TWI432854B - 液晶顯示裝置及其製造方法 - Google Patents

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Jiro Taniguchi
Eiichirou Itou
Saori Sugiyama
Susumu Edo
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Japan Display Inc
Panasonic Liquid Crystal Displ
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Description

液晶顯示裝置及其製造方法
本發明關於液晶顯示裝置及其製造方法，特別關於提升畫面亮度的液晶顯示裝置及其製造方法。
液晶顯示裝置係被廣泛使用作為電腦等之資訊通信終端機或電視機之顯示裝置。液晶顯示裝置係利用封入2個基板間之液晶組成物之配向之控制，來變化透光之程度，而顯示圖像的裝置。
液晶組成物之配向之控制方式習知者有TN(Twisted Nematic)方式及IPS(In Plane Switching)方式。另外，作為TN(Twisted Nematic)方式之一而有VA(Vertical Alignment)方式。於TN方式或VA方式，係於薄膜電晶體基板(以下稱TFT(Thin Film Transistor)基板)設置畫素電極之同時，在介由液晶層設於TFT基板之相反側的彩色濾光片基板設置對向電極，藉由控制產生於彼等間之電場，而控制液晶組成物之配向。另外，於ISP方式，係於TFT基板側設置畫素電極與對向電極之雙方，藉由控制產生於彼等間之電場，而控制液晶組成物之配向。
圖13表示利用IPS方式之習知TFT基板800之汲極信號線801、源極802、及畫素電極803之配置模樣。施加於汲極信號線801之影像信號，係介由電晶體之通道部805施加於電連接於源極802之畫素電極803。其中，在 畫素電極803之層與源極802之層之間，存在被形成於顯示區域全面之對向電極(未圖示)，藉由被施加於畫素電極803之區分為3個之部分的電壓，及產生於其與對向電極間之電場，使密封於較畫素電極803更上層之液晶組成物被控制。圖之BM所示區域，係表示遮蔽光之暗矩陣區域，光由暗矩陣區域以外之開口部分被射出使影像被顯示。
此種液晶顯示裝置之畫素電極，係暴露於由鄰接之畫素等所產生之雜訊之影響，受到該雜訊之影響使畫素電極之電位成為不穩定時，會引起顯示品質之降低。
本發明有鑑於上述問題，目的在於提供具有畫素電極之TFT基板，該畫素電極可藉由增加電容而保持穩定之電位。
本發明之液晶顯示裝置及液晶顯示裝置之製造方法之主要特徵如下。
液晶顯示裝置，係具備延伸於第1方向之閘極信號線、延伸於和上述第1方向呈交叉之第2方向的汲極信號線、及畫素者；其特徵為：上述畫素，係具備：薄膜電晶體，由連接於上述閘極信號線的閘極電極，連接於上述汲 極信號線的汲極電極，連接於畫素電極的源極電極，及半導體層構成；及導電層，在上述畫素電極與上述薄膜電晶體之間，介由絕緣膜被配置；上述畫素電極及上述導電層，在被投影至形成有上述電晶體之面時，係以覆蓋上述電晶體之通道部的方式被配置。
另外，液晶顯示裝置，係使延伸於第1方向之閘極信號線、延伸於和上述第1方向交叉之第2方向的汲極信號線、畫素電極形成於基板上者；其特徵為：藉由連接於上述閘極信號線的閘極電極、連接於上述汲極信號線的汲極電極、源極電極、及半導體層來構成薄膜電晶體；在上述基板上所形成之薄膜電晶體之上，由上述薄膜電晶體側起依序配置絕緣膜、導電膜、絕緣膜、上述畫素電極。
