CN111524910A - 阵列基板及其制造方法、显示装置 - Google Patents
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Abstract
本申请提供一种阵列基板及其制造方法、显示装置，阵列基板包括：基板；第一金属线，位于基板上；绝缘层，位于第一金属线远离基板的一侧；第二金属线，位于绝缘层远离基板的一侧，第二金属线在基板上的正投影与第一金属线在基板上的正投影之间的夹角大于0度且小于等于90度；间隔件，间隔件位于绝缘层和第二金属线之间，间隔件在基板上的正投影与第一金属线在基板上的正投影和第二金属线在基板上的正投影之间的交叠部分至少部分重合。相对于传统技术，通过增设间隔件以增加第一金属线和第二金属线之间的交叠部分的间距，以避免第一金属线和第二金属线对应间隔件的部分出现静电炸伤。
Description
技术领域
本申请涉及显示技术领域，尤其涉及一种阵列基板及其制造方法、显示装置。
背景技术
目前，1G1D架构8K(解析度7680×4320)显示装置由于分辨率提升，导线的数目增加，位于不同层的第一导线和第二导线相交的数目增多，其中，1G1D架构是指一条扫描线和一行子像素连接，一条数据线和一列子像素连接。如图1所示，其为传统第一导线和第二导线部分交叠时的截面示意图，第一导线1和第二导线2垂直相交且两者之间具有绝缘层3，第一导线1和第二导线2之间的间距太小，导致第一导线1和第二导线2之间会出现静电击穿的问题。
因此，有必要提出一种技术方案以解决两个位于不同层且部分交叠的导线之间易发生静电击穿的问题。
发明内容
本申请的目的在于提供一种阵列基板及其制造方法、显示装置，以解决两个位于不同层且部分交叠的导线之间易发生静电击穿的问题。
为实现上述目的，本申请提供一种阵列基板，所述阵列基板包括：
基板；
第一金属线，位于所述基板上；
绝缘层，位于所述第一金属线远离所述基板的一侧；
第二金属线，位于所述绝缘层远离所述基板的一侧，所述第二金属线在所述基板上的正投影与所述第一金属线在所述基板上的正投影之间的夹角大于0度且小于等于90度；
间隔件，所述间隔件位于所述绝缘层和所述第二金属线之间，所述间隔件在所述基板上的正投影与所述第一金属线在所述基板上的正投影和所述第二金属线在所述基板上的正投影之间的交叠部分至少部分重合。
在上述阵列基板中，所述间隔件在所述基板上的正投影覆盖所述第一金属线在所述基板上的正投影和所述第二金属线在所述基板上的正投影之间的交叠部分。
在上述阵列基板中，所述间隔件为半导体图案。
在上述阵列基板中，所述半导体图案的制备材料为非晶硅、多晶硅或金属氧化物。
在上述阵列基板中，所述第一金属线上位于所述第一金属线宽度方向上相对的两个第一边缘在所述基板上具有两个第一正投影，所述第二金属线上位于所述第二金属线宽度方向上相对的两个第二边缘在所述基板上具有两个第二正投影，所述间隔件对应所述第一金属线宽度方向上的边缘在所述基板上具有第三正投影，所述间隔件对应所述第二金属线宽度方向上的边缘在所述基板上具有第四正投影，所述第三正投影位于两个所述第一正投影的外侧且与靠近所述第三正投影的所述第一正投影之间的间距大于或等于0微米且小于或等于10微米，所述第四正投影位于两个所述第二正投影的外侧且与靠近所述第四正投影的所述第二正投影之间的间距大于或等于0微米且小于或等于10微米。
在上述阵列基板中，所述间隔件的厚度为500埃-2000埃，所述第一金属线包括扫描线，所述第二金属线包括数据线。
一种阵列基板的制造方法，所述制造方法包括如下步骤：
于基板上形成第一金属线；
于所述第一金属线远离所述基板的一侧形成绝缘层；
形成覆盖所述绝缘层的整面间隔层；
于所述间隔层上形成整面的光阻层，利用光罩对所述光阻层进行曝光且利用显影液进行显影，得对应部分所述第一金属线设置的光阻图案，蚀刻去除未被所述光阻图案覆盖的所述间隔层，去除所述光阻图案，得对应部分所述第一金属线设置的间隔件；
