のそれぞれの形成領域を一つの図にまとめて示すことと
する。それぞれの領域は図２９のＡ−Ａ’線、Ｂ−Ｂ’
線、Ｃ−Ｃ’線における断面図として示されている。 （第１の実施例）第１の実施例として、第２の層間絶縁
膜２５を無機膜と有機膜との積層構造として形成した場
合の液晶表示装置１０の製造方法を図３０乃至図３２に
示す。
【０２８４】先ず、図３０（Ａ）に示すように、透明絶
縁性基板２２としてのガラス基板上に第１の金属層とし
てクロム層からなるゲート電極３０ｃ及び共通電極配線
２６ａ、２６ｂをフォトリソグラフィー及びドライエッ
チングによりパターニングし、形成する。図３０乃至図
３８の断面図には共通電極配線２６ｂのみ示されている
が、製造工程としては共通電極配線２６ａも含むため、
以下の説明には２６ａも含めることにする。
【０２８５】次いで、図３０（Ｂ）に示すように、ゲー
ト電極３０ｃ及び共通電極配線２６ａ、２６ｂを覆っ
て、透明絶縁性基板２２上に酸化シリコン膜（ＳｉＯ
2）と窒化シリコン膜（ＳｉＮｘ）との積層膜から成る
第１の層間絶縁膜２３を一面に形成する。
【０２８６】次いで、図３０（Ｃ）に示すように、ａ−
Ｓｉ膜３２とｎ+ａ−Ｓｉ膜３３の積層膜から成る非晶
質シリコン膜を第１の層間絶縁膜２３の上に一面に形成
する。
【０２８７】次いで、図３０（Ｄ）に示すように、非晶
質シリコン膜３２，３３をフォトリソグラフィー及びド
ライエッチングにより薄膜トランジスタの島状半導体層
となるようにパターニングする。
【０２８８】次いで、第２の金属層としてクロム層を一
面に堆積させ、このクロム層をフォトリソグラフィー及
びドライエッチングによりパターニングし、図３０
（Ｅ）に示すように、第２の金属層でＴＦＴ３０のドレ
イン電極３０ａ、ソース電極３０ｂ、データ線２４、画
素補助電極３５を形成する。
【０２８９】次いで、図３０（Ｆ）に示すように、ドレ
イン電極３０ａとソース電極３０ｂとの間の開口部にお
いて、非晶質シリコン膜の途中まで、ｎ+型ａ−Ｓｉ膜
３３及びａ−Ｓｉ膜３２をドレイン電極３０ａ及びソー
ス電極３０ｂをマスクとしてエッチングし、ＴＦＴ３０
のチャネルを形成する。
【０２９０】次いで、図３１（Ｇ）に示すように、無機
膜としての窒化シリコン膜から成る第２の層間絶縁膜２
５の第１の膜２５ａを全面に堆積させる。
【０２９１】次いで、図３１（Ｈ）に示すように、窒化
シリコン膜から成る第２の層間絶縁膜２５の第１の膜２
５ａの上に有機膜としての感光性アクリル樹脂膜から成
る第２の層間絶縁膜２５の第２の膜２５ｂを堆積させ
る。
【０２９２】次いで、図３１（Ｉ）に示すように、第２
の層間絶縁膜の第２の膜２５ｂの感光性アクリル樹脂膜
を露光、現像、焼成し、ソース電極３０ｂの上方におい
て、第１の層間絶縁膜２３の窒化シリコン膜に到達する
画素電極用コンタクトホール３９ｂを形成し、同時に、
共通電極配線２６ｂの上方において、第１の層間絶縁膜
２３の窒化シリコン膜に到達する共通電極用コンタクト
ホール３９ａを形成する。
【０２９３】次いで、図３２（Ｊ）に示すように、画素
電極用コンタクトホール３９ｂ、共通電極用コンタクト
ホール３９ａを介して、露出している第２の層間絶縁膜
２５の第１の膜２５ａの窒化シリコン膜をエッチング
し、共通電極用コンタクトホール３９ａの場合には、さ
らに酸化シリコン膜（ＳｉＯ2）と窒化シリコン膜（Ｓ
ｉＮｘ）との積層膜から成る第１の層間絶縁膜２３をエ
ッチングし、画素電極用コンタクトホール３９ｂ、共通
電極用コンタクトホール３９ａをそれぞれソース電極３
０ｂ、共通電極配線２６ａもしくは２６ｂに到達させ
る。
【０２９４】次いで、ＩＴＯ４６を全面に堆積させ、各
コンタクトホール３９ａ、３９ｂの内壁をＩＴＯ４６で
覆うとともに、図３２（Ｋ）に示すように、フォトリソ
グラフィー及びエッチングにより、単位素子の形成領域
内において、ＩＴＯ４６からなる共通電極２６及び画素
電極２７を形成する。 （第２の実施例）第２の例として、第２の層間絶縁膜２
５を有機膜のみとして形成した場合の液晶表示装置１０
の製造方法を図３３乃至図３５に示す。
【０２９５】先ず、図３３（Ａ）に示すように、透明絶
縁性基板２２としてのガラス基板上に第１の金属層とし
てクロム層からなるゲート電極３０ｃ及び共通電極配線
２６ａ、２６ｂをフォトリソグラフィー及びドライエッ
チングによりパターニングし、形成する。
【０２９６】次いで、図３３（Ｂ）に示すように、ゲー
ト電極３０ｃ及び共通電極配線２６ａ、２６ｂを覆っ
て、透明絶縁性基板２２上に酸化シリコン膜（Ｓｉ
Ｏ2）と窒化シリコン膜（ＳｉＮｘ）との積層膜から成
る第１の層間絶縁膜２３を一面に形成する。
【０２９７】次いで、図３３（Ｃ）に示すように、ａ−
Ｓｉ膜３２とｎ+ａ−Ｓｉ膜３３の積層膜から成る非晶
質シリコン膜を第１の層間絶縁膜２３の上に一面に形成
する。
【０２９８】次いで、図３３（Ｄ）に示すように、非晶
質シリコン膜をフォトリソグラフィー及びドライエッチ
ングにより薄膜トランジスタの島状半導体層となるよう
にパターニングする。
【０２９９】次いで、第２の金属層としてクロム層を一
面に堆積させ、このクロム層をフォトリソグラフィー及
びドライエッチングによりパターニングし、図３３
（Ｅ）に示すように、第２の金属層でＴＦＴ３０のドレ
イン電極３０ａ、ソース電極３０ｂ、データ線２４、画
素補助電極３５を形成する。
【０３００】次いで、図３３（Ｆ）に示すように、ドレ
イン電極３０ａとソース電極３０ｂとの間の開口部にお
いて、非晶質シリコン膜の途中まで、ｎ+型ａ−Ｓｉ膜
３３及びａ−Ｓｉ膜３２をドレイン電極３０ａ及びソー
ス電極３０ｂをマスクとしてエッチングし、ＴＦＴ３０
のチャネルを形成する。
【０３０１】次いで、図３４（Ｇ）に示すように、有機
膜としての感光性アクリル樹脂膜から成る第２の層間絶
縁膜２５を全面に堆積させる。
【０３０２】次いで、図３４（Ｈ）に示すように、感光
性アクリル樹脂膜から成る第２の層間絶縁膜２５を露
光、現像し、ソース電極３０ｂに到達する画素電極用コ
ンタクトホール３９ｂと、共通電極配線２６ａもしくは
２６ｂの上方において、第１の層間絶縁膜２３に到達す
る共通電極用コンタクトホール３９ａとを形成する。
【０３０３】次いで、共通電極用コンタクトホール３９
ａを介して露出している第１の層間絶縁膜２３をエッチ
ングし、共通電極用コンタクトホール３９ａを共通電極
配線２６ａもしくは２６ｂに到達させる。
【０３０４】次いで、図３５に示すように、ＩＴＯ４６
を全面に堆積させ、各コンタクトホール３９ａ、３９ｂ
の内壁をＩＴＯ４６で覆うとともに、フォトリソグラフ
ィー及びエッチングにより、ＩＴＯ４６からなる共通電
極２６及び画素電極２７を形成する。 （第３の実施例）第３の例として、第２の層間絶縁膜２
５を無機膜として形成した場合の液晶表示装置１０の製
造方法を図３６乃至図３８に示す。
【０３０５】先ず、図３６（Ａ）に示すように、透明絶
縁性基板２２としてのガラス基板上に第１の金属層とし
てクロム層からなるゲート電極３０ｃ及び共通電極配線
２６ａ、２６ｂをフォトリソグラフィー及びドライエッ
チングによりパターニングし、形成する。
【０３０６】次いで、図３６（Ｂ）に示すように、ゲー
ト電極３０ｃ及び共通電極配線２６ａ、２６ｂを覆っ
て、透明絶縁性基板２２上に酸化シリコン膜（Ｓｉ
Ｏ2）と窒化シリコン膜（ＳｉＮｘ）との積層膜から成
る第１の層間絶縁膜２３を一面に形成する。
【０３０７】次いで、図３６（Ｃ）に示すように、ａ−
Ｓｉ膜３２とｎ+ａ−Ｓｉ膜３３の積層膜から成る非晶
質シリコン膜を第１の層間絶縁膜２３の上に一面に形成
する。
【０３０８】次いで、図３６（Ｄ）に示すように、非晶
質シリコン膜をフォトリソグラフィー及びドライエッチ
ングにより薄膜トランジスタの島状半導体層となるよう
にパターニングする。
【０３０９】次いで、第２の金属層としてクロム層を一
面に堆積させ、このクロム層をフォトリソグラフィー及
びドライエッチングによりパターニングし、図３６
（Ｅ）に示すように、第２の金属層でＴＦＴ３０のドレ
イン電極３０ａ、ソース電極３０ｂ、及びデータ線２
４、画素補助電極３５を形成する。
【０３１０】次いで、図３６（Ｆ）に示すように、ドレ
イン電極３０ａとソース電極３０ｂとの間の開口部にお
いて、非晶質シリコン膜の途中まで、ｎ+型ａ−Ｓｉ膜
３３及びａ−Ｓｉ膜３２をドレイン電極３０ａ及びソー
ス電極３０ｂをマスクとしてエッチングし、ＴＦＴ３０
のチャネルを形成する。
【０３１１】次いで、図３７（Ｇ）に示すように、無機
膜としての窒化シリコン膜からなる第２の層間絶縁膜２
５を全面に堆積させる。
【０３１２】次いで、図３７（Ｈ）に示すように、フォ
トリソグラフィーにより、共通電極用コンタクトホール
３９ａおよび画素電極用コンタクトホール３９ｂが形成
されるように窒化シリコン膜から成る第２の層間絶縁膜
２５をエッチングし、さらに共通電極用コンタクトホー
ル３９ａにおいては、酸化シリコン膜（ＳｉＯ2）と窒
化シリコン膜（ＳｉＮｘ）との積層膜から成る第１の層
間絶縁膜２３をエッチングすることにより、ソース電極
３０ｂに到達する画素電極用コンタクトホール３９ｂ
と、共通電極配線２６ａ、２６ｂに到達する共通電極用
コンタクトホール３９ａとを形成する。
【０３１３】次いで、図３８に示すように、ＩＴＯ４６
を全面に堆積させ、各コンタクトホール３９ａ、３９ｂ
の内壁をＩＴＯ４６で覆うとともに、フォトリソグラフ
ィー及びエッチングにより、ＩＴＯ４６からなる共通電
極２６及び画素電極２７を形成する。
【０３１４】上述の３通りの製造方法を経ることによっ
て、周辺部では、以下に示すように、走査線端子部、デ
ータ線端子部及び共通電極配線端子部が形成される。以
下にその過程を述べる。
【０３１５】図３９に、本液晶表示装置１０における走
査線２８、データ線２４、共通電極配線２６ａ、２６ｂ
の配置、また、図４０に、本液晶表示装置１０における
走査線端子部４１ｃ、データ線端子部４１ｄ、共通電極
配線端子部４１ｅの位置関係を示す。これは、図２６に
示したように、共通電極配線２６ａ、２６ｂを各画素素
子の上下両側に形成した場合の実施例である。
【０３１６】図３９の平面図上において、各単位画素の
下側に横方向に走査線２８が延び、これと平行して各単
位画素の走査線２８のすぐ上に共通電極配線２６ａが、
各単位画素の上側に共通電極配線２６ｂが延びている。
これらの配線は第１の金属層で形成されている。平面図
上で、走査線２８及び共通電極配線２６ａ、２６ｂに直
交して、各単位画素の境界近傍にデータ線２４が延びて
いる。データ線２４は第２の金属層で形成されている。
各共通電極配線２６ａ、２６ｂは画素がマトリクス状に
並列された画素領域の外側で互いに接続されている。
【０３１７】図４０に示すように、共通電極配線端子部
４１ｅ、走査線端子部４１ｃは画素領域の左の外側に、
データ線端子部４１ｄは画素領域の上の外側に配置され
ている。共通電極配線端子部４１ｅ、走査線端子部４１
ｃ及びデータ線端子部４１ｄには、それぞれコンタクト
ホール３９ｅ、３９ｃ、３９ｄが形成されており、これ
らのコンタクトホール３９ｅ、３９ｃ、３９ｄはＩＴＯ
被覆部３８ｅ、３８ｃ、３８ｄにより被覆されている。
【０３１８】以下に説明する３つの例のうち、第１の例
は、第２の層間絶縁膜２５を無機膜と有機膜との積層構
造として形成した場合の液晶表示装置１０の製造方法で
あり（図４１及び図４２）、第２の例は、第２の層間絶
縁膜２５を有機膜として形成した場合の液晶表示装置１
０の製造方法であり（図４３及び図４４）、第３の例
は、第２の層間絶縁膜２５を無機膜として形成した場合
の液晶表示装置１０の製造方法である（図４５及び図４
６）。
【０３１９】図４１乃至図４６においては、共通電極配
線端子部４１ｅ、走査線端子部４１ｃ及びデータ線端子
部４１ｄを一つの図にまとめて示すこととする。共通電
極配線端子部４１ｅ及び走査線端子部４１ｃは図４０の
Ｄ−Ｄ’線、データ線端子部４１ｄは図４０のＥ−Ｅ’
線における断面図として示されている。 （第１の実施例）第１の例として、第２の層間絶縁膜２
５を無機膜と有機膜との積層構造として形成した場合の
液晶表示装置１０の製造方法を図４１及び図４２に示
す。
【０３２０】先ず、図４１（Ａ）に示すように、共通電
極配線端子部４１ｅ及び走査線端子部４１ｃにおいて、
透明絶縁性基板２２としてのガラス基板上にクロム層か
らなる共通電極配線２６ａ、２６ｂ及び走査線２８をフ
ォトリソグラフィー及びドライエッチングによりパター
ニングし、形成する。これが第１の金属層である。
【０３２１】なお、図４１乃至図４６の断面図には共通
電極配線２６ｂのみ示されているが、製造工程としては
共通電極配線２６ａも含むため、以下の説明には２６ａ
も含めることにする。
【０３２２】次いで、図４１（Ｂ）に示すように、共通
電極配線２６ａ、２６ｂ及び走査線２８を覆って、透明
絶縁性基板２２上に窒化シリコン膜（ＳｉＮｘ）と酸化
シリコン膜（ＳｉＯ2）との積層膜から成る第１の層間
絶縁膜２３を一面に形成する。
【０３２３】次いで、図４１（Ｃ）に示すように、ａ−
Ｓｉ膜３２を第１の層間絶縁膜２３上に一面に形成す
る。
【０３２４】次いで、図４１（Ｄ）に示すように、ｎ+
ａ−Ｓｉ膜３３をａ−Ｓｉ膜３２上に一面に形成する。
【０３２５】次いで、ａ−Ｓｉ膜３２及びｎ+ａ−Ｓｉ
膜３３をアイランド形状にパターニングした後（例え
ば、図３０（Ｄ）参照）、クロム層をアイランド形状の
ａ−Ｓｉ膜３２及びｎ+ａ−Ｓｉ膜３３を覆って、透明
絶縁性基板２２上に形成する。
【０３２６】次いで、図４１（Ｅ）に示すように、クロ
ム層をフォトリソグラフィー及びドライエッチングによ
りパターニングし、データ線端子部４１ｄにおいて、デ
ータ線２４を形成する。これが第２の金属層である。
【０３２７】次いで、図４１（Ｆ）に示すように、無機
膜としての窒化シリコン膜から成る第２の層間絶縁膜２
５の第１の膜２５ａをデータ線２４を覆って第１の層間
絶縁膜２３の上に堆積させる。
【０３２８】次いで、図４２（Ｇ）に示すように、窒化
シリコン膜から成る第２の層間絶縁膜２５の第１の膜２
５ａの上に有機膜としての感光性アクリル樹脂膜から成
る第２の層間絶縁膜２５の第２の膜２５ｂを堆積させ
る。
【０３２９】次いで、図４２（Ｈ）に示すように、感光
性アクリル樹脂膜から成る第２の層間絶縁膜２５の第２
の膜２５ｂをエッチングし、共通電極配線端子部４１ｅ
及び走査線端子部４１ｃにおいては、共通電極配線２６
ｂ及び走査線２８の上方において、窒化シリコン膜から
成る第２の層間絶縁膜２５の第１の膜２５ａに達するコ
ンタクトホール３９ｅ、３９ｃを形成し、データ線端子
部４１ｄにおいては、データ線２４の上方において、窒
化シリコン膜から成る第２の層間絶縁膜２５の第１の膜
２５ａに達するコンタクトホール３９ｄを形成する。
【０３３０】次いで、図４２（Ｉ）に示すように、コン
タクトホール３９ｅ、３９ｃ、３９ｄを介して露出して
いる窒化シリコン膜から成る第２の層間絶縁膜２５の第
１の膜２５ａ及び第１の層間絶縁膜２３をエッチング
し、共通電極配線端子用コンタクトホール３９ｅを共通
電極配線２６ｂに、走査線端子用コンタクトホール３９
ｃを走査線２８に、データ線端子用コンタクトホール３
９ｄをデータ線２４にそれぞれ到達させる。
【０３３１】次いで、図４２（Ｊ）に示すように、ＩＴ
Ｏ４６を全面に堆積させ、各コンタクトホール３９ｅ、
３９ｃ、３９ｄの内壁をＩＴＯ４６で覆う。ＩＴＯ４６
は各コンタクトホール３９ｅ、３９ｃ、３９ｄの底部に
おいて、共通電極配線２６ｂ、走査線２８及びデータ線
端子２４に接する。 （第２の実施例）第２の例として、第２の層間絶縁膜２
５を有機膜として形成した場合の液晶表示装置１０の製
造方法を図４３及び図４４に示す。
【０３３２】先ず、図４３（Ａ）に示すように、共通電
極配線端子部４１ｅ及び走査線端子部４１ｃにおいて、
透明絶縁性基板２２としてのガラス基板上にクロム層か
らなる共通電極配線２６ａ、２６ｂ及び走査線２８をフ
ォトリソグラフィー及びドライエッチングによりパター
ニングし、形成する。これが第１の金属層である。
【０３３３】次いで、図４３（Ｂ）に示すように、共通
電極配線２６ａ、２６ｂ及び走査線２８を覆って、透明
絶縁性基板２２上に窒化シリコン膜（ＳｉＮｘ）と酸化
シリコン膜（ＳｉＯ2）との積層膜から成る第１の層間
絶縁膜２３を一面に形成する。
【０３３４】次いで、図４３（Ｃ）に示すように、ａ−
Ｓｉ膜３２を第１の層間絶縁膜２３上に一面に形成す
る。
【０３３５】次いで、図４３（Ｄ）に示すように、ｎ+
ａ−Ｓｉ膜３３をａ−Ｓｉ膜３２上に一面に形成する。
【０３３６】次いで、ａ−Ｓｉ膜３２及びｎ+ａ−Ｓｉ
膜３３をアイランド形状にパターニングした後（例え
ば、図３０（Ｄ）参照）、クロム層をアイランド形状の
ａ−Ｓｉ膜３２及びｎ+ａ−Ｓｉ膜３３を覆って、透明
絶縁性基板２２上に形成する。
【０３３７】次いで、図４３（Ｅ）に示すように、クロ
ム層をフォトリソグラフィー及びドライエッチングによ
りパターニングし、データ線端子部４１ｄにおいて、デ
ータ線２４を形成する。これが第２の金属層である。
【０３３８】次いで、図４４（Ｆ）に示すように、デー
タ線２４を覆って、透明絶縁性基板２２上に有機膜とし
ての感光性アクリル樹脂膜から成る第２の層間絶縁膜２
５を堆積させる。
【０３３９】次いで、図４４（Ｇ）に示すように、感光
性アクリル樹脂膜から成る第２の層間絶縁膜２５をエッ
チングし、共通電極配線端子部４１ｅ及び走査線端子部
４１ｃにおいては、共通電極配線２６ａ、２６ｂ及び走
査線２８の上方において、第１の層間絶縁膜２３に達す
る共通電極配線端子用コンタクトホール３９ｅ、走査線
端子用コンタクトホール３９ｃを形成し、データ線端子
部４１ｄにおいては、データ線２４に達するデータ線端
子用コンタクトホール３９ｄを形成する。
【０３４０】次いで、図４４（Ｈ）に示すように、共通
電極配線端子用コンタクトホール３９ｅ、走査線端子用
コンタクトホール３９ｃを介して露出している積層膜か
らなる第１の層間絶縁膜２３をエッチングし、共通電極
配線端子用コンタクトホール３９ｅを共通電極配線２６
ａ、２６ｂに、走査線端子用コンタクトホール３９ｃを
走査線２８にそれぞれ到達させる。
【０３４１】次いで、図４４（Ｉ）に示すように、ＩＴ
Ｏ４６を全面に堆積させ、各コンタクトホール３９ｅ、
３９ｃ、３９ｄの内壁をＩＴＯ４６で覆う。ＩＴＯ４６
は各コンタクトホール３９ｅ、３９ｃ、３９ｄの底部に
おいてそれぞれ共通電極配線２６ａ、２６ｂ、走査線２
８、データ線２４に接する。 （第３の実施例）第３の例として、第２の層間絶縁膜２
５を無機膜として形成した場合の液晶表示装置１０の製
造方法を図４５及び図４６に示す。
【０３４２】先ず、図４５（Ａ）に示すように、共通電
極配線端子部４１ｅ及び走査線端子部４１ｃにおいて、
透明絶縁性基板２２としてのガラス基板上にクロム層か
らなる共通電極配線２６ａ、２６ｂ及び走査線２８をフ
ォトリソグラフィー及びドライエッチングによりパター
ニングし、形成する。これが第１の金属層である。
【０３４３】次いで、図４５（Ｂ）に示すように、共通
電極配線２６ａ、２６ｂ及び走査線２８を覆って、透明
絶縁性基板２２上に窒化シリコン膜（ＳｉＮｘ）と酸化
シリコン膜（ＳｉＯ2）との積層膜から成る第１の層間
絶縁膜２３を一面に形成する。
【０３４４】次いで、図４５（Ｃ）に示すように、ａ−
Ｓｉ膜３２を第１の層間絶縁膜２３上に一面に形成す
る。
【０３４５】次いで、図４５（Ｄ）に示すように、ｎ+
ａ−Ｓｉ膜３３をａ−Ｓｉ膜３２上に一面に形成する。
【０３４６】次いで、ａ−Ｓｉ膜３２及びｎ+ａ−Ｓｉ
膜３３をアイランド形状にパターニングした後（例え
ば、図３０（Ｄ）参照）、クロム層でアイランド形状の
ａ−Ｓｉ膜３２及びｎ+ａ−Ｓｉ膜３３を覆って、透明
絶縁性基板２２上に形成する。
【０３４７】次いで、図４５（Ｅ）に示すように、クロ
ム層をフォトリソグラフィー及びドライエッチングによ
りパターニングし、データ線端子部４１ｄにおいて、デ
ータ線２４を形成する。これが第２の金属層である。
【０３４８】次いで、図４６（Ｆ）に示すように、デー
タ線２４を覆って、第１の層間絶縁膜２３上に無機膜と
しての窒化シリコン膜から成る第２の層間絶縁膜２５を
堆積させる。
【０３４９】次いで、図４６（Ｇ）に示すように、窒化
シリコン膜から成る第２の層間絶縁膜２５をエッチング
し、共通電極配線端子部４１ｅ及び走査線端子部４１ｃ
においては、共通電極配線２６ａ、２６ｂ及び走査線２
８の上方において、第１の層間絶縁膜２３に達する共通
電極配線端子用コンタクトホール３９ｅ、走査線端子用
コンタクトホール３９ｃを形成し、データ線端子部４１
ｄにおいては、データ線２４に達するデータ線端子用コ
ンタクトホール３９ｄを形成する。次いで、コンタクト
ホール３９ｅ、３９ｃを介して露出している積層膜から
なる第１の層間絶縁膜２３をエッチングし、共通電極配
線端子用コンタクトホール３９ｅを共通電極配線２６
ａ、２６ｂに、走査線端子用コンタクトホール３９ｃを
走査線２８にそれぞれ到達させる。
【０３５０】次いで、図４６（Ｈ）に示すように、ＩＴ
Ｏ４６を全面に堆積させ、各コンタクトホール３９ｅ、
３９ｃ、３９ｄの内壁をＩＴＯ４６で覆う。ＩＴＯ４６
は各コンタクトホール３９ｅ、３９ｃ、３９ｄの底部に
おいてそれぞれ共通電極配線２６ａ、２６ｂ、走査線２
８及びデータ線２４に接する。 （本発明の第２の実施形態）図１２及び図１３に本発明
の第２の実施形態に係る横電界方式のアクティブマトリ
