CN105572988B - 显示装置 - Google Patents

显示装置 Download PDF

Info

Publication number
CN105572988B
CN105572988B CN201510736932.7A CN201510736932A CN105572988B CN 105572988 B CN105572988 B CN 105572988B CN 201510736932 A CN201510736932 A CN 201510736932A CN 105572988 B CN105572988 B CN 105572988B
Authority
CN
China
Prior art keywords
display device
pad electrode
substrate
connecting wiring
wire ends
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201510736932.7A
Other languages
English (en)
Other versions
CN105572988A (zh
Inventor
川田靖
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Japan Display Central Inc
Original Assignee
Japan Display Central Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority claimed from JP2015148332A external-priority patent/JP2016091001A/ja
Application filed by Japan Display Central Inc filed Critical Japan Display Central Inc
Publication of CN105572988A publication Critical patent/CN105572988A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN105572988B publication Critical patent/CN105572988B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/1218—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition or structure of the substrate
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362—Active matrix addressed cells
    • G02F1/136227—Through-hole connection of the pixel electrode to the active element through an insulation layer
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1345—Conductors connecting electrodes to cell terminals
    • G02F1/13452—Conductors connecting driver circuitry and terminals of panels
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1345—Conductors connecting electrodes to cell terminals
    • G02F1/13458—Terminal pads
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/124—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or layout of the wiring layers specially adapted to the circuit arrangement, e.g. scanning lines in LCD pixel circuits

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
  • Liquid Crystal (AREA)

Abstract

本发明涉及显示装置，根据实施方式，显示装置具备：第1基板，包括具有贯通部的第1绝缘基板、形成于所述第1绝缘基板之上的焊盘电极、以及与所述焊盘电极电连接的信号布线；布线基板，具备连接布线，位于所述第1绝缘基板的下方；以及导电材料，设置于所述贯通部内，将所述焊盘电极和所述连接布线电连接。

