CN112768498B - 一种显示基板及显示装置 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种显示基板及显示装置，包括具有显示区和位于显示区一侧的绑定区的衬底基板；多个连接端子，位于绑定区内，每个连接端子包括在衬底基板上依次设置的第一电连接结构和第二电连接结构；其中，第一电连接结构用于与显示区延伸出的信号线电连接，第二电连接结构用于与显示基板上的驱动芯片绑定连接；有机绝缘层，位于第一电连接结构所在层和第二电连接结构所在层之间；有机绝缘层在绑定区具有镂空结构，镂空结构完全覆盖全部连接端子、以及各连接端子的间隙；无机保护层，与第一电连接结构背离衬底基板一侧的表面直接接触，且无机保护层设有多个第一接触孔；每个连接端子所含第一电连接结构和第二电连接结构通过一个第一接触孔相连。

Description

一种显示基板及显示装置

技术领域

本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种显示基板及显示装置。

背景技术

有机电致发光(OLED)显示装置是基于有机电致发光二极管的显示屏。其具备自发光、对比度高、厚度薄、视角广、响应速度快、可用于挠曲性面板、使用温度范围广、构造及制程较简单等优异特性，受到了越来越多的关注，应用前景广阔。相关技术中，采用OLED显示模组内嵌触控模组的方式来整合触控功能，以实现OLED显示装置的显示功能和触控功能一体化。

发明内容

有鉴于此，本发明实施例提供一种显示基板及显示装置，用以解决现有技术中驱动芯片脱落的问题。

因此，本发明实施例提供的一种显示基板，包括：

衬底基板，所述衬底基板包括显示区和位于所述显示区一侧的绑定区；

多个连接端子，位于所述绑定区内，每个所述连接端子包括在所述衬底基板上依次设置的第一电连接结构和第二电连接结构；其中，所述第一电连接结构用于与所述显示区延伸出的信号线电连接，所述第二电连接结构用于与所述显示基板上的驱动芯片绑定连接；

有机绝缘层，位于所述第一电连接结构所在层和所述第二电连接结构所在层之间；所述有机绝缘层在所述绑定区具有镂空结构，所述镂空结构完全覆盖全部所述连接端子、以及各所述连接端子的间隙在所述衬底基板上的正投影；

无机保护层，与所述第一电连接结构背离所述衬底基板一侧的表面直接接触，且所述无机保护层设有多个第一接触孔；每个所述连接端子所含所述第一电连接结构和所述第二电连接结构通过一个所述第一接触孔相连。

可选地，在本发明实施例提供的上述显示基板中，还包括：位于所述无机保护层与所述衬底基板之间的第一源漏金属层；

所述第一电连接结构包括位于所述第一源漏金属层的第一子电连接结构。

可选地，在本发明实施例提供的上述显示基板中，还包括：位于所述第一源漏金属层与所述有机绝缘层之间的第一无机绝缘层，所述第一无机绝缘层包括所述无机保护层。

可选地，在本发明实施例提供的上述显示基板中，还包括：位于所述无机保护层与所述衬底基板之间的第一源漏金属层，以及位于所述第一源漏金属层与所述有机绝缘层之间的第二源漏金属层；

所述第一电连接结构包括：位于所述第一源漏金属层的第一子电连接结构，以及位于所述第二源漏金属层的第二子电连接结构；其中，所述第一子电连接结构背离所述衬底基板一侧的表面与所述第二子电连接结构面向所述衬底基板一侧的表面直接接触。

可选地，在本发明实施例提供的上述显示基板中，还包括：位于所述有机绝缘层与所述第二电连接结构所在层之间的阳极；

所述无机保护层与所述阳极同层设置，且所述无机保护层在相邻所述第一电连接结构的间隙处断开设置。

可选地，在本发明实施例提供的上述显示基板中，还包括：位于所述衬底基板与所述第一源漏金属层之间的栅金属层，以及在所述栅金属层与第一源漏金属层之间的栅绝缘层和层间介电层；

