JP4752499B2 - 反射型液晶表示基板の製造方法及び反射型液晶表示装置の製造方法 - Google Patents
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このような製造方法によって製造された反射型液晶表示基板によれば、遮蔽板によって、隣り合う画素電極間に形成される間隙部の面積を大幅に小さくすることができるため、その間隙部から侵入する光を大幅に減少させることができる。従って、スイッチング素子に侵入するリーク光を低減することができ、光リーク電流の発生を好適に抑制することができる。
このような製造方法によって製造された反射型液晶表示基板によれば、隣り合う画素電極間に形成される間隙部に形成された遮蔽板の上面に積層した反射防止膜によって、入射する光を吸収することができる。これによって、その間隙部から侵入する光を減少させることができる。従って、スイッチング素子に侵入するリーク光を低減することができ、光リーク電流の発生を好適に抑制することができる。
ウム等の金属配線よりなる容量電極用接続線46と電気的に接続されている。なお、容量電極用接続線46は、容量電極44の上方に成膜された前記第1層間絶縁層38に形成された第3コンタクトホールH3内に成膜されている。この拡散容量電極40、絶縁膜42、容量電極44及び容量電極用接続線46によって、一つのMOSFET20に対応した保持容量部Cが形成されている。
まず、図5(a)に示すように、公知の方法により、素子基板2上にMOSFET20と保持容量部Cと分離酸化膜24a,24b.24cとを形成し、これらの上に第1層間絶縁層38、第1導電層(データ線12及び第1中継端子48)、第2層間絶縁層52及び第2導電層(第2中継端子56及び遮光膜60)を順に成膜する。この際、データ線12は第1コンタクトホールH1内のドレイン電極32と電気的に接続され、第1中継端子48は、第2コンタクトホールH2内のソース電極36及び第3コンタクトホールH3内の容量電極用接続線46を介してMOSFET20及び保持容量部Cにそれぞれ電気的に接続される。また、第2中継端子56は第4コンタクトホールH4内の第1接続プラグ54により、第1中継端子48に電気的に接続される。また、第2中継端子56及び遮光膜60間に間隙部58a,58bをリソグラフィにて所定のパターニングと、エッチングと
で形成し、第2中継端子56と遮光膜60とをそれぞれ電気的に分離する。次に、第2中継端子56及び遮光膜60の上面に第3層間絶縁層62を二酸化珪素により成膜し、この第3層間絶縁層62の上面をCMP法(Chemical Mechanical Polishing)等により平坦化する。そして、第3層間絶縁層62に対してリソグラフィにて所定のパターニングを行い、第2中継端子56に到達するまでエッチングを行って第5コンタクトホールH5を形成する。
直方体状のプロジェクタケース81内の前側(図6における左側上側)には、照明光学系82が設けられるとともに、その照明光学系82は、リフレクタ83と、光源ランプ84と、第1レンズアレイ85と、偏光変換素子86とから構成されている。リフレクタ83は、ドーム状又はパラボラ状の反射ミラーであり、そのリフレクタ83内に光源ランプ84が設けられている。光源ランプ84は、高圧水銀ランプであり、放射状の白色光を出射し、その光がリフレクタ83で反射して平行光として、光源ランプ84よりも反Y矢印方向側に設けた第1レンズアレイ85に出射される。なお、本実施形態では光源ランプ84を高圧水銀ランプとしたが、これに限らず、例えばハロゲンランプ、メタルハライドランプや超高圧水銀ランプに変更してもよい。あるいは発光ダイオードからなるLED光源に変更してもよい。
印方向に反射して、ビームスプリッタ87よりも反X矢印方向側に設けた第1ダイクロイックミラー88に出射する。
(1)本実施形態によれば、隣り合う画素電極P間の間隙に、画素電極Pの外周を囲うように格子状のガードリングGRを設けた。このガードリングGRによって、従来における間隙部115の間隔に比べて本実施形態における間隙部70の間隔が大幅に狭くなるため、その間隙部70から素子基板2内に侵入する入射光Lを大幅に低減することができる。従って、その間隙部70から侵入する入射光Lによって生じる光リーク電流を好適に抑制することができる。
、ガードリングGRによって隣り合う画素電極Pによって形成される間隙部70を狭く形成することができる。従って、製造工程数を増加させずに簡便に光リーク電流を好適に抑制することができる。
・上記実施形態では、ガードリングGRを正方形状に形成された画素電極Pの外周を囲うように格子状に形成した。これに限らず、例えば図7に示すように、第1方向としてのX方向に延設される第1間隙部95aと、第2方向としてのY方向に延設される第2間隙部95bとが交差する位置にのみガードリングGR2を設けるようにしてもよい。また、そのガードリングGR2の形状は、四角形に特に限定されない。
・上記実施形態では、ドレインD(ドレイン電極32)にデータ線12を、ソースS(ソース電極36)に各中継端子48,56及び各接続プラグ54,64を介して画素電極Pを接続するようにしたが、このドレインDとソースSとを入れ替えてもよい。すなわち
、ソースS(ソース電極36)にデータ線12を、ドレインD(ドレイン電極32)に各中継端子48,56及び各接続プラグ54,64を介して画素電極Pを接続してもよい。
in Film Diode)等で構成するようにしてもよい。
(参考例)
・図8に示すように、遮光膜60の間隙部58a,58bにガードリングGR3を形成するようにしてもよい。
・ガードリングGRを光遮蔽性を有する絶縁体で形成するようにしてもよい。この場合、ガードリングGRと画素電極P間の間隙部70を形成する必要はない。すなわち、画素電極PとガードリングGRとを密着形成してもよい。
Claims (5)
- 基板上に光反射性を有する複数の画素電極がマトリックス状に形成され、前記各画素電極には、スイッチング素子が電気的に接続されて、前記スイッチング素子から電圧が印加されるように構成した反射型液晶表示基板の製造方法において、
複数の前記スイッチング素子が形成された基板に絶縁層を積層する工程と、
前記絶縁層を貫通して前記複数のスイッチング素子の各々に電気的に接続されるプラグを前記絶縁層に形成する工程と、
前記複数のプラグの各々に電気的に接続される金属膜を前記絶縁層に積層する工程と、
前記金属膜の表面に塗布したフォトレジストに対してフォトリソグラフィにてエッチングマスクを形成することによってパターニングするとともに、該エッチングマスクを用いて前記金属膜をエッチングすることによって、前記複数のスイッチング素子の各々に接続される前記複数の画素電極と、隣り合う前記画素電極間の隙間にて前記基板に入射する光を遮蔽させるための遮蔽板とを互いに離れるように同じ材料から同時に形成する工程と
を含む反射型液晶表示基板の製造方法。 - 前記画素電極と前記遮蔽板とを形成する工程では、前記遮蔽板が前記画素電極を囲うように前記金属膜をエッチングする
請求項1に記載の反射型液晶表示基板の製造方法。 - 前記画素電極と前記遮蔽板とを形成する工程では、隣り合う前記画素電極によって形成される第1方向に延設される第1間隙部と、隣り合う前記画素電極によって形成される第2方向に延設される第2間隙部とが交差する位置に前記遮蔽板を形成する
請求項1に記載の反射型液晶表示基板の製造方法。 - 前記遮蔽板に反射防止膜を積層する工程をさらに含む
請求項1〜3のいずれか一項に記載の反射型液晶表示基板の製造方法。 - 請求項1〜4のいずれか一項に記載の反射型液晶表示基板と、前記画素電極に対向する共通電極が形成された対向基板との間に液晶を封入して、前記反射型液晶表示基板と前記対向基板とを貼り合わす
ことを特徴とする反射型液晶表示装置の製造方法。
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