JP3056855B2 - 反射型液晶パネル - Google Patents
反射型液晶パネルInfo
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は入射光を反射して表示す
る反射型液晶パネルに関する。
る反射型液晶パネルに関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、反射型液晶パネルは、図２に示す
ようにアレイ基板１上に画素に対応して多数の反射電極
２のアレイ形成し、透明対向基板１１上に透明電極１２
を形成し、これら電極を対面させてこれら電極間に液晶
層１４を挟持させ封止した構造を有している。液晶層へ
の印加電界は透明電極１２と反射電極２との間の電位差
に比例することから、画素電極となる反射電極２ａに、
輝度信号に対応した電位を与える回路が反射電極下に形
成されている。一般には回路に薄膜トランジスタTFT を
駆動素子３として使用する。図２では逆スタガ型ａ−Ｓ
ｉ TFTを示すが、ｐ−Ｓｉ TFTも用いられる。また、他
の例として基板にＳｉ基板を用いてトランジスタ回路を
形成することもある。
ようにアレイ基板１上に画素に対応して多数の反射電極
２のアレイ形成し、透明対向基板１１上に透明電極１２
を形成し、これら電極を対面させてこれら電極間に液晶
層１４を挟持させ封止した構造を有している。液晶層へ
の印加電界は透明電極１２と反射電極２との間の電位差
に比例することから、画素電極となる反射電極２ａに、
輝度信号に対応した電位を与える回路が反射電極下に形
成されている。一般には回路に薄膜トランジスタTFT を
駆動素子３として使用する。図２では逆スタガ型ａ−Ｓ
ｉ TFTを示すが、ｐ−Ｓｉ TFTも用いられる。また、他
の例として基板にＳｉ基板を用いてトランジスタ回路を
形成することもある。
【０００３】反射電極２としては、反射率の高い金属が
使用され、加工性の点でアルミニウムが適している。
使用され、加工性の点でアルミニウムが適している。
【０００４】透明対向基板を経て入射した光は液晶層を
通過し、反射電極で反射された後、再び液晶層を通過し
て透明対向基板１１を透過して出射する。このとき、反
射電極間の間隙部分９ａは各画素相互の絶縁を保つため
に従来はアルミニウム膜をエッチングしている。
通過し、反射電極で反射された後、再び液晶層を通過し
て透明対向基板１１を透過して出射する。このとき、反
射電極間の間隙部分９ａは各画素相互の絶縁を保つため
に従来はアルミニウム膜をエッチングしている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、入射し
た光の一部がこの間隙部分９ａから漏れ込み、トランジ
スタ部分に達する。この光がトランジスタ活性層４に入
射すると、トランジスタの漏洩電流を増大するため、動
作上必要な漏洩電流の限界を越えることがあり、所望の
表示ができないことがある。
た光の一部がこの間隙部分９ａから漏れ込み、トランジ
スタ部分に達する。この光がトランジスタ活性層４に入
射すると、トランジスタの漏洩電流を増大するため、動
作上必要な漏洩電流の限界を越えることがあり、所望の
表示ができないことがある。
【０００６】そのため、この間隙部分に対応する透明基
板１１部分にブラックマトリクス１３を形成して、入射
光Ｌｉが間隙部分に達するのを防ぐようにしているが、
液晶層１４の厚みが５μｍ程度あるため、液晶層での散
乱光や拡散光が間隙部分を通過する。このブラックマト
リクスの面積を増大しても完全な光遮蔽はできず、ま
た、一方、これにより実効表示部の面積が大幅に減少し
てしまう。
板１１部分にブラックマトリクス１３を形成して、入射
光Ｌｉが間隙部分に達するのを防ぐようにしているが、
液晶層１４の厚みが５μｍ程度あるため、液晶層での散
乱光や拡散光が間隙部分を通過する。このブラックマト
リクスの面積を増大しても完全な光遮蔽はできず、ま
た、一方、これにより実効表示部の面積が大幅に減少し
てしまう。
【０００７】本発明の目的は、このような不都合を解消
することにある。
することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明は、透明な第１の
基板面に配置された透明電極と、この透明電極に対向し
前記第２の基板面に配列されて、それぞれ駆動素子を有
する複数の反射電極と、透明電極と反射電極間に配置さ
れた液晶層とからなる反射型液晶パネルにおいて、反射
電極はアルミニウムを主成分とする薄膜により形成さ
れ、各反射電極間にアルミニウム陽極酸化領域が介在し
てなる反射型液晶パネルにある。
基板面に配置された透明電極と、この透明電極に対向し
前記第２の基板面に配列されて、それぞれ駆動素子を有
する複数の反射電極と、透明電極と反射電極間に配置さ
れた液晶層とからなる反射型液晶パネルにおいて、反射
電極はアルミニウムを主成分とする薄膜により形成さ
れ、各反射電極間にアルミニウム陽極酸化領域が介在し
てなる反射型液晶パネルにある。
【０００９】
【作用】本発明によれば、アルミニウム反射電極間を陽
極酸化領域で埋める構造であるので、入射光がこの陽極
酸化領域で遮蔽されて反射電極下の駆動素子に達するこ
とがなく、不所望な動作をすることがない。
極酸化領域で埋める構造であるので、入射光がこの陽極
酸化領域で遮蔽されて反射電極下の駆動素子に達するこ
とがなく、不所望な動作をすることがない。
【００１０】
【実施例】本発明の実施例を図１により説明する。
【００１１】図１は駆動素子として逆スタガ型ａ−Ｓｉ
TFTを用いた反射型液晶パネルを示すもので、アレイ基
板１上に逆スタガ型ａ−Ｓｉ TFT３をマトリクス状に配
置する。TFT ３はゲート電極３ａ、ゲート絶縁膜３ｂ、
ゲート電極３ａに対応して設けられたアモルファスＳｉ
半導体膜４、絶縁膜５およびソース、ドレイン用ｎ´Ｓ
ｉ膜６を順次、積層して構成される。ソース、ドレイン
用ｎ´Ｓｉ膜６の一方には金属配線膜７が接続され、こ
の金属配線膜７と TFT３を絶縁膜８で被覆する。絶縁膜
８の一部を開口して、他方のソース、ドレイン用ｎ´Ｓ
ｉ膜６を露出し、絶縁膜８上にアルミニウム薄膜２を蒸
着する。アルミニウム薄膜は絶縁膜８の開口を通じて他
方のソース、ドレイン用ｎ´Ｓｉ膜６に接続される。
TFTを用いた反射型液晶パネルを示すもので、アレイ基
板１上に逆スタガ型ａ−Ｓｉ TFT３をマトリクス状に配
置する。TFT ３はゲート電極３ａ、ゲート絶縁膜３ｂ、
ゲート電極３ａに対応して設けられたアモルファスＳｉ
半導体膜４、絶縁膜５およびソース、ドレイン用ｎ´Ｓ
ｉ膜６を順次、積層して構成される。ソース、ドレイン
用ｎ´Ｓｉ膜６の一方には金属配線膜７が接続され、こ
の金属配線膜７と TFT３を絶縁膜８で被覆する。絶縁膜
８の一部を開口して、他方のソース、ドレイン用ｎ´Ｓ
ｉ膜６を露出し、絶縁膜８上にアルミニウム薄膜２を蒸
着する。アルミニウム薄膜は絶縁膜８の開口を通じて他
方のソース、ドレイン用ｎ´Ｓｉ膜６に接続される。
【００１２】さて、本実施例では、アルミニウム薄膜２
を陽極酸化領域１０で仕切っており、各TFT ３ごとに電
気的に絶縁された反射電極２ａのアレイが形成される。
陽極酸化領域１０はアルミニウム薄膜を陽極酸化法によ
って酸化アルミニウムに変成させる。これはアルミニウ
ム薄膜２を形成した後、画素を形成する反射電極２ａと
なる部分の表面にレジストをフォトリソグラフィ法にて
形成し、アルミニウム薄膜を陽極として酸化液に浸液す
ることにより得られる。これにより、アルミニウム薄膜
は画素電極として絶縁分割されアレイ状に分布する。
を陽極酸化領域１０で仕切っており、各TFT ３ごとに電
気的に絶縁された反射電極２ａのアレイが形成される。
陽極酸化領域１０はアルミニウム薄膜を陽極酸化法によ
って酸化アルミニウムに変成させる。これはアルミニウ
ム薄膜２を形成した後、画素を形成する反射電極２ａと
なる部分の表面にレジストをフォトリソグラフィ法にて
形成し、アルミニウム薄膜を陽極として酸化液に浸液す
ることにより得られる。これにより、アルミニウム薄膜
は画素電極として絶縁分割されアレイ状に分布する。
【００１３】このレジストに代わり誘電膜やポリイミド
などのパッシベーション膜を用いると、陽極酸化後のレ
