CN102043297A - 显示基板及其制造方法和具有该显示基板的显示设备 - Google Patents

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Abstract

本发明公开显示基板及其制造方法和具有该显示基板的显示设备。显示基板包括像素电极、有机层和短接焊盘结构。像素电极布置在底基板的显示区域处，并且，像素电极与连接至栅极线和数据线的晶体管电连接。有机层布置在底基板处，有机层布置在晶体管和像素电极之间。短接焊盘结构布置在显示区域的外围区域，短接焊盘结构包括处于较低高度的第一焊盘电极、处于较高高度的第二焊盘电极、以及介于第一和第二焊盘电极之间的第一高度补偿堆叠图案。接触孔限定为穿过有机层，使得第二焊盘电极可通过接触孔与第一焊盘电极电连接。

Description

显示基板及其制造方法和具有该显示基板的显示设备
技术领域
本发明公开内容的实例实施方式涉及显示基板、制造该显示基板的方法和具有该显示基板的显示设备。更具体地，实例实施方式涉及增强可靠性的显示基板、制造该显示基板的方法和具有该显示基板的显示设备。 
背景技术
通常，液晶显示(LCD)设备具有LCD面板和向LCD面板提供光的背光组件。LCD面板包括阵列基板、与阵列基板相对的滤色片基板以及介于阵列基板与滤色片基板之间的液晶层。栅极线、数据线、薄膜晶体管(TFT)和像素电极典型地布置在阵列基板上。与像素电极相对的公共电极则典型地布置在滤色片基板上。 
阵列基板接收从外部设备提供的电信号，并利用这些电信号驱动设置在阵列基板上的相应的栅极线、数据线、TFT和像素电极。 
通常，部分电信号通过设置在阵列基板上的连接而传输至公共电极。例如，阵列基板可包括一个或多个接收待施加至公共电极的公共电压的焊盘，并且，阵列基板可包括一个或多个被构造为向滤色片基板的公共电极施加所提供的公共电压的短路突起或焊盘。短路突起/焊盘和滤色片基板的公共电极彼此短接，从而将公共电压施加至滤色片基板的公共电极。 
发明内容
根据本公开的一个方面，显示基板包括像素电极、有机层和基本平面化的短接焊盘结构。像素电极设置在底基板的显示区域中并与连接至栅极线和数据线的晶体管电连接。有机层设置在底基板上并设置在晶体管和像素电极之间。短接焊盘结构设置在显示区域的外围区域中，并包括第一焊盘电极(其包括金属层)、第一高度补偿图案(其设置在焊盘孔区域中的焊盘电极上)，其中，焊盘孔形成为穿过有机层。短接焊盘结构进一步包括通过接触孔与第一焊盘电极电连接的第二焊盘电极，其中接触孔形成于由第一补偿图案暴露的区域处。第二焊盘电极在平面化的补偿图案的高度的顶部上方延伸，以便设置在叠置的公共电极下方的预定距离处。 
根据本公开的另一方面，制造显示基板的方法包括：在底基板的显示区域中形成晶体管，并在围绕显示区域的外围区域中形成短接焊盘结构的第一焊盘电极。在第一焊盘电极上形成第一补偿图案。在形成有晶体管的底基板上形成有机层。该有机层具有穿过有机层而形成的焊盘孔，与第一焊盘电极相应。像素电极形成于有机层上并与晶体管连接，并且，第二焊盘电极形成于第一补偿图案上并通过接触孔与第一焊盘电极连接。接触孔形成于由第一补偿图案暴露的区域处。 
根据本公开的另一方面，显示设备包括显示基板、相对基板和导电密封剂。显示基板包括：设置在底基板上且设置在形成于底基板上的晶体管与像素电极之间的有机层；短接焊盘结构，该短接焊盘结构包括第一焊盘电极(其包括金属层)，设置在焊盘孔中焊盘电极上的第一高度补偿图案(焊盘孔形成为穿过有机层)，以及通过接触孔与第一焊盘电极电连接的第二焊盘电极，其中接触孔形成于由第一补偿图案暴露的区域处。相对基板面向显示基板并包括公 共电极。导电密封剂包括将短接焊盘结构与公共电极电连接的导电球，并且导电密封剂将显示基板与相对基板组合在一起。 
根据本公开，通过在短接焊盘结构的顶部电极的下方包括高度补偿图案来改进短接焊盘结构的平面化，从而防止显示基板的短接焊盘和相对基板的公共电极之间的开路故障。因此，可增强显示设备的可靠性。 
附图说明
通过参照附图详细描述本公开的实例实施方式，本公开的以上和其它的特征与优点将变得更显而易见，附图中： 
图1是示出了根据一个实例实施方式的显示设备的平面图； 
图2是图1的短接焊盘结构的放大平面图； 
图3是图1的显示设备的横截面图； 
图4A至图4E是用于说明图3显示基板的制造过程的流程图； 
图5是根据另一实例实施方式的显示设备的横截面图； 
图6是根据又一实例实施方式的显示设备的横截面图； 
图7A至图7C是用于说明图6显示基板的制造过程的流程图； 
图8是根据又一实例实施方式的显示设备的横截面图； 
图9A至图9C是用于说明图8显示基板的制造过程的流程图； 
图10是根据又一实例实施方式的显示设备的横截面图； 
图11A至图11C是用于说明图10显示基板的制造过程的流程图； 
图12是根据又一实例实施方式的短接焊盘结构的放大平面图；以及 
图13是根据又一实例实施方式的短接焊盘结构的放大平面图。 
具体实施方式
下文中将参照附图更充分地描述根据本公开的实施方式。然而，本教导可体现为许多不同的形式，并且不应被解释为限于这里阐述的实例实施方式。相反，提供这些实例实施方式，使得本公开将是充分和完全的，并将本教导的范围完全传达给本领域的技术人员。在附图中，为了清楚起见，可放大层和区域的尺寸和相对尺寸。 
应理解的是，当元件或层被称为在另一元件或层“之上”、与另一元件或层“连接”或“接合”时，其可直接位于其它元件或层之上或与其直接连接或接合，或者，可以存在插入元件或层。相反，当元件被称为“直接”位于另一元件或层之上、与另一元件或层“直接连接”或“直接接合”时，则不存在插入元件或层。在全文中，相似的标号表示相似的元件。如这里使用的，术语“和/或”包括一个或多个相关列出项的任何组合和所有组合。 
应理解的是，虽然在这里可用术语第一、第二、第三等来描述各元件、部件、区域、层和/或截面，但是，这些元件、部件、区域、层和/或截面不应被这些术语限制。这些术语仅用来将一个元件、部件、区域、层或截面与另一区域、层或截面区分开。因此，在不背离本公开的教导的前提下，下面讨论的第一元件、部件、区域、层或截面可称为第二元件、部件、区域、层或截面。 
为了便于描述，空间关系术语(例如“在…之下”、“在…下方”、“下”、“在…上方”、“上”等)在这里可用来描述一个元件或特征与图中所示的另一元件或特征的关系。应理解的是，这些空间关系术语旨在包括设备在使用或操作中的除了图中描述的方向以外的不同方向。例如，如果反转图中的设备，那么，被描述为在其它元件或特征“下方”或“之下”的元件将被定向为在其它元件或特征的“上方”。因此，示意性术语“在…下方”可包括上方和下方两个方向。也可以其它方式定向该设备(旋转90度或处于其它方向)，并相应地解释这里使用的空间关系描述语。 
这里使用的术语仅为了描述特定的实例实施方式的目的，而不是为了限制本教导。如这里使用的，单数形式“一个、一(a、an)”和“该(the)”旨在也包括复数形式，除非上下文明确表明不是这样。将进一步理解，术语“包括”和/或“包含”，当用在本说明书中时，表示存在所提到的特征、整体、步骤、操作、元件和/或部件，但是不排除存在或另外有一个或多个其它的特征、整体、步骤、操作、元件、部件和/或由它们组成的组。 
这里，参照剖视图描述实例实施方式，所述剖视图是理想化实例实施方式(和中间结构)的示意图。这样，预计会有例如由制造技术和/或偏差导致的示图形状的变化。因此，本发明的实例实施方式不应被解释为限于这里所示的区域的特定形状，而应包括例如由制造导致的形状变化。例如，被示出为矩形的注入区域将典型地具有圆形或弯曲特征，和/或在其边缘处具有注入浓度的梯度，而不是从注入区域向非注入区域的二元变化。类似地，由注入形成的掩埋区域可能在掩埋区域和进行注入的表面之间的区域中导致一些注入。因此，图中所示的区域本质上是示意性的，并且，其形状并非旨在示出设备的区域的实际形状，并且，并非旨在限制本公开的范围。 
除非另外定义，否则，这里使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)都具有与本发明所属领域中的一个普通技术人员通常能够理解的相同的意义。将进一步理解，诸如那些在通常使用的字典中定义的术语，应解释为具有与相关领域的背景中的意义一致的意义，并且，将不应被解释为理想化的或过度正式的含义，除非这里是这样清楚地定义的。 
图1是示出了根据本公开的第一实例实施方式的显示设备500的平面图。 
参照图1，显示设备500包括显示基板100(也被称作TFT阵列基板)、叠置于第一所述基板上的相对基板200(也被称作公共电极基板)、以及导电密封剂400，导电密封剂对上下基板之间的空间形成基本闭合的边界，从而有助于容纳介于上下基板之间的液晶材料。 
显示基板100包括显示区域DA和围绕显示区域DA的多个外围区域PA1、PA2、PA3和PA4。 
显示区域DA包括多条在第一方向上延伸的栅极线GL、多条在第二方向上延伸以与栅极线GL交叉的数据线DL、以及多个像素单元P，每个像素单元与一对交叉的栅极线GL和数据线DL电连接。像素单元P(仅示出一个)包括与相应的栅极线GL和数据线DL连接的晶体管TR、限定液晶电容CLC的一个板的像素电极，其中，该像素电极与晶体管TR电连接。该像素电极也可限定存储电容CST的一个板。对电荷存储电容CST的相对的板或电极施加存储公共电压Vst。 
第一外围区域PA1与每条数据线DL的第一端(图1中的上端)相邻。第一外围区域PA1具有形成于其中的多个数据焊盘部111、 113和115(包括接收数据信号的焊盘)以及多个扇出部(fan outportion)112、114和116，扇出部与显示区域DA的相距更大空间的数据线DL连接并由此将DL与数据焊盘部111、113和115中的相应一个连接。 
