JP2008268841A - 液晶装置、液晶装置の製造方法および電子機器 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】液晶装置100の素子基板10上には、薄膜トランジスタ30の上層側が有機平坦化膜からなる層間絶縁膜6で覆われ、層間絶縁膜6の上層には、共通電極9aがベタの電極層として形成されている。共通電極9aの上層には電極間絶縁膜8が形成され、その上には、スリット状の間隙部7bを有する画素電極7aが形成されている。ベタに形成された共通電極9aと比較して、スリット状の間隙部7bが形成されている画素電極7aは膜厚が薄いので、ラビング処理を好適に行うことができる。
【選択図】図3
Description
(全体構成)
図1(a)、図1(b)は各々、本発明を適用した液晶装置をその上に形成された各構成要素と共に対向基板の側から見た平面図、およびそのH−H’断面図である。
図2を参照して、本発明を適用した液晶装置100およびそれに用いた素子基板の構成を説明する。図2は、本発明を適用した液晶装置100に用いた素子基板10の画像表示領域10aの電気的な構成を示す等価回路図である。
図3(a)、図3(b)は各々、本発明を適用した液晶装置100の画素1つ分の断面図、および素子基板10において相隣接する画素の平面図であり、図3(a)は、図3(b)のA−A’線に相当する位置で液晶装置100を切断したときの断面図に相当する。また、図3(b)では、画素電極7aは長い点線で示し、データ線5aおよびそれと同時形成された薄膜は一点鎖線で示し、走査線3aは二点鎖線で示し、共通電極9aにおいて部分的に除去された部分は実線で示してある。なお、図3(a)において、対向基板20については、遮光膜23およびカラーフィルタの図示を省略してある。
このような構成の素子基板10を用いて液晶装置1を製造するには、図4に示すように、画素電極7aの表面側にポリイミド樹脂などからなる配向膜16を形成した後、ラビングローラ40などを用いて配向膜16の表面を擦るラビング処理を行い、電場が印加されていない状態における液晶分子の配向を制御する。このようなラビング処理を配向膜16の表面全体に均一に行うには、配向膜16の表面が平坦であることが好ましいので、層間絶縁膜6については有機平坦化膜が用いられている。
画素電極7a(上層側電極層)<共通電極9a(下層側電極層)
を有する。すなわち、ベタに形成された共通電極9aと比較して、スリット状の間隙部7bが形成されている画素電極7aの膜厚が薄い。
図5(a)、図5(b)は各々、本発明の実施の形態2に係る液晶装置100の画素1つ分の断面図、および素子基板10において相隣接する画素の平面図であり、図5(a)は、図3(b)のB−B’線に相当する位置で液晶装置100を切断したときの断面図に相当する。なお、本形態の基本的な構成は、実施の形態1と同様であるため、共通する部分には同一の符号を付してそれらの説明を省略する。
共通電極9a(上層側電極層)<画素電極7a(下層側電極層)
を有する。すなわち、ベタに形成された画素電極7aと比較して、スリット状の間隙部9bが形成されている共通電極9aの膜厚が薄い。
なお、実施の形態1、実施の形態2では、間隙部を形成するにあたって、スリット状の開口部を形成したが、画素電極を櫛歯形状、あるいは魚の骨形状にして間隙部を設けた液晶装置に本発明を適用してもよい。
次に、上述した実施形態に係る液晶装置100を適用した電子機器について説明する。図6(a)に、液晶装置100を備えたモバイル型のパーソナルコンピュータの構成を示す。パーソナルコンピュータ2000は、表示ユニットとしての液晶装置100と本体部2010を備える。本体部2010には、電源スイッチ2001及びキーボード2002が設けられている。図6(b)に、液晶装置100を備えた携帯電話機の構成を示す。携帯電話機3000は、複数の操作ボタン3001及びスクロールボタン3002、並びに表示ユニットとしての液晶装置100を備える。スクロールボタン3002を操作することによって、液晶装置100に表示される画面がスクロールされる。図6(c)に、液晶装置100を適用した情報携帯端末(PDA:Personal Digital Assistants)の構成を示す。情報携帯端末4000は、複数の操作ボタン4001及び電源スイッチ4002、並びに表示ユニットとしての液晶装置100を備える。電源スイッチ4002を操作すると、住所録やスケジュール帳といった各種の情報が液晶装置100に表示される。
Claims (11)
- 複数の画素を備えてなり、各前記画素に対応してスイッチング素子が設けられてなる液晶装置において、
前記スイッチング素子が形成されてなる素子基板と、
前記スイッチング素子を上に形成された層間絶縁膜と、
前記層間絶縁膜上に形成される第1の電極層と、
前記素子基板に形成されており、電極間絶縁膜を介して前記第1電極と平面的に重なる第2の電極層と、を具備し、
各前記画素は、前記第1電極と前記第2の電極層とが平面的に重なる第1領域と、前記第1電極および前記第2の電極層のうち前記第1の電極層のみが形成されてなる第2領域と、を含んでなり、
前記第2の電極層の膜厚が前記第1の電極層の膜厚より薄いことを特徴とする液晶装置。 - 前記素子基板が配向処理されてなることを特徴とする請求項1に記載の液晶装置。
- 前記第2の電極層上に配向膜が形成されてなり、前記第1領域と前記第2領域との境界において前記配向膜に段差が形成されてなることを特徴とする請求項2に記載の液晶装置。
- 前記第1の電極層および前記第2の電極層のいずれか一方が前記スイッチング素子に接続された画素電極であり、他方が前記複数の画素に跨って形成されてなる共通電極であることを特徴とする請求項1に記載の液晶装置。
- 前記第1の電極層が前記共通電極であり、前記第2の電極層が前記画素電極であることを特徴とする請求項4に記載の液晶装置。
- 前記第2領域は、前記第2の電極層に設けられた開口またはスリットにより構成されてなることを特徴とする請求項1に記載の液晶装置。
- 前記層間絶縁膜が有機物質を含む平坦化膜であることを特徴とする請求項1に記載の液晶装置。
- 前記第1の電極層および前記第2の電極層を構成する材料の比抵抗率の差が5×10E−4Ω・cm以下であることを特徴とする請求項1に記載の液晶装置。
- 複数の画素を備えてなり、各前記画素に対応してスイッチング素子が設けられてなる液晶装置を製造する方法において、
前記素子基板に前記スイッチング素子を形成する工程と、
前記スイッチング素子上に層間絶縁膜を形成する工程と、
前記層間絶縁膜上に第1の電極層を形成する工程と、
前記素子基板に、電極間絶縁膜を介して前記第1の電極層と平面的に重なる第2の電極層を形成する工程と、を具備し、
前記第2の電極層を形成する工程においては、前記第2の電極層に開口又はスリットを形成するとともに、前記第2の電極層の膜厚が前記第1の電極の膜厚より薄くなるよう前記第2の電極層を形成することを特徴とする液晶装置の製造方法。 - 前記第2の電極上に配向膜を形成する工程と、
前記配向膜をラビング処理する工程と、を更に含んでなることを特徴とする請求項9に記載の液晶装置の製造方法。 - 請求項1に記載の液晶装置を備えてなることを特徴とする電子機器。
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