クス型液晶表示装置を示す。図１２は、本実施形態に係
る液晶表示装置８０の平面図、図１３は、図１２のＡ−
Ａ’線における断面図である。
【０３５１】図１及び図２に示す本発明の第１の実施形
態との相違は、画素電極２７が第２の層間絶縁膜の第２
の膜２５ｂの上には形成されておらず、第１の層間絶縁
膜２３の上に第２の金属層で形成されている点である。
【０３５２】画素電極２７は第２の金属層によって形成
されているため、開口率は第１の実施形態に比べ低下す
るが、共通電極２６と異なる層で形成されるため、画素
電極２７と共通電極２６がショートすることがなくな
り、生産性が向上する。 （本発明の第３の実施形態）図１４及び図１５に本発明
の第３の実施形態にかかる横電界方式のアクティブマト
リクス型液晶表示装置を示す。図１４は、本実施形態に
かかる液晶表示装置８５の平面図、図１５は、図１４の
Ａ−Ａ’線における断面図である。
【０３５３】図１５に示すように、本液晶表示装置８５
においては、第２の層間絶縁膜の第１の膜２５ａは単位
画素領域全面にわたって形成されているが、第２の層間
絶縁膜の第２の膜２５ｂは共通電極２６の下方において
のみ形成されている。
【０３５４】単位画素の表示領域において、共通電極２
６はデータ線２４を覆うように形成された透明金属から
成る部分以外の領域では、ゲート電極が形成されている
第１の金属層によって形成されている。
【０３５５】これにより、第２の層間絶縁膜の第２の膜
２５ｂを必要以上に大きな領域において形成する必要が
なくなり、共通電極２６とデータ線２４との間の寄生容
量の増加を防止することができる。画素電極２７はデー
タ線２４とともに第１の層間絶縁膜２３の上に形成する
ことができる。
【０３５６】共通電極２６は、第２の層間絶縁膜の第２
の膜２５ｂ上に形成された透明金属から成る部分以外の
領域では、第１の金属層によって形成されているため、
開口率は第１の実施形態に比べ低下するが、画素電極２
７と異なる層で形成されるため、画素電極２７とショー
トすることがなくなり、生産性が向上する。 （本発明の第４の実施形態）図４７及び図４８に本発明
の第４の実施形態に係る横電界方式のアクティブマトリ
クス型液晶表示装置を示す。図４７は、本実施形態に係
る液晶表示装置１００の平面図、図４８は、図４７のＢ
−Ｂ’線における断面図である。さらに図６５において
は、ＴＦＴ素子部分、単位画素部分、単位画素部分共通
電極用コンタクトホール部を一つの図にまとめて示すこ
ととする。それぞれの領域は図４７のＡ−Ａ’線、Ｂ−
Ｂ’線、Ｃ−Ｃ’線における断面図として示されてい
る。
【０３５７】図４８に示すように、液晶表示装置１００
は、能動素子基板１１１と、対向基板１１２と、能動素
子基板１１１と対向基板１１２との間に挟まれた状態で
保持されている液晶層１１３とから成る。
【０３５８】対向基板１１２は、透明絶縁性基板１１６
上に遮光膜としてブラックマトリクス層１１７と、これ
と部分的に重なりあっている色層１１８と、ブラックマ
トリクス層１１７と色層１１８の上に形成された透明な
オーバーコート層１１９が形成されている。また、透明
絶縁性基板１１６の裏面には、透明な導電層１１５が形
成されている。
【０３５９】色層１１８は、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）及び青
（Ｂ）の染料または顔料を含む樹脂膜からなっている。
【０３６０】能動素子基板１１１は、透明絶縁性基板１
２２上に、走査線１２８及びＴＦＴ１３０のゲート電極
１３０ｃを形成する第１の金属層と、その上に形成され
た第１の層間絶縁膜１２３と、第１の層間絶縁膜上に形
成された島状非晶質シリコン膜（ａ−Ｓｉ膜１３２とｎ
+ａ−Ｓｉ膜１３３の積層膜）と、データ線１２４及び
ＴＦＴ１３０のドレイン電極１３０ａ、ソース電極１３
０ｂとなる第２の金属層と、この上に形成された第２の
層間絶縁膜の１２５（第１の膜１２５ａと第２の膜１２
５ｂとの積層膜）と第２の層間絶縁膜１２５上に透明電
極により形成された共通電極１２６及び画素電極１２７
を有する。
【０３６１】能動素子基板１１１と対向基板１１２と
は、それぞれの上に配向膜１３１及び配向膜１２０を配
し、図４７に示す方向にラビング処理がなされた後に、
相互に向かい合うように貼り合わされている。
【０３６２】能動素子基板１１１の外側には偏光板１２
１が貼付されており、対向基板１１２の外側には導電層
１１５を介して偏光板１１４が貼付されている。能動素
子基板１１１側の偏光板１２１は、偏光軸を液晶初期配
向方向に垂直に、また、対向基板１１２側の偏光板１１
４は、偏光軸を液晶初期配向方向に平行に設定し、両偏
光板の偏光軸は互いに直交するようにしてある。
【０３６３】能動素子基板１１１と対向基板１１２との
間には、液晶層１１３の厚みを保持するためのスペーサ
ー（図示せず）が配置されており、また、液晶層１１３
の周囲には、液晶分子を外部に漏らさないためのシール
（図示せず）が形成されている。
【０３６４】図４７に示すように、能動素子基板１１１
には、データ信号が供給されるデータ線１２４と、基準
電位が供給される共通電極１２６と、表示すべき画素に
対応する画素電極１２７の他に、走査用信号が供給され
る走査線１２８と、ＴＦＴ１３０とを備えている。
【０３６５】ＴＦＴ１３０は、ゲート電極１３０ｃ（図
７６参照）、ドレイン電極１３０ａ及びソース電極１３
０ｂを備えており、走査線１２８とデータ線１２４との
交点の近傍に各画素に対応して設けられている。
【０３６６】ゲート電極１３０ｃは走査線１２８に、ド
レイン電極１３０ａはデータ線１２４に、ソース電極１
３０ｂは画素電極１２７にそれぞれ電気的に接続されて
いる。
【０３６７】共通電極１２６及び画素電極１２７は何れ
も櫛歯形状をなしており、櫛歯はデータ線１２４と同一
方向に延びている。すなわち、本液晶表示装置１００
は、図４９に示すように、能動素子基板１１１における
開口部１１１ａはデータ線１２４が延びる方向と同一の
方向に延びている形式のものである。
【０３６８】加えて、第１の実施形態に係る液晶表示装
置１０における共通電極２６及び画素電極２７の櫛歯と
は異なり、各櫛歯はジグザグ状に屈曲している。共通電
極１２６、画素電極１２７の櫛歯は相互に噛み合うよう
に、かつ、共通電極１２６、画素電極１２７の櫛歯が相
互に隔置されるように配置されている。
【０３６９】横電界方式の本液晶表示装置１００におい
ては、走査線１２８を介して供給される走査用信号によ
り選択され、かつ、データ線１２４を介して供給される
データ信号が書き込まれた画素において、共通電極１２
６と画素電極１２７との間で、透明絶縁性基板１１６、
１２２に平行な電界を生じさせるが、共通電極１２６及
び画素電極１２７の屈曲している方向によって電界の方
向が異なる。
【０３７０】図４７に示すように、共通電極１２６及び
画素電極１２７の屈曲している方向によって、すなわ
ち、印加される電界の方向によって、単位画素の領域は
サブ画素領域１とサブ画素領域２に分けられる。サブ画
素領域１とサブ画素領域２では、印加される電界に従っ
て液晶分子のディレクタを能動素子基板１１１の表面と
平行な面内においてそれぞれ逆の回転方向に回転させ、
表示が行われる。すなわち、本液晶表示装置１００は、
一般に、マルチドメイン方式と呼ばれるものである。
【０３７１】印加される電界の方向は厳密には場所によ
って微妙に異なるため、正確に定義すると、単位画素の
領域は液晶分子のディレクタの回転方向が時計回りのサ
ブ画素領域１と、反時計回りのサブ画素領域２に分けら
れる。サブ画素領域のことをドメインとも言う。
【０３７２】このように、サブ画素領域１及びサブ画素
領域２によってディレクタの回転方向を逆にすることに
より、各々のサブ画素領域が光学的に補償しあうため、
斜め方向から見たときの色づきや、黒表示と暗め中間調
との間で生じる階調反転を抑制し、より良好な視野角特
性を得ることができる。
【０３７３】本液晶表示装置１００においては、共通電
極１２６及び画素電極１２７は何れも透明材料であるＩ
ＴＯでつくられている。
【０３７４】図４８に示すように、共通電極１２６はデ
ータ線１２４とは相互に異なる層上に形成されており、
かつ、第１の実施形態の場合と同様に、共通電極１２６
はデータ線１２４を完全に覆うように形成されている。
【０３７５】また、図４７に示すように、共通電極１２
６は、共通電極用コンタクトホール１３９ａ（図７６参
照）を介して、共通電極配線１２６ａもしくは１２６ｂ
に接続されており、画素電極１２７は、画素電極用コン
タクトホール１３９ｂ（図７１参照）を介してソース電
極１３０ｂに接続されている。
【０３７６】データ線１２４上のブラックマトリクス層
１１７の幅は共通電極１２６の幅よりも小さく設定され
ている。
【０３７７】さらに、共通電極１２６のうちデータ線を
覆う部分とこれに最も近い位置にある画素電極１２７と
の間にはいかなる遮光膜も存在していない。
【０３７８】また、第１の実施形態の場合と同様に、デ
ータ線１２４上のブラックマトリクス層１１７は、その
全領域においてデータ線１２４と重なり合っている。
【０３７９】さらに、図４７に示すように、本実施形態
に係る液晶表示装置１００におけるデータ線１２４はジ
グザグ状に屈曲して形成されている。
【０３８０】すなわち、本実施形態に係る液晶表示装置
１００は、いわゆるマルチドメイン方式である点、共通
電極１２６と画素電極１２７とデータ線１２４とがジグ
ザグ状に屈曲して形成されている点を除いて、前述の第
１の実施形態に係る液晶表示装置１０と同一の構造を有
している。
【０３８１】なお、本実施形態における「ジグザグ状」
という語は、図５０（Ａ）に示すように、全ての直線部
分が伸長方向Ｚに対して傾斜しているような形状のみな
らず、図５０（Ｂ）に示すように、伸長方向Ｚに対して
傾斜している直線部分と伸長方向Ｚに対して平行な直線
部分とが交互に接続しているような形状をも含むもので
ある。すなわち、伸長方向Ｚに対して左右に傾斜を繰り
返しながら延びる全ての形状を含むものであり、伸長方
向Ｚに対して平行な部分を含むか含まないかを問わな
い。伸長方向Ｚに対する傾斜の角度も任意であり、さら
に、左右に繰り返される傾斜の角度は全て一定角度であ
る必要はない。
【０３８２】本実施形態に係る液晶表示装置１００によ
っても、第１の実施形態に係る液晶表示装置１０と同様
の効果を得ることができる。
【０３８３】さらに、データ線１２４をジグザグ状に屈
曲させることによって、データ線を直線状に形成してい
る液晶表示装置と比較して、開口率を上げることができ
る。以下、この点について説明する。
【０３８４】図５１は、データ線、共通電極及び画素電
極が何れも直線形状に形成されている形式の液晶表示装
置２０１の平面図であり、図５２は、図５１のＡ−Ａ’
線における断面図である。
【０３８５】図５１に示す液晶表示装置２０１における
各電極その他の構成要素の寸法は以下の通りである（単
位はμｍ、以下同じ）。
【０３８６】データ線２４の幅＝１０ データ線２４の直上に位置する共通電極２６の幅＝１９ データ線２４の直上に位置する共通電極２６と同層上に
形成されている他の共通電極２６の幅＝３．５ 画素電極２７の幅＝３．５ 共通電極２６と画素電極２７との間の距離＝９．５ 従って、図５１に示す液晶表示装置２０１の開口部の面
積Ａ１は次のように計算される。ただし、Ｌは開口部の
縦の長さを示す。
【０３８７】Ａ１＝（９．５×６）×Ｌ＝５７Ｌ 図５３は、データ線のみが直線形状に形成され、共通電
極及び画素電極がジグザグ形状に形成されている形式の
液晶表示装置２０２の平面図であり、図５４は、図５３
のＢ−Ｂ’線における断面図である。
【０３８８】図５３に示す液晶表示装置２０２における
各電極その他の構成要素の寸法は以下の通りである。
【０３８９】データ線１２４の幅＝１０ データ線１２４の直上に位置する共通電極１２６の幅＝
２６．５ データ線１２４の直上に位置する共通電極１２６と同層
上に形成されている他の共通電極１２６の幅＝３．５ 画素電極１２７の幅＝３．５ 共通電極１２６と画素電極１２７との間の距離＝８．２ 従って、図５３に示す液晶表示装置２０２の開口部の面
積Ａ２は次のように計算される。
【０３９０】Ａ２＝８．２×６×Ｌ＝４９．２Ｌ 図５５は、データ線、共通電極及び画素電極がジグザグ
形状に形成されている形式の液晶表示装置２０３、すな
わち、第３の実施形態に係る液晶表示装置１００の部分
的な平面図であり、図５６は、図５５のＢ−Ｂ’線にお
ける断面図である。
【０３９１】図５５に示す液晶表示装置２０３における
各電極その他の構成要素の寸法は以下の通りである。
【０３９２】データ線１２４の幅＝１０ データ線１２４の直上に位置する共通電極１２６の幅＝
１９ データ線１２４の直上に位置する共通電極１２６と同層
上に形成されている他の共通電極１２６の幅＝３．５ 画素電極１２７の幅＝３．５ 共通電極１２６と画素電極１２７との間の距離＝９．５ 従って、図５５に示す液晶表示装置２０３の開口部の面
積Ａ３は次のように計算される。
【０３９３】Ａ３＝（９．５×６）×Ｌ＝５７Ｌ 以上の比較から明らかであるように、データ線のみが直
線形状に形成され、共通電極及び画素電極がジグザグ形
状に形成されている形式の液晶表示装置２０２における
開口部面積Ａ２は、データ線、共通電極及び画素電極が
何れも直線形状に形成されている形式の液晶表示装置２
０１における開口部面積Ａ１よりも小さくなっているの
に対して、データ線、共通電極及び画素電極がジグザグ
形状に形成されている形式の液晶表示装置２０３におけ
る開口部面積Ａ３は液晶表示装置２０１における開口部
面積Ａ１に等しくなっている。
【０３９４】すなわち、本実施形態のように、データ線
１２４をジグザグ状に屈曲することにより、データ線を
直線形状に形成した液晶表示装置と比較して、開口率を
上げることが可能である。データ線のみが直線形状に形
成され、共通電極及び画素電極がジグザグ形状に形成さ
れている形式の液晶表示装置２０２の場合、図５３のＢ
−Ｂ’線における左端のデータ線１２６と隣接する右側
の画素電極１２７との間の距離が図５５に比べて７．５
μｍ長くなり、それを開口部の数で除算した値だけ、共
通電極１２６と画素電極１２７との間の距離が短くな
り、開口部の面積がその分狭くなるためである。
【０３９５】なお、本実施形態に係る液晶表示装置１０
０は、第１の実施形態に係る液晶表示装置１０と基本的
に同様の方法により、製造することができる。すなわ
ち、本液晶表示装置１００におけるデータ線１２４、共
通電極１２６及び画素電極１２７はジグザグ状に形成さ
れるので、それらの形成パターンをジグザグ形状に合わ
せて変更すればよく、その他の工程は同一である。
【０３９６】以下、本実施形態に係る液晶表示装置１０
０について、あるいは、その変形例についてさらに説明
する。
【０３９７】データ線１２４、共通電極１２６及び画素
電極１２７の１画素当たりの屈曲回数は任意に設定する
ことができる。ただし、屈曲回数は奇数に限られる。こ
れは、液晶を時計回りにツイストする領域と反時計回り
にツイストする領域の数及び面積を等しくするためであ
る。これにより視野角の対称性が増す。従って、屈曲回
数は１、３、５などの奇数に限られる。屈曲回数が奇数
である限りは、データ線１２４、共通電極１２６及び画
素電極１２７の屈曲回数は１または３以上の任意の数を
選定することができる。
【０３９８】屈曲回数が少ないほど開口率は大きくなる
が、屈曲回数が小さいほど屈曲のパターンが見えてしま
う。また、ブラックマトリクス層は屈曲に追従させる必
要があるため、回数が少ないほどブラックマトリクス層
のパターニングは困難になる。
【０３９９】一方、屈曲回数が多いほど、屈曲のパター
ンが直線に見え、ブラックマトリクス層も直線形状でか
つ細く作成できる。しかし、回数が多いほど開口率が小
さくなる。これらを勘案して、本発明者は実験によりデ
ータ線１２４、共通電極１２６及び画素電極１２７の屈
曲回数Ｎの最適値を求めた。最適値は、次式（１）を満
たすように設定される。
【０４００】３０≦Ｌ／（Ｎ＋１）≦４０ 式（１） （ただし、Ｌは開口部の長さ：[μｍ]、図４９（Ａ）参
照。） ブラックマトリクス層１１７は直線形状に形成してもよ
く、あるいは、ジグザグ状に屈曲して形成することも可
能である。特に、ブラックマトリクス層１１７をジグザ
グ状に屈曲して形成する場合、ブラックマトリクス層１
１７の形状をデータ線１２４の形状に合わせて屈曲して
形成することが望ましい。ブラックマトリクス層１１７
を直線形状に形成する方が、形成は容易である。しか
し、ブラックマトリクス層１１７を屈曲して形成するこ
とにより、本液晶表示装置１００の開口率を上げること
ができる。
【０４０１】図５７に示すように、平面図において、ブ
ラックマトリクス層１１７の左側端部とデータ線１２４
の右側端部との間の距離、及びブラックマトリクス層１
１７の右側端部とデータ線１２４の左側端部との間の距
離が常に４μｍ以上であることが望ましい。
【０４０２】これは、以下の考察に基づく。ブラックマ
トリクス層１１７の液晶層側表面からデータ線１２４の
液晶層側表面までの距離は、通常３〜４μｍである。図
５７において、ブラックマトリクス層１１７の左側端部
とデータ線１２４の右側端部とを結ぶ直線と基板面が成
す角度をαとすると、ブラックマトリクス層側からの入
射光が全反射する角度αは略４５度である。従って、ブ
ラックマトリクス層１１７の液晶層側表面からデータ線
１２４の液晶層側表面までの距離を通常の最大値４μｍ
とすると、ブラックマトリクス層１１７の左側端部とデ
ータ線１２４の右側端部との間の距離は４μｍ以上であ
れば、データ線２４の一方から斜めに入射した光がブラ
ックマトリクス層１７の反対側に抜け、混色による色度
の低下という問題がなくなる。
【０４０３】さらに、ブラックマトリクス層１１７の左
側端部とデータ線１２４の右側端部との間の距離、及び
ブラックマトリクス層１１７の右側端部とデータ線１２
４の左側端部との間の距離が常に４μｍ以上であるため
には、ブラックマトリクス層１１７はデータ線１２４と
何れの場所においても４μｍ以上は重なり合っているよ
うに設定すればいいことになる。プロセスマージンとし
て対向基板１１２と能動素子基板１１１との重ね合わせ
の目ずれとして４μｍを許容して設計するのが通常であ
るので、設計値としてはこの部分を８μｍとする必要が
ある。
【０４０４】図５８及び図５９は、本実施形態に係る液
晶表示装置１００におけるブラックマトリクス層１１７
の配置例を示す。
【０４０５】図５８に示す配置例においては、データ線
１２４の幅を１０μｍとし、共通電極１２６の幅を１９
μｍとし、櫛歯状の共通電極１２６の屈曲回数を７とし
た。また、ブラックマトリクス層１１７の幅を１３．５
μｍに設定した。
【０４０６】ブラックマトリクス層１１７とデータ線１
２４とが重なり合う幅が最小になる位置は、共通電極１
２６またはデータ線１２４が屈曲する屈曲点の位置、す
なわち、Ｘ−Ｘ’線における位置である。図５８に示す
配置例においては、最小の重なり幅は８μｍである。
【０４０７】図５９に示す配置例においては、データ線
１２４の幅を１０μｍとし、共通電極１２６の幅を１９
μｍとし、櫛歯状の共通電極１２６の屈曲回数を５とし
た。また、ブラックマトリクス層１１７の幅を１６μｍ
に設定した。
【０４０８】ブラックマトリクス層１１７とデータ線１
２４とが重なり合う幅が最小になる位置は、共通電極１
２６またはデータ線１２４が屈曲する屈曲点の位置、す
なわち、Ｘ−Ｘ’線における位置であり、図５９に示す
配置例においては、最小の重なり幅は８μｍである。
【０４０９】図５８及び図５９に示した配置例も含め
て、本実施形態におけるブラックマトリクス層１１７の
最小幅は以下のようにして設定される。
【０４１０】図６１は、データ線上のブラックマトリク
ス層１１７の最小幅を求める式を示す説明図である。
【０４１１】データ線１２４の幅をＤ、左右に傾斜した
直線部をデータ線延伸方向に射影したときの長さをＬ
Ｓ、データ線延伸方向と傾斜した直線部とのなす角度を
θで表すと、斜め光がデータ線１２４に入射しないため
のブラックマトリクス層１１７の最小幅Ｄｍｉｎは次の
式で表される。
【０４１２】 Ｄｍｉｎ＝Ｄ＋ＬＳ×ｔａｎθ−（Ｄ−８）×２ （２）（単位μｍ） 図６０に示す配置例においては、データ線１２４の幅を
１０μｍとし、データ線のジグザグ構造を図５０（Ｂ)
のように、屈曲部でZ方向に直線状に延伸する部位を有
するようにした。図５９におけるデータ線の屈曲のへこ
み部の頂点から３μｍ後退させた位置に本配置例のデー
タ線のエッジを配する。共通電極のエッジは、図５９に
比べ、凹部ではデータ線から４．５μｍはみ出た位置
に、凸部では図５９の共通電極のエッジと同じ位置に配
するようにする。櫛歯状の共通電極１２６の屈曲回数を
５とした。このとき、ブラックマトリクス幅は１０μｍ
とすることができる。
【０４１３】ブラックマトリクス層１１７とデータ線１
２４とが重なり合う幅が最小になる位置は、共通電極１
２６またはデータ線１２４が屈曲する屈曲点の位置、す
なわち、Ｘ−Ｘ’線における位置であり、図６０に示す
配置例においては、最小の重なり幅は８μｍとなる。
【０４１４】図５９に示す例に比べて、ブラックマトリ
クス層の幅を６μｍ縮小させることができ、これによ
り、開口部をより大きくとることができる。
【０４１５】この場合も、画素電極１２７およびデータ
線１２４を覆う部分以外の共通電極１２６は、図５９の
