CN105700253A - 液晶显示器 - Google Patents

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金翰洙
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Abstract

本发明公开了一种液晶显示器。根据示例性实施方式的液晶显示器(LCD)包括：包括显示区域和外围区域的基板；布置在基板上的薄膜晶体管；连接至薄膜晶体管的场生成电极；沿着外围区域布置的间隔壁；面对场生成电极的顶层；覆盖间隔壁的顶图案；以及液晶层，该液晶层布置在场生成电极与顶层之间，并且形成为包括液晶分子的多个微腔。顶层和顶图案由至少一个无机层形成。

Description

液晶显示器
相关申请的交叉引用
本申请要求于2014年12月11日向韩国知识产权局提交的韩国专利申请第10-2014-0178257号的优先权和权益，将其全部内容以引用方式结合于本文中。
技术领域
本申请涉及液晶显示器(LCD)及其制造方法。
背景技术
作为目前使用最广泛的平板显示器之一，液晶显示器(LCD)包括：其上形成有诸如像素电极和公共电极的场生成电极的两个显示面板，以及介于两个显示面板之间的液晶层。
LCD通过将电压施加至场生成电极在液晶层上产生电场，通过产生的场来确定液晶层的液晶分子的配向方向，并且控制入射光的偏振来显示图像。
对于LCD的一种类型，已开发了在像素中形成多个微腔并且在其中填充液晶的技术来实现显示器。
传统的LCD使用两片基板，但是组件可以形成在一个基板上以减少显示设备的重量和厚度。
为了排列并对齐液晶分子，这种显示设备的制造方法包括在注入液晶(也称为液晶分子)之前，注入并且接着干燥配向剂的工序。
在该情况下，配向剂可能溢出至面板的边缘部分，从而导致焊盘部分的接触故障。
在本背景技术部分中所公开的上述信息仅用于增强对背景技术的理解，并且因此背景技术部分可能包含并不形成在该国中为本领域的普通技术人员所知的现有技术的信息。
发明内容
致力于作出实施方式，以防止由于配向剂的溢出导致的焊盘部分的缺陷并且提供一种用于保护外遮光层的液晶显示器(LCD)及其制造方法。
根据示例性实施方式的LCD包括：基板，包括显示区域和外围区域；薄膜晶体管，布置在基板上；场生成电极，连接至薄膜晶体管；间隔壁，沿外围区域布置；顶层，面对场生成电极；顶图案，覆盖间隔壁；以及液晶层，布置在场生成电极与顶层之间并且形成为包括液晶分子的多个微腔。顶层和顶图案由至少一个无机层形成。
LCD可以进一步包括布置在基板上的遮光层。遮光层可以布置在外围区域中，并且间隔壁可以形成在遮光层上。
LCD可以进一步包括：布置在多个微腔与顶层之间的公共电极以及布置在间隔壁与顶图案之间的公共电极图案。
间隔壁可以由有机材料或者光致抗蚀剂形成。
可以形成有多个间隔壁。
可以使顶层与顶图案分开。
顶层可包括层叠了具有不同应力的第一无机层和第二无机层的结构。
第一无机层可以具有压缩应力，而第二无机层可以具有拉伸应力。
可以对第一无机层和第二无机层进行交替层叠。
根据示例性实施方式的LCD的制造方法，包括：在包括显示区域和外围区域的基板上形成薄膜晶体管；形成连接至薄膜晶体管的像素电极；在显示区域和外围区域中形成牺牲层；在牺牲层上形成顶层；通过移除牺牲层形成具有入口的多个微腔；并将液晶分子注入多个微腔内。顶层由至少一个无机层形成，并且未移除形成在外围区域中的牺牲层，从而形成间隔壁。
LCD的制造方法可以进一步包括在间隔壁上形成顶图案。顶图案和顶层可以由相同的材料形成。
LCD的制造方法可以进一步包括在外围区域中形成遮光层。遮光层可以形成为布置在间隔壁下方。
形成顶层可包括：在牺牲层上形成无机层并且通过使无机层图案化形成液晶注入部分，并且可以在无机层的图案化中将顶层和顶图案分开。
LCD的制造方法可以进一步包括在形成顶层之前，在牺牲层上形成公共电极和公共电极图案。公共电极图案可以布置在遮光层与顶图案之间。
形成顶层可包括顺次层叠具有不同应力的第一无机层和第二无机层。
