CN109947292B - 一种窄边框触摸屏的制备方法、窄边框触摸屏及显示装置 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种窄边框触摸屏的制备方法、窄边框触摸屏及显示装置，用以解决现有技术中存在的可折叠触摸屏无法实现窄边框的问题。具体实施中，在衬底基板上形成第一金属电极层，并通过构图工艺形成第一金属电极层图案，第一金属电极层图案包括第一金属电极的通道图案、第一金属电极的接线块；且在第一绝缘层上形成第二金属电极层，并通过构图工艺形成第二金属电极层图案，第二金属电极层图案包括第二金属电极的通道图案、第二金属电极的接线块以及第二金属电极的孤岛金属，其中，第二金属电极的孤岛金属在衬底基板上的投影覆盖第一金属电极的接线块在衬底基板上的投影；在第二金属电极层上形成走线，从而实现触摸屏窄边框性能。

Description

一种窄边框触摸屏的制备方法、窄边框触摸屏及显示装置

技术领域

本发明涉及显示技术领域，特别涉及一种窄边框触摸屏的制备方法、窄边框触摸屏及显示装置。

背景技术

柔性显示已成为当前显示设备发展的重要方向。可折叠手机是柔性显示的一种实现形式，可以在折叠模式下用作普通智能手机，而在展开时则可用作平板电脑，进而满足消费者对娱乐显示、大屏显示的需求。

随着柔性AMOLED(Active-matrix organic light-emitting diode，有源矩阵有机发光二极体)屏幕的出现，现阶段的技术难点已转移至相应配件，如可折叠触摸屏、柔性盖板、柔性电池等。目前，可折叠触摸屏的导电层主要用纳米银线(AgNW)构成，利用纳米银线材料的可挠性强实现多次柔性折叠。

现有技术中，纳米银线作为触摸屏导电材料制作触控功能层时，常通过镭雕或黄光工艺制得，而触摸屏的走线则通常采用纳米银线或金属材料制得。

若在制作纳米银线触控功能层的同时制作纳米银线走线，由于触摸屏是布置在显示屏上的，为了保证显示效果，因而需要综合考虑触摸屏透过率以及触摸屏的雾度等问题，一般要将触摸屏的触控功能层的导电线路设计的比较薄，通常为几百

，由于触控功能层的带电线路与触摸屏的走线是一次性同层制备的，故触摸屏的走线的厚度也将比较薄，进而导致走线面阻大，难以实现窄边框。

若用金属材料制备触摸屏的走线时，则通常采用网印工艺制备，然而现有的网印工艺制备的走线的线宽和线距仅仅能达到20μm，在此基础上，是无法实现窄边框设计的。

综上所述，现有技术中，可折叠触摸屏还无法实现窄边框。

发明内容

本发明提供一种窄边框触摸屏的制备方法、窄边框触摸屏及显示装置，用以解决现有技术中存在的可折叠触摸屏无法实现窄边框的问题。

第一方面，本发明实施例提供一种窄边框触摸屏的制备方法，该方法包括：

在衬底基板上形成第一金属电极层，并通过构图工艺形成所述第一金属电极层图案，所述第一金属电极层图案包括所述第一金属电极的通道图案、所述第一金属电极的接线块；

在所述第一金属电极层上形成第一绝缘层，并通过构图工艺在所述第一绝缘层形成过孔以漏出所述第一金属电极的接线块；

在所述第一绝缘层上形成第二金属电极层，并通过构图工艺形成所述第二金属电极层图案，所述第二金属电极层图案包括所述第二金属电极的通道图案、所述第二金属电极的接线块以及所述第二金属电极的孤岛金属，其中，所述第二金属电极的孤岛金属在所述衬底基板上的投影覆盖所述第一金属电极的接线块在衬底基板上的投影；

在所述第二金属电极层上形成走线。

上述方法，在制备窄边框触摸屏时，首先在衬底基板上形成第一金属电极层，并通过构图工艺形成第一金属电极层图案，第一金属电极层图案包括第一金属电极的通道图案、第一金属电极的接线块；随后在第一金属电极层上形成第一绝缘层，并通过构图工艺在第一绝缘层形成过孔以漏出第一金属电极的接线块；接着在第一绝缘层上形成第二金属电极层，并通过构图工艺形成第二金属电极层图案，第二金属电极层图案包括第二金属电极的通道图案、第二金属电极的接线块以及第二金属电极的孤岛金属，其中，第二金属电极的孤岛金属在衬底基板上的投影覆盖第一金属电极的接线块在衬底基板上的投影；最后在第二金属电极层上形成走线。具体实施中，将第一金属电极层、第二金属电极层以及走线分别制备，如此当使用纳米银线材料制备触摸屏的走线时，制备的走线的厚度不在受制于第一金属电极层和第二金属电极层的厚度，因而可以根据具体需求设置作为触摸屏的走线的纳米银线的厚度，使得走线的方阻减小，从而实现触摸屏窄边框性能；当使用金属材料制备触摸屏的走线时，可以采用工艺精确度高于网印工艺的制备工艺制备触摸屏的走线，使得触摸屏的走线的线宽以及走线的线距变小，从而实现触摸屏窄边框性能。

