JP2009036947A - 液晶装置の製造方法、および液晶装置 - Google Patents

Abstract

【課題】層間絶縁膜、画素電極、電極間絶縁膜、および共通電極がこの順に積層されたＦＦＳモードの液晶装置の製造方法、および液晶装置において、コンタクトホール内部およびその開口縁での短絡や断線を確実に防止可能な構成を提供すること。
【解決手段】液晶装置１００の素子基板１０上には、薄膜トランジスタ３０と、層間絶縁膜４、６と、層間絶縁膜６に形成されたコンタクトホール６ａおよびドレイン電極５ｂを介して薄膜トランジスタ３０に電気的に接続された画素電極７ａと、電極間絶縁膜８ａと、スリット状の開口部９ｂが複数、形成された共通電極９ａとが積層されている。コンタクトホール６ａは、画素電極７ａの上層側に形成されたホール内絶縁膜８ｂにより埋められている。ホール内絶縁膜８ｂは、電極間絶縁膜８ａと同時形成された絶縁膜であり、ポリシラザンを所定の溶媒に溶解、分散させてなる液状物を塗布後、焼成させてなる。
【選択図】図３

Description

本発明は、いわゆるフリンジフィールドスイッチング（以下、ＦＦＳ（Fring Field Switching）という）モードの液晶装置の製造方法、および液晶装置に関するものである。

ＦＦＳモードの液晶装置は、素子基板および対向基板のうち、素子基板に画素電極と、電極間絶縁膜と、開口部が形成された共通電極とを積層し、画素電極と共通電極とに印加された電場により液晶を駆動する（特許文献１参照）。

このようなＦＦＳモードの液晶装置において、画素スイッチング素子として、トップゲート構造の薄膜トランジスタを用いた場合の構造（断面図および平面図）を図１２（ａ）、（ｂ）に示す。ここに示す例は、本願発明と対比するために本願発明者が案出したものである。図１２（ａ）、（ｂ）に示すように、液晶５０が素子基板１０と対向基板２０との間に保持されている点では、ＦＦＳモードの液晶装置もＴＮモードの液晶装置と同様であるが、ＦＦＳモードの液晶装置の場合、素子基板１０の側には、画素スイッチング用の薄膜トランジスタ３０と、この薄膜トランジスタ３０を覆う層間絶縁膜４、６と、層間絶縁膜６に形成されたコンタクトホール６ａおよびドレイン電極５ｂを介して薄膜トランジスタ３０に電気的に接続された画素電極７ａとに加えて、画素電極７ａを覆う電極間絶縁膜８ａと、この電極間絶縁膜８ａの上層に形成された共通電極９ａとが形成されている。共通電極９ａは、コンタクトホール６ａが形成されている領域も含めて、素子基板１０上の画像表示領域の全面にわたって形成されているとともに、複数のスリット状の開口部９ｂが整列した状態に形成されている。
特開２００１−２３５７６３号公報

このような液晶装置では、電極間絶縁膜８ａを介して画素電極７ａと共通電極９ａとが対向して保持容量６０を形成しているので、ＴＮモードの液晶装置と違って、画素内に別途、保持容量６０を形成する必要がないなどの利点がある。ここで、保持容量６０の容量値を高めるとともに、画素電極７ａと共通電極９ａとの間の電界強度を高めるには、電極間絶縁膜８ａの膜厚を例えば４００ｎｍ以下にまで薄くすることが好ましい。

しかしながら、電極間絶縁膜８ａの膜厚を薄くすると、コンタクトホール６ａの底部や開口縁では、電極間絶縁膜８ａにピンホールなどといった被覆不良が発生しやすく、画素電極７ａと共通電極９ａとが短絡するという問題点がある。特に、図１２（ａ）、（ｂ）に示す構造のように、層間絶縁膜６を感光性樹脂からなる平坦化膜として形成した場合には、コンタクトホール６ａのアスペクト比が大きい分、コンタクトホール６ａの内部で電極間絶縁膜８ａが均一に形成されず、画素電極７ａと共通電極９ａとが短絡するという問題点がある。

そこで、図１３（ａ）、（ｂ）に示すように、コンタクトホール６ａと平面的に重なる領域では共通電極９ａを除去する構成が考えられる。しかしながら、かかる構成を実現するには、図１３（ｃ）に示すように、共通電極９ａを構成する透明導電膜９を素子基板１０の全面に形成した後、共通電極９ａを残したい領域をレジストマスク９１で覆い、エッチングすることになる。その際、コンタクトホール６ａと平面的に重なる領域にはレジストマスク９１が形成されていないので、電極間絶縁膜８ａにおいてコンタクトホール６ａの底部や開口縁に相当する部分にピンホールなどがあると、画素電極７ａもエッチングされ、画素電極７ａでの断線や、画素電極７ａとドレイン電極５ｂとの間の断線などが発生するという問題点がある。

以上の問題点に鑑みて、本発明の課題は、層間絶縁膜、画素電極、電極間絶縁膜、および共通電極がこの順に積層されたＦＦＳモードの液晶装置の製造方法、および液晶装置において、コンタクトホール内部およびその開口縁での短絡や断線を確実に防止可能な構成を提供することにある。

上記課題を解決するために、本発明では、素子基板と対向基板との間に液晶が保持された液晶装置の製造方法において、前記素子基板に対する、画素スイッチング素子の形成工程と、コンタクトホールを備えた層間絶縁膜の形成工程と、前期コンタクトホールの底部で前記画素スイッチング素子に電気的に接続する画素電極の形成工程と、該画素電極を覆う電極間絶縁膜の形成工程と、開口部を備えた共通電極の形成工程とを有し、前記画素電極の形成工程を行なった後、前記共通電極の形成工程を行なう前に、前記コンタクトホールをホール内絶縁膜により埋めておくことを特徴とする。

かかる方法で製造された液晶装置は、素子基板と対向基板との間に液晶が保持され、前記素子基板上には、画素スイッチング素子と、該画素スイッチング素子を覆う層間絶縁膜と、該絶縁膜の上層に形成され、当該層間絶縁膜に形成されたコンタクトホールの底部で前記画素スイッチング素子に電気的に接続された画素電極と、該画素電極を覆う電極間絶縁膜と、該電極間絶縁膜の上層に形成され、開口部を備えた共通電極とを有し、前記コンタクトホールは、該コンタクトホール内で前記画素電極の上層側に形成されたホール内絶縁膜により埋められていることを特徴とする。

