CN107123663A - 显示装置 - Google Patents
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- CN107123663A CN107123663A CN201710101429.3A CN201710101429A CN107123663A CN 107123663 A CN107123663 A CN 107123663A CN 201710101429 A CN201710101429 A CN 201710101429A CN 107123663 A CN107123663 A CN 107123663A
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 172
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims abstract description 11
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 34
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 14
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 claims description 11
- 239000007769 metal material Substances 0.000 claims description 5
- 239000004411 aluminium Substances 0.000 claims description 4
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 claims description 3
- -1 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 claims description 3
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 claims description 3
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000012528 membrane Substances 0.000 claims description 2
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 claims description 2
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 claims description 2
- 239000010408 film Substances 0.000 description 86
- 102100036464 Activated RNA polymerase II transcriptional coactivator p15 Human genes 0.000 description 33
- 101000713904 Homo sapiens Activated RNA polymerase II transcriptional coactivator p15 Proteins 0.000 description 33
- 229910004444 SUB1 Inorganic materials 0.000 description 33
- 229910004438 SUB2 Inorganic materials 0.000 description 27
- 101100311330 Schizosaccharomyces pombe (strain 972 / ATCC 24843) uap56 gene Proteins 0.000 description 27
- 101150018444 sub2 gene Proteins 0.000 description 27
- 238000000034 method Methods 0.000 description 22
- 230000008569 process Effects 0.000 description 20
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 19
- 238000004380 ashing Methods 0.000 description 13
- 101100167365 Caenorhabditis elegans cha-1 gene Proteins 0.000 description 11
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 10
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 10
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 9
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 6
- 239000008393 encapsulating agent Substances 0.000 description 5
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 5
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 4
- 239000013256 coordination polymer Substances 0.000 description 4
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 4
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 4
