CN107026177B - 一种coa基板及其制备方法、显示装置 - Google Patents

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Abstract

本发明实施例提供一种COA基板及其制备方法、显示装置，涉及显示技术领域，可确保连接图案与信号线引线接触，且避免增加生产成本。所公开的COA基板包括依次设置的第一导电层、绝缘层、第二导电层、平坦层以及连接图案；第一导电层包括位于布线区的信号线引线；绝缘层位于布线区的部分具有第一过孔，以露出信号线引线；第二导电层包括位于布线区的第一金属图案和位于显示区的第二金属图案，第一金属图案具有第二过孔；平坦层位于布线区的部分具有镂空区域，第二过孔至少部分位于镂空区域内，且第二过孔位于镂空区域部分的边界在衬底基板上的投影与第一过孔的边界在衬底基板上的投影重叠；连接图案位于布线区，连接图案穿过第一过孔和第二过孔与信号线引线连接。

Description

一种COA基板及其制备方法、显示装置
技术领域
本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种COA基板及其制备方法、显示装置。
背景技术
COA（Color Filter on Array）基板是指将彩色膜层直接制备在阵列基板上。由于采用COA基板的显示面板不存在彩膜基板与阵列基板对位的问题，因而可以降低显示面板制作过程中的对盒难度，避免了对盒时的误差，因此黑矩阵可以设计的更窄，从而提高了像素开口率。
然而，由于彩色膜层制备在阵列基板上，因而会造成阵列基板表面断差较大，这样可能会影响后续工艺的制备，现有技术中通过增加一层平坦层，平坦层例如可以为有机膜层（Organic，简称ORG）来消除断差。但是，COA基板上还需要设置与信号线引线（例如：栅线引线、数据线引线等）电连接的连接图案（包含PIN图案，也称为引脚图案），连接图案通常位于COA基板的最上层，以便和设置在COA基板上的外接芯片绑定（例如通过压合等方式），将外接芯片和信号线引线电连接；当增加一层平坦层后，由于平坦层较厚（一般为10000~30000埃），因而如图1所示，形成在平坦层30上连接图案40通过平坦层30和绝缘层20上的过孔与信号线引线10相连时，会导致连接图案40与信号线引线10接触不良。为了解决该问题，一般是将布线区（Pad区）的部分平坦层30去除。
现有技术中，如图2（a）和图2（b）所示，利用第一掩膜板在布线区的平坦层30上形成镂空区域301，利用第二掩膜板在绝缘层20位于布线区的部分上形成过孔201，利用第三掩膜板在显示区形成金属图案，其中过孔201的边界在衬底基板上的正投影位于镂空区域301的边界在衬底基板上的正投影内，连接图案40穿过镂空区域301和绝缘层20上的过孔201与布线区的信号线引线10相连接。然而，这样虽然可以使连接图案40与信号线引线10充分接触，但是由于现有技术中对绝缘层20不进行构图，若要在绝缘层20位于布线区的部分形成过孔201，则需要额外增加了一张第二掩膜板，因而会导致成本增加。
发明内容
本发明的实施例提供一种COA基板及其制备方法、显示装置，既可确保连接图案与信号线引线充分接触，又避免了增加生产成本。
为达到上述目的，本发明的实施例采用如下技术方案：
第一方面，提供一种COA基板，包括显示区和布线区，依次在衬底基板上包括设置有第一导电层、绝缘层、第二导电层、平坦层以及连接图案；所述第一导电层包括：位于所述布线区的信号线引线；所述绝缘层位于所述布线区的部分具有第一过孔，以露出所述信号线引线；所述第二导电层包括：位于所述布线区的第一金属图案和位于所述显示区的第二金属图案，所述第一金属图案具有第二过孔；所述平坦层位于所述布线区的部分具有镂空区域，所述第二过孔至少部分位于所述镂空区域内，且所述第二过孔位于镂空区域部分的边界在衬底基板上的正投影与所述第一过孔的边界在所述衬底基板上的正投影至少部分重叠；所述连接图案位于所述布线区，所述连接图案穿过所述镂空区域、所述第一过孔和所述第二过孔与所述信号线引线连接。
优选的，沿垂直于所述衬底基板的方向，所述第一金属图案与所述平坦层具有重叠区域；所述第二过孔的边界在所述衬底基板上的正投影被所述镂空区域的边界在所述衬底基板上的正投影包围。
优选的，所述第一金属图案在衬底基板上的投影覆盖所述信号线引线中与镂空区域对应的部分在衬底基板上的投影，且所述第一金属图案的两端沿所述信号线引线的延伸方向延伸至与所述平坦层具有重叠区域。
优选的，所述平坦层的材料与所述绝缘层的材料相同。
优选的，所述信号线引线为数据线引线或栅线引线。
