JP7476757B2 - 液晶装置および電子機器 - Google Patents

Description

本発明は、液晶装置および電子機器に関する。

プロジェクター等の電子機器には、例えば、画素ごとに光学的特性を変更可能な液晶表示装置等の液晶装置が用いられる。

特許文献１に記載の液晶表示装置は、第１基板と、第２基板と、第１基板と第２基板との間に配置された液晶層とを備える。第１基板上には画素電極が設けられており、画素電極上には配向膜が設けられている。第２基板上には対向電極が設けられており、対向電極上には他の配向膜が設けられている。当該配向膜は、斜方蒸法により形成される。当該配向膜によって、液晶分子は配向する。

また、特許文献１に記載の液晶表示装置では、第１基板と第２基板との間にスペーサーが配置される。

特開２０１６－９０６９８号公報

スペーサーを形成した後に斜方蒸着により配向膜を形成する場合、スペーサーの周囲がスペーサーの影になる。この結果、スペーサーの近傍に配向膜が形成できない領域が発生する。当該配向膜が形成されていない箇所では、液晶分子が所望通りに配向しないため、当該箇所で光漏れが生じてしまう。この結果、画像不良が生じてしまう。さらに、斜方蒸着により形成された配向膜が形成されている箇所とそうでない箇所との間で、液晶分子の配向が不連続等になってしまう。このため、当該画像不良が目立ってしまい、表示品質が低下するという課題がある。

本発明の液晶装置の一態様は、第１基板と、第２基板と、前記第１基板と前記第２基板
との間に配置され、液晶分子を含む液晶層と、前記第１基板または前記第２基板と前記液
晶層との間に配置され、前記液晶層に電界を印加する電極と、前記第１基板と前記第２基
板との間の距離を規定し、前記電極の対角方向における２つの角部にそれぞれ対応して配
置された第１スペーサー及び第２スペーサーと、前記電極と前記液晶層との間に配置され
、前記電極の表面に対する法線に沿って延びる柱状のカラムを含む垂直蒸着膜と、該垂直
蒸着膜上に、前記法線に対して傾斜して延びる柱状のカラムを含む斜方蒸着膜と、を有す
る無機配向膜と、を備え、前記垂直蒸着膜は、平面視で前記第１スペーサーと隣接する領
域において前記斜方蒸着膜から露出するように配置され、前記斜方蒸着膜は、前記第２ス
ペーサーの上面及び側面を覆うとともに前記電極を覆うように形成された第１領域と、平
面視で前記垂直蒸着膜が露出する領域と前記第１領域との間において、前記液晶層側のカ
ラムの前記法線に対する傾斜角度が、前記垂直蒸着膜が露出する領域から前記電極の中心
に向かって大きくなるように形成された第２領域と、を有し、前記第１領域における前記
液晶層側のカラムの前記法線に対する傾斜角度は、前記第２領域における前記液晶層側の
カラムの前記法線に対する傾斜角度よりも大きい。

本発明の液晶装置の製造方法の一態様は、第１基板と、第２基板と、前記第１基板と前記第２基板との間に配置された液晶層と、を備える液晶装置の製造方法であって、前記第１基板に、前記液晶層に電界を印加する電極を形成し、前記電極が形成された第１基板に、前記第１基板と前記第２基板の距離を規定するスペーサーを形成し、前記電極および前記スペーサーを形成した第１基板に、前記無機配向膜を斜方蒸着により形成し、前記斜方蒸着では、前記電極の表面に対する法線を基準として０°から４５°未満の所定の角度まで蒸着角度が経時的に大きくなるよう前記蒸着角度を変化させる。

本発明の電子機器の一態様は、前述の液晶装置と、前記液晶装置の動作を制御する制御部と、を有する。

第１実施形態に係る液晶装置の平面図である。 図１に示す液晶装置のＡ－Ａ線における断面図である。 図１の素子基板の電気的な構成を示す等価回路図である。 図２の液晶装置の一部を拡大した図である。 図４の素子基板の一部を示す平面図である。 図４のスペーサーおよびその近傍を示す図である。 図４に示すスペーサーの平面図である。 図６に示す第１配向膜を拡大した模式図である。 参考例の第１配向膜を示す図である。 第１実施形態に係る液晶装置の製造方法の流れを示す図である。 画素電極形成工程およびスペーサー形成工程を説明するための図である。 第１配向膜形成工程を説明するための図である。 第１配向膜形成工程における蒸着について説明するための図である。 第２実施形態における第１配向膜を示す断面図である。 変形例の液晶装置の一部を示す断面図である。 電子機器の一例であるパーソナルコンピューターを示す斜視図である。 電子機器の一例であるスマートフォンを示す平面図である。 電子機器の一例であるプロジェクターを示す模式図である。

以下、添付図面を参照しながら本発明に係る好適な実施形態を説明する。なお、図面において各部の寸法または縮尺は実際と適宜に異なり、理解を容易にするために模式的に示す部分もある。また、本発明の範囲は、以下の説明において特に本発明を限定する旨の記載がない限り、これらの形態に限られない。

１．液晶装置
１Ａ．第１実施形態
１Ａａ．基本構成
図１は、第１実施形態に係る液晶装置１００の平面図である。図２は、図１に示す液晶装置１００のＡ－Ａ線における断面図である。なお、図１では、対向基板３の図示を省略する。また、以下では、説明の便宜上、互いに直交するＸ軸、Ｙ軸およびＺ軸を適宜用いて説明する。また、Ｘ軸に沿う一方向をＸ１方向と表記し、Ｘ１方向とは反対の方向をＸ２方向と表記する。同様に、Ｙ軸に沿う一方向をＹ１方向と表記し、Ｙ１方向とは反対の方向をＹ２方向と表記する。Ｚ軸に沿う一方向をＺ１方向と表記し、Ｚ１方向とは反対の方向をＺ２方向と表記する。Ｚ１方向は素子基板２の法線方向に対応し、Ｚ２方向は対向基板３の法線方向に対応する。また、以下では、Ｚ１方向またはＺ２方向に見ることを「平面視」とし、Ｚ軸を含む断面に対して垂直方向からを見ることを「断面視」とする。

図１および図２に示す液晶装置１００は、アクティブマトリクス駆動方式の透過型の液晶装置である。図２に示すように、液晶装置１００は、透光性を有する素子基板２と、透光性を有する対向基板３と、枠状のシール部材４と、液晶層５とを有する。素子基板２、液晶層５および対向基板３は、この順にＺ１方向に並ぶ。また、図１および図２では図示しないが、液晶装置１００は、液晶層５の厚みを規定する複数のスペーサーを有する。また、図１に示す液晶装置１００の平面視での形状は四角形であるが、例えば円形であってもよい。なお、「透光性」とは、可視光に対する透過性を意味し、好ましくは可視光の透過率が５０％以上であることをいう。

図２に示す素子基板２は、後述の複数のＴＦＴ（Thin Film Transistor）を有する基板である。素子基板２は、透光性を有する第１基板２０と、透光性を有する複数の画素電極２３と、透光性を有する第１配向膜２５とを有する。第１配向膜２５は「無機配向膜」の例示であり、画素電極２３は「電極」の例示である。また、図示はしないが、素子基板２は、複数の画素電極２３を平面視で囲む複数のダミー画素電極を有する。

