CN101893795A - 液晶显示装置及其制造方法 - Google Patents
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Abstract
本发明提供一种液晶显示装置及其制造方法。该液晶显示装置中：TFT基板(230)具有与各像素(210)相通的漏极信号线(251)、通过晶体管的沟道部(305)从漏极信号线(251)相通的源电极(302)、和与漏电极(302)电连接的像素电极(303)，像素电极(303)进而由与源电极(302)连接的接触部电极(303A)、作为未被黑色矩阵覆盖的开口部分的电极的开口部电极(303B)、和以覆盖相邻的像素的晶体管的沟道部(305)的方式形成的沟道上部电极(303C)构成。沟道上部电极(303C)，通过延伸到相邻的像素的沟道部，从而扩展像素电极(303)的面积，开口部电极(303B)比较细地形成线宽。由此，TFT基板能够保持稳定的电位。
Description
技术领域
本发明涉及一种液晶显示装置及其制造方法，尤其涉及一种使画面亮度提高的液晶显示装置及其制造方法。
背景技术
液晶显示装置作为计算机等信息通信装置或电视接收机的显示设备而被广泛使用。液晶显示装置是通过控制封入在两个基板之间的液晶组成物取向而使光的透射程度变化来显示图像的装置。
作为控制液晶组成物的取向的方式，已知TN(Twisted Nematic，扭曲向列相)方式以及IPS(In Plane Switching，面内切换)方式。作为TN方式之一有VA(Vertical Alignment，垂直排列)方式。在TN方式以及VA方式中，在薄膜晶体管基板(以下称为“TFT(Thin FilmTransistor)基板”)上设置像素电极，并且隔着液晶层在设于TFT基板的相反侧的滤色器基板上设置对置电极，通过控制在它们之间产生的电场来控制液晶组成物的取向。而在IPS方式中，在TFT基板侧上设置像素电极与对置电极这两方，根据在它们之间产生的电场来控制液晶组成物的取向。
图13示出了在利用IPS方式的以往的TFT基板800中的漏极信号线801、源电极802以及像素电极803的配置状况。施加在漏极信号线801上的影像信号，通过晶体管的沟道部805施加到与源电极802电连接的像素电极803上。这里，在像素电极803的层与源电极802的层之间，具有形成于显示区域整面的未图示的对置电极，由施加在像素电极803的被分为3根的部分上的电压和在与对置电极之间产生的电场，来控制密封在像素电极803的上层的液晶组成物。图的用BM示出的区域，示出了遮蔽光的黑色矩阵的区域，由于从黑色矩阵区域以外的开口部分射出光而显示图像。
发明内容
这样的液晶显示装置的像素电极，会受到由相邻的像素等发生的噪声的影响，如果由于该噪声的影响而像素电极的电位变得不稳定，则将引起显示质量的下降。
本发明鉴于以上的情况而做出，提供一种具有通过增加容量而能够保证稳定的电位的像素电极的TFT基板。
本发明的液晶显示装置以及液晶显示装置的制造方法的主要特征如下所述。
一种液晶显示装置，具有在第1方向上延伸的栅极信号线、在与上述第1方向交叉的第2方向上延伸的漏极信号线、像素，其特征在于，具有：由与上述栅极信号线连接的栅电极、与上述漏极信号线连接的漏电极、与像素电极连接的源电极和半导体层构成的薄膜晶体管、以及隔着绝缘膜配置在上述像素电极和上述薄膜晶体管之间的导电层，上述像素电极以及上述导电层被配置为，在投影到形成上述晶体管的面上的情况下，覆盖上述晶体管的沟道部。
另一种液晶显示装置，在基板上形成有在第1方向上延伸的栅极信号线、在与上述第1方向交叉的第2方向上延伸的漏极信号线、像素电极，其特征在于，由与上述栅极信号线连接的栅电极、与上述漏极信号线连接的漏电极、源电极和半导体层构成薄膜晶体管，在形成于上述基板上的薄膜晶体管之上，从上述薄膜晶体侧按绝缘膜、导电膜、绝缘膜、上述像素电极的顺序进行配置。
