CN108447872B - 阵列基板及其制作方法和显示装置 - Google Patents

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Abstract

一种阵列基板及其制作方法和显示装置。该阵列基板包括衬底基板；第一金属层，位于衬底基板上；第一绝缘层，位于第一金属层远离衬底基板的一侧；第二金属层，位于第一绝缘层远离衬底基板的一侧；以及第二绝缘层，位于第二金属层远离衬底基板的一侧，阵列基板包括显示区和围绕显示区的周边区，第一金属层在周边区包括多条信号线，第二绝缘层在周边区包括至少一个与多条信号线中至少两条信号线交叠的凹槽，第二金属层在周边区包括金属条，在凹槽与信号线交叠的区域，信号线在衬底基板上正投影落入金属条在衬底基板上的正投影内。该阵列基板可规避绝缘层中形成的凹槽中的金属残留而导致的信号线短路问题，从而可提高产品良率。

Description

阵列基板及其制作方法和显示装置
技术领域
本公开的实施例涉及一种阵列基板及其制作方法和显示装置。
背景技术
随着显示技术的不断发展，低温多晶硅-有源矩阵发光二极管(LTPS-AMOLED)显示装置由于其具有广色域、高对比度、低功耗、轻薄、柔性可弯折等优点成为研究热点，并被视为新一代的显示技术。另一方面，随着智能手机、智能电视的不断发展，窄边框和超窄边框设计成为了市场上的主流和竞争的方向。
通常，低温多晶硅-有源矩阵发光二极管显示装置的背板电路包括多层金属信号线和绝缘层，并且结构较为复杂。
发明内容
本发明实施例提供一种阵列基板及其制作方法和显示装置。该阵列基板通过新型的走线设计，可规避绝缘层中形成的凹槽中的金属残留而导致的信号线短路问题，从而可提高产品良率。
本公开至少一个实施例提供一种阵列基板，其包括：衬底基板；第一金属层，位于所述衬底基板上；第一绝缘层，位于所述第一金属层远离所述衬底基板的一侧；第二金属层，位于所述第一绝缘层远离所述衬底基板的一侧；以及第二绝缘层，位于所述第二金属层远离所述衬底基板的一侧，所述阵列基板包括显示区和围绕所述显示区的周边区，所述第一金属层在所述周边区包括多条信号线，所述第二绝缘层在所述周边区包括至少一个与所述多条信号线中至少两条信号线交叠的凹槽，所述第二金属层在所述周边区包括金属条，在所述凹槽与所述信号线交叠的区域，所述信号线在所述衬底基板上的正投影落入所述金属条在所述衬底基板上的正投影内。
例如，在本公开一实施例提供的阵列基板中，所述金属条包括多个金属条，所述多个金属条与所述多条信号线一一对应设置，在所述凹槽与所述信号线交叠的区域，各所述信号线在所述衬底基板上的正投影落入对应设置的所述金属条在所述衬底基板上的正投影内。
例如，在本公开一实施例提供的阵列基板中，在所述凹槽与所述信号线交叠的区域，各所述金属条的宽度大于各所述信号线的宽度。
例如，在本公开一实施例提供的阵列基板中，所述多条信号线延伸至所述显示区。
例如，在本公开一实施例提供的阵列基板中，所述第二金属层在所述显示区包括导电图案，各所述金属条与所述导电图案绝缘。
例如，在本公开一实施例提供的阵列基板中，所述第一绝缘层的材料包括无机绝缘材料，所述第二绝缘层的材料包括无机绝缘材料。
例如，在本公开一实施例提供的阵列基板中，所述凹槽在所述周边区没有设置所述金属条的区域沿垂直于所述衬底基板的方向贯穿所述第一绝缘层。
例如，在本公开一实施例提供的阵列基板中，所述第一金属层为第一栅极金属层，所述第二金属层为第二栅极金属层。
例如，在本公开一实施例提供的阵列基板中，所述第二绝缘层包括层间介电层。
例如，本公开一实施例提供的阵列基板还包括：第三金属层，位于所述第二绝缘层远离所述第二金属层的一侧；所述第三金属层在所述周边区包括位于所述凹槽的底角的金属残留。