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N Benzene Chemical compound C1=CC=CC=C1 UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 3
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 3
- 230000008859 change Effects 0.000 description 3
- 230000036632 reaction speed Effects 0.000 description 3
- 239000003566 sealing material Substances 0.000 description 3
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910018503 SF6 Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 2
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 2
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 2
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 2
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 2
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 238000003780 insertion Methods 0.000 description 2
- 230000037431 insertion Effects 0.000 description 2
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 2
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 2
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 2
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- SFZCNBIFKDRMGX-UHFFFAOYSA-N sulfur hexafluoride Chemical compound FS(F)(F)(F)(F)F SFZCNBIFKDRMGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229960000909 sulfur hexafluoride Drugs 0.000 description 2
- 230000001629 suppression Effects 0.000 description 2
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000149 argon plasma sintering Methods 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000003467 diminishing effect Effects 0.000 description 1
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000004744 fabric Substances 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 238000011835 investigation Methods 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 239000012788 optical film Substances 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 1
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 1
- 238000012797 qualification Methods 0.000 description 1
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 1
- 238000009738 saturating Methods 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K50/844—Encapsulations
- H10K50/8445—Encapsulations multilayered coatings having a repetitive structure, e.g. having multiple organic-inorganic bilayers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/805—Electrodes
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K50/844—Encapsulations
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/124—Insulating layers formed between TFT elements and OLED elements
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/131—Interconnections, e.g. wiring lines or terminals
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/87—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K59/873—Encapsulations
