CN108828862A - 阵列基板及其制作方法 - Google Patents
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Abstract
本发明实施例公开了一种阵列基板的制作方法，包括：在基底上形成第一金属层，第一金属层包括栅电极；在第一金属层上依次形成绝缘层、半导体层；在半导体层上形成第二金属层，第二金属层包括源电极和漏电极；在第二金属层上形成钝化层并在钝化层中形成接触孔；以及在钝化层上形成像素电极层并使像素电极层通过接触孔连接第二金属层；其中，源电极与栅电极部分重叠形成第一重叠区域、第一非重叠区域以及连接第一重叠区域和第一非重叠区域的第一过渡区域，源电极上第一过渡区域的宽度不小于第一非重叠区域的宽度。本发明实施例还提供一种阵列基板。本发明实施例可以降低第二金属层断线可能性，提高产品合格率。
Description
技术领域
本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种阵列基板及其制作方法。
背景技术
薄膜晶体管(Thin Film Transistor，TFT)是在玻璃或塑料基板等非单 晶片上通过溅射、化学沉积工艺形成制造电路必需的各种膜，通过对膜的 加工制作大规模半导体集成电路。目前薄膜晶体管基板通常是采用4次/5 次光刻工艺制作的。在制作过程中，薄膜晶体管基板上各金属层一般是完 全重叠，不仅占用较大空间，对生产成本也有影响。因此，薄膜晶体管基 板各金属层的设计以及各层薄膜线路的规划影响着面板的各项性能，同时 也影响产品合格率和生产成本。
发明内容
因此，本发明的实施例提供一种阵列基板及其制作方法，可以降低金 属层线路断线的可能性。
本发明实施例提供了一种阵列基板的制作方法，包括：在基底上形成 第一金属层，所述第一金属层包括栅电极；在所述第一金属层上依次形成 绝缘层、半导体层；在所述半导体层上形成第二金属层，所述第二金属层 包括源电极和漏电极；在所述第二金属层上形成钝化层并在所述钝化层中 形成接触孔；以及在所述钝化层上形成像素电极层并使所述像素电极层通 过所述接触孔连接所述第二金属层；其中，所述源电极与所述栅电极部分重叠形成第一重叠区域、第一非重叠区域以及连接所述第一重叠区域和所 述第一非重叠区域的第一过渡区域，所述源电极上所述第一过渡区域的宽 度不小于所述第一非重叠区域的宽度；所述漏电极与所述栅电极部分重叠 形成第二重叠区域、第二非重叠区域以及连接所述第二重叠区域和所述第 二非重叠区域的第二过渡区域，所述漏电极上所述第二过渡区域的宽度不 小于所述第三非重叠区域的宽度。。
在本发明的一个实施例中，所述第一金属层还包括扫描线，所述第二 金属层还包括数据线；所述数据线与所述扫描线部分重叠形成第三重叠区 域、第三非重叠区域以及连接所述第三重叠区域和所述第三非重叠区域的 第三过渡区域，所述数据线上的所述第三过渡区域的宽度大于所述第三非 重叠区域的宽度。
在本发明的一个实施例中，所述阵列基板的制造方法还包括：在所述 第二金属层上形成钝化层并在所述钝化层中形成接触孔；以及在所述钝化层 上形成像素电极层并使所述像素电极层通过所述接触孔连接所述第二金属层。
在本发明的一个实施例中，所述第一金属层还包括扫描线和公共电压 线，所述第二金属层还包括数据线；所述公共电压线位于由所述扫描线和 所述数据线垂直交叉形成多个交错区域内、且不与所述扫描线和所述数据 线相连；所述扫描线设置有开口；所述公共电压线包括第一走线，所述第 一走线端部设置有开孔，所述第一走线垂直于所述扫描线、且延伸至所述 扫描线的所述开口内，并与所述开口保持一预设距离。
另一方面，本发明实施例提供一种阵列基板，包括：基底；第一金属 层，位于所述基底上，所述第一金属层包括栅电极；绝缘层，设置在所述 第一金属层上；半导体层，设置在所述绝缘层上；以及第二金属层，设置 在所述半导体层上，所述第二金属层包括源电极和漏电极，其中，所述源 电极与所述栅电极部分重叠形成第一重叠区域、第一非重叠区域以及连接 所述第一重叠区域和所述第一非重叠区域的第一过渡区域，所述源电极上 所述第一过渡区域的宽度不小于所述第一非重叠区域的宽度；所述漏电极 与所述栅电极部分重叠形成第二重叠区域、第二非重叠区域以及连接所述 第二重叠区域和所述第二非重叠区域的第二过渡区域，所述漏电极上所述 第二过渡区域的宽度不小于所述第二非重叠区域的宽度。
在本发明的一个实施例中，所述第一金属层还包括连接所述栅电极的 扫描线，所述第二金属层还包括连接所述源电极的数据线；所述数据线与 所述扫描线部分重叠形成第三重叠区域、第三非重叠区域以及连接所述第 三重叠区域和所述第三非重叠区域的第三过渡区域，所述数据线上所述第 三过渡区域的宽度不小于所述第三非重叠区域的宽度。
在本发明的一个实施例中，所述源电极上所述第一过渡区域的宽度等 于所述漏电极上所述第二过渡区域的宽度。
在本发明的一个实施例中，所述阵列基板还包括钝化层和像素电极层， 所述钝化层设置于所述第二金属层上且形成有接触孔，所述像素电极层设 置在所述钝化层上并通过所述接触孔电性连接所述第二金属层的所述漏电 极。
在本发明的一个实施例中，所述第一金属层还包括扫描线和公共电压 线，所述第二金属层还包括数据线；所述公共电压线位于由所述扫描线和 所述数据线交叉形成多个交错区域内、且不与所述扫描线和所述数据线相 连；所述扫描线设置有开口；所述公共电压线包括第一走线，所述第一走 线端部设置有开孔，所述第一走线垂直于所述扫描线、且延伸至所述扫描 线的所述开口内，并与所述开口保持一预设距离。
又一方面，本发明实施实例还提供一种阵列基板，包括：基底；第一 金属层，位于所述基底上，包括扫描线和栅电极；绝缘层，设置在所述第 一金属层上；半导体层，设置在所述绝缘层上；第二金属层，设置在所述 半导体层上，包括数据线、源电极和漏电极；钝化层，设置在所述第二金 属层上且形成有接触孔；以及像素电极层，设置在所述钝化层上并通过所 述接触孔电性连接所述第二金属层；其中，所述第一重叠区域位于所述第 二重叠区域远离所述接触孔的一侧，所述数据线与所述扫描线部分重叠形 成第一重叠区域、第一非重叠区域和第一过渡区域，所述数据线上第一过 渡区域的宽度大于所述第一非重叠区域的宽度；所述源电极与所述栅电极 部分重叠形成第二重叠区域、第二非重叠区域和第二过渡区域，所述源电 极上第二过渡区域的宽度大于所述第二非重叠区域的宽度；所述漏电极与 所述栅电极部分重叠形成第三重叠区域、第三非重叠区域和第三过渡区域， 所述漏电极上第三过渡区域的宽度等于所述第三非重叠区域的宽度。
本发明实施例通过增加阵列基板的第一金属层与第二金属层之间的过 渡区域的走线宽度，可以增大过渡区域处的台阶覆盖宽度，防止第二金属 层在过渡区域处断线，以提高阵列基板的产品合格率。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例的技术方案，下面将对实施例描述 中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅 仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创 造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本发明一实施例提供的一种彩色滤光片基板的制作方法的流程 示意图；
图2a-2h为本发明一实施例提供的一种彩色滤光片基板的制作方法的 过程示意图；
图3为本发明一实施例提供的一种彩色滤光片基板的结构示意图；
图4为图3中的彩色滤光片基板的平面结构示意图；
图5为本发明另一实施例提供的一种阵列基板的制作方法的流程示意 图；
图6a-6c、6e-6f为本发明另一实施例提供的一种阵列基板的制作方法 的过程示意图，图6d为图6c中A区域的局部放大图；
图7为本发明另一实施例提供的一种阵列基板的结构示意图；
图8为本发明又一个实施例提供的另一种显示面板的结构示意图；
图9为本发明再一个实施例提供的一种显示装置的结构示意图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进 行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例， 而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没 有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明护的范 围。
参见图1，其为本发明实施例提供的一种彩色滤光片基板的制作方法 的流程示意图。具体地，请参阅图1及图2，本发明实施例提供的彩色滤 光片基板的制作方法包括以下步骤：
步骤S11，提供基底1111。
步骤S13，在基底1111上形成包括多个开口区域P的黑色矩阵1112 (参见图2a至图2d)。为了便于区别，多个开口区域P分别命名为P1， P2，......，Pn，n为开口区域P的数量。其中，任意相邻的两个开口区域P 之间的线宽不完全相等，即可以是一部分相等另外部分不相等。当然，还 可以是任意相邻的两个开口区域P之间的线宽完全不相等。例如，如图2c所示，开口区域P1和P2之间的线宽L1大于开口区域P2和开口区域P3 之间的线宽L2，开口区域P2和P3之间的线宽L2等于开口区域P3和开 口区域P4之间的线宽L3。
具体地，如图2a所示，首先，在基底1111上形成黑色树脂层BR； 然后，如图2b所示，使用光罩M对黑色树脂层BR进行紫外线曝光。其 中，光罩M包括多个图形区域Q。为了便于区别，多个图形区域Q分别 命名为Q1，Q2，......，Qn，n为图形区域Q的数量。典型地，多个图形区 域Q的形状为矩形。另外，根据不同的像素排布需要，多个图形区域Q可 设置成多种规则排布方式，例如条形排布、马赛克排布或三角排布等，甚 至，任意相邻的两个图形区域Q之间的宽度不完全相等，即可以是部分相 等、部分不相等。当然还可以是任意相邻的两个图形区域Q之间的宽度完 全不相等。例如，如图2b所示，图形区域Q1和图形区域Q2之间的宽度D1大于图形区域Q2和图形区域Q3之间宽度D2，图形区域Q1和图形区 域Q2之间的宽度D1等于图形区域Q3和图形区域Q4之间的宽度D3。最 后，对黑色树脂层BR进行显影得到黑色矩阵1112。这样一来，通过在黑 色矩阵1112的光罩M上根据实际需要设计出包括不同宽度的多个图像区 域Q的图案，经过显影后在基底1111上形成相应的不同线宽的黑色矩阵1112，可以提升工艺的适用范围。
步骤S15，在黑色矩阵1112上形成色阻层1113(参见图2e、图2f)。 色阻层1113填充多个开口区域P。色阻层1113包括多个不同颜色的色阻， 例如包括红色色阻R、绿色色阻G及蓝色色阻B，当然还可以包括其它颜 色色阻，例如黄色色阻Y、白色色阻W等。此处，如图2f所示，为了适 应不同的需求，不同颜色的色阻的宽度不同。例如，众所周知，人眼对绿 光比较敏感，则可设置绿色色阻G的宽度X1小于其他颜色色阻例如蓝色 色阻B的宽度X2和/或红色色阻R的宽度X3。进一步地，蓝色色阻B的 宽度X2小于红色色阻R的宽度X3。生成不同颜色的色阻，必须使用不同 的光罩。当然，相同颜色的色阻可以相同，也可以不同。
值得一提的是，对应不同颜色的不同光罩生设置有多个开口图案，不 同光罩上的开口图案的宽度与对应的颜色色阻的宽度相对应，即不同光罩 上的开口图案的宽度不相同。例如，生成绿色色阻的光罩上的开口图案的 宽度小于生成红色色阻的光罩上的开口图案的宽度或生成蓝色色阻的光罩 上的开口图案的宽度，进一步地，生成蓝色色阻的光罩上的开口图案的宽 度小于生成红色色阻的光罩上的开口图案的宽度。
色阻层1113与黑色矩阵1112交叠形成多个交叠区域T，为了便于区 别，多个交叠区域T分别命名为T1，T2，......，Tn，n为交叠区域的数量。 其中，如图2e、图2f所示，多个交叠区域T的宽度相等，例如交叠区域 T1的宽度W1等于交叠区域T2的宽度W2，交叠区域T1的宽度W1等于 交叠区域T3的宽度W3。这样一来，每个交叠区域T的角段差可以保持一 致，从而提升显示画质。值得一提的是，多个交叠区域T的宽度越小，显 示画质越好。
此外，彩色滤光片基板111的制作方法还包括：
在色阻层1113上形成保护层1114(参见图2g)，用于保护色阻层1113。 保护层1114的材料例如为丙烯系树脂等树脂材料。
进一步地，彩色滤光片基板111的制作方法还包括：
在所述保护层1114上形成透明电极层1115(参见图2h)。透明电极 层1115例如为氧化锡铟(Indium-tin-oxide，ITO)等透明氧化物材料。透 明电极层1115可以是一整片透明导电层，或者也可以是多个条状透明导电 层，又或者为呈行列排布的多个透明导电块。
此外，参见图3，其为本发明实施例提供一种采用上述彩色滤光片基板 的制作方法制作的彩色滤光片基板的结构示意图。本发明实施例提供的彩 色滤光片基板111，包括：基底1111、黑色矩阵1112、色阻层1113、保护 层1114以及公共电极层1115。
具体地，基底1111的材料可例如为玻璃、石英、有机聚合物等。
黑色矩阵1112位于基底1111上。黑色矩阵1112的材料可例如为含碳 黑的黑色光阻等不透明材料。黑色矩阵1112的主要用于防止漏光、增大对 比度等。如图3和图4所述，黑色矩阵1112上排布有多个开口区域P。为 了便于区别，多个开口区域分别命名为P1，P2，......Pn，n为开口区域的 数量。其中，任意相邻的两个开口区域P之间的线宽不完全相等，即可以 部分相等，部分不相等。例如如图2所示，开口区域P1和开口区域P2之 间的线宽L1大于开口区域P2和开口区域P3之间的线宽L2，开口区域P1 和开口区域P2之间的线宽L1等于开口区域P3和开口区域P4之间的线宽 L3。此外，根据不同的像素排布需求，多个开口区域P呈多种规则排布方 式，例如条形排布、马赛克排布或三角排布等。在不同的排布方式中，黑 色矩阵1112上的开口区域之间的线宽可以相等或者不相等，完全按照显示 排布需求确定。
色阻层1113位于黑色矩阵1112上，并填充多个开口区域P。色阻层 1113的材料可例如为树脂类颜料分散型彩色光刻胶等。色阻层1113包括 多个不同颜色的色阻，例如包括红色色阻R、绿色色阻G和蓝色色阻B， 当然还可以包括其它颜色色阻，例如黄色色阻Y、白色色阻W等。每一色 阻填充一个开口区域P。此处，如图2f所示，为了适应不同的需求，不同 颜色的色阻的宽度不同。例如，众所周知，人眼对绿光比较敏感，则可设 置绿色色阻G的宽度X1小于其他颜色色阻例如蓝色色阻B的宽度X2和/ 或红色色阻R的宽度X3。进一步地，蓝色色阻B的宽度X2小于红色色 阻R的宽度X3。生成不同颜色的色阻，必须使用不同的光罩。当然，相 同颜色的色阻可以相同，也可以不同。
另外，色阻层1113与黑色矩阵1112交叠形成多个交叠区域T。为了 便于区别，多个交叠区域分别命名为T1，T2，......Tn，n为交叠区域的数 量。如图3、图4所示，多个交叠区域T的宽度相等，例如交叠区域T1 的宽度W1等于交叠区域T2的宽度W2，交叠区域T1的宽度W1等于交 叠区域T3的宽度W3。这样一来，交叠区域T的角段差可以保持一致，从 而提升显示画质。
彩色滤光片基板111还包括保护层1114。保护层1114位于色阻层1113 上面，用于保护色阻层1113。保护层1114的材料例如为丙烯系树脂等树 脂材料。
彩色滤光片基板111还可包括透明电极层1115。透明电极层1115位 于色阻层1113邻近阵列基板110的一侧并覆盖色阻层1113。透明电极层 1115例如为氧化锡铟(Indium-tin-oxide，ITO)等透明氧化物材料。透明 电极层1115可以是一整片透明导电层，或者也可以是多个条状透明导电层， 又或者为呈行列排布的多个透明导电块。
综上所述，本发明实施例通过在黑色矩阵的开口区域之间设置不同宽 度的线宽，以使彩色滤光片基板实现不同的像素排列方式，提升彩色滤光 片基板制作工艺的使用范围；另外在控制色阻层与黑色矩阵的交叠区域尽 量小的同时设置所述交叠区域具有相同的宽度，使色阻层角段保持差一致， 提升显示画质。
参见图5，其为本发明另一实施例提供的一种阵列基板的制作方法的 流程示意图。具体地，本发明实施例提供的阵列基板的制作方法包括：
步骤S31，如图6a所示，在基底1121上形成第一金属层1122。基底 1121的材料可例如为玻璃、石英、有机聚合物等。第一金属层1122为导 电金属薄膜层，其材料可例如为钼、铝、铜、钛、钨等。第一金属层1122 包括通过构图工艺形成的扫描线GL、薄膜晶体管的栅电极G和公共电压 线CL。扫描线GL与栅电极G相连。公共电压线CL包括第一走线CL1、 第二走线CL2以及第三走线CL3。第一走线CL1、第三走线CL3分别和 第二线条CL2交叉设置并相互连接。第一走线CL1的延伸方向与第二走 线CL2的延伸方向不相同，例如第一走线CL1的延伸方向与第二走线CL2 的延伸方向垂直，即第一走线CL1和第二走线CL2垂直交叉设置并连接。 进一步地，第一走线CL1的延伸方向与扫描线GL的延伸方向相同，且第 二走线CL2的延伸方向与扫描线GL的延伸方向垂直。更进一步地，第三 走线CL3与第一走线CL1平行设置。
步骤S33，如图6b所示，在第一金属层1122上依次形成绝缘层GSN， 并在绝缘层GSN上与栅电极G对应位置形成半导体层AS。
步骤S35，如图6c所示，在半导体层AS上形成第二金属层1123(图 中未标示绝缘层GSN)。第二金属层1123包括薄膜晶体管的源电极S、 薄膜晶体管的漏电极D和数据线DL。数据线DL连接源电极S。
另外，如图6d所示，第二金属层1123与第一金属层1122部分重叠， 从而形成重叠区域OV、非重叠区域NOV和连接重叠区域OV与非重叠区 域NOV之间的过渡区域TR。此处的过渡区域TR可以是一个，也可以是 多个。通常情况下，重叠区域OV高于非重叠区域NOV。过渡区域TR连 接重叠区域OV和非重叠区域NOV，从而会形成具有一定斜度的台阶。过 渡区域TR的走线覆盖情况影响着第二金属层1123的性能。因此，在规划 第二金属层1123的走线时，过渡区域TR的宽度不小于非重叠区域NOV 的宽度，也即增加过渡区域TR的走线宽度，可以增大过渡区域TR处的 台阶覆盖宽度，降低第二金属层1123在过渡区域TR处断线可能性，以提 高阵列基板的产品合格率。
具体地，如图6d所示，数据线DL与第一金属层1122的扫描线GL 部分重叠，从而形成重叠区域OV1、非重叠区域NOV1和过渡区域TR1， 数据线DL上过渡区域TR1的宽度TD1不小于例如大于非重叠区域NOV1 的宽度ND1。进一步地，过渡区域TR1的宽度TD1为5.5微米，非重叠 区域NOV1的宽度ND1为4.5微米。
如图6d所示，薄膜晶体管的源电极S与第一金属层1122的栅电极G 部分重叠，从而形成重叠区域OV2、非重叠区域NOV2和过渡区域TR2， 源电极S上过渡区域TR2的宽度TD2不小于例如大于非重叠区域NOV2 的宽度ND2。进一步地，过渡区域TR2的宽度TD2为4.8微米，非重叠 区域NOV2的宽度ND2为4.5微米。源电极S处的走线比数据线DL的走 线复杂，在源电极S处更容易出现断线的情况。因此，增大源电极S与栅 电极G的过渡区域TR2走线宽度，更有利于防止断线发生。
如图6d所示，薄膜晶体管的漏电极D与第一金属层1122的栅电极G 部分重叠，从而形成重叠区域OV3、非重叠区域NOV3和过渡区域TR3， 漏电极D上过渡区域TR3的宽度TD3等于非重叠区域NOV3的宽度ND3。 进一步地，过渡区域TR3的宽度TD3为4.8微米，非重叠区域NOV3的宽 度ND3为4.8微米。同样，漏电极D处的走线比数据线DL的走线复杂， 在漏电极D处也更容易出现断线的情况。因此，增大漏电极D与栅电极G 的过渡区域TR3走线宽度，同样更有利于防止断线发生。
进一步地，源电极S上过渡区域TR2的宽度TD2等于漏电极D上过 渡区域TR3的宽度TD3。例如过渡区域TR2的宽度TD2和过渡区域TR3 的宽度TD3均为4.8微米。
此外，如图6e所示，在第二金属层1123上形成钝化层PSN并在钝化 层PSN中形成接触孔CH。
最后，如图6f所示，在钝化层PSN(图中未示出)上形成像素电极层 1124。像素电极层1124通过钝化层PSN的接触孔CH与薄膜晶体管的漏 电极D连接例如电性连接。至此，阵列基板制造完成。
另外，参见图7，其为本发明实施例提供一种采用上述阵列基板的制 作方法制作的阵列基板的结构示意图。本发明实施例提供的阵列基板112， 包括：基底1121、第一金属层1122、绝缘层GSN、半导体层AS、第二金 属层1123、钝化层PSN和像素电极层1124。
基底1121的材料可例如为玻璃、石英、有机聚合物等。
第一金属层1122，位于基底1121上。第一金属层1122包括通过构图 工艺形成的扫描线GL、薄膜晶体管的栅电极G和公共电压线CL。第一金 属层1122为导电薄膜层，其材料可例如为钼、铝、铜、钛、钨等。
绝缘层GSN(图7中未示出)设置在所述第一金属层1122上。半导 体层AS设置在绝缘层GSN上、且与栅电极G对应的位置处。
第二金属层1123设置在半导体层AS上。第二金属层1123包括薄膜 晶体管的源电极S、薄膜晶体管的漏电极D和数据线DL。数据线DL与源 电极S连接。
此处，值得一提的是，如图6c和图6d所示，第二金属层1123与第一 金属层1122部分重叠，从而形成重叠区域OV、非重叠区域NOV和连接 重叠区域OV与非重叠区域NOV之间的过渡区域TR。此处的过渡区域TR 可以是一个，也可以是多个。通常情况下，重叠区域OV高于非重叠区域 NOV。过渡区域TR连接重叠区域OV和非重叠区域NOV，从而会形成具 有一定的斜度的台阶。过渡区域TR的走线覆盖情况影响着第二金属层 1123的性能。因此，在规划第二金属层1123的走线时，过渡区域TR的 宽度不小于非重叠区域NOV的宽度，也即增加过渡区域TR的走线宽度， 可以增大过渡区域TR处的台阶覆盖宽度，防止第二金属层1123在过渡区 域TR处断线，以提高阵列基板的产品合格率。
具体地，数据线DL与第一金属层1122的扫描线GL部分重叠，从而 形成重叠区域OV1、非重叠区域NOV1和过渡区域TR1，数据线DL上过 渡区域TR1的宽度TD1大于非重叠区域NOV1的宽度ND1。进一步地， 过渡区域TR1的宽度TD1为5.5微米，非重叠区域NOV1的宽度ND1为 4.5微米。
薄膜晶体管的源电极S与第一金属层1122的栅电极G部分重叠，从 而形成重叠区域OV2、非重叠区域NOV2和过渡区域TR2，源电极S上过 渡区域TR2的宽度TD2大于非重叠区域NOV2的宽度ND2。进一步地， 过渡区域TR2的宽度TD2为4.8微米，非重叠区域NOV2的宽度ND2为 4.5微米。源电极S处的走线比数据线DL的走线复杂，在源电极S处更容 易出现断线的情况。因此，增大源电极S与栅电极G的过渡区域TR2走 线宽度，更有利于防止断线发生。
薄膜晶体管的漏电极D与第一金属层1122的栅电极G部分重叠，从 而形成重叠区域OV3、非重叠区域NOV3和过渡区域TR3，漏电极D上 过渡区域TR3的宽度TD3等于非重叠区域NOV3的宽度ND3。进一步地， 过渡区域TR3的宽度TD3为4.8微米，非重叠区域NOV3的宽度ND3为 4.8微米。漏电极D处的走线比数据线DL的走线复杂，在漏电极D处也 更容易出现断线的情况。因此，增大漏电极D与栅电极G的过渡区域TR3 走线宽度，同样更有利于防止断线发生。
进一步地，源电极S上过渡区域TR2的宽度TD2等于漏电极D上过 渡区域TR3的宽度TD3。例如过渡区域TR2的宽度TD2和过渡区域TR3 的宽度TD3均为4.8微米。
钝化层PSN(图7中未示出)设置在第二金属层1123上且形成有接 触孔CH。
像素电极层1124设置在钝化层PSN上并通过接触孔CH连接例如电 性连接第二金属层1123。
此外，如图8所示，扫描线GL的延伸方向与数据线DL的延伸方向 不相同，较佳的是扫描线GL的延伸方向与数据线DL的延伸方向垂直， 即扫描线GL和数据线DL相互垂直交叉布置。多条扫描线GL和多条数据 线DL交叉形成多个呈矩阵分布的交错区域SR。像素电极层1124位于所 述交错区域内。另外，如图7、图8所示，公共电压线CL位于交错区域 SR内且不与扫描线GL和栅电极G相连，公共电压线CL在基底1121上 的投影与像素电极层1124在基底1121上的投影部分重叠，以使公共电压 线CL与像素电极层1124形成存储电容。扫描线GL上设置有开口K，第 一走线CL1端部深入开口K、且与开口K保持预设距离例如9.75微米。 第一走线CL1端部设置有开孔H。开孔H的形状例如为矩形。进一步地， 第一走线CL1的两端分别设置有开孔H。另外，第一走线CL1上两端的 开孔H的大小、形状也可以不相同。这样一来，通过在第一走线CL1上设 置开孔H，可以减小金属层占用空间，节省生产成本。
综上所述，本发明实施例通过增加阵列基板的第一金属层与第二金属 层之间的过渡区域的走线宽度，可以增大过渡区域处的台阶覆盖宽度，防 止第二金属层在过渡区域处断线，以提高阵列基板的产品合格率；另外， 在公共电压线的线路上设置开孔，以减小金属层占用空间，节省生产成本。
另一方面，如图9所示，本发明又一实施例还提供一种显示面板。显 示面板11包括彩色滤光片基板111、阵列基板112、显示介质层113以及 框胶114。
具体地，彩色滤光片基板111与阵列基板112相对设置。彩色滤光片 基板111可以采用上述实施例中的彩色滤光片基板。阵列基板112可为主 动阵列基板，例如薄膜晶体管阵列基板，用于传输和控制电信号。阵列基 板112可以采用上述实施例中的阵列基板。显示介质层113例如液晶层设 置于彩色滤光片基板111与阵列基板112之间。框胶114设置于彩色滤光 片基板111与阵列基板112之间。框胶114环绕显示介质层113以密封显 示介质层113，从而框胶114和阵列基板112及彩色滤光片基板111共同 形成一个容置空间以容纳显示介质层113。
如图9所示，本发明再一实施例提供一种显示装置。本发明实施例提 供的显示装置1包括显示面板11、第一偏振片12和第二偏振片13。显示 面板11可以例如为上述实施例中的显示面板。第一偏振片12和第二偏振 片13分设于显示面板11的相对两侧。第一偏振片12的偏振方向和第二偏 振片13的偏振方向典型地相互垂直。
显示装置1的实施和技术效果可以参见前述实施例，在此不再赘述。
在本发明所提供的几个实施例中，应所述理解到，所揭露的系统， 装置和方法，可以通过其它的方式实现。例如，以上所描述的装置实施 例仅仅是示意性的，例如，所述单元的划分，仅仅为一种逻辑功能划分， 实际实现时可以有另外的划分方式，例如多路单元或组件可以结合或者 可以集成到另一个系统，或一些特征可以忽略，或不执行。另一点，所显示或讨论的相互之间的耦合或直接耦合或通信连接可以是通过一些接 口，装置或单元的间接耦合或通信连接，可以是电性，机械或其它的形 式。
所述作为分离部件说明的单元可以是或者也可以不是物理上分开的， 作为单元显示的部件可以是或者也可以不是物理单元，即可以位于一个 地方，或者也可以分布到多路网络单元上。可以根据实际的需要选择其 中的部分或者全部单元来实现本实施例方案的目的。
另外，在本发明各个实施例中的各功能单元可以集成在一个处理单 元中，也可以是各个单元单独物理存在，也可以两个或两个以上单元集 成在一个单元中。上述集成的单元既可以采用硬件的形式实现，也可以 采用硬件加软件功能单元的形式实现。
最后应说明的是：以上实施例仅用以说明本发明的技术方案，而非 对其限制；尽管参照前述实施例对本发明进行了详细的说明，本领域的 普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案 进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或者替 换，并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例技术方案的精神和 范围。
Claims (10)
1.一种阵列基板的制作方法，其特征在于，包括：
在基底上形成第一金属层，所述第一金属层包括栅电极；
在所述第一金属层上依次形成绝缘层、半导体层；以及
在所述半导体层上形成第二金属层，所述第二金属层包括源电极和漏电极；
其中，所述源电极与所述栅电极部分重叠形成第一重叠区域、第一非重叠区域以及连接所述第一重叠区域和所述第一非重叠区域的第一过渡区域，所述源电极上所述第一过渡区域的宽度不小于所述第一非重叠区域的宽度；所述漏电极与所述栅电极部分重叠形成第二重叠区域、第二非重叠区域以及连接所述第二重叠区域和所述第二非重叠区域的第二过渡区域，所述漏电极上所述第二过渡区域的宽度不小于所述第三非重叠区域的宽度。
2.如权利要求1所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，所述第一金属层还包括扫描线，所述第二金属层还包括数据线；所述数据线与所述扫描线部分重叠形成第三重叠区域、第三非重叠区域以及连接所述第三重叠区域和所述第三非重叠区域的第三过渡区域，所述数据线上的所述第三过渡区域的宽度大于所述第三非重叠区域的宽度。
3.如权利要求1所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，所述阵列基板的制造方法还包括：
在所述第二金属层上形成钝化层并在所述钝化层中形成接触孔；以及
在所述钝化层上形成像素电极层并使所述像素电极层通过所述接触孔连接所述第二金属层。