本発明では、共通電極を形成する際、コンタクトホールは、厚いホール内絶縁膜ですでに埋められている。このため、共通電極を形成するための導電膜を形成した後、この導電膜をエッチングして共通電極をパターニング形成する際、コンタクトホールと重なる領域には共通電極を残さない場合には、コンタクトホールの内部の画素電極は、ホール内絶縁膜で保護され、エッチングされることがないので、画素電極と画素スイッチング素子との間で断線が発生するおそれがない。また、共通電極を形成する際、コンタクトホールは、厚いホール内絶縁膜ですでに埋められており、コンタクトホールの開口縁には急激な段差がないので、電極間絶縁膜において、コンタクトホールの開口縁に被さる部分にはピンホールが発生しない。従って、コンタクトホールと重なる領域には共通電極を残さない場合でも、ピンホールを介してエッチャントが画素電極に到達することがないので、画素電極はエッチングされず、画素電極がコンタクトホールの開口縁で断線するおそれがない。それ故、液晶装置の信頼性を向上することができる。かかる効果は、前記画素電極および前記共通電極が同一材料からなる透明導電膜である場合に適用すると特に効果的である。すなわち、画素電極と共通電極が同一材料の透明導電膜である場合、共通電極をパターニングする際、ピンホールを介してエッチャントが画素電極に到達すると、画素電極もエッチングされて断線が発生しやすいが、本発明によれば、かかる不具合の発生を確実に防止することができる。

また、本発明では、共通電極を形成する際、コンタクトホールは、厚いホール内絶縁膜ですでに埋められているため、コンタクトホールと重なる領域に共通電極を残す場合でも、共通電極と画素電極がコンタクトホールの底部で短絡することがない。また、共通電極を形成する際、コンタクトホールは、厚いホール内絶縁膜ですでに埋められているため、コンタクトホールの開口縁にはピンホールが存在するような急激な段差がない。このため、コンタクトホールと重なる領域に共通電極を残す場合でも、共通電極と画素電極がコンタクトホールの開口縁で短絡するおそれがない。それ故、液晶装置の信頼性を向上することができる。

さらに、本発明では、層間絶縁膜が厚くてコンタクトホールのアスペクト比が大きい場合でも、コンタクトホール内部およびその開口縁での短絡や断線を確実に防止できるので、層間絶縁膜の一部あるいは全体に感光性樹脂からなる平坦膜を用いることができる。また、電極間絶縁膜を薄くしても、コンタクトホール内部およびその開口縁での短絡や断線を確実に防止できるので、画素電極と共通電極との間に形成される保持容量の容量値を高めることができる。また、電極間絶縁膜を薄くすれば、その分、画素電極と共通電極との間の電界強度を高めることができるので、液晶を好適に駆動できるとともに、画素電極に供給するデータ信号の電圧レベルを低減することにより、低消費電力化を図ることもできる。

本発明において、前記ホール内絶縁膜を形成するにあたっては、少なくとも前記コンタクトホールを埋めるように、絶縁膜形成用の液状材料を塗布した後、固化させることが好ましい。このような液状材料としては、感光性樹脂や、ポリシラザンの液状物を挙げることができ、かかる液状材料によれば、コンタクトホールを容易に埋めることができる。

本発明において、前記電極間絶縁膜の形成工程では、前記コンタクトホールの外側にも前期液状材料を塗布した後、固化させて、前記電極間絶縁膜と前記ホール内絶縁膜とを同時形成することが好ましい。すなわち、前記ホール内絶縁膜と前記電極間絶縁膜は、前記コンタクトホールの内部および外部に塗布した前記液状材料を固化させることにより、同時形成されてなることが好ましい。このように構成すると、電極間絶縁膜を形成する工程を利用してホール内絶縁膜を形成することができるので、製造工程数の増大を避けることができる。

この場合、前記ホール内絶縁膜は、シリコン酸化膜などのシリコン系絶縁膜からなることが好ましい。かかる構成を採用すると、電極間絶縁膜もシリコン系絶縁膜からなるので、電極間絶縁膜の誘電率が比較的高いので、画素電極と共通電極との間に形成される保持容量の容量値を高めることができる。

本発明において、前記電極間絶縁膜の形成工程の前あるいは後に、前記コンタクトホール内に塗布した前記液状材料を固化させて前記ホール内絶縁膜を前記電極間絶縁膜と別工程で形成してもよい。すなわち、前記ホール内絶縁膜は、前記電極間絶縁膜とは別に、前記コンタクトホール内で、前記電極間絶縁膜の上層、あるいは前記画素電極の上層に塗布した前記液状材料を固化させてなる構成を採用してもよい。このように構成すれば、ホール内絶縁膜と電極間絶縁膜とを別の絶縁材料で形成することができる。例えば、電極間絶縁膜についてはＣＶＤ法により薄く形成したシリコン酸化膜、シリコン窒化膜、シリコン窒酸化膜、シリコン酸窒化膜などのシリコン系絶縁膜により構成して保持容量の容量値を高める一方、ホール内絶縁膜については、コンタクトホール内を埋めるのに適した液状材料、例えば、感光性樹脂や、ポリシラザンの液状物を焼成してなるシリコン酸化膜により構成することができる。

本発明において、前記電極間絶縁膜は、膜厚が４００ｎｍ以下であることが好ましい。前記電極間絶縁膜の膜厚が４００ｎｍ以下と薄い場合には、画素電極と共通電極との間に形成される保持容量の容量値を高めることができる一方、コンタクトホール内部での短絡や断線が発生しやすいが、本発明によれば、かかる不具合の発生を確実に防止することができる。

本発明において、前記層間絶縁膜は、感光性樹脂層を含んでいることが好ましい。層間絶縁膜が感光性樹脂層を含んでいる場合、その上層側を平坦化できるという利点がある一方、コンタクトホールのアスペクト比が大きくなるが、本発明によれば、コンタクトホール内部での短絡や断線などの不具合の発生を確実に防止することができる。本発明において、コンタクトホールのアスペクト比が０．５以上である場合に適用すると、効果が顕著である。アスペクト比が大きいほど、コンタクトホール内部での短絡や断線が発生しやすいが、本発明によれば、かかる不具合の発生を確実に防止することができる。

本発明において、前記共通電極には、前記コンタクトホールと平面的に重なる領域に切り欠きが形成されており、前記画素電極の境界領域に沿ってデータ線および走査線が形成されており、前記開口部は、前記データ線および走査線のうちの一方の配線の延設方向に沿ってスリット状に延びており、前記素子基板および前記対向基板のうちの少なくとも一方には、前記一方の配線、および前記コンタクトホールの形成領域と平面的に重なる領域に遮光膜が形成されていることが好ましい。このように構成すると、配向乱れによるドメインの発生領域を遮光膜で覆うことができるので、表示した画像の品位を向上することができる。

