JP2017161887A - 表示装置 - Google Patents

Abstract

【課題】小型化及び狭額縁化が可能な表示装置を提供する。【解決手段】第１領域と、前記第１領域に隣接する第２領域と、前記第２領域に形成された貫通部と、を有する絶縁基板と、前記貫通部の上方に配置されたパッド電極と、を有する第１フレキシブル基板と、前記貫通部と対向する位置に配置された接続配線を有し、前記第１フレキシブル基板の下方に配置された第２フレキシブル基板と、前記パッド電極と前記接続配線とを電気的に接続する異方性導電膜と、を備え、前記異方性導電膜は、前記第２領域と前記第２フレキシブル基板との間に配置され、前記第１領域に隣接する第１位置における第１膜厚と、前記第１位置よりも前記貫通部側の第２位置における第２膜厚と、を有し、前記第１膜厚は前記第２膜厚より大きい表示装置。【選択図】 図３

Description

本発明の実施形態は、表示装置に関する。

近年、携帯電話やＰＤＡ（ｐｅｒｓｏｎａｌ ｄｉｇｉｔａｌ ａｓｓｉｓｔａｎｔ）等の携帯情報端末機器では、性能面やデザイン性等の観点から、表示面に占める表示領域の割合がより大きい表示装置の要求が高まっている。例えば、より一層の狭額縁化を実現する表示装置が提案されている。

従来、電極を有する基板の表示領域周辺に駆動部が実装される構造が知られている。このような駆動部が実装された表示装置においては、入力信号や電圧を駆動部に入力するための配線基板としてフレキシブル・プリント基板（ＦＰＣ）が用いられることがある。一方で、ＦＰＣを用いずに、アレイ基板の下面側に形成された配線部を、アレイ基板を貫通するコンタクトホールを通して、アレイ基板の上面側に形成された駆動部と電気的に接続する方法が検討されている。

特開平１０−１０４６５１号公報 特開２００９−２３７４１０号公報 特開平１０−１８９８６３号公報 特開２０１４−２３６２０９号公報

本実施形態の目的は、小型化及び狭額縁化が可能な表示装置を提供することにある。

本実施形態によれば、第１領域と、前記第１領域に隣接する第２領域と、前記第２領域に形成された貫通部と、を有する絶縁基板と、前記貫通部の上方に配置されたパッド電極と、を有する第１フレキシブル基板と、前記貫通部と対向する位置に配置された接続配線を有し、前記第１フレキシブル基板の下方に配置された第２フレキシブル基板と、前記パッド電極と前記接続配線とを電気的に接続する異方性導電膜と、を備え、前記異方性導電膜は、前記第２領域と前記第２フレキシブル基板との間に配置され、前記第１領域に隣接する第１位置における第１膜厚と、前記第１位置よりも前記貫通部側の第２位置における第２膜厚と、を有し、前記第１膜厚は前記第２膜厚より大きい表示装置が提供される。

図１は、第１実施形態及び第２実施形態に係る表示装置の構成を概略的に示す斜視図である。 図２は、図１に示した表示装置の表示領域を示す断面図である。 図３は、図１に示した表示装置の非表示領域を含んだ断面図である。 図４は、図３に示した表示装置の一部を拡大して示す断面図である。 図５は、第１絶縁基板から支持基板を剥離する工程を説明するための断面図である。 図６は、第１絶縁基板に保護部材を貼付する工程を説明するための断面図である。 図７は、第１絶縁基板に第１コンタクトホールを形成する工程を説明するための断面図である。 図８は、第２領域において第１絶縁基板を薄膜化しつつ、絶縁膜に第２コンタクトホールを形成する工程を説明するための断面図である。 図９は、配線基板を表示パネルに圧着するために、表示パネル、異方性導電膜、配線基板を圧着装置に載置する工程を説明するための断面図である。 図１０は、配線基板を表示パネルに圧着する工程を説明するための断面図である。 図１１は、第１実施形態に係る圧着ヘッドの変形例を示す断面図である。 図１２は、第１実施形態に係る第１基板を示す平面図であり、コンタクトホールと圧着ヘッドとの位置関係等を示す図である。 図１３は、第２実施形態に係る表示装置の非表示領域を含んだ断面図である。 図１４は、第１絶縁基板に保護部材を貼付する工程を説明するための断面図である。 図１５は、図１４に示される保護部材の密度の分布を示す平面図である。 図１６は、第２領域と重なる位置に配置された保護部材を剥離する工程を説明するための断面図である。 図１７は、第２領域と重なる位置に配置された保護部材が剥離された後の表示パネルの状態を示す断面図である。 図１８は、第１絶縁基板に第１コンタクトホールを形成する工程を説明するための断面図である。 図１９は、配線基板を表示パネルに圧着する工程を説明するための断面図である。 図２０は、図１４に示した保護部材の変形例を示す断面図である。 図２１は、図２に示した表示装置の変形例を示す断面図である。

以下、本実施形態について、図面を参照しながら説明する。なお、開示はあくまで一例に過ぎず、当業者において、発明の主旨を保っての適宜変更について容易に想到し得るものについては、当然に本発明の範囲に含有されるものである。また、図面は、説明をより明確にするため、実際の態様に比べて、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。また、本明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同一又は類似した機能を発揮する構成要素には同一の参照符号を付し、重複する詳細な説明を適宜省略することがある。

まず、第１実施形態及び第２実施形態に係る表示装置について詳細に説明する。

図１は、第１実施形態及び第２実施形態に係る表示装置ＤＳＰの構成を概略的に示す斜視図である。第１方向Ｘ、第２方向Ｙ、及び、第３方向Ｚは、互いに直交しているが、９０度以外の角度で交差していても良い。第１方向Ｘ及び第２方向Ｙは、表示装置ＤＳＰを構成する基板の主面と平行な方向に相当し、第３方向Ｚは、表示装置ＤＳＰの厚さ方向に相当する。以下、本実施形態において、表示装置が有機エレクトロルミネッセンス（ＥＬ）表示装置である場合について説明する。

図１に示すように、表示装置ＤＳＰは、表示パネルＰＮＬと、配線基板１とを備えている。表示パネルＰＮＬは、平板状の第１基板ＳＵＢ１と、第１基板ＳＵＢ１に対向配置された平板状の第２基板ＳＵＢ２と、を備えている。

本実施形態においては、第３方向Ｚの正の向き、あるいは、第１基板ＳＵＢ１から第２基板ＳＵＢ２に向かう方向を上又は上方と定義し、第３方向Ｚの負の向き、あるいは、第２基板ＳＵＢ２から第１基板ＳＵＢ１に向かう方向を下又は下方と定義する。また、「第１部材の上方の第２部材」及び「第１部材の下方の第２部材」とした場合、第２部材は、第１部材に接していてもよく、又は第１部材から離れていてもよい。第２部材が第１部材から離れている場合、第１部材と第２部材との間に、第３の部材が介在していてもよい。一方、「第１部材の上の第２部材」及び「第１部材の下の第２部材」とした場合、第２部材は第１部材に接している。

第２基板ＳＵＢ２は、第１基板ＳＵＢ１の上方に配置されている。表示パネルＰＮＬは、画像を表示する表示領域ＤＡと、表示領域ＤＡを囲む非表示領域ＮＤＡと、を備えている。表示パネルＰＮＬは、表示領域ＤＡにおいて、複数の画素ＰＸを備えている。複数の画素ＰＸは、第１方向Ｘ及び第２方向Ｙに並べられ、マトリクス状に設けられている。

図示した例では、第１基板ＳＵＢ１及び第２基板ＳＵＢ２は、Ｘ−Ｙ平面において略長方形状に形成されている。一例では、第１基板ＳＵＢ１の第１方向Ｘに平行な２つの側縁の長さは、それぞれ第２基板ＳＵＢ２の第１方向Ｘに平行な２つの側縁の長さと略等しい。すなわち、第１基板ＳＵＢ１の第１方向Ｘに沿った幅と、第２基板ＳＵＢ２の第１方向Ｘに沿った幅とは等しい。また、第１基板ＳＵＢ１の第２方向Ｙに平行な２つの側縁の長さは、それぞれ第２基板ＳＵＢ２の第２方向Ｙに平行な２つの側縁の長さと略等しい。すなわち、第１基板ＳＵＢ１の第２方向Ｙに沿った幅と、第２基板ＳＵＢ２の第２方向Ｙに沿った幅とは等しい。つまり、第１基板ＳＵＢ１のＸ−Ｙ平面に平行な面積は、第２基板ＳＵＢ２のＸ−Ｙ平面に平行な面積と略等しい。本実施形態において、第１基板ＳＵＢ１の各側縁は、それぞれ第３方向Ｚにおいて、第２基板ＳＵＢ２の各側縁と揃っている。

