JP2007322652A - アクティブマトリクス基板、液晶表示装置及びアクティブマトリクス基板の製造方法 - Google Patents
アクティブマトリクス基板、液晶表示装置及びアクティブマトリクス基板の製造方法 Download PDFInfo
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Abstract
【解決手段】アクティブマトリクス基板において、画素電極30の上には複数層31、33からなる斜方蒸着膜を形成し、層31の蒸着角度は、層33の蒸着角度よりも垂直に近い角度であり、かつ斜方蒸着の方向は同じである。画素電極間のアクティブマトリクス基板面上の斜方蒸着膜は複数の層が段差状に設けることができるが、蒸着角度制御により表面が傾斜するように形成されるようにしてもよい。
【選択図】図2
Description
(発明の目的)
本発明の目的は、コントラストが高く、応答速度が速い液晶を用いて、配向ムラが生じない液晶表示装置を実現することにある。
前記液晶変調用電極上及び前記液晶変調用電極間に斜方蒸着膜を有し、
少なくとも前記液晶変調用電極間の斜方蒸着膜は複数層で構成されており、アクティブマトリクス基板の積層方向について前記液晶変調用電極に最も近い層の蒸着角度は前記液晶のプレチルトを生じさせ且つ前記液晶変調用電極から最も遠い層の蒸着角度よりも小さくなるような角度とし、前記複数層の斜方蒸着方向が略同じ方向であることを特徴とする。
前記液晶変調用電極上及び前記液晶変調用電極間に斜方蒸着膜を有し、
少なくとも前記液晶変調用電極間の斜方蒸着膜は複数層で構成されており、該複数層のうちの二層において、アクティブマトリクス基板面に対して下に配置された層の蒸着角度は前記液晶のプレチルトを生じさせ且つ上に配置された層の蒸着角度よりも小さくなるような角度とし、前記複数層の斜方蒸着方向が略同じ方向であることを特徴とする。
前記液晶変調用電極上及び前記液晶変調用電極間に斜方蒸着膜を有し、
少なくとも前記液晶変調用電極間の斜方蒸着膜は蒸着角度制御により表面が傾斜するように形成されていることを特徴とする。
基板に前記液晶変調用電極を形成した後に斜方蒸着膜を形成するときに、蒸着角度を前記液晶のプレチルトを生じさせる第一の角度として斜方蒸着を行い、ついで斜方蒸着方向が略同じ方向で、蒸着角度を前記第一の角度より大きくして斜方蒸着を行うことを特徴とする。
基板に前記液晶変調用電極を形成した後に斜方蒸着膜を形成するときに、蒸着角度を前記液晶のプレチルトを生じさせる所定の角度に設定して斜方蒸着を行い、蒸着角度を前記所定の角度より連続的又は断続的に大きくして斜方蒸着を行うことを特徴とする。
本発明の実施形態を図1に基づいて詳細に説明する。
[実施形態2]
本発明の第2の実施形態を図8に基づいて詳細に説明する。
[実施形態3]
本発明の第3の実施形態を詳細に説明する。
1-(H/L)tan(X))≧0.4
すなわち、tan(X)≦0.6L/H
を満たすことが求められる。角度Xがある値以上の場合、画素電極の厚さHを薄くし、幅Lをおおきくすることが求められる。しかし、幅Lが大きいと開口率が低下し、画素電極の厚さHを薄くすると反射率の低下が生じるため、画素サイズが小さくなるにつれて、輝度との両立が難しくなってくる。その場合、本実施形態のように、斜方蒸着層を3層以上の多層構造にして、少しずつ画素間にプレチルトの異なる斜方蒸着層を堆積することで、配向ムラを抑制することができる。本実施形態では、仮に斜方蒸着膜の最上層の画素電極間の保護層40上を覆う領域が少なくても、下層で液晶のプレチルトが形成され配向ムラを抑制することができる。
3-6 画素部のスイッチングトランジスタ
7-10 液晶
11-14 保持容量
15,16 駆動線
17 水平のシフトレジスタ
18 垂直のシフトレジスタ
19 ビデオ線
20,21 サンプリングスイッチ
30、501 反射電極
31、33、50,51,52、60、503 斜方蒸着膜(斜方蒸着層)
32 画素間の溝部で配向膜が堆積している領域
34 画素間の溝部で配向膜が堆積していない領域
35、36、500 斜方蒸着時の角度
37、504 液晶
38、507 配向膜
39、506 ITO
40 保護膜
101 ランプ
102 リフレクター
103 ロッドインテグレーター
104 コリメーターレンズ
105 偏光変換
106 リレーレンズ
107 ダイクロイックミラー
108 偏光ビームスプリッター
109 クロスプリズム
110 液晶パネル
111 投影レンズ
112 全反射ミラー
502 画素の間のへこみ部分
505 ガラス
Claims (15)
- 負の誘電異方性を有する液晶を用いた液晶表示装置に用いられ、液晶変調用電極がマトリクス状に複数個配されたアクティブマトリクス基板において、
前記液晶変調用電極上及び前記液晶変調用電極間に斜方蒸着膜を有し、
少なくとも前記液晶変調用電極間の斜方蒸着膜は複数層で構成されており、アクティブマトリクス基板の積層方向について前記液晶変調用電極に最も近い層の蒸着角度は前記液晶のプレチルトを生じさせ且つ前記液晶変調用電極から最も遠い層の蒸着角度よりも小さくなるような角度とし、前記複数層の斜方蒸着方向が略同じ方向であることを特徴とするアクティブマトリクス基板。 - 負の誘電異方性を有する液晶を用いた液晶表示装置に用いられ、液晶変調用電極がマトリクス状に複数個配されたアクティブマトリクス基板において、
前記液晶変調用電極上及び前記液晶変調用電極間に斜方蒸着膜を有し、
少なくとも前記液晶変調用電極間の斜方蒸着膜は複数層で構成されており、該複数層のうちの二層において、アクティブマトリクス基板面に対して下に配置された層の蒸着角度は前記液晶のプレチルトを生じさせ且つ上に配置された層の蒸着角度よりも小さくなるような角度とし、前記複数層の斜方蒸着方向が略同じ方向であることを特徴とするアクティブマトリクス基板。 - 負の誘電異方性を有する液晶を用いた液晶表示装置に用いられ、液晶変調用電極がマトリクス状に複数個配されたアクティブマトリクス基板において、
