WO2018179212A1

WO2018179212A1 - 有機ｅｌ表示装置および有機ｅｌ表示装置の製造方法

Info

Publication number: WO2018179212A1
Application number: PCT/JP2017/013234
Authority: WO
Inventors: 哲憲田中
Original assignee: シャープ株式会社
Priority date: 2017-03-30
Filing date: 2017-03-30
Publication date: 2018-10-04
Also published as: US20210111365A1; US11309512B2

Abstract

有機ＥＬ表示装置（１）は、有機ＥＬ層（３２）を介在させて対向配置された反射電極（２０）および透明電極（３３）とを備え、反射電極（２０）は、反射膜（２２）と、反射膜（２２）上に形成された保護膜（２３）を有し、保護膜（２３）は、有機ＥＬ層（３２）の周囲を枠状に囲む枠状部（２３ａ）と、枠状部（２３ａ）に囲まれた開口部（２３ｂ）とを有する。これにより、反射電極を保護しつつ、反射電極の反射率を向上させる。

Description

有機ＥＬ表示装置および有機ＥＬ表示装置の製造方法

　本発明は、有機ＥＬ表示装置および有機ＥＬ表示装置の製造方法に関する。

　有機ＥＬ表示装置では、各画素に、光を発光する有機ＥＬ層と、有機ＥＬ層の下層に配置された反射電極と、有機ＥＬ層の上層に配置された対向電極が配置されている。

　特許文献１では、反射電極の表面に仕事関数が大きい透明電極を積層することが好ましいとして、反射電極の表面にＩＴＯ（Indium Tin Oxide）から構成される透明電極を積層している。

日本国公開特許公報「特開２０１４－１４５８５７号」

　特許文献１の構成によると、有機ＥＬ層から発光された光であって反射電極の方向に向かう光は、ＩＴＯから構成される透明電極を透過し、反射電極によって反射され、再度、透明電極を透過し、有機ＥＬ層を介して外部に出射される。

　しかし、この反射電極の表面に透明電極を積層すると、反射電極の表面に透明電極を積層しない構成と比べて、反射電極での反射率が低下する。特に、赤色等の高波長領域よりも、青色等の低波長領域の波長帯の反射率の低下が大きくなる。

　本発明は、上記従来の問題点に鑑みなされたものであって、その目的は、反射電極を保護しつつ、反射電極の反射率を向上させることである。

　上記の課題を解決するために、本発明の一態様に係る有機ＥＬ表示装置は、有機ＥＬ層と、第１反射膜を有する反射電極と、上記有機ＥＬ層を介在させて上記反射電極と対向配置された透明電極と、上記反射電極上であって、当該反射電極と上記有機ＥＬ層との間に配置された第１保護膜とを備え、上記第１保護膜は、上記有機ＥＬ層の周囲を枠状に囲む枠状部と、当該枠状部に囲まれた開口部または当該枠状部に囲まれ当該枠状部より膜厚が薄い薄膜部とを有することを特徴とする。

　上記の課題を解決するために、本発明の一態様に係る有機ＥＬ表示装置の製造方法は、有機ＥＬ層を介在させて対向配置された反射電極および透明電極を備える有機ＥＬ表示装置の製造方法であって、上記反射電極となる第１反射膜を形成する反射膜形成工程と、
　上記第１反射膜上に直接または他の層を介して第１保護膜を、当該第１反射膜の全面を覆うように形成する保護膜成膜工程と、上記第１保護膜のうち、上記有機ＥＬ層の形成領域を除去するか、または、当該有機ＥＬ層の形成領域を、当該有機ＥＬ層の形成領域を囲む枠状部より膜厚を薄くする保護膜加工工程とを有することを特徴とする。

　本発明の一態様によれば、反射電極を保護しつつ、反射電極の反射率を向上させるという効果を奏する。

本発明の実施形態１に係る有機ＥＬ表示装置の構成を表す断面図である。本発明の実施形態１に係る有機ＥＬ表示装置の反射電極およびエッジカバーの平面図である。（ａ）は本発明の実施形態１に係る有機ＥＬ表示装置の反射電極及び反射電極上の保護膜と、配線及び配線上の保護膜とを表す断面図であり、（ｂ）は反射電極上の保護膜をエッチングした後の様子を表す断面図である。本発明の実施形態２に係る有機ＥＬ表示装置の構成を表す断面図である。（ａ）は本発明の実施形態２に係る有機ＥＬ表示装置の反射電極及び反射電極上の保護膜と、配線及び配線上の保護膜とを表す断面図であり、（ｂ）は反射電極上の保護膜をエッチングした後の様子を表す断面図である。本発明の実施形態３に係る有機ＥＬ表示装置の構成を表す断面図である。（ａ）は本発明の実施形態３に係る有機ＥＬ表示装置の反射電極及び反射電極上の保護膜と、配線及び配線上の保護膜を表す断面図であり、（ｂ）は反射電極上の保護膜をエッチングした後の様子を表す断面図である。本発明の実施形態４に係る有機ＥＬ表示装置の構成を表す断面図である。（ａ）は本発明の実施形態４に係る有機ＥＬ表示装置の反射電極及び反射電極上の保護膜と、配線及び配線上の保護膜を表す断面図であり、（ｂ）は反射電極上の保護膜をエッチングした後の様子を表す断面図である。本発明の実施形態１に係る有機ＥＬ表示装置において、エッジカバー下に配線を形成した例を示す図である。図１０に示す有機ＥＬ表示装置の画素の平面図である。本発明の実施形態５に係る有機ＥＬ表示装置の画素回路の構成を表す図である。本発明の実施形態５に係る有機ＥＬ表示装置の画素の断面図である。本発明の実施形態５に係る有機ＥＬ表示装置の画素の平面図である。

　〔実施形態１〕
　本発明の実施形態１について、図１～図３に基づいて説明する。

　（有機ＥＬ表示装置１の構成）
　図１は、本発明の実施形態１に係る有機ＥＬ表示装置１の構成を表す断面図である。

　図１では、有機ＥＬ表示装置１のうち、マトリクス状に配置された画素ＰＩＸによって画像を表示する領域である表示領域を図示している。なお、図示しないが、有機ＥＬ表示装置１は、表示領域の周囲に、当該表示領域を囲み画素ＰＩＸが配置されていない周辺領域である額縁領域を有している。

　有機ＥＬ表示装置１は、ＴＦＴ（Thin Film Transistor）基板１０上に、反射電極２０及び配線（第２配線）２５と、保護膜（第１保護膜）２３および保護膜（第２保護膜）２８と、有機ＥＬ層３２と、エッジカバー３１と、透明電極３３と、封止層３４とが形成された構成を有している。有機ＥＬ表示装置１は、各画素ＰＩＸを駆動させるための図示しない駆動回路を備えている。有機ＥＬ表示装置１は、さらに、タッチパネルを備えていてもよい。

　ＴＦＴ基板１０は、支持体１１と、ＴＦＴ１２（トランジスタ、駆動素子）及び配線（第１配線）１６と、パッシベーション膜（絶縁膜）１３と、層間絶縁膜（絶縁膜）１４とが、この順に形成された構成を有している。

　支持体１１は、プラスチックフィルム、またはガラス基板などの透明な絶縁性の材料からなる。

　ＴＦＴ１２は、有機ＥＬ層３２に駆動電流を供給するための駆動用トランジスタである。ＴＦＴ１２は、支持体１１上又は他の層を介して、各画素ＰＩＸに形成されている。ＴＦＴ１２は、図示しないが、半導体層、ゲート電極、ドレイン電極およびソース電極を有している。

　配線１６は、ＴＦＴ１２のゲート電極またはドレイン電極およびソース電極と同層に形成される配線である。ＴＦＴ基板１０には、ＴＦＴ１２のゲート電極に接続されたゲート配線と、ＴＦＴ１２のソース電極に接続されたソース配線とが形成されている。配線１６は、このゲート配線であってもよいし、ソース配線であってもよいし、その他の配線であってもよい。配線１６は、ゲート配線である場合はＴＦＴ１２のゲート電極と同層に形成され、ソース配線である場合はＴＦＴ１２のソース電極と同層に形成される。なお、配線１６は、表示領域ではなく、額縁領域に形成されていてもよい。配線１６は、発光領域（エッジカバー３１で囲まれた領域であって、有機ＥＬ層３２の形成領域）間に形成されていてもよい。

　ＴＦＴ基板１０の基板面に対し垂直方向から見たときに、ゲート配線とソース配線とは、直交するように交差している。ゲート配線とソース配線とによって区画されている領域が画素ＰＩＸである。

　パッシベーション膜１３はＴＦＴ１２における金属膜の剥離を防止し、ＴＦＴ１２を保護する。パッシベーション膜１３は支持体１１上又は他の層を介して形成されており、ＴＦＴ１２を覆っている。パッシベーション膜１３は、窒化シリコンや酸化シリコンなどからなる無機絶縁性膜である。

　層間絶縁膜１４は、パッシベーション膜１３上の凹凸を平坦化する。層間絶縁膜１４はパッシベーション膜１３上に形成されている。層間絶縁膜１４はアクリルまたはポリイミドなどの感光性樹脂からなる有機絶縁膜である。

　反射電極２０は、層間絶縁膜１４上に形成されている。反射電極２０は、有機ＥＬ層３２に正孔（ホール）を注入（供給）し、透明電極３３は、有機ＥＬ層３２に電子を注入する。反射電極２０と透明電極３３とは、有機ＥＬ層３２を介在させて対向配置されている。なお、透明電極３３は半透明であってもよい。

　有機ＥＬ層３２は、低電圧直流駆動による高輝度発光が可能な発光素子である。有機ＥＬ層３２は、反射電極２０と透明電極３３との間に形成されている。なお、画素ＰＩＸ内に配置され、反射電極と有機ＥＬ層と透明電極とを含む構成を有機ＥＬ素子と称する場合がある。

　有機ＥＬ層３２に注入された正孔と電子とは、有機ＥＬ層３２において再結合されることによって、励起子が形成される。形成された励起子は励起状態から基底状態へと失活する際に、赤色光、緑色光、または青色光などの光を放出し、その放出された光が、有機ＥＬ層３２から透明電極３３および封止層３４を透過して有機ＥＬ表示装置１の外部に出射される。

　反射電極２０は、層間絶縁膜１４およびパッシベーション膜１３に形成されたコンタクトホールを介して、ＴＦＴ１２のドレイン電極と電気的に接続されている。

　図２は、エッジカバー３１及び反射電極２０の平面形状を表す図である。図１および図２に示すように、反射電極２０は、画素ＰＩＸ毎にマトリクス状に並んでパターン形成されている。

　反射電極２０は、層間絶縁膜１４上に形成された導電膜（第１導電膜）２１と、導電膜２１上に形成された反射膜（第１反射膜）２２とを有する。

　導電膜２１は、反射膜２２と層間絶縁膜１４との密着性を向上させるために、反射膜２２と層間絶縁膜１４との間に配置されている。導電膜２１は、反射膜２２と層間絶縁膜１４との密着性を向上させることができる導電材料から構成されていればよい。一例として、本実施形態では導電膜２１はＩＴＯから構成されているものとする。

