TWI428677B - 液晶裝置、液晶裝置之製造方法及電子機器 - Google Patents

Description

液晶裝置、液晶裝置之製造方法及電子機器

本發明係關於液晶裝置，特別是關於在所謂的邊緣場開關(以下稱為FFS(Fringe Field Switching))模式之液晶裝置為代表的元件基板，妥適地被適用於具備畫素電極與共通電極雙方之液晶裝置之技術。此外，係關於該液晶裝置之製造方法，及適用液晶裝置之電子機器。

各種液晶裝置之中，FFS模式之液晶裝置，係於元件基板與對象基板之中，在元件基板層積畫素電極、電極間絕緣膜、被形成間隙部的共通電極，藉由對畫素電極與共通電極施加的電場而驅動液晶(參照專利文獻1)。

[專利文獻1]日本專利特開2001－235763號公報

於這樣的FFS模式之液晶裝置，作為畫素開關元件，使用採非晶矽膜之底閘極構造的薄膜電晶體，在此薄膜電晶體之汲極電極直接以重疊的方式形成畫素電極時，因為畫素電極被形成為與資料線相同的層間，所以有必要使畫素電極離開資料線，會有畫素電極的形成區域很窄的問題。

在此，本案發明人提出了，如圖7(a)所示，以覆蓋作 為畫素開關元件之薄膜電晶體30的方式形成層間絕緣膜6，透過此層間絕緣膜6的接觸孔6a以及汲極電極5b，使畫素電極7a導電連接於薄膜電晶體30的汲極區域1d。圖7(a)所示之例，係為了與本案發明進行對比而由本案發明人所提案者，於畫素電極7a的上層，依序被形成電極間絕緣膜8、被形成為狹縫狀的間隙部6b之共通電極9a、以及配向膜16。畫素電極7a以及共通電極9a，均為藉由膜厚100nm~200nm之相同厚度的ITO(Indium Tin Oxide，銦錫氧化物)膜所構成。根據如此之構成，可以使畫素電極7a形成至接近於資料線5a的位置，具有可以增廣畫素電極7a的形成區域的優點。

使用這樣的構成之元件基板10製造液晶裝置時，如圖7(b)所示，於共通電極9a的表面側形成由聚醯亞胺樹脂等所構成的配向膜16之後，使用摩擦輥40等擦過配向膜16的表面進行摩擦處理，控制未施加電場的狀態之液晶分子的配向。要使這樣的磨擦處理在配向膜16的表面全體均勻地進行，配向膜16的表面最好為平坦的，所以針對層間絕緣膜6最好使用有機平坦化膜。

然而，在圖7(a)、圖7(b)所示的構成進行摩擦處理時，於共通電極9a的間隙部9b的內側，對共通電極9a在摩擦輥的進行方向側，會有起因於共通電極9a的厚度之大的階差為原因而導致不良情形會跨廣範圍地發生之問題點，這樣的磨擦不良16a，成為對比的降低等使顯示影像的品質降低的原因。這樣說來，若使共通電極9a以及畫 素電極7a的膜厚更薄的話，共通電極9a的電阻增大，相關的電阻增大，會成為在影像內發生亮度不均等的原因。

除了前述摩擦不良以外，共通電極9a的厚度太大時，起因於階差自身會產生配向不良，或者起因於畫素內之共通電極9a被形成的區域，與狹縫狀間隙部9b之液晶層的厚度變化而有使顯示的對比降低之虞。