Description

显示装置
本申请以2014年11月4日提交的日本专利申请No.2014-224232和2015年7月28日提交的日本专利申请No.2015-148332为基础并享受其优先权，其全部内容援引于此。
技术领域
本发明的实施方式涉及显示装置。
背景技术
近年来，在便携电话和PDA(personal digital assistant)等便携信息终端设备中，从性能面和设计性等角度来说，显示区域在显示面上所占的比例更大的显示装置的要求越来越高。例如，提出了实现更窄边框的显示装置。
以往，已知在具有电极的基板的显示区域周边安装驱动部的构造。在具有这样的搭载驱动部的安装方式的显示装置中，作为用来将输入信号和电压输入到驱动部的布线基板，有时使用柔性印刷基板(FPC)。但是，为了提高成品率和实现窄边框，正在讨论如下的方法。即，不使用FPC，经由贯通阵列基板的接触孔，将形成于阵列基板的下面侧的布线部与形成于阵列基板的上面侧的驱动部电连接。
发明内容
根据实施方式，显示装置具备：第1基板，包括具有贯通部的第1绝缘基板、形成于所述第1绝缘基板之上的焊盘电极、以及与所述焊盘电极电连接的信号布线；布线基板，具备连接布线，位于所述第1绝缘基板的下方；以及导电材料，设置于所述贯通部内，将所述焊盘电极和所述连接布线电连接。
附图说明
图1是概略性地示出本实施方式的显示装置DSP的构成的立体图。
图2是示出图1所示的显示装置DSP的阵列基板AR的概略俯视图。
图3是图1所示的显示装置DSP的有源区域ACT的截面图。
图4是图1所示的显示装置DSP的包括边框区域PRP在内的截面图。
图5是用于说明将形成于支持基板5上的阵列基板AR和对置基板CT粘合的第1工序的概略截面图。
图6是用于说明接着图5的第1工序的、在阵列基板AR上形成接触孔CH11的第2工序的概略截面图。
图7是用于说明接着图6的第2工序的、将布线基板1压接到液晶显示面板的第3工序的概略截面图。
图8是示出本实施方式的显示装置DSP的变形例的概略截面图。
图9是示出作为本实施方式的显示装置DSP的实用例的卡器件300的概略截面图。
图10是示出本实施方式的显示装置DSP的变形例的概略截面图。
图11是示出图10所示的连接布线100的部分构成的立体图。
图12是示出图10所示的显示装置DSP中的连接布线100、接触孔CH11，焊盘电极PD等的位置关系的图。
图13是示出本实施方式的显示装置DSP的变形例的概略截面图。
图14是示出图13所示的连接布线100的部分构成的立体图。
图15是示出图13所示的显示装置DSP中的连接布线100、接触孔CH11，焊盘电极PD等的位置关系的图。
图16是示出本实施方式的显示装置DSP的变形例的概略截面图。
图17是示出图16所示的显示装置中的连接布线100、接触孔CH11，焊盘电极PD等的位置关系的图。
图18是示出图17所示的变形例的构成的布局的一例的图。
图19是示出图17所示的变形例的构成的布局的一例的图。
具体实施方式
以下参照附图说明本实施方式。另外，公开只不过是一例，在不脱离发明的主旨的范围内，本领域技术人员能够想到的适当变更当然也包含在本发明的范围内。此外，为了使说明更加明确，与实际的形态相比，附图中各部的宽度、厚度、形状等有时示意性地示出，但这些只是一例，不限定本发明的解释。此外，在本说明书和各图中，对于与已有的附图中已经说明的构成要素发挥相同或类似的功能的构成要素，附加相同的参照符号，并适当省略重复的详细说明。
首先，详细说明本实施方式的显示装置。图1是概略性地示出本实施方式的显示装置DSP的构成的立体图。图1示出了由第1方向X、与第1方向X垂直的第2方向Y、与第1方向X及第2方向Y垂直的第3方向Z规定的三维空间。另外，在本实施方式中，对显示装置为液晶显示装置的情况进行说明。
如图1所示，显示装置DSP具备有源矩阵型的液晶显示面板PNL和布线基板1。液晶显示面板PNL具备：平板状的阵列基板AR、与阵列基板AR对置地配置的平板状的对置基板CT、以及夹持在阵列基板AR和对置基板CT之间的液晶层(后述的液晶层LQ)。另外，在本实施方式中，阵列基板AR相当于第1基板，对置基板CT相当于第2基板。本实施方式的液晶显示面板PNL是反射型的液晶显示面板。
在本实施方式中，将第3方向Z的正方向或者从阵列基板AR朝向对置基板CT的方向定义为上或上方，将第3方向Z的负方向或者从对置基板CT朝向阵列基板AR的方向定义为下或下方。
液晶显示面板PNL具备显示图像的有源区域(显示区域)ACT和有源区域ACT的外侧的边框区域(非显示区域)PRP。液晶显示面板PNL在有源区域ACT中具备多个像素PX。多个像素PX沿着相互交叉的第1方向X及第2方向Y排列，设置为矩阵状。
在一个例子中，阵列基板AR的平行于第1方向X的边(例如短边)的长度和对置基板CT的平行于第1方向X的边的长度大致相等。此外，阵列基板AR的平行于第2方向Y的边(例如长边)的长度和对置基板CT的平行于第2方向Y的边的长度大致相等。即，阵列基板AR的平行于X-Y平面的面积和对置基板CT的平行于X-Y平面的面积大致相等。而且，阵列基板AR的各边在第3方向Z上与对置基板CT的各边重叠。
布线基板1配置在液晶显示面板PNL的下方。在一个例子中，布线基板1的平行于第1方向X的边的长度比阵列基板AR及对置基板CT的平行于第1方向X的边的长度短，或者同等。此外，布线基板1的平行于第2方向Y的边的长度比阵列基板AR及对置基板CT的平行于第2方向Y的边的长度短，或者同等。布线基板1与液晶显示面板PNL的一端侧重叠地配置，与边框区域PRP及有源区域ACT重叠。另外，布线基板1不向比与液晶显示面板PNL重叠的位置更向外侧伸出。液晶显示面板PNL及布线基板1相互电连接。
图2是示出图1所示的显示装置DSP的阵列基板AR的概略俯视图。
阵列基板AR在有源区域ACT中包括：多个栅极布线G，沿着第1方向X延伸，在第2方向Y上排列；多个源极布线S，沿着第2方向Y延伸，在第1方向X上排列；以及薄膜晶体管Tr，在各像素PX中与栅极布线G及源极布线S电连接。各像素PX例如由相邻的2条栅极布线G和相邻的2条源极布线S划分。薄膜晶体管Tr作为开关元件起作用。