在一种可能的实施方式中，所述第一金属电极层为Rx响应通道层，所述第二金属电极层为Tx驱动通道；或

所述第一金属电极层为Tx驱动通道层，所述第二金属电极层为Rx响应通道层。

上述方法中，所述第一金属电极层为Rx响应通道层，所述第二金属电极层为Tx驱动通道；或者，所述第一金属电极层为Tx驱动通道层，所述第二金属电极层为Rx响应通道层。如此可以根据具体实际情况设置第一金属电极层和第二金属电极层对应的通道，使得第一金属电极层和第二金属电极层的设置更为灵活。

在一种可能的实施方式中，所述在所述第二金属电极层上形成走线，包括：

在所述第二金属电极层上形成第二绝缘层，并通过构图工艺在所述第二绝缘层上形成过孔以漏出所述第二金属电极的接线块以及所述第二金属电极的孤岛金属，其中所述第二金属电极的孤岛金属在所述衬底基板上的投影覆盖所述第一金属电极的接线块在衬底基板上的投影；

在所述第二绝缘层上形成走线。

上述方法，在第二金属电极层上形成走线时，首先在第二金属电极层上形成第二绝缘层，并通过构图工艺在第二绝缘层上形成过孔以漏出第二金属电极的接线块以及第二金属电极的孤岛金属，其中第二金属电极的孤岛金属在衬底基板上的投影覆盖第一金属电极的接线块在衬底基板上的投影；然后在第二绝缘层上形成走线。具体实施中，可以现在第二金属电极层上形成第二绝缘层，再在第二绝缘层上挖孔，将需要连接走线的第二金属电极的接线块和第二金属电极的孤岛金属漏出，以便于后续制备走线，同时使用绝缘层隔离走线和第二金属电极层，如此可以更好的能保证第二金属电极层与走线之间的隔离度，防止短路。

在一种可能的实施方式中，所述在所述第二绝缘层上形成走线，包括：

通过磁控溅射工艺在所述第二绝缘层上沉积金属，以覆盖所述第二金属电极的接线块以及所述第二金属电极的孤岛金属，其中所述第二金属电极的孤岛金属在所述衬底基板上的投影覆盖所述第一金属电极的接线块在衬底基板上的投影；

通过构图工艺形成走线掩膜板，并通过刻蚀、剥离形成与所述第二金属电极的接线块一一对应的金属走线，且形成与所述第一金属电极的接线块一一对应的金属走线。

上述方法，在第二绝缘层上形成走线时，首先通过磁控溅射工艺在第二绝缘层上沉积金属，以覆盖第二金属电极的接线块以及第二金属电极的孤岛金属，其中第二金属电极的孤岛金属在衬底基板上的投影覆盖第一金属电极的接线块在衬底基板上的投影；再通过构图工艺形成走线掩膜板，并通过刻蚀、剥离形成与第二金属电极的接线块一一对应的金属走线，且形成与第一金属电极的接线块一一对应的金属走线。如此，可以将挡板放置在触摸屏的触控功能区域上，然后使用磁控溅射工艺在触摸屏的走线的区域内沉积用于制备走线的金属材料，随后在沉积了金属材料的第二绝缘层上涂布光刻胶，并经过曝光、显影得到触摸屏的走线的掩膜板，然后再通过刻蚀、剥离形成触摸屏的走线，其中触摸屏的走线与第二金属电极的接线块以及第一金属电极的接线块一一对应。其中，通过磁控溅射工艺可以控制金属走线的厚度，使得金属走线的方阻小，同时刻蚀工艺可以将金属走线的线宽及线距控制在窄边框的要求内，从而实现触摸屏的窄边框性能。

在一种可能的实施方式中，用于制备所述金属走线的金属是Cu或者Al；

所述金属走线的线宽小于或等于4μm，所述金属走线的线距小于或等于4 μm。

上述方法，用于制备触摸屏的金属走线的金属材料可以是Cu或者Al；同时，当制备出的金属走线的线宽小于或等于4μm，且线距小于或等于4μm时，可以实现触摸屏的窄边框性能。

在一种可能的实施方式中，所述在所述第二绝缘层上形成走线，包括：

在第二绝缘层上涂布构成金属走线的金属；

通过构图工艺在第二绝缘层上形成金属走线，其中所述金属引线与所述第一金属电极层的接线块以及所述第二金属电极的接线块一一对应的金属引线。

上述方法，在第二绝缘层上形成走线时，先在第二绝缘层上涂布构成金属走线的金属，再通过构图工艺在第二绝缘层上形成金属走线，其中金属引线与第一金属电极层的接线块以及第二金属电极的接线块一一对应的金属引线。如此，可以在第二绝缘层上涂布构成金属走线的金属，并通过控制涂布的金属层的厚度使得金属走线的方阻小，同时构图工艺使得金属走线的线宽及线距满足触摸屏窄边框的要求，从而实现触摸屏的窄边框性能。

在一种可能的实施方式中，用于制备金属走线的金属是Cu或者Al；

金属走线的线宽小于或等于4μm，金属走线的线距小于或等于4μm。

上述方法，用于制备触摸屏的金属走线的金属材料可以是Cu或者Al；同时，当制备出的金属走线的线宽小于或等于4μm，且线距小于或等于4μm时，可以实现触摸屏的窄边框性能。