前述課題，不限於在電極間絕緣膜8上形成共通電極9a的場合，在電極間絕緣膜8上形成畫素電極7a的場合也同樣產生。

有鑑於以上之問題點，本發明之課題在於提供不增大電極層之電阻，而可以抑制電極間絕緣膜8上形成的電極的厚度所導致之顯示不良的發生之液晶裝置。

為了解決前述課題，相關於本發明之液晶裝置，係具備複數之畫素而構成，對應於各前述畫素設有開關元件而成之液晶裝置，其特徵為具備：前述開關元件被形成而構成之元件基板、被形成於前述開關元件之上的層間絕緣膜、被形成於前述層間絕緣膜上的第1電極層、及被形成於前述元件基板，介由電極間絕緣膜而與前述第1電極平面重疊的第2電極層；各前述畫素，包含前述第1電極層與前述第2電極層平面重疊的第1區域、及前述第1電極層與前述第2電極層之中僅前述第1電極層被形成的第2區域，前述第2電極層之膜厚比前述第1電極層之膜厚還 要薄。

接著，以前述元件基板被施以配向處理為特徵。作為配向處理之一例，於第2電極層上形成由聚醯亞胺樹脂等所構成的配向膜之後，使用摩擦輥擦過配向膜之表面進行摩擦處理。根據本發明，於第1區域與第2區域之邊界在前述配向膜被形成階差，但因使第2電極層之膜厚設定為比第1電極層更薄，所以起因於第2電極層的厚度之階差很低，可以防止摩擦不良的產生，即使產生摩擦不良的場合，其區域也極為狹窄。因此，可以防止起因於摩擦不良的對比降低。

本發明之效果，於進行前述之摩擦處理的場合最為顯著，但於其他配向處理方法，例如，使光線對感光性高分子膜從斜方向照射的方法，或根據斜方向蒸鍍膜之配向處理方法等，也藉由使被形成於元件基板上的階差抑制為很低，而可以減低液晶之配向不良。

本發明，係使第1電極層與第2電極層之膜厚平衡最佳化者，不僅僅是使第1電極層與第2電極層之雙方的膜厚變薄者，所以不會增加第1電極層及第2電極層合起來之全體的電阻。亦即，於影像內不會發生亮度不均等等。因而，根據本發明，可以顯示品質高的影像。

於本發明，可以採用第1電極層及第2電極層之任一方係被接續於前述開關元件的畫素電極，另一方係跨前述複數畫素而被形成的共通電極之構成。特別是，第1電極層為前述共通電極，而第2電極層為畫素電極者較佳。因 為使共通電極的膜厚增厚，電阻的增大作為亮度不均等等容易顯著化的共通電極的電阻可以降低，所以影像內不會發生亮度不均。

於本發明，特徵為第2區域係由被設於前述第2電極層的開口或者狹縫所構成。

於本發明，特徵為層間絕緣膜係包含有機物質之平坦化膜。如此構成，因為配向膜的表面變成平坦，所以可使摩擦處理全面均勻地進行。

於本發明，特徵為構成第1電極層及第2電極層的材料之比電阻率大致相等。在本發明，使第2電極層變薄，而使第1電極層之膜厚增厚，所以減低起因於第2電極的厚度之階差，同時防止作為電極層全體之電阻的增大。亦即，在第1電極層的比電阻率與第2電極層之比電阻率近似的場合，本發明之效果變得顯著。最佳者為，第1電極層與第2電極層一起以相同的材料形成。於第1電極層與第2電極層以不同的材料形成的場合，只要第1電極層的比電阻率與第2電極層之比電阻率之差在5×10E－4Ω．cm以下的話，根據本發明的構成之電極膜厚與電阻的調整為有效。作為第1電極層或第2電極層之具體的組合，例如可以考慮ITO、IZO、ZnO、In₂ O₃ －ZnO等。

本發明之液晶裝置之製造方法，係製造具備複數之畫素而構成，對應於各前述畫素設有開關元件而成之液晶裝置之製造方法，其特徵為具備：於前述元件基板形成前述開關元件之步驟、於前述開關元件上形成層間絕緣膜之步 驟、於前述層間絕緣膜上形成第1電極層之步驟、及於前述元件基板，形成介由電極間絕緣膜而與前述第1電極平面重疊的第2電極層之步驟；於形成前述第2電極層之步驟，以在前述第2電極層形成開口或狹縫，同時前述第2電極層之膜厚比前述第1電極層之膜厚還要薄的方式形成前述第2電極層。