优选的，所述COA基板还包括位于所述显示区的薄膜晶体管；所述薄膜晶体管包括源极、漏极、有源层、栅极以及栅绝缘图案；所述第二金属图案为所述源极和所述漏极；或者，所述第二金属图案为所述栅极。
进一步优选的，所述绝缘层包括位于所述显示区的所述栅绝缘图案。
第二方面，提供一种显示装置，包括上述的COA基板。
第三方面，一种COA显示基板的制备方法，包括：在衬底基板上形成第一导电层，所述第一导电层包括位于布线区的信号线引线；形成第一绝缘薄膜；形成第二导电层，所述第二导电层包括位于所述布线区的第一金属图案和位于所述显示区的第二金属图案；其中，所述第一金属图案上形成有第二过孔，所述第二过孔至少部分形成在所述信号线引线上；形成平坦层，所述平坦层位于所述布线区的部分形成有镂空区域；所述第二过孔至少部分位于所述镂空区域内；对露出第一绝缘薄膜的部分进行刻蚀，以形成绝缘层，所述绝缘层中与所述第二过孔位于所述镂空区域部分正对的位置形成有第一过孔；在所述布线区形成连接图案，所述连接图案穿过所述镂空区域、所述第一过孔和所述第二过孔与所述信号线引线电连接。
优选的，形成平坦层具体包括：沿垂直于所述衬底基板的方向，所述平坦层与所述第一金属图案具有重叠区域；所述第二过孔的边界在所述衬底基板上的正投影被所述镂空区域的边界在所述衬底基板上的正投影包围。
进一步优选的，形成平坦层还具体包括：所述信号线引线中与所述平坦层的镂空区域对应的部分在衬底基板上的投影位于所述第一金属图案在衬底基板上的投影内，且所述第一金属图案的两端沿所述信号线引线的延伸方向与所述平坦层具有重叠区域。
优选的，在形成第二导电层之后，形成平坦层之前，所述方法还包括：形成第二绝缘薄膜和位于所述显示区的彩色膜层；在形成平坦层之后，形成绝缘层之前，所述方法还包括：对所述镂空区域中露出第二绝缘薄膜的部分进行刻蚀。
本发明实施例提供一种COA基板及其制备方法、显示装置，由于第一金属图案上形成有第二过孔，且第二过孔至少部分位于镂空区域内，因而在形成平坦层上的镂空区域后，无需掩膜板便可以对镂空区域内露出绝缘薄膜的部分进行刻蚀，以形成具有第一过孔的绝缘层，这样连接图案便可以穿过镂空区域、第一过孔和第二过孔与信号线引线连接。进一步地，由于布线区的第一金属图案和显示区的第二金属图案同层，因此可以在形成第二金属图案的同时形成第一金属图案，因而不会额外增加掩膜板，从而不会增加生产成本。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为现有技术提供的一种COA基板的结构示意图一；
图2（a）为现有技术提供的一种COA基板的结构示意图二；
图2（b）为图2（a）中CC′向剖视示意图；
图3为本发明实施例提供的一种COA基板划分为显示区和布线区的结构示意图；
图4（a）为本发明实施例提供的一种COA基板的结构示意图一；
图4（b）为图4（a）中AA′向剖视示意图；
图5（a）为本发明实施例提供的一种COA基板的结构示意图二；
图5（b）为图5（a）中BB′向剖视示意图；
图6（a）为本发明实施例提供的一种COA基板的结构示意图三；
图6（b）为本发明实施例提供的一种COA基板的结构示意图四；
图6（c）为本发明实施例提供的一种COA基板的结构示意图五；
图7为本发明实施例提供的一种COA显示基板的制备方法的流程示意图；
图8为本发明实施例提供的一种在衬底基板形成信号线引线的结构示意图；
图9本发明实施例提供的一种在信号线引线上形成第一绝缘薄膜的结构示意图；
图10为本发明实施例提供的一种在第一绝缘薄膜上形成第一金属图案的结构示意图；
图11为本发明实施例提供的一种在第一金属图案上形成平坦层的结构示意图；
图12为本发明实施例提供的一种形成绝缘层的结构示意图。
附图标记：
01-显示区；02-布线区；10-信号线引线；20-绝缘层；201-第一过孔；30-平坦层；301-镂空区域；40-连接图案；50-第一金属图案；501-第二过孔；60-第一绝缘薄膜。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
本发明实施例提供一种COA基板，如图3所示，包括显示区01和布线区02，如图4（a）、图4（b）、图5（a）、图5（b）以及图6（a）-图6（c）所示，该COA基板包括依次设置在衬底基板上的第一导电层、绝缘层20、第二导电层、平坦层30以及连接图案40。
