JP2016114933A - 液晶表示装置及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】配向液のオーバーフローによるパッド部の不良を防止し、外郭遮光層を保護する、液晶表示装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】本発明の一実施形態による液晶表示装置は、表示領域及び周辺領域を含む基板と、前記基板上に位置する薄膜トランジスタと、前記薄膜トランジスタと接続する画素電極と、前記周辺領域に沿って位置する隔壁と、前記画素電極と対向するルーフ層及び前記隔壁を覆うルーフパターンと、前記画素電極と前記ルーフ層の間に位置して、液晶分子を含む複数のマイクロキャビティで形成される液晶層と、を含み、前記ルーフ層と前記ルーフパターンは少なくとも一つの無機膜で形成される。【選択図】図5
Description
本発明は、液晶表示装置及びその製造方法に関する。
液晶表示装置は、現在、最も幅広く使用されている平板表示装置の一つであって、画素電極と共通電極など電界生成電極が形成されている二枚の表示板と、その間に挿入されている液晶層とからなる。
電界生成電極に電圧を印加して液晶層に電界を生成し、これを通じて液晶層の液晶分子の配向を決定し、入射光の偏光を制御することによって画像を表示する。
液晶表示装置の一つとして、ピクセルに複数のマイクロキャビティ(microcavity)を形成し、ここに液晶を満たしてディスプレイを実現する技術が開発されている。従来の液晶表示装置においては二枚の基板が使用されたが、この技術は一つの基板上に構成要素を形成することによって、装置の重量、厚さなどを減少させることができる。
このようなディスプレイ装置を製造する方法は、液晶分子を整列、配向するために、液晶を注入する段階以前に配向液を注入した後、乾燥させる工程を含む。このとき、パネルの周縁部分で配向液がオーバーフロー(overflow)してパッド部の接触不良を起こすおそれがある。
本発明は、上記の問題点に鑑みてなされたものであり、本発明の目的は、配向液のオーバーフローによるパッド部の不良を防止し、外郭の遮光層を保護する液晶表示装置及びその製造方法を提供することにある。
上記課題を解決するために、本発明の一実施形態による液晶表示装置は、表示領域及び周辺領域を含む基板と、前記基板上に位置する薄膜トランジスタと、前記薄膜トランジスタと接続する画素電極と、前記周辺領域に沿って位置する隔壁と、前記画素電極と対向するルーフ層及び前記隔壁を覆うルーフパターンと、前記画素電極と前記ルーフ層の間に位置して、液晶分子を含む複数のマイクロキャビティにより形成される液晶層と、を含み、前記ルーフ層と前記ルーフパターンは少なくとも一つの無機膜で形成される。
前記基板上に位置する遮光層をさらに含み、前記遮光層は前記周辺領域に位置し、前記隔壁は前記遮光層上に位置してもよい。
前記複数のマイクロキャビティと前記ルーフ層の間に位置する共通電極、及び前記隔壁と前記ルーフパターンの間に位置する共通電極パターンをさらに含んでもよい。
前記隔壁は、有機物質またはフォトレジストで形成されてもよい。
前記隔壁は、複数個形成されてもよい。
前記ルーフ層と前記ルーフパターンは分離されてもよい。
前記ルーフ層は、応力が互いに異なる第1無機膜と第2無機膜が積層された構造を含んでもよい。
前記第1無機膜は圧縮応力(compressive stress)を有し、前記第2無機膜は引張応力(tensile stress)を有してもよい。
前記第1無機膜と前記第2無機膜は交互に積層され、前記ルーフ層は前記第1無機膜と前記第2無機膜を少なくとも一つ以上含んでもよい。
本発明の一実施形態による液晶表示装置の製造方法は、表示領域及び周辺領域を含む基板上に薄膜トランジスタを形成する段階と、前記薄膜トランジスタと接続するように画素電極を形成する段階と、前記表示領域と前記周辺領域に犠牲層を形成する段階と、前記犠牲層上にルーフ層を形成する段階と、前記犠牲層を除去して入口部が形成された複数のマイクロキャビティを形成する段階と、前記複数のマイクロキャビティに液晶分子を注入する段階と、を含み、前記ルーフ層は少なくとも一つの無機膜で形成され、前記周辺領域に形成された前記犠牲層は除去されず隔壁を形成する。
前記隔壁の上にルーフパターンを形成する段階をさらに含み、前記ルーフパターンは前記ルーフ層と同じ物質で形成されてもよい。
前記周辺領域に遮光層を形成する段階をさらに含み、前記遮光層は前記隔壁の下に位置するように形成されてもよい。
前記ルーフ層を形成する段階は、前記犠牲層上に無機膜を形成する段階と、前記無機膜をパターニングして液晶注入部を形成する段階と、を含み、前記無機膜をパターニングする段階で前記ルーフ層と前記ルーフパターンが分離されてもよい。
前記ルーフ層を形成する段階以前に前記犠牲層上に共通電極及び共通電極パターンを形成する段階をさらに含み、前記共通電極パターンは前記遮光層と前記ルーフパターンの間に位置してもよい。