本発明を適用した液晶装置は、携帯電話機あるいはモバイルコンピュータなどの電子機器の表示部などとして用いられる。

以下、本発明の実施の形態を説明する。以下の説明で参照する図においては、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部材毎に縮尺を異ならしめてある。また、カラーフィルタや配向膜などの図示は省略してある。

［実施の形態１］
（全体構成）
図１（ａ）、（ｂ）は各々、本発明を適用した液晶装置をその上に形成された各構成要素と共に対向基板の側から見た平面図、およびそのＨ−Ｈ′断面図である。

図１（ａ）、（ｂ）において、本形態の液晶装置１００は、透過型のアクティブマトリクス型液晶装置であり、素子基板１０の上には、シール材１０７が対向基板２０の縁に沿うように設けられている。素子基板１０において、シール材１０７の外側の領域には、データ線駆動回路１０１および実装端子１０２が素子基板１０の一辺に沿って設けられており、実装端子１０２が配列された辺に隣接する２辺に沿っては、走査線駆動回路１０４が形成されている。素子基板１０の残る一辺には、画像表示領域１０ａの両側に設けられた走査線駆動回路１０４間をつなぐための複数の配線１０５が設けられており、さらに、額縁１０８の下などを利用して、プリチャージ回路や検査回路などの周辺回路が設けられることもある。対向基板２０は、シール材１０７とほぼ同じ輪郭を備えており、このシール材１０７によって対向基板２０が素子基板１０に固着されている。素子基板１０と対向基板２０との間に液晶５０が保持されている。

詳しくは後述するが、素子基板１０には、画素電極７ａがマトリクス状に形成されている。これに対して、対向基板２０には、シール材１０７の内側領域に遮光性材料からなる額縁１０８が形成され、その内側が画像表示領域１０ａとされている。対向基板２０では、素子基板１０の画素電極７ａの縦横の境界領域と対向する領域にブラックマトリクス、あるいはブラックストライプなどと称せられる遮光膜２３が形成されている。

本形態の液晶装置１００は、液晶５０をＦＦＳモードで駆動する。このため、素子基板１０の上には、画素電極７ａに加えて共通電極９ａも形成されており、対向基板２０には、対向電極が形成されていない。

（液晶装置１００の詳細な構成）
図２を参照して、本発明を適用した液晶装置１００およびそれに用いた素子基板の構成を説明する。図２は、本発明を適用した液晶装置１００に用いた素子基板１０の画像表示領域１０ａの電気的な構成を示す等価回路図である。

図２に示すように、液晶装置１００の画像表示領域１０ａには複数の画素１００ａがマトリクス状に形成されている。複数の画素１００ａの各々には、画素電極７ａ、および画素電極７ａを制御するための画素スイッチング用の薄膜トランジスタ３０（画素スイッチング素子）が形成されており、データ信号（画像信号）を線順次で供給するデータ線５ａが薄膜トランジスタ３０のソースに電気的に接続されている。薄膜トランジスタ３０のゲートには走査線３ａが電気的に接続されており、所定のタイミングで、走査線３ａに走査信号を線順次で印加するように構成されている。画素電極７ａは、薄膜トランジスタ３０のドレインに電気的に接続されており、薄膜トランジスタ３０を一定期間だけそのオン状態とすることにより、データ線５ａから供給されるデータ信号を各画素１００ａに所定のタイミングで書き込む。このようにして画素電極７ａを介して、図１（ｂ）に示す液晶５０に書き込まれた所定レベルの画素信号は、素子基板１０に形成された画素電極７ａと共通電極９ａとの間で一定期間保持される。ここで、画素電極７ａと共通電極９ａとの間には保持容量６０が形成されており、画素電極７ａの電圧は、例えば、ソース電圧が印加された時間よりも３桁も長い時間だけ保持される。これにより、電荷の保持特性は改善され、コントラスト比の高い表示を行うことのできる液晶装置１００が実現される。

図２では、共通電極９ａが走査線駆動回路１０４から延びた配線のように示してあるが、素子基板１０の画像表示領域１０ａの略全面に形成されており、所定の電位に保持される。

（各画素の詳細な構成）
図３（ａ）、（ｂ）は各々、本発明の実施の形態１に係る液晶装置１００の画素１つ分の断面図、および素子基板１０において相隣接する画素の平面図であり、図３（ａ）は、図３（ｂ）のＡ１−Ａ１′線に相当する位置で液晶装置１００を切断したときの断面図に相当する。また、図３（ｂ）では、画素電極７ａは長い点線で示し、データ線５ａおよびそれと同時形成された薄膜は一点鎖線で示し、走査線３ａは二点鎖線で示し、共通電極９ａにおいて部分的に除去された部分は実線で示してある。

図３（ａ）、（ｂ）に示すように、素子基板１０上には、マトリクス状に複数の透明な画素電極７ａ（長い点線で囲まれた領域）が各画素１００ａ毎に形成され、画素電極７ａの縦横の境界領域に沿ってデータ線５ａ（一点鎖線で示す領域）、および走査線３ａ（二点鎖線で示す領域）が形成されている。また、素子基板１０の画像表示領域１０ａの略全面にはＩＴＯ（Indium Tin Oxide）膜からなる共通電極９ａが形成されており、共通電極９ａには、スリット状の開口部９ｂ（実線で示す領域）が複数、形成されている。本形態において、複数の開口部９ｂは、走査線３ａの延設方向に沿って互いに平行に延びている。

図３（ａ）に示す素子基板１０の基体は、石英基板や耐熱性のガラス基板などの透明基板１０ｂからなり、対向基板２０の基体は、石英基板や耐熱性のガラス基板などの透明基板２０ｂからなる。本形態では、透明基板１０ｂ、２０ｂのいずれについてもガラス基板が用いられている。

素子基板１０には、透明基板１０ｂの表面にシリコン酸化膜などからなる下地保護膜（図示せず）が形成されているとともに、その表面側において、各画素電極７ａに対応する位置にトップゲート構造の薄膜トランジスタ３０が形成されている。図３（ａ）、（ｂ）に示すように、薄膜トランジスタ３０は、島状の半導体膜１ａに対して、チャネル形成領域１ｂ、ソース領域１ｃ、ドレイン領域１ｄが形成された構造を備えており、チャネル形成領域１ｂの両側に低濃度領域を備えたＬＤＤ（Lightly Doped Drain）構造を有するように形成されることもある。本形態において、半導体膜１ａは、素子基板１０に対してアモルファスシリコン膜を形成した後、レーザアニールやランプアニールなどにより多結晶化されたポリシリコン膜である。