場合と同様、通常の「く」の字のパターンで屈曲させ
る。
【０４１６】また、データ線１２４を覆う共通電極１２
６は、基本的にはデータ線より４．５μｍはみ出た位置
にエッジを配するが、表示領域に十分な電圧を印加させ
るため、屈曲の凸部においては、エッジが「く」の字と
なるようにしてある。
【０４１７】データ線の幅をD、左右に傾斜した直線部
をデータ線延伸方向に射影したときの長さをLS、データ
線延伸方向と傾斜した直線部とのなす角度θで表すと、
斜め光が、データ線１２４に入射しないためのブラック
マトリクス層１１７の最小幅Ｄｍｉｎは、次の式で表さ
れる。
【０４１８】 Ｄｍｉｎ＝Ｄ＋ＬＳ×ｔａｎθ−（Ｄ−８）×２ （３）（単位μｍ） 図６０に示したブラックマトリクス層１１７の配置例に
おいては、図５９におけるデータ線の屈曲のへこみ部の
頂点から３μｍデータ線１２４の外側に移動させた位置
にデータ線のエッジを配し、これに伴って、同量だけ、
データ線１２４の屈曲の凸部の頂点も、３μｍだけデー
タ線１２４の内側に移動させ、この部分がｚ方向に直線
状に延伸するようにした。
【０４１９】あるいは、図６１のように、図５９におけ
るデータ線の屈曲のへこみ部の頂点のみを３μｍデータ
線１２４の外側に移動させ、データ線の屈曲の凸部の頂
点はそのままとすることもできる。
【０４２０】この場合でも、ブラックマトリクス層１１
７の幅は１０μｍとすることができ、図６０に示す例と
同様に開口率を大きくとることができる。
【０４２１】さらに、図６２のように、図５９と同じよ
うにデータ線１２４を配し、屈曲のへこみ部の頂点近傍
に、共通電極配線１２６と同層の第１の金属層でフロー
ティング電極１８１を形成し、これを用いて、図６１と
同じ部分を遮光することも可能である。この場合でも、
ブラックマトリクス層１１７の幅は１０μｍとすること
ができ、図６０に示す例と、同様に開口率を大きくとる
ことができる。
【０４２２】さらに図６３のように、図５９におけるデ
ータ線を覆うように形成した共通電極の屈曲の凸部の頂
点に凸状の出っ張り１８２を形成することもできる。こ
のように形成したときの一画素全体を図６４に示す。こ
のようにすると、前記凸状の出っ張りが、この頂点を含
むドメイン境界に発生するディスクリネーションの位置
を安定化させ、指押し等に対して、より安定した表示を
可能にする。
【０４２３】本液晶表示装置１００においては、データ
線１２４、共通電極１２６及び画素電極１２７ととも
に、対向基板１１２を構成する色層１１８もジグザグ状
に屈曲して形成することができる。特に、色層１１８を
ジグザグ状に屈曲して形成する場合、色層１１８はデー
タ線１２４の形状に合わせて屈曲して形成することが望
ましい。
【０４２４】本実施形態に係る液晶表示装置１００にお
いて、単位画素のコラムの中で、液晶分子を時計回りに
ツイストするサブ画素領域と反時計回りにツイストする
サブ画素領域との間に、サブ画素領域の境界を安定化さ
せる電極を設けることにより、配向状態をより安定化さ
せることができる。これにより、指で表示面をこすった
りしたときの指の跡が残ったりすることがなくなり、表
示のクリア感が増す。
【０４２５】先願である特願２０００−３２６８１４号
では、くの字状の共通電極及び画素電極のくの字の頂上
部分にそれぞれ共通補助電極及び画素補助電極がそれぞ
れ共通電極及び画素電極と接続されて形成され、さら
に、くの字の突き出た方向に延在し、その端部がそれぞ
れ画素電極及び共通電極と重なるように形成することが
提案されている。
【０４２６】しかし、本発明の第４の実施の形態では画
素電極と共通電極とが同一の層上に形成されているた
め、上記方法をそのまま採用することはできない。ま
た、プロセスを増やすことも避ける必要がある。
【０４２７】そこで、本実施形態に係る液晶表示装置１
００においてサブ画素領域の境界を安定化させる電極を
形成するためには、図６８に示すように、ジグザグ構造
の画素電極１２７及び共通電極１２６に対して、例えば
画素電極１２７の屈曲の凸部に第２の金属層からなるフ
ローティング安定化電極１４０（すなわち電気的には画
素電極に接続することなく）を形成し、十分、画素電極
１２７とオーバーラップさせ、これをサブ画素領域の境
界部に延伸する。
【０４２８】同様に、対向の共通電極１２６の屈曲の凸
部に第１の金属層からなるフローティング安定化電極１
４１を形成し、十分、共通電極１２６とオーバーラップ
させ、これをサブ画素領域の境界部に延伸する。
【０４２９】このようなフローティング安定化電極１４
０、１４１を設けることにより、各々のサブ画素領域で
電界の向きが、液晶のツイスト方向に一方向に安定化さ
せる向きに作用させることができるので、サブ画素領域
の分割が安定化する。
【０４３０】図６８に示したフローティング安定化電極
１４０、１４１を図４７に示した液晶表示装置１００に
適用すると図６９のようになる。
【０４３１】図７１は本実施形態に係る液晶表示装置１
００のＴＦＴ素子部分、単位画素部分、単位画素部分の
共通電極用コンタクトホール部を一つの図にまとめて示
したものである。それぞれの部分は、図６９のＡ−Ａ’
線、Ｂ−Ｂ’線、Ｃ−Ｃ’線における断面図として示さ
れている。
【０４３２】本液晶表示装置１００においては、図７１
に示すように、第２の層間絶縁膜１２５の第１の膜２５
ａの下方に、第２の金属層により、ＴＦＴ１３０のソー
ス電極１３０ｂと一体で形成された画素補助電極１３５
を設けることができる。
【０４３３】図７０は図６９をＩＴＯの層の平面図
（Ａ）とＩＴＯの層以外の平面図（Ｂ）に分けて表記し
たものである。画素補助電極１３５は、図７０に示すよ
うに、共通電極配線１２６ａ，１２６ｂ上に、これとオ
ーバーラップして蓄積容量を形成する第１部分１３５ａ
及び第２部分１３５ｂと、透明金属で形成された第２の
層間絶縁膜１２５上の画素電極１２７の下方に、これに
沿ってジグザグ構造で配置され、これら第１部分１３５
ａ及び第２部分１３５ｂとを接続する第３部分１３５ｃ
とからなり、全体として、「Ｉ」の形状をなしている。
【０４３４】画素補助電極１３５が共通電極配線１２６
ｂとオーバーラップする第１部分１３５ａ、共通電極配
線１２６ａとオーバーラップする第２部分１３５ｂ、お
よび共通電極配線１２６ａ、１２６ｂの部分において
は、第１の実施形態の場合と同様、ラビングによって規
定された液晶配向方向と、画素電極（およびこれと等電
位の画素補助電極）と共通電極（およびこれと等電位の
共通電極配線）との間に印加される電界との向きの関係
が、図６９の画素電極１２７と共通電極１２６に囲まれ
た表示領域全体のすべての領域において、時計回りにツ
イストさせるサブ画素領域に隣接する電極の場合は、液
晶配向方向から時計回りに鋭角だけ回転させることで電
界の方向に重なるような関係となるように、また、反時
計回りにツイストさせるサブ画素領域に隣接する電極の
場合は、液晶配向方向から反時計回りに鋭角だけ回転さ
せることで電界の方向に重なるような関係になるよう
に、画素補助電極１３５ａ及び１３５ｂの形状を、コラ
ムごとで、斜めのエッジをもつような形状をとることが
できる。これは本発明の第１の実施形態で説明した逆回
転防止構造３６である。
【０４３５】図７０において、第２の金属層で形成され
る画素補助電極１３５ｃの屈曲部の凸部でこれに接続さ
れる電極は、同じ第２の金属層で形成されているためフ
ローティングではなく、固定安定化電極１４２と呼ぶ。
このような固定安定化電極１４２を設けることにより、
各々のサブ画素領域で電界の向きが、液晶のツイスト方
向に一方向に安定化させる向きに作用させることができ
るので、サブ画素領域の分割が安定化する。
【０４３６】図６９では第２の金属層で形成される画素
補助電極１３５の一部が、画素補助電極１３５のジグザ
グの屈曲部において、異なる方向に液晶が回転する２つ
のサブ画素領域間の境界に沿って、屈曲の出っ張りの方
向に延伸された固定安定化電極１４２を第２の金属層で
形成することにより、サブ画素領域間の回転を安定させ
ることができる。
【０４３７】一方、第２の金属層で形成される共通補助
電極及び第２の金属層で形成される固定安定化電極１４
２によっても、同様にサブ画素領域間の回転を安定させ
ることができる。
【０４３８】上記の第３の実施態様に係る液晶表示装置
１００は、図４９（Ｂ）に示すような形式の液晶表示装
置、すなわち、能動素子基板における開口部がデータ線
が延びる方向と直交する方向に延びているような形式の
液晶表示装置に対しても応用することができる。
【０４３９】図４９（Ａ）に示す形式の液晶表示装置、
すなわち能動素子基板における開口部がデータ線が延び
る方向に延びているような形式の液晶表示装置は、図の
縦方向から液晶を注入する態様に適し、図４９（Ｂ）に
示す形式の液晶表示装置は、図の横方向から液晶を注入
する態様に適している。この場合には、データ線１２４
を直線形状に形成し、ゲート電極を形成するゲート線を
ジグザグ状に屈曲させて形成すればよい。 （本発明の第５の実施形態）図２４（Ａ）は、本発明の
第５の実施形態に係る横電界方式のアクティブマトリク
ス型液晶表示装置の断面図であり、第３の実施形態に係
る液晶表示装置１００を示す図４８に相当する。第３の
実施形態に係る液晶表示装置１００においては、画素電
極１２７は共通電極１２６と同様に第２の層間絶縁膜の
第２の膜１２５ｂの上に形成されている。
【０４４０】しかし、第５の実施形態に係る液晶表示装
置１８０は、第２の実施態様に係る液晶表示装置８０と
同様に、画素電極１２７は、第１の層間絶縁膜１２３の
上に第２の金属層で形成されている。画素電極１２７は
第２の金属層によって形成されているため、開口率は第
１の実施形態に比べ低下するが、共通電極１２６と異な
る層で形成されるため、画素電極１２７と共通電極１２
６がショートすることがなくなり、生産性が向上する。
【０４４１】また、第２の金属層からなる画素電極１２
７と、第１の金属層からなる共通電極配線１２６ａ、１
２６ｂとの間に蓄積容量を形成することができる。その
結果、液晶層の蓄積容量を大きくとることができ、表示
を安定化することができる。
【０４４２】さらに、共通電極１２６の一部が、共通電
極１２６のジグザグの屈曲部において、異なる方向に液
晶が回転する２つのサブ画素領域間の境界に沿って、屈
曲の出っ張りの方向に延伸された固定安定化電極を、共
通電極１２６を形成するＩＴＯの層で形成することがで
きる。同様に、画素電極１２７の一部が、画素電極１２
７のジグザグの屈曲部において、異なる方向に液晶が回
転する２つのサブ画素間の境界に沿って、屈曲の出っ張
りの方向に延伸された固定安定化電極を、画素電極１２
７を形成するＩＴＯの層で形成することができる。これ
らの固定安定化電極を形成することによって、サブ画素
領域間の回転を安定化させることができる。 （本発明の第６の実施形態）図２４（Ｂ）は、本発明の
第６の実施形態に係る横電界方式のアクティブマトリク
ス型液晶表示装置１８５の断面図であり、第３の実施形
態に係る液晶表示装置１００を示す図４８に相当する。
第３の実施態様に係る液晶表示装置１００においては、
第２の層間絶縁膜の第１の膜１２５ａは単位画素領域全
面にわたって形成されているが、第２の実施態様に係る
液晶表示装置９０と同様に、第２の層間絶縁膜の第２の
膜１２５ｂはデータ線１２４を覆うように形成された共
通電極１２６の下方においてのみ形成することもでき
る。
【０４４３】単位画素の表示領域において、共通電極１
２６はデータ線１２４を覆うように形成された透明金属
から成る部分以外の領域では、第１の層間絶縁膜１２３
の上に、ゲート電極が形成されている第１の金属層によ
って形成される。これにより、第２の層間絶縁膜の第２
の膜１２５ｂを必要以上に大きな領域において形成する
必要がなくなる。画素電極１２７はデータ線１２４とと
もに第１の層間絶縁膜１２３の上に形成される。
【０４４４】共通電極１２６は、第２の層間絶縁膜の第
２の膜１２５ｂに形成された透明金属から成る部分以外
の領域では、第１の層間絶縁膜１２３の上に、第１の金
属層によって形成されるため、開口率は第４の実施形態
に比べ低下するが、画素電極１２７と異なる層で形成さ
れるため、画素電極１２７とショートすることがなくな
り、生産性が向上する。
【０４４５】また、この場合、時計回りにツイストする
サブ画素領域と反時計回りにツイストするサブ画素領域
との間に配する固定安定化電極は、画素電極と共通電極
とが異なる層に形成されているので、本発明の第５の実
施形態と同様に、画素電極１２７、共通電極１２６各々
を屈曲部において凸方向に延伸させることによって形成
することができる（特願２０００−３２６８１４号参
照）。
【０４４６】この応用例における液晶表示装置によって
も、第１の実施形態における液晶表示装置１０と同様
に、開口率の向上を図ることができる。 （本発明の第７の実施の形態）本発明の第７の実施の形
態として、第１から第６までの実施の形態のいずれかに
おいて、対向基板側に形成する色層を省略することによ
り、モノクロ表示の横電界方式アクティブマトリクス液
晶表示装置を得ることができる。
【０４４７】このようにして作成したモノクロ表示の横
電界方式アクティブマトリクス液晶表示装置は、高い光
利用効率を有するため、高輝度の液晶表示装置を低消費
電力で形成できるという利点がある。 （本発明の第８の実施の形態）本発明の第８の実施の形
態として、第１から第６までの実施の形態のいずれかも
しくは第７の実施の形態において、対向基板側に形成す
る色層もしくはブラックマトリクス層もしくは色層およ
びブラックマトリクスス層を削除し、能動素子基板側に
作成することができる。
【０４４８】このように、色層もしくはブラックマトリ
クス層もしくは色層およびブラックマトリクス層の両方
を能動素子基板側に配することにより、これらの構成要
素と、能動素子基板側に元々存在するデータ線等との重
ね合わせ精度が向上するため、ブラックマトリクス層等
の線幅をさらに細めることができ、開口率をさらに向上
させることができる。
【０４４９】第１、第２、第４、第５までの実施の形態
のいずれかにおいて、第２の層間膜に有機膜を用いるも
のに関しては、能動素子基板側に移設した色層もしくは
ブラックマトリクス層を、その有機膜で覆うような構造
にすることができる。
【０４５０】このようにすることにより、能動素子基板
側に移設した色層もしくはブラックマトリクスから液晶
中への不純物の溶出を、層間膜を構成する有機膜でブロ
ックすることができ、信頼性を高めることができる。
【０４５１】第１、第２、第４、第５の実施の形態のい
ずれかにおいて、第２の層間膜を無機膜から成る第１の
膜と有機膜から成る第２の膜の積層膜によって構成し、
第１の膜と第２の膜の間に色層、若しくはブラックマト
リクス層、若しくは色層及びブラックマトリクス層を配
することができる。
【０４５２】このようにすることにより、能動素子基板
側に移設した色層もしくはブラックマトリクスから液晶
中への不純物の溶出を、層間膜を構成する有機膜でブロ
ックすることができると同時に、色層中の電荷やイオン
の移動に伴って生じる能動素子への影響を抑止すること
ができ、信頼性をさらに高めることができる。
【０４５３】第４の実施の形態示した図４７及び図４８
おいて、第２の層間膜１２５を無機膜からなる第１の膜
１２５ａと有機膜からなる第２の膜１２５ｂの積層膜に
よって構成し、第１の膜１２５ａと第２の膜１２５ｂの
間に色層１１８とブラックマトリクス層１１７を配した
本発明の第８の実施形態に係る横電界方式のアクティブ
マトリクス型液晶表示装置を図６５及び図６６に示す。
図６５は、本実施形態に係る液晶表示装置の平面図、図
６６は、図６５のＡ−Ａ’線における断面図である。 （本発明の第９の実施形態）上述の第１の実施形態に係
る液晶表示装置１０、第２の実施形態に係る液晶表示装
置８０、第３の実施形態に係る液晶表示装置８５、第４
の実施形態に係る液晶表示装置１００、第５の実施形態
に係る液晶表示装置１８０、第６の実施形態に係る液晶
表示装置１８５、第７の実施形態に係る液晶表示装置及
び第８の実施形態に係る液晶表示装置は各種の電子機器
に応用することが可能である。以下、その応用例を挙げ
る。
【０４５４】図７２は、液晶表示装置１０、８０、８
５、１００、１８０、１８５のいずれか一を応用した携
帯型情報端末２５０のブロック図である。液晶表示装置
１０、８０、８５、１００、１８０、１８５、第７の実
施形態に係る液晶表示装置または第８の実施形態に係る
液晶表示装置は、本携帯型情報端末２５０においては、
液晶パネル２６５の構成要素として用いられる。
【０４５５】本携帯型情報端末２５０は、液晶パネル２
６５、バックライト発生手段２６６及び映像信号を処理
する映像信号処理部２６７からなる表示部２６８と、本
携帯型情報端末２５０の各構成要素を制御する制御部２
６９と、制御部２６９が実行するプログラムあるいは各
種データを記憶する記憶部２７１と、データ通信を行う
ための通信部２７２と、キーボードまたはポインターか
らなる入力部２７３と、本携帯型情報端末２５０の各構
成要素へ電力を供給する電源部２７４と、からなってい
る。
【０４５６】本発明に係る液晶表示装置を用いた液晶パ
ネル２６５を用いることにより、表示部２６８における
開口率が改善され、表示部２６８の輝度を向上させるこ
とができる。
【０４５７】また、液晶表示装置１０、８０、８５、１
００、１８０、１８５のいずれか一を用いた液晶パネル
２６５は、携帯型パーソナルコンピュータあるいはノー
ト型パーソナルコンピュータあるいはデスクトップ型パ
ーソナルコンピュータのモニタに適用することもでき
る。
【０４５８】図７３は、液晶表示装置１０、８０、８
５、１００、１８０、１８５のいずれか一を応用した携
帯電話機２７５のブロック図である。
【０４５９】携帯電話機２７５は、液晶パネル２６５、
バックライト発生手段２６６及び映像信号を処理する映
像信号処理部２６７からなる表示部２７６と、本携帯電
話機２７５の各構成要素を制御する制御部２７７と、制
御部２７７が実行するプログラムあるいは各種データを
記憶する記憶部２７８と、無線信号を受信するための受
信部２７９と、無線信号を送信するための送信部２８１
と、キーボードまたはポインターからなる入力部２８２
と、本携帯電話機２７５の各構成要素へ電力を供給する
電源部２８３と、からなっている。
【０４６０】本発明に係る液晶表示装置を用いた液晶パ
ネル２６５を用いることにより、表示部２７６における
開口率が改善され、表示部２７６の輝度を向上させるこ
とができる。
【０４６１】なお、上記の各実施形態の説明において
は、本発明の特徴となる部分について主に説明し、本分
野において通常の知識を有する者にとって既知の事項に
ついては特に詳述していないが、たとえ記載がなくても
これらの事項は上記の者にとっては類推可能な事項に属
する。
【０４６２】
【発明の効果】以上のように、本発明に係る液晶表示装
置によれば、発明が解決しようとする課題に記載した本
発明の具体的目的、すなわち、（１）開口率を低下させ
ることなく縦方向のクロストークを防止したＩＰＳモー
ドの液晶表示装置を提供する、（２）透明電極で形成さ
れる共通電極によってデータ線を覆った上記ＩＰＳモー
ドの液晶表示装置において、前記共通電極の抵抗値を低
減する、（３）従来のＩＰＳモードの液晶表示装置にお
いて、軽減された漏れ電界によって発生する縦方向のク
ロストークが表示に表れないようにするために採用され
ていたブラックマトリクス層等の遮光膜を削減し、さら
に開口率の向上を図る、（４）上記ＩＰＳモードの液晶
表示装置の透明電極を安価に形成できる構成を提供す
る、（５）上記ＩＰＳモードの液晶表示装置のデータ線
と共通電極との間の寄生容量を増やすことなく共通電極
でデータ線をほぼ完全に覆う構成を提供する、（６）上
記ＩＰＳモードの液晶表示装置において、データ線をシ
ールドするためのより信頼性の高い透明材料を提供す
る、ことを達成することができる。また、これらに関連
する種種の課題を解決することができる。
【０４６３】本発明者の実験によれば、図７４に示した
従来の液晶表示装置に比べ、本発明の第１の実施形態を
採用することにより、液晶表示装置の開口率を３０〜４
０％向上させることができた。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施形態に係る液晶表示装置の
平面図である。
【図２】図１のＡ−Ａ’線における断面図である。
【図３】図１の単位画素部分の回路図である。
【図４】図１において、対向基板のブラックマトリクス
層の形成領域を示した平面図である。
【図５】第１の実施形態に係る液晶表示装置の変形例を
示す部分的な断面図である。
【図６】共通電極がＩＴＯである場合の利点を説明する
ための第１の実施形態に係る液晶表示装置の部分的な断
面図である。
【図７】共通電極の張り出し幅とデータ線との関係を示
す第１の実施形態に係る液晶表示装置の部分的な断面図
である。
【図８】データ線の脇からの光漏れに関するシミュレー
ション結果を示すグラフである。
【図９】データ線及び共通電極の双方の幅の関係を示す
第１の実施形態に係る液晶表示装置の部分的な断面図で
ある。
【図１０】データ線及びブラックマトリクス層の双方の
幅の関係を示す第１の実施形態に係る液晶表示装置の部
分的な断面図である。
【図１１】第１の実施形態に係る液晶表示装置の変形例
を示す部分的な断面図である。
【図１２】第２の実施形態に係る液晶表示装置を示す平