在一种可能的实施方式中，所述在所述第二绝缘层上形成走线，包括：

在第二绝缘层上涂布构成所述走线的纳米银线材料；

通过构图工艺在所述第二绝缘层上形成纳米银线走线，其中所述纳米银线走线与所述第一金属电极层的接线块以及所述第二金属电极的接线块一一对应。

上述方法，在第二绝缘层上形成走线时，在第二绝缘层上涂布构成走线的纳米银线材料；然后通过构图工艺在第二绝缘层上形成纳米银线走线，其中纳米银线走线与第一金属电极层的接线块以及第二金属电极的接线块一一对应。如此，在通过纳米银线材料制备触摸屏的走线时，首先在第二绝缘层上涂布构成走线的纳米银线材料，然后通过构图工艺在第二绝缘层上形成纳米银线走线；具体实现过程中，可以在涂布纳米银线材料时通过控制涂布纳米银线材料的次数控制触摸屏的走线的厚度，使得纳米银线材料制成的触摸屏的走线的厚度比较大，进而减小触摸屏的走线的方阻，以实现触摸屏的窄边框功能。

在一种可能的实施方式中，所述纳米银线走线厚度大于所述第一金属电极层厚度，且所述纳米银线走线厚度大于所述第二金属电极层厚度。

上述方法，纳米银线走线厚度大于第一金属电极层厚度，且纳米银线走线厚度大于第二金属电极层厚度。如此纳米银线走线的方阻变小，更容易实现窄边框触摸屏。

在一种可能的实施方式中，所述在所述第二金属电极层上形成走线，包括：

通过磁控溅射工艺在所述第二金属电极层上沉积金属，以覆盖所述第二金属电极的接线块以及所述第二金属电极的孤岛金属，其中所述第二金属电极的孤岛金属在所述衬底基板上的投影覆盖所述第一金属电极的接线块在衬底基板上的投影；

通过构图工艺形成走线图形掩膜板，并通过刻蚀、剥离形成与所述第二金属电极层的接线块一一对应的金属走线，且形成与所述第一金属电极的接线块一一对应的金属走线。

上述方法，在第二金属电极层上形成走线时，还可以先通过磁控溅射工艺在第二金属电极层上沉积金属，以覆盖第二金属电极的接线块以及第二金属电极的孤岛金属，其中第二金属电极的孤岛金属在衬底基板上的投影覆盖第一金属电极的接线块在衬底基板上的投影；在通过构图工艺形成走线图形掩膜板，并通过刻蚀、剥离形成与第二金属电极层的接线块一一对应的金属走线，且形成与第一金属电极的接线块一一对应的金属走线。如此，在制备出触摸屏的触控功能区之后，直接将挡板放置在触摸屏的第二金属电极层的触控功能区域上，然后使用磁控溅射工艺在触摸屏的走线的区域内沉积用于制备走线的金属材料，随后在沉积了金属材料的第二绝缘层上涂布光刻胶，并经过曝光、显影得到触摸屏的走线的掩膜板，然后再通过刻蚀、剥离形成触摸屏的走线，其中触摸屏的走线与第二金属电极的接线块以及第一金属电极的接线块一一对应，且可以通过磁控溅射工艺可以控制金属走线的厚度，使得金属走线的方阻小，同时刻蚀工艺可以将金属走线的线宽及线距控制在窄边框的要求内，从而实现触摸屏的窄边框性能。

在一种可能的实施方式中，用于制备所述金属走线的金属是Cu或者Al；

所述金属走线的线宽小于或等于4μm，所述金属走线的线距小于或等于4 μm。

上述方法，用于制备触摸屏的金属走线的金属材料可以是Cu或者Al；同时，当制备出的金属走线的线宽小于或等于4μm，且线距小于或等于4μm时，可以实现触摸屏的窄边框性能。

在一种可能的实施方式中，所述第一金属电极层的图案还包括所述第一金属电极的孤岛金属，且所述第二金属电极的接线块在所述衬底基板上的投影位于所述第一金属电极的孤岛金属在衬底基板上的投影范围内。

上述方法，第一金属电极层的图案还包括第一金属电极的孤岛金属，且第二金属电极的接线块在衬底基板上的投影位于第一金属电极的孤岛金属在衬底基板上的投影范围内。如此可以防止第一金属电极的通道图案和第二金属电极的通道图案之间出现短路。

第二方面，本发明实施例提供一种根据上述方法制备的窄边框触摸屏，包括第一金属电极层、第一绝缘层、第二金属电极层以及第二金属电极层上形成的走线。

第二方面，本发明实施例提供一种显示装置，包括上述窄边框触摸屏。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简要介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域的普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为本发明实施例提供的一种窄边框触摸屏的制备方法的流程示意图；