対向基板３は、素子基板２に対向して配置される基板である。対向基板３は、透光性を有する第２基板３０と、透光性を有する共通電極３５と、透光性を有する第２配向膜３６とを有する。共通電極３５は、複数の画素電極２３に対して液晶層５を介して配置される対向電極である。また、図示はしないが、対向基板３は、平面視で複数の画素電極２３を囲む遮光性の見切りを有する。「遮光性」とは、可視光に対する遮光性を意味し、好ましくは可視光の透過率が５０％未満であることをいい、より好ましくは１０％以下であることをいう。

画素電極２３および共通電極３５のそれぞれは、液晶層５に電界を印加するために用いられる。なお、素子基板２および対向基板３の詳細な構成については、後で説明する。

シール部材４は、素子基板２と対向基板３との間に配置される。シール部材４は、例えばエポキシ樹脂等の各種硬化性樹脂を含む接着剤等を用いて形成される。シール部材４は、ガラス等の無機材料で構成されるギャップ材を含んでもよい。ギャップ材が第１基板２０と第２基板３０との間の距離を制御することも可能であるが、本実施形態では、後述する複数のスペーサー６により、第１基板２０と第２基板３０との間の距離を広い範囲で精度よく制御される。

液晶層５は、素子基板２、対向基板３およびシール部材４によって囲まれる領域内に配置される。液晶層５は、第１基板２０と第２基板３０との間に配置され、電界に応じて光学的特性が変化する。液晶層５は、正または負の誘電異方性を有する液晶分子５０を含む。液晶分子５０の配向は、液晶層５に印加される電圧に応じて変化する。

図１に示すように、素子基板２には、複数の走査線駆動回路１１と信号線駆動回路１２と複数の外部端子１３とが配置される。複数の外部端子１３の一部は、図示しないが、走査線駆動回路１１または信号線駆動回路１２から引き回される配線に接続される。また、複数の外部端子１３は、共通電位が印加させる端子を含む。当該端子は、図示しない配線および導通材を介して、対向基板３の共通電極３５に電極的に接続される。

かかる液晶装置１００は、画像を表示する表示領域Ａ１０と、平面視で表示領域Ａ１０の外側に位置する周辺領域Ａ２０とを有する。表示領域Ａ１０には、行列状に配列される複数の画素Ｐが設けられる。複数の画素Ｐに対して複数の画素電極２３が１対１で配置される。前述の共通電極３５は、複数の画素Ｐで共通に設けられる。また、周辺領域Ａ２０は、平面視で表示領域Ａ１０を囲む。周辺領域Ａ２０には、走査線駆動回路１１および信号線駆動回路１２が配置される。また、図示はしないが、周辺領域Ａ２０は、複数のダミー画素電極が配置されるダミー画素領域を含む。

本実施形態では、液晶装置１００は透過型である。本実施形態では、対向基板３に入射した光が素子基板２から出射される間に変調することにより、画像が表示される。なお、素子基板２に入射した光が対向基板３から出射される間に変調することにより、画像が表示されてもよい。また、液晶装置１００は、反射型であってもよい。この場合、例えば、共通電極３５が透光性を有し、かつ画素電極２３が反射性を有する。反射型の場合、対向基板３に入射した光が画素電極２３で反射し、再び対向基板３から出射される間で変調されることにより、画像が表示される。反射型の場合、素子基板２は透光性を有さなくてよく、例えば、素子等を作り込めることが可能なシリコン基板であってもよい。

また、液晶装置１００は、例えば、後述するパーソナルコンピューターおよびスマートフォン等のカラー表示を行う表示装置に適用される。当該表示装置に適用される場合、液晶装置１００に対してカラーフィルターが適宜用いられる。また、液晶装置１００は、例えば、後述する投射型のプロジェクターに適用される。この場合、液晶装置１００は、ライトバルブとして機能する。なお、この場合、液晶装置１００に対してカラーフィルターが省略される。

１Ａｂ．素子基板２の電気的な構成
図３は、図１の素子基板２の電気的な構成を示す等価回路図である。図３に示すように、素子基板２は、複数のトランジスター２４とｎ本の走査線２４１とｍ本の信号線２４２とｎ本の容量線２４３とを有する。ｎおよびｍはそれぞれ２以上の整数である。ｎ本の走査線２４１とｍ本の信号線２４２との各交差に対応してトランジスター２４が配置される。各トランジスター２４は、例えばスイッチング素子として機能するＴＦＴである。各トランジスター２４は、ゲート、ソースおよびドレインを含む。

ｎ本の走査線２４１のそれぞれはＸ１方向に延在し、ｎ本の走査線２４１はＹ２方向に等間隔で並ぶ。ｎ本の走査線２４１のそれぞれは、対応する複数のトランジスター２４のゲートに電気的に接続される。ｎ本の走査線２４１は、図１に示す走査線駆動回路１１に電気的に接続される。１～ｎ本の走査線２４１には、走査線駆動回路１１から走査信号Ｇ１、Ｇ２、…、およびＧｎが線順次で供給される。

図３に示すｍ本の信号線２４２のそれぞれはＹ２方向に延在し、ｍ本の信号線２４２はＸ１方向に等間隔で並ぶ。ｍ本の信号線２４２のそれぞれは、対応する複数のトランジスター２４のソースに電気的に接続される。ｍ本の信号線２４２は、図１に示す信号線駆動回路１２に電気的に接続される。１～ｍ本の信号線２４２には、信号線駆動回路１２から画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、およびＳｍが並行に供給される。

図３に示すｎ本の走査線２４１とｍ本の信号線２４２とは、互いに電気的に絶縁されており、平面視で格子状に配置される。隣り合う２つの走査線２４１と隣り合う２つの信号線２４２とで囲まれる領域が画素Ｐに対応する。各画素電極２３は、対応するトランジスター２４のドレインに電気的に接続される。

ｎ本の容量線２４３のそれぞれはＸ１方向に延在し、ｎ本の容量線２４３はＹ２方向に等間隔で並ぶ。また、ｎ本の容量線２４３は、ｍ本の信号線２４２およびｎ本の走査線２４１に対して電気的に絶縁されており、これらに対して間隔をもって配置される。各容量線２４３には、グランド電位等の固定電位が印加される。ｎ本の容量線２４３のそれぞれは、対応する複数の蓄積容量２４４に電気的に接続される。各蓄積容量２４４は、画素電極２３の電位を保持するための容量素子である。なお、複数の蓄積容量２４４は、複数の画素電極２３に１対１で電気的に接続される。複数の蓄積容量２４４は、複数のトランジスター２４のドレインに１対１で電気的に接続される。

走査信号Ｇ１、Ｇ２、…、およびＧｎが順次アクティブとなり、ｎ本の走査線２４１が順次選択されると、選択される走査線２４１に接続されるトランジスター２４がオン状態となる。すると、ｍ本の信号線２４２を介して表示すべき階調に応じた大きさの画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、およびＳｍが、選択される走査線２４１に対応する画素Ｐに取り込まれ、画素電極２３に印加される。これにより、画素電極２３と図２に共通電極３５との間に形成される液晶容量に、表示すべき階調に応じた電圧が印加され、印加される電圧に応じて液晶分子５０の配向が変化する。また、蓄積容量２４４によって、印加される電圧が保持される。このような液晶分子５０の配向の変化によって光が変調され階調表示が可能となる。

