JP7124837B2 - 電気光学装置および電子機器 - Google Patents

Description

本発明は、電気光学装置および電子機器に関する。

プロジェクター等の電子機器に、液晶装置等の電気光学装置が用いられる。特許文献１には、素子基板と、対向基板と、これらの間に配置される液晶とを有する液晶装置が開示される。かかる液晶装置が備える素子基板は、石英等で形成される基板と、当該基板と離間してマトリクス状に配置される複数の画素電極と、画素電極ごとに対応して設けられるＴＦＴ（Thin Film Transistor）とを備える。

また、特許文献１に記載の素子基板は、ＴＦＴへの光の入射を抑制するため、金属等で構成される遮光膜を有する。当該遮光膜は、遮光膜の厚さに起因する凹凸で光が乱反射することを防ぐよう、基材に設けられる溝に埋め込まれている。

特開２００５－２５０２３４号公報

しかし、特許文献１に記載の遮光膜は、チタン、クロム、およびタングステン等の金属材料で構成されており、石英等で形成される基板に直接配置されるため、基板との密着性が十分ではない。このため、従来の構成の遮光膜では、例えが製造時等において基板から遮光膜が剥がれてしまうおそれがある。それゆえ、従来では、ＴＦＴへの光の入射を十分に抑制できる遮光膜を備える素子基板を実現することが難しいという問題がある。

本発明の電気光学装置の一態様は、透光性の画素電極と、前記画素電極側に開口する凹部が設けられる透光性の基材と、前記凹部に配置される遮光体と、前記基材の厚さ方向からの平面視で前記遮光体と重なり、前記画素電極に電気的に接続されるスイッチング素子と、を備え、前記遮光体は、タングステンを含む金属膜と、前記金属膜と前記基材との間に配置され、タングステンナイトライドを含む金属窒化膜と、を有する。

本発明の電気光学装置の一態様は、透光性の画素電極と、前記画素電極側に開口する凹部が設けられる透光性の基材と、前記凹部に配置される遮光体と、前記基材の厚さ方向からの平面視で前記遮光体と重なり、前記画素電極に電気的に接続されるスイッチング素子と、を備え、前記遮光体は、タングステンを含む金属膜と、前記金属膜と前記基材との間に位置し、チタンナイトライドを含む金属窒化膜と、を有する。

第１実施形態に係る電気光学装置の一例である液晶装置の平面図である。 第１実施形態に係る液晶装置の断面図である。 第１実施形態における素子基板の電気的な構成を示す等価回路図である。 第１実施形態における素子基板の部分平面図である。 第１実施形態における素子基板の部分断面図である。 第１実施形態における素子基板が有する遮光体を示す断面図である。 第１実施形態における素子基板が有する遮光体を示す平面図である。 第１実施形態における素子基板が有するＴＦＴを示す平面図である。 第１実施形態における素子基板が有する回路用遮光体を示す断面図である。 第１実施形態における素子基板の製造方法を示すフローチャートである。 第１実施形態における基材形成工程を説明するための断面図である。 第１実施形態における遮光体形成工程を説明するための断面図である。 第１実施形態における遮光体形成工程を説明するための断面図である。 第２実施形態における素子基板の拡大断面図である。 第３実施形態における素子基板が有する遮光体を示す平面図である。 第４実施形態における素子基板が有する遮光体を示す断面図である。 第５実施形態における素子基板が有する遮光体を示す断面図である。 第６実施形態における素子基板が有する遮光体を示す断面図である。 第７実施形態における素子基板が有する遮光体を示す断面図である。 第７実施形態における素子基板の平面図である。 電子機器の一例であるパーソナルコンピューターを示す斜視図である。 電子機器の一例であるスマートフォンを示す斜視図である。 電子機器の一例であるプロジェクターを示す模式図である。

以下、添付図面を参照しながら本発明に係る好適な実施形態を説明する。なお、図面において各部の寸法や縮尺は実際のものと適宜異なり、理解を容易にするために模式的に示す部分もある。また、本発明の範囲は、以下の説明において特に本発明を限定する旨の記載がない限り、これらの形態に限られない。なお、本明細書において「平行」とは、２つの面または線について、互いに完全に平行な場合のみならず、一方が他方に対して±５°の範囲内で傾斜することをいう。

１．液晶装置
１－１.第１実施形態
本発明の電気光学装置の一例として、ＴＦＴ（Thin Film Transistor）をスイッチング素子として備えるアクティブマトリックス方式の液晶装置を例に説明する。

１－１ａ．基本構成
図１は、第１実施形態に係る電気光学装置の一例である液晶装置の平面図である。図２は、第１実施形態に係る液晶装置の断面図であって、図１中のＡ－Ａ線断面図である。なお、以下では、説明の便宜上、図１および図２のそれぞれに示す互いに直交するｘ軸、ｙ軸、およびｚ軸を適宜用いて説明する。

図１および図２に示す電気光学装置１は、透過型の液晶装置である。電気光学装置１は、透光性を有する素子基板２と、素子基板２に対向して配置される透光性を有する対向基板３と、素子基板２と対向基板３との間に配置される枠状のシール部材４と、素子基板２、対向基板３およびシール部材４で囲まれる液晶層５と、を有する。

電気光学装置１を透過する光は可視光であり、本明細書において、透光性とは、可視光に対する透過性を意味し、好ましくは、可視光の透過率が５０％以上であることをいう。

図１に示すように、電気光学装置１は、素子基板２の厚さ方向に平行なｚ軸方向からの平面視で、四角形状をなすが、電気光学装置１の平面視形状はこれに限定されず、例えば、円形等であってもよい。また、以下では、素子基板２の厚さ方向に平行なｚ軸方向からの平面視を単に「平面視」と言う。なお、本実施形態では、ｚ軸方向は、光の光軸方向と平行である。

図１に示すように、素子基板２は、平面視で対向基板３を包含する大きさである。図２に示すように、素子基板２は、基材２１と、複数の画素電極２８と、配向膜２９とを有する。基材２１は、透光性および絶縁性を有する平板で構成される。画素電極２８は、例えばＩＴＯ（Indium Tin Oxide）またはＩＺＯ（Indium Zinc Oxide）等の透明導電材料で構成される。配向膜２９は、素子基板２のうち最も液晶層５側に位置しており、液晶層５の液晶分子を配向させる。配向膜２９の構成材料としては、例えばポリイミドおよび酸化ケイ素等が挙げられる。

また、図１および図２では図示しないが、基材２１と画素電極２８との間には、ＴＦＴ２５および遮光体２２等が配置される。ＴＦＴ２５および遮光体２２等については、後で図５等を参照しつつ説明する。

図２に示すように、対向基板３は、対向基板用基材３１と、絶縁層３２と、共通電極３３と、配向膜３４と、を有する。対向基板用基材３１、絶縁層３２、共通電極３３および配向膜３４は、この順に並ぶ。配向膜３４が最も液晶層５側に位置する。

