JP2022079973A - 電気光学装置、電気光学装置の製造方法および電子機器 - Google Patents

Abstract

【課題】表示品位の低下を図ることができる電気光学装置、電気光学装置の製造方法および電子機器を提供すること。
【解決手段】電気光学装置は、第１基板と、第２基板と、前記第１基板と前記第２基板との間に配置され、電界に応じて光学的特性が変化する電気光学層と、を備え、前記第１基板および前記第２基板の一方または両方は、第１導電部と、第２導電部と、前記第１導電部と前記第２導電部との間に配置される絶縁膜と、前記絶縁膜に配置され、前記第１導電部と前記第２導電部とを電気的に接続し、前記第２導電部側の面の中央に凹部を有するプラグと、前記凹部内を埋める埋め込み部と、を有する。
【選択図】図５

Description

本発明は、電気光学装置、電気光学装置の製造方法および電子機器に関する。

プロジェクター等の電子機器には、例えば、画素ごとに光学的特性を変更可能な液晶表示装置等の装置が用いられる。

特許文献１に記載の装置は、下層配線と、下層配線を覆う層間絶縁膜と、層間絶縁膜上に形成された中層配線と、下層配線と中層配線とを接続するプラグと、を有する。当該プラグは、層間絶縁膜に形成されたスルーホール内を埋めるように形成される。そうすると、プラグの内部には、空洞が形成される可能性が高く、また、当該プラグの表面には凹部が生じる。

特開２００１－２３７３１２号公報

プラグの表面に凹部による段差があると、プラグ上の配線に悪影響を及ぼすおそれがある。この結果、配線の成膜不良および配線とプラグの接続不良による表示品位の低下が生じるおそれがある。

本発明の電気光学装置の一態様は、電気光学装置は、第１基板と、第２基板と、前記第１基板と前記第２基板との間に配置され、電界に応じて光学的特性が変化する電気光学層と、を備え、前記第１基板および前記第２基板の一方または両方は、第１導電部と、第２導電部と、前記第１導電部と前記第２導電部との間に配置される絶縁膜と、前記絶縁膜に配置され、前記第１導電部と前記第２導電部とを電気的に接続し、前記第２導電部側の面の中央に凹部を有するプラグと、前記凹部内を埋める埋め込み部と、を有する。

本発明の電気光学装置の製造方法の一態様は、第１基板を形成する工程と、第２基板を形成する工程と、前記第１基板と前記第２基板との間に、電界に応じて光学的特性が変化する電気光学層を配置する工程と、を有する電気光学装置の製造方法であって、前記第１基板を形成する工程および前記第２基板を形成する工程の一方または両方は、第１導電部を形成する工程と、前記第１導電部上に絶縁膜を形成する工程と、前記絶縁膜内に、前記第２導電部側の面の中央に凹部を有するプラグを形成する工程と、前記凹部内に埋め込み部を形成する工程と、前記絶縁膜上に第２導電部を形成する工程と、を含む。

本発明の電子機器の一態様は、前述の電気光学装置と、前記電気光学装置の動作を制御する制御部と、を有する。

第１実施形態に係る電気光学装置の平面図である。 図１に示す電気光学装置のＡ－Ａ線における断面図である。 図１の第１基板の電気的な構成を示す等価回路図である。 図２の第１基板を模式的に示す断面図である。 図４に示すコンタクト部を示す断面図である。 図４に示す他のコンタクト部を示す断面図である。 第１実施形態に係る電気光学装置の製造方法の流れを示す図である。 プラグ形成工程を説明するための図である。 プラグ形成工程を説明するための図である。 埋め込み部形成工程を説明するための図である。 埋め込み部形成工程を説明するための図である。 第２実施形態における埋め込み部を示す断面図である。 埋め込み部形成工程および第２導電部形成工程を説明するための図である。 電子機器の一例であるパーソナルコンピューターを示す斜視図である。 電子機器の一例であるスマートフォンを示す平面図である。 電子機器の一例であるプロジェクターを示す模式図である。

以下、添付図面を参照しながら本発明に係る好適な実施形態を説明する。なお、図面において各部の寸法または縮尺は実際と適宜に異なり、理解を容易にするために模式的に示す部分もある。また、本発明の範囲は、以下の説明において特に本発明を限定する旨の記載がない限り、これらの形態に限られない。

１．電気光学装置
１Ａ．第１実施形態
１Ａａ．基本構成
図１は、第１実施形態に係る電気光学装置１００の平面図である。図２は、図１に示す電気光学装置１００のＡ－Ａ線における断面図である。なお、図１では、第２基板３の図示を省略する。また、以下では、説明の便宜上、互いに直交するＸ軸、Ｙ軸およびＺ軸を適宜用いて説明する。また、Ｘ軸に沿う一方向をＸ１方向と表記し、Ｘ１方向とは反対の方向をＸ２方向と表記する。同様に、Ｙ軸に沿う一方向をＹ１方向と表記し、Ｙ１方向とは反対の方向をＹ２方向と表記する。Ｚ軸に沿う一方向をＺ１方向と表記し、Ｚ１方向とは反対の方向をＺ２方向と表記する。また、以下では、Ｚ１方向またはＺ２方向に見ることを「平面視」とする。

図１および図２に示す電気光学装置１００は、アクティブマトリクス駆動方式の透過型の液晶装置である。図２に示すように、電気光学装置１００は、透光性を有する第１基板２と、透光性を有する第２基板３と、枠状のシール部材４と、液晶層５とを有する。第１基板２、液晶層５および第２基板３は、この順にＺ１方向に並ぶ。また、図１に示す電気光学装置１００の平面視での形状は四角形であるが、例えば円形であってもよい。なお、「透光性」とは、可視光に対する透過性を意味し、好ましくは可視光の透過率が５０％以上であることをいう。

図２に示す第１基板２は、後述の複数のＴＦＴ（Thin Film Transistor）を有する透光性の素子基板である。第１基板２は、液晶層５に向かってこの順に配置された第１基体２１と配線部２０と複数の画素電極２４と第１配向膜２９とを有する。第１基体２１は、透光性および絶縁性を有する平板で構成される。第１基体２１は、例えばガラスまたは石英で形成される。配線部２０は、複数の電極および複数の配線を含む。複数の画素電極２４は、液晶層５に電界を印加するための電極である。各画素電極２４は、例えばＩＴＯ（Indium Tin Oxide）またはＩＺＯ（Indium Zinc Oxide）等の透明導電材料で構成される。第１配向膜２９は、液晶層５の液晶分子を配向させる。第１配向膜２９の材料としては、例えばポリイミドおよび酸化ケイ素等が挙げられる。また、図示はしないが、第１基板２は、複数の画素電極２４を平面視で囲む複数のダミー画素電極を有する。なお、第１基板２については後で詳述する。