另外，液晶顯示裝置之製造方法，上述液晶顯示裝置之薄膜電晶體基板之形成工程係具備：薄膜電晶體形成工程，形成作為開關之薄膜電晶體用於對畫素電極施加電壓；導電層形成工程，係在上述薄膜電晶體形成工程之後，介由絕緣膜以覆蓋上述薄膜電晶體之通道的方式形成導電層；及畫素電極形成工程，係在上述導電層形成工程之後，介由絕緣膜，以覆蓋上述薄膜電晶體之通道部的方式形成畫素電極，該畫素電極係藉由電壓之施加來控制液晶組成物之配向者。
又，本發明之薄膜電晶體基板，係使用於液晶顯示裝置的薄膜電晶體基板者，具備：畫素電極，其藉由電壓之施加來控制液晶組成物之配向；薄膜電晶體，其作為開關 用於對上述畫素電極施加電壓；及導電層，介由絕緣層被配置於形成有上述畫素電極之層與形成有上述薄膜電晶體之層之間；上述畫素電極及上述導電層，在被投影至和上述薄膜電晶體基板之面平行的面時，係以覆蓋上述薄膜電晶體之源極/汲極間部分之通道部的方式被配置。
又，本發明之液晶顯示裝置中，上述導電層可以覆蓋形成有上述畫素之顯示區域的方式被形成，可設為在其和上述畫素電極之間形成保持電容的對向電極。
又，本發明之液晶顯示裝置中，上述導電層可以設於光不會由各畫素之境界被射出而構成之遮光區域。
又，本發明之液晶顯示裝置中，具有上述通道部的上述電晶體，可對覆蓋上述通道部之上述畫素電極施加電壓。
又，本發明之液晶顯示裝置中，具有上述通道部的上述電晶體，可對覆蓋上述通道部之上述畫素電極所鄰接之上述畫素電極施加電壓。
以下參照圖面說明本發明第1實施形態及第2實施形態。又，圖中同一或同等之要素被附加同一符號，並省略重複說明。
(第1實施形態)
圖1為本發明之一實施形態之液晶顯示裝置100之概 略圖。如圖所示，液晶顯示裝置100，係由上框110及下框120所挾持而固定的液晶顯示面板200及背光裝置等構成。
圖2表示液晶顯示面板200之構成圖。液晶顯示面板200，係具有TFT基板230及彩色濾光片基板220之2片基板，於彼等基板之間封入液晶組成物。於TFT基板230，係被配置藉由驅動電路240控制的閘極信號線245及藉由驅動電路250控制的汲極信號線251，彼等信號線係形成作為液晶顯示裝置100之一畫素機能的畫素210。又，液晶顯示面板200具有和其之顯示之解析度對應之數目的畫素210，但為避免繁雜而於圖2省略圖示。
圖3為TFT基板230之畫素部之擴大之概略圖。該TFT基板230為所謂IPS方式之TFT基板，係於TFT基板230設置畫素電極與對向電極之雙方。於該圖表示通過各畫素210之汲極信號線251，由汲極信號線251介由電晶體之源極/汲極間部分之通道部305通過的源極電極302，電連接於源極電極302的畫素電極303，及源極電極302與畫素電極303之連接處(接觸孔)CH。圖中BM所示區域係表示光之遮蔽用的暗矩陣之區域，光係由暗矩陣以外之開口部分射出使影像被顯示。另外，於源極電極、汲極電極之下層存在閘極信號配線、閘極、閘極絕緣膜、半導體層，但於圖3未被圖示。被施加有共通電位的對向電極，係由例如ITO(Indium Tin Oxide)之透明電極於TFT基板全體被形成。形成於基板全體的導電膜之對向電 極，係於源極電極302與畫素電極303之連接用接觸孔CH之形成位置設有開口。於對向電極之開口部作成接觸孔，據以防止對向電極與畫素電極之接觸。
其中，畫素電極303係由以下構成：連接於源極電極302的接觸部電極303A，未被暗矩陣覆蓋的開口部分之電極、亦即開口部電極303B，及以覆蓋鄰接畫素之電晶體之通道部305的方式被形成的通道上部電極303C。接觸部電極303A係於接觸孔CH部連接於源極電極302。於該構成，畫素電極係延伸至通道上部電極303C所鄰接之畫素之通道部，以擴大畫素電極303之面積。
畫素電極及導電層，當投影至TFT基板面時(或由前面側看之透視圖呈現時)，係以覆蓋上述電晶體通道部的方式被配置。
通道上部電極303C，係藉由形成於對向電極之暗矩陣BM被隱蔽於畫面觀察者之視線。因此，對畫面亮度不影響，無須設置開口部，可增大電極面積。
另外，為迴避鄰接畫素210之通道上部電極303C所產生之雜訊影響，接觸部電極303A係由鄰接畫素210之通道上部電極303C離開特定距離。
