JP6908086B2 - 電気光学装置、電気光学装置の製造方法および電子機器 - Google Patents

Description

本発明は、電気光学装置、電気光学装置の製造方法および電子機器に関する。

プロジェクター等の電子機器には、一般的に、画素ごとに光学的特性を変更可能な液晶装置等の電気光学装置が用いられる。例えば、特許文献１には、複数の画素電極が配置されるＴＦＴ（thin film transistor）アレイ基板と、対向電極が配置される対向基板と、ＴＦＴアレイ基板と対向基板との間に配置される液晶層と、を備える液晶装置が開示される。当該ＴＦＴアレイ基板および当該対向基板のそれぞれは、石英またはガラスによって構成される。

また、特許文献１では、ＴＦＴアレイ基板と複数の画素電極との間に、遮光膜と、絶縁膜と、チャネル領域を含むＴＦＴとが、この順に設けられる。当該遮光膜は、タングステンで構成され、ＴＦＴのチャネル領域を遮光する。また、当該遮光膜は、チタンナイトライドからなる接着層によってＴＦＴアレイ基板に接着される。

特開２００８―２２５０３４号公報

しかし、タングステンで構成される遮光膜を石英で構成されるＴＦＴアレイ基板にチタンナイトライドで構成される接着層で接着すると、遮光膜を製造する際、遮光膜がＴＦＴアレイ基板から剥離するおそれがある。そのため、密着性に優れる遮光膜が求められている。

本発明の電気光学装置の一態様は、無機材料で構成され、絶縁性および透光性を有する基材と、画素電極と、前記画素電極に対向する対向電極と、前記画素電極と前記対向電極との間に配置された電気光学層と、タングステンシリサイドを含む第１膜、チタンナイトライドまたはタングステンナイトライドを含む第２膜、およびタングステンを含む第３膜を有する遮光性の遮光部と、を備え、前記第１膜と、前記第２膜と、前記第３膜とは、前記基材から順に積層されている。

本発明の電気光学装置の製造方法の一態様は、無機材料で構成され、絶縁性および透光性を有する基材と、画素電極と、前記画素電極に対向する対向電極と、前記画素電極と前記対向電極との間に配置された電気光学層と、を備える電気光学装置の製造方法であって、前記基材を用意する工程と、タングステンシリサイドを含む第１膜、チタンナイトライドまたはタングステンナイトライドを含む第２膜、およびタングステンを含む第３膜を有する遮光性の遮光部を形成する工程と、を有し、前記遮光部を形成する工程は、前記基材上に前記第１膜を形成する工程と、前記第１膜上に前記第２膜を形成する工程と、前記第２膜上に前記第３膜を形成する工程と、を有する。

第１実施形態に係る電気光学装置の平面図である。 図１中のＡ−Ａ線断面図である。 素子基板の電気的な構成を示す等価回路図である。 素子基板の一部を示す断面図である。 素子基板２の一部を示す平面図である。 遮光部の一部および複数のトランジスターの一部を示す平面図である。 遮光部の一部を示す断面図である。 第１実施形態に係る電気光学装置の製造方法の流れを示す図である。 第１基材用意工程での第１基材の断面図である。 シリサイド膜形成工程での第１基材およびシリサイド膜の断面図である。 アニール工程での第１基材および第１膜の断面図である。 第２膜形成工程での第１基材、第１膜および第２膜の断面図である。 第３膜形成工程での第１基材、第１膜、第２膜および第３膜の断面図である。 研磨工程での第１基材および遮光部の断面図である。 第２実施形態における素子基板の一部を示す断面図である。 第３実施形態における素子基板の一部を示す断面図である。 電子機器の一例であるパーソナルコンピューターを示す斜視図である。 電子機器の一例であるスマートフォンを示す斜視図である。 電子機器の一例であるプロジェクターを示す模式図である。

以下、添付図面を参照しながら本発明に係る好適な実施形態を説明する。なお、図面において各部の寸法または縮尺は実際と適宜に異なり、理解を容易にするために模式的に示す部分もある。また、本発明の範囲は、以下の説明において特に本発明を限定する旨の記載がない限り、これらの形態に限られない。また、本明細書において「要素Ａ上に要素Ｂが配置される」という表現は、要素Ａと要素Ｂとが直接的に接触する構成に限定されない。要素Ａと要素Ｂとが直接的に接触していない構成も、「要素Ａ上に要素Ｂが配置される」という概念に包含される。

１．電気光学装置
本発明の電気光学装置の一例として、アクティブマトリクス方式の液晶装置を例に説明する。

１Ａ．第１実施形態
１Ａ−１．基本構成
図１は、第１実施形態に係る電気光学装置１００の平面図である。図２は、図１中のＡ−Ａ線断面図である。なお、以下では、説明の便宜上、互いに直交するＸ軸、Ｙ軸およびＺ軸を適宜用いて説明する。また、Ｘ軸に沿う一方向をＸ１方向といい、Ｘ１方向とは反対の方向をＸ２方向という。同様に、Ｙ軸に沿う一方向をＹ１方向といい、Ｙ１方向とは反対の方向をＹ２方向という。Ｚ軸に沿う一方向をＺ１方向といい、Ｚ１方向とは反対の方向をＺ２方向という。

図１および図２に示す電気光学装置１００は、透過型の液晶装置である。図２に示すように、電気光学装置１００は、透光性を有する素子基板２と、透光性を有する対向基板４と、枠状のシール部材８と、液晶層９とを有する。素子基板２は「第１基板」の例示である。対向基板４は「第２基板」の例示である。液晶層９は「電気光学層」の例示である。シール部材８は、素子基板２と対向基板４との間に配置される。液晶層９は、素子基板２、対向基板４およびシール部材８によって囲まれる領域内に配置される。素子基板２、液晶層９および対向基板４は、Ｚ軸に沿って並ぶ。対向基板４が有する後述の第２基材４１の表面がＸ−Ｙ平面に平行である。以下では、素子基板２の厚さ方向であるＺ１方向またはＺ２方向からみることを「平面視」と言う。

本実施形態の電気光学装置１００では、光は、例えば素子基板２に入射し、液晶層９を透過して対向基板４から出射される。なお、光は、対向基板４に入射し、液晶層９を透過して素子基板２から出射されてもよい。当該光は可視光である。「透光性」とは、可視光に対する透過性を意味し、好ましくは可視光の透過率が５０％以上であることをいう。また、図１に示す電気光学装置１００は平面視で四角形状をなすが、電気光学装置１００の平面視での形状は、これに限定されず、例えば円形等であってもよい。

図２に示すように、素子基板２は、第１基材２１と配線層２０と複数の画素電極２８と第１配向膜２９とを有する。第１基材２１は、「基材」の例示である。第１基材２１は、透光性および絶縁性を有する平板で構成される。第１基材２１と複数の画素電極２８との間には配線層２０が配置される。また、図２では図示はしないが、第１基材２１と配線層２０との間には遮光部３が配置される。画素電極２８は、透光性を有しており、例えばＩＴＯ（Indium Tin Oxide）またはＩＺＯ（Indium Zinc Oxide）等の透明導電材料で構成される。第１配向膜２９は、素子基板２において最も液晶層９側に位置しており、液晶層９の液晶分子を配向させる。第１配向膜２９の構成材料としては、例えばポリイミドおよび酸化ケイ素等が挙げられる。なお、素子基板２については、後で説明する。

図２に示すように、対向基板４は、第２基材４１と絶縁膜４２と共通電極４５と第２配向膜４６とを有する。共通電極４５は「対向電極」の例示である。第２基材４１、絶縁膜４２、共通電極４５および第２配向膜４６は、この順に並ぶ。第２配向膜４６が最も液晶層９側に位置する。第２基材４１は、透光性および絶縁性を有する平板で構成される。第２基材４１は、例えば、ガラスまたは石英等で構成される。絶縁膜４２は、例えば酸化ケイ素等の透光性および絶縁性を有するケイ素系の無機材料で形成される。共通電極４５は、例えばＩＴＯまたはＩＺＯ等の透明導電材料で構成される。第２配向膜４６は、液晶層９の液晶分子を配向させる。第２配向膜４６の構成材料としては、例えばポリイミドおよび酸化ケイ素等が挙げられる。