第２基板３は、第１基板２に対向して配置される透光性の対向基板である。第２基板３は、液晶層５に向かってこの順に配置された第２基体３１と絶縁膜３２と共通電極３３と第２配向膜３４とを有する。第２基体３１は、透光性および絶縁性を有する平板で構成される。第２基体３１は、例えばガラスまたは石英で形成される。絶縁膜３２は、例えば、例えば酸化ケイ素等の透光性および絶縁性を有するケイ素系の無機材料で形成される。共通電極３３は、複数の画素電極２４に対して液晶層５を介して配置される対向電極である。共通電極３３は、液晶層５に電界を印加するための電極である。共通電極３３は、例えばＩＴＯまたはＩＺＯ等の透明導電材料で形成される。第２配向膜３４は、液晶層５の液晶分子を配向させる。第２配向膜３４の構成材料としては、例えばポリイミドおよび酸化ケイ素等が挙げられる。

また、図示はしないが、第２基板３は、平面視で複数の画素電極２４を囲む遮光性の見切りを有する。「遮光性」とは、可視光に対する遮光性を意味し、好ましくは可視光の透過率が５０％未満であることをいい、より好ましくは１０％以下であることをいう。

シール部材４は、第１基板２と第２基板３との間に配置される。シール部材４は、例えばエポキシ樹脂等の各種硬化性樹脂を含む接着剤等で形成される。シール部材４は、第１基板２と第２基板３との間の距離を制御するために、ガラス等の無機材料で構成されるギャップ材を含む。なお、シール部材４とは別部材のスペーサーを配置することにより、第１基板２と第２基板３との間の距離を制御してもよい。

液晶層５は、第１基板２、第２基板３およびシール部材４によって囲まれる領域内に配置される。液晶層５は、第１基板２と第２基板３との間に配置され、電界に応じて光学的特性が変化する電気光学層である。液晶層５は、正または負の誘電異方性を有する液晶分子を含む。液晶分子の配向は、液晶層５に印加される電圧に応じて変化する。

図１に示すように、第１基板２には、複数の走査線駆動回路１１と信号線駆動回路１２と複数の外部端子１３とが配置される。複数の外部端子１３の一部は、図示しないが、走査線駆動回路１１または信号線駆動回路１２から引き回される配線に接続される。また、複数の外部端子１３は、共通電位が印加される端子を含む。当該端子は、図示しない配線および導通材を介して、第２基板３の共通電極３３に電極的に接続される。

かかる電気光学装置１００は、画像を表示する表示領域Ａ１０と、平面視で表示領域Ａ１０の外側に位置する周辺領域Ａ２０とを有する。表示領域Ａ１０には、行列状に配列される複数の画素Ｐが設けられる。複数の画素Ｐに対して複数の画素電極２４が１対１で配置される。前述の共通電極３３は、複数の画素Ｐで共通に設けられる。また、周辺領域Ａ２０は、平面視で表示領域Ａ１０を囲む。周辺領域Ａ２０には、走査線駆動回路１１および信号線駆動回路１２が配置される。また、図示はしないが、周辺領域Ａ２０は、複数のダミー画素電極が配置されるダミー画素領域を含む。

本実施形態では、電気光学装置１００は透過型である。本実施形態では、第２基板３に入射した光が第１基板２から出射される間に変調することにより、画像が表示される。なお、第１基板２に入射した光が第２基板３から出射される間に変調することにより、画像が表示されてもよい。また、電気光学装置１００は、反射型であってもよい。この場合、例えば、共通電極３３が透光性を有し、かつ画素電極２４が反射性を有する。反射型の場合、第２基板３に入射した光が画素電極２４で反射し、再び第２基板３から出射される間で変調されることにより、画像が表示される。さらに、反射型の場合、第１基板２は透光性を有しなくてよく、例えば、素子等を作り込めることが可能なシリコン基板であってもよい。

また、電気光学装置１００は、例えば、後述するパーソナルコンピューターおよびスマートフォン等のカラー表示を行う表示装置に適用される。当該表示装置に適用される場合、電気光学装置１００に対してカラーフィルターが適宜用いられる。また、電気光学装置１００は、例えば、後述する投射型のプロジェクターに適用される。この場合、電気光学装置１００は、ライトバルブとして機能する。なお、この場合、電気光学装置１００に対してカラーフィルターが省略される。

１Ａｂ．第１基板２の電気的な構成
図３は、図１の第１基板２の電気的な構成を示す等価回路図である。図３に示すように、第１基板２は、複数のトランジスター２３とｎ本の走査線２４４とｍ本の信号線２４２とｎ本の第１定電位線２４５とを有する。ｎおよびｍはそれぞれ２以上の整数である。ｎ本の走査線２４４とｍ本の信号線２４２との各交差に対応してトランジスター２３が配置される。各トランジスター２３は、例えばスイッチング素子として機能するＴＦＴである。各トランジスター２３は、ゲート、ソースおよびドレインを含む。

ｎ本の走査線２４４のそれぞれはＸ１方向に延在し、ｎ本の走査線２４４はＹ２方向に等間隔で並ぶ。ｎ本の走査線２４４のそれぞれは、対応する複数のトランジスター２３のゲートに電気的に接続される。ｎ本の走査線２４４は、図１に示す走査線駆動回路１１に電気的に接続される。１～ｎ本の走査線２４４には、走査線駆動回路１１から走査信号Ｇ１、Ｇ２、…、およびＧｎが線順次で供給される。

図３に示すｍ本の信号線２４２のそれぞれはＹ２方向に延在し、ｍ本の信号線２４２はＸ１方向に等間隔で並ぶ。ｍ本の信号線２４２のそれぞれは、対応する複数のトランジスター２３のソースに電気的に接続される。ｍ本の信号線２４２は、図１に示す信号線駆動回路１２に電気的に接続される。１～ｍ本の信号線２４２には、信号線駆動回路１２から画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、およびＳｍが並行に供給される。

図３に示すｎ本の走査線２４４とｍ本の信号線２４２とは、互いに電気的に絶縁されており、平面視で格子状に配置される。隣り合う２つの走査線２４４と隣り合う２つの信号線２４２とで囲まれる領域が画素Ｐに対応する。各画素電極２４は、対応するトランジスター２３のドレインに電気的に接続される。

ｎ本の第１定電位線２４５のそれぞれはＸ１方向に延在し、ｎ本の第１定電位線２４５はＹ２方向に等間隔で並ぶ。また、ｎ本の第１定電位線２４５は、ｍ本の信号線２４２およびｎ本の走査線２４４に対して電気的に絶縁されており、これらに対して間隔をもって配置される。各第１定電位線２４５には、グランド電位等の固定電位が印加される。ｎ本の第１定電位線２４５のそれぞれは、対応する複数の蓄積容量２５に電気的に接続される。各蓄積容量２５は、画素電極２４の電位を保持するための容量素子である。なお、複数の蓄積容量２５は、複数の画素電極２４に１対１で電気的に接続される。複数の蓄積容量２５は、複数のトランジスター２３のドレインに１対１で電気的に接続される。

走査信号Ｇ１、Ｇ２、…、およびＧｎが順次アクティブとなり、ｎ本の走査線２４４が順次選択されると、選択される走査線２４４に接続されるトランジスター２３がオン状態となる。すると、ｍ本の信号線２４２を介して表示すべき階調に応じた大きさの画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、およびＳｍが、選択される走査線２４４に対応する画素Ｐに取り込まれ、画素電極２４に印加される。これにより、画素電極２４と図２に共通電極３３との間に形成される液晶容量に、表示すべき階調に応じた電圧が印加され、印加される電圧に応じて液晶分子の配向が変化する。また、蓄積容量２５によって、印加される電圧が保持される。このような液晶分子の配向の変化によって光が変調され階調表示が可能となる。

１Ａｃ．第１基板２
図４は、図２の第１基板２を模式的に示す断面図である。なお、図４は、１つの画素Ｐに着目した図である。なお、図４に示す配線部２０の構成は例示である。したがって、配線部２０の構成は図４に示す例以外の任意の構成でよい。

図４に示すように、第１基体２１は、遮光性および導電性を有する遮光体２４１が配置される遮光体用凹部を有する。遮光体用凹部は、例えばダマシン法により形成される。また、遮光体２４１の材料としては、例えば、タングステン（Ｗ）、チタン（Ｔｉ）、クロム（Ｃｒ）、鉄（Ｆｅ）およびアルミニウム（Ａｌ）等の金属、金属窒化物ならびに金属シリサイド等が挙げられる。これらの中でも、タングステンが好ましい。タングステンは、各種金属の中でも、耐熱性に優れ、かつ、例えば製造時の熱処理によってもＯＤ（Optical Density）値が低下し難い。よって、遮光体２４１がタングステンを含むことで、遮光体２４１によってトランジスター２３への光の入射を特に効果的に防ぐことができる。

配線部２０は、第１基体２１と画素電極２４との間に配置される。配線部２０は、絶縁性を有する積層体２２と、図２に示す各種電極および各種配線を有する。各積層体２２は、画素電極２４に向かってこの順に配置された絶縁層２２１、２２２、２２３、２２４、２２５、２２６、２２７、２２８および２２９を有する。これらの層は、それぞれ、例えば、熱酸化またはＣＶＤ（chemical vapor deposition）法等で成膜される酸化ケイ素膜である。

積層体２２に配置される各種電極および各種配線としては、図２に示す、トランジスター２３、走査線２４４、信号線２４２および第１定電位線２４５の他、ドレイン配線２４３、ソース配線２４６、第２定電位線２４８および接続配線２４７が挙げられる。また、積層体２２内には、コンタクト部２７１、２７２、２７３、２７４、２７５、２７６、２７７、２７８、２７９、２８１、２８２および２８３が配置される。

絶縁層２２１と絶縁層２２２との間には、トランジスター２３が有する半導体層２３１が配置される。絶縁層２２２と絶縁層２２３との間には、トランジスター２３が有するゲート電極２３２が配置される。絶縁層２２３と絶縁層２２４との間には、ソース配線２４６、ドレイン配線２４３および走査線２４４が配置される。絶縁層２２４と絶縁層２２５との間には、第１定電位線２４５が配置される。絶縁層２２５と絶縁層２２６との間には、蓄積容量２５が有する第１容量２５１が配置される。絶縁層２２６と絶縁層２２７との間には、蓄積容量２５が有する第２容量２５２が配置される。絶縁層２２７と絶縁層２２８との間には、信号線２４２が配置される。絶縁層２２８と絶縁層２２９との間には、第２定電位線２４８および接続配線２４７が配置される。

トランジスター２３は、半導体層２３１と、ゲート電極２３２と、ゲート絶縁膜２３３と、を有する。半導体層２３１は、ソース領域２３１ａ、ドレイン領域２３１ｂ、チャネル領域２３１ｃ、第１ＬＤＤ（Lightly Doped Drain）領域２３１ｄおよび第２ＬＤＤ領域２３１ｅを有する。半導体層２３１は、例えば、ポリシリコンを成膜して形成され、チャネル領域２３１ｃを除く領域には、導電性を高める不純物がドープされる。第１ＬＤＤ領域２３１ｄおよび第２ＬＤＤ領域２３１ｅ中の不純物濃度は、ソース領域２３１ａおよびドレイン領域２３１ｂ中の不純物濃度よりも低い。なお、第１ＬＤＤ領域２３１ｄおよび第２ＬＤＤ領域２３１ｅのうちの少なくとも一方、特に、第１ＬＤＤ領域２３１ｄは、省略してもよい。

ゲート電極２３２は、平面視で半導体層２３１のチャネル領域２３１ｃに重なる。ゲート電極２３２は、例えば、ポリシリコンに導電性を高める不純物がドープされることにより形成される。なお、ゲート電極２３２は、金属、金属シリサイドおよび金属化合物の導電性を有する材料を用いて形成されてもよい。また、ゲート電極２３２とチャネル領域２３１ｃとの間には、ゲート絶縁膜２３３が介在する。ゲート絶縁膜２３３は、例えば、熱酸化またはＣＶＤ法等で成膜される酸化ケイ素で構成される。

トランジスター２３のソース領域２３１ａは、絶縁層２２２および絶縁層２２３を貫通するコンタクト部２７１を介して、ソース配線２４６に接続される。ソース配線２４６は、絶縁層２２４、２２５、２２６および２２７を貫通するコンタクト部２７５を介して、信号線２４２に接続される。ドレイン領域２３１ｂは、絶縁層２２２および２２３を貫通するコンタクト部２７２を介して、ドレイン配線２４３に接続される。ドレイン配線２４３は、絶縁層２２４、２２５および２２６を貫通するコンタクト部２７６を介して、蓄積容量２５の第２容量２５２に接続される。ゲート電極２３２は、絶縁層２２３を貫通するコンタクト部２７３を介して、走査線２４４に接続される。また、走査線２４４は、絶縁層２２１、２２２および２２３を貫通するコンタクト部２７４を介して、前述の遮光体２４１に接続される。なお、前述の遮光体２４１は、トランジスター２３が有するゲート電極２３２とともにゲート電極として機能してもよい。

第１定電位線２４５には、シールド部２７０が接続される。シールド部２７０には、第１定電位線２４５から固定電位が供給される。シールド部２７０は、走査線２４４からの漏れ電界がトランジスター２３およびドレイン配線２４３に影響することを抑制するシールド、および半導体層２３１の遮光部として機能する。そのために、シールド部２７０は、第１定電位線２４５から走査線２４４とドレイン配線２４３との間を通り、絶縁層２２３の厚さ方向の途中まで延びている。また、シールド部２７０は、平面視で第２ＬＤＤ領域２３１ｅと重なる。