於前述之液晶裝置之製造方法，最好是進而包含於前述第2電極上形成配向膜的步驟，及摩擦處理前述配向膜的步驟。

適用本發明之液晶裝置，作為行動電話或可攜電腦等電子機器之顯示部而使用。

以下，說明本發明之實施型態。又，在以下的說明，為了使與圖75所示的構成之對應關係容易理解，具有共通功能的部分賦予同一符號進行說明。此外，於在以下的說明所參照的各圖，為了使各層或各構件在圖面上標示為可辨識的大小，所以使各層或各構件的比例尺不同。此外，彩色濾光片等之圖示被省略。

〔實施型態1〕

(全體構成)

圖1(a)、圖1(b)之各個，係適用本發明之液晶裝置與被形成於其上的各構成要素一起由對向基板之側所見的平 面圖，以及其H－H’剖面圖。

於圖1(a)、圖1(b)，本型態之液晶裝置100，係透過型之主動矩陣型液晶裝置，於元件基板10上，密封材107以沿著對向基板20之邊緣的方式被設置。於元件基板10，於密封材107之外側的區域，資料線驅動電路101與實裝端子102沿著元件基板10的一邊被設置，沿著鄰接於實裝端子102被配列的邊之2邊，被形成掃描線驅動電路104。進而，亦有利用框緣108之下等，設置預充電電路或檢查電路等周邊電路。對向基板20，具備與密封材107幾乎相同的輪廓，藉由此密封材107對向基板20被固接於元件基板10。接著在元件基板10與對向基板20之間保持液晶50。

詳如後述，於元件基板10，畫素電極7a被形成為矩陣狀。對此，於對向基板20，在密封材107內側區域被形成由遮光材料所構成的框緣108，其內側成為影像顯示區域10a。在對向基板20，在與元件基板10之畫素電極7a的縱橫之邊界區域對向的區域亦有被形成稱為黑矩陣，或者黑條紋等之遮光膜23。

本型態之液晶裝置100，使液晶50以FFS模式驅動。因此，於元件基板10上，除了畫素電極7a以外，也被形成後述之共通電極(於圖1(b)未圖示)，於對向基板20未被形成對向電極。

(液晶裝置100之詳細構成)

參照圖2，說明適用本發明之液晶裝置100以及使用於其之元件基板的構成。圖2係顯示使用於適用本發明之液晶裝置100的元件基板10的影像顯示區域10a之電氣構成之等價電路圖。

如圖2所示，於液晶裝置100的影像顯示區域10a，複數畫素100a被形成為矩陣狀。於複數之畫素100a的各個，被形成畫素電極7a、及供控制畫素電極7a之用的畫素開關用薄膜電晶體30，將資料訊號(影像訊號)依照線順序供給的資料線5a被導電連接於薄膜電晶體30之源極。於薄膜電晶體30之閘極有掃描線3a被導電連接，以特定的計時，對掃描線3a將掃描訊號以線依序地施加而構成。畫素電極7a，被導電連接於薄膜電晶體30之汲極，藉由使薄膜電晶體30僅一定期間成為打關狀態，而使從資料線5a供給的資料訊號以特定的計時寫入各畫素100a。如此進行透過畫素電極7a，被寫入圖1(b)所示之液晶50的特定位準的影像訊號，在與被形成於元件基板10之共通電極9a之間保持一定期間。此處，畫素電極7a與共通電極9a之間被形成保持電容60，畫素電極7a之電壓，例如被保持比源極電壓被施加的時間更長上千倍(3個數量級)的時間。藉此，電荷的保持特性被改善，可以實現可進行高對比的顯示之液晶裝置100。

在圖2，顯示為共通電極9a由掃描線驅動電路104延伸的配線那樣，但被形成於元件基板10的影像顯示區域10a之約略全面，被保持於特定的電位。

(各畫素之詳細構成)