１Ａｃ．液晶装置１００の具体的な構成
図４は、図２の液晶装置１００の一部を拡大した図である。図４に示すように、液晶装置１００は、素子基板２、対向基板３および液晶層５に加え、複数のスペーサー６を有する。

１Ａｃ－１．素子基板２
図４に示すように、素子基板２は、前述のように、第１基板２０、複数の画素電極２３および第１配向膜２５を有する。第１基板２０は、第１基体２１、積層体２２、遮光部２４０および前述のトランジスター２４を有する。遮光部２４０は、前述の図３に示す各種配線等を含む。第１基体２１、積層体２２、複数の画素電極２３および第１配向膜２５は、この順にＺ１方向に積層される。

第１基体２１は、透光性および絶縁性を有する平板である。第１基体２１は、例えば、ガラス板または石英板である。積層体２２は、透光性および絶縁性を有する。積層体２２は、複数の層間絶縁膜２２１、２２２、２２３、２２４および２２５を有する。層間絶縁膜２２１、２２２、２２３、２２４および２２５は、第１基体２１から複数の画素電極２３に向けてこの順に積層される。積層体２２の各層の材料は、例えば、酸窒化ケイ素および酸化ケイ素等の無機材料である。

複数のトランジスター２４および遮光部２４０は、積層体２２の層間に配置される。なお、図４ではトランジスター２４および遮光部２４０は模式的に図示される。

複数のトランジスター２４は、断面視で遮光部２４０が有する配線等の間に配置される。トランジスター２４は、例えば、ＬＤＤ（Lightly Doped Drain）構造を有する半導体層と、ゲート絶縁層と、ゲート電極とを有する。

遮光部２４０は、図３に示す各種配線等を含む遮光性の膜の集合体である。遮光部２４０は、各種配線またはトランジスター２４に接続される各種電極を含む。図４では、信号線２４２が代表して図示される。また、図４では、当該各種電極の例として、トランジスター２４のドレインに電気的に接続される中継電極２４５が図示される。また、遮光部２４０は、トランジスター２４への光の入射を防ぐため、複数の遮光膜２４７を有する。

遮光部２４０が有する配線等は、例えば、タングステン（Ｗ）、チタン（Ｔｉ）、クロム（Ｃｒ）、鉄（Ｆｅ）およびアルミニウム（Ａｌ）等の金属、金属シリサイド、または金属化合物を用いて形成される。

また、図示はしないが、第１基板２０は、例えば、積層体２２の画素電極２３側の面に配置され、ＢＳＧ（borosilicate glass）等のガラスを含む層を有してもよい。

複数の画素電極２３は、第１基板２０と液晶層５との間に配置される。本実施形態では、画素電極２３は、透光性および導電性を有する。画素電極２３は、例えば、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）、ＩＺＯ（Indium Zinc Oxide）およびＦＴＯ（Fluorine-doped tin oxide）等の透明導電材料を含む。

第１配向膜２５は、透光性および絶縁性を有する。第１配向膜２５は、液晶層５の液晶分子５０を配向させる。第１配向膜２５は、複数の画素電極２３を覆うように配置される。また、第１配向膜２５は、スペーサー６の一部を覆う。第１配向膜２５の材料としては、例えば酸化ケイ素等の無機材料が挙げられる。なお、第１配向膜２５については後で詳述する。

図５は、図４の素子基板２の一部を示す平面図である。図５は、図４中のＢ－Ｂ線に対応し、スペーサー６の部分は省略した図である。複数の画素電極２３は、互いに離間し、Ｘ１方向およびＹ２方向に行列状に配置される。複数のトランジスター２４および遮光部２４０は、平面視で複数の画素電極２３の周囲に配置される。遮光部２４０は、平面視で格子状に配置される。

１Ａｃ－２．対向基板３
図４に示すように、対向基板３は、前述のように、第２基板３０、共通電極３５および第２配向膜３６を有する。第２基板３０は、第２基体３１、透光層３２および絶縁層３４を有する。第２基体３１、透光層３２、レンズ層３３、絶縁層３４、共通電極３５および第２配向膜３６は、この順にＺ２方向に積層される。

第２基体３１は、透光性および絶縁性を有する平板である。第２基体３１は、例えば、ガラス板または石英板である。

透光層３２は、透光性および絶縁性を有する。透光層３２は、複数の凹部３２１を有する。透光層３２の材料は、例えば、酸窒化ケイ素および酸化ケイ素等の無機材料である。

レンズ層３３は、透光性および絶縁性を有する。レンズ層３３は、複数のレンズ部３３１を有する。複数のレンズ部３３１は、複数の凹部３２１に１対１で配置される。レンズ部３３１は、絶縁層３４からＺ１方向の突出する凸部である。レンズ部３３１は、レンズ面として機能する湾曲面を有する。当該湾曲面は、凹部３２１が有する凹面に接触する。レンズ層３３の材料は、例えば、酸窒化ケイ素および酸化ケイ素等の無機材料である。

透光層３２の屈折率とレンズ層３３の屈折率とは、互いに異なる。本実施形態では、透光層３２の屈折率はレンズ層３３の屈折率よりも小さい。このため、レンズ部３３１は、第２基体３１から入射した光を集光させる。また、複数のレンズ部３３１は、複数の画素電極２３に１対１で配置される。また、図示はしないが、平面視で、複数のレンズ部３３１の間には、スペーサー６が配置される。かかるレンズ部３３１を有することで、レンズ部３３１を有さない場合に比べ、光の利用効率を高めることができる。よって、明るく、かつ表示品質に優れる液晶装置１００を実現することができる。なお、レンズ層３３および透光層３２は省略してもよい。

絶縁層３４は、透光性および絶縁性を有する。絶縁層３４の材料は、例えば、酸窒化ケイ素および酸化ケイ素等の無機材料である。なお、絶縁層３４は省略してもよい。

共通電極３５は、透光性および導電性を有する。共通電極３５は、例えば、ＩＴＯ、ＩＺＯおよびＦＴＯ等の透明導電材料を含む。

第２配向膜３６は、透光性および絶縁性を有する。第２配向膜３６は、第１配向膜２５とともに液晶層５の液晶分子５０を配向させる。第２配向膜３６は、共通電極３５を覆うように配置される。第２配向膜３６の材料としては、例えば酸化ケイ素等の無機材料が挙げられる。

１Ａｃ－３．スペーサー６
図６は、図４のスペーサー６およびその近傍を示す図である。図６に示すように、複数のスペーサー６は、第１基板２０と第２基板３０との間に配置される。また、複数のスペーサー６は、液晶層５内に配置される。本実施形態では、スペーサー６は、第１基板２０上に配置される。また、スペーサー６は、第１基板２０および画素電極２３に接触する。なお、図６に示す例では、スペーサー６の一部は、第１配向膜２５で覆われるが、スペーサー６上には、第１配向膜２５が配置されていなくてもよい。