所述栅绝缘层和所述层间介电层具有相互贯穿设置的第二接触孔；

所述第一电连接结构还包括位于所述栅金属层的第三子电连接结构，在每个所述连接端子内，所述第三子电连接结构通过一个所述第二接触孔与所述第一子电连接结构相连。

可选地，在本发明实施例提供的上述显示基板中，还包括：位于所述有机绝缘层背离所述衬底基板一侧的触控电极，所述第二电连接结构与所述触控电极同层设置。

可选地，在本发明实施例提供的上述显示基板中，还包括：位于所述有机绝缘层与所述触控电极所在层之间的桥接层；

所述桥接层包括在所述有机绝缘层面向所述触控电极所在层一侧依次设置的第一钛金属层、铝金属层和第二钛金属层；其中，所述第二钛金属层的厚度为

可选地，在本发明实施例提供的上述显示基板中，还包括：位于所述有机绝缘层与所述第一钛金属层之间的刻蚀阻挡层、以及位于所述桥接层与所述触控电极所在层之间的第二无机绝缘层；

所述刻蚀阻挡层和所述第二无机绝缘层具有与所述第一接触孔贯穿设置的第三接触孔；

在每个所述连接端子内，所述第一电连接结构通过一个贯穿设置的所述第一接触孔、所述第三接触孔与所述第二电连接结构相连。

基于同一发明构思，本发明实施例还提供了一种显示装置，包括：上述显示基板，以及与所述多个连接端子绑定连接的驱动芯片。

本发明有益效果如下：

本发明实施例提供的显示基板及显示装置，包括衬底基板，衬底基板包括显示区和位于显示区一侧的绑定区；多个连接端子，位于绑定区内，每个连接端子包括在衬底基板上依次设置的第一电连接结构和第二电连接结构；其中，第一电连接结构用于与显示区延伸出的信号线电连接，第二电连接结构用于与显示基板上的驱动芯片绑定连接；有机绝缘层，位于第一电连接结构所在层和第二电连接结构所在层之间；有机绝缘层在绑定区具有镂空结构，镂空结构完全覆盖全部连接端子、以及各连接端子的间隙在衬底基板上的正投影；无机保护层，与第一电连接结构背离衬底基板一侧的表面直接接触，且无机保护层设有多个第一接触孔；每个连接端子所含第一电连接结构和第二电连接结构通过一个第一接触孔相连。由于在本发明中的绑定区内，有机绝缘层具有完全覆盖全部连接端子及各连接端子的间隙的镂空结构，并利用与第一电连接结构直接接触的无机保护层对各第一电连接结构进行保护，因此在绑定区受到应力产生裂纹，水汽通过裂纹进入时，有机绝缘层在绑定区不存在，且无机保护层不会吸收水汽，从而保证了驱动芯片的绑定可靠性，有效解决了相关技术中绑定区的有机绝缘层吸收水汽导致驱动芯片脱落的问题。

附图说明

图1为相关技术中显示基板的结构示意图；

图2为本发明实施例提供的显示基板的一种结构示意图；

图3为本发明实施例中提供的显示基板在绑定区的一种结构示意图；

图4为本发明实施例中提供的显示基板在显示区的一种结构示意图；

图5为本发明实施例中提供的显示基板在绑定区的又一种结构示意图；

图6至图8分别为图3所示显示基板在制作过程中的结构示意图；

图9至图11分别为图5所示显示基板在制作过程中的结构示意图。

具体实施方式

为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本发明实施例的附图，对本发明实施例的技术方案进行清楚、完整地描述。需要注意的是，附图中各图形的尺寸和形状不反映真实比例，目的只是示意说明本发明内容。并且自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。显然，所描述的实施例是本发明的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于所描述的本发明实施例，本领域普通技术人员在无需创造性劳动的前提下所获得的所有其它实施例，都属于本发明保护的范围。