半導体膜１ａの上層には、シリコン酸化膜、シリコン窒化膜、あるいはそれらの積層膜からなるゲート絶縁膜２が形成され、ゲート絶縁膜２の上層には、走査線３ａの一部がゲート電極として重なっている。本形態では、半導体膜１ａがコの字形状に屈曲しおり、ゲート電極がチャネル方向における２箇所に形成されたツインゲート構造を有している。

ゲート電極（走査線３ａ）の上層にはシリコン酸化膜、シリコン窒化膜、あるいはそれらの積層膜からなる層間絶縁膜４が形成されている。層間絶縁膜４の表面にはデータ線５ａが形成され、このデータ線５ａは、層間絶縁膜４に形成されたコンタクトホール４ａを介して最もデータ線５ａ側に位置するソース領域に電気的に接続している。層間絶縁膜４の表面にはドレイン電極５ｂが形成されており、ドレイン電極５ｂは、データ線５ａと同時形成された導電膜である。

データ線５ａおよびドレイン電極５ｂの上層側には、層間絶縁膜６が形成されている。本形態において、層間絶縁膜６は、厚さが１．５〜２．０μｍの厚い感光性樹脂からなる平坦化膜として形成されている。

層間絶縁膜６の表面にはＩＴＯ膜からなる画素電極７ａが島状に形成されている。画素電極７ａは、層間絶縁膜６に形成されたコンタクトホール６ａを介してドレイン電極５ｂに電気的に接続し、このドレイン電極５ｂは、層間絶縁膜４およびゲート絶縁膜２に形成されたコンタクトホール４ｂを介してドレイン領域１ｄに電気的に接続している。ここで、コンタクトホール６ａのアスペクト比は０．５以上である。

画素電極７ａの表面には電極間絶縁膜８ａが形成されている。電極間絶縁膜８ａの上層には、前述した共通電極９ａが形成されている。共通電極９ａは、開口部９ｂにおいて画素電極７ａに対して横方向で対向電極と対向する状態にあり、画素電極７ａと共通電極９ａとの間に形成された横電界によって液晶５０を駆動することができる。また、共通電極９ａは、画素電極７ａに対して電極間絶縁膜８ａを介して対向しており、画素電極７ａと共通電極９ａとの間には、電極間絶縁膜８ａを誘電体膜とする保持容量６０が形成されている。

（コンタクトホール６ａ内部および周辺の構成）
このように本形態では、素子基板１０上には、画素スイッチング用の薄膜トランジスタ３０と、薄膜トランジスタ３０を覆う層間絶縁膜４、６と、層間絶縁膜６に形成されたコンタクトホール６ａおよびドレイン電極５ｂを介して薄膜トランジスタ３０のドレイン領域１ｄに電気的に接続された画素電極７ａと、この画素電極７ａを覆う電極間絶縁膜８ａと、この電極間絶縁膜８ａの上層に形成された共通電極９ａとが順に形成されている。

ここで、コンタクトホール６ａは、コンタクトホール６ａ内で画素電極７ａの上層側に形成されたホール内絶縁膜８ｂにより埋められている。かかるホール内絶縁膜８ｂは、後述するように、電極間絶縁膜８ａと同時形成された絶縁膜である。すなわち、素子基板１０では、コンタクトホール８ａの内部および外部に塗布した絶縁膜形成用の液状材料を固化させてなる絶縁膜が形成されており、かかる絶縁膜のうち、コンタクトホール８ａの内部を埋める部分によってホール内絶縁膜８ｂが構成され、コンタクトホール６ａの外側で画素電極７ａと共通電極９ａとの層間に形成されている部分によって電極間絶縁膜８ａが構成されている。本形態では、絶縁膜形成用の液状材料として、ポリシラザンを所定の溶媒に溶解、分散させてなる液状物が用いられ、かかる液状材料は、後述するように、塗布後、焼成すると、シリコン酸化膜に転化する。

本形態において、共通電極９ａには、コンタクトホール６ａと平面的に重なる領域に切り欠き９ｃが形成されており、コンタクトホール６ａと平面的に重なる領域には共通電極９ａが形成されていない。

（製造方法）
図４は、本発明の実施の形態１に係る液晶装置に用いた素子基板の製造方法を示す工程断面図である。本形態の液晶装置１００の製造工程のうち、素子基板１０の製造工程では、ガラス基板からなる透明基板１０ｂの表面にシリコン酸化膜からなる下地保護膜（図示せず）を形成した後、薄膜トランジタ形成工程を行う。具体的には、まず、ポリシリコン膜からなる半導体膜１ａを島状に形成する。それには、基板温度が１５０〜４５０℃の温度条件下で、透明基板１０ｂの全面に、非晶質シリコン膜からなる半導体膜をプラズマＣＶＤ法により、例えば、４０〜５０ｎｍの厚さに形成した後、レーザアニール法などにより、シリコン膜を多結晶化させた後、フォトリソグラフィ技術を用いてパターニングし、半導体膜１ａを形成する。次に、ＣＶＤ法などを用いて、半導体膜１ａの表面にシリコン窒化膜やシリコン酸化膜、あるいはそれらの積層膜からなるゲート絶縁膜２を形成する。次に、透明基板１０ｂの表面全体にモリブデン膜、アルミニウム膜、チタン膜、タングステン膜、タンタル膜などの金属膜を形成した後、フォトリソグラフィ技術を用いてパターニングし、走査線３ａ（ゲート電極）を形成する。次に、半導体膜１ａに不純物を導入して、ソース領域１ｃやドレイン領域１ｄなどを形成する。

次に、第１層間絶縁膜形成工程では、ＣＶＤ法などを用いて、シリコン窒化膜やシリコン酸化膜、あるいはそれらの積層膜からなる層間絶縁膜４を形成する。次に、フォトリソグラフィ技術を用いて、層間絶縁膜４にコンタクトホール４ａ、４ｂを形成する。

次に、データ線形成工程では、透明基板１０ｂの表面全体にモリブデン膜、アルミニウム膜、チタン膜、タングステン膜、タンタル膜、あるいはそれらの積層膜などの金属膜を形成した後、フォトリソグラフィ技術を用いてパターニングし、データ線５ａおよびドレイン電極５ｂを形成する。

次に、第２層間絶縁膜形成工程では、感光性樹脂を塗布した後、露光、現像し、図４（ａ）に示すように、コンタクトホール６ａを備えた層間絶縁膜６（平坦化膜）を１．５〜２．０μｍの厚さに形成する。