第一导电层包括：位于布线区02的信号线引线10；绝缘层20位于布线区02的部分具有第一过孔201，以露出信号线引线10；第二导电层包括：位于布线区02的第一金属图案50和位于显示区01的第二金属图案，第一金属图案50具有第二过孔501；平坦层30位于布线区02的部分具有镂空区域301，第二过孔501至少部分位于镂空区域301内，且第二过孔501位于镂空区域301部分的边界在衬底基板上的正投影与第一过孔201的边界在衬底基板上的正投影重叠；连接图案40位于布线区02，连接图案40穿过镂空区域301、第一过孔201和第二过孔501与信号线引线10连接。
其中，本发明并不限定显示区01的具体结构，任何本领域已有的显示结构均可适用于本发明实施例提供的技术方案。
其中，布线区02也可称为非显示区，是指在COA基板中位于显示区01外围的区域，布线区02可用于设置驱动芯片、信号线引线等。
在上述中，第一导电层可以仅包括信号线引线10，也可以除包括信号线引线10外，还包括其它图案，例如位于显示区的信号线。在此基础上，第一导电层的材料例如可以为金属或金属氧化物等。
在上述中，第二过孔501至少部分位于镂空区域301内，可以是如图4（a）和图4（b）所示，第二过孔501全部位于镂空区域301内，即第二过孔501的边界在衬底基板上的正投影位于镂空区域301的边界在衬底基板上的正投影内；也可以是如图5（a）和图5（b）所示，第二过孔501在衬底基板上的投影既与平坦层30在衬底基板上投影有重叠区域，又与镂空区域301在衬底基板上投影有重叠区域。
在上述中，由于第一金属图案50和第二金属图案位于同一层，因而可以在形成第二金属图案的同时形成第一金属图案。由于显示区的第二金属图案是COA基板本身就有的图案，因而只需在用于形成第二金属图案的掩膜板的与布线区对应的部分形成与第一金属图案50对应的图案，便可以利用该掩膜板同时形成第一金属图案50和第二金属图案，由于形成第一金属图案50无需额外的掩膜板，因而形成第一金属图案50不会导致成本增加。
在上述中，第二金属图案可以是源漏极（SD）或栅极（Gate）等。
在上述中，绝缘层20位于布线区02的部分具有第一过孔201，第一金属图案50具有第二过孔501，第二过孔501位于镂空区域301部分的边界在衬底基板上的正投影与第一过孔201的边界在衬底基板上的正投影至少部分重叠。具体地说，第一过孔201可以露出信号线引线10，第二过孔501也可以露出信号线引线10，第一金属图案50与信号线引线10在垂直于衬底基板的方向具有重叠区域。
在此基础上，沿垂直于衬底基板的方向，第一金属图案50与平坦层30可以具有重叠区域，也可以不具有重叠区域。当第一金属图案50与平坦层30具有重叠区域时，可以是如图5（a）和图6（c）所示，第一金属图案50在衬底基板上的投影覆盖信号线引线10中与镂空区域对应的部分在衬底基板上的投影，且第一金属图案50的两端沿信号线引线10的延伸方向延伸至与平坦层30具有重叠区域；也可以是如图6（a）所示，第一金属图案50在衬底基板上的投影和信号线引线10中与镂空区域301对应的部分在衬底基板上的投影部分重叠，且第一金属图案50的两端沿信号线引线10的延伸方向延伸至与平坦层30具有重叠区域；当然也可以是如图6（b）所示，第一金属图案50在衬底基板上的投影和信号线引线10中与镂空区域301对应的部分在衬底基板上的投影部分重叠，且第一金属图案50的一端沿信号线引线10的延伸方向延伸至与平坦层30具有重叠区域。
基于上述，对于第一金属图案50上第二过孔501的大小不进行限定，第二过孔501可以是如图4（a）、图6（a）和图6（b）所示，沿信号线引线10的宽度方向，第二过孔501未穿透第一金属图案50，也可以是如图6（c）所示，沿信号线引线10的宽度方向，第二过孔501穿透第一金属图案50。
在上述中，对于连接图案40不进行限定，以能将信号线引线10与外接芯片连接为准。示例的，连接图案40例如可以是氧化铟锡（ITO）或氧化铟锌（IZO）或铟镓锌氧化物（IGZO）等形成。
在本发明的一个实施例中，参考附图4（a）和附图6（a）-图6（c），由于绝缘层20中与平坦层30的镂空区域301正对部分和第一金属图案50中与平坦层30的镂空区域301正对部分在垂直于衬底基板的方向完全重叠，因而附图4（a）和附图6（a）-图6（c）中未示意出绝缘层20。
此处，对于绝缘层20的材料不进行限定，例如可以是氮化硅（SiNx）、氧化硅（SiOx）或氮氧化硅（SiOxNy）等。
在上述中，所述衬底基板例如可以是玻璃基板，也可以是塑料基板、金属基板或其它任意本领域可用的基板。
本发明实施例提供的COA基板，由于第一金属图案50上形成有第二过孔501，且第二过孔501至少部分位于镂空区域301内，因而在形成平坦层30上的镂空区域301后，无需掩膜板便可以对镂空区域301内露出绝缘薄膜的部分进行刻蚀，以形成具有第一过孔201的绝缘层20，这样连接图案40便可以穿过镂空区域301、第一过孔201和第二过孔501与信号线引线10连接。
