TW201508913A - 有機電致發光顯示裝置 - Google Patents

有機電致發光顯示裝置 Download PDF

Info

Publication number
TW201508913A
TW201508913A TW103127501A TW103127501A TW201508913A TW 201508913 A TW201508913 A TW 201508913A TW 103127501 A TW103127501 A TW 103127501A TW 103127501 A TW103127501 A TW 103127501A TW 201508913 A TW201508913 A TW 201508913A
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
inspection
organic
electrode
region
layer
Prior art date
Application number
TW103127501A
Other languages
English (en)
Other versions
TWI543359B (zh
Inventor
Toshihiro Sato
Masamitsu Furuie
Naoki Uetake
Original Assignee
Japan Display Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Japan Display Inc filed Critical Japan Display Inc
Publication of TW201508913A publication Critical patent/TW201508913A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI543359B publication Critical patent/TWI543359B/zh

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/121—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements
    • H10K59/1213—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements the pixel elements being TFTs
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80—Constructional details
    • H10K59/88—Dummy elements, i.e. elements having non-functional features
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K50/841—Self-supporting sealing arrangements
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/123—Connection of the pixel electrodes to the thin film transistors [TFT]
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/131—Interconnections, e.g. wiring lines or terminals
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80—Constructional details
    • H10K59/87—Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K59/871—Self-supporting sealing arrangements
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/70—Testing, e.g. accelerated lifetime tests
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/1201—Manufacture or treatment

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Geometry (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)

Abstract

本發明之有機EL(電致發光)顯示裝置包含：顯示區域320，其具有進行發光之發光區域之像素呈矩陣狀地配置；及檢查區域330，其形成於顯示區域之周圍；顯示區域包含：複數個第1電極376，其等分別設置於像素；發光有機層377，其於發光區域中與第1電極相接地形成，且由包含發光層之複數層有機材料層構成；及第2電極378，其與發光有機層相接地形成，且覆蓋顯示區域而形成；檢查區域包含：檢查用第1電極382，其與複數個第1電極之各者電性獨立，並且於檢查區域中電性一體；檢查用有機層383，其包含複數層有機材料層中之至少一層有機材料層，且與檢查用第1電極相接；及檢查用第2電極384，其與檢查用有機層相接地形成。