配線基板１は、表示パネルＰＮＬの下方に配置されている。表示パネルＰＮＬ及び配線基板１は、互いに電気的に接続されている。図示した例では、配線基板１は、Ｘ−Ｙ平面において略長方形状に形成されている。一例では、配線基板１の第１方向Ｘに平行な側縁の長さは、それぞれ第１基板ＳＵＢ１及び第２基板ＳＵＢ２の第１方向Ｘに平行な側縁の長さより短い、もしくは同等である。すなわち、配線基板１の第１方向Ｘに沿った幅は、第１基板ＳＵＢ１及び第２基板ＳＵＢ２の第１方向Ｘに沿った幅より小さい、もしくは同等である。また、配線基板１の第２方向Ｙに平行な側縁の長さは、それぞれ第１基板ＳＵＢ１及び第２基板ＳＵＢ２の第２方向Ｙに平行な側縁の長さより短い、もしくは同等である。すなわち、配線基板１の第２方向Ｙに沿った幅は、第１基板ＳＵＢ１及び第２基板ＳＵＢ２の第２方向Ｙに沿った幅より小さい、もしくは同等である。配線基板１は、第３方向Ｚにおいて、非表示領域ＮＤＡ及び表示領域ＤＡと重なっている。なお、配線基板１は、表示パネルＰＮＬと対向する領域よりも外側にはみ出すことはない。

図２は、図１に示した表示装置ＤＳＰの表示領域ＤＡを示す断面図である。
図２に示すように、第１基板ＳＵＢ１は、第１絶縁基板１０、スイッチング素子ＳＷ１、ＳＷ２、ＳＷ３、反射層４、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１、ＯＬＥＤ２、ＯＬＥＤ３、保護部材ＰＰ１等を備えている。第１絶縁基板１０は、有機絶縁材料を用いて形成され、例えば、ポリイミドを用いて形成される。第１絶縁基板１０は、第１絶縁膜１１によって覆われている。

スイッチング素子ＳＷ１、ＳＷ２、ＳＷ３は、第１絶縁膜１１の上方に形成されている。図示した例では、スイッチング素子ＳＷ１、ＳＷ２、ＳＷ３はトップゲート型に構成されているが、ボトムゲート型であっても良い。スイッチング素子ＳＷ１、ＳＷ２、ＳＷ３は、同一構成であるため、以下、スイッチング素子ＳＷ１に着目してその構造をより詳細に説明する。スイッチング素子ＳＷ１は、第１絶縁膜１１の上に形成された半導体層ＳＣを備えている。半導体層ＳＣは、第２絶縁膜１２によって覆われている。また、第２絶縁膜１２は、第１絶縁膜１１の上にも配置されている。

スイッチング素子ＳＷ１のゲート電極ＷＧは、第２絶縁膜１２の上に形成され、半導体層ＳＣの直上に位置している。ゲート電極ＷＧは、第３絶縁膜１３によって覆われている。また、第３絶縁膜１３は、第２絶縁膜１２の上にも配置されている。

このような第１絶縁膜１１、第２絶縁膜１２、及び、第３絶縁膜１３は、例えば、シリコン酸化物やシリコン窒化物等の無機系材料によって形成されている。

スイッチング素子ＳＷ１のソース電極ＷＳ及びドレイン電極ＷＤは、第３絶縁膜１３の上に形成されている。ソース電極ＷＳ及びドレイン電極ＷＤは、それぞれ第２絶縁膜１２及び第３絶縁膜１３を貫通するコンタクトホールを通して半導体層ＳＣと電気的に接続されている。スイッチング素子ＳＷ１は、第４絶縁膜１４によって覆われている。第４絶縁膜１４は、第３絶縁膜１３の上にも配置されている。このような第４絶縁膜１４は、例えば、透明な樹脂等の有機系材料によって形成されている。

反射層４は、第４絶縁膜１４の上に形成されている。反射層４は、アルミニウムや銀等の反射率が高い金属材料で形成される。なお、反射層４の表面（つまり、第２基板ＳＵＢ２側の面）は、平坦面であっても良いし、光散乱性を付与するための凹凸面であっても良い。

有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１乃至ＯＬＥＤ３は、第４絶縁膜１４の上方に形成されている。図示した例では、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１はスイッチング素子ＳＷ１と電気的に接続され、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ２はスイッチング素子ＳＷ２と電気的に接続され、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ３はスイッチング素子ＳＷ３と電気的に接続されている。有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１乃至ＯＬＥＤ３は、何れも第２基板ＳＵＢ２の側に向かって白色光を放射するトップエミッションタイプとして構成されている。このような有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１乃至ＯＬＥＤ３は、いずれも同一構造である。

有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１は、反射層４の上に形成された陽極ＰＥ１を備えている。陽極ＰＥ１は、スイッチング素子ＳＷ１のドレイン電極ＷＤとコンタクトし、スイッチング素子ＳＷ１と電気的に接続されている。同様に、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ２はスイッチング素子ＳＷ２と電気的に接続された陽極ＰＥ２を備え、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ３はスイッチング素子ＳＷ３と電気的に接続された陽極ＰＥ３を備えている。陽極ＰＥ１、ＰＥ２、ＰＥ３は、例えば、インジウム・ティン・オキサイド（ＩＴＯ）やインジウム・ジンク・オキサイド（ＩＺＯ）等の透明な導電材料によって形成されている。

有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１乃至ＯＬＥＤ３は、さらに、有機発光層ＯＲＧ及び共通電極（陰極）ＣＥを備えている。有機発光層ＯＲＧは、陽極ＰＥ１乃至ＰＥ３の上にそれぞれ位置している。共通電極ＣＥは、有機発光層ＯＲＧの上に位置している。共通電極ＣＥは、例えば、ＩＴＯやＩＺＯ等の透明な導電材料によって形成されている。図示した例では、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１乃至ＯＬＥＤ３は、それぞれリブ１５によって区画されている。なお、図示しないが、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１乃至ＯＬＥＤ３は、透明な封止膜によって封止されていることが望ましい。

第２基板ＳＵＢ２は、第２絶縁基板３０、カラーフィルタ層２２０等を備えている。第２絶縁基板３０は、例えば、ガラス基板や樹脂基板であっても良いし、光学フィルムや偏光板等を含んだ光学素子であっても良い。

カラーフィルタ層２２０は、第２絶縁基板３０の内面３０Ａ側に配置されている。カラーフィルタ層２２０は、カラーフィルタＣＦ１、カラーフィルタＣＦ２、及び、カラーフィルタＣＦ３を備えている。カラーフィルタＣＦ１、ＣＦ２、ＣＦ３は、互いに異なる色にそれぞれ着色された樹脂材料によって形成されている。一例では、カラーフィルタＣＦ１は青色カラーフィルタであり、カラーフィルタＣＦ２は緑色カラーフィルタであり、カラーフィルタＣＦ３は赤色カラーフィルタである。なお、カラーフィルタ層２２０は、さらに、白色あるいは透明のカラーフィルタを含んでいても良い。カラーフィルタＣＦ１、ＣＦ２、ＣＦ３は、それぞれ有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１、ＯＬＥＤ２、ＯＬＥＤ３と対向している。

上記のような第１基板ＳＵＢ１と第２基板ＳＵＢ２とは、表示領域ＤＡにおいて、透明な接着層４１によって貼り合わせられている。また、後述するが、第１基板ＳＵＢ１及び第２基板ＳＵＢ２は、接着層４１に加えて、非表示領域ＮＤＡにおいて、接着層４１を囲むシール材によって接着されていても良い。

保護部材ＰＰ１は、第１基板ＳＵＢ１の下方に配置されている。図示した例では、保護部材ＰＰ１は、第１絶縁基板１０の下に接着されているが、保護部材ＰＰ１と第１絶縁基板１０との間に他の薄膜が介在していても良い。保護部材ＰＰ１の材料としては、耐熱性、ガス遮断性、防湿性、強度に優れ、尚且つ安価な材料が好ましい。保護部材ＰＰ１は、表示装置ＤＳＰを製造する過程でのプロセス温度にて変質、変形しない程度の耐熱性を有する。また、保護部材ＰＰ１は、第１絶縁基板１０より大きな強度を有し、表示パネルＰＮＬが湾曲するのを抑制する支持層として機能する。また、保護部材ＰＰ１は、第１絶縁基板１０への水分等の侵入を抑制する防湿性、及び、ガスの侵入を抑制するガス遮断性を有し、バリア層として機能する。本実施形態においては、保護部材ＰＰ１は、例えば、ポリエチレンテレフタラートを用いて形成されたフィルムである。

なお、後述するが、保護部材ＰＰ１の下方に、金属層が形成されていても良い。金属層は、例えば、保護部材ＰＰ１に蒸着された薄膜である。金属層の材料としては、後述する製造過程において、保護部材ＰＰ１よりも耐ガス性に優れた材料が好ましく、例えば、アルミニウム、又はアルミニウム合金を用いて形成される。なお、保護部材ＰＰ１と金属層との間に他の薄膜が介在していても良い。