进一步地，由于布线区02的第一金属图案50和显示区的第二金属图案同层，因此可以在形成第二金属图案的同时形成第一金属图案50，因而不会额外增加掩膜板，从而不会增加成本。
优选的，如图4（a）、图4（b）和图6（a）-图6（c）所示，沿垂直于衬底基板的方向，第一金属图案50与平坦层30具有重叠区域；第二过孔501的边界在衬底基板上的正投影被镂空区域301的边界在衬底基板上的正投影包围。
其中，当第二过孔501的边界在衬底基板上的正投影被镂空区域301的边界在衬底基板上的正投影包围时，此时第一过孔201和第二过孔501在衬底基板上的投影重叠。
此处，沿垂直于衬底基板的方向，第一金属图案50的边界与平坦层30的边界重合，也可以认为第一金属图案50与平坦层30具有重叠区域。
本发明实施例，由于沿垂直于衬底基板的方向，第一金属图案50与平坦层30具有重叠区域，第一金属图案50上第二过孔501和绝缘层20上第一过孔201的边界在衬底基板上的正投影被镂空区域301的边界在衬底基板上的正投影包围，因而当形成在平坦层30上的连接图案40与信号线引线10相连时，由于在平坦层30断面位置处保留绝缘层20和第一金属图案50，因而可以减小平坦层30断面位置处的断差，防止断面位置处出现空隙而导致信号线引线10被腐蚀。
进一步优选的，如图4（a）和图6（c）所示，第一金属图案50在衬底基板上的投影覆盖信号线引线10中与镂空区域301对应的部分在衬底基板上的投影，且第一金属图案50的两端沿信号线引线10的延伸方向延伸至与平坦层30具有重叠区域。
其中，第一金属图案50在衬底基板上的投影覆盖信号线引线10中与镂空区域301对应的部分在衬底基板上的投影，本领域技术人员应该明白，此处只能是第一金属图案50中除第二过孔501以外的部分覆盖信号线引线10中与镂空区域301对应的部分在衬底基板上的投影。在此基础上，对第二过孔501的大小不进行限定。
本发明实施例，若第一金属图案50在衬底基板上的投影和信号线引线10中与镂空区域301对应的部分在衬底基板上的投影部分重叠，和/或，第一金属图案50的一端沿信号线引线10的延伸方向延伸至与平坦层30具有重叠区域，则信号线引线10中未与第一金属图案50重叠的部分（如图6（a）和图6（b）中虚圆线圈所示）可能会由于平坦层30断面处存在较大的断差被腐蚀。基于此，第一金属图案50在衬底基板上的投影覆盖信号线引线10中与镂空区域301对应的部分在衬底基板上的投影，且第一金属图案50的两端沿信号线引线10的延伸方向延伸至与平坦层30具有重叠区域，从而可以对整条信号线引线10进行保护。
在本发明的实施例中，平坦层30的材料不受到特别限制，例如可以是COA基板中常用的有机膜层ORG，也可以是其它常用的平坦层材料，例如氮化硅、二氧化硅、氮氧化硅、氧化铝、二氧化锆、或二氧化钛等。
在本发明的一个实施例中，优选平坦层30的材料与绝缘层20的材料相同。采用这样的结构，COA基板在制作过程中，由于第一金属图案50上具有第二过孔501，这样便可以通过第二过孔501露出绝缘薄膜，而平坦层30的材料与绝缘层20的材料相同，因而可以同时刻蚀形成平坦层30上的镂空区域301和绝缘层20上的第一过孔201，从而简化了COA基板的制作工艺。
优选的，信号线引线10为数据线引线或栅线引线。
其中，数据线引线与COA基板中的数据线相连，以将驱动IC（Integrated Circuit，集成电路）输出的信号通过数据线引线传输给数据线；栅线引线与COA基板中的栅线相连，以将驱动IC输出的信号通过栅线引线传输给栅线。
此处，当信号线引线10为数据线引线时，数据线引线可以和数据线同时形成，也可以和栅线同时形成；同理，当信号线引线10为栅线引线时，栅线引线可以和栅线同时形成，也可以和数据线同时形成。
优选的，COA基板还包括位于显示区01的薄膜晶体管；薄膜晶体管包括源极、漏极、有源层、栅极以及栅绝缘图案；第二金属图案为源极和漏极；或者，第二金属图案为栅极。
其中，对于薄膜晶体管的类型不进行限定，可以是N型薄膜晶体管，也可以是P型薄膜晶体管。
本发明实施例，当第二金属图案为源极或漏极时，因而可以在形成源极和漏极（SD层）的同时形成第一金属图案50，当第二金属图案为栅极（Gate）时，可以在形成栅极的同时形成第一金属图案50，因而在形成第一金属图案50时，只需在用于形成第一金属图案50的掩膜板的与布线区02对应的部分形成和第一金属图案50对应的图案即可，无需额外的掩膜板，从而避免增加制作COA基板的成本。
进一步优选的，绝缘层20包括位于显示区01的栅绝缘图案。
