JP2021184043A - 電気光学装置および電子機器 - Google Patents

Abstract

【課題】表示品位の低下を図ることができる電気光学装置、および電子機器を提供すること。【解決手段】電気光学装置は、第１基板と、第２基板と、前記第１基板と前記第２基板との間に配置され、電界に応じて光学的特性が変化する電気光学層と、前記第１基板と前記第２基板との間に配置される導電膜と、前記第１基板と前記導電膜との間で前記導電膜に接触して配置され、前記第１基板と前記第２基板との間の距離を規定するスペーサーと、を備える。電気光学装置は、前記導電膜と前記第２基板との間で前記導電膜に接触して配置される絶縁層をさらに備えることが好ましい。【選択図】図４

Description

本発明は、電気光学装置および電子機器に関する。

プロジェクター等の電子機器には、例えば、画素ごとに光学的特性を変更可能な電気光学装置が用いられる。

特許文献１に記載の電気光学装置は、画素電極が設けられた第１基板と、共通電極が設けられた第２基板と、第１基板と第２基板との間に配置された液晶層とを備える。また、第１基板上および第２基板上のそれぞれには、液晶層の厚みを所定の厚みに制御するためのスペーサーが形成される。

特開２０１０−２０７６６０号公報

特許文献１に記載のスペーサーは、共通電極を含む層上または画素電極を含む層上に形成される。電極を含む層上にスペーサーを形成する場合、スペーサーを加工する加工装置または加工方法が制限されてしまう。よって、スペーサーを高精度に加工することが難しい。このため、スペーサーにより２つの基板間の距離の安定化を図ることが難しく、この結果、表示品位が低下するおそれがあった。

本発明の電気光学装置の一態様は、第１基板と、第２基板と、前記第１基板と前記第２基板との間に配置され、電界に応じて光学的特性が変化する電気光学層と、前記第１基板と前記第２基板との間に配置される導電膜と、前記第１基板と前記導電膜との間で前記導電膜に接触して配置され、前記第１基板と前記第２基板との間の距離を規定するスペーサーと、を備える。

本発明の電子機器の一態様は、前述の電気光学装置と、前記電気光学装置の動作を制御する制御部と、を有する。

第１実施形態に係る電気光学装置の平面図である。 図１に示す電気光学装置のＡ−Ａ線における断面図である。 図１の素子基板の電気的な構成を示す等価回路図である。 図２の電気光学装置の一部を拡大した図である。 図４の素子基板の平面図である。 図４のスペーサーを示す平面図である。 図４のスペーサーの拡大図ある。 図７に示す対向基板およびスペーサーの製造方法の流れを示す図である。 スペーサー形成工程を説明するための図である。 スペーサー形成工程を説明するための図である。 導電膜形成工程を説明するための図である。 絶縁層形成工程を説明するための図である。 第２実施形態の対向基板の一部を拡大して示す断面図である。 図１３に示す対向基板およびスペーサーの製造方法の流れを示す図である。 下地膜形成工程を説明するための図である。 スペーサー形成工程を説明するための図である。 スペーサー形成工程を説明するための図である。 下地層形成工程を説明するための図である。 第３実施形態の対向基板の一部を拡大して示す断面図である。 第４実施形態の電気光学装置の一部を示す断面図である。 図２０の第２スペーサーを示す平面図である。 電子機器の一例であるパーソナルコンピューターを示す斜視図である。 電子機器の一例であるスマートフォンを示す平面図である。 電子機器の一例であるプロジェクターを示す模式図である。

以下、添付図面を参照しながら本発明に係る好適な実施形態を説明する。なお、図面において各部の寸法または縮尺は実際と適宜に異なり、理解を容易にするために模式的に示す部分もある。また、本発明の範囲は、以下の説明において特に本発明を限定する旨の記載がない限り、これらの形態に限られない。

１．電気光学装置
１Ａ．第１実施形態
１Ａａ．基本構成
図１は、第１実施形態に係る電気光学装置１００の平面図である。図２は、図１に示す電気光学装置１００のＡ−Ａ線における断面図である。なお、図１では、対向基板３の図示を省略する。また、以下では、説明の便宜上、互いに直交するＸ軸、Ｙ軸およびＺ軸を適宜用いて説明する。また、Ｘ軸に沿う一方向をＸ１方向と表記し、Ｘ１方向とは反対の方向をＸ２方向と表記する。同様に、Ｙ軸に沿う一方向をＹ１方向と表記し、Ｙ１方向とは反対の方向をＹ２方向と表記する。Ｚ軸に沿う一方向をＺ１方向と表記し、Ｚ１方向とは反対の方向をＺ２方向と表記する。また、以下では、＋Ｚ方向または−Ｚ方向に見ることを「平面視」とし、Ｚ軸を含む断面に対して垂直方向からを見ることを「断面視」とする。

図１および図２に示す電気光学装置１００は、アクティブマトリクス駆動方式の透過型の液晶装置である。図２に示すように、電気光学装置１００は、透光性を有する素子基板２と、透光性を有する対向基板３と、枠状のシール部材４と、液晶層５とを有する。なお、「透光性」とは、可視光に対する透過性を意味し、好ましくは可視光の透過率が５０％以上であることをいう。また、素子基板２、液晶層５および対向基板３は、この順にＺ１方向に並ぶ。対向基板３は、素子基板２に対して液晶層５を介して配置される。また、図１および図２では図示しないが、電気光学装置１００は、液晶層５の厚みを規定する複数のスペーサーを有する。なお、図１に示す電気光学装置１００の平面視での形状は四角形であるが、例えば円形であってもよい。

図２に示すように、素子基板２は、後述の複数のＴＦＴ（Thin Film Transistor）を有する基板である。素子基板２は、第２基板２０と複数の画素電極２３とを有する。また、図示はしないが、素子基板２は、複数の画素電極２３を平面視で囲む複数のダミー画素電極を有する。

対向基板３は、素子基板２に対向して配置される基板である。対向基板３は、第１基板３０と共通電極３３とを有する。共通電極３３は、複数の画素電極２３に対して液晶層５を介して配置される対向電極である。また、図示はしないが、対向基板３は、平面視で複数の画素電極２３を囲む遮光性の見切りを有する。「遮光性」とは、可視光に対する遮光性を意味し、好ましくは、可視光の透過率が５０％未満であることをいい、より好ましくは、１０％以下であることをいう。

画素電極２３および共通電極３３のそれぞれは、液晶層５に電界を印加するための電極である。なお、素子基板２および対向基板３の詳細な構成については、後で説明する。

シール部材４は、素子基板２と対向基板３との間に配置される。シール部材４は、例えばエポキシ樹脂等の各種硬化性樹脂を含む接着剤等を用いて形成される。シール部材４は、ガラス等の無機材料で構成されるギャップ材を含んでもよい。シール部材４は、素子基板２および対向基板３のそれぞれに対して固着される。