　反射膜２２は、有機ＥＬ層３２から発光された光のうち、反射電極２０が配置されている方向に向かう光を反射し、有機ＥＬ層３２、透明電極３３および封止層３４を透過させて、有機ＥＬ表示装置１の外部へ出射させる。

　反射膜２２は、反射率が高い導電材料から構成することができる。一例として、本実施形態では反射膜２２は銀または銀合金から構成されているものとする。反射膜２２として銀合金を用いることで、有機ＥＬ表示装置１の製造過程において熱などが加わっても反射率が低下することを防止することができる。反射膜２２を構成する銀合金の例としては、銀-パラジウム-銅合金などを挙げることができる。

　保護膜２３は反射電極２０上（すなわち反射膜２２上）に形成される。保護膜２３は、有機ＥＬ層３２の周囲を枠状に囲む枠状部２３ａと、枠状部２３ａに囲まれた領域が開口した開口部２３ｂとを有する。

　保護膜２３は、有機ＥＬ表示装置１の製造過程において反射膜２２を、ＵＶ光、レジストの剥離液および熱などから保護するために反射膜２２の全面を覆うように形成されたあと、有機ＥＬ層３２の形成領域が除去されることで、開口部２３ｂと、その開口部２３ｂを囲む領域である枠状部２３ａとが形成される。保護膜２３の枠状部２３ａは、反射膜２２上であって有機ＥＬ層３２の周囲を囲むように反射膜２２の縁に沿って枠状に形成されている。

　保護膜２３は、導電材料または絶縁材料から構成することができる。保護膜２３は、ＩＴＯまたはＩＺＯ(Indium Zinc Oxide)など、導電膜２１と同じエッチング液によってパターン形成することが可能な材料を用いて構成することが好ましい。導電膜２１と保護膜２３とを同時にパターン形成することができるためである。一例として、本実施形態では保護膜２３はＩＴＯから構成されているものとする。

　エッジカバー３１は、反射電極２０の縁を覆うように層間絶縁膜１４上に格子状に形成されている。本実施形態では、エッジカバー３１は、保護膜２３の枠状部２３ａを覆っている。

　エッジカバー３１は、隣接する画素ＰＩＸ間に配置される。つまり、エッジカバー３１は隣接する画素ＰＩＸ間を区切る。エッジカバー３１は、有機ＥＬ層３２の縁が薄く形成された場合であっても反射電極２０と透明電極３３とが短絡することを防止する。また、エッジカバー３１を設けることによって、反射電極２０の縁における電界集中を防ぐ。これにより、有機ＥＬ層３２の劣化を防止することができる。エッジカバー３１は、アクリルまたはポリイミドなどの感光性樹脂から構成することができる。

　後述するように、枠状部２３ａは、エッジカバー３１をマスクとしてエッチングされる。このため、枠状部２３ａにおける有機ＥＬ層３２と接触している側面と、エッジカバー３１における有機ＥＬ層３２と接触している側面とは連続する平面である（すなわち面一となっており、同一平面を構成している）。

　有機ＥＬ層３２は、保護膜２３の枠状部２３ａに囲まれた領域およびエッジカバー３１に囲まれた領域内に形成されている。有機ＥＬ層３２は、保護膜２３の枠状部２３ａの内壁およびエッジカバー３１の内壁と接触している。保護膜２３の開口部２３ｂ内において有機ＥＬ層３２は下面（ＴＦＴ基板１０側の面）が反射膜２２と接触している。

　有機ＥＬ層３２をインクジェット法にて形成する場合、エッジカバー３１は、有機ＥＬ層３２となる液状材料を堰き止めるバンク（土手）として機能する。

　有機ＥＬ層３２は、蒸着法、インクジェット法などによって形成することができる。有機ＥＬ層３２は、反射電極２０側から、例えば、正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層、電子注入層等が、この順に積層された構成を有している。なお、一つの層が複数の機能を有していてもよい。例えば、正孔注入層および正孔輸送層に代えて、これら両層の機能を有する正孔注入層兼正孔輸送層が設けられていてもよい。また、電子注入層および電子輸送層に代えて、これら両層の機能を有する電子注入層兼電子輸送層が設けられていてもよい。また、各層の間に、適宜、キャリアブロッキング層が設けられていてもよい。

　図１に示すように、透明電極３３は、有機ＥＬ層３２上およびエッジカバー３１上を含む表示領域５全面に形成されている。なお、透明電極３３は画素ＰＩＸ毎に島状にパターン形成してもよい。透明電極３３は、透明な導電材料から構成されている。透明電極３３は、一例として、ＩＴＯまたはＩＺＯなどから構成することができる。本実施形態では透明電極３３はＩＴＯから構成されているものとする。

　また、画素ＰＩＸ内以外に、反射電極２０と同じ材料及び積層構造からなる引き回し用の配線２５が形成されている。図１では、配線２５が、層間絶縁膜１４上であって、額縁領域６に形成されている例を示している。

　配線２５は、層間絶縁膜１４上に形成された導電膜（第２導電膜）２６と、導電膜２６上に形成された反射膜（第２反射膜）２７とを有する。保護膜２８は配線２５上（すなわち反射膜２７上）に形成されている。導電膜２６は、反射電極２０の導電膜２１と同層に形成されている。反射膜２７は、反射電極２０の反射膜２２と同層に形成されている。保護膜２８は、保護膜２３と同層に形成されている。

　配線２５は、反射電極２０の形成時に併せて形成される。すなわち、導電膜２６は導電膜２１と同一材料および同一工程にて形成され、反射膜２７は反射膜２２と同一材料および同一工程にて形成される。また、保護膜２８は保護膜２３と同一材料および同一工程にて形成される。

　配線２５は、反射電極２０と同層に形成された配線である。基板に垂直な方向からみたとき、配線２５は、コンタクトホールが形成された領域以外の領域で、ＴＦＴ１２と同層に形成された配線１６と重なるように形成されている。これによると、配線２５は、膜厚が厚い層間絶縁膜１４を跨いで形成されるので不要な容量を形成せず、また、配線の抵抗を低く保ちつつ、発光領域（エッジカバー３１で囲まれた領域であって、有機ＥＬ層３２の形成領域）の面積を広くすることができる。

　エッジカバー３１は、配線２５上の保護膜２８も覆っている。

　封止層３４は、透明電極３３上、エッジカバー３１上、および層間絶縁膜１４上に形成されている。封止層３４は、表示領域５および額縁領域６の全面を封止する。封止層３４は、有機ＥＬ層３２を薄膜封止（TFE：Thin Film Encapsulation）することで、外部から浸入した水分や酸素によって有機ＥＬ層３２が劣化するのを防止する。

　封止層３４は、一例として、無機層、有機層、および無機層がこの順に積層された３層構造とすることができる。上記有機層の材料としては、例えば、ポリシロキサン、酸化炭化シリコン（ＳｉＯＣ）、アクリレート、ポリ尿素、パリレン、ポリイミド、ポリアミド等の有機絶縁材料（樹脂材料）が挙げられる。上記無機層の材料としては、例えば、窒化シリコン、酸化シリコン、酸窒化シリコン、Ａｌ_２Ｏ_３等の無機絶縁材料が挙げられる。なお、封止層３４の構造は、上述した３層構造に限定されるものではない。

　本実施形態では、反射電極２０が陽極（パターン電極、画素電極）であり、透明電極３３が陰極（共通電極）であるものとして説明している。しかし、反射電極２０が陰極であり、透明電極３３が陽極であってもよい。但し、この場合、有機ＥＬ層３２を構成する各層の順序は反転する。

　さらに、本実施形態では、有機ＥＬ表示装置１を、有機ＥＬ層３２から発光された光を、封止層３４側から外部へ出射させるトップエミッション型であるものとして説明している。しかし、有機ＥＬ表示装置１が、有機ＥＬ層３２から発光された光を、支持体１１の裏面側から外部へ出射させるボトムエミッション型である場合には、透明電極３３を、反射電極２０と同様の構成にし、反射電極２０を、透明または半透明の透光性電極材料からなる、透明電極または半透明電極で構成する。

　（配線２５の変形例）
　図１０は、有機ＥＬ表示装置１において、エッジカバー下に配線を形成した例を示す図である。図１１は、図１０に示す有機ＥＬ表示装置の画素の平面図である。

　図１に示した配線２５は、図１０に示す配線２５Ａのように、層間絶縁膜１４上であって、互いに隣接する反射電極２０間に形成されていてもよい。配線２５Ａ上には保護膜２８が形成されており、配線２５Ａおよび保護膜２８をエッジカバー３１が覆っている。

　配線２５Ａのように、層間絶縁膜１４上であって、互いに隣接する反射電極２０間に形成されている場合、さらに、配線２５Ａは、ハイレベル電源線と接続されていることが好ましい。

　有機ＥＬ表示装置１の表示領域に形成された複数のソース配線と複数のゲート配線との交差点に対応するように、各画素ＰＩＸに画素回路が設けられている。

　表示領域には、各画素回路に共通の図示しない電源線が配設されている。より詳細には、有機ＥＬ素子を駆動するためのハイレベル電源電圧ＥＬＶＤＤを供給する電源線（以下、「ハイレベル電源線」という。）、有機ＥＬ素子を駆動するためのローレベル電源電圧ＥＬＶＳＳを供給する電源線（以下、「ローレベル電源線」という。）、および初期化電圧Ｖｉｎｉを供給する電源線（以下、「初期化電源線」という。）が配設されている。ハイレベル電源電圧ＥＬＶＤＤ、ローレベル電源電圧ＥＬＶＳＳ、および初期化電圧Ｖｉｎｉは、図示しない電源回路から供給される。なお、この画素回路については、図１２を用いて後述する。

　図１０に示すように、配線２５Ａは、層間絶縁膜１４上に形成された導電膜（第２導電膜）２６と、導電膜２６上に形成された反射膜（第２反射膜）２７とを有する。

　配線２５Ａは、互いに隣接する有機ＥＬ素子間（互いに隣接する反射電極２０間）に形成されており、エッジカバー３１に覆われている。

　図１０および図１１に示すように、配線２５Ａは、層間絶縁膜１４およびパッシベーション膜１３に形成されたコンタクトホール１８を介して、ＴＦＴ１２と同層に形成されたハイレベル電源線１６ＥＬＶＤＤ（配線１６）と接続されている。

　配線２５Ａは、画素ＰＩＸ間（反射電極２０間）に、画素ＰＩＸ（反射電極２０）を囲むように形成されている。配線２５Ａは格子状に形成されていてもよいし、図１１における紙面縦方向にのみ形成されていてもよいし、図１１における紙面左右方向に形成されていてもよい。

　配線２５Ａは、コンタクトホール１８を介して、特に、ハイレベル電源線１６ＥＬＶＤＤ（図１０参照）と電気的に接続されていることが好ましい。これにより、最も電流が流れる量が多いハイレベル電源線１６ＥＬＶＤＤの抵抗を下げることができる。

　図１０に示すように、コンタクトホール１８内には、導電膜２６と、反射膜２７と、保護膜２８とが積層して配置されている。保護膜２８を導電性材料から構成する場合、保護膜２８の膜厚を、導電膜２６の膜厚よりも厚くすることで、コンタクトホール１８内及びその近傍での抵抗を下げることができる。