各スペーサー６は、柱状の部材である。スペーサー６は、第１基板２０と第２基板３０との間の距離を規定する。すなわち、スペーサー６は、液晶層５の厚さを規定している。スペーサー６を有することで、有さない場合に比べ、第１基板２０と第２基板３０との間の距離の経時的な変化を抑制することができる。

各スペーサー６の断面視での形状は、四角形である。スペーサー６は、第１面６０１と、第２面６０２と、側面６０３とを有する。第１面６０１は、スペーサー６のうち最も第１基板２０の近くに位置する面である。第２面６０２は、スペーサー６のうち最も第２基板３０の近くに位置する面である。側面６０３は、第１面６０１と第２面６０２とを接続する。本実施形態では、側面６０３は、Ｚ１方向に平行である。第１面６０１の幅と第２面６０２の幅は、ほぼ等しい。当該幅は、Ｘ－Ｙ平面における長さである。

なお、図６に示す例では、各スペーサー６の断面視での形状は、ほぼ四角形であるが、当該形状は四角形に限定されない。例えば、当該形状は、例えば台形であってもよい。また、図６に示す例では、各スペーサー６の全体形状は、柱状であるが、当該全体形状は、例えば壁状であってもよい。

図７は、図４に示すスペーサー６の平面図である。なお、図６の断面図は、図７中のＣ－Ｃ線に相当する。図７に示すように、複数のスペーサー６は、平面視で島状に配置される。複数のスペーサー６は、画素ピッチごとに配置される。よって、スペーサー６は、複数の画素電極２３のそれぞれに対応して配置される。例えば、図７中の中央に位置する画素電極２３に対して、当該画素電極２３の右斜め下に位置するスペーサー６が対応する。スペーサー６が画素電極２３ごとに配置されることで、画素Ｐごとに第１基板２０と第２基板３０との間の距離のバラつきを抑制することができる。なお、スペーサー６は、複数の画素Ｐごとに配置されてもよい。

また、各スペーサー６は、平面視で画素電極２３とほぼ重ならない。具体的には、各スペーサー６は、平面視で複数の画素電極２３の間の領域に位置する。かかる位置にスペーサー６を配置することで、スペーサー６が存在することによる開口率の低下を抑制することができる。なお、スペーサー６の一部は、平面視で画素電極２３に重なってもよい。この場合、スペーサー６の画素電極２３と重なる部分の割合は、開口率の低下を防ぐため、好ましくは、スペーサー６の画素電極２３と重ならない部分の割合よりも小さい。

図７に示す例では、各スペーサー６の平面視での形状は、ほぼ円形である。ただし、当該形状は円形に限定されない。当該形状は、例えば四角および六角形等の多角形であってもよい。また、スペーサー６の平面視での形状は、遮光部２４０が有する配線に沿ったライン状でもよい。

スペーサー６は、絶縁性を有する。また、本実施形態では、スペーサー６は透光性を有するが、有さなくてもよい。スペーサー６の材料としては、例えば、二酸化ケイ素等の酸化ケイ素、および酸窒化ケイ素等のケイ素を含む無機材料が挙げられる。スペーサー６の材料が無機材料であることで、スペーサー６が有機材料を含む場合に比べ、スペーサー６の寸法精度を特に高めることができ、かつ経時的な寸法変化を特に生じ難くすることができる。よって、長期にわたって、素子基板２と対向基板３との間の距離の安定化を図ることができる。また、スペーサー６の材料が無機材料であることで、有機材料または金属材料の成分が液晶層５に侵入することによる液晶層５の劣化が抑制される。このため、有機成分または金属成分が液晶層５に混入することによって不具合が発生するおそれを抑制することができる。それゆえ、液晶装置１００の長寿命化を図ることができる。

なお、スペーサー６は、有機材料または金属材料を含んでもよい。また、スペーサー６は、１層で構成されもよいし、複数層で構成されてもよい。ただし、１層で構成されることで、複数層で構成される場合に比べ、スペーサー６の製造が容易である。

１Ａｄ．第１配向膜２５
図６に示すように、第１配向膜２５は、複数の画素電極２３上に配置される。本実施形態では、第１配向膜２５は、スペーサー６の一部を覆う。具体的には、第１配向膜２５は、スペーサー６の第２面６０２および側面６０３の一部を覆う。また、第１配向膜２５は、第１蒸着膜２５１と第２蒸着膜２５２とを有する。第１蒸着膜２５１と第２蒸着膜２５２は、後述するように、素子基板２または対向基板３の基板表面に蒸着物質ＰＯを入射させて蒸着することにより形成される。本実施形態では、基板表面に垂直な方向すなわち法線方向に平行な方向に蒸着物質ＰＯを入射さる垂直蒸着と、基板表面に垂直な方向である法線方向から斜向した方向に蒸着物質ＰＯを入射さる斜方蒸着とを用いる。第１蒸着膜２５１は「蒸着膜」の例示である。

第２蒸着膜２５２は、第１蒸着膜２５１と複数の画素電極２３との間に配置され、これらに接触する。また、第２蒸着膜２５２は、スペーサー６の第２面６０２上にも蒸着される。第２蒸着膜２５２は、垂直蒸着により成膜された垂直蒸着膜である。垂直蒸着では、蒸着物質ＰＯの入射方向は、被蒸着物の表面に対して垂直であり、法線に平行である。本実施の形態では、蒸着物質ＰＯの入射角度である蒸着角度は、法線に平行な方向に対して略０°である。垂直蒸着膜は、スペーサー６の側面６０３には蒸着され難いが、スペーサー６の影となる領域が発生し難い。本実施の形態では、垂直蒸着において、画素電極２３ではスペーサー６の影となる領域が発生しないので、第１蒸着膜２５１は、画素電極２３を均一に覆って蒸着される。

第１蒸着膜２５１は、第２蒸着膜２５２と液晶層５との間に配置され、これらに接触する。また、第１蒸着膜２５１は、スペーサー６の側面６０３の一部および第２面６０２上にも蒸着される。第１蒸着膜２５１は、斜方蒸着により成膜された斜方蒸着膜である。斜方蒸着では、被蒸着物ＰＯの入射方向は、被蒸着物の表面に対して傾斜する方向であり、基板表面の法線方向から傾斜した方向である。本実施形態では、蒸着物質ＰＯの入射角度である蒸着角度は、法線に平行な方向に対して０°より大きく４５°未満である。斜方蒸着膜は、スペーサー６の側面６０３の一部にも蒸着されるが、スペーサー６の影となる領域が発生する。本実施の形態では、斜方蒸着において、画素電極２３ではスペーサー６の影となる領域が発生し、第２蒸着膜２５２は、画素スペーサー６近傍の画素電極２３を均一に覆うことが難しい。

第１蒸着膜２５１は、蒸着角度を段階的に変化させながら形成される。本実施形態では、第１蒸着膜２５１は、蒸着角度を４段階に変化させながら形成される。よって、第１蒸着膜２５１は、４層で構成される。具体的には、第１蒸着膜２５１は、複数の膜２５１１、２５１２、２５１３および２５１４を有する。複数の膜２５１１、２５１２、２５１３および２５１４は、第２蒸着膜２５２からこの順に積層される。蒸着角度は、膜２５１１、２５１２、２５１３および２５１４の順に大きくなる。