液晶層５は、素子基板２、対向基板３およびシール部材４によって囲まれる領域内に配置される。液晶層５は、複数の画素電極２３と共通電極３３との間に配置され、電界に応じて光学的特性が変化する電気光学層である。液晶層５は、正または負の誘電異方性を有する液晶分子を含む。液晶分子の配向は、液晶層５に印加される電圧に応じて変化する。液晶層５は、印加される電圧に応じて光を変調することで階調表示を可能とする。

図１に示すように、素子基板２には、複数の走査線駆動回路１１と信号線駆動回路１２と複数の外部端子１３とが配置される。複数の外部端子１３の一部は、図示しないが、走査線駆動回路１１または信号線駆動回路１２から引き回される配線に接続される。また、複数の外部端子１３は、共通電位が印加させる端子を含む。当該端子は、図示しない配線および導通材を介して、対向基板３の共通電極３３に電極的に接続される。

かかる電気光学装置１００は、画像を表示する表示領域Ａ１０と、平面視で表示領域Ａ１０の外側に位置する周辺領域Ａ２０と有する。表示領域Ａ１０には、行列状に配列される複数の画素Ｐが設けられる。複数の画素Ｐに対して複数の画素電極２３が１対１で配置される。前述の共通電極３３は、複数の画素Ｐで共通に設けられる。また、周辺領域Ａ２０は、平面視で表示領域Ａ１０を囲む。周辺領域Ａ２０には、走査線駆動回路１１および信号線駆動回路１２等が配置される。

本実施形態では、電気光学装置１００は透過型である。このため、例えば、対向基板３に入射した光が素子基板２から出射される間に変調することにより、画像が表示される。また、例えば、素子基板２に入射した光が対向基板３ら出射される間に変調することにより、画像が表示されてもよい。また、電気光学装置１００は、反射型であってもよい。この場合、例えば、共通電極３３が透光性を有し、かつ画素電極２３が反射性を有する。反射型の場合、対向基板３に入射した光が画素電極２３で反射し、再び対向基板３から出射される間で変調されることにより、画像が表示される。

また、電気光学装置１００は、例えば、後述するパーソナルコンピューターおよびスマートフォン等のカラー表示を行う表示装置に適用される。当該表示装置に適用される場合、電気光学装置１００に対してカラーフィルターが適宜用いられる。また、電気光学装置１００は、例えば、後述する投射型のプロジェクターに適用される。この場合、電気光学装置１００は、ライトバルブとして機能する。なお、この場合、電気光学装置１００に対してカラーフィルターが省略される。

１Ａｂ．素子基板２の電気的な構成
図３は、図１の素子基板２の電気的な構成を示す等価回路図である。素子基板２の第２基板２０には、図３に示す複数のトランジスター２４とｎ本の走査線２４１とｍ本の信号線２４２とｎ本の容量線２４３とが設けられる。ｎおよびｍはそれぞれ２以上の整数である。ｎ本の走査線２４１とｍ本の信号線２４２との各交差に対応してトランジスター２４が配置される。各トランジスター２４は、例えばスイッチング素子として機能するＴＦＴである。各トランジスター２４は、ゲート、ソースおよびドレインを含む。

ｎ本の走査線２４１のそれぞれはＸ１方向に延在し、ｎ本の走査線２４１はＹ２方向に等間隔で並ぶ。ｎ本の走査線２４１のそれぞれは、対応する複数のトランジスター２４のゲートに電気的に接続される。ｎ本の走査線２４１は、図１に示す走査線駆動回路１１に電気的に接続される。１〜ｎ本の走査線２４１には、走査線駆動回路１１から走査信号Ｇ１、Ｇ２、…、およびＧｎが線順次で供給される。

図３に示すｍ本の信号線２４２のそれぞれはＹ２方向に延在し、ｍ本の信号線２４２はＸ１方向に等間隔で並ぶ。ｍ本の信号線２４２のそれぞれは、対応する複数のトランジスター２４のソースに電気的に接続される。ｍ本の信号線２４２は、図１に示す信号線駆動回路１２に電気的に接続される。１〜ｍ本の信号線２４２には、信号線駆動回路１２から画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、およびＳｍが並行に供給される。

図３に示すｎ本の走査線２４１とｍ本の信号線２４２とは、互いに電気的に絶縁されており、平面視で格子状に配置される。隣り合う２つの走査線２４１と隣り合う２つの信号線２４２とで囲まれる領域が画素Ｐに対応する。各画素電極２３は、対応するトランジスター２４のドレインに電気的に接続される。

ｎ本の容量線２４３のそれぞれはＸ１方向に延在し、ｎ本の容量線２４３はＹ２方向に等間隔で並ぶ。また、ｎ本の容量線２４３は、ｍ本の信号線２４２およびｎ本の走査線２４１に対して電気的に絶縁されており、これらに対して間隔をもって配置される。各容量線２４３には、グランド電位等の固定電位が印加される。ｎ本の容量線２４３のそれぞれは、対応する複数の蓄積容量２４４に電気的に接続される。各蓄積容量２４４は、画素電極２３の電位を保持するための容量素子である。なお、複数の蓄積容量２４４は、複数の画素電極２３に１対１で電気的に接続される。複数の蓄積容量２４４は、複数のトランジスター２４のドレインに１対１で電気的に接続される。

走査信号Ｇ１、Ｇ２、…、およびＧｎが順次アクティブとなり、ｎ本の走査線２４１が順次選択されると、選択される走査線２４１に接続されるトランジスター２４がオン状態となる。すると、ｍ本の信号線２４２を介して表示すべき階調に応じた大きさの画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、およびＳｍが、選択される走査線２４１に対応する画素Ｐに取り込まれ、画素電極２３に印加される。これにより、画素電極２３と図２に共通電極３３との間に形成される液晶容量に、表示すべき階調に応じた電圧が印加され、印加される電圧に応じて液晶分子の配向が変化する。また、蓄積容量２４４によって、印加される電圧が保持される。このような液晶分子の配向の変化によって光が変調され階調表示が可能となる。

１Ａｃ．電気光学装置１００の具体的な構成
図４は、図２の電気光学装置１００の一部を拡大した図である。図４に示すように、電気光学装置１００は、素子基板２、対向基板３および液晶層５に加え、複数のスペーサー６を有する。以下、素子基板２、対向基板３および複数のスペーサー６について順次説明する。