图2a-图2d为本发明实施例提供的一种窄边框触摸屏的制备流程的结构平面示意图；

图3为本发明实施例提供的一种窄边框触摸屏的制备流程步骤100中(A) 处和(B)处的结构侧剖图；

图4为本发明实施例提供的一种窄边框触摸屏的制备流程步骤100中(A) 处和(B)处的结构侧剖图；

图5为本发明实施例提供的一种窄边框触摸屏的制备流程步骤100中(A) 处和(B)处的结构侧剖图；

图6为本发明实施例提供的直接沉积金属材料制备触摸屏的走线时的(A) 处和(B)处的结构侧剖图；

图7为本发明实施例提供的在制备第二绝缘层后在制备触摸屏的走线时的 (A)处和(B)处的结构侧剖图。

具体实施方式

随着智能终端的进一步的发展，智能手机的屏幕越来越大，使得智能手机不易携带，这给用户造成了一定的麻烦，而利用柔性显示屏具有可折叠的特性，可以通过折叠使手机尺寸变小，从而更便于携带。同时柔性显示还具有低功耗、柔韧性好，耐用的特点，因而柔性显示已成为当前显示技术发展的重要方向。

随着柔性AMOLED屏幕的出现，现阶段的柔性显示技术的难点已由柔性显示屏转移至显示屏的相应配件，如可折叠的柔性触摸屏、柔性盖板、柔性电池等。本发明实施例中主要涉及可折叠的柔性触摸屏的设计。

目前，纳米银线(AgNW)因为具有材料可挠性强，易实现多次柔性折叠的特性，已成为可折叠触摸屏的导电走线的主要制备材料。一般的，通过纳米银线材料制备触摸屏的触控功能层时，常通过镭雕或黄光工艺制得，而触摸屏的走线则通常采用纳米银线或金属材料制得。

若在制作纳米银线触控功能层的同时制作纳米银线走线，由于触摸屏是布置在显示屏上的，为了保证显示效果，因而需要综合考虑触摸屏透过率以及触摸屏的雾度等问题，一般要将触摸屏的触控功能层的导电线路设计的比较薄，通常为几百

，由于触控功能层的导电线路与触摸屏的走线是一次性同层制备的，故触摸屏的走线的厚度也将比较薄，进而导致走线面阻大，难以实现窄边框。

若用金属材料制备触摸屏的走线，则通常采用网印工艺制备，然而现有的网印工艺制备的走线的线宽和线距只能达到20μm，在此基础上，是无法实现窄边框设计的。

因此，为解决上述问题，本发明实施例提供了一种窄边框触摸屏的制备方法，用以在可折叠触摸屏上实现窄边框的设计。

为了使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本发明作进一步地详细描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部份实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例，都属于本发明保护的范围。

如图1和图2a-图2d所示，本发明实施例提供一种窄边框触摸屏的制备方法，该方法包括：

步骤100，在衬底基板1上形成第一金属电极层，并通过构图工艺形成所述第一金属电极层图案，所述第一金属电极层图案包括所述第一金属电极的通道图案20、所述第一金属电极的接线块21；

步骤101，在所述第一金属电极层上形成第一绝缘层3，并通过构图工艺在所述第一绝缘层3形成过孔以漏出所述第一金属电极的接线块21；

步骤102，在所述第一绝缘层3上形成第二金属电极层，并通过构图工艺形成所述第二金属电极层图案，所述第二金属电极层图案包括所述第二金属电极的通道图案40、所述第二金属电极的接线块41以及所述第二金属电极的孤岛金属42，其中，所述第二金属电极的孤岛金属42在所述衬底基板1上的投影覆盖所述第一金属电极的接线块21在衬底基板1上的投影；

步骤103，在所述第二金属电极层上形成走线6。

其中，图2a-图2d展示的是通过本发明实施例中提供的一种窄边框触摸屏的制备方法制备窄边框触摸屏的结构的平面示意图；

进一步的，图2a展示的是在衬底基板1上形成第一金属电极层图案，其中第一金属电极层图案包括第一金属电极的通道图案20和所述第一金属电极的接线块21；

图2b展示的是在第一金属电极层上形成第一绝缘层3；

图2c展示的是在第一绝缘层3上形成第二金属电极层图案，其中第二金属电极层图案包括第二金属电极的通道图案40、第二金属电极的接线块41以及第二金属电极的孤岛金属42；

图2d展示的是在第二金属电极层上形成触摸屏的走线6。

上述方法，在制备窄边框触摸屏时，首先在衬底基板1上形成第一金属电极层，并通过构图工艺形成第一金属电极层图案，第一金属电极层图案包括第一金属电极的通道图案20、第一金属电极的接线块21；随后在第一金属电极层上形成第一绝缘层3，并通过构图工艺在第一绝缘层3形成过孔以漏出第一金属电极的接线块21；接着在第一绝缘层3上形成第二金属电极层，并通过构图工艺形成第二金属电极层图案，第二金属电极层图案包括第二金属电极的通道图案40、第二金属电极的接线块41以及第二金属电极的孤岛金属42，其中，第二金属电极的孤岛金属42在衬底基板1上的投影覆盖第一金属电极的接线块21在衬底基板1上的投影；最后在第二金属电极层上形成走线。具体实施中，将第一金属电极层、第二金属电极层以及触摸屏的走线6分别制备，如此当使用纳米银线材料制备触摸屏的走线6时，制备的触摸屏的走线6的厚度不在受制于第一金属电极层和第二金属电极层的厚度，因而可以根据具体需求设置作为触摸屏的走线6的纳米银线的厚度，使得走线的方阻减小，从而实现触摸屏窄边框性能；当使用金属材料制备触摸屏的走线6时，可以采用工艺精确度高于网印工艺的制备工艺制备触摸屏的走线6，使得触摸屏的走线6的线宽以及走线的线距变小，从而实现触摸屏窄边框性能。

具体实施中，第一金属电极层为Rx响应通道层，第二金属电极层为Tx 驱动通道；或第一金属电极层为Tx驱动通道层，第二金属电极层为Rx响应通道层。

上述方法中，当第一金属电极层为Rx响应通道层时，第二金属电极层为 Tx驱动通道；或，当第一金属电极层为Tx驱动通道层时，第二金属电极层为 Rx响应通道层。如此Rx响应通道层和Tx驱动通道层具体的上下层关系是不固定的，具体实现过程中可以根据具体实际情况设置第一金属电极层和第二金属电极层对应的通道，使得第一金属电极层和第二金属电极层的设置更为灵活。

进一步的，本发明实施例中绝缘层均可以采用OC材料制备。

下面将对本发明实施例中提供的一种窄边框触摸屏的制备方法的流程进行分解说明，以第一金属电极层为Rx响应通道层，第二金属电极层为Tx驱动通道层为例。

在具体实施中，首先需要对衬底基板1进行清洗，去除污渍，以便于在衬底基板1上制备Rx响应通道层。

参见图2a以及图3所示，步骤100，在衬底基板1上形成Rx响应通道层，并通过构图工艺形成Rx响应通道层图案，Rx响应通道层图案包括Rx响应通道的通道图案20、Rx响应通道的接线块21。

进一步的，Rx响应通道层的图案还可以包括Rx响应通道的孤岛金属22，其中，Tx驱动通道的接线块41在衬底基板1上的投影位于Rx响应通道的孤岛金属22在衬底基板1上的投影范围内。

如此，通过在Rx响应通道层上设置孤岛金属，并使得Tx驱动通道的接线块41与衬底基板1之间间隔一个Rx响应通道层上设置Rx响应通道的孤岛金属42，通过该Rx响应通道的孤岛金属22放置Rx响应通道的通道图案20和 Tx驱动通道的通道图案40之间出现短路。

在制备出Rx响应通道层后，接着将制备第一金属电极层和第二金属电极层之间的第一绝缘层3，用以隔绝第一金属电极层的通道图案和第二金属电极层的通道图案。

参见图2b以及图4所示，步骤101中，将在Rx响应通道层上形成第一绝缘层3，并通过构图工艺在第一绝缘层3形成过孔30以漏出Rx响应通道的接线块21。

此步骤中首先需要保证的是将Rx响应通道的所有接线块通过在绝缘层的过孔一一漏出，以便后续与对应的触摸屏的走线6实现电连接。

在第一绝缘层3制备完成后，将进一步地制备触摸屏的Tx驱动通道层。

参见图2c以及图5所示，步骤103中，在第一绝缘层3上形成Tx驱动通道层，并通过构图工艺形成Tx驱动通道层图案，Tx驱动通道层图案包括Tx 驱动通道的通道图案40、Tx驱动通道的接线块41以及Tx驱动通道的孤岛金属42，其中，Tx驱动通道的孤岛金属42在衬底基板1上的投影覆盖Rx响应通道的接线块21在衬底基板1上的投影。

在此步骤中，Tx驱动通道的孤岛金属42需要与Tx驱动通道的通道图案 40以及Tx驱动通道的接线块41之间不连接，以保证Rx响应通道的通道图案 20与Tx驱动通道的通道图案40之间不会短路，同时使得Tx驱动通道的孤岛金属42在衬底基板1上的投影覆盖Rx响应通道的接线块21在衬底基板1上的投影，利用Tx驱动通道的孤岛金属42覆盖通过过孔漏出的Rx响应通道的接线块21，以避免在制备Tx驱动通道层时，Rx响应通道的接线块21被刻蚀掉，进而造成触摸屏的Rx响应通道层电连接失效，进而导致触摸屏无法实现触控功能。

在Tx驱动通道层制备完成后，再在Tx驱动通道层上形成走线。

其中，在Tx驱动通道层上形成的走线是触摸屏的走线6，此时可以直接在Tx驱动通道的接线块41区域形成走线，也可以先制备一层绝缘层，再在绝缘层上制备触摸屏的走线6，根据制备触摸屏的走线6的流程的不同，将分别进行描述。

一、在利用金属材料制备触摸屏的走线6时可以直接在Tx驱动通道的接线块41区域形成走线。

参见图2d以及图6所示，可选的，通过磁控溅射工艺在Tx驱动通道层上沉积金属，以覆盖Tx驱动通道的接线块41以及Tx驱动通道的孤岛金属42，其中Tx驱动通道的孤岛金属42在衬底基板1上的投影覆盖Rx响应通道的接线块21在衬底基板1上的投影；