又，於開口部電極303B，藉由通道上部電極303C使畫素電極303之面積增加，因此線寬W可以形成較細。畫素電極303係由例如ITO等之透明電極形成，雖為透明電極，但因形成為膜，當然透光率會下降。本實施形態中，可以形成較細之線寬W，因此，於開口部分可縮小透 明電極被形成之面積，提升透光率。
用於連接畫素電極303與源極電極302的接觸部電極303A，係形成為較源極電極接觸部302A更小。此乃為增大第1畫素210之畫素電極與在汲極信號線延伸方向鄰接之第2畫素221之畫素電極間之間隔G。鄰接之第2畫素221之畫素電極係覆蓋第1畫素210用之TFT之通道部被形成，因此縮小第1畫素210之畫素電極。藉由此構成，可以確保第1畫素210之畫素電壓之變動不會影響至第2畫素221之畫素電極(不會成為雜訊)之程度之間隔G。
圖4為圖3之IV-IV線部分之斷面圖。如圖所示，TFT基板230係由以下構成：玻璃基板310；電晶體350；形成於電晶體350之上的絕緣膜、亦即有機膜316；形成於有機膜316之上的對向電極306；形成於對向電極306之上的絕緣膜318；及形成於絕緣膜之上的畫素電極303。
又，電晶體350係由以下構成：形成於玻璃基板310之上的閘極信號線245；非晶質矽層308；形成於閘極信號線245與非晶質矽層308之間的閘極絕緣膜312；汲極信號線251；源極電極302；及形成於汲極信號線251與源極電極302之上的源極/汲極絕緣膜314。其中，源極電極302係連接於畫素電極303之接觸部電極303A。
如圖4所示，通道上部電極303C係被配置於電晶體之通道部305之上部，但是介在著導電體之對向電極306，因此幾乎不受電晶體雜訊之影響。藉由該通道上部 電極303C，畫素電極303在不受雜訊之影響情況下，可以增大面積，亦即可以增大電容。
亦即，於通道部305之上層，介由絕緣層配置導電膜之對向電極306。於導電膜之對向電極306之上層，介由絕緣膜配置畫素電極303之一部分。畫素202之畫素電極303，係和控制鄰接之畫素210的薄膜電晶體之通道部305重疊被配置。
其中，說明畫素210之通道部305之動作，藉由圖2之驅動電路250將影像信號施加於對象之畫素210之汲極信號線251，藉由驅動電路240使對象之畫素210之閘極信號線245成為主動時，圖4之汲極信號線251與源極電極302成為導通，由源極電極302介由接觸部電極303A使影像信號之電壓施加於畫素電極303全體。開口部電極303B，係於和對向電極306之間產生電場，控制TFT基板230與彩色濾光片基板220之間之液晶組成物。
又，特別是於IPS方式之液晶顯示裝置，可實現縮小畫素電極之寬度W之特有效果。
圖5為圖3之沿V-V線之斷面圖。於圖5，於玻璃基板310上具有由複數絕緣膜構成之絕緣層IN。於絕緣層IN之上層被配置施加有共通電位之對向電極306、絕緣膜318、畫素電極303。藉由TFT基板230與彩色濾光片基板220挾持液晶層319。圖5之二點虛線表示電場。用於控制液晶之旋轉的電場，係由畫素電極及對向電極形成。 IPS方式時，藉由橫向之電場使液晶旋轉來控制透光之 ON/OFF。特別是，電場係藉由畫素電極之端部附近與對向電極，來形成有助於透光率之電場。和畫素電極之端部附近比較，畫素電極303之中央附近係成為較難控制液晶之電場。
圖6、7表示IPS方式之透光率圖。圖6表示畫素電極之寬度W較寬時，圖7表示畫素電極之寬度W較窄時之透光率。
於圖6、7，縱軸表示透光率、橫軸表示畫素電極之位置。對向電極係和圖5同樣，假設介由絕緣膜配置於畫素電極之下層的狀態。又，理想之橫電場被形成時之液晶層之透光率假設為100%。又，圖6、7係表示液晶層中之透光率，至於其他要因、例如彩色濾光片之透光率、偏光板之透光率則未加以考慮。
由6、7可知，於畫素電極之中央附近較難形成橫電場，透光率下降。