シール部材８は、例えばエポキシ樹脂等の各種硬化性樹脂を含む接着剤等を用いて形成される。シール部材８は、素子基板２および対向基板４のそれぞれに対して固着される。シール部材８の周方向での一部には、液晶分子を含む液晶材をシール部材８の内側に注入するための注入口８１が形成される。注入口８１は、各種樹脂材料を用いて形成される封止材８０により封止される。

液晶層９は、正または負の誘電異方性を有する液晶分子を含む。液晶層９は、液晶分子が第１配向膜２９および第２配向膜４６の双方に接するように素子基板２および対向基板４によって挟持される。液晶層９は、複数の画素電極２８と共通電極４５との間に配置され、電界による光学的特性が変化する。具体的には、液晶層９が有する液晶分子の配向は、液晶層９に印加される電圧に応じて変化する。

図１に示すように、素子基板２における対向基板４側の面には、複数の走査線駆動回路１１とデータ線駆動回路１２と、複数の外部端子１４と、複数の引回配線１５とが配置される。複数の外部端子１４のそれぞれには、走査線駆動回路１１およびデータ線駆動回路１２のそれぞれから引き回される引回配線１５が接続される。

以上の構成の電気光学装置１００は、画像を表示する表示領域Ａ１０と、表示領域Ａ１０を平面視で囲む周辺領域Ａ２０とを有する。表示領域Ａ１０は、行列状に配列される複数の画素Ｐを有する。複数の画素Ｐには、複数の画素電極２８が１対１で配置される。周辺領域Ａ２０には、走査線駆動回路１１およびデータ線駆動回路１２等が配置される。

１Ａ−２．電気的な構成
図３は、素子基板２の電気的な構成を示す等価回路図である。図３に示すように、素子基板２は、ｎ本の走査線２４４と、ｍ本のデータ線２４６と、ｎ本の第１定電位線２４５と、複数のトランジスター２３と、複数の蓄積容量２００とを有する。なお、ｎおよびｍはそれぞれ２以上の整数である。また、第１定電位線２４５は、容量線である。各トランジスター２３は、例えばスイッチング素子として機能するＴＦＴである。各トランジスター２３は、ゲート、ソースおよびドレインを含む。

ｎ本の走査線２４４のそれぞれはＹ軸に沿って延在し、ｎ本の走査線２４４はＸ軸に沿って等間隔で並ぶ。ｎ本の走査線２４４のそれぞれは、全てのトランジスター２３のうちの幾つかのトランジスター２３のそれぞれのゲートに電気的に接続される。また、ｎ本の走査線２４４は、図１に示す走査線駆動回路１１に電気的に接続される。１〜ｎ本の走査線２４４には、走査線駆動回路１１から走査信号Ｇ１、Ｇ２、…、およびＧｎが線順次で供給される。

図３に示すｍ本のデータ線２４６のそれぞれはＸ軸に沿って延在し、ｍ本のデータ線２４６はＹ軸に沿って等間隔で並ぶ。ｍ本のデータ線２４６のそれぞれは、全てのトランジスター２３のうちの幾つかのトランジスター２３のそれぞれのソースに電気的に接続される。また、ｍ本のデータ線２４６は、図１に示すデータ線駆動回路１２に電気的に接続される。１〜ｍ本のデータ線２４６には、データ線駆動回路１２から画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、およびＳｍが並行に供給される。

図３に示すｎ本の走査線２４４とｍ本のデータ線２４６とは、互いに絶縁され、平面視で格子状をなす。隣り合う２個の走査線２４４と隣り合う２個のデータ線２４６とで囲まれる領域が画素Ｐに対応する。複数の画素電極２８は、複数のトランジスター２３に対して１対１で配置される。各画素電極２８には、対応するトランジスター２３のドレインが電気的に接続される。

ｎ本の第１定電位線２４５のそれぞれはＹ軸に沿って延在し、ｎ本の第１定電位線２４５はＸ軸に沿って等間隔で並ぶ。また、ｎ本の第１定電位線２４５は、複数のデータ線２４６および複数の走査線２４４と絶縁され、これらに対して離間して形成される。各第１定電位線２４５には、例えばグランド電位等の固定電位が印加される。また、第１定電位線２４５と画素電極２８との間には、液晶容量に保持される電荷のリークを防止するために蓄積容量２００が液晶容量と並列に配置される。蓄積容量２００は、供給された画像信号Ｓｍに応じて画素電極２８の電位を保持するための容量素子である。

走査信号Ｇ１、Ｇ２、…、およびＧｎが順次アクティブとなり、ｎ本の走査線２４４が順次選択されると、選択される走査線２４４に接続されるトランジスター２３がオン状態となる。すると、ｍ本のデータ線２４６を介して表示すべき階調に応じた大きさの画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、およびＳｍが、選択される走査線２４４に対応する画素Ｐに取り込まれ、画素電極２８に印加される。これにより、画素電極２８と図２に示す対向基板４が有する共通電極４５との間に形成される液晶容量に、表示すべき階調に応じた電圧が印加され、印加される電圧に応じて液晶分子の配向が変化する。また、蓄積容量２００によって、印加される電圧が保持される。このような液晶分子の配向の変化によって光が変調され、階調表示が可能となる。

１Ａ−３．素子基板２の構成
図４は、素子基板２の一部を示す断面図である。以下の説明では、Ｚ１方向を上方とし、Ｚ２方向を下方として説明する。図４に示すように、素子基板２は、第１基材２１と遮光部３と配線層２０と複数の画素電極２８と第１配向膜２９とを有する。第１基材２１は、絶縁性および透光性を有する無機材料で構成される。第１基材２１は、例えば、ガラスまたは石英で構成される。特に、第１基材２１は、石英ガラス等のケイ酸塩ガラスで構成されることが好ましい。ケイ酸塩ガラスで構成されることで、それ以外の材料で構成される場合に比べ、後述の遮光部３と第１基材２１との密着性を特に向上させることができる。

第１基材２１は、複数の凹部２１９を有する。なお、図４では複数の凹部２１９のうちの１個の凹部２１９が図示される。また、図示しないが、複数の凹部２１９は行列状に配置される。凹部２１９は、第１基材２１に形成された凹みである。凹部２１９の表面は、底面と側面とを有する。当該底面は、Ｘ−Ｙ平面に沿った面である。当該側面は、当該底面と第１基材２１の上面２１１とを接続する面である。また、複数の凹部２１９は、複数のトランジスター２３に対して１対１で配置される。各凹部２１９は、図示はしないが、平面視で、対応するトランジスター２３と重なる。

第１基材２１上には、遮光部３が配置される。遮光部３は、遮光性を有する。遮光性とは、可視光に対する遮光性を意味し、具体的には可視光に対する遮光性を意味し、好ましくは、可視光の透過率が５０％未満であることをいい、より好ましくは、１０％以下であることをいう。また、遮光部３は、導電性を有する。ただし、遮光部３は、各種配線およびトランジスター２３とは絶縁される。遮光部３については後で詳述する。

遮光部３上には、配線層２０が配置される。配線層２０は、複数のトランジスター２３、複数の走査線２４４、複数の第１定電位線２４５、複数の蓄積容量２００、複数のデータ線２４６、および複数の第２定電位線２４８を有する。なお、図４には、１個のトランジスター２３に対応する、１個の走査線２４４、１個の第１定電位線２４５、１個の蓄積容量２００、１個のデータ線２４６および１個の第２定電位線２４８が図示される。また、配線層２０は、絶縁性および透光性の絶縁体２２を有する。絶縁体２２は、絶縁膜２２１、２２２、２２３、２２４、２２５、２２６、２２７、２２８および２２９を有する。絶縁膜２２１、２２２、２２３、２２４、２２５、２２６、２２７、２２８および２２９は、この順に第１基材２１から複数の画素電極２８に向かって配置される。絶縁膜２２１〜２２９は、それぞれ、例えば熱酸化またはＣＶＤ（chemical vapor deposition）法等で成膜される酸化ケイ素膜で構成される。配線層２０が有する配線および電極は、絶縁体２２を構成する膜同士の間に当該膜に接触した状態で配置される。