面図である。
【図１３】図１２のＡ−Ａ’線における断面図である。
【図１４】第３の実施形態に係る液晶表示装置を示す平
面図である。
【図１５】図１４のＡ−Ａ’線における断面図である。
【図１６】第１の実施形態に係る液晶表示装置の変形例
を示す部分的な平面図である。
【図１７】第２の層間絶縁膜が積層構造である場合にお
ける図２９のＡ−Ａ’線、Ｂ−Ｂ’線、Ｃ−Ｃ’線にお
ける断面図である。
【図１８】第２の層間絶縁膜は単層構造である場合にお
ける図２９のＡ−Ａ’線、Ｂ−Ｂ’線、Ｃ−Ｃ’線にお
ける断面図である。
【図１９】第１の実施形態に係る液晶表示装置の変形例
を示す部分的な断面図である。
【図２０】図１９を第１の金属層及び第２の金属層で形
成される領域（Ａ）と、ＩＴＯで形成される領域（Ｂ）
に分けて示した平面図である。
【図２１】共通電極上にパッシベーション膜を形成した
場合の効果を説明するための第１の実施形態に係る液晶
表示装置の部分的な断面図である。
【図２２】共通電極上にパッシベーション膜を形成しな
い場合の問題点を示す液晶表示装置の部分的な断面図で
ある。
【図２３】第１の実施形態に係る液晶表示装置の変形例
を示す部分的な断面図である。
【図２４】図２４（Ａ）は第５の実施形態に係る液晶表
示装置の部分的な断面図であり、図２４（Ｂ）は第６の
実施形態に係る液晶表示装置の部分的な断面図である。
【図２５】第１の実施形態に係る液晶表示装置の変形例
を示す概略的な平面図である。
【図２６】第１の実施形態に係る液晶表示装置の変形例
を示す概略的な平面図である。
【図２７】第１の実施形態に係る液晶表示装置の変形例
を示す概略的な平面図である。
【図２８】第１の実施形態に係る液晶表示装置の変形例
を示す概略的な平面図である。
【図２９】第１の実施形態に係る液晶表示装置の製造方
法を説明するための同装置の平面図である。
【図３０】第１の実施形態に係る液晶表示装置の製造方
法の第一の例における各過程を示す同装置の断面図であ
る。
【図３１】第１の実施形態に係る液晶表示装置の製造方
法の第一の例における各過程を示す同装置の断面図であ
る。
【図３２】第１の実施形態に係る液晶表示装置の製造方
法の第一の例における各過程を示す同装置の断面図であ
る。
【図３３】第１の実施形態に係る液晶表示装置の製造方
法の第二の例における各過程を示す同装置の断面図であ
る。
【図３４】第１の実施形態に係る液晶表示装置の製造方
法の第二の例における各過程を示す同装置の断面図であ
る。
【図３５】第１の実施形態に係る液晶表示装置の製造方
法の第二の例における各過程を示す同装置の断面図であ
る。
【図３６】第１の実施形態に係る液晶表示装置の製造方
法の第三の例における各過程を示す同装置の断面図であ
る。
【図３７】第１の実施形態に係る液晶表示装置の製造方
法の第三の例における各過程を示す同装置の断面図であ
る。
【図３８】第１の実施形態に係る液晶表示装置の製造方
法の第三の例における各過程を示す同装置の断面図であ
る。
【図３９】第１の実施例に係る液晶表示装置の走査線、
データ線、共通電極配線の配置を示す平面図である。
【図４０】第１の実施例に係る液晶表示装置の走査線端
子部、データ線端子部、共通電極配線端子部の位置関係
を示す平面図である。
【図４１】第１の実施形態に係る液晶表示装置の端子部
までも含めた製造方法の第一の例における各過程を示す
同装置の断面図である。
【図４２】第１の実施形態に係る液晶表示装置の端子部
までも含めた製造方法の第一の例における各過程を示す
同装置の断面図である。
【図４３】第１の実施形態に係る液晶表示装置の端子部
までも含めた製造方法の第二の例における各過程を示す
同装置の断面図である。
【図４４】第１の実施形態に係る液晶表示装置の端子部
までも含めた製造方法の第二の例における各過程を示す
同装置の断面図である。
【図４５】第１の実施形態に係る液晶表示装置の端子部
までも含めた製造方法の第三の例における各過程を示す
同装置の断面図である。
【図４６】第１の実施形態に係る液晶表示装置の端子部
までも含めた製造方法の第三の例における各過程を示す
同装置の断面図である。
【図４７】本発明の第４の実施形態に係る液晶表示装置
の平面図である。
【図４８】図４７のＢ−Ｂ’線における断面図である。
【図４９】開口部が延びる方向を示す概略図である。
【図５０】ジグザグ形状の例を示す平面図である。
【図５１】第４の実施形態に係る液晶表示装置の開口率
の向上を説明するための従来の液晶表示装置の平面図で
ある。
【図５２】図５１のＡ−Ａ’線における断面図である。
【図５３】第４の実施形態に係る液晶表示装置の開口率
の向上を説明するための従来の液晶表示装置の平面図で
ある。
【図５４】図５３のＢ−Ｂ’線における断面図である。
【図５５】第４の実施形態に係る液晶表示装置の開口率
の向上を説明するための同装置の平面図である。
【図５６】図５５のＢ−Ｂ’線における断面図である。
【図５７】第４の実施形態に係る液晶表示装置の変形例
を示す部分的な断面図である。
【図５８】第４の実施形態に係る液晶表示装置における
ブラックマトリクス層の一例を示す平面図である。
【図５９】第４の実施形態に係る液晶表示装置における
ブラックマトリクス層の他の一例を示す平面図である。
【図６０】第４の実施形態に係る液晶表示装置における
ブラックマトリクス層の他の一例を示す平面図である。
【図６１】第４の実施形態に係る液晶表示装置における
ブラックマトリクス層の他の一例を示す平面図である。
【図６２】第４の実施形態に係る液晶表示装置における
ブラックマトリクス層の他の一例を示す平面図である。
【図６３】第４の実施形態に係る液晶表示装置における
ブラックマトリクス層の他の一例を示す平面図である。
【図６４】第４の実施形態に係る液晶表示装置の変形例
を示す平面図である。
【図６５】第８の実施形態に係る液晶表示装置の平面図
である。
【図６６】図６５のＡ−Ａ’線における断面図である。
【図６７】第４の実施形態に係る液晶表示装置における
ブラックマトリクス層の最小幅を示す平面図である。
【図６８】第４の実施形態に係る液晶表示装置の変形例
を示す部分的な平面図である。
【図６９】図６８に示したフローティング電極を図４７
に適用した第４の実施形態に係る液晶表示装置の変形例
を示す平面図である。
【図７０】図６９を透明電極の層の平面図と透明電極の
層以外の平面図に分けて表記した平面図である。
【図７１】第４の実施形態に係る液晶表示装置のＴＦＴ
素子部分、単位画素部分、単位画素部分の共通電極用コ
ンタクトホール部を一つの図にまとめて示した断面図で
あり、それぞれの部分は、図６３のＡ−Ａ’線、Ｂ−
Ｂ’線、Ｃ−Ｃ’線における断面図として示されてい
る。
【図７２】第１乃至第６の実施形態に係る液晶表示装置
を電子機器に応用した場合の第一の例のブロック図であ
る。
【図７３】第１乃至第６の実施形態に係る液晶表示装置
を電子機器に応用した場合の第二の例のブロック図であ
る。
【図７４】従来の液晶表示装置の部分的な断面図であ
る。
【図７５】本発明に係る液晶表示装置の部分的な断面図
である。
【図７６】本発明に係る液晶表示装置による漏れ電界シ
ールド効果を確認するためのシミュレーションの結果を
示すグラフである。
【符号の説明】
１０ 第１の実施形態に係る液晶表示装置 １１、１１１ 能動素子基板 １２、１１２ 対向基板 １３、１１３ 液晶層 １４、２１、１１４、１２１ 偏光板 １５、１１５ 導電層 １６、２２、１１６、１２２ 透明絶縁性基板 １７、１１７ ブラックマトリクス層 １８、１１８ 色層 １９、１１９ オーバーコート層 ２０、３１、１２０、１３１ 配向膜 ２３、１２３ 第１の層間絶縁膜 ２４、１２４ データ線 ２５、１２５ 第２の層間絶縁膜 ２５ａ、１２５ａ 第２の層間絶縁膜の第１の膜 ２５ｂ、１２５ｂ 第２の層間絶縁膜の第２の膜 ２６、１２６ 共通電極 ２６ａ、２６ｂ、１２６ａ、１２６ｂ 共通電極配線 ２７、１２７ 画素電極 ２８、１２８ 走査線 ２９ 金属膜 ２９ａ 第１の金属層 ２９ｂ 第２の金属層 ３０、１３０ 薄膜トランジスタ（ＴＦＴ） ３０ａ、１３０ａ ドレイン電極 ３０ｂ、１３０ｂ ソース電極 ３０ｃ、１３０ｃ ゲート電極 ３２、１３２ ａ−Ｓｉ膜 ３３、１３３ ｎ+ａ−Ｓｉ膜 ３５、３５ａ、３５ｂ、３５ｃ、１３５、１３５ａ、１
３５ｂ、１３５ｃ画素補助電極 ３６ 逆回転防止構造 ３７ パッシベーション膜 ３８ｃ 走査線端子部ＩＴＯ被覆部 ３８ｄ データ線端子部ＩＴＯ被覆部 ３８ｅ 共通電極配線端子部ＩＴＯ被覆部 ３９ コンタクトホール ３９ａ、１３９ａ 共通電極用コンタクトホール ３９ｂ、１３９ｂ 画素電極用コンタクトホール ３９ｃ 走査線端子用コンタクトホール ３９ｄ データ線端子用コンタクトホール ３９ｅ 共通電極配線端子用コンタクトホール ４１ｃ 走査線端子部 ４１ｄ データ線端子部 ４１ｅ 共通電極配線端子部 ４６ ＩＴＯ ８０ 第２の実施形態に係る液晶表示装置 ８５ 第３の実施形態に係る液晶表示装置 １００ 第４の実施形態に係る液晶表示装置 １４０ 第２の金属層からなるフローティング安定化電
極 １４１ 第１の金属層からなるフローティング安定化電
極 １４２ 固定安定化電極 １８０ 第５の実施形態に係る液晶表示装置 １８１ 第１の金属層で形成するフローティング電極 １８２ 共通電極の屈曲の凸部の凸状の出っ張り １８５ 第６の実施形態に係る液晶表示装置
フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０１Ｌ 21/336 Ｈ０１Ｌ 29/78 ６１２Ｄ 29/786 (72)発明者 半貫 貴久 東京都港区芝五丁目７番１号 日本電気株 式会社内 (72)発明者 板倉 州優 東京都港区芝五丁目７番１号 日本電気株 式会社内 Ｆターム(参考） 2H090 JB02 KA18 LA04 MA02 MA07 MA17 2H092 GA14 GA17 GA26 GA29 JA26 JA29 JA38 JA42 JA46 KA05 KA12 KA18 MA05 MA08 MA13 MA17 MA23 MA27 MA35 MA37 NA00 NA26 NA27 NA29 PA02 QA18 5C094 AA09 AA10 AA44 BA03 BA43 CA19 CA24 DA14 DA15 DB04 EA04 EA07 EB02 ED03 ED15 5F110 AA30 BB01 CC07 DD02 EE04 FF02 FF03 FF09 GG02 GG15 HK04 HK09 HK16 HK21 HL07 NN03 NN24 NN27 NN72

Claims (75)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 能動素子基板と、対向基板と、前記能動
    素子基板と前記対向基板との間に挟まれた状態で保持さ
    れている液晶層、とからなる液晶表示装置であって、 前記能動素子基板は、ゲート電極、ドレイン電極、ソー
    ス電極を有する薄膜トランジスタと、表示すべき画素に
    対応した画素電極と、基準電位が与えられる共通電極
    と、データ線と、走査線と、共通電極配線とを備え、 前記ゲート電極は前記走査線に、前記ドレイン電極は前
    記データ線に、前記ソース電極は前記画素電極に、前記
    共通電極は前記共通電極配線に、それぞれ電気的に接続
    されており、 前記画素電極と前記共通電極の間に印加される、前記能
    動素子基板の表面に略平行な電界により、前記液晶層の
    分子軸を前記能動素子基板に平行な面内において回転さ
    せることにより表示を行う横電界方式のアクティブマト
    リクス型液晶表示装置において、 前記共通電極は透明電極から成り、前記データ線より前
    記液晶層に近い層上に成されており、 前記走査線近傍を除いて、前記データ線は、絶縁膜を挟
    んで、前記共通電極によって完全に覆われており、 前記データ線が前記共通電極によって完全に覆われた領
    域においては、前記対向基板上、もしくは前記能動素子
    基板の前記データ線より前記液晶層側に、前記データ線
    に対向するようにブラックマトリクス層、又は複数の色
    層を重ねた遮光層を配し、前記ブラックマトリクス層又
    は前記遮光層の幅は、前記データ線を覆うように形成さ
    れた前記共通電極の幅よりも小さい幅を有するように形
    成されていることを特徴とする横電界方式のアクティブ
    マトリクス型液晶表示装置。
  2. 【請求項２】 前記共通電極は、各々の画素ごとに、コ
    ンタクトホールを介して、前記共通電極配線に接続され
    ていることを特徴とする請求項１に記載の横電界方式の
    アクティブマトリクス型液晶表示装置。
  3. 【請求項３】 能動素子基板と、対向基板と、前記能動
    素子基板と前記対向基板との間に挟まれた状態で保持さ
    れている液晶層、とからなる液晶表示装置であって、 前記能動素子基板は、ゲート電極、ドレイン電極、ソー
    ス電極を有する薄膜トランジスタと、表示すべき画素に
    対応した画素電極と、基準電位が与えられる共通電極
    と、データ線と、走査線と、共通電極配線とを備え、 前記ゲート電極は前記走査線に、前記ドレイン電極は前
    記データ線に、前記ソース電極は前記画素電極に、前記
    共通電極は前記共通電極配線に、それぞれ電気的に接続
    されており、 前記画素電極と前記共通電極とは、互いに略等間隔でジ
    グザグ状に配置され、 前記画素電極と前記共通電極の間において、前記能動素
    子基板の表面に略平行な２方向の電界が印加され、 第１の方向の電界が印加され、前記液晶層の分子軸が前
    記能動素子基板の表面に平行な面内において、第１の回
    転方向に回転される第１のサブ画素領域と、第２の方向
    の電界が印加され、前記液晶層の分子軸が前記能動素子
    基板の表面に平行な面内において、前記第１の回転方向
    とは異なる第２の回転方向に回転される第２のサブ画素
    領域を有する横電界方式のアクティブマトリクス型液晶
    表示装置において、 前記共通電極は透明電極から成り、前記データ線より前
    記液晶層に近い層上に形成されており、 前記走査線近傍を除いて、前記データ線は、絶縁膜を挟
    んで、前記共通電極によって完全に覆われており、 前記データ線が前記共通電極によって完全に覆われた領
    域においては、前記対向基板上、もしくは前記能動素子
    基板の前記データ線より前記液晶層側に、前記データ線
    に対向するようにブラックマトリクス層、又は複数の色
    層を重ねた遮光層を配し、前記ブラックマトリクス層又
    は前記遮光層の幅は、前記データ線を覆うように形成さ
    れた前記共通電極の幅よりも小さい幅を有するように形
    成されており、 前記データ線は前記画素電極に沿って、ジグザグ状に屈
    曲しているものであることを特徴とする横電界方式のア
    クティブマトリクス型液晶表示装置。
  4. 【請求項４】 前記共通電極は、各々の画素ごとに、コ
    ンタクトホールを介して、前記共通電極配線に接続され
    ていることを特徴とする請求項３に記載の横電界方式の
    アクティブマトリクス型液晶表示装置。
  5. 【請求項５】 前記データ線、前記共通電極及び前記画
    素電極の１画素あたりの屈曲回数は１であることを特徴
    とする請求項３又は請求項４に記載の横方向電界方式の
    アクティブマトリクス型液晶表示装置。
  6. 【請求項６】 前記データ線、前記共通電極及び前記画
    素電極の１画素あたりの屈曲回数は３以上の奇数である
    ことを特徴とする請求項３又は請求項４に記載の横方向
    電界方式のアクティブマトリクス型液晶表示装置。
  7. 【請求項７】 前記データ線、前記共通電極および前記
    画素電極の１画素あたりの屈曲回数Ｎは次式（１）を満
    たすものであることを特徴とする請求項３又は請求項４
    に記載の横電界方式のアクティブマトリクス型液晶表示
    装置。 ３０≦ Ｌ／（Ｎ＋１） ≦４０ （１） （Ｌは開口
    長、単位はμｍ）
  8. 【請求項８】 前記データ線に対向する位置に配された
    前記ブラックマトリクス層は直線形状であることを特徴
    とする請求項１乃至請求項７のいずれか一項に記載の横
    電界方式のアクティブマトリクス型液晶表示装置。
  9. 【請求項９】 前記データ線に対向する位置に配された
    前記ブラックマトリクス層はジグザグに屈曲して形成さ
    れていることを特徴とする請求項３乃至請求項７のいず
    れか一項に記載の横電界方式のアクティブマトリクス型
    液晶表示装置。
  10. 【請求項１０】 前記データ線に対向する位置に配され
    た前記ブラックマトリクス層は前記データ線の形状に合
    わせて屈曲して形成されていることを特徴とする請求項
    ９に記載の横電界方式のアクティブマトリクス型液晶表
    示装置。
  11. 【請求項１１】 前記データ線の延伸する方向に垂直な
    面で切った断面において、前記データ線に対向する位置
    に配された前記ブラックマトリクス層の一方の端と、前
    記データ線のこれと反対方向の端との間の基板面に沿っ
    た距離が４μｍ以上であることを特徴とする請求項８乃
    至請求項１０の何れか一項に記載の横電界方式のアクテ
    ィブマトリクス型液晶表示装置。
  12. 【請求項１２】 前記ブラックマトリクス層は前記対向
    基板に設けられ、前記データ線に対向する位置に配され
    た前記ブラックマトリクス層は、平面図上、前記データ
    線と何れの場所においても４μｍ以上は重なり合ってい
    ることを特徴とする請求項８乃至請求項１０の何れか一
    項に記載の横電界方式のアクティブマトリクス型液晶表
    示装置。
  13. 【請求項１３】 前記対向基板又は前記能動素子基板は
    さらに色層を備え、前記色層は直線形状であることを特
    徴とする請求項1乃至請求項１２の何れか一項に記載の
    横電界方式のアクティブマトリクス型液晶表示装置。
  14. 【請求項１４】 前記対向基板又は前記能動素子基板は
    さらに色層を備え、前記色層はジグザグ形状に屈曲して
    形成されていることを特徴とする請求項３乃至請求項１
    ２の何れか一項に記載の横電界方式のアクティブマトリ
    クス型液晶表示装置。
  15. 【請求項１５】 前記色層は前記データ線の形状に合わ
    せて屈曲して形成されていることを特徴とする請求項１
    ４に記載の横電界方式のアクティブマトリクス型液晶表
    示装置。
  16. 【請求項１６】 液晶分子の回転方向が同じとなるサブ
    画素領域において、液晶が逆方向に回転することを防止
    する逆回転防止構造をさらに備えており、この逆回転防
    止構造は、液晶の初期配向方向と前記サブ画素領域内で
    発生する電界の向きとの関係が、サブ画素領域内のすべ
    ての領域において、液晶の初期配向方向から同一方向へ
    の鋭角の回転により電界の向きと重なるように、前記画
    素電極および前記共通電極の少なくとも何れか一方と等
    電位を与えられる補助電極を備えることを特徴とする請
    求項１乃至請求項１５の何れか一項に記載の横電界方式
    のアクティブマトリクス型液晶表示装置。
  17. 【請求項１７】 前記ゲート電極、または前記ドレイン
    電極と同層で形成した孤立フローティング電極が、前記
    共通電極または前記画素電極のジグザグの屈曲部におい
    て、前記絶縁膜を介して前記共通電極または前記画素電
    極と重なり合っており、前記第１のサブ画素領域と前記
    第２のサブ画素領域の境界に沿って、前記屈曲の出っ張
    りの方向に延在された構造を有することを特徴とする請
    求項３乃至請求項１６の何れか一項に記載の横電界方式
    のアクティブマトリクス型液晶表示装置。
  18. 【請求項１８】 前記データ線を覆うように形成された
    前記共通電極の下方に層間絶縁膜が形成されており、こ
    の層間絶縁膜の上の膜が、前記共通電極のうち前記デー
    タ線を覆うように形成された部分の下方にのみ形成され
    ていることを特徴とする請求項１乃至請求項１７の何れ
    か一項に記載の横電界方式のアクティブマトリクス型液
    晶表示装置。
  19. 【請求項１９】 前記データ線のジグザグ構造が、前記
    データ線の延伸方向から左右に各々傾斜した直線部を有
    することを特徴とする請求項３乃至請求項１８の何れか
    一項に記載の横電界方式のアクティブマトリクス型液晶
    表示装置。
  20. 【請求項２０】 前記ブラックマトリクス層は前記対向
    基板に設けられ、前記データ線に対向する位置に直線状
    に配置されたブラックマトリクス層の幅が、いずれの場
    所においても次式で与えられる最小幅Ｄｍｉｎよりも大
    きいことを特徴とする請求項１９に記載の横電界方式の
    アクティブマトリクス型液晶表示装置。 Ｄｍｉｎ＝Ｄ＋ＬＳ・tanθ−(Ｄ−８)×２ （単
    位はμｍ） Ｄ ： データ線の幅 ＬＳ ： 左右に傾斜した直線部をデータ線延伸方向に