対向基板用基材３１は、透光性および絶縁性を有する平板で構成される。対向基板用基材３１は、例えば、ガラスまたは石英等で構成される。共通電極３３は、透光性の絶縁材料を用いて形成される絶縁層３２を介して対向基板用基材３１に積層される。共通電極３３は、例えばＩＴＯまたはＩＺＯ等の透明導電材料で構成される。また、配向膜３４は、液晶層５の液晶分子を配向させる。配向膜３４の構成材料としては、例えばポリイミドおよび酸化ケイ素等が挙げられる。

シール部材４は、例えばエポキシ樹脂等の各種硬化性樹脂を含む接着剤等を用いて形成される。シール部材４は、素子基板２および対向基板３のそれぞれに対して固着される。シール部材４、素子基板２および対向基板３によって囲まれる領域内には、液晶層５が配置される。なお、シール部材４の一部には、液晶分子を含む液晶材を注入するための注入口４１が形成されており、注入口４１は各種樹脂材料を用いて形成される封止材４０により封止される。

液晶層５は、正または負の誘電異方性を有する液晶分子を含む。液晶層５は、液晶分子が配向膜２９および配向膜３４の双方に接するように素子基板２および対向基板３によって挟持される。液晶層５に印加される電圧に応じて液晶分子の配向が変化する。液晶層５は、光を印加される電圧に応じ変調することで階調表示を可能とする。

また、図１に示すように、素子基板２の対向基板３側の面には、２つの走査線駆動回路６１と１つの信号線駆動回路６２とが配置される。また、素子基板２の対向基板３側の面には、複数の外部端子６４が配置される。外部端子６４には、走査線駆動回路６１および信号線駆動回路６２のそれぞれから引き回される配線６５が接続される。

かかる電気光学装置１は、平面視で液晶層５と重なり、画像等を表示する表示領域Ａ１０と、表示領域Ａ１０を平面視で囲む周辺領域Ａ２０と有する。表示領域Ａ１０は、行列状に配列される複数の画素Ｐを含む。１つの画素Ｐに対して１つの画素電極２８が配置される。周辺領域Ａ２０には、前述の走査線駆動回路６１および信号線駆動回路６２等が配置される。

また、電気光学装置１の駆動方式としては、特に限定されないが、例えばＴＮ（Twisted Nematic）モードおよびＶＡ（Vertical Alignment）モード等が挙げられる。

１－１ｂ．電気的な構成
図３は、第１実施形態における素子基板の電気的な構成を示す等価回路図である。図３に示すように、素子基板２には、ｎ本の走査線２６１とｍ本の信号線２６２とｎ本の容量線２６３とが形成される。ただし、ｎおよびｍは２以上の整数である。ｎ本の走査線２６１とｍ本の信号線２６２との各交差に対応してＴＦＴ２５が配置される。

図３に示すｎ本の走査線２６１は、ｙ軸方向に等間隔で並び、ｘ軸方向に延在する。走査線２６１は、ＴＦＴ２５に電気的に接続される。また、ｎ本の走査線２６１は、図１に示す走査線駆動回路６１に電気的に接続される。ｎ本の走査線２６１には、走査線駆動回路６１から走査信号Ｇ１、Ｇ２、…、およびＧｎが走査線２６１に線順次で供給される。

図３に示すｍ本の信号線２６２は、ｘ軸方向に等間隔で並び、ｙ軸方向に延在する。信号線２６２は、ＴＦＴ２５に電気的に接続される。また、ｍ本の信号線２６２は、図１に示す信号線駆動回路６２に電気的に接続される。ｍ本の信号線２６２には、図１に示す信号線駆動回路６２から画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、およびＳｍが信号線２６２に線順次で供給される。

ｎ本の走査線２６１とｍ本の信号線２６２とは、互いに絶縁され、平面視で格子状をなす。隣り合う２つの走査線２６１と隣り合う２つの信号線２６２とで囲まれる領域が画素Ｐに対応する。１つの画素Ｐには、１つの画素電極２８が形成される。なお、画素電極２８は、ＴＦＴ２５に電気的に接続される。

ｎ本の容量線２６３は、ｙ軸方向に等間隔で並び、ｘ軸方向に延在する。また、ｎ本の容量線２６３は、複数の信号線２６２および複数の走査線２６１と絶縁され、これらに対して離間して形成される。容量線２６３には、グランド電位等の固定電位が印加される。
また、容量線２６３と画素電極２８との間には、液晶容量に保持される電荷のリークを防止するために蓄積容量２６４が液晶容量と並列に配置される。

走査信号Ｇ１、Ｇ２、…、およびＧｎが順次アクティブとなり、ｎ本の走査線２６１が順次選択されると、選択される走査線２６１に接続されるＴＦＴ２５がオン状態となる。すると、ｍ本の信号線２６２を介して表示すべき階調に応じた大きさの画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、およびＳｍが、選択される走査線２６１に対応する画素Ｐに取り込まれ、画素電極２８に印加される。これにより、画素電極２８と図２に示す対向基板３が有する共通電極３３との間に形成される液晶容量に表示すべき階調に応じた電圧が印加され、印加される電圧に応じて液晶分子の配向が変化する。また、蓄積容量２６４によって、印加される電圧が保持される。このような液晶分子の配向の変化によって光が変調され階調表示が可能となる。

１－１ｃ．表示領域における素子基板の構成
次に、図２に示す素子基板２の表示領域Ａ１０の部分の詳細な構成について説明する。図４は、第１実施形態における素子基板の部分平面図である。図５は、第１実施形態における素子基板の部分断面図であって、図４中のＢ－Ｂ線断面図である。

図４および図５に示す素子基板２は、基材２１、複数の遮光体２２、複数のＴＦＴ２５、複数の走査線２６１、複数の信号線２６２、複数の容量線２６３、複数の蓄積容量２６４、複数の画素電極２８、および配向膜２９を備える。なお、図４では、蓄積容量２６４および配向膜２９の図示を省略する。以下、素子基板２が有する各部を順次説明する。

図５に示すように、基材２１は、画素電極２８側に開口する凹部２１１が設けられる平板である。基材２１の構成材料としては、例えばケイ素系の無機化合物が挙げられる。具体的には、基材２１は、例えばガラスまたは石英を用いて構成される。

図６は、第１実施形態における素子基板が有する遮光体を示す断面図である。図７は、第１実施形態における素子基板が有する遮光体を示す平面図である。

図６に示すように、基材２１の凹部２１１には、遮光体２２が埋め込まれている。遮光体２２は、遮光性を有するとともに、導電性を有する。なお、本明細書において、遮光性とは、可視光に対する遮光性を意味し、具体的には、可視光の透過率が１０％以下であること、好ましくは５％以下であることをいう。