第１基材２１上には、遮光部３を覆って絶縁膜２２１が配置される。絶縁膜２２１上にはトランジスター２３が配置される。トランジスター２３は、半導体層２３１、ゲート電極２３２およびゲート絶縁膜２３３を有する。半導体層２３１は、絶縁膜２２２と絶縁膜２２３との間に配置される。半導体層２３１は、ソース領域２３１ａ、ドレイン領域２３１ｂ、チャネル領域２３１ｃ、第１ＬＤＤ（Lightly Doped Drain）領域２３１ｄ、および第２ＬＤＤ領域２３１ｅを有する。半導体層２３１は、例えば、ポリシリコンを成膜して形成され、チャネル領域２３１ｃを除く領域には、導電性を高める不純物がドープされる。第１ＬＤＤ領域２３１ｄおよび第２ＬＤＤ領域２３１ｅ中の不純物濃度は、ソース領域２３１ａおよびドレイン領域２３１ｂ中の不純物濃度よりも低い。なお、第１ＬＤＤ領域２３１ｄおよび第２ＬＤＤ領域２３１ｅのうちの少なくとも一方は、省略してもよい。

ゲート電極２３２は、絶縁膜２２２と絶縁膜２２３との間に配置される。ゲート電極２３２は、Ｚ１方向からみて半導体層２３１のチャネル領域２３１ｃに重なる。ゲート電極２３２は、例えば、ポリシリコンに導電性を高める不純物がドープされることにより形成される。なお、ゲート電極２３２は、金属、金属シリサイドおよび金属化合物の導電性を有する材料を用いて形成されてもよい。また、ゲート電極２３２とチャネル領域２３１ｃとの間には、ゲート絶縁膜２３３が介在する。ゲート絶縁膜２３３は、例えば、熱酸化またはＣＶＤ法等で成膜される酸化ケイ素で構成される。

絶縁膜２２３と絶縁膜２２４との間には、走査線２４４が配置される。走査線２４４は、絶縁膜２２３を貫通するコンタクト部２７１を介してゲート電極２３２に接続される。なお、本実施形態では、ゲート電極２３２と遮光部３とは絶縁されているが、これらは電気的に接続されてもよい。この場合、遮光部３をバックゲートとして用いることができる。

絶縁膜２２４と絶縁膜２２５との間には、第１定電位線２４５が配置される。第１定電位線２４５にはシールド部２７０が接続される。シールド部２７０は、絶縁膜２２４を貫通して絶縁膜２２３の厚さ方向の途中位置までの間に配置される。また、シールド部２７０は、Ｚ１方向からみて第２ＬＤＤ領域２３１ｅと重なる。シールド部２７０は、走査線２４４からの漏れ電界がトランジスター２３に影響することを抑制するシールドとして機能する。また、シールド部２７０は、半導体層２３１の遮光部として機能する。シールド部２７０には、第１定電位線２４５から固定電位が供給される。

絶縁膜２２５上には、蓄積容量２００が配置される。蓄積容量２００は、第１容量２５および第２容量２６を有する。第１容量２５は、絶縁膜２２５と絶縁膜２２６との間に配置される。第１容量２５は、下部容量電極２５１、上部容量電極２５２、およびこれらの間に配置される誘電体層２５３を有する。下部容量電極２５１は、絶縁膜２２５を貫通するコンタクト部２７２を介して第１定電位線２４５に接続される。また、第２容量２６は、絶縁膜２２６と絶縁膜２２７との間に配置される。第２容量２６は、下部容量電極２６１、上部容量電極２６２、およびこれらの間に配置される誘電体層２６３を有する。下部容量電極２６１は、絶縁膜２２６を貫通するコンタクト部２７３を介して第１容量２５の上部容量電極２５２に接続される。また、下部容量電極２６１は、絶縁膜２２２〜２２６を貫通するコンタクト部２７４を介してトランジスター２３のドレイン領域２３１ｂに電気的に接続される。第１容量２５の上部容量電極２５２は、図示しないコンタクト部等を介して、配線層２０上に配置される画素電極２８に電気的に接続される。

絶縁膜２２７と絶縁膜２２８との間には、データ線２４６が配置される。データ線２４６は絶縁膜２２７および絶縁膜２２８に接触する。データ線２４６は、絶縁膜２２２〜２２７を貫通するコンタクト部２７５を介してトランジスター２３のソース領域２３１ａに電気的に接続される。また、絶縁膜２２８と絶縁膜２２９との間には、第２定電位線２４８が配置される。第２定電位線２４８は、図示しないコンタクト部等を介して第２容量２６の上部容量電極２６２に電気的に接続される。第２定電位線２４８には、第１定電位線２４５と同様に、例えばグランド電位等の固定電位が印加される。第１定電位線２４５に供給される固定電位と第２定電位線２４８に供給される固定電位とは、同電位である。

下部容量電極２５１、上部容量電極２５２、下部容量電極２６１、および上部容量電極２６２は、例えば窒化チタン膜で構成される。走査線２４４、第１定電位線２４５、データ線２４６および第２定電位線２４８等の配線は、例えば、アルミニウム膜と窒化チタン膜との積層体で構成される。アルミニウム膜を含むことで、窒化チタン膜のみで構成される場合に比べて低抵抗化を図ることができる。なお、これら電極または配線のそれぞれは、前述の材料以外の材料で構成されてもよい。例えば、これら電極または配線のそれぞれは、タングステン（Ｗ）、チタン（Ｔｉ）、クロム（Ｃｒ）、鉄およびアルミニウム（Ａｌ）等の金属、金属窒化物、ならびに金属シリサイド等で構成されてもよい。

なお、配線層２０が有する配線等の構成および配置は、図４に示す例に限定されない。例えば、トランジスター２３が配置される層よりも下層に各種配線が配置されてもよい。また、第１容量２５および第２容量２６のいずれかは省略してもよい。

図５は、素子基板２の一部を示す平面図である。図５に示すように、素子基板２は、光が透過する複数の透光領域Ａ１１と、光を遮断する配線領域Ａ１２とを有する。複数の透光領域Ａ１１の平面視での各形状は、ほぼ四角形であり、複数の透光領域Ａ１１は、平面視で行列状に配置される。複数の透光領域Ａ１１には、複数の画素電極２８が１対１で配置される。配線領域Ａ１２は、平面視で格子状をなし、透光領域Ａ１１を囲む。配線領域Ａ１２には、複数のトランジスター２３、複数の蓄積容量２００、複数の走査線２４４、複数のデータ線２４６、複数の第１定電位線２４５および複数の第２定電位線２４８が配置される。複数の走査線２４４と複数のデータ線２４６とは、Ｚ１方向からみて格子状をなす。複数の第１定電位線２４５と複数の第２定電位線２４８とは、Ｚ１方向からみて格子状をなす。トランジスター２３は、平面視で走査線２４４とデータ線２４６との交差位置に配置される。図示しないが、蓄積容量２００は、平面視で当該交差位置に配置される。

１Ａ−４．遮光部３
図６は、遮光部３の一部および複数のトランジスター２３の一部を示す平面図である。図６に示すように、遮光部３は、複数の遮光部分３０を有する。複数の遮光部分３０は、平面視で行列状に配置される。複数の遮光部分３０は、複数のトランジスター２３に対して１対１で配置される。遮光部分３０の平面視での形状は、Ｘ軸に沿った方向を長手方向とする長手形状であるが、当該形状はこれに限定されない。各遮光部分３０は、対応するトランジスター２３と平面視で重なる。具体的には、遮光部分３０は、平面視で、半導体層２３１およびゲート電極２３２と重なる。各遮光部分３０は、対応するトランジスター２３への光の入射を遮断する。

図６に示す遮光部分３０の平面視での面積は、トランジスター２３の半導体層２３１の平面視での面積よりも大きいが、小さくてもよい。遮光部分３０は、光の入射によるトランジスター２３の誤作動を低減するために、少なくとも半導体層２３１のチャネル領域２３１ｃと重なることが好ましい。

