CN106918961A - 显示装置 - Google Patents
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 221
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims abstract description 11
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 claims description 47
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 29
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 claims description 7
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 claims description 7
- 239000007769 metal material Substances 0.000 claims description 5
- 238000010030 laminating Methods 0.000 claims description 4
- 239000010408 film Substances 0.000 description 83
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 74
- 102100036464 Activated RNA polymerase II transcriptional coactivator p15 Human genes 0.000 description 62
- 101000713904 Homo sapiens Activated RNA polymerase II transcriptional coactivator p15 Proteins 0.000 description 62
- 229910004444 SUB1 Inorganic materials 0.000 description 62
- 229910004438 SUB2 Inorganic materials 0.000 description 47
- 101100311330 Schizosaccharomyces pombe (strain 972 / ATCC 24843) uap56 gene Proteins 0.000 description 47
- 101150018444 sub2 gene Proteins 0.000 description 47
- 238000000034 method Methods 0.000 description 17
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 13
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 13
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 12
- 239000013256 coordination polymer Substances 0.000 description 11
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 11
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 7
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 5
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 5
- 239000004744 fabric Substances 0.000 description 4
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 4
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- 238000003780 insertion Methods 0.000 description 3
- 230000037431 insertion Effects 0.000 description 3
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 2
- 125000003903 2-propenyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])=C([H])[H] 0.000 description 1
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004411 aluminium Substances 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000149 argon plasma sintering Methods 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000007767 bonding agent Substances 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- 230000006835 compression Effects 0.000 description 1