根据示例性实施方式的LCD，包括：基板，包括显示区域和外围区域；薄膜晶体管，布置在基板上；场生成电极，连接至薄膜晶体管；顶层，面对场生成电极；间隔壁，沿外围区域布置；以及液晶层，布置在场生成电极与顶层之间并且形成为包括液晶分子的多个微腔。顶层和间隔壁包括滤色器。
LCD可以进一步包括布置在基板上的遮光层。遮光层可以布置在外围区域中，并且间隔壁可以布置在遮光层上。
LCD可以进一步包括：下绝缘层和公共电极，它们布置在多个微腔与顶层之间；上绝缘层，布置在顶层上；下绝缘图案和公共电极图案，它们布置在间隔壁下方；以及上绝缘图案，布置在间隔壁上。
可以形成多个间隔壁。
可以将顶层与间隔壁分开。
根据示例性实施方式，具有坝结构的间隔壁形成在其外边缘部分，从而防止由于配向材料的溢出导致的焊盘部分的缺陷。
根据示例性实施方式，可以形成覆盖外遮光层的图案以防止遮光层被撕破。
附图说明
图1是根据示例性实施方式的液晶显示器(LCD)的俯视图。
图2是在图1中示出的多个像素中的一些的局部俯视图。
图3是沿着线III-III截取的图2的截面图。
图4是沿着线IV-IV截取的图2的截面图。
图5是沿着线V-V截取的图1的截面图。
图6是从图5的示例性实施方式变化的LCD的截面图。
图7是从图3的示例性实施方式变化的LCD的截面图。
图8、图9、图10、图11、图12、图13、图14、图15、图16、图17、图18、图19、图20和图21是示出了根据示例性实施方式的LCD的制造方法的截面图。
图22、图23、图24、图25和图26是根据示例性实施方式的LCD的截面图。
图27是从图26的示例性实施方式变化的LCD的截面图。
具体实施方式
本发明构思在下文中将参考附图更加完全地描述，其中示出示例性实施方式。
如本领域技术人员将意识到的，在完全不背离本发明构思的精神或范围的前提下，可以以各种不同的方式对所描述的实施方式进行修改。
相反，提供在本文中介绍的示例性实施方式以使公开的内容透彻并且完整，并且充分地向本领域的技术人员传达本发明构思的精神。
在附图中，为了清楚起见可放大层和区域的厚度。
另外，当层被描述为形成在另一层或者基板上时，这意味着该层可以直接地形成在其他层或者基板上，或者第三层可以介于该层与其他层或者基板之间。
遍及整个说明书，相同的参考标号表示相同的元件。
图1是根据示例性实施方式的液晶显示器(LCD)的俯视图。
图2是在图1中示出的多个像素中的一些的局部俯视图。
图3是沿着线III-III截取的图2的截面图。
图4是沿着线IV-IV截取的图2的截面图。
图5是沿着线V-V截取的图1的截面图。
首先参考图1，根据当前的示例性实施方式的LCD包括显示区域DA和外围区域PA。如在图1中示出的，显示区域DA表示通过虚线标示的四边形的内部，而外围区域PA表示通过虚线标示的该四边形的外部。
显示区域DA是实际上输出图像的区域，而焊盘部分600或者驱动单元可以布置在外围区域PA中。
实际上，在图1的焊盘部分600中，焊盘可以布置在外围区域PA的任一侧或者在其彼此不相对的两侧。
多个像素PX布置在显示区域DA中，并且遮光层221布置在外围区域PA中以覆盖会发生漏光的部分。
遮光层221可以形成为从显示区域DA的外部围绕显示区域DA。
遮光层221可以由与布置在显示区域DA中的遮光构件相同的材料形成并且形成在与遮光构件相同的层上，例如，如下所述的遮光构件(220a和220b)。
遮光层221可以用来阻断外界光被反射和识别。
间隔壁365可以布置为与遮光层221重叠。
然而，间隔壁365不限于当前示例性实施方式，并且与如图1中所示的不同，其可以沿着外围区域PA的一侧、两侧、或者三侧布置。
参考图2至图4，现在将详细地描述布置在显示区域DA中的像素PX。
图2示出多个像素的一部分的2*2像素部分(TP)，并且在根据示例性实施方式的LCD中，2*2像素部分可以重复地在上/下和左/右方向上排列。
参考图2至图4，栅极线121和存储电极线131形成在由透明玻璃或塑料形成的基板110上。
栅极线121包括栅电极124。
存储电极线131基本上在水平方向上延伸，并且传输诸如公共电压Vcom等的预定电压。
存储电极线131包括基本上垂直于栅极线121延伸的一对水平部分135a，和用于使一对水平部分135a的端部互连的垂直部分135b。
存储电极135a和135b具有围绕像素电极191的结构。