在边框区域PRP中的阵列基板AR的一端部ARE，形成有贯通阵列基板AR的多个接触孔CH及焊盘电极PD。焊盘电极PD分别形成在与接触孔CH重叠的位置。各源极布线S及栅极布线G引出到边框区域PRP，分别与焊盘电极PD电连接。如图中虚线所示，布线基板1与阵列基板AR的一端部ARE重叠地配置。如后述那样，布线基板1经由接触孔CH，通过未图示的导电材料与焊盘电极PD电连接。
图3是图1所示的显示装置DSP的有源区域ACT中的截面图。另外，图3中作为一例示出了使用Twisted Nematic(TN)模式的反射型的液晶显示装置。
如图3所示，阵列基板AR具备：第1绝缘基板10、薄膜晶体管Tr、反射层4、像素电极PE、第1取向膜AL1等。第1绝缘基板10使用有机绝缘材料形成，例如使用聚酰亚胺形成。第1绝缘基板10被第1绝缘膜11覆盖。
薄膜晶体管Tr形成在第1绝缘膜11之上。在图示的例子中，薄膜晶体管Tr构成为顶栅型，但也可以是底栅型。薄膜晶体管Tr具备形成在第1绝缘膜11之上的半导体层SC。半导体层SC被第2绝缘膜12覆盖。此外，第2绝缘膜12还配置在第1绝缘膜11之上。
薄膜晶体管Tr的栅电极WG形成在第2绝缘膜12之上，位于半导体层SC的正上方。栅电极WG与栅极布线G电连接(或者与栅极布线G一体地形成)，被第3绝缘膜13覆盖。此外，第3绝缘膜13还配置在第2绝缘膜12之上。
这样的第1绝缘膜11、第2绝缘膜12及第3绝缘膜13例如由硅氧化物或硅氮化物等无机系材料形成。
薄膜晶体管Tr的源电极WS及漏电极WD形成在第3绝缘膜13之上。此外，源极布线S也同样地形成在第3绝缘膜13之上。源电极WS与源极布线S电连接(或者与源极布线S一体地形成)。源电极WS及漏电极WD分别穿过贯通第2绝缘膜12及第3绝缘膜13的接触孔CH1、CH2而与半导体层SC接触。薄膜晶体管Tr被第4绝缘膜14覆盖。第4绝缘膜14还配置在第3绝缘膜13之上。这样的第4绝缘膜14例如由透明的树脂等有机系材料形成。
反射层4例如形成在第4绝缘膜14之上。反射层4由铝或银等反射率高的金属材料形成。另外，优选为反射层4的表面(即对置基板CT侧的面)是用来赋予光散射性的凹凸面。
像素电极PE形成在第4绝缘膜14之上，但是在图示的例子中，与反射层4重叠。另外，反射层4形成在与像素电极PE对置的位置即可，在像素电极PE和反射层4之间也可以存在其他绝缘膜。像素电极PE穿过贯通第4绝缘膜14的接触孔CH3而与薄膜晶体管Tr的漏电极WD接触。这样的像素电极PE例如由氧化铟锡(ITO)或氧化铟锌(IZO)等透明的导电材料形成。像素电极PE被第1取向膜AL1覆盖。
另一方面，对置基板CT使用玻璃基板或树脂基板等具有透光性的第2绝缘基板30形成。对置基板CT在第2绝缘基板30的与阵列基板AR对置的一侧具备遮光层BM、滤色片CF、外涂层OC、共用电极CE、第2取向膜AL2等。
遮光层BM形成在第2绝缘基板30的与阵列基板AR对置的一侧。遮光层BM以划分各像素PX的方式形成，形成为与设置于阵列基板AR的栅极布线G、源极布线S、以及薄膜晶体管Tr等布线部或接触孔CH3等对置。遮光层BM由遮光性的金属材料或黑色的树脂材料形成。
滤色片CF形成在第2绝缘基板30的与阵列基板AR对置的一侧，其一部分也与遮光层BM重叠。滤色片CF由分别着色为相互不同的多个颜色、例如红色、蓝色、绿色的树脂材料形成。红色的滤色片与红色像素对应地配置，绿色的滤色片与绿色像素对应地配置，蓝色的滤色片与蓝色像素对应地配置。另外，滤色片CF也可以还包含白色或透明的滤色片。不同颜色的滤色片CF间的边界位于与遮光层BM重叠的位置。
外涂层OC覆盖滤色片CF。外涂层OC由透明的树脂材料形成。
共用电极CE形成在外涂层OC的与阵列基板AR对置的一侧。这样的共用电极CE例如由ITO或IZO等透明的导电材料形成。共用电极CE被第2取向膜AL2覆盖。
在上述那样的阵列基板AR和对置基板CT中，第1取向膜AL1及第2取向膜AL2相互对置地配置。这时，在阵列基板AR和对置基板CT之间，通过未图示的间隔件形成规定的单元间隙。阵列基板AR和对置基板CT在形成有单元间隙的状态下通过密封件粘合。液晶层LQ封入到第1取向膜AL1和第2取向膜AL2之间。在第2绝缘基板30的外面30B配置有包含偏振板PL的光学元件OD。这样的光学元件OD位于显示面侧。
图4是图1所示的显示装置DSP的包括边框区域PRP在内的截面图。另外，在此，对置基板CT与图3所示的对置基板CT的构造大致相同，因此省略对于其详细构造的说明。
在液晶显示面板PNL中，阵列基板AR及对置基板CT在形成有单元间隙的状态下通过密封件SL粘合，在由密封件SL包围的区域内具备液晶层LQ。密封件SL形成在边框区域PRP。
焊盘电极PD在第1绝缘基板10之上以岛状形成。在第1绝缘基板10上形成有贯通到焊盘电极PD的接触孔CH11。即，焊盘电极PD位于与接触孔CH11重叠的位置。焊盘电极PD例如使用ITO或金属材料形成。接触孔CH11在以X-Y平面俯视时，形成在与密封件SL重叠的位置。另外，在本实施方式中，接触孔CH11相当于将第1绝缘基板10贯通到焊盘电极PD的贯通部。此外，在本实施方式中，将从阵列基板AR观察对置基板CT定义为俯视。
第1绝缘膜11覆盖焊盘电极PD及第1绝缘基板10。第2绝缘膜12覆盖第1绝缘膜11。在第1绝缘膜11及第2绝缘膜12形成有贯通到焊盘电极PD的接触孔CH12。信号布线6例如形成在第2绝缘膜12之上，穿过接触孔CH12而与焊盘电极PD接触。信号布线6相当于图2所示的栅极布线G及源极布线S、电源线及各种控制用布线等。第3绝缘膜13覆盖信号布线6及第2绝缘膜12。第4绝缘膜14覆盖第3绝缘膜13。
布线基板1具备驱动部2。驱动部2例如位于液晶显示面板PNL和布线基板1之间。驱动部2作为供给驱动液晶显示面板PNL所需的信号的信号供给源等起作用。此外，布线基板1在与液晶显示面板PNL侧对置的一侧的面具备连接布线100。连接布线100与驱动部2电连接。
液晶显示面板PNL及布线基板1经由作为导电材料的各向异性导电膜3而相互电连接并粘接。即，各向异性导电膜3包含分散到粘接剂中的导电粒子(后述的导电粒子CP)。因此，在布线基板1和液晶显示面板PNL之间存在各向异性导电膜3的状态下，将布线基板1及液晶显示面板PNL沿着第3方向Z从上下加压并加热，将两者电气及机械地连接。各向异性导电膜3在液晶显示面板PNL及布线基板1之间从第1绝缘基板10的下面直到接触孔CH11的内部填充，与焊盘电极PD相接。各向异性导电膜3与焊盘电极PD及连接布线100电连接。由此，连接布线100经由各向异性导电膜3与焊盘电极PD及信号布线6电连接。在此，连接布线100在与接触孔CH11对置的位置形成为与阵列基板AR平行的平板状。