図７に示すように、複数の遮光体２２は、平面視で行列状に配置される。図示では、遮光体２２は、平面視で、ｙ軸方向に延びる形状をなしており、＋ｙ軸方向の途中に両端よりも幅が広い幅広部２２２０を有する。なお、遮光体２２の外形を構成する各辺のなす角は９０度であるが、遮光体２２は角に丸みを有してもよい。また、図６に示すように、遮光体２２の厚さｄ０は、一定である。また、遮光体２２の＋ｚ軸側の面２２０は、基材２１の＋ｚ軸側の面２１０と同一平面上に位置しており、面２１０と面２２０とで平坦面２００が構成される。

また、遮光体２２は、金属膜２２５と、金属膜２２５と基材２１との間に配置される金属窒化膜２２６と、金属窒化膜２２６と基材２１との間に配置されるタングステンシリサイド膜２２７とを有する。金属膜２２５は、タングステンを含む。金属窒化膜２２６は、タングステンナイトライド（ＷＮ）またはチタンナイトライド（ＴｉＮ）を含む。タングステンシリサイド膜２２７は、タングステンシリサイドを含む。なお、金属膜２２５は、前述の金属以外の他の金属が例えば５％程度含まれていてもよい。また、金属窒化膜２２６、およびタングステンシリサイド膜２２７は、それぞれ、前述の材料以外の他の材料が例えば５％程度含まれていてもよい。また、金属窒化膜２２６は、タングステンナイトライドとチタンナイトライドの両方を含む構成、および、タングステンナイトライドを含む金属窒化膜とチタンナイトライドを含む金属窒化膜の積層構造のいずれであってもよい。

ここで、各種金属の中でも、タングステンは耐熱性に優れ、かつ、例えば製造時の熱処理によってもＯＤ（Optical Density）値が低下し難い。そのため、金属膜２２５がタングステンを含むことで、遮光体２２の遮光性を高めることができる。

また、遮光体２２が金属窒化膜２２６およびタングステンシリサイド膜２２７を有することで、これらを有さない場合に比べ、基材２１と遮光体２２との密着性を高めることができる。特に、タングステンシリサイド膜２２７は、ケイ素原子を含むため、ケイ素系の無機化合物で構成される基材２１との密着性に優れる。そのため、タングステンシリサイド膜２２７を有することで、遮光体２２と基材２１との密着性を特に高めることができる。

また、タングステンに比べてタングステンシリサイドは、熱処理によりＯＤ値が低下し易い。そのため、タングステンシリサイド膜２２７と金属膜２２５とが直接的に接触していると、タングステンシリサイドの影響で金属膜２２５のＯＤ値が低下するおそれがある。遮光体２２では、タングステンシリサイド膜２２７と金属膜２２５との間に金属窒化膜２２６が配置されるので、タングステンシリサイドの影響で金属膜２２５のＯＤ値が低下することを抑制できる。つまり、金属窒化膜２２６は、タングステンシリサイド膜２２７に含まれるタングステンシリサイドが金属膜２２５に拡散しないようにするバリア層として機能する。

また、タングステンシリサイドの厚さｄ３は、金属窒化膜２２６の厚さｄ２よりも厚く、かつ、金属膜２２５の厚さｄ１よりも薄い。厚さｄ１が最も厚いことで、遮光体２２の遮光性を高めることができる。また、厚さｄ２が厚さｄ３よりも薄くても、金属窒化膜２２６は前述のバリア層としての機能を発揮できる。また、タングステンシリサイド膜２２７は、基材２１に対する密着性に特に優れるので、厚さｄ３が厚さｄ２よりも厚いことで、厚さｄ３が厚さｄ２よりも薄い場合に比べ、遮光体２２全体の厚さｄ０を抑えつつ、遮光体２２の基材２１に対する密着性を高めることができる。このようなことから、遮光体２２全体の厚さｄ０を抑えつつ、遮光体２２の遮光性を高めることができるとともに、基材２１と遮光体２２との密着性を高めることができる。また、厚さｄ１は、厚さｄ２と厚さｄ３との合計値よりも大きいことが好ましい。厚さｄ１が当該合計値よりも大きいことで、遮光体２２の遮光性を特に高くできる。なお、厚さｄ１、ｄ２およびｄ３の大小関係は、前述した関係に限定されない。

厚さｄ１は、１０ｎｍ以上５００ｎｍ以下であることが好ましい。厚さｄ２は、０．１ｎｍ以上５０ｎｍ以下であることが好ましい。厚さｄ３は、１ｎｍ以上１００ｎｍ以下であることが好ましい。厚さｄ１、ｄ２およびｄ３がそれぞれ前述の範囲を満足することで、遮光体２２全体の厚さｄ０を抑えつつ、遮光体２２の密着性を高めるとともに遮光体２２の遮光性を高めるという効果を特に顕著に発揮できる。

図６に示すように、平坦面２００上には第１層間絶縁層２３１が配置されており、第１層間絶縁層２３１上にはＴＦＴ２５が配置される。１つのＴＦＴ２５は、前述の１つの遮光体２２と対となって配置される。ＴＦＴ２５は、半導体層２５０と、ゲート電極２５１と、ゲート絶縁膜２５２と、を有する。半導体層２５０は、第１層間絶縁層２３１上に配置される。また、ゲート絶縁膜２５２は、半導体層２５０とゲート電極２５１との間に介在している。

半導体層２５０は、チャネル領域２５０１、ソース領域２５０２、ドレイン領域２５０３、第１ＬＤＤ領域２５０４、および第２ＬＤＤ領域２５０５を有する。ソース領域２５０２は、「ソース電極」として機能する。ドレイン領域２５０３は、「ドレイン電極」として機能する。チャネル領域２５０１は、ソース領域２５０２とドレイン領域２５０３との間に位置する。チャネル領域２５０１は、平面視でゲート電極２５１と重なる。第１ＬＤＤ領域２５０４は、チャネル領域２５０１とソース領域２５０２との間に位置する。第２ＬＤＤ領域２５０５は、チャネル領域２５０１とドレイン領域２５０３との間に位置する。なお、第１ＬＤＤ領域２５０４および第２ＬＤＤ領域２５０５のうちの少なくとも一方、特に、第１ＬＤＤ領域２５０４は、省略してもよい。

かかる半導体層２５０は、例えばポリシリコンを成膜して形成される。半導体層２５０のチャネル領域２５０１を除く領域には、導電性を高める不純物がドープされる。第１ＬＤＤ領域２５０４および第２ＬＤＤ領域２５０５中の不純物濃度は、ソース領域２５０２およびドレイン領域２５０３中の不純物濃度よりも低い。