栅极绝缘层140形成在栅极线121和存储电极线131上。
布置在数据线171下方的半导体层151以及布置在源电极173和漏电极175下方并且在薄膜晶体管Q的沟道部分中的半导体层154，形成在栅极绝缘层140上。
多个欧姆接触可以形成在各个半导体层151和154上并且形成在数据线171与源/漏电极173、175之间，但是它们在附图中被省去。
包括源电极173、连接至源电极173的数据线171、以及漏电极175的数据导体171、173、和175形成在半导体层151和154中的每一个以及栅极绝缘层140上。
栅电极124、源电极173、以及漏电极175与半导体层154一起形成薄膜晶体管Q，并且薄膜晶体管Q的沟道形成在源电极173与漏电极175之间的半导体层154的一部分中。
第一层间绝缘层180a形成在半导体层154的未被数据导体171、173和175、源电极173和漏电极175覆盖的暴露部分上。
第一层间绝缘层180a可包括诸如氮化硅(SiNx)或氧化硅(SiOx)的无机材料。
滤色器230形成在第一层间绝缘层180a上。
每个滤色器230可以显示诸如红色、绿色以及蓝色的三原色之一。
滤色器230不限于显示红色、绿色以及蓝色的三原色，并且可以显示基于青色、品红色、黄色以及白色的颜色之一。
滤色器230可以由用于在各个相邻像素显示不同的颜色的材料形成。
第二层间绝缘层180b形成在滤色器230和第一层间绝缘层180a上。
因为第二层间绝缘层180b由有机材料形成，其可以减少或者消除一些台阶。
接触孔185形成在滤色器230和层间绝缘层180a和180b中，以使漏电极175暴露。
经由接触孔185，漏电极175可以电气并物理地连接至被布置在第二层间绝缘层180b上的像素电极191。
现在将详细地描述像素电极191。
像素电极191可由诸如ITO或IZO的透明导电材料形成。
像素电极191具有大体的四边形形状，并且包括具有水平主干部分191a和垂直于水平主干部分的垂直主干部分191b的十字形主干部分。
另外，像素电极被水平主干部分191a和垂直主干部分191b分成四个子区，并且每个子区包括多个微小分支部分191c。
另外，在当前示例性实施方式中，可以进一步包括外主干部分191d以使在像素电极191的左边缘和右边缘的微小分支部分191c互连。
在当前示例性实施方式中，外主干部分191d布置在像素电极191的左边缘和右边缘，但是其可以进一步延伸为布置在像素电极191的上边缘和下边缘。
像素电极191的微小分支部分191c与栅极线121或水平主干部分191a形成约40°至45°的角。
两个相邻子区的微小分支部分191c可互相垂直。
微小分支部分的宽度可以逐渐变得更宽，或者微小分支部分191c之间的间隙可以是不同的。
延伸部197连接至垂直主干部分191b的下端部并且具有比垂直主干部分191b大的区域。像素电极191通过延伸部197穿过接触孔185物理并电气地连接至漏电极175，并且被施加有来自漏电极175的数据电压。
因为薄膜晶体管Q和像素电极191的上述描述仅是示例，所以薄膜晶体管的结构和像素电极的设计可以改变以提高侧面可视性。
例如，使用根据电阻分布在各个区域生成的不同的电压，可以形成RD-TFT结构以提高侧面可视性。
在像素电极191上，遮光构件(220a和220b)布置为覆盖数据线171和形成薄膜晶体管Q的区域。
遮光构件(220a和220b)具有包括对应于用于显示图像的区域的开口的栅格结构，并且由光不能穿过的材料形成。
滤色器230可以布置为对应于遮光构件(220a和220b)的开口。
遮光构件(220a和220b)包括沿平行于栅极线121的方向形成的水平遮光构件220a以及沿平行于数据线171的方向形成的垂直遮光构件220b。
下配向层11形成在像素电极191上，并且下配向层11可以是垂直配向层。
下配向层11可以形成为包括通常用作液晶配向层的诸如聚硅氧烷、聚酰亚胺等的材料中的至少一种。
另外，下配向层11可以是光控配向层。
上配向层21布置为面对下配向层11，并且多个微腔305形成在下配向层11与上配向层21之间。
包括液晶分子310的液晶材料被注入微腔305，并且微腔305具有入口307。