通过构图工艺形成走线图形掩膜板，并通过刻蚀、剥离形成与Tx驱动通道层的接线块一一对应的金属走线，且形成与Rx响应通道的接线块21一一对应的金属走线。

上述方法，在Tx驱动通道层上形成走线时，可以先通过磁控溅射工艺在 Tx驱动通道层上沉积金属，以覆盖Tx驱动通道的接线块41以及Tx驱动通道的孤岛金属42，其中Tx驱动通道的孤岛金属42在衬底基板1上的投影覆盖 Rx响应通道的接线块21在衬底基板1上的投影；在通过构图工艺形成走线图形掩膜板，并通过刻蚀、剥离形成与Tx驱动通道层的接线块一一对应的金属走线，且形成与Rx响应通道的接线块21一一对应的金属走线。如此，在制备出触摸屏的触控功能区之后，直接将挡板放置在触摸屏的Tx驱动通道层的触控功能区域上，然后使用磁控溅射工艺在触摸屏的走线6的区域内沉积用于制备触摸屏的走线6的金属材料，随后在沉积了金属材料的第二绝缘层5上涂布光刻胶，并经过曝光、显影得到触摸屏的走线6的掩膜板，然后再通过刻蚀、剥离形成触摸屏的走线6，其中触摸屏的走线6与Tx驱动通道的接线块41以及Rx响应通道的接线块21一一对应，且通过磁控溅射工艺可以控制金属走线的厚度，使得金属走线的方阻小，同时刻蚀工艺可以将金属走线的线宽及线距控制在窄边框的要求内，从而实现触摸屏的窄边框性能。

进一步的，用于制备金属走线的金属包括但不限于Cu以及Al，且金属走线的线宽小于或等于4μm，金属走线的线距小于或等于4μm。

上述方法，用于制备触摸屏的金属走线的金属材料可以是Cu或者Al；同时，当制备出的触摸屏的金属走线的线宽小于或等于4μm，且线距小于或等于4μm时，可以实现触摸屏的窄边框性能。

二、先制备一层绝缘层，再在绝缘层上制备触摸屏的走线6。

可选的，在Tx驱动通道层上形成走线，包括：

在Tx驱动通道层上形成第二绝缘层5，并通过构图工艺在第二绝缘层5 上形成过孔以漏出Tx驱动通道的接线块41以及Tx驱动通道的孤岛金属42，其中Tx驱动通道的孤岛金属42在衬底基板1上的投影覆盖Rx响应通道的接线块21在衬底基板1上的投影；

在第二绝缘层5上形成走线。

上述方法，在Tx驱动通道层上形成走线时，首先在Tx驱动通道层上形成第二绝缘层5，并通过构图工艺在第二绝缘层5上形成过孔以漏出Tx驱动通道的接线块41以及Tx驱动通道的孤岛金属42，其中Tx驱动通道的孤岛金属 42在衬底基板1上的投影覆盖Rx响应通道的接线块21在衬底基板1上的投影；然后在第二绝缘层5上形成走线。具体实施中，可以现在Tx驱动通道层上形成第二绝缘层5，再在第二绝缘层5上挖孔，将需要连接走线的Tx驱动通道的接线块41和Tx驱动通道的孤岛金属42漏出，以便于后续制备走线，同时使用绝缘层隔离走线和第二金属电极层，如此可以更好的能保证Tx驱动通道层与走线之间的隔离度，防止短路。

此方法中，用于制备触摸屏的走线6的原材料可以是金属材料，也可以是纳米银线。下面将依据用于制备触摸屏的走线6的原材料的不同分别进行说明, 参见图2d以及图7。

方式一、使用金属材料制备触摸屏的走线6。

(1)在第二绝缘层5上形成走线时，通过磁控溅射工艺在第二绝缘层5 上沉积金属，以覆盖Tx驱动通道的接线块41以及Tx驱动通道的孤岛金属42，其中Tx驱动通道的孤岛金属42在衬底基板1上的投影覆盖Rx响应通道的接线块21在衬底基板1上的投影；

通过构图工艺形成走线掩膜板，并通过刻蚀、剥离形成与Tx驱动通道的接线块41一一对应的金属走线，且形成与Rx响应通道的接线块21一一对应的金属走线。

上述方法，在第二绝缘层5上形成走线时，首先通过磁控溅射工艺在第二绝缘层5上沉积金属，以覆盖Tx驱动通道的接线块41以及Tx驱动通道的孤岛金属42，其中Tx驱动通道的孤岛金属42在衬底基板1上的投影覆盖Rx响应通道的接线块21在衬底基板1上的投影；再通过构图工艺形成走线掩膜板，并通过刻蚀、剥离形成与Tx驱动通道的接线块41一一对应的金属走线，且形成与Rx响应通道的接线块21一一对应的金属走线。如此，可以将挡板放置在触摸屏的触控功能区域上，然后使用磁控溅射工艺在触摸屏的走线6的区域内沉积用于制备走线的金属材料，随后在沉积了金属材料的第二绝缘层5上涂布光刻胶，并经过曝光、显影得到触摸屏的走线6的掩膜板，然后再通过刻蚀、剥离形成触摸屏的走线6，其中触摸屏的走线6与Tx驱动通道的接线块41以及Rx响应通道的接线块21一一对应。其中可以通过磁控溅射工艺可以控制金属走线的厚度，使得金属走线的方阻小，同时刻蚀工艺可以将金属走线的线宽及线距控制在窄边框的要求内，从而实现触摸屏的窄边框性能。