このような表示装置ＤＳＰにおいては、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１乃至ＯＬＥＤ３のそれぞれが発光した際、それぞれの放射光（白色光）は、カラーフィルタＣＦ１、カラーフィルタＣＦ２、カラーフィルタＣＦ３を介してそれぞれ外部に出射される。このとき、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１から放射された白色光のうち、青色波長の光がカラーフィルタＣＦ１を透過する。また、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ２から放射された白色光のうち、緑色波長の光がカラーフィルタＣＦ２を透過する。また、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ３から放射された白色光のうち、赤色波長の光がカラーフィルタＣＦ３を透過する。これにより、カラー表示が実現される。
図１に示した画素ＰＸは、例えば、カラー画像を構成する最小単位であり、上記の有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１乃至ＯＬＥＤ３を備えている。

なお、上記の構成例では、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１乃至ＯＬＥＤ３が共通の有機発光層ＯＲＧを備えていたが、これに限定されるものではない。例えば、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１が青色に発光する有機発光層を備え、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ２が緑色に発光する有機発光層を備え、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ３が赤色に発光する有機発光層を備えていても良く、このような構成例においては、カラーフィルタ層２２０を省略しても良い。

次に、第１実施形態に係る表示装置ＤＳＰの非表示領域ＮＤＡの構成について詳細に説明する。

図３は、図１に示した表示装置ＤＳＰの非表示領域ＮＤＡを含んだ断面図である。なお、ここでは、第２基板ＳＵＢ２は、図２に示した第２基板ＳＵＢ２と略同一の構造を有するため、その詳細な説明を省略する。また、本明細書においては、第２基板ＳＵＢ２から第１基板ＳＵＢ１を見ることを平面視と定義する。

図３に示すように、第１基板ＳＵＢ１及び第２基板ＳＵＢ２は、接着層４１に加えてシール材ＳＬによって貼り合わせられている。シール材ＳＬは、非表示領域ＮＤＡに形成されている。接着層４１は、第１基板ＳＵＢ１及び第２基板ＳＵＢ２と、シール材ＳＬによって囲まれた領域内に備えられている。なお、接着層４１とシール材ＳＬは、同一材料を用いて形成されていても良いし、異なる材料を用いて形成されていても良い。

保護部材ＰＰ１は、非表示領域ＮＤＡにおいて、第１基板ＳＵＢ１の端部ＳＵＢ１Ｅまで延在しておらず途切れている。第１絶縁基板１０は、互いに隣接する第１領域ＡＲ１及び第２領域ＡＲ２を有している。第２領域ＡＲ２は、第１領域ＡＲ１よりも端部ＳＵＢ１Ｅ側に位置している。第１領域ＡＲ１は、第１絶縁基板１０のうち第３方向Ｚにおいて保護部材ＰＰ１と重なっている領域に相当し、第２領域ＡＲ２は、第１絶縁基板１０のうち第３方向Ｚにおいて保護部材ＰＰ１と重なっていない領域に相当する。つまり、保護部材ＰＰ１は、第１領域ＡＲ１の下方に重なって配置されており、第２領域ＡＲ２の下方には配置されていない。

第１絶縁基板１０は、第１領域ＡＲ１において第３方向Ｚに厚さＷ１を有しており、第２領域ＡＲ２において第３方向Ｚに厚さＷ２を有している。厚さＷ２は、厚さＷ１よりも小さい。すなわち、第２領域ＡＲ２は、第１領域ＡＲ１より薄く形成されている。本実施形態においては、例えば、厚さＷ１は約１０〜２０μｍであり、厚さＷ２は０μｍより大きく１μｍ以下である。

また、第１絶縁基板１０は、第１領域ＡＲ１において第１下面ＢＳ１を有し、第２領域ＡＲ２において第２下面ＢＳ２を有している。第２下面ＢＳ２は、第１下面ＢＳ１より上方に位置している。ここで、第１下面ＢＳ１及び第２下面ＢＳ２は、Ｘ−Ｙ平面に平行である。第１下面ＢＳ１は、保護部材ＰＰ１に接している。

パッド電極ＰＤは、第１絶縁基板１０の上方に形成されている。図２に示したように、パッド電極ＰＤと第１絶縁基板１０との間には、第１絶縁膜１１と、第２絶縁膜１２と、第３絶縁膜１３と、が配置されている。ここで、第１絶縁膜１１と、第２絶縁膜１２と、第３絶縁膜１３とが積層されて構成された絶縁膜を絶縁膜ＩＬと称する。換言すると、絶縁膜ＩＬは、パッド電極ＰＤと第１絶縁基板１０との間に配置された絶縁膜の積層体から構成されている。図示した例では、パッド電極ＰＤは、電極Ｐ１及び電極Ｐ２が積層されることによって構成されている。電極Ｐ１は、例えば、ＩＴＯ等の導電材料を用いて形成される。電極Ｐ２は、例えば、金属材料等の導電材料を用いて形成される。電極Ｐ１は、例えば、島状に形成されている。

第１絶縁基板１０及び絶縁膜ＩＬには、パッド電極ＰＤまで貫通するコンタクトホールＣＨａが形成されている。コンタクトホールＣＨａは、第１絶縁基板１０の第２領域ＡＲ２に形成された第１コンタクトホールＣＨａ１と、絶縁膜ＩＬに形成された第２コンタクトホールＣＨａ２とがつながって形成されている。ここで、第１コンタクトホールＣＨａ１は、第１絶縁基板１０の第２領域ＡＲ２に形成された貫通部に相当する。パッド電極ＰＤは、第１コンタクトホールＣＨａ１及び第２コンタクトホールＣＨａ２の上方に配置されている。また、パッド電極ＰＤ及びコンタクトホールＣＨａは、第３方向Ｚにシール材ＳＬと重なって位置し、且つ、第１絶縁基板１０の第２領域ＡＲ２と重なって位置している。

信号配線６は、図示した例では、絶縁膜ＩＬの上に形成され、パッド電極ＰＤと同層に形成されている。信号配線６は、パッド電極ＰＤと電気的に接続されている。信号配線６及びパッド電極ＰＤは、それぞれ別々に形成されていても良いし、一体的に形成されていても良い。図示した例では、信号配線６は、パッド電極ＰＤの電極Ｐ２と一体的に形成されている。信号配線６は、電源線や各種制御用配線等に相当する。第４絶縁膜１４は、信号配線６、パッド電極ＰＤ、絶縁膜ＩＬを覆っている。

なお、信号配線６及びパッド電極ＰＤは、他の層において同層に配置されていても良い。また、信号配線６及びパッド電極ＰＤが互いに異なる層に配置されていても良く、このとき信号配線６及びパッド電極ＰＤの間の層間絶縁膜に形成されたコンタクトホールを介して両者が電気的に接続されていても良い。

ここで、第１基板ＳＵＢ１は、外力に対して形状が変化するような柔軟性を有する第１フレキシブル基板に相当する。また、第２基板ＳＵＢ２は、第１フレキシブル基板に対向し、第１フレキシブル基板の上方に配置された対向基板に相当する。

配線基板１は、第１基板ＳＵＢ１の下方に配置されている。配線基板１は、コア基板２００と、コア基板２００の上方に配置された接続配線１００と、コア基板２００の下方に配置された駆動部２と、を備えている。コア基板２００は、第１領域ＡＲ１及び第２領域ＡＲ２の両方の下方に位置している。接続配線１００は、第３方向Ｚにおいて、少なくとも一部がコンタクトホールＣＨａと対向する位置に配置されている。

接続配線１００は、凸部Ｔを有している。凸部Ｔは、第１基板ＳＵＢ１側に突出している。凸部Ｔは、少なくとも一部がコンタクトホールＣＨａ内に設けられている。凸部Ｔは、例えば、接続配線１００の上にメッキ等の手法を用いて形成される。

駆動部２は、コア基板２００に形成されたスルーホール１１０を介して接続配線１００と電気的に接続されている。駆動部２は、表示パネルＰＮＬを駆動するのに必要な信号を供給する信号供給源等として機能する。なお、図示した例では、駆動部２は、コア基板２００の下方に配置されているが、駆動部２の位置は、特に制限されるものではなく、駆動部２は、コア基板２００の上方に配置されていても良い。

表示パネルＰＮＬ及び配線基板１は、異方性導電膜３を介して互いに電気的に接続されると共に接着されている。すなわち、異方性導電膜３は、接着剤中に分散された導電粒子（後述する導電粒子ＣＰ）を含んでいる。このため、表示パネルＰＮＬと配線基板１との間に異方性導電膜３を介在させた状態で、表示パネルＰＮＬ及び配線基板１を第３方向Ｚに上下から加圧し、加熱することによって、両者が電気的及び物理的に接続される。異方性導電膜３は、表示パネルＰＮＬと配線基板１との間で、第２下面ＢＳ２からコンタクトホールＣＨａの内部に亘って充填され、パッド電極ＰＤと接し、電気的に接続されている。また、異方性導電膜３は、接続配線１００と接し、電気的に接続されている。これにより、接続配線１００は、異方性導電膜３を介して、パッド電極ＰＤ及び信号配線６と電気的に接続されている。