另外，一种液晶显示装置的制造方法，上述液晶显示装置的薄膜晶体管基板的形成工序，包括：薄膜晶体管形成工序，形成作为用于向像素电极施加电压的开关的薄膜晶体管；导电层形成工序，在上述薄膜晶体管形成工序之后，隔着绝缘膜以覆盖上述薄膜晶体管的沟道的方式形成导电层；像素电极形成工序，在上述导电层形成工序之后，隔着绝缘膜，以覆盖上述薄膜晶体管的沟道部的方式形成通过施加电压而控制液晶组成物的取向的像素电极。
另外，本发明的薄膜晶体管基板，是用于液晶显示装置的薄膜晶体管基板，其特征在于，具有：通过施加电压来控制液晶组成物的取向的像素电极、作为用于向上述像素电极施加电压的开关的薄膜晶体管、在形成上述像素电极的层与形成上述薄膜晶体管的层之间隔着绝缘膜而配置的导电层，其中，上述像素电极和上述导电层被配置为，在投影到与上述薄膜晶体管基板的面平行的面的情况下，覆盖作为上述薄膜晶体管的源极/漏极间部分的沟道部。
此外，本发明的液晶显示装置中，上述导电层是以覆盖形成上述像素的显示区域的方式而形成、在上述像素电极之间形成保持容量的对置电极。
此外，本发明的液晶显示装置中，上述导电层设置在用于使光不从各像素的边界射出的遮光区域上。
此外，本发明的液晶显示装置中，具有上述沟道部的上述晶体管，在覆盖上述沟道部的上述像素电极上施加电压。
此外，本发明的液晶显示装置中，具有上述沟道部的上述晶体管，在与覆盖上述沟道部的上述像素电极相邻的上述像素电极上施加电压。
附图说明
图1是示意性地示出本发明的一个实施方式的液晶显示装置的图。
图2是示出图1的液晶显示面板的结构的图。
图3示意性地示出图2的TFT基板的放大图。
图4示出由图3的IV-IV线所示的部分的剖面图。
图5示出由图3的V-V线所示的部分的剖面图。
图6示出IPS方式的液晶显示装置中的光的透射效率。
图7示出IPS方式的液晶显示装置中的光的透射效率。
图8示出图4的TFT基板的制造工序的梗概。
图9示意性地示出作为第1实施方式的变形例的TFT基板的放大图。
图10示出图9的X-X线所示的部分的剖面图。
图11示意性地示出本发明的一个实施方式的TFT基板的放大图。
图12示出图11的XII-XII线所示的部分的剖面图。
图13示出以往的TFT基板的漏极信号线、源电极以及像素电极的配置的状况。
符号说明
100：液晶显示装置；110：上框架；120：下框架；200：液晶显示面板；210：单元(cell)；220：滤色器基板；230、240、500：TFT基板；240、250：驱动电路；245：栅极信号线；251：漏极信号线；302：源电极；303、403、503：像素电极；303A、403A：接触部电极；303B、403B：开口部电极；303C：沟道上部电极；305：沟道部；306：对置电极；308：非晶质硅层；310：玻璃基板；316：有机膜；312：栅极绝缘膜；314：源极-栅极绝缘膜；318：绝缘膜；350：晶体管；506：导电层。
具体实施方式
以下，参照附图说明本发明的第1实施方式以及第2实施方式。在附图中，对同一或同等的要素附以同一符号，省略重复的说明。
[第1实施方式]
图1示意性地示出了本发明的一个实施方式的液晶显示装置100。如该图所示，液晶显示装置100由上框架110以及下框架120夹持而固定的液晶显示面板200以及未图示的背光装置等构成。
图2示出了液晶显示面板200的结构。液晶显示面板200具有TFT基板230和滤色器基板220这两张基板，在这些基板之间密封有液晶组成物。TFT基板230上铺设了由驱动电路240控制的栅极信号线245以及由驱动电路250控制的漏极信号线251，这些信号线形成了作为液晶显示装置100的一个像素而发挥功能的像素210。另外，液晶显示面板200具有与该显示的分辨率对应的数量的像素210，但为了避免图变得复杂，在图2中简化地显示。