　また、エッジカバー３１に覆われた領域であって、反射電極２０下の層間絶縁膜１４およびパッシベーション膜１３にコンタクトホール１７が形成されている。そして、反射電極２０は、コンタクトホール１７を介してＴＦＴ１２のドレイン電極と電気的に接続されている。コンタクトホール１７内には、導電膜２１と、反射膜２２と、保護膜２３とが積層して配置されている。保護膜２３を導電性材料から構成する場合、保護膜２３の膜厚を、導電膜２１の膜厚よりも厚くすることで、コンタクトホール１７内及びその近傍での抵抗を下げることができる。

　（有機ＥＬ表示装置１の製造方法）
　次に、図１および図３を用いて、有機ＥＬ表示装置１の製造方法について説明する。図３の（ａ）は本発明の実施形態１に係る有機ＥＬ表示装置１の反射電極２０及び反射電極２０上の保護膜２３と、配線２５及び配線２５上の保護膜２８をエッチングする前の様子を表す断面図であり、（ｂ）は反射電極２０上の保護膜２３をエッチングした後の様子を表す断面図である。

　支持体１１上に、公知の方法を用いて、ＴＦＴ１２及び配線１６（ゲート配線、ソース配線及び電源線等の各種配線）を形成する。そして、ＴＦＴ１２及び配線１６を覆うように、窒化シリコンまたは酸化シリコンなどからなる無機絶縁膜をＣＶＤなどによって支持体１１上に成膜することで、パッシベーション膜１３を形成する。

　次に、パッシベーション膜１３上に、アクリルまたはポリイミドなどの感光性樹脂などからなる有機材料を塗布し、スピンコートなどによって成膜する。そして、成膜した有機材料をフォトリソグラフィなどによってパターニングすることで、層間絶縁膜１４を形成する。また、このとき、層間絶縁膜１４およびパッシベーション膜１３にコンタクトホールを形成して、ＴＦＴ１２の一部を露出させる。

　そして、導電膜２１・２６となるＩＴＯを、スパッタリングなどにより層間絶縁膜１４上の全面に成膜することで第１ＩＴＯ膜を形成する（導電膜成膜工程）。この第１ＩＴＯ膜は、層間絶縁膜１４およびパッシベーション膜１３に形成されたコンタクトホールを通してＴＦＴ１２のドレイン電極と接続される。

　次に、反射膜２２・２７となる銀または銀合金を、スパッタリングなどにより第１ＩＴＯ膜上の全面に成膜する（反射膜成膜工程）。

　そして、上記反射膜成膜工程にて第１ＩＴＯ膜の全面に成膜された上記反射膜上の全面に、保護膜２３・２８となるＩＴＯを、スパッタリングなどにより成膜することで第２ＩＴＯ膜を成膜する（保護膜成膜工程）。

　このように、基板全面に、第１ＩＴＯ膜、反射膜および第２ＩＴＯ膜を連続して成膜する。

　次に、第２ＩＴＯ膜上にレジストを塗布する。そして、フォトリソグラフィを行い、さらに、水系または溶剤系のアミン系剥離液を用いたドライエッチングにより、当該レジストをパターニングする。

　ここで、レジストをパターニングする際のフォトリソグラフィを行う直前に、基板全面にＵＶ光を照射することでＵＶ洗浄を行う。このＵＶ光が、銀または銀合金からなる反射膜に直接照射されると、反射膜の反射率が低下してしまう。しかし、反射膜上にはＩＴＯからなる第２ＩＴＯ膜が、反射膜の全面を覆うように形成されているため、ＵＶ光から反射膜を保護することができる。

　次いで、パターニングされたレジストをエッチングストッパーとし、燐酸系、硝酸系または酢酸系のエッチング液などを用いたウェットエッチングにより、第１ＩＴＯ膜、反射膜および第２ＩＴＯ膜を一括で、島状にパターニングする。

　これにより、反射電極２０の形成領域においては、導電膜２１が島状に形成され（導電膜形成工程）、導電膜２１上に導電膜２１の全面を覆う反射膜２２が島状に形成される（反射膜形成工程）。これにより反射電極２０が形成される（反射電極形成工程）。加えて、反射膜２２上（反射電極２０上）に反射膜２２の全面を覆う保護膜２３が島状に形成される（保護膜形成工程）。

　また併せて、配線２５の形成領域においては、導電膜２６と、反射膜２７とが積層された配線２５が形成される。加えて、配線２５上（反射膜２７上）に保護膜２８が形成される。

　このように、導電膜２１・２６と、保護膜２３・２８とを同じ材料から構成しているので、１回のウェットエッチングにより、反射膜２２・２７を含め、導電膜２１・２６と、保護膜２３・２８との３層を一括でパターン形成することができる。

　そして、導電膜２１・２６、反射膜２２・２７および保護膜２３・２８を島状にパターン形成するために用いたレジストを剥離する。

　なお、第１ＩＴＯ膜、反射膜および第２ＩＴＯ膜を一括で、島状にパターニングしなくても、別々にエッチングすることで、導電膜２１・２６、反射膜２２・２７および保護膜２３・２８を島状にパターン形成してもよい。この場合、第２ＩＴＯ膜を成膜後、第２ＩＴＯ膜上にレジストを塗布し、フォトリソグラフィおよびウェットエッチングによりレジストをパターニングする。そして、パターニングされたレジストをエッチングストッパーとして、ウェットエッチングにより第２ＩＴＯ膜をパターニングすることで保護膜２３・２８が形成される。次に、ウェットエッチングにより反射膜をパターニングすることで反射膜２２・２７が形成される。さらに、ウェットエッチングにより第１ＩＴＯ膜をパターニングすることで導電膜２１・２６が形成される。そして、導電膜２１・２６、反射膜２２・２７および保護膜２３・２８を島状にパターン形成するために用いたレジストを剥離する。

　次に、エッジカバー３１となる塗布材料を塗布する前に、基板全面にＵＶ光を照射することでＵＶ洗浄を行う。ここで、このＵＶ光が、銀または銀合金からなる反射膜２２・２７に直接照射されると、反射膜２２・２７の反射率が低下してしまう。しかし、反射膜２２上にはＩＴＯからなる保護膜２３が、反射膜２２の全面を覆うように形成されており、反射膜２７上にはＩＴＯからなる保護膜２８が反射膜２７の全面を覆うように形成されているため、ＵＶ光から反射膜２２・２７を保護することができる。

　ＵＶ洗浄を行った後、感光性材料からなり、エッジカバー３１となる樹脂膜を成膜する。そして、フォトリソグラフィを行うことで、当該樹脂膜をパターニングする。これによりエッジカバー３１を形成する。これにより、マトリクス状に並んで形成されている各反射電極２０および保護膜２３の縁を覆う格子状のエッジカバー３１が形成される（エッジカバー形成工程）。なお、エッジカバー３１は、配線２５および保護膜２８の全面を覆うように形成される。

　ここで、エッジカバー３１をパターニングする際の現像液が、反射膜２２・２７に直接接触すると、反射膜２２・２７が劣化してしまう。しかし、反射膜２２上にはＩＴＯからなる保護膜２３が反射膜２２の全面を覆うように形成されており、反射膜２７上にはＩＴＯからなる保護膜２８が反射膜２７の全面を覆うように形成されている。このため、エッジカバー３１形成時の現像液から反射膜２２・２７を保護することができる。

　図３の（ａ）に示すように、エッジカバー３１が形成されると、エッジカバー３１で囲まれた領域（有機ＥＬ層３２の形成領域であって発光領域）は、保護膜２３が露出される。一方、エッジカバー３１のうち保護膜２８を覆う領域には開口部が形成されず、保護膜２８は露出していない。

　次に、シュウ酸系エッチング液などを用いたウェットエッチングを行う。当該ウェットエッチングでは、図３の（ｂ）に示すように、エッジカバー３１をマスクとして、エッジカバー３１で囲まれた領域内の保護膜２３が除去される。

　これにより、保護膜２３のうち、エッジカバー３１で囲まれた領域内には開口部２３ｂが形成される。換言すると、開口部２３ｂを囲む枠状部２３ａが形成される（保護膜加工工程）。このように、反射膜２２の縁に沿って枠状に枠状部２３ａが形成される。

　なお、配線２５上の保護膜２８はエッジカバー３１によって覆われているため、配線２５上の保護膜２８は、当該ウェットエッチングによって除去されない。

　ここで、ＩＴＯは、アモルファス状態からポリ化（多結晶化）すると、ＩＴＯのエッチング液として一般的に用いられているシュウ酸系エッチング液などを用いたウェットエッチングでは除去できなくなる。

　このため、保護膜２３はアモルファスＩＴＯを用いることが好ましい。

　また、ＩＴＯは、１５ｎｍ以下であれば、２００℃以上などの高温でアニールしてもアモルファス状態から結晶化しない。そこで、保護膜２３の枠状部２３ａの膜厚ｔ１は１５ｎｍ以下が好ましい。これにより、ＩＴＯのエッチング液として一般的に用いられているシュウ酸系エッチング液などを用いたウェットエッチングで、保護膜２３を形成することができる。

　また、保護膜２３は、膜厚が薄すぎると、反射膜２２の保護膜としての機能を果たさなくなる。このため、保護膜２３の枠状部２３ａの膜厚ｔ１は１０ｎｍ以上であることが好ましい。これにより、保護膜２３を、反射膜２２の保護膜として十分に機能させることができる。なお、保護膜２３の膜厚ｔ１を１０ｎｍ以上１５ｎｍ以下とすると、保護膜２８の膜厚も同様に、１０ｎｍ以上１５ｎｍ以下となる。なお、保護膜２３・２８を導電性材料から構成する場合、保護膜２３・２８の膜厚を、導電膜２１・２６の膜厚よりも厚く形成する。これにより、反射電極２０および配線２５の抵抗を下げることができる。

　そして、水洗浄をすることで、保護膜２３をパターン形成したエッチング液を洗い流す。次に、基板を２００℃程度の温度で基板をベークすることで基板に付着した水滴を蒸発させる。

　このように、エッジカバー３１をマスクとして保護膜２３をウェットエッチングによりパターン形成しているため、別途、保護膜２３をパターン形成するためのマスクを用意する必要はない。

　次に、塗り分け蒸着などにより、エッジカバー３１で囲まれた領域内に、有機ＥＬ層３２をパターン形成する。エッジカバー３１で囲まれた領域内は、保護膜２３が除去されているため、有機ＥＬ層３２と反射膜２２と接触する。

　そして、有機ＥＬ層３２及びエッジカバー３１上に、蒸着などにより透明電極３３を表示領域５全面に形成する。

　次いで、封止層３４を形成する。具体的には、まず、ＣＶＤなどにより、透明電極３３、エッジカバー３１、および層間絶縁膜１４を覆うように、窒化シリコンまたは酸化シリコンなどからなる第１無機層を形成する。そして、インクジェット法などにより、当該無機層上であって表示領域５の全面に有機層を形成する。次に、ＣＶＤなどにより、有機層上および無機層上に、窒化シリコンまたは酸化シリコンなどからなる第２無機層を形成する。これにより、封止層３４が形成される。