図７は、遮光部３の一部を示す断面図である。図７には、複数の遮光部分３０のうちの１個の遮光部分３０が図示される。遮光部分３０は、第１基材２１の凹部２１９の内部に配置される。遮光部分３０が凹部２１９の内部に配置されることで、遮光部分３０が第１基材２１の上面２１１に配置される場合に比べ、遮光部分３０の厚さを厚く形成し易く、かつ、遮光部分３０と第１基材２１との密着性をより向上させることができる。

図７に示すように、遮光部分３０は、第１膜３１と第２膜３２と第３膜３３とを有する。第１膜３１と第２膜３２と第３膜３３とは、第１基材２１から順に配置される。つまり、遮光部分３０は、第１膜３１と第２膜３２と第３膜３３との積層構造を有する。第１膜３１は、タングステンシリサイドを含む。第２膜３２は、チタンナイトライドまたはタングステンナイトライドを含む。第３膜３３は、タングステンを含む。

第１膜３１を有することで、第１膜３１を有さない場合に比べ、第２膜３２と第１基材２１との密着性を向上させることができる。また、第２膜３２を有することで、第１膜３１と第３膜３３との密着性を向上させることができる。また、第３膜３３を有することで、遮光部３の遮光性を充分に確保することができる。したがって、遮光部３が第１膜３１、第２膜３２および第３膜３３を有することで、遮光部３が第１基材２１から剥離するおそれを従来よりも抑制することができる。すなわち、遮光部３の第１基材２１への密着性を高めることができるので、その結果、遮光部３による遮光性の低下を抑制することができる。また、遮光部３の製造時における剥離を抑制することができるので、例えば遮光部３の形状および厚さの自由度を高めることができる。

第２膜３２は、チタンナイトライドよりもタングステンナイトライドを含むことが好ましい。第２膜３２がチタンナイトライドを含むと、当該チタンナイトライドに含まれるチタンが絶縁体２２に拡散することで、ＴＦＴ２３に影響を与えてしまうおそれがある。そのため、ＴＦＴ２３の下層に位置する遮光部分３０が有する第２膜３２は、タングステンナイトライドを含むことが特に好ましく、チタンナイトライドを含まないことが特に好ましい。また、第２膜３２は、第１膜３１の成分が第３膜３３に拡散することを抑制するバリア層として機能する。そのため、第２膜３２が第１膜３１と第３膜３３との間に配置されることで、第３膜３３のＯＤ（Optical Density）値の低下を抑制することができる。

第３膜３３がタングステンで構成されることで、遮光部分３０の全体の厚さを厚く形成することが容易であり、かつ、遮光部分３０の遮光性を高めることができる。また、遮光部分３０の主成分がタングステンであることで、当該主成分が他の金属である場合に比べ、遮光部分３０の全体の厚さを厚く形成することが特に容易であり、かつ、遮光部分３０の遮光性を特に高めることができる。

第３膜３３ａには、ピンホールが存在しない緻密な膜である。そのため、ピンホールが存在することによる遮光部分３０の遮光性の低下が防止される。

なお、第１膜３１、第２膜３２および第３膜３３のそれぞれは、前述の金属以外の他の金属が例えば５％程度含まれてもよい。また、第２膜３２は、チタンナイトライドとタングステンナイトライドとの両方を含んでもよい。また、第２膜３２は、例えば、チタンナイトライドを含む層とタングステンナイトライドを含む層との積層構造であってもよい。

図７に示すように、第１膜３１の厚さＤ１は、第３膜３３の厚さＤ３よりも薄く、かつ、第２膜３２の厚さＤ２よりも厚い。すなわち、厚さＤ１、Ｄ２およびＤ３は、Ｄ２＜Ｄ１＜Ｄ３の関係を満たす。厚さＤ１が厚さＤ２よりも厚いことで、厚さＤ１が厚さＤ２よりも薄い場合に比べて、第１基材２１と第１膜３１との密着性、および第１膜３１と第２膜３２との密着性をより向上させることができる。また、厚さＤ１が厚さＤ３よりも薄いことで、厚さＤ１が厚さＤ３よりも厚い場合に比べ、遮光部３の全体の厚さが過度に厚くなることを抑制しつつ、遮光部３の遮光性を充分に確保することができる。なお、厚さＤ１、Ｄ２およびＤ３のそれぞれは、平均厚さである。

厚さＤ１は、特に限定されないが、例えば、１ｎｍ以上２００ｎｍ以下であることが好ましい。厚さＤ２は、特に限定されないが、例えば、１ｎｍ以上１００ｎｍ以下であることが好ましい。厚さＤ３は、特に限定されないが、例えば、１０ｎｍ以上５００ｎｍ以下であることが好ましい。厚さＤ１、Ｄ２およびＤ３がそれぞれ前述の範囲を満足することで、遮光部３の全体の厚さを抑えつつ、遮光部３の密着性を高めるとともに遮光部３の遮光性を高めるという効果を特に顕著に発揮することができる。

なお、厚さＤ１、Ｄ２およびＤ３は、Ｄ２＜Ｄ１＜Ｄ３の関係を満足しなくてもよい。例えば、厚さＤ２は、厚さＤ１よりも厚くても良いし、等しくてもよい。また、厚さＤ１、Ｄ２およびＤ３の各具体的な値は、上記範囲内の値に限定されず、上記範囲外の値でもよい。

図７に示すように、第１膜３１は、第１基材２１と接触する第１面３１１と、第２膜３２と接触する第２面３１２とを有する。第１面３１１は、凹部２１９の底面および側面に接触する。本実施形態では、第１面３１１は、平滑面である。一方、第２面３１２は、凹凸を有する。第２面３１２の粗さは、第１面３１１の粗さよりも大きい。具体的には、第２面３１２の算術平均粗さは、第１面３１１の算術平均粗さよりも大きい。第２面３１２が凹凸を有することで、アンカー効果によって第１膜３１と第２膜３２との密着性を向上させることができる。そのため、第１膜３１と第２膜３２との間の剥離を特に効果的に抑制することができる。したがって、第１基材２１から遮光部３が剥離することを特に効果的に抑制することができる。また、全ての遮光部分３０について、第２面３１２が凹凸を有することで、歩留まりの向上を特に効果的に図ることができる。

第２面３１２は、凹部２１９の形状と同様に、底面と側面とを有する。本実施形態では、当該底面および当該側面は、凹凸を有する。つまり、第２面３１２の全体に凹凸が存在する。第２面３１２の底面だけでなく、第２面３１２の側面にも凹凸が存在することで、第２面３１２の側面に凹凸が存在しない場合に比べ、第１膜３１と第２膜３２との密着性を向上させることができる。

第２面３１２の算術平均粗さＲａは、特に限定されないが、例えば、１ｎｍ以上１０ｎｍ以下であることが好ましく、２ｎｍ以上５ｎｍ以下であることがより好ましい。また、第１膜３１の厚さＤ１に対する第２面３１２の算術平均粗さＲａの比であるＲａ／Ｄ１は、特に限定されないが、例えば、０．００５以上０．５以下であることが好ましく、０．０２以上０．２５以下であることがより好ましい。

算術平均粗さＲａが上記範囲内であることで、第１膜３１と第２膜３２との密着性を特に高めることができる。そのため、遮光部３が第１基材２１から剥離するおそれを特に効果的に抑制することができる。また、算術平均粗さＲａが上記範囲内であることで、算術平均粗さＲａが過度に大き過ぎることにより、遮光部３に亀裂等の不具合が発生するおそれを抑制することができる。

なお、第２面３１２の算術平均粗さＲａの具体的な値は、上記範囲内の値に限定されず、上記範囲外の値でもよい。

図７に示すように、第２膜３２は、第１膜３１と接触する第３面３２１と、第３膜３３と接触する第４面３２２とを有する。第１膜３１の第２面３１２の凹凸の影響により、第３面３２１および第４面３２２のそれぞれは、凹凸を有する。したがって、第３面３２１の粗さおよび第４面３２２の粗さのそれぞれは、第１面３１１の粗さよりも大きい。具体的には、第３面３２１および第４面３２２の各算術平均粗さは、第１面３１１の算術平均粗さよりも大きい。