于所述间隔件远离所述绝缘层的一侧形成第二金属线，得所述阵列基板，所述第二金属线在所述基板上的正投影与所述第一金属线在所述基板上的正投影相交且两者之间的夹角大于0度且小于或等于90度，所述间隔件在所述基板上的正投影与所述第一金属线在所述基板上的正投影和所述第二金属线在所述基板上的正投影之间的交叠部分至少部分重合。
在上述阵列基板的制造方法中，所述间隔层为半导体层。
在上述阵列基板的制造方法中，所述间隔件在所述基板上的正投影覆盖所述第一金属线在所述基板上的正投影和所述第二金属线在所述基板上的正投影之间的交叠部分。
一种显示装置，所述显示装置包括上述阵列基板。
有益效果：本申请提供一种阵列基板及其制造方法、显示装置，阵列基板包括：基板；第一金属线，位于基板上；绝缘层，位于第一金属线远离基板的一侧；第二金属线，位于绝缘层远离基板的一侧，第二金属线在基板上的正投影与第一金属线在基板上的正投影之间的夹角大于0度且小于等于90度；间隔件，间隔件位于绝缘层和第二金属线之间，间隔件在基板上的正投影与第一金属线在基板上的正投影和第二金属线在基板上的正投影之间的交叠部分至少部分重合。相对于传统技术，阵列基板通过增设间隔件以增加第一金属线和第二金属线之间的交叠部分的间距，以避免第一金属线和第二金属线对应间隔件的部分出现静电炸伤。阵列基板的制造方法通过在图案化光阻层过程中保留对应后续形成的间隔件的光阻层，可以避免形成图案化光阻后的制程中出现由于机台导致的静电炸伤，且通过增设间隔件以增加第一金属线和第二金属线之间的交叠部分的间距，进一步地避免第一金属线和第二金属线对应间隔件的部分出现静电炸伤，提高显示装置的良率。
附图说明
图1为传统第一导线和第二导线部分交叠时的截面示意图；
图2为间隔件在基板上的正投影与第一金属线在基板上的正投影和第二金属线在基板上的正投影之间的交叠部分部分重合且间隔件为非晶硅层时，静电炸伤止于间隔件处的示意图；
图3为本申请实施例阵列基板的示意图；
图4为本申请实施例阵列基板的制造方法的流程示意图。
具体实施方式
下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。
本申请提供一种阵列基板，阵列基板包括基板、第一金属线、第二金属线、绝缘层以及间隔件。第一金属线位于基板上；绝缘层位于第一金属线远离基板的一侧；第二金属线位于绝缘层远离基板的一侧，第二金属线在基板上的正投影与第一金属线在基板上的正投影之间的夹角大于0度且小于等于90度；间隔件位于绝缘层和第二金属线之间，间隔件在基板上的正投影与第一金属线在基板上的正投影和第二金属线在基板上的正投影之间的交叠部分至少部分重合。
本申请阵列基板通过间隔件位于绝缘层和第二金属线之间，间隔件在基板上的正投影与第一金属线在基板上的正投影和第二金属线在基板上的正投影之间的交叠部分至少部分重合，以增加第一金属线和第二金属线对应间隔件的部分之间的间距，避免第一金属线和第二金属线对应间隔件的部分出现静电炸伤。
如图2所示，其为间隔件在基板上的正投影与第一金属线在基板上的正投影和第二金属线在基板上的正投影之间的交叠部分部分重合且间隔件为非晶硅层时，静电炸伤止于间隔件处的示意图。其中，M1为第一金属线，AS为间隔件，由于间隔件AS增加了其覆盖的第一金属线M1和第二金属线M2(未示出)之间的间距，避免间隔件AS覆盖的第一金属线M1出现炸伤，而间隔件AS未覆盖的第一金属线M1出现静电炸伤。
请参阅图3，其为本申请实施例阵列基板的示意图。阵列基板包括基板、第一金属线M1、第二金属线M2、绝缘层GI以及间隔件AS。
第一金属M1线位于基板上。第一金属线M1可以为扫描线，也可以为公共电极信号线等。第一金属线M1的宽度为5微米-300微米，例如为5微米、10为微米、15微米以及50微米等。第一金属线M1的制备材料为钼、铜、铝、银、钛以及镍中的至少一种。第一金属线M1可以为直线型，也可以为折线型。