第二外围区域PA2与第一外围区域PA1相对地设置在下基板上。换句话说，在图1中，其是下外围区域。 
第三外围区域PA3与栅极线GL的相应的第一端(在图1中是左端)相邻。第一栅极驱动电路131与所有或部分的栅极线GL的第一端电连接，以产生施加至栅极线GL的栅极信号。作为选择，第一栅极驱动电路131可设置在第三外围区域PA3中。另外，替代地，其上设置有栅极驱动芯片的多个栅极线焊盘可以设置在第三外围区域PA3中，以接收第一驱动芯片131和/或可选的第二驱动芯片133所产生的栅极信号。 
第四外围区域PA4与第三外围区域PA3相对地设置。可选的第二栅极驱动电路133可设置在第四外围区域PA4中，并与所有或部分的栅极线GL的第二端电连接，并可产生施加至相应的栅极线GL的栅极信号。替代地，其上形成有第二栅极驱动芯片的栅极焊盘可设置在第四外围区域PA4中。 
多个与密封剂接触(to-the-sealant)的短接焊盘结构151、152、153、154和155设置在第一、第二、第三和第四外围区域PA1、PA2、PA3和PA4的一个或多个中。更具体地，短接焊盘结构151、152、153、154和155可设置在第一、第二、第三和第四外围区域PA1、PA2、PA3和PA4的与相对基板200和密封剂400重叠的区域中。短接焊盘结构151、152、153、154和155通过密封剂400与相对基板200电连接。例如，短接焊盘结构151、152、153、154和155可仅设置在第一外围区域PA1和第二外围区域PA2中，如图1所示。 
相对基板200面向显示基板100。利用导电密封剂400将显示基板100和相对基板200彼此组合在一起，并且液晶材料层(未示出)设置在显示基板100和相对基板200之间，并利用导电密封剂400密封到该空间中。 
导电密封剂400设置在穿过第一、第二、第三和第四外围区域PA1、PA2、PA3和PA4而假设绘制的密封线上，以将显示基板100与相对基板200组合在一起。 
导电密封剂400包括导电球(CB)，并被设置为覆盖设置于第一、第二、第三和第四外围区域PA1、PA2、PA3和PA4中的短接焊盘结构151、152、153、154和155。短接焊盘结构151、152、153、154和155通过导电球CB与相对基板200的公共电极电连接(见图3)。相对基板200的公共电极是液晶电容CLC的电极，并通过导电球CB接收施加至短接焊盘结构151、152、153、154和155的公共电压Vcom。 
图2是示出了图1的在密封剂400下方的几个短接焊盘结构的放大平面图。图3是图1显示设备的横截面图。 
参照图1、图2和图3以及如上所述，显示设备500包括显示基板100、相对基板200和导电密封剂400。 
如图3所示，显示基板100包括透明的第一底基板101、薄膜晶体管TR、栅绝缘层102、晶体管保护层103、遮光部120、滤色片140、有机层160、像素电极PE、柱状间隔件171和短接焊盘结构151。 
晶体管TR包括与相邻的栅极线GL电连接的栅电极GE、设置在栅电极GE上的半导体沟道图案CH、设置在沟道图案CH上 并与相邻的数据线DA连接的源电极SE、以及设置在沟道图案CH上并与源电极SE隔开且与像素电极PE电连接的漏电极DE。 
栅绝缘层102设置在栅电极GE和沟道图案CH之间。保护层103设置在第一底基板101上，以覆盖源电极SE和漏电极DE。 
在保护层103上设置有晶体管TR的区域中设置遮光部120，以阻挡光。另外，遮光部120可设置在与设置有栅极线和数据线的区域相对应的区域中，从而也阻挡光从这些区域泄漏。 
滤色片140设置在第一底基板101上限定的像素区域中，以产生彩色光(例如，红色、绿色或蓝色)。 
有机层160设置在其上设置有滤色片140的第一底基板101上。有机层160设置在遮光部120和滤色片140上，以使显示基板100平面化，并且还密封在滤色片140的着色剂中。 
像素电极PE设置在有机层160上的像素区域中，并与晶体管TR电连接。 
柱状间隔件171保持显示基板100和相对基板200之间的距离。柱状间隔件171包括透明的有机材料。 
短接焊盘结构151包括第一焊盘电极150a、间隔补偿堆叠图案140a、接触孔150c和第二焊盘电极150b。 
第一焊盘电极150a包括金属层，该金属层基本上由与栅极线GL或栅电极GE的金属层相同的金属层形成。替代地，第一焊盘电极150a可包括与数据线DL或源电极SE的金属层基本相同的金属层。在本实例实施方式中，对包括与栅极线GL的金属层基本相同的金属层的第一焊盘电极150a进行说明。 
设置在第一焊盘电极150a上的多个补偿堆叠图案140a彼此隔开，使得每个补偿堆叠图案可以是岛形(见图2)。补偿堆叠图案140a包括与滤色片140的彩色光致抗蚀剂材料基本相同的彩色光致抗蚀剂材料。例如，补偿堆叠图案140a可设置在焊盘孔区域160h中，该通孔形成为穿过有机层160并穿过栅绝缘层102，其中，栅绝缘层102设置在第一焊盘电极150a上。 
接触孔150c形成在补偿堆叠图案140a被隔开的区域中，使得可通过接触孔150c接近第一焊盘电极150a。例如，在未形成补偿堆叠图案140a的区域中形成接触孔150c，因此，接触孔150c允许第二焊盘电极150b穿过孔150c向下延伸，并由此与第一焊盘电极150a连接。例如，接触孔150c的宽度可以基本上等于或小于包括在导电密封剂400中的一个导电球CB的尺寸。 
第二焊盘电极150b包括导电材料，并设置在有机层160上，也设置在被图案化以限定补偿堆叠图案140a的滤色片材料(140)上。例如，第二焊盘电极150b包括与像素电极PE的导电材料基本相同的透明导电材料。第二焊盘电极150b通过在补偿堆叠图案140a被隔开的区域中形成的接触孔150c与第一焊盘电极150a接触。 
相对基板200包括透明的第二底基板201和透明的公共电极210。第二底基板201包括透明的绝缘基板。公共电极210设置在第二底基板201上。 
将包括导电球CB的导电密封剂400构造为用作用于设置于第一基板和第二基板之间的空间中的液晶材料的密封剂。导电密封剂400设置在密封线上，以将显示基板100与相对基板200组合在一起。另外，包括在导电密封剂400中的导电球CB用来将短接焊盘结构151的第二焊盘电极150b与公共电极210电连接。 
利用补偿堆叠图案140a的材料(滤色片材料)的柔性或弹性可以补偿短接焊盘结构151的第二焊盘电极150b和覆于相对基板200上的公共电极210之间的稍微可变的距离，从而确保良好的接触。因此，可防止导电球CB和短接焊盘结构151之间的开路故障以及导电球CB和公共电极210之间的开路故障。 
图4A至图4E是用于说明图3显示基板的制造过程的流程图。 
参照图3和图4A，在第一底基板101上形成第一金属层，并且，第一金属层被图案化以在第一底基板101上形成第一金属图案。第一金属图案包括栅极线GL、晶体管TR的栅电极GE和短接焊盘结构151的第一焊盘电极151a等。在一个实施方式中，第一焊盘电极151a的一侧的长度在平面图中是几毫米。虽然未在图中示出，但是第一焊盘电极151a与传输公共电压Vcom的电压线电连接，从而对第一焊盘电极151a施加公共电压Vcom。 
接下来，在第一金属图案形成于其上的第一底基板101上形成栅绝缘层102，以覆盖第一金属图案。栅绝缘层102可包括无机绝缘材料，例如，氮化硅(SiNx)、氧化硅(SiOx)或氮氧化硅(SiOxNy)。 
参照图3和图4B，在绝缘层102上顺序形成半导体沟道层和第二金属层。对沟道层和第二金属层同时进行图案化，以形成第二金属图案，从而第二金属图案可包括具有沟道层和第二金属层的叠层结构。替代地，可利用互不相同的掩模和光刻步骤对沟道层和第二金属层图案化。 
根据本实例实施方式，第二金属图案包括数据线DL、源电极SE和漏电极DE。将沟道图案CH的未由源电极SE和漏电极DE覆盖的部分定义为晶体管TR的沟道区。 
在第二金属图案上形成保护层103以覆盖第二金属图案。保护层103可包括无机绝缘材料，例如，氮化硅(SiNx)和/或氧化硅(SiOx)。 
参照图3和图4C，在保护层103上形成遮光材料层，并且，使遮光材料层图案化以形成相应的遮光图案。遮光图案包括形成于显示区域DA中的遮光部120。可相应于形成了晶体管TR、栅极线GL和数据线DL的区域形成遮光部120。遮光部120可形成有暴露晶体管TR的漏电极DE上的保护层103的第一孔120c。相应于第一孔120c形成穿过保护层103的接触孔，以允许像素电极PE在以下过程中与漏电极DE接触。 
接下来，在遮光部120附近或之上形成彩色光致抗蚀剂层，在该位置处，使彩色光致抗蚀剂层图案化以形成彩照图案。该彩照图案包括形成于像素区域中的滤色片图案140、以及形成于接触焊盘结构151的区域中的补偿堆叠图案140a的图案化材料。 
利用相同的彩色光致抗蚀剂层形成的滤色片140和补偿堆叠图案140a的厚度可以彼此不同。补偿堆叠图案140a形成为具有相对大的厚度t，从而补偿堆叠图案140a的顶部可以具有与在以下过程中形成的有机层160的阶梯部基本相同的高度。补偿堆叠图案140a以岛形彼此隔开，并形成在形成有第一焊盘电极150a的区域上。补偿堆叠图案140a之间的分隔部140h使保护层103暴露，以穿过分隔部进行蚀刻。补偿堆叠图案140a的阶梯部的高度与围绕短接焊盘结构151的有机层160的阶梯部的高度基本相同，从而，占据短接焊盘结构151的大部分区域的阶梯部可以与周围的有机层160的阶梯部基本共面。 
参照图3和图4D，沉积有机材料以形成有机平面化层160。有机材料沉积在第一底基板101上，包括在将要形成彩照图案的区域 中。形成穿过位于漏电极DE上方的有机层160的第二孔区域140h，并且，相应于形成有第一焊盘电极150a的区域形成穿过有机层160的焊盘孔区域160h。在焊盘孔区域160h中设置补偿堆叠图案140a的图案化滤色片材料。如图所示，可将焊盘孔区域160h形成为将焊盘孔区域160h的侧壁与补偿堆叠图案140a隔开。虽然未在图中示出，但是焊盘孔区域160h的侧壁可与补偿堆叠图案140a的侧壁接触。例如，由补偿堆叠图案140a限定的分隔部140h的水平宽度W大约是10μm。 