- H10K59/8731—Encapsulations multilayered coatings having a repetitive structure, e.g. having multiple organic-inorganic bilayers
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- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1345—Conductors connecting electrodes to cell terminals
- G02F1/13452—Conductors connecting driver circuitry and terminals of panels
-
- G—PHYSICS
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- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1345—Conductors connecting electrodes to cell terminals
- G02F1/13458—Terminal pads
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- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F2201/00—Constructional arrangements not provided for in groups G02F1/00 - G02F7/00
- G02F2201/50—Protective arrangements
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- Physics & Mathematics (AREA)
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- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
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Abstract
本发明涉及一种显示装置，具备：绝缘基板，具有第一区域以及与上述第一区域相邻接的第二区域，并具有形成于上述第二区域的第一贯通部，第二区域形成得比第一区域薄；焊盘电极，配置在上述第一贯通部的上方；信号布线，与上述焊盘电极电连接；布线基板，具有连接布线，配置在上述绝缘基板的下方；导电材料，配置在上述第一贯通部内，将上述焊盘电极与上述连接布线电连接；第一保护部件，配置在上述第一区域的下方；以及第二保护部件，配置在上述第一保护部件的下方。
Description
相关申请的相互参照：
本申请基于2016年2月24日申请的日本专利申请第2016-033189号，基于该公开将其内容援用于本说明书中。
技术领域
本发明的实施方式涉及一种显示装置。
背景技术
近年来，在移动电话、PDA(personal digital assistant)等便携信息终端设备中，从性能方面、设计性等观点出发，对于显示区域在显示面上所占的比例更大的显示装置的要求提高。例如，提出有能够实现进一步的窄边框化的显示装置。
以往，已知有在具有电极的基板的显示区域周边安装有驱动部的构造。在安装有这样的驱动部的显示装置中，作为用于将输入信号、电压向驱动部输入的布线基板，有时使用挠性印刷基板(FPC)。另一方面，研讨有如下方法：不使用FPC，而使形成在阵列基板的下面侧的布线部，从贯通阵列基板的接触孔中通过，并与形成在阵列基板的上面侧的驱动部电连接。
发明内容
根据本实施方式，提供一种显示装置，具备：绝缘基板，具有第一区域以及与上述第一区域相邻接的第二区域，并具有形成于上述第二区域的第一贯通部，上述第二区域形成得比上述第一区域薄；焊盘电极，配置在上述第一贯通部的上方；信号布线，与上述焊盘电极电连接；布线基板，具有连接布线，配置在上述绝缘基板的下方；导电材料，配置在上述第一贯通部内，将上述焊盘电极与上述连接布线电连接；第一保护部件，配置在上述第一区域的下方；以及第二保护部件，配置在上述第一保护部件的下方。
本实施方式能够提供能够实现小型化以及窄边框化的显示装置。
附图说明
图1是概略地表示本实施方式的显示装置的构成的立体图。
图2是表示图1所示的显示装置的显示区域的截面图。
图3是包含图1所示的显示装置的非显示区域的截面图。
图4是将图3所示的显示装置的一部分放大表示的截面图，是表示布线基板、各向异性导电膜、第一绝缘基板、绝缘膜以及焊盘电极的构成的图。
图5是表示上述实施方式的第一基板的平面图，是表示第一区域以及第二区域的位置关系等的图。
图6是用于对从第一绝缘基板10剥离支撑基板5的工序进行说明的截面图。
图7是用于对向第一绝缘基板粘贴第一保护部件以及第二保护部件的工序进行说明的截面图。
图8是用于对在第一绝缘基板上形成第一接触孔的工序进行说明的截面图。
图9是用于对在第二区域中使第一绝缘基板薄膜化、并且在绝缘膜上形成第二接触孔的工序进行说明的截面图。
图10是用于对将布线基板压接到显示面板上的工序进行说明的截面图。
具体实施方式
以下，参照附图对本实施方式进行说明。此外，公开仅为一个例子，对于本领域技术人员来说，能够容易地想到的用于保持发明的主旨的适当地变更，当然包含于本发明的范围。此外，在附图中，为了使说明更明确，与实际的方式相比，有时将各部分的宽度、厚度、形状等示意性地表示，但也仅为一个例子，其不限定本发明的解释。此外，在本说明书以及各图中，有时对于发挥与在之前出现的图中说明过的要素相同或者类似的功能的构成要素，赋予相同的参照符号，并适当地省略重复的详细说明。
首先，对本实施方式的显示装置进行详细说明。图1是概略地表示本实施方式的显示装置DSP的构成的立体图。图1表示由第一方向X、与第一方向X垂直的第二方向Y、以及与第一方向X及第二方向Y垂直的第三方向Z规定的三维空间。此外，第一方向X以及第二方向Y相互正交，但也可以以90°以外的角度交叉。以下，在本实施方式中，对显示装置为有机电致发光(EL)显示装置的情况进行说明。