蓄積容量２５は、第１容量２５１および第２容量２５２を有する。第１容量２５１は、一対の容量電極２５１１および２５１２と、誘電体層２５１３とを有する。誘電体層２５１３は、容量電極２５１１と容量電極２５１２との間に配置される。容量電極２５１１は、絶縁層２２５を貫通するコンタクト部２７７を介して、第１定電位線２４５に接続される。容量電極２５１２は、絶縁層２２６、２２７および２２８を貫通するコンタクト部２７９を介して、接続配線２４７に接続される。接続配線２４７は、絶縁層２２９を貫通するコンタクト部２８３を介して、画素電極２４に接続される。

第２容量２５２は、平面視で第１容量２５１と重なる部分を有する。第２容量２５２は、一対の容量電極２５２１および２５２２と、誘電体層２５２３とを有する。誘電体層２５２３は、容量電極２５２１と容量電極２５２２との間に配置される。容量電極２５２１は、絶縁層２２６を貫通するコンタクト部２７８を介して、第１容量２５１の容量電極２５１２に接続される。容量電極２５２２は、絶縁層２２５および２２６を貫通するコンタクト部２８１を介して、第１定電位線２４５に接続される。また、容量電極２５２２は、絶縁層２２７および２２８を貫通するコンタクト部２８２を介して第２定電位線２４８に接続される。

第２定電位線２４８には、第１定電位線２４５と同様に、例えばグランド電位等の固定電位が印加される。第１定電位線２４５に供給される固定電位と、第２定電位線２４８に供給される固定電位とは、同電位である。また、接続配線２４７は、第２定電位線２４８と同層に配置され、信号線２４２とは異なる層に配置される。信号線２４２と接続配線２４７とが同層に配置されないことで、これらの間の隣接間カップリングが抑制される。

前述のソース配線２４６、ドレイン配線２４３、走査線２４４、第１定電位線２４５、信号線２４２、接続配線２４７、第２定電位線２４８、容量電極２５１１、容量電極２５１２、容量電極２５２１および容量電極２５２２の各材料としては、タングステン、チタン、クロム、鉄およびアルミニウム等の金属、金属窒化物ならびに金属シリサイド等が挙げられる。具体的には例えば、容量電極２５１１、容量電極２５１２、容量電極２５２１および容量電極２５２２のそれぞれは、窒化チタン膜で構成される。また、例えば、ソース配線２４６、ドレイン配線２４３、走査線２４４、第１定電位線２４５、信号線２４２、接続配線２４７および第２定電位線２４８のそれぞれは、例えば、窒化チタン膜、アルミニウム膜および窒化チタン膜の積層体で構成される。アルミニウム膜が含まれることで、窒化チタン膜のみで構成される場合に比べ、低抵抗化を図ることができる。

また、コンタクト部２７１～２７９、２８１～２８３およびシールド部２７０の各材料としては、例えば、タングステン、コバルト（Ｃｏ）および銅等の金属、金属窒化物ならびに金属シリサイド等の金属材料が挙げられる。これらの中でも、タングステンを主として含むことが好ましい。タングステンを含むことで高精細な柱状のコンタクト部を容易に形成することができる。また、コンタクト部２７１～２７９、２８１～２８３およびシールド部２７０の各形状が柱状であることで、所謂トレンチ状である場合に比べ、コンタクト部２７１～２７９、２８１～２８３およびシールド部２７０の各配置スペースを小さくすることができる。したがって、開口率の低下を抑制することができる。

また、各コンタクト部２７１～２７９、２８１～２８３およびシールド部２７０は、単層でもよいが、複数層であってもよい。例えば、各コンタクト部２７１～２７９、２８１～２８３およびシールド部２７０は、タングステンを主とする層と、タングステンナイトライドを含む層との積層構造であってもよい。

１Ａｄ．コンタクト部２７５およびその近傍の構成
図５は、図４に示すコンタクト部２７５を示す断面図である。以下では、コンタクト部２７５が「プラグ」の例示である場合について説明する。この場合、ソース配線２４６は「第１導電部」の例示であり、信号線２４２は「第２導電部」の例示である。また、この場合、絶縁層２２４～２２７は、ソース配線２４６と信号線２４２との間に配置される「絶縁膜」の例示である。

図５に示すように、コンタクト部２７５は、絶縁層２２４～２２７に配置される。具体的には、コンタクト部２７５は、絶縁層２２４～２２７を貫通する。より具体的には、絶縁層２２４～２２７には、これらを貫通する貫通孔であるコンタクトホールＨ１が形成されており、コンタクトホールＨ１にコンタクト部２７５が配置される。

コンタクト部２７５は、ソース配線２４６と信号線２４２とを電気的に接続する。図示の例では、コンタクト部２７５は、ソース配線２４６と信号線２４２とのそれぞれに直接的に接続される。コンタクト部２７５は、ソース配線２４６側の面２７５２と、信号線２４２側の面２７５１とを有する。面２７５２は、ソース配線２４６との接触面であり、面２７５１は、信号線２４２との接触面である。

コンタクト部２７５の面２７５１は、その中央に凹部２７５０を有する。凹部２７５０は、面２７５１に形成される窪みである。また、コンタクト部２７５の内部には、ボイドＶ１が形成される。図示の例では、ボイドＶ１は、凹部２７５０内に連通していないが、凹部２７５０内に連通している場合もある。

コンタクト部２７５をコンタクトホールＨ１内に埋めるように形成すると、コンタクト部２７５の内部には、ボイドＶ１が形成される可能性が高い。加えて、コンタクト部２７５の面２７５１には、凹部２７５０が形成される。かかる凹部２７５０が存在すると、面２７５１に過度に大きな段差が生じる。当該段差の影響により、コンタクト部２７５上に配置される信号線２４２に悪影響を与えてしまうおそれがある。具体的には例えば、信号線２４２の成膜不良が発生するおそれがある。この結果、コンタクト部２７５と信号線２４２との接続不良が発生するおそれがある。

かかる悪影響の発生を抑制するため、本実施形態では、凹部２７５０内に埋め込み部２６１が配置される。具体的には、埋め込み部２６１は、凹部２７５０内を埋める。埋め込み部２６１が設けられていることで、埋め込み部２６１が設けられていない場合に比べ、コンタクト部２７５の面２７５１の段差による信号線２４２への影響を小さくすることができる。このため、コンタクト部２７５の凹部２７５０による信号線２４２への悪影響を抑制することができる。具体的には、信号線２４２の成膜不良およびコンタクト部２７５と信号線２４２との接続不良の発生を抑制することができる。それゆえ、表示品位の低下を抑制することができる。

なお、例えば、コンタクト部２７５にボイドＶ１および凹部２７５０が形成されないように、コンタクトホールＨ１の幅を小さくする方法が考えられる。しかし、コンタクトホールＨ１を形成する装置によっては、コンタクトホールＨ１の幅を充分に小さくことが難しい。また、例えば、コンタクト部２７５にボイドＶ１および凹部２７５０が形成されないように、コンタクト部２７５の厚さを厚くする方法が考えらえる。しかし、コンタクト部２７５の厚さが厚くなるほど、コンタクト部２７５が破損し易いという問題がある。したがって、本実施形態のように、埋め込み部２６１を用いることで、コンタクト部２７５の凹部２７５０による配線への悪影響を簡単に抑制することができる。