例如，在本公开一实施例提供的阵列基板中，所述第三金属层在所述显示区包括源极、漏极和源漏信号线中的至少之一。
例如，本公开一实施例提供的阵列基板还包括：钝化层，设置在所述第三金属层远离所述第二绝缘层的一侧；以及像素电极，位于所述显示区且在所述钝化层远离所述第三金属层的一侧。
本公开至少一个实施例提供一种显示装置，包括上述任一项所述的阵列基板。
本公开至少一个实施例提供一种阵列基板的制作方法，其包括：在衬底基板上形成第一金属层；在所述第一金属层远离所述衬底基板的一侧形成第一绝缘层；在所述第一绝缘层远离所述衬底基板的一侧形成第二金属层；在所述第二金属层远离所述衬底基板的一侧形成第二绝缘层；以及刻蚀所述第二绝缘层以形成至少一个凹槽，所述阵列基板包括显示区和围绕所述显示区的周边区，所述第一金属层在所述周边区包括多条信号线，所述凹槽与所述多条信号线中至少两条信号线交叠，所述第二金属层在所述周边区包括金属条，在所述凹槽与所述信号线交叠的区域，所述信号线在所述衬底基板上的正投影落入所述金属条在所述衬底基板上的正投影内。
例如，在本公开一实施例提供的阵列基板的制作方法中，所述金属条包括多个金属条，所述多个金属条与所述多条信号线一一对应设置，在所述凹槽与所述信号线交叠的区域，各所述信号线在所述衬底基板上的正投影落入对应设置的所述金属条在所述衬底基板上的正投影内。
例如，在本公开一实施例提供的阵列基板的制作方法中，在所述凹槽与所述信号线交叠的区域，各所述金属条的宽度大于各所述信号线的宽度。
例如，在本公开一实施例提供的阵列基板的制作方法中，所述第二金属层在所述显示区包括导电图案，各所述金属条与所述导电图案绝缘，所述金属条与所述导电图案通过同一掩模工艺制作。
附图说明
为了更清楚地说明本公开实施例的技术方案，下面将对实施例的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅涉及本公开的一些实施例，而非对本公开的限制。
图1为一种阵列基板的截面示意图；
图2为一种金属残留导致短路的示意图；
图3A-图3F为一种阵列基板的制作方法的分步示意图；
图4A为另一种阵列基板的平面示意图；
图4B为图4A所示的阵列基板中金属残留导致短路的示意图；
图5A和5B为根据本公开一实施例提供的一种阵列基板的截面示意图；
图6为根据本公开一实施例提供的一种阵列基板的平面示意图；以及
图7A-7F为根据本公开一实施例提供的一种阵列基板的制作方法的分步示意图。
具体实施方式
为使本公开实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本公开实施例的附图，对本公开实施例的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例是本公开的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于所描述的本公开的实施例，本领域普通技术人员在无需创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本公开保护的范围。
除非另外定义，本公开使用的技术术语或者科学术语应当为本公开所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本公开中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性，而只是用来区分不同的组成部分。“包括”或者“包含”等类似的词语意指出现该词前面的元件或者物件涵盖出现在该词后面列举的元件或者物件及其等同，而不排除其他元件或者物件。“连接”或者“相连”等类似的词语并非限定于物理的或者机械的连接，而是可以包括电性的连接，不管是直接的还是间接的。
在研究中，本申请的发明人发现：为了防止裂纹向显示区扩散，阵列基板的边缘通常会在层间介电层(Interlayer Dielectric Layer)中形成至少一个凹槽。然而，在制作上述阵列基板的过程中，在已经形成有凹槽的层间介电层的上方进行第三金属层的制备工艺和图案化工艺的时候，凹槽的底角位置出现第三金属层的残留。残留的金属会将不同的金属信号线电连接，从而造成短路，进而使得采用该阵列基板的显示装置出现显示不良。
图1为一种阵列基板的截面示意图。图1仅示出了该阵列基板的周边区域。如图1所示，该阵列基板包括衬底基板01、设置在衬底基板01上的信号线02、设置在信号线02上的第一绝缘层03以及设置在第一绝缘层03上的第二绝缘层04。例如，第二绝缘层04为层间介电层。为了防止裂纹向显示区扩散，该阵列基板的周边区会形成至少一个凹槽30。凹槽30贯穿第一绝缘层03和第二绝缘层04，并暴露出信号线02。然而，在进行后续的第三金属层的制备工艺和图案化工艺的时候，凹槽30的底角位置会出现第三金属层的金属残留40。图2示出了一种金属残留导致短路的示意图。如图2所示，在凹槽30的底角位置的金属残留40会将不同的信号线02电连接，从而造成短路，进而使得采用该阵列基板的显示装置出现显示不良。需要说明的是，上述的信号线02可由第一栅极金属层图案化得到。
为了更清楚地说明上述的金属残留导致的信号线短路问题，图3A-图3F示出了一种阵列基板的制作方法的分步示意图。同样地，图3A-3F仅示出了该阵列基板的周边区域。如图3A所示，在衬底基板01上形成信号线02，信号线02可通过先形成一层金属层，然后通过图案化工艺得到；如图3B所示，在衬底基板01和信号线02上形成第一绝缘层03；如图3C所示，在第一绝缘层03上形成第二绝缘层04，例如，第一绝缘层03和第二绝缘层04都可为无机绝缘层；如图3D所示，刻蚀第二绝缘层04以形成至少一个凹槽30，由于第二绝缘层04和第一绝缘层03均为无机绝缘层，因此在刻蚀第二绝缘层04的过程中，刻蚀液同时将凹槽30所在位置处的第一绝缘层03刻蚀掉，从而暴露出信号线02；如图3E所示，在上述的基板上沉积第三金属层05，此时第三金属层05也沉积在凹槽30中；如图3F所示，刻蚀第三金属层05并去除周边区的第三金属层05；由于第三金属层05也沉积在凹槽30中，在刻蚀第三金属层05的过程中，容易在凹槽30的底角位置形成金属残留40。如图3F所示，在凹槽30的底角位置的金属残留40会将不同的信号线02电连接，从而造成短路，进而使得采用该阵列基板的显示装置出现显示不良。需要说明的是，由于第三金属层不作为信号线时，第三金属层仅在显示区保留有图案，在周边区需要完全去除；另外，在形成第一绝缘层之后，形成第二绝缘层之前，该制作方法还包括形成第二金属层(例如，第二栅极金属层)，第二金属层同样仅在显示区保留有图案，在周边区需要完全去除。
另一方面，如果上述的信号线02通过图案化第三金属层05得到，同样也会产生信号线短路的问题。图4A为另一种阵列基板的平面示意图。图4B为图4A所示的阵列基板中金属残留导致短路的示意图。图4A和4B仅示出了该阵列基板的周边区域。如图4A和4B所示，该阵列基板包括衬底基板01、设置在衬底基板01上的第一绝缘层(未示出)以及设置在第一绝缘层上的第二绝缘层04。例如，第二绝缘层04为层间介电层。为了防止裂纹向显示区扩散，该阵列基板的周边区会形成至少一个凹槽30。凹槽30贯穿第一绝缘层03和第二绝缘层04。在进行后续的第三金属层的制备工艺和图案化第三金属层并形成信号线02的时候，凹槽30的底角位置会出现第三金属层的金属残留40。在凹槽30的底角位置的金属残留40会将不同的信号线02电连接，从而造成短路，进而使得采用该阵列基板的显示装置出现显示不良。
本公开实施例提供一种阵列基板及其制作方法和显示装置。该阵列基板包括衬底基板；第一金属层，位于衬底基板上；第一绝缘层，位于第一金属层远离衬底基板的一侧；第二金属层，位于第一绝缘层远离第一金属层的一侧；以及第二绝缘层，位于第二金属层远离第一绝缘层的一侧，阵列基板包括显示区和围绕显示区的周边区，第一金属层在周边区包括多条信号线，第二绝缘层在周边区包括至少一个与多条信号线中至少两条信号线交叠的凹槽，第二金属层在周边区包括金属条，在凹槽与信号线交叠的区域，信号线在衬底基板上正投影落入金属条在衬底基板上的正投影内。该阵列基板可通过在凹槽所在位置处在信号线上增加孤立的金属条，从而规避绝缘层中形成的凹槽中的金属残留而导致的信号线短路问题，从而可提高产品良率。
下面结合附图对本公开实施例提供的阵列基板及其制作方法和显示装置进行详细的说明。
本公开一实施例提供一种阵列基板。图5A和5B为根据本公开一实施例提供的一种阵列基板的截面示意图。图5A示出了该阵列基板的周边区，图5B示出了该阵列基板的显示区。如图5A和5B所示，该阵列基板包括衬底基板101；位于衬底基板101上的第一金属层110；位于第一金属层110远离衬底基板101的一侧的第一绝缘层103；位于第一绝缘层103远离第一金属层110的一侧的第二金属层120；以及位于第二金属层120远离第一绝缘层103的一侧的第二绝缘层104。阵列基板包括显示区180和围绕显示区180的周边区190，第一金属层110在周边区190包括多条信号线102，第二绝缘层104在周边区190包括至少一个与多条信号线102中至少两条信号线102交叠的凹槽130，也就是说，凹槽130会与至少两条信号线102交叠，第二金属层120在周边区190包括金属条150，在凹槽130与信号线102交叠的区域，金属条150在衬底基板101上的正投影覆盖信号线102在衬底基板101上正投影，也就是说，信号线102在衬底基板101上正投影落入金属条150在衬底基板101上的正投影内。需要说明的是，凹槽130可起到防止裂纹向显示区扩散的作用。
在本公开实施例提供的阵列基板的制作过程中，由于第二绝缘层104在周边区190的凹槽130与多条信号线102中至少两条相邻的信号线102交叠，因此在后续的第三金属层的制备工艺和图案化工艺中也会面临凹槽130中的金属残留140导致信号线102短路的问题。然而，如图5A所示，由于在凹槽130与信号线102交叠的区域，金属条150在衬底基板101上的正投影覆盖信号线102在衬底基板101上正投影，在第二绝缘层104中形成凹槽130的工艺步骤中，金属条150可阻挡刻蚀液刻(针对绝缘层的刻蚀液)蚀刻被金属条150覆盖的第一绝缘层103，也就是说，导线102和金属条150之间的第一绝缘层103不会被刻蚀液刻蚀，得到保留。由此，在凹槽130与信号线102交叠的区域，在后续的第三金属层的制备工艺和图案化工艺中，即使存在金属残留140，金属残留140也只能和金属条150相连，无法与导线102相连，从而可避免金属残留导致的信号线短路问题，进而可提高产品良率。另外，由于金属条150在衬底基板101上的正投影覆盖信号线102在衬底基板101上正投影，在后续的电极(例如，像素电极、阳极等)的制备工艺和图案化工艺中，刻蚀液(针对电极的刻蚀液)最多只会刻蚀掉金属条150，导线102和金属条150之间的第一绝缘层103可避免导线102被刻蚀；因此金属条150还可对信号线102起到保护作用。
例如，衬底基板101可采用玻璃基板、石英基板或塑料基板。
例如，第一金属层110可为第一栅极金属层；第二金属层120可为第三金属层。
例如，在一些示例中，第一绝缘层的材料包括无机绝缘材料，第二绝缘层的材料包括无机绝缘材料。
例如，在一些示例中，第二绝缘层可为层间介电层。
例如，第一绝缘层103和第二绝缘层104的材料可为氮化硅、氧化硅和氮氧化硅中的一种或多种。
例如，在一些示例中，如图5A和5B所示，第二金属层120在显示区180包括导电图案106，各金属条150与导电图案106绝缘。也就是说，金属条150相对于导电图案106是孤立的。由此，当金属残留140也只能和金属条150相连时，无法对导电图案106造成不利影响。另一方面，由于金属条150通过用于形成导电图案106第二金属层120图案化形成，因此，本公开实施例提供的阵列基板在可避免信号线之间发生短路，对金属线起到很好的保护作用的同时，没有增加新的掩模工艺，因此节约了成本。
例如，第一金属层可为第一栅极金属层，第一栅极金属层在显示区可包括第一栅极；第二金属层可为第二栅极金属层；此时，导电图案可为第二栅极。
例如，在一些示例中，如图5A和5B所示，该阵列基板还包括：第三金属层160，位于第二绝缘层104远离第二金属层120的一侧；第三金属层160在周边区190包括位于凹槽的底角的金属残留140。由于第三金属层160不作为信号线时，第三金属层160仅在显示区180保留有图案，在周边区190需要通过图案化工艺完全去除，通常的图案化工艺包括曝光、显影、刻蚀等步骤；由于凹槽130形成第三金属层160在凹槽130的斜边上有爬坡现象，容易导致凹槽130的底角位置的第三金属层160无法被完全去除，形成金属残留140。
例如，在一些示例中，第三金属层160在显示区190包括源极107、漏极108、源漏信号线109中的一个或多个。
例如，在一些示例中，如图5B所示，该阵列基板还包括：设置在衬底基板101上的有源层210以及设置在有源层210和第一金属层110之间的绝缘层220。
例如，在一些示例中，如图5B所示，该阵列基板还包括：钝化层171，设置在源漏金属160远离第二绝缘层104的一侧；以及像素电极172，位于显示区180且在钝化层171远离第三金属层160的一侧。在像素电极172的制备工艺和图案化工艺中，由于金属条150在衬底基板101上的正投影覆盖信号线102在衬底基板101上正投影，刻蚀液(针对像素电极的刻蚀液)最多只会刻蚀掉金属条150，导线102和金属条150之间的第一绝缘层103可避免导线102被刻蚀；因此金属条150还可对信号线102起到保护作用。
例如，在一些示例中，该阵列基板可为有机发光二极管显示装置的阵列基板。此时，像素电极可为阳极。
例如，当该阵列基板可为有机发光二极管显示装置的阵列基板时，如图5B所示，该阵列基板还包括位于像素电极172远离钝化层171的一侧的有机发光层173。
图6为根据本公开一实施例提供的一种阵列基板的平面示意图。图6仅示出了该阵列基板的周边区。如图6所示，金属条150的数量为多个，多个金属条150与多条信号线102一一对应设置。在凹槽130与信号线102交叠的区域，各金属条150在衬底基板101上的正投影覆盖对应设置的信号线102在衬底基板101上正投影，也就是说，各信号线102在衬底基板101上正投影落入对应设置的金属条150在衬底基板101上的正投影内。由此，在第二绝缘层104中形成凹槽130的工艺步骤中，金属条150可阻挡刻蚀液刻(针对绝缘层的刻蚀液)蚀被金属条150覆盖的第一绝缘层103，也就是说，金属条150与对应设置的导线102之间的第一绝缘层103不会被刻蚀液刻蚀，得到保留。由此，在凹槽130与信号线102交叠的区域，在后续的第三金属层的制备工艺和图案化工艺中，即使存在金属残留140，金属残留140也只能和金属条150相连，无法与导线102相连，从而可避免金属残留导致的信号线短路问题，进而可提高产品良率。另外，由于金属条150在衬底基板101上的正投影覆盖对应设置的信号线102在衬底基板101上正投影，在后续的电极(例如，像素电极、阳极等)的制备工艺和图案化工艺中，刻蚀液(针对电极的刻蚀液)最多只会刻蚀掉金属条150，金属条150与对应设置的导线102之间的第一绝缘层103可避免导线102被刻蚀；因此金属条150还可对对应设置的信号线102起到保护作用。
值得注意的是，由于金属条150的数量为多个，且多个金属条150与多条信号线102一一对应设置。该阵列基板不用设置一整块、面积较大的金属条(金属块)去覆盖所有的信号线；一方面可避免一整块、面积较大的金属条(金属块)影响该阵列基板的柔性，另一方面还可避免一整块、面积较大的金属条(金属块)造成的反光问题。
例如，在一些示例中，如图6所示，由于金属条150的数量为多个，多个金属条150与多条信号线102一一对应设置。凹槽130在周边区190没有设置金属条150的区域沿垂直于衬底基板101的方向贯穿第一绝缘层103。从而可在可避免信号线之间发生短路，对金属线起到很好的保护作用的同时，最大限度地起到阻挡第一绝缘层的裂纹向显示区扩散的作用。
例如，在一些示例中，如图6所示，各金属条150的宽度大于信号线102的宽度，从而可更好地保证导线102和金属条150之间的第一绝缘层103不会被刻蚀液刻蚀，得到保留。需要说明的是，上述的宽度是指沿与信号线的延伸方向垂直的方向上的尺寸。
例如，在一些示例中，多条信号线可延伸至显示区。例如，信号线可作为扫描驱动线、源漏信号线、或电源线等。
本公开一实施例还提供一种显示装置，包括上述实施例中任一示例所提供的阵列基板。由于该显示装置包括上述实施例中任一示例所提供的阵列基板，该显示装置具有与其包括的显示面板的技术效果对应的技术效果，即可规避第二绝缘层中形成的凹槽中的金属残留而导致的信号线短路问题，从而可提高产品良率，具体可参见上述实施例的相关描述，在此不再赘述。
例如，该显示装置可为电视、电脑、手机、导航仪、显示仪表等任意具有显示功能的电子设备。
本公开一实施例还提供一种阵列基板的制作方法。该制作方法包括以下步骤：
步骤S301：在衬底基板上形成第一金属层。
步骤S302：在第一金属层远离衬底基板的一侧形成第一绝缘层。
步骤S303：在第一绝缘层远离衬底基板的一侧形成第二金属层。
步骤S304：在第二金属层远离第一绝缘层的一侧形成第二绝缘层。
步骤S305：刻蚀第二绝缘层以形成至少一个凹槽，阵列基板包括显示区和围绕显示区的周边区，第一金属层在周边区包括多条信号线，凹槽与多条信号线中至少两条信号线交叠，第二金属层在周边区包括金属条，在凹槽与信号线交叠的区域，信号线在衬底基板上正投影落入金属条在衬底基板上的正投影内。
在本公开实施例提供的阵列基板的制作方法中，由于第二绝缘层在周边区的凹槽与多条信号线中至少两条相邻的信号线交叠，因此在后续的第三金属层的制备工艺和图案化工艺中也会面临凹槽中的金属残留导致信号线短路的问题。然而，由于在凹槽与信号线交叠的区域，金属条在衬底基板上的正投影覆盖信号线在衬底基板上正投影，在第二绝缘层中形成凹槽的工艺步骤中，金属条可阻挡刻蚀液刻(针对绝缘层的刻蚀液)蚀被金属条覆盖的第一绝缘层，也就是说，导线和金属条之间的第一绝缘层不会被刻蚀液刻蚀，得到保留。由此，在凹槽与信号线交叠的区域，在后续的第三金属层的制备工艺和图案化工艺中，即使存在金属残留，金属残留也只能和金属条相连，无法与导线相连，从而可避免金属残留导致的信号线短路问题，进而可提高产品良率。另外，由于金属条在衬底基板上的正投影覆盖信号线在衬底基板上正投影，在后续的电极(例如，像素电极、阳极等)的制备工艺和图案化工艺中，刻蚀液(针对电极的刻蚀液)最多只会刻蚀掉金属条，导线和金属条之间的第一绝缘层可避免导线被刻蚀；因此金属条还可对信号线起到保护作用。