圖3(a)、圖3(b)各係適用本發明之液晶裝置100的1個畫素份之剖面圖，及於元件基板10相鄰接的畫素之平面圖，圖3(a)係在相當於圖3(b)的A－A’線的位置切斷液晶裝置100時之剖面圖。此外，在圖3(b)，畫素電極7a顯示為長的虛線，資料線5a以及與其同時被形成的薄膜係以單點虛線顯示，掃描線3a係以雙點虛線表示，於共通電極9a部分被除去的部分以實線表示。又，於圖3(a)針對對向基板20，省略遮光膜23以及彩色濾光片之圖示。

如圖3(a)、圖3(b)所示，於元件基板10上，複數之透明的畫素電極7a(以長的虛線包圍的區域)矩陣狀地被形成於各畫素100a，沿著畫素電極7a的縱橫之邊界區域形成資料線5a(單點虛線)及掃描線3a(二點虛線)。此外，於元件基板10之影像顯示區域10a之約略全面被形成由ITO膜所構成之共通電極9a。於本型態，共通電極9a被形成為覆(貼)滿狀，另一方面，於畫素電極被形成複數狹縫狀的間隙部7b(以長虛線顯示)，於間隙部7b共通電極9a重疊於畫素電極7a。於本型態，複數之間隙部7b，被形成為斜向於掃描線3a的延伸方向，與複數之間隙部7b彼此平行延伸。

圖3(a)所示之元件基板10之基體，係由石英基板或耐熱性的玻璃基板等透明基板10b所構成，對向基板20 之基體，係由石英基板或耐熱性的玻璃基板等透明基板20b所構成。在本型態，透明基板10b、20b之任一均使用玻璃基板。在對向基板20，其全面被形成配向膜26，但與TN模式之液晶裝置不同，未被形成對向電極。

再度於圖3(a)、圖3(b)，於元件基板10，在透明基板10b的表面被形成由矽之氧化膜所構成的下底保護膜(未圖示)，同時於其表面側，在鄰接於各畫素電極7a的位置被形成頂閘極構造之薄膜電晶體30。如圖3(a)、圖3(b)所示，薄膜電晶體30，亦有以對島狀的半導體膜1a，具備被形成通道形成區域1b、源極區域1c、汲極區域1d的構造，以在通道形成區域1b的兩側具備低濃度區域的LDD(Lightly Doped Drain)構造的方式被形成。於本型態，半導體膜1a，在對元件基板10形成非晶矽膜之後，藉由雷射退火或燈退火等而被多結晶化為多晶矽膜。

於半導體膜1a之上層，被形成矽之氧化膜、矽之氮化膜、或者是這些之層積膜所構成的閘極絕緣膜2，於閘極絕緣膜2之上層，掃描線3a之一部份與閘極電極重疊。在本型態，半導體膜1a折曲為ㄇ字形，具有閘極電極於通道方向被形成於2個處所之雙閘極構造。

於閘極電極(掃描線3a)之上層被形成由矽之氧化膜、矽之氮化膜、或者這些之層積膜所構成的層間絕緣膜4。於層間絕緣膜4的表面被形成資料線5a，此資料線5a，透過被形成於層間絕緣膜4的接觸孔4a電氣連接於位在最靠資料線5a側之源極區域。此外，於層間絕緣膜 4的表面被形成汲極電極5b，汲極電極5b係與資料線5a同時形成的導電膜。汲極電極5b，介由被形成於層間絕緣膜4的接觸孔4b，被電氣連接於汲極區域1d。

於資料線5a及汲極電極5b之上層側，被形成層間絕緣膜6。於本型態，層間絕緣膜6，係作為由厚度1.5μm~2.0μm之厚的感光性樹脂所構成平坦化膜(有機平坦化膜)而被形成的。