接着，使用图5～图7说明本实施方式的显示装置DSP的制造工序。图5～图7是用于说明本实施方式的布线基板1向液晶显示面板PNL的压接方法的概略截面图。图5～图7所示的比焊盘电极PD更靠上层的构造与图4所示的液晶显示面板PNL中的比焊盘电极PD更靠上层的构造相同。
图5是用于说明将形成于支持基板5上的阵列基板AR和对置基板CT粘合的第1工序的概略截面图。
首先，通过在玻璃基板等的支持基板5上形成有机绝缘膜，形成第1绝缘基板10。然后，依次形成焊盘电极PD、第1绝缘膜11、第2绝缘膜12、信号布线6、第3绝缘膜13、第4绝缘膜14、第1取向膜AL1等，形成阵列基板AR。另一方面，形成对置基板CT。
然后，在阵列基板AR或对置基板CT上形成密封件SL，在由密封件SL包围的内侧滴下液晶材料后，将阵列基板AR和对置基板CT粘合。然后，从支持基板5的背面侧照射激光等，将支持基板5从第1绝缘基板10剥离。
图6是用于说明接着图5的第1工序的、在阵列基板AR上形成接触孔CH11的第2工序的概略截面图。
支持基板5从第1绝缘基板10剥离后，进行在阵列基板AR上形成接触孔CH11的工序。即，通过从阵列基板AR的下方侧朝向与密封件SL重叠的区域照射激光，在第1绝缘基板10上形成贯通到焊盘电极PD的接触孔CH11。在本实施方式中，优选为使用具有例如258nm以下的波长域的激光。
图7是用于说明接着图6的第2工序的、将布线基板1压接到液晶显示面板PNL的第3工序的概略截面图。
在第1绝缘基板10上形成接触孔CH11之后，使用各向异性导电膜3进行将布线基板1压接到液晶显示面板PNL的工序。即，以与接触孔CH11重叠的方式在布线基板1及液晶显示面板PNL之间配置各向异性导电膜3，从布线基板1的下方及液晶显示面板PNL的上方沿着图7所示的箭头的方向施加压力而加热。由此，各向异性导电膜3熔融而浸润到接触孔CH11内，并且各向异性导电膜3中包含的导电粒子与焊盘电极PD接触，布线基板1及液晶显示面板PNL电连接。
通过以上的工序，布线基板1被压接到液晶显示面板PNL。
根据本实施方式。在显示装置DSP中，布线基板1配置在液晶显示面板PNL的下方(与显示面相反的背面侧)，布线基板1及液晶显示面板PNL经由贯通阵列基板AR的第1绝缘基板10的接触孔CH11而通过导电材料(在上述的例子中是各向异性导电膜3)电连接。此外，驱动部2配置在液晶显示面板PNL的下方。因此，为了配置驱动部2和布线基板1，不需要扩大阵列基板AR的安装部的面积，能够将阵列基板AR和对置基板CT以大致同等的面积形成。此外，在阵列基板AR和对置基板CT对置的区域内，能够扩大有源区域ACT。即，在本实施方式的显示装置DSP的显示面中，能够提高对有源区域ACT有贡献的面积的比例而实现狭边框。
此外，不需要用于将从阵列基板AR的与对置基板CT对置的一侧到布线基板1电连接的长条的柔性印刷电路基板，也不需要用于容纳弯折的柔性印刷电路基板的空间。因此，显示装置DSP能够小型化。进而，装入了显示装置DSP的电子设备也能够小型化。
此外，能够避免将柔性印刷电路基板弯折容纳时的布线的断线，所以能够提高显示装置DSP的可靠性。
此外，接触孔CH11形成在与密封件SL对置的位置。密封件SL包含纤维等固体物，所以在密封件SL所在的边框区域PRP，与有源区域ACT相比，对于向液晶显示面板PNL的第3方向Z施加的力能够提高强度。即，将布线基板1压接到液晶显示面板PNL时，能够抑制向第3方向Z施加的力所导致的液晶显示面板PNL的破损。
接下来说明本实施方式的变形例。
图8是示出本实施方式的显示装置DSP的变形例的概略截面图。在图8所示的例子中，作为显示装置，示出了有机电致发光(EL)显示装置。
首先，说明显示元件部120中的显示装置的构造。另外，对于与上述的构成例相同的构成，赋予同一参照符号并省略详细的说明。
阵列基板AR在第1绝缘基板10的内面10A侧具备开关元件SW1～SW3、有机EL元件OLED1～OLED3等。开关元件SW1～SW3形成在第1绝缘膜11之上。反射层4形成在第4绝缘膜14之上。
有机EL元件OLED1～OLED3形成在第4绝缘膜14之上。在图示的例子中，有机EL元件OLED1与开关元件SW1电连接，有机EL元件OLED2与开关元件SW2电连接，有机EL元件OLED3与开关元件SW3电连接。有机EL元件OLED1～OLED3均构成为朝向对置基板CT的一侧放射白色光的顶部发光型。这样的有机EL元件OLED1～OLED3均为同一构造。
有机EL元件OLED1具备形成在反射层4之上的阳极PE1。阳极PE1与开关元件SW1的漏电极WD接触，与开关元件SW1电连接。同样，有机EL元件OLED2具备与开关元件SW2电连接的阳极PE2，有机EL元件OLED3具备与开关元件SW3电连接的阳极PE3。
有机EL元件OLED1～OLED3还具备有机发光层ORG及共用电极(阴极)CE。有机发光层ORG分别位于阳极PE1～PE3之上。共用电极CE位于有机发光层ORG之上。在图示的例子中，有机EL元件OLED1～OLED3分别由肋15划分。另外，虽然未图示，有机EL元件OLED1～OLED3优选为由透明的密封膜密封。
显示元件部120相当于阵列基板AR中排列着多个开关元件及有机EL元件OLED的区域，是实质上显示图像的显示区域。
对置基板CT在第2绝缘基板30的内面30A侧具备滤色片层220等。滤色片层220具备滤色片CF1、滤色片CF2及滤色片CF3。滤色片CF1与有机EL元件OLED1对置，是透过白色中的蓝色波长的光的蓝色滤色片。滤色片CF2与有机EL元件OLED2对置，是通过白色中的绿色波长的光的绿色滤色片。滤色片CF3与有机EL元件OLED3对置，是透过白色中的红色波长的光的红色滤色片。
这样的阵列基板AR的显示元件部120和对置基板CT通过透明的粘接剂41粘接。
在这样的显示装置中，在有机EL元件OLED1～OLED3分别发光时，各自的放射光(白色光)经由滤色片CF1、滤色片CF2、滤色片CF3分别射出到外部。这时，从有机EL元件OLED1放射的白色光中的蓝色波长的光透过滤色片CF1。此外，从有机EL元件OLED2放射的白色光中的绿色波长的光透过滤色片CF2。此外，从有机EL元件OLED3放射的白色光中的红色波长的光透过滤色片CF3。由此，实现彩色显示。