    射影した時の長さ θ ： データ線延伸方向と傾斜した直線部とのなす角
    度
  21. 【請求項２１】 前記データ線のジグザグ構造が、前記
    データ線の延伸方向と平行な直線部と、前記データ線の
    延伸方向から左右に各々傾斜した直線部とを有すること
    を特徴とする請求項３乃至請求項１８の何れか一項に記
    載の横電界方式のアクティブマトリクス型液晶表示装
    置。
  22. 【請求項２２】 前記ブラックマトリクス層は前記対向
    基板に設けられ、前記データ線に対向する位置に直線状
    に配置されたブラックマトリクス層の幅が、次式で与え
    られる最小幅Ｄｍｉｎよりいずれの場所においても大き
    いことを特徴とする請求項２１に記載の横電界方式のア
    クティブマトリクス型液晶表示装置。 Ｄｍｉｎ＝Ｄ＋ＬＳ・tanθ−(Ｄ−８)×２ （単
    位はμｍ） Ｄ ： データ線の幅 ＬＳ： 左右に傾斜した直線部をデータ線延伸方向に射
    影した時の長さ θ ： データ線延伸方向と傾斜した直線部とのなす角
    度
  23. 【請求項２３】 前記データ線の屈曲の凹部に張り出し
    を設けたことを特徴とする請求項１９に記載の横電界方
    式のアクティブマトリクス型液晶表示装置。
  24. 【請求項２４】 前記データ線の屈曲の凹部において、
    前記データ線と重なるように、不透明金属で形成したフ
    ローティングの遮光膜が存在することを特徴とする請求
    項１９に記載の横電界方式のアクティブマトリクス型液
    晶表示装置。
  25. 【請求項２５】 前記ジグザグ状に形成されたデータ線
    を覆うようにジグザグ状に形成された共通電極の屈曲の
    凸部において、凸状の出っ張りを設けたことを特徴とす
    る請求項３乃至請求項２４の何れか一項に記載の横電界
    方式のアクティブマトリクス型液晶表示装置。
  26. 【請求項２６】 能動素子基板と、対向基板と、前記能
    動素子基板と前記対向基板との間に挟まれた状態で保持
    されている液晶層、とからなる液晶表示装置であって、 前記能動素子基板は、ゲート電極、ドレイン電極、ソー
    ス電極を有する薄膜トランジスタと、表示すべき画素に
    対応した画素電極と、基準電位が与えられる共通電極
    と、データ線と、走査線と、共通電極配線とを備え、 前記ゲート電極は前記走査線に、前記ドレイン電極は前
    記データ線に、前記ソース電極は前記画素電極に、前記
    共通電極は前記共通電極配線に、それぞれ電気的に接続
    されており、 前記画素電極と前記共通電極とは、互いに略等間隔でジ
    グザグ状に配置され、 前記画素電極と前記共通電極の間において、前記能動素
    子基板の表面に略平行な２方向の電界が印加され、 第１の方向の電界が印加され、前記液晶層の分子軸が前
    記能動素子基板の表面に平行な面内において、第１の回
    転方向に回転される第１のサブ画素領域と、第２の方向
    の電界が印加され、前記液晶層の分子軸が前記能動素子
    基板の表面に平行な面内において、前記第１の回転方向
    とは異なる第２の回転方向に回転される第２のサブ画素
    領域を有する横電界方式のアクティブマトリクス型液晶
    表示装置において、 前記能動素子基板における開口部は前記データ線の延び
    る方向と直交する方向に延びており、 前記共通電極は透明電極から成り、前記データ線より前
    記液晶層に近い層上に形成されており、 前記走査線近傍を除いて、前記データ線は、絶縁膜を挟
    んで、前記共通電極によって完全に覆われており、 前記共通電極は、各々の画素ごとで、コンタクトホール
    を介して、前記共通電極配線に接続されており、 前記データ線が前記共通電極によって完全に覆われた領
    域においては、前記対向基板上、もしくは前記能動素子
    基板の前記データ線より前記液晶層側に、前記データ線
    に対向するようにブラックマトリクス層、又は複数の色
    層を重ねた遮光層を配し、前記ブラックマトリクス層又
    は前記遮光層の幅は、前記データ線を覆うように形成さ
    れた前記共通電極の幅よりも小さい幅を有するように形
    成されており、 前記データ線は直線形状であり、前記ゲート電極を形成
    するゲート線はジグザグ状に屈曲しているものであるこ
    とを特徴とする横電界方式のアクティブマトリクス型液
    晶表示装置。
  27. 【請求項２７】 前記共通電極は、前記データ線の両側
    においてそれぞれ１．５μｍ以上の張り出し幅を有して
    いることを特徴とする請求項１乃至請求項２６の何れか
    一項に記載の横電界方式のアクティブマトリクス型液晶
    表示装置。
  28. 【請求項２８】 前記データ線に対向する位置に配され
    た前記ブラックマトリクス層は前記データ線よりも小さ
    い幅を有しており、その全領域において前記データ線と
    重なり合っていることを特徴とする請求項１乃至請求項
    ２７の何れか一項に記載の横電界方式のアクティブマト
    リクス型液晶表示装置。
  29. 【請求項２９】 前記ブラックマトリクス層は前記対向
    基板に設けられ、前記データ線に対向する位置に配され
    た前記ブラックマトリクス層は６μｍ以上の幅を有して
    いることを特徴とする請求項１乃至請求項２８の何れか
    一項に記載の横電界方式のアクティブマトリクス型液晶
    表示装置。
  30. 【請求項３０】 前記ブラックマトリクス層は、前記走
    査線及びその近傍、前記走査線と前記画素電極の間及び
    その近傍を覆うことを特徴とする請求項１乃至請求項２
    ９の何れか一項に記載の横電界方式のアクティブマトリ
    クス型液晶表示装置。
  31. 【請求項３１】 前記画素電極は、透明材料からなるも
    のであることを特徴とする請求項１乃至請求項３０の何
    れか一項に記載の横電界方式のアクティブマトリクス型
    液晶表示装置。
  32. 【請求項３２】 前記共通電極と前記画素電極とは同層
    上に形成されていることを特徴とする請求項１乃至請求
    項３１の何れか一項に記載の横電界方式のアクティブマ
    トリクス型液晶表示装置。
  33. 【請求項３３】 前記共通電極の直下の層に形成された
    層間絶縁膜と、前記層間絶縁膜の下方に形成された一層
    または複数層からなり、薄膜トランジスタのソース電極
    と接続され、前記画素電極と等電位となる画素補助電極
    とをさらに備え、 前記画素補助電極は不透明金属からなるものであること
    を特徴とする請求項１乃至請求項３２の何れか一項に記
    載の横電界方式のアクティブマトリクス型液晶表示装
    置。
  34. 【請求項３４】 少なくとも前記画素補助電極の一部
    が、前記共通電極と同層で櫛歯状に形成された前記画素
    電極の下方に形成されていることを特徴とする請求項３
    ３に記載の横電界方式のアクティブマトリクス型液晶表
    示装置。
  35. 【請求項３５】 前記共通電極の直下の層に形成された
    層間絶縁膜と、前記層間絶縁膜の下方に形成された一層
    または複数層からなり、前記共通電極配線に接続され、
    前記共通電極と等電位となる共通補助電極とをさらに備
    え、 前記共通補助電極は不透明金属からなるものであること
    を特徴とする請求項１乃至請求項３４の何れか一項に記
    載の横電界方式のアクティブマトリクス型液晶表示装
    置。
  36. 【請求項３６】 前記共通補助電極は、櫛歯状に形成さ
    れた前記共通電極の下方に形成されていることを特徴と
    する請求項３５に記載の横電界方式のアクティブマトリ
    クス型液晶表示装置。
  37. 【請求項３７】 前記液晶表示装置の走査線端子、デー
    タ線端子および共通電極配線端子は、透明電極からなる
    前記共通電極と同一の材料で、被覆もしくは形成されて
    いることを特徴とする請求項１乃至請求項３６の何れか
    一項に記載の横電界方式のアクティブマトリクス型液晶
    表示装置。
  38. 【請求項３８】 液晶分子の回転方向が同じとなるサブ
    画素領域において、液晶が逆方向に回転することを防止
    する逆回転防止構造をさらに備えており、この逆回転防
    止構造においては、液晶の初期配向方向と前記サブ画素
    領域内で発生する電界の向きとの関係が、サブ画素領域
    内のすべての領域において、液晶の初期配向方向から同
    一方向への鋭角の回転により電界の向きと重なるよう
    に、前記画素補助電極および前記共通電極配線のエッジ
    の一部が斜め形状となるように設定されていることを特
    徴とする請求項１乃至請求項３７の何れか一項に記載の
    横電界方式のアクティブマトリクス型液晶表示装置。
  39. 【請求項３９】 前記共通電極および前記画素電極がジ
    グザグ構造をとることによって１画素内で液晶が２方向
    に回転するサブ画素領域を有する構造において、前記画
    素補助電極の一部が、前記画素電極のジグザグの屈曲部
    において、異なる方向に液晶が回転する２つのサブ画素
    領域間の境界に沿って、屈曲の出っ張りの方向に延伸さ
    れた構造を有することにより、前記２つのサブ画素領域
    間の液晶の回転を安定させる構造を有することを特徴と
    する請求項３乃至請求項３８の何れか一項に記載の横電
    界方式のアクティブマトリクス型液晶表示装置。
  40. 【請求項４０】 前記共通電極および前記画素電極がジ
    グザグ構造をとることによって１画素内で液晶が２方向
    に回転するサブ画素領域を有する構造において、前記共
    通補助電極の一部が、前記共通電極のジグザグの屈曲部
    において、異なる方向に液晶が回転する２つのサブ画素
    領域間の境界に沿って、屈曲の出っ張りの方向に延伸さ
    れた構造を有することにより、前記２つのサブ画素領域
    間の液晶の回転を安定させる構造を有することを特徴と
    する請求項３乃至請求項３９の何れか一項に記載の横電
    界方式のアクティブマトリクス型液晶表示装置。
  41. 【請求項４１】 前記共通電極を覆うパッシベーション
    膜をさらに備えることを特徴とする請求項１乃至請求項
    ４０の何れか一項に記載の横電界方式のアクティブマト
    リクス型液晶表示装置。
  42. 【請求項４２】 前記画素電極を覆うパッシベーション
    膜をさらに備えることを特徴とする請求項４１に記載の
    横電界方式のアクティブマトリクス型液晶表示装置。
  43. 【請求項４３】 前記能動素子基板は、前記画素電極を
    前記前記ソース電極に接続するコンタクトホール、若し
    くは前記共通電極を前記共通電極配線に接続するコンタ
    クトホールを具備し、前記コンタクトホールは、正方形
    もしくは長方形の形状を有しており、正方形もしくは長
    方形の一辺の長さは６μｍ以上であることを特徴とする
    請求項１乃至請求項４２の何れか一項に記載の横電界方
    式のアクティブマトリクス型液晶表示装置。
  44. 【請求項４４】 前記能動素子基板は、前記画素電極を
    前記前記ソース電極に接続するコンタクトホール、若し
    くは前記共通電極を前記共通電極配線に接続するコンタ
    クトホールを具備し、前記コンタクトホールの内壁を覆
    う金属膜をさらに有することを特徴とする請求項１乃至
    請求項４３の何れか一項に記載の横電界方式のアクティ
    ブマトリクス型液晶表示装置。
  45. 【請求項４５】 前記画素電極はデータ線を形成してい
    る第２の金属層により形成されていることを特徴とする
    請求項１乃至請求項４４の何れか一項に記載の横電界方
    式のアクティブマトリクス型液晶表示装置。
  46. 【請求項４６】 表示を行う領域においては、前記画素
    電極は前記ドレイン電極を形成している第２の金属層に
    より形成され、 前記共通電極のうちデータ線を覆うように形成された透
    明金属からなる部分以外の領域は、前記ゲート電極を形
    成している第１の金属層により形成されていることを特
    徴とする請求項１乃至請求項４４の何れか一項に記載の
    横電界方式のアクティブマトリクス型液晶表示装置。
  47. 【請求項４７】 前記データ線とこれを覆うようにして
    形成された透明金属からなる前記共通電極との間には層
    間絶縁膜が形成されており、前記層間絶縁膜は、前記デ
    ータ線を覆うように形成された透明金属からなる前記共
    通電極の下方のみに形成されていることを特徴とする請
    求項４６に記載の横電界方式のアクティブマトリクス型
    液晶表示装置。
  48. 【請求項４８】 前記データ線とこれを覆うようにして
    形成された透明金属からなる前記共通電極との間には層
    間絶縁膜が形成されており、前記層間絶縁膜は無機膜か
    らなるものであることを特徴とする請求項１乃至請求項
    ４７の何れか一項に記載の横電界方式のアクティブマト
    リクス型液晶表示装置。
  49. 【請求項４９】 前記データ線とこれを覆うようにして
    形成された透明金属からなる前記共通電極との間には層
    間絶縁膜が形成されており、前記層間絶縁膜は有機膜か
    らなるものであることを特徴とする請求項１乃至請求項
    ４７の何れか一項に記載の横電界方式のアクティブマト
    リクス型液晶表示装置。
  50. 【請求項５０】 前記データ線とこれを覆うようにして
    形成された透明金属からなる前記共通電極との間には層
    間絶縁膜が形成されており、前記層間絶縁膜は、無機膜
    からなる第１の膜と、前記第１の膜を覆う有機膜からな
    る第２の膜とからなるものであることを特徴とする請求
    項１乃至請求項４７の何れか一項に記載の横電界方式の
    アクティブマトリクス型液晶表示装置。
  51. 【請求項５１】 前記層間絶縁膜として用いられる無機
    膜は、窒化シリコン膜、無機ポリシラザン膜、酸化シリ
    コン膜、もしくはこれらから構成される積層膜であるこ
    とを特徴とする請求項４８または請求項５０に記載の横
    電界方式のアクティブマトリクス型液晶表示装置。
  52. 【請求項５２】 前記層間絶縁膜として用いられる有機
    膜は、感光性アクリル樹脂、感光性ポリイミド、ベンゾ
    シクロブテン（ＢＣＢ）膜、有機ポリシラザン膜または
    シロキサン膜の何れかであることを特徴とする請求項４
    ９または請求項５０に記載の横電界方式のアクティブマ
    トリクス型液晶表示装置。
  53. 【請求項５３】 前記第１の膜は窒化シリコン膜であ
    り、第２の膜は感光性アクリル樹脂もしくは感光性ポリ
    イミド樹脂膜の何れかであることを特徴とする請求項５
    ０に記載の横電界方式のアクティブマトリクス型液晶表
    示装置。
  54. 【請求項５４】 前記データ線を覆うようにして形成さ
    れた透明金属からなる前記共通電極は、前記走査線と、
    前記走査線と前記共通電極との間の領域も覆うように形
    成されていることを特徴とする請求項１乃至請求項５３
    の何れか一項に記載の横電界方式のアクティブマトリク
    ス型液晶表示装置。
  55. 【請求項５５】 前記データ線を覆うようにして形成さ
    れた透明金属からなる前記共通電極は、前記薄膜トラン
    ジスタのチャネル領域を覆うように形成されていること
    を特徴とする請求項１乃至請求項５４の何れか一項に記
    載の横電界方式のアクティブマトリクス型液晶表示装
    置。
  56. 【請求項５６】 前記ゲート電極を形成する第１の金属
    層からなる共通電極配線と、前記ドレイン電極を形成す
    る第２の金属層からなる画素補助電極との間に、蓄積容
    量が形成されていることを特徴とする請求項１乃至請求
    項５５の何れか一項に記載の横電界方式のアクティブマ
    トリクス型液晶表示装置。
  57. 【請求項５７】 前記共通電極配線は、各単位画素の平
    面図上において、前記走査線に沿って前記走査線の片側
    又は両側に形成されていることを特徴とする請求項１乃
    至請求項５６の何れか一項に記載の横電界方式のアクテ
    ィブマトリクス型液晶表示装置。
  58. 【請求項５８】 前記データ線のうち、これに対向する
    前記ブラックマトリクス層、もしくは複数の色層を重ね
    た前記遮光層のいずれにも覆われておらず、かつ、前記
    共通電極が前記データ線を覆っていない領域において
    は、前記データ線の下方には前記共通電極に接続された
    遮光層が形成されていることを特徴とする請求項１乃至
    請求項５７の何れか一項に記載の横電界方式のアクティ
    ブマトリクス型液晶表示装置。
  59. 【請求項５９】 前記ゲート電極は第１の金属層から形
    成され、前記ドレイン電極は第２の金属層から形成され
    ており、前記第１及び第２の金属層は、いずれもクロ
    ム、アルミニウム、チタン、モリブデン、タングステン
    のいずれか一からなる単層膜、または、いずれか二以上
    からなる積層膜であることを特徴とする請求項１乃至請
    求項５８の何れか一項に記載の横電界方式のアクティブ
    マトリクス型液晶表示装置。
  60. 【請求項６０】 前記画素電極と第２の金属層から形成
    される前記ソース電極もしくは前記画素補助電極とは、
    各単位画素において、平面図上、上側及び下側の何れか
    一方において、第１のコンタクトホールを介して接続さ
    れ、前記共通電極と第１の金属層から形成される前記共
    通電極配線とが、各単位画素において、平面図上、上側
    及び下側の他方において、第２のコンタクトホールを介
    して接続されていることを特徴とする請求項１乃至請求
    項５９の何れか一項に記載の横電界方式のアクティブマ
    トリクス型液晶表示装置。
  61. 【請求項６１】 前記透明電極はＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ
    −Ｔｉｎ−Ｏｘｉｄｅ）であることを特徴とする請求項
    １乃至請求項６０の何れか一項に記載の横電界方式のア
    クティブマトリクス型液晶表示装置。
  62. 【請求項６２】 能動素子基板と、対向基板と、前記能
    動素子基板と前記対向基板との間に挟まれた状態で保持
    されている液晶層、とからなる液晶表示装置であって、 前記能動素子基板は、ゲート電極、ドレイン電極、ソー
    ス電極を有する薄膜トランジスタと、表示すべき画素に
    対応した画素電極と、基準電位が与えられる共通電極
    と、データ線と、走査線と、共通電極配線とを備え、 前記ゲート電極は前記走査線に、前記ドレイン電極は前
    記データ線に、前記ソース電極は前記画素電極に、前記
    共通電極は前記共通電極配線に、それぞれ電気的に接続
    されており、 前記画素電極と前記共通電極とは、互いに略等間隔でジ
    グザグ状に配置され、 前記画素電極と前記共通電極の間には前記能動素子基板
    の表面に略平行な２方向の電界が印加され、 第１の方向の電界が印加され、前記液晶層の分子軸が前
    記能動素子基板の表面に平行な面内において、第１の回
    転方向に回転される第１のサブ画素領域と、第２の方向
    の電界が印加され、前記液晶層の分子軸が前記能動素子
    基板の表面に平行な面内において、前記第１の回転方向
    とは異なる第２の回転方向に回転される第２のサブ画素
    領域を有する横電界方式のアクティブマトリクス型液晶
    表示装置において、 前記ゲート電極、または前記ドレイン電極と同層で形成
    した孤立フローティング電極が、前記共通電極または前
    記画素電極のジグザグの屈曲部において、前記絶縁膜を
    介して前記共通電極または前記画素電極と重なり合って
    おり、前記第１のサブ画素領域と前記第２のサブ画素領
    域の境界に沿って、前記屈曲の出っ張りの方向に延在さ
    れた構造を有することを特徴とする横電界方式のアクテ
    ィブマトリクス型液晶表示装置。
  63. 【請求項６３】 前記ドレイン電極を形成する第２の金
    属層からなる画素電極と、前記ゲート電極を形成する第
    １の金属層からなる共通電極配線との間に、蓄積容量が
    形成されていることを特徴とする請求項４５に記載の横
    電界方式のアクティブマトリクス型液晶表示装置。
  64. 【請求項６４】 前記共通電極および前記画素電極がジ
    グザグ構造をとることによって１画素内で２方向に回転
    するサブ画素領域を有する構造を有しており、 （１）前記共通電極の一部が、前記共通電極のジグザグ
    の屈曲部において、異なる方向に液晶が回転する２つの
    サブ画素領域間の境界に沿って、屈曲の出っ張りの方向