如图1所示那样，显示装置DSP具备显示面板PNL和布线基板1。显示面板PNL具备平板状的第一基板SUB1以及与第一基板SUB1对置配置的平板状的第二基板SUB2。
在本实施方式中，将第三方向Z的正的朝向、或者从第一基板SUB1朝向第二基板SUB2的方向定义为上或者上方，将第三方向Z的负的朝向、或者从第二基板SUB2朝向第一基板SUB1的方向定义为下或者下方。此外，在“第一部件的上方的第二部件”以及“第一部件的下方的第二部件”的情况下，第二部件可以与第一部件相接，或者也可以位于从第一部件离开的位置。在后者的情况下，在第一部件与第二部件之间也可以夹设有第三部件。另一方面，在“第一部件上的第二部件”以及“第一部件下的第二部件”的情况下，第二部件与第一部件相接。
显示面板PNL具备显示图像的显示区域DA、以及包围显示区域DA的边框状的非显示区域NDA。显示面板PNL在显示区域DA中具备多个像素PX。多个像素PX沿着第一方向X以及第二方向Y排列，设置为矩阵状。
在一个例子中，第一基板SUB1的与第一方向X平行的侧缘的长度，与第二基板SUB2的与第一方向X平行的侧缘的长度大致相等。此外，第一基板SUB1的与第二方向Y平行的侧缘的长度，与第二基板SUB2的与第二方向Y平行的侧缘的长度大致相等。即，第一基板SUB1的与X－Y平面平行的面积，与第二基板SUB2的与X－Y平面平行的面积大致相等。在本实施方式中，第一基板SUB1的各侧缘在第三方向Z上与第二基板SUB2的各侧缘对齐。
布线基板1配置在显示面板PNL的下方。在一个例子中，布线基板1的与第一方向X平行的侧缘的长度，与第一基板SUB1以及第二基板SUB2的与第一方向X平行的侧缘的长度相比更短、或相等。此外，布线基板1的与第二方向Y平行的侧缘的长度，与第一基板SUB1以及第二基板SUB2的与第二方向Y平行的侧缘的长度相比更短、或相等。布线基板1位于非显示区域NDA以及显示区域DA。在本实施方式中，布线基板1的与第一方向X平行的一侧缘，在第三方向Z上与显示面板PNL的一端对齐。此外，布线基板1不会比与显示面板PNL对置的区域更向外侧伸出。显示面板PNL以及布线基板1相互电连接。
图2是表示图1所示的显示装置DSP的显示区域DA的截面图。
如图2所示那样，第一基板SUB1具备第一绝缘基板10、开关元件SW1、SW2、SW3、反射层4、有机EL元件OLED1、OLED2、OLED3、第一保护部件PP1、以及第二保护部件PP2等。第一绝缘基板10使用有机绝缘材料来形成，例如，使用聚酰亚胺来形成。第一绝缘基板10被第一绝缘膜11覆盖。
开关元件SW1、SW2、SW3形成在第一绝缘膜11的上方。在图示的例子中，开关元件SW1、SW2、SW3构成为顶栅型，但是也可以是底栅型。由于开关元件SW1、SW2、SW3为相同构成，因此在以下，着眼于开关元件SW1而对其构造进行更详细的说明。开关元件SW1具备形成在第一绝缘膜11上的半导体层SC。半导体层SC由第二绝缘膜12覆盖。此外，第二绝缘膜12还配置在第一绝缘膜11上。
开关元件SW1的栅电极WG形成在第二绝缘膜12上，且位于半导体层SC的正上方。栅电极WG由第三绝缘膜13覆盖。此外，第三绝缘膜13还配置在第二绝缘膜12上。
这样的第一绝缘膜11、第二绝缘膜12以及第三绝缘膜13，例如由硅氧化物、硅氮化物等无机系材料形成。
开关元件SW1的源极电极WS以及漏极电极WD形成在第三绝缘膜13上。源极电极WS以及漏极电极WD在分别贯通第二绝缘膜12以及第三绝缘膜13的接触孔中通过而与半导体层SC电连接。开关元件SW1由第四绝缘膜14覆盖。第四绝缘膜14还配置在第三绝缘膜13上。这样的第四绝缘膜14例如由透明的树脂等有机系材料形成。
反射层4形成在第四绝缘膜14上。反射层4由铝、银等反射率较高的金属材料形成。此外，反射层4的表面(即，第二基板SUB2侧的面)可以是平坦面，也可以是用于赋予光散射性的凹凸面。
有机EL元件(发光元件)OLED1乃至OLED3配置在第一基板SUB1与第二基板SUB2之间。此外，有机EL元件OLED1至OLED3形成在第四绝缘膜14上。在图示的例子中，有机EL元件OLED1与开关元件SW1电连接，有机EL元件OLED2与开关元件SW2电连接，有机EL元件OLED3与开关元件SW3电连接。有机EL元件OLED1至OLED3均构成为朝向第二基板SUB2侧放射白色光的顶发光型。这样的有机EL元件OLED1至OLED3均为相同构造。
有机EL元件OLED1具备形成在反射层4上的阳极PE1。阳极PE1与开关元件SW1的漏极电极WD接触，并与开关元件SW1电连接。同样，有机EL元件OLED2具备与开关元件SW2电连接的阳极PE2，有机EL元件OLED3具备与开关元件SW3电连接的阳极PE3。阳极PE1、PE2、PE3例如由铟·锡·氧化物(ITO)、铟·锌·氧化物(IZO)等透明的导电材料形成。
有机EL元件OLED1至OLED3还具备有机发光层ORG以及共用电极(阴极)CE。有机发光层ORG分别位于阳极PE1至PE3上。共用电极CE位于有机发光层ORG上。共用电极CE例如由ITO、IZO等透明的导电材料形成。在图示的例子中，有机EL元件OLED1至OLED3分别由肋15划分。此外，输入未图示，但有机EL元件OLED1至OLED3优选由透明的密封膜密封。
第二基板SUB2位于第一基板SUB1的上方。第二基板SUB2具备第二绝缘基板30、滤色器层220等。第二绝缘基板30例如可以为玻璃基板、树脂基板，也可以为包含光学膜、偏光板等的光学元件。
滤色器层220配置在第二绝缘基板30的内面30A侧。滤色器层220具备滤色器CF1、滤色器CF2以及滤色器CF3。滤色器CF1、CF2、CF3由分别被着色为相互不同颜色的树脂材料形成。在一个例子中，滤色器CF1为蓝色滤色器，滤色器CF2为绿色滤色器，滤色器CF3为红色滤色器。此外，滤色器层220还可以进一步包括白色或者透明的滤色器。滤色器CF1、CF2、CF3分别与有机EL元件OLED1、OLED2、OLED3对置。
上述那样的第一基板SUB1与第二基板SUB2在显示区域DA中通过透明的粘合层41粘合。此外，虽然将后述，但是第一基板SUB1以及第二基板SUB2，除了粘合层41以外，也可以在非显示区域NDA中通过包围粘合层41的密封材料粘合。此外，第一保护部件PP1以及第二保护部件PP2在俯视时配置于与粘合层41重叠的位置。此外，粘合层41跨越第一区域AR1与第二区域AR2的边界而配置。