於層間絕緣膜6的表面，跨其全面藉由貼滿的ITO膜形成作為下層側電極層之共通電極9a。於共通電極9a的表面，被形成電極間絕緣膜8。於本型態，電極間絕緣膜8，係由膜厚400nm以下的矽之氧化膜或者矽之氮化膜所構成。

於電極間絕緣膜8的上層，藉由ITO膜形成作為上層側電極層之畫素電極7a，於畫素電極7a的表面側被形成配向膜16。於畫素電極7a，被形成前述之狹縫狀的間隙部7b。在如此構成之狀態，共通電極9a與畫素電極7a係中介著電極間絕緣膜8而對向，形成以電極間絕緣膜8為介電質膜的保持電容60。

此處，畫素電極7a，介由被形成於層間絕緣膜6的接觸孔6a，被電氣連接於汲極電極6b。因此，於共通電極9a，在被形成接觸孔6a的部分被形成矩形的缺口9d。

在如此構成的液晶裝置1，藉由被形成於畫素電極7a與共通電極9a之間的橫電場，可以在狹縫狀間隙部7b以及其周邊驅動液晶50，可以顯示影像。

(電極層之構成，及本型態之主要效果)

使用這樣的構成之元件基板10製造液晶裝置1時，如圖4所示，於畫素電極7a的表面側形成由聚醯亞胺樹脂等所構成的配向膜16之後，使用摩擦輥40等擦過配向膜16的表面進行摩擦處理，控制未施加電場的狀態之液晶分子的配向。要使這樣的磨擦處理在配向膜16的表面全體均勻地進行，配向膜16的表面最好為平坦的，所以針對層間絕緣膜6使用有機平坦化膜。

此處，作為下層側電極層之共通電極9a，係由膜厚50nm~200nm之ITO膜作為貼滿之電極層而被形成，作為上層側電極層之畫素電極7a，係由膜厚30nm~100nm之ITO膜作為具有狹縫狀的間隙部7b之電極層而被構成，共通電極9a的膜厚與畫素電極7a的膜厚有以下之關係：「畫素電極7a(上層側電極層)<共通電極9a(下層側電極層)」。亦即，與被形成為貼滿的共通電極9a比較，被形成狹縫狀的間隙部7b的畫素電極7a的膜厚較薄。

亦即，進行摩擦處理時，於畫素電極7a之間隙部7b的內側，在對畫素電極7a之摩擦輥的行進方向側，有著由於起因於畫素電極7a的厚度之階差而會在陰影部分產生摩擦不良16a之虞，但在本型態，狹縫狀的間隙部7b被形成的畫素電極7a的膜厚較薄。因此，即使摩擦不良16a產生的場合，也僅發生在極為狹窄的區域。因此，不 會產生對比的降低等，可以提高顯示影像的品質。

此外，於本型態，使畫素電極7a的膜厚薄化之部分可以使共通電極9a之膜厚增厚。因此，畫素電極7a及共通電極9a之作為整體的電阻可以被維持於低的程度。特別是因為共通電極9a係跨複數個畫素而被形成，所以電阻容易成為問題，但在本型態，因為增厚共通電極9a的膜厚，所以共通電極9a的電阻比從前更低。因此，可以確實防止影像內的亮度不均之產生。

在本實施型態，為了防止起因於使畫素電極7a薄化之影像的亮度不均，而使共通電極的厚度增加，使畫素電極7a與共通電極9a之合計電阻不要增大。於本實施型態，畫素電極7a、共通電極9a都使用ITO膜，但除了ITO膜以外，也可以把IZO等透明導電膜作為畫素電極7a、共通電極9a來使用。此外，畫素電極7a、共通電極9a也可以使用種種不同的材料所構成的導電膜。在此場合，藉由選擇在畫素電極7a及共通電極9a所分別使用的材料的比電阻率之差的絕對值在5×10E-4Ω．cm以下的材料，可以把電阻之合計值調成理想值，而且實現「畫素電極7a的膜厚<共通電極9a」之構成。