　この後、駆動回路などが接続されることで有機ＥＬ表示装置１が完成する。なお、封止層３４を形成したあと、支持体１１をガラス基板からフィルムに取り換えることで、有機ＥＬ表示装置１を折り曲げ可能にフレキシブル化してもよい。

　なお、図１０および図１１に示した配線２５Ａも配線２５と同様にして形成することができる。

　（主な効果）
　このように、反射電極２０上の保護膜２３は、反射電極２０の縁に沿って枠状に形成された枠状部２３ａを備えている。このため、この枠状に形成された保護膜２３の枠状部２３ａに囲まれた開口部２３ｂ内において、有機ＥＬ層３２と、反射電極２０とが接触する構成とすることができる。これにより、有機ＥＬ層３２から反射電極２０の方向に向かう光は、保護膜２３を透過せず、直接反射膜２２によって反射され、有機ＥＬ層３２、透明電極３３および封止層３４を透過して、有機ＥＬ表示装置１の外部に出射される。このため、反射電極２０の反射率が低下することを防止することができる。

　また、保護膜２３は、開口部２３ｂが形成される前は、反射膜２２の全面を覆っている。このため、例えば、エッジカバー３１となる塗布材料の塗布前のＵＶ洗浄によるＵＶ光、エッジカバー３１のパターン形成時のエッチング液など、反射膜２２を形成後の有機ＥＬ表示装置１の製造過程において、反射膜２２の品質を劣化させる要因から反射膜２２を保護することができる。

　また、保護膜２３・２８／反射膜２２・２７／導電膜２１・２６のパターニング工程におけるＵＶ洗浄およびレジスト剥離や、エッジカバー３１の焼成時に加熱する温度（一例として２５０℃～３５０℃程度）から反射膜２２・２７を保護することができる。

　そして、保護膜２３の開口部２３ｂは、エッジカバー３１をマスクとして除去される。このため、開口部２３ｂを囲む枠状部２３ａはエッジカバー３１に覆われている。このようにエッジカバー３１をマスクとして保護膜２３の開口部２３ｂを形成するため、この開口部２３ｂを形成するために、別途、マスクなどを設ける必要がない。

　なお、保護膜２３と、反射膜２２との間に、保護膜２３の枠状部２３ａよりも膜厚が薄く、保護膜２３をパターン形成する際のエッチング液によっては保護膜２３よりもエッチングされ難い（エッチング耐性を有する）透明導電膜（エッチングストッパ層）が形成されていてもよい。この透明導電膜（エッチングストッパ層）としては、例えば、膜厚が３ｎｍ程度のポリ化（多結晶化）されたＩＴＯを挙げることができる。これにより、保護膜２３に開口部２３ｂを形成する際のエッチング液から反射膜２２をより確実に保護することができる。

　この透明導電膜（エッチングストッパ層）は、ポリ化（多結晶化）された状態のＩＴＯをパターン形成する。この場合、このポリ化（多結晶化）された状態のＩＴＯをウェットエッチングによりパターン形成する際、一般的なシュウ酸系エッチング液は使用できず、塩酸、塩化第二鉄の混合溶液等のエッチング液を用いる。

　〔実施形態２〕
　本発明の実施形態２について、図４および図５に基づいて説明すれば、以下のとおりである。なお、説明の便宜上、実施形態１にて説明した部材と同じ機能を有する部材については、同じ符号を付記し、その説明を省略する。図４は、本発明の実施形態２に係る有機ＥＬ表示装置１Ａの構成を表す断面図である。

　有機ＥＬ表示装置１Ａは、有機ＥＬ表示装置１（図１参照）が備えていた保護膜２３に換えて保護膜（第１保護膜）２３Ａを備えている。有機ＥＬ表示装置１Ａの他の構成は有機ＥＬ表示装置１と同様である。

　保護膜２３Ａは、有機ＥＬ層３２の周囲を枠状に囲む枠状部２３Ａａと、枠状部２３Ａａに囲まれた領域であって、枠状部２３Ａａより膜厚が薄い薄膜部２３Ａｂとを有する。すなわち、保護膜２３Ａは枠状部２３Ａａに囲まれた凹部を有し、反射膜２２の全面を覆っている。

　保護膜２３Ａは、ＩＴＯまたはＩＺＯなど透明な導電材料から構成することができる。一例として、本実施形態では保護膜２３はＩＴＯから構成されているものとする。

　次に、図４および図５を用いて、有機ＥＬ表示装置１Ａの製造方法について説明する。

　図５の（ａ）は本発明の実施形態２に係る有機ＥＬ表示装置１Ａの反射電極及び反射電極上の保護膜と、配線および配線上の保護膜とを表す断面図であり、（ｂ）は反射電極上の保護膜をエッチングした後の様子を表す断面図である。

　有機ＥＬ表示装置１（図１、図３参照）のエッジカバー形成工程まで同様である。

　エッジカバー形成工程において、マトリクス状に並んで形成されている各反射電極２０及び保護膜２３Ａの縁を覆う格子状のエッジカバー３１を形成する。

　図５の（ａ）に示すように、エッジカバー３１が形成されると、エッジカバー３１で囲まれた領域（有機ＥＬ層３２の形成領域）は、保護膜２３Ａが露出される。一方、エッジカバー３１は保護膜２８を覆っており、保護膜２８は露出していない。

　次に、シュウ酸系エッチング液などを用いたウェットエッチングを行う。当該ウェットエッチングでは、図３の（ｂ）に示すように、エッジカバー３１をマスクとして、エッジカバー３１で囲まれた領域内の保護膜２３Ａが薄膜化される。

　このエッジカバー３１で囲まれた領域内の保護膜２３が完全に除去されず、薄膜化されるように、エッチング液の濃度、エッチング時間などを調整する。

　これにより、保護膜２３のうち、エッジカバー３１で囲まれた領域内には膜厚が薄い薄膜部２３Ａｂが形成される。換言すると、薄膜部２３Ａｂを囲む枠状部２３Ａａが形成される（保護膜加工工程）。このように、反射膜２２の縁に沿って枠状に枠状部２３Ａａが形成されと共に、枠状部２３Ａａに囲まれた領域内に薄膜部２３Ａｂが形成される。

　そして、水洗浄をすることで、保護膜２３Ａをパターン形成したエッチング液を洗い流す。次に、基板を２００℃程度の温度で基板をベークすることで基板に付着した水滴を蒸発させる。

　ここで、反射膜２２を、銀合金ではなく純銀から構成している場合、ベーク時に反射率が低下してしまう場合がある。しかし、本実施形態では、反射膜２２は露出しておらず、全面を保護膜２３Ａが覆っている。このため、反射膜２２の反射率が低下してしまうことを防止することができる。

　これ以降、有機ＥＬ表示装置１（図１、図３）と同様に、有機ＥＬ層３２、透明電極３３、封止層３４などを順に形成していくことで、有機ＥＬ表示装置１Ａが完成する。

　保護膜２３ＡはアモルファスＩＴＯであることが好ましい。これは、ＩＴＯのエッチング液として一般的に用いられているシュウ酸系エッチング液などを用いてウェットエッチングすることができるためである。また、枠状部２３Ａａの膜厚ｔＡ１は１５ｎｍ以下とすることで、熱を加えてもポリ化（多結晶化）せず、アモルファス状態とすることができる。

　薄膜部２３Ａｂの膜厚ｔＡ２は３ｎｍ程度以下とすることで、有機ＥＬ層３２から発光された光が薄膜部２３Ａｂを透過し、反射膜２２で反射された光が再度薄膜部２３Ａｂを透過し、有機ＥＬ表示装置１Ａの外部へ出射しても、光量の低下を抑制することができる。

　また、有機ＥＬ表示装置１Ａによると、保護膜２３Ａは反射膜２２の全面を覆っているため、反射膜２２を形成した後の有機ＥＬ表示装置１Ａの製造過程において、反射膜２２の品質を劣化させる要因から、より確実に反射膜２２を保護することができる。

　すなわち、有機ＥＬ層３２からの光量の低下の抑制と、より確実な反射膜２２の保護との両立を行うことができる。

　〔実施形態３〕
　本発明の実施形態３について、図６および図７に基づいて説明すれば、以下のとおりである。なお、説明の便宜上、実施形態１、２にて説明した部材と同じ機能を有する部材については、同じ符号を付記し、その説明を省略する。図６は、本発明の実施形態３に係る有機ＥＬ表示装置１Ｂの構成を表す断面図である。

　有機ＥＬ表示装置１Ｂは、有機ＥＬ表示装置１Ａ（図４参照）が備えていた保護膜２３Ａを保護膜（第１保護膜）２３Ｂに換え、さらに、保護膜２８を保護膜（第２保護膜）２８Ｂに換えた構成である。有機ＥＬ表示装置１Ｂの他の構成は有機ＥＬ表示装置１Ａと同様である。

　保護膜２３Ｂは、有機ＥＬ層３２の周囲を枠状に囲む枠状部２３Ｂａと、枠状部２３Ｂａに囲まれた領域であって、枠状部２３Ｂａより膜厚が薄い薄膜部２３Ｂｂとを有する。すなわち、保護膜２３Ｂは枠状部２３Ｂａに囲まれた凹部を有し、反射膜２２の全面を覆っている。

　保護膜２３Ｂは、ＩＺＯなど熱を加えてもポリ化（多結晶化）しない透明な導電材料から構成することができる。一例として、本実施形態では保護膜２３ＢはＩＺＯから構成されているものとする。保護膜２８Ｂも保護膜２３Ｂと同じ材料から構成されている。

　次に、図６および図７を用いて、有機ＥＬ表示装置１Ｂの製造方法について説明する。

　図７の（ａ）は本発明の実施形態３に係る有機ＥＬ表示装置１Ｂの反射電極および反射電極上の保護膜と、配線及び配線上の保護膜を表す断面図であり、（ｂ）は反射電極上の保護膜をエッチングした後の様子を表す断面図である。

　有機ＥＬ表示装置１（図１、図３参照）、有機ＥＬ表示装置１Ａ（図４、図５）の反射膜成膜工程まで同様である。

　反射膜成膜工程において、導電膜２１・２６となる第１ＩＴＯ膜上に、反射膜２２・２７となる銀または銀合金を、スパッタリングなどにより第１ＩＴＯ膜上の全面に成膜する。

　そして、上記反射膜成膜工程にて第１ＩＴＯ膜の全面に成膜された上記反射膜上の全面に、保護膜２３Ｂ・２８ＢとなるＩＺＯを、スパッタリングなどにより成膜することでＩＺＯ膜を形成する。

　次に、シュウ酸系エッチング液などを用いたウェットエッチングにより、第１ＩＴＯ膜、反射膜およびＩＺＯ膜を一括で島状にパターン形成する。

　これにより、反射電極２０の形成領域においては、導電膜２１が島状に形成され（導電膜形成工程）、導電膜２１上に導電膜２１の全面を覆う反射膜２２が島状に形成される（反射膜形成工程）。これにより反射電極２０が形成される（反射電極形成工程）。加えて、反射膜２２上（反射電極２０上）に反射膜２２の全面を覆う保護膜２３Ｂが島状に形成される（保護膜形成工程）。