１Ａｃ−１．素子基板２
図４は、図２の電気光学装置１００の一部を拡大した図である。図４に示すように、素子基板２は、第２基板２０および複数の画素電極２３に加え、第２配向膜２５を有する。また、第２基板２０は、基体２１および積層体２２を有する。基体２１には、複数のトランジスター２４および遮光部２４０が配置される。遮光部２４０は、図３に示す各種配線等を含む。基体２１、積層体２２、複数の画素電極２３および第２配向膜２５は、この順に積層される。第２配向膜２５が液晶層５の最も近くに配置される。以下、素子基板２について説明する。

基体２１は、透光性および絶縁性を有する平板である。基体２１は、例えば、ガラス板または石英板である。積層体２２は、透光性および絶縁性を有する。積層体２２は、複数の層間絶縁膜２２１、２２２、２２３、２２４および２２５を有する。層間絶縁膜２２１、２２２、２２３、２２４および２２５は、基体２１から複数の画素電極２３に向けてこの順に積層される。積層体２２の各層の材料は、例えば、酸窒化ケイ素および酸化ケイ素等の無機材料である。

複数のトランジスター２４および遮光部２４０は、積層体２２の層間に配置される。また、複数のトランジスター２４および遮光部２４０は、積層体２２のうち光が通過する領域を避けて配置される。なお、図４ではトランジスター２４は模式的に図示される。また、図４では、遮光部２４０の全ては図示されず、遮光部２４０が有する配線等の一部が模式的に図示される。

複数のトランジスター２４は、断面視で遮光部２４０が有する配線等の間に配置される。トランジスター２４は、例えば、ＬＤＤ（Lightly Doped Drain）構造を有する半導体層と、ゲート絶縁層と、ゲート電極とを有する。

遮光部２４０は、図３に示す各種配線等を含む遮光性の膜の集合体である。図４では、信号線２４２が図示される。また、遮光部２４０は、各種配線またはトランジスター２４に接続される各種電極を含む。図４では、当該各種電極の例として、複数の中継電極２４５が図示される。各中継電極２４５は、対応するトランジスター２４のドレインに電気的に接続される。各中継電極２４５は、対応する画素電極２３に図示しない導通部を介して接続される。また、遮光部２４０は、トランジスター２４への光の入射を防ぐため、複数の遮光膜２４７を有する。

遮光部２４０が有する配線等は、例えば、タングステン（Ｗ）、チタン（Ｔｉ）、クロム（Ｃｒ）、鉄（Ｆｅ）およびアルミニウム（Ａｌ）等の金属、金属シリサイド、または金属化合物を用いて形成される。

なお、図示はしないが、第２基板２０は、例えば、積層体２２の画素電極２３側の面に配置され、ＢＳＧ（borosilicate glass）等のガラスを含む層を有してもよい。

画素電極２３は、透光性および導電性を有する。画素電極２３は、前述のように画素Ｐごとに設けられる。画素電極２３は、例えば、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）、ＩＺＯ（Indium Zinc Oxide）およびＦＴＯ（Fluorine-doped tin oxide）等の透明導電材料を含む。なお、電気光学装置１００が反射型である場合、画素電極２３は、遮光性を有してもよい。

第２配向膜２５は、透光性および絶縁性を有する。第２配向膜２５は、液晶層５の液晶分子を配向させる。第２配向膜２５は、複数の画素電極２３を覆うように配置される。第２配向膜２５の構成材料としては、例えば酸化ケイ素が挙げられる。

また、第２配向膜２５は、斜方蒸着により成膜された斜方蒸着膜である。なお、斜方蒸着は、第２基板２０等の被蒸着物の表面に対して蒸着物質を斜めに入射させる方法である。第２配向膜２５は、斜方蒸着膜であるため、液晶層５の厚さ方向であるＺ１方向に沿った線分に対して傾斜する複数のカラムを有する。各カラムは、蒸着物質の分子間の相互作用による分子の凝集により形成される柱状の結晶である。

図５は、図４の素子基板２の平面図である。図５では、第２配向膜２５の図示が省略される。図５に示すように、複数の画素電極２３は、互いに離間し、Ｘ１方向およびＹ２方向に行列状に配置される。また、第２基板２０は、画素電極２３が配置されていない格子状の遮光領域Ａ０を有する。詳細な図示はしないが、遮光領域Ａ０は、平面視で遮光部２４０と重なる。よって、遮光部２４０は、平面視でほぼ格子状である。また、トランジスター２４は平面視で遮光領域Ａ０の交差部分に設けられる。

１Ａｃ−２．対向基板３
図４に示すように、対向基板３は、第１基板３０および共通電極３３に加え、絶縁層３５を有する。共通電極３３は、下地層３３１および導電膜３３２を有する。絶縁層３５は、コート層３５１と第１配向膜３５２とを有する。第１基板３０、下地層３３１、導電膜３３２、コート層３５１および第１配向膜３５２は、この順に積層される。第１配向膜３５２が液晶層５の最も近くに配置される。また、第１基板３０の液晶層５側の面には、下地層３３１を介して後述の複数のスペーサー６が配置される。以下、対向基板３について説明する。

第１基板３０は、透光性および絶縁性を有する。第１基板３０は、例えば、平板状の基体と、当該基体上に配置される絶縁膜とを有する。当該基体は、例えば、ガラス板または石英板で構成される。当該絶縁膜は、例えば、シリコン酸窒化膜またはシリコン酸化膜である。

第１基板３０上には、下地層３３１が配置される。なお、下地層３３１上には後述の複数のスペーサー６が配置される。よって、下地層３３１は、第１基板３０と複数のスペーサー６との間に、これらに接触して配置される。また、平面図は省略するが、下地層３３１は、平面視で液晶層５の全域と重なる。下地層３３１は、透光性および導電性を有しており、共通電極３３の一部を構成する。

下地層３３１の材料は、導電性を有すればいかなる材料でもよいが、例えば、ＩＴＯ、ＩＺＯおよびＦＴＯ等の透明導電材料である。また、下地層３３１は、第１基板３０およびスペーサー６の各材料と異なる材料を含む。このため、複数のスペーサー６の形成時において、下地層３３１をストッパー層として機能させることができる。よって、複数のスペーサー６を高精度かつ簡単に形成することができる。

下地層３３１上には、導電膜３３２が配置される。導電膜３３２は、第１基板３０に対して下地層３３１を介して配置されており、下地層３３１に接触している。また、導電膜３３２の一部は、後述の複数のスペーサー６上に配置される。すなわち、導電膜３３２の一部は、スペーサー６に接触している。また、導電膜３３２は、透光性および導電性を有しており、共通電極３３の一部を構成する。

導電膜３３２の材料は、導電性を有すればいかなる材料でもよいが、例えば、ＩＴＯ、ＩＺＯおよびＦＴＯ等の透明導電材料である。導電膜３３２の材料は、下地層３３１の材料と異なってもよいが、本実施形態では同一である。導電膜３３２が下地層３３１の材料と同一の材料を含むことで、下地層３３１と導電膜３３２との密着性を高めることができる。また、下地層３３１が導電膜３３２と同一の材料を含むことで、下地層３３１と導電膜３３２との界面抵抗を低減することができる。

なお、下地層３３１および導電膜３３２の各厚みは、異なっていても同一であってもよい。また、共通電極３３の厚さは、後述のスペーサー６のＺ１方向での長さよりも充分に小さい。

導電膜３３２上には、コート層３５１が配置される。コート層３５１は、導電膜３３２の液晶層５側の面を覆うように配置されており、導電膜３３２に接触する。コート層３５１は、スペーサー６の表面に沿った膜、すなわちコンフォーマルな膜である。平面図は省略するが、コート層３５１は、平面視で共通電極３３に重なる。コート層３５１は、透光性および絶縁性を有する。コート層３５１の材料は、透光性および絶縁性を有すればいかなる材料でもよいが、例えばケイ素を含む無機材料を含む。当該ケイ素を含む無機材料は、例えば二酸化ケイ素等の酸化ケイ素、または酸窒化ケイ素である。また、コート層３５１の材料は、例えば、酸化アルミニウムまたはフッ化マグネシウムであってもよい。

コート層３５１上には、第１配向膜３５２が配置される。第１配向膜３５２は、コート層３５１の液晶層５側の面を覆うように配置されており、コート層３５１に接触する。平面図は省略するが、第１配向膜３５２は、平面視で共通電極３３に重なる。また、第１配向膜３５２の一部は、素子基板２の第２配向膜２５に接触している。また、第１配向膜３５２は、透光性および絶縁性を有する。第１配向膜３５２は、液晶層５の液晶分子を配向させる。第１配向膜３５２の構成材料としては、例えば酸化ケイ素が挙げられる。第１配向膜３５２の材料が酸化ケイ素である場合、コート層３５１の材料は好ましくは酸化ケイ素である。これにより、コート層３５１と第１配向膜３５２との密着性を高めることができる。

また、第１配向膜３５２は、前述の第２配向膜２５と同様に、斜方蒸着により成膜された斜方蒸着膜である。したがって、第１配向膜３５２は、第２配向膜２５と同様に、液晶層５の厚さ方向であるＺ１方向に沿った線分に対して傾斜する複数のカラムを有する。

なお、前述のコート層３５１および第１配向膜３５２の各厚みは、異なっていても同一であってもよい。また、絶縁層３５の厚さは、後述のスペーサー６のＺ１方向での長さよりも充分に小さい。

また、前述の対向基板３および素子基板２のそれぞれは、図４に示す各要素以外の要素をさらに有してもよい。例えば、対向基板３または素子基板２は、光を収束または発散させるマイクロレンズアレイを有してもよい。マイクロレンズアレイを備えることで、光の利用効率をさらに高めることができるため、より明るい電気光学装置１００を実現することができる。

１Ａｃ−３．スペーサー６
図４に示すように、第１基板３０と第２基板２０との間には、複数のスペーサー６が配置される。本実施形態では、各スペーサー６は、第１基板３０と導電膜３３２との間で導電膜３３２に接触して配置される。また、スペーサー６は、断面視で、共通電極３３の一部である下地層３３１と、共通電極３３の一部である導電膜３３２との間に配置される。したがって、スペーサー６は、共通電極３３に埋設されているとも捉えられる。

各スペーサー６は、柱状の部材である。スペーサー６は、第１基板３０と第２基板２０との間の距離ｄ０を規定している。すなわち、スペーサー６は、液晶層５の厚さを規定している。スペーサー６を有することで、距離ｄ０の経時的な変化を抑制することができる。

図６は、図４のスペーサー６を示す平面図である。図６には、図４のＢ−Ｂ線における断面が図示される。図６に示すように、複数のスペーサー６は、平面視で島状に配置される。複数のスペーサー６は、複数の画素Ｐに対して１対１で配置される。よって、複数のスペーサー６は、平面視でＸ１方向およびＹ２方向に行列状に並ぶ。各スペーサー６は、図５に示す遮光領域Ａ０の交差部分に対応して配置される。よって、平面図は省略するが、各スペーサー６は、平面視で画素電極２３と重ならない部分を有する。なお、各スペーサー６は、平面視で、画素電極２３と重なる部分を有してもよい。ただし、スペーサー６の画素電極２３と重なる部分の割合は、開口率の低下を防ぐために、スペーサー６の画素電極２３と重ならない部分の割合よりも小さいことが好ましい。

また、図６に示す例では、各スペーサー６の平面視での形状は、ほぼ四角形であるが、当該形状は四角形に限定されない。例えば、当該形状としては、例えば、ひし形および六角形等の多角形、あるいは円形が挙げられる。また、各スペーサー６の全体形状は、壁状であってもよい。各スペーサー６の平面視での形状は、遮光領域Ａ０に沿った枠状でもよいし、ライン状でもよい。

また、前述のようにスペーサー６は画素Ｐごとに配置されるが、画素Ｐごとに配置されなくてもよい。ただし、画素Ｐごとに配置されることで、画素Ｐごとに距離ｄ０のバラつきを抑制することができる。

図７は、図４のスペーサー６の拡大図である。図７に示す例では、スペーサー６の断面視での形状は、ほぼ台形である。また、図７に示す例では、スペーサー６は、第１面６１と、第２面６２と、側面６３とを有する。第１面６１は、下地層３３１に接触する。第２面６２は、図４に示す第２基板２０に対して絶縁層３５等を介して対向する面である。また、第２面６２は、スペーサー６の表面のうち、第２基板２０の最も近くに存在する。側面６３は、第１面６１および第２面６２を接続する。また、第２面６２と側面６３とは、導電膜３３２に接触する。つまり、スペーサー６の液晶層５側の面は導電膜３３２で覆われている。なお、導電膜３３２は、スペーサー６の第２面６２および側面６３に加え、下地層３３１の液晶層５側の面のうち複数のスペーサー６を除く部分に接触している。

また、スペーサー６の断面視での形状がほぼ台形であるため、第１面６１の面積は、第２面６２の面積よりも大きい。なお、スペーサー６の断面視での形状は台形に限定されず、例えば矩形でもよい。

スペーサー６は、絶縁性を有する。また、スペーサー６の材料は、例えば、二酸化ケイ素等の酸化ケイ素、および酸窒化ケイ素等のケイ素を含む無機材料である。スペーサー６の材料が無機材料であることで、有機材料または金属が液晶層５に侵入することによる液晶層５の劣化が抑制される。このため、有機成分または金属成分が液晶層５に混入することにより生じる誤作動等の不具合の発生を防ぐことができる。