图3示意性地示出了TFT基板230的像素部的放大图。该TFT基板230是在该TFT基板230上设置有像素电极和对置电极这两方的所谓的IPS方式的TFT基板。该图示出了接通各像素210的漏极信号线251、通过作为晶体管的源极-漏极间部分的沟道部305而从漏极信号线251接通的源电极302、与源电极302电连接的像素电极303、源电极302与像素电极303的连接位置(接触孔)CH。图的用BM所示的区域示出了遮蔽光的黑色矩阵的区域，通过从黑色矩阵区域以外的开口部分射出光而显示图像。另外，源电极、漏电极的下层具有栅极信号配线、栅电极、栅极绝缘膜、半导体层，但图3中没有记载。此外，施加共用电位的对置电极，例如ITO(Indium Tin Oxide，氧化铟锡)的透明电极跨TFT基板整个区域而形成。作为形成在基板整个区域的导电膜的对置电极，在形成用于连接源电极302和像素电极303的接触孔CH的位置上具有开口。通过在对置电极的开口部上制作接触孔来防止对置电极与像素电极的接触。
这里，像素电极303由与源电极302连接的接触部电极303A、未被黑色矩阵覆盖的开口部分的电极即开口部电极303B以及以覆盖相邻的像素的晶体管的沟道部305的方式形成的沟道上部电极303C构成。接触部电极303A通过接触孔CH部与源电极302相连。在该结构中，像素电极延伸到沟道上部电极303C所相邻的像素的沟道部，扩展了像素电极303的面积。
像素电极以及导电层，配置为在投影到TFT基板面上的情况(或者出现在从前面侧看到的透视图上的情况)下，覆盖上述晶体管的沟道部。
沟道上部电极303C由于形成在对置基板上的黑色矩阵BM而从画面观察者的视角隐藏。因此，对画面亮度没有影响，所以不需要设置开口部，就能够增大电极的面积。
此外，为了避免由相邻的像素210的沟道上部电极303C生成的噪声的影响，接触部电极303A与相邻的像素210的沟道上部电极303C相距预定的距离。
此外，像素电极303的面积由于沟道上部电极303C而增大，所以在开口部电极303B中能够比较细地形成线宽W。像素电极303例如由ITO等透明电极形成，然而虽然是透明电极，但如果形成膜，则当然光的透射率会下降。在本实施例中，由于较细地形成线宽W，所以在开口部，减小了形成(透明)电极的面积，使光的透射率提高。
连接像素电极303与源电极302的接触部电极303A形成得比源电极接触部302A小。这是为了增大第1像素210的像素电极与在漏极信号线的延伸方向上相邻的第2像素221的像素电极的间隔G。相邻的第2像素221的像素电极覆盖着第1像素210用的TFT的沟道部而形成，所以减小了第1像素210的像素电极。通过这样构成，能够确保第1像素210的像素电压的变动不会给第2像素221的像素电极带来影响(不形成噪声)的程度的间隔G。
图4示出了图3的IV-IV线所示的部分的剖面图。如该图所示，TFT基板230由玻璃基板310、晶体管350、形成在晶体管350之上的绝缘膜即有机膜316、形成在有机膜316之上的对置电极306、形成在对置电极306之上的绝缘膜318以及形成在绝缘膜之上的像素电极303构成。
此外，晶体管350由形成在玻璃基板310之上的栅极信号线245、非晶质硅层308、形成在栅极信号线245与非晶质硅层308之间的栅极绝缘膜312、漏极信号线251、源电极302以及形成在漏极信号线251和源电极302之上的源极-漏极绝缘膜314形成。这里，源电极302与像素电极303的接触部电极303A连接。
如图4所示，沟道上部电极303C配置在晶体管的沟道部305的上部，但隔着作为导电体的对置电极306，所以几乎不受晶体管的噪声的影响。利用该沟道上部电极303C，像素电极303不受噪声的影响就能够增大面积，即，能够增大容量。
即，在沟道部305的上层，隔着绝缘层配置作为导电膜的对置电极306。进而，在作为导电膜的对置电极306的上层，隔着绝缘膜配置像素电极303的一部分。像素202的像素电极303与控制相邻的像素210的薄膜晶体管的沟道部305重叠地配置。
这里，说明像素210的晶体管350的动作：如果利用图2的驱动电路250向成为对象的像素210的漏极信号线251施加影像信号，利用驱动电路240将成为对象的像素210的栅极信号线245变为有源(Active)，则图4的漏极信号线251与源电极302导通，从源电极302通过接触部电极303A向像素电极303整体施加影像信号的电压。开口部电极303B在对置电极306之间形成电场，控制位于TFT基板230与滤色器基板220之间的液晶组成物。
此外，特别是在IPS方式的液晶显示装置中，带来能使像素电极的宽度W变窄的特有效果。
图5是沿图3的V-V线的剖面图。图5中，在玻璃基板310之上具有由多个绝缘膜构成的绝缘层IN。在绝缘层IN的上层配置了施加有共用电位的对置电极306、绝缘膜318和像素电极303。由TFT基板230和滤色器基板220夹着液晶层319。此外，图5中的虚线表示电场。控制液晶的旋转的电场由像素电极和对置电极形成。在IPS方式的情况下，通过由向横向的电场使液晶旋转，由此控制光透射的开-关。特别是，利用与像素电极的端部附近对置的对置电极，形成对光的透射率有贡献的电场。像素电极303的中央附近与像素电极的端部附近比较，形成难以控制液晶的电场。
图6、图7是示出IPS方式中的光透射效率的图，图6表示像素电极的宽度W较宽的情况下的透射效率，图7表示像素电极的宽度W较窄的情况下的透射效率。
图6、图7中，纵轴是光的透射率，横轴是像素电极的位置。假定了对置电极与图5同样地隔着绝缘膜配置在像素电极的下层的状态。此外，设理想的横电场形成时的液晶层的光透射率为100％。另外，图6、图7表示液晶层中的透射率，没有考虑其它的原因，例如滤色器的透射率、偏光板的透射率等。
从图6、图7可知，在像素电极的中央附近难以形成横电场，所以光的透射率下降。
图6是电极宽W为7μm时的光透射效率。在高效地形成横电场的像素电极端部附近，液晶元件被控制，光的透射率约为90％。而在像素电极的中央部，由于没有良好地形成横电场，所以光的透射率约为27％。此外，在像素电极间的中央部附近也是透射率低，约为50～70％。如果换算为每1像素的光透射率，则光透射率约为55％。
图7是电极宽W为3μm时的光透射效率。在高效地形成横电场的像素电极端部附近，液晶元件被控制，与像素电极宽度较宽时相同，光的透射率约为90％。而图7的像素电极宽W较窄，所以，即使在难以形成横电场的像素中央部分，也有约60％的光透射率。此外，在像素电极间的中央部附近也有约60％的光透射率。如果换算为每1像素的光透射率，则光透射率约为75％。
虽然是IPS这样的显示模式特有的作用，但根据图6、图7可知，如果适当使像素电极的宽度W变窄，则光的透射率提高。特别是由于像素亮度由于积分值中有贡献，所以如果像素电极宽度W窄，则画面亮度提高。
图8是示出TFT基板230的制造工序的梗概的图。这里，成膜工序、光刻工序以及蚀刻工序的各工序使用公知的半导体工艺的工序，所以省略这些各工序的说明。
在TFT基板230的制造中，首先，在步骤S10中形成晶体管350。步骤S10分为步骤S11到步骤S15的工序，首先，在步骤S11中，通过成膜工序、光刻(photolithography)工序以及蚀刻工序形成栅极信号线245。对栅极信号线245的材料主要使用铝。接下来，在步骤S12中，形成栅极绝缘膜312，接着，在步骤S13中，通过成膜工序、光刻工序以及蚀刻工序形成非晶质硅层308。
接下来，在步骤S14中，通过成膜工序、光刻工序以及蚀刻工序形成漏极信号线251以及源电极302。对这些材料主要采用铝。接着，在步骤S15中形成源极-漏极绝缘膜314，形成晶体管350。接着在步骤S20、步骤S30、步骤S40中，分别依次形成有机膜316、对置电极膜306以及绝缘膜318。最后，在步骤S50中，通过成膜工序、光刻工序以及蚀刻工序形成像素电极303。
如上说明，像素电极303利用沟道上部电极303C能使容量增加，确保稳定的电位，所以能够提高显示质量。
此外，利用沟道上部电极303C能够增大像素电极303的容量，所以能够使开口部分的电极的线宽度变窄。由此，能够使形成开口部分的透明电极的面积减小，所以能够提高光的透射率，结果能够提高显示质量。