- 238000007906 compression Methods 0.000 description 1
- 238000002788 crimping Methods 0.000 description 1
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 1
- 150000002466 imines Chemical class 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- QQONPFPTGQHPMA-UHFFFAOYSA-N propylene Natural products CC=C QQONPFPTGQHPMA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004805 propylene group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([*:1])C([H])([H])[*:2] 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000007480 spreading Effects 0.000 description 1
- 238000003892 spreading Methods 0.000 description 1
- 239000002023 wood Substances 0.000 description 1
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1345—Conductors connecting electrodes to cell terminals
- G02F1/13452—Conductors connecting driver circuitry and terminals of panels
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- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
- G02F1/1362—Active matrix addressed cells
- G02F1/136227—Through-hole connection of the pixel electrode to the active element through an insulation layer
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- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/133345—Insulating layers
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- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1339—Gaskets; Spacers; Sealing of cells
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- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1339—Gaskets; Spacers; Sealing of cells
- G02F1/13394—Gaskets; Spacers; Sealing of cells spacers regularly patterned on the cell subtrate, e.g. walls, pillars
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- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
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- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
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- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
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- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
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Abstract
显示装置具备:第1基板,具备具有贯通部的绝缘基板、位于上述绝缘基板的上方的第1焊盘电极及与上述第1焊盘电极电连接的信号布线;第2基板,与上述第1基板对置配置;第1层,位于上述第1焊盘电极与上述第2基板之间;布线基板,具有连接布线,位于上述绝缘基板的下方;以及导电材料,设置在上述贯通部内,将上述第1焊盘电极与上述连接布线电连接,上述贯通部形成在与上述第1层重叠的位置。
Description
关联申请的交叉引用
本申请基于并主张2015年12月16日在日本提出申请的2015-245375号的优先权,通过参考引用在先申请的全部内容。
技术领域
本发明的实施方式涉及显示装置。
背景技术
近年,关于移动电话、PDA(personal digit alassistant:个人数字助理)等便携信息终端设备,根据性能方面、设计性等的观点,在显示面上所占的显示区域的比例更大的显示装置的要求提高。例如,提出了实现更进一步的窄框化的显示装置。
以往,公知有在具有电极的基板的显示区域周边安装驱动部的构造。在这种具有搭载驱动部的安装方式的显示装置中,作为用于将输入信号、电压向驱动部输入的布线基板,往往使用柔性印刷电路布线基板(FPC)。但是,考虑到成品率的提高及窄框化,研究了不使用FPC,而使在阵列基板的下面侧所形成的布线部通过贯通阵列基板的接触孔后与在阵列基板的上面侧所形成的驱动部电连接的方法。
发明内容
根据本实施方式,提供一种显示装置,具备:第1基板,具备具有贯通部的绝缘基板、位于上述绝缘基板的上方的第1焊盘电极及与上述第1焊盘电极电连接的信号布线;第2基板,与上述第1基板对置配置;第1层,位于上述第1焊盘电极与上述第2基板之间;布线基板,具有连接布线,位于上述绝缘基板的下方;以及导电材料,设置在上述贯通部内,将上述第1焊盘电极与上述连接布线电连接,上述贯通部形成在与上述第1层重叠的位置。
本实施方式能够提供能够小型化及窄框化的显示装置。
附图说明
图1是概略地表示本实施方式的显示装置的构成的立体图。
图2是表示图1所示的显示装置的第1基板的概略俯视图。
图3是表示图1所示的显示装置的显示区域的剖视图。
图4A是包含图1所示的显示装置的非显示区域的剖视图。
图4B是包含图1所示的显示装置的非显示区域的另一个剖视图。
图5是表示上述实施方式的显示装置的变形例的剖视图。
图6是表示上述实施方式的第1基板的俯视图,是表示焊盘电极(pad electrode)、接触孔、第2间隔件、密封部件的图。
图7是表示上述实施方式的第1基板的变形例的俯视图,是表示焊盘电极、接触孔、第2间隔件的另一个例子的图。
图8是用于说明上述实施方式的将第1基板与第2基板贴合的第1工序的剖视图。
图9是用于说明接着图8的第1工序的、将支承基板从第1绝缘基板部分地剥离并在第1基板形成接触孔的第2工序的剖视图。
图10是用于说明接着图9的第2工序的、将布线基板向液晶显示面板压接的第3工序的剖视图。
图11是表示上述实施方式的显示装置的另一个变形例的剖视图。
具体实施方式
以下,对于本实施方式,参照附图来说明。另外,揭示的只不过是一个例子,本领域技术人员能够容易地想到的保留发明的主旨的适当变更的实施方式,当然包含在本发明的范围内。另外,关于附图,为了使说明更明确,存在与实际的形态相比,各部的宽度、厚度、形状等是示意地表示的情况,但终究是一例,并不限定本发明的解释。另外,在本说明书和各图中,对于发挥与有关已出现的图的前述过的构成要素相同或类似的功能的构成要素附以同一参照符号,有时适当省略重复的详细的说明。
首先,对于本实施方式的显示装置,详细地进行说明。图1是概略地表示本实施方式的显示装置DSP的构成的立体图。图1表示通过第1方向X、与第1方向X垂直的第2方向Y及与第1方向X及第2方向Y垂直的第3方向Z规定的三维空间。另外,第1方向X及第2方向Y互相正交,但也可以以90°以外的角度相交。另外,在本实施方式中,对显示装置是液晶显示装置的情况进行说明。
如图1所示,显示装置DSP具备有源矩阵型的液晶显示面板PNL及布线基板1。液晶显示面板PNL具备平板状的第1基板SUB1、与第1基板SUB1对置配置的平板状的第2基板SUB2、及被保持在第1基板SUB1与第2基板SUB2之间的液晶层(后述的液晶层LQ)。另外,本实施方式的液晶显示面板PNL是反射型的液晶显示面板。
在本实施方式中,将第3方向Z的正的方向、或者从第1基板SUB1朝向第2基板SUB2的方向定义为上或上方,将第3方向Z的负的方向、或者从第2基板SUB2朝向第1基板SUB1的方向定义为下或下方。
液晶显示面板PNL具备:显示图像的显示区域DA、及包围显示区域DA的框状的非显示区域NDA。液晶显示面板PNL在显示区域DA具有多个像素PX。多个像素PX沿第1方向X及第2方向Y排列,设置成矩阵状。
在一个例子中,第1基板SUB1的与第1方向X平行的侧缘的长度与第2基板SUB2的与第1方向X平行的侧缘的长度大致相等。另外,第1基板SUB1的与第2方向Y平行的侧缘的长度与第2基板SUB2的与第2方向Y平行的侧缘的长度大致相等。也就是说,第1基板SUB1的与X-Y平面平行的面积与第2基板SUB2的与X-Y平面平行的面积大致相等。在本实施方式中,第1基板SUB1的各侧缘在第3方向Z上与第2基板SUB2的各侧缘对齐。
布线基板1配置在液晶显示面板PNL的下方。在一个例子中,布线基板1的与第1方向X平行的侧缘的长度,比第1基板SUB1及第2基板SUB2的与第1方向X平行的侧缘的长度短或者相等。另外,布线基板1的与第2方向Y平行的侧缘的长度,比第1基板SUB1及第2基板SUB2的与第2方向Y平行的侧缘的长度短或者相等。布线基板1位于非显示区域NDA及显示区域DA。在本实施方式中,布线基板1的与第1方向X平行的一个侧缘在第3方向Z上与液晶显示面板PNL的一端对齐。另外,布线基板1不会伸出到与液晶显示面板PNL对置的区域的更外侧。液晶显示面板PNL及布线基板1互相电连接。
图2是表示图1所示的显示装置DSP的第1基板SUB1的概略俯视图。如图2所示,第1基板SUB1在显示区域DA具备:沿第1方向X延伸并在第2方向Y上排列的多个栅极布线G、沿第2方向Y延伸并在第1方向X上排列的多个源极布线S、及在各像素PX处与栅极布线G及源极布线S电连接的薄膜晶体管Tr等。各像素PX例如通过相邻的2条栅极布线G和相邻的2条源极布线S来划分。薄膜晶体管Tr作为开关元件发挥功能。
在位于非显示区域NDA的第1基板SUB1的一端部SUB1e,形成有多个焊盘电极PD和多个接触孔CHa。各个焊盘电极PD形成在与接触孔CHa重叠的位置。各源极布线S及栅极布线G被引出到非显示区域NDA,并分别与焊盘电极PD电连接。布线基板1的至少一部分如图中虚线所示,与第1基板SUB1的一端部SUB1e重叠而配置。布线基板1如后所述,通过接触孔CHa内的未图示的导电材料与焊盘电极PD电连接。
图3是表示图1所示的显示装置DSP的显示区域DA的剖视图。另外,图3表示使用了扭曲向列(TN;Twisted Nematic)模式的反射型的液晶显示装置作为一例。
如图3所示,第1基板SUB1具备支承基板5、遮光掩模(遮光体)LS、第1绝缘基板10、薄膜晶体管Tr、反射层4、像素电极PE及第1取向膜AL1等。支承基板5例如是玻璃基板。遮光掩模LS配置在支承基板5之上。遮光掩模LS遮蔽激光光。在本实施方式中,遮光掩模LS使用将激光光反射的材料形成,例如用将准分子激光光反射的材料形成。第1绝缘基板10配置在支承基板5及遮光掩模LS的上方。即,遮光掩模LS位于支承基板5与第1绝缘基板10之间。第1绝缘基板10使用有机绝缘材料形成,例如使用聚酰亚胺形成。第1绝缘基板10通过第1绝缘膜11来覆盖。
薄膜晶体管Tr形成在第1绝缘膜11的上方。在图示的例子中,薄膜晶体管Tr构成为顶栅结构,但也可以是底栅结构。薄膜晶体管Tr具备形成在第1绝缘膜11之上的半导体层SC。半导体层SC通过第2绝缘膜12覆盖。另外,第2绝缘膜12也配置在第1绝缘膜11之上。
薄膜晶体管Tr的栅极电极WG形成在第2绝缘膜12之上,位于半导体层SC的正上方。栅极电极WG与栅极布线G电连接(或者,与栅极布线G形成为一体),并通过第3绝缘膜13覆盖。另外,第3绝缘膜13也配置在第2绝缘膜12之上。
这种第1绝缘膜11、第2绝缘膜12及第3绝缘膜13例如通过硅氧化物、硅氮化物等的无机类材料形成。
薄膜晶体管Tr的源极电极WS及漏极电极WD形成在第3绝缘膜13之上。另外,源极布线S也同样地形成在第3绝缘膜13之上。源极电极WS与源极布线S电连接(或者,与源极布线S形成为一体)。源极电极WS及漏极电极WD分别通过贯通第2绝缘膜12及第3绝缘膜13的接触孔CH1、CH2而与半导体层SC电连接。薄膜晶体管Tr通过第4绝缘膜14覆盖。第4绝缘膜14也配置在第3绝缘膜13之上。这种第4绝缘膜14例如通过透明的树脂等有机类材料形成。
反射层4例如形成在第4绝缘膜14之上。反射层4用铝、银等反射率高的金属材料形成。另外,反射层4的表面(即,第2基板SUB2侧的面)希望是用于赋予光散射性的凹凸面。
像素电极PE形成在第4绝缘膜14之上,但在图示的例子中,与反射层4重叠。另外,反射层4只要形成在与像素电极PE对置的位置即可,在像素电极PE与反射层4之间也可以存在其他的绝缘膜。像素电极PE通过贯通第4绝缘膜14的接触孔CH3而与薄膜晶体管Tr的漏极电极WD接触。像素电极PE例如通过铟·锡·氧化物(ITO)、铟·锌·氧化物(IZO)等透明的导电材料形成。像素电极PE通过第1取向膜AL1覆盖。
另一方面,第2基板SUB2位于第1基板SUB1的上方,与第1基板SUB1对置配置。第2基板SUB2具备第2绝缘基板30、遮光层BM、滤色器CF、保护层OC、共用电极CE、第2取向膜AL2等。第2绝缘基板30使用玻璃基板、树脂基板等具有光透射性的材料形成。
遮光层BM形成在第2绝缘基板30的与第1基板SUB1对置一侧。遮光层BM形成为划分各像素PX,并形成为与设置于第1基板SUB1的栅极布线G、源极布线S、以及薄膜晶体管Tr等的布线部、接触孔CH3等对置。遮光层BM通过遮光性的金属材料、黑色的树脂材料形成。
滤色器CF形成在第2绝缘基板30的与第1基板SUB1对置一侧,其一部分与遮光层BM重叠。滤色器CF通过分别被着色为互不相同的多个颜色例如红色、蓝色、绿色的树脂材料形成。红色的滤色器与红色像素对应而配置,绿色的滤色器与绿色像素对应而配置,蓝色的滤色器与蓝色像素对应而配置。另外,滤色器CF也可以进一步包括白色或者透明的滤色器。不同颜色的滤色器CF间的边界与遮光层BM对置。
保护层OC覆盖滤色器CF。保护层OC通过透明的树脂材料形成。
共用电极CE形成在保护层OC的与第1基板SUB1对置一侧。这种共用电极CE例如通过ITO、IZO等透明的导电材料形成。共用电极CE通过第2取向膜AL2覆盖。
在如上所述的第1基板SUB1和第2基板SUB2上,第1取向膜AL1及第2取向膜AL2互相对置而配置。此时,在第1基板SUB1与第2基板SUB2之间,通过未图示的间隔件,形成规定的单元间隙(cell gap)。第1基板SUB1与第2基板SUB2,以形成有单元间隙的状态通过未图示的密封部件贴合。液晶层LQ被封入到第1取向膜AL1与第2取向膜AL2之间。在第2绝缘基板30的外面30B,配置有包括偏光板PL的光学元件OD。这种光学元件OD位于显示面侧。
图4A是图1所示的显示装置DSP的包括非显示区域NDA的剖视图。另外,这里,第2基板SUB2与图3所示的第2基板SUB2的构造大致相同,因此关于其详细的构造的说明,予以省略。另外,在本实施方式中,将从第2基板SUB2看第1基板SUB1定义为俯视。
如图4A所示,第1基板SUB1及第2基板SUB2通过密封部件SL贴合。液晶层LQ设置在被第1基板SUB1及第2基板SUB2和密封部件SL包围的区域内。密封部件SL形成在非显示区域NDA。
支承基板5及遮光掩模LS在非显示区域NDA,未一直延伸到第1基板SUB1的端部而被中途切断。也就是说,支承基板5及遮光掩模LS不是如图2所示那样、一直延伸到第1基板SUB1的一端部SUB1e侧的侧缘而形成。这里,第1基板SUB1具有第1区域AR1及第2区域AR2。第1区域AR1在俯视时相当于配置有支承基板5及遮光掩模LS的区域,第2区域AR2在俯视时相当于未配置有支承基板5及遮光掩模LS的区域。支承基板5及遮光掩模LS在俯视时与密封部件SL的一部分重叠。密封部件SL跨第1区域AR1与第2区域AR2的边界而形成。
焊盘电极PD形成在第1绝缘基板10的上方。在图示的例子中,在焊盘电极PD与第1绝缘基板10的层间,配置有第1绝缘膜11、第2绝缘膜12及第3绝缘膜13。另外,在图示的例子中,焊盘电极PD通过层叠电极P1及P2而构成。电极P1例如使用作为透明导电材料的ITO形成。电极P2配置在电极P1之上,例如使用金属材料等的导电材料形成。电极P2例如形成为岛状。在第1绝缘基板10、第1绝缘膜11、第2绝缘膜12、第3绝缘膜13上,形成有一直贯通到焊盘电极PD为止的接触孔CHa。焊盘电极PD形成在与接触孔CHa对置的位置。焊盘电极PD及接触孔CHa形成在俯视时的第1基板SUB1的第2区域AR2。另外,接触孔CHa形成在俯视时与密封部件SL重叠的位置。另外,在本实施方式中,接触孔CHa相当于将第1绝缘基板10、第1绝缘膜11、第2绝缘膜12、第3绝缘膜13一直贯通到焊盘电极PD为止的贯通部。
信号布线6在图示的例子中,形成在第3绝缘膜13之上,并与焊盘电极PD形成在同层。信号布线6与焊盘电极PD电连接。信号布线6及焊盘电极PD既可以分别单独形成,也可以形成为一体。在图示的例子中,信号布线6与焊盘电极PD的电极P2形成为一体。信号布线6相当于图2所示的栅极布线G、源极布线S、电源线、各种控制用布线等。
另外,在图示的例子中,信号布线6及焊盘电极PD与源极布线S配置在同层,但也可以配置在其他的层。另外,也可以是,信号布线6及焊盘电极PD配置在互不相同的层,并经由在信号布线6及焊盘电极PD之间的层间绝缘膜上所形成的接触孔,两者电连接。在图示的例子中,第4绝缘膜14在通过密封部件SL包围的内侧的区域,配置在信号布线6之上。
在图4A所示的例子中,第1基板SUB1还具备第1间隔件SP1及第2间隔件SP2。第1间隔件SP1在显示区域DA配置在第4绝缘膜14之上。第1间隔件SP1配置在第1基板SUB1的与第2基板SUB2对置一侧,并向第2基板SUB2侧突出而形成。第1间隔件SP1在第1基板SUB1与第2基板SUB2之间形成规定的单元间隙。第1间隔件SP1例如通过将丙烯类树脂作为基体的树脂材料形成。
第2间隔件SP2在非显示区域NDA形成在焊盘电极PD之上,并位于焊盘电极PD与第2基板SUB2之间。另外,第2间隔件SP2位于与接触孔CHa重叠的位置。第2间隔件SP2具备第1层S1及第2层S2。在图示的例子中,第1层S1配置在焊盘电极PD之上,第2层S2配置在第1层S1之上,并向第2基板SUB2侧突出而形成。另外,第2层S2与第2基板SUB2相接。在图示的例子中,第2层S2形成为趋向第2基板SUB2而前端细的正锥形状。第1层S1例如用与第4绝缘膜14相同的材料通过同一工序形成,用与密封部件SL的材料不同的材料形成。第2层S2例如用与第1间隔件SP1相同的材料通过同一工序形成。第1层S1及第2层S2例如可以是通过树脂材料形成的树脂层。在本实施方式中,第1间隔件SP1及第2层S2例如使用负阻型的感光性丙烯树脂形成。另外,在图示的例子中,密封部件SL位于第1层S1的内侧和外侧这两侧。
另外,单个的第2间隔件SP2也可以形成为沿第1方向X连续地延伸的壁状。或者,多个第2间隔件SP2也可以形成为不连续的壁状。或者,多个第2间隔件SP2也可以形成为分散的柱状。只要在俯视时第2间隔件SP2与焊盘电极PD的至少一部分重叠即可。
另外,如图所示,在多个层层叠而构成第2间隔件SP2时,多个层分别能够用例如与在显示区域DA形成的绝缘膜相同的材料通过同一工序形成。
在图示的例子中,第1间隔件SP1及第2间隔件SP2趋向第2基板SUB2形成为前端细的正锥形状,但第1间隔件SP1及第2间隔件SP2的形状不限于图示的例子,也可以形成为趋向第1基板SUB1而前端细的倒锥形状。另外,在图示的例子中,第2间隔件SP2形成在第1基板SUB1上,但也可以形成在第2基板SUB2上。
布线基板1具备:芯板基板200、配置在芯板基板200的与液晶显示面板PNL对置一侧的面上的连接布线100、配置在芯板基板200的与液晶显示面板PNL对置一侧的面的相反侧的面上的驱动部2。
连接布线100具有凸部T。连接布线100的凸部T形成在俯视时与接触孔CHa重叠的位置。凸部T的至少一部分设置在接触孔CHa内。凸部T例如使用电镀等的方法形成在连接布线100之上。
驱动部2经由在芯板基板200上所形成的通孔110与连接布线100电连接。驱动部2作为供给对液晶显示面板PNL进行驱动所需的信号的信号供给源等发挥功能。另外,驱动部2的位置并不特别限制,也可以配置在芯板基板200的与液晶显示面板PNL对置一侧的面上。
液晶显示面板PNL及布线基板1经由作为导电材料的各向异性导电膜3互相电连接并且粘接。即,各向异性导电膜3包含被分散在粘接剂中的导电粒子CP。因此,以在布线基板1与液晶显示面板PNL之间存在各向异性导电膜3的状态,沿第3方向Z从上下对布线基板1及液晶显示面板PNL加压并加热,由此两者在电气上及物理上连接。各向异性导电膜3在液晶显示面板PNL与布线基板1之间,从第1绝缘基板10的下面到接触孔CHa的内部地被填充,并与焊盘电极PD的第1电极P1接触。另外,各向异性导电膜3与连接布线100的凸部T接触。由此,连接布线100经由各向异性导电膜3与焊盘电极PD及信号布线6电连接。
具体而言,各向异性导电膜3中包含的导电粒子CP在接触孔CHa中存在于焊盘电极PD与凸部T之间。如上所述,连接布线100具有凸部T,由此布线基板1被向液晶显示面板PNL压接时,导电粒子CP在焊盘电极PD与凸部T之间被压溃,能够将两者电连接。导电粒子CP例如可以整体是金属制,也可以将树脂材料用镍、金等金属材料涂层而成。
凸部T在第3方向上与各向异性导电膜3及第2间隔件SP2对置。这里,作为材料的强度的尺度,使用杨氏模量。各向异性导电膜3的导电粒子CP具有杨氏模量A,凸部T具有杨氏模量B,第2间隔件SP2具有杨氏模量C。凸部T的杨氏模量B比导电粒子CP的杨氏模量A大,并比第2间隔件SP2的杨氏模量C小。
根据本实施方式,凸部T、各向异性导电膜3及第2间隔件SP2各自在第3方向Z上互相对置。凸部T配置在与接触孔CHa重叠的位置。在对第2间隔件SP2和凸部T和导电粒子CP的各自的强度进行比较的情况下,第2间隔件SP2的强度最大,凸部T的强度比第2间隔件SP2的强度小,导电粒子CP的强度最小。因此,在将布线基板1向液晶显示面板PNL压接时,导电粒子CP被来自凸部T的压力压垮,另一方面,第2间隔件SP2不易由于来自凸部T及导电粒子CP的压力变形。也就是说,在将布线基板1向液晶显示面板PNL压接的位置即形成接触孔CHa的位置,能够提高相对于沿第3方向Z施加的力的第1基板SUB1及第2基板SUB2之间的强度。因此,能够抑制液晶显示面板PNL的破损,同时能够沿着凸部T的形状使导电粒子CP容易地变形。
另外,第2间隔件SP2配置在与接触孔CHa重叠的位置,因此密封部件SL不配置在与接触孔CHa重叠的位置,而不需要考虑密封部件SL的杨氏模量来选择材料。因此,密封部件SL的材料的选项扩宽,能够提高密封部件SL的粘接强度。并且,通过提高密封部件SL的材料的粘接强度,能够减小密封部件SL的涂布面积,能够有助于非显示区域NDA的面积缩小。另外,不需要将密封部件SL与接触孔CHa重叠地进行涂布,因此能够抑制密封部件SL的涂布位置的偏差引起的成品率的降低。
另外,根据本实施方式,在显示装置DSP中,布线基板1配置在液晶显示面板PNL的下方(与显示面相反的背面侧),布线基板1及液晶显示面板PNL经由接触孔CHa内的导电材料(上述的例子中为各向异性导电膜3)电连接。另外,驱动部2配置在液晶显示面板PNL的下方。因此,不需要为了配置驱动部2、布线基板1而将第1基板SUB1的安装部的面积扩大,能够以大致同等的面积形成第1基板SUB1和第2基板SUB2。另外,在第1基板SUB1与第2基板SUB2对置的区域内,能够将有源区域ACT扩大。也就是说,在本实施方式的显示装置DSP的显示面上,对有源区域ACT有贡献的面积的比例提高,能够实现窄框化。
另外,用于将从第1基板SUB1的与第2基板SUB2对置一侧一直到布线基板1为止电连接的长条的柔性印刷电路布线电路基板并不需要,用于收纳弯折了的柔性印刷电路布线电路基板的空间也不需要。因此,能够使显示装置DSP小型化。并且,也能够使装入了显示装置DSP的电子设备小型化。
并且,能够避免将柔性印刷电路布线电路基板弯折而收纳时的布线的断线,因此能够提高显示装置DSP的可靠性。
图4B是包含图1所示的显示装置的非显示区域的另一个剖视图。图4B所示的液晶显示面板PNL与图4A所示的液晶显示面板PNL相比较,第2间隔件SP2的构成不同。
在图4B所示的例子中,第2间隔件SP2由第1层S1构成,不具备第2层S2。另外,在第1层S1与第2基板SUB2之间存在密封部件SL。这样,第2间隔件SP2以单层构成,也可以不与第2基板SUB2相接。
图5是表示上述实施方式的显示装置DSP的变形例的剖视图。图5所示的液晶显示面板PNL与图4A所示的液晶显示面板PNL相比较,第2间隔件SP2的构成不同。
在图5所示的例子中,第2间隔件SP2由第1层S1构成,不具备第2层S2。第1层S1配置在焊盘电极PD之上,并向第2基板SUB2侧突出而形成。第1层S1与第2基板SUB2相接。在图示的例子中,第1层S1形成为趋向第2基板SUB2而前端细的正锥形状。这样,第2间隔件SP2可以以单层构成。此时,第1层S1例如用与第1间隔件SP1相同的材料通过同一工序形成。
图6是表示上述实施方式的第1基板SUB1的俯视图,是表示焊盘电极PD、接触孔CHa、第2间隔件SP2及密封部件SL的图。
多个焊盘电极PD及接触孔CHa在第1基板SUB1的一端部SUB1e侧的非显示区域NDA,沿第1方向X排列。即,焊盘电极PD2与焊盘电极PD1相邻。第2间隔件SP2在第1基板SUB1的一端部SUB1e侧的非显示区域NDA,沿第1方向X延伸。第2间隔件SP2俯视时与多个焊盘电极PD及接触孔CHa重叠。即,第1层S1俯视时与焊盘电极PD1及PD2重叠。另外,在图示的例子中,密封部件SL位于第1层S1的内侧和外侧这两侧。
图7是表示上述实施方式的第1基板的变形例的俯视图,是表示焊盘电极PD、接触孔CHa、第2间隔件SP2的另一个例子的图。
焊盘电极PD、接触孔CHa、信号布线6排列成锯齿状。通过这样配置焊盘电极PD,能够将连接布线等沿着第1方向X更密地配置。例如,在本变形例的情况下,与图6所示的情况相比较,能够配置更多个焊盘电极PD。或者,能够使多个焊盘电极PD密集于一端部SUB1e的一个地方,因此能够谋求布线基板1的小型化及低成本化。第2间隔件SP2在第1基板SUB1的一端部SUB1e侧的非显示区域NDA沿第1方向X延伸。第2间隔件SP2俯视时与配置成锯齿状的多个焊盘电极PD及接触孔CHa重叠。即,第1层S1俯视时与焊盘电极PD1及PD2重叠。
接着,关于本实施方式的显示装置DSP的制造工序,使用图8~图10进行说明。图8至图10是用于说明本实施方式的布线基板1对液晶显示面板PNL的压接方法的概略剖视图。与图8至图10所示的焊盘电极PD相比更上层的构造,与图4A所示的液晶显示面板PNL中的焊盘电极PD的更上层的构造相同。
图8是用于说明将上述实施方式的第1基板SUB1与第2基板SUB2贴合的第1工序的剖视图。
如图8所示,首先,在支承基板5上形成遮光掩模LS。遮光掩模LS形成在第1基板SUB1的第1区域AR1。通过在支承基板5及遮光掩模LS上成膜出有机绝缘膜来形成第1绝缘基板10。然后,依次形成第1绝缘膜11、第2绝缘膜12、第3绝缘膜13、焊盘电极PD、信号布线6等。在第1区域AR1,第4绝缘膜14形成在信号布线6之上,同时在第2区域AR2,第1层S1形成在焊盘电极PD之上。在第1区域AR1,第1间隔件SP1形成在第4绝缘膜14之上,同时,在第2区域AR2,第2层S2形成在第1层S1之上。接着,形成第1取向膜AL1。如上所述,形成第1基板SUB1,另一方面,形成第2基板SUB2。
然后,在第1基板SUB1或第2基板SUB2上形成密封部件SL。在本实施方式中,例如,从第1基板SUB1的第2间隔件SP2之上涂布密封部件SL的材料。在向被密封部件SL包围的内侧滴下液晶材料后,将第1基板SUB1与第2基板SUB2贴合。
另外,密封部件SL也可以涂布到第2间隔件SP2的内侧、即相比于第2间隔件SP2更靠液晶层LQ侧。在此情况下,在将第1基板SUB1与第2基板SUB2贴合时,第2间隔件SP2成为堤防,能够抑制密封部件SL的扩展。因此,能够缩小形成密封部件SL的面积,能够有助于非显示区域NDA的面积缩小。此时,例如,密封部件SL位于第2间隔件SP2的内侧。
接着,为了从第1绝缘基板10将支承基板5部分地剥离,从支承基板5的背面侧照射激光光LL。这里,在本实施方式中,例如,支承基板5通过玻璃形成,第1绝缘基板10通过聚酰亚胺形成。在从支承基板5的背面侧照射激光光LL时,在第2区域AR2,激光光LL到达第1绝缘基板10的面10A。第1绝缘基板10在支承基板5与第1绝缘基板10之间的界面,吸收激光光LL并分解。由此,在支承基板5及第1绝缘基板10的界面产生空间。此时,在第1区域AR1配置有遮光掩模LS,激光光LL不会到达第1绝缘基板10的面10A,因此第1绝缘基板10与遮光掩模LS的界面不剥离。
图9是用于说明接着图8的第1工序的、将支承基板5从第1绝缘基板10部分地剥离并在第1基板SUB1上形成接触孔CHa的第2工序的剖视图。
如图9所示,在被照射了激光光后,在第1区域AR1,支承基板5经由遮光掩模LS被固定于第1绝缘基板10,但在第2区域AR2,支承基板5成为从第1绝缘基板10浮起的状态。然后,通过在第1区域AR1及第2区域AR2的边界将支承基板5切断,在第2区域AR2中支承基板5被去除。另外,将支承基板5切断的位置并不限定于与遮光掩模LS的端对置的位置。例如,将支承基板5切断的位置可以是从遮光掩模LS的端隔开了距离的位置,而且是不与遮光掩模LS对置的位置。
在第2区域AR2,支承基板5被从第1绝缘基板10剥离后,进行在第1基板SUB1形成接触孔CHa的工序。即,通过从第1基板SUB1的下方侧朝向与密封部件SL重叠的区域照射激光光,在第1绝缘基板10、第1绝缘膜11、第2绝缘膜12、第3绝缘膜13上形成一直贯通到焊盘电极PD为止的接触孔CHa。在本实施方式中,例如优选使用具有258nm以下的波段的激光光。
图10是用于说明接着图9的第2工序的、将布线基板1向液晶显示面板PNL压接的第3工序的剖视图。
如图10所示,在第1基板SUB1上形成有接触孔CHa后,进行使用各向异性导电膜3将布线基板1向液晶显示面板PNL压接的工序。即,在布线基板1与液晶显示面板PNL之间而且是与接触孔CHa对置的位置,配置各向异性导电膜3,并从布线基板1的下方及液晶显示面板PNL的上方,沿图9所示的箭头的方向施加压力并加热。由此,各向异性导电膜3熔融而浸润到接触孔CHa内,并且各向异性导电膜3中包括的导电粒子与焊盘电极PD接触,布线基板1及液晶显示面板PNL被电连接。
通过以上的工序,布线基板1被压接于液晶显示面板PNL。
图11是表示上述实施方式的显示装置DSP的另一个变形例的剖视图。在图11所示的例子中,作为显示装置,表示有机电致发光(EL)显示装置。
首先,对显示元件部120中的显示装置的构造进行说明。另外,对与上述的构成例相同的构成附以同一参照符号并将详细的说明省略。
如图11所示,第1基板SUB1具备支承基板5、遮光掩模LS、第1绝缘基板10、开关元件SW1、SW2、SW3、有机EL元件OLED1、OLED2、OLED3等。遮光掩模LS位于支承基板5及第1绝缘基板10之间。开关元件SW1至SW3形成在第1绝缘膜11之上。反射层4形成在第4绝缘膜14之上。
有机EL元件(发光元件)OLED1至OLED3配置在第1基板SUB1与第2基板SUB2之间。另外,有机EL元件OLED1至OLED3形成在第4绝缘膜14之上。在图示的例子中,有机EL元件OLED1与开关元件SW1电连接,有机EL元件OLED2与开关元件SW2电连接,有机EL元件OLED3与开关元件SW3电连接。有机EL元件OLED1至OLED3都构成为朝向第2基板SUB2一侧辐射白色光的顶部发光型。这种有机EL元件OLED1至OLED3都为相同构造。
有机EL元件OLED1具备在反射层4之上所形成的阳极PE1。阳极PE1与开关元件SW1的漏极电极WD接触,并与开关元件SW1电连接。同样地,有机EL元件OLED2具备与开关元件SW2电连接的阳极PE2,有机EL元件OLED3具备与开关元件SW3电连接的阳极PE3。
有机EL元件OLED1至OLED3进一步具备有机发光层ORG及共用电极(阴极)CE。有机发光层ORG分别位于阳极PE1至PE3之上。共用电极CE位于有机发光层ORG之上。在图示的例子中,有机EL元件OLED1至OLED3分别通过肋15划分。另外,虽未图示,但希望有机EL元件OLED1至OLED3通过透明的封固膜来封固。
显示元件部120,相当于第1基板SUB1中的、多个开关元件及有机EL元件OLED排列的区域,实质上是显示图像的显示区域。
第2基板SUB2在第2绝缘基板30的内面30A侧具备滤色器层220等。滤色器层220具备滤色器CF1、滤色器CF2及滤色器CF3。滤色器CF1是与有机EL元件OLED1对置且使白色中的蓝色波长的光透射的蓝色滤色器。滤色器CF2是与有机EL元件OLED2对置并使白色中的绿色波长的光透射的绿色滤色器。滤色器CF3是与有机EL元件OLED3对置并使白色中的红色波长的光透射的红色滤色器。
这种第1基板SUB1的显示元件部120与第2基板SUB2,通过透明的粘接层41而贴合。
在这种显示装置中,有机EL元件OLED1至OLED3各自发光时,各个辐射光(白色光)经由滤色器CF1、滤色器CF2、滤色器CF3分别向外部出射。此时,从有机EL元件OLED1辐射的白色光中的、蓝色波长的光透射滤色器CF1。另外,从有机EL元件OLED2辐射的白色光中的、绿色波长的光透射滤色器CF2。另外,从有机EL元件OLED3辐射的白色光中的、红色波长的光透射滤色器CF3。由此,实现彩色显示。
接着,对框区域PRP中的显示装置的构造进行说明。