第４面３２２が凹凸を有することで、アンカー効果によって第２膜３２と第３膜３３との密着性を向上させることができる。特に、第１膜３１の第２面３１２が凹凸を有し、かつ、第２膜３２の第４面３２２が凹凸を有することで、第１基材２１から遮光部３が剥離することを最も効果的に抑制することができる。

図７に示すように、第３膜３３は、第２膜３２と接触する第５面３３１と、絶縁膜２２１と接触する第６面３３２とを有する。第６面３３２と第１基材２１の上面２１１とで、段差が無く連続的な平坦面が構成される。第５面３３１は、第４面３２２に接触するため、凹凸を有する。一方、第６面３３２は、平滑面である。したがって、第６面３３２の粗さは、第５面３３１の粗さよりも小さい。具体的には、第６面３３２の算術平均粗さは、第５面３３１の算術平均粗さよりも小さい。第６面３３２が平滑面であることで、第６面３３２の凹凸によってトランジスター２３に悪影響が生じるおそれが抑制される。

また、第６面３３２と第１基材２１の上面２１１とで平坦面が構成されるため、第６面３３２と第１基材２１の上面２１１との間には、段差が存在しない。そのため、当該段差で光が乱反射することがないので、トランジスター２３に光が入射するおそれをより効果的に抑制することができる。なお、第６面３３２と第１基材２１の上面２１１との間には段差が存在してもよい。

ここで、複数の画素電極２８のうち任意の１個の画素電極２８が「第１画素電極」であり、他の１個の画素電極２８を「第２画素電極」とする。また、「第１画素電極」に電気的に接続される１個のトランジスター２３を「第１トランジスター」とし、「第２画素電極」に電気的に接続される１個のトランジスター２３を「第２トランジスター」とする。また、「第１画素電極」と「第１トランジスター」との間に配置される遮光部分３０を「第１遮光部分」とし、「第２画素電極」と「第２トランジスター」との間に配置される遮光部分３０を「第２遮光部分」とする。この場合、「第１遮光部分」および「第２遮光部分」のそれぞれは、第１膜３１、第２膜３２および第３膜を有する。つまり、複数の遮光部分３０のそれぞれは、第１膜３１、第２膜３２および第３膜を有しており、第１基材２１とトランジスター２３との間に配置される。そのため、平面視で遮光部３によって各トランジスター２３への光の入射を遮断することができる。したがって、リーク電流に起因する誤作動が生じるおそれを抑制することができる。

また、全てのトランジスター２３のそれぞれに対して、対応する遮光部分３０が配置される。そのため、遮光部分３０が対応して配置されていないトランジスター２３が存在する場合に比べ、電気光学装置１００の信頼性を高めることができる。なお、遮光部分３０が対応して配置されていないトランジスター２３が存在していてもよい。

また、複数の遮光部分３０は互いに接続されていない。そのため、複数の遮光部分３０が連結されている場合に比べ、素子基板２にかかる応力を低減することができる。したがって、素子基板２の反りを抑制することができる。

１Ａ−５．電気光学装置１００の製造方法
図８は、第１実施形態に係る電気光学装置１００の製造方法の流れを示す図である。図８では、電気光学装置１００の製造工程のうち、遮光部３の製造工程が代表的に示される。なお、電気光学装置１００のうち遮光部３以外の構造は、例えば公知の方法により製造される。

図７に示すように、電気光学装置１００の製造方法は、第１基材用意工程Ｓ１０と、遮光部形成工程Ｓ２０とを含む。遮光部形成工程Ｓ２０は、第１膜形成工程Ｓ２１と、第２膜形成工程Ｓ２２と、第３膜形成工程Ｓ２３と、研磨工程Ｓ２４とを含む。第１膜形成工程Ｓ２１は、シリサイド膜形成工程Ｓ２１１と、アニール工程Ｓ２１２とを有する。以下、各工程を順次説明する。

図９は、第１基材用意工程Ｓ１０での第１基材２１の断面図である。第１基材用意工程Ｓ１０では、図９に示すように、凹部２１９を有する第１基材２１が用意される。例えば、図示はしないが、凹部２１９に対応する形状のマスクを用いて、石英ガラス等で構成された平板がエッチングされる。これにより、凹部２１９を有する第１基材２１が形成される。

図１０は、シリサイド膜形成工程Ｓ２１１での第１基材２１およびシリサイド膜３１ｘの断面図である。シリサイド膜形成工程Ｓ２１１では、図１０に示すように、第１基材２１上にシリサイド膜３１ｘが形成される。シリサイド膜３１ｘは、タングステンシリサイドを含む。例えば、スパッタ法またはＣＶＤ法等の蒸着法により、タングステンシリサイドを含む材料を凹部２１９内に堆積させることにより、凹部２１９内にシリサイド膜３１ｘが形成される。シリサイド膜３１ｘは、次の工程を経て、第１膜３１ａとなる。シリサイド膜３１ｘの厚さは、特に限定されないが、例えば１ｎｍ以上２００ｎｍ以下である。

図１１は、アニール工程Ｓ２１２での第１基材２１および第１膜３１ａの断面図である。アニール工程Ｓ２１２では、シリサイド膜３１ｘにアニールが施されることにより、図１１に示すように、第１基材２１上に第１膜３１ａが形成される。第１膜３１ａは、研磨工程Ｓ２４により得られる第１膜３１の研磨される前の膜である。第１膜３１ａは、下面３１３と、それとは反対の上面３１４とを有する。下面３１３は、第１基材２１に接触する。

シリサイド膜３１ｘにアニールが施されることにより、タングステンシリサイドが結晶化する。結晶化することで、第１膜３１ａの上面３１４の粗さが大きくなる。すなわち、上面３１４の状態が平滑な状態から凹凸が存在する状態に変化することにより、上面３１４の粗さが下面３１３の粗さよりも大きくなる。前述のようにシリサイド膜形成工程Ｓ２１１でシリサイド膜３１ｘを形成し、アニール工程Ｓ２１２で当該シリサイド膜３１ｘにアニールを施すことで、上面３１４に凹凸が存在する第１膜３１ａを簡単に形成することができる。

アニールのガスには、窒素（Ｎ_２）または酸素（Ｏ２）が用いられる。窒素または酸素が用いられることで、上面３１４の状態が平滑な状態から凹凸が存在する状態に容易かつ確実に変化させることができる。特に、窒素が用いられることで、目的とする粗さの上面３１４を特に容易に形成することができる。ただし、酸素が用いられる場合、第１膜３１ａ上には酸化膜が形成されるおそれがある。第１膜３１ａ上に酸化膜が形成されると、当該酸化膜によって上面３１４の凹凸が平坦化されるおそれがある。そのため、酸素が用いられる場合、アニールが施された後に、酸化膜を除去する処理を行うことが好ましい。

アニールでの温度は、例えば、６００℃以上１５００℃以下であることが好ましく、８００℃以上１０００℃以下であることがより好ましい。温度が上記範囲内であることで、遮光部３の応力を特に効果的に緩和することができるとともに、目的とする粗さの上面３１４を迅速かつ確実に形成することができる。

アニール工程Ｓ２１２では、例えば、アニールの温度またはガスを変更することにより、第１膜３１の上面３１４の粗さを変更することができる。したがって、例えば、アニールの温度またはガスは、目的とする上面３１４の粗さに応じて設定される。なお、上面３１４の粗さは、上述の第１膜３１の第１面３１１の粗さと同様である。

図１２は、第２膜形成工程Ｓ２２での第１基材２１、第１膜３１ａおよび第２膜３２ａの断面図である。第２膜形成工程Ｓ２２では、図１２に示すように、第１膜３１ａ上に第２膜３２ａが形成される。第２膜３２ａは、チタンナイトライドまたはタングステンナイトライドを含む。例えば、スパッタ法またはＣＶＤ法等の蒸着法により、チタンナイトライドまたはタングステンシリサイドを含む材料を第１膜３１ａ上に堆積させる。これにより、第１膜３１ａ上に第２膜３２ａが形成される。第２膜３２ａは、研磨工程Ｓ２４により得られる第２膜３２の研磨される前の膜である。第２膜３２ａは、下面３２３と、それとは反対の上面３２４とを有する。下面３２３は、第１膜３１ａに接触する。なお、第２膜３２ａの厚さおよび粗さは、前述の第２膜３２の厚さおよび粗さと同様である。