本実施形態においては、配線基板１あるいはコア基板２００は、第１絶縁基板１０の第２領域ＡＲ２と対向する領域において第２下面ＢＳ２に対して傾斜している。つまり、配線基板１の表示パネルＰＮＬと対向する側の面を面１Ａとすると、面１Ａは、第２下面ＢＳ２に対して傾斜している。また、接続配線１００は、配線基板１の傾斜に伴って、パッド電極ＰＤに対して傾斜している。配線基板１の基板端部１Ｅは、第３方向Ｚにおいて、第２領域ＡＲ２の下方に位置している。なお、基板端部１Ｅは、第１絶縁基板１０の基板端部１０Ｅと対向する位置よりも、外側にはみ出すことはない。
ここで、配線基板１は、外力に対して形状が変化するような柔軟性を有する第２フレキシブル基板に相当する。

上記した異方性導電膜３は、表示パネルＰＮＬと配線基板１との間に配置されている。図示した例では、異方性導電膜３は、第１下面ＢＳ１からは離間して配置されているが、第２下面ＢＳ２には接している。異方性導電膜３は、第１領域ＡＲ１と配線基板１との間に配置されている。図示した例では、異方性導電膜３は、第１領域ＡＲ１と重なる位置において、保護部材ＰＰ１の下方に配置されている。つまり、保護部材ＰＰ１は、異方性導電膜３及び第１領域ＡＲ１の間に配置されている。異方性導電膜３は、第１領域ＡＲ１と第２領域ＡＲ２との間の境界面ＢＤに位置する第１絶縁基板１０の面１０ｂを覆っている。また、異方性導電膜３は、保護部材ＰＰ１の端面ＰＰ１ｅも覆っている。

異方性導電膜３は、第２領域ＡＲ２と配線基板１との間に配置されている。配線基板１が第２領域ＡＲ２と対向する領域において傾斜しているため、異方性導電膜３は、第２領域ＡＲ２と対向する領域の各位置において、異なる膜厚を有している。異方性導電膜３は、第１領域ＡＲ１に隣接した第１位置ＳＰ１において第１膜厚ＴＨ１を有し、第１位置ＳＰ１よりもコンタクトホールＣＨａ側の第２位置ＳＰ２において第２膜厚ＴＨ２を有し、コンタクトホールＣＨａより基板端部１０Ｅ側の第３位置ＳＰ３において第３膜厚ＴＨ３を有する。第１膜厚ＴＨ１は、第２膜厚ＴＨ２よりも大きい。また、図示した例では、第２膜厚ＴＨ２は、第３膜厚ＴＨ３よりも大きい。上記のような第１膜厚ＴＨ１、第２膜厚ＴＨ２、第３膜厚ＴＨ３の大小関係は、第１方向Ｘに沿って同一である。

図３に示した例では、配線基板１は、第１位置ＳＰ１から第２位置ＳＰ２にかけて曲面である。また、図３に示した例では、配線基板１は、第２位置ＳＰ２から第３位置ＳＰ３にかけて平坦面である。なお、配線基板１は、第１位置ＳＰ１から第２位置ＳＰ２にかけて、平坦面でも良いし、第２位置ＳＰ２から第３位置ＳＰ３にかけて曲面であっても良い。また、第１位置ＳＰ１から第３位置ＳＰ３にかけて平坦面であっても良いし、曲面であっても良い。
なお、面１０ｂと重なる位置において、表示パネルＰＮＬと配線基板１との間の膜厚ＴＨａは、例えば、１０μｍ以上である。

図４は、図３に示した表示装置ＤＳＰの一部を拡大して示す断面図である。図４は、異方性導電膜３の周辺の構成を示している。
図４に示すように、異方性導電膜３は、複数の導電粒子ＣＰを含んでいる。導電粒子ＣＰ１は、コンタクトホールＣＨａにおいて、パッド電極ＰＤと接続配線１００の凸部Ｔとの間に介在している。配線基板１が表示パネルＰＮＬに圧着される際に、導電粒子ＣＰ１が凸部Ｔとパッド電極ＰＤとの間で押しつぶされ、表示パネルＰＮＬと配線基板１とを電気的に接続することができる。

また、図示した例では、異方性導電膜３に含まれる導電粒子ＣＰ２は、コンタクトホールＣＨａの外側において、第２領域ＡＲ２と接続配線１００との間に介在している。導電粒子ＣＰ２は、配置される位置により第３方向Ｚに沿った径が異なっている場合があり得る。図示した例では、導電粒子ＣＰ２は、第３位置ＳＰ３から第１位置ＳＰ１に行くにつれて、第３方向Ｚに沿った径が大きくなる。導電粒子ＣＰ１及びＣＰ２は、例えば、全体が金属製であってもよく、樹脂材料をニッケルや金等の金属材料でコーティングしたものであっても良い。

なお、導電粒子ＣＰは、配線基板１と表示パネルＰＮＬとの間において、第３方向Ｚに２個以上が重なって導通することはない。また、例えば、第１方向Ｘ及び第２方向Ｙについては、隣り合う導電粒子ＣＰの間に異方性導電膜３を形成する接着剤（絶縁体）が入り込むため、導電粒子ＣＰ同士が第１方向Ｘ及び第２方向Ｙで互いに導通することはほとんどない。

なお、接続配線１００の異方性導電膜３に接する側の面は、図示したように凸部Ｔが形成されていても良いし、凸部Ｔが形成されずに平坦であっても良い。上記のように、接続配線１００が凸部Ｔを有することにより、コンタクトホールＣＨａにおいて、接続配線１００の凸部Ｔがパッド電極ＰＤとの間に設けられているより多くの数の導電粒子ＣＰ１を押しつぶすことが可能となる。このため、接続配線１００とパッド電極ＰＤとをより確実に電気的に接続することができる。凸部Ｔが形成されていない場合と比べて製品歩留まり、製造歩留まり及び信頼性を向上することが可能となる。

次に、第１実施形態の表示装置の製造工程について、図５から図１０を用いて説明する。図５乃至図１０においてパッド電極ＰＤより上層の構造は、図３に示した表示パネルＰＮＬにおける、パッド電極ＰＤより上層の構造と等しいため、その図示を省略する。

図５は、第１絶縁基板１０から支持基板５を剥離する工程を説明するための断面図である。すなわち、支持基板５の上に、第１基板ＳＵＢ１を構成する第１絶縁基板１０、絶縁膜ＩＬ、パッド電極ＰＤ、信号配線６等の各部材を順次形成した後、第２基板ＳＵＢ２を貼り合せる。

その後、第１絶縁基板１０から支持基板５を剥離するために、支持基板５の背面側からレーザー光ＬＬ１を照射する。ここで、本実施形態においては、例えば、支持基板５はガラスによって形成され、第１絶縁基板１０はポリイミドによって形成されている。支持基板５の背面側からレーザー光ＬＬ１が照射されると、レーザー光ＬＬ１は、第１絶縁基板１０の面１０Ａに到達する。第１絶縁基板１０は、支持基板５と第１絶縁基板１０との間の界面で、レーザー光ＬＬ１を吸収して分解する。これにより、支持基板５及び第１絶縁基板１０の界面に空間が生じ、第１絶縁基板１０から支持基板５が剥離される。

図６は、第１絶縁基板１０に保護部材ＰＰ１を貼付する工程を説明するための断面図である。
保護部材ＰＰ１が、図示しない接着シートによって第１絶縁基板１０に貼付される。具体的には、第１絶縁基板１０及び保護部材ＰＰ１の間に接着シートを配置した状態で、保護部材ＰＰ１をアライメントした後、加温処理することで接着シートに接着性が発現し、保護部材ＰＰ１は、第１絶縁基板１０の下に接着される。これにより、保護部材ＰＰ１の位置ズレを抑制することができる。

なお、第１絶縁基板１０に保護部材ＰＰ１を貼付する前に、保護部材ＰＰ１の面Ｂに金属層が形成されても良い。金属層は、例えば保護部材ＰＰ１の面Ｂに金属材料を蒸着することによって形成される。

図７は、第１絶縁基板１０に第１コンタクトホールＣＨａ１を形成する工程を説明するための断面図である。
保護部材ＰＰ１が貼付された後、第１絶縁基板１０に第１コンタクトホールＣＨａ１を形成する工程が行われる。すなわち、第１基板ＳＵＢ１の下方側から、パッド電極ＰＤと重なる領域に向けてレーザー光が照射されることによって、第１絶縁基板１０の第２領域ＡＲ２に絶縁膜ＩＬまで貫通した第１コンタクトホールＣＨａ１が形成される。本実施形態においては、例えば、２５８ｎｍ以下の波長域を有するレーザー光を用いるのが好ましい。なお、図７に示した第１コンタクトホールＣＨａ１を形成する工程は、図６に示した保護部材ＰＰ１を貼付する工程より先に行っても良い。

図８は、第２領域ＡＲ２において第１絶縁基板１０を薄膜化しつつ、絶縁膜ＩＬに第２コンタクトホールＣＨａ２を形成する工程を説明するための断面図である。
第１絶縁基板１０に第１コンタクトホールＣＨａ１が形成された後に、絶縁膜ＩＬに第２コンタクトホールＣＨａ２を形成する工程が行われる。絶縁膜ＩＬが第１コンタクトホールＣＨａ１の内部でアッシング処理によって削られることにより、第２コンタクトホールＣＨａ２が形成される。第２コンタクトホールＣＨａ２は、第１コンタクトホールＣＨａ１に重なる位置に形成されている。第２コンタクトホールＣＨａ２は、第１コンタクトホールＣＨａ１につながっており、パッド電極ＰＤと第１コンタクトホールＣＨａ１との間に形成されている。アッシング処理に用いられるガスとしては、例えば、六フッ化硫黄（ＳＦ_６）が用いられる。

また、第２コンタクトホールＣＨａ２が形成される工程と同一工程で、第２領域ＡＲ２において第１絶縁基板１０が薄膜化される。つまり、第２コンタクトホールＣＨａ２を形成するためのアッシング処理により、第２領域ＡＲ２において保護部材ＰＰ１から露出した第１絶縁基板１０も削られる。第１絶縁基板１０は、第１領域ＡＲ１においては、保護部材ＰＰ１によって覆われているため削られない。そのため、第１領域ＡＲ１の厚さＷ１はアッシング処理前と変わらず、第２領域ＡＲ２は第１領域ＡＲ１よりも薄膜化される。このとき、保護部材ＰＰ１は、アッシング処理において第１領域ＡＲ１の削れを防止するマスクとして機能している。さらに、保護部材ＰＰ１の面Ｂに金属層が形成されている場合には、金属層はアッシング処理のガスに対して耐性を有するため、アッシング処理に際して保護部材ＰＰ１の削れや、保護部材ＰＰ１に要求される性能（耐熱性、ガス遮断性、防湿性、強度など）の劣化を抑制することができる。

ここで、絶縁膜ＩＬがアッシング処理のガスに対する反応速度と、第１絶縁基板１０がアッシング処理のガスに対する反応速度は異なっている。そのため、絶縁膜ＩＬ及び第１絶縁基板１０のそれぞれのアッシング処理のガスに対する反応速度を考慮し、両者のアッシング処理前の膜厚を設定することにより、第２領域ＡＲ２において、絶縁膜ＩＬがパッド電極ＰＤまで貫通して削られる時間に、第１絶縁基板１０を所望の厚さＷ２まで削ることが可能となる。

上記のように、絶縁膜ＩＬの第２コンタクトホールＣＨａ２を形成する工程と、第１絶縁基板１０の薄膜化の工程が同時に行われることで、製造工程を増やさずに第１絶縁基板１０を薄膜化することが可能である。また、これにより製造コストを抑制することができる。

上記のように、保護部材ＰＰ１をマスクとして、第１絶縁基板１０のアッシング処理が行われるため、第１領域ＡＲ１と第２領域ＡＲ２との間の面１０ｂは、保護部材ＰＰ１の端面ＰＰ１ｅの直上に位置する。また、面１０ｂ及び端面ＰＰ１ｅは、境界面ＢＤ上に位置する。

図９は、配線基板１を表示パネルＰＮＬに圧着するために、表示パネルＰＮＬ、異方性導電膜３、配線基板１を圧着装置７に載置する工程を説明するための断面図である。
まず、圧着装置７の構成について簡単に説明する。圧着装置７は、圧着ヘッドＨＤと、圧着ヘッドＨＤを移動させる移動機構４００と、表示パネルＰＮＬを載置するためのステージＳＴとを備えている。圧着ヘッドＨＤは、ステージＳＴと対向する側の面ＨＤＡを有している。図示した例では、面ＨＤＡは、平坦面であるが、ステージＳＴに対して傾斜している。なお、面ＨＤＡは、第１方向Ｘに沿って略同一の形状で延出している。後述するが、面ＨＤＡの形状は、図示した例に限らず、曲面であっても良い。移動機構４００は、圧着ヘッドＨＤをステージＳＴに対して接近する方向及び離間する方向に移動させる昇降機構を含む。なお、移動機構４００は、圧着ヘッドＨＤをステージＳＴの法線方向（第３方向Ｚ）に移動させても良いし、ステージＳＴの法線に対して傾斜した斜め方向に移動させても良いし、又は、法線方向の移動と法線に垂直な方向の移動を組み合わせて移動させても良い。なお、以下の説明では、第３方向Ｚの正の向き、あるいは、ステージＳＴから圧着ヘッドＨＤに向かう方向を上又は上方と定義し、第３方向Ｚの負の向き、あるいは、圧着ヘッドＨＤからステージＳＴに向かう方向を下又は下方と定義する。

図示した待機状態では、圧着ヘッドＨＤは、ステージＳＴの上にワーク（表示パネルＰＮＬ、異方性導電膜３、配線基板１）を載置可能とするように、ステージＳＴから離間した位置に固定されている。表示パネルＰＮＬは、ステージＳＴの上に配置されている。配線基板１は、表示パネルＰＮＬの上方に配置されている。異方性導電膜３は、配線基板１と表示パネルＰＮＬとの間でコンタクトホールＣＨａと対向する位置に配置されている。このとき、例えば、異方性導電膜３の第３方向Ｚに沿った厚みは、約２０μｍ、第２方向Ｙに沿った幅は、約０．６ｍｍである。

図１０は、配線基板１を表示パネルＰＮＬに圧着する工程を説明するための断面図である。
移動機構４００は、圧着ヘッドＨＤを配線基板１に向かって移動させ、配線基板１の上方から表示パネルＰＮＬに向かって押し当てる。このとき、例えば、移動機構４００は、圧着ヘッドＨＤを第３方向Ｚに沿って移動させる。つまり、移動機構４００は、圧着ヘッドＨＤを第２領域ＡＲ２の第２下面ＢＳ２に対して垂直に移動させて配線基板１を第１絶縁基板１０に向けて押し当てる。なお、圧着ヘッドＨＤと配線基板１との間に、緩衝材や、熱拡散シートが配置されていても良い。

次に、圧着ヘッドＨＤが図１０に示した矢印の方向（第３方向Ｚの負の向き）に配線基板１に圧力を加えた状態で加熱する。これにより、異方性導電膜３が溶融してコンタクトホールＣＨａ内に浸潤するとともに、異方性導電膜３に含まれる導電粒子がパッド電極ＰＤに接触し、表示パネルＰＮＬ及び配線基板１が電気的及び物理的に接続される。すなわち、第１フレキシブル基板である第１絶縁基板１０に第２フレキシブル基板であるコア基板２００が圧着される。

このとき、配線基板１の面１Ａが第２領域ＡＲ２と対向する領域において、第２領域ＡＲ２の第２下面ＢＳ２に対して傾斜するように、移動機構４００は圧着ヘッドＨＤを配線基板１に押し当てる。つまり、移動機構４００は、圧着ヘッドＨＤの面ＨＤＡが、第２下面ＢＳ２に対して傾いた状態で、圧着ヘッドＨＤを配線基板１に押し当てる。面ＨＤＡ及び面１Ａは、第２領域ＡＲ２と重なる領域において略平行である。面ＨＤＡと第２下面ＢＳ２とは、鋭角θを形成している。これにより、異方性導電膜３が、第２領域ＡＲ２と配線基板１との間から、第１領域ＡＲ１と配線基板１との間に向かって広がり、面１０ｂや保護部材ＰＰ１を覆う。これにより、異方性導電膜３において、図３を参照して説明したような第１膜厚ＴＨ１、第２膜厚ＴＨ２、第３膜厚ＴＨ３、及び、膜厚ＴＨａが得られる。
以上の工程により、配線基板１が表示パネルＰＮＬに圧着される。

本実施形態によれば、配線基板１は、第２領域ＡＲ２と重なる領域において、傾斜している。また、異方性導電膜３は、第２領域ＡＲと重なる領域において、配線基板１の傾斜に伴って、第１領域ＡＲ１に近づくに連れて膜厚が大きくなり、第１領域ＡＲ１と重なる位置にも配置されている。このため、異方性導電膜３が配線基板１と表示パネルＰＮＬとの間で緩衝材となり、第１絶縁基板１０の面１０ｂにおける段差の影響による配線基板１の曲率の増加を抑制することができる。したがって、配線基板１に配置された接続配線１００等の配線の断線を抑制することが可能となり、歩留まりを向上することができる。

また、異方性導電膜３は、面１０ｂと保護部材ＰＰ１の端面ＰＰ１ｅを覆っている。このため、面１０ｂからの水分等の侵入を抑制することができる。また、第１絶縁基板１０及び保護部材ＰＰ１の間の接着力を向上することができる。

また、本実施形態によれば、第１絶縁基板１０の第２領域ＡＲ２は、第１絶縁基板１０の第１領域ＡＲ１より薄い。このため、図４に示したように、導電粒子ＣＰ２が、接続配線１００と第１絶縁基板１０との間に介在し押しつぶされていても、コンタクトホールＣＨａと対向する位置でのパッド電極ＰＤと接続配線１００の凸部Ｔとの間の距離は、導電粒子ＣＰ１を十分に押しつぶす程に小さくなる。つまり、接続配線１００とパッド電極ＰＤとの間の導電粒子ＣＰ１は、導電粒子ＣＰ２が接続配線１００と第１絶縁基板１０との間に噛みこむ以前に押しつぶされる。したがって、接続配線１００とパッド電極ＰＤの接続の歩留りを向上することが可能となる。

また、本実施形態によれば、表示装置ＤＳＰにおいて、配線基板１が、表示パネルＰＮＬの下方（表示面とは反対の背面側）に配置され、配線基板１及び表示パネルＰＮＬは、コンタクトホールＣＨａ内の導電材料（上記の例では異方性導電膜３）を介して電気的に接続されている。また、駆動部２は、表示パネルＰＮＬの下方に配置されている。そのため、駆動部２や配線基板１を配置するために、第１基板ＳＵＢ１の実装部の面積を拡大する必要がなく、第１基板ＳＵＢ１と第２基板ＳＵＢ２とを略同等の面積で形成することが可能となる。また、第１基板ＳＵＢ１と第２基板ＳＵＢ２とが対向する領域内で、表示領域ＤＡを拡大することが可能となる。つまり、本実施形態の表示装置ＤＳＰの表示面において、表示領域ＤＡに寄与する面積の割合が向上し、狭額縁化することが可能である。

また、第１基板ＳＵＢ１の第２基板ＳＵＢ２と対向する側から配線基板１までを電気的に接続するための長尺のフレキシブル・プリント回路基板が不要であり、折り曲げたフレキシブル・プリント回路基板を収容するためのスペースも不要となる。このため、表示装置ＤＳＰを小型化することが可能となる。さらには、表示装置ＤＳＰを組み込んだ電子機器を小型化することも可能となる。
さらに、フレキシブル・プリント回路基板を折り曲げて収容した際の配線の断線を回避することができるため、表示装置ＤＳＰの信頼性を向上することが可能となる。

以上説明したように、本実施形態によれば、小型化及び狭額縁化が可能な表示装置を得ることができる。

図１１は、第１実施形態に係る圧着ヘッドＨＤの変形例を示す断面図である。図１１は、図１０と比較して、圧着ヘッドＨＤの形状が異なっている。図１１に示した例では、圧着ヘッドＨＤの面ＨＤＡは曲面である。

図１０に示したのと同様に、移動機構４００は、圧着ヘッドＨＤを第２領域ＡＲ２の第２下面ＢＳ２に対して垂直に移動させて配線基板１に押し当てる。このとき、圧着ヘッドＨＤの面ＨＤＡは、第２下面ＢＳ２に対して傾いている。つまり、面ＨＤＡの接線と第２下面ＢＳ２とは、鋭角θを形成している。このため、第１膜厚ＴＨ１、第２膜厚ＴＨ２、第３膜厚ＴＨ３について上記したのと同様の関係が得られる。
このような変形例においても、上記したのと同様の効果が得られる。

図１２は、第１実施形態に係る第１基板ＳＵＢ１を示す平面図であり、コンタクトホールＣＨａと圧着ヘッドＨＤとの位置関係等を示す図である。シール材ＳＬが形成される領域は、右上がりの斜線で示されている。

第１絶縁基板１０は、第１基板ＳＵＢ１の全面に亘って配置されている。第１領域ＡＲ１は、平面視で、第１絶縁基板１０と重なって保護部材ＰＰ１が配置されている領域に相当し、第２領域ＡＲ２は、平面視で、第１絶縁基板１０と重なって保護部材ＰＰ１が配置されていない領域に相当する。また、上述したように、第２領域ＡＲ２の厚さＷ２は、第１領域ＡＲ１の厚さＷ１より小さい。

図１２において、第１領域ＡＲ１は、左上がりの斜線で示されている。保護部材ＰＰ１は、第１領域ＡＲ１の全面に重なって配置されている。第２領域ＡＲ２は、第１領域ＡＲ１に隣接し、第１基板ＳＵＢ１の一端部ＳＵＢ１ｅ側の非表示領域ＮＤＡにおいて、第１方向Ｘに延出している。複数のパッド電極ＰＤ及びコンタクトホールＣＨａは、平面視で、第２領域ＡＲ２に重なって配置されている。すなわち、パッド電極ＰＤ及びコンタクトホールＣＨａは、第１絶縁基板１０のうち厚みの小さい領域に重なって位置している。また、コンタクトホールＣＨａは、平面視で、シール材ＳＬと重なる位置に形成されている。

図示した例では、パッド電極ＰＤ及びコンタクトホールＣＨａは、千鳥状に並んで配置されている。このようにパッド電極ＰＤ及びコンタクトホールＣＨａを配置することにより、接続配線１００等を第１方向Ｘに沿ってより密に配置することができる。

圧着ヘッドＨＤは、第１方向Ｘに延出して形成されている。圧着ヘッドＨＤは、例えば、第２方向Ｙにおいて第２領域ＡＲ２の第２方向Ｙに沿った幅よりも小さく形成されている。また、圧着ヘッドＨＤは、千鳥状に配置された全てのコンタクトホールＣＨａと重なっている。このため、圧着ヘッドＨＤは一度の工程で配線基板及び表示パネルを圧着することができる。また、例えば、パッド電極ＰＤ及びコンタクトホールＣＨａは、第１方向Ｘに沿って一直線上に並んでいても良く、この場合も、圧着ヘッドＨＤは一度の工程で配線基板及び表示パネルを圧着することができる。

次に、第２実施形態に係る表示装置ＤＳＰの非表示領域ＮＤＡの構成について詳細に説明する。

図１３は、第２実施形態に係る表示装置の非表示領域を含んだ断面図である。図１３に示される第２実施形態は、図３に示した第１実施形態と比較して、主に第１絶縁基板１０の第２領域ＡＲ２における形状と、保護部材ＰＰ１の端面ＰＰ１ｅ付近の形状と、が異なっている。また、図１３に示した表示装置ＤＳＰは、図３に示した表示装置ＤＳＰと比較して、保護部材ＰＰ１の下方に配置された保護部材ＰＰ２を備えている点で異なっている。

第１下面ＢＳ１は保護部材ＰＰ１に接し、第２下面ＢＳ２は異方性導電膜３に接している。また、第１下面ＢＳ１はＸ−Ｙ平面に平行であり、第２下面ＢＳ２はＸ−Ｙ平面から傾斜している。すなわち、第２下面ＢＳ２は、第１下面ＢＳ１に対して傾斜面である。そのため、第１絶縁基板１０は、第２領域ＡＲ２において、異なる膜厚を有している。第１絶縁基板１０は、第１領域ＡＲ１に隣接した第４位置ＳＰ４において第４膜厚ＴＨ４を有し、第４位置ＳＰ４よりもコンタクトホールＣＨａ側の第５位置ＳＰ５において第５膜厚ＴＨ５を有し、コンタクトホールＣＨａより基板端部１０Ｅ側の第６位置ＳＰ６において第６膜厚ＴＨ６を有する。第４膜厚ＴＨ４は、第５膜厚ＴＨ５よりも大きい。また、図示した例では、第５膜厚ＴＨ５は、第６膜厚ＴＨ６よりも大きい。上記のような第４膜厚ＴＨ４、第５膜厚ＴＨ５、第６膜厚ＴＨ６の大小関係は、第１方向Ｘに沿って同一である。

図１３に示した例では、第２下面ＢＳ２は、第４位置ＳＰ４から第５位置ＳＰ５にかけて平面である。また、第２下面ＢＳ２は、第６位置ＳＰ６から基板端部１０Ｅにかけて平面である。なお、第２下面ＢＳ２は、第４位置ＳＰ４から第５位置ＳＰ５にかけて曲面であっても良い。また、第２下面ＢＳ２は、第６位置ＳＰ６から基板端部１０Ｅにかけて曲面であっても良い。

また、本実施形態においては、第６膜厚ＴＨ６は、例えば、約１μｍである。図示した例では、基板端部１０Ｅは、基板端部ＳＵＢ１Ｅと第３方向Ｚに重なる位置まで形成されているが、基板端部１０Ｅは、基板端部ＳＵＢ１Ｅより内側に位置していても良い。すなわち、例えば、第１絶縁基板１０は、第６位置ＳＰ６から基板端部ＳＵＢ１Ｅにかけて形成されていなくても良い。

保護部材ＰＰ１は、端面ＰＰ１ｅと、保護部材ＰＰ２と接する第３下面ＢＳ３と、異方性導電膜３と接する凸部Ｔ１と、を有している。図１３に示した例においても、端面ＰＰ１ｅは、異方性導電膜３と接している。端面ＰＰ１ｅは、第１方向Ｘと第３方向Ｚで規定される平面Ｘ−Ｚ平面に対して傾斜している。端面ＰＰ１ｅは、配線基板１側を向くように傾斜している。なお、図示した例では、端面ＰＰ１ｅは、平面であるが、曲面であっても良い。凸部Ｔ１は、第３下面ＢＳ３よりも配線基板１側に突出している。