接下来参照图3和图4E，在由穿过有机层160和穿过补偿堆叠图案140a形成的孔所暴露的区域中的保护层103和栅绝缘层102被蚀刻。例如，蚀刻与第二孔160c(参见图7B)相应的保护层103，以暴露漏电极DE，并且，蚀刻与分隔部140h相应的保护层103和栅绝缘层102，以暴露第一焊盘电极150a。 
在第一底基板101上形成透明导电层(例如，ITO、IZO等)，漏电极DE和第一焊盘电极150a通过第一底基板暴露，并且形成透明导电图案。当被图案化时，透明导电图案形成像素电极PE和第二焊盘电极150b。第二焊盘电极150b通过接触孔150c与第一焊盘电极150a接触。接触孔150c的宽度大约是10μm，与分隔部140h的宽度相对应。 
接下来，在其上形成有透明导电图案的第一底基板101上形成柱状间隔件层，并且，使柱状间隔件层图案化，以在显示区域DA中形成柱状间隔件171。柱状间隔件层可包括透明材料或不透明材料。例如，相应于形成有晶体管TR的区域形成柱状间隔件171。 
有机层160和补偿堆叠图案140a提供第二焊盘电极150b的变平的和升高的高度部，使得除了分隔部140h以外的区域平面化。因此，短接焊盘结构151的平面化的平面图尺寸是几毫米，而接触 孔150c的宽度大约是10μm，使得大部分导电球CB分布在补偿堆叠图案140的升高和平面化的区域上，由此防止导电球CB和之上的第二基板200之间的开路故障。短接焊盘结构151的第二焊盘电极150b和相对基板200的公共电极210可通过包括导电球CB的导电密封剂400而电短路。 
在下文中，相同的附图标记将用来表示与本实例实施方式中描述的那些部件相同或相似的部件，因此，将省略任何涉及上述元件的重复说明，或者仅简要描述。 
图5是根据另一实例实施方式的显示设备的横截面图。 
参照图1和图5，显示设备500A包括显示基板100A、相对基板200和导电密封剂400。 
显示基板100A包括第一底基板101、晶体管TR、栅绝缘层102、保护层103、遮光部120、滤色片140、有机层160、像素电极PE、柱状间隔件173和短接焊盘结构151A。 
同样，柱状间隔件173的材料有助于保持显示基板100A和相对基板200之间的均匀距离。柱状间隔件173可由透明的绝缘材料或不透明的绝缘材料构成。例如，柱状间隔件173可设置在其上设置有晶体管TR的区域中。 
在图5的实施方式中，短接焊盘结构151A包括第一焊盘电极150a、第一补偿堆叠图案140a、接触孔150c、第二焊盘电极150b和第二补偿堆叠图案173a，其中，第二补偿堆叠图案173a可由柱状间隔件173中所使用的相同材料构成。 
第一焊盘电极150a包括金属层。第一焊盘电极150a包括与栅极线GL基本相同的金属层。替代地，第一焊盘电极150a可包括与数据线DL基本相同的金属层。 
设置于第一焊盘电极150a上的第一补偿堆叠图案140a以岛形彼此隔开。第一补偿堆叠图案140a包括包含色彩的光致抗蚀剂材料，其与滤色片140中使用的材料基本相同。例如，第一补偿堆叠图案140a可设置在焊盘孔区域160h中，该焊盘孔形成为穿过设置于第一焊盘电极150a上的有机层160。 
接触孔150c形成于第一补偿堆叠图案140a的分隔区域中。例如，接触孔150c形成于由第一补偿堆叠图案140a暴露的区域中，以允许第一焊盘电极150a连接至第二焊盘电极150b。 
第二焊盘电极150b包括导电材料，并设置于有机层160上和补偿堆叠图案140a上。例如，第二焊盘电极150b包括与像素电极PE基本相同的透明导电材料。第二焊盘电极150b通过形成于第一补偿堆叠图案140a的分隔区域中的接触孔150c而与第一焊盘电极150a接触。 
由与柱状间隔件173的材料相同的材料构成的第二补偿堆叠图案173a用来填充接触孔150c的空间，并由此有助于使短接焊盘结构151变平。防止导电球CB下陷到所填充的接触孔150c中。因此，防止导电球CB的开路故障。短接焊盘结构151的第二焊盘电极150b和相对基板200的公共电极210可通过包括导电球CB的导电密封剂400而电短路。 
如所提到的，第二补偿堆叠图案173a包括与柱状间隔件173所使用的材料基本相同的材料。例如，当柱状间隔件173包括不透明的材料时，第二补偿堆叠图案173a可阻挡由第一焊盘电极150a 反射的光。因此，通过对柱状间隔件173和补偿堆叠图案173a使用光吸收材料，可防止可能在显示设备500A的外围区域中产生的眩光(glare)。 
制造根据本实例实施方式的显示基板100A的方法与之前的图4A至图4E的实例实施方式基本相同。然而，在图4E中，当在其中形成有透明导电图案的第一底基板101上形成柱状间隔件材料时，使沉积的柱状间隔件材料图案化，从而不仅形成柱状间隔件173，而且还形成第二补偿堆叠图案173a。在显示区域DA中形成柱状间隔件173，并在接触孔区域150c中形成第二补偿堆叠图案173a，由此填充短接焊盘结构151A的接触孔150c并使短接焊盘结构更平。 
图6是根据又一实例实施方式的显示设备的横截面图。 
参照图1、图3和图6，显示设备500B包括显示基板100B、相对基板200和导电密封剂400。 
显示基板100B包括第一底基板101、晶体管TR、栅绝缘层102、保护层103、遮光部120、滤色片140、有机层160、像素电极PE、柱状间隔件171和短接焊盘结构151B。 
短接焊盘结构151B包括第一焊盘电极150a、补偿堆叠图案120a、接触孔150c和第二焊盘电极150b。 
第一焊盘电极150a包括金属层。第一焊盘电极150a包括与栅极线GL基本相同的金属层。替代地，第一焊盘电极150a可包括与数据线DL基本相同的金属层。 
设置于第一焊盘电极150a上的补偿堆叠图案120a以岛形彼此隔开。补偿堆叠图案120a包括与遮光部120所使用的材料基本相 同的材料。补偿堆叠图案120a可设置在焊盘孔区域160h中，该焊盘孔形成为穿过形成于第一焊盘电极140a上的有机层160。 
接触孔150c形成于补偿堆叠图案120a的分隔区域中。接触孔150c形成于由补偿堆叠图案120a暴露的第一焊盘电极150a中。 
第二焊盘电极150b包括导电材料，并设置于有机层160上和补偿堆叠图案材料120a上。例如，第二焊盘电极150b包括与像素电极PE基本相同的透明导电材料。第二焊盘电极150b通过形成于补偿堆叠图案120a的分隔区域中的接触孔150c而与第一焊盘电极150a接触。 
因此，短接焊盘结构151的平面图尺寸可以是几毫米，而接触孔150c的宽度大约是10μm，从而大部分导电球CB分布在补偿堆叠图案120a的基本平面化的顶面区域上，由此防止导电球CB的开路故障。短接焊盘结构151B的第二焊盘电极150b和相对基板200的公共电极210可通过导电密封剂400的导电球CB而电短路。 
另外，与之前的参照图5的实例实施方式一样，在图5的实施方式中，利用与柱状间隔件173基本相同的材料填充接触孔150c的第二补偿堆叠图案173a可以被形成，以去除接触孔150c的阶梯部。 
图7A至图7C是用于说明图6显示基板的制造过程的流程图。 
参照图3、图6和图7A至图7C，公开了制造图6的结构的方法。在图7A中，在第一底基板101上形成第一金属图案、栅绝缘层102、第二金属图案和保护层103。第一金属图案包括栅极线GL、晶体管TR的栅电极GE和短接焊盘结构151(B)的第一焊盘电极151a。在其上形成有第一金属图案的第一底基板101上形成栅绝缘 层102，以覆盖第一金属图案。栅绝缘层102可包括无机绝缘材料，例如，氮化硅(SiNx)或氧化硅(SiOx)。 
通过使沟道层和第二金属层同时图案化来形成第二金属图案。第二金属图案包括数据线DL、晶体管TR的源电极SE和晶体管TR的漏电极DE。将未被源电极SE和漏电极DE覆盖的沟道图案CH定义为晶体管TR的沟道区。在其上形成有第二金属图案的第一底基板101上形成保护层103，以覆盖第二金属图案。保护层103可包括无机绝缘材料，例如，氮化硅(SiNx)和/或氧化硅(SiOx)。 
参照图3、图6和图7B，在其上形成有保护层103的第一底基板101上形成彩色光致抗蚀剂层，并且，使该彩色光致抗蚀剂层图案化，以形成彩照图案。该彩照图案包括形成于像素区域中的滤色片140。 
在其上形成有滤色片140的第一底基板101上形成遮光材料层，并且，使遮光材料层图案化，以形成期望的遮光图案。该遮光图案包括形成于显示区域DA中的遮光部120和形成于第一焊盘电极151a上的补偿图案120a。 
可相应于形成有晶体管TR、栅极线GL和数据线DL的区域形成遮光部120。可在第一孔120c上形成遮光部120，该第一孔露出晶体管TR的漏电极DE上的保护层103。第一孔120c可用作使像素电极PE在以下过程中与漏电极DE接触的接触孔。 
将补偿图案120a形成为具有厚度t，从而补偿图案120a的阶梯部分可以具有与在以下过程中形成的有机层160的阶梯部基本相同的高度。补偿图案120a以岛形彼此隔开，并形成于其中形成有第一焊盘电极150a的区域上。补偿图案120a之间的分隔部140h暴露保护层103。补偿图案120a的阶梯部具有与有机层160的阶梯 部基本相同的高度，由此使短接焊盘结构151(B)的大部分区域基本上变平。 