〔第2實施型態〕

圖5(a)、圖5(b)各係本發明之實施型態2的液晶裝置100的1個畫素份之剖面圖，及於元件基板10相鄰接的畫素之平面圖，圖5(a)係在相當於圖5(b)的B-B’線的位 置切斷液晶裝置100時之剖面圖。又，本型態之基本構成，與第1實施型態同樣，所以共通部分賦予同一符號而省略其說明。

如圖5(b)所示，於元件基板10上，複數之透明的畫素電極7a(以長的虛線包圍的區域)矩陣狀地被形成於各畫素100a，沿著畫素電極7a的縱橫之邊界區域形成資料線5a(單點虛線)及掃描線3a(二點虛線)。此外，於元件基板10之影像顯示區域10a之約略全面被形成由ITO膜所構成之共通電極9a。於本型態，畫素電極被形成為貼滿，另一方面於共通電極9a，狹縫狀的間隙部9b，被形成為斜向於掃描線3a的延伸方向，與複數之狹縫狀的間隙部9b彼此平行延伸。

如圖5(a)、圖5(b)所示，在元件基板10元件基板5上，以由有機平坦化膜所構成的層間絕緣膜6覆蓋薄膜電晶體30之上層側，於層間絕緣膜6之表面，有作為下層側電極層之畫素電極7a藉由ITO膜被形成為貼滿。此外，於畫素電極7a的表面，被形成電極間絕緣膜8。

於電極間絕緣膜8的上層，藉由ITO膜形成作為上層側電極層之共通電極9a，於共通電極9a，被形成前述之狹縫狀間隙部9b。於狹縫狀之間隙部9b，畫素電極7a不重疊於共通電極9a。於畫素內，狹縫狀的間隙部9b所佔的比率為20%~60%。

使用這樣的構成之元件基板10製造液晶裝置1時，與參照圖4所說明的構成約略相同，於共通電極9a的表 面側形成由聚醯亞胺樹脂等所構成的配向膜16之後，使用摩擦輥40等擦過配向膜16的表面進行摩擦處理，控制未施加電場的狀態之液晶分子的配向。要使這樣的磨擦處理在配向膜16的表面全體均勻地進行，配向膜16的表面最好為平坦的，所以針對層間絕緣膜6使用有機平坦化膜。

此處，作為下層側電極層之畫素電極7a，係由膜厚50nm~200nm之ITO膜作為覆滿之電極層而被形成，作為上層側電極層之共通電極9a，係由膜厚30nm~100nm之ITO膜作為具有狹縫狀的間隙部7b之電極層而被構成，共通電極9a的膜厚與畫素電極7a的膜厚有以下之關係：「共通電極9a(上層側電極層)<畫素電極7a(下層側電極層)」。亦即，與被形成為貼滿的畫素電極7a比較，被形成狹縫狀的間隙部9b的共通電極9a的膜厚較薄。

亦即，進行摩擦處理時，於共通電極9a之狹縫狀的間隙部9b的內側，在對共通電極9a之摩擦輥40的行進方向側，有著由於起因於共通電極9a的厚度之階差而會產生摩擦不良16a之虞，但在本型態，狹縫狀的間隙部9b被形成的共通電極9a的膜厚較薄。因此，即使摩擦不良16a產生的場合，也僅發生在極為狹窄的區域。因此，不會產生對比的降低等，可以提高顯示影像的品質。