绝缘层GI位于第一金属线M1远离基板的一侧，绝缘层GI的制备材料为氮化硅或氧化硅中的至少一种。绝缘层GI的厚度为800埃-3000埃，例如为1500埃。绝缘层GI为栅极绝缘层。
第二金属线M2位于绝缘层GI远离基板的一侧。第二金属线M2可以为数据线，也可以为其他信号线。第二金属线M2的宽度为5微米-300微米，例如为5微米、10为微米、15微米以及50微米等。第二金属线M2的制备材料为钼、铜、银、钛以及镍中的至少一种。第二金属线M2可以为直线型，也可以为折线型。
第二金属线M2在基板上的正投影与第一金属线M1在基板上的正投影之间的夹角大于0度且小于等于90度，即第一金属线M1不与第二金属线M2上下平行设置。具体地，第二金属线M2在基板上的正投影与第一金属线M1在基板上的正投影之间的夹角等于90度，第一金属线M1与第二金属线M2垂直相交。可以理解的是，夹角也可以为30度、60度或者80度等。
间隔件AS位于绝缘层GI和第二金属线M2之间。间隔件AS在基板上的正投影覆盖第一金属线M1在基板上的正投影和第二金属线M2在基板上的正投影之间的交叠部分，即间隔件AS在基板上的正投影的面积大于或等于第一金属线M1在基板上的正投影和第二金属线M2在基板上的正投影之间的交叠部分的面积，以完全避免第一金属线M1和第二金属线M2之间交叠的部分出现静电炸伤。
进一步地，间隔件AS在基板上100上的正投影的面积大于第一金属线M1在基板上的正投影和第二金属线M2在基板上的正投影之间的交叠部分的面积，以使得即使间隔件AS在制程中出现偏差时，也会大于第一金属线M1和第二金属线M2之间交叠部分的面积，提高稳定性。
在本实施例中，间隔件AS为半导体图案。相对于间隔件AS为绝缘层，间隔件AS为半导体图案还起到对第一金属线M1和第二金属线M2之间产生的静电的疏导作用，进一步地避免第一金属线M1和第二金属线M2之间出现静电炸伤。且半导体图案不会出现尖端结构，避免尖端结构导致静电炸伤的问题。
半导体图案可以为矩形，也可以为平行四边形。半导体图案的制备材料为非晶硅、多晶硅或金属氧化物。具体地，半导体图案的制备材料为非晶硅。以使得利用半导体层形成薄膜晶体管的有源层时，形成半导体图案，以简化阵列基板的制程。
在本实施例中，间隔件AS的厚度为500埃-2000埃，例如为800埃，1000埃以及1500埃，以使得第一金属线M1和第二金属线M2之间交叠的部分之间的间距较大，避免第一金属线M1和第二金属线M2之间出现静电击穿的问题。
在本实施例中，第一金属线M1上位于第一金属线M1宽度方向上相对的两个第一边缘在基板上具有两个第一正投影，第二金属线M2上位于第二金属线M2宽度方向上相对的两个第二边缘在基板上具有两个第二正投影，间隔件AS对应第一金属线M1宽度方向上的边缘在基板上具有第三正投影，间隔件AS对应第二金属线M2宽度方向上的边缘在基板上具有第四正投影，第三正投影位于两个第一正投影的外侧且与靠近第三正投影的第一正投影之间的间距大于0微米且小于或等于10微米，第四正投影位于两个第二正投影的外侧且与靠近第四正投影的第二正投影之间的间距大于0微米且小于或等于10微米，以使得间隔件完全避免第一金属线M1和第二金属线M2之间交叠的部分出现静电炸伤，且避免间隔件为图案半导体层时由于光照出现过多的光生电流。
本申请还提供一种阵列基板的制造方法。如图4所示，其为本申请实施例阵列基板的制造方法的流程示意图。阵列基板的制造方法包括如下步骤：
S101:于基板上形成第一金属线。
具体地，于基板上形成整面的第一金属层，于第一金属层上形成整面的光阻层，利用第一光罩对光阻层进行曝光以及显影液进行显影处理，蚀刻未被光阻层覆盖的第一金属层，得第一金属线。第一金属线包括扫描线。第一金属层的厚度为3000埃-6000埃。
S102:于第一金属线远离基板的一侧形成绝缘层。