圖6表示電極寬度W為7μm時之透光效率。在橫電場被有效形成之畫素電極之端部附近，液晶元件被控制，透光率成為約90%。另外，畫素電極之中央附近，橫電場未被良好形成，透光率成為約27%。另外，畫素電極間之中央部附近之透光率亦低，約為55~70%。換算為1畫素單位之透光率時，透光率成為約55%。
圖7表示電極寬度W為3μm時之透光效率。在橫電場被有效形成之畫素電極之端部附近，液晶元件被控制，和畫素電極寬度較寬時同樣，透光率成為約90%。另外， 圖7之畫素電極寬度W較窄，因此，即使在橫電場較難形成之畫素中央部分亦具有約60%之透光率。另外，畫素電極間之中央部附近亦具有約60%之透光率。換算為1畫素單位之透光率時，透光率成為約75%。
雖亦和IPS之顯示模態特有之作用有關，由圖6、7可知，藉由適當縮小畫素電極之寬度W可以提升透光率。特別是畫面亮度係由積分值來提供，因此縮小畫素電極之寬度W可以提升畫面亮度。
圖8為TFT基板230之製造工程之概略圖。其中，成膜工程、微影成像技術工程及蝕刻工程之各工程，係使用習知之半導體製程，因此省略彼等之說明。
於TFT基板230之製造，首先，於步驟S10，形成電晶體350。步驟S10係被分割為步驟S11~步驟S15之工程。首先，於步驟S11，藉由成膜工程、微影成像技術工程及蝕刻工程來形成閘極信號線245。閘極信號線245之材料主要使用鋁(Al)。之後，於步驟S12形成閘極絕緣膜312。接著，於步驟S13藉由成膜工程、微影成像技術工程及蝕刻工程來形成非晶質矽層308。
之後，於步驟S14，藉由成膜工程、微影成像技術工程及蝕刻工程來形成汲極信號線251及源極電極302。彼等之材料主要使用鋁(Al)。接著，於步驟S15形成源極/汲極絕緣膜314，使電晶體350被形成。接著，於步驟S20、步驟S30、步驟S40依序分別形成有機膜316、對向電極306及絕緣膜318。最後，於步驟S50，藉由成膜工 程、微影成像技術工程及蝕刻工程來形成畫素電極303。
如上述說明，畫素電極303，係藉由通道上部電極303C可以增加電容，可以保持穩定之電位，提升顯示品質。
另外，藉由通道上部電極303C可以增大畫素電極303之電容，可以窄化開口部分之電極之線寬(使變細)。如此則，可縮小開口部分之透明電極之形成面積，可提升透光率，結果可提升顯示品質。
圖9為上述第1實施形態之變形例之TFT基板400之擴大之概略圖。TFT基板400，除畫素電極為畫素電極403以外均和第1實施形態之TFT基板230同樣，因此省略同樣要素之說明。畫素電極403係由連接於源極電極302之接觸部電極403A，及未被暗矩陣覆蓋之開口部分之電極之開口部電極403B構成。
畫素電極403之接觸部電極403A，係延伸至該畫素210肢電晶體之通道部305，以擴大畫素電極403之面積。另外，為迴避鄰接之畫素之接觸部電極403A所產生之雜訊影響，開口部電極403B係由鄰接畫素之接觸部電極403A離開特定距離G。另外，相較於接觸部電極403A，開口部電極403B之畫素電極403之面積增加，因此線寬W可以形成較細。如此則，於開口部分可縮小(透明)電極被形成之面積，可提升透光率。
圖10為圖9之X-X線部分之斷面圖。於該圖，除畫素電極為畫素電極403以外均同第1實施形態之TFT基板 230，因此省略同樣要素之說明。如圖10所示，接觸部電極403A細配置於電晶體之通道部305之上部，但因為介由導電體之對向電極306，因此幾乎不受電晶體之雜訊影響。藉由該接觸部電極403A，畫素電極403可以在不受雜訊影響情況下增大面積，亦即可增大電容。
亦即，於通道部305之上層介由絕緣層被配置導電體之對向電極306。另外，於導電膜之對向電極306之上層介由絕緣膜被配置畫素電極403之一部分。該畫素電極403，係藉由具備位於畫素電極403下方之通道部305的薄膜電晶體進行控制。