前記ルーフ層を形成する段階は、応力(stress)が互いに異なる第1無機膜と第2無機膜を順次積層することを含んでもよい。
本発明の一実施形態による液晶表示装置は、表示領域及び周辺領域を含む基板と、前記基板上に位置する薄膜トランジスタと、前記薄膜トランジスタと接続する画素電極と、前記画素電極と対向するルーフ層及び前記周辺領域に沿って位置する隔壁と、前記画素電極と前記ルーフ層の間に位置して、液晶分子を含む複数のマイクロキャビティにより形成される液晶層と、を含み、前記ルーフ層及び前記隔壁はカラーフィルタを含む。
前記基板上に位置する遮光層をさらに含み、前記遮光層は前記周辺領域に位置し、前記隔壁は前記遮光層上に位置してもよい。
前記複数のマイクロキャビティと前記ルーフ層の間に位置する下部絶縁層及び共通電極と、前記ルーフ層の上に位置する上部絶縁層と、前記隔壁の下に位置する下部絶縁パターン及び共通電極パターンと、前記隔壁の上に位置する上部絶縁パターンと、をさらに含んでもよい。
前記隔壁は、複数個形成されてもよい。
前記ルーフ層と前記隔壁は分離されてもよい。
本発明の一実施形態によれば、外郭部にダム構造を有する隔壁を形成することによって、配向物質のオーバーフローによってパッド部の不良が発生するのを防止することができる。
また、本発明の一実施形態によれば、外郭の遮光層を覆うパターンが形成されて、遮光層が剥離する不良を防止することができる。
添付した図面を参照しながら、本発明の好ましい実施形態について詳細に説明する。しかし、本発明はここで説明される実施形態に限定されず、他の形態に具体化することもできる。むしろ、ここで紹介される実施形態は、開示された内容が徹底で、かつ完全なものとなるようにし、そして当業者に本発明の思想が十分に伝達されるように提供されるものである。
図面において、層及び領域の厚さは明確性を期するために誇張して示したものである。また、層が他の層または基板“上”にあると表現される場合、それは他の層または基板上に直接形成されるか、またはそれらの間に第3の層が介されることもできる。明細書の全体にわたって同一の参照番号に表示された部分は同一の構成要素を意味する。
図1は、本発明の一実施形態による液晶表示装置を示した平面図である。図2は、図1における複数の画素のうちの一部分を示した平面図である。図3は、図2の切断線III−IIIに沿った断面図である。図4は、図2の切断線IV−IVに沿った断面図である。図5は、図1の切断線V−Vに沿った断面図である。
最初に、図1を参照すれば、本実施形態による液晶表示装置は、表示領域DAと周辺領域PAを含み、図1に示したように、表示領域DAは点線で表示した四角形の内側部分を示し、周辺領域PAは点線で表示した四角形の外側部分を示す。表示領域DAは実際イメージを出力する領域であり、周辺領域PAはパッド部600または駆動部が位置してもよい。実際に、図1のパッド部600において、パッドは周辺領域PAのいずれか一辺または互いに対向しない二つの辺に位置してもよい。
表示領域DAには複数の画素PXが位置し、周辺領域PAには光漏れが生じうる部分を覆う遮光層221が位置する。遮光層221は、表示領域DAの外郭で表示領域DAを取り囲むように形成されてもよい。遮光層221は、表示領域DAに位置する遮光部材と同じ層、同じ物質で形成されてもよい。遮光層221は、外部光が反射して視認されることを遮断する役割を果たすことができる。遮光層221と重なる部分に隔壁365が位置してもよい。
しかし、本実施形態に限定されず、図1に示したこととは異なって、隔壁365は周辺領域PAの一辺または周辺領域PAの二辺または周辺領域PAの三辺に沿って位置してもよい。
図2乃至図4を参照して、表示領域DAに位置した画素PXに対して具体的に説明する。図2は、図1における複数の画素のうちの一部分である2×2画素部分TPを示し、本発明の一実施形態による液晶表示装置において、このような2×2画素部分が上下左右に反復配列されてもよい。
図2乃至図4を参照すれば、透明なガラスまたはプラスチックなどからなる基板110の上にゲート線121及び維持電極線131が形成されている。ゲート線121はゲート電極124を含む。維持電極線131は、主に横方向に延在し、共通電圧Vcomなどの定められた電圧を伝達する。維持電極線131は、ゲート線121aと実質的に垂直に延在した一対の縦部135a、及び一対の縦部135aの端部を互いに接続する横部135bを含む。維持電極135a、135bは画素電極191を取り囲む構造を有する。
ゲート線121及び維持電極線131の上にゲート絶縁膜140が形成されている。ゲート絶縁膜140の上には、データ線171の下部に位置する半導体層151、ソース/ドレイン電極の下部及び薄膜トランジスタQのチャネル部分に位置する半導体層154が形成されている。
各半導体層151、154の上部でありながら、データ線171、ソース/ドレイン電極の間には複数のオーミックコンタクト部材が形成されてもよいが、図面には省略されている。
各半導体層151、154及びゲート絶縁膜140の上に、ソース電極173、ソース電極173と接続するデータ線171、及びドレイン電極175を含むデータ導電体171、173、175が形成されている。