埋め込み部２６１およびコンタクト部２７５のそれぞれは、信号線２４２に接触している。埋め込み部２６１の信号線２４２側の面２６１１と、コンタクト部２７５の面２７５１とのそれぞれは、信号線２４２に接触する接触面である。埋め込み部２６１が信号線２４２に接触するよう設けられることで、埋め込み部２６１が信号線２４２に接触しない場合に比べ、コンタクト部２７５の面２７５１の段差による信号線２４２への影響を小さくすることができる。

なお、図示はしないが、平面視で、コンタクト部２７５の面２７５１のうち凹部２７５０以外の部分は、埋め込み部２６１の面２６１１を囲む。埋め込み部２６１は、平面視でコンタクト部２７５の中央に位置する。

埋め込み部２６１の信号線２４２との接触面である面２６１１と、コンタクト部２７５の信号線２４２との接触面である面２７５１と、絶縁層２２７の信号線２４２との接触面である面２２７１とは、段差がなく連続している。すなわち、面２７５１と面２６１１と面２２７１とで、平坦面が形成される。面２７５１と面２６１１と面２２７１とで平坦面が形成されることで、面２７５１と面２６１１と面２２７１とで段差面が形成される場合に比べ、コンタクト部２７５の面２７５１の段差による信号線２４２への影響を小さくすることができる。なお、当該平坦面とは、実質的に段差を有さないことを意味する。

また、埋め込み部２６１の材料は、例えば、絶縁性を有する無機材料である。具体的には、埋め込み部２６１の材料は、例えば酸化ケイ素および酸窒化ケイ素等のケイ素系の無機材料である。埋め込み部２６１が当該材料であることで、例えば信号線２４２を形成する前に、所謂タッチアップＣＭＰ（chemical mechanical polishing）法を用いることで、凹部２７５０を埋める埋め込み部２６１を簡単に形成することができる。タッチアップＣＭＰ法は、信号線２４２を形成する前に、埋め込み部２６１となる膜を形成し、当該膜の一部をＣＭＰ法により除去することにより凹部２７５０内を埋める埋め込み部２６１を形成する方法である。

埋め込み部２６１が絶縁性を有する場合、図５に示すように、埋め込み部２６１は、絶縁層２２７に接触していない。具体的には、埋め込み部２６１は、絶縁層２２７と信号線２４２との間に配置されていない。よって、埋め込み部２６１は、コンタクト部２７５の面２７５１のうち凹部２７５０を除く部分と、信号線２４２との間に配置されていない。なお、埋め込み部２６１がコンタクト部２７５の面２７５１上の全域に設けられている場合、コンタクト部２７５と信号線２４２とが電気的に接続されない。このため、埋め込み部２６１が絶縁性を有する場合、埋め込み部２６１は、絶縁層２２７と信号線２４２との間に配置されていないことが好ましい。

また、例えば、埋め込み部２６１は絶縁性を有さず、導電性を有してもよい。埋め込み部２６１が導電性を有することで、信号線２４２とコンタクト部２７５との直接的な導通に加え、埋め込み部２６１を介した信号線２４２とコンタクト部２７５との導通が可能になる。よって、埋め込み部２６１が導電性を有することで、絶縁性を有する場合に比べ、コンタクト部２７５と信号線２４２との接続不良の発生をより効果的に抑制することができる。

埋め込み部２６１が導電性を有する場合、埋め込み部２６１の材料としては、例えば、タングステン、コバルトおよび銅等の金属、金属窒化物ならびに金属シリサイド等の金属材料が挙げられる。これらの中でも、埋め込み部２６１は、タングステンを含むことが好ましい。タングステンを含むことで凹部２７５０を簡単にかつ高精細に埋め込むことができる。また、コンタクト部２７５の材料がタングステンを含む場合、埋め込み部２６１の材料がタングステンまたはチタンナイトライドであることで、埋め込み部２６１とコンタクト部２７５との密着性を高めることができる。

なお、埋め込み部２６１が導電性を有する場合、埋め込み部２６１の一部は、絶縁層２２７と信号線２４２との間に配置されてもよい。

以上、コンタクト部２７５が「プラグ」である場合を例に説明したが、他のコンタクト部２７１～２７９、２８１、２８２および２８３のいずれかが「プラグ」に相当してもよい。この場合、当該「プラグ」に接続される２つの配線または電極の一方が、「第１導電部」に相当し、他方が「第２導電部」に相当する。また、当該「プラグ」が配置される積層体２２が有する層が「絶縁膜」に相当する。また、当該「プラグ」は「凹部」有し、「凹部」を埋める「埋め込み部」が形成される。

１Ａｅ．コンタクト部２８１、２８２およびその近傍の構成
図６は、図４に示す他のコンタクト部２８１および２８２を示す断面図である。以下では、コンタクト部２８１が「第１プラグ」の例示である場合について説明する。この場合、コンタクト部２８２が「第２プラグ」の例示である。また、第１定電位線２４５は「第１導電部」の例示であり、第２容量２５２の容量電極２５２２は「第２導電部」の例示である。また、この場合、絶縁層２２５および２２６は、ソース配線２４６と信号線２４２との間に配置される「絶縁膜」の例示である。

図６に示すように、コンタクト部２８１は、絶縁層２２５および２２６内に配置される。具体的には、コンタクト部２８１は、絶縁層２２５および２２６を貫通する。より具体的には、絶縁層２２５および２２６には、これらを貫通する貫通孔であるコンタクトホールＨ２が形成されており、コンタクトホールＨ２にはコンタクト部２８１が配置される。

また、コンタクト部２８１は、第１定電位線２４５と容量電極２５２２とを電気的に接続する。また、コンタクト部２８１は、第１定電位線２４５側の面２８１２と、容量電極２５２２側の面２８１１とを有する。面２８１２は、第１定電位線２４５との接触面であり、面２８１１は、容量電極２５２２との接触面である。

コンタクト部２８１の面２８１１は、その中央に凹部２８１０を有する。凹部２８１０は、面２８１１に形成される窪みである。また、コンタクト部２８１の内部には、ボイドＶ２が形成される。図示の例では、ボイドＶ２は、凹部２８１０内に連通していないが、凹部２８１０内に連通している場合もある。

また、凹部２８１０内には、埋め込み部２６２が配置される。具体的には、埋め込み部２６２は、凹部２８１０内を埋める。埋め込み部２６２が設けられていることで、埋め込み部２６２が設けられていない場合に比べ、コンタクト部２８１の面２８１１の段差による容量電極２５２２への悪影響を小さくすることができる。具体的には、容量電極２５２２の成膜不良およびコンタクト部２８１と容量電極２５２２との接続不良の発生を抑制することができる。それゆえ、表示品位の低下を抑制することができる。