図８は、第１実施形態における素子基板が有するＴＦＴを示す平面図である。図８に示すように、ＴＦＴ２５の半導体層２５０は、平面視で＋ｙ軸方向に沿った長手形状をなしており、半導体層２５０の長手方向は、遮光体２２の長手方向と平行である。そして、ＴＦＴ２５は、平面視で遮光体２２と重なっている。ＴＦＴ２５と遮光体２２とが平面視で重なることで、遮光体２２で光を遮断できるので、ＴＦＴ２５への光の入射を防止または低減できる。

なお、ゲート電極２５１と前述の遮光体２２とは電気的に接続されてもよい。この場合、遮光体２２をバックゲートとして用いることができる。また、この場合、図示はしないが、ゲート電極２５１と遮光体２２とを電気的に接続するコンタクトは、平面視でゲート電極２５１と幅広部２２２０との双方に重なるようにして、これらの間に形成することができる。

図５に示すように、半導体層２５０上には第２層間絶縁層２３２が配置されており、第２層間絶縁層２３２上にはゲート電極２５１を覆うように第３層間絶縁層２３３が配置される。また、第３層間絶縁層２３３上には走査線２６１が配置される。また、第３層間絶縁層２３３にはコンタクトホールが設けられており、当該コンタクトホールには走査線２６１とゲート電極２５１とを電気的に接続するコンタクト部２４１が配置される。

第３層間絶縁層２３３上には走査線２６１を覆うように第４層間絶縁層２３４が配置されており、第４層間絶縁層２３４上には容量線２６３が配置される。

第４層間絶縁層２３４上には容量線２６３を覆うように第５層間絶縁層２３５が配置される。蓄積容量２６４は、第１容量２６４１と第２容量２６４２とを有する。

第１容量２６４１は、第５層間絶縁層２３５上に配置されており、第５層間絶縁層２３５上には第１容量２６４１を覆うように第６層間絶縁層２３６が配置される。第６層間絶縁層２３６上には、第２容量２６４２が配置される。第６層間絶縁層２３６にはコンタクトホールが設けられており、当該コンタクトホールには第１容量２６４１と第２容量２６４２とを電気的に接続するコンタクト部２４２が配置される。かかる第１容量２６４１および第２容量２６４２は、詳細な図示はしないが、それぞれ、２つの容量電極と、これら容量電極の間に配置される誘電体と、で構成される。

また、第５層間絶縁層２３５にはコンタクトホールが設けられており、当該コンタクトホールには第１容量２６４１と容量線２６３とを電気的に接続するためのコンタクト部２４３が配置される。第２～第６層間絶縁層２３２～２３６にはコンタクトホールが設けられており、当該コンタクトホールには第２容量２６４２とドレイン領域２５０３とを電気的に接続するコンタクト部２４４が配置される。また、ドレイン領域２５０３は、コンタクト部２４４、蓄積容量２６４、および図示しないコンタクト等を介して、画素電極２８に電気的に接続される。

第６層間絶縁層２３６上には第２容量２６４２を覆うように第７層間絶縁層２３７が配置されており、第７層間絶縁層２３７上には信号線２６２が配置される。また、図５に示すように、平面視で信号線２６２と走査線２６１とが交差する交差部はＴＦＴ２５と重なる。また、図６に示すように、第２～第７層間絶縁層２３２～２３７にはコンタクトホールが設けられており、当該コンタクトホール内には信号線２６２とソース領域２５０２とを電気的に接続するコンタクト部２４５が配置される。

第７層間絶縁層２３７上には信号線２６２を覆うように第８層間絶縁層２３８が配置されており、第８層間絶縁層２３８上には画素電極２８が配置される。１つの画素電極２８と前述の１つのＴＦＴ２５とが対となっている。また、画素電極２８上には配向膜２９が配置される。

前述の第１～第８層間絶縁層２３１～２３８は、例えば、ケイ素系の無機化合物を用いて形成されており、具体的には例えば、シリコン熱酸化膜、またはＣＶＤ（chemical vapor deposition）法等の蒸着法で成膜される酸化ケイ素膜で構成される。また、走査線２６１、信号線２６２、容量線２６３、および蓄積容量２６４が有する容量電極の各構成材料としては、例えば、ポリシリコン、金属、金属シリサイドおよび金属化合物の導電性を有する材料が挙げられる。また、前述のコンタクト部２４１～２４５の各構成材料も、導電性を有する材料で形成される。

以上が表示領域Ａ１０における素子基板２の構成である。前述のように、透光性の画素電極２８と、画素電極２８側に開口する凹部２１１が設けられる透光性の基材２１と、凹部２１１に配置される遮光体２２と、平面視で遮光体２２と重なり、画素電極２８に電気的に接続されるＴＦＴ２５とを備える。ＴＦＴ２５は、「スイッチング素子」の一例である。また、遮光体２２は、タングステンを含む金属膜２２５と、金属膜２２５と基材２１との間に位置し、タングステンナイトライドまたはチタンナイトライドを含む金属窒化膜２２６と、を有する。

かかる素子基板２によれば、遮光体２２が金属窒化膜２２６を有するため、金属窒化膜２２６を有さない場合に比べ、基材２１と遮光体２２との密着性を高めることができる。
このため、基材２１から遮光体２２が剥がれてしまうおそれを低減できる。また、素子基板２がタングステンを含む金属膜２２５を備えることで、遮光体２２の遮光性を高めることができる。かかる遮光体２２によれば、遮光体２２が基材２１から剥離し難く、遮光性に優れる素子基板２を得ることができる。そのため、遮光体２２によってＴＦＴ２５への光の入射を好適に抑制または防止できることで、ＴＦＴ２５のリーク電流による誤作動の発生を抑制または防止できる。それゆえ、電気光学装置１の品質を高めることができる。

さらに、前述のように、遮光体２２は金属窒化膜２２６と基材２１との間に位置し、タングステンシリサイドを含むタングステンシリサイド膜２２７を有する。

遮光体２２がタングステンシリサイド膜２２７を有することで、タングステンシリサイド膜２２７を有さない場合に比べ、遮光体２２と基材２１との密着性を高めることができる。また、前述のように、遮光体２２がタングステンシリサイド膜２２７を有する場合でも、金属窒化膜２２６がバリア層として機能するので、金属膜２２５のＯＤ値の低下を抑制できる。そのため、遮光体２２がタングステンシリサイド膜２２７を有することで、基材２１からより剥離し難く、かつＯＤ値がより高い遮光体２２を形成できる。

さらに、図６に示すように、金属窒化膜２２６およびタングステンシリサイド膜２２７が基材２１と金属膜２２５との間の全域にわたって配置されることで、基材２１と遮光体２２との密着性を特に高くすることができる。なお、金属窒化膜２２６およびタングステンシリサイド膜２２７は、それぞれ、基材２１と金属膜２２５との間の領域の一部のみに配置されてもよい。ただし、前述の効果を高めるべく、金属窒化膜２２６は、金属膜２２５とタングステンシリサイド膜２２７との間にできるだけ広範囲に介在することが好ましい。