第一保护部件PP1配置在第一绝缘基板10的下方。在图示的例子中，第一保护部件PP1粘合在第一绝缘基板10之下，但在第一保护部件PP1与第一绝缘基板10之间也可以夹设有其他薄膜。作为第一保护部件PP1的材料，优选耐热性、气体遮挡性、防湿性、强度优良、且低价的材料。第一保护部件PP1具有不会由于制造显示装置DSP的过程中的工序温度而变质、变形的程度的耐热性。此外，第一保护部件PP1具有比第一绝缘基板10大的强度，作为抑制显示面板PNL弯曲的支撑层起作用。此外，第一保护部件PP1具有抑制水分等向第一绝缘基板10侵入的防湿性以及抑制气体的侵入的气体遮挡性，作为阻挡层起作用。在本实施方式中，第一保护部件PP1例如是使用聚乙烯对苯二酸盐来形成的膜。
第二保护部件PP2配置在第一保护部件的下方。在图示的例子中，第二保护部件PP2是蒸镀在第一保护部件PP1上的薄膜，但在第一保护部件PP1与第二保护部件PP2之间也可以夹设有其他薄膜。作为第二保护部件PP2的材料，优选在后述的制造过程中耐气体性比第一保护部件PP1优良的材料。第二保护部件PP2例如使用铝或者铝合金来形成。
在这样的显示装置中，在有机EL元件OLED1至OLED3分别发光时，各自的放射光(白色光)经由滤色器CF1、滤色器CF2、滤色器CF3分别向外部出射。此时，从有机EL元件OLED1放射的白色光中、蓝色波长的光透射滤色器CF1。此外，从有机EL元件OLED2放射的白色光中、绿色波长的光透射滤色器CF2。此外，从有机EL元件OLED3放射的白色光中、红色波长的光透射滤色器CF3。由此，实现彩色显示。
图1所示的像素PX例如是构成彩色图像的最小单位，具备上述有机EL元件OLED1至OLED3。
此外，在上述的构成例中，有机EL元件OLED1至OLED3具备共通的有机发光层ORG，但不限定于此。例如，也可以为，有机EL元件OLED1具备发出蓝色光的有机发光层，有机EL元件OLED2具备发出绿色光的有机发光层，有机EL元件OLED3具备发出红色光的有机发光层，在这样的构成例中，也可以省略滤色器层220。
图3是包含图1所示的显示装置DSP的非显示区域NDA的截面图。此外，在此，第二基板SUB2与图2所示的第二基板SUB2的构造大致相同，因此省略对于其详细构造的说明。此外，在本实施方式中，将从第二基板SUB2观察第一基板SUB1的情况定义为俯视。
如图3所示那样，第一基板SUB1以及第二基板SUB2除了粘合层41以外还通过密封材料SL来贴合。密封材料SL形成于非显示区域NDA。粘合层41存在于由第一基板SUB1以及第二基板SUB2与密封材SL围起的区域内。此外，粘合层41和密封材SL可以使用相同材料来形成，也可以使用不同材料来形成。
第一保护部件PP1以及第二保护部件PP2在非显示区域NDA中延伸到第一基板SUB1的端部而不中断。第一绝缘基板10具有第一区域AR1以及第二区域AR2。第一区域AR1相当于第一绝缘基板10在第三方向Z上与第一保护部件PP1以及第二保护部件PP2重叠的区域，第二区域AR2相当于第一绝缘基板10在第三方向Z上与第一保护部件PP1以及第二保护部件PP2不重叠的区域。第一保护部件PP1以及第二保护部件PP2配置在第一绝缘基板10的第一区域AR1的下方。此外，第一保护部件PP1以及第二保护部件PP2未配置在第二区域AR2的下方。
第一绝缘基板10在第一区域AR1中具有厚度W1，在第二区域AR2中具有厚度W2。厚度W2小于厚度W1。在本实施方式中，例如，厚度W1为大约10μm，厚度W2为大于0μm、且1μm以下。
焊盘电极PD形成在第一绝缘基板10的上方。在图示的例子中，在焊盘电极PD与第一绝缘基板10的层间，配置有第一绝缘膜11、第二绝缘膜12以及第三绝缘膜13。在此，将在第一绝缘基板10与焊盘电极PD之间配置的第一至第三绝缘膜11至13统称为绝缘膜IL。如上所述，第一绝缘膜11、第二绝缘膜12以及第三绝缘膜13，例如由硅氧化物、硅氮化物等无机系材料形成，绝缘膜IL为无机绝缘膜。绝缘膜IL为至少具备第一绝缘膜11和第二绝缘膜12的多层膜，第一绝缘膜11与第二绝缘膜12由相互不同的材料形成。例如，第一绝缘膜11由硅氧化物形成，第二绝缘膜12由硅氮化物形成。
此外，在图示的例子中，焊盘电极PD通过层叠第一电极P1以及第二电极P2而构成。第一电极P1例如是使用作为透明导电材料的ITO而形成的透明导电层。第二电极P2配置在第一电极P1上，例如使用金属材料等导电材料来形成。第一电极P1例如形成为岛状。
在第一绝缘基板10以及绝缘膜IL上形成有贯通到焊盘电极PD的接触孔CHa。形成于第一绝缘基板10的第二区域AR2的第一接触孔CHa1、与形成于绝缘膜IL的第二接触孔CHa2相连而形成接触孔CHa。焊盘电极PD形成在第一接触孔CHa1以及第二接触孔CHa2的上方。焊盘电极PD以及接触孔CHa位于密封材料SL的正下方。焊盘电极PD以及接触孔CHa在第三方向Z上与第一绝缘基板10的第二区域AR2层叠。此外，接触孔CHa在第三方向Z上与密封材料SL层叠。此外，在本实施方式中，第一接触孔CHa1相当于第一贯通部，第二接触孔CHa2相当于第二贯通部。
在图示的例子中，信号布线6形成在第三绝缘膜13上，与焊盘电极PD形成于相同层。信号布线6与焊盘电极PD电连接。信号布线6以及焊盘电极PD可以分别各自地形成，也可以一体地形成。在图示的例子中，信号布线6与焊盘电极PD的第二电极P2一体地形成。信号布线6相当于电源线、各种控制用布线等。第四绝缘膜14覆盖信号布线6、焊盘电极PD、以及第三绝缘膜13。
此外，信号布线6以及焊盘电极PD也可以配置于其他层。此外，也可以为，信号布线6以及焊盘电极PD配置于相互不同的层，两者经由信号布线6以及焊盘电极PD之间的层间绝缘膜上所形成的接触孔电连接。
布线基板1位于第一绝缘基板10的下方。布线基板1具备核心基板200、配置在核心基板200的与显示面板PNL对置一侧的面上的连接布线100、以及配置在核心基板200的与显示面板PNL对置一侧的面的相反侧的面上的驱动部2。
连接布线100具有凸部T。凸部T向第一基板SUB1侧突出。凸部T的至少一部分设置在接触孔CHa内。凸部T例如使用电镀等方法形成在连接布线100上。
驱动部2经由形成于核心基板200的贯通孔110与连接布线100电连接。驱动部2作为供给对显示面板PNL进行驱动所需要的信号的信号供给源等起作用。此外，驱动部2的位置不特别限制，也可以配置在核心基板200的与显示面板PNL对置一侧的面上。
显示面板PNL以及布线基板1经由作为导电材料的各向异性导电膜3而相互电连接并且粘合。即，各向异性导电膜3包含分散到粘合剂中的导电粒子(后述的导电粒子CP)。因此，通过在布线基板1与显示面板PNL之间夹设有各向异性导电膜3的状态下，在第三方向Z上从上下对布线基板1以及显示面板PNL进行加压、加热，由此两者被电连接以及物理地连接。各向异性导电膜3在显示面板PNL与布线基板1之间，从第一绝缘基板10的下面遍及接触孔CHa的内部地填充，与焊盘电极PD的第一电极P1相接、且电连接。此外，各向异性导电膜3与连接布线100相接、且电连接。由此，连接布线100经由各向异性导电膜3与焊盘电极PD以及信号布线6电连接。
此外，比第一区域AR1的第一绝缘基板10的第一下面SF1相比，第二区域AR2的第一绝缘基板10的第二下面SF2位于更上方。此外，第一下面SF1与第一保护部件PP1相接，第二下面SF2与各向异性导电膜3相接。
图4是将图3所示的显示装置DSP的一部分放大表示的截面图，是表示布线基板1、各向异性导电膜3、第一绝缘基板10、绝缘膜IL、以及焊盘电极PD的构成的图。
如图4所示那样，各向异性导电膜3所包含的导电粒子CP1为，在接触孔CHa中夹设在焊盘电极PD与连接布线100的凸部T之间。在布线基板1被压接于显示面板PNL时，导电粒子CP1在凸部T与焊盘电极PD之间被压溃，而能够将两者电连接。此外，在图示的例子中，第二区域AR2中的、各向异性导电膜3所包含的导电粒子CP2，在接触孔CHa的外侧夹设在第一绝缘基板10与连接布线100之间。此时，导电粒子CP2也可以咬入第一绝缘基板10与连接布线100之间。在本实施方式中，导电粒子CP2咬入是指，在布线基板1与显示面板PNL被压接时，相对于对导电粒子CP2施加的压力，导电粒子CP2未被其以上地压溃的状态。导电粒子CP1以及CP2例如可以是整体为金属制，也可以是通过镍、金等金属材料对树脂材料进行涂层。
此外，导电粒子CP为，在布线基板1与显示面板PNL之间，不会在第三方向Z上重叠2个以上而导通。此外，例如，关于第一方向X以及第二方向Y，形成各向异性导电膜3的粘合剂(绝缘体)进入相邻的导电粒子CP之间，因此导电粒子CP彼此几乎不会在第一方向X以及第二方向Y上相互导通。
此外，连接布线100的与各向异性导电膜3相接一侧的面，可以如图示那样形成有凸部T，也可以不形成凸部T而平坦。如上述那样，通过连接布线100具有凸部T，由此在接触孔CHa中，连接布线100的凸部T能够将在其与焊盘电极PD之间设置的更多数量的导电粒子CP1压溃。因此，能够通过较小的压接力将连接布线100与焊盘电极PD更可靠地电连接。与不形成凸部T的情况相比，能够提高制品成品率、制造成品率以及可靠性。
图5是表示上述实施方式的第一基板SUB1的平面图，且是表示第一区域AR1以及第二区域AR2的位置关系等的图。形成有密封材料SL的区域由向右上方的斜线表示。
图3所示那样的第一绝缘基板10遍及第一基板SUB1的整面配置。第一区域AR1相当于在俯视中与第一绝缘基板10重叠地配置有第一保护部件PP1以及第二保护部件PP2的区域，第二区域AR2相当于在俯视中未与第一绝缘基板10重叠地配置第一保护部件PP1以及第二保护部件PP2的区域。此外，如上所述，第二区域AR2的厚度W2小于第一区域AR1的厚度W1。
在图5中，第一区域AR1由向左上方的斜线表示。第一保护部件PP1以及第二保护部件PP2与第一区域AR1的整面重叠配置。第二区域AR2与第一区域AR1相邻接，且在第一基板SUB1的一端部SUB1e侧的非显示区域NDA中沿第一方向X延伸。多个焊盘电极PD以及接触孔CHa在俯视中与第二区域AR2重叠，并在第一方向X上排列配置。即，焊盘电极PD以及接触孔CHa位于与第一绝缘基板10中厚度较小的区域重叠的位置。此外，接触孔CHa在俯视中形成于与密封材料SL重叠的位置。
接下来，使用图6至图10对本实施方式的显示装置的制造工序进行说明。在图6至图10中，比焊盘电极PD靠上层的构造，与图3所示的显示面板PNL中的比焊盘电极PD靠上层的构造相同，因此省略其图示。
图6是用于对从第一绝缘基板10剥离支撑基板5的工序进行说明的截面图。即，在支撑基板5上，在依次形成了构成第一基板SUB1的第一绝缘基板10、绝缘膜IL、焊盘电极PD、信号布线6等各部件之后，贴合第二基板SUB2。
然后，为了从第一绝缘基板10剥离支撑基板5，而从支撑基板5的背面侧照射激光LL。在此，在本实施方式中，例如，支撑基板5由玻璃形成，第一绝缘基板10由聚酰亚胺形成。当从支撑基板5的背面侧照射激光LL时，激光LL到达第一绝缘基板10的面10A。第一绝缘基板10在支撑基板5与第一绝缘基板10之间的界面，对激光LL进行吸收而分解。由此，在支撑基板5以及第一绝缘基板10的界面产生空间，支撑基板5从第一绝缘基板10剥离。
图7是用于对在第一绝缘基板10上粘贴第一保护部件PP1以及第二保护部件PP2的工序进行说明的截面图。
首先，在向第一绝缘基板10粘贴第一保护部件PP1之前，在第一保护部件PP1的面B上形成第二保护部件PP2。第二保护部件PP2例如使用金属材料来形成，并通过向第一保护部件PP1的面B进行蒸镀来形成。在本实施方式中，例如，第一保护部件PP1使用聚乙烯对苯二酸盐来形成，第二保护部件PP2使用铝来形成。
接下来，与第二保护部件PP2一体化的第一保护部件PP1，通过粘合片粘贴于第一绝缘基板10。具体地说，在第一绝缘基板10以及第一保护部件PP1之间配置了粘合片的状态下，在将第一保护部件PP1对准之后，进行加温处理，由此使粘合片产生粘合性，而第一保护部件PP1被粘合于第一绝缘基板10之下。由此，能够抑制第一保护部件PP1的位置偏移。
在此，第二保护部件PP2沿着第三方向Z的厚度，例如为大约30～500nm，更优选为50nm以上。为了对第一保护部件PP1进行保护，第二保护部件PP2作为足够的膜厚而形成得大于30nm，膜厚越大则对第一保护部件PP1进行保护的效果越提高。但是，第二保护部件PP2的膜厚越大，则其蒸镀时间越长，因此为了抑制制造时间的增大、制造效率的降低，第二保护部件PP2优选形成得小于500nm。