微腔305可沿着像素电极191的列(column)方向(即，垂直方向)形成。
在当前示例性实施方式中，可使用毛细力将用于形成配向层11和21的配向材料以及包括液晶分子310的液晶材料注入到微腔305。
在当前示例性实施方式中，下配向层11和上配向层21彼此的不同之处仅在于它们的位置，并且如图4中所示，可以彼此连接。
下配向层11和上配向层21可以同时形成。
通过布置为与栅极线121重叠的多个液晶注入部分307FP垂直分割微腔305，从而形成多个微腔305。
在该情况下，多个微腔305可沿着像素电极191的列方向(即，垂直方向)形成。
此外，微腔305通过随后将被描述的间隔壁部分(PWP)水平分开，从而形成多个微腔305，并且多个微腔305可以沿着像素电极191的行方向(即，栅极线121延伸朝向的水平方向)形成。
形成为多个的微腔305中的每个可以对应于一个或多个像素区域，并且像素区域可以对应于显示图像的区域。
液晶注入部分307FP可以是从其移除了公共电极270、顶层360等的空白空间。
在注入配向层11和21以及包括液晶分子310的液晶材料之后，可以利用随后描述的封盖层390覆盖液晶注入部分307FP。
液晶注入部分307FP可以填充有配向材料或者液晶材料，使得其可以用作通道，经由该通道配向材料或者液晶材料被注入到微腔305内。
公共电极270布置在上配向层21上。
公共电极270被施加公共电压，并且可与施加有数据电压的像素电极191一起产生电场，从而确定布置在两个电极270、191之间的微腔305中的液晶分子310的倾斜方向。
公共电极270可由诸如ITO或IZO的透明导电材料形成。
公共电极270与像素电极191形成电容器，以便即使在薄膜晶体管Q被截止之后仍保持所施加的电压。
在当前示例性实施方式中，描述了公共电极270形成在微腔305上，但是在另一个示例性实施方式中，公共电极270可以形成在微腔305下方，从而允许根据共面电极(CE)模式驱动液晶。
在当前示例性实施方式中，顶层360是由诸如氮化硅(SiNx)或氧化硅(SiOx)的无机材料形成的无机绝缘层。
顶层360用作用于支撑微腔305的结构，使得形成在像素电极191与公共电极270之间的微腔305可以保持其形状。
为了用作微腔305的结构，在当前示例性实施方式中，仅由无机层形成的顶层360可以具有约或更大的厚度，且优选地，约至
根据示例性实施方式，与现有技术不同，可以仅使用无机层(无需使用有机层)形成顶层360，从而使工艺简化。
在当前示例性实施方式中，顶层360可以布置在基板110的除从液晶注入部分307FP被移除的区域之外的整个表面上。
封盖层390布置在顶层360上。
封盖层390包括有机材料或无机材料。
在当前示例性实施方式中，封盖层390可以接触仅由无机层形成的顶层360的顶部表面。
封盖层390不仅可布置在顶层360上而且可布置在液晶注入部分307FP中。
在该情况下，封盖层390可覆盖由液晶注入部分307FP暴露的微腔305的入口307。
在当前示例性实施方式中，液晶材料被示出从液晶注入部分307FP移除，但是在注入微腔305内之后，剩余的液晶材料可以存在于液晶注入部分307FP中。
在当前示例性实施方式中，如图4中所示，间隔壁部分(PWP)形成在水平方向上相邻的微腔305之间。
间隔壁部分(PWP)用于填充在水平方向上彼此相邻的微腔305之间的空间。
如图4中所示，间隔壁部分(PWP)形成为完全填充微腔305之间的空间，但是不必要局限于此，并且可以修改为部分地填充空间。
间隔壁部分(PWP)可以沿着数据线171延伸所朝向的方向形成。
在当前示例性实施方式中，因为诸如间隔壁部分(PWP)的间隔壁结构存在于微腔305之间，所以即使绝缘基板110被弯曲，其也暴露于较小的应力下，因此可以大大减小单元间隙变化的程度。
现在将参考图1和图5描述根据示例性实施方式的外围区域PA的结构特性。
参考图1和图5，在与布置在显示区域DA的边缘的像素PX相邻的外围区域PA中形成边缘部分500。
边缘部分500与显示区域DA的最外面的像素PX和外围区域PA的遮光层221之间的空间对应。
在当前示例性实施方式中，间隔壁365布置在遮光层221上，该遮光层221布置在外围区域PA中。