具体地，采用化学沉积形成覆盖第一金属线和基板的绝缘层，绝缘层为栅极绝缘层。
S103:形成覆盖绝缘层的整面间隔层。
具体地，形成覆盖绝缘层的整面半导体层。
S104:于间隔层上形成整面的光阻层，利用光罩对光阻层进行曝光且利用显影液进行显影，得对应部分第一金属线设置的光阻图案，蚀刻去除未被光阻图案覆盖的间隔层，去除光阻图案，得对应部分第一金属线设置的间隔件。
具体地，于半导体层上形成整面的光阻层，利用第二光罩对光阻层进行曝光，第二光罩对应后续形成间隔件的部分的透光率为0，经过显影液显影后，得光阻图案，由于光阻图案具有一定的厚度且为有机层，有利于避免在形成光阻图案后以及去除光阻图案前之间的制程出现由于机台造成的静电击穿问题。蚀刻去除未被光阻图案覆盖的间隔层，去除光阻图案，得间隔件。在此步骤中，还会同时形成薄膜晶体管的有源层。
S105:于间隔件远离绝缘层的一侧形成第二金属线，得阵列基板，第二金属线在基板上的正投影与第一金属线在基板上的正投影相交且两者之间的夹角大于0度且小于或等于90度，间隔件在基板上的正投影与第一金属线在基板上的正投影和第二金属线在基板上的正投影之间的交叠部分至少部分重合。
具体地，形成整面的第二金属层，经过黄光制程处理后，得第二金属线，第二金属线包括数据线。第二金属线与第一金属线之间部分交叠，在第一金属线和第二金属线交叠的部分位置设置有间隔件，以增加第一金属线对应间隔件的部分和第二金属线对应间隔件的部分之间的间距，从而降低第一金属线和第二金属线之间的静电能量，避免第一金属线和第二金属线对应间隔件的位置出现静电炸伤问题。
在本实施例中，间隔件在基板上的正投影覆盖第一金属线在基板上的正投影和第二金属线在基板上的正投影之间的交叠部分。
本申请还提供一种显示装置。显示装置为液晶显示装置。显示装置为1G1D架构8K显示装置。显示装置包括上述阵列基板。在显示装置中，第一金属线可以为扫描线或公共电极信号线，第二金属线可以为数据线。
以上实施例的说明只是用于帮助理解本申请的技术方案及其核心思想；本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本申请各实施例的技术方案的范围。
Claims (10)
1.一种阵列基板，其特征在于，所述阵列基板包括：
基板；
第一金属线，位于所述基板上；
绝缘层，位于所述第一金属线远离所述基板的一侧；
第二金属线，位于所述绝缘层远离所述基板的一侧，所述第二金属线在所述基板上的正投影与所述第一金属线在所述基板上的正投影之间的夹角大于0度且小于等于90度；
间隔件，所述间隔件位于所述绝缘层和所述第二金属线之间，所述间隔件在所述基板上的正投影与所述第一金属线在所述基板上的正投影和所述第二金属线在所述基板上的正投影之间的交叠部分至少部分重合。
2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述间隔件在所述基板上的正投影覆盖所述第一金属线在所述基板上的正投影和所述第二金属线在所述基板上的正投影之间的交叠部分。
3.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述间隔件为半导体图案。
4.根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述半导体图案的制备材料为非晶硅、多晶硅或金属氧化物。
5.根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述第一金属线上位于所述第一金属线宽度方向上相对的两个第一边缘在所述基板上具有两个第一正投影，所述第二金属线上位于所述第二金属线宽度方向上相对的两个第二边缘在所述基板上具有两个第二正投影，所述间隔件对应所述第一金属线宽度方向上的边缘在所述基板上具有第三正投影，所述间隔件对应所述第二金属线宽度方向上的边缘在所述基板上具有第四正投影，所述第三正投影位于两个所述第一正投影的外侧且与靠近所述第三正投影的所述第一正投影之间的间距大于0微米且小于或等于10微米，所述第四正投影位于两个所述第二正投影的外侧且与靠近所述第四正投影的所述第二正投影之间的间距大于0微米且小于或等于10微米。