ゲート電極124、ソース電極173、及びドレイン電極175は半導体層154と共に薄膜トランジスタQを形成し、薄膜トランジスタQのチャネルは、ソース電極173とドレイン電極175の間の半導体層部分154に形成される。
データ導電体171、173、175、ソース電極173、及びドレイン電極175によって覆われずに露出した半導体層154部分の上には、第1層間絶縁膜180aが形成されている。第1層間絶縁膜180aは、シリコン窒化物(SiNx)とシリコン酸化物(SiOx)などの無機物質を含んでもよい。
第1層間絶縁膜180aの上にはカラーフィルタ230が形成されている。
カラーフィルタ230は赤色、緑色、及び青色の三原色など原色(primary color)のうちの一つを表示することができる。しかし、赤色、緑色、及び青色の三原色に制限されず、青緑色(cyan)、紫紅色(magenta)、イエロー(yellow)、ホワイト系の色のうちの一つを表示してもよい。カラーフィルタ230は、隣接する画素ごとに、互いに異なる色を表示する物質で形成されてもよい。
カラーフィルタ230及び第1層間絶縁膜180aの上には、これを覆う第2層間絶縁膜180bが形成されている。第2層間絶縁膜180bは有機物質で形成され、段差を減らしたり除去することができる。
カラーフィルタ230及び層間絶縁膜180a、180bにはドレイン電極175を露出するコンタクトホール185が形成されている。ドレイン電極175は、コンタクトホール185を通じて第2層間絶縁膜180bの上に位置する画素電極191と電気的、物理的に接続されてもよい。以下、画素電極191について具体的に説明する。
画素電極191は、ITOまたはIZOなどの透明な導電物質で形成されてもよい。
画素電極191は、全体的な形状が四角形であり、横幹部191a及びこれと交差する縦幹部191bからなる十字状幹部を含む。また、横幹部191aと縦幹部191bによって四つの副領域に分かれ、各副領域は複数の微細枝部191cを含む。また、本実施形態において画素電極191の左右外郭で微細枝部191cを接続する外郭幹部191dをさらに含んでもよい。本実施形態において外郭幹部191dは画素電極191の左右外郭に位置するが、画素電極191の上部または下部まで延長されて位置してもよい。
画素電極191の微細枝部191cは、ゲート線121または横幹部とほぼ40°乃至45°の角をなす。また、隣接する二つの副領域の微細枝部は互いに直交してもよい。また、微細枝部の幅は次第に広くなるか、または微細枝部191c間の間隔が異なってもよい。
画素電極191は、縦幹部191bの下端で接続され、縦幹部191bより広い面積を有する延長部197を含み、延長部197でコンタクトホール185を通じてドレイン電極175と物理的、電気的に接続されており、ドレイン電極175からデータ電圧の印加を受ける。
上述した薄膜トランジスタQ及び画素電極191に関する説明は一例であり、側面視認性を向上させるために薄膜トランジスタ構造及び画素電極のデザインを変更してもよい。一例として、抵抗分配により領域別に発生する電圧差等効果を利用して視認性を向上させることができるRD−TFT構造を形成してもよい。
画素電極191の上に薄膜トランジスタQが形成される領域及びデータ線171を覆うように遮光部材220が位置する。遮光部材220は、画像を表示する領域に対応する開口部を有する格子構造になっており、光が透過できない物質から形成されている。遮光部材220の開口部に対応してカラーフィルタ230が位置してもよい。遮光部材220は、ゲート線121と平行な方向に沿って形成された横遮光部材220a、及びデータ線171と平行な方向に沿って形成された縦遮光部材220bを含む。
画素電極191の上には下部配向膜11が形成されており、下部配向膜11は垂直配向膜であってもよい。下部配向膜11は、ポリシロキサン(Polysiloxane)またはポリイミド(Polyimide)等の液晶配向膜であって、一般に使用される物質のうちの少なくとも一つを含んで形成されてもよい。また、下部配向膜11は光配向膜であってもよい。
下部配向膜11と対向する部分に上部配向膜21が位置し、下部配向膜11と上部配向膜21の間には複数のマイクロキャビティ305が形成されている。マイクロキャビティ305には液晶分子310を含む液晶物質が注入されており、マイクロキャビティ305は入口部307を有する。マイクロキャビティ305は画素電極191の列方向、言い換えると縦方向に沿って形成されてもよい。本実施形態において、配向膜11、21を形成する配向物質と、液晶分子310を含む液晶物質は、毛管力(capillary force)を利用してマイクロキャビティ305に注入される。本実施形態で下部配向膜11と上部配向膜21は位置により区分されるだけであり、図4に示したように互いに接続されてもよい。下部配向膜11と上部配向膜21は同時に形成されてもよい。