因此，畫素電極403，係藉由接觸部電極403A可以增加電容，可保持穩定之電位，可提升顯示品質。
又，藉由接觸部電極403A可以增加畫素電極403之電容，可以細化開口部分之電極之線寬。如此則，可縮小開口部分之透明電極被形成之面積，可提升透光率，結果可提升顯示品質。
藉由上述構成，可縮小畫素之寬度，可提供高精細度之液晶顯示裝置。
(第2實施形態)
圖11為本發明之一實施形態之TFT基板500之擴大之概略圖。其中，TFT基板500係具備構成薄膜電晶體TFT之汲極電極、閘極電極、半導體層。另外，TFT基板500具備畫素電極、用於保持畫素電極之電位的保持電容 電極。於TFT基板500側設置畫素電極，介由液晶層在TFT基板之相反側之彩色濾光片基板設置對向電極。此種構成之顯示裝置可為VA方式或TN方式之液晶顯示裝置。VA方式或TN方式用之TFT基板，針對和IPS方式同樣之構成則省略重複之說明。
於圖11，於TFT基板500被形成有畫素電極503，但未形成對向電極。其他構成均和第1實施形態之TFT基板230同樣，因此省略說明。畫素電極503，係矩形狀，延伸至鄰接畫素210之電晶體之通道部305，擴大畫素電極503之面積。另外，為迴避鄰接畫素210之畫素電極503所產生之雜訊影響，畫素電極503係和鄰接之畫素電極503隔開特定距離G。
另外，和第1實施形態同樣，畫素電極亦可以覆蓋同一畫素之薄膜電晶體之通道部305而形成。
另外，閘極信號配線、閘極電極、閘極絕緣膜、半導體層、被施加共通電位之保持電容配線及保持電容電極並未記載於圖11。另外，保持電容電極，係介由絕緣膜和畫素電極呈重疊配置，據以保持對向電極之電位。
TN方式或VA方式之液晶顯示裝置時，增大形成有畫素電極之透光區域即可提升透光率。但是，習知TN方式或VA方式之液晶顯示裝置，難以增大畫素區域。此乃因為畫素電極503與汲極信號線251之間隔SP1、SP2變窄時，畫素電極會受到汲極信號線之電壓變動影響。畫素之電壓變動會導致透光率之變動，使圖像變亂。
本實施形態中，藉由增大畫素電極之面積可以增大保持電容。另外，畫素電極因為被暗矩陣BM遮光之區域而可以構成較大。可以將畫素電極以及形成保持電容的保持電容電極形成於遮光區域BM，可以在不降低透光率下增加保持電容。
依據本發明可以縮小畫素電極與該畫素電極所連接之汲極信號線間之間隔SP1。另外，可以縮小畫素電極與該畫素電極所鄰接之列之汲極信號線間之間隔SP2。
藉由此一構成，可增大畫素之保持電容，縮小間隔SP1、SP2，提升透光率。另外，藉由本發明之構成可以提供高精細之液晶顯示裝置。
圖12為圖11之VII-VII所示部分之斷面圖。於該圖，係於TFT基板500設置藉由薄膜電晶體TFT被控制之畫素電極503，液晶之驅動用的對向電極未被設置。另外，於暗矩陣區域設置導電層506。和第1實施形態之TFT基板230同樣之要素則省略說明。如圖12所示，畫素電極503，係配置於鄰接之畫素210之電晶體之通道部305上部。於畫素電極503與通道部間，介由絕緣層IN存在導電體之導電層506。因此，延伸於通道部305之上的畫素電極幾乎不受電晶體之雜訊影響。因此，畫素電極503，可以在不受雜訊影響情況下增大其面積，亦即可以增大畫素電極之電容。
導電層506係朝圖12之紙面之垂直方向延伸，和閘極信號線245平行配置。另外，導電層506較好是保持電 位於一定，例如施加和對向電極同一電位，而確保畫素之保持電容。
因此，畫素電極503，可以在不增加電容情況下，保持穩定之電位，提升顯示品質。
又，畫素電極503雖延伸至鄰接之畫素210之電晶體之通道部305，但亦可為延伸至畫素電極503之畫素210之電晶體之通道部305。
於上述各實施形態係說明使用IPS方式、VA方式或TN方式之TFT基板，但亦可為其他方式，可適用於藉由TFT基板來控制液晶組成物的液晶顯示裝置。
以上係依據實施形態具體說明本發明，但本發明並不限定於上述實施形態，在不脫離其要旨情況下可做各種變更實施。
100‧‧‧液晶顯示裝置
110‧‧‧上框
120‧‧‧下框
200‧‧‧液晶顯示面板
210‧‧‧格
220‧‧‧彩色濾光片基板
230、400、500‧‧‧TFT基板
240、250‧‧‧驅動電路
245‧‧‧閘極信號線
251‧‧‧汲極信號線
302‧‧‧源極電極
303、403、503‧‧‧畫素電極
303A、403A‧‧‧接觸部電極
303B、403B‧‧‧開口部電極
303C‧‧‧通道上部電極
305‧‧‧通道部
306‧‧‧對向電極
308‧‧‧非晶質矽層
310‧‧‧玻璃基板
316‧‧‧有機膜
312‧‧‧閘極絕緣膜
314‧‧‧源極/汲極絕緣膜
318‧‧‧絕緣膜
350‧‧‧電晶體
506‧‧‧導電層
圖1為本發明之一實施形態之液晶顯示裝置之概略圖。
圖2為圖1之液晶顯示面板之構成圖。
圖3為圖2之TFT基板之擴大之概略圖。
圖4為圖3之IV-IV線部分之斷面圖。
圖5為圖3之V-V線部分之斷面圖。
圖6為IPS方式之液晶顯示裝置之透光率圖。
圖7為IPS方式之液晶顯示裝置之透光率圖。
圖8為圖4之TFT基板之製造工程之概略圖。
圖9為第1實施形態之變形例之TFT基板之擴大之概略圖。
圖10為圖9之X-X線部分之斷面圖。
圖11為本發明之一實施形態之TFT基板之擴大之概略圖。
圖12為圖11之XII-XII所示部分之斷面圖。
圖13為習知TFT基板之汲極信號線、源極電極及畫素電極之配置模樣圖。
210‧‧‧格
230‧‧‧TFT基板
221‧‧‧畫素
251‧‧‧汲極信號線
302‧‧‧源極電極
303‧‧‧畫素電極
303A‧‧‧接觸部電極
303B‧‧‧開口部電極
303C‧‧‧通道上部電極
305‧‧‧通道部
302A‧‧‧源極電極接觸部
BM‧‧‧暗矩陣
CH‧‧‧接觸孔
G‧‧‧間隔
W‧‧‧線寬

Claims (5)

  1. 一種液晶顯示裝置，係具有薄膜電晶體基板者；其特徵為：上述薄膜電晶體基板具備：畫素電極，其藉由電壓之施加來控制液晶組成物之配向；薄膜電晶體，其作為開關用於對上述畫素電極施加電壓；及導電層，介由絕緣層被配置於形成有上述畫素電極之層與形成有上述薄膜電晶體之層之間；上述畫素電極及上述導電層，在被投影至和上述薄膜電晶體基板之面平行的面時，被配置成覆蓋上述薄膜電晶體之源極/汲極間部分之通道部；具有上述通道部的上述薄膜電晶體，係對覆蓋上述通道部之上述畫素電極所鄰接之畫素電極施加電壓。
  2. 如申請專利範圍第1項之液晶顯示裝置，其中上述導電層，乃是被形成為把形成有上述畫素之顯示區域予以覆蓋、且與上述畫素電極之間形成保持電容之對向電極。
  3. 如申請專利範圍第1項之液晶顯示裝置，其中上述導電層，係設於用以讓光不會從各畫素之境界射出之遮光區域。
  4. 如申請專利範圍第1項之液晶顯示裝置，其中前述畫素電極具有： 接觸部電極，係被連接到上述薄膜電晶體的源極電極，形成比被連接的區域之源極電極接觸部還要小；通道上部電極，係被形成完全地覆蓋鄰接的1個畫素之上述通道部之全長；及開口部電極，係具有複數條電極線，上述複數條電極線中的各個電極線，連接到上述接觸部電極及通道上部電極兩方；依序並排配置上述接觸部電極、上述開口部電極及上述通道上部電極。
  5. 一種薄膜電晶體基板之製造方法，係用於製造液晶顯示裝置所使用之薄膜電晶體基板者；其特徵為具備：薄膜電晶體形成工程，形成作為開關之薄膜電晶體用於對畫素電極施加電壓；導電層形成工程，係在上述薄膜電晶體形成工程之後，介由絕緣膜以覆蓋上述薄膜電晶體之通道的方式形成導電層；及畫素電極形成工程，係在上述導電層形成工程之後，介由絕緣膜，以覆蓋上述薄膜電晶體之通道部的方式形成畫素電極，該畫素電極係藉由電壓之施加來控制液晶組成物之配向者。
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