本发明实施例，可以形成一层绝缘层20，其中，该绝缘层20位于显示区01的部分可用于作为栅绝缘图案，绝缘层20位于布线区02的部分形成有第一过孔201，从而可以简化COA基板的制作工艺。
本发明实施例提供一种显示装置，包括上述的COA基板。
其中，显示装置可以是显示不论运动(例如，视频)还是固定(例如，静止图像)的、不论文字还是图画的图像的任何装置。更明确地说，预期所述实施例可实施在多种电子装置中或与多种电子装置关联，所述多种电子装置例如(但不限于)移动电话、无线装置、个人数据助理(PDA)、手持式或便携式计算机、GPS接收器/导航器、相机、MP4视频播放器、摄像机、游戏控制台、手表、时钟、计算器、电视监视器、平板显示器、计算机监视器、汽车显示器(例如，里程表显示器等)、导航仪、座舱控制器和/或显示器、相机视图的显示器(例如，车辆中后视相机的显示器)、电子相片、电子广告牌或指示牌、投影仪、建筑结构、包装和美学结构(例如，对于一件珠宝的图像的显示器)等。当然显示装置也可以是显示面板。
本发明实施例提供一种显示装置，由于第一金属图案50上形成有第二过孔501，且第二过孔501至少部分位于镂空区域301内，因而在形成平坦层30上的镂空区域301后，无需掩膜板便可以对露出绝缘薄膜的部分进行刻蚀，以形成具有第一过孔201的绝缘层20，这样连接图案40便可镂空区域301、第一过孔201和第二过孔501与信号线引线10连接，进一步地，由于布线区02的第一金属图案50和显示区的第二金属图案同层，因此可以在形成第二金属图案的同时形成第一金属图案50，因而不会额外增加掩膜板，从而不会增加成本。
本发明实施例还提供一种COA显示基板的制备方法，如图7所示，包括：
S100、如图8所示，在衬底基板上形成第一导电层，第一导电层包括位于布线区的信号线引线10。
其中，可以在衬底基板上形成第一导电薄膜，对第一导电薄膜进行构图以形成第一导电层。
其中，构图工艺包括镀膜、涂布光刻胶、通过掩膜板曝光、显影及刻蚀工艺等。
在此基础上，第一导电层可以仅包括信号线引线10，也可以除包括信号线引线10外，还包括其它图案，例如位于显示区的信号线。在此基础上，第一导电层的材料例如可以为金属或金属氧化物等。
S101、如图9所示，形成第一绝缘薄膜60。
其中，对于第一绝缘薄膜60的材料不进行限定，例如可以是氮化硅、氧化硅或氮氧化硅等。
S102、如图10所示，形成第二导电层，第二导电层包括位于布线区02的第一金属图案50和位于显示区01的第二金属图案；其中，第一金属图案50上形成有第二过孔501，第二过孔501至少部分形成在信号线引线10上。
其中，第二金属图案可以是源漏极或栅极等。当第二金属图案是源极和漏极时，在步骤S102之前或步骤S102之后，上述方法还包括在显示区01形成有源层（Active）。
此处，由于第二过孔501形成在信号线引线10上，因而本领域技术人员应该明白第一金属图案50形成在信号线引线10的正上方，且沿垂直于衬底基板的方向，第一金属图案50与第一信号线引线10具有重叠区域。在此基础上，第一金属图案50可以完全覆盖第一信号线引线10，也可以覆盖部分第一信号线引线10。第二过孔501可以部分形成在信号线引线10上，也可以全部形成在信号线引线10上。
此外，需要说明的是，可以在形成第二金属图案的同时形成第一金属图案50。由于显示区的第二金属图案是COA基板本身就有的图案，因而只需在用于形成第二金属图案的掩膜板的与布线区02对应的部分形成与第一金属图案50对应的图案，便可以利用该掩膜板同时形成第一金属图案50和第二金属图案，而由于形成第一金属图案50无需额外的掩膜板，因而形成第一金属图案50不会导致成本增加。
S103、如图11所示，形成平坦层30，平坦层30位于布线区02的部分形成有镂空区域301；第二过孔501至少部分位于镂空区域301内。
此处，可以先形成一层平坦层薄膜，在通过构图工艺形成平坦层30。平坦层30可以仅形成有镂空区域301，也可以形成有其它图案。此处，构图工艺包括形成平坦层薄膜、涂布光刻胶、通过掩膜板曝光、显影。
其中，第二过孔501至少部分位于镂空区域301内，可以是第二过孔501的边界在衬底基板上的正投影位于镂空区域301的边界在衬底基板上的正投影内；也可以是第二过孔501在衬底基板上的投影既与平坦层30在衬底基板上投影有重叠区域，又与镂空区域301在衬底基板上投影有重叠区域。
S104、如图12所示，对露出第一绝缘薄膜60的部分进行刻蚀，以形成绝缘层20，绝缘层20中与第二过孔501位于镂空区域301部分正对的位置形成有第一过孔201。