保護部材ＰＰ２は、保護部材ＰＰ１の下方に配置されている。保護部材ＰＰ２は、例えば、保護部材ＰＰ１に蒸着された金属膜である。このとき、保護部材ＰＰ２は、例えば、アルミニウム、又はアルミニウム合金を用いて形成される。

次に、第２実施形態の表示装置の製造工程について、図１４から図１９を用いて説明する。図１４から図１９は、図５に示した第１絶縁基板１０から支持基板５を剥離する工程の後の工程を示している。

図１４は、第１絶縁基板１０に保護部材ＰＰ１及び保護部材ＰＰ２を貼付する工程を説明するための断面図である。また、図１５は、図１４に示される保護部材ＰＰ２の密度の分布を示す平面図である。
まず、第１絶縁基板１０に保護部材ＰＰ１を貼付する前に、保護部材ＰＰ１の面Ｂに保護部材ＰＰ２を形成する。保護部材ＰＰ２は、例えば金属材料を用いて形成されており、保護部材ＰＰ１の面Ｂに蒸着することによって形成される。本実施形態においては、例えば、保護部材ＰＰ１は、ポリエチレンテレフタラートを用いて形成され、保護部材ＰＰ２は、アルミニウムを用いて形成される。

次に、保護部材ＰＰ２が一体化された保護部材ＰＰ１が、接着シートによって第１絶縁基板１０に貼付される。具体的には、第１絶縁基板１０及び保護部材ＰＰ１の間に接着シートを配置した状態で、保護部材ＰＰ１をアライメントした後、加温処理することで接着シートに接着性が発現し、保護部材ＰＰ１は、第１絶縁基板１０の下に接着される。これにより、保護部材ＰＰ１の位置ズレを抑制することができる。

ここで、保護部材ＰＰ２の第３方向Ｚに沿った厚さは、例えば、約３０〜５００ｎｍであり、より好ましくは、５０ｎｍ以上である。保護部材ＰＰ２は、保護部材ＰＰ１を保護するために、十分な膜厚として３０ｎｍより大きく形成され、膜厚が大きいほど、保護部材ＰＰ１を保護する効果は向上する。しかし、保護部材ＰＰ２の膜厚が大きいほど、その蒸着時間が長くなるため、製造時間の増大や製造効率の低下を抑制するために、保護部材ＰＰ２は５００ｎｍより小さく形成されるのが望ましい。

保護部材ＰＰ２は、第１領域ＡＲ１と第２領域ＡＲ２との間の境界面ＢＤ上において切欠き部ＣＵを有している。切欠き部ＣＵは、第１方向Ｘに沿って延出している。例えば、保護部材ＰＰ２は、金属材料をドット状に敷き詰めて形成される。このとき、位置によってドットの密度分布を変化させることが可能である。図１５に示されるように、保護部材ＰＰ２は、第１領域ＡＲ１及び第２領域ＡＲ２において異なる密度分布を有している。例えば、保護部材ＰＰ２の密度分布は、第１領域ＡＲ１においては略一律であり、第２領域ＡＲ２においては境界面ＢＤから基板端部ＳＵＢ１Ｅ側に近づくにつれて小さくなる。すなわち、レーザー光が保護部材ＰＰ２の下方から照射された際に、保護部材ＰＰ２は、第１領域ＡＲ１においては、レーザー光をほとんど透過せず、第２領域ＡＲにおいては、境界面ＢＤから基板端部ＳＵＢ１Ｅに近づくにつれてレーザー光を透過しやすい。

図１６は、第２領域ＡＲ２と重なる位置に配置された保護部材ＰＰ１及び保護部材ＰＰ２を剥離する工程を説明するための断面図である。
第１絶縁基板１０から第１保護部材ＰＰ１及び第２保護部材ＰＰ２を剥離するために、第２保護部材ＰＰ２の下方側からレーザー光ＬＬ２を照射する。レーザー光ＬＬ２は、例えば、図５に示したレーザー光ＬＬ１と同一の種類のレーザー光である。第１絶縁基板１０は、照射されたレーザー光ＬＬ２のパワーが強いほど、多く削られる。上記したように、第２保護部材ＰＰ２は、第１領域ＡＲ１においてレーザー光ＬＬ２を透過させず、第２領域ＡＲ２において境界面ＢＤから基板端部ＳＵＢ１Ｅ側に近づくにつれてレーザー光ＬＬ２をより透過させる。すなわち、第２領域ＡＲ２においてレーザー光ＬＬ２は第１絶縁基板１０に到達し、第１絶縁基板１０は、到達したレーザー光ＬＬ２のパワーに応じた量が分解される。これにより、保護部材ＰＰ１及び第１絶縁基板１０の界面に空間が生じ、かつ、第２領域ＡＲの第２下面ＢＳ２がＸ−Ｙ平面に対して傾斜して形成される。その後、切欠きＣＰと重なる位置においてレーザー光ＬＬ３を照射することにより、保護部材ＰＰ１を切断し、第２領域ＡＲ２と重なる位置において保護部材ＰＰ１及び保護部材ＰＰ２が第１絶縁基板１０から剥離される。なお、レーザー光ＬＬ３は、レーザー光ＬＬＬ１及びレーザー光ＬＬ２とは異なる種類のレーザー光である。ここで、レーザー光ＬＬ３は、例えば、ＵＶレーザーやＣＯ２レーザーである。

図１７は、第２領域ＡＲ２と重なる位置に配置された保護部材ＰＰ１及び保護部材ＰＰ２が剥離された後の表示パネルＰＮＬの状態を示す断面図である。
第２下面ＢＳ２は、第１下面ＢＳ１に対して傾斜している。すなわち、第１絶縁基板１０の第２領域ＡＲ２における第３方向Ｚに沿った膜厚は、境界面ＢＤから基板端部１０Ｅに近づくにつれて小さくなる。また、図１６に示した工程において、レーザー光ＬＬ３で保護部材ＰＰ１を切断した際に、レーザー光ＬＬ３の熱によって保護部材ＰＰ１の切断面が溶融し、端面ＰＰ１ｅが曲面状に形成される。また、保護部材ＰＰ１に第３下面ＢＳ３より下側に突出した凸部Ｔ１が形成される。

図１８は、第１絶縁基板１０に第１コンタクトホールＣＨａ１を形成する工程を説明するための断面図である。
第１基板ＳＵＢ１の下方側から、パッド電極ＰＤと重なる領域に向けてレーザー光が照射されることによって、第１絶縁基板１０の第２領域ＡＲ２にパッド電極ＰＤまで貫通したコンタクトホールＣＨａが形成される。なお、図８に示した例では、アッシング処理によって絶縁膜ＩＬにコンタクトホールＣＨａ２が形成されたが、図１８に示した例では、例えば、レーザー光の照射回数や強度などを増やして第１コンタクトホールＣＨａ１及び第２コンタクトホールＣＨａ２の両方がレーザー光によって形成されていても良い。このとき、図８に示した工程と比較して第１絶縁基板１０の第２領域ＡＲ２は薄膜化されていない。なお、アッシング処理によって第１コンタクトホールＣＨ１ａ内部の絶縁膜ＩＬを削ることによってコンタクトホールＣＨａ２が形成されていても良い。

図１９は、配線基板１を表示パネルＰＮＬに圧着する工程を説明するための断面図である。
図９及び図１０に示した工程と同様に、ステージＳＴの上に表示パネルＰＮＬ、異方性導電膜３、配線基板１を載置した後に、移動機構４００は、圧着ヘッドＨＤを配線基板１に向かって移動させ、配線基板１の上方から表示パネルＰＮＬに向かって押し当てる。このとき、第２下面ＢＳ２が傾斜していることにより、異方性導電膜３が、第２領域ＡＲ２と配線基板１との間から、第１領域ＡＲ１と配線基板１との間に向かって流れ易くなる。異方性導電膜３は、端面ＰＰ１ｅ、凸部Ｔ１、保護部材ＰＰ１及び保護部材ＰＰ２を覆っている。なお、第２実施形態においても、圧着ヘッドＨＤは、図１１に示したように、面ＨＤＡが曲面に形成されていても良い。
以上の工程により、配線基板１が表示パネルＰＮＬに圧着される。

上記第２実施形態によれば、第２下面ＢＳ２は第１下面ＢＳ１に対して傾斜している。また、端面ＰＰ１ｅも、配線基板１を向くように傾斜している。このため、配線基板１が表示パネルＰＮＬに圧着される際に、異方性導電膜３が、第２領域ＡＲ２と配線基板１との間から、第１領域ＡＲ１と配線基板１との間に向かってさらに広がりやすくなる。上記した第１実施形態と同様に、端面ＰＰ１ｅが異方性導電膜３でカバーされているので、端面ＰＰ１ｅ側の接着力とバリア性が向上される。また、端面ＰＰ１ｅにおける段差の影響による配線基板１の曲率の増加を抑制することができる。配線基板１上の接続配線の断線が抑制されるので、実装歩留まりが向上する。したがって、配線基板１に配置された接続配線１００等の配線の断線を抑制することが可能となり、歩留まりを向上することができる。

図２０は、図１４に示した保護部材ＰＰ２の変形例を示す断面図である。図２０は、図１４と比較して、保護部材ＰＰ２の第２領域ＡＲにおける形状が異なっている。
図示した例では、保護部材ＰＰ２の第３方向Ｚに沿った膜厚は、第１領域ＡＲ１においては略一律であり、第２領域ＡＲ２においては境界面ＢＤから基板端部ＳＵＢ１Ｅに近づくにつれて小さくなる。すなわち、レーザー光が保護部材ＰＰ２の下方から照射された際に、保護部材ＰＰ２は、第１領域ＡＲ１においては、レーザー光をほとんど透過せず、第２領域ＡＲにおいては、境界面ＢＤから基板端部１０Ｅに近づくにつれてレーザー光を透過しやすい。
このような、保護部材ＰＰ２を用いた場合にも、図１７に示したような第１絶縁基板１０の傾斜した第２下面ＢＳ２を形成することができる。

図２１は、図２に示した表示装置ＤＳＰの変形例を示す断面図である。図２１は、図２に示した表示装置ＤＳＰと比較して、主にカラーフィルタ層２２０が形成されていない点で相違している。
ここで、例えば、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１は青色に発光する有機発光層ＯＲＧＢを備え、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ２は緑色に発光する有機発光層ＯＲＧＧを備え、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ３は赤色に発光する有機発光層ＯＲＧＲを備えている。有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１乃至ＯＬＥＤ３は、何れも第２基板ＳＵＢ２の側に向かって赤青緑色光を放射するトップエミッションタイプとして構成されている。

有機発光層ＯＲＧＢは、陽極ＰＥ１の上に位置し、有機発光層ＯＲＧＧは、陽極ＰＥ２の上に位置し、有機発光層ＯＲＧＲは、陽極ＰＥ３の上に位置している。共通電極ＣＥは、有機発光層ＯＲＧＢ，ＯＲＧＧ、ＯＲＧＲの上に位置している。共通電極ＣＥは、リブ１５の上にも位置している。

このような表示装置ＤＳＰにおいては、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１乃至ＯＬＥＤ３のそれぞれが発光した際、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１は青色の光を出射し、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ２は緑色の光を出射し、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１は赤色の光を出射する。そのため、表示装置ＤＳＰがカラーフィルタ層を備えていない場合にもカラー表示が実現される。

以上説明したように、本実施形態によれば、小型化及び狭額縁化が可能な表示装置を得ることができる。

なお、本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これらの新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これらの実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。

例えば、上記絶縁膜ＩＬは、第１絶縁膜１１、第２絶縁膜１２及び第３絶縁膜１３で形成されているが、これに限定されるものではなく、種々変形可能である。例えば、絶縁膜ＩＬは、単一層の絶縁膜、２層の絶縁膜、又は４層以上の絶縁膜で形成されていてもよい。

上記の実施形態は、有機エレクトロルミネッセンス表示装置に限らず、液晶表示装置に適用することも可能である。その場合、表示パネルＰＮＬは、例えば、第１基板ＳＵＢ１と第２基板ＳＵＢ２との間に挟持された液晶層と、を備えた液晶表示パネルである。表示パネルＰＮＬが液晶表示パネルである場合には、第２基板ＳＵＢ２側から入射する光を選択的に反射することで画像を表示する反射型であっても良いし、第１基板ＳＵＢ１側から入射する光を選択的に透過することで画像を表示する透過型であっても良い。なお、平面視で、表示領域ＤＡと配線基板１とが重畳する場合には、反射型が好適であるが、第１基板ＳＵＢ１と配線基板１との間にバックライトユニットを配置することが可能であれば、透過型であっても良い。なお、本実施形態に関する主要な構成については、表示装置ＤＳＰが液晶表示装置であった場合にも略同一である。

ＤＳＰ…表示装置、ＡＲ１…第１領域、ＡＲ２…第２領域、
１０…第１絶縁基板、ＣＨａ１…第１コンタクトホール、
ＰＤ…パッド電極、６…信号配線、１００…接続配線、１…配線基板、
３…異方性導電膜、ＳＰ１…第１位置、ＳＰ２…第２位置、
３α…第１膜厚、３β…第２膜厚、１０ｂ…境界面、
ＰＰ１…第１保護部材、ＰＰ２…第２保護部材、７…圧着装置、
ＨＤ…圧着ヘッド、ＨＤＡ…面、４００…移動機構、１０Ａ…面。

Claims (17)

1. 第１領域と、前記第１領域に隣接する第２領域と、前記第２領域に形成された貫通部と、を有する絶縁基板と、前記貫通部の上方に配置されたパッド電極と、を有する第１フレキシブル基板と、
   前記貫通部と対向する位置に配置された接続配線を有し、前記第１フレキシブル基板の下方に配置された第２フレキシブル基板と、
   前記パッド電極と前記接続配線とを電気的に接続する異方性導電膜と、を備え、
   前記異方性導電膜は、前記第２領域と前記第２フレキシブル基板との間に配置され、前記第１領域に隣接する第１位置における第１膜厚と、前記第１位置よりも前記貫通部側の第２位置における第２膜厚と、を有し、前記第１膜厚は前記第２膜厚より大きい表示装置。
2. 前記第２領域は、前記第１領域より薄い請求項１に記載の表示装置。
3. 前記異方性導電膜は、前記第１領域と前記第２フレキシブル基板との間に配置され、前記第１領域と前記第２領域との間の面を覆っている請求項２に記載の表示装置。
4. 前記絶縁基板は、前記第１領域における第１下面と、前記第２領域における第２下面と、を有し、
   前記異方性導電膜は、前記第１下面から離間し、前記第２下面に接する請求項１乃至３の何れか１項に記載の表示装置。
5. 前記第２フレキシブル基板は、前記第２下面に対して傾斜し、前記第１位置から前記第２位置にかけて平坦面、もしくは、曲面を有する請求項４の何れか1項に記載の表示装置。
6. 前記接続配線は、前記パッド電極に対して傾斜している請求項１乃至５の何れか１項に記載の表示装置。
7. 前記第１フレキシブル基板の下方に配置された保護部材を備える請求項１乃至５の何れか1項に記載の表示装置。
8. 前記絶縁基板は、前記第１領域における第１下面と、前記第２領域における第２下面と、を有し、
   前記保護部材は、前記第１下面に接する請求項７に記載の表示装置。
9. 前記第２フレキシブル基板の基板端部は、前記第２領域の下方に位置する、請求項１乃至７の何れか１項に記載の表示装置。
10. 第１領域と、前記第１領域に隣接する第２領域と、前記第２領域に形成された貫通部と、を有する絶縁基板と、前記貫通部の上方に配置されたパッド電極と、を有する第１フレキシブル基板と、
    前記貫通部と対向する位置に配置された接続配線を有し、前記第１フレキシブル基板の下方に配置された第２フレキシブル基板と、
    前記パッド電極と前記接続配線とを電気的に接続する異方性導電膜と、を備え、
    前記第２領域は、前記第１領域に隣接する第４位置における第４膜厚と、前記第４位置よりも前記貫通部側の第５位置における第５膜厚と、を有し、前記第４膜厚は前記第５膜厚より大きい表示装置。
11. 前記絶縁基板は、前記第１領域における第１下面と、前記第２領域における第２下面と、を有し、
    前記第２下面は前記第１下面に対して傾斜面である請求項１０に記載の表示装置。
12. 前記第１フレキシブル基板の下方に配置され、前記第１下面に接する第１保護部材と、前記第１保護部材の下方に配置された第２保護部材と、を備え、
    前記第２下面は、前記異方性導電膜に接する請求項１１に記載の表示装置。
13. 前記第１保護部材は、前記異方性導電膜と接する傾斜した第１端面を有する請求項１２に記載の表示装置。
14. 前記第１端面は、曲面である請求項１３に記載の表示装置。
15. 前記第２保護部材はアルミニウム、又はアルミニウム合金を用いて形成される請求項１２に記載の表示装置。
16. 前記第１保護部材は、前記第２保護部材と接する第３下面と、前記異方性導電膜と接し前記第３下面よりも第２フレキシブル基板側に突出した凸部と、を有する請求項１２乃至１５の何れか１項に記載の表示装置。
17. 前記第１フレキシブル基板に対向し、前記第１フレキシブル基板の上方に配置された対向基板と、
    前記第１フレキシブル基板と前記対向基板とを貼り合わせる接着層と、を備え、
    前記貫通部は、前記接着層と重なる位置に形成される請求項１乃至１６の何れか１項に記載の表示装置。

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