第1基板SUB1具备支承基板5、遮光掩模LS、第1绝缘基板10、焊盘电极PD、信号布线6及第3间隔件SP3等。在第1绝缘基板10、第1绝缘膜11、第2绝缘膜12及第3绝缘膜13上,形成有一直贯通到焊盘电极PD为止的接触孔CHb。接触孔CHb相当于贯通部。信号布线6配置在第3绝缘膜13之上,与焊盘电极PD配置在同层。
第3间隔件SP3配置在焊盘电极PD之上。第3间隔件SP3具备第1层S1、第2层S2及第3树脂层S3。在图示的例子中,第1层S1配置在焊盘电极PD之上,第2层S2配置在第1层S1之上,第3树脂层S3配置在第2层S2之上。第1层S1例如用与第4绝缘膜14相同的材料通过同一工序形成。第2层S2例如用与第1间隔件SP1相同的材料通过同一工序形成。第3树脂层S3例如用与显示元件部120内形成的间隔件相同的材料通过同一工序形成。另外,粘接层41与图6所示的密封部件SL同样地、位于第1层S1的内侧和外侧这两侧。
布线基板1位于第1基板SUB1的背面侧。焊盘电极PD及布线基板1的连接布线100经由各向异性导电膜3互相电连接。
在作为这种显示装置的变形例的有机EL显示装置中,可获得与上述同样的效果。
如以上说明那样,根据本实施方式,能够提供能够小型化及窄框化的显示装置。
另外,对本发明的几个实施方式进行了说明,但这些实施方式是作为例子提示的,意图不是限定发明的范围。这些新的实施方式能够以其他的各种各样的方式实施,在不脱离发明的主旨的范围内,能够进行各种省略、置换、变更。这些实施方式及其变形,包含于发明的范围及主旨,并且包含于权利要求书记载的发明及其等同的范围。
Claims (18)
1.一种显示装置,具备:
第1基板,具备具有贯通部的绝缘基板、位于上述绝缘基板的上方的第1焊盘电极及与上述第1焊盘电极电连接的信号布线;
第2基板,与上述第1基板对置配置;
第1层,位于上述第1焊盘电极与上述第2基板之间;
布线基板,具有连接布线,位于上述绝缘基板的下方;以及
导电材料,设置在上述贯通部内,将上述第1焊盘电极与上述连接布线电连接,
上述贯通部形成在与上述第1层重叠的位置。
2.如权利要求1所述的显示装置,
具备间隔件,该间隔件具有上述第1层和配置在上述第1层之上的第2层。
3.如权利要求1所述的显示装置,
上述第1层形成于上述第1基板。
4.如权利要求2所述的显示装置,
上述第2层与上述第2基板相接。
5.如权利要求4所述的显示装置,
上述第2层是正锥形。
6.如权利要求1所述的显示装置,
上述第1层与上述第2基板相接。
7.如权利要求6所述的显示装置,
上述第1层是正锥形。
8.如权利要求1所述的显示装置,
上述第1基板还具备第1区域、与上述第1区域相邻的第2区域和配置于上述第1区域的支承基板。
9.如权利要求1所述的显示装置,
上述连接布线具有第1杨氏模量,上述第1层具有第2杨氏模量,上述导电材料具有第3杨氏模量,上述第1杨氏模量比上述第3杨氏模量大,且比上述第2杨氏模量小。
10.如权利要求1所述的显示装置,
上述第1焊盘电极具备与上述导电材料相接的第1电极,
上述第1电极使用透明导电层形成。
11.如权利要求10所述的显示装置,
上述第1焊盘电极具备配置在上述第1电极之上的第2电极,
上述第2电极使用金属材料形成。
12.如权利要求1所述的显示装置,具备:
发光元件,配置在上述第1基板与上述第2基板之间;及
粘接层,将上述第1基板与上述第2基板贴合,
上述粘接层在俯视时位于上述第1层的内侧。
13.如权利要求12所述的显示装置,
上述粘接层在俯视时位于上述第1层的外侧。
14.如权利要求1所述的显示装置,具备:
液晶层,被保持在上述第1基板与上述第2基板之间;及
密封部件,将上述第1基板与上述第2基板贴合,
上述密封部件在俯视时位于上述第1层的内侧。
15.如权利要求14所述的显示装置,
上述密封部件在俯视时位于第1层的外侧。
16.如权利要求1所述的显示装置,
密封部件介于上述第1层与上述第2基板之间。
17.如权利要求1所述的显示装置,
上述第1基板具备用与上述第1层相同的材料形成的绝缘膜。
18.如权利要求1所述的显示装置,
具备与上述第1焊盘电极相邻的第2焊盘电极,上述第1焊盘电极及上述第2焊盘电极在俯视时与同一上述第1层重叠。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2015-245375 | 2015-12-16 | ||
JP2015245375A JP2017111297A (ja) | 2015-12-16 | 2015-12-16 | 表示装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN106918961A true CN106918961A (zh) | 2017-07-04 |
CN106918961B CN106918961B (zh) | 2020-10-27 |
Family
ID=59066130
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201611164328.2A Active CN106918961B (zh) | 2015-12-16 | 2016-12-16 | 显示装置 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US10126615B2 (zh) |
JP (1) | JP2017111297A (zh) |
CN (1) | CN106918961B (zh) |
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- 2016-12-16 CN CN201611164328.2A patent/CN106918961B/zh active Active
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
GR01 | Patent grant | ||
GR01 | Patent grant |