蒸着角度が段階的に変化することで、各膜とスペーサー６との間の距離が変わる。これは、斜方蒸着の際に、スペーサー６の影になる面積が変わるためである。例えば、図６に示す矢印Ａ０方向から入射角度を変えながら蒸着物質ＰＯが入射する場合、図７中のスペーサー６の左側に位置する第２蒸着膜２５２の一部は、スペーサー６の影となる。この結果、図７中のスペーサー６の左側に位置する第２蒸着膜２５２の一部には、第１蒸着膜２５１が形成されない。

また、入射角度が大きくなるほど、スペーサー６の影になる面積が大きくなる。蒸着角度は、前述のように、膜２５１１、２５１２、２５１３および２５１４の順に大きくなる。よって、膜２５１１、２５１２、２５１３および２５１４は、この順にスペーサー６との間の距離が大きくなる。このため、膜２５１１、２５１２、２５１３および２５１４の各端の位置は、この順にスペーサー６から遠い。なお、第２蒸着膜２５２は、垂直蒸着であるため、第２蒸着膜２５２の端は、スペーサー６に接触する。

入射角度に応じてスペーサー６の影になる面積が変わるため、膜２５１１の一部は、膜２５１２で覆われておらず、液晶層５に接触する。膜２５１２の一部は、膜２５１３で覆われておらず、液晶層５に接触する。なお、膜２５１４は、液晶層５に接触する。また、第２蒸着膜２５２の一部は、第１蒸着膜２５１で覆われていない部分２５２１を有する。部分２５２１は、液晶層５に接触する。

また、第１蒸着膜２５１は、蒸着角度を段階的に変化させながら形成されるため、膜厚が一定の厚さである第１領域Ａ２１と、段階的に厚さが変化する第２領域Ａ２２とを有する。第１領域Ａ２１は、画像表示に最も関与する領域である。第１領域Ａ２１は、膜２５１１、２５１２、２５１３および２５１４を有する。第１領域Ａ２１の平均厚さＤ１は、ほぼ一定である。例えば、膜２５１１、２５１２、２５１３および２５１４の膜厚は、各々１０ｎｍ程度であり、第１領域Ａ２１の平均厚さＤ１は、４０ｎｍである。

第２領域Ａ２２は、膜２５１４が存在しない領域である。図６および図７に示すように、第２領域Ａ２２では、スペーサー６から、当該スペーサー６に対応する画素電極２３の中心に向かって段階的に厚さが増加する。第２領域Ａ２２の平均厚さＤ２は、第１領域Ａ２１の平均厚さＤ１よりも小さい。例えば、膜２５１１、２５１２および２５１３の膜厚は、各々１０ｎｍ程度であり、第２領域Ａ２２の平均厚さＤ２は、３０ｎｍである。また、図７に示すように、第２領域Ａ２２は、平面視で第１領域Ａ２１とスペーサー６との間に位置する。より具体的には、第２領域Ａ２２は、平面視で、第１領域Ａ２１と部分２５２１との間に位置する。なお、部分２５２１は、平面視で、第２領域Ａ２２とスペーサー６との間に位置する。

図８は、図６に示す第１配向膜２５を拡大した模式図である。図８中の「Ａ１」は、素子基板２３に対する法線を示し、Ｚ軸と平行である。図８に示すように、第２蒸着膜２５２は、複数の第２カラム２５２０を有する。第２カラム２５２０は、画素電極２３の表面に対する法線Ａ１に沿った柱状の結晶である。第２カラム２５２０は、蒸着物質の分子間の相互作用による分子の凝集により形成される。

第１蒸着膜２５１は、複数の第１カラム２５１０を有する。第１カラム２５１０は「カラム」の例示である。第１カラム２５１０は、法線Ａ１に対して傾斜する。第１カラム２５１０は、第２カラム２５２０と同様に、蒸着物質ＰＯの分子間の相互作用による分子の凝集により形成される柱状の結晶である。

第１蒸着膜２５１が蒸着角度を段階的に変化させながら形成されるため、膜２５１１、２５１２、２５１３および２５１４が有する各第１カラム２５１０の法線Ａ１に対する傾斜角度は、互いに異なる。具体的には、蒸着角度が膜２５１１、２５１２、２５１３および２５１４の順位大きくなるため、膜２５１１、２５１２、２５１３および２５１４のそれぞれが有する第１カラム２５１０の傾斜角度は、この順に大きくなる。よって、図６および図７に示す第２領域Ａ２２では、第１カラム２５１０の法線Ａ１に対する傾斜角度は、スペーサー６から画素電極２３の中心に向かって大きくなる。また、第１領域Ａ２１に存在する第１カラム２５１０の傾斜角度は、第２領域Ａ２２に存在する第１カラム２５１０の傾斜角度よりも大きい。なお、傾斜角度は、第１カラム２５１０の長軸と法線Ａ１とのなす角度である。

ここで、液晶層５が有する液晶分子５０のプレチルト角は、第１カラム２５１０および第２カラム２５２０に応じて変化する。具体的には、第２領域Ａ２２において、液晶分子５０のプレチルト角は、スペーサー６から画素電極２３の中心に向かって段階的に大きくなる。

また、図６に示すように、液晶層５は、第１部分５１と第２部分５２と第３部分５３とを有する。第１部分５１は、第１領域Ａ２１に対応する。具体的には、第１部分５１は、平面視で第１領域Ａ２１に重なる。第２部分５２は、第２領域Ａ２２に対応する。具体的には、第２部分５２は、平面視で第２領域Ａ２２に重なる。第３部分５３は、第２蒸着膜２５２の部分２５２１に対応する。具体的には、第３部分５３は、平面視で第２蒸着膜２５２の部分２５２１に重なる。第１部分５１に存在する液晶分子５０のプレチルト角は、第２部分５２に存在する液晶分子５０のプレチルト角よりも大きい。第２部分５２に存在する液晶分子５０のプレチルト角は、第３部分５３に存在する液晶分子５０のプレチルト角よりも大きい。

以上説明した第１配向膜２５が有する第１蒸着膜２５１は、前述のように、蒸着角度を変化させながら形成される。このため、第１蒸着膜２５１は、第１領域Ａ２１と、第１領域Ａ２１の膜厚よりも小さい膜厚を有する第２領域Ａ２２とを有する。また、第２領域Ａ２２の平均厚さＤ２は、第１領域Ａ２１の平均厚さＤ１よりも小さい。よって、第２領域Ａ２２が存在しない場合に比べ、斜方蒸着で形成された第１蒸着膜２５１が存在する箇所と第１蒸着膜２５１が存在しない箇所との間で、液晶分子５０の配向が不連続になることが抑制される。この結果、第１蒸着膜２５１が存在しない箇所での光漏れが目立つことが抑制される。すなわち、第２領域Ａ２２が存在することで、第２領域Ａ２２が存在しない場合に比べ、液晶分子５０の配向角度が連続的になるため、第１蒸着膜２５１が存在しない箇所での光漏れが目立つことを抑制することができる。よって、画像不良が目立つことが抑制されるので、表示品質の低下を抑制することができる。