此处，由于第二导电层包括位于布线区02的第一金属图案50，第一金属图案50具有第二过孔501，且第二过孔501至少部分位于镂空区域301内，当形成具有镂空区域301的平坦层30时，此时第一绝缘薄膜60与镂空区域301正对的部分会有第一绝缘薄膜60露出。基于此，绝缘层20中与平坦层30的镂空区域301正对部分和第一金属图案50中与平坦层30的镂空区域301正对部分在垂直于衬底基板的方向完全重叠。
需要说明的是，当平坦层30和第一绝缘薄膜60的材料使得平坦层30和第一绝缘薄膜60不能同时进行构图时，可以先构图形成平坦层30，平坦层30位于布线区02的部分形成有镂空区域301，再对露出第一绝缘薄膜60的部分进行刻蚀，以形成绝缘层20；当平坦层30和第一绝缘薄膜60的材料使得平坦层30和第一绝缘薄膜60可以同时进行构图时，可以通过一次构图工艺同时形成平坦层30和绝缘层20。
S105、如图3所示，在布线区02形成连接图案40，连接图案40穿过镂空区域301、第一过孔201和所述第二过孔501与信号线引线10电连接。
其中，对于连接图案40的材料不进行限定，例如可以为氧化铟锡、氧化铟锌、铟镓锌氧化物等。
此处，可以先形成导电薄膜，再对导电薄膜进行构图以在布线区02形成连接图案40，此时可以仅形成连接图案40，也可以形成其它图案。
本发明实施例提供一种COA显示基板的制备方法，由于第一金属图案50上形成有第二过孔501，且第二过孔501至少部分位于镂空区域301内，因而在形成平坦层30上的镂空区域301后，无需掩膜板便可以对镂空区域301内露出绝缘薄膜的部分进行刻蚀，以形成具有第一过孔201的绝缘层20，这样连接图案40便可以穿过镂空区域301、第一过孔201和第二过孔501与信号线引线10连接，进一步地，由于布线区02的第一金属图案50和显示区的第二金属图案同层，因此可以在形成第二金属图案的同时形成第一金属图案50，因而不会额外增加掩膜板，从而不会增加成本。
优选的，形成平坦层具体包括：沿垂直于衬底基板的方向，平坦层30与第一金属图案50具有重叠区域；第二过孔501的边界在衬底基板上的正投影被镂空区域301的边界在衬底基板上的正投影包围。
其中，第一金属图案50与平坦层30具有重叠区域，可以是沿信号线引线10的长度方向，第一金属图案50的一端与平坦层30具有重叠区域，也可以是第一金属图案50的两端与平坦层30具有重叠区域。此处，沿垂直于衬底基板的方向，第一金属图案50的边界与平坦层30的边界重合，也可以认为第一金属图案50与平坦层30具有重叠区域。本发明实施例优选，如图11所示，第一金属图案50的两端均与平坦层30具有重叠区域。
本发明实施例，由于沿垂直于衬底基板的方向，第一金属图案50与平坦层30具有重叠区域，第一金属图案50上第二过孔501和绝缘层20上第一过孔201的边界在衬底基板上的正投影被镂空区域301的边界在衬底基板上的正投影包围，因而当形成在平坦层30上的连接图案40与信号线引线10相连时，由于在平坦层30断面位置处保留绝缘层20和第一金属图案50，因而可以减小平坦层30断面位置处的断差，防止断面位置处出现空隙而导致信号线引线10被腐蚀。
进一步优选的，形成平坦层还具体包括：信号线引线10中与平坦层30的镂空区域301对应的部分在衬底基板上的投影位于第一金属图案50在衬底基板上的投影内，且第一金属图案50的两端沿信号线引线10的延伸方向与平坦层30具有重叠区域。
本发明实施例，若第一金属图案50在衬底基板上的投影和信号线引线10中与镂空区域301对应的部分在衬底基板上的投影部分重叠，和/或，第一金属图案50的一端沿信号线引线10的延伸方向延伸至与平坦层30具有重叠区域，则信号线引线10中未与第一金属图案50重叠的部分可能会由于平坦层30断面处存在较大的断差被腐蚀。基于此，第一金属图案50在衬底基板上的投影覆盖信号线引线10中与镂空区域301对应的部分在衬底基板上的投影，且第一金属图案50的两端沿信号线引线10的延伸方向延伸至与平坦层30具有重叠区域，从而可以对整条信号线引线10进行保护。
优选的，在形成第二导电层之后，形成平坦层30之前，上述方法还包括：形成第二绝缘薄膜和位于显示区的彩色膜层；在形成平坦层30之后，形成绝缘层20之前，上述方法还包括：对镂空区域301中露出第二绝缘薄膜的部分进行刻蚀。
其中，第二绝缘薄膜的材料例如可以为氮化硅、氧化硅或氮氧化硅等。第二绝缘薄膜和第一绝缘薄膜的材料可以相同，也可以不同。优选的，第一绝缘薄膜60的材料和第二绝缘薄膜的材料相同，这样便可以对第一绝缘薄膜和第二绝缘薄膜同时进行刻蚀，以简化COA基板的制作工艺。
本发明实施例，将彩色膜层和阵列层制作在同一基板，从而可以避免彩膜基板与阵列基板对位的问题，因而可以降低显示面板制作过程中的对盒难度，避免了对盒时的误差。此外，黑矩阵可以设计的更窄，从而提高了像素开口率。