在图9中，示意性地示出了作为上述第1实施方式的变形例的TFT基板400的放大图。除了像素电极是像素电极403以外，TFT基板400与第1实施方式的TFT基板230相同，所以省略对于相同要素的说明。像素电极403由与源电极302连接的接触部电极403A和作为未覆盖黑色矩阵的开口部分的电极的开口部电极403B构成。
这里，像素电极403的接触部403A延伸到该像素210的晶体管的沟道部305，扩展了像素电极403的面积。此外，为了避免在相邻的像素的接触部电极403A中产生的噪声的影响，所以开口部电极403B与相邻的像素的接触部电极403A相距预定的距离G。此外，由于接触部电极403A而像素电极403的面积增大，所以在开口部电极403B中，线宽W形成得比较细。由此在开口部减小形成(透明)电极的面积，使光的透射率提高。
在图10中，示出了图9的X-X线所示的部分的剖面图。在该图中，除了像素电极是像素电极403以外，与第1实施方式的TFT基板230相同，所以也省略相同的要素的说明。如图10所示，接触部电极403A配置在晶体管的沟道部305的上部，但是隔着作为导电体的对置电极306，所以几乎不受晶体管的噪声的影响。利用该接触部电极403A，像素电极403能够不受噪声的影响地增大面积即增大容量。
即，在沟道部305的上层，隔着绝缘膜配置了作为导电膜的对置电极306。进而，在作为导电膜的对置电极306的上层，隔着绝缘膜配置了像素电极403的一部分。该像素电极403被具备位于像素电极403的下方的沟道部305的薄膜晶体管所控制。
因此，像素电极403能够利用接触部电极403A使容量增加，由于确保稳定的电位，所以能够提高显示质量。
此外，利用接触部电极403A，能够增大像素电极403的容量，所以能够使开口部分的电极的线宽变细。由此能够减小开口部分中的透明电极形成的面积，所以能够提高光的透射率，作为结果，能够提高显示质量。
此外，通过形成上述结构，可以减小像素的宽度，能够提供高精细的液晶显示装置。
[第2实施方式]
图11示意性地示出了本发明的一个实施方式的TFT基板500的放大图。这里，TFT基板500具备构成薄膜晶体管TFT的漏电极、栅电极以及半导体层。此外，TFT基板500具备像素电极和保持像素电极的电位的保持容量电极。在TFT基板500侧上设置像素电极，而隔着液晶层在TFT基板的相反侧的滤色器基板上设置对置电极。这样的结构的显示装置是VA方式或TN方式的液晶显示装置。作为VA方式或TN方式用的TFT基板，省略对于与IPS方式相同的结构的重复的说明。
在图11中，在TFT基板500的像素上形成了像素电极503，但未形成对置电极。其它地，对与第1实施方式的TFT基板230相同的结构省略说明。像素电极503是矩形形状，延伸到相邻的像素210的晶体管的沟道部305，扩展了像素电极503的面积。此外，为了避免在相邻的像素210的像素电极503中产生的噪声的影响，像素电极503取与相邻的像素电极503相距预定的距离G。
此外，与第1实施方式相同，像素电极可以覆盖相同的像素的薄膜晶体管的沟道部305而形成。
另外，栅极信号配线、栅电极、栅极绝缘膜、半导体层、施加了共用电位的保持容量配线以及保持容量电极未记载在图11中。另外，保持容量电极，隔着绝缘膜与像素电极重叠地配置，从而保持像素电极的电位。
TN方式或VA方式的液晶显示装置的情况下，如果增大形成像素电极的光透射区域，则光的透射率提高。但是，以往的TN方式或VA方式的液晶显示装置，难以增大像素区域。这是因为如果像素电极503和漏极信号线251的间隔SP1、SP2变窄，则像素电极将受到漏极信号线的电压变动的影响。由于像素的电压变动，光的透射率将变动，图像将不稳定。
在本实施方式中，通过增大像素电极的面积能够增大保持容量。此外，能够在由黑色矩阵BM遮光的区域中使像素电极增大。将与像素电极一起形成保持容量的保持容量电极形成在遮光区域BM上，从而能够不使光透射率下降地增加保持容量。
根据本发明，能够减小像素电极和与该像素电极连接的漏极信号线的间隔SP1。此外，能够减小像素电极和与该像素电极相邻的列的漏极信号线的间隔SP2。