　また併せて、配線２５の形成領域においては、導電膜２６と、反射膜２７とが積層された配線２５が形成される。加えて、配線２５上（反射膜２７上）に保護膜２８Ｂが形成される。

　このように、導電膜２１・２６と、保護膜２３Ｂ・２８Ｂとを、同じシュウ酸系エッチング液によってエッチング可能な材料から構成しているので、１回のウェットエッチングにより、反射膜２２・２７を含め、導電膜２１・２６と、保護膜２３Ｂ・２８Ｂとの３層を一括でパターン形成することができる。

　次に、エッジカバー形成工程において、マトリクス状に並んで形成されている各保護膜２３Ｂの縁を覆う格子状のエッジカバー３１を形成する。

　図７の（ａ）に示すように、エッジカバー３１が形成されると、エッジカバー３１で囲まれた領域（有機ＥＬ層３２の形成領域）は、保護膜２３Ｂが露出される。一方、エッジカバー３１は配線２５Ｂを覆っており、保護膜２８Ｂは露出していない。

　次に、シュウ酸系エッチング液などを用いたウェットエッチングを行う。当該ウェットエッチングでは、図７の（ｂ）に示すように、エッジカバー３１をマスクとして、エッジカバー３１で囲まれた領域内の保護膜２３Ｂが薄膜化される。

　これにより、保護膜２３Ｂのうち、エッジカバー３１で囲まれた領域内には膜厚が薄い薄膜部２３Ｂｂが形成される。換言すると、薄膜部２３Ｂｂを囲む枠状部２３Ｂａが形成される（保護膜加工工程）。このように、反射膜２２の縁に沿って枠状に枠状部２３Ｂａが形成されと共に、枠状部２３Ｂａに囲まれた領域内に薄膜部２３Ｂｂが形成される。

　なお、配線２５上の保護膜２８Ｂはエッジカバー３１によって覆われているため、配線２５上の保護膜２８Ｂは、当該ウェットエッチングによって除去されない。

　そして、水洗浄をすることで、保護膜２３Ｂをパターン形成したエッチング液を洗い流す。次に、基板を２００℃程度の温度で基板をベークすることで基板に付着した水滴を蒸発させる。

　ここで、ＩＺＯは、ＩＴＯとは異なり、膜厚が厚くても熱によってポリ化（多結晶化）しない。枠状部２３Ｂａの膜厚ｔＢ１は１５ｎｍより大きくてもよい。すなわち、枠状部２３Ｂａの膜厚ｔＢ１は、薄膜部２３Ｂｂの膜厚ｔＢ２より厚ければよい。保護膜２３Ｂをアモルファス状態とすることができるため、ＩＴＯ及びＩＺＯのエッチング液として一般的に用いられているシュウ酸系エッチング液などを用いてウェットエッチングすることができる。これにより、特殊なエッチング液を用意する必要がない。

　薄膜部２３Ｂｂの膜厚ｔＢ２は３ｎｍ程度以下とすることで、有機ＥＬ層３２から発光された光が薄膜部２３Ｂｂ透過し、反射膜２２で反射された光が再度薄膜部２３Ｂｂを透過し、有機ＥＬ表示装置１Ｂの外部へ出射しても、光量の低下を抑制することができる。

　これ以降、有機ＥＬ表示装置１（図１、図３）および有機ＥＬ表示装置１Ａ（図４、図５）と同様に、有機ＥＬ層３２、透明電極３３、封止層３４などを順に形成していくことで、有機ＥＬ表示装置１Ｂが完成する。

　〔実施形態４〕
　本発明の実施形態４について、図８および図９に基づいて説明すれば、以下のとおりである。なお、説明の便宜上、実施形態１～３にて説明した部材と同じ機能を有する部材については、同じ符号を付記し、その説明を省略する。図８は、本発明の実施形態４に係る有機ＥＬ表示装置１Ｃの構成を表す断面図である。

　有機ＥＬ表示装置１Ｃは、有機ＥＬ表示装置１Ｂ（図６参照）が備えていた反射電極２０および配線２５に換えて反射電極２０Ｃおよび配線（第２配線）２５Ｃを備えている。

　反射電極２０Ｃは、反射膜２２上にエッチングストッパ層（第１エッチングストッパ層）２４が形成された構成である。保護膜２３Ｂはエッチングストッパ層２４上に形成されている。配線２５Ｃは、反射膜２７上にエッチングストッパ層（第２エッチングストッパ層）２９が形成された構成である。保護膜２８Ｂはエッチングストッパ層２９上に形成されている。有機ＥＬ表示装置１Ｃの他の構成は有機ＥＬ表示装置１Ｂと同様である。

　エッチングストッパ層２４・２９は枠状部２３Ｂａよりも膜厚が薄く、保護膜２３Ｂ・２８Ｂをパターン形成する際のエッチング液によっては保護膜２３Ｂ・２８Ｂよりもエッチングされ難い（エッチング耐性を有する）透明導電膜である。エッチングストッパ層２４・２９は、例えば、膜厚が３ｎｍ以下程度のポリ化（多結晶化）されたＩＴＯ（以下、ポリＩＴＯと称する）から構成することができる。

　配線２５Ｃは、導電材料からなるエッチングストッパ層２９が形成されているため、このエッチングストッパ層２９が形成されていない場合と比べて、低抵抗化することができる。

　次に、図８および図９を用いて、有機ＥＬ表示装置１Ｃの製造方法について説明する。

　図９の（ａ）は本発明の実施形態４に係る有機ＥＬ表示装置１Ｃの反射電極及び反射電極上の保護膜と、配線及び配線上の保護膜とを表す断面図であり、（ｂ）は反射電極上の保護膜をエッチングした後の様子を表す断面図である。

　有機ＥＬ表示装置１（図１、図３参照）の反射膜成膜工程まで同様である。

　反射膜成膜工程において、基板全面に、反射膜２２・２７となる銀または銀合金を、スパッタリングなどにより第１ＩＴＯ膜上の全面に成膜する。

　そして、上記反射膜成膜工程にて第１ＩＴＯ膜の全面に成膜された上記反射膜上の全面に、エッチングストッパ層２４となるポリ化されたＩＴＯを、スパッタリングなどにより成膜することで、第３ＩＴＯ膜を形成する。

　次に、第３ＩＴＯ膜上に、保護膜２３Ｂ・２８ＢとなるＩＺＯを、スパッタリングなどにより成膜することでＩＺＯ膜を形成する。

　そしてＩＺＯ膜上にレジスト成膜し、フォトリソグラフィおよびウェットエッチングによりレジストをパターニングする。

　次に、シュウ酸系エッチング液などを用いたウェットエッチングにより、ＩＺＯ膜を島状にパターン形成する。これにより、反射電極２０Ｃの形成領域において保護膜２３Ｂが島状に形成される（保護膜形成工程）。また、配線２５Ｃの形成領域において保護膜２８Ｂが形成される。

　そして次に、塩酸および塩化第二鉄の混合溶液等のエッチング液を用いてウェットエッチングすることで、ポリ化された第３ＩＴＯ膜をパターン形成する。これにより、反射電極２０Ｃの形成領域においてエッチングストッパ層２４が島状に形成される（エッチングストッパ層形成工程）。また、配線２５Ｃの形成領域においてエッチングストッパ層２９が形成される。

　次に、シュウ酸系エッチング液などを用いたウェットエッチングにより、反射膜および第１ＩＴＯ膜をパターニングする。これにより、反射電極２０Ｃの形成領域において反射膜２２および導電膜２１がパターン形成される（反射膜形成工程・導電膜形成工程）。また、配線２５Ｃの形成領域において反射膜２７および導電膜２６が形成される。そして、レジストを剥離する。

　図９の（ａ）に示すように、エッジカバー３１が形成されると、エッジカバー３１で囲まれた領域（有機ＥＬ層３２の形成領域）は、保護膜２３Ｂが露出される。一方、エッジカバー３１は配線２５Ｃ上の保護膜２８を覆っており、保護膜２８Ｂは露出していない。

　次に、シュウ酸系エッチング液などを用いたウェットエッチングを行う。当該ウェットエッチングでは、図９の（ｂ）に示すように、エッジカバー３１をマスクとして、エッジカバー３１で囲まれた領域内の保護膜２３Ｂが薄膜化される。

　これにより、保護膜２３Ｂのうち、エッジカバー３１で囲まれた領域内には膜厚が薄い薄膜部２３Ｂｂが形成される。換言すると、薄膜部２３Ｂｂを囲む枠状部２３Ｂａが形成される（保護膜加工工程）。このように、エッチングストッパ層２４を介して反射膜上に、反射膜２２の縁に沿って枠状に枠状部２３Ｂａが形成されと共に、枠状部２３Ｂａに囲まれた領域内に薄膜部２３Ｂｂが形成される。

　なお、配線２５Ｃ上の保護膜２８Ｂはエッジカバー３１によって覆われているため、配線２５Ｃ上の保護膜２８Ｂは、当該ウェットエッチングによって除去されない。

　ここで、保護膜２３Ｂと、反射膜２２との間に、保護膜２３Ｂをパターン形成する際のシュウ酸系エッチング液によってはエッチングされ難いポリＩＴＯから構成されるエッチングストッパ層２４が形成されている。このため、保護膜加工工程において、薄膜部２３Ｂｂが全て除去されてしまったとしても、反射膜２２をエッチング液から保護することができる。

　このため、より確実に反射膜２２の反射率が低下してしまうことを防止することができる。

　枠状部２３Ｂａの膜厚ｔＣ１は１５ｎｍより大きくてもよい。すなわち、枠状部２３Ｂａの膜厚ｔＣ１は、薄膜部２３Ｂｂの膜厚ｔＣ２より厚ければよい。

　薄膜部２３Ｂｂの膜厚ｔＣ２は３ｎｍ以下とすることが好ましい。また、エッチングストッパ層２４の膜厚ｔＣ３は３ｎｍ以下とすることが好ましい。これにより、有機ＥＬ層３２から発光された光が薄膜部２３Ｂｂおよびエッチングストッパ層２４透過し、反射膜２２で反射された光が再度薄膜部２３Ｂｂおよびエッチングストッパ層２４を透過し、有機ＥＬ表示装置１Ｃの外部へ出射しても、光量の低下を抑制することができる。このため、光量低下の抑制と、より確実に反射膜２２をエッチング液から保護することとを両立させることが可能である。

　これ以降、有機ＥＬ表示装置１（図１、図３）、有機ＥＬ表示装置１Ａ（図４、図５）、有機ＥＬ表示装置１Ｂ（図６、図７）と同様に、有機ＥＬ層３２、透明電極３３、封止層３４などを順に形成していくことで、有機ＥＬ表示装置１Ｃが完成する。

　〔実施形態５〕
　本発明の実施形態５について、図１２～図１４に基づいて説明すれば、以下のとおりである。なお、説明の便宜上、実施形態１～４にて説明した部材と同じ機能を有する部材については、同じ符号を付記し、その説明を省略する。

