JP2017037308A - 表示装置及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】樹脂基板が積層されていても容易に切断可能な製造方法及びその方法によって製造された表示装置を提供する。【解決手段】第１のガラス基板１００の第１の枠領域１０８に、無機材料からなる第１のリブ層８を形成する。第１のリブ層８を形成した後に、少なくとも複数の第１の製品領域Ｍ１それぞれに第１の樹脂層６を形成する。第１のリブ層８及び第１の樹脂層６の上に、画像を構成する複数の単位画素それぞれで輝度が制御されて発光する発光素子層３３と、発光素子層３３を覆う封止層４０と、を含む第１の機能層７を形成する。複数の第１の製品領域Ｍ１をそれぞれ分離するように、複数の第１の製品領域Ｍ１を避けて第１の枠領域１０８を通るラインＣで、第１のリブ層８及び第１の機能層７を切断する。第１のリブ層８及び第１の機能層７を切断する工程で、少なくとも第１のリブ層８と封止層４０を切断する。【選択図】図１２

Description

本発明は、表示装置及びその製造方法に関する。

コンピュータや携帯電話など情報通信端末等の表示デバイスとして、一対の基板を有する表示装置が広く用いられている。このような表示装置として、近年、可撓性を有する表示装置が開発されている。このような表示装置は、可撓性を有する樹脂基板上に薄膜トランジスタが形成されたＴＦＴ（thin film transistor）基板や、樹脂基板上にカラーフィルタが形成されたカラーフィルタ基板が用いられる。

可撓性を有する表示装置の製造方法として、ＴＦＴ母基板と対向母基板を貼り合わせた後に、ＴＦＴ基板と対向基板を表示領域毎に切断する方法が特許文献１に開示されている。

特開２００６−１８５６７９号公報

ＴＦＴ基板と対向基板の切断においては、これらがガラス基板であれば表面に形成した溝に沿ってブレークする方法が採用される。しかし、ガラス基板に樹脂基板が積層されている場合、ブレークがしにくいという問題がある。

本発明の目的は、樹脂基板が積層されていても容易に切断可能な製造方法及びその方法によって製造された表示装置を提供することにある。

本発明の表示装置の製造方法は、複数の第１の製品領域及びそれぞれの前記第１の製品領域を囲む形状の第１の枠領域を有する第１のガラス基板を用意する工程と、前記第１のガラス基板の前記第１の枠領域に、無機材料からなる第１のリブ層を形成する工程と、前記第１のリブ層を形成した後に、少なくとも前記複数の第１の製品領域それぞれに第１の樹脂層を形成する工程と、前記第１のリブ層及び前記第１の樹脂層の上に、画像を構成する複数の単位画素それぞれで輝度が制御されて発光する発光素子層と、前記発光素子層を覆う封止層と、を含む第１の機能層を形成する工程と、前記複数の第１の製品領域をそれぞれ分離するように、前記複数の第１の製品領域を避けて前記第１の枠領域を通るラインで、前記第１のリブ層及び前記第１の機能層を切断する工程と、を含み、前記第１のリブ層及び前記第１の機能層を切断する工程で、少なくとも前記第１のリブ層と前記封止層を切断する、ことを特徴とする。

本発明の表示装置は、樹脂層と、樹脂層を囲む、前記樹脂層よりも防湿性の高い無機材料からなるリブ層と、前記樹脂層の上面及び前記リブ層の上に設けられた機能層と、前記樹脂層の下面を覆う、前記樹脂層よりも防湿性の高い保護フィルムと、を有し、前記機能層は、画像を構成する複数の単位画素それぞれで輝度が制御されて発光する発光素子層と、前記発光素子層を覆う封止層と、を含み、前記保護フィルムは、前記リブ層よりも厚い、ことを特徴とする。

本発明の表示装置の製造方法によれば、第１樹脂層を切断することなく、第１の製品領域をそれぞれ分離することができる。

本発明の表示装置によれば、保護フィルム及びリブ層は、いずれも樹脂層よりも防湿性が高いが、前者が後者よりも厚いので、広い領域で水分の侵入を防止することができる。

図１は本発明の第１の実施形態に係る表示装置の概略平面図である。 図２は図１に示す表示装置のII−II切断線における概略断面図である。 図３は図１に示す表示装置のIII−III切断線における概略断面図である。 図４は、本発明の第１の実施形態に係る表示装置の製造方法を示すフロー図である。 図５は本発明の第１の実施形態に係る表示装置の製造方法を示す、第１のガラス基板および第２のガラス基板の概略平面図である。 図６は図５に示す第１のガラス基板のVI−VI切断線における概略断面図である。 図７は図５に示す第１のガラス基板のVII領域の部分拡大図である。 図８は図７に示す第１のリブ層のVIII−VIII切断線における概略断面図である。 図９は本発明の第１の実施形態に係る表示装置の製造方法を説明するための概略断面図である。 図１０は本発明の第１の実施形態に係る表示装置の製造方法を説明するための概略断面図である。 図１１は本発明の第１の実施形態に係る表示装置の製造方法を説明するための概略断面図である。 図１２は本発明の第１の実施形態に係る表示装置の製造方法を説明するための概略断面図である。 図１３は本発明の第１の実施形態に係る表示装置の製造方法を説明するための概略断面図である。 図１４は本発明の第１の実施形態に係る表示装置の製造方法を説明するための概略断面図である。 図１５は本発明の第１の実施形態に係る表示装置の製造方法を説明するための概略断面図である。 図１６は本発明の第１の実施形態に係る表示装置の製造方法を説明するための概略断面図である。 図１７は本発明の第１の実施形態に係る表示装置の製造方法を説明するための概略断面図である。 図１８は本発明の第１の実施形態に係る表示装置の製造方法を説明するための概略断面図である。 図１９は本発明の第１の実施形態に係る表示装置の製造方法を説明するための概略断面図である。 図２０は第２の実施形態に係る表示装置の製造方法を説明するための概略断面図である。 図２１は第２の実施形態に係る表示装置の製造方法を説明するための概略断面図である。 図２２は第２の実施形態に係る表示装置の製造方法を説明するための概略断面図である。 図２３は第２の実施形態に係る表示装置の製造方法を説明するための概略断面図である。 図２４は第２の実施形態に係る表示装置の製造方法を説明するための概略断面図である。 図２５は第３の実施形態に係る表示装置の製造方法を説明するための概略断面図である。 図２６は第３の実施形態に係る表示装置の製造方法を説明するための概略断面図である。 図２７は第３の実施形態に係る表示装置の製造方法を説明するための概略断面図である。 図２８は第３の実施形態に係る表示装置の製造方法を説明するための概略断面図である。 図２９は第４の実施形態に係る表示装置の製造方法を説明するための概略断面図である。 図３０は第４の実施形態に係る表示装置の製造方法を説明するための概略断面図である。 図３１は第４の実施形態に係る表示装置の製造方法を説明するための概略断面図である。 図３２は第４の実施形態に係る表示装置の製造方法を説明するための概略断面図である。 図３３は実施形態に係る表示装置の製造方法を説明するための概略断面図である。 図３４は実施形態に係る表示装置の製造方法を説明するための概略断面図である。 図３５は実施形態に係る表示装置の製造方法を説明するための概略断面図である。 図３６は第５の実施形態に係る表示装置の分解平面図である。 図３７は第６の実施形態に係る表示装置の分解平面図である。

以下、本発明の第１の実施形態に係る表示装置１について、有機エレクトロルミネッセンス表示装置を例に図面に基づいて説明する。なお、以下の説明において参照する図面は、特徴をわかりやすくするために便宜上特徴となる部分を拡大して示している場合があり、各構成要素の寸法比率などは実際と同じであるとは限らない。

また、以下の説明において例示される材料等は一例であって、各構成要素はそれらと異なっていてもよく、その要旨を変更しない範囲で変更して実施することが可能である。なお、本実施形態においては説明の便宜上、各構成の位置関係をＸ軸（Ｘ１方向、Ｘ２方向）、Ｙ軸（Ｙ１方向、Ｙ２方向）、Ｚ軸（Ｚ１方向、Ｚ２方向）の座標を用いて説明する。

はじめに、本発明の第１の実施形態における表示装置１の構成について説明する。図１は本発明の第１の実施形態に係る表示装置１の概略平面図であり、図２は図１に示す表示装置１のII−II切断線における概略断面図である。なお、「平面図」とは、ＴＦＴ基板１０の上面１０ａに対して垂直な方向から見た状態を示す図である。

本実施形態の表示装置１は、ＴＦＴ基板１０と対向基板５０を有している。図１に示すように、ＴＦＴ基板１０は複数の画素を有している表示領域Ｄと、表示領域Ｄの外側の領域である周辺領域Ｅとに区分されている。

ＴＦＴ基板１０の平面視形状（上面１０ａに対して垂直な方向から見た形状）は、対向基板５０の平面視形状よりも大きい。このため、ＴＦＴ基板１０の上面１０ａの一部（図１中のＹ２方向の部分）の領域１０ａ１は、対向基板５０に覆われずに露出している。領域１０ａ１には、Ｙ方向に延在する複数の端子３ａが設けられている。複数の端子３ａが設けられた領域である端子部３は、フレキシブルプリント基板ＦＰＣに接続されており、さらにその先には外部機器を接続可能としている。尚、複数の端子３ａがある領域である端子部３と対向基板５０との間に、もう一つの端子部（図示せず）があってもよく、この端子部には表示装置１を駆動制御するための半導体装置が搭載されていてもよい。

以下、図２を用いてＴＦＴ基板１０の構成の詳細について説明する。ＴＦＴ基板１０は、第１の保護フィルム４と、第１の樹脂層６と、第１のリブ層８と、第１のバリア層９と、第１の機能層７と、を有している。ＴＦＴ基板１０の表示領域Ｄは、接着層４２を介して対向基板５０によって覆われている。

第１の保護フィルム４は、可撓性を有するフィルムである。第１の保護フィルム４は例えばポリエチレンテレフタレート樹脂などの有機材料からなり、第１の樹脂層６の材料の防湿性よりも高い。第１の保護フィルム４は、第１の樹脂層６の下面６ａと、第１のリブ層８の下面８ａを覆うことにより、外部からの水分侵入等から第１の樹脂層６を保護可能としている。第１の保護フィルム４の厚さは例えば０．１２５ｍｍとすればよく、０．１〜０．２ｍｍ程度の厚さであればよい。

第１の樹脂層６は可撓性を有する層であり、その上面６ｂには、第１のバリア層９を介して機能層７が形成される。第１の樹脂層６は、例えばポリイミド樹脂などの可撓性を有する樹脂からなる。第１の樹脂層６のＺ方向の厚さは５μｍ〜３０μｍであり、その外周６ｃの外側は、図１、２に示すように平面視で第１のリブ層８によって囲まれている。

第１のリブ層８は、第１の樹脂層６の外周６ｃを覆う層であり、第１の樹脂層６よりも防湿性が高い材料からなる。第１の樹脂層６の外周６ｃが第１のリブ層８で覆われていることにより、第１の樹脂層６への外部からの水分侵入を防ぐことができる。第１のリブ層８の上面８ｂは第１のバリア層９により覆われている。第１のバリア層９は例えばＳｉＮ、又はＳｉＮとＳｉＯの積層膜からなる。第１のリブ層８は無機絶縁材料からなり、例えばＳｉＮ、ＳｉＯ、ＡｌＯ又はこれらの材料の積層膜で構成される。

第１のリブ層８のＺ方向の厚さは保護フィルム４のＺ方向の厚さよりも薄く、例えば５μｍ〜３０μｍの範囲内となる。また、図２における第１のリブ層８のＹ方向の幅は、例えば０．５ｍｍ以上となる。第１のリブ層８の機械的強度は、第１の保護フィルム４の機械的強度よりも低いが、表示装置１が曲げられた際に、第１のリブ層８が曲げ力を吸収するので、第１の保護フィルム４の破損を防ぐことができる。

第１の機能層７は、第１のバリア層９を介して第１の樹脂層６の上面６ｂ及び第１のリブ層８の上面８ｂを覆うように設けられている。第１の機能層７は、回路層１２と、平坦化膜１３と、反射膜３１と、有機エレクトロルミネッセンス素子３０と、封止層４０と、を有している。

回路層１２は、薄膜トランジスタ１１や図示しない配線などの回路要素や、例えば第１の絶縁膜１１１ａ、第２の絶縁膜１１１ｂなどの絶縁層を含んでいる。

薄膜トランジスタ１１は有機エレクトロルミネッセンス素子３０を駆動するトランジスタであり、画像を構成する複数の単位画素Ｐごとに設けられている。薄膜トランジスタ１１は例えば、半導体層１１ａ、ゲート電極１１ｂ、ソース・ドレイン電極１１ｃを有している。

回路層１２の表示領域Ｄ上は、絶縁性を有する平坦化膜１３によって覆われている。平坦化膜１３は、例えばアクリル樹脂又はポリイミド樹脂等の、絶縁性を有する有機材料からなる。

平坦化膜１３の上面の各単位画素Ｐに対応する領域には、反射膜３１が形成されていてもよい。反射膜３１は、有機エレクトロルミネッセンス素子３０で発生した光を対向基板５０側へ反射する膜である。反射膜３１は光反射率が高いほど好ましく、例えばアルミニウムや銀（Ａｇ）等からなる金属膜であることが好ましい。

平坦化膜１３上には、複数の有機エレクトロルミネッセンス素子３０が形成されている。有機エレクトロルミネッセンス素子３０は例えばインジウム亜鉛酸化物等の透光性及び導電性を有する材料からなる下部電極３２と、少なくとも発光層を含む発光素子層３３と、インジウム亜鉛酸化物等の透光性及び導電性を有する材料からなる上部電極３４と、を有する。

下部電極３２は複数の単位画素Ｐ毎に形成された電極である。下部電極３２には、コンタクトホール３２ａを介して薄膜トランジスタ１１から駆動電流が供給される。なお、反射膜３１が導電性を有する材料からなる場合、反射膜３１は下部電極３２と一体化した電極として機能する。

下部電極３２の周縁部は画素分離膜１４に覆われている。画素分離膜１４は、隣接する単位画素Ｐ同士の境界に沿って単位画素Ｐを分離するように形成された、有機材料からなる膜である。

発光素子層３３は少なくとも発光層を有する、有機材料により形成された層である。本実施形態における発光素子層３３は回路層１２の、例えば薄膜トランジスタ１１などの回路要素と電気的に接続し、単位画素Ｐそれぞれで輝度が制御されて発光する。

発光素子層３３は、下部電極３２側から順に、例えば、図示しないホール注入層、ホール輸送層、発光層、電子輸送層、電子注入層が積層されてなる。発光素子層３３の積層構造はこのような例に限られず、少なくとも発光層を含むのであれば、その他の構造であってもよい。

上部電極３４は透光性及び導電性を有する材料からなり、複数の単位画素Ｐに亘って発光素子層３３の上面を覆うように形成されている。

有機エレクトロルミネッセンス素子３０は、複数の単位画素Ｐにわたって封止層４０により覆われている。封止層４０は、発光素子層３３や平坦化膜１３への上方向（図中のＺ１側）からの水分の侵入を防ぐ膜である。封止層４０は、例えば、窒化珪素（ＳｉＮ）からなる。

封止層４０は、例えば接着層４２を介して対向基板５０によって覆われている。接着層４２は、ＴＦＴ基板１０と対向基板５０を接着するための、透光性を有する層である。対向基板５０としては例えばカラーフィルタを有するカラーフィルタ基板が挙げられる。対向基板５０がカラーフィルタ基板である場合、対向基板５０は例えば第２の保護フィルム４４と、第２の樹脂層４６と、第２の樹脂層４６の外周４６ｃを覆う第２のリブ層４８と、第２の樹脂層４６と第２のリブ層４８を覆う第２のバリア層４７と、表示領域Ｄにおける第２の樹脂層４６の下面（図中のＺ２側の面）に、平面視で格子状に設けられたブラックマトリクスＢＭと、ブラックマトリクスＢＭによってマトリクス状に区分された着色層ＲＧＢと、着色層ＲＧＢ及びブラックマトリクスＢＭの下面を覆う保護膜４９と、を有している。

なお、第２の保護フィルム４４、第２の樹脂層４６、第２のバリア層４７又は第２のリブ層４８はそれぞれ、第１の保護フィルム４、第１の樹脂層６、第１のバリア層９又は第１のリブ層８と同様の構成であるため、詳細な説明を省略する。

次いで、周辺領域Ｅにおける端子部３の構成について説明する。図３は図１に示す表示装置１のIII−III切断線における概略断面図である。本実施形態においては、回路層１２のうち封止膜４０から露出する部分を端子３ａとし、端子３ａが設けられた領域を端子部３とする。端子３ａは、表示領域Ｄにおける回路層１２に電気的に接続している。

次いで、表示装置１の製造方法について説明する。図４は、本発明の第１の実施形態に係る表示装置１の製造方法を示すフロー図である。本実施形態の表示装置１の製造方法は、第１の枠領域１０８と第１の製品領域Ｍ１を有する第１のガラス基板１００を用意する工程（図５）と、第１の枠領域１０８に第１のリブ層８を形成する工程（図６）と、複数の第１の製品領域Ｍ１に第１の樹脂層６を形成する工程（図９）と、第１のリブ層８及び第１の樹脂層６の上に第１の機能層７を形成する工程（図１０）と、第１のリブ層８及び第１の機能層７を切断する工程（図１３）と、を有する。以下、各工程について詳細を説明する。

図５は本発明の第１の実施形態に係る表示装置１の製造方法を説明するための、第１のガラス基板１００および第２のガラス基板２００の概略平面図である。図６，９，１０は図５に示す第１のガラス基板のVI−VI切断線における概略断面図であり、図７は図５に示す第１のガラス基板１００のVII領域の部分拡大図である。また、図１１乃至図１９は、最終的に貼り合わせた際に第１のガラス基板のVI−VI切断線に対応する切断面における概略断面図である。はじめに、第１の製品領域Ｍ１及び第１の枠領域１０８を有する第１のガラス基板１００と、を用意する。

第１の製品領域Ｍ１は、ＴＦＴ基板１０に形成される領域である。本実施形態における第１のガラス基板１００は、複数の第１の製品領域Ｍ１をマトリクス状に含んでいる。第１のガラス基板１００の上面１００ａには、第１の犠牲層１０２が積層されている。

第１の枠領域１０８は、平面視（第１のガラス基板１００の上面１００ａに対して垂直な方向から見た形状）で、第１の製品領域Ｍ１それぞれの外周を囲む領域である。第１の枠領域１０８のＸ方向の幅は例えば１ｍｍ以上であり、互いに交差する複数の線状の平面視形状を有している。第１の枠領域１０８には、後述する第１のリブ層８が形成される。

以下、隣接する第１の製品領域Ｍ１同士の間における、第１の枠領域１０８同士の間の領域を、第１の余白部Ｂ１とする。第１の余白部Ｂ１は、第１の製品領域Ｍ１の外側を囲んでいる。また、第１の余白部Ｂ１の両側のそれぞれに第１の枠領域１０８が配置されている。

図５に示すように、第２のガラス基板２００を用意する。第２のガラス基板２００は、第１のガラス基板１００と同様に複数の第２の製品領域Ｍ２と第２の枠領域２０８を有する。

第２の製品領域Ｍ２は、対向基板５０に形成される領域である。第２の製品領域Ｍ２は、第１のガラス基板１００に第２のガラス基板２００を重ねると第１の製品領域Ｍ１に対応して重なるよう、マトリクス状に配置されている。

第２の枠領域２０８は、第２のリブ層４８が形成される領域である。第２の枠領域２０８は、平面視で第２の製品領域Ｍ２の外周を囲んでいる。また、第２の枠領域２０８の外側は、第２の余白部Ｂ２によって囲まれている。

次いで、図６に示すように、第１の犠牲層１０２に、無機材料からなる第１のリブ層８を形成する。

図７に示すように、第１のリブ層８を、第１の枠領域１０８における第１の犠牲層１０２上に形成することにより、第１のリブ層８の平面視形状は、第１の枠領域１０８の平面視形状と同様、互いに交差する複数の線に沿って延びる形状を有する。第１のリブ層８のＸ方向に延在する線状の部分と、Ｙ方向に延在する線状の部分とは、互いに交点８ｃにおいて交差する。

第１のリブ層８を形成する方法は、スクリーン印刷法やフォトリソグラフィー法等、既知の方法でよい。第１のリブ層８の材料としては、例えばＳｉＯを用いることができる。第１のリブ層８のＺ方向の高さｈ１は、後述する第１の樹脂層６の厚さに対応するように、例えば５μｍ〜３０μｍの範囲内で適宜調整すればよい。

次いで、図７、８に示すように、交点８ｃ上に保護部８ｃ１を形成する。図８は図７に示す第１のリブ層８のVIII−VIII切断線における概略断面図である。なお、図８においては、説明の便宜上、第１のガラス基板１００と第１の犠牲層１０２の記載を省略する。

保護部８ｃ１は後述する工程において、第１のリブ層８の交点８ｃにおけるＺ方向の厚みｈ２が、第１のリブ層８のその他の箇所のＺ方向の厚みｈ１よりも小さくなることを防ぐために設けられる部材である。

保護部８ｃ１は、第１のリブ層８と同じ材料からなるが、ブレーク可能であればその他の材料であってもよい。このように保護部８ｃ１を交点８ｃ上に形成することにより、交点８ｃに位置する部分の厚さｈ２は、他の部分の厚さｈ１よりも厚くなる。

次いで、図９に示すように、第１の犠牲層１０２の第１の製品領域Ｍ１上に、例えば液状のポリイミド樹脂を塗布する。次いで、ポリイミド樹脂を硬化することにより、第１の樹脂層６が形成される。

なお、第１の樹脂層６は、少なくとも複数の第１の製品領域Ｍ１それぞれに形成可能であれば、これ以外の方法で形成されてもよい。例えば、シート状の樹脂層を第１の製品領域Ｍ１にそれぞれ貼り付けてもよい。

なお、液状のポリイミド樹脂の塗布により第１の樹脂層６を形成する場合、第１のリブ層８上に余分なポリイミド樹脂が付着する場合がある。この場合は、第１のリブ層８上に形成された第１の樹脂層６の除去を行う。

再び図７，８に戻り、第１の樹脂層６の除去の方法について説明する。第１のリブ層８上の第１の樹脂層６を除去する方法としては、レーザーを用いることが好ましい。具体的には、レーザー光を第１のリブ層８に沿って走査しながら照射すればよい。詳しくは、図３１を参照して後述する。この際、交点８ｃは、その他の部分よりも多くの時間、レーザー光が照射されるが、保護部８ｃ１が形成されていることにより、交点８ｃの厚さｈ２が他の部分の厚さｈ１よりも小さくなることが抑えられる。

このように交点８ｃにおける厚さｈ２が局所的に小さくならないため、表示装置１の製造工程における交点８ｃの破損を防ぐことができる。

次いで、図１０に示すように、第１の樹脂層６上及び第１のリブ層８上に、第１の機能層７を形成する。まず、第１の樹脂層６上及び第１のリブ層８上に第１のバリア層９を形成する。次いで、薄膜トランジスタや配線などの回路要素を含む回路層１２を第１のバリア層９上に形成する。回路要素は、外部との電気的接続のための端子や配線を含むものとする。次いで、表示領域Ｄにおける回路層１２を覆うように、絶縁性を有する有機材料からなる平坦化膜１３を形成する。

次いで第１の製品領域Ｍ１の表示領域Ｄそれぞれにおいて、単位画素Ｐ毎に有機エレクトロルミネッセンス素子３０を形成する。

次いで、第１の製品領域Ｍ１、第１の枠領域１０８及び第１の余白部Ｂ１を覆うように封止層４０を形成する。封止層４０は、第１の枠領域１０８において、第１のリブ層８の上面を覆うように形成される。

なお、図３に示すように、非表示領域Ｅにおける回路層１２の一部の上には平坦化膜１３及び有機エレクトロルミネッセンス発光素子３０が形成されていないため、非表示領域Ｅにおける回路層１２の一部は封止層４０に覆われる。

以上により、第１のガラス基板１００上にＴＦＴ基板１０が形成される。

図１１に示すように、対向基板５０が形成された第２のガラス基板２００を用意する。

第２のガラス基板２００上には第２の犠牲層２０２を介して第２の樹脂層４６が設けられ、第２の枠領域２０８には、第２の犠牲層２０２を介して第２のリブ層４８が設けられている。なお、隣接する第２の製品領域Ｍ２同士の間には、隣同士の第２の枠領域２０８によって挟まれる第２の余白部Ｂ２が設けられている（図５参照）。

第２の樹脂層４６上には、第２のバリア層４７を介して着色層ＲＧＢと、着色層ＲＧＢを単位画素Ｐ毎に区分するブラックマトリクスＢＭとが形成され、着色層ＲＧＢとブラックマトリクスＢＭ上には保護膜４９が形成されている。

次いで、図１２に示すように、第２のガラス基板２００に形成された対向基板５０を、第１のガラス基板１００に形成された第１の機能層７に貼りつける。

それぞれの第１の製品領域Ｍ１における封止膜４０上には、例えばディスペンサーにより液状の樹脂を塗布して、接着層４２を設ける。それに先立って、平面視で接着層４２の外周を囲む領域にシール層Ｓを設けておく。シール層Ｓは、後述する工程において第１のリブ層８及び第１のバリア層９、回路層１２、封止層４０を切断するラインＣを避けた位置に設けられる。シール層Ｓは、平面視でラインＣと重ならないように、ラインＣよりも第１の製品領域Ｍ１及び第２の製品領域Ｍ２側に配置される。そのために、シール層Ｓは第２のリブ層４８よりも内側に構成される。シール層Ｓと第２のリブ層４８は一部が互いに平面視で重なっても良い。同じくシール層Ｓは第１のリブ層８よりも内側に構成される。シール層Ｓと第１のリブ層８は一部が互いに平面視で重なっても良い。尚、シール層Ｓと第１のリブ層８は端子部３が配置される側では端子部３の配置のために互いに離間する形となる。

なお、接着層４２とシール層Ｓの材料は、第１の機能層７と対向基板５０を接着可能なものであれば特に限定されない。

次いで第１のリブ層８の少なくとも一部と、第２のリブ層４８の少なくとも一部が平面視で重なるように、接着層４２及びシール層Ｓ上に対向基板５０を貼り付ける。

次いで、図１３に示すように、複数の第１の製品領域Ｍ１及び第２の製品領域Ｍ２を避けて第１の枠領域１０８及び第２の枠領域２０８（図１２）を通るラインＣで、第１のガラス基板１００と、第１の犠牲層１０２と、第１のリブ層８と、第１の機能層７の少なくとも封止層４０と、対向基板５０と、第２のリブ層４８の第１のリブ層８と重なった部分と、第２の犠牲層２０２と、第２のガラス基板２００と、を切断する。

これにより、複数の第１の製品領域Ｍ１および第２の製品領域Ｍ２を含む領域ごとに、第１のガラス基板１００および第２のガラス基板２００が分離される。

このように、可撓性を有する第１の樹脂層６および第２の樹脂層４６を避けて、第１のリブ層８と第２のリブ層４８の重なった部分を切断することにより、可撓性を有するＴＦＴ基板１０や対向基板５０を有する表示装置であっても、容易に、第１の製品領域Ｍ１および第２の製品領域Ｍ２を含む領域毎に分離することができる。

また、本実施形態におけるシール層ＳはラインＣを避けた位置に配置されているため、粘着性を有するシール層Ｓの切断を避けることができる。

次いで、図１４に示すように第１の犠牲層１０２に例えばレーザーを照射し、図１５に示すように第１の犠牲層１０２から第１のガラス基板１００を剥離する。これにより第１のガラス基板１００は第１の樹脂層６及び第１のリブ層８から剥離される。図１５の例では、第１のガラス基板１００は第１の犠牲層１０２から剥離するが、変形例として、第１の犠牲層１０２が第１のガラス基板１００とともに第１の樹脂層６から剥離されていてもよい。これにより、第１の犠牲層１０２または第１の樹脂層６及び第１のリブ層８が露出する。

第１の犠牲層１０２を介して第１のガラス基板１００上に第１の樹脂層６及び第１のリブ層８が形成されていることにより、第１のガラス基板１００を第１の樹脂層６及び第１のリブ層８又は第１の犠牲層１０２から容易に剥離することができる。このため第１の機能層７の破損を防ぎ、第１のガラス基板１００から第１の樹脂層６及び第１のリブ層８を剥離する際における、第１の機能層７の不良発生を防ぐことができる。

また、第１のガラス基板１００上に第１の樹脂層６を形成することにより、第１の樹脂層６が可撓性を有するものであっても、その上に第１の機能層７を形成することができる。

次いで、図１６に示すように、第１のガラス基板１００が剥離された層（第１の犠牲層１０２または、第１の樹脂層６及び第１のリブ層８）の表面に第１の保護フィルム４を貼りつける。このように第１のガラス基板１００に代えて第１の保護フィルム４を貼り付けることにより、第１の樹脂層６と第１の機能層７は、外部から加わる応力や、水分の侵入などから保護される。

さらに、図１７は本発明の第１の実施形態に係る表示装置１の製造方法を説明するための概略断面図であり、図１８は本発明の第１の実施形態に係る表示装置１の製造方法を説明するための概略断面図である。

第２の犠牲層２０２に例えばレーザーを照射し、第２の犠牲層２０２から第２のガラス基板２００を剥離する。これにより第２のガラス基板２００は第２の樹脂層４６及び第２のリブ層４８から剥離される。図１７の例では、第２のガラス基板２００は第２の犠牲層２０２から剥離するが、変形例として、第２の犠牲層２０２が第２のガラス基板２００とともに第２の樹脂層４６から剥離されていてもよい。これにより、第２の犠牲層２０２または第２の樹脂層４６及び第２のリブ層４８が露出する。

このように、第２の犠牲層２０２を介して第２のガラス基板２００上に第２の樹脂層４６及び第２のリブ層４８を形成することにより、第２のガラス基板２００を第２の樹脂層４６及び第２のリブ層４８又は第２の犠牲層２０２から容易に剥離することができる。このため、第２のガラス基板２００から第２の樹脂層４６及び第２のリブ層４８を剥離する際における不良発生を防ぐことができる。

このように、あらかじめ第２のガラス基板２００上に第２の樹脂層４６を形成した後に第２のガラス基板２００を剥離することにより、第２の樹脂層４６が可撓性を有するものであっても、その上に着色層ＲＧＢを形成することができる。

次いで、図１９に示すように、第２のガラス基板２００が剥離された層（第２の犠牲層２０２または、第２の樹脂層４６及び第２のリブ層４８）の表面に第２の保護フィルム４４を貼りつける。このように第２の保護フィルム４４を貼り付けることにより、第２の樹脂層４６とカラーフィルタＲＧＭは、外部から加わる応力や、水分の侵入などから保護される。尚、第１の犠牲層１０２および第２の犠牲層２０２はアモルファスシリコン、ポリシリコン、Ｍｏ等の無機材料にて構成されており、第１の保護フィルム４、第２の保護フィルム４４、第１の樹脂層６、および第２の樹脂層４６よりも薄いものである。

本実施形態における表示装置１の製造方法は、無機材料からなる第１のリブ層８を、第１の製品領域Ｍ１（第１の樹脂層６）の外周を囲むように形成し、第１の製品領域Ｍ１を避けて第１の枠領域１０８を通るラインＣで、第１のリブ層８と第２のリブ層４８の重なった部分を切断する。

無機材料からなる第１のリブ層８は第１の樹脂層６よりも可撓性が低いため、本構成を有さない製造方法と比べ、可撓性を有する第１の樹脂層６が形成された第１のガラス基板１００であっても、容易に第１の製品領域Ｍ１ごとに切断することができる。

次に、第２の実施形態に係る表示装置（エレクトロルミネッセンス表示装置）の製造方法を説明する。図２０〜図２４は第２の実施形態に係る表示装置の製造方法を説明するための概略断面図である。本概略断面図も、最終的に貼り合わせた際に第１のガラス基板のVI−VI切断線に対応する切断面における概略断面図である。

本実施形態における表示装置の製造方法は、第１の樹脂層６がシート状である点が第１の実施形態と異なっている。以下、第１の実施形態における表示装置１の製造方法と異なる工程について説明し、同じ工程については詳細な説明を省略する。

図２０に示すようにまず初めに、第１の犠牲層１０２と第１のリブ層８とが形成された第１のガラス基板１００を用意する。次いで、シート状の第１の樹脂層６を用意する。第１の樹脂層６は、第１の製品領域Ｍ１に対応した平面視形状を有している。

図２１に示すように次いで、シート状の第１の樹脂層６を、第１の犠牲層１０２の第１の製品領域Ｍ１上に配置する。本実施形態における第１の樹脂層６は第１の製品領域Ｍ１に対応した平面視形状を有しているため、第１の樹脂層６は第１の余白部Ｂ１を避けて配置される。

図５に示すように、隣接する第１の枠領域１０８同士の間に第１の余白部Ｂ１が配置されていることにより、隣接する第１の樹脂層６が重なることなく、それぞれ第１の製品領域Ｍ１に配置することができる。

図２２に示すように次いで、第１の樹脂層６上および第１のリブ層８上に第１のバリア層９を介して第１の機能層７を形成する。

図２３に示すように、第１のリブ層８の少なくとも一部と、第２のリブ層４８の少なくとも一部とが平面視で重なるように、第１の機能層７上に、接着層４２及びシール層Ｓを介して対向基板５０を貼り付ける。

次いで第１のガラス基板１００と、第１のリブ層８と、第２のリブ層４８の第１のリブ層８と重なった部分と、第２のガラス基板２００と、を切断し、第１のガラス基板１００および第２のガラス基板２００を第１の製品領域Ｍ１および第２の製品領域Ｍ２を含む製品単位毎に分離する。

図２４に示すように、第１の樹脂層６及び第２の樹脂層４６からそれぞれ第１のガラス基板１００及び第２のガラス基板２００を剥離し、第１の保護フィルム４および第２の保護フィルム４４をそれぞれ貼り付ける。以上により、第２の実施形態における表示装置が製造される。

次いで、第３の実施形態に係る表示装置の製造方法を説明する。図２５〜図２８は第３の実施形態に係る表示装置の製造方法を説明するための概略断面図である。本概略断面図も、最終的に貼り合わせた際に第１のガラス基板のVI−VI切断線に対応する切断面における概略断面図である。

本実施形態における表示装置の製造方法は、第２のガラス基板２００に着色層ＲＧＢとブラックマトリクスＢＭと保護膜４９が直接形成されている点と、第２のリブ層４８と第２の樹脂層４６と第２の犠牲層を用いない点と、第２のガラス基板２００を研磨して薄くする点が、第１の実施形態と異なっている。以下、第１の実施形態における表示装置１の製造方法と異なる工程について詳細を説明し、同じ工程については詳細な説明を省略する。

図２５に示すように、第１のガラス基板１００と第２のガラス基板２００とを貼り合わせた状態にて用意する。第１のガラス基板１００には予め、第１の犠牲層１０２と第１のバリア層９と第１の樹脂層６と第１のリブ層８と第１の機能層７が形成されている。

本実施形態における第２のガラス基板２００は、第２の犠牲層と第２の樹脂層と第２のリブ層が形成されておらず、第２のガラス基板２００に第２のバリア層４７を介して着色層ＲＧＢとブラックマトリクスＢＭと保護膜４９とが直接形成されている。

本実施形態では、第１のガラス基板１００上に形成された第１の機能層７上に、第２のガラス基板２００上に形成された保護膜４９が、接着層４２及びシール層Ｓを介して貼りつけられている。

次いで、図２６に示すように、ラインＣで、第１のガラス基板１００と、第１の犠牲層１０２と、第１のリブ層８と、第１の機能層７と、第２のガラス基板２００と、を切断線Ｃに沿って切断する。

次いで、図２７に示すように、第２のガラス基板２００を研磨し、Ｚ方向の厚さを例えば０．０５〜０．２ｍｍ以下まで薄くする。研磨後の第２のガラス基板２００の厚みは０．１ｍｍ以下の範囲に限られず、第２のガラス基板２００の強度に応じて適宜変更してもよい。第２のガラス基板２００の厚みは第１の保護フィルム４よりも同等もしくは薄い形とされる。このような形態とすることで表示装置全体の厚さを薄くすることができる。尚、第２の実施形態よりも第１の実施形態の方がガラス基板を用いないのでフレキシブル性は高いものとなる。

次いで、図２８に示すように、第１のガラス基板１００を第１の犠牲層１０２、第１の樹脂層６及び第１のリブ層８から剥離する。最後に第１の保護フィルム４を第１の犠牲層１０２の下に貼り付ける。以上により、本実施形態の表示装置が製造される。

本実施形態における表示装置の製造方法によれば、第２のガラス基板２００を研磨してＺ方向の厚さを薄くすることにより、第２の樹脂層４６と第２のリブ層４８を形成することなく、可撓性を有する表示装置を製造することができる。これにより製造工程の簡略化を実現することができる。

次いで、第４の実施形態に係る表示装置（有機エレクトロルミネッセンス表示装置）１ｃの製造方法を説明する。図２９〜図３２は第４の実施形態に係る表示装置１ｃの製造方法を説明するための概略断面図である。本概略断面図も、最終的に貼り合わせた際に第１のガラス基板のVI−VI切断線に対応する切断面における概略断面図である。

図２９に示すように、第１の犠牲層１０２と第１のリブ層８が形成された第１のガラス基板１００を用意する。第１のガラス基板１００には、第１の余白部Ｂ１が設けられている。第１の余白部Ｂ１は、図５に示すように、隣同士の第１の製品領域Ｍ１の間にあって、両側に第１の枠領域１０８が配置される。

第１の製品領域Ｍ１上、第１のリブ層８上及び第１の余白部Ｂ１上に、例えば液状のポリイミド樹脂を塗布し、これを硬化させ、続いて焼成する。これにより、図３０に示すように、第１のリブ層８上及び第１の余白部Ｂ１上に第１の樹脂層６が形成される。なお、塗布する材料はポリイミド樹脂に限定されず、硬化しても可撓性を有するのであれば、その他の材料であってもよい。

第１の犠牲層１０２上で第１のリブ層８が凸状になっていることに対応して、第１の樹脂層６は、第１のリブ層８の上では凸状になっている。

次いで、図３１に示すように、例えばレーザー光を第１のリブ層８に沿って走査しながら照射し、第１のリブ層８の上で凸状になった第１の樹脂層６を除去する。第１の樹脂層６を除去する方法は特に限定されず、その他の方法を用いてもよい。

次いで、図３２に示すように、第１の樹脂層６上及び第１のリブ層８上に、第１のバリア層９を介して第１の機能層７を形成する。次いで、第１の機能層７が形成された第１のガラス基板１００に、対向基板５０が形成された第２のガラス基板２００を、接着層４２およびシール層Ｓを介して貼り付ける。

次いで、第１のガラス基板１００と、第１の犠牲層１０２と、第１のリブ層８と、第１の機能層７と、対向基板５０と、第２のリブ層４８の第１のリブ層８と重なった部分と、第２の犠牲層２０２と、第２のガラス基板２００と、を切断する。

次いで、第１のガラス基板１００と第２のガラス基板２００を剥離し、第１の保護フィルム４と第２の保護フィルム４４を貼りつけることにより、本実施形態の表示装置１ｃが製造される。

本実施形態における表示装置１ｃの製造方法により、第１のリブ層８上に第１の樹脂層６が存在しない。これにより、第１のリブ層８の切断の際における、第１のリブ層８に加わる応力が第１の樹脂層６へ拡散するのを防ぐことができる。このため、第１のガラス基板１００等を容易に切断することができる。

第１の実施形態から第４の実施形態においては、第１のガラス基板１００等を切断した後、端子部３を露出し、第１のガラス基板１００や第２のガラス基板２００をそれぞれ第１の犠牲層１０２と第２の犠牲層２０２から剥離することにより、各実施形態の表示装置が製造される。

以下、端子部３を露出する方法について、図３３〜図３５を参照して、その詳細を説明する。図３３には、第１のガラス基板１００及び第２のガラス基板２００が、図５のXXXIII−XXXIII切断線で切断した概略断面図で示されている。なお、図３３においては、説明の便宜上、平坦化膜１３と有機エレクトロルミネッセンス発光素子３０の記載を省略する。

まず、図３３に示すように、第２のガラス基板２００に形成された対向基板５０を第１のガラス基板１００に形成された第１の機能層７に貼りつける工程において、端子３ａの形成された領域である端子部３の少なくとも一部と、端子部３に隣接する第１の余白部Ｂ１とが、平面視で第２の余白部Ｂ２と重なるように配置する。

この際、ＴＦＴ基板１０の第１の余白部Ｂ１と、対向基板５０の第２の余白部Ｂ２との間にダミーシールＤＳを配置する。ダミーシールＤＳは、第１の余白部Ｂ１と第２の余白部Ｂ２においてＴＦＴ基板１０と対向基板５０を接着している。

なお、第１の余白部Ｂ１と第２の余白部Ｂ２のＸ方向の幅は異なっており、第２のリブ層４８は、平面視（図中Ｚ方向から見て）において第１のリブ層８に重なる部分４８ａと、重ならない部分４８ｂとを有する。

第１のガラス基板１００と第２のガラス基板２００とがこのように配置されることにより、第１の余白部Ｂ１と第２の余白部Ｂ２において、第１のガラス基板１００と第２のガラス基板２００の間に、第１の樹脂層６、第１の機能層７、第２の樹脂層４６及び着色層ＲＧＢを挟む構成となる。

図３４に示すように、切断線Ｃ１に沿って第１のガラス基板１００から第１の機能層７までを切断する。また、切断線Ｃ２に沿って、第２のガラス基板２００から対向基板５０までを切断する。さらに、切断線Ｃ３に沿って、第１のガラス基板１００から第２のガラス基板２００を切断する。

このように切断線Ｃ１，Ｃ２，Ｃ３に沿って切断することにより、ＴＦＴ基板１０側の第１の余白部Ｂ１を分離し、対向基板５０側の第２の余白部Ｂ２を分離することができる。

第２の余白部Ｂ２のうち、端子３ａの上方（図中Ｚ１方向）において端子部３に重なる部分Ｂ２ａは、第２の余白部Ｂ２における第２のガラス基板２００、第２の犠牲層、対向基板５０とともに除去される。これにより、端子部３上の封止層４０が露出される。

ＴＦＴ基板１０の第１の余白部Ｂ１と、対向基板５０の第２の余白部Ｂ２とはダミーシールＤＳ（図３３参照）により互いに接着されているため、第１の余白部Ｂ１における第１のガラス基板１００、第1の犠牲層１０２、ＴＦＴ基板１０を第２の余白部Ｂ２における対向基板５０等とともに除去することができる。

第２のガラス基板２００の残された部分をマスクとして、Ｚ１方向に露出する封止層４０をドライエッチングする。これにより、図３５に示すように端子部３上を覆う封止層４０が除去され、端子３ａが露出する。

このように、Ｘ方向の幅の異なる第１の余白部Ｂ１と第２の余白部Ｂ２とを重ねた状態で除去することにより、可撓性を有する第２の樹脂層４６を切断することなく端子３ａを露出することができる。さらに第２のガラス基板２００の残された部分をマスクとして封止層４０をドライエッチングすることにより、端子３ａをマスクレスにて端子出しすることが可能となる。

図３６は、第５の実施形態に係る表示装置の分解平面図である。この表示装置（ＴＦＴ基板１０）は、Ｙ１方向及びＹ２方向（Ｙ方向）の一方の端部に端子部３を有し、第１のリブ層８及び第２のリブ層４８が、Ｙ方向で不連続に、つまりそれぞれ切れ目８ｙ，４８ｙを有するように形成されている。一方、第１のリブ層８と第２のリブ層４８は、端子部３にある複数の端子３ａが配列されるＸ１方向及びＸ２方向（Ｘ方向）には連続するように、つまり切れ目を有しないようになっている。その他の構造は、第１の実施形態で説明した内容が該当する。

この例によれば、第１のリブ層８及び第２のリブ層４８が不連続であるため、表示装置（ＴＦＴ基板１０及び対向基板５０）は、Ｙ軸を曲げる方向には曲がり易い。そのため、切れ目８ｙ，４８ｙでは水分遮断性能が無くなるが、樹脂材料が大量に漏れ出ない程度の大きさであれば、樹脂材料を切断することになっても、個片化の大きな障害にはならない。一方、表示装置（ＴＦＴ基板１０及び対向基板５０）は、Ｘ軸を曲げる方向には曲がり難いので、端子部３に接合されるフレキシブルプリント基板ＦＰＣが剥がれるリスクを抑えることができる。

図３７は、第６の実施形態に係る表示装置の分解平面図である。この例では、図３６の特徴に加えて、第１のリブ層８及び第２のリブ層が、Ｘ方向でも不連続に、つまり切れ目８ｘ，４８ｘを有するように形成されている。これによれば、切れ目８ｘ，４８ｘを有することで上述した欠点が増えるが、ＸＹ両方向に曲がり易くなる。

以上、本発明の実施形態を説明してきたが、本発明は、上述した実施形態には限られない。例えば、上述した実施形態で説明した構成は、実質的に同一の構成、同一の作用効果を奏する構成、又は同一の目的を達成することができる構成により置き換えてもよい。

例えば、本実施形態においては、有機エレクトロルミネッセンス表示装置を表示装置１の一例として説明したが、表示装置１は液晶表示装置やその他の表示装置であってもよい。

１、１ｃ 表示装置、２ フレキシブル配線基板、３ 端子部、３ａ 端子、６ 第１の樹脂層、７ 第１の機能層、８ 第１のリブ層、１０ ＴＦＴ基板、１２ 回路層、１３ 平坦化膜、３０ 有機エレクトロルミネッセンス素子、３３ 発光素子層、４０ 封止層、４６ 第２の樹脂層、４８ 第２のリブ層、５０ 対向基板、１００ 第１のガラス基板、１０２ 第１の犠牲層、１０８ 第１の枠領域、２００ 第２のガラス基板、２０２ 第２の犠牲層、２０８ 第２の枠領域、Ｂ１ 第１の余白部、Ｂ２ 第２の余白部、ＢＭ ブラックマトリクス、Ｄ 表示領域、Ｅ 周辺領域、Ｍ１ 第１の製品領域、Ｍ２ 第２の製品領域、Ｐ 単位画素。

Claims (20)

1. 複数の第１の製品領域及びそれぞれの前記第１の製品領域を囲む形状の第１の枠領域を有する第１のガラス基板を用意する工程と、
   前記第１のガラス基板の前記第１の枠領域に、無機材料からなる第１のリブ層を形成する工程と、
   前記第１のリブ層を形成した後に、少なくとも前記複数の第１の製品領域それぞれに第１の樹脂層を形成する工程と、
   前記第１の樹脂層の上に発光素子層を含み、前記第１のリブ層及び前記第１の樹脂層の上に前記発光素子層を覆う封止層を含む第１の機能層を形成する工程と、
   前記複数の第１の製品領域をそれぞれ分離する前記第１の枠領域を通るラインで、前記第１のリブ層及び前記第１の機能層を切断する工程と、
   を含み、
   前記第１のリブ層及び前記第１の機能層を切断する工程で、少なくとも前記第１のリブ層と前記封止層を切断する、
   ことを特徴とする表示装置の製造方法。
2. 請求項１に記載の表示装置の製造方法であって、
   前記第１のガラス基板を用意する工程で、隣接する前記第１の製品領域の間に第１の余白部をさらに有し、前記第１の余白部の両側のそれぞれに前記第１の枠領域が配置されるように、前記第１のガラス基板を用意し、
   前記第１の樹脂層を形成する工程で、前記第１の樹脂層を、前記第１の余白部を避けて形成することを特徴とする表示装置の製造方法。
3. 請求項１に記載の表示装置の製造方法であって、
   前記第１のガラス基板を用意する工程で、隣同士の前記第１の製品領域の間に第１の余白部をさらに有し、前記第１の余白部の両側のそれぞれに前記第１の枠領域が配置されるように、前記第１のガラス基板を用意し、
   前記第１の樹脂層を形成する工程で、前記第１の樹脂層を、前記第１のリブ層上及び前記第１の余白部上にも形成し、
   前記第１の機能層を形成する工程の前に、前記第１のリブ層上に形成された前記第１の樹脂層を除去する工程をさらに含むことを特徴とする表示装置の製造方法。
4. 請求項３に記載の表示装置の製造方法であって、
   前記第１のリブ層は平面視において、互いに異なる方向にライン状に延び、異なる方向に延びた２つの前記第１のリブ層が交差して重なる箇所を有し、
   前記第１のリブ層を形成する工程で、前記第１のリブ層の交差して重なる個所に位置する部分が他の部分よりも厚くなるように形成し、
   前記第１のリブ層上に形成された前記第１の樹脂層を除去する工程において、レーザー光を前記第１のリブ層に沿って走査しながら照射する、ことを特徴とする表示装置の製造方法。
5. 請求項１乃至４のいずれか一項に記載の表示装置の製造方法であって、
   前記第１のリブ層及び前記第１の機能層を切断する工程の後に、前記第１のガラス基板を前記第１の樹脂層及び前記第１のリブ層から剥離する工程をさらに含むことを特徴とする表示装置の製造方法。
6. 請求項５に記載の表示装置の製造方法であって、
   前記第１のガラス基板を用意する工程で、第１の犠牲層を積層した状態で前記第１のガラス基板を用意し、
   前記第１のリブ層を形成する工程で、前記第１の犠牲層の上に前記第１のリブ層を形成し、
   前記第１の樹脂層を形成する工程で、前記第１の犠牲層の上に前記第１の樹脂層を形成し、
   前記第１のガラス基板を剥離する工程で、前記第１の犠牲層から前記第１のガラス基板を剥離することを特徴とする表示装置の製造方法。
7. 請求項５に記載の表示装置の製造方法であって、
   前記第１のガラス基板を剥離する工程の後に、前記第１のガラス基板が剥離された層の表面に第１の保護フィルムを貼る工程をさらに含むことを特徴とする表示装置の製造方法。
8. 請求項２乃至４のいずれか一項に記載の表示装置の製造方法であって、
   前記第１のリブ層及び前記第１の機能層を切断する工程の前に、対向基板を用意する工程と、前記対向基板を前記第１の機能層に貼りつける工程と、をさらに含み、
   前記第１のリブ層及び前記第１の機能層を切断する工程で、前記対向基板も切断することを特徴とする表示装置の製造方法。
9. 請求項８に記載の表示装置の製造方法であって、
   前記対向基板を貼り付ける工程で、それぞれの前記第１の製品領域に接着層及び前記接着層を囲むシール層を設け、前記接着層及び前記シール層で前記対向基板を貼り付け、
   前記シール層は、前記第１のリブ層及び前記第１の機能層を切断する前記ラインを避けた位置に設けることを特徴とする表示装置の製造方法。
10. 請求項８に記載の表示装置の製造方法であって、
    前記対向基板を用意する工程で、複数の第２の製品領域及びそれぞれの前記第２の製品領域を囲む形状の第２の枠領域を有する第２のガラス基板と、前記第２の枠領域に設けられた第２のリブ層と、前記複数の第２の製品領域それぞれに設けられた第２の樹脂層と、前記第２の樹脂層に積層された着色層と、を有するように前記対向基板を用意し、
    前記対向基板を貼りつける工程で、前記第１のガラス基板に設けられた前記第１のリブ層の少なくとも一部と、前記第２のガラス基板に設けられた前記第２のリブ層の少なくとも一部と、を重なるように配置し、
    前記第１のリブ層及び前記第１の機能層を切断する工程で、前記第２のリブ層の、前記第１のリブ層と重なった部分を切断することを特徴とする表示装置の製造方法。
11. 請求項１０に記載の表示装置の製造方法であって、
    前記第１のリブ層及び前記第１の機能層を切断する工程の後に、前記第２のガラス基板を研磨して薄くする工程をさらに含むことを特徴とする表示装置の製造方法。
12. 請求項１０に記載の表示装置の製造方法であって、
    前記第１のリブ層及び前記第１の機能層を切断する工程の後に、前記第２のガラス基板を前記第２の樹脂層及び前記第２のリブ層から剥離する工程をさらに含むことを特徴とする表示装置の製造方法。
13. 請求項１２に記載の表示装置の製造方法であって、
    前記対向基板を用意する工程で、前記第２のガラス基板と前記第２の樹脂層との間及び前記第２のガラス基板と前記第２のリブ層との間に第２の犠牲層を有するように、前記対向基板を用意し、
    前記第２のガラス基板を剥離する工程で、前記第２の犠牲層から前記第２のガラス基板を剥離することを特徴とする表示装置の製造方法。
14. 請求項１２に記載の表示装置の製造方法であって、
    前記第２のガラス基板を剥離する工程の後に、前記第２のガラス基板が剥離された層の表面に第２の保護フィルムを貼る工程をさらに含むことを特徴とする表示装置の製造方法。
15. 請求項１０に記載の表示装置の製造方法であって、
    前記第１の機能層を形成する工程で、前記複数の第１の製品領域にそれぞれ配置されて前記発光素子層に電気的に接続される回路を有する回路層をさらに含むように前記第１の機能層を形成し、
    前記回路は、外部との電気的接続のための端子を含み、
    前記端子は前記封止層に覆われ、
    前記対向基板を用意する工程で、隣接する前記第２の製品領域の間に第２の余白部をさらに有し、前記第２の余白部の両側のそれぞれに前記第２の枠領域が配置されるように、前記対向基板を用意し、
    前記対向基板を貼りつける工程で、前記端子及び前記端子に隣接する前記第１の余白部に前記第２の余白部が重なり、前記第２のリブ層の一部が前記第１のリブ層に重ならないように、前記対向基板を貼り付け、
    前記第１のリブ層及び前記第１の機能層を切断する工程で、前記第２のリブ層の、前記第１のリブ層に重ならない前記一部も切断し、
    前記端子の上方で前記端子に重なる前記第２の余白部を、前記第２の樹脂層及び前記着色層とともに除去して前記封止層を露出させる工程と、
    前記第２のガラス基板の残された部分をマスクとして、前記封止層をドライエッチングして前記端子を露出させる工程と、
    をさらに含むことを特徴とする表示装置の製造方法。
16. 請求項１５に記載の表示装置の製造方法であって、
    前記対向基板を貼りつける工程で、前記端子に隣接する前記第１の余白部と、前記端子に重なる第２の余白部とを、前記第１の樹脂層、前記第１の機能層、前記第２の樹脂層及び前記着色層を挟むように接着し、
    前記端子に重なる前記第２の余白部を除去する工程において、当該第２の余白部に接着された前記第１の余白部も除去することを特徴とする表示装置の製造方法。
17. 樹脂層と、
    樹脂層を囲む、前記樹脂層よりも防湿性の高い無機材料からなるリブ層と、
    前記樹脂層の上面及び前記リブ層の上に設けられた機能層と、
    前記樹脂層の下面を覆う保護フィルムと、
    を有し、
    前記機能層は、画像を構成する複数の単位画素それぞれで輝度が制御されて発光する発光素子層と、前記発光素子層を覆う封止層とを含むことを特徴とする表示装置。
18. 請求項１７に記載の表示装置であって、
    前記保護フィルムと前記樹脂層との間に、前記保護フィルムおよび前記樹脂層よりも薄い他の無機材料の層を有する表示装置。
19. 請求項１７に記載の表示装置であって、
    前記保護フィルムの厚さは前記樹脂層の厚みよりも厚い表示装置。
20. 請求項１７に記載の表示装置であって、
    前記発光素子層は、複数の有機発光素子を有し、
    前記機能層の上に配置されたＳｉＮを含む材料からなる封止層と、
    前記封止層の上で前記複数の有機発光素子を取り囲み、平面視において、少なくとも一部が前記リブ層の内側に配置されたシール層及び前記シール層の内側に配置されたフィル層と、
    前記フィル層と前記シール層の上方に配置されたガラス基板と、
    をさらに有し、
    前記保護フィルムの厚さは前記樹脂層の厚みよりも厚く、
    前記ガラス基板の厚さは前記保護フィルムの厚さよりも薄い表示装置。
    
    

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