通过形成这样的结构，能够增大像素的保持容量，所以能够使间隔SP1、SP2变窄，提高光透射率。此外，通过形成本发明的结构，能够提供高精细的液晶显示装置。
图12示出了图11的VII-VII所示的部分的剖面图。在该图中，在TFT基板500上设置由薄膜晶体管TFT控制的像素电极503，未设置用于驱动液晶的对置电极。此外在黑色矩阵区域设置了导电层506。省略与第1实施方式的TFT基板230相同的要素的说明。如图12所示，像素电极503设置在相邻的像素210的晶体管的沟道部305的上部。在像素电极503与沟道部之间隔着绝缘膜IN存在作为导电体的导电层506。因此，延伸在沟道部305之上的像素电极几乎不受晶体管的噪声的影响。因此，像素电极503能够不受噪声影响地增大其面积、即增大像素电极的容量。
导电层506在与图12纸面垂直的方向上延伸，与栅极信号线245平行地配置。此外，导电层506优选设为电位恒定，例如施加与对置电极相同的电位，确保像素的保持容量即可。
因此，像素电极503能够使容量增加，由于保持稳定的电位，能够提高显示质量。
另外，像素电极503设为延伸到相邻的像素电极210的晶体管的沟道部305，但也可以设为像素电极503的像素210的晶体管的沟道部305。
在上述各实施方式中，设为使用了IPS方式、VA方式或TN方式的TFT基板，但即使是其它方式，也能够适用于由TFT基板控制液晶组成物的液晶显示装置。
虽然描述了一些现在认为是本发明的实施方式的内容，但应当理解，可以做出各种变更，所附权利要求书应当覆盖所有落在本发明的精神和范围内的变更。
Claims (9)
1.一种液晶显示装置，具有薄膜晶体管基板，其特征在于，
上述薄膜晶体管基板具备：
像素电极，通过施加电压来控制液晶组成物的取向；
薄膜晶体管，作为用于对上述像素电极施加电压的开关；以及
导电层，隔着绝缘膜配置在形成了上述像素电极的层和形成了上述薄膜晶体管的层之间，
其中，上述像素电极以及上述导电层被配置为，在投影到与上述薄膜晶体管基板的面平行的面的情况下，覆盖上述薄膜晶体管的源极-漏极间部分、即沟道部。
2.根据权利要求1所记载的液晶显示装置，其特征在于，
上述导电层，形成为覆盖形成了上述像素的显示区域，是在与上述像素电极之间形成保持容量的对置电极。
3.根据权利要求1所记载的液晶显示装置，其特征在于，
上述导电层设置在用于使光不从各像素的边界射出的遮光区域。
4.根据权利要求1所记载的液晶显示装置，其特征在于，
具有上述沟道部的上述薄膜晶体管，对覆盖着上述沟道部的上述像素电极施加电压。
5.根据权利要求1所记载的液晶显示装置，其特征在于，
具有上述沟道部的上述薄膜晶体管对与覆盖着上述沟道部的上述像素电极相邻的上述像素电极施加电压。
6.一种液晶显示装置，在基板上形成在第1方向上延伸的栅极信号线、在与上述第1方向交叉的第2方向上延伸的漏极信号线以及像素电极，其特征在于，
由与上述栅极信号线连接的栅极电极、与上述漏极信号线连接的漏电极、源电极和半导体层构成薄膜晶体管；
在形成于上述基板上的薄膜晶体管之上，从上述薄膜晶体管侧以绝缘膜、导电膜、绝缘膜、上述像素电极的顺序进行配置。
7.根据权利要求6所记载的液晶显示装置，其特征在于，
在上述薄膜晶体管的上部形成的上述像素电极是沿上述第2方向相邻的像素的像素电极。
8.根据权利要求6所记载的液晶显示装置，其特征在于，
在上述薄膜晶体管的上部形成的上述像素电极与构成上述薄膜晶体管的源电极连接。
9.一种用于液晶显示装置的薄膜晶体管基板的制造方法，其特征在于，具有以下工序：
薄膜晶体管形成工序，形成作为用于对像素电极施加电压的开关的薄膜晶体管；
导电层形成工序，在上述薄膜晶体管形成工序之后，隔着绝缘膜以覆盖上述薄膜晶体管的沟道的方式形成导电层；以及
像素电极形成工序，在上述导电层形成工序之后，隔着绝缘膜以覆盖上述薄膜晶体管的沟道部的方式形成通过施加电压控制液晶组成物的取向的像素电极。
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