    に延伸された構造を有することにより、サブ画素領域間
    の回転を安定させる構造と、 （２）前記画素電極の一部が、前記画素電極のジグザグ
    の屈曲部において、異なる方向に液晶が回転する２つの
    サブ画素領域間の境界に沿って、屈曲の出っ張りの方向
    に延伸された構造と、 の少なくとも何れか一方を有することにより、サブ画素
    領域間の回転を安定させる構造を有することを特徴とす
    る請求項４５又は請求項６３に記載の横電界方式のアク
    ティブマトリクス型液晶表示装置。
  65. 【請求項６５】 前記データ線と前記共通電極との間に
    層間絶縁膜が形成され、前記層間絶縁膜は無機膜から成
    る第１の膜と、前記第１の膜を覆う有機膜から成る第２
    の膜を有し、前記第１の膜の膜厚は０．２５μｍ以上で
    あることを特徴とする請求項１乃至請求項６４のいずれ
    か一項に記載の横電界方式のアクティブマトリクス型液
    晶表示装置。
  66. 【請求項６６】 前記能動素子基板に色層を備えたこと
    を特徴とする請求項１乃至請求項６５のいずれか一項に
    記載の横電界方式のアクティブマトリクス型液晶表示装
    置。
  67. 【請求項６７】 前記能動素子基板にブラックマトリク
    ス層を備えたことを特徴とする請求項１乃至請求項６６
    のいずれか一項に記載の横電界方式のアクティブマトリ
    クス型液晶表示装置。
  68. 【請求項６８】 前記データ線と前記共通電極との間に
    層間絶縁膜が形成され、前記層間絶縁膜は少なくとも有
    機膜を含むものであり、前記色層もしくは前記ブラック
    マトリクス層は、前記有機膜に覆われていることを特徴
    とする請求項６７に記載の横電界方式のアクティブマト
    リクス型液晶表示装置。
  69. 【請求項６９】 前記データ線と前記共通電極との間に
    層間絶縁膜が形成され、前記層間絶縁膜は、無機膜から
    成る第１の膜と、前記第１の膜を覆う有機膜から成る第
    ２の膜からなるものであり、前記色層もしくは前記ブラ
    ックマトリクス層は、前記第１の膜と前記第２の膜との
    間に形成されていることを特徴とする請求項６７に記載
    の横電界方式のアクティブマトリクス型液晶表示装置。
  70. 【請求項７０】 請求項１乃至請求項６９の何れか一項
    に記載した液晶表示装置を搭載した電子機器。
  71. 【請求項７１】 能動素子基板と、対向基板と、前記能
    動素子基板と前記対向基板との間に挟まれた状態で保持
    されている液晶層、とからなる液晶表示装置であって、 前記能動素子基板は、ゲート電極、ドレイン電極、ソー
    ス電極を有する薄膜トランジスタと、表示すべき画素に
    対応した画素電極と、基準電位が与えられる共通電極
    と、データ線と、走査線と、共通電極配線と、データ線
    端子と、走査線端子と、共通電極配線端子とを備え、 前記ゲート電極は前記走査線に、前記ドレイン電極は前
    記データ線に、前記ソース電極は前記画素電極に、前記
    共通電極は前記共通電極配線に、それぞれ電気的に接続
    されており、 前記画素電極と前記共通電極の間に印加される、前記能
    動素子基板の表面に略平行な電界により、前記液晶層の
    分子軸を前記能動素子基板に平行な面内において回転さ
    せることにより表示を行う横電界方式のアクティブマト
    リクス型液晶表示装置の製造方法において、 前記薄膜トランジスタ、前記データ線、前記走査線及び
    前記共通電極配線形成後、全面に層間絶縁膜を形成する
    第１の工程と、 前記層間絶縁膜をエッチングし、それぞれ前記データ
    線、前記走査線及び前記共通電極配線に到達するコンタ
    クトホールを形成する第２の工程と、 全面に透明金属を形成し、前記各コンタクトホールの内
    壁を前記透明金属で覆い、前記データ線端子、前記走査
    線端子及び前記共通電極配線端子を形成する第３の工程
    と、 前記透明金属をエッチングし、前記データ線を覆うよう
    に前記共通電極を形成する第４の工程とを有することを
    特徴とする横電界方式のアクティブマトリクス型液晶表
    示装置の製造方法。
  72. 【請求項７２】 能動素子基板と、対向基板と、前記能
    動素子基板と前記対向基板との間に挟まれた状態で保持
    されている液晶層、とからなる液晶表示装置であって、 前記能動素子基板は、ゲート電極、ドレイン電極、ソー
    ス電極を有する薄膜トランジスタと、表示すべき画素に
    対応した画素電極と、基準電位が与えられる共通電極
    と、データ線と、走査線と、共通電極配線とを備え、 前記ゲート電極は前記走査線に、前記ドレイン電極は前
    記データ線に、前記ソース電極は前記画素電極に、前記
    共通電極は前記共通電極配線に、それぞれ電気的に接続
    されており、 前記画素電極と前記共通電極とは、互いに略等間隔でジ
    グザグ状に配置され、 前記画素電極と前記共通電極との間には前記能動素子基
    板の表面に略平行な２方向の電界が印加され、 第１の方向の電界が印加され、前記液晶層の分子軸が前
    記能動素子基板の表面に平行な面内において、第１の回
    転方向に回転される第１のサブ画素領域と、第２の方向
    の電界が印加され、前記液晶層の分子軸が前記能動素子
    基板の表面に平行な面内において、前記第１の回転方向
    とは異なる第２の回転方向に回転される第２のサブ画素
    領域を有する横電界方式のアクティブマトリクス型液晶
    表示装置の製造方法において、 前記薄膜トランジスタ、前記データ線、前記走査線及び
    前記共通電極配線形成後、全面に層間絶縁膜を形成する
    第１の工程と、 前記層間絶縁膜をエッチングし、それぞれ前記データ
    線、前記走査線及び前記共通電極配線に到達するコンタ
    クトホールを形成する第２の工程と、 全面に透明金属を形成し、前記各コンタクトホールの内
    壁を前記透明金属で覆い、前記データ線端子、前記走査
    線端子及び前記共通電極配線端子を形成する第３の工程
    と、 前記透明金属をエッチングし、前記データ線を覆うよう
    に前記共通電極を形成する第４の工程とを有することを
    特徴とする横電界方式のアクティブマトリクス型液晶表
    示装置の製造方法。
  73. 【請求項７３】 前記第４の工程において、さらに前記
    透明金属をエッチングし、前記画素電極を形成すること
    を特徴とする請求項７１又は請求項７２に記載の横電界
    方式のアクティブマトリクス型液晶表示装置の製造方
    法。
  74. 【請求項７４】 前記第２の工程において、さらに前記
    薄膜トランジスタの前記ソース電極に到達する第２のコ
    ンタクトホールを形成し、 前記第３の工程において、さらに前記第２のコンタクト
    ホールの内壁を前記透明金属で被覆することを特徴とす
    る請求項７１乃至請求項７３の何れか一項に記載の横電
    界方式のアクティブマトリクス型液晶表示装置の製造方
    法。
  75. 【請求項７５】 前記第２の工程において、さらに前記
    共通電極配線に到達する第３のコンタクトホールを形成
    し、 前記第３の工程において、さらに前記第３のコンタクト
    ホールの内壁を前記透明金属で覆い、 前記第４の工程において、さらに前記透明金属をエッチ
    ングし、前記共通電極が前記第３のコンタクトホールに
    接続されるように形成することを特徴とする請求項７１
    乃至請求項７４の何れか一項に記載の横電界方式のアク
    ティブマトリクス型液晶表示装置の製造方法。
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KR10-2002-0009563A KR100470759B1 (ko) 2001-02-23 2002-02-22 인-플레인 스위칭 모드 액티브 매트릭스형 액정 표시 장치및 그 제조 방법
US10/081,800 US6924863B2 (en) 2001-02-23 2002-02-22 In-plane switching mode active matrix type liquid crystal display device and method of fabricating the same
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CNB2004100982800A CN100373246C (zh) 2001-11-15 2002-10-18 平面开关模式有源矩阵型液晶显示器件及其制造方法
CN 02148009 CN1207617C (zh) 2001-11-15 2002-10-18 平面开关模式有源矩阵型液晶显示器件及其制造方法
US11/025,372 US7446833B2 (en) 2001-02-23 2004-12-29 In-plane switching mode active matrix type liquid crystal display device and method of fabricating the same
US11/097,695 US7619710B2 (en) 2001-02-23 2005-04-01 In-plane switching mode active matrix type liquid crystal display device and method of fabricating the same

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Cited By (36)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004012730A (ja) * 2002-06-06 2004-01-15 Hitachi Displays Ltd 液晶表示装置
JP2004184967A (ja) * 2002-12-02 2004-07-02 Ind Technol Res Inst 広視野角ディスプレイ装置とその製造方法
JP2004219707A (ja) * 2003-01-15 2004-08-05 Hitachi Displays Ltd 液晶表示装置
JP2004341465A (ja) * 2003-05-14 2004-12-02 Obayashi Seiko Kk 高品質液晶表示装置とその製造方法
JP2005195927A (ja) * 2004-01-08 2005-07-21 Nec Lcd Technologies Ltd 液晶表示装置
JP2005196162A (ja) * 2003-12-26 2005-07-21 Lg Philips Lcd Co Ltd 横電界方式の液晶表示素子
JP2005257883A (ja) * 2004-03-10 2005-09-22 Nec Lcd Technologies Ltd 液晶表示装置
KR100602759B1 (ko) * 2003-03-19 2006-07-20 엔이씨 엘씨디 테크놀로지스, 엘티디. 액정 표시 장치 및 그 제조 방법
WO2006114933A1 (ja) * 2005-04-22 2006-11-02 Sharp Kabushiki Kaisha 液晶表示装置
CN1325986C (zh) * 2003-04-25 2007-07-11 Nec液晶技术株式会社 液晶显示装置
JP2007279634A (ja) * 2006-04-12 2007-10-25 Nec Lcd Technologies Ltd 横電界方式の液晶表示装置
CN100417999C (zh) * 2005-01-17 2008-09-10 Nec液晶技术株式会社 面内开关液晶显示设备
US7465594B2 (en) 2005-06-17 2008-12-16 Nec Lcd Technologies, Ltd. Active-matrix addressing substrate and method of fabricating the same
JP2009098694A (ja) * 2007-10-17 2009-05-07 Lg Display Co Ltd 横電界方式液晶表示装置及びその製造方法
JP2009128905A (ja) * 2007-11-26 2009-06-11 Au Optronics Corp 液晶ディスプレイ装置
JP2009223245A (ja) * 2008-03-19 2009-10-01 Hitachi Displays Ltd 液晶表示装置
KR100928920B1 (ko) * 2002-12-10 2009-11-30 엘지디스플레이 주식회사 횡전계모드 액정표시소자
US7728940B2 (en) 2006-08-11 2010-06-01 Nec Lcd Technologies, Ltd. Liquid crystal display device
JP2010145872A (ja) * 2008-12-19 2010-07-01 Sony Corp 液晶パネル及び電子機器
JP2010145870A (ja) * 2008-12-19 2010-07-01 Sony Corp 液晶パネル及び電子機器
WO2010131552A1 (ja) * 2009-05-13 2010-11-18 シャープ株式会社 液晶表示装置
US7936428B2 (en) 2004-02-26 2011-05-03 Nec Lcd Technologies, Ltd Liquid crystal display device with an electric-field shielding layer and method of fabricating the same
JP2011150021A (ja) * 2010-01-19 2011-08-04 Nec Lcd Technologies Ltd 横電界方式の液晶表示装置
US8031313B2 (en) 2008-05-12 2011-10-04 Nec Lcd Technologies, Ltd. Lateral electric field type liquid crystal display device
US8194220B2 (en) 2008-07-22 2012-06-05 Nlt Technologies, Ltd. In-plane switching mode liquid crystal display device
JP2012113326A (ja) * 2001-02-23 2012-06-14 Nlt Technologies Ltd 横電界方式のアクティブマトリクス型液晶表示装置
JP2012118489A (ja) * 2010-11-09 2012-06-21 Nlt Technologies Ltd 液晶表示装置
JP2013068949A (ja) * 2011-09-23 2013-04-18 Samsung Display Co Ltd 液晶表示装置
JP2013164599A (ja) * 2013-03-18 2013-08-22 Nlt Technologies Ltd 横電界方式の液晶表示装置
JP2014002232A (ja) * 2012-06-18 2014-01-09 Seiko Epson Corp 表示制御回路、表示制御方法、電気光学装置及び電子機器
JP2014139683A (ja) * 2006-08-11 2014-07-31 Nlt Technologies Ltd 液晶表示装置
JPWO2013129200A1 (ja) * 2012-02-27 2015-07-30 京セラ株式会社 液晶表示装置
US9122107B2 (en) 2012-10-19 2015-09-01 Nlt Technologies, Ltd. Liquid crystal display device
US9366890B2 (en) 2013-02-12 2016-06-14 Samsung Display Co., Ltd. Liquid crystal display
JP6119908B1 (ja) * 2016-07-08 2017-04-26 大日本印刷株式会社 調光フィルム、調光フィルムの積層体及び車両
JP2020042314A (ja) * 2008-12-03 2020-03-19 株式会社半導体エネルギー研究所 液晶表示装置

Families Citing this family (126)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002040456A (ja) * 2000-07-28 2002-02-06 Nec Corp 液晶表示装置
KR100370113B1 (ko) * 2000-08-29 2003-01-29 엘지.필립스 엘시디 주식회사 횡전계 방식 액정 표시 소자
JP2002323706A (ja) * 2001-02-23 2002-11-08 Nec Corp 横電界方式のアクティブマトリクス型液晶表示装置及びその製造方法
JP4047586B2 (ja) * 2002-01-10 2008-02-13 Ｎｅｃ液晶テクノロジー株式会社 横電界方式のアクティブマトリクス型液晶表示装置
JP4197233B2 (ja) * 2002-03-20 2008-12-17 株式会社日立製作所 表示装置
EP1497867A2 (en) * 2002-04-24 2005-01-19 E Ink Corporation Electronic displays
US6798483B2 (en) * 2002-04-25 2004-09-28 Hannstar Display Corp. Floating electrode switching liquid crystal display
KR100876403B1 (ko) * 2002-08-27 2008-12-31 엘지디스플레이 주식회사 횡전계방식 액정 표시 장치 및 그 제조방법
KR100895308B1 (ko) * 2002-10-25 2009-05-07 삼성전자주식회사 수평 전계형 박막 트랜지스터 기판
KR20040038355A (ko) * 2002-10-31 2004-05-08 엘지.필립스 엘시디 주식회사 개구율이 향상된 횡전계모드 액정표시소자
JP4248848B2 (ja) * 2002-11-12 2009-04-02 奇美電子股▲ふん▼有限公司 液晶表示セルおよび液晶ディスプレイ
KR100760937B1 (ko) * 2002-11-30 2007-09-21 엘지.필립스 엘시디 주식회사 횡전계방식의 액정표시장치 및 그 제조방법
KR100895017B1 (ko) * 2002-12-10 2009-04-30 엘지디스플레이 주식회사 개구율이 향상된 횡전계모드 액정표시소자
KR100928921B1 (ko) * 2002-12-11 2009-11-30 엘지디스플레이 주식회사 횡전계모드 액정표시소자
KR100491258B1 (ko) * 2002-12-31 2005-05-24 엘지.필립스 엘시디 주식회사 반사투과형 액정표시장치용 어레이기판과 그 제조방법
US7349052B2 (en) * 2003-09-25 2008-03-25 Hannstar Display Corp. Pixel structure for liquid crystal display
TWI226461B (en) * 2003-03-28 2005-01-11 Quanta Display Inc Color filter and method for fabricating the same
KR100966443B1 (ko) * 2003-05-02 2010-06-28 엘지디스플레이 주식회사 횡전계방식 액정표시소자 및 그 제조방법
KR100984345B1 (ko) * 2003-05-30 2010-09-30 삼성전자주식회사 박막 트랜지스터 표시판 및 이를 포함하는 액정 표시 장치
KR100710166B1 (ko) * 2003-06-28 2007-04-20 엘지.필립스 엘시디 주식회사 액정표시장치 및 그의 제조방법
KR100983578B1 (ko) * 2003-06-28 2010-09-27 엘지디스플레이 주식회사 횡전계 방식의 액정표시장치 및 그의 제조방법
KR100949495B1 (ko) * 2003-06-28 2010-03-24 엘지디스플레이 주식회사 횡전계 방식의 액정표시장치 및 그의 제조방법
TWI226966B (en) * 2003-08-14 2005-01-21 Au Optronics Corp Thin film transistor liquid crystal display substrate
KR101080356B1 (ko) * 2003-10-13 2011-11-04 삼성전자주식회사 박막 트랜지스터, 박막 트랜지스터 표시판 및 표시 장치
US7916254B2 (en) * 2003-10-27 2011-03-29 Hitachi Displays, Ltd. Liquid crystal display apparatus for performing alignment process by irradiating light
KR101157223B1 (ko) * 2003-10-29 2012-06-15 엘지디스플레이 주식회사 횡전계방식 액정표시소자 및 그 제조방법
KR100685927B1 (ko) * 2003-12-02 2007-02-23 엘지.필립스 엘시디 주식회사 횡전계방식 액정표시소자 및 그 제조방법
KR101002333B1 (ko) * 2003-12-02 2010-12-17 엘지디스플레이 주식회사 횡전계방식 액정표시소자 및 그 제조방법
KR100659912B1 (ko) * 2003-12-03 2006-12-20 엘지.필립스 엘시디 주식회사 액정표시장치 및 그 제조방법
JP4058695B2 (ja) * 2004-02-16 2008-03-12 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置及び電子機器
TWI281998B (en) * 2004-04-16 2007-06-01 Innolux Display Corp Liquid crystal display device and the method for manufacturing it
CN100367101C (zh) * 2004-07-26 2008-02-06 广辉电子股份有限公司 液晶显示装置
KR101123094B1 (ko) 2004-10-13 2012-03-15 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 에칭 방법 및 반도체장치의 제조방법
JP4550551B2 (ja) * 2004-10-29 2010-09-22 株式会社 日立ディスプレイズ 液晶表示装置
GB2421833B (en) * 2004-12-31 2007-04-04 Lg Philips Lcd Co Ltd Liquid crystal display device and method for fabricating the same
TWI569441B (zh) 2005-01-28 2017-02-01 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置，電子裝置，和半導體裝置的製造方法
TWI472037B (zh) * 2005-01-28 2015-02-01 Semiconductor Energy Lab 半導體裝置，電子裝置，和半導體裝置的製造方法
KR101189144B1 (ko) * 2005-03-03 2012-10-10 엘지디스플레이 주식회사 횡전계 방식 액정표시장치용 어레이기판과 그 제조방법
KR101142886B1 (ko) * 2005-06-17 2012-05-10 엘지디스플레이 주식회사 횡전계 방식 액정표시장치용 어레이 기판과 그 제조방법
KR101137840B1 (ko) * 2005-06-23 2012-04-20 엘지디스플레이 주식회사 횡전계방식 액정표시소자
KR101137866B1 (ko) * 2005-06-30 2012-04-23 엘지디스플레이 주식회사 횡전계방식 액정표시소자
KR100641641B1 (ko) * 2005-06-30 2006-11-02 엘지.필립스 엘시디 주식회사 액정 표시 장치 및 그의 제조 방법
KR101171180B1 (ko) * 2005-07-15 2012-08-20 삼성전자주식회사 액정 표시 장치
TWI266105B (en) * 2005-08-26 2006-11-11 Innolux Display Corp Liquid crystal display
JP4623464B2 (ja) 2005-09-26 2011-02-02 株式会社 日立ディスプレイズ 液晶表示装置
US7932980B2 (en) * 2005-11-23 2011-04-26 University Of Central Florida Research Foundation, Inc. Liquid crystal display device having patterned electrodes for repetitive divided horizontal electric field and fringing electric field
EP1793266B1 (en) 2005-12-05 2017-03-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Transflective Liquid Crystal Display with a Horizontal Electric Field Configuration
US7852445B2 (en) * 2005-12-22 2010-12-14 Nec Corporation Liquid crystal display device and terminal device that uses same
US7746330B2 (en) * 2005-12-22 2010-06-29 Au Optronics Corporation Circuit and method for improving image quality of a liquid crystal display
TWI752316B (zh) 2006-05-16 2022-01-11 日商半導體能源研究所股份有限公司 液晶顯示裝置
KR100879294B1 (ko) * 2006-06-12 2009-01-16 삼성모바일디스플레이주식회사 유기 발광 표시 장치
US7623191B2 (en) * 2006-09-19 2009-11-24 Hannstar Display Corp. Liquid crystal display devices
KR101311337B1 (ko) * 2006-10-20 2013-09-25 엘지디스플레이 주식회사 횡전계 방식 액정표시장치용 어레이기판과 그 제조방법
KR101423909B1 (ko) * 2006-12-19 2014-07-29 삼성디스플레이 주식회사 표시 기판 및 이를 구비하는 액정 표시 장치
CN100449395C (zh) * 2006-12-22 2009-01-07 北京京东方光电科技有限公司 一种电极突起的边缘场开关液晶显示器
TWI444730B (zh) * 2006-12-29 2014-07-11 Innolux Corp 畫素結構及應用其之液晶顯示面板及液晶顯示裝置
KR101389219B1 (ko) * 2006-12-29 2014-04-24 엘지디스플레이 주식회사 프린지 필드형 액정표시패널 및 그 제조 방법
KR100849599B1 (ko) * 2007-02-05 2008-07-31 비오이 하이디스 테크놀로지 주식회사 에프에프에스 모드 액정표시장치
KR101350600B1 (ko) * 2007-04-19 2014-01-10 엘지디스플레이 주식회사 표시장치 및 이의 제조 방법
KR101408252B1 (ko) 2007-06-22 2014-06-17 엘지디스플레이 주식회사 액정표시장치 및 그 제조방법
JP5074129B2 (ja) * 2007-08-21 2012-11-14 株式会社ジャパンディスプレイイースト 表示装置
KR101471546B1 (ko) * 2007-09-12 2014-12-11 삼성디스플레이 주식회사 액정 표시 장치
US8264439B2 (en) * 2007-11-01 2012-09-11 Wintek Corporation Liquid crystal display panel and liquid crystal display device using the same
JP4693131B2 (ja) * 2008-02-14 2011-06-01 東芝モバイルディスプレイ株式会社 液晶表示装置
JP5246782B2 (ja) 2008-03-06 2013-07-24 株式会社ジャパンディスプレイウェスト 液晶装置および電子機器
KR101460652B1 (ko) * 2008-05-14 2014-11-13 삼성디스플레이 주식회사 액정표시장치 및 이의 제조 방법
KR101298547B1 (ko) * 2008-08-07 2013-08-22 엘지디스플레이 주식회사 횡전계형 액정표시장치용 어레이 기판 및 그 제조 방법
KR20100031977A (ko) * 2008-09-17 2010-03-25 삼성전자주식회사 표시판 및 이를 구비한 액정 표시 장치
US8144295B2 (en) 2008-11-18 2012-03-27 Apple Inc. Common bus design for a TFT-LCD display
US8749496B2 (en) 2008-12-05 2014-06-10 Apple Inc. Integrated touch panel for a TFT display
CN101710586B (zh) * 2009-01-09 2011-12-28 深超光电（深圳）有限公司 提高开口率的储存电容及其制作方法
US8558978B2 (en) * 2009-02-13 2013-10-15 Apple Inc. LCD panel with index-matching passivation layers
US8294647B2 (en) * 2009-02-13 2012-10-23 Apple Inc. LCD pixel design varying by color
US8390553B2 (en) * 2009-02-13 2013-03-05 Apple Inc. Advanced pixel design for optimized driving
US20100208179A1 (en) * 2009-02-13 2010-08-19 Apple Inc. Pixel Black Mask Design and Formation Technique
US8345177B2 (en) * 2009-02-13 2013-01-01 Shih Chang Chang Via design for use in displays
US8633879B2 (en) 2009-02-13 2014-01-21 Apple Inc. Undulating electrodes for improved viewing angle and color shift
US9612489B2 (en) * 2009-02-13 2017-04-04 Apple Inc. Placement and shape of electrodes for use in displays
US8587758B2 (en) * 2009-02-13 2013-11-19 Apple Inc. Electrodes for use in displays
US8531408B2 (en) * 2009-02-13 2013-09-10 Apple Inc. Pseudo multi-domain design for improved viewing angle and color shift
US8111232B2 (en) * 2009-03-27 2012-02-07 Apple Inc. LCD electrode arrangement
US8294850B2 (en) * 2009-03-31 2012-10-23 Apple Inc. LCD panel having improved response
TWI428663B (zh) * 2009-06-12 2014-03-01 Au Optronics Corp 觸控式液晶顯示面板及液晶顯示面板
US8570270B2 (en) * 2009-10-19 2013-10-29 Apple Inc. Backlight unit color compensation techniques
TWI409559B (zh) * 2010-08-27 2013-09-21 Chunghwa Picture Tubes Ltd 液晶顯示面板
KR101830274B1 (ko) 2011-01-28 2018-02-21 삼성디스플레이 주식회사 액정 표시 장치
KR20120114042A (ko) * 2011-04-06 2012-10-16 하이디스 테크놀로지 주식회사 액정표시장치
JP5627774B2 (ja) 2011-05-30 2014-11-19 京セラ株式会社 液晶表示装置およびその製造方法
JP5906043B2 (ja) * 2011-09-01 2016-04-20 株式会社ジャパンディスプレイ 液晶表示装置
CN102629055B (zh) 2011-10-24 2015-06-03 北京京东方光电科技有限公司 显示器件的阵列基板、彩膜基板及其制备方法
JP2013101183A (ja) * 2011-11-07 2013-05-23 Japan Display Central Co Ltd 液晶表示装置
KR101905757B1 (ko) * 2011-11-17 2018-10-10 엘지디스플레이 주식회사 에프에프에스 방식 액정표시장치용 어레이기판 및 그 제조방법
CN102636921A (zh) * 2011-12-01 2012-08-15 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板、液晶面板及显示设备
KR101303476B1 (ko) * 2012-03-08 2013-09-05 엘지디스플레이 주식회사 액정표시장치 어레이 기판 및 그 제조방법
CN202473922U (zh) * 2012-03-16 2012-10-03 京东方科技集团股份有限公司 一种tft阵列基板及显示装置
US9395583B2 (en) 2012-06-06 2016-07-19 Apple Inc. Column spacer design for a display incorporating a third metal layer
CN102692770B (zh) * 2012-06-07 2015-02-18 昆山龙腾光电有限公司 液晶显示装置
WO2014007355A1 (ja) 2012-07-04 2014-01-09 Ｎｌｔテクノロジー株式会社 液晶表示装置
JP2014021449A (ja) * 2012-07-23 2014-02-03 Panasonic Liquid Crystal Display Co Ltd 液晶表示装置、および液晶表示装置の製造方法
KR101974059B1 (ko) * 2012-08-02 2019-05-02 삼성디스플레이 주식회사 액정 표시 장치 및 이의 제조 방법
KR20140049666A (ko) * 2012-10-18 2014-04-28 삼성디스플레이 주식회사 투명 표시 패널 및 이를 포함하는 투명 표시 장치
CN102998859B (zh) 2012-12-14 2016-03-02 京东方科技集团股份有限公司 一种阵列基板及其制备方法和显示装置
KR101960076B1 (ko) * 2013-01-31 2019-03-20 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
KR102105285B1 (ko) * 2013-09-03 2020-06-01 삼성디스플레이 주식회사 액정 표시 장치
CN103474437B (zh) * 2013-09-22 2015-11-18 京东方科技集团股份有限公司 一种阵列基板及其制备方法与显示装置
US9716134B2 (en) 2014-01-21 2017-07-25 Apple Inc. Organic light-emitting diode display with bottom shields
US9337247B2 (en) 2014-01-21 2016-05-10 Apple Inc. Organic light-emitting diode display with bottom shields
TWI548913B (zh) 2014-04-01 2016-09-11 群創光電股份有限公司 邊緣電場切換式液晶顯示面板與顯示裝置
WO2015160377A1 (en) 2014-04-16 2015-10-22 Wrostix Technologies Llc Structure for pixelated self-capacitance
US9367188B2 (en) 2014-05-23 2016-06-14 Apple Inc. RC matching in a touch screen
WO2015183334A1 (en) 2014-05-28 2015-12-03 Pylemta Management Llc Narrow border touch screen
KR102224457B1 (ko) * 2014-08-06 2021-03-09 엘지디스플레이 주식회사 표시장치와 그 제조 방법
KR102268587B1 (ko) * 2015-01-08 2021-06-23 삼성디스플레이 주식회사 액정 표시 장치
KR102315816B1 (ko) * 2015-03-09 2021-10-20 엘지디스플레이 주식회사 액정 표시 장치
US10157561B2 (en) * 2015-05-01 2018-12-18 Apple Inc. Electronic device display with zigzag pixel design
US9829347B2 (en) * 2015-06-03 2017-11-28 Hiwin Mikrosystem Corp. Capacitance sensation unit of plane position measurement device
CN104865737B (zh) * 2015-06-15 2017-07-25 京东方科技集团股份有限公司 一种显示面板、其驱动方法及显示装置
CN105488497B (zh) * 2016-01-13 2018-12-25 京东方科技集团股份有限公司 指纹探测电路和显示装置
TWI600953B (zh) * 2016-03-16 2017-10-01 群創光電股份有限公司 顯示面板
CN105842939B (zh) * 2016-06-17 2019-07-30 京东方科技集团股份有限公司 用于薄膜晶体管的显示器件及其具有该显示器件的显示装置
CN206711895U (zh) * 2017-06-02 2017-12-05 京东方科技集团股份有限公司 一种阵列基板、电致发光显示面板及显示装置
CN108828862A (zh) * 2018-08-22 2018-11-16 惠科股份有限公司 阵列基板及其制作方法
JP7006565B2 (ja) * 2018-10-31 2022-01-24 オムロン株式会社 電気機器、通信装置、および通信システム
KR20210019637A (ko) * 2019-08-12 2021-02-23 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
CN110456580B (zh) * 2019-08-26 2022-04-29 京东方科技集团股份有限公司 一种显示基板及其控制方法、显示面板、显示装置
CN114137771B (zh) * 2021-12-08 2023-08-01 Tcl华星光电技术有限公司 阵列基板及其制作方法

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH09258269A (ja) * 1996-03-27 1997-10-03 Hitachi Ltd 液晶表示装置
JPH1062802A (ja) * 1996-08-19 1998-03-06 Oobayashi Seiko Kk 液晶表示装置
WO1998047044A1 (fr) * 1997-04-11 1998-10-22 Hitachi, Ltd. Dispositif d'affichage a cristaux liquides
JPH112836A (ja) * 1997-06-10 1999-01-06 Hitachi Ltd アクティブマトリクス液晶表示装置
JPH11125835A (ja) * 1997-10-21 1999-05-11 Obayashi Seiko Kk 液晶表示装置
JP2001033824A (ja) * 1999-05-20 2001-02-09 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置およびその作製方法
JP2001033799A (ja) * 1999-07-19 2001-02-09 Matsushita Electric Ind Co Ltd 液晶パネル