次に、画素電極形成工程では、透明基板１０ｂの表面全体にＩＴＯ膜からなる透明導電膜を形成した後、フォトリソグラフィ技術を用いてパターニングし、図４（ｂ）に示すように、画素電極７ａを形成する。

次に、電極間絶縁膜形成工程では、スピンコート法などを用いて、図４（ｃ）に示すように、ポリシラザンを所定の溶媒に溶解、分散させてなる液状材料を塗布し、しかる後に焼成する。ポリシラザンは、Ｓｉ−Ｈ結合、Ｎ−Ｈ結合、Ｓｉ−Ｎ結合のみを備えた無機ポリマーであり、キシレン、ミネラルターペン、高沸点芳香族系溶剤を溶媒として溶解、分散させた液状物として塗布した後、大気中で温度が３５０〜５００℃程度の条件、あるいは水蒸気含有雰囲気中で温度が１００℃程度の条件で焼成すると、水分や酸素と反応し、緻密なアモルファスのシリコン酸化膜に転化する。本形態では、かかるシリコン酸化膜のうち、コンタクトホール８ａの内部を埋める部分によってホール内絶縁膜８ｂが形成され、コンタクトホール６ａの外側で画素電極７ａを被う部分によって、膜厚が４００ｎｍ以下の電極間絶縁膜８ａが形成される。次に、フォトリソグラフィ技術を用いて電極間絶縁膜８ａにコンタクトホール（図示せず）を形成する。

次に、共通電極形成工程では、図４（ｄ）に示すように、透明基板１０ｂの表面全体にＩＴＯ膜からなる透明導電膜９を形成した後、感光性樹脂の塗布、露光、現像を行い、図４（ｅ）に示すように、共通電極９ａを残す領域にレジストマスク９０を形成する。そして、レジストマスク９０を形成した状態で、透明導電膜９をエッチングし、共通電極９ａを形成する。その際、共通電極９ａには、コンタクトホール６ａと平面的に重なる領域に切り欠き９ｃを形成し、コンタクトホール６ａと平面的に重なる領域には共通電極９ａを形成しない。

（本形態の主な効果）
以上説明したように、本形態では、図４（ｃ）、（ｄ）、（ｅ）に示すように、共通電極９ａを形成する際、コンタクトホール６ａは、厚いホール内絶縁膜８ｂですでに埋められている。従って、共通電極９ａを形成するための透明導電膜９を形成した後、この透明導電膜９をエッチングして共通電極９ａをパターニング形成する際、図３（ａ）、（ｂ）および図４（ｅ）に示すように、コンタクトホール６ａと重なる領域には共通電極９ａを残さない場合でも、コンタクトホール９ａの内部の画素電極７ａは、ホール内絶縁膜８ｂで保護されている。このため、画素電極７ａは、エッチングされることがないので、画素電極７ａと薄膜トランジスタ３０との間に断線が発生することがない。

また、共通電極９ａを形成する際、コンタクトホール６ａは、厚いホール内絶縁膜８ｂですでに埋められているため、コンタクトホール６ａの開口縁には急激な段差がないので、電極間絶縁膜８ａにおいて、コンタクトホール６ａの開口縁に被さる部分にはピンホールが発生しない。従って、共通電極９ａを形成するための透明導電膜９を形成した後、この透明導電膜９をエッチングして共通電極９ａをパターニング形成する際、コンタクトホール６ａと重なる領域に共通電極９ａを残さない場合でも、ピンホールを介してエッチャントが画素電極７ａに到達することがない。従って、コンタクトホール６ａの開口縁において画素電極７ａがエッチングされることがないので、画素電極７ａがコンタクトホール６ａの開口縁で断線するおそれがない。

それ故、本形態によれば、液晶装置１００の信頼性を向上することができる。また、層間絶縁膜６が厚くてコンタクトホール６ａのアスペクト比が０．５以上であっても、コンタクトホール６ａの内部およびその開口縁での短絡や断線を確実に防止できるので、層間絶縁膜６として感光性樹脂からなる平坦膜を用いることができる。

また、電極間絶縁膜８ａおよびホール内絶縁膜８ｂを形成するにあたっては、絶縁膜形成用の液状材料を塗布した後、固化させるため、コンタクトホール６ａを容易かつ確実に埋めることができる。しかも、電極間絶縁膜８ａを形成する工程を利用してホール内絶縁膜８ｂを形成したので、製造工程数の増大を避けることができる。また、本形態では、電極間絶縁膜８ａおよびホール内絶縁膜８ｂを同時形成するにあたって、ポリシラザンを用いたので、電極間絶縁膜８ａおよびホール内絶縁膜８ｂはいずれもシリコン酸化膜から構成され、感光性樹脂を用いた場合と比較して誘電率が大きいので、画素電極７ａと共通電極９ａとの間に形成される保持容量６０の容量値を高めることができる。

また、本形態によれば、電極間絶縁膜８ａを４００ｎｍ以下まで薄くしても、コンタクトホール６ａの内部およびその開口縁での短絡や断線を確実に防止できるので、画素電極７ａと共通電極９ａとの間に形成される保持容量６０の容量値を高めることができる。しかも、電極間絶縁膜８ａを薄くすれば、その分、画素電極７ａと共通電極９ａとの間の電界強度を高めることができるので、液晶５０を好適に駆動できるとともに、画素電極７ａに供給するデータ信号の電圧レベルを低減することにより、低消費電力化を図ることもできる。

［実施の形態１の変形例］
実施の形態１では、電極間絶縁膜８ａおよびホール内絶縁膜８ｂを同時形成するにあたって、ポリシラザンを用いたが、保持容量６０の容量値を高める必要がない場合には、電極間絶縁膜８ａおよびホール内絶縁膜８ｂを感光性アクリル樹脂などといった感光性樹脂により同時形成してもよい。

［実施の形態２］
（コンタクトホール６ａ内部および周辺の構成）
図５（ａ）、（ｂ）は各々、本発明の実施の形態２に係る液晶装置１００の画素１つ分の断面図、および素子基板１０において相隣接する画素の平面図であり、図６（ａ）は、図６（ｂ）のＡ２−Ａ２′線に相当する位置で液晶装置１００を切断したときの断面図に相当する。なお、本形態の基本的な構成は、実施の形態１と同様であるため、共通する部分には同一の符号を付してそれらを図示することにして、それらの説明を省略する。