　図１２は、本発明の実施形態５に係る有機ＥＬ表示装置Ｄの画素回路の構成を表す図である。図１２では、ｍ列ｎ行に対応する画素回路５２の構成を示している。なお、ここで説明する画素回路５２の構成は一例であって、他の公知の構成を採用することもできる。

　有機ＥＬ表示装置１Ｄの表示領域には、複数のソース配線Ｓ（ｍ）およびこれらに直交する複数のゲート配線Ｇ（ｎ）が配設されている。また、表示領域には、複数のゲート配線と１対１で対応するように、複数の発光制御配線ＥＭ（n）が配設されている。さらに、表示領域には複数のソース配線Ｓ（ｍ）と複数のゲート配線Ｇ（n）との交差点に対応するように、画素回路５２が設けられている。このように画素回路５２が設けられることによって、複数の画素がマトリクス状に表示領域に形成されている。

　表示領域には、各画素回路５２に共通の図示しない電源線が配設されている。より詳細には、有機ＥＬ素子にハイレベル電源電圧ＥＬＶＤＤを供給するハイレベル電源線、有機ＥＬ素子にローレベル電源電圧ＥＬＶＳＳを供給するローレベル電源線、および初期化電圧Ｖｉｎｉを供給する初期化電源線が配設されている。

　ハイレベル電源電圧ＥＬＶＳＳは有機ＥＬ層３２の下方に形成される第１電極（陽極）に供給され、ローレベル電源電圧ＥＬＶＳＳは有機ＥＬ層３２の上に形成される第２電極（陰極）に供給される。トップエミッション法式の有機ＥＬ表示装置の場合、第１電極は反射電極を兼ねる。

　画素回路５２は、１個の有機ＥＬ素子ＯＬＥＤと６個のトランジスタＴ１～Ｔ６（駆動トランジスタＴ１、書き込み制御トランジスタＴ２、電源供給制御トランジスタＴ３、発光制御トランジスタＴ４、閾値電圧補償トランジスタＴ５、初期化トランジスタＴ６）と１個のコンデンサＣ１とを含んでいる。トランジスタＴ１～Ｔ６は、ｐチャネル型のトランジスタである。コンデンサＣ１は、２つの電極（第１電極および第２電極）からなる容量素子である。

　図１３は、本発明の実施形態５に係る有機ＥＬ表示装置１Ｄの画素の断面図である。図１４は、本発明の実施形態５に係る有機ＥＬ表示装置１Ｄの画素の平面図である。

　図１３に示すように、有機ＥＬ表示装置１Ｄでは、反射電極２０と同層（層間絶縁膜１４上）に、配線（第２配線）２５Ｄ１および配線（第３配線）２５Ｄ２が形成されている。また、保護膜２３と同層（配線２５上）であって、配線２５Ｄ１上には保護膜（第２保護膜）２８Ｄ１が形成され、配線２５Ｄ２上には保護膜（第３保護膜）２８Ｄ２が形成されている。配線２５Ｄ１は、層間絶縁膜１４上に形成された導電膜（第２導電膜）２６Ｄ１と、導電膜２６Ｄ１上に形成された反射膜（第２反射膜）２７Ｄ１とを有する。配線２５Ｄ２は、層間絶縁膜１４上に形成された導電膜（第３導電膜）２６Ｄ２と、導電膜２６Ｄ２上に形成された反射膜（第３反射膜）２７Ｄ２とを有する。この配線２５Ｄ１・Ｄ２および保護膜２８Ｄ１・２８Ｄ２は、実施形態１～４にて説明した配線２５・２５Ｂ・２５Ｃおよび保護膜２８・２８Ａ・２８Ｂと同様に形成することができる。

　すなわち、導電膜２６Ｄ１および導電膜２６Ｄ２は、導電膜２１と同層に形成されており、反射膜２７Ｄ１および反射膜２７Ｄ２は反射膜２２と同層に形成されている。

　配線２５Ｄ１は、表示領域５に形成されている。配線２５Ｄ１は、有機ＥＬ表示素子（反射電極２０）に隣接して配置されており、並んで配置されている有機ＥＬ表示素子（反射電極２０）に沿って延伸している。配線２５Ｄ１は、表示領域５に形成された有機ＥＬ表示素子（反射電極２０）のうち、外側に形成された有機ＥＬ表示素子（反射電極２０）のさらに外側に形成されている。また、配線２５Ｄ１は、互いに隣接する有機ＥＬ素子間（互いに隣接する反射電極２０間）にも形成されている。本実施形態では、配線２５Ｄ１は格子状に形成されていてもよい。

　配線２５Ｄ２は、表示領域５には形成されておらず、額縁領域６に形成されている。

　配線２５Ｄ１・２５Ｄ２は、エッジカバー３１に覆われている。エッジカバー３１における配線２５Ｄ１上にはコンタクトホール３７が形成されている。エッジカバー３１における配線２５Ｄ２上にはコンタクトホール３８が形成されている。

　そして、エッジカバー３１上の透明電極３３は、コンタクトホール３７を介して配線２５Ｄ１と接続されており、コンタクトホール３８を介して配線２５Ｄ２と接続されている。

　これにより、透明電極３３と、配線２５Ｄ１・２５Ｄ２とを電気的に接続することができる。

　なお、配線２５Ｄ１・Ｄ２上の保護膜２８Ｄ１・２８Ｄ２を絶縁材料によって構成する場合は、コンタクトホール３７・３８内において保護膜２８Ｄ１・２８Ｄ２は完全に除去されて透明電極３３と配線２５Ｄ１・２５Ｄ２とが直接接触させる必要がある。一方、保護膜２８Ｄ１・２８Ｄ２を導電性材料から構成する場合は、コンタクトホール３７・３８内において保護膜２８Ｄ１・２８Ｄ２を介して透明電極３３と配線２５Ｄ１・２５Ｄ２とが接続されていてもよい。

　さらに、配線２５Ｄ２は、層間絶縁膜１４およびパッシベーション膜１３に形成されたコンタクトホール１９を介して、ＴＦＴ１２と同層に形成された配線１６と接続されている。配線２５Ｄ２は、表示領域５ではなく、額縁領域６において、コンタクトホール１９を介してＴＦＴ１２と同層に形成された配線１６と接続されている。コンタクトホール１９内には、導電膜２６と、反射膜２７と、保護膜２８とが積層して配置されている。保護膜２８を導電性材料から構成する場合、保護膜２８の膜厚を、導電膜２６の膜厚よりも厚くすることで、コンタクトホール３７・３８内及びその近傍での抵抗を下げることができる。

　このように、配線２５Ｄ２を介して、透明電極３３は、ＴＦＴ１２と同層の配線１６と接続されている。コンタクトホール１９内に配置された配線２５Ｄ２は、導電膜２６と反射膜２７の２層を含むため、透明電極３３を直接配線１６と接続する場合と比べて、コンタクトホール１９内およびその近傍における抵抗を下げることができる。

　配線２５Ｄ２上の保護膜２８を導電性材料から構成する場合、保護膜２８の膜厚を配線２５Ｄ２の導電膜２６の膜厚よりも厚く形成することが好ましい。これにより、保護膜２８を介して接続される透明電極３３及び配線２５Ｄ２間を低抵抗化することができる。

　図１４に示すように、配線２５Ｄ１は、画素ＰＩＸ間（反射電極２０間）に、画素ＰＩＸ（反射電極２０）を囲むように形成されている。配線２５Ｄ１は格子状に形成されていてもよいし、紙面縦方向にのみ形成されていてもよいし、紙面左右方向に形成されていてもよい。コンタクトホール１７は反射電極２０の形成領域内に形成されている。また、コンタクトホール３７は配線２５Ｄ１の形成領域内に形成されている。

　配線２５Ｄ１・Ｄ２は、特に、ローレベル電源線と電気的に接続されていることが好ましい。これにより、電流が多く、抵抗が高い第２電極（陰極：透明電極３３）の抵抗を下げることができる。

　なお、図１３及び図１４では、画素ＰＩＸ毎にコンタクトホール３７を介して透明電極３３が配線２５Ｄ１と電気的に接続されているように図示しているが、透明電極３３は複数画素ＰＩＸ毎に配線２５Ｄ１と電気的に接続されていてもよい。

　〔まとめ〕
　本発明の態様１に係る有機ＥＬ表示装置１・１Ａは、有機ＥＬ層３２と、第１反射膜（反射膜２２）を有する反射電極２０と、上記有機ＥＬ層３２を介在させて上記反射電極２０と対向配置された透明電極３３と、上記反射電極２０上であって、当該反射電極２０と上記有機ＥＬ層３２との間に配置された第１保護膜（保護膜２３・２３Ａ・２３Ｂ）とを備え、上記第１保護膜（保護膜２３・２３Ａ・２３Ｂ）は、上記有機ＥＬ層３２の周囲を枠状に囲む枠状部２３ａと、当該枠状部２３ａに囲まれた開口部２３ｂまたは当該枠状部２３ａに囲まれ当該枠状部２３ａより膜厚が薄い薄膜部２３Ａｂとを有することを特徴とする。

　上記構成によると、枠状に形成された枠状部に囲まれた開口部内において、有機ＥＬ層と第１反射膜とが接触するか、他の層を介して配置される構成とすることができる。

　これにより、有機ＥＬ層から反射電極の方向に向かう光は、第１保護膜を透過せず、直接、または他の層を介して反射膜によって反射され、有機ＥＬ層、透明電極および封止層を透過して、有機ＥＬ表示装置の外部に出射される。このため、反射電極の反射率が低下することを防止することができる。

　または、枠状に形成された枠状部に囲まれた領域において、有機ＥＬ層と反射膜とを薄膜部を介して配置された構成とすることができる。

　これにより、有機ＥＬ層から反射電極の方向に向かう光は、枠状部よりも膜厚が薄い薄膜部を透過し、反射膜によって反射され、再び薄膜部を透過し、有機ＥＬ層、透明電極および封止層を透過して、有機ＥＬ表示装置の外部に出射される。このため、反射電極の反射率が低下することを抑制することができる。

　また、第１保護膜は、開口部が形成される前は、第１反射膜の全面を覆う構成とすることができる。これにより、例えば、エッジカバーとなる塗布材料の塗布前のＵＶ洗浄によるＵＶ光、エッジカバーのパターン形成時のエッチング液など、第１反射膜を形成後の有機ＥＬ表示装置の製造過程において、反射電極の品質を劣化させる要因から反射電極を保護することができる。

　本発明の態様２に係る有機ＥＬ表示装置１は、上記態様１において、上記第１保護膜（保護膜２３）は、上記枠状部２３ａに囲まれた領域が開口した開口部２３ｂを有し、上記有機ＥＬ層３２は上記第１保護膜（保護膜２３）の上記開口部２３ｂ内において上記第１反射膜（反射膜２２）と接触していてもよい。

　上記構成によると、有機ＥＬ層から反射電極の方向に向かう光は、第１保護膜を透過せず、直接第１反射膜によって反射され、有機ＥＬ層、透明電極および封止層を透過して、有機ＥＬ表示装置の外部に出射される。このため、反射電極の反射率が低下することを防止することができる。