6.根据权利要求1或2所述的阵列基板，其特征在于，所述间隔件的厚度为500埃-2000埃，所述第一金属线包括扫描线，所述第二金属线包括数据线。
7.一种阵列基板的制造方法，其特征在于，所述制造方法包括如下步骤：
于基板上形成第一金属线；
于所述第一金属线远离所述基板的一侧形成绝缘层；
形成覆盖所述绝缘层的整面间隔层；
于所述间隔层上形成整面的光阻层，利用光罩对所述光阻层进行曝光且利用显影液进行显影，得对应部分所述第一金属线设置的光阻图案，蚀刻去除未被所述光阻图案覆盖的所述间隔层，去除所述光阻图案，得对应部分所述第一金属线设置的间隔件；
于所述间隔件远离所述绝缘层的一侧形成第二金属线，得所述阵列基板，所述第二金属线在所述基板上的正投影与所述第一金属线在所述基板上的正投影相交且两者之间的夹角大于0度且小于或等于90度，所述间隔件在所述基板上的正投影与所述第一金属线在所述基板上的正投影和所述第二金属线在所述基板上的正投影之间的交叠部分至少部分重合。
8.根据权利要求7所述阵列基板的制造方法，其特征在于，所述间隔层为半导体层。
9.根据权利要求7所述阵列基板的制造方法，其特征在于，所述间隔件在所述基板上的正投影覆盖所述第一金属线在所述基板上的正投影和所述第二金属线在所述基板上的正投影之间的交叠部分。
10.一种显示装置，其特征在于，所述显示装置包括权利要求1-6任一项所述的阵列基板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202010357441.2A CN111524910A (zh) | 2020-04-29 | 2020-04-29 | 阵列基板及其制造方法、显示装置 |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN111524910A true CN111524910A (zh) | 2020-08-11 |
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| CN (1) | CN111524910A (zh) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2022217599A1 (zh) * | 2021-04-16 | 2022-10-20 | 京东方科技集团股份有限公司 | 阵列基板、阵列基板的制造方法与显示装置 |
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| CN101140938A (zh) * | 2006-09-07 | 2008-03-12 | 中华映管股份有限公司 | 薄膜晶体管阵列基板及其制造方法 |
| CN108447872A (zh) * | 2018-03-14 | 2018-08-24 | 京东方科技集团股份有限公司 | 阵列基板及其制作方法和显示装置 |
| CN109634006A (zh) * | 2018-12-03 | 2019-04-16 | 深圳市华星光电技术有限公司 | Tft阵列基板的制作方法及tft阵列基板 |
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2020
- 2020-04-29 CN CN202010357441.2A patent/CN111524910A/zh active Pending
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