接下来说明边框区域PRP中的显示装置的构造。
阵列基板AR具备第1绝缘基板10、焊盘电极PD、信号布线6等。第1在绝缘基板10上形成有贯通到焊盘电极PD的接触孔CH21。信号布线6穿过接触孔CH22与焊盘电极PD电连接。布线基板1位于阵列基板AR的背面侧，经由各向异性导电膜3与焊盘电极PD电连接。
在这样的具有显示装置的变形例的有机EL显示装置中，也能够得到与上述同样的效果。
接下来，说明本实施方式的显示装置的实用例。
图9是示出作为本实施方式的显示装置DSP的实用例的卡器件300的概略截面图。
即，卡器件300具备容纳上述的显示装置DSP的基体310、电池及控制电路等各种内置零件320、密封树脂330等。基体310形成为箱状，包围显示装置DSP的侧面。内置零件320容纳在基体310和显示装置DSP之间。密封树脂330填充在基体310和显示装置DSP及内置零件320等之间，并且覆盖显示装置DSP的表面。
在这样的卡器件300中，也能够减小显示装置DSP的周围的边框宽度，并且能够通过基体310保护显示装置DSP的侧面。
图10是示出本实施方式的显示装置DSP的变形例的概略截面图。
图10所示的显示装置DSP的构成与图4相比，不同点在于连接布线100具有凸部T。此外，驱动部2设置在布线基板1的与液晶显示面板PNL对置的面的相反侧的面。驱动部2经由形成于布线基板1的通孔110与连接布线100电连接。另外，驱动部2的位置没有特别限制，也可以如图4所示例子那样，是与液晶显示面板PNL对置的一侧。
连接布线100的凸部T形成在俯视时与接触孔CH11重叠的位置。凸部T的至少一部分设置在接触孔CH11内。凸部T例如通过电镀等方法在连接布线100之上形成。各向异性导电膜3与焊盘电极PD及凸部T相接。各向异性导电膜3中包含的导电粒子CP1在接触孔CH11中存在于焊盘电极PD和凸部T之间。在图示的例子中，各向异性导电膜3中包含的导电粒子CP2在接触孔CH11的外侧设置在第1绝缘基板10和连接布线100之间。导电粒子CP1及CP2例如可以整体为金属制，也可以用镍或金等金属材料涂覆树脂材料。凸部T在第3方向Z上具有高度D1。此外，接触孔CH11在第3方向Z上具有深度d。在此，凸部T的高度D1比接触孔CH11的深度d更大。更优选为，凸部T形成为，其高度D1为接触孔CH11的深度d的1.2倍以上2倍以下的大小。
凸部T在第3方向Z上与各向异性导电膜3及密封件SL对置。在此，作为材料的强度的尺度使用杨氏模量。各向异性导电膜3的导电粒子CP1具有杨氏模量A，凸部T具有杨氏模量B，密封件SL具有杨氏模量C。凸部T的杨氏模量B比导电粒子CP1的杨氏模量A大，比密封件SL的杨氏模量C小。换言之，将密封件SL、凸部T、导电粒子CP1各自的强度进行比较的情况下，密封件SL的强度最大，凸部T的强度比密封件SL的强度小，导电粒子CP1的强度最小。因此，将布线基板1压接到液晶显示面板PNL时，导电粒子CP1由于来自凸部T的压力而变形，与沿着第3方向Z的上下方向的长度a相比，成为沿着X-Y平面的侧方的长度b更长的形状，另一方面，密封件SL不容易因来自凸部T及导电粒子CP1的压力而变形。即，能够抑制液晶显示面板PNL的破损，并且能够使导电例子CP1容易沿着凸部T的形状而变形。
在本实施方式中，根据上述那样的凸部T的高度D1和接触孔CH11的深度d的关系，布线基板1被压接到液晶显示面板PNL时，导电粒子CP1在凸部T和焊盘电极PD之间被压变形，能够将两者电连接。更具体地说，由于高度D1比深度d大，所以凸部T和焊盘电极PD之间的导电粒子CP1在导电粒子CP2挤入连接布线100及第1绝缘基板10之前被压变形。由此，能够将连接布线100和焊盘电极PD可靠地电连接。另外，导电粒子CP1及CP2变形到粒径的约20％程度即可。考虑到这样的导电粒子的变形，为了将连接布线100和焊盘电极PD可靠地电连接，优选为凸部T的高度D1为深度d的1.2倍以上。
导电粒子CP在液晶显示面板PNL和布线基板1之间不会在第3方向Z上重叠2个以上而导通。此外，例如在第1方向X及第2方向Y上，形成各向异性导电膜3的粘接剂(绝缘体)进入相邻的导电粒子CP之间，所以导电粒子CP彼此在第1方向X及第2方向Y上几乎不会相互导通。
图11是示出图10所示的连接布线100的部分构成的立体图。
在连接布线100之上以高度D1形成有凸部T。凸部T例如形成为方锥台状，但是不限于图示的形状，也可以是圆锥台状、半球状等。此外，凸部T能够形成为与接触孔CH11的形状相应的形状。凸部T的形状与接触孔CH11的形状同等的情况下，焊盘电极PD及连接布线100经由更多的导电粒子CP1电连接，所以优选为凸部T的形状更接近接触孔CH11的形状。在图示的例子中，通过由第1方向X及第3方向Z规定的X-Z平面来截断凸部T的截面和通过由第2方向Y及第3方向Z规定的Y-Z平面来截断凸部T的截面均为梯形。
图12是示出图10所示的显示装置DSP中的连接布线100、接触孔CH11，焊盘电极PD等的位置关系的图。
在图示的例子中，以X-Y平面观察时，焊盘电极PD及接触孔CH11均形成为大致长方形状。在第1方向X及第2方向Y上，接触孔CH11比焊盘电极PD更小地形成。信号布线6沿着第2方向Y延伸，与焊盘电极PD连接。连接布线100沿着第2方向Y延伸，与信号布线6对置。在第1方向X及第2方向Y上，凸部T比接触孔CH11更小地形成，其整体嵌入接触孔CH11。
在图10～12所图示的例子中，在接触孔CH11中，连接布线100的凸部T能够将设置在与焊盘电极PD之间的更多数量的导电粒子CP1压变形。因此，能够以小的压接力将连接布线100和焊盘电极PD之间更可靠地电连接。因此，能够提高成品率和可靠性。
图13是示出本实施方式的显示装置DSP的变形例的概略截面图。
图13所示的显示装置DSP的构成与图10相比，不同点在于连接布线100的构成。