除非另作定义，此处使用的技术术语或者科学术语应当为本发明所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本发明说明书以及权利要求书中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性，而只是用来区分不同的组成部分。“包括”或者“包含”等类似的词语意指出现该词前面的元件或者物件涵盖出现在该词后面列举的元件或者物件及其等同，而不排除其他元件或者物件。“内”、“外”、“上”、“下”等仅用于表示相对位置关系，当被描述对象的绝对位置改变后，则该相对位置关系也可能相应地改变。

为了保持本发明实施例的以下说明清楚且简明，本发明省略了已知功能和已知部件的详细说明。

在OLED显示模组的驱动背板(BP)生产中，阳极(ITO-Ag-ITO)湿刻过程中，因部分位置的源漏金属层(Ti-Al-Ti)裸漏，导致湿刻液中的银离子(Ag⁺)易被还原，源漏金属层的铝(Al)被氧化，发生3Ag⁺+Al→Al³⁺+3Ag的置换反应，从而置换出银颗粒(Ag Particle)吸附在阳极上，可导致阳极与阴极发生短路，使得OLED像素失效，产生暗点。

如图1所示，在相关技术的双源漏金属层(2SD)产品中，为了防止第二源漏金属层(SD2)侧边的Al跟Ag⁺发生置换反应产生暗点，使用第二源漏金属层与阳极之间的第二有机绝缘层(PLN2)对第二源漏金属层的侧边进行保护。但是因第二有机绝缘层形成的凸起(Bump)和边缘存在高度差，在绑定驱动芯片(IC Bonding)时，相同压力下，凸起边缘的导电粒子受力大，第二无机绝缘层(TLD)容易压裂，水汽通过裂纹进入易吸水的第二有机绝缘层，在信赖性测试过程中，第二有机绝缘层内的水汽释放(Out gas)，最终导致驱动芯片脱落(IC Peeling)。

针对相关技术中存在的上述问题，本发明实施例提供了一种显示基板，如图2和图3所示，包括：

衬底基板101，该衬底基板101包括显示区AA和位于显示区AA一侧的绑定区BA；

多个连接端子102，位于绑定区BA内，每个连接端子102包括在衬底基板101上依次设置的第一电连接结构1021和第二电连接结构1022；其中，第一电连接结构1021用于与显示区AA延伸出的信号线103电连接，第二电连接结构1022用于与显示基板上的驱动芯片104绑定连接；

有机绝缘层105，位于第一电连接结构1021所在层和第二电连接结构1022所在层之间；有机绝缘层105在绑定区BA具有镂空结构H，镂空结构H完全覆盖全部连接端子102、以及各连接端子102的间隙在衬底基板101上的正投影；

无机保护层106，与第一电连接结构1021背离衬底基板101一侧的表面直接接触，且无机保护层106设有多个第一接触孔；每个连接端子102所含第一电连接结构1021和第二电连接结构1022通过一个第一接触孔相连。

在本发明实施例提供的上述显示基板中，由于在绑定区BA内，有机绝缘层105具有完全覆盖全部连接端子102及各连接端子102的间隙的镂空结构H，并利用与第一电连接结构1021直接接触的无机保护层106对各第一电连接结构1021进行保护，因此在绑定区BA受到应力产生裂纹，水汽通过裂纹进入时，有机绝缘层105在绑定区AA不存在，且无机保护层106不会吸收水汽，从而保证了驱动芯片104的绑定可靠性，有效解决了相关技术中绑定区BA的有机绝缘层105吸收水汽导致驱动芯片104脱落的问题。

可选地，在本发明实施例提供的上述显示基板中，如图3和图4所示，还可以包括：位于无机保护层106与衬底基板101之间的第一源漏金属层SD1，以及位于第一源漏金属层SD1与有机绝缘层105之间的第一无机绝缘层106’；

第一电连接结构1021包括位于第一源漏金属层SD1的第一子电连接结构a，第一无机绝缘层106’包括无机保护层106。

在一些实施例中，如图4所示，有机绝缘层105可以包括第一有机绝缘层1051和第二有机绝缘层1052，并且，第一有机绝缘层1051和第二有机绝缘层1052在绑定区BA均具有上述镂空结构H，以避免第一有机绝缘层1051和第二有机绝缘层1052在绑定区BA吸收水汽导致驱动芯片104脱落。

另外，由图3和图4可见，阳极1071在第二有机绝缘层1052之后制作，由于第一无机绝缘层106’直接覆盖位于第一源漏金属层SD1的第一子电连接结构a，因此，在湿刻形成阳极1071的过程中，可通过位于第一无机绝缘层106’的无机保护层106保护第一子电连接结构a，防止发生置换反应产生暗点。

可选地，在本发明实施例提供的上述显示基板中，如图4和图5所示，还可以包括：位于无机保护层106与衬底基板101之间的第一源漏金属层SD1，位于第一源漏金属层SD1与有机绝缘层105(具体为第二有机绝缘层1052)之间的第二源漏金属层SD2，以及位于第二有机绝缘层1052与第二电连接结构1022所在层之间的阳极1071；

第一电连接结构1021具体可以包括：位于第一源漏金属层SD1的第一子电连接结构a，以及位于第二源漏金属层SD2的第二子电连接结构b；其中，第一子电连接结构a背离衬底基板101一侧的表面与第二子电连接结构b面向衬底基板101一侧的表面直接接触；

无机保护层106与阳极1071同层设置，且无机保护层106在相邻第一电连接结构1021的间隙处断开设置。

由图4和图5可见，阳极1071在第二有机绝缘层1052之后制作，由于制作阳极1071的膜层共用为无机保护层106，因此，在湿刻形成阳极1071的过程中，可通过位于共用的无机保护层106保护第二子电连接结构b，防止发生置换反应产生暗点。

另外，由于阳极1071一般采用层叠设置的氧化铟锡(ITO)、银(Ag)和氧化铟锡(ITO)三叠层结构，具有良好的导电性。因此为了避免不同第二电连接结构b之间的信号相互干扰，需要将与阳极1071同材质的无机保护层106在相邻第一电连接结构1021的间隙处断开设置。

在一些实施例中，每个阳极1071属于一个发光器件107，具体的，发光器件107还可以包括发光功能层1072和阴极1073；其中，发光功能层1072包括但不限于空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层、发光材料层、空穴阻挡层、电子传输层和电子注入层。可选地，发光器件107可以为红色发光器件、绿色发光器件、蓝色发光器件、白色发光器件等，在此不做具体限定。

在一些实施例中，第一源漏金属层SD1还可以包括：驱动背板上各像素驱动电路、移位寄存器等所含晶体管的源极S和漏极D、以及数据线。第二源漏金属层SD2还可以包括连接驱动晶体管的漏极D与阳极1071的转接电极，以降低阳极1071与驱动晶体管的漏极D之间的接触电阻。

可选地，在本发明实施例提供的上述显示基板中，如图3至图5所示，还可以包括：位于衬底基板101与第一源漏金属层SD1之间的栅金属层G，以及在栅金属层G与第一源漏金属层SD1之间的栅绝缘层108和层间介电层109；

栅绝缘层108和层间介电层109具有相互贯穿设置的第二接触孔；

第一电连接结构1021还可以包括位于栅金属层G的第三子电连接结构c，在每个连接端子102内，第三子电连接结构c通过一个第二接触孔与第一子电连接结构a相连。

通过在第一电连接结构1021中设置第三子电连接结构c，可以有效降低连接端子102的电阻。

在一些实施例中，如图4所示，栅金属层G具体可以为制作存储电极Cst所含第一电极C1的第一栅金属层，本发明中还可以具有用于制作存储电极Cst所含第二电极C2的第二栅金属层。可选地，晶体管TFT的栅极位于第一栅金属层，即晶体管TFT的栅极与存储电极Cst的第一电极C1同层设置。层间介电层109可以包括位于第一栅金属层与第二栅金属层之间的第一层间介电层109a，以及位于第二栅金属层与第一源漏金属层SD1之间的第二层间介电层109b。

可选地，在本公开提供的上述显示基板中，如图2至图5所示，采用两层金属制作触控功能层，一层为金属网格层(Metal Mesh，MM)，另一层为桥接层(Bridge Metal，BM)。金属网格位于显示区AA，并且按照横纵方向金属网格可以分为触控驱动电极Tx和触控感应电极Rx，其中，触控驱动电极Tx和触控感应电极Rx中的一个相互连接，另一个通过桥接层BM连接。第二电连接结构1022可以与触控电极(包括触控驱动电极Tx与触控感应电极Rx)同层设置。因此无需外挂触控结构(TSP)，从而可以减小屏幕厚度，进而有利于折叠；同时没有贴合公差，可减小边框宽度。

可选地，在本发明实施例提供的上述显示基板中，桥接层BM可以包括在有机绝缘层105面向触控电极所在层一侧依次设置的第一钛金属层(Ti)、铝金属层(Al)和第二钛金属层(Ti)；其中，第二钛金属层Ti的厚度为

由图3至图5可见，在有机绝缘层105与桥接层BM的第一钛金属层之间具有刻蚀阻挡层110，且在桥接层BM与触控电极MM所在层(即第二电连接结构1022所在层)之间具有第二无机绝缘层111；刻蚀阻挡层110和第二无机绝缘层111具有与第一接触孔贯穿设置的第三接触孔；在每个连接端子102内，第一电连接结构1021通过一个贯穿设置的第一接触孔、第三接触孔与第二电连接结构1022相连。

由于在一些实施例中，可以通过一次刻蚀工艺形成贯穿设置的第三接触孔和第一接触孔，而第三接触孔贯穿刻蚀阻挡层110和第二无机绝缘层111，第一接触孔贯穿无机保护层106(例如第一无机绝缘层106’)，使得第一电连接结构1021与第二电连接结构1022接触导电。此时需注意，因在对刻蚀阻挡层110和第二无机绝缘层111刻蚀时，在绑定区BA内多刻蚀了厚度约

的无机保护层106(例如第一无机绝缘层106’)，为防止对显示区AA的桥接层BM表面的第二钛金属层产生太多的过刻，可以设置第二钛金属层的厚度在

之间，和/或，合理控制刻蚀时间参数(例如约350s)。

可选地，在本发明实施例提供的上述显示基板中，如图4所示，一般还可以包括像素界定层112、封装层113、缓冲层114、以及位于触控功能层背离衬底基板101一侧的有机保护层(Over Coating，OC)；其中封装层113可以包括第一无机封装层1131、有机封装层1132和第二无机封装层1133。另外，对于显示基板的其它必不可少的组成部分(例如色阻层)均为本领域的普通技术人员应该理解具有的，在此不做赘述，也不应作为对本发明的限制。

相应地，本发明对图3和图5所示绑定区BA的显示基板的具体制作过程进行了如下说明。

具体地，图3所示显示基板的制作过程具体如下：

第一步，如图6所示，在衬底基板101上依次形成多个第三子电连接结构c(位于第一栅金属层)、整面设置的栅绝缘层108和层间介电层109、贯穿栅绝缘层108和层间介电层109的接触孔、多个第一子电连接结构a(位于第一源漏金属层SD1)；其中，第一子电连接结构a与第三子电连接结构c通过上述接触孔一一对应电连接，构成第一电连接结构1021。

第二步，如图7所示，在多个第一子电连接结构a上形成整面设置的无机保护层106(即第一无机绝缘层106’)，该无机保护层106可以对第一子电连接结构a的顶表面和侧边表面进行保护。

第三步，在无机保护层106上形成第一有机绝缘层1051，具体地，第一有机绝缘层1051在绑定区BA内具有镂空结构，该镂空结构完全覆盖全部第一子电连接结构a及其之间的间隙，也就是不使用第一有机绝缘层1051对第一子电连接结构a的侧边进行保护，防止后续第一有机绝缘层1051吸水又产生驱动芯片脱落的问题。

第四步，在第一有机绝缘层1051上形成第二源漏金属层SD2，具体地，第二源漏金属层SD2包括位于显示区AA内的转接电极，而在绑定区BA内被刻蚀掉。因为在绑定区BA内，第二源漏金属层SD2下面有无机保护层106保护第一子电连接结构a，所以进行第二源漏金属层SD2刻蚀的时候不会对第一子电连接结构a表面的钛金属层产生损伤，从而有效防止了因第一子电连接结构a表面的钛金属层产生损伤暴露出铝金属层，在后续阳极1071湿刻时发生置换反应产生暗点。

第五步，在第二源漏金属层SD2上形成第二有机绝缘层1052，具体地，第二有机绝缘层1052在绑定区BA内具有镂空结构，该镂空结构完全覆盖全部第一子电连接结构a及其之间的间隙，即不使用第二有机绝缘层1052对第一子电连接结构a的侧边进行保护，防止后续第二有机绝缘层1052吸水又产生驱动芯片脱落的问题。这样就从根本上解决了第二无机绝缘层111破裂水汽进入有机绝缘层105产生驱动芯片脱落的问题。

第六步，在第二有机绝缘层1052上依次形成阳极1071、像素界定层112、发光功能层1072、阴极1073、第一无机封装层1131、有机封装层1132、第二无机封装层1133、刻蚀阻挡层110和桥接层BM。该步骤所涉及各膜层的具体制作方法可参见现有技术，在此不做详细介绍。

第七步，如图8所示，在桥接层BM上形成第二无机绝缘层111，并通过一次刻蚀工艺在第二无机绝缘层111、刻蚀阻挡层110和无机保护层106中形成导通的接触孔，以用于实现与后续第二电连接结构1022的电连接。

第八步，如图3所示，在第二无机绝缘层111形成多个第二电连接结构1022，每个第二电连接结构1022与一个第一电连接结构1021电连接，构成一个连接端子102。

至此完成了图3所示显示基板的制作。

具体地，图5所示显示基板的制作过程具体如下：

第一步，如图9所示，在衬底基板101上依次形成多个第三子电连接结构c(位于第一栅金属层)、整面设置的栅绝缘层108和层间介电层109、贯穿栅绝缘层108和层间介电层109的接触孔、多个第一子电连接结构a(位于第一源漏金属层SD1)和多个第二子电连接结构b(位于第二源漏金属层SD2)；其中，一个第一子电连接结构a通过贯穿栅绝缘层108和层间介电层109的接触孔与一个第三子电连接结构c电连接，并且一个第一子电连接结构a与一个第二子电连接结构b直接接触电连接。相互电连接的第一子电连接结构a、第二子电连接结构b和第三子电连接结构c构成一个连接端子102。

第二步：在第二源漏金属层SD2上形成第二有机绝缘层1052，具体地，第二有机绝缘层1052在绑定区BA内具有镂空结构，该镂空结构完全覆盖全部第一子电连接结构a及其之间的间隙，即不使用第二有机绝缘层1052对第一子电连接结构a的侧边进行保护，防止后续第二有机绝缘层1052吸水又产生驱动芯片脱落的问题。这样就从根本上解决了第二无机绝缘层111破裂水汽进入有机绝缘层105产生驱动芯片脱落的问题。

第三步，如图10所示，在第二有机绝缘层1052上形成阳极1071，同时形成与阳极1071同层设置的无机保护层106的图案，该无机保护层106可以对第二子电连接结构b的顶表面和侧边表面进行保护，防止发生银离子置换反应。该无机保护层106具有接触孔，防止后续第二电连接结构1022与之接触电阻增大；同时无机保护层106在第二电连接结构1022间隙处断开设置，以防止不同连接端子102之间短路。在对无机保护层106刻蚀形成接触孔的过程中，接触孔之外的第二子电连接结构b均受到无机保护层106的保护，且接触孔处第二子电连接结构b表面的钛金属层没有损伤，第二电连接结构b内部的铝金属层受到钛金属层的保护，不会与刻蚀液中的银离子接触，因此对无机保护层106湿刻不会发生置换反应产生暗点。

第四步，在阳极1071所在层上依次形成像素界定层112、发光功能层1072、阴极1073、第一无机封装层1131、有机封装层1132、第二无机封装层1133、刻蚀阻挡层110和桥接层BM。该步骤所涉及各膜层的具体制作方法可参见现有技术，在此不做详细介绍。

第五步，如图11所示，在桥接层BM上形成第二无机绝缘层111，并通过一次刻蚀工艺在第二无机绝缘层111和刻蚀阻挡层110中形成导通的接触孔，以用于实现与后续第二电连接结构1022的电连接。

第六步，如图5所示，在第二无机绝缘层111形成多个第二电连接结构1022，每个第二电连接结构1022与一个第一电连接结构1021电连接，构成一个连接端子102。

至此完成了图5所示显示基板的制作。

需要说明的是，在本发明实施例提供的上述制作方法中，形成各层结构涉及到的构图工艺，不仅可以包括沉积、光刻胶涂覆、掩模板掩模、曝光、显影、刻蚀、光刻胶剥离等部分或全部的工艺过程，还可以包括其他工艺过程，具体以实际制作过程中形成所需构图的图形为准，在此不做限定。例如，在显影之后和刻蚀之前还可以包括后烘工艺。

其中，沉积工艺可以为化学气相沉积法、等离子体增强化学气相沉积法或物理气相沉积法，在此不做限定；掩膜工艺中所用的掩膜板可以为半色调掩膜板(Half ToneMask)、单缝衍射掩模板(Single Slit Mask)或灰色调掩模板(Gray Tone Mask)，在此不做限定；刻蚀可以为干法刻蚀或者湿法刻蚀，在此不做限定。

需要说明的是，在本发明中，“同层”指的是采用同一成膜工艺形成用于制作特定图形的膜层，然后利用同一掩模板通过一次构图工艺形成的层结构。即一次构图工艺对应一道掩模板(mask，也称光罩)。根据特定图形的不同，一次构图工艺可能包括多次曝光、显影或刻蚀工艺，而所形成层结构中的特定图形可以是连续的也可以是不连续的，这些特定图形可能处于相同的高度或者具有相同的厚度、也可能处于不同的高度或者具有不同的厚度。

基于同一发明构思，本发明实施例还提供了一种显示装置，包括本发明实施例提供的上述显示基板，以及与显示基板的多个连接端子绑定连接的驱动芯片。可选地，可采用异方性导电胶(ACF)对连接端子与驱动芯片进行固定连接。

在一些实施例中，该显示装置可以为：手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪、智能手表、健身腕带、个人数字助理等任何具有显示功能的产品或部件。对于显示装置的其它必不可少的组成部分均为本领域的普通技术人员应该理解具有的，在此不做赘述，也不应作为对本发明的限制。

另外，由于该显示装置解决问题的原理与上述显示基板解决问题的原理相似，因此，该显示装置的实施可以参见上述显示基板的实施例，重复之处不再赘述。

显然，本领域的技术人员可以对本发明进行各种改动和变型而不脱离本发明的精神和范围。这样，倘若本发明的这些修改和变型属于本发明权利要求及其等同技术的范围之内，则本发明也意图包含这些改动和变型在内。

Claims (10)