图8是用于对在第一绝缘基板10上形成第一接触孔CHa1的工序进行说明的截面图。
在粘贴了第一保护部件PP1以及第二保护部件PP2之后，进行在第一绝缘基板10上形成第一接触孔CHa1的工序。即，从第一基板SUB1的下方侧朝向与焊盘电极PD重叠的区域照射激光，由此在第一绝缘基板10的第二区域AR2上形成贯通到绝缘膜IL的第一接触孔CHa1。在本实施方式中，例如，优选使用具有258nm以下的波段的激光。
图9是用于对在第二区域AR2中使第一绝缘基板10薄膜化、并且在绝缘膜IL上形成第二接触孔CHa2的工序进行说明的截面图。
在第一绝缘基板10上形成了第一接触孔CHa1之后，进行在绝缘膜IL上形成第二接触孔CHa2的工序。绝缘膜IL在第一接触孔CHa1的内部通过灰化处理进行切削，由此形成第二接触孔CHa2。第二接触孔CHa2形成在与第一接触孔CHa1重叠的位置。第二接触孔CHa2与第一接触孔CHa1相连，且形成在焊盘电极PD与第一接触孔CHa1之间。作为灰化处理所使用的气体，例如使用六氟化硫(SF6)。
此外，通过与形成第二接触孔CHa2的工序相同的工序，在第二区域AR2使第一绝缘基板10薄膜化。即，还通过用于形成第二接触孔CHa2的灰化处理，切削在第二区域AR2中从第一保护部件PP1露出的第一绝缘基板10。第一绝缘基板10由于在第一区域AR1中由第一保护部件PP1以及第二保护部件PP2覆盖，因此未被切削。因此，第一区域AR1的厚度与灰化处理前相比未改变，第二区域AR2与第一区域AR1相比被薄膜化。
在此，绝缘膜IL对于灰化处理的气体的反应速度、与第一绝缘基板10对于灰化处理的气体的反应速度不同。因此，通过考虑绝缘膜IL以及第一绝缘基板10的各自对于灰化处理的气体的反应速度，对两者的灰化处理前的膜厚进行设定，由此能够在第二区域AR2中绝缘膜IL被切削为贯通到焊盘电极PD的时间中，将第一绝缘基板10切削到所希望的厚度W2。
另一方面，第一保护部件PP1作为在灰化处理中防止第一区域AR1的切削的掩膜起作用。该第一保护部件PP1被对于灰化处理的气体具有耐性的第二保护部件PP2保护，因此在灰化处理时能够抑制第一保护部件PP1的切削、第一保护部件PP1所要求的性能(耐热性、气体遮挡性、防湿性、强度等)的劣化。
如上述那样，形成绝缘膜IL的第二接触孔CHa2的工序、与第一绝缘基板10的薄膜化的工序被同时进行，由此不增加制造工序就能够使第一绝缘基板10薄膜化。此外，由此能够抑制制造成本。
第一保护部件PP1的端面PP1e位于第二保护部件PP2的端面PP2e的正上方。此外，如上述那样，将第一保护部件PP1以及第二保护部件PP2作为掩膜来进行第一绝缘基板10的灰化处理，因此第一区域AR1与第二区域AR2之间的边界面S，位于第一保护部件PP1的端面PP1e以及第二保护部件PP2的端面PP2e的正上方。
图10是用于对将布线基板1压接于显示面板PNL的工序进行说明的截面图。
如图10所示那样，在第一基板SUB1上形成了接触孔CHa之后，进行使用各向异性导电膜3将布线基板1压接于显示面板PNL的工序。即，在布线基板1与显示面板PNL之间、且在与接触孔CHa对置的位置，配置各向异性导电膜3，从布线基板1的下方以及显示面板PNL的上方，沿着图10所示的箭头的方向施加压力并加热。由此，各向异性导电膜3熔融而向接触孔CHa内浸润，并且，各向异性导电膜3所包含的导电粒子与焊盘电极PD接触，布线基板1以及显示面板PNL被电连接以及物理地连接。
通过以上的工序，布线基板1被压接于显示面板PNL。
根据本实施方式，显示面板PNL具备配置在第一绝缘基板10的下方的第一保护部件PP1、以及配置在第一保护部件PP2的下方的第二保护部件PP2。第一保护部件PP1以及第二保护部件PP2配置于第一区域AR1的整面。因此，在为了形成第二接触孔CHa2而对绝缘膜IL进行灰化处理的工序中，灰化处理的气体被第二保护部件PP2遮挡，而未达到第一保护部件PP1的面B。由此，能够抑制第一保护部件PP1由于灰化处理的气体而劣化，能够抑制第一保护部件PP1的作为支撑层的功能、作为阻挡层的功能的降低。
此外，根据本实施方式，第一绝缘基板10的第二区域AR2比第一绝缘基板10的第一区域AR1薄。因此，如图4所示那样，即使导电粒子CP2被夹设在连接布线100与第一绝缘基板10之间并被压溃，与接触孔CHa对置的位置的、焊盘电极PD与连接布线100的凸部T之间的距离，也变小为将导电粒子CP1充分地压溃的程度。即，连接布线100与焊盘电极PD之间的导电粒子CP1，在导电粒子CP2咬入到连接布线100与第一绝缘基板10之间以前就被压溃。由此，能够提高连接布线100与焊盘电极PD的连接的合格率。
此外，根据本实施方式，在显示装置DSP中，布线基板1配置在显示面板PNL的下方(与显示面相反的背面侧)，布线基板1以及显示面板PNL经由接触孔CHa内的导电材料(在上述例子中为各向异性导电膜3)电连接。此外，驱动部2配置在显示面板PNL的下方。因此，为了配置驱动部2、布线基板1，不需要将第一基板SUB1的安装部的面积扩大，能够将第一基板SUB1与第二基板SUB2以大致相等的面积形成。此外，在第一基板SUB1与第二基板SUB2对置的区域内，能够将显示区域DA扩大。即，在本实施方式的显示装置DSP的显示面中，有助于显示区域DA的面积的比例提高，能够实现窄边框化。
此外，不需要用于将从第一基板SUB1的与第二基板SUB2对置一侧到布线基板1为止进行电连接的长尺的可挠性·印刷电路基板，也可以不需要用于收容折弯的可挠性·印刷电路基板的空间。因此，能够使显示装置DSP小型化。并且，还能够使设置显示装置DSP的电子设备小型化。
并且，能够避免将可挠性·印刷电路基板折弯收容时的布线的断线，因此能够提高显示装置DSP的可靠性。
如以上说明的那样，根据本实施方式，能够得到能够实现小型化以及窄边框化的显示装置。
此外，对本发明的几个实施方式进行了说明，但这些实施方式是作为例子提示的，不意图限定发明的范围。这些新的实施方式能够以其他各种方式来实施，在不脱离发明的主旨的范围内能够进行各种省略、置换、变更。这些实施方式、其应变包含于发明的范围、主旨，并且包含于专利请求的范围记载的发明和其等同的范围。
例如，上述绝缘膜IL由第一绝缘膜11、第二绝缘膜12以及第三绝缘膜13形成，但不限定于此，能够进行各种变形。例如，绝缘膜IL也可以由单层的绝缘膜、双层的绝缘膜、或者4层以上的绝缘膜形成。
上述的实施方式并不局限于有机电致发光显示装置，也能够应用于液晶显示装置。在该情况下，显示面板PNL例如是具备夹持在第一基板SUB1与第二基板SUB2之间的液晶层的液晶显示面板。在显示面板PNL为液晶显示面板的情况下，可以是通过将从第二基板SUB2侧入射的光选择性地反射来显示图像的反射型，也可以是通过使从第一基板SUB1侧入射的光选择性地透射来显示图像的透射式。此外，当在俯视中显示区域DA与布线基板1重叠的情况下，反射型较适合，但如果能够在第一基板SUB1与布线基板1之间配置背光灯单元，则也可以是透射式。此外，对于与本实施方式有关的主要构成，在显示装置DSP为液晶显示装置的情况下也大致相同。
Claims (16)
1.一种显示装置，具备：
绝缘基板，具有第一区域以及与上述第一区域相邻接的第二区域，并具有形成于上述第二区域的第一贯通部，上述第二区域形成得比上述第一区域薄；
焊盘电极，配置在上述第一贯通部的上方；
信号布线，与上述焊盘电极电连接；
布线基板，具有连接布线，配置在上述绝缘基板的下方；
导电材料，配置在上述第一贯通部内，将上述焊盘电极与上述连接布线电连接；
第一保护部件，配置在上述第一区域的下方；以及
第二保护部件，配置在上述第一保护部件的下方。
2.如权利要求1所述的显示装置，其中，
上述第二保护部件使用铝或者铝合金形成。
3.如权利要求1所述的显示装置，其中，
上述第一保护部件使用聚乙烯对苯二酸盐形成。
4.如权利要求1所述的显示装置，其中，
进一步，在上述绝缘基板与上述焊盘电极之间具备绝缘膜，在上述焊盘电极与上述第一贯通部之间具备第二贯通部。
5.如权利要求4所述的显示装置，其中，
上述绝缘膜为无机绝缘膜。
6.如权利要求5所述的显示装置，其中，
上述绝缘膜至少具备第一绝缘膜和第二绝缘膜，
上述第一绝缘膜与上述第二绝缘膜由相互不同的材料形成。
7.如权利要求1所述的显示装置，其中，
上述第二保护部件的厚度为大约30～500nm。
8.如权利要求1所述的显示装置，其中，
上述第一保护部件的端面位于上述第二保护部件的端面的正上方。
9.如权利要求1所述的显示装置，其中，
上述第一区域以及上述第二区域的边界面，位于上述第一保护部件的端面的正上方。
10.如权利要求1所述的显示装置，其中，
上述绝缘基板由聚酰亚胺形成。
11.如权利要求1所述的显示装置，其中，
上述焊盘电极具有与上述导电材料相接的第一电极，
上述第一电极为透明导电层。
12.如权利要求11所述的显示装置，其中，
上述焊盘电极具备配置在上述第一电极上的第二电极，
上述第二电极使用金属材料来形成。
13.如权利要求1所述的显示装置，具备：
第一基板，具备上述绝缘基板、上述焊盘电极、以及上述信号布线；
第二基板，位于上述第一基板的上方，与上述第一基板对置配置；
发光元件，配置在上述第一基板与上述第二基板之间；以及
粘合层，将上述第一基板与上述第二基板进行粘合，
上述第一保护部件以及上述第二保护部件为，在俯视中形成在与上述粘合层重叠的位置。
14.如权利要求13所述的显示装置，其中，
上述粘合层跨越上述第一区域与上述第二区域的边界而配置。
15.如权利要求1所述的显示装置，其中，
与上述第一区域中的上述绝缘基板的第一下面相比，上述第二区域中的上述绝缘基板的第二下面位于上方。
16.如权利要求1所述的显示装置，其中，
上述第一区域中的上述绝缘基板的第一下面与上述第一保护部件相接，上述第二区域中的上述绝缘基板的第二下面与上述导电材料相接。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2016033189A JP2017151257A (ja) | 2016-02-24 | 2016-02-24 | 表示装置 |
| JP2016-033189 | 2016-02-24 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN107123663A true CN107123663A (zh) | 2017-09-01 |
| CN107123663B CN107123663B (zh) | 2020-10-20 |
Family
ID=59630175
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201710101429.3A Active CN107123663B (zh) | 2016-02-24 | 2017-02-24 | 显示装置 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US9991469B2 (zh) |
| JP (1) | JP2017151257A (zh) |
| CN (1) | CN107123663B (zh) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| CN107154418A (zh) * | 2016-03-04 | 2017-09-12 | 株式会社日本显示器 | 显示装置 |
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- 2016-02-24 JP JP2016033189A patent/JP2017151257A/ja active Pending
-
2017
- 2017-02-24 US US15/442,089 patent/US9991469B2/en active Active
- 2017-02-24 CN CN201710101429.3A patent/CN107123663B/zh active Active
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|---|---|
| US20170244067A1 (en) | 2017-08-24 |
| JP2017151257A (ja) | 2017-08-31 |
| US9991469B2 (en) | 2018-06-05 |
| CN107123663B (zh) | 2020-10-20 |
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