间隔壁365可以沿着外围区域PA的一侧线性地形成。
间隔壁365是为形成微腔305而形成并且然后被移除的结构，即，牺牲层残存在外围区域PA中的结构。
配向剂在被注入并接着干燥时，是非均匀干燥的，尤其在显示区域DA的边缘部分，这是因为其干燥特性根据其位于液晶显示面板中的位置变化。例如，配向剂在显示区域DA的边缘部分时比在显示区域DA的中心部分干燥得快。
因此，可能由于非均匀干燥的配向剂而导致发生漏光。
为了解决该问题，可以过度供给配向剂。因此，配向剂被均匀扩散，使得可以防止漏光。
在该情况下，配向剂可以提供给图5标示的边缘部分500。
过度供给至边缘部分500的配向剂可能影响(例如，可能溢出到并且污染)焊盘部分600，从而使模块的稳定性劣化。
即使不存在有意地过度供给，配向剂也可能溢出，从而将其供给至边缘部分500。
然而，在当前示例性实施方式中，因为例如具有坝结构的间隔壁365形成在焊盘部分600与边缘部分500之间，所以即使配向剂被过度供给或者溢出，也可以确保焊盘部分600的稳定性。
另外，在蒸发之后，剩余的固体可以均匀分布在边缘部分500中，使得防止在边缘部分500中识别到漏光。
公共电极图案270p和顶图案360p布置在外围区域PA的间隔壁365上。
在该情况下，显示区域DA的顶层360和公共电极270分别延伸以形成顶图案360p和公共电极图案270p。
公共电极图案270p和公共电极270可以由相同的材料形成并且形成在相同的层上，并且顶图案360p和顶层360可以由相同的材料形成并形成在相同的层上。
封盖层390可以覆盖显示区域DA和外围区域PA。
图6是从图5的示例性实施方式变化的LCD的截面图。
除间隔壁的结构之外，将要在图6中描述的示例性实施方式基本上与参考图5描述的示例性实施方式相同。
参考图6，在当前示例性实施方式中，可以形成多个间隔壁365。
当如上所述形成多个间隔壁365时，可以大大减小过度供给或者溢出的配向材料对焊盘部分600的影响。
除了上述的差异，在图5中描述的细节可以适用于当前示例性实施方式。
图7是从图3的示例性实施方式变化的LCD的截面图。
除顶层360的结构之外，将要在图7中描述的示例性实施方式基本上与参考图3描述的示例性实施方式相同。
参考图7，根据示例性实施方式的顶层360可以包括第一无机层360a和布置在第一无机层360a上的第二无机层360b。
第一无机层360a和第二无机层360b可以具有不同的应力。
例如，第一无机层360a可以具有压缩应力，而第二无机层360b可以具有拉伸应力。
替代地，第一无机层360a可以具有拉伸应力，而第二无机层360b可以具有压缩应力。
如在当前示例性实施方式中所示，可以层叠具有不同的应力特性的无机层以形成顶层360，从而允许顶层360的应力得到控制。
因此，可以使顶层360的形变最小化。
在另一示例性实施方式中，可以顺次层叠第一无机层360a、第二无机层360b、和第三无机层(未示出)以形成顶层360。
在该情况下，第一无机层360a可以具有压缩应力，第二无机层360b可以具有拉伸应力，并且第三无机层可以具有压缩应力。
替代地，第一无机层360a可以具有拉伸应力，第二无机层360b可以具有压缩应力，并且第三无机层可以具有拉伸应力。第一无机层360a、第二无机层360b、第三无机层的每一个可包括诸如氮化硅(SiNx)和氧化硅(SiOx)的无机绝缘体。
在该情况下，已示出顶层360具有三层结构，但是其不限于此，并且可以交替地层叠具有不同的应力的无机层以形成顶层360。
现在将参考图8至图21描述上述LCD的制造方法的示例性实施方式。
以下描述的示例性实施方式是制造方法的示例性实施方式，且它可以不同的方式进行变化。
图8至图21是根据示例性实施方式的LCD的制造方法的截面图。
图8、图11、图14、图16和图19示出沿线III-III截取的图2的顺序截面图。
图9、图12、图17和图20是沿线IV-IV截取的图2的顺序截面图。
图10、图13、图15、图18和图21是沿线V-V截取的图1的顺序截面图。
参考图2、图8和图9，为了在基板110上形成普遍已知的开关元件Q，栅极线121形成为在水平方向上延伸，栅极绝缘层140形成在栅极线121上，半导体层151和154形成在栅极绝缘层140上，并且形成源电极173和漏电极175。