JP2001091972A (ja) * 1999-09-21 2001-04-06 Hitachi Ltd 液晶表示装置

Family Cites Families (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3123273B2 (ja) 1992-12-28 2001-01-09 株式会社日立製作所 アクティブマトリクス型液晶表示装置およびその製造方法
JP2701698B2 (ja) 1993-07-20 1998-01-21 株式会社日立製作所 液晶表示装置
JP3877798B2 (ja) 1996-02-29 2007-02-07 コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ 液晶表示装置
JP2973934B2 (ja) 1996-07-11 1999-11-08 日本電気株式会社 液晶表示装置、及び液晶表示装置を搭載した電子機器
JPH1073823A (ja) 1996-09-02 1998-03-17 Hitachi Ltd アクティブマトリクス型液晶表示装置
US6219019B1 (en) * 1996-09-05 2001-04-17 Kabushiki Kaisha Toshiba Liquid crystal display apparatus and method for driving the same
TW396289B (en) * 1996-10-29 2000-07-01 Nippon Electric Co Liquid crystal display device
JP3087841B2 (ja) 1996-10-29 2000-09-11 日本電気株式会社 広視野角液晶表示装置
JP3120751B2 (ja) 1996-11-06 2000-12-25 日本電気株式会社 横電界方式の液晶表示装置
KR19990003282A (ko) * 1997-06-25 1999-01-15 윤종용 평면 구동 방식의 액정 표시 장치용 기판
KR100262405B1 (ko) * 1997-06-27 2000-08-01 김영환 액정 표시 소자
KR100257976B1 (ko) * 1997-07-22 2000-06-01 구본준, 론 위라하디락사 횡전계방식액정표시장치
JP4130490B2 (ja) 1997-10-16 2008-08-06 三菱電機株式会社 液晶表示装置
KR19990060948A (ko) * 1997-12-31 1999-07-26 김영환 횡전극구동 모드 박막트랜지스터 액정표시소자
JP3125872B2 (ja) * 1998-09-14 2001-01-22 日本電気株式会社 アクティブマトリクス型液晶表示装置
JP2000326814A (ja) 1999-05-21 2000-11-28 Calsonic Kansei Corp 車両用エアバッグモジュール構造
JP2001033815A (ja) * 1999-07-19 2001-02-09 Matsushita Electric Ind Co Ltd 液晶パネル
KR20010106187A (ko) 2000-04-20 2001-11-29 김승철 가맹점 홍보 시스템 및 그 운영방법
US6784965B2 (en) * 2000-11-14 2004-08-31 Lg.Philips Lcd Co., Ltd. In-plane switching mode liquid crystal display device and manufacturing method thereof
JP4884586B2 (ja) * 2000-12-18 2012-02-29 株式会社 日立ディスプレイズ 液晶表示装置
JP2002323706A (ja) * 2001-02-23 2002-11-08 Nec Corp 横電界方式のアクティブマトリクス型液晶表示装置及びその製造方法
JP4718712B2 (ja) * 2001-04-17 2011-07-06 Ｎｅｃ液晶テクノロジー株式会社 アクティブマトリクス型液晶表示装置
JP4047586B2 (ja) * 2002-01-10 2008-02-13 Ｎｅｃ液晶テクノロジー株式会社 横電界方式のアクティブマトリクス型液晶表示装置

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH09258269A (ja) * 1996-03-27 1997-10-03 Hitachi Ltd 液晶表示装置
JPH1062802A (ja) * 1996-08-19 1998-03-06 Oobayashi Seiko Kk 液晶表示装置
WO1998047044A1 (fr) * 1997-04-11 1998-10-22 Hitachi, Ltd. Dispositif d'affichage a cristaux liquides
JPH112836A (ja) * 1997-06-10 1999-01-06 Hitachi Ltd アクティブマトリクス液晶表示装置
JPH11125835A (ja) * 1997-10-21 1999-05-11 Obayashi Seiko Kk 液晶表示装置
JP2001033824A (ja) * 1999-05-20 2001-02-09 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置およびその作製方法
JP2001033799A (ja) * 1999-07-19 2001-02-09 Matsushita Electric Ind Co Ltd 液晶パネル
JP2001091972A (ja) * 1999-09-21 2001-04-06 Hitachi Ltd 液晶表示装置

Cited By (69)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012113326A (ja) * 2001-02-23 2012-06-14 Nlt Technologies Ltd 横電界方式のアクティブマトリクス型液晶表示装置
JP2004012730A (ja) * 2002-06-06 2004-01-15 Hitachi Displays Ltd 液晶表示装置
JP2004184967A (ja) * 2002-12-02 2004-07-02 Ind Technol Res Inst 広視野角ディスプレイ装置とその製造方法
KR100928920B1 (ko) * 2002-12-10 2009-11-30 엘지디스플레이 주식회사 횡전계모드 액정표시소자
JP2004219707A (ja) * 2003-01-15 2004-08-05 Hitachi Displays Ltd 液晶表示装置
US7557899B2 (en) 2003-03-19 2009-07-07 Nec Lcd Technologies, Ltd Liquid crystal display device and method of fabricating the same
KR100602759B1 (ko) * 2003-03-19 2006-07-20 엔이씨 엘씨디 테크놀로지스, 엘티디. 액정 표시 장치 및 그 제조 방법
US7142274B2 (en) 2003-03-19 2006-11-28 Nec Lcd Technologies, Ltd. Liquid crystal display device and method of fabricating the same
US7355670B2 (en) 2003-03-19 2008-04-08 Nec Lcd Technologies, Ltd. Liquid crystal display device and method of fabricating the same
CN1325986C (zh) * 2003-04-25 2007-07-11 Nec液晶技术株式会社 液晶显示装置
US7768613B2 (en) 2003-05-14 2010-08-03 Obayashiseikou Co., Ltd. High quality and ultra large screen liquid crystal display device and production method thereof
EP2293141A1 (en) 2003-05-14 2011-03-09 Obayashiseikou Co., Ltd. Method of manufacturing a high quality and ultra large screen liquid crystal display device.
US7705946B2 (en) 2003-05-14 2010-04-27 Obayashiseikou Co., Ltd. High quality and ultra large screen liquid crystal display device and production method thereof
JP2004341465A (ja) * 2003-05-14 2004-12-02 Obayashi Seiko Kk 高品質液晶表示装置とその製造方法
US7768612B2 (en) 2003-05-14 2010-08-03 Obayashiseikou Co., Ltd. High quality and ultra large screen liquid crystal display device and production method thereof
US8194219B2 (en) 2003-05-14 2012-06-05 Obayashiseikou Co., Ltd. High quality and ultra large screen liquid crystal display device and production method thereof
JP2005196162A (ja) * 2003-12-26 2005-07-21 Lg Philips Lcd Co Ltd 横電界方式の液晶表示素子
CN100432810C (zh) * 2004-01-08 2008-11-12 Nec液晶技术株式会社 液晶显示装置
JP2005195927A (ja) * 2004-01-08 2005-07-21 Nec Lcd Technologies Ltd 液晶表示装置
US7423716B2 (en) 2004-01-08 2008-09-09 Nec Lcd Technologies, Ltd. Liquid crystal display device with mound-like insulating film formed on video line covered by a common electrode with edges of the mound positioned on light shield electrode
US7936428B2 (en) 2004-02-26 2011-05-03 Nec Lcd Technologies, Ltd Liquid crystal display device with an electric-field shielding layer and method of fabricating the same
JP2005257883A (ja) * 2004-03-10 2005-09-22 Nec Lcd Technologies Ltd 液晶表示装置
CN100417992C (zh) * 2004-03-10 2008-09-10 Nec液晶技术株式会社 液晶显示设备
US7561234B2 (en) 2004-03-10 2009-07-14 Nec Lcd Technologies, Ltd. Liquid crystal display device
US7483106B2 (en) 2005-01-17 2009-01-27 Nec Lcd Technologies, Ltd. In-plane switching liquid crystal display device
CN100417999C (zh) * 2005-01-17 2008-09-10 Nec液晶技术株式会社 面内开关液晶显示设备
WO2006114933A1 (ja) * 2005-04-22 2006-11-02 Sharp Kabushiki Kaisha 液晶表示装置
US7465594B2 (en) 2005-06-17 2008-12-16 Nec Lcd Technologies, Ltd. Active-matrix addressing substrate and method of fabricating the same
JP2007279634A (ja) * 2006-04-12 2007-10-25 Nec Lcd Technologies Ltd 横電界方式の液晶表示装置
US7986390B2 (en) 2006-08-11 2011-07-26 Nec Lcd Technologies, Ltd. Method of manufacturing an LCD device
JP2014139683A (ja) * 2006-08-11 2014-07-31 Nlt Technologies Ltd 液晶表示装置
US7728940B2 (en) 2006-08-11 2010-06-01 Nec Lcd Technologies, Ltd. Liquid crystal display device
US8411242B2 (en) 2006-08-11 2013-04-02 Nlt Technologies, Ltd. Liquid crystal display device
US9030637B2 (en) 2007-10-17 2015-05-12 Lg Display Co., Ltd. In-plane switching mode liquid crystal display and method for fabricating the same
US8319903B2 (en) 2007-10-17 2012-11-27 Lg Display Co., Ltd. In-plane switching mode liquid crystal display having at least one common line underneath a respective common electrode to overlap the common electrode
JP2009098694A (ja) * 2007-10-17 2009-05-07 Lg Display Co Ltd 横電界方式液晶表示装置及びその製造方法
JP2009128905A (ja) * 2007-11-26 2009-06-11 Au Optronics Corp 液晶ディスプレイ装置
JP2009223245A (ja) * 2008-03-19 2009-10-01 Hitachi Displays Ltd 液晶表示装置
US8743330B2 (en) 2008-03-19 2014-06-03 Japan Display Inc. Liquid crystal display device
US8031313B2 (en) 2008-05-12 2011-10-04 Nec Lcd Technologies, Ltd. Lateral electric field type liquid crystal display device
US8194220B2 (en) 2008-07-22 2012-06-05 Nlt Technologies, Ltd. In-plane switching mode liquid crystal display device
JP2022120136A (ja) * 2008-12-03 2022-08-17 株式会社半導体エネルギー研究所 液晶表示装置
JP2020042314A (ja) * 2008-12-03 2020-03-19 株式会社半導体エネルギー研究所 液晶表示装置
US11175542B2 (en) 2008-12-03 2021-11-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device
US9366903B2 (en) 2008-12-19 2016-06-14 Japan Display Inc. Liquid crystal panel and pixel structure thereof
TWI401516B (zh) * 2008-12-19 2013-07-11 Japan Display West Inc 液晶面板及電子機器
US11693281B2 (en) 2008-12-19 2023-07-04 Japan Display Inc. Liquid crystal display device having a pixel electrode with electrode branches and slits
JP2010145870A (ja) * 2008-12-19 2010-07-01 Sony Corp 液晶パネル及び電子機器
JP2010145872A (ja) * 2008-12-19 2010-07-01 Sony Corp 液晶パネル及び電子機器
US10330995B2 (en) 2008-12-19 2019-06-25 Japan Display Inc. Liquid crystal panel and pixel structure thereof
US9817285B2 (en) 2008-12-19 2017-11-14 Japan Display Inc. Liquid crystal panel and pixel structure thereof
CN102422210A (zh) * 2009-05-13 2012-04-18 夏普株式会社 液晶显示装置
WO2010131552A1 (ja) * 2009-05-13 2010-11-18 シャープ株式会社 液晶表示装置
JP2011150021A (ja) * 2010-01-19 2011-08-04 Nec Lcd Technologies Ltd 横電界方式の液晶表示装置
US8810764B2 (en) 2010-01-19 2014-08-19 Nlt Technologies, Ltd. Lateral-electric-field mode liquid crystal display device
US8659732B2 (en) 2010-11-09 2014-02-25 Nlt Technologies, Ltd. Liquid crystal display device
JP2012118489A (ja) * 2010-11-09 2012-06-21 Nlt Technologies Ltd 液晶表示装置
JP2013068949A (ja) * 2011-09-23 2013-04-18 Samsung Display Co Ltd 液晶表示装置
US9835915B2 (en) 2011-09-23 2017-12-05 Samsung Display Co., Ltd. Liquid crystal display
US10365524B2 (en) 2011-09-23 2019-07-30 Samsung Display Co., Ltd. Liquid crystal display
JPWO2013129200A1 (ja) * 2012-02-27 2015-07-30 京セラ株式会社 液晶表示装置
JP2014002232A (ja) * 2012-06-18 2014-01-09 Seiko Epson Corp 表示制御回路、表示制御方法、電気光学装置及び電子機器
US9122107B2 (en) 2012-10-19 2015-09-01 Nlt Technologies, Ltd. Liquid crystal display device
US9817283B2 (en) 2013-02-12 2017-11-14 Samsung Display Co., Ltd. Liquid crystal display
US9366890B2 (en) 2013-02-12 2016-06-14 Samsung Display Co., Ltd. Liquid crystal display
US9798197B2 (en) 2013-02-12 2017-10-24 Samsung Display Co., Ltd. Liquid crystal display
JP2013164599A (ja) * 2013-03-18 2013-08-22 Nlt Technologies Ltd 横電界方式の液晶表示装置
JP2018005187A (ja) * 2016-07-08 2018-01-11 大日本印刷株式会社 調光フィルム、調光フィルムの積層体及び車両
JP6119908B1 (ja) * 2016-07-08 2017-04-26 大日本印刷株式会社 調光フィルム、調光フィルムの積層体及び車両

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