　本発明の態様３に係る有機ＥＬ表示装置１・１Ａは、上記態様１～２において、マトリクス状に並んで形成されている上記各反射電極２０・２０Ａの縁を覆う格子状のエッジカバー３１を有し、上記枠状部２３ａ・２３Ａａはエッジカバー３１に覆われていてもよい。

　上記構成によると、エッジカバーをマスクとして保護膜の開口部または薄膜部を形成することができる。これにより、開口部または薄膜部を形成するために、別途、マスクなどを設ける必要がない。

　本発明の態様４に係る有機ＥＬ表示装置１～１Ｃは、上記態様１～３において、上記エッジカバー３１における上記有機ＥＬ層３２と接触する側面と、上記枠状部２３ａ・２３Ａａ・２３Ｂａにおける上記有機ＥＬ層３２と接触する側面とは連続する平面であってもよい。

　本発明の態様５に係る有機ＥＬ表示装置１Ｃは、上記態様１～４において、上記反射電極２０Ｃは、さらに、第１エッチングストッパ層（エッチングストッパ層２４層）を有し、上記第１エッチングストッパ層（エッチングストッパ層２４層）は、上記第１反射膜（反射膜２２）と上記第１保護膜（保護膜２３Ｂ）との間に形成され、上記第１保護膜（保護膜２３Ｂ）をパターン形成する際に用いられるエッチング液に対するエッチング耐性が当該第１保護膜（保護膜２３Ｂ）よりも高い材料から構成されていてもよい。上記構成によると、保護膜をエッチングする際に、反射膜をエッチング液から確実に保護することができる。

　本発明の態様６に係る有機ＥＬ表示装置１は、上記態様１～５において、上記反射電極２０は、上記第１反射膜（反射膜２２）における上記有機ＥＬ層３２が配置された側とは逆側に配置された第１導電膜（導電膜２１）を有し、上記第１保護膜（保護膜２３）は上記第１導電膜（導電膜２１）よりも膜厚が厚くてもよい。上記構成によると反射電極の抵抗を下げることができる。

　本発明の態様７に係る有機ＥＬ表示装置１Ｄは、上記態様６において、画素ＰＩＸ毎に配置された、画素駆動用のスイッチング素子（ＴＦＴ１２）と、上記スイッチング素子（ＴＦＴ１２）と同層に形成された第１配線（配線１６）と、上記スイッチング素子（ＴＦＴ１２）および上記第１配線（配線１６）を覆い、上記反射電極２０が積層された絶縁膜（パッシベーション膜１３・層間絶縁膜１４）とを備え、画素ＰＩＸ毎に配置され、上記反射電極２０と、上記透明電極３３と、当該反射電極２０及び上記透明電極３３間の各膜とを含む有機ＥＬ素子ＯＬＥＤは、上記絶縁膜（パッシベーション膜１３・層間絶縁膜１４）に形成されたコンタクトホール１７を介して上記第１配線（配線１６）と接続されており、上記コンタクトホール１７には、上記第１導電膜（導電膜２１）と同層に形成された第２導電膜（導電膜２６Ｄ）と、上記第１反射膜（反射膜２２）と同層に形成された第２反射膜（反射膜２７Ｄ）と、上記第１保護膜（保護膜２３）と同層に形成された第２保護膜（保護膜２８Ｄ）とが積層して配置されており、上記第２保護膜（保護膜２８Ｄ）は、上記第２導電膜（導電膜２６Ｄ）よりも膜厚が厚くてもよい。これによりコンタクトホール１７内およびその近傍の抵抗値を下げることができる。

　本発明の態様８に係る有機ＥＬ表示装置１Ｄは、上記態様３または４において、上記反射電極２０が積層された絶縁膜（パッシベーション膜１３・層間絶縁膜１４）と、上記反射電極２０と、上記透明電極３３と、当該反射電極２０及び上記透明電極３３間の各膜とを含み、上記絶縁膜（パッシベーション膜１３・層間絶縁膜１４）上に配置された第２配線（配線２５Ｄ１・２５Ｄ２）と、上記第２配線（配線２５Ｄ１・２５Ｄ２）上であって、上記第１保護膜（保護膜２３）と同層に形成された第２保護膜（保護膜２８Ｄ１・２８Ｄ２）とを備え、上記第２配線（配線２５Ｄ１・２５Ｄ２）は、上記第１反射膜（反射膜２２）と同層に形成された第２反射膜（反射膜２７Ｄ１・２７Ｄ２）と、上記第１導電膜２３と同層に形成された第２導電膜（２６Ｄ１・２６Ｄ２）とを含んでもよい。

　本発明の態様９に係る有機ＥＬ表示装置１・１Ｄは、上記態様８において、上記第２配線（配線２５Ａ１・２５Ｄ２）上記絶縁膜（パッシベーション膜１３・層間絶縁膜１４）に形成されたコンタクトホール１７・１９を介して、当該絶縁膜（パッシベーション膜１３・層間絶縁膜１４）の下層に形成された第１配線（配線１６・１６ＥＬＶＤＤ）と電気的に接続されていてもよい。これにより、互いに異なる層である、上記第２配線と、上記第１配線とを電気的に接続することができる。

　本発明の態様１０に係る有機ＥＬ表示装置１Ｄは、上記態様９において、上記第１配線（配線１６ＥＬＶＤＤ）は、上記反射電極２０にハイレベル電源電圧ＥＬＶＤＤを供給するハイレベル電源線１６ＥＬＶＤＤであってもよい。これにより、ハイレベル電源線１６ＥＬＶＤＤの抵抗を抑えることができる。

　本発明の態様１１に係る有機ＥＬ表示装置１は、上記態様８または９において、上記第２配線（配線２５Ａ）は、隣接する上記反射電極２０間に形成されていてもよい。

　本発明の態様１２に係る有機ＥＬ表示装置１Ｄは、上記態様９または１０において、上記絶縁膜（パッシベーション膜１３・層間絶縁膜１４）上に配置された第３配線（配線２５Ｄ２）と、上記第３配線（配線２５Ｄ２）上であって、上記第１保護膜（保護膜２３）と同層に形成された第３保護膜（保護膜２８Ｄ２）とを備え、上記第３配線（配線２５Ｄ２）は、上記第１反射膜（反射膜２２）と同層に形成された第３反射膜（反射膜２７Ｄ２）と、上記第１導電膜（導電膜２１）と同層に形成された第３導電膜（導電膜２６Ｄ２）とを含み、上記第２配線（配線２５Ｄ２）は、画素ＰＩＸがマトリクス状に形成された表示領域５には形成されておらず、当該表示領域５を囲む額縁領域６に形成されており、当該額縁領域６において、上記コンタクトホール３８を介して上記第１配線（配線１６）と電気的に接続されていてもよい。

　本発明の態様１３に係る有機ＥＬ表示装置１Ｄは、上記態様１２において、上記透明電極３３は、上記エッジカバー３１上にも形成されており、当該エッジカバー３１に形成されたコンタクトホール３７・３８を介して、上記透明電極３３と、上記第２配線（配線２５Ｄ１）および上記第３配線（配線２５Ｄ２）とが接続されていてもよい。上記構成によると、互いに異なる層である上記透明電極と、上記第２配線および上記第３配線とを電気的に接続することができる。

　加えて、上記第３配線が、上記第１配線とも接続されている場合は、上記第３配線を介して、上記透明電極と上記第１配線とを電気的に接続することができる。これにより、上記透明電極と上記第１配線とを直接電気的に接続する場合と比べて、抵抗を抑えることができる。

　本発明の態様１４に係る有機ＥＬ表示装置１Ｄは、上記態様８において、上記第２配線（配線２５Ｄ・２５Ｄ１・２５Ｄ２）は、上記第１導電膜（導電膜２１）と同層に形成された第２導電膜（導電膜２６・２６Ｄ１・２６Ｄ２）を含み、上記第２保護膜（保護膜２８・２８Ｄ１・２８Ｄ２）は、上記第２導電膜（導電膜２６・２６Ｄ１・２６Ｄ２）よりも膜厚が厚くてもよい。

　本発明の態様１５に係る有機ＥＬ表示装置１Ｃは、上記態様８または９において、上記反射電極２０と同層に形成された第２配線（配線２５Ｃ）と、上記第１保護膜（保護膜２３）と同層に形成された第２保護膜（保護膜２８Ｂ）とを備え、上記第２配線（配線２５Ｃ）と、上記第１導電膜（導電膜２１）と同層に形成された第２導電膜（導電膜２６）と、上記第１反射膜（反射膜２２）と同層に形成された第２反射膜（反射膜２７）と、上記第１エッチングストッパ層（エッチングストッパー層２４）と同層に形成された第２エッチングストッパ層（エッチングストッパー層２９）とを有してもよい。

　本発明の態様１６に係る有機ＥＬ表示装置１Ｃは、上記態様５において、上記反射電極２０と同層に形成された第２配線（配線２５Ｃ）と、上記第１保護膜（保護膜２３）と同層に形成された第２保護膜（保護膜２８Ｂ）とを備え、上記反射電極２０Ｃは、上記第１反射膜２２における上記有機ＥＬ層３２が配置された側とは逆側に配置された第１導電膜２１を有し、上記第２配線（配線２５Ｃ）と、上記第１導電膜（導電膜２１）と同層に形成された第２導電膜（導電膜２６）と、上記第１反射膜（反射膜２２）と同層に形成された第２反射膜（反射膜２７）と、上記第１エッチングストッパ層（エッチングストッパー層２４）と同層に形成された第２エッチングストッパ層（エッチングストッパー層２９）とを有してもよい。

　本発明の態様１７に係る有機ＥＬ表示装置１は、上記態様７，９，１０，１２，１５において、上記第１配線は、上記反射電極の周囲に格子状に形成されていてもよい。

　本発明の態様１８に係る有機ＥＬ表示装置１は、上記態様１～１７において、上記透明電極には、ローレベル電源電圧が供給されてもよい。

　本発明の態様１９に係る有機ＥＬ表示装置１は、上記態様１～１８において、上記第１保護膜２３はＩＴＯから構成されていてもよい。

　本発明の態様２０に係る有機ＥＬ表示装置１は、上記態様１～１９において、上記枠状部２３ａの膜厚は１５ｎｍ以下であってもよい。上記構成によると、一般的なエッチング液により保護膜をエッチングすることができる。

　本発明の態様２１に係る有機ＥＬ表示装置１Ｂは、上記態様１～１８おいて、上記保護膜２３ＢはＩＺＯから構成されていてもよい。上記構成によると、保護膜の膜厚が１５ｎｍより厚くても、一般的なエッチング液により保護膜をエッチングすることができる。

　本発明の態様２２に係る有機ＥＬ表示装置１Ｃは、上記態様５または１６において、上記第１エッチングストッパ層（エッチングストッパ層２４）は多結晶化されたＩＴＯから構成されていてもよい。

　本発明の態様２３に係る有機ＥＬ表示装置１の製造方法は、有機ＥＬ層を介在させて対向配置された反射電極および透明電極を備える有機ＥＬ表示装置の製造方法であって、上記反射電極となる第１反射膜を形成する反射膜形成工程と、上記第１反射膜上に直接または他の層を介して第１保護膜を、当該第１反射膜の全面を覆うように形成する保護膜成膜工程と、上記第１保護膜のうち、上記有機ＥＬ層の形成領域を除去するか、または、当該有機ＥＬ層の形成領域を、当該有機ＥＬ層の形成領域を囲む枠状部より膜厚を薄くする保護膜加工工程とを有することを特徴とする。

　上記構成によると、反射電極の反射率が低下することを抑制することができる。また、反射膜を形成後の有機ＥＬ表示装置の製造過程において、保護膜によって、反射膜の品質を劣化させる要因から反射膜を保護することができる。

　本発明の態様２４に係る有機ＥＬ表示装置１の製造方法は、さらに、上記保護膜成膜工程の後に、マトリクス状に並んで形成されている上記各反射電極の縁を覆う格子状のエッジカバーを形成するエッジカバー形成工程を有し、上記保護膜加工工程において、上記エッジカバーをマスクとしてエッチングにより、上記第１保護膜のうち、上記有機ＥＬ層の形成領域を除去するか、または、当該有機ＥＬ層の形成領域を、当該有機ＥＬ層の形成領域を囲む枠状部より膜厚を薄くする。

　本発明は上述した各実施形態に限定されるものではなく、請求項に示した範囲で種々の変更が可能であり、異なる実施形態にそれぞれ開示された技術的手段を適宜組み合わせて得られる実施形態についても本発明の技術的範囲に含まれる。さらに、各実施形態にそれぞれ開示された技術的手段を組み合わせることにより、新しい技術的特徴を形成することができる。

１・１Ａ～１Ｃ　有機ＥＬ表示装置
５　表示領域
６　額縁領域
１０　ＴＦＴ基板
１１　支持体
１２　ＴＦＴ
１３　パッシベーション膜（絶縁膜）
１４　層間絶縁膜（絶縁膜）
１６　配線（第１配線）
２４・２９　エッチングストッパ層
２０・２０Ａ～２０Ｃ　反射電極
２１　導電膜（第１導電膜）
２６・２６Ｄ１・２６Ｄ２　導電膜（第２導電膜）
２２　反射膜（第１反射膜）
２７・２７Ｄ１・２７Ｄ２　反射膜（第２反射膜）
２３・２３Ａ・２３Ｂ　保護膜（第１保護膜）
２８・２８Ａ・２８Ｂ・２８Ｄ１・２８Ｄ２　保護膜（第２保護膜）
２３ａ・２３Ａａ・２３Ｂａ　枠状部
２３ｂ　開口部
２３Ａｂ、２３Ｂｂ　薄膜部
２５・２５Ｂ・２５Ｃ・２５Ｄ１・２５Ｄ２　配線（第２配線）
３１　エッジカバー
３２　有機ＥＬ層
３３　透明電極
３４　封止層

Claims

　有機ＥＬ層と、
　第１反射膜を有する反射電極と、
　上記有機ＥＬ層を介在させて上記反射電極と対向配置された透明電極と、
　上記反射電極上であって、当該反射電極と上記有機ＥＬ層との間に配置された第１保護膜とを備え、
　上記第１保護膜は、上記有機ＥＬ層の周囲を枠状に囲む枠状部と、当該枠状部に囲まれた開口部または当該枠状部に囲まれ当該枠状部より膜厚が薄い薄膜部とを有することを特徴とする有機ＥＬ表示装置。
　上記有機ＥＬ層は上記第１保護膜の上記開口部内において上記第１反射膜と接触していることを特徴とする請求項１に記載の有機ＥＬ表示装置。
　マトリクス状に並んで形成されている上記各反射電極の縁を覆う格子状のエッジカバーを有し、
　上記枠状部は上記エッジカバーに覆われていることを特徴とする請求項１または２に記載の有機ＥＬ表示装置。
　上記エッジカバーにおける上記有機ＥＬ層と接触する側面と、上記枠状部における上記有機ＥＬ層と接触する側面とは連続する平面であることを特徴とする請求項３に記載の有機ＥＬ表示装置。
　上記反射電極は、さらに、第１エッチングストッパ層を有し、
　上記第１エッチングストッパ層は、上記第１反射膜と上記第１保護膜との間に形成され、上記第１保護膜をパターン形成する際に用いられるエッチング液に対するエッチング耐性が当該第１保護膜よりも高い材料から構成されていることを特徴とする請求項１～４の何れか１項に記載の有機ＥＬ表示装置。
　上記反射電極は、上記第１反射膜における上記有機ＥＬ層が配置された側とは逆側に配置された第１導電膜を有し、
　上記第１保護膜は上記第１導電膜よりも膜厚が厚いことを特徴とする請求項１～５の何れか１項に記載の有機ＥＬ表示装置。
　画素毎に配置された、画素駆動用のスイッチング素子と、
　上記スイッチング素子と同層に形成された第１配線と、
　上記スイッチング素子および上記第１配線を覆い、上記反射電極が積層された絶縁膜とを備え、
　画素毎に配置され、上記反射電極と、上記透明電極と、当該反射電極及び上記透明電極間の各膜とを含む有機ＥＬ素子は、上記絶縁膜に形成されたコンタクトホールを介して上記第１配線と接続されており、
　上記コンタクトホールには、上記第１導電膜と同層に形成された第２導電膜と、上記第１反射膜と同層に形成された第２反射膜と、上記第１保護膜と同層に形成された第２保護膜とが積層して配置されており、
　上記第２保護膜の膜厚は、上記第２導電膜よりも膜厚が厚いことを特徴とする請求項６に記載の有機ＥＬ表示装置。
　上記反射電極が積層された絶縁膜と、
　上記反射電極と、上記透明電極と、当該反射電極及び上記透明電極間の各膜とを含み、上記絶縁膜上に配置された第２配線と、
　上記第２配線上であって、上記第１保護膜と同層に形成された第２保護膜とを備え、
　上記第２配線は、上記第１反射膜と同層に形成された第２反射膜と、上記第１導電膜と同層に形成された第２導電膜とを含むことを特徴とする請求項６に記載の有機ＥＬ表示装置。
　上記第２配線は、上記絶縁膜に形成されたコンタクトホールを介して、当該絶縁膜の下層に形成された第１配線と電気的に接続されていることを特徴とする請求項８に記載の有機ＥＬ表示装置。
　上記第１配線は、上記反射電極にハイレベル電源電圧を供給するハイレベル電源線であることを特徴とする請求項９に記載の有機ＥＬ表示装置。
　上記第２配線は、隣接する上記反射電極間に形成されていることを特徴とする請求項８または９に記載の有機ＥＬ表示装置。
　上記絶縁膜上に配置された第３配線と、
　上記第３配線上であって、上記第１保護膜と同層に形成された第３保護膜とを備え、
　上記第３配線は、上記第１反射膜と同層に形成された第３反射膜と、上記第１導電膜と同層に形成された第３導電膜とを含み、
　上記第３配線は、画素がマトリクス状に形成された表示領域には形成されておらず、当該表示領域を囲む額縁領域に形成されており、当該額縁領域において、上記コンタクトホールを介して上記第１配線と電気的に接続されていることを特徴とする請求項９または１０に記載の有機ＥＬ表示装置。
　上記透明電極は、上記エッジカバー上にも形成されており、当該エッジカバーに形成されたコンタクトホールを介して、上記透明電極と、上記第２配線および上記第３配線とが接続されていることを特徴とする請求項１２に記載の有機ＥＬ表示装置。
　上記第２配線は、上記第１導電膜と同層に形成された第２導電膜を含み、
　上記第２保護膜は、上記第２導電膜よりも膜厚が厚いことを特徴とする請求項８に記載の有機ＥＬ表示装置。
　画素毎に配置された、画素駆動用のスイッチング素子と、
　上記スイッチング素子と同層に形成された第１配線と、
　上記スイッチング素子及び上記第１配線を覆い、上記反射電極及び上記エッジカバーが積層された絶縁膜とを備え、
　上記透明電極は、上記エッジカバー上にも形成されており、当該エッジカバーに形成されたコンタクトホールと、上記絶縁膜に形成されたコンタクトホールとを介して、上記第１配線と電気的に接続されており、
　上記エッジカバーに形成されたコンタクトホールには、上記第２導電膜と、上記第２反射膜が積層して配置されており、
　上記絶縁膜に形成されたコンタクトホールには、上記第２導電膜と、上記第２反射膜と、上記第２保護膜とが積層して配置されており、
　上記第２保護膜は、上記第２導電膜よりも膜厚が厚いことを特徴とする請求項８または９に記載の有機ＥＬ表示装置。
　上記反射電極と同層に形成された第２配線と、
　上記第１保護膜と同層に形成された第２保護膜とを備え、
　上記反射電極は、上記第１反射膜における上記有機ＥＬ層が配置された側とは逆側に配置された第１導電膜を有し、
　上記第２配線は、上記第１導電膜と同層に形成された第２導電膜と、上記第１反射膜と同層に形成された第２反射膜と、上記第１エッチングストッパ層と同層に形成された第２エッチングストッパ層とを有することを特徴とする請求項５に記載の有機ＥＬ表示装置。
　上記第１配線は、上記反射電極の周囲に格子状に形成されていることを特徴とする請求項７、９、１０、１２、１５の何れか１項に記載の有機ＥＬ表示装置。
　上記透明電極には、ローレベル電源電圧が供給されることを特徴とする請求項１～１７の何れか１項に記載の有機ＥＬ表示装置。
　上記第１保護膜はＩＴＯから構成されていることを特徴とする請求項１～１８の何れか１項に記載の有機ＥＬ表示装置。
　上記枠状部の膜厚は１５ｎｍ以下であることを特徴とする請求項１～１９の何れか１項に記載の有機ＥＬ表示装置。
　上記第１保護膜はＩＺＯから構成されていることを特徴とする請求項１～１８の何れか１項に記載の有機ＥＬ表示装置。
　上記第１エッチングストッパ層は多結晶化されたＩＴＯから構成されていることを特徴とする請求項５または１６に記載の有機ＥＬ表示装置。
　有機ＥＬ層を介在させて対向配置された反射電極および透明電極を備える有機ＥＬ表示装置の製造方法であって、
　上記反射電極となる第１反射膜を形成する反射膜形成工程と、
　上記第１反射膜上に直接または他の層を介して第１保護膜を、当該第１反射膜の全面を覆うように形成する保護膜成膜工程と、
　上記第１保護膜のうち、上記有機ＥＬ層の形成領域を除去するか、または、当該有機ＥＬ層の形成領域を、当該有機ＥＬ層の形成領域を囲む枠状部より膜厚を薄くする保護膜加工工程とを有することを特徴とする有機ＥＬ表示装置の製造方法。
　さらに、上記保護膜成膜工程の後に、マトリクス状に並んで形成されている上記各反射電極の縁を覆う格子状のエッジカバーを形成するエッジカバー形成工程を有し、
　上記保護膜加工工程において、上記エッジカバーをマスクとしてエッチングにより、上記第１保護膜のうち、上記有機ＥＬ層の形成領域を除去するか、または、当該有機ＥＬ層の形成領域を、当該有機ＥＬ層の形成領域を囲む枠状部より膜厚を薄くすることを特徴とする請求項２３に記載の有機ＥＬ表示装置の製造方法。