在该情况下，连接至源电极173的数据线171可形成为在垂直方向上延伸，同时与栅极线121交叉。
在包括源电极173、漏电极175和数据线171的数据导体171、173和175以及半导体层154的暴露部分上形成第一层间绝缘层180a。
滤色器230形成在第一层间绝缘层180a上对应于像素区域的位置处。
第二层间绝缘层180b形成在滤色器230和第一层间绝缘层180a上。
接触孔185形成为穿透第一层间绝缘层180a和第二层间绝缘层180b。
像素电极191形成在第二层间绝缘层180b上，使得像素电极191和漏电极175经由接触孔185彼此电气并且物理地连接。
遮光构件(220a和220b)形成在像素电极191和第二层间绝缘层180b上。
遮光构件(220a和220b)形成为具有包括与用于显示图像的区域对应的开口的栅格结构。
遮光构件(220a和220b)由光不能穿过的材料形成。
遮光构件(220a和220b)可以形成为包括沿平行于栅极线121的方向形成的水平遮光构件220a以及沿平行于数据线171的方向形成的垂直遮光构件220b。
参考图1和图10，当形成遮光构件(220a和220b)时，可以一体形成布置在外围区域PA中的遮光层221。
接下来，在像素电极191和遮光构件(220a和220b)上形成牺牲层300。
如图9中所示，开口部分(OPN)沿平行于数据线171的方向形成在牺牲层300中。
在随后的工序中，公共电极270和顶层360可以填充在开口部分(OPN)以形成间隔壁部分(PWP)。
当形成根据当前示例性实施方式的牺牲层300时，可以在外围区域PA的遮光层221上形成间隔壁365。
间隔壁365可以由与牺牲层300相同的材料形成。
牺牲层300可以由光致抗蚀剂材料或者有机材料形成。
参考图11至图13，在牺牲层300上顺次地形成公共电极270和顶层360。
顶层360可以是无机层。
在该情况下，公共电极270和顶层360不仅填充牺牲层300的开口部分(OPN)，而且形成间隔壁部分(PWP)。
在当前示例性实施方式中，顶层360被示出为单个无机层，但是在变化的示例性实施方式中，其可以具有其中具有不同的应力的多个无机层被层叠的结构。
如图13中所示，公共电极270和顶层360可以进一步延伸至外围区域PA，从而覆盖间隔壁365。
参考图14和图15，顶层360和公共电极270可以使用同一掩模进行图案化。
可以使用干蚀刻方法来蚀刻顶层360和公共电极270。
顶层360和公共电极270可被部分地移除以暴露牺牲层300以及形成液晶注入部分307FP。
在该情况下，如图15中所示，分离部分280形成为使公共电极270以及顶层360分离，从而形成公共电极图案270p和顶图案360p。
参考图16至图18，使用O2灰化处理或者湿刻蚀方法，穿过液晶注入部分307FP移除牺牲层300。
在该情况下，形成具有入口307的多个微腔305。
因为牺牲层300被移除，所以微腔305是空的。
在该情况下，如图18中所示，由与牺牲层300相同的材料形成的间隔壁365未被移除而保留，这是因为其被公共电极图案270p和顶图案360p围绕。
在该情况下，可以在显示区域DA的顶层360与间隔壁365之间形成边缘部分500。
边缘部分500可以沿着间隔壁365延伸所朝向的方向延长。
参考图19至图21，经由入口307注入配向材料以在像素电极191和公共电极270上形成配向层11和21。
具体地，在经由入口307注入包括固体的配向材料之后，执行烘烤处理。
可以过度供给配向剂，使得配向剂通过烘烤处理在显示区域DA的边缘部分被均匀地干燥。
例如，当完全填充多个微腔305的容量是100％时，过度供给配向剂的容量可以是120％至300％。
即使非显示区域(PA)(也称作外围区域PA)的边缘部分500，过度供给的配向剂也可以填充。
虽然不存在有意地过度供给，但配向剂可能溢出，将其供给至边缘部分500。
边缘部分500中填充的配向剂因间隔壁365而被阻断流入焊盘部分600。
另外，因为在边缘部分500充分填充配向剂之后执行烘烤处理，所以干燥之后剩余的固体可以均匀分布。