図１３は、第３膜形成工程Ｓ２３での第１基材２１、第１膜３１ａ、第２膜３２ａおよび第３膜３３ａの断面図である。第３膜形成工程Ｓ２３では、図１３に示すように、第２膜３２ａ上に第３膜３３ａが形成される。第３膜３３ａは、タングステンを含む。例えば、スパッタ法またはＣＶＤ法等の蒸着法により、タングステンを含む材料を第２膜３２ａ上に堆積させる。これにより、第２膜３２ａ上に第３膜３３ａが形成される。第３膜３３ａは、研磨工程Ｓ２４により得られる第３膜３３の研磨される前の膜である。第３膜３３ａは、下面３３３と、それとは反対の上面３３４とを有する。下面３３３は、第２膜３２ａに接触する。なお、第３膜３３ａの厚さおよび粗さは、前述の第３膜３３の厚さおよび粗さと同様である。

第２膜形成工程Ｓ２２では、第１膜３１ａおよび第２膜３２ａにアニールは施されない。また、第３膜形成工程Ｓ２３では、第１膜３１ａ、第２膜３２ａおよび第３膜３３ａにアニールは施されない。ここで、第３膜形成工程Ｓ２３でアニールが行われると、第１膜３１の結晶化によって第３膜３３ａが剥離したり、第３膜３３ａにピンホールが発生したりしてしまう。そのため、第２膜形成工程Ｓ２２または第３膜形成工程Ｓ２３でアニールが行われないことで、第３膜３３ａにピンホールが形成されることを抑制することができる。したがって、第３膜３３ａにピンホールが存在することによる遮光部分３０による遮光性が低下することが防止される。

図１４は、研磨工程Ｓ２４での第１基材２１および遮光部３の断面図である。研磨工程Ｓ２４では、例えば、ＣＭＰ（chemical mechanical polishing）等の研磨による平坦化処理が施される。具体的には、第１膜３１ａ、第２膜３２ａおよび第３膜３３ａが研磨されることにより、図１４に示すように、遮光部分３０を有する遮光部３が形成される。第１膜３１ａの一部が除去されることで、第１膜３１が形成される。第２膜３２ａの一部が除去されることで、第２膜３２が形成される。第３膜３３ａの一部が除去されることで、第３膜３３が形成される。したがって、第１膜３１、第２膜３２および第３膜３３を有する遮光部分３０が形成される。

第１膜３１ａが研磨されることで、下面３１３の残部が第１面３１１となり、かつ、上面３１４の残部が第２面３１２となる。第２膜３２ａが研磨されることで、下面３２３の残部が第３面３２１となり、かつ、上面３２４の残部が第４面３２２となる。第３膜３３ａが研磨されることで、下面３３３の残部が第５面３３１となる。また、第３膜３３ａが上面３３４から下面３３３に向かって研磨されることで、平滑面である第６面３３２が形成される。この第６面３３２の形成の際、第３膜３３ａの一部とともに第１基材２１の一部が研磨されてもよいし、されなくてもよい。ただし、前述のように、第６面３３２と第１基材２１の上面２１１とで平坦面が構成されることが好ましい。

なお、研磨工程Ｓ２４は適宜省略されてもよい。その場合、遮光部３は、第１膜３１ａ、第２膜３２ａおよび第３膜３３ａで構成される。

以上のように、電気光学装置１００の製造方法は、第１基材用意工程Ｓ１０と、遮光部形成工程Ｓ２０とを有する。また、遮光部形成工程Ｓ２０は、第１膜形成工程Ｓ２１と第２膜形成工程Ｓ２２と第３膜形成工程Ｓ２３とを有する。さらに、本実施形態では、研磨工程Ｓ２４を含む。かかる方法によれば、第１膜３１と第２膜３２と第３膜３３とを含む遮光部３を容易かつ確実に形成することができる。そのため、かかる方法によれば、第１基材２１から剥離し難い遮光部３を簡単かつ確実に形成することができる。したがって、かかる方法によれば、遮光部３による遮光性の低下を抑制できる遮光部３を簡単かつ確実に形成することができる。

また、前述のように、第１基材用意工程Ｓ１０では、凹部２１９を有する第１基材２１が用意される。そして、遮光部形成工程Ｓ２０では、第１膜３１ａ、第２膜３２ａおよび第３膜３３ａが凹部２１９内に形成される。つまり、遮光部３は、ダマシン法により形成される。そのため、遮光部３の全体の厚さが過度に厚くなることを抑制しつつ、優れた遮光性を有する遮光部３を容易かつ確実に形成することができる。

１Ｂ．第２実施形態
第２実施形態を説明する。なお、以下の各例示において機能が第１実施形態と同様である要素については、第１実施形態の説明で使用した符号を流用して各々の詳細な説明を適宜に省略する。

図１５は、第２実施形態における素子基板２Ａの一部を示す断面図である。図１５に示すように、素子基板２Ａは、第１基材２１Ａと遮光部３Ａとを有する。遮光部３Ａは複数の遮光部分３０Ａを有するが、図１５では複数の遮光部分３０Ａのうちの１個の遮光部分３０Ａのみが図示される。第１基材２１Ａは、以下で説明する内容を除いて、第１実施形態の第１基材２１と同様の構成を有する。遮光部３Ａは、以下で説明する内容を除いて、第１実施形態の遮光部３と同様の構成を有する。

図１５に示す第１基材２１Ａが有する凹部２１９の表面は、凹凸を有する。具体的には、凹部２１９の表面のうちの底面に、凹凸が存在する。一方、凹部２１９の側面は、平滑面である。凹部２１９の底面の粗さは、凹部２１９の側面の粗さよりも大きい。具体的には、凹部２１９の底面の算術平均粗さは、凹部２１９の側面の算術平均粗さよりも大きい。また、凹部２１９の底面の粗さは、第１基材２１Ａの上面２１１の粗さよりも大きい。より具体的には、凹部２１９の底面の算術平均粗さは、上面２１１の算術平均粗さよりも大きい。

凹部２１９の表面は、「第１膜接触面」に相当する。凹部２１９の表面は凹凸を有するため、第１膜３１の第１面３１１および第２面３１２のそれぞれには、凹部２１９の底面の凹凸が転写される。そのため、第１面３１１および第２面３１２のそれぞれの凹部２１９の底面に対応する部分には、凹凸が存在する。また、同様に、第３面３２１、第４面３２２および第５面３３１のそれぞれの凹部２１９の底面に対応する部分には、凹凸が存在する。一方、第１面３１１、第２面３１２、第３面３２１、第４面３２２および第５面３３１のそれぞれの凹部２１９の側面に対応する部分は、平滑である。

第２面３１２の凹部２１９の底面に対応する部分の粗さは、第２面３１２の凹部２１９の側面に対応する部分の粗さよりも大きい。具体的には、第２面３１２の凹部２１９の底面に対応する部分の算術平均粗さは、第２面３１２の凹部２１９の側面に対応する部分の算術平均粗さよりも大きい。

本実施形態のように、凹部２１９の表面の凹凸を利用して第１膜３１の第２面３１２に凹凸を形成する場合、図８に示すアニール工程Ｓ２１２を省略することができる。つまり、凹部２１９の凹凸を第２面３１２に転写させる方法により、第２面３１２に凹凸を形成することができる。この方法によれば、簡単に第２面３１２に凹凸を形成することができる。そして、第２面３１２が凹凸を有することで、アンカー効果によって第１膜３１と第２膜３２との密着性を向上させることができる。そのため、第１基材２１Ａから遮光部３Ａが剥離することを抑制することができる。

第１基材２１Ａの凹部２１９の表面に凹凸を形成する方法としては以下の方法が挙げられる。例えば、第１基材２１Ａの凹部２１９上に、凹凸が存在する表面を有するポリシリコン膜が形成される。次いで、当該膜がエッチバックされる。これにより、凹部２１９の表面に当該ポリシリコン膜の凹凸が転写されることで、凹部２１９の表面に凹凸が形成される。

なお、凹部２１９の凹凸を第２面３１２に転写させる方法と、アニールによって第２面３１２の粗さを大きくする方法との両方を併用して、第２面３１２に凹凸を形成してもよい。