此外，於本型態，使共通電極9a的膜厚薄化之部分可以使畫素電極7a之膜厚增厚。因此，畫素電極7a及共 通電極9a之作為整體的電阻可以被維持於低的程度。

在本實施型態，為了防止起因於使畫素電極7a薄化之影像的亮度不均，而使共通電極的厚度增加，使畫素電極7a與共通電極9a之合計電阻不要增大。於本實施型態，畫素電極7a、共通電極9a都使用ITO膜，但除了ITO膜以外，也可以把IZO等透明導電膜作為畫素電極7a、共通電極9a來使用。此外，畫素電極7a、共通電極9a也可以使用種種不同的材料所構成的導電膜。在此場合，藉由選擇在畫素電極7a及共通電極9a所分別使用的材料的比電阻率之差在5×10E－4Ω．cm以下的材料，可以把電阻之合計值調成理想值，而且實現「畫素電極7a的膜厚<共通電極9a」之構成。

〔其他實施型態〕

又，在實施型態1、實施型態2，於形成間隙部時，係形成狹縫狀的開口部，但在使畫素電極成為梳齒形狀，或魚骨形狀而設置間隙部的液晶裝置也可以適用本發明。

此外，在實施型態1、實施型態2，係作為半導體膜使用多晶矽膜之例，但亦可於使用非晶矽膜或單晶矽層的元件基板10適用本發明。此外，亦可將本發明適用於作為畫素開關元件使用薄膜二極體元件(非線性元件)之液晶裝置。

(對電子機器之搭載例)

其次，說明適用相關於前述實施型態之液晶裝置100的電子機器。圖6(a)係顯示具備液晶裝置100之可攜型個人電腦的構成。個人電腦2000，具備作為顯示單元之液晶裝置100與本體部2010。於本體部2010，設有電源開關2001及鍵盤2002。圖6(b)係顯示具備液晶裝置100之行動電話的構成。行動電話機3000，具備複數操作按鍵3001以及捲動按鈕3002、以及作為顯示單元之液晶裝置100。藉由操作捲動按鈕3002，可以使顯示於液晶裝置100的畫面捲動。圖6(c)係顯示適用液晶裝置100之可攜資訊終端(PDA：Personal Digital Assistants)的構成。可攜資訊終端4000，具備複數操作按鍵4001以及電源開關4002、以及作為顯示單元之液晶裝置100。操作電源開關4002時，通訊錄或行程表等各種資訊被顯示於液晶裝置100。

又，作為液晶裝置100被適用之電子機器，除了圖6所示者以外，還可以舉出數位相機、液晶電視、觀景窗型、螢幕直視型之攝影機、汽車導航裝置、呼叫器、電子手冊、計算機、文書處理機、工作站、電視電話、POS終端、具備觸控面板的機器等。接著，作為這些各種電子機器之顯示部，前述之液晶裝置100可以適用。