Description

有機電致發光顯示裝置
本發明係關於一種有機EL(電致發光)顯示裝置。
近年來，使用被稱為有機發光二級體(OLED：Organic Light Emitting Diode)之自發光體之圖像顯示裝置(以下稱為「有機EL(Electro-luminescent，電致發光)顯示裝置」)已實用化。該有機EL顯示裝置與先前之液晶顯示裝置相比係使用自發光體，因此不僅於視認性、響應速度之方面優異，且不需要如背光之輔助照明裝置，故而可進一步薄型化。
用於此種有機EL顯示裝置之有機EL元件吸收水分便會劣化，因此實施有如下等對策：於有機EL面板中，於形成有發光層之TFT(Thin Film Transistor，薄膜電晶體)基板上以樹脂貼附密封玻璃基板而進行密封。
日本專利特開平10-321367號公報揭示有對於有機EL顯示器之顯示區域內之像素檢測電流洩漏之評估裝置。
已知TFT基板係於表面以覆蓋顯示區域及周邊電路區域之全部之方式形成密封膜，若密封膜有缺損，則外部大氣之水分會自此處滲入而產生發光層之劣化。該密封層之缺損若產生於顯示區域內，則可於檢查步驟中作為黑點(dark spot)而檢測出，但在產生於顯示區域外側 (且下述之水分阻隔區域內側)之情形時無法直接作為黑點而檢測出，從而有如下可能性：於流出至市場後隨時間經過自顯示區域之外側成為點亮不良，即，成為被稱為所謂之黑邊之顯示不良。
為防止此種於市場上之黑邊之產生，亦考慮於製造步驟中進行老化處理以確認黑邊之有無，但有導致製造成本上升及產能惡化之虞。
本發明係鑒於上述情況而成者，其目的在於提供一種抑制製造成本並且抑制出貨後之點亮不良之產生的有機EL顯示裝置。
本發明之有機EL顯示裝置之特徵在於包含：顯示區域，其具有進行發光之發光區域之像素呈矩陣狀地配置；及檢查區域，其形成於上述顯示區域之周圍；上述顯示區域包含：複數個第1電極，其等分別設置於上述像素；發光有機層，其於上述發光區域中與上述第1電極相接地形成，且由包含發光層之複數層有機材料層構成；及第2電極，其與上述發光有機層相接地形成，且覆蓋上述顯示區域而形成；上述檢查區域包含：檢查用第1電極，其與上述複數個第1電極之各者電性獨立，並且於上述檢查區域中電性一體或包含複數個區塊；檢查用有機層，其包含上述複數層有機材料層中之至少一層有機材料層，且與上述檢查用第1電極相接；及檢查用第2電極，其與上述檢查用有機層相接地形成。
又，本發明之有機EL顯示裝置中亦可為，上述檢查用有機層係自上述發光有機層之上述至少一層有機材料層連續地形成，上述檢查用第2電極係自上述第2電極連續地形成且電性一體。
又，本發明之有機EL顯示裝置中亦可為，上述檢查用有機層僅由不發光之有機層構成。
又，本發明之有機EL顯示裝置中亦可為，上述顯示區域進而包含作為絕緣膜之像素隔離膜，該像素隔離膜以覆蓋上述複數個第1電 極之端部之方式且以格子狀之圖案形成，上述像素隔離膜於上述檢查區域中亦以上述顯示區域之上述格子狀之圖案連續地形成。
又，本發明之有機EL顯示裝置中亦可為，於上述第2電極及上述檢查用第2電極上形成有第1密封膜，該第1密封膜於上述顯示區域及上述檢查區域連續，用於防止水分滲入，且上述第1密封膜上之至少上述檢查區域被包含導電材料之檢查用第3電極覆蓋，進而亦可為，於上述檢查用第3電極上形成有第2密封膜，該第2密封膜於上述顯示區域及上述檢查區域連續，用於防止水分滲入，且上述第2密封膜上之至少上述檢查區域被包含導電材料之檢查用第4電極覆蓋。
又，本發明之有機EL顯示裝置亦可為進而包含：周邊電路區域，其位於上述檢查區域之周圍，且配置有使用薄膜電晶體之電路；及阻隔區域，其形成於上述檢查區域與上述周邊電路區域之間，包含自上述檢查區域之上述檢查用第2電極連續地形成之電極層，且自上述電極層至作為基材之絕緣基板僅由無機材料層構成。
100‧‧‧有機EL顯示裝置
110‧‧‧上框架
120‧‧‧下框架
200‧‧‧有機EL面板
300‧‧‧TFT基板
310‧‧‧像素
320‧‧‧顯示區域
330‧‧‧阻隔內側區域
340‧‧‧阻隔區域
350‧‧‧周邊電路區域
361‧‧‧漏電流檢測用端子
362‧‧‧陽極端子
363‧‧‧陰極端子
371‧‧‧玻璃基板
372‧‧‧薄膜電晶體層
373‧‧‧有機平坦化膜
374‧‧‧有機障壁
375‧‧‧反射膜
376‧‧‧陽極電極
377‧‧‧發光有機層
378‧‧‧陰極電極
379‧‧‧密封膜
382‧‧‧陽極電極
383‧‧‧發光有機層
384‧‧‧陰極電極
385‧‧‧配線
388‧‧‧接觸部
389‧‧‧異物
400‧‧‧密封基板
401‧‧‧玻璃基板
402‧‧‧黑矩陣
403‧‧‧彩色濾光片
404‧‧‧保護層
410‧‧‧透明樹脂
421‧‧‧電極層
422‧‧‧密封膜
423‧‧‧電極層
圖1概略性地表示本發明之實施形態之有機EL顯示裝置。
圖2係表示有機EL面板之構成之俯視圖。
圖3係表示圖2之III-III線處之剖面之圖。
圖4係用於說明異物混入至阻隔內側區域時之電流洩漏之產生之圖。
圖5係將圖2之A所示之區域放大表示之圖。
圖6係概略性地表示上述實施形態之第1變化例之有機EL面板之阻隔內側區域的剖面之圖。
圖7係概略性地表示上述實施形態之第2變化例之有機EL面板之阻隔內側區域的剖面之圖。
圖8係上述實施形態之第3變化例之有機EL面板之與圖5相同之視 野下的放大圖。
圖9係以與圖8相同之視野表示其他變化例之圖。
以下，一面參照圖式一面對本發明之實施形態進行說明。再者，圖式中，對於同一或同等之要素標註同一符號，並省略重複之說明。
圖1中概略性地表示本發明之實施形態之有機EL顯示裝置100。如該圖所示，有機EL顯示裝置包含以夾於上框架110與下框架120之間之方式固定之有機EL面板200。
圖2係表示有機EL面板200之構成之俯視圖。有機EL面板200包含TFT基板300及藉由透明樹脂410(於之後敍述)而接著於TFT基板300之密封基板400，且如該圖所示包含：顯示區域320，其配置有陽極電極376(於之後敍述)，且呈矩陣狀地配置有基於灰階值進行發光之像素310；周邊電路區域350，其配置於顯示區域320之周圍，且形成有對陰極電極378(於之後敍述)施加電位之電路；阻隔區域340，其形成於顯示區域320與周邊電路區域350之間，藉由自陰極電極378至玻璃基板371僅由無機材料構成而阻隔水分之往來；及阻隔內側區域330，其形成於顯示區域320與阻隔區域340之間。
又，於TFT基板300之未重疊密封基板400之部分，露出有自形成於TFT基板300上之電路延伸出且用於與外部電性連接之端子，其中包含：陽極端子362，其連接於下述陽極電極；陰極端子363，其連接於陰極電極378及384；及漏電流檢測用端子361。由於自外部滲入之水分經由有機膜前進，故而藉由設置僅由無機材料構成之阻隔區域340，可防止例如於周邊電路區域350滲入之水分滲入至顯示區域320。
圖3係表示沿圖2之III-III線處之剖面之圖。如該圖所示，有機EL 面板200之TFT基板300包含：作為絕緣基板之玻璃基板371；薄膜電晶體層372，其於玻璃基板371形成有具有藉由例如LTPS(Low-Temperature Poly Silicon，低溫多晶矽)所形成之電晶體之像素電路及周邊電路；作為有機絕緣膜之有機平坦化膜373，其主要用於使形成有薄膜電晶體層372之區域平坦化；作為有機絕緣膜之有機障壁(像素隔離膜)374，其以覆蓋成膜於有機平坦化膜373之通孔之陽極電極376等導電膜之端部之方式形成；反射膜375，其配置於陽極電極376之玻璃基板371側，用於使已發光之光反射；發光有機層377，其包含負責發光之發光層、及/或電洞傳輸層或電子注入層等共用層；陰極電極378，其為與陽極電極376對向之電極；及密封膜379，其以覆蓋TFT基板300之整個面之方式成膜，由無機膜或無機膜與有機膜之積層構造等形成。再者，用於密封膜379之無機膜係使用不讓水分透過之SiN或SiO等，且藉由CVD(Chemical Vapor Deposition，化學氣相沈積)等而形成。又，本實施形態中係使用由有機絕緣膜構成之有機障壁374，但亦可為由無機絕緣膜構成之無機障壁。
又，隔著透明樹脂410而配置於TFT基板300之密封基板400包含：作為絕緣基板之玻璃基板401；R(紅)G(綠)B(藍)之彩色濾光片403，其主要於顯示區域320，在各像素310使特定波長區域之光透過；作為遮光膜之黑矩陣402，其用於防止自像素310間之漏光；及作為有機材料之保護層404，其覆蓋彩色濾光片403及黑矩陣402。
此處，於顯示區域320內之薄膜電晶體層372配置有控制各像素310之發光之像素電晶體，而於阻隔內側區域330未配置像素電晶體。又，阻隔內側區域330包含陽極電極382、發光有機層383及陰極電極384，該等係以與顯示區域320之像素310相同之步驟而積層。又，發光有機層383及陰極電極384係自顯示區域320連續地形成。陽極電極382於阻隔內側區域330中共用而成為電性一體，且經由通孔而與薄膜 電晶體層372之配線385連接。配線385與圖2之漏電流檢測用端子361電性連接。
再者，本實施形態中，發光有機層383及陰極電極384係自顯示區域320連續地形成，但亦可不自顯示區域320連續，而分別分割而形成。又，本實施形態中，阻隔內側區域330之發光有機層383之積層構造與顯示區域320之像素310之發光有機層377之積層構造相同，但亦可具有與顯示區域之像素310之積層構造不同之積層構造。例如，於顯示區域320之發光有機層377具有所謂之串疊構造之2層之發光層之情形時，發光有機層383之積層構造可僅為1層，亦可不含發光層而僅由電洞傳輸層、電子輸送層及電荷產生層等共用層等之一部分層形成。
圖4係用於說明異物389混入至阻隔內側區域330時之電流洩漏之產生之圖。例如，於形成密封膜379時異物389附著於TFT基板300之情形時，考慮到在與密封基板400貼合時等，發光有機層383會與密封膜379或陰極電極384一併被破壞。於此種情形時，若於陽極電極382與陰極電極384之間施加電壓，則會產生漏電流。藉由計測該電流，可檢測出異物，即，可檢測出發光有機層383等之破壞。再者，計測漏電流時，電壓施加之方向可為發光層進行發光之方向，亦可為其相反方向。
圖5係將圖2之A所示之區域放大表示之圖。為進行說明，以實線表示形成有陽極電極376、382及有機障壁374之區域。如該圖所示，於顯示區域320，配合像素310之配置而呈矩陣狀地排列有陽極電極376，且各陽極電極376之周圍形成有有機障壁374。於顯示區域320之周圍之阻隔內側區域330，陽極電極382以一體化地覆蓋之方式配置。陽極電極382於接觸部388與配線385連接，從而與連接至外部之漏電流檢測用端子361電性相連。
如以上所說明，根據本實施形態，由於設為檢測於發光有機層383缺損時會產生之陽極電極382與陰極電極384之間之電流洩漏，故而可容易地檢測於阻隔內側區域330即顯示區域320之外側所產生之不良。藉此，可減少製品出貨後之黑邊所引起之點亮不良，因此可進一步延長出貨製品之耐用時間，提高品質。又，由於無需出貨前檢查之長時間之老化處理，故而可降低製造成本，提高產能。
圖6係概略性地表示上述實施形態之第1變化例之有機EL面板之阻隔內側區域330的剖面之圖。該第1變化例與上述實施形態之不同點係於密封膜379上進而具有電極層421。電極層421係與陽極電極382同樣地經由通孔而與漏電流檢測用端子連接，從而可檢查陰極電極384與電極層421之間之漏電流。藉由設為此種構成，不僅可檢查發光有機層383缺損時之漏電流，亦可檢查密封膜379有缺損時之漏電流。又，電極層421亦具有散熱之效果或抗電磁波之效果。
圖7係概略性地表示上述實施形態之第2變化例之有機EL面板之阻隔內側區域330的剖面之圖。該第2變化例中，於圖6之第1變化例之阻隔內側區域330進而依序重疊形成有密封膜422及電極層423。藉由設為此種構成，進而可檢查密封膜422有缺損時之漏電流。
圖8係上述實施形態之第3變化例之有機EL面板之與圖5相同之視野下的放大圖。與圖5同樣地，以實線表示形成有陽極電極376、382及有機障壁374之區域。如該圖所示，於顯示區域320，配合像素310之配置而呈矩陣狀地排列有陽極電極376，且各陽極電極376之周圍形成有有機障壁374。進而，於阻隔內側區域330，亦與顯示區域320同樣地，以相同大小、相同間距形成有有機障壁374，且其以填滿阻隔內側區域330之方式形成。阻隔內側區域330之陽極電極382以與顯示區域320相同之大小配置，且電性一體地形成。藉由以此方式形成，與顯示區域320之像素310同樣之表面凹凸之環境形成於阻隔內側區域 330，而可以較高之精度進行異物等之檢查。又，可藉由同樣之半導體製造製程而形成，因此可提高製程之穩定性，而提高良率。
圖9係圖8所示之實施形態之其他變化例。將阻隔內側區域330之陽極電極382之尺寸設為遍及複數個像素而連續之形狀，且設為以複數個區域分割阻隔內側區域330之陽極電極382a、382b、382c等。於該構造中，可增加有機EL面板內之各種佈局之自由度。被分割成複數之各陽極電極382可以成為電性一體之方式配線，亦可配線於各區塊不同之端子。於設為各區塊不同之配線之情形時，基於被檢測出漏電流之區塊位置，容易特定出成為異常之產生部位，從而對製程之改善等有效果。
再者，於上述各實施形態中，陽極電極376與陰極電極378之電性關係即便交換，亦可以同樣之構成獲得同樣之效果。
雖對本發明之特定實施例進行了說明，但應瞭解可對其進行各種變更，且隨附之申請專利範圍意在包含本發明之真實精神及範圍內之所有變更。
320‧‧‧顯示區域
330‧‧‧阻隔內側區域
340‧‧‧阻隔區域
350‧‧‧周邊電路區域
371‧‧‧玻璃基板
372‧‧‧薄膜電晶體層
373‧‧‧有機平坦化膜
374‧‧‧有機障壁
375‧‧‧反射膜
376‧‧‧陽極電極
377‧‧‧發光有機層
378‧‧‧陰極電極
379‧‧‧密封膜
382‧‧‧陽極電極
383‧‧‧發光有機層
384‧‧‧陰極電極
385‧‧‧配線
401‧‧‧玻璃基板
402‧‧‧黑矩陣
403‧‧‧彩色濾光片
404‧‧‧保護層
410‧‧‧透明樹脂