以上説明した本実施形態における遮光部３Ａによっても、前述した第１実施形態の遮光部３と同様に、優れた密着性を発揮することができる。

１Ｃ．第３実施形態
第３実施形態を説明する。なお、以下の各例示において機能が第１実施形態と同様である要素については、第１実施形態の説明で使用した符号を流用して各々の詳細な説明を適宜に省略する。

図１６は、第３実施形態における素子基板２Ｂの一部を示す断面図である。図１６に示すように、素子基板２Ｂは、第１基材２１Ｂと遮光部３Ｂとを有する。遮光部３Ｂは複数の遮光部分３０Ｂを有するが、図１６では複数の遮光部分３０Ｂのうちの１個の遮光部分３０Ｂが図示される。第１基材２１Ｂは、以下で説明する内容を除いて、第１実施形態の第１基材２１と同様の構成を有する。遮光部３Ｂは、以下で説明する内容を除いて、第１実施形態の遮光部３と同様の構成を有する。

図１６に示すように、第１基材２１Ｂは、第１実施形態における凹部２１９を有さない。第１基材２１Ｂの上面２１１上に、遮光部３Ｂが配置される。遮光部３Ｂは、第１基材２１Ｂからトランジスター２３に向かって突出する。遮光部３Ｂが有する第１膜３１の第１面３１１が第１基材２１Ｂの上面２１１に接触する。遮光部３Ｂは、絶縁膜２２１に覆われる。なお、図１６に示す例では、遮光部３Ｂの側面は凹凸を有さないが、遮光部３Ｂの側面は凹凸を有してもよい。

遮光部３Ｂは、第１実施形態の遮光部３と同様に、第１膜３１、第２膜３２および第３膜３３を有する。そのため、遮光部３Ｂの第１膜３１の第２面３１２は、第１実施形態と同様に、凹凸を有する。そのため、遮光部３Ｂが第１基材２１Ｂから剥離するおそれを抑制することができる。その結果、遮光部３Ｂによる遮光性の低下を抑制することができる。また、遮光部３Ｂが有する第１膜３１の第２面３１２は、第１実施形態と同様に、凹凸を有する。そのため、第１膜３１と第２膜３２との間での剥離を抑制することができる。したがって、第１基材２１Ｂから遮光部３Ｂが剥離することを特に効果的に抑制することができる。

以上説明した本実施形態における遮光部３Ｂによっても、前述した第１実施形態の遮光部３と同様に、優れた密着性を発揮することができる。

１Ｄ．変形例
以上に例示した各形態は多様に変形され得る。前述の各形態に適用され得る具体的な変形の態様を以下に例示する。以下の例示から任意に選択された２以上の態様は、相互に矛盾しない範囲で適宜に併合され得る。

前述した各実施形態では、素子基板２が「遮光部」を有する例を説明した。しかし、対向基板４が「遮光部」を有してもよい。

前述した各実施形態では、「遮光部」がトランジスター２３と第１基材２１との間に配置される例を説明した。また、「基材」が第１基材２１である例を説明した。しかし、例えば、コンタクト部２７１、２７２、２７３、２７４および２７５等の各種コンタクト部が「遮光部」に相当してもよい。すなわち、各種コンタクト部は、第１膜、第２膜および第３膜を有する構成であってもよい。この場合、絶縁体２２が有する複数の層のうち「遮光部」よりも下層の層が「基材」に相当する。また、シールド部２７０が「遮光部」に相当してもよい。この場合、絶縁膜２２２が「基材」に相当する。ただし、コンタクト部が「第１膜」を有すると、「第１膜」を有さない場合に比べ、コンタクト部の抵抗が高くなるおそれがある。したがって、「遮光部」は、トランジスター２３への光の入射を阻害するよう配置されることが最も好ましい。

前述の第１実施形態では、遮光部３は第１基材２１と接触するが、遮光部３による前述の効果を阻害しなければ、遮光部３と第１基材２１との間に他の層が介在してもよい。ただし、遮光部３の第１基材２１からの剥離を防ぐためには、遮光部３は第１基材２１と接触することが特に好ましい。なお、遮光部３Ａおよび３Ｂにも同様のことがいえる。また、前述の各実施形態では、第２膜３２は、第１膜３１と第３膜３３とに接触する。しかし、第１膜３１と第２膜３２との間には、遮光部３による前述の効果を阻害しなければ、他の層が介在していてもよい。同様に、第２膜３２と第３膜３３との間には、遮光部３による前述の効果を阻害しなければ、他の層が介在していてもよい。ただし、遮光部３の第１基材２１からの剥離を防ぐためには、第２膜３２は第１膜３１と第３膜３３とに接触することが特に好ましい。

前述の実施形態における複数の遮光部分３０は、連結されていないが、複数の遮光部分３０は、連結されてもよい。

前述の実施形態では、トランジスターとしてＴＦＴを用いる場合を例に説明したが、トランジスターはＴＦＴに限定されず、例えば、ＭＯＳＦＥＴ（metal-oxide-semiconductor field-effect transistor）等であってもよい。

前述の実施形態では、アクティブマトリクス方式の電気光学装置１００が例示されるが、これに限定されず、電気光学装置の駆動方式は、例えば、パッシブマトリクス方式等でもよい。

２．電子機器
電気光学装置１００は、各種電子機器に用いることができる。

図１７は、電子機器の一例であるパーソナルコンピューター２０００を示す斜視図である。パーソナルコンピューター２０００は、各種の画像を表示する電気光学装置１００と、電源スイッチ２００１およびキーボード２００２が設置される本体部２０１０と、制御部２００３と、を有する。制御部２００３は、例えばプロセッサーおよびメモリーを含み、電気光学装置１００の動作を制御する。

図１８は、電子機器の一例であるスマートフォン３０００を示す斜視図である。スマートフォン３０００は、操作ボタン３００１と、各種の画像を表示する電気光学装置１００と、制御部３００２と、を有する。操作ボタン３００１の操作に応じて電気光学装置１００に表示される画面内容が変更される。制御部３００２は、例えばプロセッサーおよびメモリーを含み、電気光学装置１００の動作を制御する。

図１９は、電子機器の一例であるプロジェクターを示す模式図である。投射型表示装置４０００は、例えば、３板式のプロジェクターである。電気光学装置１ｒは、赤色の表示色に対応する電気光学装置１００であり、電気光学装置１ｇは、緑の表示色に対応する電気光学装置１００であり、電気光学装置１ｂは、青色の表示色に対応する電気光学装置１００である。すなわち、投射型表示装置４０００は、赤、緑および青の表示色に各々対応する３個の電気光学装置１ｒ、１ｇ、１ｂを有する。制御部４００５は、例えばプロセッサーおよびメモリーを含み、電気光学装置１００の動作を制御する。

照明光学系４００１は、光源である照明装置４００２からの出射光のうち赤色成分ｒを電気光学装置１ｒに供給し、緑色成分ｇを電気光学装置１ｇに供給し、青色成分ｂを電気光学装置１ｂに供給する。各電気光学装置１ｒ、１ｇ、１ｂは、照明光学系４００１から供給される各単色光を表示画像に応じて変調するライトバルブ等の光変調器として機能する。投射光学系４００３は、各電気光学装置１ｒ、１ｇ、１ｂからの出射光を合成して投射面４００４に投射する。

以上の電子機器は、前述の電気光学装置１００と、制御部２００３、３００２または４００５と、を備える。電気光学装置１００は、剥離し難い遮光部３を有しているため、信頼性に優れる。そのため、パーソナルコンピューター２０００、スマートフォン３０００または投射型表示装置４０００の表示品質を高めることができる。

なお、本発明の電気光学装置が適用される電子機器としては、例示した機器に限定されず、例えば、ＰＤＡ（Personal Digital Assistants）、デジタルスチルカメラ、テレビ、ビデオカメラ、カーナビゲーション装置、車載用の表示器、電子手帳、電子ペーパー、電卓、ワードプロセッサー、ワークステーション、テレビ電話、およびＰＯＳ（Point of sale）端末等が挙げられる。さらに、本発明が適用される電子機器としては、プリンター、スキャナー、複写機、ビデオプレーヤー、またはタッチパネルを備えた機器等が挙げられる。