また、前述のように、液晶層５は、第１領域Ａ２１に対応する第１部分５１と、第２領域Ａ２２に対応する第２部分５２とを有する。そして、第１領域Ａ２１における第１カラム２５１０の傾斜角度が第２領域Ａ２２における第１カラム２５１０の傾斜角度よりも大きいため、第１部分５１のプレチルト角は、第２部分５２のプレチルト角よりも大きい。このため、第２部分５２が存在しない場合に比べ、液晶分子５０の配向が不連続になることが抑制される。よって、第１蒸着膜２５１が存在しない箇所での光漏れが目立つことを抑制することができる。

なお、第１カラム２５１０の傾斜角度の具体的な値は特に限定されず、液晶分子５０のプレチルト角に応じて設定される。例えば、第１領域Ａ２１は画像表示に最も関与する領域であるため、膜２５１４における第１カラム２５１０の傾斜角度は表示特性に応じて設定される。一方、膜２５１１、２５１２および２５１３における第１カラム２５１０の傾斜角度は、第１蒸着膜２５１が存在する箇所と第１蒸着膜２５１が存在しない箇所との間で液晶分子５０の配向が不連続になることを抑制するよう、膜２５１４における第１カラム２５１０の傾斜角度よりも小さく設定される。

図９は、参考例の第１配向膜２５ｘを示す図である。図９の第１配向膜２５ｘが有する第１蒸着膜２５１ｘの厚さは一定である。なお、図示はしないが、第１蒸着膜２５１ｘが有する第１カラム２５１０の傾斜角度は、図８に示す膜２５１４の傾斜角度と等しい。図９に示す例では、第２領域Ａ２２に相当する箇所が存在しない。すなわち、第１蒸着膜２５１ｘの厚さは一定であり、第１蒸着膜２５１ｘは厚さの異なる２つの領域を有していない。このため、第１蒸着膜２５１ｘが存在する箇所と第１蒸着膜２５１ｘが存在しない箇所との間で、液晶分子５０の配向が不連続になってしまう。よって、画像不良が目立つ。

また、前述のように、本実施形態では、図６に示す第１蒸着膜２５１は、複数の膜２５１１、２５１２、２５１３、および２５１４を有する。複数の膜２５１１、２５１２、２５１３および２５１４の法線Ａ１に対する第１カラム２５１０の傾斜角度は、互いに異なる。具体的には、傾斜角度は、スペーサー６から遠ざかるほど大きくなる。このため、第１蒸着膜２５１が存在しない箇所での光漏れが目立つことを抑制することができる。

なお、第１蒸着膜２５１は、第１カラム２５１０の傾斜角度が異なる少なくとも２つの膜を有すればよいが、第１蒸着膜２５１が有する膜の数は、３以上であることが好ましいい。これにより、液晶分子５０の配向角度がより連続的になるため、第１蒸着膜２５１が存在しない箇所での光漏れが目立つことを抑制することができる。

また、前述のように、第１配向膜２５は、第２カラム２５２０を含む第２蒸着膜２５２を有する。第２蒸着膜２５２は、平面視で第１蒸着膜２５１に重ならずに第２領域Ａ２２とスペーサー６との間に位置する部分２５２１を有する。部分２５２１を有する第２蒸着膜２５２が設けられることで、画素電極２３が液晶層５に露出することが防止される。このため、画素電極２３に含まれる成分の影響により液晶層５が劣化するおそれを回避することができる。よって、第２蒸着膜２５２が設けられることで、設けられていない場合に比べ、表示品質を高めることができる。

１Ａｅ．液晶装置１００の製造方法
図１０は、第１実施形態に係る液晶装置１００の製造方法の流れを示す図である。図１０では、液晶装置１００の製造工程のうち、主に、素子基板２およびスペーサー６の製造方法が示される。なお、液晶装置１００のうち素子基板２およびスペーサー６以外の構造は、例えば公知の方法により製造される。

図１０に示すように、素子基板２およびスペーサー６の製造方法は、第１基板用意工程Ｓ１１と、画素電極形成工程Ｓ１２と、スペーサー形成工程Ｓ１３と、第１配向膜形成工程Ｓ１４とを有する。第１基板用意工程Ｓ１１では、第１基板２０が形成される。第１基板２０は、例えば公知の方法により製造される。

図１１は、画素電極形成工程Ｓ１２およびスペーサー形成工程Ｓ１３を説明するための図であり、図６に対応する断面図である。画素電極形成工程Ｓ１２は、複数の画素電極２３が形成される。具体的には、例えば、透明電極材料からなる層がＣＶＤ（chemical vapor deposition）法等の蒸着法により第１基板２０上に形成された後、当該層がマスクを用いてパターニングされる。これにより、図１１に示す複数の画素電極２３が形成される。

スペーサー形成工程Ｓ１３では、複数のスペーサー６が形成される。具体的には、例えば、積層体２２上に無機材料からなる層がＣＶＤ法等の蒸着法により第１基板２０上に形成された後、当該層がマスクを用いてパターニングされる。これにより、図１１に示すスペーサー６が形成される。

図１２は、第１配向膜形成工程Ｓ１４を説明するための図である。第１配向膜形成工程Ｓ１４では、図１２に示すように、画素電極２３およびスペーサー６上に例えばＰＶＤ（Physical Vapor Deposition）法等の蒸着法により第１配向膜２５が形成される。ＰＶＤ法としては、電子ビーム式および抵抗加熱式等のイオンビームを用いない真空蒸着法、スパッタリング法、ならびにイオンプレーティング法が挙げられる。また、第１配向膜２５の形成では、垂直蒸着により第１蒸着膜２５１が形成され、その後、斜方蒸着により第２蒸着膜２５２が形成される。

図１３は、第１配向膜形成工程Ｓ１４における蒸着について説明するための図である。図１３に示すように、垂直蒸着および斜方蒸着は、連続的に行われる。また、斜方蒸着では、法線Ａ１に対して傾斜する方向から第１基板２０に対して蒸着物質Ｐ０を入射させる。具体的には、法線Ａ１を基準として０°から４５°未満の所定の角度まで、蒸着角度を経時的に変化させる。より具体的には、０°から４５°未満の所定の角度まで蒸着角度が経時的に大きくなるように蒸着角度を変化させる。なお、蒸着角度は、法線Ａ１に対する蒸着物質Ｐ０の入射角度である。また、当該所定の角度は、０°を超え４５°未満であれば特に限定されず、例えば目的とするプレチルト角に応じて設定される。

また、本実施形態では、所定時間ごとに蒸着角度が大きくなるよう第１基板２０を蒸着物質Ｐ０の入射方向に対して段階的に回転させながら、第１基板２０に対して蒸着物質Ｐ０を入射させる。また、本実施形態では、蒸着角度は４段階に変化する。蒸着角度を段階的に変化させながら斜方蒸着が行われることにより、図１２に示すように、膜２５１１、２５１２、２５１３および２５１４の４つの膜を有する第１蒸着膜２５１が形成される。