以上所述，仅为本发明的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，可轻易想到变化或替换，都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此，本发明的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。

Claims (11)

1.一种COA基板，包括显示区和布线区，其特征在于，包括依次设置在衬底基板上的第一导电层、绝缘层、第二导电层、平坦层以及连接图案；
所述第一导电层包括：位于所述布线区的信号线引线；
所述绝缘层位于所述布线区的部分具有第一过孔，以露出所述信号线引线；
所述第二导电层包括：位于所述布线区的第一金属图案和位于所述显示区的第二金属图案，所述第一金属图案具有第二过孔；
所述平坦层位于所述布线区的部分具有镂空区域，所述第二过孔至少部分位于所述镂空区域内，且所述第二过孔位于镂空区域部分的边界在衬底基板上的正投影与所述第一过孔的边界在所述衬底基板上的正投影至少部分重叠；
所述连接图案位于所述布线区，所述连接图案穿过所述镂空区域、所述第一过孔和所述第二过孔与所述信号线引线连接；
其中，沿垂直于所述衬底基板的方向，所述第一金属图案与所述平坦层具有重叠区域；所述第二过孔的边界和所述第一过孔的边界在所述衬底基板上的正投影，被所述镂空区域的边界在所述衬底基板上的正投影包围。
2.根据权利要求1所述的COA基板，其特征在于，所述第一金属图案在衬底基板上的投影覆盖所述信号线引线中与镂空区域对应的部分在衬底基板上的投影，且所述第一金属图案的两端沿所述信号线引线的延伸方向延伸至与所述平坦层具有重叠区域。
3.根据权利要求1所述的COA基板，其特征在于，所述平坦层的材料与所述绝缘层的材料相同。
4.根据权利要求1所述的COA基板，其特征在于，所述信号线引线为数据线引线或栅线引线。
5.根据权利要求1所述的COA基板，其特征在于，所述COA基板还包括位于所述显示区的薄膜晶体管；所述薄膜晶体管包括源极、漏极、有源层、栅极以及栅绝缘图案；
所述第二金属图案为所述源极和所述漏极；或者，所述第二金属图案为所述栅极。
6.根据权利要求5所述的COA基板，其特征在于，所述绝缘层包括位于所述显示区的所述栅绝缘图案。
7.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求1-6任一项所述的COA基板。
8.一种COA显示基板的制备方法，其特征在于，包括：
在衬底基板上形成第一导电层，所述第一导电层包括位于布线区的信号线引线；
形成第一绝缘薄膜；
形成第二导电层，所述第二导电层包括位于所述布线区的第一金属图案和位于显示区的第二金属图案；其中，所述第一金属图案上形成有第二过孔，所述第二过孔至少部分形成在所述信号线引线上；
形成平坦层，所述平坦层位于所述布线区的部分形成有镂空区域；所述第二过孔至少部分位于所述镂空区域内；
对露出第一绝缘薄膜的部分进行刻蚀，以形成绝缘层，所述绝缘层中与所述第二过孔位于所述镂空区域部分正对的位置形成有第一过孔；
在所述布线区形成连接图案，所述连接图案穿过所述镂空区域、所述第一过孔和所述第二过孔与所述信号线引线电连接。
9.根据权利要求8所述的制备方法，其特征在于，形成平坦层具体包括：
沿垂直于所述衬底基板的方向，所述平坦层与所述第一金属图案具有重叠区域；所述第二过孔的边界在所述衬底基板上的正投影被所述镂空区域的边界在所述衬底基板上的正投影包围。
10.根据权利要求9所述的制备方法，其特征在于，形成平坦层还具体包括：
所述信号线引线中与所述平坦层的镂空区域对应的部分在衬底基板上的投影位于所述第一金属图案在衬底基板上的投影内，且所述第一金属图案的两端沿所述信号线引线的延伸方向与所述平坦层具有重叠区域。
11.根据权利要求8所述的制备方法，其特征在于，在形成第二导电层之后，形成平坦层之前，所述方法还包括：形成第二绝缘薄膜和位于所述显示区的彩色膜层；
在形成平坦层之后，形成绝缘层之前，所述方法还包括：对所述镂空区域中露出第二绝缘薄膜的部分进行刻蚀。
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Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20200110490A (ko) * 2019-03-13 2020-09-24 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