また、前述のように、タングステンシリサイド膜２２７の厚さｄ３は、金属窒化膜２２６の厚さｄ２よりも厚く、かつ、金属膜２２５の厚さｄ１よりも薄い。厚さｄ１、ｄ２およびｄ３がこのような関係であることで、前述のように、遮光体２２全体の厚さｄ０を抑えつつ、遮光体２２の遮光性を高めることができるとともに、基材２１と遮光体２２との密着性を高めることができる。

なお、厚さｄ１、ｄ２およびｄ３の関係は、前述の関係に限定されず、例えば、厚さｄ２が厚さｄ１よりも厚くてもよい。また、厚さｄ１、ｄ２およびｄ３がそれぞれ同等の値であってもよい。

また、前述のように、基材２１の画素電極２８側の面２１０と遮光体２２の画素電極２８側の面２２０とで平坦面２００が構成される。平坦面２００が構成されることで、面２１０と面２２０との間に段差がないため、段差で光が乱反射することがない。そのため、ＴＦＴ２５に光が入射するおそれをより低減できる。

なお、面２１０と面２２０との間に段差があってもよい。

また、前述のように、遮光体２２は、平面視でＴＦＴ２５全てを包含するように重なるが、遮光体２２は、ＴＦＴ２５の一部のみと重なっていてもよい。その場合には、遮光体２２は、平面視でチャネル領域２５０１、第１ＬＤＤ領域２５０４、および第２ＬＤＤ領域２５０５と重なることが好ましい。ここで、チャネル領域２５０１、第１ＬＤＤ領域２５０４、および第２ＬＤＤ領域２５０５に光が入射すると、ＴＦＴ２５のリーク電流による誤作動が生じ易い。ゆえに、チャネル領域２５０１、第１ＬＤＤ領域２５０４、および第２ＬＤＤ領域２５０５は、遮光性を特に要する部分であると言える。したがって、第２部分２２２が、チャネル領域２５０１、第１ＬＤＤ領域２５０４、および第２ＬＤＤ領域２５０５と平面視で重なることで、ＴＦＴ２５のリーク電流による誤作動を特に効果的に防ぐことができる。なお、第２ＬＤＤ領域２５０５、チャネル領域２５０１、第１ＬＤＤ領域２５０４の順で、光によるＴＦＴ２５のリーク電流に起因する誤作動が生じやすい。

なお、本実施形態では、ソース領域２５０２が「ソース電極」として機能する場合を例にするが、「ソース電極」は、コンタクト部２４５のうちソース領域２５０２と接触し、かつ、ソース領域２５０２と重なる部分と捉えてもよい。同様に、本実施形態では、ドレイン領域２５０３が「ドレイン電極」として機能する場合を例にするが、コンタクト部２４４のうちドレイン領域２５０３と接触し、かつ、ドレイン領域２５０３と重なる部分を「ドレイン電極」と捉えてもよい。

１－１ｄ．周辺領域における素子基板の構成
次に、図２に示す素子基板２の周辺領域Ａ２０の部分の詳細な構成について説明する。図９は、第１実施形態における素子基板が有する回路用遮光体を示す断面図である。

図９に示すように、素子基板２は、周辺領域Ａ２０に配置される回路用遮光体２７を有する。回路用遮光体２７は、素子基板２の＋ｚ軸側に開口した凹部２１５内に埋め込まれる。また、回路用遮光体２７の＋ｚ軸側の面２７０は、基材２１の＋ｚ軸側の面２２０と同一平面上に位置する。

回路用遮光体２７は、図１および図２に示す周辺領域Ａ２０のほぼ全域にわたって配置される。そのため、回路用遮光体２７は、平面視で、走査線駆動回路６１、信号線駆動回路６２、外部端子６４、および配線６５と重なる。また、回路用遮光体２７の厚さｄ４は、前述の遮光体２２全体の厚さｄ０と等しい。

回路用遮光体２７を有することで、走査線駆動回路６１、信号線駆動回路６２、外部端子６４、および配線６５のそれぞれを遮光することができる。そのため、走査線駆動回路６１等に光が入射することにより生じるリーク電流による誤作動を特に効果的に防ぐことができる。

１－１ｅ．素子基板の製造方法
次に、素子基板２の製造方法について説明する。図１０は、第１実施形態における素子基板の製造方法を示すフローチャートである。

素子基板２の製造方法は、基材形成工程Ｓ１１と、遮光体形成工程Ｓ１２と、回路用遮光体形成工程Ｓ１３と、配線等形成工程Ｓ１４と、画素電極形成工程Ｓ１５と、配向膜形成工程Ｓ１６とを有する。これら各工程を順に行うことにより素子基板２が製造される。
なお、遮光体形成工程Ｓ１２と回路用遮光体形成工程Ｓ１３とは同時にまたは並列して行ってもよいし、回路用遮光体形成工程Ｓ１３の後に遮光体形成工程Ｓ１２を行ってもよい。

図１１は、第１実施形態における基材形成工程を説明するための断面図である。まず、基材形成工程Ｓ１１において、例えば、ガラス板または石英板等で構成された平板に対してエッチングを施して、図１１に示すような凹部２１１を形成することにより、基材２１が形成される。また、本工程では、詳細な図示はしないが、図９に示す凹部２１５も形成する。

図１２および図１３は、第１実施形態における遮光体形成工程を説明するための断面図である。次に、遮光体形成工程Ｓ１２において、例えば、ＣＶＤ法等の蒸着法により凹部２１１内にタングステンシリサイド膜形成用の組成物を堆積してタングステンシリサイド層２２７ａを形成する。その後、同様な方法でタングステンシリサイド層２２７ａ上にタングステンナイトライドまたはチタンナイトライドを含む金属窒化膜形成用の組成物を堆積して金属窒化層２２６ａを形成する。その後、同様な方法で金属窒化層２２６ａ上にタングステンを含む金属膜形成用の組成物を堆積して金属層２２５ａを形成する。金属層２２５ａ、金属窒化層２２６ａおよびタングステンシリサイド層２２７ａをそれぞれ形成することにより、図１２に示す遮光層２２ａが形成される。

次に、ＣＭＰ（chemical mechanical polishing）等の研磨による平坦化処理を遮光層２２ａに施すことにより、図１３に示す遮光体２２が形成される。ＣＭＰ等の研磨を施すことで、遮光体２２の面２２０と基材２１の面２１０とで構成される平坦面２００を簡単に形成できる。

また、詳細な図示はしないが、回路用遮光体形成工程Ｓ１３において、遮光体形成工程Ｓ１２における方法と同様の方法を用いて回路用遮光体２７を形成する。

また、詳細な図示はしないが、配線等形成工程Ｓ１４において、ＴＦＴ２５と走査線２６１と信号線２６２と容量線２６３と蓄積容量２６４と第１～第８層間絶縁層２３１～２３８とをそれぞれ形成する。ＴＦＴ２５と走査線２６１と信号線２６２と容量線２６３と蓄積容量２６４は、それぞれ、例えば、スパッタリング法または蒸着法により金属膜を形成し、当該金属膜に対してレジストマスクを用いてエッチングを施すことにより形成される。第１～第８層間絶縁層２３１～２３８は、それぞれ、蒸着法等により絶縁膜を形成し、当該絶縁膜に対してＣＭＰ等の研磨等による平坦化処理を施すことにより形成される。

また、詳細な図示はしないが、画素電極形成工程Ｓ１５において、第８層間絶縁層２３８上に画素電極２８を形成する。画素電極２８の形成は、例えば透明導電材料からなる層をＣＶＤ法等の蒸着法により形成し、その後、マスクを用いてパターニングすることにより行う。

また、詳細な図示はしないが、配向膜形成工程Ｓ１６において、例えば、ポリイミドからなる層をＣＶＤ法等の蒸着法により形成し、その後、ラビング処理を施すことにより配向膜２９を形成する。

以上のようにして、図４に示す素子基板２を形成することができる。また、例えば公知の技術を適宜用いて対向基板３を形成し、素子基板２と対向基板３とをシール部材４を介して連結する。その後、素子基板２、対向基板３およびシール部材４との間に液晶材を注入して液晶層５を形成し、その後、封止する。また、各種回路等も適宜形成する。このようにして、図１および図２に示す電気光学装置１を製造することができる。

前述のように、素子基板２の製造では、基材２１に凹部２１１を形成し、凹部２１１にタングステンシリサイド膜形成用の組成物、金属窒化膜形成用の組成物および金属膜形成用の組成物をそれぞれ順次堆積して遮光層２２ａを形成し、その後ＣＭＰ等の平坦化処理を施す方法により遮光体２２が形成される。つまり、遮光体２２は、いわゆるダマシン法を用いて形成される。ダマシン法を用いることで、平坦面２００を容易に形成でき、かつ、平坦面２００の平滑性を高めることができる。また、ダマシン法を用いることで、例えば、基材２１に凹部２１１を形成せずに基材２１上に遮光膜を形成して当該遮光膜をエッチングすることにより遮光体を形成する方法に比べて、遮光体２２のクラック等を低減できる。すなわち、ダマシン法を用いることで、遮光体２２のクラック耐性を高めることができる。

また、画素電極２８およびＴＦＴ２５を複数有する素子基板２において、小型で品質の高い素子基板２を形成するためには、遮光体２２は、微細でかつ形状精度に優れることが望まれる。前述のダマシン法によれば、微細でかつ形状精度に優れる遮光体２２を形成できる。

１－２．第２実施形態
次に、本発明の第２実施形態について説明する。図１４は、第２実施形態における素子基板の拡大断面図である。

本実施形態は、主に、遮光体の構成が異なる以外は、第１実施形態と同様である。なお、以下の説明では、第２実施形態に関し、第１実施形態との相違点を中心に説明し、同様の事項に関してはその説明を省略する。また、図１４において、第１実施形態と同様の構成については、同一符号を付す。

図１４に示す素子基板２Ａが有する遮光体２２Ａは、第１実施形態における遮光体２２からタングステンシリサイド膜２２７を省略する構成である。すなわち、遮光体２２Ａは、金属膜２２５と金属窒化膜２２６とを有する。遮光体２２Ａが基材２１と接触する金属窒化膜２２６を有することで、遮光体２２Ａが金属窒化膜２２６を有さず金属膜２２５単体で構成される場合に比べ、遮光体２２Ｂと基材２１との密着性を高めることができる。

本実施形態によっても、第１実施形態と同様に、ＴＦＴ２５への光の入射を抑制し、電気光学装置１の品質を高めることができる。

１－３．第３実施形態
次に、本発明の第３実施形態について説明する。図１５は、第３実施形態における素子基板が有する遮光体を示す平面図である。

本実施形態は、主に、遮光体の構成が異なる以外は、第１実施形態と同様である。なお、以下の説明では、第３実施形態に関し、第１実施形態との相違点を中心に説明し、同様の事項に関してはその説明を省略する。また、図１５において、第１実施形態と同様の構成については、同一符号を付す。

図１５に示す素子基板２Ｂは、隣り合う遮光体２２同士を連結する連結部２２３を有する。本実施形態では、＋ｘ軸方向に沿って並ぶ複数の遮光体２２は、それぞれ、隣り合う遮光体２２と連結部２２３で連結される。具体的には、図１５中の左上に位置する遮光体２２と、図１５中の右上に位置する遮光体２２とが、連結部２２３で連結される。また、図１５中の左下に位置する遮光体２２と、図１５中の右下に位置する遮光体２２とが、連結部２２３で連結される。

図示のように隣り合う遮光体２２同士が連結部２２３で連結されていることで、遮光体２２とＴＦＴ２５のゲート電極２５１とを電気的に接続すれば、複数の遮光体２２および複数の連結部２２３を、走査線として用いることができる。

本実施形態によっても、第１実施形態と同様に、ＴＦＴ２５への光の入射を抑制し、電気光学装置１の品質を高めることができる。

１－４．第４実施形態
次に、本発明の第４実施形態について説明する。図１６は、第４実施形態における素子基板が有する遮光体を示す断面図である。

本実施形態は、主に、遮光体の構成が異なる以外は、第１実施形態と同様である。なお、以下の説明では、第４実施形態に関し、第１実施形態との相違点を中心に説明し、同様の事項に関してはその説明を省略する。また、図１６において、第１実施形態と同様の構成については、同一符号を付す。

図１６に示す素子基板２Ｃが有する遮光体２２Ｃは、画素電極２８から離間するにつれて連続的に幅が広がる形状、すなわちテーパー状をなす。

遮光体２２Ｃの基材２１と接触する接触面２２００Ｃは、底面２２０１Ｃと、側面２２０２Ｃとを有する。なお、底面２２０１Ｃは基材２１の－ｚ軸側の面であり、側面２２０２Ｃは＋ｚ軸側の面２２０と底面２２０１Ｃとを繋ぐ面である。また、側面２２０２Ｃは、基材２１の厚さ方向に沿った線分Ａ２に対して傾斜する。

また、側面２２０２Ｃは、チャネル領域２５０１、第１ＬＤＤ領域２５０４および第２ＬＤＤ領域２５０５と重なっていない。遮光体２２Ｃのうち平面視で側面２２０２Ｃが位置する部分は、平面視で側面２２０２が位置しない部分よりも厚さが薄い。したがって、側面２２０２Ｃが、チャネル領域２５０１、第１ＬＤＤ領域２５０４および第２ＬＤＤ領域２５０５と平面視で重ならないことで、ＴＦＴ２５のリーク電流による誤作動を特に効果的に低減できる。

また、遮光体２２Ｃが画素電極２８から離間するにつれて連続的に幅が広がる形状であると、底面２２０１Ｃと側面２２０２Ｃとのなす角度を９０°を超える。当該角度が９０°超えであると、当該角度が９０°以下である場合に比べ、例えば製造時に、底面２２０１Ｃと側面２２０２Ｃとの境界部分で遮光体２２Ｃが基材２１から剥がれ易くなることを低減できる。このため、遮光体２２Ｃと基材２１との密着性を高めることができる。

なお、図示では、遮光体２２Ｃは、一定の変化率で幅が広がるが、当該変化率は一定でなくてもよい。

本実施形態によっても、第１実施形態と同様に、ＴＦＴ２５への光の入射を抑制し、電気光学装置１の品質を高めることができる。

１－５．第５実施形態
次に、本発明の第５実施形態について説明する。図１７は、第５実施形態における素子基板が有する遮光体を示す断面図である。

本実施形態は、主に、遮光体の接触面の形状が異なること以外は、第１実施形態と同様である。なお、以下の説明では、第５実施形態に関し、第４実施形態との相違点を中心に説明し、同様の事項に関してはその説明を省略する。また、図１７において、第４実施形態と同様の構成については、同一符号を付す。

図１７に示す素子基板２Ｄでは、遮光体２２Ｄの基材２１と接触する接触面２２００Ｄは、底面２２０１Ｄと、側面２２０２Ｄとを有する。側面２２０２Ｄは、基材２１の厚さ方向に沿った線分Ａ２と平行である。

底面２２０１Ｄのうちの側面２２０２Ｄとの接続部分２２０３は、曲面状をなす。つまり、遮光体２２Ｄの基材２１と接する接触面２２００Ｄは、接続部分２２０３を有し、当該接続部分２２０３は、曲面状をなす「曲面部」を構成する。接続部分２２０３を有することで、接続部分２２０３を有さない場合に比べ、遮光体２２Ｄと基材２１との密着性を高めることができる。

本実施形態によっても、第１実施形態と同様に、ＴＦＴ２５への光の入射を抑制し、電気光学装置１の品質を高めることができる。

１－６．第６実施形態
次に、本発明の第６実施形態について説明する。図１８は、第６実施形態における素子基板が有する遮光体を示す断面図である。

本実施形態は、主に、遮光体の接触面の形状が異なること以外は、第５実施形態と同様である。なお、以下の説明では、第６実施形態に関し、第５実施形態との相違点を中心に説明し、同様の事項に関してはその説明を省略する。また、図１８において、第１実施形態と同様の構成については、同一符号を付す。

図１８に示す素子基板２Ｅが有する遮光体２２Ｅの接触面２２００Ｅは、底面２２０１Ｅと、側面２２０２Ｅとを有する。側面２２０２Ｅは、基材２１の厚さ方向に沿った線分Ａ２に対して傾斜する。

底面２２０１Ｅのうちの側面２２０２Ｅとの接続部分２２０３Ｅは、画素電極２８とは反対側に突出する曲面状をなす。また、底面２２０１Ｅのうちの接続部分２２０３Ｅを除く部分は、画素電極２８側の突出する曲面状をなす。本実施形態では、接触面２２００Ｅは、底面２２０１Ｄが曲面状をなす「曲面部」を構成する。本実施形態によっても、底面２２０１Ｅが曲面状をなすことで、底面２２０１Ｅが曲面状で無い場合に比べ、遮光体２２Ｅと基材２１との密着性を高めることができる。

本実施形態によっても、第１実施形態と同様に、ＴＦＴ２５への光の入射を抑制し、電気光学装置１の品質を高めることができる。

１－７．第７実施形態
次に、本発明の第７実施形態について説明する。図１９は、第７実施形態における素子基板が有する遮光体を示す断面図である。図２０は、第７実施形態における素子基板が有する遮光体を示す平面図である。

本実施形態は、主に、遮光体の構成が異なる以外は、第１実施形態と同様である。なお、以下の説明では、第６実施形態に関し、第１実施形態との相違点を中心に説明し、同様の事項に関してはその説明を省略する。また、図１９および図２０において、第１実施形態と同様の構成については、同一符号を付す。

図１９および図２０に示す素子基板２Ｆが有する遮光体２２Ｆは、第１部分２２１と第２部分２２２とを有する。図示では、第２部分２２２は、平面視で＋ｙ軸方向に沿った矩形状をなす。一方、第１部分２２１は、図２０に示すように、平面視で、＋ｙ軸方向に沿った長手形状をなし、第２部分２２２を囲む。また、図１９に示すように、第１部分２２１の厚さｄ１１は、第２部分２２２の厚さｄ１２よりも薄い。遮光体２２の＋ｚ軸側の面２２０は、基材２１の＋ｚ軸側の面２１０と同一平面上に位置する。

また、第２部分２２２は、平面視で、チャネル領域２５０１、第１ＬＤＤ領域２５０４、および第２ＬＤＤ領域２５０５と重なっている。チャネル領域２５０１、第１ＬＤＤ領域２５０４、および第２ＬＤＤ領域２５０５は、前述のように、特に遮光性が要求させる部分である。したがって、第２部分２２２が、チャネル領域２５０１、第１ＬＤＤ領域２５０４、および第２ＬＤＤ領域２５０５と平面視で重なることで、ＴＦＴ２５のリーク電流による誤作動を特に効果的に防ぐことができる。また、遮光体２２Ｆが第１部分２２１を有することで、素子基板２Ｆの反りおよび遮光体２２Ｆのクラック等の不具合を低減できる。

なお、かかる遮光体２２Ｆは、例えば、いわゆるデュアルダマシン法を用いて形成することができる。

本実施形態によっても、第１実施形態と同様に、ＴＦＴ２５への光の入射を抑制し、電気光学装置１の品質を高めることができる。

２．電子機器
電気光学装置１は、各種電子機器に用いることができる。

図２１は、電子機器の一例であるパーソナルコンピューターを示す斜視図である。パーソナルコンピューター２０００は、各種の画像を表示する電気光学装置１と、電源スイッチ２００１やキーボード２００２が設置された本体部２０１０とを有する。

図２２は、電子機器の一例であるスマートフォンを示す斜視図である。スマートフォン３０００は、操作ボタン３００１と、各種の画像を表示する電気光学装置１とを有する。操作ボタン３００１の操作に応じて電気光学装置１に表示される画面内容が変更される。

図２３は、電子機器の一例であるプロジェクターを示す模式図である。投射型表示装置４０００は、例えば、３板式のプロジェクターである。電気光学装置１Ｒは、赤色の表示色に対応する電気光学装置１であり、電気光学装置１Ｇは、緑の表示色に対応する電気光学装置１であり、電気光学装置１Ｂは、青色の表示色に対応する電気光学装置１である。すなわち、投射型表示装置４０００は、赤、緑および青の表示色に各々対応する３個の電気光学装置１Ｒ、１Ｇ、１Ｂを有する。

照明光学系４００１は、光源である照明装置４００２からの出射光のうち赤色成分ｒを電気光学装置１Ｒに供給し、緑色成分ｇを電気光学装置１Ｇに供給し、青色成分ｂを電気光学装置１Ｂに供給する。各電気光学装置１Ｒ、１Ｇ、１Ｂは、照明光学系４００１から供給される各単色光を表示画像に応じて変調するライトバルブ等の光変調器として機能する。投射光学系４００３は、各電気光学装置１Ｒ、１Ｇ、１Ｂからの出射光を合成して投射面４００４に投射する。

前述のパーソナルコンピューター２０００、スマートフォン３０００、および投射型表示装置４０００は、それぞれ、前述の電気光学装置１を備える。電気光学装置１を備えることで、パーソナルコンピューター２０００、スマートフォン３０００、および投射型表示装置４０００の表示の均質性を高めることができる。よって、パーソナルコンピューター２０００、スマートフォン３０００、および投射型表示装置４０００の品質を高めることができる。

なお、本発明が適用される電子機器としては、例示した機器に限定されず、例えば、ＰＤＡ（Personal Digital Assistants）、デジタルスチルカメラ、テレビ、ビデオカメラ、カーナビゲーション装置、車載用の表示器、電子手帳、電子ペーパー、電卓、ワードプロセッサー、ワークステーション、テレビ電話、およびＰＯＳ（Point of sale）端末等が挙げられる。さらに、本発明が適用される電子機器としては、プリンター、スキャナー、複写機、ビデオプレーヤー、またはタッチパネルを備えた機器等が挙げられる。

以上、本発明の電気光学装置および電子機器は、好適な実施形態に基づいて説明したが、本発明は前述の各実施形態に限定されない。また、本発明の各部の構成は、前述の実施形態の同様の機能を発揮する任意の構成に置換でき、また、任意の構成を付加できる。

また、前述した説明では、本発明の電気光学装置の一例として液晶装置について説明したが、本発明の電気光学装置はこれに限定されない。すなわち、電気エネルギーによって光学特性が変化する電気光学装置であればよい。例えば、有機ＥＬ（electro luminescence）、無機ＥＬまたは発光ポリマー等の発光素子を用いた表示パネルに対しても前述の実施形態と同様に本発明が適用され得る。

また、着色された液体と当該液体に分散された白色の粒子とを含むマイクロカプセルを用いた電気泳動表示パネルに対しても前述の実施形態と同様に本発明が適用され得る。

また、前述の説明では、スイッチング素子の一例はＴＦＴであるが、スイッチング素子は、これに限定されず、例えば、ＭＯＳＦＥＴ（metal-oxide-semiconductor field-effect transistor）等であってもよい。

また、本発明の電気光学装置は、透過型に限定されず、反射型であってもよい。

１…電気光学装置、２１…基材、２２…遮光体、２８…画素電極、２００…平坦面、２１１…凹部、２２５…金属膜、２２６…金属窒化膜、２２７…タングステンシリサイド膜、２５０１…チャネル領域、２５０２…ソース領域、２５０３…ドレイン領域、２５０４…第１ＬＤＤ領域、２５０５…第２ＬＤＤ領域

Claims (8)

1. 透光性の基材と、
   スイッチング素子と、
   前記基材と前記スイッチング素子との間に遮光体と、を備え、
   前記遮光体は、タングステンを含む金属膜と、前記金属膜と前記基材との間にタングステンナイトライドを含む金属窒化膜と、前記金属窒化膜と前記基材との間にタングステンシリサイドを含むタングステンシリサイド膜と、を有し、第１方向に沿って延在するとともに半導体層のチャネル領域と重なる部分が前記半導体層のソース領域またはドレイン領域と重なる部分よりも幅広に形成された第１部分と、平面視において前記第１部分の内側に、前記半導体層のチャネル領域およびＬＤＤ領域と重なるように前記第１方向に沿って延在するとともに厚さが前記第１部分の厚さよりも厚い第２部分と、を有することを特徴とする電気光学装置。
2. 透光性の基材と、
   スイッチング素子と、
   前記基材と前記スイッチング素子との間に遮光体と、を備え、
   前記遮光体は、タングステンを含む金属膜と、前記金属膜と前記基材との間にタングステンナイトライドを含む金属窒化膜と、前記金属窒化膜と前記基材との間にタングステンシリサイドを含むタングステンシリサイド膜と、を有し、
   前記基材は、凹部を有し、
   前記遮光体は、前記凹部に配置される電気光学装置。
3. 透光性の基材と、
   スイッチング素子と、
   前記基材と前記スイッチング素子との間に遮光体と、を備え、
   前記遮光体は、タングステンを含む金属膜と、前記金属膜と前記基材との間にチタンナイトライドを含む金属窒化膜と、前記金属窒化膜と前記基材との間にタングステンシリサイドを含むタングステンシリサイド膜と、を有し、第１方向に沿って延在するとともに半導体層のチャネル領域と重なる部分が前記半導体層のソース領域またはドレイン領域と重なる部分よりも幅広に形成された第１部分と、平面視において前記第１部分の内側に、前記半導体層のチャネル領域およびＬＤＤ領域と重なるように前記第１方向に沿って延在するとともに厚さが前記第１部分の厚さよりも厚い第２部分とを有することを特徴とする電気光学装置。
4. 透光性の基材と、
   スイッチング素子と、
   前記基材と前記スイッチング素子との間に遮光体と、を備え、
   前記遮光体は、タングステンを含む金属膜と、前記金属膜と前記基材との間にタングステンナイトライドを含む金属窒化膜と、前記金属窒化膜と前記基材との間にタングステンシリサイドを含むタングステンシリサイド膜と、を有し、
   前記基材は、凹部を有し、
   前記遮光体は、前記凹部に配置される電気光学装置。
5. 前記タングステンシリサイド膜の厚さは、前記金属窒化膜の厚さよりも厚く、かつ、前記金属膜の厚さよりも薄い請求項１ないし４のいずれか１項に記載の電気光学装置。
6. 前記基材の前記スイッチング素子側の面と前記遮光体の前記スイッチング素子側の面とで平坦面が構成される請求項１ないし５のいずれか１項に記載の電気光学装置。
7. 前記遮光体の前記基材と接する接触面は、曲面状をなす曲面部を有する請求項１ないし６のいずれか１項に記載の電気光学装置。
8. 請求項１ないし７のいずれか１項に記載の電気光学装置を備えることを特徴とする電子機器。
   

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