図６に示すように、コンタクト部２８２は、絶縁層２２７および２２８内に配置される。具体的には、コンタクト部２８２は、絶縁層２２７および２２８を貫通する。より具体的には、絶縁層２２７および２２８には、これらを貫通する貫通孔であるコンタクトホールＨ３が形成されており、コンタクトホールＨ３にコンタクト部２８２が配置される。

コンタクト部２８２は、第２容量２５２の容量電極２５２２と第２定電位線２４８とを電気的に接続する。また、コンタクト部２８２は、容量電極２５２２側の面２８２２と、第２定電位線２４８側の面２８２１とを有する。面２８２２は、容量電極２５２２との接触面であり、面２８２１は、第２定電位線２４８との接触面である。

コンタクト部２８２の面２８２１は、その中央に凹部２８２０を有する。凹部２８２０は、面２８２１に形成される窪みである。また、コンタクト部２８２の内部には、ボイドＶ３が形成される。図示の例では、ボイドＶ３は、凹部２８２０内に連通していないが、凹部２８２０内に連通している場合もある。

また、凹部２８２０には、埋め込み部２６３が配置される。具体的には、埋め込み部２６３は、凹部２８２０内を埋める。埋め込み部２６３が設けられていることで、埋め込み部２６３が設けられていない場合に比べ、コンタクト部２８２の面２８２１の段差による第２定電位線２４８への悪影響を小さくすることができる。具体的には、第２定電位線２４８の成膜不良およびコンタクト部２８２と第２定電位線２４８との接続不良の発生を抑制することができる。それゆえ、表示品位の低下を抑制することができる。

なお、コンタクト部２８２は、凹部２８２０およびボイドＶ３を有していなくてもよい。この場合、埋め込み部２６３は省略される。

また、コンタクト部２８２は、コンタクト部２８１に直接的に接続される。したがって、コンタクト部２８２の一部は、コンタクト部２８１の一部に接触する。つまり、コンタクト部２８２は、その一部がコンタクト部２８１に重なる所謂ハーフスタックである。また、図示の例では、具体的には、コンタクト部２８２の一部は、コンタクト部２８１の一部および埋め込み部２６２の一部に接触する。

図６に示すように２つのコンタクト部２８１および２８２が直接的に積み重ねられる場合、埋め込み部２６２が設けられることで、コンタクト部２８１の凹部２８１０によるコンタクト部２８２への影響を小さくすることができる。具体的には、コンタクト部２８１とコンタクト部２８２との接続不良を抑制することができる。

なお、コンタクト部２８２は、その面２８２２の全域がコンタクト部２８１に重なる所謂フルスタックでもよい。この場合、コンタクト部２８２の面２８２２は、コンタクト部２８１および埋め込み部２６２に接触する。コンタクト部２８２が所謂フルスタックである場合、埋め込み部２６２を有することで、コンタクト部２８１とコンタクト部２８２との接続不良を抑制する効果を特に顕著に発揮することができる。

１Ａｆ．電気光学装置１００の製造方法
図７は、第１実施形態に係る電気光学装置１００の製造方法の流れを示す図である。図７では、電気光学装置１００の製造工程のうち、コンタクト部２７５およびその近傍の製造工程が代表的に示される。

図７に示すように、電気光学装置１００の製造方法は、第１導電部形成工程Ｓ１１と、絶縁膜形成工程Ｓ１２と、プラグ形成工程Ｓ１３と、埋め込み部形成工程Ｓ１４と、第２導電部形成工程Ｓ１５と、を有する。また、以下では、「プラグ」の例示がコンタクト部２７５である場合を代表して説明する。

図示しないが、第１導電部形成工程Ｓ１１では、「第１導電部」としてのソース配線２４６が形成される。ソース配線２４６は、例えば、スパッタリング法または蒸着法により金属膜が形成された後、当該金属膜に対してレジストマスクを用いたエッチングが行なわれることにより形成される。また、絶縁膜形成工程Ｓ１２では、「絶縁膜」としての絶縁層２２４～２２７が形成される。絶縁層２２４～２２７は、例えば、熱酸化、またはＣＶＤ法等の蒸着法で形成される。また、図示はしないが、絶縁膜形成工程Ｓ１２では、絶縁層２２４～２２７を貫通するコンタクトホールＨ１が例えばエッチングにより形成される。

図８および図９のそれぞれは、プラグ形成工程Ｓ１３を説明するための図である。プラグ形成工程Ｓ１３では、例えば図８に示すように、導電材料層２７５ｘを形成した後、図９に示すように、導電材料層２７５ｘから「プラグ」としてのコンタクト部２７５が形成される。コンタクト部２７５は、絶縁層２２４～２２７を貫通するコンタクトホールＨ１内を埋めるように形成される。コンタクト部２７５は、例えば、スパッタ法、またはＣＶＤ法等の蒸着法により金属材料をコンタクトホールＨ１内に堆積させることで形成される。具体的には、図８に示すように、コンタクトホールＨ１内および絶縁層２２７上にタングステン等で形成される導電材料層２７５ｘが形成される。その後、ＣＭＰ法等により導電材料層２７５ｘが研磨されることにより、導電材料層２７５ｘのうちの絶縁層２２７上の部分が除去される。これにより、図９に示すように、コンタクトホールＨ１内を埋めるコンタクト部２７５が形成される。なお、コンタクト部２７５の形成では、適宜アニール処理が行われる。

コンタクトホールＨ１内を埋めるようにコンタクト部２７５が柱状に形成されると、図８に示すように、コンタクト部２７５の内部にはボイドＶ１が形成され、かつコンタクト部２７５上には凹部２７５０が形成される。凹部２７５０は、コンタクト部２７５の面２７５１の中央に形成される。

図１０および図１１のそれぞれは、埋め込み部形成工程Ｓ１４を説明するための図である。埋め込み部形成工程Ｓ１４では、埋め込み部２６１が形成される。まず、図１０に示すように、コンタクト部２７５上および絶縁層２２８上に、例えばＣＶＤ法（chemical vapor deposition）等により埋め込み部２６１の材料層２６１ａが形成される。

次いで、所謂タッチアップＣＭＰ法により材料層２６１ａの一部を除去することにより、図１１に示すように、凹部２７５０を埋める埋め込み部２６１を形成する。具体的には、信号線２４２を形成するよりも前に、絶縁層２２７上に材料層２６１ａを形成し、材料層２６１ａの一部をＣＭＰ法により除去することにより凹部２７５０内を埋める埋め込み部２６１を形成する。かかるタッチアップＣＭＰ法を行うことで、埋め込み部２６１を簡単かつ確実に形成することができる。導電材料層２７５ｘを単に厚くするだけでは、凹部２７５０を埋めることが難しくても、材料層２６１ａで凹部２７５０を埋める埋め込み部２６１を形成することで、凹部２７５０内を簡単かつ確実に埋めることができる。また、タッチアップＣＭＰ法を行うことで、埋め込み部２６１の面２６１１、コンタクト部２７５の面２７５１および絶縁層２２７の面２２７１で平坦面を形成することができる。また、タッチアップＣＭＰ法を用いることで、材料層２６１ａ上に形成され得る不要な酸化層および異物を効率良く除去することができる。タッチアップＣＭＰ法を用いることで、コンタクト部２７５と信号線２４２との接続抵抗の低減を図ることができる。すなわち、タッチアップＣＭＰ法を用いることで、コンタクト部２７５と信号線２４２との良好な抵抗を得ることができる。