図５（ａ）、（ｂ）に示すように、本形態の液晶装置１００も、実施の形態１と同様、液晶５０をＦＦＳモードで駆動する。このため、実施の形態１と同様、素子基板１０上には、画素スイッチング用の薄膜トランジスタ３０と、薄膜トランジスタ３０を覆う層間絶縁膜４、６と、層間絶縁膜６に形成されたコンタクトホール６ａおよびドレイン電極５ｂを介して薄膜トランジスタ３０のドレイン領域１ｄに電気的に接続された画素電極７ａと、この画素電極７ａを覆う電極間絶縁膜８ａと、この電極間絶縁膜８ａの上層に形成された共通電極９ａとが順に形成されている。

また、コンタクトホール６ａは、コンタクトホール６ａ内で画素電極７ａの上層側に形成されたホール内絶縁膜８ｅにより埋められている。かかるホール内絶縁膜８ｅは、後述するように、電極間絶縁膜８ａと別工程で形成された絶縁膜である。すなわち、電極間絶縁膜８ａは、ＣＶＤ法により薄く形成したシリコン酸化膜、シリコン窒化膜、シリコン窒酸化膜、シリコン酸窒化膜などのシリコン系絶縁膜であるのに対して、ホール内絶縁膜８ｅは、電極間絶縁膜８ａとは別に、コンタクトホール６ａ内で、電極間絶縁膜８ａの上層で液状材料を固化させてなる絶縁膜である。絶縁膜形成用の液状材料として、ポリシラザンを所定の溶媒に溶解、分散させてなる液状物を用いることができる他、感光性のアクリル樹脂などといった感光性樹脂を用いることができる。本形態では、絶縁膜形成用の液状材料として、感光性樹脂が用いられている。かかる感光性樹脂であれば、塗布、露光、現像により所定の箇所に絶縁膜を選択的に形成するのに適している。

また、本形態においても、実施の形態１と同様、共通電極９ａには、コンタクトホール６ａと平面的に重なる領域に切り欠き９ｃが形成されており、コンタクトホール６ａと平面的に重なる領域には共通電極９ａが形成されていない。

（製造方法）
図６は、本発明の実施の形態２に係る液晶装置に用いた素子基板の製造方法を示す工程断面図である。本形態の液晶装置１００の製造工程のうち、素子基板１０の製造工程では、実施の形態１と同様、図６（ａ）に示すように、薄膜トランジスタ形成工程、第１層間絶縁膜形成工程、データ線形成工程を行なった後、第２層間絶縁膜形成工程において、コンタクトホール６ａを備えた層間絶縁膜６（平坦化膜）を１．５〜２．０μｍの厚さに形成する。次に、画素電極形成工程では、透明基板１０ｂの表面全体にＩＴＯ膜からなる透明導電膜を形成した後、フォトリソグラフィ技術を用いてパターニングし、図６（ｂ）に示すように、画素電極７ａを形成する。

次に、電極間絶縁膜形成工程では、図６（ｃ）に示すように、ＣＶＤ法などを用いて、シリコン酸化膜やシリコン窒化膜などのシリコン系絶縁膜からなる電極間絶縁膜８ａを膜厚が４００ｎｍ以下になるように形成する。次に、フォトリソグラフィ技術を用いて電極間絶縁膜８ａにコンタクトホール（図示せず）を形成する。

次に、ホール内絶縁膜形成工程では、スピンコート法などを用いて、図６（ｄ）に示すように、電極間絶縁膜８ａの上層に感光性樹脂を塗布した後、露光現像し、コンタクトホール６ａを埋めるようにホール内絶縁膜８ｅを形成する。

次に、共通電極形成工程では、図６（ｅ）に示すように、透明基板１０ｂの表面全体にＩＴＯ膜からなる透明導電膜９を形成した後、感光性樹脂の塗布、露光、現像を行い、共通電極９ａを残す領域にレジストマスク９０を形成する。そして、レジストマスク９０を形成した状態で、透明導電膜９をエッチングし、共通電極９ａを形成する。その際、共通電極９ａには、コンタクトホール６ａと平面的に重なる領域に切り欠き９ｃを形成し、コンタクトホール６ａと平面的に重なる領域には共通電極９ａを形成しない。

（本形態の主な効果）
以上説明したように、本形態でも、実施の形態１と同様、共通電極９ａを形成する際、コンタクトホール６ａは、厚いホール内絶縁膜８ｂですでに埋められているため、コンタクトホール６ａと重なる領域に共通電極９ａを残さない場合でも、コンタクトホール９ａの内部および開口縁で画素電極７ａがエッチングされることがないので、コンタクトホール９ａの内部での画素電極７ａと薄膜トランジスタ３０との間の断線や、コンタクトホール９ａの開口縁での画素電極７ａの断線が発生しないなど、実施の形態１と略同様な効果を奏する。

また、本形態では、ホール内絶縁膜８ｅが、電極間絶縁膜８ａと別工程で形成された絶縁膜である。従って、ホール内絶縁膜８ｅと電極間絶縁膜８ａとを別の絶縁材料で形成することができる。すなわち、電極間絶縁膜８ａについてはＣＶＤ法により薄く形成したシリコン酸化膜、シリコン窒化膜、シリコン窒酸化膜、シリコン酸窒化膜などのシリコン系絶縁膜により構成して保持容量６０の容量値を高める一方、ホール内絶縁膜８ｅについては、コンタクトホール６ａ内を埋めるのに適した液状材料、例えば、感光性樹脂により形成することができる。また、ホール内絶縁膜８ｅについては、ポリシラザンの液状物を焼成してなるシリコン酸化膜により形成することもできる。

［実施の形態２の変形例］
図７（ａ）、（ｂ）は各々、本発明の実施の形態２の変形例に係る液晶装置１００の画素１つ分の断面図、および素子基板１０において相隣接する画素の平面図であり、図７（ａ）は、図７（ｂ）のＡ３−Ａ３′線に相当する位置で液晶装置１００を切断したときの断面図に相当する。図８は、本発明の実施の形態２の変形例に係る液晶装置に用いた素子基板の製造方法を示す工程断面図である。なお、本形態の基本的な構成は、実施の形態１と同様であるため、共通する部分には同一の符号を付してそれらを図示することにして、それらの説明を省略する。

図５および図６を参照して説明した形態では、電極間絶縁膜８ａの形成工程の後にホール内絶縁膜８ｅを形成したため、コンタクトホール６ａ内において電極間絶縁膜８ａの上層にホール内絶縁膜８ｅが形成されているが、本形態では、電極間絶縁膜８ａの形成工程の前にホール内絶縁膜８ｅを形成するため、図７（ａ）、（ｂ）に示すように、ホール内絶縁膜８ｅは、コンタクトホール６ａ内において画素電極７ａと電極間絶縁膜８ａとの層間に形成されている。

すなわち、本形態では、図８（ａ）、（ｂ）に示すように、薄膜トランジスタ形成工程、第１層間絶縁膜形成工程、データ線形成工程、第２層間絶縁膜形成工程、画素電極形成工程を行なった後、図８（ｃ）に示すように、ホール内絶縁膜形成工程におおて、スピンコート法などを用いて、画素電極７ａの上層に感光性樹脂を塗布した後、露光現像し、コンタクトホール６ａを埋めるようにホール内絶縁膜８ｅを形成する。

次に、電極間絶縁膜形成工程では、図８（ｄ）に示すように、ＣＶＤ法などを用いて、シリコン酸化膜やシリコン窒化膜などのシリコン系絶縁膜からなる電極間絶縁膜８ａを膜厚が４００ｎｍ以下になるように形成する。次に、フォトリソグラフィ技術を用いて電極間絶縁膜８ａにコンタクトホール（図示せず）を形成する。

そして、共通電極形成工程では、図８（ｅ）に示すように、透明基板１０ｂの表面全体にＩＴＯ膜からなる透明導電膜９を形成した後、図８（ｆ）に示すように、レジストマスク９０を形成し、共通電極９ａをパターニング形成する。

このような構成を採用した場合も、実施の形態１、２と同様、共通電極９ａを形成する際、コンタクトホール６ａは、厚いホール内絶縁膜８ｂですでに埋められているため、コンタクトホール６ａと重なる領域に共通電極９ａを残さない場合でも、コンタクトホール９ａの内部および開口縁で画素電極７ａがエッチングされることがないので、コンタクトホール９ａの内部での画素電極７ａと薄膜トランジスタ３０との間の断線や、コンタクトホール９ａの開口縁での画素電極７ａの断線が発生しない。また、実施の形態２と同様、ホール内絶縁膜８ｅが、電極間絶縁膜８ａと別工程で形成された絶縁膜であるため、電極間絶縁膜８ａについてはＣＶＤ法により薄く形成したシリコン酸化膜、シリコン窒化膜、シリコン窒酸化膜、シリコン酸窒化膜などのシリコン系絶縁膜により構成して保持容量６０の容量値を高める一方、ホール内絶縁膜８ｅについては、コンタクトホール６ａ内を埋めるのに適した液状材料、例えば、感光性樹脂により形成することができる。また、ホール内絶縁膜８ｅについては、ポリシラザンの液状物を焼成してなるシリコン酸化膜により形成することもできる。

［実施の形態１、２の変形例１］
上記実施の形態１、２では、画素電極７ａの境界領域に沿ってデータ線５ａおよび走査線３ａが形成されており、開口部９ｂは、データ線５ａおよび走査線３ａのうちの一方の配線（走査線３ａ）の延設方向に沿ってスリット状に延びている。そこで、図１（ｂ）に示す遮光膜２３については、図９（ａ）、（ｂ）に示すように、一方の配線（走査線３ａ）、およびコンタクトホール６ａの形成領域と平面的に重なる領域に形成することが好ましい。このように構成すると、液晶５０の配向乱れによるドメインの発生領域を遮光膜２３で確実に覆うことができるので、表示した画像の品位を向上することができる。

これに対して、開口部９ｂがデータ線５ａの延設方向に沿ってスリット状に延びている場合、遮光膜２３については、データ線５ａ、およびコンタクトホール６ａの形成領域と平面的に重なる領域に形成すればよい。

このような構成を採用するにあたって、図９（ａ）、（ｂ）には、上記形態を実施の形態１に適用した例を示したが、実施の形態２あるいはその変形例に上記形態を適用してもよい。

［実施の形態１、２の変形例２］
上記実施の形態１、２において、共通電極９ａには、コンタクトホール６ａと平面的に重なる領域に切り欠き９ｃが形成されており、コンタクトホール６ａと平面的に重なる領域には共通電極９ａが形成されていない構成を採用したが、図１０（ａ）、（ｂ）に示すように、コンタクトホール６ａと平面的に重なる領域にも共通電極９ａが形成されている構成を採用してもよい。この場合も、本発明では、共通電極９ａを形成する際、コンタクトホール６ａは、厚いホール内絶縁膜８ａですでに埋められているため、コンタクトホール６ａと重なる領域に共通電極９ａを残した場合でも、共通電極９ａと画素電極７ａがコンタクトホール６ａの底部で短絡することがない。また、共通電極９ａを形成する際、コンタクトホール６ａは、厚いホール内絶縁膜８ａですでに埋められているため、コンタクトホール６ａの開口縁にはピンホールが存在するような急激な段差がない。このため、コンタクトホール６ａと重なる領域に共通電極９ａを残した場合でも、共通電極９ａと画素電極７ａがコンタクトホール６ａの開口縁で短絡するおそれがない。それ故、液晶装置の信頼性を向上することができる。

このような構成を採用するにあたって、図１０（ａ）、（ｂ）には、上記形態を実施の形態１に適用した例を示したが、実施の形態２あるいはその変形例に上記形態を適用してもよい。

［他の実施の形態］
上記形態では、半導体層としてポリシコン膜を用いた例であったが、アモルファスシリコン膜や単結晶シリコン層を用いた素子基板１０に本発明を適用してもよい。また、画素スイッチング素子として薄膜ダイオード素子（非線形素子）を用いた液晶装置に本発明を適用してもよい。

［電子機器への搭載例］
次に、上述した実施形態に係る液晶装置１００を適用した電子機器について説明する。図１１（ａ）に、液晶装置１００を備えたモバイル型のパーソナルコンピュータの構成を示す。パーソナルコンピュータ２０００は、表示ユニットとしての液晶装置１００と本体部２０１０を備える。本体部２０１０には、電源スイッチ２００１及びキーボード２００２が設けられている。図１１（ｂ）に、液晶装置１００を備えた携帯電話機の構成を示す。携帯電話機３０００は、複数の操作ボタン３００１及びスクロールボタン３００２、並びに表示ユニットとしての液晶装置１００を備える。スクロールボタン３００２を操作することによって、液晶装置１００に表示される画面がスクロールされる。図１１（ｃ）に、液晶装置１００を適用した情報携帯端末（ＰＤＡ：Personal Digital Assistants）の構成を示す。情報携帯端末４０００は、複数の操作ボタン４００１及び電源スイッチ４００２、並びに表示ユニットとしての液晶装置１００を備える。電源スイッチ４００２を操作すると、住所録やスケジュール帳といった各種の情報が液晶装置１００に表示される。