また、本実施形態では、スペーサー６全体は無機材料で構成される。このため、スペーサー６が有機材料を含む場合に比べ、スペーサー６の寸法精度を特に高めることができ、かつ経時的な寸法変化を特に生じ難くすることができる。よって、長期にわたって、素子基板２と対向基板３との間の距離ｄ０の安定化を図ることができる。

なお、スペーサー６は、有機材料または金属材料を含んでもよい。また、スペーサー６は、１層で構成されもよいし、複数層で構成されてもよい。ただし、１層で構成されることで、複数層で構成される場合に比べ、スペーサー６の製造が容易である。

また、前述のように、スペーサー６は、第１基板３０と導電膜３３２との間で導電膜３３２に接触して配置される。また、前述のように、導電膜３３２は共通電極３３の一部であり、導電膜３３２の一部はスペーサー６の液晶層５側の面を覆っている。

ここで、スペーサー６を加工する加工装置または加工方法が制限され、スペーサー６の加工時において下地層３３１に影響が生じてしまう場合ある。この結果、例えば、下地層３３１の厚さが所望の厚さで形成されない場合がある。このように、スペーサー６の加工時において下地層３３１に影響が生じても、スペーサー６上に導電膜３３２が存在するため、下地層３３１と導電膜３３２とで十分な厚さを有する共通電極３３を形成することができる。このため、スペーサー６の加工装置または加工方法の制限を緩和することができるので、スペーサー６を高精度に形成することができる。よって、スペーサー６により距離ｄ０の安定化を図ることでき、この結果、表示品位が低下を抑制することができる。

また、スペーサー６上に導電膜３３２が配置されることで、スペーサー６の下地層３３１からの離脱を抑制することができる。

また、前述のように、導電膜３３２上には絶縁層３５が接触する。絶縁層３５によって導電膜３３２が覆わることで、導電膜３３２と素子基板２の画素電極２３との電気的な接続が生じるおそれが回避される。なお、前述のように、画素電極２３はトランジスター２４のドレインに電気的に接続され、共通電極３３の一部である導電膜３３２には共通電位が印加させる。

また、前述のように、絶縁層３５は、スペーサー６上に配置されるコート層３５１と、コート層３５１上に配置され、カラムを含む第１配向膜３５２と、を有する。ここで、スペーサー６に向かって斜方蒸着を行うと、コート層３５１の表面の一部が影となり、コート層３５１の表面の一部に第１配向膜３５２が成膜されない非成膜部３５１１が生じる。このため、絶縁層３５がコート層３５１を有していないと、導電膜３３２の一部が露出するおそれがある。したがって、スペーサー６の表面を覆うコート層３５１を有することで、導電膜３３２の露出を防ぐことができる。よって、導電膜３３２に含まれる金属成分が液晶層５に進入するおそれを防ぐことができる。同様に、絶縁層３５が存在することで、スペーサー６が有機材料または金属を含む場合であっても、有機成分または金属成分が液晶層５に進入するおそれを防ぐことができる。それゆえ、電気光学装置１００の長寿命化を図ることができる。

１Ａｄ．対向基板３の製造方法
図８は、図７に示す対向基板３およびスペーサー６の製造方法の流れを示す図である。図８に示すように、対向基板３の製造方法は、第１基板用意工程Ｓ１１と、下地層形成工程Ｓ１２と、スペーサー形成工程Ｓ１３と、導電膜形成工程Ｓ１４と、絶縁層形成工程Ｓ１５とを有する。なお、第１基板３０は、公知の方法により用意される。下地層３３１は、例えばＣＶＤ等の蒸着法により形成される。

図９および図１０のそれぞれは、スペーサー形成工程Ｓ１３を示す図である。スペーサー形成工程Ｓ１３では、まず、図９に示すように、下地層３３１上にスペーサー層６ａが形成される。スペーサー層６ａは、例えばケイ素を含む無機材料を含む。スペーサー層６ａの形成方法は特に限定されないが、スペーサー層６ａは、例えばプラズマＣＶＤ等の蒸着法により形成される。

次に、スペーサー層６ａがパターニングされることにより、スペーサー層６ａの一部が除去される。これにより、図１０に示すスペーサー６が形成される。当該パターニングでは、好ましくはドライエッチングが用いられる。当該ドライエッチングは異方性のため、等方性のウェットエッチングよりも、スペーサー６の形成に必要な微細加工に適しているからである。ドライエッチングでは、例えば、ＣＦ系のガスで加工する事が好ましい。なお、当該パターニングでは、ウェットエッチングが用いられてもよい。

また、スペーサー層６ａのパターニングでは、スペーサー層６ａの下層に存在する下地層３３１がストッパー層として機能する。よって、下地層３３１を有することで、ウェットエッチングにより第１基板３０に損傷が生じるおそれが抑制される。

図１１は、導電膜形成工程Ｓ１４を説明するための図である。図１１に示すように、下地層３３１およびスペーサー６上に、導電膜３３２が形成される。導電膜３３２は、例えばプラズマＣＶＤ等の蒸着法により形成される。導電膜３３２が形成されることで、下地層３３１と導電膜３３２とで充分な厚さを有する共通電極３３を形成することができる。例えば、複数のスペーサー６を形成する工程において、エッチングにより下地層３３１に影響が生じ、下地層３３１の成膜時よりも下地層３３１の厚みが減少する場合がある。しかし、このような場合であっても、スペーサー６の形成後に導電膜３３２が形成されるので、下地層３３１と導電膜３３２とで充分な厚さを有する共通電極３３を形成することができる。

図１２は、絶縁層形成工程Ｓ１５を説明するための図である。絶縁層形成工程Ｓ１５では、図１２に示すように、導電膜３３２上にコート層３５１が形成され、その後、コート層３５１上に第１配向膜３５２が形成される。

コート層３５１は、例えば、ＣＶＤ法またはＡＬＤ（atomic layer deposition）法を用いて形成される。特に、ＡＬＤ法を用いることで、ＣＶＤ法を用いる場合に比べ、緻密かつ平坦なコート層３５１を形成することができる。よって、導電膜３３２に対する被覆率が高い、かつ薄膜なコート層３５１を形成することができる。また、コート層３５１の形成では、斜方蒸着でない通常の角度での蒸着法で形成される。これにより、導電膜３３２の表面の全域において被覆率の高いコート層３５１を形成することができる。

第１配向膜３５２は、斜方蒸着により形成される。斜方蒸着では、例えば、ＰＶＤ（Physical Vapor Deposition）法が用いられる。ＰＶＤ法としては、電子ビーム式および抵抗加熱式等のイオンビームを用いない真空蒸着法、スパッタリング法、ならびにイオンプレーティング法が挙げられる。この場合、蒸着装置は、対向基板３を二方向に揺動させながら、対向基板３に蒸着材料を、スリット孔を介して所定の角度で到達させることにより、コート層３５１上に第１配向膜３５２を形成する。

ここで、例えば、図１２に示す蒸着方向Ａ１である場合、コート層３５１の表面の一部に非成膜部３５１１が設けられる。非成膜部３５１１が設けられていても、第１配向膜３５２の下層にコート層３５１が存在するため、コート層３５１によって導電膜３３２の露出を防ぐことができる。このため、導電膜３３２が液晶層５に露出することが防止されるので、導電膜３３２に含まれる成分が液晶層５に進入することが回避される。それゆえ、電気光学装置１００の長寿命化を図ることができる。

以上の方法により対向基板３およびスペーサー６が形成される。以上のような方法により、無機材料で構成されるスペーサー６を特に簡単かつ確実に製造することができる。なお、対向基板３は、例えば公知の技術を適宜用いて形成された素子基板２に対して液晶層５およびシール部材４を介して貼り合わされる。また、各種回路等は前述の工程または工程間で適宜形成される。このようにして、図１および図２に示す電気光学装置１００を製造することができる。

１Ｂ．第２実施形態
第２実施形態を説明する。なお、以下の各例示において機能が第１実施形態と同様である要素については、第１実施形態の説明で使用した符号を流用して各々の詳細な説明を適宜に省略する。

図１３は、第２実施形態の対向基板３Ａの一部を拡大して示す断面図である。本実施形態の対向基板３Ａは、下地層３６を有する。また、本実施形態では、第１実施形態の下地層３３１が省略される。以下では、対向基板３Ａについて、第１実施形態の対向基板３と異なる事項を説明し、同様の事項の説明は省略する。

図１３に示すように、下地層３６は、スペーサー６と第１基板３０との間に配置される。下地層３６はスペーサー６に対して１対１で配置される。また、本実施形態では、第１実施形態の下地層３３１が省略されているため、導電膜３３２は第１基板３０に接触する部分を有する。また、本実施形態では、導電膜３３２が単独で共通電極３３として機能する。

平面図は省略するが、下地層３６は、平面視でスペーサー６と重なり、スペーサー６に対応する平面視形状を有する。よって、下地層３６の平面視での形状は、ほぼ四角形である。また、下地層３６のＺ１方向の長さは、スペーサー６のＺ１方向の長さも非常に小さく、スペーサー６のＺ１方向の長さの半分以下である。

下地層３６は、遮光性を有する。スペーサー６が透光性を有する場合、下地層３６が遮光性を有することで、スペーサー６が導光路として機能することを抑制することができる。それゆえ、スペーサー６が導光路として機能することにより電気光学装置１００のコントラストが低下することを抑制することができる。

下地層３６は、スペーサー６および第１基板３０の各材料と異なる材料を含む。下地層３６の材料は特に限定されないが、下地層３６は、好ましくは、窒化ケイ素、または窒化チタン等の金属を含む。下地層３６がかかる材料を含むことで、スペーサー６が導光路として機能することを効果的に抑制することができる。また、下地層３６が窒化ケイ素であることで、金属を含まずスペーサー６を形成することができる。このため、金属が液晶層５に侵入することによる液晶層５の劣化が抑制される。なお、図１３に示す例では下地層３６の側面は、導電膜３３２によって覆われている。よって、下地層３６が金属を含んでいても、当該金属が液晶層５に進入するおそれを抑制することができる。

図１４は、図１３に示す対向基板３Ａおよびスペーサー６の製造方法の流れを示す図である。図１４に示すように、対向基板３Ａの製造方法は、第１基板用意工程Ｓ１１と、下地膜形成工程Ｓ１６と、スペーサー形成工程Ｓ１３と、下地層形成工程Ｓ１７と、導電膜形成工程Ｓ１４と、絶縁層形成工程Ｓ１５とを有する。

図１５は、下地膜形成工程Ｓ１６を説明するための図である。下地膜形成工程Ｓ１６では、図１５に示すように、第１基板３０上に下地膜３６ａが形成される。下地膜３６ａは、例えば窒化ケイ素または窒化チタン等の金属を含む。下地膜３６ａの形成方法は特に限定されないが、下地膜３６ａは、例えばプラズマＣＶＤ等の蒸着法により形成される。

図１６および図１７は、スペーサー形成工程Ｓ１３を説明するための図である。スペーサー形成工程Ｓ１３は、下地膜３６ａ上にスペーサー６が形成される。なお、スペーサー形成工程Ｓ１３は、第１実施形態と同様である。すなわち、図１６に示すように下地膜３６ａ上にスペーサー層６ａが形成され、その後、スペーサー層６ａがパターニングされることにより、図１７に示すスペーサー６が形成される。

図１８は、下地層形成工程Ｓ１７を説明するための図である。下地層形成工程Ｓ１７では、下地膜３６ａがパターニングされることにより、下地膜３６ａの一部が除去される。これにより、図１８に示す下地層３６が形成される。当該パターニングでは、例えばケミカルドライエッチングが用いられる。ケミカルドライエッチングを用いることで、第１基板３０に損傷が生じることを抑制することができる。例えば、下地膜３６ａが窒化チタンである場合、当該ケミカルドライエッチングでは、四フッ化メタン（ＣＦ_４）および酸素（Ｏ２）を含むＣＦ系ガス、または、塩素（Ｃｌ_２）および三塩化ホウ素（ＢＣｌ_３）を含むＣｌ系ガスが用いられる。

なお、下地層形成工程Ｓ１７の後で、第１実施形態と同様に、導電膜形成工程Ｓ１４が行われる。

スペーサー層６ａのパターニングでは、スペーサー層６ａの下層に存在する下地膜３６ａがストッパー層として機能する。よって、下地膜３６ａを有することで、スペーサー層６ａのパターニングの際、第１基板３０に損傷が生じるおそれが抑制される。

１Ｃ．第３実施形態
第３実施形態を説明する。なお、以下の各例示において機能が第１実施形態と同様である要素については、第１実施形態の説明で使用した符号を流用して各々の詳細な説明を適宜に省略する。

図１９は、第３実施形態の対向基板３Ｂの一部を拡大して示す断面図である。本実施形態の対向基板３Ｂは、第１実施形態の下地層３３１が省略される。以下では、対向基板３Ａについて、第１実施形態の対向基板３と異なる事項を説明し、同様の事項の説明は省略する。

図１９に示すように、対向基板３Ｂは、第１実施形態の下地層３３１を有していない。このため、導電膜３３２は、第１基板３０に接触する部分を有する。また、本実施形態では、導電膜３３２が単独で共通電極３３として機能する。かかる対向基板３Ｂの構成によれば他の実施形態に比べ、対向基板３Ｂの構成の簡素化を図ることができる。

本実施形態の対向基板３Ｂの製造方法では、第１実施形態の対向基板３の製造方法における下地層形成工程Ｓ１２が省略される。このため、他の実施形態に比べ、対向基板３Ｂの製造方法の簡略化を図ることができる。また、第１実施形態で説明したように、スペーサー６を形成した後に、導電膜３３２が形成される。このため、導電膜３３２は、スペーサー６の加工の際の影響を受けない。よって、所望の厚さを有する導電膜３３２を簡単に形成することができる。

１Ｄ．第４実施形態
第４実施形態を説明する。なお、以下の各例示において機能が第１実施形態と同様である要素については、第１実施形態の説明で使用した符号を流用して各々の詳細な説明を適宜に省略する。

図２０は、第４実施形態の電気光学装置１００Ｃの一部を示す断面図である。図２１は、図２０の第２スペーサー７を示す平面図である。本実施形態の電気光学装置１００Ｃは、複数の第１スペーサー６Ｃ、複数の第２スペーサー７および保護層２５１を備える。

図２０に示す第１スペーサー６Ｃは、第１実施形態のスペーサー６とＺ１方向の長さが異なること以外、同じである。以下では、第１スペーサー６Ｃについて、第１実施形態のスペーサー６と異なる事項を説明し、同様の事項の説明は省略する。図２０に示す例では、第１スペーサー６ＣのＺ１方向の長さは、液晶層５の厚さの半分程度である。

図２０に示すように、複数の第２スペーサー７は、第１基板３０と第２基板２０との間に配置される。各第２スペーサー７は、柱状の部材である。図２０に示す例では、第２スペーサー７のＺ１方向の長さは、液晶層５の厚さの半分程度であり、第１スペーサー６ＣのＺ１方向の長さとほぼ等しい。なお、第１スペーサー６Ｃおよび第２スペーサー７のＺ１方向の各長さは互いに異なっていてもよい。

図２１に示すように、複数の第２スペーサー７は、平面視で島状に配置される。複数の第２スペーサー７は複数の第１スペーサー６Ｃに対して１対１で配置される。よって、複数の第２スペーサー７は、複数の画素Ｐに対して１対１で配置される。また、図示しないが、第２スペーサー７は、平面視で対応する第１スペーサー６Ｃに重なる。よって、第２スペーサー７は、断面視で第２基板２０と第１スペーサー６Ｃとの間に配置される。

図２１に示す例では、第２スペーサー７の平面視形状は、第１スペーサー６Ｃの平面視形状に対応しており、ほぼ四角形である。なお、第２スペーサー７の平面視形状は、第１スペーサー６Ｃと同様に、四角形に限定されない。また、第２スペーサー７は、画素Ｐごとに配置されなくてもよい。また、図２０に示すように、第２スペーサー７の断面視での形状は、ほぼ台形であるが、例えば矩形であってもよい。

第２スペーサー７は、絶縁性を有する。また、第２スペーサー７の材料は、例えば、二酸化ケイ素等の酸化ケイ素、および酸窒化ケイ素等のケイ素を含む無機材料である。第２スペーサー７の材料が無機材料であることで、有機材料または金属が液晶層５に侵入することによる液晶層５の劣化が抑制される。なお、第２スペーサー７は、１層で構成されもよいし、複数層で構成されてもよい。また、第２スペーサー７の材料は、第１スペーサー６Ｃの材料と同一でも異なっていてもよい。

本実施形態では、第１スペーサー６Ｃおよび第２スペーサー７によって、第１基板３０と第２基板２０との間の距離ｄ０が規定される。すなわち、第１スペーサー６Ｃおよび第２スペーサー７で、液晶層５の厚みが規定される。したがって、第１スペーサー６Ｃおよび第２スペーサー７によっても、第１実施形態のスペーサー６と同様に、距離ｄ０の経時的な変化を抑制することができる。また、第１実施形態のスペーサー６と同様に、距離ｄ０の安定化を図ることでき、この結果、表示品位が低下を抑制することができる。

また、図２０に示すように、第２スペーサー７上には、保護層２５１が配置される。保護層２５１は、複数の第２スペーサー７および複数の画素電極２３を覆うように配置され、これらに接触している。保護層２５１は、コート層３５１と同様の構成である。したがって、保護層２５１は、第２スペーサー７の表面に沿った膜、すなわちコンフォーマルな膜である。保護層２５１は、透光性および絶縁性を有する。保護層２５１の材料は、例えばケイ素を含む無機材料を含む。なお、保護層２５１の材料は、例えば、酸化アルミニウムまたはフッ化マグネシウムであってもよい。また、保護層２５１の材料は、コート層３５１と同一でも異なっていてもよい。

保護層２５１上には、第２配向膜２５が配置される。本実施形態では、第２配向膜２５は、保護層２５１の液晶層５側の面を覆うように配置されており、保護層２５１に接触する。また、第２スペーサー７が保護層２５１で覆われることで、第２スペーサー７に対する第２配向膜２５の密着性を高めることができる。第２スペーサー７が保護層２５１で覆われることで、第２スペーサー７の液晶層５への露出が抑制される。このため、第２スペーサー７が樹脂材料または金属材料を含んでいても、樹脂または金属が液晶層５に進入するおそれを抑制することができる。

２．変形例
以上に例示した実施形態は多様に変形され得る。前述の実施形態に適用され得る具体的な変形の態様を以下に例示する。以下の例示から任意に選択された２以上の態様は、相互に矛盾しない範囲で適宜に併合され得る。以下の第１実施形態に関する変形例は、矛盾しない範囲で他の実施形態に適合され得る。

前述の各実施形態では、トランジスター２４は、ＴＦＴであったが、例えば、ＭＯＳＦＥＴ（metal-oxide-semiconductor field-effect transistor）であってもよい。

前述の各実施形態では、アクティブマトリクス方式の電気光学装置１００が例示されるが、これに限定されず、電気光学装置１００の駆動方式は、例えば、パッシブマトリクス方式等でもよい。

「電気光学装置」の駆動方式は、縦電界方式に限定されず、横電界方式でもよい。第１実施形態では、素子基板２に画素電極２３が設けられ、対向基板３に共通電極３３が設けられているが、素子基板２または対向基板３のいずれか一方のみに、液晶層５に電界を印加するための電極が設けられてもよい。なお、横電界方式としては、例えばＩＰＳ（In Plane Switching）モードが挙げられる。また、縦電界方式としては、ＴＮ（Twisted Nematic）モード、ＶＡ（Virtical Alignment）、ＰＶＡモードおよびＯＣＢ（Optically Compensated Bend）モードが挙げられる。

また、導電膜３３２は、共通電極３３の一部であるが、例えば、「電気光学装置」の種類によっては「導電膜」は共通電極３３以外の電極の一部であってもよい。

３．電子機器
電気光学装置１００は、各種電子機器に用いることができる。

図２２は、電子機器の一例であるパーソナルコンピューター２０００を示す斜視図である。パーソナルコンピューター２０００は、各種の画像を表示する電気光学装置１００と、電源スイッチ２００１およびキーボード２００２が設置される本体部２０１０と、制御部２００３と、を有する。制御部２００３は、例えばプロセッサーおよびメモリーを含み、電気光学装置１００の動作を制御する。

図２３は、電子機器の一例であるスマートフォン３０００を示す平面図である。スマートフォン３０００は、操作ボタン３００１と、各種の画像を表示する電気光学装置１００と、制御部３００２と、を有する。操作ボタン３００１の操作に応じて電気光学装置１００に表示される画面内容が変更される。制御部３００２は、例えばプロセッサーおよびメモリーを含み、電気光学装置１００の動作を制御する。

図２４は、電子機器の一例であるプロジェクターを示す模式図である。投射型表示装置４０００は、例えば、３板式のプロジェクターである。電気光学装置１ｒは、赤色の表示色に対応する電気光学装置１００であり、電気光学装置１ｇは、緑の表示色に対応する電気光学装置１００であり、電気光学装置１ｂは、青色の表示色に対応する電気光学装置１００である。すなわち、投射型表示装置４０００は、赤、緑および青の表示色に各々対応する３個の電気光学装置１ｒ、１ｇ、１ｂを有する。制御部４００５は、例えばプロセッサーおよびメモリーを含み、電気光学装置１００の動作を制御する。

照明光学系４００１は、光源である照明装置４００２からの出射光のうち赤色成分ｒを電気光学装置１ｒに供給し、緑色成分ｇを電気光学装置１ｇに供給し、青色成分ｂを電気光学装置１ｂに供給する。各電気光学装置１ｒ、１ｇ、１ｂは、照明光学系４００１から供給される各単色光を表示画像に応じて変調するライトバルブ等の光変調器として機能する。投射光学系４００３は、各電気光学装置１ｒ、１ｇ、１ｂからの出射光を合成して投射面４００４に投射する。

以上の電子機器は、前述の電気光学装置１００と、制御部２００３、３００２または４００５と、を備える。電気光学装置１００を備えることで、パーソナルコンピューター２０００、スマートフォン３０００または投射型表示装置４０００の表示品位を高めることができる。なお、電気光学装置１００の代わりに電気光学装置１００Ｃを用いてもよい。電気光学装置１００Ｃを用いた場合も、電気光学装置１００を用いた場合と同様の効果が発揮される。

なお、本発明の電気光学装置が適用される電子機器としては、例示した機器に限定されず、例えば、ＰＤＡ（Personal Digital Assistants）、デジタルスチルカメラ、テレビ、ビデオカメラ、カーナビゲーション装置、車載用の表示器、電子手帳、電子ペーパー、電卓、ワードプロセッサー、ワークステーション、テレビ電話、およびＰＯＳ（Point of sale）端末等が挙げられる。さらに、本発明が適用される電子機器としては、プリンター、スキャナー、複写機、ビデオプレーヤー、またはタッチパネルを備えた機器等が挙げられる。

以上、好適な実施形態に基づいて本発明を説明したが、本発明は前述の実施形態に限定されない。また、本発明の各部の構成は、前述の実施形態の同様の機能を発揮する任意の構成に置換でき、また、任意の構成を付加できる。

また、前述した説明では、本発明の電気光学装置の一例として液晶装置について説明したが、本発明の電気光学装置はこれに限定されない。例えば、本発明の電気光学装置は、イメージセンサー等にも適用することができる。また、例えば、有機ＥＬ（electro luminescence）、無機ＥＬまたは発光ポリマー等の発光素子を用いた表示パネルに対しても前述の実施形態と同様に本発明が適用され得る。また、着色された液体と当該液体に分散された白色の粒子とを含むマイクロカプセルを用いた電気泳動表示パネルに対しても前述の実施形態と同様に本発明が適用され得る。

２…素子基板、３…対向基板、４…シール部材、５…液晶層、６…スペーサー、６Ｃ…第１スペーサー、７…第２スペーサー、１１…走査線駆動回路、１２…信号線駆動回路、１３…外部端子、２０…第２基板、２１…基体、２２…積層体、２３…画素電極、２４…トランジスター、２５…第２配向膜、３０…第１基板、３３…共通電極、３５…絶縁層、３６…下地層、６１…第１面、６２…第２面、６３…側面、１００…電気光学装置、２４０…遮光部、２４１…走査線、２４２…信号線、２４３…容量線、２４４…蓄積容量、２４５…中継電極、２４７…遮光膜、２５１…保護層、３３１…下地層、３３２…導電膜、３５１…コート層、３５２…第１配向膜、３５１１…非成膜部、Ａ０…遮光領域、Ａ１…蒸着方向、Ａ１０…表示領域、Ａ２０…周辺領域、Ｐ…画素、ｄ０…距離。

Claims (9)

1. 第１基板と、
   第２基板と、
   前記第１基板と前記第２基板との間に配置され、電界に応じて光学的特性が変化する電気光学層と、
   前記第１基板と前記第２基板との間に配置される導電膜と、
   前記第１基板と前記導電膜との間で前記導電膜に接触して配置され、前記第１基板と前記第２基板との間の距離を規定するスペーサーと、を備えることを特徴とする電気光学装置。
2. 前記導電膜と前記第２基板との間で前記導電膜に接触して配置される絶縁層をさらに備える請求項１に記載の電気光学装置。
3. 前記絶縁層は、
   前記スペーサー上に配置されるコート層と、
   前記コート層上に配置され、カラムを含む層と、を有する請求項２に記載の電気光学装置。
4. 前記第１基板と前記スペーサーとの間に配置され、前記スペーサーの材料と異なる材料を含む下地層さらに備える請求項１から３のいずれか１項に記載の電気光学装置。
5. 前記導電膜は、前記下地層の材料と同一の材料を含む請求項４に記載の電気光学装置。
6. 前記下地層は、遮光性を有する材料を含む請求項４に記載の電気光学装置。
7. 前記スペーサーは、第１スペーサーであり、
   前記第２基板と前記第１スペーサーとの間に配置される第２スペーサーをさらに備える請求項１から６のいずれか１項に記載の電気光学装置。
8. 前記第２基板に配置される複数の画素電極と、
   前記複数の画素電極に対して前記電気光学層を介して配置される共通電極と、をさらに備え、
   前記共通電極の少なくとも一部は、前記導電膜であり、
   前記導電膜の一部は、前記スペーサー上に配置される請求項１から７のいずれか１項に記載の電気光学装置。
9. 請求項１から８のいずれか１項に記載の電気光学装置と、
   前記電気光学装置の動作を制御する制御部と、を有することを特徴とする電子機器。

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