前記液晶変調用電極上及び前記液晶変調用電極間に斜方蒸着膜を有し、
少なくとも前記液晶変調用電極間の斜方蒸着膜は蒸着角度制御により表面が傾斜するように形成されていることを特徴とするアクティブマトリクス基板。 - 前記液晶変調用電極と前記斜方蒸着膜との間に20nm以下の絶縁膜を有することを特徴とする請求項1から3のいずれか1項に記載のアクティブマトリクス基板。
- 前記絶縁膜がシリコン酸化膜であることを特徴とする請求項4に記載のアクティブマトリクス基板。
- 前記液晶変調用電極は光反射導電性材料からなることを特徴とする請求項1から5のいずれか1項に記載のアクティブマトリクス基板。
- 前記斜方蒸着膜は前記液晶変調用電極間の領域のうち、40%以上100%未満の領域に堆積されていることを特徴とする請求項1から6のいずれか1項に記載のアクティブマトリクス基板。
- 前記アクティブマトリクス基板としてシリコン基板を用いたことを特徴とする請求項1から7のいずれか1項に記載のアクティブマトリクス基板。
- 前記液晶変調用電極間の複数層からなる前記斜方蒸着膜は、前記液晶変調用電極に最も近い層から最も遠い層へと、蒸着角度が大きくなるように積層されていることを特徴とする請求項1又は2に記載のアクティブマトリクス基板。
- 請求項1から9のいずれか1項に記載のアクティブマトリクス基板と、透明電極を有する光透過性基板とを、負の誘電異方性を有する液晶で挟んで貼り合せた液晶表示装置。
- 請求項10に記載の液晶表示装置は反射型液晶表示装置であることを特徴とする液晶表示装置。
- 負の誘電異方性を有する液晶を用いた液晶表示装置に用いられ、液晶変調用電極がマトリクス状に複数個配されたアクティブマトリクス基板の製造方法において、
基板に前記液晶変調用電極を形成した後に斜方蒸着膜を形成するときに、蒸着角度を前記液晶のプレチルトを生じさせる第一の角度として斜方蒸着を行い、ついで斜方蒸着方向が略同じ方向で、蒸着角度を前記第一の角度より大きくして斜方蒸着を行うことを特徴とするアクティブマトリクス基板の製造方法。 - 負の誘電異方性を有する液晶を用いた液晶表示装置に用いられ、液晶変調用電極がマトリクス状に複数個配されたアクティブマトリクス基板の製造方法において、
基板に前記液晶変調用電極を形成した後に斜方蒸着膜を形成するときに、蒸着角度を前記液晶のプレチルトを生じさせる所定の角度に設定して斜方蒸着を行い、蒸着角度を前記所定の角度より連続的又は断続的に大きくして斜方蒸着を行うことを特徴とするアクティブマトリクス基板の製造方法。 - 請求項10又は11に記載の液晶表示装置を1個以上使用した液晶プロジェクター装置。
- 請求項14に記載の液晶プロジェクター装置と、該液晶プロジェクター装置からの画像光を背面に投射するスクリーンとを備えたリアプロジェクション装置。
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Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5454062A (en) * | 1977-10-06 | 1979-04-27 | Seiko Instr & Electronics Ltd | Liquid crystal display device |
JPS5688113A (en) * | 1979-12-19 | 1981-07-17 | Citizen Watch Co Ltd | Liquid crystal display device |
JPH0229624A (ja) * | 1988-07-19 | 1990-01-31 | Citizen Watch Co Ltd | 強誘電性液晶素子の配向膜の製造方法 |
JP2005077900A (ja) * | 2003-09-02 | 2005-03-24 | Sony Corp | 反射型液晶表示素子およびその製造方法、ならびに液晶表示装置 |
JP2005274640A (ja) * | 2004-03-23 | 2005-10-06 | Sony Corp | 液晶パネルおよび液晶パネルの製造方法 |
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Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5454062A (en) * | 1977-10-06 | 1979-04-27 | Seiko Instr & Electronics Ltd | Liquid crystal display device |
JPS5688113A (en) * | 1979-12-19 | 1981-07-17 | Citizen Watch Co Ltd | Liquid crystal display device |
JPH0229624A (ja) * | 1988-07-19 | 1990-01-31 | Citizen Watch Co Ltd | 強誘電性液晶素子の配向膜の製造方法 |
JP2005077900A (ja) * | 2003-09-02 | 2005-03-24 | Sony Corp | 反射型液晶表示素子およびその製造方法、ならびに液晶表示装置 |
JP2005274640A (ja) * | 2004-03-23 | 2005-10-06 | Sony Corp | 液晶パネルおよび液晶パネルの製造方法 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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