连接布线100具有设置在接触孔CH11内的布线端部E1。连接布线100如后述那样形成为凸形状。在图10所示的连接布线100中，部分地形成凸部T，但是在图13所示的例子中，连接布线100的布线端部E1沿着第3方向Z向上方弯曲，连接布线100自身整体沿着第3方向Z形成为具有高度D2的形状。另外，包含省略图示的导电粒子的各向异性导电膜3在接触孔CH11中存在于焊盘电极PD和布线端部E1之间，将两者电连接。与参照图10所做的说明同样，连接布线100中的至少配置于接触孔CH11内的布线端部E1的高度D2可以比接触孔CH11的深度d更大。更优选为，连接布线100形成为，其高度D2是接触孔CH11的深度d的1.2倍以上的大小。此外，连接布线100、密封件SL及导电粒子各自的杨氏模量与参照图10所做的说明相同。
根据上述那样的具有凸构造的连接布线100的高度D2和接触孔CH11的深度d的关系，布线基板1被压接到液晶显示面板PNL时，各向异性导电膜3中包含的导电粒子被布线基板1及液晶显示面板PNL压变形。
图14是示出图13所示的连接布线100的部分构成的立体图。
连接布线100形成为在第3方向Z上具有高度D2的凸形状。在图示的例子中，通过X-Z平面将连接布线100截断的截面为梯形。另外，虽然说明了连接布线100的截面为梯形状的情况，但是连接布线100的截面形状不限于此，能够与接触孔CH11的形状相应地形成为各种形状。
图15是示出图13所示的显示装置DSP中的连接布线100、接触孔CH11，焊盘电极PD等的位置关系的图。
以X-Y平面观察时，连接布线100的布线端部E1经由接触孔CH11与焊盘电极PD对置。沿着布线端部E1的第1方向X的宽度比沿着接触孔CH11的第1方向的宽度小。这样的布线端部E1配置在接触孔CH11内。另外，在图13及图15所示的例子中，接触孔CH11形成为大致长方形状，但是不限于该形状，也可以形成为其他形状。
在图13～15所图示的例子中，能够得到与图10等所示的例子同样的效果。
图16是示出本实施方式的显示装置DSP的变形例的概略截面图。
图16所示的显示装置DSP的构成与图13相比，不同点在于，取代接触孔CH11而具有作为贯通部的凹部CC。
凹部CC形成于第1绝缘基板10，贯通到焊盘电极PD。凹部CC延伸到比与焊盘电极PD对置的位置更靠外侧。着眼于凹部CC和布线基板1的位置关系，凹部CC延伸到比与布线基板1的基板端部E2对置的位置更靠外侧。这样的凹部CC还存在延伸到阵列基板AR的端部的情况。连接布线100的布线端部E1配置于凹部CC。另外，包含省略图示的导电粒子的各向异性导电膜3在凹部CC中存在于焊盘电极PD和布线端部E1之间，将两者电连接。凹部CC的深度及布线端部E1的高度的关系与参照图13所做的说明相同。
图17是示出图16所示的显示装置中的连接布线100、凹部CC、焊盘电极PD等的位置关系的图。
以X-Y平面观察时，凹部CC沿着第2方向Y扩展。在图示的例子中，凹部CC朝向与焊盘电极PD的信号布线6所延伸的一侧的相反侧延伸。
在布线基板1及液晶显示面板PNL的压接工序中，布线基板1及液晶显示面板PNL夹持各向异性导电膜3时，在各向异性导电膜3的周边有时会进入空气。进而，在压接工序的加热时，各向异性导电膜3的周边的空气热膨胀，可能会损坏显示装置DSP。根据图16及图17所示的构成，一部分向外侧开放的凹部CC延伸到布线基板1的外侧而形成。因此，在压接工序中，在加热时各向异性导电膜3的粘接剂溶解，进入凹部CC的空气从布线基板1朝向外侧放出。因此，在布线基板1及液晶显示面板PNL的压接工序中，进入凹部CC的空气不会被封住，能够抑制加热时的空气的热膨胀导致的显示装置DSP的破损。
图18是示出图17所示的变形例的构成的布局的一例的图。图18示出了将图17所示的连接布线100、焊盘电极PD、信号布线6的构成沿着第1方向X排列的构成。
信号布线6a、6b、6c按照该顺序沿第1方向X排列，分别沿第2方向Y延伸。焊盘电极PDa、PDb、PDc沿第1方向X在大致同列上排列。
第1绝缘基板10设置在信号布线6a～6c和连接布线100a～100c之间。凹部CC形成为使焊盘电极PDa～PDc露出。连接布线100a～100c延伸到凹部CC，在X-Y平面上分别与焊盘电极PDa～PDc对置。
在这样的构成中，也能够得到与图16及图17所示的构成同样的效果。
图19是示出图17所示的变形例的构成的布局的一例的图。图19示出了将图17所示的连接布线100、焊盘电极PD、信号布线6的构成排列为格子状的构成。
信号布线6a、6b、6c、6d、6e按照该顺序沿第1方向X排列，分别沿第2方向Y延伸。焊盘电极PDa、PDc、PDe沿第1方向X在大致同列上排列。焊盘电极PDb及PDd沿第1方向X在大致同列上排列。焊盘电极PDa、PDb、PDe和焊盘电极PDb及PDd分别形成在不同的列上。信号布线6b配置在焊盘电极PDa及PDc之间。信号布线6d配置在焊盘电极PDc及PDe之间。通过像这样配置焊盘电极PDa～PDe，能够将连接布线100等沿着第1方向X更紧密地配置。
第1绝缘基板10设置在信号布线6a～6e和连接布线100a～100e之间。另外，第1绝缘基板10在焊盘电极PDa及PDc之间也设置在信号布线6b和连接布线100b，并且在焊盘电极PDc及PDe之间也设置在信号布线6d和连接布线100d之间。
1个凹部CC形成为使焊盘电极PDa～PDe全部露出。连接布线100a～100e延伸到凹部CC，在X-Y平面上分别与焊盘电极PDa～PDe对置。
在此，着眼于沿第1方向X排列的连接布线100b、100c、100d这3个进行说明。将连接布线100b的布线端部设为第1布线端部E11，将连接布线100c的布线端部设为第2布线端部E12，将连接布线100d的布线端部设为第3布线端部E13。第1布线端部E11及第3布线端部E13设置在比第2布线端部E12更靠外侧。焊盘电极PDb及第1布线端部E11、焊盘电极PDc及第2布线端部E12、焊盘电极PDd及第3布线端部E13通过未图示的各向异性导电膜相互电连接。
在这样的构成中，能够得到与图16及图17所示的构成同样的效果。除此之外，在将连接布线高密度化的情况下，也能够抑制信号布线6b与其两侧的焊盘电极PDa及PDc的短路、以及信号布线6d与其两侧的焊盘电极PDc及PDe的短路。
如以上说明，根据本实施方式，能够提供一种实现了小型化及狭边框化的显示装置。
以上说明的实施方式只是作为例子提出，不意图限定发明的范围。此外，这些新的实施方式能够以其他各种方式来实施。进而，在不脱离发明的主旨的范围内，能够进行各种变更、替换、省略。这些方式及其变形均包含在权利要求及其等价物中。