マイクロキャビティ305は、ゲート線121と重なる部分に位置する複数の液晶注入部307FPにより縦方向に分かれることによって、複数のマイクロキャビティ305を形成する。このとき、複数のマイクロキャビティ305は画素電極191の列方向、言い換えると縦方向に沿って形成されてもよい。また、後述する隔壁部PWPによりマイクロキャビティ305は横方向に分かれることによって、複数のマイクロキャビティ305を形成し、複数のマイクロキャビティ305は画素電極191の行方向、言い換えるとゲート線121が延在している横方向に沿って形成されてもよい。複数個形成されたマイクロキャビティ305それぞれは、画素領域一つまたは二つ以上に対応してもよく、画素領域は画面を表示する領域に対応してもよい。
液晶注入部307FPは、共通電極270及びルーフ層360等が除去されている空の空間であってもよい。液晶注入部307FPは、配向膜11、21及び液晶分子310を含む液晶物質を注入した後には、後述するキャッピング層390により覆われてもよい。
液晶注入部307FPは、配向物質または液晶物質が満たされて、入口部307を通じてマイクロキャビティ305に配向物質または液晶物質が注入される通路になってもよい。
上部配向膜21の上には共通電極270が位置する。共通電極270は共通電圧の印加を受け、データ電圧が印加された画素電極191と共に電界を生成して、二つの電極間のマイクロキャビティ305に位置する液晶分子310が傾く方向を決定する。共通電極270は、ITOまたはIZOなどの透明な導電物質で形成されてもよい。共通電極270は、画素電極191とキャパシタを構成して、薄膜トランジスタがターンオフ(turn−off)された後にも印加された電圧を維持する。
本実施形態では共通電極270がマイクロキャビティ305の上に形成されると説明したが、他の実施形態として、共通電極270がマイクロキャビティ305の下部に形成されて、水平電界モードによる液晶駆動も可能である。
本実施形態で、ルーフ層360は、シリコン窒化物(SiNx)またはシリコン酸化物(SiOx)のような無機物質で形成された無機絶縁層である。ルーフ層360は、画素電極191と共通電極270の間に形成されたマイクロキャビティ305がその形状を維持するように、マイクロキャビティ305の構造を支持する役割を果たす。マイクロキャビティ305の構造を支持するために、本実施形態で無機膜のみで形成されたルーフ層360は約4000オングストローム(Å)以上の厚さに形成してもよく、さらに好ましくは6000オングストローム(Å)以上、12000オングストローム(Å)以下の厚さに形成してもよい。本発明の一実施形態によれば、従来とは異なって、有機膜なしに無機膜のみでルーフ層360を形成することによって、工程を単純化することができる。
本実施形態で、ルーフ層360は、液晶注入部307FPから除去された部分を除いて、基板110上に全面的に位置してもよい。
ルーフ層360の上にキャッピング層390が位置する。キャッピング層390は有機物質または無機物質を含む。本実施形態で、キャッピング層390は無機膜のみで形成されたルーフ層360の上部面と接触してもよい。キャッピング層390は、ルーフ層360の上部だけでなく、液晶注入部307FPに位置してもよい。このとき、液晶注入部307FPによって露出したマイクロキャビティ305の入口部307を覆ってもよい。本実施形態では液晶注入部307FPから液晶物質が除去された態様を示したが、マイクロキャビティ305に注入された後に残った液晶物質が液晶注入部307FPに残存することもある。
本実施形態では図4に示したように、横方向に隣接するマイクロキャビティ305の間に隔壁部PWPが形成されている。隔壁部PWPは、横方向に隣接するマイクロキャビティ305の離隔空間を満たす部分である。図4に示したように、隔壁部PWPはマイクロキャビティ305の離隔空間を完全に満たす構造に形成されているが、必ずしもこれに限定されることではなく、離隔空間の一部を満たす構造に変更して実施することも可能である。隔壁部PWPは、データ線171が延在している方向に沿って形成されてもよい。
本実施形態では、マイクロキャビティ305の間に隔壁部PWPのような隔壁構造があるため、絶縁基板110が曲がっても発生するストレスが少なく、セルギャップ(Cell Gap)が変動する程度を著しく減少することができる。
以下、図1及び図5を参照して、本発明の一実施形態による周辺領域PAの構造的な特徴について説明する。
図1及び図5を参照すれば、表示領域DAの周縁に位置する画素PXに隣接した周辺領域PAには枠部500が形成されている。枠部500は、表示領域DAの最外郭の画素PXと周辺領域PAの遮光層221の間の空間に対応する。
本実施形態で、周辺領域PAに位置する遮光層221の上に隔壁365が位置する。隔壁365は周辺領域PAの一辺に沿って線状に形成されてもよい。隔壁365は、マイクロキャビティ305を形成するために形成された犠牲層が除去された後、周辺領域PAに残っている構造物である。
配向液を注入した後乾燥させるとき、液晶表示装置パネルの位置によって乾燥特性が異なり、特に表示領域DAの周縁部分で乾燥の不均一が発生する。例えば、表示領域DAの中央より表示領域DAの周縁でさらに早く乾燥されうる。したがって、配向液の不均一な乾燥のため、光漏れを誘発する可能性がある。このような問題を解決するために、配向液を過剰供給してもよい。これによって、配向液が均一に拡散して光漏れが防止できる。
このとき、図5に示した枠部500に配向液が供給されうる。枠部500に過剰供給された配向液がパッド部600に影響を与えて、モジュールの安定性を落とすことがある。意図的に過剰供給しなくても、配向液がオーバーフローして枠部500に配向液が供給されうる。
しかし、本実施形態ではパッド部600と枠部500の間に隔壁365が形成されているので、過剰供給またはオーバーフローした配向液にもかかわらず、パッド部600の安定性を確保することができる。また、枠部500で気化(evaporation)した後残った固形分が均一に分布して、枠部500で視認されうる光漏れも防止できる。
周辺領域PAの隔壁365の上に共通電極パターン270pとルーフパターン360pが位置する。ここで、共通電極パターン270pとルーフパターン360pは、表示領域DAの共通電極270とルーフ層360が延長された形態である。共通電極パターン270pと共通電極270は同じ物質及び同じ層に形成され、ルーフパターン360pとルーフ層360は同じ物質及び同じ層に形成されてもよい。
キャッピング層390は表示領域DAと周辺領域PAを覆ってもよい。
図6は、図5の実施形態を変形した液晶表示装置を示した断面図である。
図6で説明しようとする実施形態は、図5を参照して説明した実施形態と大部分同一であるが、隔壁構造に差がある。
図6を参照すれば、本実施形態で隔壁365が複数個形成されてもよい。このように複数の隔壁365を形成する場合に、過剰供給またはオーバーフローした配向物質がパッド部600に及ぼす影響を著しく減少させることができる。
上述した差異点以外に、図5で説明した内容は本実施形態に適用できる。
図7は、図3の実施形態を変形した液晶表示装置を示した断面図である。
図7で説明する実施形態は、図3を参照して説明した実施形態と大部分同一であるが、ルーフ層360の構造に差がある。
図7を参照すれば、本発明の一実施形態によるルーフ層は、第1無機膜360a、及び第1無機膜360aの上に位置する第2無機膜360bを含んでもよい。第1無機膜360aと第2無機膜360bは応力が互いに異なってもよい。例えば、第1無機膜360aは圧縮応力を有し、第2無機膜360bは引張応力を有してもよい。これとは異なり、第1無機膜360aは引張応力を有し、第2無機膜360bは圧縮応力を有してもよい。本実施形態のように、ルーフ層360を互いに異なる応力特性を有する無機膜を積層して形成することによって、ルーフ層360の応力を制御することができる。これによって、ルーフ層の変形を最小化することができる。
追加的な実施形態として、ルーフ層360が、第1無機膜360a、第2無機膜360b、及び第3無機膜(図示せず)が順次積層されて位置してもよい。このとき、第1無機膜360aは圧縮応力を有し、第2無機膜360bは引張応力を有し、第3無機膜360cは圧縮応力を有してもよい。これとは異なり、第1無機膜360aは引張応力を有し、第2無機膜360bは圧縮応力を有し、第3無機膜360cは引張応力を有してもよい。第1無機膜360a、第2無機膜360b、及び第3無機膜360cは酸化ケイ素または窒化ケイ素などで形成してもよい。ここで、ルーフ層360が3重膜構造であることを例示したが、これに限定されず、互いに異なる応力を有する無機膜が交互に積層されてルーフ層360が形成されてもよい。
以下、図8乃至図21を参照して、上述した液晶表示装置を製造する方法に対する一実施形態について説明する。下記の実施形態は製造方法の一実施形態であり、他の形態に変更しても実施可能である。
図8乃至図21は、本発明の一実施形態による液晶表示装置の製造方法を示した断面図である。図8、図11、図14、図16、図19は、図2の切断線III−IIIに沿った断面図を順に示したものである。図9、図12、図17、図20は、図2の切断線IV−IVに沿った断面図を順に示したものである。図10、図13、図15、図18、図21は、図1の切断線V−Vに沿った断面図を順に示したものである。
図2、図8及び図9を参照すれば、基板110の上に一般に知られたスイッチング素子を形成するために、横方向に延在しているゲート線121、ゲート線121の上にゲート絶縁膜140を形成し、ゲート絶縁膜140の上に半導体層151、154を形成し、ソース電極173及びドレイン電極175を形成する。このとき、ソース電極173と接続されたデータ線171はゲート線121と交差して、縦方向に延在するように形成してもよい。
ソース電極173、ドレイン電極175及びデータ線171を含むデータ導電体171、173、175と、露出した半導体層154部分の上には、第1層間絶縁膜180aを形成する。
第1層間絶縁膜180aの上に画素領域に対応する位置にカラーフィルタ230を形成する。
カラーフィルタ230及び第1層間絶縁膜180aの上に第2層間絶縁膜180bを形成する。第1層間絶縁膜180aと第2層間絶縁膜180bを貫くコンタクトホール185を形成する。
第2層間絶縁膜180bの上に画素電極191を形成し、画素電極191とドレイン電極175がコンタクトホール185を通じて電気的、物理的に接続するようにする。
画素電極191及び第2層間絶縁膜180bの上に遮光部材220を形成する。遮光部材220は、画像を表示する領域に対応する開口部を有する格子構造に形成する。換言すると、遮光部材220は、カラーフィルタ230が配置された領域を開口するように、格子状に形成する。遮光部材220は光が透過できない物質で形成する。遮光部材220は、ゲート線121と平行な方向に沿って形成された横遮光部材220a、及びデータ線171と平行な方向に沿って形成された縦遮光部材220bを含むように形成してもよい。図1及び図10を参照すれば、遮光部材220を形成するとき、周辺領域PAに位置する遮光層221を共に形成してもよい。
次に、画素電極191及び遮光部材220の上に犠牲層300を形成する。犠牲層300には、図9に示したように、データ線171と平行な方向に沿ってオープン部OPNが形成されている。オープン部OPNには、以後の工程で共通電極270及びルーフ層360が満たされて隔壁部PWPが形成されてもよい。本実施形態による犠牲層300を形成するとき、周辺領域PAの遮光層221の上に隔壁365を形成してもよい。隔壁365は犠牲層300と同じ物質で形成してもよい。犠牲層300はフォトレジスト物質または有機物質で形成してもよい。
図11乃至図13を参照すれば、犠牲層300の上に共通電極270及びルーフ層360を順次に形成する。ルーフ層360は無機膜であってもよい。このとき、共通電極270及びルーフ層360は縦遮光部材220bのオープン部OPNを満たしながら隔壁部PWPを形成する。本実施形態でルーフ層360は単一の無機膜と示したが、変形実施形態として、応力が互いに異なる複数の無機膜を積層した構造であってもよい。
図13に示したように、共通電極270及びルーフ層360は、周辺領域PAまで延長されて隔壁365を覆ってもよい。
図14及び図15を参照すれば、同一のマスクを用いてルーフ層360及び共通電極270をパターニングすることができる。ルーフ層360及び共通電極270はドライエッチング方法によりエッチングされてもよい。ルーフ層360及び共通電極270が部分的に除去されることによって、液晶注入部307FPを形成し、犠牲層300を露出することができる。このとき、図15に示したように、周辺領域PAでは分離部280が形成されて、共通電極270及びルーフ層360が分離され、共通電極パターン270p及びルーフパターン360pが形成される。
図16乃至図18を参照すれば、液晶注入部307FPを通じて犠牲層300を酸素(O2)アッシング(Ashing)処理またはウェットエッチング法などにより除去する。このとき、入口部307を有する複数のマイクロキャビティ305が形成される。マイクロキャビティ305は犠牲層300が除去されて空の空間の状態である。このとき、図18に示したように、犠牲層300と同じ物質の隔壁365は、共通電極パターン270p及びルーフパターン360pにより取り囲まれているので、除去されずに残りうる。ここで、隔壁365と表示領域DAのルーフ層360の間に枠部500が形成されてもよい。枠部500は、隔壁365が延在している方向に沿って長く形成されてもよい。
図19乃至図21を参照すれば、入口部307を通じて配向物質を注入して画素電極191の上及び共通電極270の下に配向膜11、21を形成する。具体的に、入口部307を通じて固形分と溶媒を含む配向物質を注入した後、ベーク工程を行う。表示領域DAの周縁部分でもベーク工程を通して配向液の乾燥が均一に行われるように配向液を十分に過剰供給してもよい。例えば、複数のマイクロキャビティ305を完全に満たす容量を100%とするとき、過剰供給する配向液の容量は120%乃至300%であってもよい。過剰供給された配向液は、非表示領域PAの枠部500まで満たしてもよい。意図的に過剰供給しなくても、配向液がオーバーフローして枠部500に配向液が供給されうる。
枠部500に満たされた配向液は隔壁365により遮断されて、パッド部600への流入が遮断される。また、枠部500においても十分に配向液が満たされた状態でベーク工程が進められるので、乾燥後残った固形分が均一に分布することができる。
次に、入口部307を通じてマイクロキャビティ305にインクジェット方法などを用いて液晶分子310を含む液晶物質を注入する。
その後、ルーフ層360の上に入口部307及び液晶注入部307FPを覆うようにキャッピング層390を形成すれば、図2乃至図5に示したような液晶表示装置を形成することができる。
図22乃至図26は、本発明の一実施形態による液晶表示装置を示した断面図である。
基板110の上に薄膜トランジスタQを含む構成及び第1層間絶縁膜180a及び第2層間絶縁膜180bを含む構成は、上述した図3乃至図5の実施形態と同一である。
図22及び図23を参照すれば、第2層間絶縁膜180bの上にシリコン窒化物(SiNx)とシリコン酸化物(SiOx)などの無機物質で形成された第3層間絶縁膜180c位置する。第1層間絶縁膜180a、第2層間絶縁膜180b、及び第3層間絶縁膜180cを貫いてコンタクトホール185が形成されてもよい。コンタクトホール185を通じてドレイン電極175と第3層間絶縁膜180cの上に位置する画素電極191が電気的、物理的に接続されてもよい。
薄膜トランジスタQが形成される領域を覆うために、遮光部材220は画素電極191の上に位置してもよい。遮光部材220は、ゲート線121が延在する方向に沿って形成されてもよい。遮光部材220は光を遮断する物質で形成されてもよい。
絶縁膜181は遮光部材220の上に形成されてもよく、遮光部材220を覆う絶縁膜181は画素電極191の上に延長されてもよい。
画素電極191の上には下部配向膜11が形成されており、下部配向膜11と対向する部分に上部配向膜21が位置し、下部配向膜11と上部配向膜21の間にはマイクロキャビティ305が形成されている。上部配向膜21の上には共通電極270、下部絶縁層350が位置する。下部絶縁層350はシリコン窒化物(SiNx)またはシリコン酸化物(SiOx)で形成されてもよい。
本実施形態では、共通電極270がマイクロキャビティ305の上端部に形成される態様を説明したが、他の実施形態として、共通電極270がマイクロキャビティ305の下部に形成されて、水平電界モードによる液晶駆動も可能である。
本実施形態では下部絶縁層350の上にカラーフィルタ230が位置する。図3に示したように、互いに隣接するカラーフィルタのうち、一つの色のカラーフィルタ230は隔壁部PWPを形成する。隔壁部PWPは、横方向に隣接するマイクロキャビティ305の間に位置する。隔壁部PWPは、横方向に隣接するマイクロキャビティ305の離隔空間を満たす部分である。図23に示したように、隔壁部PWPは、マイクロキャビティ305の離隔空間を完全に満たす構造に形成されているが、必ずしもこれに限定されることではなく、離隔空間の一部を満たす構造に変更して実施してもよい。隔壁部PWPは、データ線171が延在している方向に沿って形成されてもよい。
隔壁部PWPの上で互いに隣接するカラーフィルタ230は重なってもよい。互いに隣接するカラーフィルタ230が接触する境界面は、隔壁部PWP対応する部分に位置してもよい。
本実施形態で、カラーフィルタ230及び隔壁部PWPは、マイクロキャビティ305がその形状を維持するように支持するルーフ層の役割を果たす。
以下、図24及び図25を参照して、本発明の一実施形態によるカラーフィルタ230について詳細に説明する。
図24は、本発明の一実施形態による液晶表示装置においてカラーフィルタ及び隔壁部を示した平面図である。図25は、図24の切断線XXV−XXVに沿った断面図である。図24及び図25は、本発明の一実施形態による液晶表示装置においてカラーフィルタ及び隔壁部を中心に説明するために概略的に示した図面であり、基板110とマイクロキャビティ305の間の構成要素は、図22及び図23で説明した内容がそのまま適用できる。
図24及び図25を参照すれば、本実施形態によるカラーフィルタ230は、第1カラーフィルタ、第2カラーフィルタ、及び第3カラーフィルタを含み、第1カラーフィルタは青色カラーフィルタB、第2カラーフィルタは赤色カラーフィルタR、第3カラーフィルタは緑色カラーフィルタGを含んでもよい。
本実施形態によれば、隔壁部PWPは第1カラーフィルタ、第2カラーフィルタ、及び第3カラーフィルタのいずれか一つのカラーフィルタによって形成される。本発明の一実施形態で青色カラーフィルタBに該当する第1カラーフィルタが隔壁部PWPを形成する。青色カラーフィルタBは、画素領域PXに対応する部分から延長されて形成された隔壁部PWPと、赤色カラーフィルタRと緑色カラーフィルタGの間に位置する隔壁部PWとを含んでもよい。このとき、赤色カラーフィルタRと緑色カラーフィルタGは同時に、隣接した隔壁部PWPの互いに反対になる周縁部分を覆い、隔壁部PWPの上で互いに重なってもよい。
青色カラーフィルタBの代わりに、赤色カラーフィルタRまたは緑色カラーフィルタGで隔壁部PWPを形成することも可能である。しかし、青色カラーフィルタBが赤色カラーフィルタRまたは緑色カラーフィルタGに比べて、光を遮断する効果が大きいため、青色カラーフィルタBで隔壁部PWPを形成するようになれば、外部光による光の反射を減らすことができるという長所がある。それだけでなく、青色カラーフィルタBは光遮断の役割及びカラーフィルタの成分であるフォトレジストの流動性に優れて、テーパ角(taper angle)が良好である。したがって、隔壁部PWPを形成するカラーフィルタの端部形状にアンダーカットが発生したり、垂直の場合より約45°以上の角度で傾いて形成されれば、隔壁部PWPの側壁を覆いながら隔壁部PWPの上に塗布されるカラーフィルタが良好に形成できる。
図24に示したように、カラーフィルタ230は画素領域PXに対応するように島状に形成されてもよい。
図22及び図23をさらに参照すれば、カラーフィルタ230の上に上部絶縁層370が位置する。上部絶縁層370は、シリコン窒化物(SiNx)またはシリコン酸化物(Six)で形成されてもよい。
図22及び図23をさらに参照すれば、カラーフィルタ230の上に上部絶縁層370が位置する。上部絶縁層370は、シリコン窒化物(SiNx)またはシリコン酸化物(Six)で形成されてもよい。
上部絶縁層370の上にキャッピング層390が位置する。キャッピング層390は液晶注入部307FPにも位置し、液晶注入部307FPにより露出したマイクロキャビティ305の入口部307を覆う。キャッピング層390は有機物質または無機物質を含む。ここで、液晶注入部307FPから液晶物質が除去された態様を示したが、マイクロキャビティ305に注入された後残った液晶物質が液晶注入部307FPに残存することもある。
図26を参照すれば、周辺領域PAの遮光層221の上に共通電極パターン270p、及び下部絶縁パターン350pが位置する。下部絶縁パターン350pの上に隔壁365が位置する。隔壁365は、表示領域DAのカラーフィルタ230と同じ物質で形成されてもよい。隔壁365の上に上部絶縁パターン370pが位置する。ここで、共通電極パターン270pと上部絶縁パターン370pは、表示領域DAの上部絶縁層370pが延長された形態である。上部絶縁パターン370pと上部絶縁層370は同じ物質及び同じ層に形成され、共通電極パターン270pと共通電極270は同じ物質及び同じ層に形成され、下部絶縁パターン350pと下部絶縁層350は同じ物質及び同じ層に形成されてもよい。
キャッピング層390は表示領域DAと周辺領域PAを覆ってもよい。
図27は、図26の実施形態を変形した液晶表示装置を示した断面図である。
図27の実施形態は図26で説明した実施形態と大部分同一であり、隔壁365の構造に差がある。
図27を参照すれば、隔壁365は互いに異なる色を表示するカラーフィルタが積層された構造365B、365R、365Gを含んでもよい。
上述した差異点以外に、図26で説明した内容は本実施形態に適用可能である。
以上、本発明の好ましい実施形態について詳細に説明したが、本発明の権利範囲はこれに限定されず、特許請求の範囲で定義している本発明の基本概念を利用した当業者の種々の変形及び改良形態も本発明の権利範囲に属するものである。
300 犠牲層
305 マイクロキャビティ
307 液晶注入口
360 ルーフ層
365 隔壁
390 キャッピング層
305 マイクロキャビティ
307 液晶注入口
360 ルーフ層
365 隔壁
390 キャッピング層
Claims (10)
- 表示領域及び周辺領域を含む基板と、
前記基板上に位置する薄膜トランジスタと、
前記薄膜トランジスタと接続する画素電極と、
前記周辺領域に沿って位置する隔壁と、
前記画素電極と対向するルーフ層及び前記隔壁を覆うルーフパターンと、
前記画素電極と前記ルーフ層の間に位置して、液晶分子を含む複数のマイクロキャビティ(Microcavity)で形成される液晶層と、を含み、
前記ルーフ層と前記ルーフパターンは少なくとも一つの無機膜で形成される、液晶表示装置。 - 前記基板上に位置する遮光層をさらに含み、
前記遮光層は前記周辺領域に位置し、前記隔壁は前記遮光層上に位置する、請求項1に記載の液晶表示装置。 - 前記複数のマイクロキャビティと前記ルーフ層の間に位置する共通電極と、
前記隔壁と前記ルーフパターンの間に位置する共通電極パターンをさらに含む、請求項2に記載の液晶表示装置。 - 前記隔壁は、有機物質またはフォトレジストで形成される、請求項3に記載の液晶表示装置。
- 前記隔壁は複数個形成される、請求項4に記載の液晶表示装置。
- 前記ルーフ層と前記ルーフパターンは分離されている、請求項5に記載の液晶表示装置。
- 前記ルーフ層は、応力が互いに異なる第1無機膜と第2無機膜が積層された構造を含む、請求項1に記載の液晶表示装置。
- 前記第1無機膜は圧縮応力(compressive stress)を有し、前記第2無機膜は引張応力(tensile stress )を有する、請求項7に記載の液晶表示装置。
- 表示領域及び周辺領域を含む基板と、
前記基板上に位置する薄膜トランジスタと、
前記薄膜トランジスタと接続する画素電極と、
前記画素電極と対向するルーフ層及び前記周辺領域に沿って位置する隔壁と、
前記画素電極と前記ルーフ層の間に位置して、液晶分子を含む複数のマイクロキャビティで形成される液晶層と、を含み、
前記ルーフ層及び前記隔壁はカラーフィルタを含む、液晶表示装置。 - 前記基板上に位置する遮光層をさらに含み、
前記遮光層は前記周辺領域に位置し、前記隔壁は前記遮光層上に位置する、請求項9に記載の液晶表示装置。
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