例如，衬底基板可采用玻璃基板、石英基板或塑料基板。
例如，第一金属层可为第一栅极金属层；第二金属层可为第三金属层。
例如，在一些示例中，第一绝缘层的材料包括无机绝缘材料，第二绝缘层的材料包括无机绝缘材料。
例如，在一些示例中，第二绝缘层可为层间介电层。
例如，第一绝缘层和第二绝缘层的材料可为氮化硅、氧化硅和氮氧化硅中的一种或多种。
图7A-7F为根据本公开一实施例提供的一种阵列基板的制作方法的分步示意图。图7A-7F仅示出了该阵列基板的周边区。如图7A所示，在衬底基板101上形成第一金属层110，第一金属层110在周边区包括多条信号线102。如图7B所示，在第一金属层110远离衬底基板101的一侧形成第一绝缘层103。如图7C所示，在第一绝缘层103远离衬底基板101的一侧形成第二金属层120，第二金属层120在周边区包括金属条150。如图7D所示，在第二金属层120远离第一绝缘层103的一侧形成第二绝缘层104；刻蚀第二绝缘层104以形成至少一个凹槽130，凹槽130与多条信号线102中至少两条相邻的信号线102交叠，在凹槽130与信号线102交叠的区域，金属条150在衬底基板101上的正投影覆盖信号线102在衬底基板101上的正投影。在凹槽130与信号线102交叠的区域，导线102和金属条050之间的第一绝缘层103不会被刻蚀液刻蚀，得到保留。
如图7E所示，在上述的基板上沉积第三金属层160，此时第三金属层160也沉积在凹槽130中；如图7F所示，刻蚀第三金属层160并去除周边区190的第三金属层160；由于第三金属层160也沉积在凹槽30中，在刻蚀第三金属层160的过程中，容易在凹槽130的底角位置形成金属残留140。如图7F所示，在凹槽130与信号线102交叠的区域，即使存在金属残留140，金属残留140也只能和金属条150相连，无法与导线102相连，从而可避免金属残留导致的信号线短路问题，进而可提高产品良率。
例如，在一些示例中，金属条150的数量为多个，多个金属条150与多条信号线102一一对应设置。在凹槽130与信号线102交叠的区域，各金属条150在衬底基板101上的正投影覆盖对应设置的信号线102在衬底基板101上正投影，即各信号线在衬底基板上正投影落入对应设置的金属条在衬底基板上的正投影内。
例如，在一些示例中，如图6所示，各金属条150的宽度大于信号线102的宽度，从而可更好地保证导线102和金属条150之间的第一绝缘层103不会被刻蚀液刻蚀，得到保留。需要说明的是，上述的宽度是指沿与信号线的延伸方向垂直的方向上的尺寸。
例如，在一些示例中，第二金属层在显示区包括导电图案，各金属条与导电图案绝缘，金属条与导电图案通过同一掩模工艺制作。因此，本公开实施例提供的阵列基板的制作方法在可避免信号线之间发生短路，对金属线起到很好的保护作用的同时，没有增加新的掩模工艺，因此节约了成本。
有以下几点需要说明：
(1)本公开实施例附图中，只涉及到与本公开实施例涉及到的结构，其他结构可参考通常设计。
(2)在不冲突的情况下，本公开同一实施例及不同实施例中的特征可以相互组合。
以上，仅为本公开的具体实施方式，但本公开的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本公开揭露的技术范围内，可轻易想到变化或替换，都应涵盖在本公开的保护范围之内。因此，本公开的保护范围应以权利要求的保护范围为准。

Claims (16)

1.一种阵列基板，包括：
衬底基板；
第一金属层，位于所述衬底基板上；
第一绝缘层，位于所述第一金属层远离所述衬底基板的一侧；
第二金属层，位于所述第一绝缘层远离所述衬底基板的一侧；以及
第二绝缘层，位于所述第二金属层远离所述衬底基板的一侧，