以上により、素子基板２およびスペーサー６が形成される。前述のように、第１配向膜２５の製造における斜方蒸着では、画素電極２３の表面に対する法線Ａ１を基準として０°から４５°未満の所定の角度まで蒸着角度が経時的に大きくなるように蒸着角度を変化させる。このため、前述のように、平均厚さＤ１を有する第１領域Ａ２１と、平均厚さＤ１よりも小さい平均厚さＤ２を有する第２領域Ａ２２とが形成される。

また、実施形態では、蒸着角度を段階的に変化させる。このため、第１カラム２５１０の傾斜角度が異なる複数の膜２５１１、２５１２、２５１３および２５１４が形成される。そして、膜２５１１、２５１２および２５１３の各一部が露出する。このため、第２領域Ａ２２では、第１カラム２５１０の傾斜角度がスペーサー６から画素電極２３の中心に向かって連続的に大きくなる。この結果、液晶分子５０の配向角度が連続的に変化するため、第１蒸着膜２５１が存在しない箇所での光漏れが目立つことを抑制することができる。

また、前述の第１配向膜２５の製造における斜方蒸着は、スペーサー６に対して一方向から行われる。よって、斜方蒸着は、スペーサー６に対して一方向、および当該一方向とは反対方向から行われない。すなわち、図１２に示すように、矢印Ａ０方向から蒸着物質は入射するが、矢印Ａ９方向から蒸着物質は入射しない。このため、第１配向膜２５の製造における斜方蒸着は、複数回行われない。よって、第１配向膜２５の製造時間の短縮化を図ることができる。

１Ｂ．第２実施形態
第２実施形態を説明する。なお、以下の各例示において機能が第１実施形態と同様である要素については、第１実施形態の説明で使用した符号を流用して各々の詳細な説明を適宜に省略する。

図１４は、第２実施形態における第１配向膜２５Ａを示す断面図である。本実施形態の第１配向膜２５Ａは、第１蒸着膜２５１の代わりに第１蒸着膜２５１Ａを有する。以下では、第１蒸着膜２５１Ａについて、第１実施形態の第１蒸着膜２５１と異なる事項を説明し、同様の事項の説明は適宜省略する。

図１４に示す第１蒸着膜２５１Ａは、蒸着角度を漸次的に変化させながら形成される。より具体的には、第１蒸着膜２５１Ａは、０°から４５°未満の所定の角度まで蒸着角度が経時的に大きくなるように蒸着角度を変化させながら形成される。第１蒸着膜２５１Ａは、厚さが一定である第１領域Ａ２１と、漸次的に厚さが変化する第２領域Ａ２２Ａとを有する。第２領域Ａ２２Ａでは、スペーサー６から、当該スペーサー６に対応する画素電極２３の中心に向かって漸次的に厚さが増加する。第２領域Ａ２２Ａでは、第１カラム２５１０の傾斜角度は、スペーサー６から画素電極２３の中心に向かって漸次的に大きくなる。よって、液晶層５の第２部分５２では、液晶分子５０のプレチルト角は、スペーサー６から画素電極２３の中心に向かって漸次的に大きくなる。

本実施形態においても、第１実施形態と同様に、第１配向膜２５Ａの第１蒸着膜２５１Ａは、蒸着角度を変化させながら形成される。このため、第１蒸着膜２５１Ａは、平均厚さＤ１を有する第１領域Ａ２１と、平均厚さＤ１よりも小さい平均厚さＤ２を有する第２領域Ａ２２とを有する。よって、第２領域Ａ２２が存在しない場合に比べ、斜方蒸着で形成された第１蒸着膜２５１Ａが存在する箇所と第１蒸着膜２５１Ａが存在しない箇所との間で、液晶分子５０の配向が不連続になることが抑制される。この結果、第１蒸着膜２５１Ａが存在しない箇所での光漏れが目立つことが抑制される。すなわち、第２領域Ａ２２Ａが存在することで、第２領域Ａ２２Ａが存在しない場合に比べ、液晶分子５０の配向角度が連続的になるため、第１蒸着膜２５１Ａが存在しない箇所での光漏れが目立つことを抑制することができる。よって、画像不良が目立つことが抑制されるので、表示品質の低下を抑制することができる。

また、前述のように、第１蒸着膜２５１Ａは、蒸着角度を漸次的に変化させながら形成される。このため、法線Ａ１に対する第１カラム２５１０の傾斜角度は、漸次的に変化する。よって、第１実施形態に比べ、液晶分子５０の配向角度がさらに連続的になるため、第１蒸着膜２５１Ａが存在しない箇所での光漏れが目立つことをより抑制することができる。

２．変形例
以上に例示した実施形態は多様に変形され得る。前述の実施形態に適用され得る具体的な変形の態様を以下に例示する。以下の例示から任意に選択された２以上の態様は、相互に矛盾しない範囲で適宜に併合され得る。以下の第１実施形態に関する変形例は、矛盾しない範囲で他の実施形態に適合され得る。

前述の各実施形態では、素子基板２がスペーサー６を有するが、対向基板３がスペーサー６を有してもよい。

図１５は、変形例の液晶装置１００の一部を示す断面図である。図１５に示す例では、対向基板３が、スペーサー６を有する。スペーサー６は、共通電極３５と第２配向膜３６との間に配置され、これらに接触する。この場合、第２配向膜３６が「配向膜」に相当し、共通電極３５が「電極」に相当する。よって、この場合、第２配向膜３６は、０°から４５°未満の所定の角度まで蒸着角度が経時的に大きくなるように蒸着角度を変化させながら形成された蒸着膜を有する。また、この場合、第２配向膜３６は、第１領域と、当該第１領域の平均厚さよりも小さい平均厚さを有する第２領域とを有する。

前述の各実施形態では、トランジスター２４は、ＴＦＴであったが、例えば、ＭＯＳＦＥＴ（metal-oxide-semiconductor field-effect transistor）であってもよい。

前述の各実施形態では、アクティブマトリクス方式の液晶装置１００が例示されるが、これに限定されず、液晶装置１００の駆動方式は、例えば、パッシブマトリクス方式等でもよい。

「液晶装置」の駆動方式は、縦電界方式に限定されず、横電界方式でもよい。第１実施形態では、素子基板２に画素電極２３が設けられ、対向基板３に共通電極３５が設けられているが、素子基板２または対向基板３のいずれか一方のみに、液晶層５に電界を印加するための電極が設けられてもよい。なお、横電界方式としては、例えばＩＰＳ（In Plane Switching）モードが挙げられる。また、縦電界方式としては、ＴＮ（Twisted Nematic）モード、ＶＡ（Virtical Alignment）、ＰＶＡモードおよびＯＣＢ（Optically Compensated Bend）モードが挙げられる。

３．電子機器
液晶装置１００は、各種電子機器に用いることができる。

図１６は、電子機器の一例であるパーソナルコンピューター２０００を示す斜視図である。パーソナルコンピューター２０００は、各種の画像を表示する液晶装置１００と、電源スイッチ２００１およびキーボード２００２が設置される本体部２０１０と、制御部２００３と、を有する。制御部２００３は、例えばプロセッサーおよびメモリーを含み、液晶装置１００の動作を制御する。