进一步的，用于制备金属走线的金属包括但不限于Cu以及Al，且金属走线的线宽小于或等于4μm，金属走线的线距小于或等于4μm。

上述方法，用于制备触摸屏的金属走线的金属材料可以是Cu或者Al；同时，当制备出的触摸屏的金属走线的线宽小于或等于4μm，且线距小于或等于4μm时，可以实现触摸屏的窄边框性能。

(2)在第二绝缘层5上形成走线时，在第二绝缘层5上涂布构成金属走线的金属；

通过构图工艺在第二绝缘层5上形成金属走线，其中金属引线与Rx响应通道层的接线块以及Tx驱动通道的接线块41一一对应的金属引线。

上述方法，在第二绝缘层5上形成走线时，先在第二绝缘层5上涂布构成金属走线的金属，再通过构图工艺在第二绝缘层5上形成金属走线，其中金属引线与Rx响应通道层的接线块以及Tx驱动通道的接线块41一一对应的金属引线。如此，可以在第二绝缘层5上涂布构成金属走线的金属，并通过控制涂布的金属层的厚度使得金属走线的方阻小，同时构图工艺使得金属走线的线宽及线距满足触摸屏窄边框的要求，从而实现触摸屏的窄边框性能。

进一步的，用于制备金属走线的金属包括但不限于Cu以及Al，且金属走线的线宽小于或等于4μm，金属走线的线距小于或等于4μm。

上述方法，用于制备触摸屏的金属走线的金属材料可以是Cu或者Al；同时，当制备出的触摸屏的金属走线的线宽小于或等于4μm，且线距小于或等于4μm时，可以实现触摸屏的窄边框性能。

其中，在第二绝缘层5上涂布构成金属走线的金属时，最终形成的金属层的厚度至少满足

级别，或者更厚。

方式二、使用纳米银线制备触摸屏的走线6。

可选的，在第二绝缘层5上形成走线时，首先在第二绝缘层5上涂布构成走线的纳米银线材料；然后通过构图工艺在第二绝缘层5上形成纳米银线走线，其中纳米银线走线与Rx响应通道层的接线块以及Tx驱动通道的接线块41一一对应。

上述方法，在第二绝缘层5上形成走线时，在第二绝缘层5上涂布构成走线的纳米银线材料；然后通过构图工艺在第二绝缘层5上形成纳米银线走线，其中纳米银线走线与Rx响应通道层的接线块以及Tx驱动通道的接线块41一一对应。如此，在通过纳米银线材料制备触摸屏的走线6时，首先在第二绝缘层5上涂布构成走线的纳米银线材料，然后通过构图工艺在第二绝缘层5上形成纳米银线走线；具体实现过程中，可以在涂布纳米银线材料时通过控制涂布纳米银线材料的次数控制触摸屏的走线6的厚度，使得纳米银线材料制成的触摸屏的走线6的厚度比较大，进而减小触摸屏的走线6的方阻，以实现触摸屏的窄边框功能。

可选的，纳米银线走线厚度大于Rx响应通道层厚度，且纳米银线走线厚度大于Tx驱动通道层厚度。

上述方法，纳米银线走线厚度大于Rx响应通道层厚度，且纳米银线走线厚度大于Tx驱动通道层厚度。如此纳米银线走线的方阻变小，更容易实现窄边框触摸屏。

具体实现过程中，一般使用纳米银线制备触摸屏的触控功能区时，纳米银线制成的Rx响应通道层厚度和Tx驱动通道层厚度一般在

级别，此时Rx 响应通道层厚度和Tx驱动通道层厚度都很薄，为了使得纳米银线走线的方阻足够小，能实现窄边框，可选择的，触摸屏的纳米银线走线的厚度可以设置在

级别，亦或者使得触摸屏的纳米银线走线的厚度大于

级别。

此外，在制备第一绝缘层3和第二绝缘层5时，可以不同掩膜版，第一绝缘层3的掩膜版使得Rx响应通道的接线块21漏出，第二绝缘层5的掩膜版使得Tx驱动通道的接线块41漏出且使得覆盖了Rx响应通道的接线块21的Tx 驱动通道的孤岛金属42漏出。

进一步的，在制备第一绝缘层3和第二绝缘层5时可以使用同一掩膜版，该掩膜版与上述第二绝缘层5的掩膜版相同，如此可以减少制备过程中的掩膜版数目，进而降低生产成本。

本发明实施例提供一种根据上述方法制备的窄边框触摸屏，包括第一金属电极层、第一绝缘层3、第二金属电极层以及第二金属电极层上形成的走线6。

本发明实施例提供一种显示装置，包括上述窄边框触摸屏。

以上参照示出根据本申请实施例的方法、装置(系统)和/或计算机程序产品的框图和/或流程图描述本申请。应理解，可以通过计算机程序指令来实现框图和/或流程图示图的一个块以及框图和/或流程图示图的块的组合。可以将这些计算机程序指令提供给通用计算机、专用计算机的处理器和/或其它可编程数据处理装置，以产生机器，使得经由计算机处理器和/或其它可编程数据处理装置执行的指令创建用于实现框图和/或流程图块中所指定的功能/动作的方法。