CN109947292B (zh) * 2019-03-14 2022-07-19 合肥鑫晟光电科技有限公司 一种窄边框触摸屏的制备方法、窄边框触摸屏及显示装置
CN112805771B (zh) * 2019-08-01 2023-04-04 京东方科技集团股份有限公司 显示基板及显示装置
CN112542086B (zh) * 2019-09-23 2023-03-31 上海和辉光电股份有限公司 显示面板及显示装置
WO2021081765A1 (zh) * 2019-10-29 2021-05-06 京东方科技集团股份有限公司 显示基板及其制备方法、显示装置
CN111312780B (zh) * 2020-02-27 2022-12-23 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 一种具有高开口率的显示面板及其制作方法和显示装置
CN111258141A (zh) 2020-03-06 2020-06-09 Tcl华星光电技术有限公司 显示面板、显示装置
CN115176342A (zh) * 2020-12-18 2022-10-11 京东方科技集团股份有限公司 一种驱动背板及其制作方法、显示装置

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20110085253A (ko) * 2010-01-19 2011-07-27 삼성전자주식회사 박막 트랜지스터 표시판 제조 방법
CN104716147A (zh) * 2015-04-01 2015-06-17 京东方科技集团股份有限公司 一种tft阵列基板及其制备方法、显示装置
CN106024806A (zh) * 2016-06-03 2016-10-12 京东方科技集团股份有限公司 薄膜晶体管结构、显示面板及其控制方法

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101591476B1 (ko) * 2009-10-19 2016-02-19 삼성디스플레이 주식회사 표시 기판, 이의 제조 방법 및 이를 포함하는 표시 장치
CN202093289U (zh) * 2011-06-30 2011-12-28 北京京东方光电科技有限公司 一种阵列基板及显示装置
US9153751B2 (en) * 2012-07-20 2015-10-06 Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co., Ltd. Color filter on array substrate and a manufacturing method for the same
KR102007833B1 (ko) * 2013-04-30 2019-08-06 엘지디스플레이 주식회사 프린지 필드 스위칭 모드 액정표시장치용 어레이 기판
CN104319277B (zh) * 2014-10-15 2017-02-08 深圳市华星光电技术有限公司 一种coa基板及其制作方法
US9618810B2 (en) * 2015-02-11 2017-04-11 Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co., Ltd. Array substrate and liquid crystal display panel
US10698281B2 (en) * 2016-01-20 2020-06-30 Sharp Kabushiki Kaisha Liquid crystal display panel and method for manufacturing same

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20110085253A (ko) * 2010-01-19 2011-07-27 삼성전자주식회사 박막 트랜지스터 표시판 제조 방법
CN104716147A (zh) * 2015-04-01 2015-06-17 京东方科技集团股份有限公司 一种tft阵列基板及其制备方法、显示装置
CN106024806A (zh) * 2016-06-03 2016-10-12 京东方科技集团股份有限公司 薄膜晶体管结构、显示面板及其控制方法

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