なお、液晶装置１００が適用される電子機器としては、図１１に示すものの他、デジタルスチルカメラ、液晶テレビ、ビューファインダ型、モニタ直視型のビデオテープレコーダ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネルを備えた機器等などが挙げられる。そして、これらの各種電子機器の表示部として、前述した液晶装置１００が適用可能である。

（ａ）、（ｂ）は各々、本発明を適用した液晶装置をその上に形成された各構成要素と共に対向基板の側から見た平面図、およびそのＨ−Ｈ′断面図である。 本発明を適用した液晶装置に用いた素子基板の画像表示領域の電気的な構成を示す等価回路図である。 （ａ）、（ｂ）は各々、本発明の実施の形態１に係る液晶装置の画素１つ分の断面図、および素子基板において相隣接する画素の平面図である。 本発明の実施の形態１に係る液晶装置に用いた素子基板の製造方法を示す工程断面図である。 （ａ）、（ｂ）は各々、本発明の実施の形態２に係る液晶装置の画素１つ分の断面図、および素子基板において相隣接する画素の平面図である。 本発明の実施の形態２に係る液晶装置に用いた素子基板の製造方法を示す工程断面図である。 （ａ）、（ｂ）は各々、本発明の実施の形態２の変形例に係る液晶装置の画素１つ分の断面図、および素子基板において相隣接する画素の平面図である。 本発明の実施の形態３に係る液晶装置に用いた素子基板の製造方法を示す工程断面図である。 （ａ）、（ｂ）は各々、本発明の実施の形態１、２の変形例１に係る液晶装置の画素１つ分の断面図、および素子基板において相隣接する画素の平面図である。 （ａ）、（ｂ）は各々、本発明の実施の形態１、２の変形例２に係る液晶装置の画素１つ分の断面図、および素子基板において相隣接する画素の平面図である。 本発明に係る液晶装置を用いた電子機器の説明図である。 従来の液晶装置の画素１つ分の断面図、および素子基板において相隣接する画素の平面図である。 参考例に係る液晶装置の画素１つ分の断面図、素子基板において相隣接する画素の平面図、および共通電極をパターニング形成する工程の説明図である。

符号の説明

１ａ・・半導体膜、３ａ・・走査線、４・・層間絶縁膜、６・・層間絶縁膜（感光性樹脂層／平坦化膜）、５ａ・・データ線、５ｂ・・ドレイン電極、６ａ・・コンタクトホール、７ａ・・画素電極、８ａ・・電極間絶縁膜、８ｂ、８ｅ・・ホール内絶縁膜、９ａ・・共通電極、９ｂ・・共通電極の開口部、１０・・素子基板、２０・・対向基板、５０・・液晶、３０・・薄膜トランジスタ（画素スイッチング素子）、６０・・保持容量、１００・・液晶装置

Claims (12)

1. 素子基板と対向基板との間に液晶が保持された液晶装置の製造方法において、
   前記素子基板に対する、画素スイッチング素子の形成工程と、コンタクトホールを備えた層間絶縁膜の形成工程と、前期コンタクトホールの底部で前記画素スイッチング素子に電気的に接続する画素電極の形成工程と、該画素電極を覆う電極間絶縁膜の形成工程と、開口部を備えた共通電極の形成工程とを有し、
   前記画素電極の形成工程を行なった後、前記共通電極の形成工程を行なう前に、前記コンタクトホールをホール内絶縁膜により埋めておくことを特徴とする液晶装置の製造方法。
2. 前記ホール内絶縁膜を形成するにあたっては、少なくとも前記コンタクトホールを埋めるように絶縁膜形成用の液状材料を塗布した後、固化させることを特徴とする請求項１に記載の液晶装置の製造方法。
3. 前記電極間絶縁膜の形成工程では、前記コンタクトホールの外側でも前期液状材料を塗布した後、固化させて、前記電極間絶縁膜と前記ホール内絶縁膜とを同時形成することを特徴とする請求項２に記載の液晶装置の製造方法。
4. 前記電極間絶縁膜の形成工程の前あるいは後に、前記コンタクトホール内に塗布した前記液状材料を固化させて前記ホール内絶縁膜を前記電極間絶縁膜と別工程で形成することを特徴とする請求項２に記載の液晶装置の製造方法。
5. 素子基板と対向基板との間に液晶が保持された液晶装置において、
   前記素子基板上には、画素スイッチング素子と、該画素スイッチング素子を覆う層間絶縁膜と、該絶縁膜の上層に形成され、当該層間絶縁膜に形成されたコンタクトホールの底部で前記画素スイッチング素子に電気的に接続された画素電極と、該画素電極を覆う電極間絶縁膜と、該電極間絶縁膜の上層に形成され、開口部を備えた共通電極とを有し、
   前記コンタクトホールは、該コンタクトホール内で前記画素電極の上層側に形成されたホール内絶縁膜により埋められていることを特徴とする液晶装置。
6. 前記ホール内絶縁膜は、少なくとも前記コンタクトホールを埋めるように塗布された絶縁膜形成用の液状材料を固化させてなることを特徴とする請求項５に記載の液晶装置。
7. 前記ホール内絶縁膜と前記電極間絶縁膜は、前記コンタクトホールの内部および外部に塗布した前記液状材料を固化させることにより、同時形成されてなることを特徴とする請求項６に記載の液晶装置。
8. 前記ホール内絶縁膜は、前記電極間絶縁膜とは別に、前記コンタクトホール内で、前記電極間絶縁膜の上層、あるいは前記画素電極の上層に塗布した前記液状材料を固化させてなることを特徴とする請求項６に記載の液晶装置。
9. 前記電極間絶縁膜は、シリコン系絶縁膜からなることを特徴とする請求項５乃至８の何れか一項に記載の液晶装置。
10. 前記電極間絶縁膜は、膜厚が４００ｎｍ以下であることを特徴とする請求項５乃至９の何れか一項に記載の液晶装置。
11. 前記層間絶縁膜は、感光性樹脂層を含んでいることを特徴とする請求項５乃至１０の何れか一項に記載の液晶装置。
12. 前記共通電極には、前記コンタクトホールと平面的に重なる領域に切り欠きが形成され、
    前記画素電極の境界領域に沿ってデータ線および走査線が形成され、
    前記開口部は、前記データ線および走査線のうちの一方の配線の延設方向に沿ってスリット状に延びており、
    前記素子基板および前記対向基板のうちの少なくとも一方には、前記一方の配線、および前記コンタクトホールの形成領域と平面的に重なる領域に遮光膜が形成されていることを特徴とする請求項５乃至１１の何れか一項に記載の液晶装置。

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