ジスト膜の剥離処理を省略することができるので製造を
簡単にすることができる。また、酸化液にあらかじめ顔
料を混合し陽極酸化と同時に酸化膜内に色素をいれて黒
色処理をすることも有効である。
などのパッシベーション膜を用いると、陽極酸化後のレ
ジスト膜の剥離処理を省略することができるので製造を
簡単にすることができる。また、酸化液にあらかじめ顔
料を混合し陽極酸化と同時に酸化膜内に色素をいれて黒
色処理をすることも有効である。
【００１４】陽極酸化膜１０は反射電極２ａを相互に絶
縁するとともに、入射光が電極下に漏洩して、TFT の漏
洩電流の増大を防止する。６４０×４００画素の液晶表
示では画素表示時間を各画素ごとに約１６mSec保持する
ことが必要であるが、オフ時の漏洩電流は１ｐＡ以下が
要求され、本実施例ではこの制限を十分に満足すること
ができる。
縁するとともに、入射光が電極下に漏洩して、TFT の漏
洩電流の増大を防止する。６４０×４００画素の液晶表
示では画素表示時間を各画素ごとに約１６mSec保持する
ことが必要であるが、オフ時の漏洩電流は１ｐＡ以下が
要求され、本実施例ではこの制限を十分に満足すること
ができる。
【００１５】この反射電極２ａに対面して透明対抗基板
１１上に形成したＩＴＯなどの透明電極１２を配置す
る。これら電極２ａ、１２間を約５μｍの間隔に保持
し、この間に液晶層１４を配置する。
１１上に形成したＩＴＯなどの透明電極１２を配置す
る。これら電極２ａ、１２間を約５μｍの間隔に保持
し、この間に液晶層１４を配置する。
【００１６】液晶層１４は透明電極１２とTFT ３を通じ
て選択的に電圧の供給される反射電極との間で、電位を
受けて入射光を散乱または透過し、その状態が画素ごと
に制御されて、画像表示を行う。
て選択的に電圧の供給される反射電極との間で、電位を
受けて入射光を散乱または透過し、その状態が画素ごと
に制御されて、画像表示を行う。
【００１７】
【発明の効果】以上のように、本発明によれば、画素電
極間の間隙部分が完全に酸化アルミニウムで充填されて
いるので、画素電極下部に光が漏洩することを防止す
る。したがって高い照度の光がパネルに当てられても駆
動素子でトランジスタの電気的特性に変化が生じず、オ
フ状態のトランジスタに漏洩電流が流れることがなく画
素電極の電位を確保し、画面のコントラストの低下を招
くことがない。
極間の間隙部分が完全に酸化アルミニウムで充填されて
いるので、画素電極下部に光が漏洩することを防止す
る。したがって高い照度の光がパネルに当てられても駆
動素子でトランジスタの電気的特性に変化が生じず、オ
フ状態のトランジスタに漏洩電流が流れることがなく画
素電極の電位を確保し、画面のコントラストの低下を招
くことがない。
【００１８】しかも有効な画素電極の面積は、従来のブ
ラックマトリクスによる遮蔽のように画素電極上に被さ
ることがないので、有効表示面積の減少がなく開口率の
低下が防止できる。また、透明対向基板側にブラックマ
トリクを形成する必要がないので対向電極側は透明電極
と配向膜だけを一様に形成できて画素電極との位置合わ
せが不要になり生産性が著しく向上する。
ラックマトリクスによる遮蔽のように画素電極上に被さ
ることがないので、有効表示面積の減少がなく開口率の
低下が防止できる。また、透明対向基板側にブラックマ
トリクを形成する必要がないので対向電極側は透明電極
と配向膜だけを一様に形成できて画素電極との位置合わ
せが不要になり生産性が著しく向上する。
【００１９】さらに陽極酸化部の表面は平滑でないの
で、ここに当たる入射光は表面で乱反射されて散乱する
ので画素電極間の間隙部分での不要反射によるコントラ
スト低下も防止できる。この陽極酸化部を黒色などの光
吸収帯にすれば、ブラックマトリクスの効果が期待でき
る。
で、ここに当たる入射光は表面で乱反射されて散乱する
ので画素電極間の間隙部分での不要反射によるコントラ
スト低下も防止できる。この陽極酸化部を黒色などの光
吸収帯にすれば、ブラックマトリクスの効果が期待でき
る。
【００２０】このように本発明によれば、強度の強い光
を当ててもコントラストの低下がなく、また製造容易で