Claims (13)

1.一种显示装置，具备：
第1基板，包括具有贯通部的第1绝缘基板、形成于所述第1绝缘基板之上的焊盘电极、以及与所述焊盘电极电连接的信号布线；
布线基板，具备连接布线，位于所述第1绝缘基板的下方；以及
导电材料，设置于所述贯通部内，将所述焊盘电极和所述连接布线电连接，
所述焊盘电极在所述布线基板侧具有下表面，
所述焊盘电极的下表面与所述贯通部的边缘接触，在横断面中，所述焊盘电极的下表面与所述导电材料的边界位于连结所述贯通部的2个边缘的线上，
所述导电材料被夹在所述第1绝缘基板与所述布线基板之间，
所贯通部具有从上述第1绝缘基板的下方开始朝向上方的宽度变窄的锥台形状，
所述导电材料包含导电粒子，所述导电粒子具有相比上下方向的长度，沿着所述下表面的长度更长的形状。
2.如权利要求1所述的显示装置，具备：
第2基板；
液晶层，保持在所述第1基板和所述第2基板之间；以及
密封件，将所述第1基板和所述第2基板粘合，
所述贯通部在俯视时形成在与所述密封件重叠的位置。
3.如权利要求1所述的显示装置，
所述第1绝缘基板由聚酰亚胺形成。
4.如权利要求1所述的显示装置，
所述第1基板还具备：与所述信号布线电连接的开关元件、与所述开关元件电连接的像素电极、与所述像素电极对置的反射层。
5.如权利要求1所述的显示装置，
所述连接布线形成为平板状，所述导电材料填充到所述贯通部中。
6.如权利要求1所述的显示装置，
所述连接布线具有设置在所述贯通部内的凸部，所述导电材料在所述贯通部内设置在所述焊盘电极和所述凸部之间。
7.如权利要求6所述的显示装置，
所述导电材料与所述焊盘电极及所述凸部相接。
8.如权利要求6所述的显示装置，
所述凸部的高度比所述贯通部的深度更大。
9.如权利要求1所述的显示装置，
所述连接布线具有向上方弯曲的布线端部。
10.如权利要求9所述的显示装置，
所述布线端部配置在所述贯通部内。
11.如权利要求2所述的显示装置，
所述连接布线具有第1杨氏模量，所述密封件具有第2杨氏模量，所述导电材料具有第3杨氏模量，所述第1杨氏模量比所述第3杨氏模量大，比所述第2杨氏模量小。
12.如权利要求9所述的显示装置，
所述贯通部延伸到比与所述布线基板的基板端部对置的位置更靠外侧。
13.如权利要求9所述的显示装置，
所述布线端部具有第1布线端部、第2布线端部、第3布线端部，所述第1布线端部及第3布线端部设置在所述第2布线端部的外侧，所述导电材料与所述焊盘电极及所述第2布线端部电连接，所述贯通部是凹部。
CN201510736932.7A 2014-11-04 2015-11-03 显示装置 Active CN105572988B (zh)