1.一种显示基板，其特征在于，包括：

衬底基板，所述衬底基板包括显示区和位于所述显示区一侧的绑定区；

多个连接端子，位于所述绑定区内，每个所述连接端子包括在所述衬底基板上依次设置的第一电连接结构和第二电连接结构；其中，所述第一电连接结构用于与所述显示区延伸出的信号线电连接，所述第二电连接结构用于与所述显示基板上的驱动芯片绑定连接；

有机绝缘层，位于所述第一电连接结构所在层和所述第二电连接结构所在层之间；所述有机绝缘层在所述绑定区具有镂空结构，所述镂空结构完全覆盖全部所述连接端子、以及各所述连接端子的间隙在所述衬底基板上的正投影；

无机保护层，与所述第一电连接结构背离所述衬底基板一侧的表面直接接触，且所述无机保护层设有多个第一接触孔；每个所述连接端子所含所述第一电连接结构和所述第二电连接结构通过一个所述第一接触孔相连。

2.如权利要求1所述的显示基板，其特征在于，还包括：位于所述无机保护层与所述衬底基板之间的第一源漏金属层；

所述第一电连接结构包括位于所述第一源漏金属层的第一子电连接结构。

3.如权利要求2所述的显示基板，其特征在于，还包括：位于所述第一源漏金属层与所述有机绝缘层之间的第一无机绝缘层，所述第一无机绝缘层包括所述无机保护层。

4.如权利要求1所述的显示基板，其特征在于，还包括：位于所述无机保护层与所述衬底基板之间的第一源漏金属层，以及位于所述第一源漏金属层与所述有机绝缘层之间的第二源漏金属层；

所述第一电连接结构包括：位于所述第一源漏金属层的第一子电连接结构，以及位于所述第二源漏金属层的第二子电连接结构；其中，所述第一子电连接结构背离所述衬底基板一侧的表面与所述第二子电连接结构面向所述衬底基板一侧的表面直接接触。

5.如权利要求4所述的显示基板，其特征在于，还包括：位于所述有机绝缘层与所述第二电连接结构所在层之间的阳极；

所述无机保护层与所述阳极同层设置，且所述无机保护层在相邻所述第一电连接结构的间隙处断开设置。

6.如权利要求2-5任一项所述的显示基板，其特征在于，还包括：位于所述衬底基板与所述第一源漏金属层之间的栅金属层，以及在所述栅金属层与第一源漏金属层之间的栅绝缘层和层间介电层；

所述栅绝缘层和所述层间介电层具有相互贯穿设置的第二接触孔；

所述第一电连接结构还包括位于所述栅金属层的第三子电连接结构，在每个所述连接端子内，所述第三子电连接结构通过一个所述第二接触孔与所述第一子电连接结构相连。

7.如权利要求1-5任一项所述的显示基板，其特征在于，还包括：位于所述有机绝缘层背离所述衬底基板一侧的触控电极，所述第二电连接结构与所述触控电极同层设置。

8.如权利要求7所述的显示基板，其特征在于，还包括：位于所述有机绝缘层与所述触控电极所在层之间的桥接层；

所述桥接层包括在所述有机绝缘层面向所述触控电极所在层一侧依次设置的第一钛金属层、铝金属层和第二钛金属层；其中，所述第二钛金属层的厚度为

9.如权利要求8所述的显示基板，其特征在于，还包括：位于所述有机绝缘层与所述第一钛金属层之间的刻蚀阻挡层、以及位于所述桥接层与所述触控电极所在层之间的第二无机绝缘层；

所述刻蚀阻挡层和所述第二无机绝缘层具有与所述第一接触孔贯穿设置的第三接触孔；

在每个所述连接端子内，所述第一电连接结构通过一个贯穿设置的所述第一接触孔、所述第三接触孔与所述第二电连接结构相连。

10.一种显示装置，其特征在于，包括：如权利要求1-9任一项所述的显示基板，以及与所述多个连接端子绑定连接的驱动芯片。

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