JP2020170145A - 電気光学装置および電子機器 - Google Patents
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Abstract
Description
1−1.第1実施形態
本発明の電気光学装置の一例として、TFT(Thin Film Transistor)をスイッチング素子として備えるアクティブマトリックス方式の液晶装置を例に説明する。
図1は、第1実施形態に係る電気光学装置の一例である液晶装置の平面図である。図2は、第1実施形態に係る液晶装置の断面図であって、図1中のA−A線断面図である。なお、以下では、説明の便宜上、図1および図2のそれぞれに示す互いに直交するx軸、y軸、およびz軸を適宜用いて説明する。
図3は、第1実施形態における素子基板の電気的な構成を示す等価回路図である。図3に示すように、素子基板2には、n本の走査線261とm本の信号線262とn本の容量線263とが形成される。ただし、nおよびmは2以上の整数である。n本の走査線261とm本の信号線262との各交差に対応してTFT25が配置される。
また、容量線263と画素電極28との間には、液晶容量に保持される電荷のリークを防止するために蓄積容量264が液晶容量と並列に配置される。
次に、図2に示す素子基板2の表示領域A10の部分の詳細な構成について説明する。図4は、第1実施形態における素子基板の部分平面図である。図5は、第1実施形態における素子基板の部分断面図であって、図4中のB−B線断面図である。
このため、基材21から遮光体22が剥がれてしまうおそれを低減できる。また、素子基板2がタングステンを含む金属膜225を備えることで、遮光体22の遮光性を高めることができる。かかる遮光体22によれば、遮光体22が基材21から剥離し難く、遮光性に優れる素子基板2を得ることができる。そのため、遮光体22によってTFT25への光の入射を好適に抑制または防止できることで、TFT25のリーク電流による誤作動の発生を抑制または防止できる。それゆえ、電気光学装置1の品質を高めることができる。
次に、図2に示す素子基板2の周辺領域A20の部分の詳細な構成について説明する。図9は、第1実施形態における素子基板が有する回路用遮光体を示す断面図である。
次に、素子基板2の製造方法について説明する。図10は、第1実施形態における素子基板の製造方法を示すフローチャートである。
なお、遮光体形成工程S12と回路用遮光体形成工程S13とは同時にまたは並列して行ってもよいし、回路用遮光体形成工程S13の後に遮光体形成工程S12を行ってもよい。
次に、本発明の第2実施形態について説明する。図14は、第2実施形態における素子基板の拡大断面図である。
次に、本発明の第3実施形態について説明する。図15は、第3実施形態における素子基板が有する遮光体を示す平面図である。
次に、本発明の第4実施形態について説明する。図16は、第4実施形態における素子基板が有する遮光体を示す断面図である。
次に、本発明の第5実施形態について説明する。図17は、第5実施形態における素子基板が有する遮光体を示す断面図である。
次に、本発明の第6実施形態について説明する。図18は、第6実施形態における素子基板が有する遮光体を示す断面図である。
次に、本発明の第7実施形態について説明する。図19は、第7実施形態における素子基板が有する遮光体を示す断面図である。図20は、第7実施形態における素子基板が有する遮光体を示す平面図である。
電気光学装置1は、各種電子機器に用いることができる。
Claims (8)
- 透光性の画素電極と、
前記画素電極側に開口する凹部が設けられる透光性の基材と、
前記凹部に配置される遮光体と、
前記基材の厚さ方向からの平面視で前記遮光体と重なり、前記画素電極に電気的に接続されるスイッチング素子と、を備え、
前記遮光体は、タングステンを含む金属膜と、前記金属膜と前記基材との間に位置し、タングステンナイトライドを含む金属窒化膜と、を有することを特徴とする電気光学装置。 - 透光性の画素電極と、
前記画素電極側に開口する凹部が設けられる透光性の基材と、
前記凹部に配置される遮光体と、
前記基材の厚さ方向からの平面視で前記遮光体と重なり、前記画素電極に電気的に接続されるスイッチング素子と、を備え、
前記遮光体は、タングステンを含む金属膜と、前記金属膜と前記基材との間に位置し、チタンナイトライドを含む金属窒化膜と、を有することを特徴とする電気光学装置。 - 前記遮光体は、前記金属窒化膜と前記基材との間に位置し、タングステンシリサイドを含むタングステンシリサイド膜を有する請求項1又は2に記載の電気光学装置。
- 前記タングステンシリサイド膜の厚さは、前記金属窒化膜の厚さよりも厚く、かつ、前記金属膜の厚さよりも薄い請求項3記載の電気光学装置。
- 前記基材の前記画素電極側の面と前記遮光体の前記画素電極側の面とで平坦面が構成される請求項1ないし4のいずれか1項に記載の電気光学装置。
- 前記遮光体は、前記画素電極から離間するにつれて連続的に幅が広がる形状である請求項1ないし5のいずれか1項に記載の電気光学装置。
- 前記遮光体の前記基材と接する接触面は、曲面状をなす曲面部を有する請求項1ないし6のいずれか1項に記載の電気光学装置。
- 請求項1ないし7のいずれか1項に記載の電気光学装置を備えることを特徴とする電子機器。
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