次に、図示はしないが、第２導電部形成工程Ｓ１５では、信号線２４２が形成される。信号線２４２は、例えば、スパッタリング法または蒸着法により金属膜が形成された後、当該金属膜に対してレジストマスクを用いたエッチングが行なわれることにより形成される。

前述のように、電気光学装置１００の製造方法は、第１導電部形成工程Ｓ１１と、絶縁膜形成工程Ｓ１２と、プラグ形成工程Ｓ１３と、埋め込み部形成工程Ｓ１４と、第２導電部形成工程Ｓ１５と、を有する。かかる方法により、ソース配線２４６、コンタクト部２７５、埋め込み部２６１および信号線２４２が得られる。そして、コンタクト部２７５が有する凹部２７５０を埋める埋め込み部２６１が形成されることで、コンタクト部２７５上に形成される信号線２４２の成膜不良を抑制することができる。それゆえ、表示品位の低下が抑制された電気光学装置１００を得ることができる。

１Ｂ．第２実施形態
第２実施形態を説明する。なお、以下の各例示において機能が第１実施形態と同様である要素については、第１実施形態の説明で使用した符号を流用して各々の詳細な説明を適宜に省略する。

図１２は、第２実施形態における埋め込み部２６１Ａを示す断面図である。本実施形態では、埋め込み部２６１の代わりに埋め込み部２６１Ａが用いられる。なお、以下では、埋め込み部２６１Ａについて、第１実施形態の埋め込み部２６１と異なる事項を説明し、同様の事項の説明は適宜省略する。

図１２に示すように、埋め込み部２６１Ａの一部は、絶縁層２２７と信号線２４２との間に配置される。具体的には、埋め込み部２６１Ａは、第１部分２６１５Ａと第２部分２６１６Ａとを有する。第１部分２６１５Ａは、凹部２７５０内に配置させる部分である。第２部分２６１６Ａは、面２７５１の凹部２７５０を除く部分と信号線２４２との間に配置される平板状の部分である。また、埋め込み部２６１Ａの信号線２４２側の面２６１１Ａは、信号線２４２に接触する。なお、コンタクト部２７５の面２７５１および絶縁層２２７の面２２７１は、信号線２４２に接触していない。

また、埋め込み部２６１Ａは、導電性を有する。そして、埋め込み部２６１Ａは、信号線２４２の一部を兼ねる。埋め込み部２６１Ａが導電性を有することで、埋め込み部２６１Ａが第２部分２６１６Ａを有していても、埋め込み部２６１Ａを介した信号線２４２とコンタクト部２７５との導通が可能になる。よって、コンタクト部２７５と信号線２４２との接続不良の発生をより抑制することができる。

また、埋め込み部２６１Ａは以下のように形成される。本実施形態では、埋め込み部形成工程Ｓ１４の一部および第２導電部形成工程Ｓ１５の一部は、互いに並行して行われる。

図１３は、埋め込み部形成工程Ｓ１４および第２導電部形成工程Ｓ１５を説明するための図である。例えばＣＶＤ法等の蒸着法により埋め込み部２６１Ａとなる材料層２６１Ａａを形成する。その後、ＣＭＰ法により材料層２６１Ａａの表面を平坦化する。信号線２４２を形成する前に、導電性を有する材料層２６１ａを形成することで、凹部２７５０を埋める埋め込み部２６１Ａを簡単かつ確実に形成することができる。

次いで、図１３に示すように、ＣＭＰ法が施された材料層２６１Ａａ上に、スパッタリング法または蒸着法により信号線２４２となる金属膜２４２ａが形成される。つまり、材料層２６１Ａａに対してＣＭＰ法をした後に、信号線２４２が成膜される。その後、金属膜２４２ａおよび材料層２６１ａに対してレジストマスクを用いたエッチングが行なわれることにより、図１２に示す信号線２４２および埋め込み部２６１Ａが形成される。

以上の第２実施形態によっても、第１実施形態と同様に、従来よりも、表示品位の低下が抑制される。

２．変形例
以上に例示した実施形態は多様に変形され得る。前述の実施形態に適用され得る具体的な変形の態様を以下に例示する。以下の例示から任意に選択された２以上の態様は、相互に矛盾しない範囲で適宜に併合され得る。

前述の各実施形態では、トランジスター２３は、ＴＦＴであったが、例えば、ＭＯＳＦＥＴ（metal-oxide-semiconductor field-effect transistor）であってもよい。

前述の各実施形態では、アクティブマトリクス方式の電気光学装置１００が例示されるが、これに限定されず、電気光学装置１００の駆動方式は、例えば、パッシブマトリクス方式等でもよい。

「電気光学装置」の駆動方式は、縦電界方式に限定されず、横電界方式でもよい。第１実施形態では、第１基板２に画素電極２４が設けられ、第２基板３に共通電極３３が設けられているが、第１基板２または第２基板３のいずれか一方のみに、液晶層５に電界を印加するための電極が設けられてもよい。なお、横電界方式としては、例えばＩＰＳ（In Plane Switching）モードが挙げられる。また、縦電界方式としては、ＴＮ（Twisted Nematic）モード、ＶＡ（Virtical Alignment）、ＰＶＡモードおよびＯＣＢ（Optically Compensated Bend）モードが挙げられる。

前述の各実施形態では、第１基板２が「プラグ」を有する場合を例に説明したが、第２基板３が「プラグ」を有してもよい。

３．電子機器
電気光学装置１００は、各種電子機器に用いることができる。

図１４は、電子機器の一例であるパーソナルコンピューター２０００を示す斜視図である。パーソナルコンピューター２０００は、各種の画像を表示する電気光学装置１００と、電源スイッチ２００１およびキーボード２００２が設置される本体部２０１０と、制御部２００３と、を有する。制御部２００３は、例えばプロセッサーおよびメモリーを含み、電気光学装置１００の動作を制御する。

図１５は、電子機器の一例であるスマートフォン３０００を示す平面図である。スマートフォン３０００は、操作ボタン３００１と、各種の画像を表示する電気光学装置１００と、制御部３００２と、を有する。操作ボタン３００１の操作に応じて電気光学装置１００に表示される画面内容が変更される。制御部３００２は、例えばプロセッサーおよびメモリーを含み、電気光学装置１００の動作を制御する。