其中，所述阵列基板包括显示区和围绕所述显示区的周边区，所述第一金属层在所述周边区包括多条信号线，所述第二绝缘层在所述周边区包括至少一个与所述多条信号线中至少两条信号线交叠的凹槽，所述第二金属层在所述周边区包括金属条，
在所述凹槽与所述信号线交叠的区域，所述信号线在所述衬底基板上的正投影落入所述金属条在所述衬底基板上的正投影内，
所述阵列基板还包括：第三金属层，位于所述第二绝缘层远离所述第二金属层的一侧；
其中，所述第三金属层在所述周边区包括位于所述凹槽的底角的金属残留。
2.根据权利要求1所述的阵列基板，其中，所述金属条包括多个金属条，所述多个金属条与所述多条信号线一一对应设置，在所述凹槽与所述信号线交叠的区域，各所述信号线在所述衬底基板上的正投影落入对应设置的所述金属条在所述衬底基板上的正投影内。
3.根据权利要求1所述的阵列基板，其中，在所述凹槽与所述信号线交叠的区域，各所述金属条的宽度大于各所述信号线的宽度。
4.根据权利要求1所述的阵列基板，其中，所述多条信号线延伸至所述显示区。
5.根据权利要求1所述的阵列基板，其中，所述第二金属层在所述显示区包括导电图案，各所述金属条与所述导电图案绝缘。
6.根据权利要求1-5中任一项所述的阵列基板，其中，所述第一绝缘层的材料包括无机绝缘材料，所述第二绝缘层的材料包括无机绝缘材料。
7.根据权利要求1-5中任一项所述的阵列基板，其中，所述凹槽在所述周边区没有设置所述金属条的区域沿垂直于所述衬底基板的方向贯穿所述第一绝缘层。
8.根据权利要求1-5中任一项所述的阵列基板，其中，所述第一金属层为第一栅极金属层，所述第二金属层为第二栅极金属层。
9.根据权利要求1-5中任一项所述的阵列基板，其中，所述第二绝缘层包括层间介电层。
10.根据权利要求1所述的阵列基板，其中，所述第三金属层在所述显示区包括源极、漏极和源漏信号线中的至少之一。
11.根据权利要求10所述的阵列基板，还包括：
钝化层，设置在所述第三金属层远离所述第二绝缘层的一侧；以及
像素电极，位于所述显示区且在所述钝化层远离所述第三金属层的一侧。
12.一种显示装置，包括根据权利要求1-11中任一项所述的阵列基板。
13.一种阵列基板的制作方法，包括：
在衬底基板上形成第一金属层；
在所述第一金属层远离所述衬底基板的一侧形成第一绝缘层；
在所述第一绝缘层远离所述衬底基板的一侧形成第二金属层；
在所述第二金属层远离所述衬底基板的一侧形成第二绝缘层；以及
刻蚀所述第二绝缘层以形成至少一个凹槽，
其中，所述阵列基板包括显示区和围绕所述显示区的周边区，所述第一金属层在所述周边区包括多条信号线，所述凹槽与所述多条信号线中至少两条信号线交叠，所述第二金属层在所述周边区包括金属条，在所述凹槽与所述信号线交叠的区域，所述信号线在所述衬底基板上的正投影落入所述金属条在所述衬底基板上的正投影内，
所述方法还包括形成第三金属层，第三金属层位于所述第二绝缘层远离所述第二金属层的一侧，其中，所述第三金属层在所述周边区包括位于所述凹槽的底角的金属残留。
14.根据权利要求13所述的阵列基板的制作方法，其中，所述金属条包括多个金属条，所述多个金属条与所述多条信号线一一对应设置，在所述凹槽与所述信号线交叠的区域，各所述信号线在所述衬底基板上的正投影落入对应设置的所述金属条在所述衬底基板上的正投影内。
15.根据权利要求13所述的阵列基板的制作方法，其中，在所述凹槽与所述信号线交叠的区域，各所述金属条的宽度大于各所述信号线的宽度。
16.根据权利要求13所述的阵列基板的制作方法，其中，所述第二金属层在所述显示区包括导电图案，各所述金属条与所述导电图案绝缘，所述金属条与所述导电图案通过同一掩模工艺制作。
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