4.如权利要求1所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，所述第一金属层还包括扫描线和公共电压线，所述第二金属层还包括数据线；所述公共电压线位于由所述扫描线和所述数据线垂直交叉形成多个交错区域内、且不与所述扫描线和所述数据线相连；所述扫描线设置有开口；所述公共电压线包括第一走线，所述第一走线端部设置有开孔，所述第一走线垂直于所述扫描线、且延伸至所述扫描线的所述开口内，并与所述开口保持一预设距离。
5.一种阵列基板，其特征在于，包括：
基底；
第一金属层，位于所述基底上，所述第一金属层包括栅电极；
绝缘层，设置在所述第一金属层上；
半导体层，设置在所述绝缘层上；以及
第二金属层，设置在所述半导体层上，所述第二金属层包括源电极和漏电极，所述源电极与所述栅电极部分重叠形成第一重叠区域、第一非重叠区域以及连接所述第一重叠区域和所述第一非重叠区域的第一过渡区域，所述漏电极与所述栅电极部分重叠形成第二重叠区域、第二非重叠区域以及连接所述第二重叠区域和所述第二非重叠区域的第二过渡区域；
其中，所述源电极上所述第一过渡区域的宽度不小于所述第一非重叠区域的宽度，所述漏电极上所述第二过渡区域的宽度不小于所述第二非重叠区域的宽度。
6.如权利要求5所述的阵列基板，其特征在于，所述第一金属层还包括连接所述栅电极的扫描线，所述第二金属层还包括连接所述源电极的数据线；所述数据线与所述扫描线部分重叠形成第三重叠区域、第三非重叠区域以及连接所述第三重叠区域和所述第三非重叠区域的第三过渡区域，所述数据线上所述第三过渡区域的宽度不小于所述第三非重叠区域的宽度。
7.如权利要求5所述的阵列基板，其特征在于，所述源电极上所述第一过渡区域的宽度等于所述漏电极上所述第二过渡区域的宽度。
8.如权利要求7所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括钝化层和像素电极层，所述钝化层设置于所述第二金属层上且形成有接触孔，所述像素电极层设置在所述钝化层上并通过所述接触孔电性连接所述第二金属层的所述漏电极。
9.如权利要求5所述的阵列基板，其特征在于，所述第一金属层还包括扫描线和公共电压线，所述第二金属层还包括数据线；所述公共电压线位于由所述扫描线和所述数据线交叉形成多个交错区域内、且不与所述扫描线和所述数据线相连；所述扫描线设置有开口；所述公共电压线包括第一走线，所述第一走线端部设置有开孔，所述第一走线垂直于所述扫描线、且延伸至所述扫描线的所述开口内，并与所述开口保持一预设距离。
10.一种阵列基板，其特征在于，包括：
基底；
第一金属层，位于所述基底上，包括扫描线和栅电极；
绝缘层，设置在所述第一金属层上；
半导体层，设置在所述绝缘层上；
第二金属层，设置在所述半导体层上，包括数据线、源电极和漏电极；
钝化层，设置在所述第二金属层上且形成有接触孔；以及
像素电极层，设置在所述钝化层上并通过所述接触孔电性连接所述第二金属层；
其中，所述第一重叠区域位于所述第二重叠区域远离所述接触孔的一侧，所述数据线与所述扫描线部分重叠形成第一重叠区域、第一非重叠区域和第一过渡区域，所述数据线上第一过渡区域的宽度大于所述第一非重叠区域的宽度；所述源电极与所述栅电极部分重叠形成第二重叠区域、第二非重叠区域和第二过渡区域，所述源电极上第二过渡区域的宽度大于所述第二非重叠区域的宽度；所述漏电极与所述栅电极部分重叠形成第三重叠区域、第三非重叠区域和第三过渡区域，所述漏电极上第三过渡区域的宽度等于所述第三非重叠区域的宽度。
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
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| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| RJ01 | Rejection of invention patent application after publication | ||
| RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |
Application publication date: 20181116 |