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2014224232 2014-11-04
JP2014-224232 2014-11-04
JP2015148332A JP2016091001A (ja) 2014-11-04 2015-07-28 表示装置
JP2015-148332 2015-07-28

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN105572988A CN105572988A (zh) 2016-05-11
CN105572988B true CN105572988B (zh) 2019-07-16

Family

ID=55852506

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201510736932.7A Active CN105572988B (zh) 2014-11-04 2015-11-03 显示装置

Country Status (2)

Country Link
US (1) US9786686B2 (zh)
CN (1) CN105572988B (zh)

Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104112758B (zh) * 2014-07-01 2017-02-22 京东方科技集团股份有限公司 发光二极管显示面板及其制作方法、显示装置
KR102392683B1 (ko) * 2015-11-30 2022-05-02 엘지디스플레이 주식회사 터치스크린 내장형 표시장치
JP6716384B2 (ja) * 2016-07-29 2020-07-01 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置
CN106681067B (zh) * 2016-12-20 2019-01-22 深圳市华星光电技术有限公司 显示装置
US10672685B2 (en) 2017-06-30 2020-06-02 Innolux Corporation Display device
JP7032173B2 (ja) 2018-02-27 2022-03-08 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置
US11595557B2 (en) * 2019-01-23 2023-02-28 Canon Kabushiki Kaisha Electronic module, electronic equipment, imaging sensor module, imaging apparatus, and display apparatus
CN109585462A (zh) * 2019-01-23 2019-04-05 京东方科技集团股份有限公司 一种阵列基板及其制作方法、柔性显示面板、拼接屏
CN112068372A (zh) * 2020-09-10 2020-12-11 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 阵列基板及显示面板

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3915379B2 (ja) * 2000-07-31 2007-05-16 セイコーエプソン株式会社 液晶装置および電子機器
JP2009237410A (ja) * 2008-03-28 2009-10-15 Mitsubishi Electric Corp 液晶パネル、液晶表示装置及びその製造方法
CN102486906A (zh) * 2010-12-01 2012-06-06 精工爱普生株式会社 薄膜晶体管形成用基板、半导体装置、电气装置

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3186925B2 (ja) * 1994-08-04 2001-07-11 シャープ株式会社 パネルの実装構造並びに集積回路搭載テープおよびその製造方法
JPH10104651A (ja) 1996-09-27 1998-04-24 Toshiba Corp 表示装置
JPH10189863A (ja) 1996-12-20 1998-07-21 Ricoh Co Ltd 実装用基板
JP3953320B2 (ja) * 2001-12-28 2007-08-08 三洋電機株式会社 表示装置及びその製造方法
WO2011045994A1 (ja) * 2009-10-14 2011-04-21 シャープ株式会社 フレキシブル配線基板の接続構造、表示装置
JP6231778B2 (ja) 2013-06-05 2017-11-15 キヤノン株式会社 電気デバイスおよび放射線検査装置
TWI667865B (zh) * 2014-05-07 2019-08-01 易鼎股份有限公司 Flexible circuit board line lap structure

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3915379B2 (ja) * 2000-07-31 2007-05-16 セイコーエプソン株式会社 液晶装置および電子機器
JP2009237410A (ja) * 2008-03-28 2009-10-15 Mitsubishi Electric Corp 液晶パネル、液晶表示装置及びその製造方法
CN102486906A (zh) * 2010-12-01 2012-06-06 精工爱普生株式会社 薄膜晶体管形成用基板、半导体装置、电气装置

Also Published As

Publication number Publication date
US20160124259A1 (en) 2016-05-05
CN105572988A (zh) 2016-05-11
US9786686B2 (en) 2017-10-10

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN105572988B (zh) 显示装置
CN207409207U (zh) 显示装置
TWI400509B (zh) 可撓性顯示模組及其製作方法
CN102998831B (zh) 显示装置
CN106886109A (zh) 显示装置
CN103718231B (zh) 显示装置
CN109616480A (zh) 一种显示面板及显示装置
CN107664867A (zh) 显示装置
CN104421771B (zh) 发光二极管组件以及包括该组件的液晶显示装置
CN107275337A (zh) 显示装置
CN106324927A (zh) 显示装置
CN106847774B (zh) 一种显示面板及显示面板的制备方法
CN106918961A (zh) 显示装置
CN106992197A (zh) 柔性显示器及其制造方法
TW201222105A (en) Flat panel display integrated with a touch screen panel
KR102359607B1 (ko) 표시 장치
US20160219354A1 (en) Speaker and microphone integrated display panel
CN101504924A (zh) 电光装置的制造方法、电光装置
CN106997126B (zh) 显示装置
WO2011111420A1 (ja) 液晶表示装置とその製造方法
KR101797001B1 (ko) 이방성 도전필름, 이를 이용한 표시패널의 제조방법 및 그 표시패널을 포함하는 평판표시장치모듈
KR20010042611A (ko) 표시패널에의 티시피 필름 실장방법
CN107123663B (zh) 显示装置
CN108010937B (zh) 有机发光显示装置
US20210132444A1 (en) Lighting device and display device

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant