CN107272247A

CN107272247A - 液晶显示设备

Info

Publication number: CN107272247A
Application number: CN201710212930.7A
Authority: CN
Inventors: 郭昌训; 郑基勋
Original assignee: Samsung Display Co Ltd
Current assignee: Samsung Display Co Ltd
Priority date: 2016-04-04
Filing date: 2017-04-01
Publication date: 2017-10-20
Also published as: KR20170115117A; US20200142267A1; US20170285424A1; US10551701B2; KR102492032B1

Abstract

液晶显示(LCD)设备包括彼此间隔开的第一基板和第二基板、在第一基板和第二基板之间的液晶层、在第一基板上的公共线、在第二基板上的公共电极、以及短路部分，其被设置在公共线和公共电极之间，并且包括在公共线上的突起部分以及在突起部分和公共线上的短路电极，并且突起部分的至少一部分包括暗区域。

Description

液晶显示设备

技术领域

本发明的示例实施方式涉及显示设备，更具体地，涉及有效减少短路部分中的反射光并且防止在修复过中出现黑点的液晶显示(LCD)设备及制造该LCD设备的方法。

背景技术

液晶显示(LCD)设备是平板显示(FPD)设备最广泛使用的类型中的一种。LCD设备通常包括两个基板，两个基板包括分别形成在其上的两个电极以及插置其间的液晶层。在分别向两个电极施加电压时，液晶层的液晶分子被重新排列，从而控制在LCD设备中透射的光的量。

发明内容

本发明的示例实施方式涉及液晶显示(LCD)设备以及制造LCD设备的方法，该LCD设备有效地减少短路部分中的反射光并且防止在修复过程中黑点的产生。

根据本发明的一示例实施方式，一种LCD设备包括彼此间隔开的第一基板和第二基板、在第一基板和第二基板之间的液晶层、在第一基板上的公共线、在第二基板上的公共电极、以及在公共线和公共电极之间的短路部分。短路部分包括在公共线上的突起部分以及在突起部分和公共线上的短路电极，并且突起部分的至少一部分包括暗区域。

在一示例实施方式中，突起部分可以包括在公共线和短路电极之间的多个突起图案，并且多个突起图案的至少一个的至少一部分可以包括暗区域。

在一示例实施方式中，LCD设备还可以包括在第一基板上的滤色器。包括暗区域的突起图案的至少一个可以包括与滤色器中包括的材料相同的材料。

在一示例实施方式中，滤色器可以包括具有彼此不同的颜色的至少两个单位滤色器，包括暗区域的突起图案的至少一个可以包括与至少两个单位滤色器的在垂直方向上具有最大厚度的一个中包括的材料相同的材料。

在一示例实施方式中，滤色器可以包括具有彼此不同的颜色的至少两个单位滤色器，并且包括暗区域的至少两个突起图案可以分别包括不同单位滤色器的材料。

在一示例实施方式中，LCD设备还可以包括在第一基板上的栅绝缘层。包括暗区域的突起图案的至少一个可以包括与栅绝缘层中包括的材料相同的材料。

在一示例实施方式中，LCD设备还可以包括在第一基板上的钝化层。包括暗区域的突起图案的至少一个可以包括与钝化层中包括的材料相同的材料。

在一示例实施方式中，LCD设备还可以包括在第一基板上的绝缘中间层。包括暗区域的突起图案的至少一个可以包括与绝缘中间层中包括的材料相同的材料。

在一示例实施方式中，LCD设备还可以包括密封部分，密封部分围绕液晶层且被设置在第一基板的非显示区域和第二基板的非显示区域之间。

在一示例实施方式中，LCD设备还可以包括在第一基板上的光阻挡部分，光阻挡部分限定有第一孔和第二孔，第一孔限定其中短路部分被设置的短路区域，第二孔限定第一基板的像素区域。

在一示例实施方式中，LCD设备还可以包括在第一基板上的滤色器。暗区域可以具有比滤色器的透射率更低且比光阻挡部分的透射率更高的透射率。

在一示例实施方式中，LCD设备还可以包括：在第一基板上的栅线、数据线和像素电极；连接到栅线的栅电极、连接到数据线的源电极和连接到像素电极的漏电极；以及滤色器，其被设置在第一基板上并且不重叠源电极的第一部分和漏电极的第二部分中的至少一个，源电极的第一部分不重叠栅电极，漏电极的第二部分不重叠栅电极。

在一示例实施方式中，滤色器可以重叠开关元件的除第一部分和第二部分之外的另外的部分。

在一示例实施方式中，滤色器可以包括重叠像素电极的第一重叠部分和重叠开关元件的另外的部分的第二重叠部分。

在一示例实施方式中，LCD设备还可以包括在第二重叠部分上的柱状间隔物。

在一示例实施方式中，第一重叠部分和第二重叠部分可以为整体的。

在一示例实施方式中，第一重叠部分和第二重叠部分可以彼此分开。

在一示例实施方式中，LCD设备还可以包括：在第一基板上的栅线、存储电极、数据线、第一子像素电极和第二子像素电极；第一开关元件，其包括连接到栅线的第一栅电极、连接到数据线的第一源电极和连接到第一子像素电极的第一漏电极；第二开关元件，其包括连接到栅线的第二栅电极、连接到第一源电极的第二源电极和连接到第二子像素电极的第二漏电极；第三开关元件，其包括连接到栅线的第三栅电极、连接到第二漏电极的第三源电极和连接到存储电极的第三漏电极；以及滤色器，其被设置在第一基板上并且不重叠第一源电极的第一部分、第一漏电极的第二部分、第二漏电极的第三部分以及第三源电极的第四部分中的至少一个，第一源电极的第一部分不重叠第一栅电极，第一漏电极的第二部分不重叠第一栅电极和存储电极，第二漏电极的第三部分不重叠第二栅电极和存储电极，第三源电极的第四部分不重叠第三栅电极和存储电极。

在一示例实施方式中，滤色器可以包括重叠第一子像素电极的第一重叠部分、重叠第二子像素电极的第二重叠部分、以及重叠第一开关元件、第二开关元件和第三开关元件的除第一部分、第二部分、第三部分和第四部分之外的另外的部分的第三重叠部分。

在一示例实施方式中，LCD设备还可以包括在第三重叠部分上的柱状间隔物。

在一示例实施方式中，第一重叠部分和第二重叠部分的至少一个可以与第三重叠部分为整体的。

在一示例实施方式中，第一重叠部分、第二重叠部分和第三重叠部分可以彼此分开。

根据本发明的一示例实施方式，一种LCD设备包括彼此间隔开的第一基板和第二基板、在第一基板和第二基板之间的液晶层、在第一基板上的公共线、在第二基板上的公共电极、设置在第一基板上且限定短路区域的光阻挡部分、以及在短路区域中的公共线和公共电极之间的多个短路部分。短路部分的每个包括在公共线上的突起部分以及在突起部分和公共线上的短路电极，并且突起部分的至少一部分包括暗区域。

在一示例实施方式中，滤色器可以包括具有彼此不同的颜色的至少两个单位滤色器，并且包括暗区域的突起图案的至少一个可以包括与至少两个单位滤色器中的具有最大高度的一个中包括的材料相同的材料。

在一示例实施方式中，突起部分可以具有正方形形状、矩形形状、圆形形状和椭圆形形状中的一种。

在一示例实施方式中，突起部分的每侧可以具有大于或等于约20微米(μm)的长度。

在一示例实施方式中，突起部分的相邻突起部分之间的长度可以在为至少约10μm的范围内。

在一示例实施方式中，短路部分的各自短路电极可以彼此连接。

在一示例实施方式中，短路部分的各自突起部分可以被设置在公共线的不同部分上。

根据本发明的一示例实施方式，一种制造LCD设备的方法包括：提供具有显示区域和非显示区域的基板；在基板的非显示区域中形成公共线；在显示区域中形成滤色器且在非显示区域中的公共线上形成短路部分的突起部分；在突起部分的至少一部分中形成暗区域；以及在显示区域中形成像素电极。

在一示例实施方式中，突起部分可以包括多个突起图案，并且多个突起图案的至少一个的至少一部分可以包括暗区域。

在一示例实施方式中，多个突起图案的至少一个可以同时配备有滤色器，并且可以包括与滤色器中包括的材料相同的材料。

在一示例实施方式中，包括暗区域的突起图案可以包括与滤色器中具有最大高度的一个中包括的材料相同的材料。

在一示例实施方式中，在突起部分的至少一部分中暗区域的形成可以包括碳化突起部分。

在一示例实施方式中，突起部分的碳化可以包括将强光辐射到突起部分。

前面所述仅为说明性的并且不打算成为以任何方式的限制。除说明性的示例实施方式和以上描述的特征之外，另外的示例实施方式和特征通过参考图和以下详细描述将变得明显。

附图说明

由结合附图的以下详细描述，本发明的以上及其它特征及示例实施方式将被更清楚地理解，附图中：

图1是示出液晶显示(LCD)设备中的第一面板和连接到第一面板的外围电路的一示例实施方式的视图；

图2是沿图1的线I-I'截取的剖视图；

图3A是示出图2的显示面板中包括的像素的俯视图，并且图3B是图3A的像素的一部分的放大图；

图4是示出图2的光阻挡部分的俯视图；

图5是示出图4的光阻挡部分的第一孔中的短路部分和在短路部分下面的公共线的一示例实施方式的视图；

图6是示出对应于图5的单个像素区域的像素的一示例实施方式的俯视图；

图7是沿图5的线I-I'和图6的线II-II'截取的剖视图；

图8A、8B、8C、8D和8E是示出制造LCD设备的一示例实施方式的过程的剖视图；

图9是示出沿图5的线I-I'截取的一示例实施方式的剖视图；

图10是示出沿图5的线I-I'截取的一替换示例实施方式的剖视图；

图11是示出图4的光阻挡部分的第一孔中的短路部分和在短路部分下面的公共线的一替换示例实施方式的视图；

图12是沿图11的线I-I'截取的剖视图；

图13是示出在图4的单个短路区域中的多个突起部分的一示例实施方式的视图；

图14是示出在图4的单个短路区域中的多个突起部分的一替换示例实施方式的视图；

图15是示出对应于图5的单个像素区域的像素的一替换示例实施方式的俯视图；

图16是沿图15的线I-I'截取的剖视图；

图17是单独示出图15的滤色器的视图；

图18是示出对应于图5的单个像素区域的像素的另一替换示例实施方式的俯视图；

图19是沿图18的线I-I'截取的剖视图；

图20是沿图18的线II-II'截取的剖视图；

图21是单独地示出图18的滤色器的视图；以及

图22A、22B、22C、22D、22E、22F和22G是示出可以被包括在图18的像素中的滤色器的替换示例实施方式的视图。

具体实施方式

通过以下参考附图详细描述的示例实施方式，本发明的优点和特征以及实现它们的方法将变得清楚。然而，本发明可以以不同的形式被实现，而不应被解释为限于这里阐述的示例实施方式。更确切地，这些示例实施方式被提供使得本公开将透彻和完整，并且将向本领域技术人员完全传递本发明的范围。本发明仅由权利要求的范围限定。因此，公知的构成元件、操作和技术在示例实施方式中不被详细描述以防止本发明被模糊地解释。相同的附图标记贯穿本说明书指代相同的元件。

在图中，某些元件或形状可以以放大的方式或以简化的方式被示出以更好地示出本发明，并且实际产品中存在的其它元件也可以被省略。因此，图旨在有助于本发明的理解。

当一层、区域或板被称为在另一层、区域或板“上”时，它可以直接在所述另一层、区域或板上，或者在其之间可以存在居间层、区域或板。相反，当一层、区域或板被称为“直接在”另一层、区域或板“上”时，在其之间可以没有居间层、区域或板。此外，当一层、区域或板被称为在另一层、区域或板“下面”时，它可以直接在所述另一层、区域或板下面，或者在其之间可以存在居间层、区域或板。相反，当一层、区域或板被称为“直接在”另一层、区域或板“下面”时，在其之间可以没有居间层、区域或板。

为了描述的容易，空间关系术语“在……下面”、“在……之下”、“下部”、“在……之上”、“上部”等可以在此被用于描述如图中示出的一个元件或部件与另一元件或部件之间的关系。将理解，除图中描绘的取向之外，空间关系术语旨在涵盖设备在使用或在操作中的不同取向。例如，在图中所示的设备被翻转的情况下，置于另一设备“下面”或“之下”的设备可以被置于所述另一设备“之上”。因此，说明性术语“在……下面”可以包括上下两位置。设备也可以在其它方向上取向，并且因此空间关系术语可以根据该取向被不同地解释。

贯穿本说明书，当一元件被称为“连接”到另一元件时，该元件“直接连接”到所述另一元件，或者“电连接”到所述另一元件并且在其之间插置一个或更多居间元件。还将理解，术语“包含”和/或“包括”，当在本说明书中使用时，指明所陈述的特征、整体、步骤、操作、元件和/或部件的存在，但是不排除一个或更多其它特征、整体、步骤、操作、元件、部件和/或其组合的存在或添加。

将理解，虽然术语“第一”、“第二”、“第三”等可以在此处被用来描述各种元件，但是这些元件不应受这些术语限制。这些术语仅用于将一个元件与另一元件区分开。因此，以下讨论的“第一元件”能被称作“第二元件”或“第三元件”，并且“第二元件”和“第三元件”能被相同地命名而不背离此处的教导。

此处使用的术语仅为了描述具体实施方式，且不打算成为限制。当在此处使用时，单数形式“一”和“该”也打算包括复数形式，包括“至少一个”，除非上下文清楚地另行指示。“或者”意思是“和/或”。当在此处使用时，术语“和/或”包括相关所列项目的一个或更多的任意及所有组合。还将理解，当在此说明书中使用时，术语“包含”和/或“包括”指明所陈述的特征、区域、整体、步骤、操作、元件和/或部件的存在，但不排除一个或更多其它特征、区域、整体、步骤、操作、元件、部件和/或其组合的存在或添加。

当在此处使用时，“大约”或“近似”包括所陈述的值在内，并且意为在由本领域普通技术人员考虑到正被讨论的测量和与详细量的测量相关的误差(即，测量系统的限制)确定的具体值的偏差的可接受范围内。例如，“大约”能意为在一个或更多个标准偏差内，或在所陈述值的±30％、±20％、±10％、±5％内。

除非另有定义，此处使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)具有与本发明所属领域的技术人员通常理解的相同的含义。还将被理解，诸如通用词典中定义的术语的术语应被解释为具有与它们的在相关领域的背景下的含义一致的含义，并且将不在理想化或过度形式化的意义上被解释，除非本说明书中清楚地定义。

在下文中，液晶显示(LCD)设备的一示例实施方式和制造LCD设备的方法将参考图1至22G被更详细地描述。

图1是示出LCD设备中的第一面板和连接到第一面板的外围电路的一示例实施方式的视图，图2是沿图1的线I-I'截取的剖视图，图3A是示出图2的显示面板中包括的像素的俯视图，并且图3B是图3A的像素的一部分的放大图。

如图1和2所示，LCD设备的一示例实施方式包括显示面板100(参考图2)、栅极驱动器236和数据驱动器136。

如图2所示，显示面板100包括第一面板101、第二面板102、液晶层333和密封部分155。显示面板100被分成显示区域AR1和非显示区域AR2。

显示面板100的显示区域AR1对应于第一面板101的显示区域AR1和第二面板102的显示区域AR1。显示面板100的非显示区域AR2对应于第一面板101的非显示区域AR2和第二面板102的非显示区域AR2。

密封部分155被设置在第一面板101和第二面板102之间。详细地，如图2所示，密封部分155被设置在第一面板101的非显示区域AR2和第二面板102的非显示区域AR2之间。在一示例实施方式中，例如，如图1所示，密封部分155在俯视图中可以具有围绕显示区域AR1的闭环形状。

液晶层333被设置在由第一面板101、第二面板102和密封部分155限定的空间中。在一示例实施方式中，例如，液晶层333可以包括具有负介电各向异性的垂直配向液晶分子。在一替换示例实施方式中，例如，液晶层333可以包括光聚合材料，并且在该替换示例实施方式中，例如，光聚合材料可以为活性单体或活性液晶元。

如图2所示，第一面板101具有比第二面板102的平面面积更大的平面面积。第一面板101和第二面板102彼此面对并且液晶层333在其之间。

如图1和2所示，第一面板101包括第一基板301、多个栅线GL1至GLi、多个数据线DL1至DLj以及公共线166。栅线GL1至GLi、数据线DL1至DLj和公共线166被设置在第一基板301上。

数据线DL1至DLj交叉栅线GL1至GLi。栅线GL1至GLi延伸到非显示区域AR2以被连接到栅极驱动器236，并且数据线DL1至DLj延伸到非显示区域AR2以被连接到数据驱动器136。

栅线在非显示区域AR2中的部分可以被称为栅极连接线。栅线GL1至GLi的各自栅极连接线GLK1至GLKi交叉密封部分155。数据线的在非显示区域AR2中的部分可以被称为数据连接线。数据线DL1至DLj的各自数据连接线DLK1至DLKj交叉密封部分155。

栅极驱动器236包括多个栅极驱动集成电路247。栅极驱动集成电路247产生栅信号，并且将栅信号顺序提供到第一至第i栅线GL1至GLi。

栅极驱动集成电路247的每个被设置(例如被安装)在栅极载体246上。栅极载体246被电连接到第一面板101。在一示例实施方式中，例如，栅极载体246的每个可以被电连接到第一基板301的非显示区域AR2。在一示例实施方式中，例如，栅极载体246可以为栅极带载封装(TCP)。然而，本发明不限于此，栅极载体246可以包括各种其它类型，诸如玻璃上芯片(COG)。

数据驱动器136包括多个数据驱动集成电路147。数据驱动集成电路147从定时控制器接收数字图像数据信号和数据控制信号。数据驱动集成电路147根据数据控制信号采样数字图像数据信号，在每个水平周期内锁存对应于一条水平线的采样图像数据信号，并且将锁存的图像数据信号施加到数据线DL1至DLj。也就是，数据驱动集成电路147使用从电源(未示出)输入的伽玛电压来将从定时控制器施加的数字图像数据信号转换成模拟图像信号，并且将转换的模拟图像信号施加到数据线DL1至DLj。

数据驱动集成电路147的每个被设置(例如被安装)在数据载体146上。数据载体146被连接在电路板168和第一面板101之间。在一示例实施方式中，例如，数据载体146的每个可以被电连接在电路板168和第一基板301的非显示区域AR2之间。在一示例实施方式中，例如，数据载体146可以为数据TCP。然而，本发明不限于此，而是数据载体146可以包括各种其它类型，诸如COG。

前述定时控制器和电源可以被设置在电路板168上，并且数据载体146包括输入配线和输出配线，输入配线将从定时控制器和电源施加的各种信号传输到数据驱动集成电路147，输出配线将从数据驱动集成电路147输出的图像数据信号传输到数据线中的相应数据线。在一示例实施方式中，至少一个数据载体146还可以包括辅助配线，其可以将从定时控制器和电源施加的各种信号传输到栅极驱动器236，并且辅助配线被连接到第一面板101上的面板配线。面板配线将辅助配线和栅极驱动器236彼此连接。面板配线可以以玻璃上导线的方式被设置在第一基板301的非显示区域AR2中。

公共线166被设置在密封部分155和第一基板301之间。公共线166沿密封部分155被设置。然而，如图1所示，公共线166在密封部分155和栅极连接线GLK1至GLKi中的交叉部分中是不存在的。在一示例实施方式中，如图1所示，公共线166在密封部分155和数据连接线DLK1至DLKj中的交叉部分中是不存在的。在一替换示例实施方式中，因为数据连接线DLK1至DLKj和公共线166被设置在不同的层上，所以公共线166可以被设置在密封部分155和数据连接线DLK1至DLKj中的交叉部分处。然而，在该示例实施方式中，电容器可以被设置在公共线166和数据连接线DLK1至DLKj中，并且电容器可以影响数据线DL1至DLj的图像数据信号。因此，期望公共线166不应被设置在密封部分155和数据连接线DLK1至DLKj中的交叉部分处。

公共线166从前述电源接收公共电压。为此，公共线166可以通过栅极载体246上的信号传输线和数据载体146上的信号传输线的至少一个被连接到电源。

第二面板102包括第二基板302和在第二基板302上的公共电极330。

第二面板102的公共电极330通过短路部分600连接到第一面板101的公共线166。公共电极330通过短路部分600从公共线166接收公共电压。

如图3A和3B所示，显示面板100包括多个像素R、G和B。如图3A和3B所示，像素R、G和B被设置在显示面板100的显示区域AR1中。

在一示例实施方式中，例如，像素R、G和B被布置成矩阵。然而，本发明不限于此，像素可以不被布置成矩阵。在该示例实施方式中，例如，像素R、G和B包括显示红色图像的红色像素R、显示绿色图像的绿色像素G和显示蓝色图像的蓝色像素B。在该示例实施方式中，在水平方向上相邻设置的红色像素R、绿色像素G和蓝色像素B可以限定用于显示单位图像的单位像素。然而，本发明不限于此，像素可以包括各种其它的滤色器。

有“j”数量的像素沿着第n(n是选自1至i的一个)水平线布置(在下文中，第n水平线像素)，其被分别连接到第一至第j数据线DL1至DLj。此外，第n水平线像素被共同地连接到第n栅线。因此，第n水平线像素的每个接收第n栅信号。也就是，设置在相同水平线中的“j”数量的像素接收相同的栅信号，而设置在不同水平线中的像素分别接收不同的栅信号。在一示例实施方式中，例如，第一水平线HL1中的红色像素R、绿色像素G和蓝色像素B的每个接收第一栅信号，而第二水平线HL2中的红色像素R、绿色像素G和蓝色像素B的每个接收第二栅信号，第二栅信号具有与第一栅信号的定时不同的定时。

如图3B所示，像素R、G和B的每个包括开关元件TFT、液晶电容器Clc和存储电容器Cst。在一示例实施方式中，例如，开关元件TFT可以为薄膜晶体管。

开关元件TFT根据从栅线GLi施加的栅信号导通。导通的开关元件TFT将从数据线DLj施加的模拟图像数据信号施加到液晶电容器Clc和存储电容器Cst。

液晶电容器Clc包括彼此对立的像素电极PE(参考图6)和公共电极330。

存储电容器Cst包括彼此对立的像素电极PE和对立电极。这里，对立电极可以为先前的栅线GLi-1或传输公共电压的传输线(未示出)。

在一示例实施方式中，如图2所示，第一面板101还可以包括光阻挡部分376。在下文中，光阻挡部分376将参考图2和4被详细地描述。

图4是示出图2的光阻挡部分376的俯视图。

如图2所示，光阻挡部分376被设置在第一基板301上。光阻挡部分376的一部分由密封部分155围绕。在一示例实施方式中，例如，光阻挡部分376在显示区域AR1中的一部分和光阻挡部分376在无效空间区域DS中的一部分由密封部分155围绕。

如图4所示，第一孔36a和第二孔36b被限定在光阻挡部分376中。

第一孔36a被限定在光阻挡部分376的边缘部分处。换言之，第一孔36a限定在光阻挡部分376的对应于短路部分600的边缘部分处。光阻挡部分376的边缘部分对应于非显示区域AR2。第一孔36a限定短路区域，并且短路部分600被设置在短路区域中。作为示例，彼此分开的五个第一孔36a在图4中被示出。本发明不限于此，并且第一孔36a的数量可以小于或大于五。五个第一孔36a分别限定五个短路区域。

第二孔36b限定在光阻挡部分376的中央部分处。光阻挡部分376的第二孔36b限定像素区域。换言之，第二孔36b被限定为对应于每个像素的像素电极PE。光阻挡部分376阻挡在除第二孔36b之外的部分处的光。在一示例实施方式中，例如，光阻挡部分376被设置在开关元件TFT、栅线GL1至GLi和数据线DL1至DLj上，并且防止通过开关元件TFT、栅线GL1至GLi和数据线DL1至DLj透射的光向外发射。

如图2所示，柱状间隔物472可以被设置在光阻挡部分376上。柱状间隔物472具有朝第二面板102突出至预定高度的形状。柱状间隔物472保持第一面板101和第二面板102之间的单元间隙均匀。在一示例实施方式中，柱状间隔物472和光阻挡部分376可以为整体的。在该示例实施方式中，柱状间隔物472和光阻挡部分376可以使用相同的材料同时提供。

图5是示出图4的光阻挡部分376的第一孔36a中的短路部分600以及在短路部分600下面的公共线166的一示例实施方式的视图，图6是示出对应于图5的单个像素区域的像素的一示例实施方式的俯视图，并且图7是沿图5的线I-I'和图6的线II-II'截取的剖视图。

如图5、6和7所示，第一面板101包括第一基板301、栅线GL、数据线DL、公共线166、开关元件TFT、栅绝缘层311、钝化层320、滤色器354、绝缘中间层391、像素电极PE、光阻挡部分376和短路部分600。

开关元件TFT包括栅电极GE、半导体层313、欧姆接触层315、源电极SE和漏电极DE。

栅线GL、栅电极GE和公共线166被设置在第一基板301上。尽管图中未示出，但是栅线GL的端部可以被连接到另一层或外部驱动电路，为此，栅线GL的端部可以具有比其另一部分的平面面积更大的平面面积。

在一示例实施方式中，例如，栅线GL、栅电极GE和公共线166的至少一个可以包括铝(Al)或其合金、银(Ag)或其合金、铜(Cu)或其合金和/或钼(Mo)或其合金，或者可以由铝(Al)或其合金、银(Ag)或其合金、铜(Cu)或其合金和/或钼(Mo)或其合金组成。在一替换示例实施方式中，例如，栅线GL、栅电极GE和公共线166的至少一个可以包括铬(Cr)、钽(Ta)和钛(Ti)中的一种，或者可以由铬(Cr)、钽(Ta)和钛(Ti)中的一种组成。在一替换示例实施方式中，例如，栅线GL、栅电极GE和公共线166的至少一个可以具有多层结构，该多层结构包括具有彼此不同的物理性质的至少两个导电层。尽管在示出的示例实施方式中栅电极GE与栅线GL是整体的，但是本发明不限于此，栅电极GE和栅线GL可以被分开提供，然后被彼此连接。

在一示例实施方式中，栅绝缘层311被设置在栅线GL、栅电极GE和公共线166上。在该示例实施方式中，栅绝缘层311可以被设置在第一基板301的整个表面上方，在第一基板301的整个表面上栅线GL、栅电极GE和公共线166被设置。如图7所示，孔被限定在对应于公共接触孔35的栅绝缘层311中。公共线166通过公共接触孔35被暴露。

在一示例实施方式中，例如，栅绝缘层311可以包括硅氮化物(SiN_x)或硅氧化物(SiO_x)，或者可以由硅氮化物(SiN_x)或硅氧化物(SiO_x)组成。栅绝缘层311可以具有多层结构，该多层结构包括具有不同物理性质的至少两个绝缘层。

半导体层313被设置在栅绝缘层311上。半导体层313重叠栅电极GE、源电极SE和漏电极DE。半导体层313可以包括非晶硅、多晶硅等。

欧姆接触层315被设置在半导体层313上。在一示例实施方式中，欧姆接触层315可以包括硅化物或由例如磷的处于高浓度的n型杂质掺杂的n+氢化非晶硅。欧姆接触层315可以成对地设置在半导体层313上。

源电极SE被设置在欧姆接触层315的一部分上，欧姆接触层315的该部分接触半导体层313的一部分。源电极SE从数据线DL延伸。在一示例实施方式中，如图6所示，例如，源电极SE具有从数据线DL朝栅电极GE突出的形状。尽管在示出的示例实施方式中源电极SE与数据线DL为整体的，但是本发明不限于此，源电极SE和数据线DL可以被分开提供，然后被彼此连接。源电极SE重叠半导体层313和栅电极GE。

在一示例实施方式中，源电极SE可以包括难熔金属或可以由难熔金属组成，该难熔金属为诸如钼、铬、钽和钛或其合金，并且源电极SE可以具有包括难熔金属层和低电阻导电层的多层结构。多层结构的示例可以包括包含铬或钼(合金)下层和铝(合金)上层的双层结构，以及包含钼(合金)下层、铝(合金)中间层和钼(合金)上层的三层结构。在一替换示例实施方式中，源电极SE可以包括任意合适的金属或导体，或者可以由任意合适的金属或导体组成，而不是上述材料。

漏电极DE被设置在欧姆接触层315的一部分上，欧姆接触层315的该部分接触半导体层313的另一部分。漏电极DE重叠栅电极GE和半导体层313。漏电极DE被连接到像素电极PE。漏电极DE可以包括与源电极SE的材料相同的材料，并且可以具有与源电极SE的结构相同的结构(例如多层结构)。换言之，漏电极DE和源电极SE可以在相同工艺中被同时提供。

开关元件TFT的沟道区域被设置在半导体层313的在源电极SE和漏电极DE之间的一部分中。在一示例实施方式中，半导体层313的对应于沟道区域的部分在图8A的垂直方向上具有比其另外的部分的厚度更小的厚度。

数据线DL被设置在栅绝缘层311上。在一示例实施方式中，尽管未示出，但是数据线DL的端部可以被连接到另一层或外部驱动电路，为此，数据线DL的端部可以具有比其另外的部分的平面面积更大的平面面积。

数据线DL交叉栅线GL。在一示例实施方式中，例如，尽管未示出，但是数据线DL的交叉栅线GL的一部分在图6中的水平方向上可以具有比数据线DL的另外的部分的线宽度更小的线宽度。因此，数据线DL和栅线GL之间的寄生电容可以被减小。数据线DL可以包括与源电极SE的材料相同的材料，并且可以具有与源电极SE的结构相同的结构(例如多层结构)。换言之，数据线DL和源电极SE可以在相同的工艺中被同时提供。

在一示例实施方式中，半导体层313还可以被设置在栅绝缘层311和源电极SE之间。此外，半导体层313还可以被设置在栅绝缘层311和漏电极DE之间。这里，半导体层313的在栅绝缘层311和源电极SE之间的一部分被称为第一附加半导体层，并且半导体层313的在栅绝缘层311和漏电极DE之间的一部分被称为第二附加半导体层。在该示例实施方式中，前述欧姆接触层315还可以被设置在第一附加半导体层和源电极SE之间，并且前述欧姆接触层315还可以被设置在第二附加半导体层和漏电极DE之间。

在一示例实施方式中，尽管未示出，但是半导体层313还可以被设置在栅绝缘层311和数据线DL之间。在一示例实施方式中，例如，半导体层313还可以被设置在栅绝缘层311和数据线DL之间。这里，半导体层313的在栅绝缘层311和数据线DL之间的一部分被称为第三附加半导体层。在该示例实施方式中，前述欧姆接触层315还可以被设置在第三附加半导体层和数据线DL之间。

在一示例实施方式中，钝化层320被设置在数据线DL、源电极SE、漏电极DE和栅绝缘层311上。在该示例实施方式中，钝化层320可以被设置在第一基板301的整个表面上方，在第一基板301的整个表面上数据线DL、源电极SE、漏电极DE和栅绝缘层311被设置。如图7所示，孔被限定在对应于漏极接触孔32和公共接触孔35的钝化层320中。漏电极DE通过漏极接触孔32暴露。

在一示例实施方式中，钝化层320可以包括无机绝缘材料，诸如硅氮化物(SiN_x)或硅氧化物(SiO_x)，并且在该示例实施方式中，例如，具有光敏性且具有约4.0的介电常数的无机绝缘材料可以被使用。在一替换示例实施方式中，钝化层320可以具有包括下无机层和上有机层的双层结构，这被发现赋予优良的绝缘特性并且不损坏半导体层313的暴露部分。在一示例实施方式中，钝化层320可以具有大于或等于约的厚度，例如在约至约的范围内。

滤色器354被设置在像素区域中的钝化层320上。在一示例实施方式中，滤色器354被设置为对应于光阻挡部分376的第二孔36b，并且在该示例实施方式中，滤色器354的边缘部分可以被设置在栅线GL、开关元件TFT和数据线DL上。滤色器354中的一个的边缘部分可以重叠滤色器354中的与其相邻的另一个的边缘部分。孔被限定在对应于漏电极DE的滤色器354中。在一示例实施方式中，例如，滤色器354可以包括光敏有机材料，或可以由光敏有机材料组成。

在一示例实施方式中，绝缘中间层391被设置在滤色器354和钝化层320上。在该示例实施方式中，绝缘中间层391可以被设置在第一基板301的整个表面上方，在第一基板301的整个表面上滤色器354和钝化层320被设置。如图7所示，孔可以被限定在分别对应于漏极接触孔32和公共接触孔35的绝缘中间层391中。绝缘中间层391可以包括有机材料，或者可以由有机材料组成。

像素电极PE通过漏极接触孔32被连接到漏电极DE。像素电极PE被设置在绝缘中间层391上。像素电极PE被设置为对应于光阻挡部分376的第二孔36b，并且像素电极PE的一部分可以重叠限定第二孔36b的光阻挡部分376。在一示例实施方式中，像素电极PE可以包括透明导电材料或可以由透明导电材料组成，透明导电材料是诸如铟锡氧化物(ITO)或铟锌氧化物(IZO)。在该示例实施方式中，例如，ITO可以为多晶材料或单晶材料，并且IZO可以为多晶材料或单晶材料。

光阻挡部分376被设置在像素电极PE和绝缘中间层391上。如上所述，光阻挡部分376包括第一孔36a和第二孔36b。

短路部分600包括突起部分601和短路电极602。突起部分601被设置在公共线166上，并且短路电极602被设置在公共线166和突起部分601上。

突起部分601可以包括分别设置在不同层上的多个突起图案。在一示例实施方式中，如图7所示，例如，突起部分601可以包括垂直堆叠的第一突起图案611a、第二突起图案611b、第三突起图案611c和第四突起图案611d。

在一示例实施方式中，例如，突起部分601中包括的第一突起图案611a、第二突起图案611b、第三突起图案611c和第四突起图案611d可以包括彼此不同的材料。

第一突起图案611a被设置在公共线166上。第一突起图案611a可以被设置在与栅绝缘层311被设置其上的层相同的层上。第一突起图案611a和栅绝缘层311可以使用相同的材料被同时提供。

第二突起图案611b被设置在第一突起图案611a上。第二突起图案611b可以被设置在与钝化层320被设置其上的层相同的层上。第二突起图案611b和钝化层320可以使用相同的材料被同时提供。

第三突起图案611c被设置在第二突起图案611b上。第三突起图案611c可以被设置在与滤色器354被设置其上的层相同的层上。第三突起图案611c和滤色器354可以使用相同的材料被同时提供。

在一示例实施方式中，第三突起图案611c可以包括与红色滤色器、绿色滤色器和蓝色滤色器中的一个中包括的材料相同的材料。在该示例实施方式中，第三突起图案611c可以包括与具有最低透光率的滤色器中包括的材料相同的材料。在一示例实施方式中，例如，第三突起图案611c可以包括与蓝色滤色器中包括的材料相同的材料。在一示例实施方式中，第三突起图案611c可以包括与在图7中的垂直方向上具有最大厚度的滤色器中包括的材料相同的材料。在一示例实施方式中，例如，在蓝色滤色器具有最大厚度的情况下，第三突起图案611c可以包括与蓝色滤色器中包括的材料相同的材料。

第四突起图案611d被设置在第二突起图案611b和第三突起图案611c上。第四突起图案611d可以被设置在与绝缘中间层391被设置其上的层相同的层上。第四突起图案611d和绝缘中间层391可以使用相同的材料被同时提供。在一示例实施方式中，第四突起图案611d可以不被设置在第二突起图案611b中。在一替换示例实施方式中，第四突起图案611d可以被省略。

在一示例实施方式中，短路电极602被设置在公共线166和第四突起图案611d上。在该示例实施方式中，短路电极602通过公共接触孔35被连接到公共线166。短路电极602通过密封部分155中包括的导电球700被连接到公共电极330。短路电极602可以包括与像素电极PE中包括的材料相同的材料。

具有这样配置的短路部分600的至少一部分包括暗区域(或碳化区域)。换言之，短路部分600的第一突起图案611a、第二突起图案611b、第三突起图案611c和第四突起图案611d的至少一个可以包括暗区域。在一示例实施方式中，例如，如图7所示，短路部分600的第三突起图案611c可以包括暗区域。在一示例实施方式中，尽管未示出，但是第一突起图案611a、第二突起图案611b和第四突起图案611d的至少一个可以包括暗区域。

暗区域的透光率低于滤色器354的透光率且高于光阻挡部分376的透光率。

在第一突起图案611a包括暗区域的情况下，第一突起图案611a还可以包括与栅绝缘层311中包括的材料相同的材料。

在第二突起图案611b包括暗区域的情况下，第二突起图案611b还可以包括与钝化层320中包括的材料相同的材料。

在第三突起图案611c包括暗区域的情况下，第三突起图案611c可以包括与滤色器354中包括的材料相同的材料。在一示例实施方式中，例如，包括暗区域的第三突起图案611c还可以包括与红色滤色器、绿色滤色器和蓝色滤色器中的一个中包括的材料相同的材料。

在第四突起图案611d包括暗区域的情况下，第四突起图案611d还可以包括与绝缘中间层391中包括的材料相同的材料。

因此，在突起部分601的至少一部分包括暗区域的情况下，反射光在短路部分600中可以被有效地减少。也就是，包括金属材料的公共线166被设置在短路部分600和第一基板301之间，外部入射到公共线166的光可以由公共线166向外反射。短路部分600可以由反射光识别。在一示例实施方式中，在短路部分600的第三突起图案611c包括与蓝色滤色器中包括的材料相同的材料的情况下，例如，蓝光在非显示区域中被产生从而图像质量可以被降低。然而，突起部分601的暗区域在短路部分600中显著减少反射光使得短路部分600可以被显著较小地识别。

图8A、8B、8C、8D和8E是示出制造LCD设备的一示例实施方式的过程的剖视图。

如图8A所示，公共线166、栅线GL和栅电极GE被设置在第一基板301上。随后，栅绝缘层311被设置在第一基板301的整个表面上方，在第一基板301的整个表面上公共线166、栅线GL和栅电极GE被设置。随后，重叠栅电极GE的半导体层313和欧姆接触层315被设置在栅绝缘层311上。随后，源电极SE和漏电极DE被设置在欧姆接触层315和栅绝缘层311上。随后，在源电极SE和漏电极DE被用作掩模的状态下，欧姆接触层315被去除从而限定开关元件TFT的沟道区域。随后，钝化层320被设置在第一基板301的整个表面上方。随后，第三突起图案611c和滤色器354被设置在钝化层320上。第三突起图案611c重叠公共线166。

随后，如图8B所示，强光888(例如激光束)从光发射装置808(例如激光束发射装置)辐射到第三突起图案611c。第三突起图案611c由强光888碳化，并且因此暗区域被提供在第三突起图案611c上。因此，第三突起图案611c包括暗区域。

随后，如图8C所示，绝缘中间层391和第四突起图案611d被设置在钝化层320、第三突起图案611c和滤色器354上，在绝缘中间层391和第四突起图案611d中孔被限定为对应于漏电极DE和公共线166。随后，在绝缘中间层391和第四突起图案611d被用作掩模的状态下，钝化层320和栅绝缘层311被去除从而限定公共接触孔35和漏极接触孔32。此外，钝化层320和栅绝缘层311的一部分被去除从而提供第二突起图案611b和第一突起图案611a。

随后，如图8D所示，短路电极602被设置在公共线166和第四突起图案611d上，并且像素电极PE被设置在漏电极DE和绝缘中间层391上。

随后，如图8E所示，光阻挡部分376和柱状间隔物472被设置在除短路区域和像素区域之外的部分上。第一孔36a和第二孔36b被限定在光阻挡部分376中。

图9是示出沿图5的线I-I'截取的一示例实施方式的剖视图。

如图9所示，第一突起图案611a、第二突起图案611b、第三突起图案611c和第四突起图案611d中的第四突起图案611d可以包括暗区域。在一示例实施方式中，第四突起图案611d的上部可以包括重叠第三突起图案611c的暗区域。例如，第四突起图案611d可以由强光888(参考图8B)以上述方式碳化，并且因此可以具有暗区域。在一示例实施方式中，例如，第四突起图案611d可以在前述图8C的工艺中用强光888辐射。

图10是示出沿图5的线I-I'截取的一替换示例实施方式的剖视图。

如图10所示，短路部分600还可以包括第五突起图案611e和第六突起图案611f的至少一个。第五突起图案611e被设置在第三突起图案611c上，并且第六突起图案611f被设置在第五突起图案611e上。

第三突起图案611c、第五突起图案611e和第六突起图案611f可以分别包括不同滤色器的材料。在一示例实施方式中，例如，第三突起图案611c包括与红色滤色器中包括的材料相同的材料，第五突起图案611e包括与绿色滤色器中包括的材料相同的材料，并且第六突起图案611f包括与蓝色滤色器中包括的材料相同的材料。

第一突起图案611a、第二突起图案611b、第三突起图案611c和第四突起图案611d、第五突起图案611e和第六突起图案611f的至少一个可以包括暗区域，并且图10示出了其中第六突起图案611f包括暗区域的一示例。