図１７は、電子機器の一例であるスマートフォン３０００を示す平面図である。スマートフォン３０００は、操作ボタン３００１と、各種の画像を表示する液晶装置１００と、制御部３００２と、を有する。操作ボタン３００１の操作に応じて液晶装置１００に表示される画面内容が変更される。制御部３００２は、例えばプロセッサーおよびメモリーを含み、液晶装置１００の動作を制御する。

図１８は、電子機器の一例であるプロジェクターを示す模式図である。投射型表示装置４０００は、例えば、３板式のプロジェクターである。液晶装置１ｒは、赤色の表示色に対応する液晶装置１００であり、液晶装置１ｇは、緑の表示色に対応する液晶装置１００であり、液晶装置１ｂは、青色の表示色に対応する液晶装置１００である。すなわち、投射型表示装置４０００は、赤、緑および青の表示色に各々対応する３個の液晶装置１ｒ、１ｇ、１ｂを有する。制御部４００５は、例えばプロセッサーおよびメモリーを含み、液晶装置１００の動作を制御する。

照明光学系４００１は、光源である照明装置４００２からの出射光のうち赤色成分ｒを液晶装置１ｒに供給し、緑色成分ｇを液晶装置１ｇに供給し、青色成分ｂを液晶装置１ｂに供給する。各液晶装置１ｒ、１ｇ、１ｂは、照明光学系４００１から供給される各単色光を表示画像に応じて変調するライトバルブ等の光変調器として機能する。投射光学系４００３は、各液晶装置１ｒ、１ｇ、１ｂからの出射光を合成して投射面４００４に投射する。

以上の電子機器は、前述の液晶装置１００と、制御部２００３、３００２または４００５と、を備える。液晶装置１００は光漏れが目立つことが抑制されるため、いわゆる黒浮きが目立つことが低減されている。したがって、液晶装置１００を備えることで、パーソナルコンピューター２０００、スマートフォン３０００または投射型表示装置４０００の表示品質を高めることができる。

なお、本発明の液晶装置が適用される電子機器としては、例示した機器に限定されず、例えば、ＰＤＡ（Personal Digital Assistants）、デジタルスチルカメラ、テレビ、ビデオカメラ、カーナビゲーション装置、車載用の表示器、電子手帳、電子ペーパー、電卓、ワードプロセッサー、ワークステーション、テレビ電話、およびＰＯＳ（Point of sale）端末等が挙げられる。さらに、本発明が適用される電子機器としては、プリンター、スキャナー、複写機、ビデオプレーヤー、またはタッチパネルを備えた機器等が挙げられる。

以上、好適な実施形態に基づいて本発明を説明したが、本発明は前述の実施形態に限定されない。また、本発明の各部の構成は、前述の実施形態の同様の機能を発揮する任意の構成に置換でき、また、任意の構成を付加できる。

また、前述した説明では、本発明の液晶装置の一例として液晶表示装置について説明したが、本発明の液晶装置はこれに限定されない。例えば、本発明の液晶装置は、イメージセンサー等にも適用することができる。

２…素子基板、３…対向基板、４…シール部材、５…液晶層、６…スペーサー、１１…走査線駆動回路、１２…信号線駆動回路、１３…外部端子、２０…第１基板、２１…第１基体、２２…積層体、２３…画素電極、２４…トランジスター、２５…第１配向膜、３０…第２基板、３１…第２基体、３２…透光層、３３…レンズ層、３４…絶縁層、３５…共通電極、３６…第２配向膜、５０…液晶分子、５１…第１部分、５２…第２部分、５３…第３部分、１００…液晶装置、２４０…遮光部、２４１…走査線、２４２…信号線、２４３…容量線、２４４…蓄積容量、２４５…中継電極、２４７…遮光膜、２５１…第１蒸着膜、２５２…第２蒸着膜、６０１…第１面、６０２…第２面、６０３…側面、２５１０…第１カラム、２５１２…膜、２５１３…膜、２５１４…膜、２５２０…第２カラム、２５２１…部分、Ａ１…法線、Ａ１０…表示領域、Ａ２０…周辺領域、Ａ２１…第１領域、Ａ２２…第２領域、Ｄ１…平均厚さ、Ｄ２…平均厚さ、Ｐ…画素。

Claims (4)

1. 第１基板と、
   第２基板と、
   前記第１基板と前記第２基板との間に配置され、液晶分子を含む液晶層と、
   前記第１基板または前記第２基板と前記液晶層との間に配置され、前記液晶層に電界を
   印加する電極と、
   前記第１基板と前記第２基板との間の距離を規定し、前記電極の対角方向における２つ
   の角部にそれぞれ対応して配置された第１スペーサー及び第２スペーサーと、
   前記電極と前記液晶層との間に配置され、前記電極の表面に対する法線に沿って延びる
   柱状のカラムを含む垂直蒸着膜と、該垂直蒸着膜上に、前記法線に対して傾斜して延びる
   柱状のカラムを含む斜方蒸着膜と、を有する無機配向膜と、を備え、
   前記垂直蒸着膜は、平面視で前記第１スペーサーと隣接する領域において前記斜方蒸着
   膜から露出するように配置され、
   前記斜方蒸着膜は、前記第２スペーサーの上面及び側面を覆うとともに前記電極を覆う
   ように形成された第１領域と、平面視で前記垂直蒸着膜が露出する領域と前記第１領域と
   の間において、前記液晶層側のカラムの前記法線に対する傾斜角度が、前記垂直蒸着膜が
   露出する領域から前記電極の中心に向かって大きくなるように形成された第２領域と、を
   有し、
   前記第１領域における前記液晶層側のカラムの前記法線に対する傾斜角度は、前記第２
   領域における前記液晶層側のカラムの前記法線に対する傾斜角度よりも大きいことを特徴
   とする液晶装置。
2. 前記斜方蒸着膜は、前記垂直蒸着膜側から、第１膜と、該第１膜に含まれるカラムより
   も前記法線に対する傾斜角度が大きいカラムを含む第２膜と、該第２膜に含まれるカラム
   よりも前記法線に対する傾斜角度が大きいカラムを含む第３膜と、該第３膜に含まれるカ
   ラムよりも前記法線に対する傾斜角度が大きいカラムを含む第４膜と、を有し、
   前記第２領域において、前記第１膜は、前記垂直蒸着膜が露出する領域よりも前記電極
   の中心側の領域において前記第２膜から露出し、前記第２膜は、前記第１膜の露出する領
   域よりも前記電極の中心側の領域において前記第３膜から露出し、前記第３膜は、前記第
   ２膜の露出する領域よりも前記電極の中心側の領域において前記第４膜から露出している
   請求項１に記載の液晶装置。
3. 前記液晶層は、前記第１領域に対応する第１部分と、前記第２領域に対応する第２部分
   とを有し、
   前記第１部分のプレチルト角は、前記第２部分のプレチルト角よりも大きい請求項１に
   記載の液晶装置。
4. 請求項１から３のいずれか１項に記載の液晶装置と、
   前記液晶装置の動作を制御する制御部と、を有することを特徴とする電子機器。

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