接下来，使用喷墨法等，经由入口307将包括液晶分子310的液晶材料注入微腔305中。
随后，当在顶层360上形成封盖层390以覆盖入口307和液晶注入部分307FP时，可以形成如在图2至图5中所示的LCD。
图22至图26是根据示例性实施方式的LCD的截面图。
在基板110上包括薄膜晶体管Q的构造和包括第一层间绝缘层180a和第二层间绝缘层180b的构造与图3至图5的上述示例性实施方式的那些构造相同。
参考图22和图23，在第二层间绝缘层180b上布置由诸如氮化硅(SiNx)或者氧化硅(SiOx)的无机材料形成的第三层间绝缘层180c。
接触孔185可以形成为穿透第一层间绝缘层180a、第二层间绝缘层180b、和第三层间绝缘层180c。
漏电极175和布置在第三层间绝缘层180c上的像素电极191可以经由接触孔185彼此电气并物理地连接。
在像素电极191上布置了覆盖形成薄膜晶体管Q所在的区域的遮光构件220。根据本示例性实施方式的遮光构件220可以沿栅极线121延伸的方向形成。遮光构件220可以由阻断光的材料形成。
绝缘层181可以形成在遮光构件220上，并且覆盖遮光构件220的绝缘层181可以在像素电极191上延伸。
在像素电极191上形成下配向层11，上配向层21布置为面对下配向层11，并且在下配向层11与上配向层21之间形成微腔305。
公共电极270和下绝缘层350布置在上配向层21上。
下绝缘层350可以由氮化硅(SiNx)或氧化硅(SiOx)形成。
在当前示例性实施方式中，描述了公共电极270形成在微腔305上，但是在另一个示例性实施方式中，公共电极270可以形成在微腔305下方，从而允许根据共面电极(CE)模式驱动液晶。
在当前示例性实施方式中，在下绝缘层350上布置滤色器230。
如图23中所示，在彼此相邻的滤色器当中，具有单色的滤色器230形成间隔壁部分(PWP)。
在水平方向上相邻的微腔305之间布置间隔壁部分(PWP)。
间隔壁部分(PWP)用于填充在水平方向上彼此相邻的微腔305之间的空间。
如图23中所示，间隔壁部分(PWP)形成为完全填充微腔305之间的空间，但是不必局限于此，并且可以修改为部分地填充空间。
间隔壁部分(PWP)可以沿着数据线171延伸所朝向的方向形成。
彼此相邻的滤色器230可以重叠在间隔壁部分(PWP)上。
相邻的滤色器230彼此接触的交界面可以布置为对应于间隔壁部分(PWP)。
在当前示例性实施方式中，滤色器230和间隔壁部分(PWP)用作用于支撑微腔305的顶层，使得微腔305可以保持其形状。
现在，将参考图24和图25详细地描述根据示例性实施方式的滤色器230。
图24是根据示例性实施方式的LCD中的滤色器和间隔壁部分的俯视图。
图25是沿线XXV-XXV截取的图24的截面图。
图24和图25是基于根据示例性实施方式的LCD中的滤色器和间隔壁部分进行描述的示意图，并且在图22和图23中描述的细节可以直接适用于基板110与微腔305之间的组件。
参考图24和图25，根据当前示例性实施方式的滤色器230包括第一滤色器、第二滤色器和第三滤色器。第一滤色器可包括蓝色滤色器(B)，第二滤色器可包括红色滤色器(R)以及第三滤色器可包括绿色滤色器(G)。
根据当前示例性实施方式，间隔壁部分(PWP)由第一滤色器、第二滤色器、和第三滤色器中的任一个形成。
在示例性实施方式中，对应于蓝色滤色器(B)的第一滤色器形成间隔壁部分(PWP)。
蓝色滤色器(B)可包括形成为从对应于像素区域PX的部分延伸的间隔壁部分(PWP)以及布置在红色滤色器(R)与绿色滤色器(G)之间的间隔壁部分(PWP)。
在该情况下，红色滤色器(R)和绿色滤色器(G)同时覆盖相邻的间隔壁部分(PWP)的相反的边缘部分，并且在间隔壁部分(PWP)上可以彼此重叠。
代替蓝色滤色器(B)，可以使用红色滤色器(R)或者绿色滤色器(G)形成间隔壁部分(PWP)。
然而，因为蓝色滤色器(B)比红色滤色器(R)或者绿色滤色器(G)更有效地阻断光，所以如果使用蓝色滤色器(B)形成间隔壁部分(PWP)，可以减小由于外界光导致的反射。
另外，因为蓝色滤色器(B)在阻断光和形成滤色器的光致抗蚀剂的迁移率方面优越，其具有有利的锥角。