相应地，还可以用硬件和/或软件(包括固件、驻留软件、微码等)来实施本申请。更进一步地，本申请可以采取计算机可使用或计算机可读存储介质上的计算机程序产品的形式，其具有在介质中实现的计算机可使用或计算机可读程序代码，以由指令执行系统来使用或结合指令执行系统而使用。在本申请上下文中，计算机可使用或计算机可读介质可以是任意介质，其可以包含、存储、通信、传输、或传送程序，以由指令执行系统、装置或设备使用，或结合指令执行系统、装置或设备使用。

显然，本领域的技术人员可以对本发明进行各种改动和变型而不脱离本发明的精神和范围。这样，倘若本发明的这些修改和变型属于本发明权利要求及其等同技术的范围之内，则本发明也意图包含这些改动和变型在内。

Claims (12)

1.一种窄边框触摸屏的制备方法，其特征在于，该方法包括：

在衬底基板上形成第一金属电极层，并通过构图工艺形成所述第一金属电极层图案，所述第一金属电极层图案包括所述第一金属电极的通道图案、所述第一金属电极的接线块；

在所述第一金属电极层上形成第一绝缘层，并通过构图工艺在所述第一绝缘层形成过孔以漏出所述第一金属电极的接线块；

在所述第一绝缘层上形成第二金属电极层，并通过构图工艺形成所述第二金属电极层图案，所述第二金属电极层图案包括所述第二金属电极的通道图案、所述第二金属电极的接线块以及所述第二金属电极的孤岛金属，其中，所述第二金属电极的孤岛金属与所述第二金属电极的通道图案不连接，所述第二金属电极的孤岛金属在所述衬底基板上的投影覆盖所述第一金属电极的接线块在衬底基板上的投影；

在所述第二金属电极层上形成走线。

2.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述在所述第二金属电极层上形成走线，包括：

在所述第二金属电极层上形成第二绝缘层，并通过构图工艺在所述第二绝缘层上形成过孔以漏出所述第二金属电极的接线块以及所述第二金属电极的孤岛金属，其中所述第二金属电极的孤岛金属在所述衬底基板上的投影覆盖所述第一金属电极的接线块在衬底基板上的投影；

在所述第二绝缘层上形成走线。

3.如权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述在所述第二绝缘层上形成走线，包括：

通过磁控溅射工艺在所述第二绝缘层上沉积金属，以覆盖所述第二金属电极的接线块以及所述第二金属电极的孤岛金属，其中所述第二金属电极的孤岛金属在所述衬底基板上的投影覆盖所述第一金属电极的接线块在衬底基板上的投影；

通过构图工艺形成走线掩膜板，并通过刻蚀、剥离形成与所述第二金属电极的接线块一一对应的金属走线，且形成与所述第一金属电极的接线块一一对应的金属走线。

4.如权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述在所述第二绝缘层上形成走线，包括：

在第二绝缘层上涂布构成金属走线的金属；

通过构图工艺在第二绝缘层上形成金属走线，其中所述金属走线 与所述第一金属电极层的接线块以及所述第二金属电极的接线块一一对应的金属走线 。

5.如权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述在所述第二绝缘层上形成走线，包括：

在第二绝缘层上涂布构成所述走线的纳米银线材料；

通过构图工艺在所述第二绝缘层上形成纳米银线走线，其中所述纳米银线走线与所述第一金属电极层的接线块以及所述第二金属电极的接线块一一对应。

6.如权利要求5所述的制备方法，其特征在于，所述纳米银线走线厚度大于所述第一金属电极层厚度，且所述纳米银线走线厚度大于所述第二金属电极层厚度。

7.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述在所述第二金属电极层上形成走线，包括：

通过磁控溅射工艺在所述第二金属电极层上沉积金属，以覆盖所述第二金属电极的接线块以及所述第二金属电极的孤岛金属，其中所述第二金属电极的孤岛金属在所述衬底基板上的投影覆盖所述第一金属电极的接线块在衬底基板上的投影；

通过构图工艺形成走线图形掩膜板，并通过刻蚀、剥离形成与所述第二金属电极层的接线块一一对应的金属走线，且形成与所述第一金属电极的接线块一一对应的金属走线。

8.如权利要求3、4、7任一所述的制备方法，其特征在于，用于制备所述金属走线的金属是Cu或者Al；

所述金属走线的线宽小于或等于4μm，所述金属走线的线距小于或等于4μm。

9.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述第一金属电极层的图案还包括所述第一金属电极的孤岛金属，且所述第二金属电极的接线块在所述衬底基板上的投影位于所述第一金属电极的孤岛金属在衬底基板上的投影范围内。

10.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述第一金属电极层为Rx响应通道层，所述第二金属电极层为Tx驱动通道；或

所述第一金属电极层为Tx驱动通道层，所述第二金属电极层为Rx响应通道层。

11.一种如权利要求1-10任一项所述的制备方法所制备的窄边框触摸屏，其特征在于，包括第一金属电极层、第一绝缘层、第二金属电极层以及第二金属电极层上形成的走线。

12.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求11所述的窄边框触摸屏。

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