図１６は、電子機器の一例であるプロジェクターを示す模式図である。投射型表示装置４０００は、例えば、３板式のプロジェクターである。電気光学装置１ｒは、赤色の表示色に対応する電気光学装置１００であり、電気光学装置１ｇは、緑の表示色に対応する電気光学装置１００であり、電気光学装置１ｂは、青色の表示色に対応する電気光学装置１００である。すなわち、投射型表示装置４０００は、赤、緑および青の表示色に各々対応する３個の電気光学装置１ｒ、１ｇ、１ｂを有する。制御部４００５は、例えばプロセッサーおよびメモリーを含み、電気光学装置１００の動作を制御する。

照明光学系４００１は、光源である照明装置４００２からの出射光のうち赤色成分ｒを電気光学装置１ｒに供給し、緑色成分ｇを電気光学装置１ｇに供給し、青色成分ｂを電気光学装置１ｂに供給する。各電気光学装置１ｒ、１ｇ、１ｂは、照明光学系４００１から供給される各単色光を表示画像に応じて変調するライトバルブ等の光変調器として機能する。投射光学系４００３は、各電気光学装置１ｒ、１ｇ、１ｂからの出射光を合成して投射面４００４に投射する。

以上の電子機器は、前述の電気光学装置１００と、制御部２００３、３００２または４００５と、を備える。電気光学装置１００は表示品位の低下が抑制されている。したがって、電気光学装置１００を備えることで、パーソナルコンピューター２０００、スマートフォン３０００または投射型表示装置４０００の表示品位を高めることができる。

なお、本発明の電気光学装置が適用される電子機器としては、例示した機器に限定されず、例えば、ＰＤＡ（Personal Digital Assistants）、デジタルスチルカメラ、テレビ、ビデオカメラ、カーナビゲーション装置、車載用の表示器、電子手帳、電子ペーパー、電卓、ワードプロセッサー、ワークステーション、テレビ電話、およびＰＯＳ（Point of sale）端末等が挙げられる。さらに、本発明が適用される電子機器としては、プリンター、スキャナー、複写機、ビデオプレーヤー、またはタッチパネルを備えた機器等が挙げられる。

以上、好適な実施形態に基づいて本発明を説明したが、本発明は前述の実施形態に限定されない。また、本発明の各部の構成は、前述の実施形態の同様の機能を発揮する任意の構成に置換でき、また、任意の構成を付加できる。

また、前述した説明では、本発明の電気光学装置の一例として液晶装置について説明したが、本発明の電気光学装置はこれに限定されない。例えば、本発明の電気光学装置は、イメージセンサー等にも適用することができる。また、例えば、有機ＥＬ（electro luminescence）、無機ＥＬまたは発光ポリマー等の発光素子を用いた表示パネルに対しても前述の実施形態と同様に本発明が適用され得る。また、着色された液体と当該液体に分散された白色の粒子とを含むマイクロカプセルを用いた電気泳動表示パネルに対しても前述の実施形態と同様に本発明が適用され得る。

２…第１基板、３…第２基板、４…シール部材、５…液晶層、１１…走査線駆動回路、１２…信号線駆動回路、１３…外部端子、２０…配線部、２１…第１基体、２２…積層体、２３…トランジスター、２４…画素電極、２５…蓄積容量、２９…第１配向膜、３１…第２基体、３２…絶縁膜、３３…共通電極、３４…第２配向膜、１００…電気光学装置、２２１～１１９…絶縁層、２３１…半導体層、２３１ａ…ソース領域、２３１ｂ…ドレイン領域、２３１ｃ…チャネル領域、２３１ｄ…第１ＬＤＤ領域、２３１ｅ…第２ＬＤＤ領域、２３２…ゲート電極、２３３…ゲート絶縁膜、２４１…遮光体、２４２…信号線、２４２ａ…金属膜、２４３…ドレイン配線、２４４…走査線、２４５…第１定電位線、２４６…ソース配線、２４７…接続配線、２４８…第２定電位線、２５１…第１容量、２５２…第２容量、２６１…埋め込み部、２７０…シールド部、２７１～２７９、２８１～２８３…コンタクト部、２５１１…容量電極、２５１２…容量電極、２５１３…誘電体層、２５２１…容量電極、２５２２…容量電極、２５２３…誘電体層、Ａ１０…表示領域、Ａ２０…周辺領域、Ｈ１、Ｈ２、Ｈ３…コンタクトホール、Ｖ１、Ｖ２、Ｖ３…ボイド。

Claims (11)

1. 第１基板と、第２基板と、前記第１基板と前記第２基板との間に配置され、電界に応じて光学的特性が変化する電気光学層と、を備え、
   前記第１基板および前記第２基板の一方または両方は、
   第１導電部と、
   第２導電部と、
   前記第１導電部と前記第２導電部との間に配置される絶縁膜と、
   前記絶縁膜に配置され、前記第１導電部と前記第２導電部とを電気的に接続し、前記第２導電部側の面の中央に凹部を有するプラグと、
   前記凹部内を埋める埋め込み部と、を有することを特徴とする電気光学装置。
2. 前記プラグおよび前記埋め込み部のそれぞれは、前記第２導電部に接触する請求項１に記載の電気光学装置。
3. 前記埋め込み部の前記第２導電部との接触面と、前記プラグの前記第２導電部との接触面と、前記絶縁膜の前記第２導電部との接触面とは、連続している請求項２に記載の電気光学装置。
4. 前記埋め込み部の材料は、絶縁性を有する無機材料である請求項１から３のいずれか１項に記載の電気光学装置。
5. 前記埋め込み部は、前記絶縁膜に接触していない請求項４に記載の電気光学装置。
6. 前記埋め込み部は、導電性を有する請求項１から３のいずれか１項に記載の電気光学装置。
7. 前記埋め込み部は、前記第２導電部の一部を兼ねる請求項６に記載の電気光学装置。
8. 前記プラグ、第１プラグであり、
   前記第１基板および第２基板の一方または両方は、前記第１プラグに直接的に接続される第２プラグをさらに有する請求項１から７のいずれか１項に記載の電気光学装置。
9. 第１基板を形成する工程と、第２基板を形成する工程と、前記第１基板と前記第２基板との間に、電界に応じて光学的特性が変化する電気光学層を配置する工程と、を有する電気光学装置の製造方法であって、
   前記第１基板を形成する工程および前記第２基板を形成する工程の一方または両方は、
   第１導電部を形成する工程と、
   前記第１導電部上に絶縁膜を形成する工程と、
   前記絶縁膜内に、前記第２導電部側の面の中央に凹部を有するプラグを形成する工程と、
   前記凹部内に埋め込み部を形成する工程と、
   前記絶縁膜上に第２導電部を形成する工程と、を含むことを特徴とする電気光学装置の製造方法。
10. 前記埋め込み部を形成する工程では、
    前記絶縁膜上に材料層を形成し、前記材料層の一部をＣＭＰ法により除去することにより、前記埋め込み部が形成される請求項９に記載の電気光学装置の製造方法。
11. 請求項１から８のいずれか１項に記載の電気光学装置と、
    前記電気光学装置の動作を制御する制御部と、を有することを特徴とする電子機器。

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