以上、好適な実施形態に基づいて本発明を説明したが、本発明は前述の各実施形態に限定されない。また、本発明の各部の構成は、前述の実施形態の同様の機能を発揮する任意の構成に置換でき、また、任意の構成を付加できる。

また、前述した説明では、本発明の電気光学装置の一例として液晶装置について説明したが、本発明の電気光学装置はこれに限定されない。例えば、本発明の電気光学装置は、イメージセンサー等にも適用することができる。また、例えば、有機ＥＬ（electro luminescence）、無機ＥＬまたは発光ポリマー等の発光素子を用いた表示パネルに対しても前述の実施形態と同様に本発明が適用され得る。また、着色された液体と当該液体に分散された白色の粒子とを含むマイクロカプセルを用いた電気泳動表示パネルに対しても前述の実施形態と同様に本発明が適用され得る。

２…素子基板、３…遮光部、４…対向基板、８…シール部材、９…液晶層、１１…走査線駆動回路、１２…データ線駆動回路、１４…外部端子、１５…引回配線、２０…配線層、２１…第１基材、２２…絶縁体、２３…トランジスター、２５…第１容量、２６…第２容量、２８…画素電極、２９…第１配向膜、３０…遮光部分、３１…第１膜、３１ａ…第１膜、３１ｘ…シリサイド膜、３２…第２膜、３２ａ…第２膜、３３…第３膜、３３ａ…第３膜、４１…第２基材、４２…絶縁膜、４５…共通電極、４６…第２配向膜、８０…封止材、８１…注入口、１００…電気光学装置、２００…蓄積容量、２１１…上面、２１９…凹部、２３１…半導体層、２３１ａ…ソース領域、２３１ｂ…ドレイン領域、２３１ｃ…チャネル領域、２３１ｄ…第１ＬＤＤ領域、２３１ｅ…第２ＬＤＤ領域、２３２…ゲート電極、２３３…ゲート絶縁膜、２４４…走査線、２４５…第１定電位線、２４６…データ線、２４８…第２定電位線、２５１…下部容量電極、２５２…上部容量電極、２５３…誘電体層、２６１…下部容量電極、２６２…上部容量電極、２６３…誘電体層、２７０…シールド部、２７１…コンタクト部、２７２…コンタクト部、２７３…コンタクト部、２７４…コンタクト部、２７５…コンタクト部、３１１…第１面、３１２…第２面、３１３…下面、３１４…上面、３２１…第３面、３２２…第４面、３２３…下面、３２４…上面、３３１…第５面、３３２…第６面、３３３…下面、３３４…上面、２０００…パーソナルコンピューター、２００１…電源スイッチ、２００２…キーボード、２００３…制御部、２０１０…本体部、３０００…スマートフォン、３００１…操作ボタン、３００２…制御部、４０００…投射型表示装置、４００１…照明光学系、４００２…照明装置、４００３…投射光学系、４００４…投射面、４００５…制御部、Ａ１０…表示領域、Ａ１１…透光領域、Ａ１２…配線領域、Ａ２０…周辺領域、Ｄ１…厚さ、Ｄ２…厚さ、Ｄ３…厚さ、Ｐ…画素。

Claims (13)

1. 無機材料で構成され、絶縁性および透光性を有する基材と、
   画素電極と、
   前記画素電極に対向する対向電極と、
   前記画素電極と前記対向電極との間に配置された電気光学層と、
   タングステンシリサイドを含む第１膜、チタンナイトライドまたはタングステンナイトライドを含む第２膜、およびタングステンを含む第３膜を有する遮光性の遮光部と、を備え、
   前記第１膜と、前記第２膜と、前記第３膜とは、前記基材から順に積層されていることを特徴とする電気光学装置。
2. 前記第１膜は、前記基材と接触する第１面と、前記第２膜と接触する第２面と、を有し、
   前記第２面は、凹凸を有する請求項１に記載の電気光学装置。
3. 前記第２面の算術平均粗さは、１ｎｍ以上１０ｎｍ以下である請求項２に記載の電気光学装置。
4. 無機材料で構成され、絶縁性および透光性を有する基材と、
   画素電極と、
   前記画素電極に対向する対向電極と、
   前記画素電極と前記対向電極との間に配置された電気光学層と、
   タングステンシリサイドを含む第１膜、チタンナイトライドまたはタングステンナイトライドを含む第２膜、およびタングステンを含む第３膜を有する遮光性の遮光部と、を備え、
   前記第１膜と、前記第２膜と、前記第３膜とは、前記基材から順に配置されており、
   前記第２膜の前記第３膜と接触する面に凹凸を有していることを特徴とする電気光学装置。
5. 前記基材は、前記第１膜と接触する第１膜接触面を有し、
   前記第１膜接触面は、凹凸を有する請求項１ないし４のいずれか１項に記載の電気光学装置。
6. 前記第３膜には、ピンホールが存在しない請求項１から５のいずれか１項に記載の電気光学装置。
7. 前記第１膜の厚さは、前記第３膜の厚さよりも薄く、かつ、前記第２膜の厚さよりも厚い請求項１から６のいずれか１項に記載の電気光学装置。
8. 無機材料で構成され、絶縁性および透光性を有するとともに、凹部を有する基材と、
   画素電極と、
   前記画素電極に対向する対向電極と、
   前記画素電極と前記対向電極との間に配置された電気光学層と、
   前記基材の凹部内に、タングステンシリサイドを含む第１膜、チタンナイトライドまたはタングステンナイトライドを含む第２膜、およびタングステンを含む第３膜を有する遮光性の遮光部と、を備え、
   前記第１膜と、前記第２膜と、前記第３膜とは、前記基材から順に配置されていることを特徴とする電気光学装置。
9. 無機材料で構成され、絶縁性および透光性を有する基材と、
   第１画素電極および第２画素電極と、
   前記第１画素電極および前記第２画素電極に対向する対向電極と、
   前記第１画素電極および前記第２画素電極と前記対向電極との間に配置された電気光学層と、
   前記第１画素電極に電気的に接続される第１トランジスターと、
   前記第２画素電極に電気的に接続される第２トランジスターと、
   前記基材と前記第１トランジスターとの間に配置される第１遮光部分と、前記基材と前記第２トランジスターとの間に配置される第２遮光部分と、を有する遮光性の遮光部と、を備え、
   前記遮光部は、タングステンシリサイドを含む第１膜、チタンナイトライドまたはタングステンナイトライドを含む第２膜、およびタングステンを含む第３膜を有し、
   前記第１膜と、前記第２膜と、前記第３膜とは、前記基材から順に配置されていることを特徴とする電気光学装置。
10. 無機材料で構成され、絶縁性および透光性を有する基材と、画素電極と、前記画素電極に対向する対向電極と、前記画素電極と前記対向電極との間に配置された電気光学層と、を備える電気光学装置の製造方法であって、
    前記基材を用意する工程と、
    タングステンシリサイドを含む第１膜、チタンナイトライドまたはタングステンナイトライドを含む第２膜、およびタングステンを含む第３膜を有する遮光性の遮光部を形成する工程と、を有し、
    前記遮光部を形成する工程は、
    前記基材上に前記第１膜を形成する工程と、
    前記第１膜上に前記第２膜を形成する工程と、
    前記第２膜上に前記第３膜を形成する工程と、を有することを特徴とする電気光学装置の製造方法。
11. 前記第１膜を形成する工程では、
    前記基材上にタングステンシリサイドを含むシリサイド膜を形成する処理と、
    前記シリサイド膜にアニールを施すことによって前記第１膜を形成する処理と、を有する請求項１０に記載の電気光学装置の製造方法。
12. 前記基材を用意する工程では、凹部を有する前記基材を用意し、
    前記遮光部を形成する工程では、前記第１膜、前記第２膜および前記第３膜が前記凹部内に形成される請求項１０または１１に記載の電気光学装置の製造方法。
13. 請求項１から９のいずれか１項に記載の電気光学装置と、
    前記電気光学装置の動作を制御する制御部と、を有することを特徴とする電子機器。

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