Claims (7)

  1. 一種有機EL顯示裝置，其特徵在於包含：顯示區域，其像素具有進行發光之發光區域且呈矩陣狀地配置；及檢查區域，其形成於上述顯示區域之周圍；上述顯示區域包含：複數個第1電極，其等分別設置於上述像素；發光有機層，其於上述發光區域中與上述第1電極相接地形成，且由包含發光層之複數層有機材料層構成；及第2電極，其與上述發光有機層相接地形成，且覆蓋上述顯示區域而形成；上述檢查區域包含：檢查用第1電極，其與上述複數個第1電極之各者電性獨立，並且於上述檢查區域中電性一體或包含複數個區塊；檢查用有機層，其包含上述複數層有機材料層中之至少一層有機材料層，且與上述檢查用第1電極相接；及檢查用第2電極，其與上述檢查用有機層相接地形成。
  2. 如請求項1之有機EL顯示裝置，其中上述檢查用有機層係自上述發光有機層之上述至少一層有機材料層連續地形成，上述檢查用第2電極係與上述第2電極連續地形成且電性一體。
  3. 如請求項1之有機EL顯示裝置，其中上述檢查用有機層僅由不發光之有機層構成。
  4. 如請求項1之有機EL顯示裝置，其中上述顯示區域進而包含作為絕緣膜之像素隔離膜，該像素隔離膜以覆蓋上述複數個第1電極 之端部之方式且以格子狀之圖案形成，上述像素隔離膜於上述檢查區域中亦以上述顯示區域之上述格子狀之圖案連續地形成。
  5. 如請求項1之有機EL顯示裝置，其中於上述第2電極及上述檢查用第2電極上形成有第1密封膜，該第1密封膜於上述顯示區域及上述檢查區域連續，用於防止水分滲入，且上述第1密封膜上之至少上述檢查區域被包含導電材料之檢查用第3電極覆蓋。
  6. 如請求項5之有機EL顯示裝置，其中於上述檢查用第3電極上形成有第2密封膜，該第2密封膜於上述顯示區域及上述檢查區域連續，用於防止水分滲入，且上述第2密封膜上之至少上述檢查區域被包含導電材料之檢查用第4電極覆蓋。
  7. 如請求項1之有機EL顯示裝置，其進而包含：周邊電路區域，其位於上述檢查區域之周圍，且配置有使用薄膜電晶體之電路；及阻隔區域，其形成於上述檢查區域與上述周邊電路區域之間，包含自上述檢查區域之上述檢查用第2電極連續地形成之電極層，且自上述電極層至作為基材之絕緣基板僅由無機材料層構成。
TW103127501A 2013-08-30 2014-08-11 有機電致發光顯示裝置 TWI543359B (zh)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2013179268A JP2015049972A (ja) 2013-08-30 2013-08-30 有機ｅｌ表示装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201508913A true TW201508913A (zh) 2015-03-01
TWI543359B TWI543359B (zh) 2016-07-21

Family

ID=52581887

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW103127501A TWI543359B (zh) 2013-08-30 2014-08-11 有機電致發光顯示裝置

Country Status (5)

Country Link
US (2) US9472761B2 (zh)
JP (1) JP2015049972A (zh)
KR (1) KR101612190B1 (zh)
CN (1) CN104425559B (zh)
TW (1) TWI543359B (zh)

Families Citing this family (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104766930B (zh) 2015-04-17 2017-07-25 京东方科技集团股份有限公司 Oled基板及其制备方法、显示装置
KR102446857B1 (ko) * 2015-05-26 2022-09-23 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
US10340479B2 (en) * 2015-08-27 2019-07-02 Sharp Kabushiki Kaisha Electroluminescence device
JP6684589B2 (ja) * 2015-12-25 2020-04-22 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置
JP6634290B2 (ja) * 2016-01-04 2020-01-22 株式会社ジャパンディスプレイ 有機ｅｌ表示装置
CN105632959B (zh) * 2016-01-05 2019-01-22 京东方科技集团股份有限公司 一种阵列基板及其制备方法和显示装置
JP6676998B2 (ja) * 2016-02-10 2020-04-08 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置、および電子機器
JP2017157406A (ja) * 2016-03-01 2017-09-07 株式会社ジャパンディスプレイ 有機ｅｌ表示装置
JP2017168308A (ja) * 2016-03-16 2017-09-21 株式会社Ｊｏｌｅｄ 表示装置
WO2018061195A1 (ja) * 2016-09-30 2018-04-05 シャープ株式会社 有機ｅｌ表示装置および有機ｅｌ表示装置の製造方法
WO2018179212A1 (ja) * 2017-03-30 2018-10-04 シャープ株式会社 有機ｅｌ表示装置および有機ｅｌ表示装置の製造方法
WO2019187101A1 (ja) * 2018-03-30 2019-10-03 シャープ株式会社 表示デバイス及びその製造方法
KR102665221B1 (ko) * 2018-12-17 2024-05-09 엘지디스플레이 주식회사 유기 발광 표시장치 및 이의 제조 방법
JP7373103B2 (ja) * 2019-01-17 2023-11-02 ＪＤＩ Ｄｅｓｉｇｎ ａｎｄ Ｄｅｖｅｌｏｐｍｅｎｔ 合同会社 表示パネルおよび電子機器
US20220093703A1 (en) * 2019-02-04 2022-03-24 Sharp Kabushiki Kaisha Display device
CN111490083A (zh) * 2020-04-20 2020-08-04 京东方科技集团股份有限公司 显示面板及其制备方法、边缘裂纹检测方法、显示装置
KR20220075071A (ko) * 2020-11-27 2022-06-07 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 이의 불량 검사 방법
KR20220094808A (ko) * 2020-12-29 2022-07-06 엘지디스플레이 주식회사 표시 장치

Family Cites Families (25)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE69108062T2 (de) * 1990-01-17 1995-07-20 Toshiba Kawasaki Kk Flüssigkristall-Anzeigevorrichtung mit aktiver Matrix.
KR960014823B1 (ko) * 1991-03-15 1996-10-21 가부시기가이샤 히다찌세이사구쇼 액정표시장치
JPH10321367A (ja) 1997-05-23 1998-12-04 Tdk Corp 有機ｅｌディスプレイの評価装置および評価方法
JP2001223074A (ja) 2000-02-07 2001-08-17 Futaba Corp 有機エレクトロルミネッセンス素子及びその駆動方法
SG114529A1 (en) * 2001-02-23 2005-09-28 Semiconductor Energy Lab Method of manufacturing a semiconductor device
US6949883B2 (en) 2001-12-06 2005-09-27 Seiko Epson Corporation Electro-optical device and an electronic apparatus
CN100477250C (zh) * 2001-12-06 2009-04-08 精工爱普生株式会社 电光学装置及其电子仪器
KR100925455B1 (ko) * 2002-08-19 2009-11-06 삼성전자주식회사 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판 및 이를 포함하는 액정 표시 장치
JP2004192925A (ja) * 2002-12-10 2004-07-08 Toshiba Matsushita Display Technology Co Ltd 有機ｅｌ表示パネル及びその検査方法
JP4285158B2 (ja) * 2003-08-29 2009-06-24 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置及び電子機器
JP4627148B2 (ja) * 2004-04-09 2011-02-09 株式会社 日立ディスプレイズ 表示装置
JP2006054111A (ja) * 2004-08-12 2006-02-23 Sony Corp 表示装置
KR100698689B1 (ko) * 2004-08-30 2007-03-23 삼성에스디아이 주식회사 발광 표시장치와 그의 제조방법
JP3944652B2 (ja) * 2005-04-18 2007-07-11 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置及び電子機器
KR100712214B1 (ko) * 2005-07-14 2007-04-27 삼성에스디아이 주식회사 유기전계발광표시소자
JP2007287354A (ja) * 2006-04-12 2007-11-01 Hitachi Displays Ltd 有機ｅｌ表示装置
JP4927462B2 (ja) * 2006-07-07 2012-05-09 株式会社 日立ディスプレイズ 有機ｅｌ表示装置
US20080121901A1 (en) * 2006-11-23 2008-05-29 Haksu Kim Light emitting device
US20080284690A1 (en) * 2007-05-18 2008-11-20 Sam Min Ko Organic light emitting display device
JP2009110865A (ja) * 2007-10-31 2009-05-21 Toshiba Matsushita Display Technology Co Ltd 表示装置
JP5396905B2 (ja) * 2008-04-01 2014-01-22 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置及び電子機器
JP2009277549A (ja) * 2008-05-15 2009-11-26 Toshiba Mobile Display Co Ltd 有機ｅｌパネル、及び有機ｅｌパネルの欠陥検出方法
JP2013084619A (ja) 2013-01-07 2013-05-09 Sony Corp 表示装置
JP6102543B2 (ja) * 2013-06-17 2017-03-29 セイコーエプソン株式会社 液晶装置の駆動方法、液晶装置、電子機器
JP6114664B2 (ja) * 2013-08-29 2017-04-12 株式会社ジャパンディスプレイ 有機ｅｌ表示装置

Also Published As

Publication number Publication date
CN104425559B (zh) 2017-05-17
JP2015049972A (ja) 2015-03-16
US9472761B2 (en) 2016-10-18
CN104425559A (zh) 2015-03-18
US20150060819A1 (en) 2015-03-05
TWI543359B (zh) 2016-07-21
US9865666B2 (en) 2018-01-09
US20160365399A1 (en) 2016-12-15
KR20150026922A (ko) 2015-03-11
KR101612190B1 (ko) 2016-04-12

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI543359B (zh) 有機電致發光顯示裝置
JP6114664B2 (ja) 有機ｅｌ表示装置
JP6104099B2 (ja) 有機ｅｌ表示装置
JP6169005B2 (ja) 発光素子表示装置
US9954041B2 (en) Organic electroluminescence display device
JP6282832B2 (ja) 有機ｅｌ表示装置
US10062846B2 (en) Display device
JP6133173B2 (ja) 有機エレクトロルミネッセンス表示装置
JP2016134236A (ja) 表示装置
KR101678745B1 (ko) 유기 전계 발광 표시장치
JP6714401B2 (ja) 表示装置
JP6830011B2 (ja) 有機ｅｌ表示装置
US20100078646A1 (en) Display device
JP2016096076A (ja) 有機ｅｌ表示装置及びその製造方法
CN107799551B (zh) 显示装置
US20180287101A1 (en) Display device and method of manufacturing a display device
JP2008288032A (ja) 有機ｅｌ表示装置、および、有機ｅｌ表示装置の製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
MM4A Annulment or lapse of patent due to non-payment of fees