在其上形成有遮光图案的第一底基板101上形成有机层160。第二孔160c形成为穿过漏电极DE上方的有机层160，并且，相应于形成有第一焊盘电极150a的区域形成穿过有机层160的焊盘孔区域160h。补偿图案120a设置在焊盘孔区域160h中。如图所示，焊盘孔区域160h可形成为将限定焊盘孔区域160h的有机层160的侧壁与补偿图案120a隔开。虽然未在图中示出，但是限定焊盘孔区域160h的有机层160的侧壁可与补偿图案120a的侧壁接触。例如，由补偿图案140a限定的分隔部140h的宽度W大约是10μm。 
参照图3、图6和图7C，通过蚀刻其上形成有包括第二孔160c和焊盘孔区域160h的有机层160的第一底基板101，蚀刻保护层103和栅绝缘层102。 
蚀刻与第二孔160c相对应的保护层103，以暴露漏电极，并且，蚀刻与不形成补偿图案120a的区域相对应的保护层103和栅绝缘层102，以暴露第一焊盘电极150a。 
在漏电极DE和第一焊盘电极150a被暴露的第一底基板101上形成透明导电层，并且形成透明导电图案。该透明导电图案包括像素电极PE和第二焊盘电极150b。第二焊盘电极150b通过所形成的接触孔150c与第一焊盘电极150a接触。 
在其上形成有透明导电图案的第一底基板101上形成柱状间隔件层，并且，使柱状间隔件层图案化，以在显示区域DA中形成柱状间隔件171。柱状间隔件层可包括透明的材料或不透明的材料。例如，相应于形成有晶体管TR的区域形成柱状间隔件171。 
使短接焊盘区域中的有机层160和补偿图案120a(除了接触孔150c以外)基本变平。因此，短接焊盘结构151的平面图尺寸(例如，顶部与边缘侧)可以是几毫米，而接触孔150c的宽度大约是10μm，从而大部分导电球CB分布在补偿图案120a的平面化的区域上，以防止导电球CB的开路故障。短接焊盘结构151的第二焊盘电极150b和相对基板200的公共电极210可通过包括导电球CB的导电密封剂400而电短路。 
图8是根据又一实例实施方式的显示设备的横截面图。 
参照图1、图3和图8，显示设备500C包括显示基板100C、相对基板200和导电密封剂400。这里，如可看到的，高度补偿阶梯包括层120a和140a。 
显示基板100C包括第一底基板101、晶体管TR、栅绝缘层102、保护层103、遮光部120、滤色片140、有机层160、像素电极PE、柱状间隔件171和短接焊盘结构151D。 
短接焊盘结构151D包括第一焊盘电极150a、补偿图案CP、接触孔150c和第二焊盘电极150b。 
第一焊盘电极150a包括金属层。第一焊盘电极150a包括与栅极线GL基本相同的金属层。替代地，第一焊盘电极150a包括与数据线DL基本相同的金属层。 
设置于第一焊盘电极150a上的补偿图案CP以岛形隔开。补偿图案CP包括具有与滤色片140基本相同的材料的色彩层140a和具有与遮光部120基本相同的材料的遮光层120a。因此，形成了具有遮光层120a的材料和色彩层140a的材料的叠层结构，其中，可根据制造过程改变堆叠顺序。补偿堆叠图案CP(120a/140a)可设置 在焊盘孔区域160h中，该焊盘孔形成为穿过设置于第一焊盘电极150a上的有机层160。 
补偿堆叠图案CP具有厚度补偿升高部分，其设置在焊盘孔区域160h中并大致升至周围的有机层160的高度。例如，焊盘孔区域160h中的补偿图案CP的厚度与焊盘孔区域160h周围的有机层160的厚度基本相同。 
在相邻的补偿图案CP被隔开的区域中形成接触孔150c。例如，在第一焊盘电极150a上未形成补偿图案CP的区域中形成接触孔150c。 
第二焊盘电极150b包括导电材料，并设置在有机层160上和CP阶梯(120a/140a)上。例如，第二焊盘电极150b包括与像素电极PE基本相同的透明导电材料。第二焊盘电极150b通过在未设置补偿图案CP的区域中形成的接触孔150c与第一焊盘电极150a接触。 
因此，短接焊盘结构151D的平面图尺寸是几毫米，而接触孔150c的宽度大约是10μm，从而大部分导电球CB分布在补偿图案CP的平面化的区域上，以防止导电球CB的开路故障。短接焊盘结构151的第二焊盘电极150b和相对基板200的公共电极210通过导电密封剂400的导电球CB而电短路。 
另外，与之前的参照图5的实例实施方式一样，对于图8的实施方式，第二补偿图案173a可用于利用与不透明的柱状间隔件173基本相同的材料填充接触孔150c，这可使接触孔150c的区域进一步变平。 
图9A至图9C是用于说明图8显示基板的制造过程的流程图。 
参照图3、图8和图9A，在第一底基板101上形成第一金属图案、栅绝缘层102、第二金属图案和保护层103。第一金属图案包括栅极线GL、晶体管TR的栅电极GE和短接焊盘结构151的第一焊盘电极151a。在其上形成有第一金属图案的第一底基板101上形成栅绝缘层102，以覆盖第一金属图案。栅绝缘层102可包括无机绝缘材料，例如，氮化硅(SiNx)和氧化硅(SiOx)。 
通过使沟道层和第二金属层同时图案化，来形成第二金属图案。替代地，可利用彼此不同的掩模使沟道层和第二金属层图案化。第二金属图案包括数据线DL、晶体管TR的源电极SE和晶体管TR的漏电极DE。将未被源电极SE和漏电极DE覆盖的沟道图案CH定义为晶体管TR的沟道区。在其上形成有第二金属图案的第一底基板101上形成保护层103，以覆盖第二金属图案。保护层103可包括无机绝缘材料，例如，氮化硅(SiNx)和/或氧化硅(SiOx)。 
参照图3、图8和图9B，在其上形成有保护层103的第一底基板101上形成遮光材料层，并且，使遮光材料层图案化，以形成遮光图案。遮光图案包括形成于显示区域DA中的遮光部120和形成于第一焊盘电极150a上的遮光层120a。 
在其上形成有遮光图案的第一底基板101上形成彩色光致抗蚀剂层，并且，使彩色光致抗蚀剂层图案化，以形成彩照图案。该彩照图案包括形成于像素区域中的滤色片140和形成于遮光层120a上的色彩层140a。因此，在第一焊盘电极150a上形成具有遮光层120a和色彩层140a的补偿堆叠图案CP(120a/140a)。补偿图案CP形成为具有厚度t，使得补偿图案CP的阶梯部可以具有与以下过程中形成的周围的有机层160的升高部分基本相同的高度。 
通过分隔部120h将补偿堆叠CP以岛形彼此隔开，并且，在形成有第一焊盘电极150a的区域上，补偿堆叠CP形成在保护层 103上。在不形成补偿图案CP的区域中所形成的保护层103被暴露。补偿图案CP的阶梯部具有与有机层160的升高部分基本相同的高度，以使短接焊盘结构151D的大部分区域变平。 
在其上形成有彩照图案的第一底基板101上形成有机层160。在漏电极DE上方形成穿过有机层160的第二孔160c，并且，相应于形成第一焊盘电极150a的区域形成穿过有机层160的焊盘孔区域160h。补偿图案CP设置在焊盘孔区域160h中。如图所示，焊盘孔区域160h可形成为将限定焊盘孔区域160h的有机层160的侧壁与补偿图案CP隔开。虽然未在图中示出，但是限定焊盘孔区域160h的有机层160的侧壁与补偿图案CP的侧壁接触。例如，接触孔150c的宽度W大约是10μm。 
参照图3、图8和图9C，对其上形成有第二孔160c和包括焊盘孔区域160h的有机层160的第一底基板101进行蚀刻，以蚀刻穿过保护层103和栅绝缘层102。 
蚀刻与第二孔160c相应的保护层103，以暴露漏电极DE，并且，对与不形成补偿图案CP的区域相应的保护层103和栅绝缘层102进行蚀刻，以暴露第一焊盘电极150a。 
在通过其暴露漏电极DE和第一焊盘电极150a的第一底基板101上形成透明导电层，并且形成透明导电图案，。该透明导电图案包括像素电极PE和第二焊盘电极150b。第二焊盘电极150b通过接触孔150c与第一焊盘电极150a接触。 
在其上形成有透明导电图案的第一底基板101上形成柱状间隔件层，并且，使柱状间隔件层图案化，以在显示区域DA中形成柱状间隔件171。柱状间隔件层可包括透明材料或不透明材料。例如，相应于形成有晶体管TR的区域形成柱状间隔件171。 
有机层160和补偿堆叠图案CP有助于使第二焊盘电极150b的顶面变平，从而使除了接触孔150c以外的区域变平。因此，短接焊盘结构151的尺寸是几毫米，并且，接触孔150c的宽度W大约是10μm，从而大部分导电球CB分布在补偿图案CP的平面化的区域上，以防止导电球CB的开路缺陷。短接焊盘结构151的第二焊盘电极150b和相对基板200的公共电极210可通过包括导电球CB的导电密封剂400而电短路。 
图10是根据又一实例实施方式的显示设备的横截面图。 
参照图1、图3和图10，显示设备500D包括显示基板100D、相对基板200和导电密封剂400。 
显示基板100D包括第一底基板101、晶体管TR、栅绝缘层102、保护层103、遮光部120、滤色片140、有机层160、像素电极PE、柱状间隔件171和短接焊盘151E。 
第一焊盘电极150a包括金属层。第一焊盘电极150a包括与栅极线GL基本相同的金属层。替代地，第一焊盘电极150a包括与数据线DL基本相同的金属层。 
设置于第一焊盘电极150a上的补偿图案CP以岛形彼此隔开。补偿图案CP包括具有与滤色片140基本相同的彩色光致抗蚀剂的第一色彩层140a和具有与滤色片140不同的彩色光致抗蚀剂的第二色彩层140b。可根据制造工序改变具有第一色彩层140a和第二色彩层140b的叠层结构的顺序。可将补偿堆叠图案CP(140a/140b)设置在焊盘孔区域160h中，该焊盘孔区域形成为穿过设置于第一焊盘电极150a上的有机层160。 
在相邻的补偿图案CP隔开的区域中形成接触孔150c。例如，在第一焊盘电极150a中未形成补偿图案CP的区域中，形成接触孔150c。 
第二焊盘电极150b包括导电材料，并设置在有机层160上。例如，第二焊盘电极150b包括与像素电极PE基本相同的透明导电材料。第二焊盘电极150b通过形成于未设置补偿图案CP的区域中的接触孔150c与第一焊盘电极150a接触。 
因此，短接焊盘结构151的尺寸是几毫米，而接触孔150c的宽度大约是10μm，从而大部分导电球CB分布在补偿图案CP的平面化的区域上，以防止导电球CB的开路缺陷。短接焊盘结构151的第二焊盘电极150b和相对基板200的公共电极210通过导电密封剂400的导电球CB而电短路。 
另外，与之前参照图5的实例实施方式一样，图10的实施方式可具有第二补偿图案173a，该第二补偿图案用与不透明的柱状间隔件173基本相同的材料填充接触孔150c，从而使电极150b的顶面进一步变平，尤其是使接触孔150c的区域周围变平。 
图11A至图11C是用于说明图10的显示基板的制造过程的流程图。 
参照图3、图10和图11A，在第一底基板101上形成第一金属图案、栅绝缘层102、第二金属图案和保护层103。第一金属图案包括栅极线GL、晶体管TR的栅电极GE和短接焊盘结构151的第一焊盘电极151a。在其上形成有第一金属图案的第一底基板101上形成栅绝缘层102，以覆盖第一金属图案。栅绝缘层102可包括无机绝缘材料，例如，氮化硅(SiNx)和氧化硅(SiOx)。 
通过使沟道层和第二金属层同时图案化，来形成第二金属图案。替代地，可利用彼此不同的掩模使沟道层和第二金属层图案化。第二金属图案包括数据线DL、晶体管TR的源电极SE和晶体管TR的漏电极DE。将未被源电极SE和漏电极DE覆盖的沟道图案CH定义为晶体管TR的沟道区。在其上形成有第二金属图案的第一底基板101上形成保护层103，以覆盖第二金属图案。保护层103可包括无机绝缘材料，例如，氮化硅(SiNx)和氧化硅(SiOx)。 
参照图3、图10和图11B，在其上形成有保护层103的第一底基板101上形成遮光和/或光吸收材料层，并且，使遮光材料层图案化，以形成遮光图案。遮光图案包括形成于显示区域DA中的遮光部120。 
在其上形成有遮光图案的第一底基板101上形成第一彩色光致抗蚀剂层，并且，使第一彩色光致抗蚀剂图案化，以形成第一彩照图案。第一彩照图案包括形成于像素区域中的滤色片140和形成于第一焊盘电极上的第一色彩层140a。然后，在其上形成有第一彩照图案的第一底基板101上形成不同的第二彩色光致抗蚀剂层，并且，使第二彩色光致抗蚀剂图案化，以形成第二彩照图案。第二彩照图案包括形成于与滤色片140相邻的像素区域中的滤色片(未在图中示出)和形成于第一色彩层140a上的第二色彩层140b。因此，在第一焊盘电极150a上形成具有第一色彩层140a和第二色彩层140b的补偿堆叠图案CP(140a/140b)。补偿图案CP形成为具有厚度t，从而补偿图案CP的阶梯部可以具有与在以下过程中形成的有机层160的阶梯部基本相同的高度。 
通过分隔部120h将补偿堆叠CP(140a/140b)以岛形彼此隔开，并且，在形成有第一焊盘电极150a的区域上，该补偿堆叠形成于保护层103上。在不形成补偿图案CP的区域中所形成的保护 层103被暴露。补偿图案CP的阶梯部具有与有机层160的阶梯部基本相同的高度，从而使短接焊盘结构151的大部分区域变平。 
在其上形成有第二彩照图案的第一底基板101上形成有机层160。形成穿过漏电极DE上方的有机层160的第二孔160c，并且，相应于形成有第一焊盘电极150a的区域形成穿过有机层160的焊盘孔区域160h。补偿图案CP设置在焊盘孔区域160h中。如图所示，焊盘孔区域160h可形成为将限定焊盘孔区域160h的有机层160的侧壁与补偿图案CP隔开。虽然未在图中示出，但是限定焊盘孔区域160h的有机层160的侧壁与补偿图案CP的侧壁接触。例如，接触孔150c的宽度W大约是10μm。 
参照图3、图10和图11C，对其上形成有第二孔160c和包括焊盘孔区域160h的有机层160的第一底基板101进行蚀刻，以蚀刻保护层103和栅绝缘层102。 
蚀刻与第二孔160c相应的保护层103，以暴露漏电极DE，并且，对与不形成补偿图案CP的区域相对应的保护层103和栅绝缘层102进行蚀刻，以暴露第一焊盘电极150a。 
在通过其暴露漏电极DE和第一焊盘电极150a的第一底基板101上形成透明导电层，并且形成透明导电图案。该透明导电图案包括像素电极PE和第二焊盘电极150b。第二焊盘电极150b通过接触孔150c与第一焊盘电极150a接触。 
在其上形成有透明导电图案的第一底基板101上形成柱状间隔件层，并且，使柱状间隔件层图案化，以在显示区域DA中形成柱状间隔件171。柱状间隔件层可包括透明材料或不透明材料。例如，相应于形成有晶体管TR的区域形成柱状间隔件171。 
有机层160和补偿图案CP去除第二焊盘电极150b的下降部分，从而使除了接触孔150c以外的区域基本变平。因此，短接焊盘结构151的尺寸是几毫米，并且，接触孔150c的宽度W大约是10μm，从而大部分导电球CB分布在补偿图案CP的平面化的区域上，以防止导电球CB的开路缺陷。短接焊盘结构151的第二焊盘电极150b和相对基板200的公共电极210可通过包括导电球CB的导电密封剂400而电短路。 
图12是根据又一实例实施方式的短接焊盘结构的放大平面图。根据本实例实施方式的补偿图案CP的平面结构与之前的根据图1至图4E中的实例实施方式的补偿图案CP的平面结构不同，并且，根据本实例实施方式的补偿图案CP的横截面结构可与之前的根据图1至图11C中的实例实施方式的补偿图案CP的横截面结构基本相同。 
参照图1和图12，显示设备500E包括短接焊盘结构151E。短接焊盘结构151E包括第一焊盘电极150a、补偿图案CP、接触孔150c和第二焊盘电极150b。 
补偿图案CP设置在穿过设置于第一焊盘电极150a上的有机层160而形成的孔区域160h中，以补偿有机层160的阶梯部。通过将形成有第一焊盘电极150a的区域划分为四个四分之一部分，设置四个补偿图案岛CP。在四个补偿图案CP隔开的区域中限定接触孔150c。 
补偿图案CP有助于去除周围的有机层160的下降部分，使得短接焊盘结构151E中除了接触孔150c以外的区域可基本变平。因此，包括在导电密封剂400中的大部分导电球CB分布在补偿图案CP上，以防止开路缺陷。 
根据本实例实施方式的补偿图案CP可由彩色光致抗蚀剂层形成(与之前的根据图1至图4E中的实例实施方式的补偿图案CP类似)，可包括遮光材料层(与之前的根据图6至图7C中的实例实施方式的补偿图案CP类似)，可包括由彩色光致抗蚀剂层形成的色彩层和具有遮光材料层的遮光层(与之前的根据图8至图9C中的实例实施方式的补偿图案CP类似)，或者可包括由彼此不同的彩色光致抗蚀剂层形成的第一色彩层和第二色彩层(与之前的根据图10至图11C中的实例实施方式的补偿图案CP类似)。替代地，本实例实施方式可进一步包括用透明柱状间隔件层或不透明柱状间隔件层填充接触孔150c的第二补偿图案(与之前的根据图5中的实例实施方式的补偿图案CP类似)。 
图13是根据又一实例实施方式的短接焊盘的放大平面图。根据本实例实施方式的补偿图案CP的平面结构与根据之前的图1至图4E中的实例实施方式的补偿图案CP的平面结构不同，并且，根据本实例实施方式的补偿图案CP的横截面结构可与根据之前的图1至图11C中的实例实施方式的补偿图案CP的横截面结构基本相同。 
参照图1和图13，显示设备500F包括短接焊盘结构151F。短接焊盘结构151F包括第一焊盘电极150a、补偿图案CP、接触孔150c和第二焊盘电极150b。 
补偿图案CP设置在穿过设置于第一焊盘电极150a上的有机层160而形成的焊盘孔区域160h中，以补偿有机层160的阶梯部。 
接触孔150c形成于补偿图案CP中，并且，第二焊盘电极150b通过接触孔150c与第一焊盘电极150a接触。 
在短接焊盘结构151F中，补偿图案CP去除有机层160的阶梯部，使得除了接触孔150c以外的区域变平。因此，包括在导电密封剂400中的大部分导电球CB分布在补偿图案CP上，以防止开路缺陷。 
根据本实例实施方式的补偿图案CP可由彩色光致抗蚀剂层形成(与之前的根据图1至图4E中的实例实施方式的补偿图案CP类似)，可包括遮光材料层(与之前的根据图6至图7C中的实例实施方式的补偿图案CP类似)，可包括由彩色光致抗蚀剂层形成的色彩层和具有遮光材料层的遮光层(与之前的根据图8至图9C中的实例实施方式的补偿图案CP类似)，或者可包括由彼此不同的彩色光致抗蚀剂层形成的第一色彩层和第二色彩层(与之前的根据图10至图11C中的实例实施方式的补偿图案CP类似)。替代地，本实例实施方式可进一步包括用透明柱状间隔件层或不透明柱状间隔件层填充接触孔150c的第二补偿图案(与之前的根据图5中的实例实施方式的补偿图案CP类似)。 
根据本公开的各实例实施方式，短接焊盘结构的升高部分形成于显示基板上，以有助于将显示设备的显示基板与显示设备的相对基板电连接，并防止包括在导电密封剂中的导电球的开路缺陷。 
上述内容是说明本教导的，并且不应解释为限制本教导。虽然已经描述了几个实例实施方式，但是相关领域的技术人员从上述内容容易理解，在本质上不背离本公开的新颖教导和优点的前提下，可以对实例实施方式进行各种修改。因此，所有这些修改旨在包括在本教导的范围内。在权利要求书中，装置加功能的条款旨在覆盖这里描述的执行所述功能的结构，不仅是结构等同物，而且是功能上等同的结构。 

Claims (13)

1.一种第一显示基板，与隔开的且叠置的第二基板一起使用，其中，在所述第一显示基板和所述第二基板之间形成一个或多个电接触连接，所述第一显示基板具有设置在相对于所述第一显示基板的底部分的不同高度上的层部分，所述第一显示基板包括：
多个像素电极，设置在所述第一显示基板的显示区域中，每个像素电极与设置在所述第一显示基板上的多个晶体管中的相应一个电连接，每个晶体管与设置在所述第一显示基板上的多条栅极线中的相应一条连接，并与设置在所述第一显示基板上的多条数据线中的相应一条连接；
电绝缘有机层，设置在所述第一显示基板上，所述有机层包括介于各个晶体管和其相应的像素电极之间的部分；以及短接焊盘结构，设置在所述第一显示基板的外围区域中，所述短接焊盘的表面包括：
第一焊盘电极，设置在所述第一显示基板的第一高度部分处；
第一高度补偿结构，设置在所述第一焊盘电极上，所述第一高度补偿结构设置在所述第一显示基板的焊盘孔区域内，其中，所述焊盘孔区域由贯穿所述电绝缘有机层的非显示部分的各自的焊盘孔所限定；以及
第二焊盘电极，设置在所述第一显示基板的第二高度部分处，所述第二高度部分位于所述第一高度部分的上方，其中，所述第一高度补偿结构介于所述第一焊盘电极和所述第二焊盘电极之间，并且其中，所述第二焊盘电极通过接触孔方式与所述第一焊盘电极电连接，所述接触孔限定为穿过所述第一高度补偿结构的接触孔暴露区域。
2.根据权利要求1所述的第一显示基板，进一步包括：
柱状间隔件，由间隔件材料形成并设置在所述第一显示基板的显示区域中；以及
第二高度补偿结构，设置在所述第一高度补偿结构的接触孔暴露区域中，以填充所述接触孔暴露区域，所述第二高度补偿结构由与所述柱状间隔件基本相同的间隔件材料制造。
3.根据权利要求1所述的第一显示基板，进一步包括滤色片材料，所述滤色片材料被设置为在相应的一个像素电极的下方限定各自的滤色片，其中，所述第一高度补偿结构至少包括第一高度限定层，所述第一高度限定层限定所述第一高度补偿结构的高度并由基本上相同的滤色片材料构成。
4.根据权利要求1所述的第一显示基板，进一步包括多种不同的滤色片材料，其被设置为在相应的一个像素电极的下方限定各自的滤色片，其中，所述第一高度补偿结构至少包括第一高度限定层和第二高度限定层，所述第一高度限定层和所述第二高度限定层共同限定所述第一高度补偿结构的高度，其中，所述第一高度限定层由与所述多种不同的滤色片材料中的第一滤色片材料基本上相同的材料组成，并且其中，所述第二高度限定层由与所述多种不同的滤色片材料中的第二滤色片材料基本上相同的材料组成。
5.根据权利要求1所述的第一显示基板，进一步包括设置在所述第一显示基板的设置有栅极线和数据线的区域中的遮光材料，其中，所述第一高度补偿结构包括与所述遮光材料基本相同的材料。
6.根据权利要求1所述的第一显示基板，进一步包括：
一种滤色片材料或多种不同的滤色片材料，被设置为在相应的一个像素电极的下方限定各自的滤色片；以及遮光材料，设置在所述第一显示基板的设置有栅极线和数据线的区域中，
其中，所述第一高度补偿结构至少包括第一高度限定层和第二高度限定层，所述第一高度限定层和所述第二高度限定层共同限定所述第一高度补偿结构的高度，其中，所述第一高度限定层由与所述一种或多种滤色片材料中的一种基本上相同的材料构成，并且其中，所述第二高度限定层由与所述遮光材料基本上相同的材料构成。
7.一种显示装置，包括：
显示基板，所述显示基板包括：
有机层，设置在底基板上并设置在形成于所述底基
板上的晶体管和像素电极之间；
短接焊盘结构，所述短接焊盘结构包括：
第一焊盘电极，包括金属层；
第一高度补偿图案，设置在焊盘孔中的焊盘电极上，所述焊盘孔形成为穿过所述有机层；以及
第二焊盘电极，通过接触孔与所述第一焊盘电极电连接，所述接触孔形成在由所述第一高度补偿图案暴露的区域中；
相对基板，面向所述显示基板并且包括公共电极；以及
导电密封剂，包括导电球，所述导电球将所述短接焊盘结构与所述公共电极电连接，并且所述导电密封剂将所述显示基板与所述相对基板组合在一起。
8.根据权利要求7所述的显示装置，进一步包括：
柱状间隔件，保持所述显示基板和所述相对基板之间的距离；以及
第二补偿堆叠图案，利用与所述柱状间隔件基本相同的材料填充所述接触孔上方的空间。
9.根据权利要求8所述的显示装置，其中，所述柱状间隔件包括不透明的材料。
10.根据权利要求7所述的显示装置，进一步包括：
滤色片，设置在所述底基板和所述像素电极之间，
其中，所述第一高度补偿图案包括与所述滤色片基本相同的彩照材料。
11.根据权利要求7所述的显示装置，进一步包括：
滤色片，设置在所述底基板和所述像素电极之间，其中，所述第一高度补偿图案包括具有与所述滤色片基本相同的彩照材料的第一色彩层和具有与所述滤色片不同的彩照材料的第二色彩层。
12.根据权利要求7所述的显示装置，进一步包括：
栅极线，与所述晶体管的栅电极连接；
数据线，与所述栅极线交叉，并与所述晶体管的源电极连接；以及
遮光部，设置在形成有所述栅极线和所述数据线的区域处，以阻挡光，
其中，所述第一高度补偿图案包括与所述遮光部的遮光材料基本相同的遮光材料。
13.根据权利要求7所述的显示装置，进一步包括：
栅极线，与所述晶体管的栅电极连接；
数据线，与所述栅极线交叉，并与所述晶体管的源电极连接；以及
遮光部，设置在形成有所述栅极线和所述数据线的区域处，以阻挡光，
其中，所述第一高度补偿图案包括具有与所述滤色片基本相同的彩照材料的色彩层和具有与所述遮光部基本相同的遮光材料的遮光层。
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Cited By (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102253536A (zh) * 2011-07-29 2011-11-23 南京中电熊猫液晶显示科技有限公司 液晶显示装置
WO2013071633A1 (zh) * 2011-11-18 2013-05-23 深圳市华星光电技术有限公司 液晶面板及其制作方法
CN104749841A (zh) * 2013-12-30 2015-07-01 乐金显示有限公司 薄膜晶体管阵列基板及其制造方法
CN106468836A (zh) * 2015-08-21 2017-03-01 三星显示有限公司 显示装置及其制造方法
CN106647076A (zh) * 2016-12-28 2017-05-10 深圳市华星光电技术有限公司 液晶显示器及其液晶显示面板
CN106918961A (zh) * 2015-12-16 2017-07-04 株式会社日本显示器 显示装置
CN107272247A (zh) * 2016-04-04 2017-10-20 三星显示有限公司 液晶显示设备
CN107402463A (zh) * 2016-05-18 2017-11-28 三星显示有限公司 显示装置
CN107783342A (zh) * 2017-10-30 2018-03-09 深圳市华星光电技术有限公司 液晶显示面板及其制备方法
CN107946339A (zh) * 2016-10-13 2018-04-20 三星显示有限公司 显示装置
JP2018072841A (ja) * 2016-10-31 2018-05-10 エルジー ディスプレイ カンパニー リミテッド 有機発光表示装置
CN108153037A (zh) * 2016-12-06 2018-06-12 三星显示有限公司 显示设备
CN108287439A (zh) * 2018-01-29 2018-07-17 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 液晶盒
CN108693669A (zh) * 2017-04-05 2018-10-23 三星显示有限公司 显示设备
CN109782497A (zh) * 2017-11-15 2019-05-21 三星显示有限公司 显示面板和包括显示面板的显示装置
US10558090B2 (en) 2017-10-30 2020-02-11 Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co., Ltd. Liquid crystal display panel and manufacturing method thereof
CN111103715A (zh) * 2019-12-23 2020-05-05 Tcl华星光电技术有限公司 显示面板及其制作方法
CN111338143A (zh) * 2020-04-14 2020-06-26 Tcl华星光电技术有限公司 液晶显示面板
WO2021068316A1 (zh) * 2019-10-12 2021-04-15 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 一种显示面板及其制作方法
CN113589570A (zh) * 2021-07-23 2021-11-02 Tcl华星光电技术有限公司 显示面板及液晶显示装置

Families Citing this family (40)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101719484B1 (ko) * 2010-10-04 2017-03-27 삼성디스플레이 주식회사 표시 기판 및 이를 포함하는 표시 장치
CN102466932B (zh) * 2010-11-08 2015-02-11 北京京东方光电科技有限公司 液晶面板、tft阵列基板及其制造方法
US9405330B2 (en) * 2011-07-29 2016-08-02 Sharp Kabushiki Kaisha Touch panel substrate and display panel
KR101951725B1 (ko) * 2012-01-04 2019-02-27 삼성디스플레이 주식회사 표시 기판, 이의 제조 방법 및 이를 포함하는 표시 장치
GB2505175B (en) * 2012-08-20 2020-02-05 Flexenable Ltd Forming a conductive connection between a common electrode of an optical media component and a electrical contact of a control component
KR101998769B1 (ko) * 2012-11-30 2019-07-10 엘지디스플레이 주식회사 협 베젤 영역을 갖는 평판 표시 패널
KR102054369B1 (ko) 2013-05-30 2019-12-11 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
KR20150083956A (ko) * 2014-01-10 2015-07-21 삼성디스플레이 주식회사 표시장치 및 이의 제조방법
TWI561904B (en) * 2014-01-17 2016-12-11 Au Optronics Corp Substrate packaging structure and packaging method thereof
KR102185756B1 (ko) * 2014-03-31 2020-12-03 삼성디스플레이 주식회사 표시 기판 및 이를 포함하는 액정 표시 장치
KR20160056721A (ko) * 2014-11-12 2016-05-20 엘지디스플레이 주식회사 실라인 검사용 측정마크를 가진 액정표시소자와 실라인 검사장치 및 측정방법
US9618810B2 (en) * 2015-02-11 2017-04-11 Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co., Ltd. Array substrate and liquid crystal display panel
CN104765201A (zh) * 2015-03-30 2015-07-08 深圳市华星光电技术有限公司 液晶显示装置及其液晶显示面板
KR102387683B1 (ko) 2015-05-18 2022-04-19 삼성디스플레이 주식회사 액정 표시 장치
KR102421711B1 (ko) * 2015-10-08 2022-07-15 삼성디스플레이 주식회사 액정 표시 장치 및 그 제조 방법
JP6586358B2 (ja) * 2015-12-04 2019-10-02 株式会社ジャパンディスプレイ 液晶表示装置
KR102531533B1 (ko) * 2015-12-31 2023-05-10 엘지디스플레이 주식회사 표시장치
KR102507718B1 (ko) * 2016-03-29 2023-03-09 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 이의 제조 방법
KR102602221B1 (ko) * 2016-06-08 2023-11-15 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
KR102373440B1 (ko) * 2017-03-17 2022-03-14 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 패널 및 이를 구비하는 디스플레이 장치
CN107026177B (zh) * 2017-03-31 2020-02-28 京东方科技集团股份有限公司 一种coa基板及其制备方法、显示装置
US20180307079A1 (en) * 2017-04-24 2018-10-25 HKC Corporation Limited Liquid crystal display panel and liquid crystal display apparatus using same
CN106990593B (zh) * 2017-04-24 2020-08-11 惠科股份有限公司 液晶显示面板及其液晶显示装置
CN106873278A (zh) * 2017-04-25 2017-06-20 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板及其制作方法、显示装置
KR102354529B1 (ko) * 2017-09-18 2022-01-24 삼성디스플레이 주식회사 색 변환소자 및 그 제조 방법
CN107919366B (zh) * 2017-11-30 2020-03-13 武汉天马微电子有限公司 一种显示面板及显示装置
KR102491883B1 (ko) * 2018-01-18 2023-01-27 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 그 제조방법
CN108732813A (zh) * 2018-05-29 2018-11-02 深圳市华星光电技术有限公司 液晶面板、液晶显示器及电子设备
CN109541825A (zh) * 2018-09-30 2019-03-29 重庆惠科金渝光电科技有限公司 一种显示面板的制作方法和显示面板
US10890808B2 (en) * 2018-09-30 2021-01-12 HKC Corporation Limited Cell assembly, display panel and display device
CN109298566A (zh) * 2018-10-10 2019-02-01 惠科股份有限公司 一种显示面板及显示装置
CN109239991B (zh) * 2018-10-10 2021-01-08 惠科股份有限公司 一种显示面板的制程和显示面板
CN109358459B (zh) * 2018-11-09 2020-11-24 惠科股份有限公司 一种显示面板、制作方法和显示装置
CN109407423A (zh) * 2018-11-29 2019-03-01 武汉华星光电技术有限公司 液晶显示面板
US11895900B2 (en) * 2019-10-16 2024-02-06 Boe Technology Group Co., Ltd. Method of encapsulating display substrate and counter substrate, encapsulated display panel, display apparatus, and counter substrate
CN110850649B (zh) * 2019-11-26 2021-06-01 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 液晶显示面板
US11281046B2 (en) * 2020-03-17 2022-03-22 Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co., Ltd. Backlight module, manufacturing method thereof, and display device
KR20220010638A (ko) * 2020-07-16 2022-01-26 삼성디스플레이 주식회사 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
KR20220046028A (ko) * 2020-10-06 2022-04-14 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
CN113568202B (zh) * 2021-09-26 2022-01-14 惠科股份有限公司 液晶显示面板、液晶显示装置及其检测方法

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20030151714A1 (en) * 2002-01-08 2003-08-14 Kabushiki Kaisha Toshiba Liquid crystal display device
CN1727975A (zh) * 2004-07-30 2006-02-01 Lg.菲利浦Lcd株式会社 液晶显示装置及其制造方法
CN1794071A (zh) * 2004-12-23 2006-06-28 Lg.菲利浦Lcd株式会社 液晶显示器件及其制造方法
CN1967338A (zh) * 2005-11-15 2007-05-23 三星电子株式会社 显示基底及其制作方法以及具有其的显示装置
CN1987573A (zh) * 2005-12-20 2007-06-27 Lg.菲利浦Lcd株式会社 液晶显示器件及其制造方法

Family Cites Families (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0815727A (ja) 1994-06-29 1996-01-19 Toppan Printing Co Ltd 液晶表示装置用電極基板の製造方法
JPH09244045A (ja) 1996-03-13 1997-09-19 Canon Inc 液晶表示装置およびその製造方法
JP3760008B2 (ja) 1996-11-29 2006-03-29 セイコーエプソン株式会社 液晶パネル用基板およびそれを用いた液晶パネル並びに投写型表示装置
KR100673331B1 (ko) * 2000-02-19 2007-01-23 엘지.필립스 엘시디 주식회사 액정 표시장치 제조방법 및 그 제조방법에 따른액정표시장치
JP2001255546A (ja) 2000-03-13 2001-09-21 Seiko Epson Corp 液晶装置及びその製造方法
KR100715943B1 (ko) 2001-01-29 2007-05-08 삼성전자주식회사 액정표시장치 및 그 제조방법
KR100813019B1 (ko) 2001-10-19 2008-03-13 삼성전자주식회사 표시기판 및 이를 갖는 액정표시장치
KR100885844B1 (ko) 2002-10-18 2009-02-27 엘지디스플레이 주식회사 액정표시소자 및 그 제조방법
US8125601B2 (en) * 2003-01-08 2012-02-28 Samsung Electronics Co., Ltd. Upper substrate and liquid crystal display device having the same
KR20050053092A (ko) * 2003-12-02 2005-06-08 엘지.필립스 엘시디 주식회사 액정표시장치용 기판 및 그 제조방법
EP1637179A1 (en) 2004-09-16 2006-03-22 Unomedical Limited Combination of an electrode storage and dispensing assembly and an electrode device
KR101142997B1 (ko) * 2005-01-18 2012-05-08 삼성전자주식회사 색필터 표시판 및 이를 포함하는 액정 표시 장치
KR100742376B1 (ko) 2005-09-30 2007-07-24 삼성에스디아이 주식회사 패드부 및 그 제조 방법
TWI333568B (en) * 2006-02-07 2010-11-21 Au Optronics Corp Color filter substrate with spacer pads and fabricating method thereof and method for assembling a panel with the color filter substrate for lcd
KR20070081033A (ko) 2006-02-09 2007-08-14 삼성전자주식회사 표시장치 및 이의 제조 방법
KR100911422B1 (ko) * 2006-12-29 2009-08-11 엘지디스플레이 주식회사 액정표시장치 및 그 제조방법
KR101323473B1 (ko) 2007-02-21 2013-10-31 엘지디스플레이 주식회사 수평 전계 인가형 액정표시패널 및 그 제조방법
KR20080080740A (ko) 2007-03-02 2008-09-05 삼성전자주식회사 어레이 기판 및 이를 포함하는 표시 장치
JP2009031362A (ja) 2007-07-24 2009-02-12 Mitsubishi Electric Corp 配線基板、その製造方法、及び表示装置

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20030151714A1 (en) * 2002-01-08 2003-08-14 Kabushiki Kaisha Toshiba Liquid crystal display device
CN1727975A (zh) * 2004-07-30 2006-02-01 Lg.菲利浦Lcd株式会社 液晶显示装置及其制造方法
CN1794071A (zh) * 2004-12-23 2006-06-28 Lg.菲利浦Lcd株式会社 液晶显示器件及其制造方法
CN1967338A (zh) * 2005-11-15 2007-05-23 三星电子株式会社 显示基底及其制作方法以及具有其的显示装置
CN1987573A (zh) * 2005-12-20 2007-06-27 Lg.菲利浦Lcd株式会社 液晶显示器件及其制造方法

Cited By (30)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102253536A (zh) * 2011-07-29 2011-11-23 南京中电熊猫液晶显示科技有限公司 液晶显示装置
WO2013071633A1 (zh) * 2011-11-18 2013-05-23 深圳市华星光电技术有限公司 液晶面板及其制作方法
CN104749841B (zh) * 2013-12-30 2018-02-09 乐金显示有限公司 薄膜晶体管阵列基板及其制造方法
CN104749841A (zh) * 2013-12-30 2015-07-01 乐金显示有限公司 薄膜晶体管阵列基板及其制造方法
US10177176B2 (en) 2013-12-30 2019-01-08 Lg Display Co., Ltd. Thin film transistor array substrate and method for manufacturing the same
CN106468836A (zh) * 2015-08-21 2017-03-01 三星显示有限公司 显示装置及其制造方法
CN106468836B (zh) * 2015-08-21 2022-02-25 三星显示有限公司 显示装置及其制造方法
CN106918961A (zh) * 2015-12-16 2017-07-04 株式会社日本显示器 显示装置
CN107272247A (zh) * 2016-04-04 2017-10-20 三星显示有限公司 液晶显示设备
CN107402463A (zh) * 2016-05-18 2017-11-28 三星显示有限公司 显示装置
CN107946339B (zh) * 2016-10-13 2023-10-24 三星显示有限公司 显示装置
CN107946339A (zh) * 2016-10-13 2018-04-20 三星显示有限公司 显示装置
JP2018072841A (ja) * 2016-10-31 2018-05-10 エルジー ディスプレイ カンパニー リミテッド 有機発光表示装置
US10347863B2 (en) 2016-10-31 2019-07-09 Lg Display Co., Ltd. Organic light-emitting display device
JP2019169472A (ja) * 2016-10-31 2019-10-03 エルジー ディスプレイ カンパニー リミテッド 有機発光表示装置
CN108153037A (zh) * 2016-12-06 2018-06-12 三星显示有限公司 显示设备
CN106647076A (zh) * 2016-12-28 2017-05-10 深圳市华星光电技术有限公司 液晶显示器及其液晶显示面板
CN108693669A (zh) * 2017-04-05 2018-10-23 三星显示有限公司 显示设备
CN108693669B (zh) * 2017-04-05 2023-03-28 Tcl华星光电技术有限公司 显示设备
WO2019085067A1 (zh) * 2017-10-30 2019-05-09 深圳市华星光电技术有限公司 液晶显示面板及其制备方法
US10558090B2 (en) 2017-10-30 2020-02-11 Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co., Ltd. Liquid crystal display panel and manufacturing method thereof
CN107783342A (zh) * 2017-10-30 2018-03-09 深圳市华星光电技术有限公司 液晶显示面板及其制备方法
CN109782497A (zh) * 2017-11-15 2019-05-21 三星显示有限公司 显示面板和包括显示面板的显示装置
CN109782497B (zh) * 2017-11-15 2023-09-22 三星显示有限公司 显示面板和包括显示面板的显示装置
CN108287439A (zh) * 2018-01-29 2018-07-17 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 液晶盒
WO2021068316A1 (zh) * 2019-10-12 2021-04-15 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 一种显示面板及其制作方法
CN111103715A (zh) * 2019-12-23 2020-05-05 Tcl华星光电技术有限公司 显示面板及其制作方法
CN111103715B (zh) * 2019-12-23 2023-03-31 Tcl华星光电技术有限公司 显示面板及其制作方法
CN111338143A (zh) * 2020-04-14 2020-06-26 Tcl华星光电技术有限公司 液晶显示面板
CN113589570A (zh) * 2021-07-23 2021-11-02 Tcl华星光电技术有限公司 显示面板及液晶显示装置

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Publication number Publication date
KR101591476B1 (ko) 2016-02-19
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