1a‧‧‧半導體膜

3a‧‧‧掃描線

4‧‧‧層間絕緣膜

6‧‧‧作為有機平坦化膜之層間絕緣膜

6a‧‧‧接觸孔

5a‧‧‧資料線

5b‧‧‧汲極電極

7a‧‧‧畫素電極

7b‧‧‧畫素電極之狹縫狀的間隙部

8‧‧‧電極間絕緣膜

9a‧‧‧共通電極

9b‧‧‧狹縫狀的間隙部

10‧‧‧元件基板

20‧‧‧對向基板

30‧‧‧作為畫素開關元件之薄膜電晶體

50‧‧‧液晶

60‧‧‧保持電容

100‧‧‧液晶裝置

100a‧‧‧畫素

圖1(a)、(b)分別係適用本發明之液晶裝置與被形成於其上的各構成要素一起由對向基板之側所見的平面圖， 以及其H－H’剖面圖。

圖2係顯示使用於適用本發明之液晶裝置的元件基板的影像顯示區域之電氣構成之等價電路圖。

圖3(a)、(b)分別係相關於本發明之實施型態1之液晶裝置的1畫素份之平面圖，及於元件基板相鄰接的畫素之平面圖。

圖4係顯示製造適用本發明之液晶裝置時之摩擦處理的樣子之說明圖。

圖5(a)、(b)分別係相關於本發明之實施型態2之液晶裝置的1畫素份之平面圖，及於元件基板相鄰接的畫素之平面圖。

圖6係使用相關於本發明之液晶裝置的電子機器之說明圖。

圖7係顯示從前之液晶裝置之1個畫素份的剖面圖，及製造此液晶裝置時之摩擦處理的樣子之說明圖。

1‧‧‧液晶裝置

1a‧‧‧半導體膜

1b‧‧‧通道形成區域

1c‧‧‧源極區域

1d‧‧‧汲極區域

2‧‧‧閘極絕緣膜

3a‧‧‧掃描線

4‧‧‧層間絕緣膜

4a‧‧‧接觸孔

4b‧‧‧接觸孔

6‧‧‧作為有機平坦化膜之層間絕緣膜

6a‧‧‧接觸孔

5a‧‧‧資料線

5b‧‧‧汲極電極

7a‧‧‧畫素電極

7b‧‧‧畫素電極之狹縫狀的間隙部

8‧‧‧電極間絕緣膜

9a‧‧‧共通電極

9d‧‧‧缺口

10‧‧‧元件基板

10b‧‧‧透明基板

16‧‧‧配向膜

20‧‧‧對向基板

26‧‧‧配向膜

30‧‧‧作為畫素開關元件之薄膜電晶體

50‧‧‧液晶

60‧‧‧保持電容

100a‧‧‧畫素

Claims (9)

1. 一種液晶裝置，係具備複數之畫素而構成，對應於各前述畫素設有開關元件而成之液晶裝置，其特徵為具備：前述開關元件被形成而構成之元件基板、被形成於前述開關元件之上的層間絕緣膜、被形成於前述層間絕緣膜上的第1電極層、及被形成於前述元件基板，中介著電極間絕緣膜而與前述第1電極平面重疊的第2電極層；各前述畫素，包含前述第1電極層與前述第2電極層俯視相重疊的第1區域、及前述第1電極層與前述第2電極層之中僅前述第1電極層被形成的第2區域，前述第2電極層之膜厚比前述第1電極層之膜厚還要薄；前述第1電極層及前述第2電極層之任一方係被連接於前述開關元件的畫素電極，另一方係跨前述複數畫素而被形成的共通電極；前述第1電極層，係前述共通電極，前述第2電極層係前述畫素電極。
2. 如申請專利範圍第1項之液晶裝置，其中前述元件基板被配向處理。
3. 如申請專利範圍第2項之液晶裝置，其中於前述第2電極層上被形成配向膜，於前述第1區域與前述第2區域之邊界在前述配向膜形成階差。
4. 如申請專利範圍第1項之液晶裝置，其中前述第2區域，係由被設於前述第2電極層的開口或者狹縫所構成。
5. 如申請專利範圍第1項之液晶裝置，其中前述層間絕緣膜係包含有機物質之平坦化膜。
6. 如申請專利範圍第1項之液晶裝置，其中構成前述第1電極層及前述第2電極層的材料的比電阻率之差在5×10E-4Ω．cm以下。
7. 一種液晶裝置之製造方法，係製造具備複數之畫素而構成，對應於各前述畫素設有開關元件而成之液晶裝置之製造方法，其特徵為具備：於前述元件基板形成前述開關元件之步驟、於前述開關元件上形成層間絕緣膜之步驟、於前述層間絕緣膜上形成第1電極層之步驟、及於前述元件基板，形成中介著電極間絕緣膜而與前述第1電極俯視相重疊的第2電極層之步驟；於形成前述第2電極層之步驟，以在前述第2電極層形成開口或狹縫，同時前述第2電極層之膜厚比前述第1電極層之膜厚還要薄的方式形成前述第2電極層。
8. 如申請專利範圍第7項之液晶裝置之製造方法，其中進而包含於前述第2電極上形成配向膜的步驟，及摩擦處理前述配向膜的步驟。
9. 一種電子機器，其特徵為具備申請範圍第1項之 液晶裝置。