開口率の高い明るい液晶表示パネルが得られる。
を当ててもコントラストの低下がなく、また製造容易で
開口率の高い明るい液晶表示パネルが得られる。
【図１】本発明の実施例の一部断面図。
【図２】従来の反射型液晶パネルの一部断面図。
１…アレイ基板（第２の基板）、 ２…アルミニウム
薄膜、２ａ…反射電極、３…トランジスタ、３ａ…ゲー
ト電極、 ３ｂ…ゲート絶縁膜、４…ア
モルファスＳｉ半導体膜、６…ソース、ドレイン用ｎ´
Ｓｉ膜、７…金属配線膜、 ８…絶縁
膜、１０…陽極酸化領域、 １１…透明対
向基板、１２…透明電極、 １４…液
晶層
薄膜、２ａ…反射電極、３…トランジスタ、３ａ…ゲー
ト電極、 ３ｂ…ゲート絶縁膜、４…ア
モルファスＳｉ半導体膜、６…ソース、ドレイン用ｎ´
Ｓｉ膜、７…金属配線膜、 ８…絶縁
膜、１０…陽極酸化領域、 １１…透明対
向基板、１２…透明電極、 １４…液
晶層
Claims (1)
- 【請求項１】 透明な第１の基板面に配置された透明電
極と、この透明電極に対向し前記第２の基板面に配列さ
れて、それぞれ駆動素子を有する複数の反射電極と、前
記透明電極と反射電極間に配置された液晶層とからなる
反射型液晶パネルにおいて、前記反射電極はアルミニウ
ムを主成分とする薄膜により形成され、各反射電極間に
アルミニウム陽極酸化領域が介在してなる反射型液晶パ
ネル
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31894791A JP3056855B2 (ja) | 1991-12-03 | 1991-12-03 | 反射型液晶パネル |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31894791A JP3056855B2 (ja) | 1991-12-03 | 1991-12-03 | 反射型液晶パネル |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05158054A JPH05158054A (ja) | 1993-06-25 |
| JP3056855B2 true JP3056855B2 (ja) | 2000-06-26 |
Family
ID=18104769
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP31894791A Expired - Fee Related JP3056855B2 (ja) | 1991-12-03 | 1991-12-03 | 反射型液晶パネル |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3056855B2 (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101331423A (zh) * | 2005-12-14 | 2008-12-24 | 皇家飞利浦电子股份有限公司 | 具有改进的亮度和对比度的反射显示器 |
| JP4752499B2 (ja) * | 2005-12-26 | 2011-08-17 | セイコーエプソン株式会社 | 反射型液晶表示基板の製造方法及び反射型液晶表示装置の製造方法 |
| KR20210034809A (ko) | 2019-09-23 | 2021-03-31 | 엘지디스플레이 주식회사 | 표시장치 및 이의 제조방법 |
| GB2588295B (en) * | 2019-09-23 | 2022-03-30 | Lg Display Co Ltd | Display device and method for manufacturing the same |
-
1991
- 1991-12-03 JP JP31894791A patent/JP3056855B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH05158054A (ja) | 1993-06-25 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |