JP2010272270A - 有機el表示装置 - Google Patents
有機el表示装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2010272270A JP2010272270A JP2009121669A JP2009121669A JP2010272270A JP 2010272270 A JP2010272270 A JP 2010272270A JP 2009121669 A JP2009121669 A JP 2009121669A JP 2009121669 A JP2009121669 A JP 2009121669A JP 2010272270 A JP2010272270 A JP 2010272270A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- organic
- film
- display device
- moisture
- layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 43
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 28
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims abstract description 28
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 28
- 239000005001 laminate film Substances 0.000 claims description 25
- KJFMBFZCATUALV-UHFFFAOYSA-N phenolphthalein Chemical group C1=CC(O)=CC=C1C1(C=2C=CC(O)=CC=2)C2=CC=CC=C2C(=O)O1 KJFMBFZCATUALV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 16
- CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L Sodium Carbonate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-]C([O-])=O CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 14
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 claims description 14
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 claims description 14
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 claims description 10
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims description 10
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 claims description 10
- -1 polypropylene Polymers 0.000 claims description 10
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims description 9
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 8
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 8
- 239000004743 Polypropylene Substances 0.000 claims description 7
- 229920001155 polypropylene Polymers 0.000 claims description 7
- 229910000029 sodium carbonate Inorganic materials 0.000 claims description 7
- RBTBFTRPCNLSDE-UHFFFAOYSA-N 3,7-bis(dimethylamino)phenothiazin-5-ium Chemical compound C1=CC(N(C)C)=CC2=[S+]C3=CC(N(C)C)=CC=C3N=C21 RBTBFTRPCNLSDE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229960000907 methylthioninium chloride Drugs 0.000 claims description 6
- BXNJHAXVSOCGBA-UHFFFAOYSA-N Harmine Chemical compound N1=CC=C2C3=CC=C(OC)C=C3NC2=C1C BXNJHAXVSOCGBA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 235000000177 Indigofera tinctoria Nutrition 0.000 claims description 4
- GVPFVAHMJGGAJG-UHFFFAOYSA-L cobalt dichloride Chemical compound [Cl-].[Cl-].[Co+2] GVPFVAHMJGGAJG-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 4
- 229940097275 indigo Drugs 0.000 claims description 4
- COHYTHOBJLSHDF-UHFFFAOYSA-N indigo powder Natural products N1C2=CC=CC=C2C(=O)C1=C1C(=O)C2=CC=CC=C2N1 COHYTHOBJLSHDF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229920013716 polyethylene resin Polymers 0.000 claims description 4
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims description 3
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 claims description 2
- 238000007789 sealing Methods 0.000 abstract description 23
- 230000007547 defect Effects 0.000 abstract description 11
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 8
- 230000002950 deficient Effects 0.000 abstract description 6
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 abstract description 4
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 abstract description 3
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 abstract description 3
- 239000007787 solid Substances 0.000 abstract description 2
- 239000000565 sealant Substances 0.000 abstract 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 163
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 96
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 79
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 27
- 239000002585 base Substances 0.000 description 16
- 229920001169 thermoplastic Polymers 0.000 description 11
- 239000004416 thermosoftening plastic Substances 0.000 description 11
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 10
- 239000000975 dye Substances 0.000 description 9
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 9
- 239000000047 product Substances 0.000 description 8
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 6
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 5
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 5
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 4
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 4
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 4
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 4
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 4
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 4
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 3
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 3
- 238000004040 coloring Methods 0.000 description 3
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 3
- KHLVKKOJDHCJMG-QDBORUFSSA-L indigo carmine Chemical compound [Na+].[Na+].N/1C2=CC=C(S([O-])(=O)=O)C=C2C(=O)C\1=C1/NC2=CC=C(S(=O)(=O)[O-])C=C2C1=O KHLVKKOJDHCJMG-QDBORUFSSA-L 0.000 description 3
- 229960003988 indigo carmine Drugs 0.000 description 3
- 235000012738 indigotine Nutrition 0.000 description 3
- 239000004179 indigotine Substances 0.000 description 3
- 239000012466 permeate Substances 0.000 description 3
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 3
- 230000008569 process Effects 0.000 description 3
- BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N Tetraethyl orthosilicate Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)OCC BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000001340 alkali metals Chemical class 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000003638 chemical reducing agent Substances 0.000 description 2
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 2
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 2
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 2
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 2
- 239000003870 refractory metal Substances 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 1
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 1
- 241000238097 Callinectes sapidus Species 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 1
- 229910052784 alkaline earth metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001342 alkaline earth metals Chemical class 0.000 description 1
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000010549 co-Evaporation Methods 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 238000004132 cross linking Methods 0.000 description 1
- 239000002274 desiccant Substances 0.000 description 1
- 230000002542 deteriorative effect Effects 0.000 description 1
- 238000002845 discoloration Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- MCPLVIGCWWTHFH-UHFFFAOYSA-L methyl blue Chemical compound [Na+].[Na+].C1=CC(S(=O)(=O)[O-])=CC=C1NC1=CC=C(C(=C2C=CC(C=C2)=[NH+]C=2C=CC(=CC=2)S([O-])(=O)=O)C=2C=CC(NC=3C=CC(=CC=3)S([O-])(=O)=O)=CC=2)C=C1 MCPLVIGCWWTHFH-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 239000000049 pigment Substances 0.000 description 1
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 230000009257 reactivity Effects 0.000 description 1
- 230000008439 repair process Effects 0.000 description 1
- 239000003566 sealing material Substances 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- JVBXVOWTABLYPX-UHFFFAOYSA-L sodium dithionite Chemical compound [Na+].[Na+].[O-]S(=O)S([O-])=O JVBXVOWTABLYPX-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
- 238000000638 solvent extraction Methods 0.000 description 1
- 238000005979 thermal decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K50/846—Passivation; Containers; Encapsulations comprising getter material or desiccants
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K50/844—Encapsulations
- H10K50/8445—Encapsulations multilayered coatings having a repetitive structure, e.g. having multiple organic-inorganic bilayers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
【課題】固体封止方式の有機EL表示装置において、封止材のピンホールから進入する水分によって有機EL発光層が劣化して生ずるダークスポットが、市場において発生することを防止する。
【解決手段】有機EL層114が水分によって劣化することを防止するために、上部電極115の上に第1の無機膜120、有機平坦化膜130、第2の無機膜140が形成されている。第2の無機膜140に生じたピンホールから水分が進入して有機平坦化膜130を拡散し、数ヶ月後に有機EL層114を劣化させて市場不良を生ずることを防止するために、有機平坦化膜130に酸素あるいは水分と反応して発色する材料を添加しておき、有機EL表示装置が市場に出荷される前に不良品を検出し、排除する。
【選択図】図1
【解決手段】有機EL層114が水分によって劣化することを防止するために、上部電極115の上に第1の無機膜120、有機平坦化膜130、第2の無機膜140が形成されている。第2の無機膜140に生じたピンホールから水分が進入して有機平坦化膜130を拡散し、数ヶ月後に有機EL層114を劣化させて市場不良を生ずることを防止するために、有機平坦化膜130に酸素あるいは水分と反応して発色する材料を添加しておき、有機EL表示装置が市場に出荷される前に不良品を検出し、排除する。
【選択図】図1
Description
本発明は有機EL表示装置に係り、特に水分によるダークスポット等の発生を抑えた、信頼性の高い有機EL表示装置に関する。
有機EL表示装置では下部電極と上部電極との間に有機EL層を挟持し、上部電極に一定電圧を印加し、下部電極にデータ信号電圧を印加して有機EL層の発光を制御する。下部電極へのデータ信号電圧の供給は薄膜トランジスタ(TFT)を介して行われる。有機EL層は、発光層の材料によって赤、緑、青の発光を行う。このような有機EL層とTFTを有する画素をマトリクス状に配置し、各画素の発光を制御することによって画像を形成する。
有機EL表示装置には、有機EL層から発光した光を、有機EL層等が形成されたガラス基板方向に取り出すボトムエミッション型と、有機EL層等が形成されたガラス基板と逆の方向に取り出すトップエミッション型とがある。トップエミッション型はTFTが形成された領域の上にも発光領域を形成できるという利点がある。
有機EL表示装置に使用される有機EL材料は水分が存在すると発光特性が劣化し、長時間動作をさせると、水分によって劣化した場所が発光しなくなる。これは表示領域のダークスポットとして現れる。このダークスポットは時間の経過とともに成長し、画像の欠陥となる。なお、画素の周辺で発光しない領域が増加するエッジグロースという現象も水分の影響によって生ずる。
ダークスポット等の発生、あるいは成長を防止するためには、有機EL表示装置内への水分の浸入の防止、あるいは、浸入した水分を除去する必要がある。このために従来は、有機EL層が形成された素子基板を周囲に設置したシールを介して、封止基板によって封止し、外部から有機EL表示装置内への水分の浸入を防止する技術が開発されてきた。封止された内部の空間にはN2等の不活性ガスを充填する。一方、有機EL表示装置内に進入した水分を除去するために、有機EL表示装置内に乾燥剤を設置する。これを中空封止型有機EL表示装置という。
しかし、中空封止型有機EL表示装置では、素子基板と封止基板のギャップ調整が難しい、内部への水分の浸入を防止するために、素子基板と封止基板を周辺で接着するシール材の幅を広くとる必要がある、封止剤によって封止するときの、封止剤から放出されたガスによる有機EL材料の汚染、スループットが低い等の問題がある。さらに完成した有機EL表示装置において素子基板あるいは封止基板に外力が加わると素子基板と封止基板が接触することによって有機EL層が破壊されるという問題点を有している。
中空封止の問題を対策するものとして、「特許文献1」には、封止基板を使用せずに、有機EL層と上部電極が形成された有機EL表示パネルの上に無機パッシベーション膜、有機平坦化膜、さらに無機パッシベーション膜を形成する技術が記載されている。以後このような封止構造を固体封止という。
有機EL層の電子注入層はアルカリ金属やアルカリ土類金属などの反応性の高い金属を用いる場合が多く、水分が存在すると、これと反応して、失活するので、水分の進入を防ぐように封止をする必要がある。上部電極まで形成された有機EL表示パネルを無機パッシベーション膜、有機平坦化膜、および無機パッシベーション膜で被覆した構成は、比較的堅牢で、薄く、コストの低い有機EL表示装置を形成できる可能性がある。
しかし、無機パッシベーション膜にはピンホールが存在する。ピンホールの原因は基板上の異物や、気相成長したパーティクル等である。このようなピンホールが存在すると、このピンホールから水分が浸入し、樹脂層を拡散して有機EL層に達し、有機EL層の失活を生ずることになる。樹脂層中の拡散は遅いので、実際に不良となるのは、数ヶ月から1年程度かかり、加速試験でも1ケ月以上かかる。
このような不良は製品が市場に流通してから生ずるので、市場事故となって、顧客の信頼を失うことになる。したがって、このような不良は極力抑える必要がある。しかし、ピンホールは極めて小さく、顕微鏡をもってしても発見は困難であり、まして、アクティブマトリクスの回路のパターンや、有機EL層などが形成された素子基板上のパッシベーション膜に生じたピンホールの発見はほとんど不可能である。
このように、従来は、市場不良を引き起こす可能性のあるパッシベーション膜の欠陥を検出することは、ほとんど不可能であった。本発明の課題は、無機パッシベーション膜、有機平坦化膜あるいは有機樹脂膜等で形成された固体封止の有機EL表示装置において、パッシベーション膜に生じたピンホールの存在を検出し、このような問題のある有機EL表示装置を市場に出荷しないようにする手段を実現することである。
本発明は上記課題を解決するものであり、具体的な手段は次のとおりである。
(1)下部電極と上部電極に挟持された有機EL層とTFTを有する画素がマトリクス状に配置された表示領域を有する有機EL表示装置であって、前記上部電極の上には、第1の無機膜が形成され、前記第1の無機膜の上には有機膜が形成され、前記有機膜の上には第2の無機膜が形成され、前記有機膜には酸素と反応して発色する材料が添加されていることを特徴とする有機EL表示装置。
(2)前記有機膜は、エポキシ樹脂、または、ポリプロピレン樹脂、または、ポリエチレン樹脂であることを特徴とする(1)に記載の有機EL表示装置。
(3)前記酸素と反応して発色する材料はインジゴガーミンまたは、メチレンブルーであることを特徴とする(2)に記載の有機EL表示装置。
(4)前記酸素と反応して発色する材料は0.5wt%〜2wt%添加されていることを特徴とする(3)に記載の有機EL表示装置。
(5)下部電極と上部電極に挟持された有機EL層とTFTを有する画素がマトリクス状に配置された表示領域を有する有機EL表示装置であって、前記上部電極の上には、第1の無機膜が形成され、前記第1の無機膜の上には有機膜が形成され、前記有機膜の上には第2の無機膜が形成され、前記有機膜には水分と反応して発色する材料が添加されていることを特徴とする有機EL表示装置。
(6)前記有機膜は、ポリプロピレン樹脂、または、ポリエチレン樹脂であることを特徴とする(5)に記載の有機EL表示装置。
(7)前記水分と反応して発色する材料はフェノールフタレインと炭酸ナトリウムであることを特徴とする(6)に記載の有機EL表示装置。
(8)前記水分と反応して発色する材料は0.5wt%〜2wt%添加されていることを特徴とする(7)に記載の有機EL表示装置。
(9)下部電極と上部電極に挟持された有機EL層とTFTを有する画素がマトリクス状に配置された表示領域を有する有機EL表示装置であって、前記上部電極の上には、接着材と基材と、前記基材の上に色素が付着したラミネートフィルムが配置され、前記ラミネートフィルムの上には無機膜が形成され、前記色素は、酸素と反応して発色する材料であることを特徴とする有機EL表示装置。
(10)前記酸素と反応して発色する材料はインジゴガーミンまたは、メチレンブルーであることを特徴とする(9)に記載の有機EL表示装置。
(11)下部電極と上部電極に挟持された有機EL層とTFTを有する画素がマトリクス状に配置された表示領域を有する有機EL表示装置であって、前記上部電極の上には、接着材と基材と、前記基材の上に水分を遮断するバリア層が形成されたラミネートフィルムが配置され、前記ラミネートフィルムの上には無機膜が形成され、前記接着材には、水分と反応して発色する材料が添加されていることを特徴とする有機EL表示装置。
(12)前記バリア層は、アルミナとシリカを共蒸着したものであることを特徴とする(11)に記載の有機EL表示装置。
(13)前記酸素と反応して発色する材料は塩化コバルトであることを特徴とする(11)に記載の有機EL表示装置。
(14)前記酸素と反応して発色する材料は炭酸ナトリウムおよびフェノールフタレインであることを特徴とする(11)に記載の有機EL表示装置。
本発明によれば、固体封止タイプの有機EL表示装置において、最表面の無機パッシベーション膜のピンホールを早期に発見することが出来るので、ピンホールの存在する不良品が市場に出荷されることを防止することが出来る。また、ピンホールを早期に発見することによって、CVD等の工程の問題を早期に発見することが出来、歩留まりを向上させることが出来る。
また、本発明は無機パッシベーション膜のピンホールの存在を有機平坦化膜に添加した色素の発色によって検出するが、色素の発色が乾燥等によって透明に復帰できるようなものであれば、有機EL表示装置内部の水分を除去した後、再び無機パッシベーション膜を形成することによってピンホールの無い有機EL表示装置に再生することが出来る。
以下、実施例によって本発明の内容を詳細に説明する。
図2は本発明が適用される有機EL表示装置10の斜視図である。図2において、ガラスで形成された素子基板100の上に表示領域20と端子領域15が形成されている。表示領域20は、有機平坦化膜130によって被覆されており、有機平坦化膜130と表示領域20とはほぼ一致している。表示領域20の周辺には、有機平坦化膜130が存在せず、無機パッシベーション膜によって覆われた周辺封止領域30が形成されている。有機膜は水分が透過するので、周辺封止領域30には、有機平坦化膜130を削除している。
表示領域20の外側には端子領域15が形成されており、端子領域15には、走査線、映像信号線、電源線等の引き出し線35が形成され、端子領域15に形成された端子部25に接続している。端子部25から走査信号、映像信号、電源等を供給する。
図1は本発明の構造を示す断面模式図である。図1は、表示領域20の1部と周辺封止領域30と、端子領域15の断面を示している。なお、以下の説明では、有機EL表示装置10はトップエミッションタイプであることを前提として説明するが、本発明はこれに限らず、ボトムエミッションタイプの有機EL表示装置にも適用することが出来る。
図1の表示領域20において、ガラスで形成された素子基板100の上に、SiNで形成された第1下地膜101が形成され、その上にSiO2で形成された第2下地膜102が形成されている。第1下地膜101と第2下地膜102の役割は、ガラス基板から析出する不純物が半導体層103を汚染して特性を劣化させることを防止することである。
第2下地膜102の上には、半導体層103が形成されている。本実施例では、半導体層103はpoly−Siによって形成され、厚さは50nm程度である。poly−Si半導体層103の形成方法は、まず、a−Si層を形成し、これを、エキシマレーザ等によってアニールすることによってpoly−Si層に変換する。
半導体層103の上にはゲート電極105が形成される。ゲート電極105はゲート配線と同層で形成される。半導体層103には、チャンネル部とソース領域、ドレイン領域が形成されるが、このソース領域およびドレイン領域は、ゲート電極105をマスクとして半導体層103にイオンインプランテーションによって不純物を添加することによって形成される。
ゲート電極105を覆って層間絶縁膜106がSiN等によって形成される。層間絶縁膜106の上には、ソース配線108、ドレイン配線107が形成される。本実施例では、映像信号線はドレイン配線107と同義である。ソース配線108、ドレイン配線107には有機EL層114を発光させるための電流が流れるので、抵抗が低い金属であるAlが用いられ、厚さも700nm程度と、厚く形成される。なお、Al配線の下層には、Alによる半導体等への汚染を防止するためのバリアメタルがMoあるいはTi等の高融点金属で形成され、Al配線の上方には、Alのヒロックを防止するためのキャップメタルがMoあるいはTi等の高融点金属で形成される。
ソース配線108およびドレイン配線107は、ゲート絶縁膜104および層間絶縁膜106に形成されたスルーホールを介して、それぞれ、半導体層103のソース領域、ドレイン領域と接続する。また、ドレイン配線107は、周辺封止領域30を通って、端子部25に延在している。一方、ソース配線108は有機EL層114の下部電極112と接続する。
ソース配線108、ドレイン配線107を覆って、第1無機パッシベーション膜109がSiN等で形成される。第1無機パッシベーション役割は、主として、TFTを外部からの不純物から保護することである。第1無機パッシベーション膜109の上には、有機パッシベーション膜110が形成される。有機パッシベーション膜の役割は、TFTを保護するとともに、表面を平坦化することである。これによって、有機EL層114を平坦化された面に形成することが可能となり、有機EL層114が断切れを生じたりすることを防止することが出来る。
有機パッシベーション膜110の上には、反射膜111がAlあるいはAg等の反射率の高い金属によって形成される。本実施例における有機EL表示装置10は、トップエミッション型なので、反射膜111によって有機EL層114で発生した光を図1の上方に反射して光の利用効率を高める。
反射膜111の上には、有機EL層114のアノードとなる透明導電膜であるITO(Indium Tin Oxide)で形成された下部電極112を被着する。下部電極112となるITOは、第1無機パッシベーション膜109および有機パッシベーション膜110に形成されたスルーホールを介してソース配線108と接続する。
下部電極112の上には有機EL層114が形成される。有機EL層114は、一般には複数の層で形成されている。例えば、アノード側から、ホール注入層50nm、ホール輸送層50nm、発光層20nm、電子輸送層20nm、電子注入層1nm等である。各層は非常に薄く、5層トータルでも140nm程度である。
なお、下部電極112および有機パッシベーション膜110の上には、各画素を区画することになるバンク113がアクリル樹脂等で形成される。上記のように、有機EL層114の各層は厚さが非常に小さいので、段部があると、この部分で断切れを生ずる。バンク113は、特に有機EL層114の端部における断切れを防止する役割を有する。
有機EL層114の上には、カソードとなる上部電極115が透明導電膜であるInZnO(Indium Zinc Oxide)によって形成される。InZnOもITOも透明導電膜であるが、アニールする前は、InZnOのほうがITOよりも抵抗が低い。有機EL層114は熱に弱いので、有機EL層114を被着した後は、アニールが出来ないので、カソードにInZnOを使用している。
以上によって、通常の有機EL表示装置10の素子基板100側は完成する。この後本発明は固体封止であるので、上部電極115の上をSiN等で形成された第2無機パッシベーション膜120によって被覆する。有機EL層114を水分から保護するためである。第2無機パッシベーション膜120の厚さは200nm程度である。
第2無機パッシベーション膜120の上をさらに有機平坦化膜130によって被覆する。有機平坦化膜130は、エポキシ樹脂、熱可塑性のポリプロピレンやポリエチレン等を用いることが出来る。有機平坦化膜130は30μm程度と厚く形成されるので、印刷あるいは、フィルム転写等によって形成される。なお、有機平坦化膜130の厚さは、有機EL表示装置製品の仕様に応じて10μm〜100μm程度に形成することが出来る。
有機平坦化膜130の上には第3無機パッシベーション膜140が形成される。第3無機パッシベーション膜140は、プラズマCVDあるいはタングステンワイヤを触媒とした熱分解CVD等の低温CVDによってSiNを約1μm程度被着することによって形成される。外部からの水分は主としてこの第3無機パッシベーション膜140によってブロックされる。第3無機パッシベーション膜140は端子部25を除いて全面に被着されている。第3無機パッシベーション膜140は、端子部25からは、フォトリソグラフィ等によって除去されている。
図1において、周辺封止領域30は、端子と接続するドレイン配線107が貫通している。ドレイン配線107の下には、第1下地膜101、第2下地膜102、ゲート絶縁膜104、層間絶縁膜106が存在し、ドレイン配線107の上には、第1無機パッシベーション膜109、第2無機パッシベーション膜120、第3無機パッシベーション膜140が存在している。すなわち、有機膜は水分を透過するために、周辺封止領域30は無機膜のみによって封止されている。
図1において、端子領域15に、ドレイン配線107が延在し、端子部25から映像信号が供給される。ドレイン配線107は主としてAlで形成されており、外部環境によって腐食しやすいので、端子部25においては、ITOによって形成される端子部導電膜251によって被覆されている。端子部導電膜251を形成するITOは下部電極112と同層で形成される。
なお、端子領域15に延在しているドレイン配線107は、第1無機パッシベーション膜109と同層で形成された保護膜1091、有機パッシベーション膜110と同層で形成された保護膜1101、バンク113と同層で形成された保護膜1131によって覆われ、外部雰囲気から保護されている。
表示領域20における第3無機パッシベーション膜140にピンホール60等が存在すると、このピンホール60から水分が浸入し、有機EL層114に悪影響を与える。図3は表示領域20の断面図であり、第3無機パッシベーション膜140にピンホール60が存在した場合を示している。図3の断面図は、簡略化して描かれているが、基本的な構造は図1で説明したのと同様である。
図3において、下部電極112の上に、有機EL層114として、赤発光層1141、緑発光層1142、青発光層1143が並列して配置されている。赤発光層1141、緑発光層1142、青発光層1143の境界はバンク113上に存在している。有機EL層114を覆って上部電極115が形成され、上部電極115の上に第2無機パッシベーション膜120、有機平坦化膜130、第3無機パッシベーション膜140が形成されている。
図3において、第2無機パッシベーション膜120にピンホール60が生じている。このピンホール60から矢印のように水分が進入する。水分は有機平坦化膜130の中を、例えば、矢印のように拡散する。有機平坦化膜130を拡散した水分は、第2無機パッシベーション膜120に達する。第2無機パッシベーション膜120が完全であれば、水分は第2無機パッシベーション膜120によって阻止され、有機EL層114には進入しない。
しかし、第2無機パッシベーション膜120はバンク113等によって凹凸となっている上部電極115の上に形成されているので、ピンホール60が生じている確率が第3無機パッシベーション膜140以上に大きい。第2無機パッシベーション膜120に図3に示すようにピンホール60が生じていると、このピンホール60を通して水分が浸入する。上部電極115は薄く、第2無機パッシベーション膜120以上にピンホール60が多く生じているので、水分は有機EL層114に達し、有機EL層114の、特に電子注入層のアルカリ金属等と反応して、失活させ、その結果、有機EL層114の発光効率を低下させる。
図3においては、緑発光層1142と赤発光層1141の1部が水分によって劣化している様子を示す。図3において、緑発光層1142および赤発光層1141が劣化している部分を1145によって示す。このように、水分によって発光層が劣化すると図4に示すように、表示領域20にダークスポット40が発生する。図4に示すようなダークスポット40が、有機EL表示装置10が完成直後に生ずれば当該有機EL表示装置10は不良品として市場に出荷されることは無い。
しかし、第3無機パッシベーション膜140のピンホール60から進入してきた水分は、有機平坦化膜130を拡散するが、この拡散速度は小さく、製品が完成してから、出荷までの期間では、ダークスポット40は発生しない。このようなメカニズムにおいては、ダークスポット40が発生するまでの時間は有機EL表示装置10が完成してから数ヶ月かかる。したがって、製品はすでに市場に出荷されており、市場事故となる。
このような市場事故を防止するために、本発明は、第3無機パッシベーション膜140に存在するピンホール60を工場内で発見し、第3無機パッシベーション膜140にピンホール60が存在している有機EL表示装置10が市場に出荷されることを防止することを可能にする。図5に、実施例1の断面図を示す。図5の構成は次の通りである。
すなわち、有機平坦化膜130に酸素と反応する材料を添加しておき、第3無機パッシベーション膜140のピンホール60を介して酸素が進入してきた場合、当該材料が酸素と反応することによって着色することを利用して、第3無機パッシベーション膜140に存在するピンホール60を発見する。そして、第3無機パッシベーション膜140にピンホール60が存在する有機EL表示装置10は不良品として市場へ出荷されることを防止する。
ここで、水と反応する物質を有機平坦化膜130に添加するのではなく、酸素と反応する物質を有機平坦化膜130に添加するのは、空気中の成分で最も反応性が高いのは酸素なので、添加された物質との反応を高い感度で検出できるからである。目的は、第3無機パッシベーション膜140におけるピンホール60の存在の有無であるので、酸素で検出しても水分で検出しても良いからである。
この場合、有機平坦化膜130の基本材料としては、エポキシ樹脂、あるいは、熱可塑性のポリプロピレンやポリエチレン等を使用し、酸素と反応して発色する添加材としては、インジコカーミンやメチルブルーと言った色素が好適である。これらの還元体は酸化すると青く発色する。
一方、ピンホール60を検出するための添加材は水分と反応するものでも良い。水分と反応して発色する系としては、例えば、フェノールフタレインと炭酸ナトリウムを微量添加したものを使用することが出来る。炭酸ナトリウムが吸湿するとアルカリ性となり、フェノールフタレインが赤く発色することになる。この場合の有機平坦化膜130の基材としては、熱可塑性のポリプロピレンやポリエチレン等を使用することは出来るが、エポキシ樹脂は架橋反応を阻害するので、適当では無い。
なお、酸素を検出する場合も、水分を検出する場合も、有機平坦化膜130の基材に対する添加材の割合は、0.5wt〜2wt程度で良い。図5において、第3無機パッシベーション膜140に存在しているピンホール60から酸素が進入すると、添加材である色素が反応して発色する。例えば、インジゴカーミンの還元体を添加した場合、図のように進入して酸素によって青く発色し、図5のように、表面から青いスポットとして観察することが出来る。
このような有機EL表示装置10を白色に点燈すると、図6に示すように、ピンホール60が存在している場所は、青い点として認識することが出来るので、容易に不良品を選別することが出来る。色素としては、この他に、メチレンブルーなども同様に用いることが出来る。
これらの色素を例えば、有機平坦化膜130の基材であるエポキシ樹脂に添加しておいて、該エポキシ樹脂を塗布し、硬化させればよい。あるいは、有機平坦化膜130の基材としてのエポキシ樹脂を塗布し、硬化させた後に、上記のような色素を添加したエポキシ樹脂を塗布しても良い。その後、第3無機パッシベーション膜140によって全体を被覆することになる。以上は有機平坦化膜130はエポキシ樹脂として説明したが、他の樹脂でも良い。
図7は本発明の第2の実施例である。本実施例が実施例1と異なる点は、有機EL層114を水分から保護する構成が、有機平坦化膜130では、なく、ラミネートフィルム50であるということである。図7において、有機EL層114の上部電極115の上に第2無機パッシベーション膜120が形成されているところまでは、実施例1と同様である。本実施例は第2無機パッシベーション膜120の上にラミネートフィルム50が形成され、ラミネートフィルム50の上の第3無機パッシベーション膜140が形成されている。ラミネートフィルム50は、ラミネートフィルム基材51と熱可塑性接着材52で構成されている。
ラミネートフィルム50の上に低温CVDによってSiN膜を1μm程度の厚さに被着することによって第3無機パッシベーション膜140を形成する。ラミネートフィルム50の表面は極めて平坦で、泡等の欠陥も少なく。印刷や塗布で形成した有機平坦化膜130より第3無機パッシベーション膜140の欠陥はさらに少なくすることが出来る。
本実施例では、ラミネートフィルム基材51の表面をインジゴカーミンあるいはメチレンブルーで染色する。また、ラミネートフィルム基材51の他の面に熱可塑性接着材52を塗布する。その後、ハイドロサルファイトナトリウム溶液を還元体として前記色素を退色させ、酸素を遮断して乾燥しておいたものを、有機EL表示パネルの第2無機パッシベーション膜120の上にラミネートし、その上から低温CVDによって第3無機パッシベーション膜140を形成する。
もし、第3無機パッシベーション膜140にピンホール60が存在し酸素が透過してくるとラミネートフィルム50の基材に付着した染料が酸素と反応して青く発色するので、第3無機パッシベーション膜140の不良を検出することが出来る。水分が第3無機パッシベーション膜140のピンホール60を通過すると、有機EL表示装置10には図6に示すような発色部70が生ずるので、第3無機パッシベーション膜140の欠陥を検出することが出来る。
図8は、本発明の第3の実施例を示す断面図である。図3は、図1と同様、表示領域20の端部から、周辺封止領域30、端子領域15にかけての断面図である。図8において、有機EL層114の上部電極115の上に第2無機パッシベーション膜120が形成されているところまでは、実施例1と同様である。本実施例では、実施例2で説明したラミネートフィルム50が第2無機パッシベーション膜120上にラミネートされている。本実施例では、ラミネートフィルム基材51の表面にアルミナとシリカを共蒸着して形成した、水分を遮断するバリア層53を設けている。そして、バリア層53の上に低温CVD法によって第3無機パッシベーション膜140を形成している。
このように本実施例では、ラミネートフィルム表面にバリア層53を設けているので、ラミネートフィルム50を透過する水分はほとんど無く、水分透過が問題となる欠陥は、周辺部に限定される。
本実施例では、図8に示すように、熱可塑性接着材52に塩化コバルトの微粉末を添加することにより、周辺における第3無機パッシベーション膜140のピンホール60から水分が浸入すると塩化コバルトが青色から薄赤色に変色するので、欠陥を検出することが出来る。なお、熱可塑性接着材52は青色ではあるが、表示領域20においては、熱可塑性接着材52は非常に薄いので、無色透明となっている。しかし、図8に示すように、ラミネートフィルム50の周辺においては、熱可塑性接着材52がはみ出して厚くなっているので、変色を検出することが出来る。
図8において、発色部70の発生によって水分の浸入が認められた場合、一旦乾燥し、青色に戻した後、再度第3無機パッシベーション膜140を成膜して修復する。修復は再度全面に無機パッシベーション膜を形成する他、TEOS(テトラエトキシシラン)を塗布し、レーザを照射して部分的に無機パッシベーション膜を形成することによって行うことも出来る。
水分の検出方法としては、熱可塑性接着材52にアルカリ、例えば、炭酸ナトリウム等とフェノールフタレインの粉末を添加しても良い。水分があるとアルカリ性を示し、フェノールフタレインが赤く発色し、乾燥すると無色となる。
以上の実施例では、有機EL表示装置がトップエミッションタイプの場合について説明したが、本発明は、ボトムエミッションタイプの有機EL表示装置に対しても適用することが出来る。ボトムエミッションタイプの有機EL表示装置は、図1等に示すトップエミッション型の有機EL表示装置10に対し、有機EL層114の下部電極112の下にある反射電極を除去し、かつ、上部電極115をInZnOではなく、AlやAg等の反射率の高い金属で形成する。この場合の上部電極115はカソードとなる。このような構成の違いの他は、トップエミッションの場合もボトムエミッションの場合も基本的な構成は同様である。したがって、本発明をボトムエミッション型有機EL表示装置に問題無く適用することが出来る。
10…有機EL表示装置、 15…端子領域、 20…表示領域、 25…端子部、 30…周辺封止領域、 35…引出し線、 40…ダークスポット、 50…ラミネートフィルム、 51…ラミネートフィルム基材フィルム、 52…熱可塑性接着材、 53…バリア膜、 60…ピンホール、 70…発色部、 100…素子基板、 101…第1下地膜、 102…第2下地膜、 103…半導体層、 104…ゲート絶縁膜、 105…ゲート電極、 106…層間絶縁膜、 107…ドレイン配線、 108…ソース配線、 109…第1無機パッシベーション膜、 110…有機パッシベーション膜、 111…反射膜、 112…下部電極、 113…バンク、 114…有機EL層、 115…上部電極、 120…第2無機パッシベーション膜、 130…有機平坦化膜、 140…第3無機パッシベーション膜、 251…端子部導電膜、 1091、1101、1131…端子保護膜、 1141…赤発光層、 1142…緑発光層、 1143…青発光層、 1145…発光層の劣化部分。
Claims (14)
- 下部電極と上部電極に挟持された有機EL層とTFTを有する画素がマトリクス状に配置された表示領域を有する有機EL表示装置であって、
前記上部電極の上には、第1の無機膜が形成され、前記第1の無機膜の上には有機膜が形成され、前記有機膜の上には第2の無機膜が形成され、
前記有機膜には酸素と反応して発色する材料が添加されていることを特徴とする有機EL表示装置。 - 前記有機膜は、エポキシ樹脂、または、ポリプロピレン樹脂、または、ポリエチレン樹脂であることを特徴とする請求項1に記載の有機EL表示装置。
- 前記酸素と反応して発色する材料はインジゴガーミンまたは、メチレンブルーであることを特徴とする請求項2に記載の有機EL表示装置。
- 前記酸素と反応して発色する材料は0.5wt%〜2wt%添加されていることを特徴とする請求項3に記載の有機EL表示装置。
- 下部電極と上部電極に挟持された有機EL層とTFTを有する画素がマトリクス状に配置された表示領域を有する有機EL表示装置であって、
前記上部電極の上には、第1の無機膜が形成され、前記第1の無機膜の上には有機膜が形成され、前記有機膜の上には第2の無機膜が形成され、
前記有機膜には水分と反応して発色する材料が添加されていることを特徴とする有機EL表示装置。 - 前記有機膜は、ポリプロピレン樹脂、または、ポリエチレン樹脂であることを特徴とする請求項5に記載の有機EL表示装置。
- 前記水分と反応して発色する材料はフェノールフタレインと炭酸ナトリウムであることを特徴とする請求項6に記載の有機EL表示装置。
- 前記水分と反応して発色する材料は0.5wt%〜2wt%添加されていることを特徴とする請求項7に記載の有機EL表示装置。
- 下部電極と上部電極に挟持された有機EL層とTFTを有する画素がマトリクス状に配置された表示領域を有する有機EL表示装置であって、
前記上部電極の上には、接着材と基材と、前記基材の上に色素が付着したラミネートフィルムが配置され、前記ラミネートフィルムの上には無機膜が形成され、
前記色素は、酸素と反応して発色する材料であることを特徴とする有機EL表示装置。 - 前記酸素と反応して発色する材料はインジゴガーミンまたは、メチレンブルーであることを特徴とする請求項9に記載の有機EL表示装置。
- 下部電極と上部電極に挟持された有機EL層とTFTを有する画素がマトリクス状に配置された表示領域を有する有機EL表示装置であって、
前記上部電極の上には、接着材と基材と、前記基材の上に水分を遮断するバリア層が形成されたラミネートフィルムが配置され、前記ラミネートフィルムの上には無機膜が形成され、
前記接着材には、水分と反応して発色する材料が添加されていることを特徴とする有機EL表示装置。 - 前記バリア層は、アルミナとシリカを共蒸着したものであることを特徴とする請求項11に記載の有機EL表示装置。
- 前記酸素と反応して発色する材料は塩化コバルトであることを特徴とする請求項11に記載の有機EL表示装置。
- 前記酸素と反応して発色する材料は炭酸ナトリウムおよびフェノールフタレインであることを特徴とする請求項11に記載の有機EL表示装置。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009121669A JP2010272270A (ja) | 2009-05-20 | 2009-05-20 | 有機el表示装置 |
US12/780,229 US20100295759A1 (en) | 2009-05-20 | 2010-05-14 | Organic electroluminescence display device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009121669A JP2010272270A (ja) | 2009-05-20 | 2009-05-20 | 有機el表示装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2010272270A true JP2010272270A (ja) | 2010-12-02 |
Family
ID=43124254
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009121669A Pending JP2010272270A (ja) | 2009-05-20 | 2009-05-20 | 有機el表示装置 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20100295759A1 (ja) |
JP (1) | JP2010272270A (ja) |
Cited By (19)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20130015033A (ko) * | 2011-08-02 | 2013-02-13 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법 |
JPWO2012086758A1 (ja) * | 2010-12-24 | 2014-06-05 | Necライティング株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子及び有機エレクトロルミネッセンス照明装置 |
KR20140101672A (ko) | 2013-02-12 | 2014-08-20 | 가부시키가이샤 재팬 디스프레이 | 유기 반도체 소자 및 유기 반도체 소자의 제조 방법 |
JP2014222617A (ja) * | 2013-05-14 | 2014-11-27 | セイコーエプソン株式会社 | 電気光学装置、電気光学装置の製造方法、及び電子機器 |
JP2015502020A (ja) * | 2011-11-28 | 2015-01-19 | ネーデルランツ オルガニサティー フォール トゥーゲパストナトゥールヴェテンシャッペリーク オンデルズーク テーエンオー | 封止された薄膜デバイス、ならびに修理する方法、修理するためのシステムおよびコンピュータプログラム製品 |
WO2015136670A1 (ja) * | 2014-03-13 | 2015-09-17 | パイオニア株式会社 | 発光装置 |
JP2016004053A (ja) * | 2014-06-13 | 2016-01-12 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 表示装置 |
US9553279B2 (en) | 2014-07-07 | 2017-01-24 | Japan Display Inc. | Organic EL display device comprising different patterns in edge and inner regions |
US9583544B2 (en) | 2014-08-08 | 2017-02-28 | Japan Display Inc. | Organic EL display device |
JP2017167477A (ja) * | 2016-03-18 | 2017-09-21 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 表示装置 |
US9831463B2 (en) | 2013-06-05 | 2017-11-28 | Seiko Epson Corporation | Electro-optic apparatus, method of manufacturing electro-optic apparatus, and electronic apparatus |
KR20180025171A (ko) * | 2016-08-30 | 2018-03-08 | 가부시키가이샤 재팬 디스프레이 | 표시 장치 |
WO2018128033A1 (ja) * | 2017-01-06 | 2018-07-12 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 表示装置及び表示装置の製造方法 |
JP2018147557A (ja) * | 2017-03-01 | 2018-09-20 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 有機el表示装置 |
US10622585B2 (en) | 2016-12-06 | 2020-04-14 | Samsung Display Co., Ltd. | Display apparatus |
US10861915B2 (en) | 2018-08-24 | 2020-12-08 | Seiko Epson Corporation | Light-emitting device and electronic apparatus |
JP2021005570A (ja) * | 2020-10-01 | 2021-01-14 | パイオニア株式会社 | 発光装置 |
CN113054113A (zh) * | 2021-03-19 | 2021-06-29 | 电子科技大学 | 一种遇水显色有机光电探测器的封装结构及其制备方法和光电探测器 |
JP2022060477A (ja) * | 2020-10-01 | 2022-04-14 | パイオニア株式会社 | 発光装置 |
Families Citing this family (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR102052073B1 (ko) * | 2013-04-17 | 2019-12-05 | 삼성디스플레이 주식회사 | 평판 표시 장치 |
DE102015205503A1 (de) * | 2015-03-26 | 2016-09-29 | Osram Oled Gmbh | Elektronisches Bauelement und Verfahren zum Herstellen eines elektronischen Bauelementes |
TWI615952B (zh) * | 2015-08-07 | 2018-02-21 | Japan Display Inc | 顯示裝置及其製造方法 |
KR102404648B1 (ko) | 2015-09-21 | 2022-05-31 | 엘지디스플레이 주식회사 | 표시장치 |
CN105609532B (zh) | 2015-12-21 | 2019-11-22 | 上海天马有机发光显示技术有限公司 | 阵列基板及其制作方法、显示面板 |
JP6807178B2 (ja) * | 2016-07-07 | 2021-01-06 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 表示装置、表示装置の製造方法 |
JP6818514B2 (ja) * | 2016-11-01 | 2021-01-20 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 表示装置および表示装置の製造方法 |
KR102383745B1 (ko) * | 2016-11-11 | 2022-04-08 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
US10998296B2 (en) * | 2017-12-07 | 2021-05-04 | Zkw Group Gmbh | In-vehicle display device using semiconductor light-emitting device |
KR102569929B1 (ko) * | 2018-07-02 | 2023-08-24 | 삼성디스플레이 주식회사 | 디스플레이 장치 |
CN111668271B (zh) * | 2020-06-11 | 2021-08-24 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | Oled显示面板及其制备方法、oled显示装置 |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6268695B1 (en) * | 1998-12-16 | 2001-07-31 | Battelle Memorial Institute | Environmental barrier material for organic light emitting device and method of making |
US6689438B2 (en) * | 2001-06-06 | 2004-02-10 | Cryovac, Inc. | Oxygen detection system for a solid article |
JP2005317476A (ja) * | 2004-04-30 | 2005-11-10 | Toshiba Matsushita Display Technology Co Ltd | 表示装置 |
-
2009
- 2009-05-20 JP JP2009121669A patent/JP2010272270A/ja active Pending
-
2010
- 2010-05-14 US US12/780,229 patent/US20100295759A1/en not_active Abandoned
Cited By (45)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9119272B2 (en) | 2010-12-24 | 2015-08-25 | Nec Lighting, Ltd. | Organic electroluminescent element and organic electroluminescent lighting device |
JPWO2012086758A1 (ja) * | 2010-12-24 | 2014-06-05 | Necライティング株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子及び有機エレクトロルミネッセンス照明装置 |
JP5988380B2 (ja) * | 2010-12-24 | 2016-09-07 | Necライティング株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子及び有機エレクトロルミネッセンス照明装置 |
KR101894327B1 (ko) * | 2011-08-02 | 2018-09-03 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법 |
KR20130015033A (ko) * | 2011-08-02 | 2013-02-13 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법 |
JP2015502020A (ja) * | 2011-11-28 | 2015-01-19 | ネーデルランツ オルガニサティー フォール トゥーゲパストナトゥールヴェテンシャッペリーク オンデルズーク テーエンオー | 封止された薄膜デバイス、ならびに修理する方法、修理するためのシステムおよびコンピュータプログラム製品 |
US9166194B2 (en) | 2013-02-12 | 2015-10-20 | Japan Display Inc. | OLED with sporadic flattening layer between two barrier layers |
US11600801B2 (en) | 2013-02-12 | 2023-03-07 | Japan Display Inc. | OLED with a flattening layer between two barrier layers |
US9812669B2 (en) | 2013-02-12 | 2017-11-07 | Japan Display Inc. | OLED with a flattening layer between two barrier layers |
US10629849B2 (en) | 2013-02-12 | 2020-04-21 | Japan Display Inc. | OLED with a flattening layer between two barrier layers |
KR20150059733A (ko) | 2013-02-12 | 2015-06-02 | 가부시키가이샤 재팬 디스프레이 | 유기 반도체 소자 및 유기 반도체 소자의 제조 방법 |
US9466813B2 (en) | 2013-02-12 | 2016-10-11 | Japan Display Inc. | OLED with a flattening layer between two barrier layers |
US10319947B2 (en) | 2013-02-12 | 2019-06-11 | Japan Display Inc. | OLED with a flattening layer between two barrier layers |
KR20140101672A (ko) | 2013-02-12 | 2014-08-20 | 가부시키가이샤 재팬 디스프레이 | 유기 반도체 소자 및 유기 반도체 소자의 제조 방법 |
US9728748B2 (en) | 2013-02-12 | 2017-08-08 | Japan Display Inc. | OLED with a flattening layer between two barrier layers |
US9728747B2 (en) | 2013-02-12 | 2017-08-08 | Japan Display Inc. | OLED with a flattening layer between two barrier layers |
JP2014222617A (ja) * | 2013-05-14 | 2014-11-27 | セイコーエプソン株式会社 | 電気光学装置、電気光学装置の製造方法、及び電子機器 |
US9831463B2 (en) | 2013-06-05 | 2017-11-28 | Seiko Epson Corporation | Electro-optic apparatus, method of manufacturing electro-optic apparatus, and electronic apparatus |
US10297788B2 (en) | 2014-03-13 | 2019-05-21 | Pioneer Corporation | Light emitting apparatus |
US9978986B2 (en) | 2014-03-13 | 2018-05-22 | Pioneer Corporation | Light emitting apparatus |
WO2015136670A1 (ja) * | 2014-03-13 | 2015-09-17 | パイオニア株式会社 | 発光装置 |
JPWO2015136670A1 (ja) * | 2014-03-13 | 2017-04-06 | パイオニア株式会社 | 発光装置 |
US10700306B2 (en) | 2014-03-13 | 2020-06-30 | Pioneer Corporation | Light emitting apparatus |
KR20160132949A (ko) * | 2014-03-13 | 2016-11-21 | 파이오니아 가부시키가이샤 | 발광 장치 |
KR101893281B1 (ko) | 2014-03-13 | 2018-08-29 | 파이오니아 가부시키가이샤 | 발광 장치 |
JP2016004053A (ja) * | 2014-06-13 | 2016-01-12 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 表示装置 |
US9553279B2 (en) | 2014-07-07 | 2017-01-24 | Japan Display Inc. | Organic EL display device comprising different patterns in edge and inner regions |
US10217962B2 (en) | 2014-08-08 | 2019-02-26 | Japan Display Inc. | Organic EL display device |
US9735394B2 (en) | 2014-08-08 | 2017-08-15 | Japan Display Inc. | Organic EL display device |
US9583544B2 (en) | 2014-08-08 | 2017-02-28 | Japan Display Inc. | Organic EL display device |
US9899630B2 (en) | 2014-08-08 | 2018-02-20 | Japan Display Inc. | Organic EL display device |
US9882168B2 (en) | 2016-03-18 | 2018-01-30 | Japan Display Inc. | Organic electroluminescence display device |
JP2017167477A (ja) * | 2016-03-18 | 2017-09-21 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 表示装置 |
US10727283B2 (en) | 2016-08-30 | 2020-07-28 | Japan Display Inc. | Display device |
KR101939479B1 (ko) * | 2016-08-30 | 2019-01-16 | 가부시키가이샤 재팬 디스프레이 | 표시 장치 |
KR20180025171A (ko) * | 2016-08-30 | 2018-03-08 | 가부시키가이샤 재팬 디스프레이 | 표시 장치 |
US10186558B2 (en) | 2016-08-30 | 2019-01-22 | Japan Display Inc. | Display device |
US10622585B2 (en) | 2016-12-06 | 2020-04-14 | Samsung Display Co., Ltd. | Display apparatus |
WO2018128033A1 (ja) * | 2017-01-06 | 2018-07-12 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 表示装置及び表示装置の製造方法 |
US10586948B2 (en) | 2017-03-01 | 2020-03-10 | Japan Display Inc. | Organic electro-luminescent display device including moisture detection member |
JP2018147557A (ja) * | 2017-03-01 | 2018-09-20 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 有機el表示装置 |
US10861915B2 (en) | 2018-08-24 | 2020-12-08 | Seiko Epson Corporation | Light-emitting device and electronic apparatus |
JP2021005570A (ja) * | 2020-10-01 | 2021-01-14 | パイオニア株式会社 | 発光装置 |
JP2022060477A (ja) * | 2020-10-01 | 2022-04-14 | パイオニア株式会社 | 発光装置 |
CN113054113A (zh) * | 2021-03-19 | 2021-06-29 | 电子科技大学 | 一种遇水显色有机光电探测器的封装结构及其制备方法和光电探测器 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20100295759A1 (en) | 2010-11-25 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2010272270A (ja) | 有機el表示装置 | |
US9064822B2 (en) | Organic electroluminescent device and method of manufacturing the same | |
US9305981B2 (en) | Organic electro-luminescent device | |
WO2018128033A1 (ja) | 表示装置及び表示装置の製造方法 | |
US20110006972A1 (en) | Organic el display device | |
US8558267B2 (en) | Organic EL display device and manufacturing method thereof | |
KR100570593B1 (ko) | 일렉트로루미네센스 표시 장치 | |
TW201508913A (zh) | 有機電致發光顯示裝置 | |
US10692959B2 (en) | Electroluminescent display device | |
JP2011028887A (ja) | 有機el表示装置 | |
JP2007294405A (ja) | 有機発光装置 | |
JP2017167477A (ja) | 表示装置 | |
JP2003233329A (ja) | 表示装置のリペア方法 | |
WO2014185113A1 (ja) | エレクトロルミネッセンス装置 | |
KR101744875B1 (ko) | 유기발광소자 | |
KR20150136798A (ko) | 유기 발광 표시 패널 및 그의 제조 방법 | |
US20100078646A1 (en) | Display device | |
US10797127B2 (en) | Electroluminescent display device | |
US20190326551A1 (en) | Organic light emitting diode display device and manufacturing method thereof | |
JP2011040347A (ja) | 有機el装置 | |
JP2011090840A (ja) | 有機el装置、有機el装置の製造方法、及び、有機el装置の製造装置 | |
JP2008016699A (ja) | 有機el表示装置 | |
JP2005294057A (ja) | 自発光型表示装置 | |
JP2009181865A (ja) | 表示装置 | |
JP2009110865A (ja) | 表示装置 |