因此，当用于形成间隔壁部分(PWP)的滤色器的端部被底切或者形成为以关于垂直角成约大于45度的角度向下放置时，其可以覆盖间隔壁部分(PWP)的侧壁并且允许覆盖在间隔壁部分(PWP)上的滤色器更好地形成。
如图24中所示，滤色器230可以形成为具有类似岛的形状以与像素区域PX对应。
再参考图22和图23，在滤色器230上布置上绝缘层370。
上绝缘层370可以由氮化硅(SiNx)或氧化硅(SiOx)形成。
封盖层390布置在上绝缘层370上。
除了布置在液晶注入部分307FP中之外，封盖层390还覆盖由液晶注入部分307FP暴露的微腔305的入口307。
封盖层390包括有机材料或无机材料。
在该情况下，液晶材料被示出从液晶注入部分307FP移除，但是在注入微腔305内之后，剩余的液晶材料可以存在于液晶注入部分307FP中。
参考图26，在外围区域PA的遮光层221上布置公共电极图案270p和下绝缘图案350p。
在下绝缘图案350p上布置间隔壁365。
间隔壁365可以由与显示区域DA的滤色器230相同的材料形成。
在间隔壁365上布置上绝缘图案370p。
在该情况下，显示区域DA的上绝缘层370和公共电极270分别延伸以形成上绝缘图案370p和公共电极图案270p。
上绝缘图案370p和上绝缘层370由相同的材料形成并形成在相同的层上，公共电极图案270p和公共电极270由相同的材料形成并形成在相同的层上，并且下绝缘图案350p和下绝缘层350可以由相同的材料形成并形成在相同的层上。
封盖层390可以覆盖显示区域DA和外围区域PA。
图27是从图26的示例性实施方式变化的LCD的截面图。
除间隔壁365的结构之外，图27的示例性实施方式与图26中描述的示例性实施方式几乎相同。
参考图27，间隔壁365可包括其中层叠了用于显示不同颜色的滤色器365B、365R和365G的结构。
除了上述的差异之外，在图26中描述的细节可以适用于当前示例性实施方式。
尽管已结合目前被视为实际的示例性实施方式的内容描述了本发明构思，但应当理解的是，本发明构思并不局限于所公开的实施方式，相反，而是旨在涵盖包含在所附权利要求的实质和范围内的各种变型和等同布置。
<符号说明>
300牺牲层305微腔
307入口360顶层
365间隔壁390封盖层

Claims (10)

1.一种液晶显示器，包括：
基板，包括显示区域和外围区域；
薄膜晶体管，布置在所述基板上；
场生成电极，连接至所述薄膜晶体管；
间隔壁，沿着所述外围区域布置；
顶层，面对所述场生成电极；
顶图案，覆盖所述间隔壁；以及
液晶层，布置在所述场生成电极与所述顶层之间，并且形成为包括液晶分子的多个微腔，
其中，所述顶层和所述顶图案由至少一个无机层形成。
2.根据权利要求1所述的液晶显示器，进一步包括：布置在所述基板上的遮光层，
其中，所述遮光层布置在所述外围区域中，并且所述间隔壁布置在所述遮光层上。
3.根据权利要求2所述的液晶显示器，进一步包括：布置在所述多个微腔与所述顶层之间的公共电极以及布置在所述间隔壁与所述顶图案之间的公共电极图案。
4.根据权利要求3所述的液晶显示器，其中，所述间隔壁由有机材料或者光致抗蚀剂形成。
5.根据权利要求4所述的液晶显示器，其中，形成有多个间隔壁。
6.根据权利要求5所述的液晶显示器，其中，所述顶层与所述顶图案被分开。
7.根据权利要求1所述的液晶显示器，其中，所述顶层包括层叠了具有不同应力的第一无机层和第二无机层的结构。
8.根据权利要求7所述的液晶显示器，其中，所述第一无机层具有压缩应力并且所述第二无机层具有拉伸应力。
9.一种液晶显示器，包括：基板，包括显示区域和外围区域；薄膜晶体管，布置在所述基板上；场生成电极，连接至所述薄膜晶体管；顶层，面对所述场生成电极；间隔壁，沿所述外围区域布置；以及液晶层，布置在所述场生成电极与所述顶层之间，并且形成为包括液晶分子的多个微腔，其中，所述顶层和所述间隔壁包括滤色器。
10.根据权利要求9所述的液晶显示器，进一步包括：布置在所述基板上的遮光层，
其中，所述遮光层布置在所述外围区域中，并且所述间隔壁布置在所述遮光层上。
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