图11是示出图4的光阻挡部分376的第一孔36a中的短路部分660和在短路部分660下面的公共线166的一替换示例实施方式的视图，并且图12是沿图11的线I-I'截取的剖视图。

如图11所示，多个短路部分660可以被设置在由单个第一孔36a限定的短路区域中。

短路部分660的每个具有与前述短路部分600的配置相同的配置。在一示例实施方式中，例如，在多个短路部分660中彼此相邻的两个短路部分分别被称为第一短路部分661和第二短路部分662的情况下，第一短路部分661包括突起部分601和短路电极602，并且第二短路部分662也包括突起部分601和短路电极602。

短路部分660的各自突起部分601被设置在公共线166的不同部分上。

短路部分660的各自突起部分601彼此分开。在一示例实施方式中，例如，第一短路部分661的突起部分601和第二短路部分662的突起部分601彼此分开。

短路部分660的各自短路电极602彼此连接。详细地，短路部分660的各自短路电极602是整体的。在一示例实施方式中，例如，第一短路部分661的短路电极602和第二短路部分662的短路电极602是整体的。

短路部分660的各自突起部分601可以包括如上所述垂直堆叠的多个突起图案。在一示例实施方式中，例如，第一短路部分661的突起部分601可以包括第一突起图案611a、第二突起图案611b、第三突起图案611c和第四突起图案611d，并且第二短路部分662的突起部分601也可以包括第一突起图案611a、第二突起图案611b、第三突起图案611c和第四突起图案611d。

因此，由于多个突起部分在单个短路区域中彼此分开，所以图11中示出的一个突起部分具有比图7中示出的突起部分的尺寸更小的尺寸。在一示例实施方式中，根据图11中示出的结构，在突起部分的各自突起部分中没有突起部分的区域中限定了空的空间，并且因此图11中示出的设置在单个短路区域(在下文中，第一短路区域)中的多个突起部分601的各自区域的总面积小于图7中示出的设置在单个短路区域(具有与第一短路区域的平面面积相同的平面面积的短路区域)中的单个突起部分601的平面面积。因此，反射光的量在图11的配置中比在图7的配置中可以被进一步减少。

每个短路部分660的至少一部分可以包括暗区域。在一示例实施方式中，例如，第一短路部分661的至少一部分和第二短路部分662的至少一部分可以包括暗区域。在该示例实施方式中，如上所述，第一短路部分661的第一突起图案611a、第二突起图案611b、第三突起图案611c和第四突起图案611d的至少一个可以包括暗区域，并且第二短路部分662的第一突起图案611a、第二突起图案611b、第三突起图案611c和第四突起图案611d的至少一个可以包括暗区域。

此外，单个短路区域中包括的至少一个短路部分660可以包括暗区域。此外，单个短路区域中包括的多个短路部分660的短路部分的一些可以每个包括暗区域，而其它短路部分可以不包括暗区域。

在单个短路区域中的多个短路部分660的至少一个包括上述暗区域的情况下，前述反射光可以被进一步减少。

图13是示出图4的单个短路区域中的多个突起部分601的一示例实施方式的视图。

如图13所示，例如，突起部分601的每个可以具有矩形形状。在一示例实施方式中，例如，突起部分601中的第一突起图案611a、第二突起图案611b、第三突起图案611c和第四突起图案611d的第三突起图案611c可以具有矩形形状。换言之，包括与滤色器354中包括的材料相同材料的第三突起图案611c的每个可以每个具有矩形形状。

在突起部分601具有矩形形状或正方形形状的情况下，例如，突起部分601的侧边L1和L2可以每个具有至少约20微米(μm)的长度。在一示例实施方式中，在第三突起图案611c具有矩形形状或正方形形状的情况下，例如，第三突起图案611c的每个侧边的长度可以为至少约20μm。

在一示例实施方式中，例如，突起部分601的相邻突起部分601中的距离d1、d2、d3和d4可以为至少约10μm。在一示例实施方式中，例如，第三突起图案611c的相邻第三突起图案611c中的距离可以为至少约10μm。

图14是示出图4的单个短路区域中的多个突起部分601的一替换示例实施方式的视图。

如图14所示，突起部分601的每个可以具有圆形形状。在一示例实施方式中，例如，第一突起图案611a、第二突起图案611b、第三突起图案611c和第四突起图案611d的第三突起图案611c可以具有圆形形状。换言之，包括与滤色器354中包括的材料相同的材料的第三突起图案611c的每个可以具有圆形形状。

在一示例实施方式中，例如，尽管未示出，但是突起部分601的各自第三突起图案611c可以具有各种其它形状，包括正方形形状或椭圆形形状。

图15是示出对应于图5的单个像素区域的像素的一替换示例实施方式的俯视图，图16是沿图15的线I-I'截取的剖视图，并且图17是单独示出图15的滤色器的视图。

图15的像素与前述图6的像素基本上相同，并且因此有关图15的像素的描述将参考有关前述图6的像素的描述。

如图15和16所示，源电极SE的一部分重叠栅电极GE，并且源电极SE的另一部分(在下文中，称为第一部分771)不重叠栅电极GE。前述源电极SE的第一部分771不重叠在与其上栅电极GE被设置的层(例如第一基板301)相同层上的配置。在一示例实施方式中，例如，第一部分771不重叠在其上栅电极GE被设置的第一基板301上的栅线GL。

漏电极DE的一部分重叠栅电极GE，并且漏电极DE的另一部分(在下文，第二部分772)不重叠栅电极GE。前述漏电极DE的第二部分772不重叠在与其上栅电极GE被设置的层相同层上的配置。在一示例实施方式中，例如，第二部分772不重叠栅线GL。

如图15和16所示，滤色器3544不重叠源电极SE和漏电极DE的至少一个的一部分。在一示例实施方式中，例如，滤色器3544可以不重叠前述源电极SE的第一部分771。在一替换示例实施方式中，滤色器3544可以不重叠前述漏电极DE的第二部分772。此外，滤色器3544不重叠漏极接触孔32。

滤色器3544重叠像素电极PE。此外，滤色器3544重叠开关元件TFT的除第一部分771和第二部分772之外的另外的部分。在一示例实施方式中，如图17所示，例如，滤色器3544可以包括第一重叠部分1701和第二重叠部分1702，并且滤色器3544的第一重叠部分1701可以重叠像素电极PE，滤色器3544的第二重叠部分1702可以重叠前述开关元件TFT的另外的部分(开关元件的除第一部分771和第二部分772之外的另外的部分)。在一示例实施方式中，例如，第二重叠部分1702可以重叠源电极SE的一部分、漏电极DE的一部分和栅电极GE。在一示例实施方式中，第一重叠部分1701还可以重叠栅线GL和数据线DL。

柱状间隔物472可以重叠第一重叠部分1701(参考图17)和第二重叠部分1702(参考图17)的至少一个。在一示例实施方式中，例如，如图16所示，柱状间隔物472可以重叠第二重叠部分1702。

如图17所示，第一重叠部分1701和第二重叠部分1702可以为整体的。在一示例实施方式中，尽管未示出，但是第一重叠部分1701和第二重叠部分1702可以彼此分开。换言之，第一重叠部分1701和第二重叠部分1702可以不以直接的方式彼此物理地连接。

在关于有缺陷的像素的修复过程中，强光888可以被辐射到源电极SE的第一部分771和漏电极DE的第二部分772。在一示例实施方式中，例如，第一切割路径2001和第二切割路径2002在图15和16中被示出，并且强光888可以沿第一切割路径2001和第二切割路径2002辐射。第一切割路径2001被置于第一部分771上，并且第二切割路径2002被置于第二部分772上。

强光888通过第一面板101的后表面从光发射装置808辐射到源电极SE的第一部分771和漏电极DE的第二部分772。在一示例实施方式中，例如，如图16所示，强光888通过第一基板301辐射到第一部分771和第二部分772。在该示例实施方式中，强光888通过第一基板301和栅绝缘层311被顺序传输到达到第一部分771和第二部分772。随着强光888沿第一切割路径2001传播，源电极SE被切割，并且随着强光888沿第二切割路径2002传播，漏电极DE被切割。

在一示例实施方式中，在源电极SE和漏电极DE上的钝化层320在前述切割工艺中可以被损坏。在该示例实施方式中，在滤色器354被设置在钝化层320之上的情况下，强光888可以被辐射到滤色器354。在该示例实施方式中，滤色器354被碳化，并且因此，可以出现其中像素的一部分呈现黑暗的黑点现象。此外，来自由强光888损坏的滤色器354的颜料朝相邻像素扩散使得相邻像素可以被污染。然而，如图15和16所示，在第一部分和第二部分中没有滤色器354的情况下，在使用强光888的前述修复过程中可以防止对滤色器354的损坏。

图18是示出对应于图5的单个像素区域的像素的另一替换示例实施方式的俯视图，图19是沿图18的线I-I'截取的剖视图，图20是沿图18的线II-II'截取的剖视图，并且图21是单独示出图18的滤色器的视图。

如图18、19、20和21所示，像素包括第一基板3301、栅线GL、第一栅电极GE1、第二栅电极GE2、第一存储电极7751、第二存储电极7752、栅绝缘层3311、第一半导体层3321、第二半导体层3322、第三半导体层3323、第一欧姆接触层3321a、第二欧姆接触层3321b、第三欧姆接触层3322a、第四欧姆接触层3322b、第五欧姆接触层3323a、第六欧姆接触层3323b、数据线DL1、第一源电极SE1、第一漏电极DE1、第二源电极SE2、第二漏电极DE2、第三源电极SE3、浮动电极FE、第三漏电极DE3、钝化层3320、滤色器3354、绝缘中间层3391、第一子像素电极PE1、第二子像素电极PE2、第二基板3302、光阻挡部分3376、公共电极3330和液晶层3333。这里，第一欧姆接触层3321a、第二欧姆接触层3321b、第三欧姆接触层3322a、第四欧姆接触层3322b、第五欧姆接触层3323a和第六欧姆接触层3323b可以被省略。

如图18和19所示，第一开关元件TFT1包括第一栅电极GE1、第一半导体层3321、第一源电极SE1和第一漏电极DE1。

如图18和20所示，第二开关元件TFT2包括第二栅电极GE2、第二半导体层3322、第二源电极SE2和第二漏电极DE2。

如图18和20所示，第三开关元件TFT3包括第三栅电极GE3、第三半导体层3323、第三源电极SE3、浮动电极FE和第三漏电极DE3。

如图18和19所示，栅线GL1被设置在第一基板3301上。详细地，栅线GL被设置在第一基板3301的第一子像素区域P1和第二子像素区域P2之间。

如图18所示，第一栅电极GE1可以具有从栅线GL1突出的形状。第一栅电极GE1可以为栅线GL1的一部分。第一栅电极GE1可以包括与栅线GL1的材料相同的材料，并且可以具有与栅线GL1的结构相同的结构(例如多层结构)。第一栅电极GE1和栅线GL1可以在相同的工艺中被同时提供。

如图18所示，第二栅电极GE2可以具有从栅线GL1突出的形状。第二栅电极GE2可以为栅线GL1的一部分。第二栅电极GE2可以包括与栅线GL1的材料相同的材料，并且可以具有与栅线GL1的结构相同的结构(例如多层结构)。第二栅电极GE2和栅线GL1可以在相同工艺中被同时提供。

如图18所示，第三栅电极GE3可以具有从栅线GL1突出的形状。第三栅电极GE3可以为栅线GL1的一部分。第三栅电极GE3可以包括与栅线GL1的材料相同的材料，并且可以具有与栅线GL1的结构相同的结构(例如多层结构)。第三栅电极GE3和栅线GL1可以在相同工艺中被同时提供。

如图18所示，第一存储电极7751围绕第一子像素电极PE1。在一示出的示例实施方式中，第一存储电极7751重叠第一子像素电极PE1的边缘部分。第一存储电极7751可以包括与前述栅线GL1的材料相同的材料，并且可以具有与前述栅线GL1的结构相同的结构(例如多层结构)。第一存储电极7751和栅线GL1可以在相同工艺中被同时提供。第一存储电压被施加到第一存储电极7751。第一存储电压可以与公共电压相同。

如图18所示，第二存储电极7752围绕第二子像素电极PE2。在一示出的示例实施方式中，第二存储电极7752重叠第二子像素电极PE2的边缘部分。第二存储电极7752可以包括与前述栅线GL1的材料相同的材料，并且可以具有与前述栅线GL1的结构相同的结构(例如多层结构)。第二存储电极7752和栅线GL1可以在相同工艺中被同时提供。第二存储电压被施加到第二存储电极7752。第二存储电压可以与公共电压相同。在一示例实施方式中，沿栅线GL1彼此相邻的像素的第二存储电极7752可以彼此连接。此外，沿数据线DL1彼此相邻的像素的第二存储电极7752和第一存储电极7751可以彼此连接。

如图19和20所示，栅绝缘层3311被设置在栅线GL、第一栅电极GE1、第二栅电极GE2、第一存储电极7751和第二存储电极7752上。在一示出的示例实施方式中，栅绝缘层3311被设置在第一基板301的整个表面上方，在第一基板301的整个表面上栅线GL1、第一栅电极GE1、第二栅电极GE2、第一存储电极7751、第二存储电极7752和存储线7750被设置。孔被限定在对应于第三接触孔CH3和第四接触孔CH4的栅绝缘层3311中。第三漏电极DE3的一部分和第一存储电极7751通过第三接触孔CH3暴露，第三漏电极DE3的另一部分和第二存储电极7752通过第四接触孔CH4暴露。

如图19所示，数据线DL1被设置在栅绝缘层3311上。数据线DL1交叉栅线GL1。在一示例实施方式中，尽管未示出，但是数据线DL1的交叉栅线GL1的一部分可以具有比数据线DL1的另外的部分的线宽度更小的线宽度。数据线DL1可以包括与前述数据线DL中包括的材料相同的材料。

如图19所示，第一半导体层3321被设置在栅绝缘层3311上。如图18和19所示，第一半导体层3321重叠第一栅电极GE1的至少一部分。第一半导体层3321可以包括非晶硅、多晶硅等。

如图19所示，第一欧姆接触层3321a和第二欧姆接触层3321b被设置在第一半导体层3321上。第一欧姆接触层3321a和第二欧姆接触层3321b彼此面对并且第一开关元件TFT的沟道区域在其之间。

如图20所示，第二半导体层3322被设置在栅绝缘层3311上。如图18和20所示，第二半导体层3322重叠第二栅电极GE2的至少一部分。第二半导体层3322可以包括非晶硅、多晶硅等。

如图20所示，第三欧姆接触层3322a和第四欧姆接触层3322b被设置在第二半导体层3322上。第三欧姆接触层3322a和第四欧姆接触层3322b彼此面对并且第二开关元件TFT2的沟道区域在其之间。

第一欧姆接触层3321a和前述第三欧姆接触层3322a彼此连接。在一示例实施方式中，例如，第一欧姆接触层3321a和前述第三欧姆接触层3322a可以为整体的。

如图20所示，第三半导体层3323被设置在栅绝缘层3311上。如图18和20所示，第三半导体层3323重叠第三栅电极GE3的至少一部分。

如图20所示，第五欧姆接触层3323a、第六欧姆接触层3323b和第七欧姆接触层3323c被设置在第三半导体层3323上。第五欧姆接触层3323a和第六欧姆接触层3323b彼此面对并且第三开关元件TFT3的第一沟道区域在其之间，第六欧姆接触层3323b和第七欧姆接触层3323c彼此面对并且第三开关元件TFT3的第二沟道区域在其之间。

如图19所示，第一源电极SE1被设置在第一欧姆接触层3321a和栅绝缘层3311上。如图19所示，第一源电极SE1可以具有从数据线DL1突出的形状。在一示例实施方式中，尽管未示出，但是第一源电极SE1可以为数据线DL1的一部分。第一源电极SE1的至少一部分重叠第一半导体层3321和第一栅电极GE1。在示例实施方式中，例如，第一源电极SE1可以具有I状形状、C状形状和U状形状中的一种。例如，具有U状形状的第一源电极SE1在图18中被示出，并且第一源电极SE1的凸的部分面朝第二子像素电极PE2。第一源电极SE1可以包括与前述数据线DL1的材料相同的材料，并且可以具有与前述数据线DL1的结构相同的结构(例如多层结构)。第一源电极SE1和数据线DL1可以在相同工艺中被同时提供。

第一源电极SE1的一部分重叠第一栅电极GE1，并且第一源电极SE1的另一部分(在下文中，第一部分881)不重叠第一栅电极GE1。前述第一源电极SE1的第一部分881不重叠在与其上第一栅电极GE1被设置的层相同的层上的配置。在一示例实施方式中，例如，第一部分881不重叠栅线GL1、第二栅电极GE2、第三栅电极GE3、第一存储电极7751和第二存储电极7752。

如图19所示，第一漏电极DE1被设置在第二欧姆接触层3321b和栅绝缘层3311上。第一漏电极DE1的至少一部分重叠第一半导体层3321和第一栅电极GE1。第一漏电极DE1被连接到第一子像素电极PE1。第一漏电极DE1可以包括与前述数据线DL1的材料相同的材料，并且可以具有与前述数据线DL1的结构相同的结构(例如多层结构)。第一漏电极DE1和数据线DL1可以在相同工艺中被同时提供。

第一漏电极DE1的一部分重叠第一栅电极GE1，并且第一漏电极DE1的另一部分(在下文中，第二部分882)不重叠第一栅电极GE1。前述第一漏电极DE1的第二部分882不重叠在与其上第一栅电极GE1被设置的层相同的层上的配置。在一示例实施方式中，例如，第二部分882不重叠栅线GL1、第二栅电极GE2、第三栅电极GE3、第一存储电极7751和第二存储电极7752。

第一开关元件TFT1的沟道区域被设置在第一半导体层3321的在第一源电极SE1和第一漏电极DE1之间的部分处。第一半导体层3321的对应于沟道区域的部分具有比第一半导体层3321的另外的部分的厚度更小的厚度。

如图20所示，第二源电极SE2被设置在第三欧姆接触层3322a上。在一示例实施方式中，尽管未示出，但是第三欧姆接触层3322a被设置在栅绝缘层3311上。第二源电极SE2和第一源电极SE1是整体的。第二源电极SE2的至少一部分重叠第二半导体层3322和第二栅电极GE2。在示例实施方式中，例如，第二源电极SE2可以具有I状形状、C状形状和U状形状中的一种。第二源电极SE2可以包括与前述数据线DL1的材料相同的材料，并且可以具有与前述数据线DL1的结构相同的结构(例如多层结构)。第二漏电极DE2和数据线DL1可以在相同工艺中被同时提供。

如图20所示，第二漏电极DE2被设置在第四欧姆接触层3322b和栅绝缘层3311上。第二漏电极DE2的至少一部分重叠第二半导体层3322和第二栅电极GE2。第二漏电极DE2被连接到第二子像素电极PE2。第二漏电极DE2可以包括与前述数据线DL1的材料相同的材料，并且可以具有与前述数据线DL1的结构相同的结构(例如多层结构)。第二漏电极DE2和数据线DL1可以在相同工艺中被同时提供。

第二漏电极DE2的一部分重叠第二栅电极GE2，并且第二漏电极DE2的另一部分(在下文中，第三部分883)不重叠第二栅电极GE2。前述第二漏电极DE2的第三部分883不重叠在与其上第二栅电极GE2被设置的层相同的层上的配置。在一示例实施方式中，例如，第三部分883不重叠栅线GL1、第一栅电极GE1、第三栅电极GE3、第一存储电极7751和第二存储电极7752。

第二开关元件TFT2的沟道区域被设置在第二半导体层3322的在第二源电极SE2和第二漏电极DE2之间的部分处。第二半导体层3322的对应于沟道区域的部分具有比第二半导体层3322的另外的部分的厚度更小的厚度。

如图20所示，第三源电极SE3被设置在第五欧姆接触层3323a和栅绝缘层3311上。第三源电极SE3和第二漏电极DE2为整体的。第三源电极SE3的至少一部分重叠第三半导体层3323和第三栅电极GE3。在示例实施方式中，例如，第三源电极SE3可以具有I状形状、C状形状和U状形状中的一种。第三源电极SE3可以包括与前述数据线DL1的材料相同的材料，并且可以具有与前述数据线DL1的结构相同的结构(例如多层结构)。第三源电极SE3和数据线DL1可以在相同工艺中被同时提供。

第三源电极SE3的一部分重叠第三栅电极GE3，并且第三源电极SE3的另一部分(在下文中，第四部分884)不重叠第三栅电极GE3。前述第三源电极SE3的第四部分884不重叠在与其上第三栅电极GE3被设置的层相同的层上的配置。在一示例实施方式中，例如，第四部分884不重叠栅线GL1、第一栅电极GE1、第二栅电极GE2、第一存储电极7751和第二存储电极7752。

如图20所示，浮动电极FE被设置在第六欧姆接触层3323b上。浮动电极FE不接触除第六欧姆接触层3323b之外的任何导体。浮动电极FE的至少一部分重叠第三半导体层3323和第三栅电极GE3。在示例实施方式中，例如，浮动电极FE可以具有I状形状、C状形状和U状形状中的一种。浮动电极FE可以包括与前述数据线DL1的材料相同的材料，并且可以具有与前述数据线DL1的结构相同的结构(例如多层结构)。浮动电极FE和数据线DL1可以在相同工艺中被同时提供。

如图20所示，第三漏电极DE3被设置在第七欧姆接触层3323c上。在一示例实施方式中，尽管未示出，但是第三漏电极DE3也被设置在栅绝缘层3311上。第三漏电极DE3的至少一部分重叠第二半导体层3322和第三栅电极GE3。第三漏电极DE3被连接到第一存储电极7751和第二存储电极7752。第三漏电极DE3可以包括与前述数据线DL1的材料相同的材料，并且可以具有与前述数据线DL1的结构相同的结构(例如多层结构)。第三漏电极DE3和数据线DL1可以在相同工艺中被同时提供。

第三开关元件TFT3的第一沟道区域被设置在第三半导体层3323的在第三源电极SE3和浮动电极FE之间的部分上，并且第三开关元件TFT3的第二沟道区域被设置在第三半导体层3323的在浮动电极FE和第三漏电极DE3之间的部分上。第三半导体层3323的对应于第一沟道区域和第二沟道区域的部分具有比第三半导体层3323的另外的部分的厚度更小的厚度。

在一示例实施方式中，尽管未示出，但是第一半导体层3321还可以被设置在栅绝缘层3311和第一源电极SE1之间。此外，第一半导体层3321还可以被设置在栅绝缘层3311和第一漏电极DE1之间。这里，第一半导体层3321的在栅绝缘层3311和第一源电极SE1之间的部分被称为第一附加半导体层，并且第一半导体层3321的在栅绝缘层3311和第一漏电极DE1之间的部分被称为第二附加半导体层。在一示例实施方式中，前述第一欧姆接触层3321a还可以被设置在第一附加半导体层和第一源电极SE1之间，并且前述第二欧姆接触层3321b还可以被设置在第二附加半导体层和第一漏电极DE1之间。

在一示例实施方式中，尽管未示出，但是第二半导体层3322还可以被设置在栅绝缘层3311和第二源电极SE2之间。此外，第二半导体层3322还可以被设置在栅绝缘层3311和第二漏电极DE2之间。这里，第二半导体层3322的在栅绝缘层3311和第二源电极SE2之间的部分被称为第三附加半导体层，并且第二半导体层3322的在栅绝缘层3311和第二漏电极DE2之间的部分被称为第四附加半导体层。在一示例实施方式中，前述第三欧姆接触层3322a还可以被设置在第三附加半导体层和第二源电极SE2之间，并且前述第四欧姆接触层3322b还可以被设置在第四附加半导体层和第二漏电极DE2之间。

在一示例实施方式中，尽管未示出，但是第三半导体层3323还可以被设置在栅绝缘层3311和第三源电极SE3之间。此外，第三半导体层3323还可以被设置在栅绝缘层3311和第三漏电极DE3之间。这里，第三半导体层3323的在栅绝缘层3311和第三源电极SE3之间的部分被称为第五附加半导体层，并且第三半导体层3323的在栅绝缘层3311和第三漏电极DE3之间的部分被称为第六附加半导体层。在一示例实施方式中，前述第五欧姆接触层3323a还可以被设置在第五附加半导体层和第三源电极SE3之间，并且前述第七欧姆接触层3323c还可以被设置在第六附加半导体层和第三漏电极DE3之间。

在一示例实施方式中，尽管未示出，但是第一半导体层3321还可以被设置在栅绝缘层3311和数据线DL1之间。在一示例实施方式中，例如，第一半导体层3321还可以被设置在栅绝缘层3311和数据线DL1之间。这里，第一半导体层3321的在栅绝缘层3311和数据线DL1之间的部分被称为第七附加半导体层。在一示例实施方式中，前述第一欧姆接触层3321a还可以被设置在第七附加半导体层和数据线DL1之间。

如图19所示，钝化层3320被设置在数据线DL1、第一源电极SE1、第二源电极SE2、第三源电极SE3、浮动电极FE、第一漏电极DE1、第二漏电极DE2和第三漏电极DE3上。在一示出的示例实施方式中，钝化层3320被设置在第一基板3301的整个表面上方，第一基板3301的整个表面包括数据线DL1、第一源电极SE1、第二源电极SE2、第三源电极SE3、浮动电极FE、第一漏电极DE1、第二漏电极DE2和第三漏电极DE3。孔被限定在对应于第一接触孔CH1、第二接触孔CH2、第三接触孔CH3和第四接触孔CH4的钝化层3320中。第一漏电极DE1通过第一接触孔CH1被暴露，并且第二漏电极DE2通过第二接触孔CH2被暴露。

如图19和20所示，滤色器3354被设置在钝化层3320上。如图18所示，滤色器3354被设置在第一子像素区域P1和第二子像素区域P2上。在一示例实施方式中，在第一接触孔CH1、第二接触孔CH2、第三接触孔CH3和第四接触孔CH4中没有滤色器3354。在一示例实施方式中，滤色器3354中的一个的边缘部分可以重叠滤色器3354的相邻滤色器3354的边缘部分。具有相同颜色的滤色器被设置在单个像素中包括的第一子像素区域P1和第二子像素区域P2中。

如图18、19和20所示，滤色器3354不重叠第一源电极SE1、第二源电极SE2、第三源电极SE3、第一漏电极DE1、第二漏电极DE2和第三漏电极DE3的至少一个。在一示例实施方式中，例如，滤色器3354可以不重叠前述第一源电极SE1的第一部分881。此外，滤色器3354可以不重叠前述第一漏电极DE1的第二部分882。此外，滤色器3354可以不重叠前述第二漏电极DE2的第三部分883。此外，滤色器3354可以不重叠前述第三源电极SE3的第四部分884。

滤色器3354重叠第一子像素电极PE1和第二子像素电极PE2。此外，滤色器3354可以重叠第一开关元件TFT1、第二开关元件TFT2和第三开关元件TFT3的除前述第一部分881、第二部分882、第三部分883和第四部分884之外的另外的部分。详细地，滤色器3354可以重叠第一开关元件TFT1的除第一部分881和第二部分882之外的另外的部分、第二开关元件TFT2的除第三部分883之外的另外的部分、以及第三开关元件TFT3的除第四部分884之外的另外的部分。在一示例实施方式中，如图21所示，例如，滤色器3354可以包括第一重叠部分2101、第二重叠部分2102和第三重叠部分2103，并且在该示例实施方式中，第一重叠部分2101可以重叠第一子像素电极PE1，第二重叠部分2102可以重叠第二子像素电极PE2，并且第三重叠部分2103可以重叠第一开关元件TFT1、第二开关元件TFT2和第三开关元件TFT3的另外的部分(第一开关元件、第二开关元件和第三开关元件的除第一部分、第二部分、第三部分和第四部分之外的另外的部分)。

在一示例实施方式中，绝缘中间层3391被设置在滤色器3354和钝化层3320上。在该示例实施方式中，绝缘中间层3391可以被设置在第一基板3301的整个表面上方，第一基板3301的整个表面包括滤色器3354和钝化层3320。孔被限定在对应于第一接触孔CH1、第二接触孔CH2、第三接触孔CH3和第四接触孔CH4的绝缘中间层3391中。

第一子像素电极PE1被设置在第一子像素区域P1的绝缘中间层3391上。第一子像素电极PE1通过第一漏极接触孔CH1被连接到第一漏电极DE1。第一子像素电极PE1可以包括与前述像素电极PE中包括的材料相同的材料。

第二子像素电极PE2被设置在第二子像素区域P2的绝缘中间层3392上。第二子像素电极PE2通过第二漏极接触孔CH2被连接到第二漏电极DE2。第二子像素电极PE2可以包括与前述像素电极PE中包括的材料相同的材料。

第一连接电极1881被设置在绝缘中间层3391上，对应于第三接触孔CH3。第一连接电极1881连接第三漏电极DE3的一部分和第一存储电极7751。第一连接电极1881可以包括与前述像素电极PE中包括的材料相同的材料。

第二连接电极1882被设置在绝缘中间层3391上，对应于第四接触孔CH4。第二连接电极1882连接第三漏电极DE3的另一部分和第二存储电极7752。第二连接电极1882可以包括与前述像素电极PE中包括的材料相同的材料。

光阻挡部分3376被设置在绝缘中间层3392的除第一子像素区域P1和第二子像素区域P2之外的部分上。

柱状间隔物4472被设置在光阻挡部分3376上。在一示例实施方式中，柱状间隔物4472可以重叠第一重叠部分2101、第二重叠部分2102和第三重叠部分2103的至少一个。在一示例实施方式中，例如，如图19所示，柱状间隔物4472可以重叠第三重叠部分2103。

如图21所示，第一重叠部分2101、第二重叠部分2102和第三重叠部分2103的至少两个可以为整体的。在一示例实施方式中，第一重叠部分2101、第二重叠部分2102和第三重叠部分2103可以彼此分开。图21示出其中第二重叠部分2102和第三重叠部分2103彼此为整体的且第一重叠部分2101和第二重叠部分2102彼此分开的一示例。

在关于有缺陷的像素的修复过程中，强光888(参考图16)可以被辐射到第一源电极SE1的第一部分881(参考图19)、第一漏电极DE1的第二部分882(参考图19)、第二漏电极DE2的第三部分883(参考图20)和第三源电极SE3的第四部分884(参考图20)。在一示例实施方式中，例如，图18、19和20示出了第一切割路径2221、第二切割路径2222、第三切割路径2223和第四切割路径2224，并且强光888可以沿第一切割路径2221、第二切割路径2222、第三切割路径2223和第四切割路径2224辐射。第一切割路径2221被设置在第一部分881上，第二切割路径2222被设置在第二部分882上，第三切割路径2223被设置在第三部分883上，并且第四切割路径2224被设置在第四部分884上。

强光888通过第一面板101的后表面从光发射装置辐射到第一源电极SE1的第一部分881、第一漏电极DE1的第二部分882、第二漏电极DE2的第三部分883和第三源电极SE3的第四部分884。

在如图18、19和20所示的在第一部分881、第二部分882、第三部分883和第四部分884中没有滤色器3354的情况下，在使用强光888的修复过程中可以防止对滤色器3354的损坏。

尽管未示出，但是LCD设备的一示例实施方式还可以包括第一偏光器和第二偏光器。在彼此面对的第一基板3301的表面和第二基板3302的表面分别被称为相应基板的上表面，并且与上表面相反的表面分别被称为相应基板的下表面的情况下，前述第一偏光器被设置在第一基板3301的下表面上，并且第二偏光器被设置在第二基板3302的下表面上。

第一偏光器的透射轴垂直于第二偏光器的透射轴，并且其透射轴中的一个平行于栅线GL取向。在一替换示例实施方式中，LCD设备可以仅包括第一偏光器和第二偏光器中的一个。

尽管未示出，但是LCD设备的一示例实施方式还可以包括光阻挡电极。光阻挡电极被设置在绝缘中间层3391上以重叠数据线DL1。光阻挡电极沿数据线设置。光阻挡电极可以包括与第一子像素电极PE1中包括的材料相同的材料。

光阻挡电极接收前述公共电压。光阻挡电极防止在数据线DL1和子像素电极(即第一子像素电极PE1和第二子像素电极PE2)中电场的形成。此外，每个接收相同公共电压的光阻挡电极和公共电极3330是等电位的，从而通过液晶层3333在光阻挡电极和公共电极3330之间的部分透射的光由第二偏光器阻挡。因此，在对应于数据线DL1的部分中可以防止光泄漏。此外，由于光阻挡电极可以替代光阻挡部分3376在数据线DL1上的部分，所以在光阻挡电极被提供的情况下，光阻挡层3376在数据线DL1上的部分可以被去除。因此，在光阻挡电极被提供的情况下，像素的孔径比可以进一步提高。

在一示例实施方式中，前述光阻挡电极可以被设置在图6和7中所示的数据线DL上。

如图22A、22B、22C、22D、22E、22F和22G所示，滤色器3354的每个包括第一重叠部分2101、第二重叠部分2102和第三重叠部分2103。

如图22A、22F和22G所示，第一重叠部分2101、第二重叠部分2102和第三重叠部分2103可以彼此分开。

此外，如图22B、22D和22E所示，第一重叠部分2101、第二重叠部分2102和第三重叠部分2103可以彼此为整体的。

此外，如图22C所示，第二重叠部分2102和第三重叠部分2103可以彼此为整体的，并且第一重叠部分2101和第二重叠部分2102可以彼此分开。

如以上所述，根据一个或更多示例实施方式，LCD显示设备和制造LCD设备的方法可以提供下面的效果。

第一，短路部分的至少一部分包括暗区域。因此，反射光在短路部分中可以被显著减少。

第二，在单个短路区域中的多个突起部分彼此分开。因此，反射光的量在短路部分中可以被进一步显著减少。

第三，滤色器不重叠源电极和漏电极的切割路径。因此，在使用强光(例如激光束)的修复过程中可以防止对滤色器的损坏。因此，可以防止像素的黑点现象。

由前述将理解，根据本发明的各种示例实施方式为了说明的目的已经在此被描述，并且可以进行各种修改而不背离教导的范围和精神。因此，这里公开的各种示例实施方式不旨在成为教导的真实范围和精神的限制。以上描述的及其它示例实施方式的各种特征能以任何方式混合和搭配，以产生与本发明一致的另外的实施方式。

本申请要求享有2016年4月4日提交的韩国专利申请第10-2016-0040795号的优先权及权益，其全文内容通过引用在此合并。

Claims

1.一种液晶显示设备，包括：

彼此间隔开的第一基板和第二基板；

在所述第一基板上的公共线；

在所述第二基板上的公共电极；以及

短路部分，其被设置在所述公共线和所述公共电极之间并且包括在所述公共线上的突起部分，

其中所述突起部分的至少一部分包括暗区域。

2.如权利要求1所述的液晶显示设备，还包括在所述突起部分和所述公共线上的短路电极。

3.如权利要求2所述的液晶显示设备，其中所述突起部分包括：

在所述公共线和所述短路电极之间的多个突起图案，以及

所述多个突起图案的至少一个的至少一部分包括所述暗区域。

4.如权利要求3所述的液晶显示设备，还包括在所述第一基板上的滤色器，

其中包括所述暗区域的所述多个突起图案的所述至少一个还包括与所述滤色器中包括的材料相同的材料。

5.如权利要求4所述的液晶显示设备，其中所述滤色器包括具有彼此不同颜色的至少两个单位滤色器。

6.如权利要求5所述的液晶显示设备，其中包括所述暗区域的所述多个突起图案的所述至少一个还包括与所述至少两个单位滤色器中在垂直方向上具有最大厚度的一个中包括的材料相同的材料。

7.如权利要求5所述的液晶显示设备，其中包括所述暗区域的所述多个突起图案的至少两个突起图案还分别包括所述至少两个单位滤色器的不同单位滤色器的材料。

8.如权利要求3所述的液晶显示设备，还包括在所述第一基板上的栅绝缘层、钝化层和绝缘中间层的至少一个，

其中包括所述暗区域的所述多个突起图案的所述至少一个还包括与所述栅绝缘层、所述钝化层和所述绝缘中间层的所述至少一个中包括的材料相同的材料。

9.如权利要求1所述的液晶显示设备，还包括在所述第一基板和所述第二基板之间的液晶层以及围绕所述液晶层且设置在所述第一基板的非显示区域和所述第二基板的非显示区域之间的密封部分。

10.如权利要求1所述的液晶显示设备，还包括在所述第一基板上的光阻挡部分，所述光阻挡部分限定有第一孔和第二孔，所述第一孔限定其中所述短路部分被设置的短路区域，所述第二孔限定所述第一基板的像素区域。

11.如权利要求10所述的液晶显示设备，还包括在所述第一基板上的滤色器；以及

所述暗区域具有比所述滤色器的透射率更低且比所述光阻挡部分的透射率更高的透射率。

12.如权利要求1所述的液晶显示设备，还包括在所述第一基板上的栅线、数据线和像素电极；

开关元件，其包括连接到所述栅线的栅电极、连接到所述数据线的源电极和连接到所述像素电极的漏电极；以及

滤色器，其被设置在所述第一基板上并且不重叠所述源电极的第一部分和所述漏电极的第二部分中的至少一个，所述源电极的所述第一部分不重叠所述栅电极，所述漏电极的所述第二部分不重叠所述栅电极。

13.如权利要求12所述的液晶显示设备，其中所述滤色器重叠所述开关元件的除所述第一部分和所述第二部分之外的另外的部分。

14.如权利要求13所述的液晶显示设备，其中所述滤色器包括：

重叠所述像素电极的第一重叠部分；以及

重叠所述开关元件的所述另外的部分的第二重叠部分。

15.如权利要求14所述的液晶显示设备，还包括在所述第二重叠部分上的柱状间隔物。

16.如权利要求14所述的液晶显示设备，其中所述第一重叠部分和所述第二重叠部分是整体的。

17.如权利要求14所述的液晶显示设备，其中所述第一重叠部分和所述第二重叠部分彼此分开。

18.如权利要求1所述的液晶显示设备，还包括：

在所述第一基板上的栅线、存储电极、数据线、第一子像素电极和第二子像素电极；

第一开关元件，包括连接到所述栅线的第一栅电极、连接到所述数据线的第一源电极和连接到所述第一子像素电极的第一漏电极；

第二开关元件，包括连接到所述栅线的第二栅电极、连接到所述第一源电极的第二源电极和连接到所述第二子像素电极的第二漏电极；以及

滤色器，其被设置在所述第一基板上并且不重叠所述第一源电极的第一部分、所述第一漏电极的第二部分以及所述第二漏电极的第三部分中的至少一个，所述第一源电极的所述第一部分不重叠所述第一栅电极，所述第一漏电极的所述第二部分不重叠所述第一栅电极和所述存储电极，所述第二漏电极的所述第三部分不重叠所述第二栅电极和所述存储电极。

19.如权利要求18所述的液晶显示设备，还包括：

第三开关元件，包括连接到所述栅线的第三栅电极、连接到所述第二漏电极的第三源电极、以及连接到所述存储电极的第三漏电极。

20.如权利要求19所述的液晶显示设备，其中所述滤色器包括：

重叠所述第一子像素电极的第一重叠部分；

重叠所述第二子像素电极的第二重叠部分。

21.如权利要求20所述的液晶显示设备，其中所述滤色器还包括第三重叠部分，所述第三重叠部分重叠所述第一开关元件和所述第二开关元件的除所述第一部分、所述第二部分和所述第三部分之外的另外的部分。

22.如权利要求21所述的液晶显示设备，其中所述第三源电极的第四部分不重叠所述第三栅电极，所述滤色器的所述第三重叠部分还重叠所述第三开关元件的除所述第四部分之外的另外的部分。

23.如权利要求21所述的液晶显示设备，还包括在所述第三重叠部分上的柱状间隔物。

24.如权利要求21所述的液晶显示设备，其中所述第一重叠部分和所述第二重叠部分的至少一个与所述第三重叠部分是整体的。

25.如权利要求21所述的液晶显示设备，其中所述第一重叠部分、所述第二重叠部分和所述第三重叠部分彼此分开。

26.一种液晶显示设备，包括：

彼此间隔开的第一基板和第二基板；

在所述第一基板上的公共线；

在所述第二基板上的公共电极；

设置在所述第一基板上且限定短路区域的光阻挡部分；以及

在所述短路区域中的所述公共线和所述公共电极之间的多个短路部分，

其中所述多个短路部分的每个包括在所述公共线上的突起部分，以及

所述突起部分的至少一部分包括暗区域。

27.如权利要求26所述的液晶显示设备，其中所述突起部分具有正方形形状、矩形形状、圆形形状和椭圆形形状中的一种。

28.如权利要求26所述的液晶显示设备，其中所述突起部分的每侧具有大于或等于20微米的长度。

29.如权利要求26所述的液晶显示设备，其中所述突起部分的相邻突起部分之间的长度为至少10微米。

30.如权利要求26所述的液晶显示设备，还包括在所述突起部分和所述公共线上的短路电极，

其中所述多个短路部分的各自短路电极彼此连接。

31.如权利要求26所述的液晶显示设备，还包括在所述突起部分和所述公共线上的短路电极，

其中所述多个短路部分的各自突起部分被设置在所述公共线的不同部分上。